JPH09301934A - High molecular weight aromatic amine compound and hole-transporting material - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain the subject compound comprising a new type star-burst type amine compound expressed by a specific formula and useful in an electronic part field as a hole-transporting material for EL elements. SOLUTION: This compound is expressed by formula I [Q<1> is a (substituted) aryl, a group of formula II; Q<2> -Q<5> are each a (substituted) aryl; R<1> -R<13> are each H, a lower alkyl, a lower alkoxy]. The compound is preferably obtained e.g. by reacting N,N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine of formula III with a 1- halogeno-4-nitrobenzene of formula IV (X is a halogen), reacting the obtained diamine with an aryl halide, reducing the reaction product, and subsequently reacting the reaction product with a benzene halide.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、有機ＥＬ素子など
のホール輸送性材料として有用な高分子量芳香族アミン
化合物に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a high molecular weight aromatic amine compound useful as a hole transporting material for an organic EL device or the like.

【０００２】[0002]

【従来の技術】一般に機能性色素分子は平面的であり結
晶性が高い。このような色素分子を薄膜化して機能性デ
バイスを作製する場合、理想的には単結晶薄膜の作製が
ベストである。しかし、実際には多結晶の膜が生成しや
すく、結晶粒界は電荷トラップや上部電極の作製の際、
電気的短絡の原因となる。したがって、簡単な方法でマ
クロな均一性を得るための別の方策としてアモルファス
膜の作製が候補となる。高い熱安定性を有する無機物や
ポリマーのアモルファスはすでに様々な分野で利用され
ている。しかし、低分子色素化合物のアモルファスは耐
熱性が低いと考えられ、これまで低分子材料は主に熱安
定性のポリマーと複合化されて用いられてきた。ところ
が、１９８７年に低分子色素のアモルファス蒸着膜を積
層した有機ＥＬ素子が出現するに至って、低分子色素ア
モルファス自身にも耐熱性が要求されるようになった。
ここから耐熱性のある低分子アモルファス材料という概
念が生まれ、これはこれまでにない新しい材料系である
ことが認識されるようになった。そして、耐熱性低分子
アモルファス色素材料は有機ＥＬに留まるだけでなく、
記録媒体、表示媒体、太陽電池、カラーフィルター、電
子写真用感光体などの機能性有機色素化合物を用いる種
々の応用や、新しい応用にも広がる可能性を持つことか
ら、今後の発展が期待できる。現在までに、有機ＥＬ用
色素を始め、放射状のスターバースト分子やトリカルバ
ゾールなど、種々の耐熱性アモルファス色素材料が合成
されている。2. Description of the Related Art Generally, functional dye molecules are planar and have high crystallinity. When a functional device is manufactured by making such dye molecules into a thin film, it is ideally best to manufacture a single crystal thin film. However, in practice, a polycrystalline film is likely to be formed, and the crystal grain boundaries are not easily formed during charge trapping or upper electrode fabrication.
It may cause an electrical short circuit. Therefore, the production of an amorphous film is a candidate as another measure for obtaining macroscopic uniformity by a simple method. Inorganic substances having high thermal stability and amorphous polymers are already used in various fields. However, it is considered that the amorphous low molecular weight dye compound has low heat resistance, and thus far, the low molecular weight materials have been mainly used by being combined with a heat stable polymer. However, with the advent of an organic EL element in which an amorphous vapor-deposited film of a low-molecular dye was laminated in 1987, the low-molecular dye amorphous itself is required to have heat resistance.
From this, the concept of low-molecular amorphous material with heat resistance was born, and it was recognized that this is a new material system that has never existed before. And the heat resistant low molecular weight amorphous dye material not only stays in the organic EL,
Future development can be expected because it can be applied to various applications using functional organic dye compounds such as recording media, display media, solar cells, color filters, and electrophotographic photoconductors, as well as new applications. To date, various heat-resistant amorphous dye materials such as organic EL dyes, radial starburst molecules and tricarbazole have been synthesized.

【０００３】下記式のトリカルバゾールTricarbazole of the following formula

【化４】 は１９９３年に東芝が開発した有機材料で、分子量が約
５００の低分子でありながらガラス転移温度（Ｔｇ）が
２３０℃とエンジニアリングプラスチックス並みの耐熱
性を持つ。従来、耐熱性が最も高かった有機低分子より
Ｔｇは約３０℃も高い。同社は、分子構造とＴｇの関係
をエントロピーやエンタルピーといった熱力学的パラメ
ーターとＴｇの関係を定量的に明らかにした。その結
果、耐熱性を高めるための分子設計の方針として、分
子量を高める、分子の対称性を高める、分子鎖を短
くして球状に近づける、剛直性を持たせる、水素結
合を導入するなどを挙げた。Embedded image Is an organic material developed by Toshiba in 1993. It has a glass transition temperature (Tg) of 230 ° C and is as heat-resistant as engineering plastics, although it is a low molecular weight compound with a molecular weight of about 500. Conventionally, the Tg is about 30 ° C. higher than that of the organic low molecule which has the highest heat resistance. The company quantitatively clarified the relationship between the molecular structure and Tg, and the relationship between Tg and thermodynamic parameters such as entropy and enthalpy. As a result, as a molecular design policy to improve heat resistance, increase the molecular weight, increase the symmetry of the molecule, shorten the molecular chain to make it closer to a sphere, give it rigidity, introduce hydrogen bonds, etc. It was

【０００４】放射状のスターバースト分子は大阪大学の
城田らがトリフェニルアミン骨格を持つスターバースト
アミンを合成し、有機ＥＬ素子に応用した報告がある。
合成された代表的な化合物は下記Regarding the radial starburst molecule, Shirota et al. Of Osaka University have reported that a starburst amine having a triphenylamine skeleton was synthesized and applied to an organic EL device.
Representative compounds synthesized are as follows

【化５】 である。これらのスターバーストアミンのＴｇは４６℃
〜１８０℃で、ｏ−、ｍ−、ｐ−ＭＴＤＡＢの透明なア
モルファスガラス状態は室温で安定でｏ−ＭＴＤＡＢは
３ヶ月以上、ｍ−、ｐ−ＭＴＤＡＢについては１年以
上、結晶化は観察されなかった。この材料を有機ＥＬ素
子のホール輸送層に用いたｍ−ＭＴＤＡＴＡ／ＴＰＤ／
Ａｌｑの素子は３００ｃｄ／ｃｍ²の輝度において２．
３１ｍ／Ｗとｍ−ＭＴＤＡＴＡを用いない素子の発光効
率１．７１ｍ／Ｗと比べると高い発光効率を示した。一
定電流密度における素子の耐久性についても、輝度（初
期値３００ｃｄ／ｃｍ²）半減期はｍ−ＭＴＤＡＴＡを
用いた素子で３００時間であるのに対して用いていない
素子では１５０時間であった。これはスターバーストア
ミンのエネルギーレベルがＴＰＤのＨＯＭＯとＩＴＯの
中間に位置することから、ＩＴＯからのホールの注入が
容易に行われるために生じた結果である。また、これは
ＴＰＤ単層の素子は短時間で漏れ電流を発生するのに対
してｍ−ＭＴＤＡＴＡは漏れ電流を発生しない。このこ
とはｍ−ＭＴＤＡＴＡのアモルファスフィルムの安定性
に起因している。このようにスターバーストアミンはイ
オン化ポテンシャル（Ｉｐ）が低く、膜のアモルファス
安定性に優れた材料である。Embedded image It is. The Tg of these starburst amines is 46 ° C.
At -180 ° C., the transparent amorphous glass state of o-, m-, p-MTDAB is stable at room temperature, o-MTDAB is 3 months or more, m-, p-MTDAB is 1 year or more, and crystallization is observed. There wasn't. M-MTDATA / TPD / using this material for the hole transport layer of an organic EL device
The Alq element has a luminance of 300 cd / cm ² at 2.
High luminous efficiency was shown in comparison with 31 m / W and 1.71 m / W of luminous efficiency of the element which does not use m-MTDATA. Regarding the durability of the device at a constant current density, the luminance (initial value 300 cd / cm ² ) half-life was 300 hours for the device using m-MTDATA, but 150 hours for the device not using it. This is because the energy level of the starburst amine is located between HOMO of TPD and ITO, so that holes are easily injected from ITO. Further, this is because the element of the TPD single layer generates the leakage current in a short time, whereas the m-MTDATA does not generate the leakage current. This is due to the stability of the amorphous film of m-MTDATA. Thus, starburst amine has a low ionization potential (Ip) and is a material having excellent amorphous stability of the film.

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、スターバー
ストアミン類の豊富化を目的とするものである。DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention is intended to enrich starburst amines.

