JPH09302481A - Etching processing method and etching processing device - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an etching method and a device with which a uniform etching process is stably performed and products of high dimensional accuracy are manufactured. SOLUTION: By using the narrowest part among the products to be mounted on the surface of a thin metallic sheet as a reference, several pieces of slit pattern, in which the width changes in steps toward wider and narrower width sides from the reference, head previously been plotted on a photoresist film pattern when the etching process is executed by atomizing an etching solution on the surface of the thin metallic sheet 1 while transporting the tin metallic sheets. Then, a line speed or the line speed and a spray pressure (line condition) are so adjusted that etching is terminated under the condition that the slit pattern corresponding to the width used as a reference passes through at an outlet of an etching chamber 14. This method is executed by means of the device with which the state where the several pieces of slit pattern is passing through is recognized by emitting a light from a light-emitting part 6 and detecting at a light-receiving part 7 and, then, the line conditions is controled in accordance therewith.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣリードフレー
ム、ブラウン管のシャドウマスク等、電子部品を製造す
る際に用いられる金属薄板のエッチング加工方法、およ
びエッチング加工装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for etching a thin metal plate used in manufacturing electronic parts such as IC lead frames and shadow masks for cathode ray tubes, and an etching apparatus.

【０００２】[0002]

【従来の技術】エッチング加工方法は金属の腐食現象を
利用した加工技術であり、現在、プリント配線板、ブラ
ウン管のシャドウマスク、ＩＣリードフレーム等の電子
部品を製造する際にシート状の基材（金属薄板）の表面
に微細な加工を行う方法として欠かせないものになって
いる。2. Description of the Related Art An etching method is a processing technique utilizing a metal corrosion phenomenon, and is currently used as a sheet-like base material for manufacturing electronic parts such as printed wiring boards, cathode ray tube shadow masks and IC lead frames. It has become an indispensable method for performing fine processing on the surface of thin metal plates.

【０００３】図１は従来行われているエッチング加工の
概略工程とその工程に対応する金属薄板の断面を模式的
に示す図である。この図に示すように、エッチング加工
においては、まず金属薄板１に対して、その表面に付着
している汚染物を除去し、さらにフォトレジスト膜２と
の密着性を高めるために、脱脂、酸洗等の前処理を行
う。次に、金属薄板１の表面をフォトレジスト膜２で被
覆し、その上に露光用原版３を重ねて紫外線を照射す
る。露光用原版３において、符合３ａを付した部分は紫
外線を透過しない部分である。なお、フォトレジスト膜
としては、光照射により不溶性となるタイプ（ネガ型）
の高分子物質が主に用いられている。FIG. 1 is a view schematically showing a schematic process of a conventional etching process and a cross section of a metal thin plate corresponding to the process. As shown in this figure, in the etching process, first, in order to remove contaminants adhering to the surface of the metal thin plate 1 and further improve the adhesion with the photoresist film 2, degreasing and acid Perform pretreatment such as washing. Next, the surface of the metal thin plate 1 is covered with a photoresist film 2, the exposure master 3 is superposed on the photoresist film 2, and ultraviolet rays are irradiated. In the original plate 3 for exposure, the part indicated by reference numeral 3a is a part which does not transmit ultraviolet rays. The photoresist film is a type that becomes insoluble when exposed to light (negative type).
The polymer substances of are mainly used.

【０００４】次いで、露光用原版３を取り除いて現像液
で処理すると、紫外線が照射されなかった部分のフォト
レジスト膜が溶けて除去され、その部分の金属薄板の表
面が露出する。この状態の金属薄板１に、エッチング液
を噴霧（スプレー）する等のエッチング処理を施すと、
前記の金属露出部分が溶解し、貫通する。その後、残っ
たフォトレジスト膜２を剥離除去すると、露光用原版３
に描画されたパターン（紫外線の透過部）と同じパター
ンにエッチング加工された製品が得られる。Next, when the exposure original plate 3 is removed and treated with a developing solution, the photoresist film in the portion not irradiated with ultraviolet rays is dissolved and removed, and the surface of the metal thin plate in that portion is exposed. When the thin metal plate 1 in this state is subjected to an etching treatment such as spraying an etching liquid,
The exposed metal portion melts and penetrates. After that, when the remaining photoresist film 2 is peeled and removed, the exposure master 3
A product obtained by etching the same pattern as the pattern drawn on (1) (ultraviolet ray transmitting portion) is obtained.

【０００５】なお、上記のエッチング加工では、銅、鋼
（炭素鋼、ステンレス鋼等）あるいは鉄−ニッケル合金
などが金属薄板として多用されており、またエッチング
液としては塩化第二鉄溶液が最も広く用いられている。In the above etching process, copper, steel (carbon steel, stainless steel, etc.) or iron-nickel alloy is often used as a thin metal plate, and ferric chloride solution is the most widely used etching solution. It is used.

【０００６】エッチング加工は、このような微細加工が
必要な製品の製造に用いられることが多く、その場合に
は高度な加工精度が要求される。例えば、リードフレー
ムを製造する際、エッチングが不十分で未貫通の場合は
不良となるのはもちろんのこと、貫通はするもののエッ
チングが十分でない場合にはリードフレームのインナー
リード（ピン）部の断面にバリが残ってしまい、後工程
でピン先の折り曲げ加工などを行う際に隣のピンと接触
してしまうような不良が発生する。また、逆に過剰にエ
ッチングされた場合にはピン幅が狭くなり、ＩＣを接続
する際のワイヤボンディング部の面積が十分に得られな
い等の不具合が生じる。そのため、このような電子部品
においては厳密な寸法精度が要求される。[0006] The etching process is often used for manufacturing a product requiring such fine processing, and in that case, a high processing accuracy is required. For example, when manufacturing a lead frame, not only will it be defective if the etching is insufficient and it has not been penetrated, but if it is penetrated but not sufficiently etched, the cross section of the inner lead (pin) part of the lead frame A burr remains on the surface, and when a pin tip is bent in a later step, a defect such as contact with an adjacent pin occurs. On the other hand, when it is excessively etched, the pin width becomes narrow, which causes a problem that the area of the wire bonding portion when connecting the IC cannot be sufficiently obtained. Therefore, strict dimensional accuracy is required for such electronic components.

