JPH09294951A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理液の吐出量を常に一定量に保つことによ
って、基板の処理面の状態にかかわらず均一に処理液を
塗布することができる。 【解決手段】 基板Ｗの処理面を下方に向けて基板Ｗを
保持する吸引チャック１と、吐出部２１からフォトレジ
スト液を吐出する塗布ヘッド２０と、供給配管２４を介
してフォトレジスト液を供給するポンプ３０とを備え、
基板Ｗの処理面と塗布ヘッド２０の吐出部２１とを近接
させた状態で基板Ｗを水平方向に移動することにより基
板Ｗに塗布処理を施す基板処理装置において、供給配管
２４に配設された細管３２と、細管３２のフォトレジス
ト液の液面レベルを検出する液面レベルセンサ３４と、
液面レベルセンサ３４がオンするようにポンプ３０を制
御する制御部４０を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、フ
ォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基
板、光ディスク用の基板等の基板にフォトレジスト液、
ポリイミド樹脂、SOG(Spin On Glass,シリカ系被膜形成
材とも呼ばれる）液等の処理液を塗布する基板処理装置
に係り、特に、基板の処理面を下方に向けた状態で基板
に処理液を塗布する技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種の基板処理装置として、例
えば、基板の処理面を下方に向けて基板を保持する基板
保持部と、この基板の処理面に対して開口した吐出部か
らフォトレジスト液を吐出する塗布ヘッドと、この塗布
ヘッドに連通接続された供給配管を介してフォトレジス
ト液を供給する処理液供給部とを備えているものが挙げ
られる。このように構成されている従来装置では、上記
基板の処理面と上記塗布ヘッドの吐出部とを近接させた
状態で、例えば、上記基板保持部を上記塗布ヘッドに対
して水平方向に移動することにより上記基板の処理面に
フォトレジスト液を塗布するようになっている。

【０００３】なお、処理液供給部から塗布ヘッドへは常
に一定の速度（一定の流量）でフォトレジスト液が供給
されるようになっており、その流量は基板保持部の水平
方向の移動速度および所望膜厚に応じて設定されるよう
になっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、同一の基板における処理面内には、大
部分がそうであるように複雑なパターンを有する製品素
子パターンの領域と、製品素子の評価を行うために処理
面内の特定部位にそれらと同時に形成される、上記の製
品素子パターンとは異なる〔一般的には製品素子パター
ンに比較して単純な〕パターンからなるテスト素子パタ
ーンの領域とがある。このような基板に対して上記のよ
うにフォトレジスト液を常に一定の流量で供給しつつ塗
布すると、多くのフォトレジスト液を要する凹部が多く
存在している領域ではフォトレジスト液が不足する一方
で、少ないフォトレジスト液でよい平坦部が多く存在し
ている領域ではフォトレジスト液が供給過剰となる不都
合が生じる。つまり、同一基板の処理面内において表面
状態が異なることに起因して消費するフォトレジスト液
の量が異なるので、処理面内のある領域ではフォトレジ
スト液が過度の供給不足となってかすれるなどの極端な
場合も生じ、同一基板の処理面内でフォトレジスト液を
均一に塗布することができないという問題がある。

【０００５】また、個々の基板の処理面の状態は、例え
ば、酸化処理を終えただけの平坦な状態や、数々のマス
ク形成処理およびエッチング処理などを経て凹凸を有す
る種々の状態があることに起因して、個々の基板によっ
て塗布時に消費するフォトレジスト液の量が異なるの
で、上記のように基板保持部の移動速度および所望膜厚
に応じてフォトレジスト液の流量を設定すると、上述し
たように基板によっては処理液の過不足が生じて均一に
フォトレジスト液を塗布することができないという問題
がある。