【０００６】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明の第一は、下記一
般式〔１〕The first aspect of the present invention is to provide the following general formula [1]:

【化６】 （式中、Ｑ¹は低級アルキルおよび低級アルコキシ基よ
りなる群から選ばれた置換基を有することもある、アリ
ール基および式[Chemical 6] (In the formula, Q ¹ may have a substituent selected from the group consisting of a lower alkyl and a lower alkoxy group, an aryl group and a formula

【化７】 で表わされる基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれ
た基であり、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴およびＱ⁵は低級アルキルお
よび低級アルコキシ基よりなる群から選ばれた置換基を
有することもある、アリール基よりなる群からそれぞれ
独立して選ばれた基であり、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、
Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹、Ｒ¹²およびＲ
¹³は、水素原子、低級アルキル基および低級アルコキシ
基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である）
で表わされる高分子量芳香族アミン化合物に関する。[Chemical 7] And Q ² , Q ³ , Q ⁴ and Q ⁵ each independently have a substituent selected from the group consisting of a lower alkyl group and a lower alkoxy group. A group independently selected from the group consisting of aryl groups, R ¹ , R ² , R ³ , R ⁴ ,
R ⁵ , R ⁶ , R ⁷ , R ⁸ , R ⁹ , R ¹⁰ , R ¹¹ , R ¹² and R
¹³ is a group independently selected from the group consisting of a hydrogen atom, a lower alkyl group and a lower alkoxy group)
And a high molecular weight aromatic amine compound represented by

【０００７】前記化合物としては、とくに下記一般式
〔２〕As the above-mentioned compound, especially the following general formula [2]

【化８】 （式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ
⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹、Ｒ¹²Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷お
よびＲ¹⁸は水素原子、低級アルキル基および低級アルコ
キシ基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であ
る）で表わされる高分子量芳香族アミン化合物が好まし
い。Embedded image (Wherein, R ¹ , R ² , R ³ , R ⁴ , R ⁵ , R ⁶ , R ⁷ , R ⁸ , R
⁹ , R ¹⁰ , R ¹¹ , R ¹² R ¹³ , R ¹⁴ , R ¹⁵ , R ¹⁶ , R ¹⁷ and R ¹⁸ are each independently selected from the group consisting of a hydrogen atom, a lower alkyl group and a lower alkoxy group. And a high molecular weight aromatic amine compound represented by

【０００８】前記一般式〔１〕で示される化合物のう
ち、一般式〔３〕Among the compounds represented by the general formula [1], the general formula [3]

【化９】 （式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ
⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹、Ｒ¹²Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷お
よびＲ¹⁸は、水素原子、低級アルキル基および低級アル
コキシ基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基で
あり、Ｑ⁶は、低級アルキルおよび低級アルコキシ基よ
りなる群から選ばれた置換基を有することもある、アリ
ール基である）を製造する方法はつぎのとおりである。Embedded image (Wherein, R ¹ , R ² , R ³ , R ⁴ , R ⁵ , R ⁶ , R ⁷ , R ⁸ , R
⁹ , R ¹⁰ , R ¹¹ , R ¹² R ¹³ , R ¹⁴ , R ¹⁵ , R ¹⁶ , R ¹⁷ and R ¹⁸ are each independently selected from the group consisting of a hydrogen atom, a lower alkyl group and a lower alkoxy group. And Q ⁶ is an aryl group, which may have a substituent selected from the group consisting of lower alkyl and lower alkoxy groups).

【０００９】下記一般式〔４〕The following general formula [4]

【化１０】 （式中、Ｒ¹〜Ｒ⁹は前記と同一である）で表わされる
Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−１，１′−ビフェニル−４，
４′−ジアミンに、下記一般式〔５〕Embedded image (Wherein R ^{1 to} R ⁹ are the same as above), N, N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,
4'-diamine is added to the following general formula [5]

【化１１】 （式中、Ｒ¹⁰〜Ｒ¹³は前記と同一であり、Ｘはハロゲン
である）で示される１−ハロゲン化−４−ニトロベンゼ
ンを反応させて、Embedded image (In the formula, R ^{10 to} R ¹³ are the same as above, and X is halogen), and 1-halogenated-4-nitrobenzene represented by

【００１０】下記一般式〔６〕The following general formula [6]

【化１２】 （式中、Ｒ¹〜Ｒ¹³は前記と同一である）で示される
Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ−（４−ニトロフェニル）−
１，１′−ビフェニル−４，４′−ジアミンを得る。[Chemical 12] (In the formula, R ^{1 to} R ¹³ are the same as the above), N, N′-diphenyl-N- (4-nitrophenyl)-
1,1'-biphenyl-4,4'-diamine is obtained.

【００１１】ついで、これに下記一般式〔７〕Then, the following general formula [7]

【化１３】 （式中、Ｒ¹⁰〜Ｒ¹³は前記と同一であり、Ｒは水素原
子、低級アルキル基、低級アルコキシ基および置換基を
有することもある、アリール基であり、前記置換基は、
低級アルキル基または低級アルコキシ基であり、Ｘはハ
ロゲンである）で示されるハロゲン化アリールを反応さ
せ、下記一般式〔８〕Embedded image (In the formula, R ^{10 to} R ¹³ are the same as above, R is a hydrogen atom, a lower alkyl group, a lower alkoxy group and an aryl group which may have a substituent, and the substituent is
A lower alkyl group or a lower alkoxy group, and X is a halogen), and an aryl halide represented by the following general formula [8]

【化１４】 （式中、Ｒ¹〜Ｒ¹³およびＲは前記と同一である）で示
されるＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ−（４−ニトロフェニ
ル）−Ｎ′−（フェニル）−１，１′−ビフェニル−
４，４′−ジアミンを得る。Embedded image (Wherein R ^{1 to} R ¹³ and R are the same as above), N, N′-diphenyl-N- (4-nitrophenyl) -N ′-(phenyl) -1,1′-biphenyl −
4,4'-diamine is obtained.

【００１２】さらにこれを還元して下記一般式Further, this is reduced to give the following general formula

〔９〕[9]

【化１５】 （式中、Ｒ¹〜Ｒ¹³およびＲは前記と同一である）で示
されるＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ−（４−アミノフェニ
ル）−Ｎ′−（フェニル）−１，１′−ビフェニル−
４，４′−ジアミンとする。Embedded image (Wherein R ^{1 to} R ¹³ and R are the same as above), N, N′-diphenyl-N- (4-aminophenyl) -N ′-(phenyl) -1,1′-biphenyl −
4,4'-diamine.

【００１３】つづいて、これに下記一般式〔１０〕Subsequently, the following general formula [10]

【化１６】 （式中、Ｒ¹⁴〜Ｒ¹⁸およびＸは前記と同一である）で示
されるハロゲン化ベンゼンを反応させることにより前記
一般式〔３〕で示される高分子量芳香族アミン化合物を
製造することができる。Embedded image The high molecular weight aromatic amine compound represented by the above general formula [3] can be produced by reacting a halogenated benzene represented by the formula (wherein R ^{14 to} R ¹⁸ and X are the same as above). .

【００１４】また、前記一般式〔１〕で示される化合物
のうち、一般式〔２〕Further, among the compounds represented by the general formula [1], the general formula [2]

【化１７】 （式中、Ｒ¹〜Ｒ¹⁸は前記と同一である）で表わされる
化合物を製造する方法はつぎのとおりである。Embedded image (In the formula, R ^{1 to} R ¹⁸ are the same as described above) The method for producing the compound is as follows.

【００１５】前記一般式〔４〕で示されるＮ，Ｎ′−ジ
フェニル−１，１′−ビフェニル−４，４′−ジアミン
に、前記一般式〔５〕で示される１−ハロゲン化−４−
ニトロベンゼンを反応させて、下記一般式〔１１〕The N, N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine represented by the general formula [4] is added to the 1-halogenated-4- represented by the general formula [5].
By reacting nitrobenzene, the following general formula [11]

【化１８】 （式中、Ｒ¹〜Ｒ¹³は前記と同一である）で示される
Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−（４−ニトロフェニ
ル）−１，１′−ビフェニル−４，４′−ジアミンを得
る。Embedded image (In the formula, R ^{1 to} R ¹³ are the same as above), N, N′-diphenyl-N, N ′-(4-nitrophenyl) -1,1′-biphenyl-4,4′- Obtain the diamine.

【００１６】ついで、これを還元して、下記一般式〔１
２〕Then, this is reduced to give the following general formula [1
2]

【化１９】 （式中、Ｒ¹〜Ｒ¹³は前記と同一である）で示される
Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−（４−アミノフェニ
ル）−１，１′−ビフェニル−４，４′−ジアミンを得
た。Embedded image (Wherein R ^{1 to} R ¹³ are the same as above), N, N′-diphenyl-N, N ′-(4-aminophenyl) -1,1′-biphenyl-4,4′- The diamine was obtained.

【００１７】ついで、これに前記一般式〔１０〕で示さ
れるハロゲン化ベンゼンを反応させることにより、前記
一般式〔２〕で示される高分子量芳香族アミン化合物を
製造することができる。Then, the halogenated benzene represented by the general formula [10] is reacted with this to produce the high molecular weight aromatic amine compound represented by the general formula [2].

【００１８】本発明の一般式〔１〕、〔２〕、〔３〕で
示される高分子量芳香族アミン化合物は、新しいタイプ
のスターバースト型アミン化合物であって、ホール輸送
性を示すので、この性質を利用して、ホール輸送性材料
として各種電子部品に使用することができ、とくに有機
ＥＬ素子のホール輸送性材料として有用である。The high molecular weight aromatic amine compound represented by the general formulas [1], [2] and [3] of the present invention is a new type of starburst type amine compound and exhibits a hole transporting property. By utilizing the properties, it can be used as a hole-transporting material in various electronic parts, and is particularly useful as a hole-transporting material for organic EL devices.

【００１９】前記低級アルキルや低級アルコキシにおけ
る炭素数は通常１〜８、好ましくは１〜３である。ま
た、前記アリール基は、フェニル基、ジフェニル基、ナ
フチル基などを挙げることができる。The number of carbon atoms in the lower alkyl or lower alkoxy is usually 1-8, preferably 1-3. Further, examples of the aryl group include a phenyl group, a diphenyl group, and a naphthyl group.

【００２０】[0020]

【実施例】以下に、実施例を挙げて本発明を説明する
が、本発明はこれにより限定されるものではない。The present invention will be described below with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.