【０００７】エッチング加工製品の寸法精度は、エッチ
ング液に曝される時間、すなわちラインの通板速度を調
整することにより制御される。しかしながら、エッチン
グ液の温度や濃度が変動するとエッチング速度も変動し
てしまうため、ライン速度の管理だけでは不十分であ
る。例えばエッチング液の温度が高い場合や濃度が低い
場合、エッチング速度が速くなることは一般に知られて
いることである。The dimensional accuracy of the etched product is controlled by adjusting the time of exposure to the etching solution, that is, the line passing speed. However, if the temperature or concentration of the etching solution changes, the etching rate also changes, so it is not sufficient to manage only the line speed. For example, it is generally known that the etching rate increases when the temperature of the etching solution is high or the concentration is low.

【０００８】また、エッチング液は循環使用しているの
で、エッチング加工により大量の製品を製造する間にエ
ッチング液中に溶解した金属が濃化し、エッチング速度
を低下させる原因となることも知られている。そのた
め、一定のライン速度で通板しているうちにエッチング
が不十分となってピン幅が所望の寸法よりも大きくな
り、最終的には貫通しなくなるような不良が発生する。
エッチング液中の水分の蒸発による濃縮も十分起こりう
る現象であり、液状態は常に一定であるとはいい難い。Further, since the etching solution is circulated and used, it is known that the metal dissolved in the etching solution is concentrated during the production of a large amount of products by the etching process, which causes a decrease in the etching rate. There is. As a result, the etching becomes insufficient while passing through the plate at a constant line speed, the pin width becomes larger than a desired size, and finally a defect such that the pin does not penetrate occurs.
Concentration due to evaporation of water in the etching solution is a phenomenon that can sufficiently occur, and it cannot be said that the liquid state is always constant.

【０００９】エッチング液の状態を一定に保ち均一なエ
ッチングを行うために、エッチング液の再生方法とし
て、例えば、塩化第二鉄溶液を空気酸化する方法（特開
平１−２４０６８５号公報）、オゾン化ガスと塩酸によ
り再生する方法（特開平４−１７６８８３号公報）、酸
素ガスを用いて再生する方法（特開平４−３３７０８９
号公報）や、添加剤を使用する方法（特開平６−７３５
６３号公報等）が提案されている。これらの方法によれ
ば、エッチング液の劣化状態を一定の限度内にとどめ、
維持することはある程度は可能である。しかし、エッチ
ング液組成の微妙な変化には追随できないため、製品の
各部の寸法の変動を抑えることは困難である。In order to keep the state of the etching solution constant and perform uniform etching, as a method of regenerating the etching solution, for example, a method of air-oxidizing a ferric chloride solution (Japanese Patent Laid-Open No. 1-240685), ozonization A method of regenerating with gas and hydrochloric acid (JP-A-4-176883) and a method of regenerating with oxygen gas (JP-A-4-337089).
Japanese Unexamined Patent Publication No. 6-735) and a method using an additive (Japanese Patent Laid-Open No. 6-735).
No. 63). According to these methods, the deterioration state of the etching solution is kept within a certain limit,
It can be maintained to some extent. However, it is difficult to suppress the dimensional variation of each part of the product because it cannot follow a subtle change in the composition of the etching solution.

【００１０】そこで、実際の操業では、途中で製品を抜
き取り、寸法測定をしながら所望の寸法が得られるよう
にライン速度を微調節するのが一般的である。しかしな
がら、抜き取り測定では測定に時間を要し、ライン速度
の変更までのタイムラグが生じるため、測定結果を瞬時
にライン速度に反映させることが難しく、寸法変動を僅
少に抑えることは困難である。Therefore, in the actual operation, it is general that the line speed is finely adjusted so that a desired size can be obtained while the product is withdrawn during the process and the size is measured. However, in the sampling measurement, it takes time for measurement and a time lag occurs until the line speed is changed. Therefore, it is difficult to instantaneously reflect the measurement result on the line speed, and it is difficult to suppress the dimensional variation to a small extent.

【００１１】一方、エッチング加工の生産性を向上させ
るために、通常、シート状またはコイル状の金属薄板に
多数の製品パターンを面付けして一度に大量の製品を生
産する方法が採用されている。なお、面付けとは、生産
性を上げるために多数の同一の製品パターンを露光用原
版に描画しておき、金属薄板を被覆するフォトレジスト
膜にパターン形成しておくことをいう。しかしながら、
この場合には、面内の位置によってエッチング液の噴霧
量や金属薄板の表面におけるエッチング液の流速が異な
るために、一枚の金属薄板の面内で、得られる製品の寸
法がばらつく原因になる。On the other hand, in order to improve the productivity of the etching process, usually, a method of imposing a large number of product patterns on a sheet-shaped or coil-shaped thin metal plate to produce a large number of products at one time is adopted. . The imposition means that a large number of the same product patterns are drawn on the exposure master in order to improve the productivity, and the patterns are formed on the photoresist film covering the thin metal plate. However,
In this case, the spray amount of the etching solution and the flow rate of the etching solution on the surface of the metal thin plate differ depending on the in-plane position, which causes variations in the size of the obtained product within the surface of one metal thin plate. .

【００１２】そのため、多数の製品パターンを面付けす
る場合に、そのすべてを所望の寸法とするために、エッ
チング液のスプレー圧力を調整するなどしてエッチング
液の噴霧状態が金属薄板の全面で均一になるような工夫
がなされている。しかし、エッチング液の噴霧量を調節
するためには、エッチング加工後の製品のいくつかを抜
き取って実際に寸法の測定を行いながらスプレー圧力の
調節を行うという方法が採られているため、作業が煩雑
で、生産性が阻害される要因ともなっている。Therefore, when a large number of product patterns are to be faced, the spraying state of the etching solution is adjusted so that all of them have desired dimensions by adjusting the spraying pressure of the etching solution. Has been devised so that However, in order to adjust the spray amount of the etching solution, the method of extracting some of the products after etching and adjusting the spray pressure while actually measuring the dimensions is adopted. It is complicated and is a factor that hinders productivity.

【００１３】[0013]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
を解決し、金属薄板に均一なエッチング加工を安定して
行うことが可能で、寸法精度の高い製品を安定して製造
することができるエッチング加工方法、およびそのため
のエッチング加工装置を提供することを目的としてい
る。DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention solves the above-mentioned problems and is capable of stably performing a uniform etching process on a thin metal plate and stably manufacturing a product with high dimensional accuracy. An object of the present invention is to provide a possible etching method and an etching apparatus therefor.