【０００６】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、処理液の吐出量を常に一定量に保つこ
とによって、基板の処理面の状態にかかわらず均一に処
理液を塗布することができる基板処理装置を提供するこ
とを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の基板処理装置は、基板の処理面を
下方に向けて基板を保持する基板保持手段と、前記基板
の処理面に対して開口した吐出部から処理液を吐出する
塗布手段と、前記塗布手段に連通接続された供給配管を
介して処理液を前記塗布手段へ供給する処理液供給手段
とを備え、前記基板の処理面と前記塗布手段の吐出部と
を近接させて、前記基板保持手段と前記塗布手段とを相
対移動させることにより前記基板の処理面に処理液を塗
布する基板処理装置において、前記塗布手段の吐出部か
ら吐出する処理液の吐出量に関連する物理量を検出する
検出手段と、前記基板保持手段と前記塗布手段とを相対
移動させる際に、前記検出手段により検出された物理量
に基づいて、前記処理液供給手段から前記塗布手段への
処理液の供給を制御する制御手段と、を備えていること
を特徴とするものである。

【０００８】また、請求項２に記載の基板処理装置は、
請求項１に記載の基板処理装置において、前記検出手段
は、前記供給配管に連通接続され、前記塗布手段の吐出
部の高さよりも高い位置に開口を有する細管と、前記細
管中の処理液の液面レベルを前記物理量として検出する
液面レベルセンサとを備えていることを特徴とするもの
である。

【作用】請求項１に記載の発明の作用は、次のとおりで
ある。基板の処理面を下方に向けて基板を保持する基板
保持手段と、処理液供給手段から供給配管を介して処理
液を供給される塗布手段とを近接させた状態で相対移動
させつつ基板の処理面に処理液を塗布する。このとき、
塗布手段の吐出部と基板の処理面とは近接された状態に
あるので、塗布手段の吐出部から表面張力により盛り上
がるように吐出する処理液は、基板の処理面に付着す
る。例えば、基板の処理面に凹部が多く形成されている
場合には、吐出した処理液が急激に減少するとともに、
検出手段が検出する処理液の吐出量に関連する物理量も
その消費量に応じて急激に減少する。この急激な消費に
応じてその物理量を一定に保持するように制御手段が処
理液供給手段を制御するので、処理液供給手段からは処
理液が多めに供給されることになる。その一方で、基板
の処理面に平坦部が多く形成されている場合には、吐出
した処理液が急激に減少することなく緩慢な減少を呈す
るとともに、検出手段が検出する物理量もその消費量に
応じて緩やかに減少する。この緩やかな減少に応じてそ
の物理量を一定に保持するように制御手段が処理液供給
手段を制御するので、処理液供給手段からは処理液が少
なめに供給されることになる。したがって、塗布手段の
吐出部における処理液の吐出量を常に一定量に保つこと
ができる。

【０００９】また、請求項２に記載の発明の作用は次の
とおりである。塗布手段へは処理液供給手段から供給配
管を介して処理液が供給されるので、その供給配管に連
通接続された、塗布手段の吐出部の高さよりも高い位置
に開口を有する細管の処理液の液面レベルは、吐出部か
ら吐出している処理液の吐出量に応じて昇降変位するこ
とになる。つまり、吐出している処理液が急激に消費さ
れる場合には、液面レベルも急激に下降する一方、緩慢
な消費を呈する場合には、液面レベルも緩やかに下降す
る。したがって、この液面レベルの変位を液面レベルセ
ンサにより物理量として検出し、液面レベルを一定に保
持するように制御手段が処理液供給手段を介して処理液
の供給量を制御することにより、塗布手段の吐出部にお
ける処理液の吐出量を常に一定量に保持することができ
る。ところで処理液の吐出量は、基板の処理面と塗布手
段の吐出部との間隔に存在する処理液の量であるが、そ
の間隔が微小間隔であることおよび基板と塗布手段とが
相対移動していることに起因してその吐出量を直接的に
検出することは困難である。そこで、上述したようにし
てその量に関連する液面レベルを検出することにより吐
出量を間接的に検出して制御することができる。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施例を説明する。図１は、実施例に係る基板処理装置
の要部を示す一部破断縦断面図およびブロック図であ
る。なお、処理の対象である基板として半導体ウエハを
例に採って説明するが、以下、この半導体ウエハを単に
基板と称することにする。また、処理液としてはフォト
レジスト液を例に採って説明する。