【００２１】実施例における各データーの測定方法はつ
ぎに示すとおりである。 （１）ＩＲスペクトル ＩＲスペクトルは、島津ＦＴＩＲ−８１００Ｍ分光計に
よりＫＢｒ錠剤法で測定した。 （２）¹Ｈ ＮＭＲスペクトル¹ Ｈ ＮＭＲは２５℃で日本電子（２７０ＭＨｚ）ＪＮＭ
−ＥＸ２７０ＦＴＮＭＲ型を用いて測定した。 （３）融点測定 融点は融点測定装置（三田村理研工業製 直熱式毛管融
点測定装置）を用いて測定した。 （４）元素分析 元素分析はＹａｎａｇｉｍｏｔｏＣＨＮコーダーＭＴ−
３型を使用して行った。 （５）純度測定 高速液体クロマトグラフ（ＨＰＬＣ）は、Ｈｉｔａｃｈ
ｉ Ｃ−４０００型を用いて行った。 測定条件；カラム ＴＳＫ−ＧＥＬ ｆｏｒ ＨＰＬ
Ｃ；フィルター、０．４５μｍ液体クロマトグラフ用；
キャリヤー溶媒、メタノール；流速 １．０ｍｌ／ｍｉ
ｎ；２５４ｎｍ。 （６）蛍光およびＵＶスペクトルの測定 蛍光スペクトルおよびＵＶスペクトルは石英ガラス上に
真空蒸着法によって成膜した基板を用いて測定した。Ｕ
ＶスペクトルはＳＨＩＭＡＤＺＵ ＵＶ−２２００Ａを
用いて行った。スキャンスピードはＦＡＳＴ、スリット
幅は２．０ｎｍ、測定範囲は２００〜７５０ｎｍの範囲
で行った。蛍光スペクトルは日立分光光度計Ｆ−４０１
０とＨＡＭＡＨＡＴＨＵ ＰＨＯＴＯＮＩＣ ＭＵＬＴ
Ｉ−ＣＨＡＮＮＥＬ ＡＮＡＬＹＺＥＲ（ＰＭＡ）を使
用して行った。日立分光光度計Ｆ−４０１０ではＥＸバ
ンドパスおよびＥＭバンドパスはともに３ｎｍとし、ス
キャンスピードは蛍光スペクトルでは６０ｎｍ／ｓｅｃ
で行った。またサンプルの照射角度は蛍光スペクトルで
は４５゜で測定した。ＰＭＡではＦ−４０１０で求めた
励起波長を４５゜で入射させ、スキャン時間５秒、積算
回数５回で測定した。 （７）膜厚の測定 マスクしたＩＴＯ（陽極）被覆ガラス基板上に真空蒸着
にて成膜した。膜厚の測定は膜とＩＴＯの断面を３点、
ＤＥＫＴＡＫ³ＳＴを使用して測定した。測定条件：測
定距離＝１０００μｍ、測定速度＝Ｌｏｗ（５０秒）、
データ分析能＝Ｈｉｇｈｔ、測定レンジ＝６５ＫＡ、触
針圧＝１ｍｍｇ。 （８）ＥＬ素子の輝度−電流密度−電圧特性の測定 ＥＬ素子に約２秒間隔で直流電圧を２Ｖまたは１Ｖづつ
ステップ状に印加し、その時の電流密度と輝度を約１秒
後に測定した。輝度の測定にはＴＯＰＣＯＮ社製ＢＭ−
８、直流電源は菊水ＰＢＸ４０−２．５、電流値の測定
にはデジタルマルチメーター（アドバンテストＴＲ６８
４６）を使用し、大気中で行った。The method of measuring each data in the examples is as follows. (1) IR spectrum The IR spectrum was measured by a Shimadzu FTIR-8100M spectrometer by the KBr tablet method. (2) ¹ H NMR spectrum ¹ H NMR was measured by JEOL (270 MHz) JNM at 25 ° C.
-Measured using EX270FT NMR model. (3) Melting point measurement The melting point was measured using a melting point measuring device (a direct heating type capillary melting point measuring device manufactured by Mitamura Riken Kogyo). (4) Elemental analysis Elemental analysis is Yanagimoto CHN Coder MT-
It was carried out using type 3. (5) Purity measurement High performance liquid chromatograph (HPLC)
i C-4000. Measurement conditions; column TSK-GEL for HPL
C; filter, 0.45 μm for liquid chromatograph;
Carrier solvent, methanol; flow rate 1.0 ml / mi
n; 254 nm. (6) Measurement of fluorescence and UV spectrum The fluorescence spectrum and UV spectrum were measured using a substrate formed on quartz glass by a vacuum deposition method. U
V-spectra were performed using SHIMADZU UV-2200A. The scan speed was FAST, the slit width was 2.0 nm, and the measurement range was 200 to 750 nm. Fluorescence spectrum is Hitachi spectrophotometer F-401
0 and HAMAHATHU PHOTONIC MULT
It was performed using I-CHANNEL ANALYZER (PMA). In the Hitachi spectrophotometer F-4010, both EX band pass and EM band pass were set to 3 nm, and the scanning speed was 60 nm / sec in the fluorescence spectrum.
I went in. The irradiation angle of the sample was measured at 45 ° in the fluorescence spectrum. In PMA, the excitation wavelength obtained by F-4010 was incident at 45 °, and the measurement was performed with a scan time of 5 seconds and an integration number of 5 times. (7) Measurement of film thickness A film was formed by vacuum deposition on a masked ITO (anode) coated glass substrate. The film thickness is measured at 3 points on the cross section of the film and ITO,
Measured using a DEKTAK ³ ST. Measurement conditions: measurement distance = 1000 μm, measurement speed = Low (50 seconds),
Data analysis capability = High, measurement range = 65 KA, stylus pressure = 1 mmg. (8) Measurement of Luminance-Current Density-Voltage Characteristics of EL Element A DC voltage was applied to the EL element in steps of 2 V or 1 V at intervals of about 2 seconds, and the current density and luminance at that time were measured after about 1 second. For brightness measurement, BM- manufactured by TOPCON
8. DC power supply is Kikusui PBX40-2.5, digital current meter (Advantest TR68
46) was used and was carried out in the atmosphere.

【００２２】実施例１ 下記の反応式によりＮ，Ｎ′−ジフェニルベンジジン
より、本発明の化合物の１つである高分子量芳香族アミ
ン１（ＳＴＢＡ−１）を製造した。各工程毎の製法は
次の（１）〜（３）で説明する。Example 1 A high molecular weight aromatic amine 1 (STBA-1), which is one of the compounds of the present invention, was prepared from N, N'-diphenylbenzidine according to the following reaction formula. The manufacturing method for each step will be described in the following (1) to (3).

【００２３】[0023]

【化２０】 Embedded image

【００２４】（１）Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−
（４−ニトロフェニル）−１，１′−ビフェニル−４，
４′−ジアミン（ＤＮＴＰＤ）の合成 Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンジジン９．０２ｇ（２６．
８ｍｍｏｌ）、ｐ−フルオロニトロベンゼン１２．６ｇ
（８９．１ｍｍｏｌ）、フッ化セシウム１８．１ｇ（１
１９ｍｍｏｌ）に溶媒としてジメチルスルホキシド（Ｄ
ＭＳＯ）１００ｍｌを加え、窒素雰囲気下１２０℃で２
４時間撹拌した。反応終了後、冷水２５００ｍｌにかき
混ぜながら注ぎ、粗結晶を得た。その後、６０℃で１２
時間真空乾燥させた。ここで未反応物のＮ，Ｎ′−ジフ
エニルベンジジンと未反応のＮ，Ｎ′−ジフエニル−
Ｎ，Ｎ′−（４−ニトロフェニル）−１，１′−ビフェ
ニル−４，４′−ジアミンとの分離は困難なので未反応
物と３−ヨードトルエンを反応させＮ，Ｎ′−ジフェニ
ル−Ｎ，Ｎ′−（３−メチルフェニル）−１，１′−ビ
フェニル−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）とＮ，Ｎ′−
ジフェニル−Ｎ−（４−ニトロフェニル）−Ｎ−（３−
メチルフェニル）−１，１′−ビフェニル−４，４′−
ジアミンとしてから精製した。反応は粗結晶２４．２
ｇ、３−ヨードトルエン１１．７ｇ（５３．５ｍｍｏ
ｌ）、炭酸カリウム３７．０ｇ（２６８ｍｍｏｌ）、活
性化銅１７．０ｇ（２６８ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲
気下２２０℃で２４時間撹拌した。反応終了後、反応混
合物を１，２−ジクロロエタンに溶かして濾過により銅
を除去した。１，２−ジクロロエタンをエバポレーター
にて除去してから、カラムクロマトグラフィー法（展開
溶媒、１，２−ジクロロエタン：ｎ−ヘキサン＝１：
１、Ｒｆ＝０．２３）によって精製を行った。構造確認
はＩＲスエクトル、¹Ｈ ＮＭＲスペクトルと元素分析に
て行い、それぞれのスペクトルを図１、図２に示した。(1) N, N'-diphenyl-N, N'-
(4-nitrophenyl) -1,1'-biphenyl-4,
Synthesis of 4'-diamine (DNTPD) 9.02 g of N, N'-diphenylbenzidine (26.
8 mmol), 12.6 g of p-fluoronitrobenzene
(89.1 mmol), 18.1 g of cesium fluoride (1
Dimethyl sulfoxide (D) as a solvent in 19 mmol)
100 ml of MSO) and add 2 at 120 ° C under nitrogen atmosphere.
Stir for 4 hours. After completion of the reaction, the mixture was poured into 2500 ml of cold water with stirring to obtain crude crystals. Then, at 60 ℃ 12
Vacuum dried for an hour. Here, unreacted N, N'-diphenylbenzidine and unreacted N, N'-diphenyl-
Since it is difficult to separate N, N '-(4-nitrophenyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine, an unreacted product is reacted with 3-iodotoluene to produce N, N'-diphenyl-N. , N '-(3-methylphenyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (TPD) and N, N'-
Diphenyl-N- (4-nitrophenyl) -N- (3-
Methylphenyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-
It was purified as a diamine. The reaction was crude crystal 24.2.
g, 3-iodotoluene 11.7 g (53.5 mmo
1), potassium carbonate 37.0 g (268 mmol) and activated copper 17.0 g (268 mmol) were added, and the mixture was stirred at 220 ° C. for 24 hours under a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, the reaction mixture was dissolved in 1,2-dichloroethane and copper was removed by filtration. After removing 1,2-dichloroethane with an evaporator, a column chromatography method (developing solvent, 1,2-dichloroethane: n-hexane = 1:
1, Rf = 0.23). The structure was confirmed by IR spectrum, ¹ H NMR spectrum and elemental analysis, and the respective spectra are shown in FIGS. 1 and 2.