【００１４】[0014]

【課題を解決するための手段】エッチング加工は、フォ
トレジスト膜に形成されたパターン（以下、「フォトレ
ジスト膜パターン」という）のなかで金属表面が露出し
ている部分にエッチング液が入り込んで金属を溶解する
ことにより進行する。このとき、露出面積が小さくなる
ほどエッチング液が入り込み難くなるため、エッチング
速度が遅くなる。つまり、フォトレジスト膜パターンに
形成されている金属露出部の幅が狭くなるにつれてその
部分のエッチング速度が遅くなる。[Means for Solving the Problems] In the etching process, the etching liquid enters a portion of the pattern formed on the photoresist film (hereinafter, referred to as “photoresist film pattern”) where the metal surface is exposed, so that the metal is removed. By dissolving. At this time, the smaller the exposed area, the more difficult it is for the etching solution to enter, and the etching rate becomes slower. That is, as the width of the metal exposed portion formed in the photoresist film pattern becomes narrower, the etching rate of that portion becomes slower.

【００１５】金属薄板にエッチング加工を施してリード
フレーム等の製品を製造する場合、露光、現像後の金属
薄板の表面に形成されているフォトレジスト膜には、部
位によって様々な幅の金属露出部（すなわち、パター
ン）が存在することになるが、上述の原理によれば、そ
の中で最も狭い幅のパターンが溶解して貫通したところ
がエッチングの終点となる。When a product such as a lead frame is manufactured by subjecting a thin metal plate to etching, a photoresist film formed on the surface of the thin metal plate after exposure and development has a metal exposed portion of various widths depending on the site. Although there is a pattern (that is, a pattern), according to the above-mentioned principle, the etching end point is where the pattern with the narrowest width is melted and penetrated.

【００１６】本発明者は、この原理に基づき上記課題の
解決法について検討した。その結果、面付けする製品の
なかで最も幅の狭い部分を基準としてそれよりも広幅側
および狭幅側へ幅が段階的に変化する数本のパターン
（これを、それぞれ「スリットパターン」という）をあ
らかじめフォトレジスト膜パターンに描画しておき、前
記基準とした幅に対応するスリットパターンが貫通した
時点をエッチングの終点とすることにより、寸法精度の
管理が可能であることを見い出した。つまり、上記数本
のスリットパターンにおけるスリット部分のエッチング
による貫通状況を監視しながらライン速度を調節するこ
とにより、ラインを通過する全ての金属薄板に対して均
一なエッチング加工を行い、寸法精度の高い製品を安定
して製造することができる。The present inventor has studied a solution to the above problem based on this principle. As a result, several patterns in which the width gradually changes from the narrowest part of the product to be mounted to the wider side and the narrower side (each of which is referred to as a "slit pattern") It was found that the dimensional accuracy can be controlled by preliminarily drawing on the photoresist film pattern, and setting the time point when the slit pattern corresponding to the reference width penetrates as the etching end point. In other words, by adjusting the line speed while monitoring the penetration state due to the etching of the slit portions in the above-mentioned several slit patterns, uniform etching is performed on all the metal thin plates passing through the line, and the dimensional accuracy is high. The product can be manufactured stably.

【００１７】また、上記のスリットパターンを金属薄板
を被覆したフォトレジスト膜パターンの四隅と中央部付
近に描画しておけば、面付けされた製品パターンの位置
によるエッチング速度の違い等、エッチング状況がわか
るので、エッチング液のスプレー圧力を調整し、１枚の
金属薄板の面内で得られる製品毎の寸法のばらつきをな
くすることができる。If the above slit patterns are drawn near the four corners and the central portion of the photoresist film pattern coated with the metal thin plate, the etching situation such as the difference in etching speed depending on the position of the impositioned product pattern can be prevented. As can be seen, the spray pressure of the etching solution can be adjusted to eliminate variations in the dimensions of each product obtained within the plane of one sheet of metal sheet.

【００１８】本発明は上記の知見に基づいてなされたも
ので、その要旨は、下記（１）のエッチング加工方法、
および（２）のエッチング加工装置にある。The present invention has been made on the basis of the above findings, and the gist thereof is the following (1) etching processing method,
And the etching processing apparatus of (2).

【００１９】（１）製品パターンが描画されたフォトレ
ジスト膜を有する金属薄板を搬送しながらエッチングチ
ャンバー内でその表面にエッチング液を噴霧し、エッチ
ング加工する方法であって、前記フォトレジスト膜の製
品パターンが描画された部分以外の部分に、製品パター
ンのなかで最も幅の狭い部分を基準としてそれよりも広
幅側および狭幅側へ幅が段階的に変化する数本のスリッ
トパターンをあらかじめ描画しておき、前記基準とした
幅に対応するスリットパターンがエッチングチャンバー
の出口で貫通する条件でエッチングが終了するように、
ライン速度、またはライン速度とスプレー圧力を調節す
ることを特徴とするエッチング加工方法。(1) A method of carrying out etching processing by spraying an etching solution on the surface of a metal thin plate having a photoresist film on which a product pattern is drawn in an etching chamber while it is being conveyed. In the area other than the area where the pattern is drawn, several slit patterns whose width gradually changes from the narrowest part of the product pattern to the wider and narrower sides are drawn in advance. In order to finish the etching under the condition that the slit pattern corresponding to the reference width penetrates at the outlet of the etching chamber,
An etching method characterized by adjusting a line speed or a line speed and a spray pressure.

【００２０】（２）上記（１）に記載の方法を実施する
ためのエッチング加工装置であって、さらに、エッチン
グ加工が施された金属薄板に投光する発光部と、エッチ
ング加工による金属薄板の貫通部を通過する光を感知す
る受光部と、受光部で感知した光を受信するモニター
と、モニターから出力される信号を受け、あらかじめ入
力されているデータに基づいてライン速度、またはライ
ン速度とスプレー圧力を制御する信号を出力する制御系
と、制御系からの信号に基づいてライン速度およびスプ
レー圧力を調整するライン操作盤とを有することを特徴
とするエッチング加工装置。(2) An etching processing apparatus for carrying out the method described in (1) above, further comprising: a light emitting unit for projecting light onto a metal thin plate subjected to etching processing; and a metal thin plate subjected to etching processing. The light receiving part that detects the light passing through the penetrating part, the monitor that receives the light detected by the light receiving part, the signal output from the monitor, and the line speed or line speed based on the data that has been input in advance. An etching processing apparatus comprising: a control system that outputs a signal that controls the spray pressure, and a line operation panel that adjusts the line speed and the spray pressure based on the signal from the control system.

