JPH09306256A - バルク酸化物超電導体ならびにその線材及び板の作製方法 - Google Patents
バルク酸化物超電導体ならびにその線材及び板の作製方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 超電導特性のよい長尺のバルク酸化物超電導
体、長尺のバルク酸化物超電導線材及び大面積のバルク
酸化物超電導板を得る。 【解決手段】 金属基材あるいは酸化物基材上に溶融法
を用いてＲ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（Ｒは希土類元素系でＬａ，
Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔ
ｍ，Ｙｂのいずれか１つあるいはその組合わせとする）
系のバルク酸化物超電導体が形成された金属基材あるい
は酸化物基材の複数個を、それらの超電導体側の表面を
対面接合させて線状あるいは面状に組合わせた長尺のバ
ルク酸化物超電導体、長尺のバルク酸化物超電導線材及
び大面積のバルク酸化物超電導板である。
体、長尺のバルク酸化物超電導線材及び大面積のバルク
酸化物超電導板を得る。 【解決手段】 金属基材あるいは酸化物基材上に溶融法
を用いてＲ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（Ｒは希土類元素系でＬａ，
Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔ
ｍ，Ｙｂのいずれか１つあるいはその組合わせとする）
系のバルク酸化物超電導体が形成された金属基材あるい
は酸化物基材の複数個を、それらの超電導体側の表面を
対面接合させて線状あるいは面状に組合わせた長尺のバ
ルク酸化物超電導体、長尺のバルク酸化物超電導線材及
び大面積のバルク酸化物超電導板である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高い臨界電流を有
するバルク酸化物超電導体、それを用いた長尺の線材及
び大面積の板ならびにそれらの作製法に関し、特に、バ
ルク酸化物超電導体を電力輸送用のケーブルや磁気シー
ルド板などに適用するのに有効な技術に関するものであ
る。
するバルク酸化物超電導体、それを用いた長尺の線材及
び大面積の板ならびにそれらの作製法に関し、特に、バ
ルク酸化物超電導体を電力輸送用のケーブルや磁気シー
ルド板などに適用するのに有効な技術に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】臨界温度（Ｔｃ）が９０Ｋを超えるＹ-
Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ系、Ｂｉ-Ｓｒ-Ｃａ-Ｃｕ-Ｏ系を代表とす
る酸化物超電導体の発見により、液体窒素を冷却剤とし
て使用することが可能となった。しかし、実用化するた
めには、線状、テープ状、板状などに加工する必要があ
るが、この形態では、超電導体の実用上、最も重要であ
る臨界電流が低く、実用レベルに到達していないのが現
状である。
Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ系、Ｂｉ-Ｓｒ-Ｃａ-Ｃｕ-Ｏ系を代表とす
る酸化物超電導体の発見により、液体窒素を冷却剤とし
て使用することが可能となった。しかし、実用化するた
めには、線状、テープ状、板状などに加工する必要があ
るが、この形態では、超電導体の実用上、最も重要であ
る臨界電流が低く、実用レベルに到達していないのが現
状である。
【０００３】例えば、Ｂｉ-Ｓｒ-Ｃａ-Ｃｕ-Ｏ系の酸化
物超電導体では、比較的テープ状に加工しやすく、すで
に１００ｍを超える長さのものが作製されており、２０
Ｋで１テスラ(Ｔ)を超える磁場を発生できるパンケーキ
コイルも作られているが、液体窒素温度では、わずかに
０.１Ｔ程度である。
物超電導体では、比較的テープ状に加工しやすく、すで
に１００ｍを超える長さのものが作製されており、２０
Ｋで１テスラ(Ｔ)を超える磁場を発生できるパンケーキ
コイルも作られているが、液体窒素温度では、わずかに
０.１Ｔ程度である。
【０００４】Ｂｉ-Ｓｒ-Ｃａ-Ｃｕ-Ｏ系の酸化物超電導
体の場合、結晶構造に異方性が大きく、臨界電流も結晶
のｃ軸に垂直に磁場が印加された場合は、比較的高いも
のの、平行の場合は非常に低くなる。
体の場合、結晶構造に異方性が大きく、臨界電流も結晶
のｃ軸に垂直に磁場が印加された場合は、比較的高いも
のの、平行の場合は非常に低くなる。
【０００５】一方、溶融法で作製したＹ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ
系の酸化物超電導体では、ピン止め効果の制御に成功
し、液体窒素温度でも実用レベルの非常に高い臨界電流
が達成されている。しかしながら、Ｂｉ-Ｓｒ-Ｃａ-Ｃ
ｕ-Ｏ系の酸化物超電導体で用いられているパウダ・イン
・チューブ法（ｐｏｗｄｅｒ-ｉｎ-ｔｕｂｅ法）で作製
された超電導線材及びホットフォージング法などの方法
で作製された超電導板においては、必ず結晶粒界が弱結
合となり、長尺の超電導体及び大面積のシールド板とし
ての応用は困難であると考えられていた（例えば、河野
他、１９９５年秋季低温工学・超電導学会予稿集、ｐ２
７３参照）。
系の酸化物超電導体では、ピン止め効果の制御に成功
し、液体窒素温度でも実用レベルの非常に高い臨界電流
が達成されている。しかしながら、Ｂｉ-Ｓｒ-Ｃａ-Ｃ
ｕ-Ｏ系の酸化物超電導体で用いられているパウダ・イン
・チューブ法（ｐｏｗｄｅｒ-ｉｎ-ｔｕｂｅ法）で作製
された超電導線材及びホットフォージング法などの方法
で作製された超電導板においては、必ず結晶粒界が弱結
合となり、長尺の超電導体及び大面積のシールド板とし
ての応用は困難であると考えられていた（例えば、河野
他、１９９５年秋季低温工学・超電導学会予稿集、ｐ２