【００２５】収率 ４３．７％（６．４２ｇ） 融点 １９０．０〜１９１．８℃ ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ^-1）：１５８３（ＮＯ₂）¹ Ｈ ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃，ＴＭＳ）：δ
（ｐｐｍ）＝７．０〜８．２（ｍ，２６Ｈ，Ａｒ） 元素分析値（Ｃ₃₆Ｈ₂₆Ｎ₂Ｏ₄として）： 分析値：Ｃ７３．０８％、Ｈ４．５５％、Ｎ９．３９
％、 計算値：Ｃ７４．７３％、Ｈ４．５３％、Ｎ９．６８％Yield 43.7% (6.42 g) Melting point 190.0-191.8 ° C. IR (KBr, cm ⁻¹ ): 1583 (NO ₂ ) ¹ H NMR (270 MHz, CDCl ₃ , TMS): δ
(Ppm) = 7.0~8.2 (m, 26H, Ar) ( as _{C 36 H 26 N 2 O 4} ) Elemental analysis: analysis: C73.08%, H4.55%, N9.39
%, Calculated value: C74.73%, H4.53%, N9.68%

【００２６】（２）Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−
（４−アミノフェニル）−１，１′−ビフェニル−４，
４′−ジアミン（ＤＡＴＰＤ）の合成 ＤＮＴＰＤ４．４２ｇ（７．９８ｍｍｏｌ）と５％パ
ラジウム／カーボン３．２０ｇにジメチルホルムアミド
（ＤＭＦ）１００ｍｌを加え、室温、常圧、水素雰囲気
でニトロ基の還元反応を行った。反応終了後、パラジウ
ム／カーボンを濾別し、濾液に冷水（５００ｍｌ）をか
き混ぜながら注ぎ、ＤＡＴＰＤ粗結晶を得た。構造確
認はＩＲスペクトル、¹Ｈ ＮＭＲスペクトルと元素分析
にて行い、それぞれのスペクトルを図３、図４に示し
た。(2) N, N'-diphenyl-N, N'-
(4-aminophenyl) -1,1'-biphenyl-4,
Synthesis of 4'-diamine (DATPD) To 4.42 g (7.98 mmol) of DNTPD and 3.20 g of 5% palladium / carbon, 100 ml of dimethylformamide (DMF) was added, and the reduction reaction of nitro group was carried out at room temperature, atmospheric pressure and hydrogen atmosphere. went. After completion of the reaction, palladium / carbon was filtered off, and cold water (500 ml) was poured into the filtrate while stirring to obtain DATPD crude crystals. The structure was confirmed by IR spectrum, ¹ H NMR spectrum and elemental analysis, and the respective spectra are shown in FIGS. 3 and 4.

【００２７】収率 ８２．９％（３．４３ｇ） ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ^-1）：３４６０，３３６０（Ｎ
Ｈ₂）¹ Ｈ ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃，ＴＭＳ）：δ
（ｐｐｍ）＝３．６（Ｓ，２Ｈ，ＮＨ₂）、６．８〜
７．５（ｍ，２７Ｈ，Ａｒ） 元素分析値（Ｃ₃₆Ｈ₂₉Ｎ₃として）： 分析値：Ｃ８６．０６％、Ｈ５．９％、Ｎ８．２８％、 計算値：Ｃ８５．８５％、Ｈ５．８０％、Ｎ８．３４％Yield 82.9% (3.43 g) IR (KBr, cm ^-1 ): 3460, 3360 (N
H ₂ ) ¹ H NMR (270 MHz, CDCl ₃ , TMS): δ
(Ppm) = 3.6 (S, 2H, NH ₂ ), 6.8-
7.5 (m, 27H, Ar) Elemental analysis value (as C ₃₆ H ₂₉ N ₃ ): Analysis value: C86.06%, H5.9%, N8.28%, calculated value: C85.85%, H5 .80%, N 8.34%

【００２８】（３）高分子量芳香族アミン１（ＳＴＢＡ
−１）の合成 ＤＡＴＰＤ１．９０ｇ（３．６６ｍｍｏｌ）、３−ヨ
ードトルエン２２ｇ（１０４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム
４．８１ｇ（３４．８ｍｍｏｌ）、活性化銅２．２１ｇ
（３４．８ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下２２０℃で
３６時間撹拌した。反応終了後、反応混合物をテトラヒ
ドロフラン（ＴＨＦ）に溶かして濾過により銅を除去し
た。ＴＨＦをエバポレーターにて除去してから、カラム
クロマトグラフィー法（展開溶媒、クロロホルム：ｎ−
ヘキサン＝１：２、Ｒｆ＝０．１６）によって精製を行
った。さらに、トレイン・サブリメーション法（窒素ガ
ス２００ｃｃ／ｍｉｎ、３８０℃、１７０℃）により昇
華精製し、目的物を得た。構造確認はＩＲスペクト
ル、¹Ｈ ＮＭＲスペクトルと元素分析にて行い、それぞ
れのスペクトルを図５、図６に示した。(3) High molecular weight aromatic amine 1 (STBA
-1) Synthesis DATPD 1.90 g (3.66 mmol), 3-iodotoluene 22 g (104 mmol), potassium carbonate 4.81 g (34.8 mmol), activated copper 2.21 g
(34.8 mmol) was added, and the mixture was stirred at 220 ° C. for 36 hours under a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, the reaction mixture was dissolved in tetrahydrofuran (THF), and copper was removed by filtration. After removing THF with an evaporator, a column chromatography method (developing solvent, chloroform: n-
Purification was carried out with hexane = 1: 2, Rf = 0.16). Further, sublimation purification was performed by a train sublimation method (nitrogen gas 200 cc / min, 380 ° C., 170 ° C.) to obtain the target product. The structure was confirmed by IR spectrum, ¹ H NMR spectrum and elemental analysis, and the respective spectra are shown in FIGS. 5 and 6.

【００２９】収率 １５．０％（０．４８３ｇ） 融点 １２１．９〜１２２．５℃ ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ^-1）：３０３２（ＣＨ₃）、１２６
９、１２９０〔（Ｃ₆Ｈ₅）₃Ｎ〕¹ Ｈ ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃，ＴＭＳ）：δ
（ｐｐｍ）＝２．３（Ｓ，１２Ｈ，ＣＨ₃）、６．８〜
７．６（ｍ，４２Ｈ，Ａｒ） 元素分析値（Ｃ₆₄Ｈ₅₄Ｎ₄として）： 分析値：Ｃ８７．４％、Ｈ６．１３％、Ｎ６．３１％、 計算値：Ｃ８７．４４％、Ｈ６．１９％、Ｎ６．３７％Yield 15.0% (0.483 g) Melting point 121.9-122.5 ° C. IR (KBr, cm ⁻¹ ): 3032 (CH ₃ ), 126
9, 1290 [(C ₆ H ₅ ) ₃ N] ¹ H NMR (270 MHz, CDCl ₃ , TMS): δ
(Ppm) = 2.3 (S, 12H, CH 3), 6.8~
7.6 (m, 42H, Ar) Elemental analysis value (as C ₆₄ H ₅₄ N ₄ ): Analysis value: C 87.4%, H 6.13%, N 6.31%, Calculated value: C 87.44%, H 6 .19%, N 6.37%

【００３０】実施例２ 下記の反応式により、Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンジジン
より、本発明の化合物の１つである高分子量芳香族ア
ミン２（ＳＴＢＡ−２）を製造した。各工程毎の製法は
次の（１）〜（３）で説明する。Example 2 A high molecular weight aromatic amine 2 (STBA-2), which is one of the compounds of the present invention, was prepared from N, N'-diphenylbenzidine according to the following reaction formula. The manufacturing method for each step will be described in the following (1) to (3).

【００３１】[0031]

【化２１】 [Chemical 21]

【００３２】（１）Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ−（４−
ニトロフェニル）−１，１′−ビフェニル−４，４′−
ジアミン（ＮＴＰＤ）の合成 Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンジジン１０．０ｇ（２９．７
ｍｍｏｌ）、ｐ−フルオロニトロベンゼン８．３８ｇ
（５９．４ｍｍｏｌ）、フッ化セシウム４．５ｇ（２
９．７ｍｍｏｌ）に溶媒としてＤＭＳＯ１２０ｍｌを加
え、窒素雰囲気下１００℃で２４時間撹拌した。反応終
了後、冷水２５００ｍｌにかき混ぜながら注ぎ、Ｎ，
Ｎ′−ジフェニル−Ｎ−（４−ニトロフェニル）−１，
１′−ビフェニル−４，４′−ジアミン（ＮＴＰＤ）
の粗結晶を得た。その後、６０℃で１２時間真空乾燥さ
せた。 収量 １２．７ｇ(1) N, N'-diphenyl-N- (4-
Nitrophenyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-
Synthesis of diamine (NTPD) 10.0 g (29.7) of N, N'-diphenylbenzidine
mmol), 8.38 g of p-fluoronitrobenzene
(59.4 mmol), cesium fluoride 4.5 g (2
DMSO (120 ml) was added as a solvent to (9.7 mmol), and the mixture was stirred at 100 ° C. for 24 hours in a nitrogen atmosphere. After completion of the reaction, pour into 2500 ml of cold water while stirring,
N'-diphenyl-N- (4-nitrophenyl) -1,
1'-biphenyl-4,4'-diamine (NTPD)
Was obtained. Then, it was vacuum dried at 60 ° C. for 12 hours. Yield 12.7g