【００２１】[0021]

【発明の実施の形態】以下、本発明（上記（１）および
（２）の発明）について詳細に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention (the inventions of the above (1) and (2)) will be described below in detail.

【００２２】（１）の発明はエッチング加工方法（以
下、「本発明方法」という）に関する発明である。この
方法は、上記のように、金属薄板を搬送しながらエッチ
ングチャンバー内でその表面にエッチング液、例えば塩
化第二鉄水溶液を噴霧してエッチング加工する際に、あ
らかじめフォトレジスト膜パターンに描画しておいた幅
が段階的に変化する数本のスリットパターンのエッチン
グによる貫通状況を監視しながらライン速度、またはラ
イン速度とスプレー圧力を調節する方法である。The invention (1) relates to an etching method (hereinafter referred to as "the method of the present invention"). As described above, this method involves drawing a photoresist film pattern in advance when carrying out etching processing by spraying an etching solution, for example, an aqueous solution of ferric chloride on the surface of the thin metal plate while it is being transported, as described above. This is a method of adjusting the line speed, or the line speed and the spray pressure, while monitoring the penetration state due to etching of several slit patterns in which the set width changes stepwise.

【００２３】エッチング加工においては、通常、図２に
示すように、金属薄板１に対して多数の製品パターン４
を面付けする。そのため、金属薄板１の表面を被覆する
フォトレジスト膜には、その製品パターンに対応するパ
ターンが描画されているが、本発明方法では、このフォ
トレジスト膜にスリットパターン５を描画しておく。そ
の位置は、製品パターンが描画された部分以外の部分、
例えば製品パターンと製品パターンの間とするのが、製
品パターンを犠牲にせずにすむので好ましい。In the etching process, usually, as shown in FIG. 2, a large number of product patterns 4 are formed on the metal thin plate 1.
Imposition. Therefore, a pattern corresponding to the product pattern is drawn on the photoresist film that covers the surface of the thin metal plate 1. In the method of the present invention, the slit pattern 5 is drawn on this photoresist film. The position is the part other than the part where the product pattern is drawn,
For example, it is preferable to set it between product patterns so that the product patterns are not sacrificed.

【００２４】このスリットパターンは、面付けする製品
パターンのなかで最も幅の狭い部分を基準とし、すなわ
ち同寸法とし、それよりも広幅側および狭幅側へ幅が段
階的に、例えば基準幅に対して±数μｍ刻みの幅で変化
する数本のスリットパターンを１組とするものである。
スリット幅の刻みは、一般的には１０μｍ程度で十分で
あるが、加工精度が要求される製品であれば更に細かく
刻むことにより一層高精度の管理が可能となる。なお、
スリットパターンの本数は基準幅を中心に前後２〜３本
程度で十分である。This slit pattern is based on the narrowest portion of the product pattern to be imposed, that is, has the same dimension, and the width gradually increases toward the wide side and narrow side, for example, to the reference width. On the other hand, a set of several slit patterns that change with a width of ± several μm is set as one set.
A slit width of about 10 μm is generally sufficient, but if the product requires a high processing accuracy, it is possible to manage it with higher accuracy by cutting it more finely. In addition,
It is sufficient that the number of slit patterns is about 2 to 3 around the reference width.

【００２５】フォトレジスト膜にこのようなスリットパ
ターンを描画するには、露光用原版にあらかじめそれを
描画しておけばよい。また、このスリットパターンは、
金属薄板の進行方向に対し直角方向が長手方向になるよ
うに描画する。To draw such a slit pattern on the photoresist film, it is sufficient to draw it on the exposure master plate in advance. Also, this slit pattern is
Drawing is performed so that the direction perpendicular to the traveling direction of the thin metal plate is the longitudinal direction.

【００２６】このようなスリットパターンが描画された
フォトレジスト膜で被覆された金属薄板をエッチング加
工すると、前述したように、スリットパターンの幅が狭
くなるにつれてその部分のエッチング速度が遅くなる。
したがって、前記の基準とした幅に対応するスリットパ
ターンが貫通したときにエッチングが終了するように、
すなわち基準のスリットパターンがエッチングチャンバ
ーの出口でちょうど貫通するようにしてやれば、エッチ
ング液の状態、すなわちエッチング液の濃度やエッチン
グ液中に溶解した金属の量、その他エッチング液の変化
には関係なく、過剰あるいは不足のない安定したエッチ
ングを行うことができる。When a thin metal plate covered with a photoresist film having such a slit pattern is etched, as described above, as the width of the slit pattern becomes narrower, the etching rate of that portion becomes slower.
Therefore, so that the etching is completed when the slit pattern corresponding to the reference width is penetrated,
That is, if the reference slit pattern is just penetrated at the outlet of the etching chamber, the state of the etching solution, that is, the concentration of the etching solution, the amount of metal dissolved in the etching solution, and other changes in the etching solution, It is possible to perform stable etching without excess or deficiency.

【００２７】また、前述したように、このスリットパタ
ーンを金属薄板を被覆したフォトレジスト膜パターンの
四隅と中央部付近に描画しておくことにより製品の位置
によるエッチング速度の違い等、エッチングの状況がわ
かるので、エッチング液のスプレー圧力調整のための情
報も得ることが可能になる（前記図２参照）。Further, as described above, by drawing this slit pattern in the vicinity of the four corners and the center of the photoresist film pattern covering the metal thin plate, the etching situation such as the difference in etching rate depending on the position of the product can be improved. Since it is known, it becomes possible to obtain information for adjusting the spray pressure of the etching solution (see FIG. 2).