７３参照）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前記従来
の技術を検討した結果、以下の問題点を見いだした。
の技術を検討した結果、以下の問題点を見いだした。
【０００７】前述のＹ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ系の酸化物超電導
体は、高温高磁場でも高い臨界電流を有するものの、長
尺の超電導体線や大面積の板を製造することができない
という問題があった。
体は、高温高磁場でも高い臨界電流を有するものの、長
尺の超電導体線や大面積の板を製造することができない
という問題があった。
【０００８】また、Ｒ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ系の酸化物超電導
体で弱結合を防ぐためには、大傾角結晶粒界のない酸化
物超電導体を作る必要があり、溶融法をうまく工夫する
ことで短いものは作製されている。しかし、結晶成長速
度はせいぜい１時間に１ｍｍであり、長尺及び大面積の
バルク酸化物超電導体の作製は実用的なプロセスとして
は困難であった。
体で弱結合を防ぐためには、大傾角結晶粒界のない酸化
物超電導体を作る必要があり、溶融法をうまく工夫する
ことで短いものは作製されている。しかし、結晶成長速
度はせいぜい１時間に１ｍｍであり、長尺及び大面積の
バルク酸化物超電導体の作製は実用的なプロセスとして
は困難であった。
【０００９】本発明の目的は、超電導特性のよい長尺の
バルク酸化物超電導体もしくは大面積のバルク酸化物超
電導体を提供することにある。
バルク酸化物超電導体もしくは大面積のバルク酸化物超
電導体を提供することにある。
【００１０】本発明の他の目的は、長尺のバルク酸化物
超電導線材もしくは大面積のバルク酸化物超電導板の作
製方法を提供することにある。
超電導線材もしくは大面積のバルク酸化物超電導板の作
製方法を提供することにある。
【００１１】本発明の他の目的は、超電導特性のよいバ
ルク酸化物超電導厚膜の作製方法を提供することにあ
る。
ルク酸化物超電導厚膜の作製方法を提供することにあ
る。
【００１２】本発明の前記ならびにその他の目的及び新
規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明ら
かにする。
規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明ら
かにする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本願によって開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。
【００１４】（１）金属基材あるいは酸化物基材上に溶
融法を用いてＲ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（Ｒは希土類元素系でＬ
ａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，
Ｔｍ，Ｙｂのいずれか１つあるいはそれらの組合わせと
する）系のバルク酸化物超電導体が形成された金属基材
あるいは酸化物基材の複数個を、各々の超電導体側の表
面を対面接合させて線状もしくはテープ状に組合わせた
長尺のバルク酸化物超電導体である。
融法を用いてＲ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（Ｒは希土類元素系でＬ
ａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，
Ｔｍ，Ｙｂのいずれか１つあるいはそれらの組合わせと
する）系のバルク酸化物超電導体が形成された金属基材
あるいは酸化物基材の複数個を、各々の超電導体側の表
面を対面接合させて線状もしくはテープ状に組合わせた
長尺のバルク酸化物超電導体である。
【００１５】（２）金属基材あるいは酸化物基材上に溶
融法を用いてＲ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（Ｒは希土類元素系でＬ
ａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，
Ｔｍ，Ｙｂのいずれか１つあるいはそれらの組合わせと
する）系のバルク酸化物超電導体が形成された金属基材
あるいは酸化物基材の複数個を、各々の超電導体側の表
面を対面接合させて面状もしくは板状に組合わせた大面
積のバルク酸化物超電導体である。
融法を用いてＲ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（Ｒは希土類元素系でＬ
ａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，
Ｔｍ，Ｙｂのいずれか１つあるいはそれらの組合わせと
する）系のバルク酸化物超電導体が形成された金属基材
あるいは酸化物基材の複数個を、各々の超電導体側の表
面を対面接合させて面状もしくは板状に組合わせた大面
積のバルク酸化物超電導体である。
【００１６】（３）金属基材あるいは酸化物基材上に溶
融法を用いてＲ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（Ｒは希土類元素系でＬ
ａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，
Ｔｍ，Ｙｂのいずれか１つあるいはそれらの組合わせと
する）系のバルク酸化物超電導体を形成し、該バルク酸
化物超電導体が形成された金属あるいは酸化物基材の複
数個を、各々のバルク酸化物超電導体側の表面を対面接
合させて線状もしくはテープ状に組合わせ、長尺のバル
ク酸化物超電導線材を作製する方法である。
融法を用いてＲ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（Ｒは希土類元素系でＬ
ａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，
Ｔｍ，Ｙｂのいずれか１つあるいはそれらの組合わせと
する）系のバルク酸化物超電導体を形成し、該バルク酸
化物超電導体が形成された金属あるいは酸化物基材の複
数個を、各々のバルク酸化物超電導体側の表面を対面接
合させて線状もしくはテープ状に組合わせ、長尺のバル
ク酸化物超電導線材を作製する方法である。
【００１７】（４）金属基材あるいは酸化物基材上に溶
融法を用いてＲ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（Ｒは希土類元素系でＬ
ａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，
Ｔｍ，Ｙｂのいずれか１つあるいはそれらの組合わせと
する）系のバルク酸化物超電導体を形成し、該バルク酸
化物超電導体が形成された金属あるいは酸化物基材の複
数個を、各々のバルク酸化物超電導体側の表面を対面接
合させて面状もしくは板状に組合わせ、大面積のバルク
酸化物超電導板を作製する方法である。
融法を用いてＲ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（Ｒは希土類元素系でＬ
ａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，
Ｔｍ，Ｙｂのいずれか１つあるいはそれらの組合わせと
する）系のバルク酸化物超電導体を形成し、該バルク酸
化物超電導体が形成された金属あるいは酸化物基材の複
数個を、各々のバルク酸化物超電導体側の表面を対面接
合させて面状もしくは板状に組合わせ、大面積のバルク
酸化物超電導板を作製する方法である。
【００１８】（５）前記（３）又は（４）のバルク酸化
物超電導線材又はバルク酸化物超電導板の作製方法にお
いて、接合する際に９００℃以上１０００℃以下に加熱
し、０.１ｋｇｆ／ｃｍ2以上１０ｋｇｆ／ｃｍ2以下の
圧力を加えるものである。
物超電導線材又はバルク酸化物超電導板の作製方法にお
いて、接合する際に９００℃以上１０００℃以下に加熱
し、０.１ｋｇｆ／ｃｍ2以上１０ｋｇｆ／ｃｍ2以下の
圧力を加えるものである。
【００１９】（６）金属基材あるいは酸化物基材上に溶
融法を用いてＲ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（Ｒは希土類元素系でＬ
ａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，
Ｔｍ，Ｙｂのいずれか１つあるいはその組合わせとす
る）系のバルク酸化物超電導体を溶融成長させる際に、
酸化物超電導体のペーストが前記基材の上面に塗布さ
れ、この酸化物超電導体のペーストの移動方向の先端の
中央部に種結晶を配置し、前記基材を炉中で移動させ、
その移動方向に１℃／ｃｍ以上１００℃／ｃｍ以下の温
度勾配をつけて行うバルク酸化物超電導厚膜の作製方法
である。
融法を用いてＲ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（Ｒは希土類元素系でＬ
ａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，
Ｔｍ，Ｙｂのいずれか１つあるいはその組合わせとす
る）系のバルク酸化物超電導体を溶融成長させる際に、
酸化物超電導体のペーストが前記基材の上面に塗布さ
れ、この酸化物超電導体のペーストの移動方向の先端の
中央部に種結晶を配置し、前記基材を炉中で移動させ、
その移動方向に１℃／ｃｍ以上１００℃／ｃｍ以下の温
度勾配をつけて行うバルク酸化物超電導厚膜の作製方法
である。
【００２０】すなわち、本発明の概要は、高温超電導の
バルク酸化物超電導体の溶融法と接合の組合わせを用
い、金属基材あるいは酸化物基材の上で弱結合のないバ
ルク酸化物超電導体をある程度の長さで成長させた後、
その複数個のバルク酸化物超電導体間を超電導接合する
ことにより、弱結合のない長尺のバルク酸化物超電導体
あるいは大面積のバルク酸化物超電導体を作製するもの
である。
バルク酸化物超電導体の溶融法と接合の組合わせを用
い、金属基材あるいは酸化物基材の上で弱結合のないバ
ルク酸化物超電導体をある程度の長さで成長させた後、
その複数個のバルク酸化物超電導体間を超電導接合する
ことにより、弱結合のない長尺のバルク酸化物超電導体
あるいは大面積のバルク酸化物超電導体を作製するもの
である。
【００２１】本発明によれば、連続プロセスを用いるこ
となく、長尺あるいは大面積のバルク酸化物超電導体を
作製することが可能である。よって、工業的なプロセス
として高い臨界電流密度を有するＲ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ系の
バルク酸化物超電導線材の長尺化及びバルク酸化物超電
導板の大面積が可能となる。
となく、長尺あるいは大面積のバルク酸化物超電導体を
作製することが可能である。よって、工業的なプロセス
として高い臨界電流密度を有するＲ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ系の
バルク酸化物超電導線材の長尺化及びバルク酸化物超電
導板の大面積が可能となる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明についてその実施形
態とともに詳細に説明する。
態とともに詳細に説明する。
【００２３】（実施形態１）Ｙ2Ｏ3，ＢａＣＯ3，Ｃｕ
Ｏを、Ｙ：Ｂａ：Ｃｕの比が１．８：２．４：３．４
｛ＹＢａ2Ｃｕ3ＯX（Ｙ１２３）の中にＹ2ＢａＣｕＯ5
（Ｙ２１１）が入っているバルク酸化物超電導体が形成
される混合比｝になるように混合し、９００℃で２４時
間（ｈ）仮焼し、さらに１４００℃で２０分加熱後、銅
製ハンマーに挟んで急冷し、その後乳鉢を用いて、微細
紛砕する。粉砕粉をこれと同量の有機バインダーとして
ポリビニルブチラールを１０％含む溶媒のイソプロピル