【００３３】（２）Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ−（４−
ニトロフェニル）−Ｎ′−（３−メチル−フェニル）−
１，１′−ビフェニル−４，４′−ジアミン（ＮＰＴＰ
Ｄ）の合成 ＮＴＰＤ１２．７ｇ（２７．７ｍｍｏｌ）、３−ヨー
ドトルエン１２．１ｇ（５５．４ｍｍｏｌ）、炭酸カリ
ウム１９．１ｇ（１３８．５ｍｍｏｌ）、活性化銅８．
８０ｇ（１３８．５ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下２
２０℃で３６時間撹拌した。反応終了後、反応混合物を
１，２−ジクロロエタンに溶かして濾過により銅を除去
した。１，２−ジクロロエタンをエバポレーターにて除
去してから、カラムクロマトグラフィー法（展開溶媒、
１，２−ジクロロエタン：ｎ−ヘキサン＝１：１、Ｒｆ
＝０．５２）によって精製を行い、Ｎ，Ｎ′−ジフェニ
ル−Ｎ−（４−ニトロフェニル）−Ｎ′−（３−メチル
−フェニル）−１，１′−ビフェニル−４，４′−ジア
ミン（ＮＰＴＰＤ）を得た。(2) N, N'-diphenyl-N- (4-
Nitrophenyl) -N '-(3-methyl-phenyl)-
1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (NPTP
Synthesis of D) 12.7 g (27.7 mmol) of NTPD, 12.1 g (55.4 mmol) of 3-iodotoluene, 19.1 g (138.5 mmol) of potassium carbonate, activated copper 8.
80 g (138.5 mmol) was added and under nitrogen atmosphere 2
The mixture was stirred at 20 ° C for 36 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was dissolved in 1,2-dichloroethane and copper was removed by filtration. After removing 1,2-dichloroethane with an evaporator, a column chromatography method (developing solvent,
1,2-dichloroethane: n-hexane = 1: 1, Rf
= 0.52), N, N'-diphenyl-N- (4-nitrophenyl) -N '-(3-methyl-phenyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (NPTPD) was obtained.

【００３４】収率 ３１．９％（４．８４ｇ） 元素分析値（Ｃ₃₇Ｈ₂₉Ｎ₃Ｏ₂として）： 分析値：Ｃ７９．８３％、Ｈ５．２８％、Ｎ７．５５
％、 計算値：Ｃ８１．１５％、Ｈ５．３４％、Ｎ７．６７％ なお、前記収率は（１）から（２）までのトータルの収
率を示す。Yield 31.9% (4.84 g) Elemental analysis value (as C ₃₇ H ₂₉ N ₃ O ₂ ): Analysis value: C 79.83%, H 5.28%, N 7.55
%, Calculated value: C81.15%, H5.34%, N7.67% The above yield indicates the total yield from (1) to (2).

【００３５】（３）Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ−（４−
アミノフェニル）−Ｎ′−（３−メチル−フェニル）−
１，１′−ビフェニル−４，４′−ジアミン（ＡＰＴＰ
Ｄ）の合成 ＮＰＴＰＤ４．８４ｇ（８．８３ｍｍｏｌ）と５％パ
ラジウムカーボン１．７７ｇにＤＭＦ１００ｍｌを加
え、室温、常圧、水素雰囲気でニトロ基の還元反応を行
った。反応終了後、パラジウム／カーボンを濾別し、濾
液を冷水（５００ｍｌ）にかき混ぜながら注ぎ、Ｎ，
Ｎ′−ジフェニル−Ｎ−（４−アミノフェニル）−Ｎ′
−（３−メチル−フェニル）−１，１′−ビフェニル−
４，４′−ジアミン（ＡＰＴＰＤ）の粗結晶を得た。 収率８９．６％（４．０９ｇ）。(3) N, N'-diphenyl-N- (4-
Aminophenyl) -N '-(3-methyl-phenyl)-
1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (APTP
Synthesis of D) 100 ml of DMF was added to 4.84 g (8.83 mmol) of NPTPD and 1.77 g of 5% palladium carbon, and the reduction reaction of the nitro group was carried out at room temperature, atmospheric pressure and hydrogen atmosphere. After completion of the reaction, palladium / carbon was filtered off, and the filtrate was poured into cold water (500 ml) with stirring to obtain N,
N'-diphenyl-N- (4-aminophenyl) -N '
-(3-Methyl-phenyl) -1,1'-biphenyl-
Crude crystals of 4,4'-diamine (APTPD) were obtained. Yield 89.6% (4.09 g).

【００３６】（４）高分子量芳香族アミン２（ＳＴＢＡ
−２）の合成 ＡＰＴＰＤ０．６５ｇ（１．２６ｍｍｏｌ）、３−ヨ
ードトルエン０．８２４ｇ（３．７８ｍｍｏｌ）、炭酸
カリウム１．７６ｇ（１２．６ｍｍｏｌ）、活性化銅
０．８ｇ（１２．６ｍｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下２
２０℃で３６時間撹拌した。反応終了後、反応混合物を
ＴＨＦに溶かして濾過により銅を除去した。ＴＨＦをエ
バポレーターにて除去してから、カラムクロマトグラフ
ィー法（展開溶媒、クロロホルム：ｎ−ヘキサン＝１：
２、Ｒｆ＝０．２６）によって精製を行った。さらにト
レイン・サブリメーション法（窒素ガス２００ｃｃ／ｍ
ｉｎ、３２０℃、１５０℃）により昇華精製して、高分
子量芳香族アミン２（ＳＴＢＡ−２）を得た。構造確
認はＩＲスペクトル¹Ｈ ＮＭＲスペクトルと元素分析に
て行い、それぞれのスペクトルを図７、図８に示した。(4) High molecular weight aromatic amine 2 (STBA
-2) Synthesis of APTPD 0.65 g (1.26 mmol), 3-iodotoluene 0.824 g (3.78 mmol), potassium carbonate 1.76 g (12.6 mmol), activated copper 0.8 g (12.6 mmol). In addition, under nitrogen atmosphere 2
The mixture was stirred at 20 ° C for 36 hours. After completion of the reaction, the reaction mixture was dissolved in THF and copper was removed by filtration. After removing THF with an evaporator, a column chromatography method (developing solvent, chloroform: n-hexane = 1:
2, Rf = 0.26). Furthermore, train sublimation method (nitrogen gas 200 cc / m
in, 320 ° C., 150 ° C.) to obtain a high molecular weight aromatic amine 2 (STBA-2). The structure was confirmed by IR spectrum ¹ H NMR spectrum and elemental analysis. The respective spectra are shown in FIGS. 7 and 8.

【００３７】収率 １４．６％（０．１２８ｇ） 融点 １０４．３〜１０５．０℃ ＩＲ（ＫＢｒ、ｃｍ^-1）：３０３２（ＣＨ₃）、１２６
９、１２９０〔（Ｃ₆Ｈ₅）₃Ｎ〕¹ Ｈ ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃，ＴＭＳ）：δ
（ｐｐｍ）＝２．３（Ｓ，９Ｈ，ＣＨ₃）、６．８〜
７．５（ｍ，３４Ｈ，Ａｒ） 元素分析値（Ｃ₆₄Ｈ₅₄Ｎ₄として）： 分析値：Ｃ８７．７６％、Ｈ６．２１％、Ｎ６．１３
％、 計算値：Ｃ８７．７７％、Ｈ６．２１％、Ｎ６．０２％Yield 14.6% (0.128 g) Melting point 104.3-105.0 ° C. IR (KBr, cm ⁻¹ ): 3032 (CH ₃ ), 126
9, 1290 [(C ₆ H ₅ ) ₃ N] ¹ H NMR (270 MHz, CDCl ₃ , TMS): δ
(Ppm) = 2.3 (S, 9H, CH 3), 6.8~
7.5 (m, 34H, Ar) Elemental analysis value (as C ₆₄ H ₅₄ N ₄ ): Analysis value: C 87.76%, H 6.21%, N 6.13
%, Calculated: C87.77%, H6.21%, N6.02%

【００３８】実施例３ （１）ＩＴＯ基板のパターン付け インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）をコートしたＩＴＯ
ガラス基板（旭硝子製１５Ω／□ １５００Å）を２５
ｍｍ×２５ｍｍに切り取り、ＩＴＯ面側の中央にＳｃｏ
ｔｃｈ製のクリアテープ（幅１２ｍｍ）を気泡が入らぬ
ように貼り、これを腐食液に浸漬してパターン形成を行
った。Example 3 (1) Patterning of ITO Substrate ITO coated with indium-tin oxide (ITO)
25 glass substrates (Asahi Glass 15Ω / □ 1500Å)
Cut it to a size of 25 mm x 25 mm, and put Sco on the center of the ITO side
A clear tape (width: 12 mm) made by tch was attached so that air bubbles did not enter, and this was dipped in a corrosive liquid to form a pattern.

【００３９】（２）基板の洗浄 基板洗浄は、特開平６−４９０７９号公報第２４欄、特
開平４−２３３１９５号公報第１７欄など記載の通常の
方法にしたがって実施した。(2) Cleaning of Substrate Cleaning of the substrate was carried out according to a usual method described in JP-A-6-49079, column 24, JP-A-4-233195, column 17.

【００４０】（３）素子の作製 ホール輸送層としてのＳＴＢＡ−１（実施例１のも
の）、電子輸送層として下記式のＴＰＤとＡｌｑは、真
空蒸着により３×１０^-5Ｔｏｒｒ下で２−４Å／ｓの蒸
着速度で積層した。また金属電極である陰極は、Ｍｇ：
Ａｇを６．０×１０^-6Ｔｏｒｒ下で１０：１の割合で２
０００Åの厚さに共蒸着したのち酸化保護膜としてＡｇ
を１０００Åの厚さに蒸着積層した。電極面積は５ｍｍ
×５ｍｍとした。なお、真空蒸着機はＵＬＶＡＣ ＳＩ
ＮＫＵ ＫＩＫＯ ＶＰＣ ２６０を用いた。(3) Fabrication of device STBA-1 (of Example 1) as a hole transport layer, and TPD and Alq of the following formulas as an electron transport layer were vacuum-deposited under a pressure of 3 × 10 ⁻⁵ Torr. Lamination was performed at a vapor deposition rate of 4Å / s. The cathode, which is a metal electrode, is Mg:
Ag was added at a ratio of 10: 1 under 6.0 × 10 ^-6 Torr.
After co-deposition to a thickness of 000Å, Ag is used as an oxidation protection film.
Was deposited by vapor deposition to a thickness of 1000Å. The electrode area is 5 mm
× 5 mm. The vacuum vapor deposition machine is ULVAC SI
NKU KIKO VPC 260 was used.