【００２８】そこで、本発明方法では、前記の数本のス
リットパターンのエッチングによる貫通状況を常時監視
しながら、基準のスリットパターンがエッチングチャン
バーの出口でちょうど貫通するようにライン速度の微調
整を行う。また、ライン速度の調整と同時に、金属薄板
を被覆するフォトレジスト膜の四隅と中央部付近に描画
したスリットパターンの貫通状況も併せて監視し、これ
らのスリットパターンのいずれについても基準のスリッ
トパターンがエッチングチャンバーの出口で貫通するよ
うに、エッチング液のスプレー圧力の調整を行うことも
できる。Therefore, in the method of the present invention, the line speed is finely adjusted so that the reference slit pattern is exactly penetrated at the outlet of the etching chamber while constantly monitoring the penetration state of the above-mentioned several slit patterns by etching. . At the same time as adjusting the line speed, the penetration state of the slit patterns drawn near the four corners and the central portion of the photoresist film that covers the thin metal plate is also monitored, and the reference slit pattern is used for any of these slit patterns. It is also possible to adjust the spray pressure of the etching solution so that it penetrates at the exit of the etching chamber.

【００２９】上記本発明方法によれば、エッチング状況
の変化をオンラインで把握することができ、ただちに操
業条件（ここでは、ライン速度、またはライン速度とス
プレー圧力で、以下、「ライン条件」という）に反映さ
せることができるので、製品の各部における寸法の変動
を僅少に抑えることが可能となる。According to the above-mentioned method of the present invention, the change in the etching state can be grasped online, and the operating condition is immediately (here, the line speed, or the line speed and the spray pressure, hereinafter referred to as "line condition"). It is possible to suppress the dimensional fluctuation in each part of the product.

【００３０】また、本発明方法を実施するに際し、エッ
チング液の再生や添加剤を使用する従来の方法を併用す
れば、エッチング液の状態の変動が一定の限度内に維持
されるので、さらに寸法精度の高い製品を得ることが可
能になる。Further, in carrying out the method of the present invention, if the conventional method of regenerating the etching solution or using an additive is also used, the fluctuation of the state of the etching solution is maintained within a certain limit, and therefore the size is further increased. It is possible to obtain highly accurate products.

【００３１】（２）の発明は上記（１）の本発明方法を
実施するためのエッチング加工装置である。以下、図に
基づいて説明する。The invention (2) is an etching apparatus for carrying out the method of the present invention (1). Hereinafter, description will be given with reference to the drawings.

【００３２】図３はこの装置の一例の構成を示す図であ
る。この図において、符号１２が金属薄板１の表面にエ
ッチング液を噴霧するスプレーノズルで、１３が前記金
属薄板１を搬送する手段としての搬送ロールである。ス
プレーノズル１２は、エッチングチャンバー１４内に設
けられており、エッチング液のスプレー圧力の調整等、
エッチング液の噴霧状態が金属薄板１の全面で均一にな
るような工夫がなされている。エッチング液１１は循環
使用される。FIG. 3 is a diagram showing the construction of an example of this apparatus. In this figure, reference numeral 12 is a spray nozzle for spraying an etching solution onto the surface of the metal thin plate 1, and 13 is a carrying roll as a means for carrying the metal thin plate 1. The spray nozzle 12 is provided in the etching chamber 14, and adjusts the spray pressure of the etching solution.
The device is designed so that the sprayed state of the etching solution is uniform over the entire surface of the thin metal plate 1. The etching solution 11 is circulated and used.

【００３３】この装置には、さらに、発光部６、受光部
７、モニター８、制御系９およびライン操作盤１０が取
り付けられており、エッチング状況の変化をオンライン
で把握して、ただちにライン条件に反映させることがで
きるように構成されている。The apparatus is further provided with a light emitting section 6, a light receiving section 7, a monitor 8, a control system 9 and a line operation panel 10 for grasping the change in the etching state online and immediately determining the line condition. It is configured so that it can be reflected.

【００３４】まず、エッチングチャンバー１４の出側に
設置された発光部６から発せられた光がエッチング加工
が施された後の金属薄板１に投光される。金属薄板１の
例えば製品と製品の間には前述したようにエッチングの
程度に応じて貫通したスリットパターンが形成されてい
るが、この貫通したスリットパターンを通過した光は受
光部７で感知され、モニター８で受信される。First, the light emitted from the light emitting portion 6 installed on the exit side of the etching chamber 14 is projected onto the thin metal plate 1 after the etching process. As described above, a slit pattern penetrating is formed between the products of the thin metal plate 1 according to the degree of etching. Light passing through the penetrating slit pattern is detected by the light receiving unit 7, Received by the monitor 8.

【００３５】図４はこのモニター８で受信された光信号
を模式的に示した図である。図４の最上段に示した図
は、フォトレジスト膜に描画されたスリットパターンの
とおりにエッチングが行われ、すべて貫通したと仮定し
た場合のもので、幅が段階的に変化する数本（この例で
はａからｅまでの５本）のパルス状の信号が得られる。
これらのパルス状信号の幅はそれぞれスリットパターン
の幅を表す。この意味で、ここでは、ａ〜ｅのパルス状
信号をそれぞれａ〜ｅのスリットという。FIG. 4 is a diagram schematically showing the optical signal received by the monitor 8. The uppermost diagram of FIG. 4 is based on the assumption that the etching is performed according to the slit pattern drawn on the photoresist film and all of the holes are penetrated. In the example, five pulse-shaped signals from a to e) are obtained.
The width of each of these pulsed signals represents the width of the slit pattern. In this sense, here, the pulse signals a to e are referred to as slits a to e, respectively.

【００３６】図４に示したスリットの幅は、ｅ＜ｄ＜ｃ
＜ｂ＜ａの順番に広くなっている。このなかで、ｃが面
付けした製品のなかで最も幅の狭い部分（すなわち、基
準とした部分）の幅に対応するスリットである。仮にラ
イン条件が適正な状態であれば、エッチングチャンバー
の出口でｃのスリットまで貫通するので、図４のＢに示
すような３本のスリットパターンが金属薄板表面に形成
される。これに対して、エッチングが不十分な場合には
Ａに示すような２本のスリットパターンとなり、逆にエ
ッチングが過剰な場合には狭幅のスリットパターンまで
貫通してしまうため、Ｃに示すような４本のスリットパ
ターンとなる。The width of the slit shown in FIG. 4 is e <d <c.
It becomes wider in the order of <b <a. Among these, c is a slit corresponding to the width of the narrowest portion (that is, the reference portion) in the impositioned product. If the line conditions are appropriate, the slit of c is penetrated at the exit of the etching chamber, so that three slit patterns as shown in FIG. 4B are formed on the surface of the thin metal plate. On the other hand, when the etching is insufficient, two slit patterns as shown in A are formed. On the contrary, when the etching is excessive, even a narrow slit pattern is penetrated. It becomes a four slit pattern.