アルコールと混合し、図１（超電導厚膜単体の上面図）
及び図２（超電導厚膜単体の側面図）に示すように、で
きたペーストを１０ｍｍ×５０ｍｍ×１ｍｍの基板（基
材：ＺｒＯ2）１０上にスクリーン印刷機を用いて０.２
ｍｍの厚さに塗布する（後に図１に示す超電導体Ｙ１２
３が生成される）。
Ｏを、Ｙ：Ｂａ：Ｃｕの比が１．８：２．４：３．４
｛ＹＢａ2Ｃｕ3ＯX（Ｙ１２３）の中にＹ2ＢａＣｕＯ5
（Ｙ２１１）が入っているバルク酸化物超電導体が形成
される混合比｝になるように混合し、９００℃で２４時
間（ｈ）仮焼し、さらに１４００℃で２０分加熱後、銅
製ハンマーに挟んで急冷し、その後乳鉢を用いて、微細
紛砕する。粉砕粉をこれと同量の有機バインダーとして
ポリビニルブチラールを１０％含む溶媒のイソプロピル
アルコールと混合し、図１（超電導厚膜単体の上面図）
及び図２（超電導厚膜単体の側面図）に示すように、で
きたペーストを１０ｍｍ×５０ｍｍ×１ｍｍの基板（基
材：ＺｒＯ2）１０上にスクリーン印刷機を用いて０.２
ｍｍの厚さに塗布する（後に図１に示す超電導体Ｙ１２
３が生成される）。
【００２４】粉砕粉が溶媒中に分散されやすい場合に
は、有機バインダーが含まれなくてもよく、溶媒は他の
有機溶媒でもよい。次に、図１及び図２に示すように、
塗布されたペースト上の長手方向の一方の端に、種結晶
２０としてａ軸×ｂ軸×ｃ軸方向がそれぞれ１ｍｍ×１
ｍｍ×０.１ｍｍの大きさになるように切り出したＮｄ
Ｂａ2Ｃｕ3ＯX（Ｎｄ１２３）単結晶をｃ軸方向が基板
１０の面と垂直方向となるように置いた後、１５０℃空
気中で３０分間保持し溶媒のイソプロピルアルコールを
蒸発させ、さらに、６００℃で３０分間保持し、バイン
ダーを分解する。ペーストに有機バインダーを含まない
場合は溶媒の蒸発だけでもよい。
は、有機バインダーが含まれなくてもよく、溶媒は他の
有機溶媒でもよい。次に、図１及び図２に示すように、
塗布されたペースト上の長手方向の一方の端に、種結晶
２０としてａ軸×ｂ軸×ｃ軸方向がそれぞれ１ｍｍ×１
ｍｍ×０.１ｍｍの大きさになるように切り出したＮｄ
Ｂａ2Ｃｕ3ＯX（Ｎｄ１２３）単結晶をｃ軸方向が基板
１０の面と垂直方向となるように置いた後、１５０℃空
気中で３０分間保持し溶媒のイソプロピルアルコールを
蒸発させ、さらに、６００℃で３０分間保持し、バイン
ダーを分解する。ペーストに有機バインダーを含まない
場合は溶媒の蒸発だけでもよい。
【００２５】さらに、図３に示すように、ペースト３０
Ａを塗布した基板１０を最高温度が１０２０℃でこのと
きの温度勾配が１０℃／ｃｍであるような炉中を１ｃｍ
／ｈ（時間）の速度で高温側から低温度へ種結晶２０を
置いた側が先頭となるように移動し、超電導粒を溶融成
長させ、超電導体（Ｙ１２３膜）３０（図１及び図２）
を形成する。
Ａを塗布した基板１０を最高温度が１０２０℃でこのと
きの温度勾配が１０℃／ｃｍであるような炉中を１ｃｍ
／ｈ（時間）の速度で高温側から低温度へ種結晶２０を
置いた側が先頭となるように移動し、超電導粒を溶融成
長させ、超電導体（Ｙ１２３膜）３０（図１及び図２）
を形成する。
【００２６】すなわち、基板１０を炉中で徐々に移動さ
せると、最高温度点に近い点に近づいたとき超電導粒は
部分溶融し、最高温度点を過ぎた部分から温度勾配下で
の連続的な方向凝固となる。
せると、最高温度点に近い点に近づいたとき超電導粒は
部分溶融し、最高温度点を過ぎた部分から温度勾配下で
の連続的な方向凝固となる。
【００２７】その後１気圧の酸素中で５００℃で１００
時間熱処理する。この工程で得られた超電導体（Ｙ１２
３）３０の臨界電流密度をパルス電流通電法で測定した
ところ、７７Ｋ、ゼロ磁場で５５０００Ａ／ｃｍ2であ
った。
時間熱処理する。この工程で得られた超電導体（Ｙ１２
３）３０の臨界電流密度をパルス電流通電法で測定した
ところ、７７Ｋ、ゼロ磁場で５５０００Ａ／ｃｍ2であ
った。
【００２８】前記図３において、１０は基板（基材：Ｚ
ｒＯ2）、２０は種結晶（Ｎｄ１２３単晶）、３０Ａは
超電導体（Ｙ１２３）を形成するためのペースト、４０
は集光用鏡、５０は加熱用ランプである。
ｒＯ2）、２０は種結晶（Ｎｄ１２３単晶）、３０Ａは
超電導体（Ｙ１２３）を形成するためのペースト、４０
は集光用鏡、５０は加熱用ランプである。
【００２９】以上の工程で作製した超電導体を一対準備
し、互に接触する面の表面粗さが１μｍ以下となるよう
に研磨し整えた後、図４に示すように、それぞれ超電導
相の面が相対するように押しつけ、１ｋｇｆ／ｃｍ2の
圧力を印加した状態で９５０℃で１０分間加熱後、室温
まで冷却する。その後、１気圧の酸素気流中で５００℃
で１００時間（ｈ）熱処理（アニール処理）する。この
超電導体の臨界電流密度をパルス電流通電法で測定した
ところ、７７Ｋ、ゼロ磁場で４５０００Ａ／ｃｍ2であ
った。
し、互に接触する面の表面粗さが１μｍ以下となるよう
に研磨し整えた後、図４に示すように、それぞれ超電導
相の面が相対するように押しつけ、１ｋｇｆ／ｃｍ2の
圧力を印加した状態で９５０℃で１０分間加熱後、室温
まで冷却する。その後、１気圧の酸素気流中で５００℃
で１００時間（ｈ）熱処理（アニール処理）する。この
超電導体の臨界電流密度をパルス電流通電法で測定した
ところ、７７Ｋ、ゼロ磁場で４５０００Ａ／ｃｍ2であ
った。
【００３０】（実施形態２）前記実施形態１と同様の手
法で、成長の際の温度勾配が１℃／ｃｍであるような炉
中を移動速度０.１ｃｍ／ｈ、１ｃｍ／ｈ及び１０ｃｍ
／ｈとして超電導体を作製した。得られた超電導体の臨
界電流密度は接合前の状態でそれぞれ３００００、４０
０００及び３５０００Ａ／ｃｍ2であったが、接合後の
状態ではそれぞれ２８０００、３５０００及び３０００
０Ａ／ｃｍ2であった。
法で、成長の際の温度勾配が１℃／ｃｍであるような炉
中を移動速度０.１ｃｍ／ｈ、１ｃｍ／ｈ及び１０ｃｍ
／ｈとして超電導体を作製した。得られた超電導体の臨
界電流密度は接合前の状態でそれぞれ３００００、４０
０００及び３５０００Ａ／ｃｍ2であったが、接合後の