【化２２】 Embedded image

【００４１】（４）高分子量芳香族アミン（ＳＴＢＡ−
１および２）の蛍光特性 図９〜１２にＳＴＢＡ−１とＳＴＢＡ−２の蒸着膜のそ
れぞれの励起スペクトルと蛍光スペクトルを示した。図
１０の蛍光スペクトルからＳＴＢＡ−１は４３３ｎｍと
５０９ｎｍにピークを持つ青緑色の発光を示し、図１２
の蛍光スペクトルからＳＴＢＡ−２は４３５ｎｍにピー
クを持つ青紫色の発光を示すことがわかった。表１にイ
オン化ポテンシャル（ＨＯＭＯ）測定の結果を示した。(4) High molecular weight aromatic amine (STBA-
1 and 2) Fluorescence characteristics FIGS. 9 to 12 show excitation spectra and fluorescence spectra of the vapor-deposited films of STBA-1 and STBA-2, respectively. From the fluorescence spectrum of FIG. 10, STBA-1 exhibits blue-green light emission having peaks at 433 nm and 509 nm.
From the fluorescence spectrum of STBA-2, it was found that STBA-2 emitted blue-violet light having a peak at 435 nm. Table 1 shows the results of ionization potential (HOMO) measurement.

【００４２】[0042]

【表１】 Ｒｉｋｅｎ Ｋｅｎｋｉ ＡＣ−１．により測定[Table 1] Riken Kenki AC-1. Measured by

【００４３】擬電子親和力（ＬＵＭＯ）（Ｅａ）はＵＶ
吸収スペクトルの吸収端（図１３〜１４）から求めたエ
ネルギーギャップを元に算出した。トリフェニルジアミ
ン誘導体（ＴＰＤ）と比べるとイオン化ポテンシャル
（Ｉｐ）は０．３ｅＶ、エネルギーギャップ（Ｅｇ）は
０．１ｅＶ小さくなっている。このことからＴＰＤより
もＩＴＯ（Ｉｐ＝５．０ｅＶ）からのホールの注入が容
易に行えることがわかる。また、蛍光ピーク波長がＴＰ
Ｄと比べて深色シフトしたのはエネルギーギャップが小
さくなっていることから説明できる。Pseudoelectron affinity (LUMO) (Ea) is UV
It was calculated based on the energy gap obtained from the absorption edge (FIGS. 13 to 14) of the absorption spectrum. Compared to the triphenyldiamine derivative (TPD), the ionization potential (Ip) is 0.3 eV and the energy gap (Eg) is 0.1 eV smaller. From this, it can be seen that holes can be injected from ITO (Ip = 5.0 eV) more easily than TPD. In addition, the fluorescence peak wavelength is TP
The bathochromic shift compared to D can be explained by the smaller energy gap.

【００４４】（５）高分子量芳香族アミン−１（ＳＴＢ
Ａ−１）のホール輸送層への応用 電子輸送性のＡｌｑを発光層とし、図１５に示したＩＴ
Ｏ／ＳＴＢＡ−１（５００Å）／Ａｌｑ（５００Å）／
Ｍｇ：Ａｇの構造で素子を作製した。ＩＴＯを陽極、Ｍ
ｇ：Ａｇを陰電極とし、直流電圧を印加すると素子から
緑色発光がガラス基板を通して観察された。図１６の
（ａ）に素子のＥＬスペクトルを、図１６の（ｂ）にＳ
ＴＢＡ−１のＰＬスペクトルを示した。ＥＬスペクトル
は５２０ｎｍ付近にピークを有する非常にブロードなも
のであり、これはＳＴＢＡ−１膜のＰＬスペクトルと一
致しないことからＡｌｑからの発光であることを確認し
た。したがってこの素子では、ＳＴＢＡ−１がホール輸
送層として機能し、電子輸送性のＡｌｑ層中でキャリア
の再結合が起こりＡｌｑ分子が励起されているものと考
えられる。(5) High molecular weight aromatic amine-1 (STB
Application of A-1) to hole transport layer IT shown in FIG. 15 using electron transporting Alq as a light emitting layer.
O / STBA-1 (500Å) / Alq (500Å) /
A device having a structure of Mg: Ag was manufactured. ITO as anode, M
When g: Ag was used as a negative electrode and a DC voltage was applied, green light emission was observed from the device through the glass substrate. The EL spectrum of the device is shown in (a) of FIG. 16 and the S spectrum is shown in (b) of FIG.
The PL spectrum of TBA-1 is shown. The EL spectrum was very broad with a peak at around 520 nm, which did not match the PL spectrum of the STBA-1 film, confirming that it was the emission from Alq. Therefore, in this device, it is considered that STBA-1 functions as a hole transport layer, carrier recombination occurs in the electron transporting Alq layer, and Alq molecules are excited.

【００４５】素子の輝度−電圧、電流密度−電圧、輝度
−電流密度の関係を図１７〜１９に示した。図１７にみ
られるように、発光は３ボルトから始まり、電圧の上昇
とともに輝度も上昇し、１０ボルトで５，５００ｃｄ／
ｍ²、１２ボルトで最高輝度１０，０００ｃｄ／ｍ²に達
した。印加電圧が８ボルトの時、効率がもっとも高く
１．７ｃｄ／Ａであった。ホール輸送性の低分子芳香族
アミンをホール輸送層としたＡｌｑとの二層型素子では
効率が３．２〜３．５ｃｄ／Ａであることを考えると低
い値である。このように効率が低くなった原因として電
流密度−電圧の関係からトリフェニルジアミン誘導体
（ＴＰＤ）をホール輸送層に用いた素子に比べるとＳＴ
ＢＡ−１を用いた素子の方が低電圧から電流が流れてい
ることが挙げられる。これはＳＴＢＡ−１のホール移動
度が高いため、電子と再結合をしなかった過剰なホール
が対極に抜け、電流が流れているものと考えられる。こ
のことからホール移動度の低い材料をＳＴＢＡ−１上に
積層したり、電子移動度の高い材料を用いてキャリアの
注入バランスを調整することにより高効率発光素子を作
製できるものと考えられる。The luminance-voltage, current density-voltage, and luminance-current density relationships of the device are shown in FIGS. As shown in FIG. 17, the light emission starts from 3 V, and the brightness increases as the voltage increases, and at 10 V, 5,500 cd /
The maximum brightness of 10,000 cd / m ² was reached at m ² and 12 volts. The highest efficiency was 1.7 cd / A when the applied voltage was 8 V. This is a low value considering that the efficiency is 3.2 to 3.5 cd / A in a two-layer type device with Alq having a hole transporting low molecular weight aromatic amine as a hole transporting layer. As a cause of such low efficiency, in comparison with a device using a triphenyldiamine derivative (TPD) in the hole transport layer, ST
It can be mentioned that the element using BA-1 has a current flowing from a low voltage. It is considered that because STBA-1 has a high hole mobility, excess holes that have not been recombined with electrons escape to the counter electrode and a current flows. From this, it is considered that a highly efficient light emitting device can be manufactured by stacking a material having a low hole mobility on STBA-1 or adjusting a carrier injection balance by using a material having a high electron mobility.

【００４６】（６）高分子量芳香族アミン−１（ＳＴＢ
Ａ−１）の寿命特性 前項（３）で作製した素子を大気中で１０ｍＡ／ｃｍ²
の一定電流、連続駆動で測定した（図２０）。測定開始
直後の輝度は５．２ボルトで１２６．７ｃｄ／ｍ²であ
った。１２時間後は６．２ボルトで１１４ｃｄ／ｍ²、
４８時間後は７．１ボルトで１０５ｃｄ／ｍ²、７６時
間後では７．９ボルトで１００ｃｄ／ｍ²であった。Ｔ
ＰＤを用いた二層型素子の寿命特性は初期輝度１３２ｃ
ｄ／ｍ²の輝度半減期が５．５時間であった。このこと
からＳＴＢＡ−１を用いた素子の方が輝度の減少と電圧
の上昇はかなり低く抑えられていることがわかる。これ
はＳＴＢＡ−１のイオン化ポテンシャルがＴＰＤのＨＯ
ＭＯとＩＴＯの中間に位置することから、ＩＴＯからの
ホールの注入が容易に行われるために生じた結果であ
る。また、ＴＰＤ単層の素子は短時間で漏れ電流を発生
するのに対してＳＴＢＡ−１は漏れ電流を発生しない。
このことはＳＴＢＡ−１のアモルファスフィルムの安定
性に起因している。このようにＳＴＢＡ−１はイオン化
ポテンシャル（Ｉｐ）が低く、膜のアモルファス安定性
に優れた材料である。(6) High molecular weight aromatic amine-1 (STB
Life characteristics of A-1) The element manufactured in the previous section (3) was subjected to 10 mA / cm ^{2 in} air.
Was measured at a constant current and continuous drive (Fig. 20). The luminance immediately after the start of measurement was 126.7 cd / m ² at 5.2 volts. After 12 hours, at 6.2 volts, 114 cd / m ² ,
After 48 hours was 100 cd / m ² at 7.9 volts after 105cd / m ^2, 76 hours at 7.1 volts. T
The life characteristics of the two-layer type device using PD has an initial luminance of 132c.
The luminance half-life at d / m ² was 5.5 hours. From this, it can be seen that the element using STBA-1 suppresses the decrease in luminance and the increase in voltage to a considerably low level. This is a HO whose STBA-1 ionization potential is TPD.
Since it is located between MO and ITO, it is a result that holes are easily injected from ITO. Moreover, the element of the TPD single layer generates a leakage current in a short time, whereas STBA-1 does not generate a leakage current.
This is due to the stability of the amorphous film of STBA-1. Thus, STBA-1 is a material having a low ionization potential (Ip) and excellent amorphous stability of the film.