【００３７】モニター８で得られた信号は制御系９に送
られる。制御系９には、エッチングが不十分な場合、あ
るいは逆にエッチングが過剰な場合におけるライン速度
およびスプレー圧力の調節方法に関するデータがあらか
じめ入力されているので、これらのデータに基づいて前
記制御系９に送られた信号に対応するライン条件が定め
られ、ライン操作盤１０に出力され、最終的にライン操
作盤１０でライン条件の調節がなされる。The signal obtained by the monitor 8 is sent to the control system 9. Since the control system 9 is preliminarily input with data regarding the method of adjusting the line speed and the spray pressure when the etching is insufficient or, on the contrary, when the etching is excessive, the control system 9 is based on these data. The line condition corresponding to the signal sent to is determined and output to the line operation panel 10, and finally the line operation panel 10 adjusts the line condition.

【００３８】図４のＡに示したスリットパターンのとき
には、エッチングがｃのスリットまで貫通するように、
例えばライン速度を遅くする。また、Ｃに示したスリッ
トパターンのときには、ライン速度を速くしてエッチン
グの過剰な進行を抑える。なお、このようなライン速度
の調整は、前述したように、スリットパターンのエッチ
ングによる貫通状況を常時監視し、エッチングが過剰あ
るいは不足にならないように行う。In the case of the slit pattern shown in FIG. 4A, the etching penetrates to the slit of c,
For example, reduce the line speed. In the case of the slit pattern shown in C, the line speed is increased to suppress the excessive progress of etching. As described above, the adjustment of the line speed is performed by constantly monitoring the penetration state of the slit pattern due to etching so that the etching does not become excessive or insufficient.

【００３９】具体的には、例えばエッチング液が劣化し
てエッチング速度が低下したような場合には、エッチン
グチャンバーの出口で、基準のスリットよりも広い幅の
スリットまでしか貫通しなくなるので、エッチング時間
を長くして基準のスリットが貫通するように、例えば、
ライン速度を遅くする。逆に、エッチング液の温度が上
昇したり、あるいは濃度が低下した場合にはエッチング
速度が速くなり、基準のスリットよりも狭いスリットま
で貫通してしまう。この場合には、エッチング時間を短
縮するためにライン速度を速くする。Specifically, for example, when the etching rate is lowered due to deterioration of the etching solution, only the slit having a width wider than the reference slit is penetrated at the outlet of the etching chamber. To make the reference slit penetrate, for example,
Reduce the line speed. On the contrary, when the temperature of the etching solution rises or the concentration thereof decreases, the etching rate becomes faster, and the slit penetrates to a slit narrower than the reference slit. In this case, the line speed is increased to shorten the etching time.

【００４０】寸法精度の比較的緩い製品を製造する場合
は、単純に、スリットパターンを通過する光を感知する
条件で、つまり、スリットパターンが貫通したか否かの
判断だけでライン条件を定め、エッチング加工を施すだ
けで均一なエッチングが可能となる。また、製品の寸法
規格が厳しく、より高度な寸法精度が要求されるような
場合には、スリット幅の刻みを細かくして寸法の変動を
敏感に検知し得るようにするか、あるいは光の通過時間
（ライン速度で移動する貫通したスリットを発光部から
発せられた光が通過している時間）からスリットの幅を
測定してその測定値が均一になるようにすればよい。In the case of manufacturing a product having relatively loose dimensional accuracy, the line condition is determined simply by the condition of detecting the light passing through the slit pattern, that is, by judging whether or not the slit pattern has penetrated. Uniform etching is possible only by performing etching processing. In addition, if the product dimensional standards are strict and higher dimensional accuracy is required, make the slit width finer so that dimensional fluctuations can be detected more sensitively, or pass light through. The width of the slit may be measured from time (time during which the light emitted from the light emitting unit passes through the penetrating slit that moves at the line speed) so that the measured value becomes uniform.

【００４１】発光部、受光部に特別の装置は必要ではな
く、金属薄板に向けて光を投じ、前述したスリットを通
過した光を観測できるものであればよい。レーザ光の発
光／受光装置を用いてもよい。また、受光部には、光セ
ンサーの替わりに、ＣＣＤカメラを設置し、画像処理を
することにより寸法測定を行う方法を用いれば、一層精
度の高いライン管理が可能になる。No special device is required for the light emitting portion and the light receiving portion, and any device can be used as long as it can project light toward the thin metal plate and observe the light passing through the slit. A laser light emitting / receiving device may be used. Further, if a CCD camera is installed in the light receiving section instead of the optical sensor and the dimension is measured by performing image processing, line management with higher accuracy becomes possible.

【００４２】モニターは受光部（光センサー）で得られ
た情報を受信し、視覚化するもので、オシロスコープ、
テレビ画面等が使用できる。The monitor receives information obtained by the light receiving section (optical sensor) and visualizes it.
TV screen etc. can be used.

【００４３】制御系としては、例えばパソコンシステム
等を用いればよく、ライン操作盤に連結しておけば、ラ
イン条件の制御を自動で行うことができる。As the control system, for example, a personal computer system or the like may be used, and if it is connected to the line operation panel, the control of the line condition can be automatically performed.

【００４４】前述したように、金属薄板に多数の製品パ
ターンを面付けした場合には、エッチング液の噴霧量や
エッチング液の流速（液流速）が金属薄板の中央部と外
周部とで異なるために、均一なエッチングが困難とな
る。通常は、外周部の方が液流速が大きいためエッチン
グが速くなり、製品の各部における寸法が小さくなる傾
向がある。そこで実際の操業では、金属薄板の中央部へ
のエッチング液のスプレー圧力を高くすることにより均
一なエッチングができるような工夫がなされている。As described above, when a large number of product patterns are placed on a thin metal plate, the spray amount of the etching liquid and the flow velocity (liquid flow velocity) of the etching liquid differ between the central portion and the outer peripheral portion of the thin metal plate. In addition, uniform etching becomes difficult. Usually, since the liquid flow velocity is higher in the outer peripheral portion, the etching becomes faster, and the size of each portion of the product tends to be smaller. Therefore, in an actual operation, the device is devised so that uniform etching can be performed by increasing the spray pressure of the etching liquid on the central portion of the thin metal plate.