状態ではそれぞれ２８０００、３５０００及び３０００
０Ａ／ｃｍ2であった。
【００３１】また、実施形態１と同様の手法で、成長の
際の温度勾配が１００℃／ｃｍであるような炉中を移動
速度０.１ｃｍ／ｈ、１ｃｍ／ｈ及び１０ｃｍ／ｈとし
て超電導体を作製した。得られた超電導体（Ｙ１２３）
の臨界電流密度は接合前の状態でそれぞれ３２０００、
３６０００及び３３０００Ａ／ｃｍ2であったが、接合
後の状態ではそれぞれ２７０００、３４０００及び２９
０００Ａ／ｃｍ2であった。
際の温度勾配が１００℃／ｃｍであるような炉中を移動
速度０.１ｃｍ／ｈ、１ｃｍ／ｈ及び１０ｃｍ／ｈとし
て超電導体を作製した。得られた超電導体（Ｙ１２３）
の臨界電流密度は接合前の状態でそれぞれ３２０００、
３６０００及び３３０００Ａ／ｃｍ2であったが、接合
後の状態ではそれぞれ２７０００、３４０００及び２９
０００Ａ／ｃｍ2であった。
【００３２】（実施形態３）前記実施形態１と同様の手
法で、Ｒ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（Ｒ：Ｎｄ、Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇ
ｄ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂのいずれか１つ
あるいはそれらの組合わせとする）超電導線材を作製し
た。ただし、Ｎｄ、Ｓｍ，Ｅｕにおいては、溶融成長は
０.０１気圧の酸素分圧の酸素、アルゴンガス中におい
て行い、熱処理後の酸素アニールは、１気圧の酸素中
で、３００℃で２４０時間（ｈ）行った。その他のプロ
セス条件は同様である。
法で、Ｒ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（Ｒ：Ｎｄ、Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇ
ｄ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂのいずれか１つ
あるいはそれらの組合わせとする）超電導線材を作製し
た。ただし、Ｎｄ、Ｓｍ，Ｅｕにおいては、溶融成長は
０.０１気圧の酸素分圧の酸素、アルゴンガス中におい
て行い、熱処理後の酸素アニールは、１気圧の酸素中
で、３００℃で２４０時間（ｈ）行った。その他のプロ
セス条件は同様である。
【００３３】得られた超電導線材の臨界電流密度は、７
７Ｋ、ゼロ磁場において、それぞれＲがＮｄの場合５０
０００Ａ／ｃｍ2、ＲがＳｍの場合６００００Ａ／ｃ
ｍ2、ＲがＥｕの場合６５０００Ａ／ｃｍ2、ＲがＧｄの
場合３５０００Ａ／ｃｍ2、ＲがＤｙの場合４００００
Ａ／ｃｍ2、ＲがＨｏの場合３００００Ａ／ｃｍ2、Ｒが
Ｅｒの場合３００００Ａ／ｃｍ2、ＲがＴｍの場合２５
０００Ａ／ｃｍ2、ＲがＹｂの場合２００００Ａ／ｃｍ2
であった。
７Ｋ、ゼロ磁場において、それぞれＲがＮｄの場合５０
０００Ａ／ｃｍ2、ＲがＳｍの場合６００００Ａ／ｃ
ｍ2、ＲがＥｕの場合６５０００Ａ／ｃｍ2、ＲがＧｄの
場合３５０００Ａ／ｃｍ2、ＲがＤｙの場合４００００
Ａ／ｃｍ2、ＲがＨｏの場合３００００Ａ／ｃｍ2、Ｒが
Ｅｒの場合３００００Ａ／ｃｍ2、ＲがＴｍの場合２５
０００Ａ／ｃｍ2、ＲがＹｂの場合２００００Ａ／ｃｍ2
であった。
【００３４】（実施形態４）前記実施形態１〜３の工程
で作製した超電導体を多数対準備し、互に接触する面の
表面粗さが１μｍ以下となるように研磨し整えた後、図
４と同様に前記一対の超電導体のそれぞれ超電導相の面
が相対するように順次押しつけて行き、図５に示すよう
に長尺化し、これを１ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力を印加した
状態で９５０℃で１０分間加熱後、室温まで冷却する。
その後、１気圧の酸素気流中で５００℃で１００時間
（ｈ）熱処理（アニール処理）する。このようにして、
超電導特性のよい長尺のバルク酸化物超電導線材を作製
することができた。
で作製した超電導体を多数対準備し、互に接触する面の
表面粗さが１μｍ以下となるように研磨し整えた後、図
４と同様に前記一対の超電導体のそれぞれ超電導相の面
が相対するように順次押しつけて行き、図５に示すよう
に長尺化し、これを１ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力を印加した
状態で９５０℃で１０分間加熱後、室温まで冷却する。
その後、１気圧の酸素気流中で５００℃で１００時間
（ｈ）熱処理（アニール処理）する。このようにして、
超電導特性のよい長尺のバルク酸化物超電導線材を作製
することができた。
【００３５】（実施形態５）前記実施形態１〜３の工程
と同様の工程で四方形の超電導体を多数個作製し、これ
らを、図６及び図７に示すように、それぞれ超電導相の
面が同じ方向に配列した二組の超電導板（超電導シー
ト）６０Ａ，６０Ｂを作製する。この二組の超電導板６
０Ａ，６０Ｂをそれぞれ超電導相の面が相対するように
押しつけ、１ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力を印加した状態で９
５０℃で１０分間加熱後、室温まで冷却する。その後、
１気圧の酸素気流中で５００℃で１００時間（ｈ）熱処
理（アニール処理）する。このようにして、超電導特性
のよい大面積のバルク酸化物超電導板（シート）を作製
することができた。
と同様の工程で四方形の超電導体を多数個作製し、これ
らを、図６及び図７に示すように、それぞれ超電導相の
面が同じ方向に配列した二組の超電導板（超電導シー
ト）６０Ａ，６０Ｂを作製する。この二組の超電導板６
０Ａ，６０Ｂをそれぞれ超電導相の面が相対するように
押しつけ、１ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力を印加した状態で９
５０℃で１０分間加熱後、室温まで冷却する。その後、