【００４７】以下に本発明の実施態様項を列記する。 １．下記一般式〔１〕The embodiments of the present invention will be listed below. 1. The following general formula [1]

【化２３】 （式中、Ｑ¹は低級アルキルおよび低級アルコキシ基よ
りなる群から選ばれた置換基を有することもある、アリ
ール基および式Embedded image (In the formula, Q ¹ may have a substituent selected from the group consisting of a lower alkyl and a lower alkoxy group, an aryl group and a formula

【化２４】 で表わされる基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれ
た基であり、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴およびＱ⁵は低級アルキルお
よび低級アルコキシ基よりなる群から選ばれた置換基を
有することもある、アリール基よりなる群からそれぞれ
独立して選ばれた基であり、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、
Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹、Ｒ¹²およびＲ
¹³は、水素原子、低級アルキル基および低級アルコキシ
基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である）
で表わされる高分子量芳香族アミン化合物。 ２．下記一般式〔２〕Embedded image And Q ² , Q ³ , Q ⁴ and Q ⁵ each independently have a substituent selected from the group consisting of a lower alkyl group and a lower alkoxy group. A group independently selected from the group consisting of aryl groups, R ¹ , R ² , R ³ , R ⁴ ,
R ⁵ , R ⁶ , R ⁷ , R ⁸ , R ⁹ , R ¹⁰ , R ¹¹ , R ¹² and R
¹³ is a group independently selected from the group consisting of a hydrogen atom, a lower alkyl group and a lower alkoxy group)
A high molecular weight aromatic amine compound represented by. 2. The following general formula [2]

【化２５】 （式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ
⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷
およびＲ¹⁸は水素原子、低級アルキル基および低級アル
コキシ基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基で
ある）で表わされる高分子量芳香族アミン化合物。 ３．下記一般式〔３〕Embedded image (Wherein, R ¹ , R ² , R ³ , R ⁴ , R ⁵ , R ⁶ , R ⁷ , R ⁸ , R
⁹ , R ¹⁰ , R ¹¹ , R ¹² , R ¹³ , R ¹⁴ , R ¹⁵ , R ¹⁶ , R ¹⁷
And R ¹⁸ is a group independently selected from the group consisting of a hydrogen atom, a lower alkyl group and a lower alkoxy group). 3. The following general formula [3]

【化２６】 （式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ
⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷
およびＲ¹⁸は、水素原子、低級アルキル基および低級ア
ルコキシ基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基
であり、Ｑ⁶は、低級アルキルおよび低級アルコキシ基
よりなる群から選ばれた置換基を有することもある、ア
リール基である）で表わされる高分子量芳香族アミン化
合物。 ４．下記式[Chemical formula 26] (Wherein, R ¹ , R ² , R ³ , R ⁴ , R ⁵ , R ⁶ , R ⁷ , R ⁸ , R
⁹ , R ¹⁰ , R ¹¹ , R ¹² , R ¹³ , R ¹⁴ , R ¹⁵ , R ¹⁶ , R ¹⁷
And R ¹⁸ is a group independently selected from the group consisting of a hydrogen atom, a lower alkyl group and a lower alkoxy group, and Q ⁶ is a substituent selected from the group consisting of a lower alkyl group and a lower alkoxy group. A high molecular weight aromatic amine compound represented by (which may be an aryl group). 4. The following formula

【化２７】 で示される高分子量芳香族アミン化合物。 ５．下記式Embedded image A high molecular weight aromatic amine compound represented by. 5. The following formula

【化２８】 で示される高分子量芳香族アミン化合物。 ６．前項１、２、３、４または５記載の化合物よりなる
ホール輸送性材料。 ７．前項６のホール輸送性材料を用いた有機ＥＬ素子。 ８．下記一般式〔４〕Embedded image A high molecular weight aromatic amine compound represented by. 6. A hole-transporting material comprising the compound described in 1, 2, 3, 4 or 5 above. 7. An organic EL device using the hole-transporting material according to item 6 above. 8. The following general formula [4]

【化２９】 （式中、Ｒ¹〜Ｒ⁹は、前記と同一である）で表わされる
Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−１，１′−ビフェニル−４，
４′−ジアミンに、下記一般式〔５〕[Chemical 29] (Wherein R ^{1 to} R ⁹ are the same as above), N, N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,
4'-diamine is added to the following general formula [5]

【化３０】 （式中、Ｒ¹⁰〜Ｒ¹³は前記と同一であり、Ｘはハロゲン
である）で示される１−ハロゲン化−４−ニトロベンゼ
ンを反応させて、下記一般式〔６〕Embedded image (In the formula, R ^{10 to} R ¹³ are the same as above, and X is a halogen), and 1-halogenated-4-nitrobenzene represented by the formula is reacted to give a compound represented by the following general formula [6].

【化３１】 （式中、Ｒ¹〜Ｒ¹³は前記と同一である）で示される
Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ−（４−ニトロフェニル）−
１，１′−ビフェニル−４，４′−ジアミンを得、つい
で、これに、下記一般式〔７〕[Chemical 31] (In the formula, R ^{1 to} R ¹³ are the same as the above), N, N′-diphenyl-N- (4-nitrophenyl)-
1,1'-biphenyl-4,4'-diamine was obtained, and then, to this, the following general formula [7]

【化３２】 （式中、Ｒ¹⁰〜Ｒ¹³は前記と同一であり、Ｒは水素原
子、低級アルキル基、低級アルコキシ基および置換基を
有することもある、アリール基であり、前記置換基は、
低級アルキル基または低級アルコキシ基であり、Ｘはハ
ロゲンである）で示されるハロゲン化アリールを反応さ
せ、下記一般式〔８〕Embedded image (In the formula, R ^{10 to} R ¹³ are the same as above, R is a hydrogen atom, a lower alkyl group, a lower alkoxy group and an aryl group which may have a substituent, and the substituent is
A lower alkyl group or a lower alkoxy group, and X is a halogen), and an aryl halide represented by the following general formula [8]

【化３３】 （式中、Ｒ¹〜Ｒ¹³およびＲは前記と同一である）で示
されるＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ−（４−ニトロフェニ
ル）−Ｎ′−（フェニル）−１，１′−ビフェニル−
４，４′−ジアミンを得、ついでこれを還元して下記一
般式[Chemical 33] (Wherein R ^{1 to} R ¹³ and R are the same as above), N, N′-diphenyl-N- (4-nitrophenyl) -N ′-(phenyl) -1,1′-biphenyl −
4,4'-diamine was obtained and then reduced to give the following general formula

〔９〕[9]

【化３４】 （式中、Ｒ¹〜Ｒ¹³およびＲは前記と同一である）で示
されるＮ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ−（４−アミノフェニ
ル）−Ｎ′−（フェニル）−１，１′−ビフェニル−
４，４′− ジアミンとし、つぎに、この化合物に下記
一般式〔１０〕Embedded image (Wherein R ^{1 to} R ¹³ and R are the same as above), N, N′-diphenyl-N- (4-aminophenyl) -N ′-(phenyl) -1,1′-biphenyl −
4,4'-diamine, and then the compound of the following general formula [10]

【化３５】 （式中、Ｒ¹⁴〜Ｒ¹⁷およびＸは前記と同一である）で示
されるハロゲン化ベンゼンを反応させることを特徴とす
る下記一般式〔３〕Embedded image (In the formula, R ^{14 to} R ¹⁷ and X are the same as above), a halogenated benzene represented by the following formula is reacted:

【化３６】 （式中、Ｒ¹〜Ｒ¹⁸は前記と同一であり、Ｑ⁶は低級アル
キルおよび低級アルコキシ基よりなる群から選ばれた置
換基を有することもあるアリール基である）で示される
高分子量芳香族アミン化合物を製造する方法。 ９．下記一般式〔４〕Embedded image (Wherein R ^{1 to} R ¹⁸ are the same as those described above, and Q ⁶ is an aryl group which may have a substituent selected from the group consisting of lower alkyl and lower alkoxy groups). For producing a group amine compound. 9. The following general formula [4]

【化３７】 （式中、Ｒ¹〜Ｒ⁹は前記と同一である）で示されるＮ，
Ｎ′−ジフェニル−１，１′−ビフェニル−４，４′−
ジアミンに、下記一般式〔５〕Embedded image (Wherein R ^{1 to} R ⁹ are the same as above),
N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-
In addition to diamine, the following general formula [5]

【化３８】 （式中、Ｒ¹⁰〜Ｒ¹³およびＸは前記と同一である）で示
される１−ハロゲン化−４−ニトロベンゼンを反応させ
て下記一般式〔１１〕Embedded image (In the formula, R ^{10 to} R ¹³ and X are the same as the above) and reacted with 1-halogenated-4-nitrobenzene to give a compound represented by the following general formula [11].

【化３９】 （式中、Ｒ¹〜Ｒ¹³は前記と同一である）で示される
Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−（４−ニトロフェニ
ル）−１，１′−ビフェニル−４，４′−ジアミンを
得、ついで、これを還元して下記一般式〔１２〕Embedded image (In the formula, R ^{1 to} R ¹³ are the same as above), N, N′-diphenyl-N, N ′-(4-nitrophenyl) -1,1′-biphenyl-4,4′- A diamine is obtained, which is then reduced to give the following general formula [12].

【化４０】 （式中、Ｒ¹〜Ｒ¹³は前記と同一である）で示される
Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−（４−アミノフェニ
ル）−１，１′−ビフェニル−４，４′−ジアミンと
し、ついで、これに下記一般式〔１０〕Embedded image (Wherein R ^{1 to} R ¹³ are the same as above), N, N′-diphenyl-N, N ′-(4-aminophenyl) -1,1′-biphenyl-4,4′- A diamine, and then the following general formula [10]

【化４１】 （式中、Ｒ¹⁴〜Ｒ¹⁸およびＸは前記と同一である）で示
されるハロゲン化ベンゼンを反応させることを特徴とす
る下記一般式〔２〕で示される高分子量芳香族アミン化
合物を製造する方法。Embedded image (Wherein R ^{14 to} R ¹⁸ and X are the same as above) are reacted to produce a high molecular weight aromatic amine compound represented by the following general formula [2]. Method.