【００４５】本発明のエッチング加工装置において、そ
の四隅と中央部付近の数カ所に前記のスリットパターン
を描画したフォトレジスト膜で被覆した金属薄板を用い
れば、製品の面付けした位置によるエッチング状況の違
いがわかるので、それに基づいてエッチング液のスプレ
ー圧力を調節することにより、製品を抜き取り、寸法測
定する等の煩雑な作業を行わずに、オンラインでスプレ
ー圧力の調整が可能になる。In the etching apparatus of the present invention, if a thin metal plate coated with a photoresist film having the slit pattern described above is used at several points near the four corners and the central portion, the difference in the etching state depending on the position where the product is placed. Therefore, by adjusting the spray pressure of the etching solution based on that, it becomes possible to adjust the spray pressure online without performing a complicated work such as extracting the product and measuring the dimensions.

【００４６】上述したように、本発明のエッチング加工
装置を用いれば、本発明方法を比較的容易に実施するこ
とができる。しかも、従来オフラインで行っていたライ
ン条件の調節をオンラインで、自動で行い、寸法精度の
高い製品を安定して製造することができるエッチング加
工が可能となる。As described above, the method of the present invention can be carried out relatively easily by using the etching processing apparatus of the present invention. In addition, it is possible to perform the etching process that can adjust the line conditions, which has been conventionally performed offline, automatically and online to stably manufacture a product with high dimensional accuracy.

【００４７】[0047]

【実施例】前記図３に示した構成を有する本発明のエッ
チング加工装置を用い、４５０ｍｍ×５００ｍｍ、板厚
０．１５ｍｍのシート状の鉄−４２％ニッケル合金板を
金属薄板として、これに５０ｍｍ×５０ｍｍ角のリード
フレームを１シート当たり４８個面付けしたものをエッ
チング加工し、仕上がったリードフレームのインナーリ
ード（ピン）の先端寸法（ピン幅）を測定した。なお、
比較のために、エッチング装置のライン速度を終始一定
にした場合、およびエッチングの途中で供試材を抜き出
し、寸法測定を行った結果をみて断続的にライン速度を
変化させた場合についても同様の測定を行った。EXAMPLE Using the etching apparatus of the present invention having the structure shown in FIG. 3, a sheet-shaped iron-42% nickel alloy plate having a size of 450 mm × 500 mm and a plate thickness of 0.15 mm is used as a metal thin plate, and a thickness of 50 mm is applied thereto. Forty-eight (50) mm square lead frames were attached to each sheet, and etching was performed to measure the tip size (pin width) of the inner leads (pins) of the finished lead frame. In addition,
For comparison, the same applies to the case where the line speed of the etching device is kept constant all the time, and the case where the line speed is intermittently changed by extracting the sample material during the etching and observing the results of dimensional measurements. The measurement was performed.

【００４８】フォトレジスト膜パターンに描画するスリ
ットパターンは、前記リードフレームのフォトレジスト
膜上の描画幅が最小値となるインナーリード先端部の線
幅５０μｍを基準とした５本のスリットパターンとし
た。すなわち、長さがいずれも１０ｍｍで、幅が４０μ
ｍ、４５μｍ、５０μｍ（基準スリット）、５５μｍお
よび６０μｍの５本のスリットで、これらのスリットを
１ｍｍ間隔で配置したものを一組のスリットパターンと
したものである。The slit patterns to be drawn on the photoresist film pattern were five slit patterns based on the line width of 50 μm at the tip of the inner lead which minimizes the drawing width on the photoresist film of the lead frame. That is, the length is 10 mm and the width is 40 μm.
m, 45 μm, 50 μm (reference slit), 55 μm and 60 μm, and these slits are arranged at 1 mm intervals to form a set of slit patterns.

【００４９】このスリットパターンを、露光用原版に４
８個からなる製品パターンを描画する際に、その原版の
四隅と中央部の、製品と製品の間に相当する部分に描画
した。このとき、スリットの長手方向が進行方向と直角
になるようにした。次いで、金属薄板をフォトレジスト
膜で被覆し、前記の露光用原版によりパターン付けした
ものを供試材とした。This slit pattern is applied to the original plate for exposure.
When drawing a product pattern consisting of eight pieces, it was drawn in the four corners and the central part of the original plate, in the portions corresponding to between the products. At this time, the longitudinal direction of the slit was set to be perpendicular to the traveling direction. Then, a thin metal plate was coated with a photoresist film and patterned with the above-mentioned exposure master plate to prepare a test material.

【００５０】上記の供試材１００シートを連続的にエッ
チングチャンバー内に通板してエッチング加工を施した
後のシート中央部のリードフレームのインナーリード先
端寸法を測定した。なお、エッチング液としては、濃度
４８ボーメ、温度５０℃の塩化第二鉄溶液を用い、その
５００リットルをエッチングチャンバー内で循環使用し
た。また、供試材に用いたリードフレームの規格は、イ
ンナーリード先端寸法で１５０±５μｍ、ピッチは２５
０μｍである。The above-mentioned 100 sheets of the test material were continuously passed through the etching chamber and subjected to etching processing, and the tip size of the inner lead of the lead frame in the central portion of the sheet was measured. As the etching solution, a ferric chloride solution having a concentration of 48 Baume and a temperature of 50 ° C. was used, and 500 liters thereof was circulated and used in the etching chamber. The standard of the lead frame used for the test material is 150 ± 5 μm in the inner lead tip size and the pitch is 25
0 μm.

【００５１】図５にインナーリード先端の寸法（ピン幅
と表示）を測定した結果を示す。これは、供試材を連続
的に１００シート通板し、１０シート毎にシート中央部
から製品を１つ抜き取り、測定した結果である。FIG. 5 shows the result of measuring the dimension (indicated as pin width) of the tip of the inner lead. This is a result obtained by continuously passing 100 sheets of the test material, extracting one product from the center of the sheet every 10 sheets, and measuring the product.

【００５２】エッチング装置のライン速度を終始一定に
した比較例１では、通板枚数が増えるにしたがいエッチ
ング液が劣化してエッチング速度が低下するため、ピン
幅が次第に太くなり、そのため、規格を満足する製品は
通板初期にしか得られなかった。In Comparative Example 1 in which the line speed of the etching apparatus was kept constant from beginning to end, the etching solution deteriorated and the etching rate decreased as the number of passing plates increased, so that the pin width became thicker, and therefore the standard was satisfied. The product to be obtained was obtained only at the early stage of passing.