１気圧の酸素気流中で５００℃で１００時間（ｈ）熱処
理（アニール処理）する。このようにして、超電導特性
のよい大面積のバルク酸化物超電導板（シート）を作製
することができた。
【００３６】以上、本発明者がなされた発明を実施形態
（実施例）に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施形態（実施例）に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更し得ることはい
うまでもない。
（実施例）に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施形態（実施例）に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更し得ることはい
うまでもない。
【００３７】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。
【００３８】（１）超電導特性のよい長尺のバルク酸化
物超電導線材及び大面積のバルク酸化物超電導板を得る
ことができる。
物超電導線材及び大面積のバルク酸化物超電導板を得る
ことができる。
【００３９】（２）簡単な設備で超電導特性のよい長尺
のバルク酸化物超電導体、バルク酸化物超電導線材及び
大面積のバルク酸化物超電導板を作製することができ
る。
のバルク酸化物超電導体、バルク酸化物超電導線材及び
大面積のバルク酸化物超電導板を作製することができ
る。
【００４０】（３）超電導特性のよいバルク酸化物超電
導厚膜を容易に作製することができる。
導厚膜を容易に作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１のバルク酸化物超電導体の
構成を説明するためのバルク酸化物超電導厚膜単体の上
面図である。
構成を説明するためのバルク酸化物超電導厚膜単体の上
面図である。
【図２】本発明の実施形態１のバルク酸化物超電導体の
構成を説明するためのバルク酸化物超電導厚膜単体の側
面図である。
構成を説明するためのバルク酸化物超電導厚膜単体の側
面図である。
【図３】本発明の実施形態１のバルク酸化物超電導体の
作製に用いる温度勾配炉の概略構成を示す模式図であ
る。
作製に用いる温度勾配炉の概略構成を示す模式図であ
る。
【図４】本発明の実施形態１のバルク酸化物超電導線材
の構成を示す側面図である。
の構成を示す側面図である。
【図５】本発明の実施形態４の長尺のバルク酸化物超電
導線材の構成を示す図である。
導線材の構成を示す図である。
【図６】本発明の実施形態５の長尺のバルク酸化物超電
導線材の構成を示す平面図である。
導線材の構成を示す平面図である。
【図７】図６の側面図である。
１０…基板（ＺｒＯ2）、２０…種結晶（Ｎｄ１２３単
晶）、３０…超電導体（Ｙ１２３）、３０Ａ…超電導体
（Ｙ１２３）を形成するためのペースト、４０…集光用
鏡、５０…加熱用ランプ、６０Ａ，６０Ｂ…超電導体
（Ｙ１２３）板。
晶）、３０…超電導体（Ｙ１２３）、３０Ａ…超電導体
（Ｙ１２３）を形成するためのペースト、４０…集光用
鏡、５０…加熱用ランプ、６０Ａ，６０Ｂ…超電導体
（Ｙ１２３）板。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年１１月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】一方、溶融法で作製したＹ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ
系の酸化物超電導体では、ピン止め効果の制御に成功
し、液体窒素温度でも実用レベルの非常に高い臨界電流
が達成されている。しかしながら、Ｂｉ-Ｓｒ-Ｃａ-Ｃ
ｕ-Ｏ系の酸化物超電導体で用いられているパウダ・イン
・チューブ法（ｐｏｗｄｅｒ-ｉｎ-ｔｕｂｅ法）で作製
された超電導線材及びホットフォージング法などの方法
で作製された超電導板においては、必ず結晶粒界が弱結
合となり、長尺の超電導線材及び大面積のシールド板と
しての応用は困難であると考えられていた（例えば、河
野他、１９９５年秋季低温工学・超電導学会予稿集、ｐ
２７３参照）。
系の酸化物超電導体では、ピン止め効果の制御に成功
し、液体窒素温度でも実用レベルの非常に高い臨界電流
が達成されている。しかしながら、Ｂｉ-Ｓｒ-Ｃａ-Ｃ
ｕ-Ｏ系の酸化物超電導体で用いられているパウダ・イン
・チューブ法（ｐｏｗｄｅｒ-ｉｎ-ｔｕｂｅ法）で作製
された超電導線材及びホットフォージング法などの方法
で作製された超電導板においては、必ず結晶粒界が弱結
合となり、長尺の超電導線材及び大面積のシールド板と
しての応用は困難であると考えられていた（例えば、河
野他、１９９５年秋季低温工学・超電導学会予稿集、ｐ
２７３参照）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】前述のＹ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ系の酸化物超電導
体は、高温高磁場でも高い臨界電流を有するものの、長
尺の超電導線材や大面積の板を製造することができない
という問題があった。
体は、高温高磁場でも高い臨界電流を有するものの、長
尺の超電導線材や大面積の板を製造することができない
という問題があった。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】（３）金属基材あるいは酸化物基材上に溶
融法を用いてＲ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（Ｒは希土類元素系でＬ
ａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，
Ｔｍ，Ｙｂのいずれか１つあるいはそれらの組合わせと
する）系のバルク酸化物超電導体を形成し、該バルク酸
化物超電導体が形成された金属基材あるいは酸化物基材