【００４８】[0048]

【効果】【effect】

（１）本発明により、新しい高分子量芳香族アミン化合
物を提供することができた。 （２）本発明の化合物は、ホール輸送性材料として各種
電子部品材料として有用である。(1) According to the present invention, a new high molecular weight aromatic amine compound can be provided. (2) The compound of the present invention is useful as a hole transporting material and as various electronic component materials.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−（４−ニト
ロフェニル）−１，１′−ビフェニル−４，４′−ジア
ミン（ＤＮＴＰＤ）のＩＲスペクトル図である。FIG. 1 is an IR spectrum diagram of N, N′-diphenyl-N, N ′-(4-nitrophenyl) -1,1′-biphenyl-4,4′-diamine (DNTPD).

【図２】Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−（４−ニト
ロフェニル）−１，１′−ビフェニル−４，４′−ジア
ミン（ＤＮＴＰＤ）のＮＭＲスペクトル図である。FIG. 2 is an NMR spectrum diagram of N, N′-diphenyl-N, N ′-(4-nitrophenyl) -1,1′-biphenyl-4,4′-diamine (DNTPD).

【図３】Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−（４−アミ
ノフェニル）−１，１′−ビフェニル−４，４′−ジア
ミン（ＤＡＴＰＤ）のＩＲスペクトル図である。FIG. 3 is an IR spectrum diagram of N, N′-diphenyl-N, N ′-(4-aminophenyl) -1,1′-biphenyl-4,4′-diamine (DATPD).

【図４】Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−（４−アミ
ノフェニル）−１，１′−ビフェニル−４，４′−ジア
ミン（ＤＡＴＰＤ）のＮＭＲスペクトル図である。FIG. 4 is an NMR spectrum diagram of N, N′-diphenyl-N, N ′-(4-aminophenyl) -1,1′-biphenyl-4,4′-diamine (DATPD).

【図５】実施例１の（３）で得られた本発明の高分子量
芳香族アミン１（ＳＴＢＡ−１）のＩＲスペクトル図で
ある。FIG. 5 is an IR spectrum diagram of the high molecular weight aromatic amine 1 (STBA-1) of the present invention obtained in (3) of Example 1.

【図６】実施例１の（３）で得られた本発明の高分子量
芳香族アミン１（ＳＴＢＡ−１）のＮＭＲスペクトル図
である。FIG. 6 is an NMR spectrum diagram of the high molecular weight aromatic amine 1 (STBA-1) of the present invention obtained in (3) of Example 1.

【図７】実施例２の（４）で得られた高分子量芳香族ア
ミン２（ＳＴＢＡ−２）のＩＲスペクトル図である。FIG. 7 is an IR spectrum diagram of the high molecular weight aromatic amine 2 (STBA-2) obtained in (4) of Example 2.

【図８】実施例２の（４）で得られた高分子量芳香族ア
ミン２（ＳＴＢＡ−２）のＮＭＲスペクトル図である。FIG. 8 is an NMR spectrum diagram of the high molecular weight aromatic amine 2 (STBA-2) obtained in (4) of Example 2.

【図９】実施例１の（３）で得られた高分子量芳香族ア
ミン１（ＳＴＢＡ−１）の蒸着膜の励起スペクトル図で
ある。FIG. 9 is an excitation spectrum diagram of a deposited film of high molecular weight aromatic amine 1 (STBA-1) obtained in (3) of Example 1.

【図１０】実施例１の（３）で得られた高分子量芳香族
アミン１（ＳＴＢＡ−１）の蒸着膜の蛍光スペクトル図
である。FIG. 10 is a fluorescence spectrum diagram of a deposited film of high molecular weight aromatic amine 1 (STBA-1) obtained in (3) of Example 1.

【図１１】実施例２の（４）で得られた高分子量芳香族
アミン２（ＳＴＢＡ−２）の蒸着膜の励起スペクトル図
である。FIG. 11 is an excitation spectrum diagram of a deposited film of high molecular weight aromatic amine 2 (STBA-2) obtained in (2) of Example 2.

【図１２】実施例２の（４）で得られた高分子量芳香族
アミン２（ＳＴＢＡ−２）の蒸着膜の蛍光スペクトル図
である。FIG. 12 is a fluorescence spectrum diagram of a vapor deposition film of high molecular weight aromatic amine 2 (STBA-2) obtained in (2) of Example 2.

【図１３】実施例１の（３）で得られた高分子量芳香族
アミン１（ＳＴＢＡ−１）の蒸着膜のＵＶ吸収スペクト
ル図である。FIG. 13 is a UV absorption spectrum diagram of a vapor deposited film of high molecular weight aromatic amine 1 (STBA-1) obtained in (3) of Example 1.

【図１４】実施例２の（４）で得られた高分子量芳香族
アミン２（ＳＴＢＡ−２）の蒸着膜のＵＶ吸収スペクト
ル図である。FIG. 14 is a UV absorption spectrum diagram of a vapor deposited film of high molecular weight aromatic amine 2 (STBA-2) obtained in (2) of Example 2.

【図１５】本発明の実施例３の（５）で作製した有機Ｅ
Ｌ素子の積層構造を示す。FIG. 15 is an organic E produced in (5) of Example 3 of the present invention.
The laminated structure of L element is shown.

【図１６】（ａ）は本発明の実施例３の（５）で作製し
た有機ＥＬ素子のＥＬスペクトルを示し、（ｂ）は実施
例１の（３）で得られた高分子量芳香族アミン１（ＳＴ
ＢＡ−１）の蒸着膜のＰＬスペクトルを示す。16 (a) shows the EL spectrum of the organic EL device produced in (5) of Example 3 of the present invention, and (b) shows the high molecular weight aromatic amine obtained in (3) of Example 1. FIG. 1 (ST
The PL spectrum of the vapor deposition film of BA-1) is shown.

【図１７】実施例３の（５）で作製した有機ＥＬ素子の
輝度−電圧特性を示すグラフである。FIG. 17 is a graph showing the luminance-voltage characteristics of the organic EL device produced in (5) of Example 3.

【図１８】実施例３の（５）で作製した有機ＥＬ素子の
電流密度−電圧特性を示すグラフである。FIG. 18 is a graph showing current density-voltage characteristics of the organic EL element manufactured in (3) of Example 3.

【図１９】実施例３の（５）で作製した有機ＥＬ素子の
輝度−電流密度特性を示すグラフである。FIG. 19 is a graph showing the luminance-current density characteristics of the organic EL device produced in (5) of Example 3.

【図２０】白丸印は実施例３の（５）で作製した有機Ｅ
Ｌ素子の輝度−駆動時間特性を示し、黒丸印はその電圧
−駆動時間特性を示し、白三角印はＩＴＯ／ＴＰＤ（４
００Å）／Ａｌｑ（６００Å）／Ｍｇ：Ａｇ素子構造の
有機ＥＬ素子の輝度−駆動時間特性を示し、黒三角印は
その電圧−駆動時間特性を示す。FIG. 20: White circles indicate organic E prepared in (5) of Example 3
The luminance-driving time characteristics of the L element are shown, the black circles show the voltage-driving time characteristics, and the white triangles show the ITO / TPD (4
00Å) / Alq (600Å) / Mg: Ag: Indicates the luminance-driving time characteristic of the organic EL element having the element structure, and the black triangle indicates the voltage-driving time characteristic.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 下記一般式〔１〕 【化１】 （式中、Ｑ¹は低級アルキルおよび低級アルコキシ基よ
りなる群から選ばれた置換基を有することもある、アリ
ール基および式 【化２】 で表わされる基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれ
た基であり、Ｑ²、Ｑ³、Ｑ⁴およびＱ⁵は低級アルキルお
よび低級アルコキシ基よりなる群から選ばれた置換基を
有することもある、アリール基よりなる群からそれぞれ
独立して選ばれた基であり、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、
Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹、Ｒ¹²およびＲ
¹³は、水素原子、低級アルキル基および低級アルコキシ
基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である）
で表わされる高分子量芳香族アミン化合物。[Claim 1] The following general formula [1] (In the formula, Q ¹ may have a substituent selected from the group consisting of a lower alkyl group and a lower alkoxy group, and an aryl group and a compound of the formula: And Q ² , Q ³ , Q ⁴ and Q ⁵ each independently have a substituent selected from the group consisting of a lower alkyl group and a lower alkoxy group. A group independently selected from the group consisting of aryl groups, R ¹ , R ² , R ³ , R ⁴ ,
R ⁵ , R ⁶ , R ⁷ , R ⁸ , R ⁹ , R ¹⁰ , R ¹¹ , R ¹² and R
¹³ is a group independently selected from the group consisting of a hydrogen atom, a lower alkyl group and a lower alkoxy group)
A high molecular weight aromatic amine compound represented by. 【請求項２】 下記一般式〔２〕 【化３】 （式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ
⁹、Ｒ¹⁰、Ｒ¹¹、Ｒ¹²Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷お
よびＲ¹⁸は水素原子、低級アルキル基および低級アルコ
キシ基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であ
る）で表わされる高分子量芳香族アミン化合物。2. The following general formula [2]: (Wherein, R ¹ , R ² , R ³ , R ⁴ , R ⁵ , R ⁶ , R ⁷ , R ⁸ , R
⁹ , R ¹⁰ , R ¹¹ , R ¹² R ¹³ , R ¹⁴ , R ¹⁵ , R ¹⁶ , R ¹⁷ and R ¹⁸ are each independently selected from the group consisting of hydrogen atom, lower alkyl group and lower alkoxy group. And a high molecular weight aromatic amine compound. 【請求項３】 請求項１または２記載の高分子量芳香族
アミン化合物よりなるホール輸送性材料。3. A hole transporting material comprising the high molecular weight aromatic amine compound according to claim 1.