【００５３】エッチングの途中で抜き出した供試材の寸
法測定の結果をみて断続的にライン速度を変化させた比
較例２では、比較例１の場合と同様に、最初は通板枚数
が増加するに伴いエッチング速度が低下してピン幅が太
くなった。その後は、ピン幅が規格値内に入るようにラ
イン速度を断続的に下げていったので、ピン幅は規格値
の近傍で推移したが、ライン速度の変更までのタイムラ
グがあるため、バラツキが大きかった。In Comparative Example 2 in which the line speed was changed intermittently in view of the result of the dimension measurement of the sample material extracted during the etching, the number of strips to be threaded initially increased as in Comparative Example 1. As a result, the etching rate decreased and the pin width increased. After that, the line speed was intermittently reduced so that the pin width was within the standard value, so the pin width remained near the standard value, but there was a time lag until the line speed was changed, so there was variation. It was great.

【００５４】これに対して、本発明例では、スリットの
貫通状況を自動的にモニターで監視し、かつライン速度
をコントロールしたので、得られた製品のピン幅の変動
が小さく、十分規格内に入るものであった。なお、ライ
ン速度は、エッチング液が徐々に劣化していくのに伴い
連続的に遅くなっていった。On the other hand, in the example of the present invention, the slit penetration condition was automatically monitored by the monitor and the line speed was controlled, so that the pin width variation of the obtained product was small and was sufficiently within the standard. It was something to enter. The line speed continuously decreased as the etching solution gradually deteriorated.

【００５５】[0055]

【発明の効果】金属薄板を搬送しながらその表面にエッ
チング液を噴霧してエッチング加工するに際し本発明方
法を適用すれば、金属薄板に均一なエッチング加工を安
定して行うことが可能で、寸法精度の高い製品を安定し
て製造することができる。By applying the method of the present invention when carrying out etching processing by spraying an etching liquid on the surface of a thin metal plate while it is being conveyed, it is possible to stably perform uniform etching on the thin metal plate. A highly accurate product can be manufactured stably.

【００５６】この方法は、本発明の装置を用いることに
より比較的容易に、かつ自動的に行うことが可能であ
る。This method can be performed relatively easily and automatically by using the apparatus of the present invention.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】従来行われているエッチング加工の概略工程と
その工程に対応する金属薄板の断面を模式的に示す図で
ある。FIG. 1 is a view schematically showing a schematic process of a conventional etching process and a cross section of a metal thin plate corresponding to the process.

【図２】金属薄板への製品の面付けの一例を示す図であ
る。FIG. 2 is a diagram showing an example of imposition of products on a thin metal plate.

【図３】本発明のエッチング加工装置の一例の構成を示
す図である。FIG. 3 is a diagram showing a configuration of an example of an etching processing apparatus of the present invention.

【図４】本発明のエッチング加工装置で使用するモニタ
ーで受信された光信号を模式的に示す図である。FIG. 4 is a diagram schematically showing an optical signal received by a monitor used in the etching processing apparatus of the present invention.

【図５】実施例の結果で、金属薄板の通板枚数とリード
フレームのインナーリード先端寸法（ピン幅）の関係を
示す図である。FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the number of thin metal plates passed through and the inner lead tip size (pin width) of the lead frame, as a result of the example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１：金属薄板 ２：フォトレジスト膜 ３：露光用原版 ４：製品パターン ５：スリットパターン ６：発光部 ７：受光部 ８：モニター ９：制御系 １０：ライン操作盤 １１：エッチング液 １２：スプレーノズル １３：搬送ロール １４：エッチングチャンバー 1: Metal thin plate 2: Photoresist film 3: Exposure plate 4: Product pattern 5: Slit pattern 6: Light emitting part 7: Light receiving part 8: Monitor 9: Control system 10: Line operation panel 11: Etching liquid 12: Spray nozzle 13: Transport roll 14: Etching chamber

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】製品パターンが描画されたフォトレジスト
膜を有する金属薄板を搬送しながらエッチングチャンバ
ー内でその表面にエッチング液を噴霧し、エッチング加
工する方法であって、前記フォトレジスト膜の製品パタ
ーンが描画された部分以外の部分に、製品パターンのな
かで最も幅の狭い部分を基準としてそれよりも広幅側お
よび狭幅側へ幅が段階的に変化する数本のスリットパタ
ーンをあらかじめ描画しておき、前記基準とした幅に対
応するスリットパターンがエッチングチャンバーの出口
で貫通する条件でエッチングが終了するように、ライン
速度、またはライン速度とスプレー圧力を調節すること
を特徴とするエッチング加工方法。1. A method for carrying out etching processing by spraying an etching solution on the surface of a thin metal plate having a photoresist film on which a product pattern is drawn in an etching chamber while carrying the product pattern of the photoresist film. In the part other than the part where is drawn, several slit patterns whose width gradually changes from the narrowest part of the product pattern to the wide side and narrow side are drawn in advance. The etching method is characterized in that the line speed or the line speed and the spray pressure are adjusted so that the etching is completed under the condition that the slit pattern corresponding to the reference width penetrates at the outlet of the etching chamber. 【請求項２】請求項１に記載の方法を実施するためのエ
ッチング加工装置であって、さらに、エッチング加工が
施された金属薄板に投光する発光部と、エッチング加工
による金属薄板の貫通部を通過する光を感知する受光部
と、受光部で感知した光を受信するモニターと、モニタ
ーから出力される信号を受け、あらかじめ入力されてい
るデータに基づいてライン速度、またはライン速度とス
プレー圧力を制御する信号を出力する制御系と、制御系
からの信号に基づいてライン速度およびスプレー圧力を
調整するライン操作盤とを有することを特徴とするエッ
チング加工装置。2. An etching processing apparatus for carrying out the method according to claim 1, further comprising a light emitting portion for projecting light onto a metal thin plate subjected to etching processing, and a penetrating portion of the metal thin plate by etching processing. The light receiving part that senses the light passing through, the monitor that receives the light detected by the light receiving part, the signal that is output from the monitor, and the line speed, or the line speed and the spray pressure based on the data that is input in advance. An etching processing apparatus, comprising: a control system that outputs a signal that controls the control system; and a line operation panel that adjusts the line speed and the spray pressure based on the signal from the control system.