の複数個を、各々のバルク酸化物超電導体側の表面を対
面接合させて線状もしくはテープ状に組合わせ、長尺の
バルク酸化物超電導線材を作製する方法である。
融法を用いてＲ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（Ｒは希土類元素系でＬ
ａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，
Ｔｍ，Ｙｂのいずれか１つあるいはそれらの組合わせと
する）系のバルク酸化物超電導体を形成し、該バルク酸
化物超電導体が形成された金属基材あるいは酸化物基材
の複数個を、各々のバルク酸化物超電導体側の表面を対
面接合させて線状もしくはテープ状に組合わせ、長尺の
バルク酸化物超電導線材を作製する方法である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】（４）金属基材あるいは酸化物基材上に溶
融法を用いてＲ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（Ｒは希土類元素系でＬ
ａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，
Ｔｍ，Ｙｂのいずれか１つあるいはそれらの組合わせと
する）系のバルク酸化物超電導体を形成し、該バルク酸
化物超電導体が形成された金属基材あるいは酸化物基材
の複数個を、各々のバルク酸化物超電導体側の表面を対
面接合させて面状もしくは板状に組合わせ、大面積のバ
ルク酸化物超電導板を作製する方法である。
融法を用いてＲ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（Ｒは希土類元素系でＬ
ａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，
Ｔｍ，Ｙｂのいずれか１つあるいはそれらの組合わせと
する）系のバルク酸化物超電導体を形成し、該バルク酸
化物超電導体が形成された金属基材あるいは酸化物基材
の複数個を、各々のバルク酸化物超電導体側の表面を対
面接合させて面状もしくは板状に組合わせ、大面積のバ
ルク酸化物超電導板を作製する方法である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】（６）金属基材あるいは酸化物基材上に溶
融法を用いてＲ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（Ｒは希土類元素系でＬ
ａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，
Ｔｍ，Ｙｂのいずれか１つあるいはそれらの組合わせと
する）系のバルク酸化物超電導体を溶融成長させる際
に、酸化物超電導体のペーストが前記基材の上面に塗布
され、この酸化物超電導体のペーストの移動方向の先端
の中央部に種結晶を配置し、前記基材を炉中で移動さ
せ、その移動方向に１℃／ｃｍ以上１００℃／ｃｍ以下
の温度勾配をつけて行うバルク酸化物超電導厚膜の作製
方法である。
融法を用いてＲ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（Ｒは希土類元素系でＬ
ａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，
Ｔｍ，Ｙｂのいずれか１つあるいはそれらの組合わせと
する）系のバルク酸化物超電導体を溶融成長させる際
に、酸化物超電導体のペーストが前記基材の上面に塗布
され、この酸化物超電導体のペーストの移動方向の先端
の中央部に種結晶を配置し、前記基材を炉中で移動さ
せ、その移動方向に１℃／ｃｍ以上１００℃／ｃｍ以下
の温度勾配をつけて行うバルク酸化物超電導厚膜の作製
方法である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３９】（２）簡単な設備で超電導特性のよい長尺
のバルク酸化物超電導体、長尺のバルク酸化物超電導線
材及び大面積のバルク酸化物超電導板を作製することが
できる。
のバルク酸化物超電導体、長尺のバルク酸化物超電導線
材及び大面積のバルク酸化物超電導板を作製することが
できる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図６】本発明の実施形態５の大面積のバルク酸化物超
電導板の構成を示す平面図である。
電導板の構成を示す平面図である。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図６】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正内容】
【図７】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村上 雅人 東京都江東区東雲一丁目14番３ 財団法人 国際超電導産業技術研究センター 超電 導工学研究所内 (72)発明者 澤田 和彦 東京都江東区東雲一丁目14番３ 財団法人 国際超電導産業技術研究センター 超電 導工学研究所内 (72)発明者 坂井 直道 東京都江東区東雲一丁目14番３ 財団法人 国際超電導産業技術研究センター 超電 導工学研究所内 (72)発明者 樋口 天光 東京都江東区東雲一丁目14番３ 財団法人 国際超電導産業技術研究センター 超電 導工学研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】 金属基材あるいは酸化物基材上に溶融法
を用いてＲ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（Ｒは希土類元素系でＬａ，
Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔ
ｍ，Ｙｂのいずれか１つあるいはそれらの組合わせとす
る）系のバルク酸化物超電導体が形成された金属基材あ
るいは酸化物基材の複数個を、各々の超電導体側の表面
を対面接合させて線状もしくはテープ状に組合わせた長
尺のバルク酸化物超電導体。 - 【請求項２】 金属基材あるいは酸化物基材上に溶融法
を用いてＲ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（Ｒは希土類元素系でＬａ，
Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔ
ｍ，Ｙｂのいずれか１つあるいはそれらの組合わせとす
る）系のバルク酸化物超電導体が形成された金属基材あ
るいは酸化物基材の複数個を、各々の超電導体側の表面
を対面接合させて面状もしくは板状に組合わせた大面積
のバルク酸化物超電導体。 - 【請求項３】 金属基材あるいは酸化物基材上に溶融法
を用いてＲ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（Ｒは希土類元素系でＬａ，
Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔ
ｍ，Ｙｂのいずれか１つあるいはそれらの組合わせとす
る）系のバルク酸化物超電導体を形成し、該バルク酸化
物超電導体が形成された金属あるいは酸化物基材の複数
個を、各々のバルク酸化物超電導体側の表面を対面接合
させて線状もしくはテープ状に組合わせ、長尺のバルク
酸化物超電導線材を形成するバルク酸化物超電導線材の
作製方法。 - 【請求項４】 金属基材あるいは酸化物基材上に溶融法
を用いてＲ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（Ｒは希土類元素系でＬａ，
Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔ
ｍ，Ｙｂのいずれか１つあるいはそれらの組合わせとす
る）系のバルク酸化物超電導体を形成し、該バルク酸化
物超電導体が形成された金属あるいは酸化物基材の複数
個を、各々のバルク酸化物超電導体側の表面を対面接合
させて面状もしくは板状に組合わせ、大面積のバルク酸
化物超電導板を形成するバルク酸化物超電導板の作製方
法。 - 【請求項５】 前記請求項３又は４に記載されるバルク
酸化物超電導線材又はバルク酸化物超電導板の作製方法
において、接合する際に９００℃以上１０００℃以下に
加熱し、０.１ｋｇｆ／ｃｍ2以上１０ｋｇｆ／ｃｍ2以
下の圧力を加えることを特徴とするバルク酸化物超電導
線材又はバルク酸化物超電導板の作製方法。 - 【請求項６】 金属基材あるいは酸化物基材上に溶融法
を用いてＲ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（Ｒは希土類元素系でＬａ，
Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔ
ｍ，Ｙｂのいずれか１つあるいはその組合わせとする）
系のバルク酸化物超電導体を溶融成長させる際に、酸化
物超電導体のペーストが前記基材の上面に塗布され、こ
の酸化物超電導体のペーストの移動方向の先端の中央部
に種結晶を配置し、前記基材を炉中で移動させ、その移
動方向に１℃／ｃｍ以上１００℃／ｃｍ以下の温度勾配
をつけて行うことを特徴とするバルク酸化物超電導厚膜
の作製方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8118974A JPH09306256A (ja) | 1996-05-14 | 1996-05-14 | バルク酸化物超電導体ならびにその線材及び板の作製方法 |
| US08/855,497 US6121205A (en) | 1996-05-14 | 1997-05-13 | Bulk superconductor and process of preparing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8118974A JPH09306256A (ja) | 1996-05-14 | 1996-05-14 | バルク酸化物超電導体ならびにその線材及び板の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09306256A true JPH09306256A (ja) | 1997-11-28 |
Family
ID=14749896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8118974A Pending JPH09306256A (ja) | 1996-05-14 | 1996-05-14 | バルク酸化物超電導体ならびにその線材及び板の作製方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6121205A (ja) |
| JP (1) | JPH09306256A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004065303A1 (ja) * | 2003-01-23 | 2004-08-05 | International Superconductivity Technology Center, The Juridical Foundation | 酸化物超電導体の製造方法及び酸化物超電導体とその前駆体支持用基材 |
| JP2010129465A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 複合型超電導線 |
| JP2011515792A (ja) * | 2008-08-04 | 2011-05-19 | ケイ．ジョインス カンパニー リミテッド | 減圧された酸素分圧下における熱処理を用いた２世代高温超伝導線材の超伝導接合方法 |
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