【００１１】図中、符号１は、基板Ｗの処理面を下方に
向けて水平姿勢で吸着保持する吸引チャックである。こ
の吸引チャック１は、その上面中心部に立設された支持
部材３を介して昇降ブロック５により懸垂支持されてい
る。この昇降ブロック５は、水平移動部材７の一側面に
鉛直方向に沿って配設されたリニアガイド９に昇降自在
に嵌め込まれているとともに、リニアガイド９に並設さ
れた昇降モータ１１の回転軸に連動連結されたボールネ
ジ１３に螺合されている。基板Ｗは、昇降モータ１１を
駆動することにより、吸引チャック１と、支持部材３
と、昇降ブロック５とともに一体的に昇降され、図１に
示す下降した処理高さと、この処理高さよりも上昇した
〔基板受け渡し時の〕搬送高さとにわたって昇降移動さ
れるようになっている。なお、吸引チャック１は、本発
明の基板保持手段に相当するものである。

【００１２】水平移動部材７は、装置容器１０内の基板
搬送開口１２よりも上方であって、その奥側から手前側
にわたって配設されているリニアガイド１４に、その上
部を嵌め込まれている。さらに水平移動部材７は、リニ
アガイド１４の下方に沿って並設されているボールネジ
１６に螺合されている。ボールネジ１６は、その奥側部
分が水平移動モータ１８の回転軸に連動連結されてい
る。水平移動部材７は、水平移動モータ１８を駆動する
ことにより水平移動し、この移動によって、図１中に実
線で示すような基板搬送開口１２付近の待機位置と、図
１中に二点鎖線で示すようなフォトレジスト液の塗布処
理を開始する処理開始位置と、フォトレジスト液の塗布
処理を終える処理終了位置とにわたって基板Ｗを移動す
るようになっている。

【００１３】装置容器１０の中央部付近の底部には、基
板Ｗに対してフォトレジスト液を吐出して供給する塗布
ヘッド２０が立設されている。その上面には、基板Ｗの
処理面に向けて開口し、供給されたフォトレジスト液が
表面張力により盛り上がるように吐出する吐出部２１が
形成されており、塗布ヘッド２０は、その吐出部２１の
高さが装置容器１０の底部に配設されているベース２０
ａによって高さＨ１となるように配設されている。塗布
ヘッド２０は、図２の斜視図に示すような外観形状を呈
する。すなわち、その上面に形成されている吐出部２１
は、少なくとも基板Ｗの直径（基板サイズ）に相当する
長さＡを基板Ｗの水平移動方向と直交する方向（図１中
の紙面に向かう方向）に有し、その幅Ｂは長さＡに比較
して極めて短く形成されている。つまり、吐出部２１は
スリット状に形成されている。この吐出部２１の具体的
な寸法の一例としては、処理対象の基板Ｗのサイズが８
インチである場合には、長さＡは約２００ｍｍであり、
幅Ｂは約０．１ｍｍである。なお、上記の吐出ヘッド２
０は、本発明における塗布手段に相当するものである。
また、吐出部２１はスリット状の開口に代えて、複数個
の細孔で細長形状に形成するようにしてもよい。

【００１４】塗布ヘッド２０には、図１および図２に示
すように、縦断面形状Ｌの字状の供給路２２が吐出部２
１に連通するように形成されている。この供給路２２
は、塗布ヘッド２０の側面に配設された供給配管２４を
介して、フォトレジスト液を一時的に貯留するためのリ
ザーバタンク２６に連通接続されている。フォトレジス
ト液は、後述する制御部によって制御されるポンプ３０
によって供給タンク２８からリザーバタンク２６に対し
て供給されるようになっている。なお、このポンプ３０
は、ダイアフラム式のポンプであってもよいが、後述す
る理由によりステッピングモータによりピストンを駆動
してフォトレジスト液の供給量を微妙に調整可能な精密
ポンプであることが好ましい。

【００１５】供給配管２４のリザーバタンク２６付近に
は、塗布ヘッド２０の吐出部２１の高さ位置Ｈ１よりも
上方に位置する高さ位置Ｈ２で開口した細管３２が連通
接続されている。この細管３２は、その内部に滞留する
フォトレジスト液の液面レベルが周囲から目視で確認で
きる程度の透明度を有するガラス管などから構成されて
おり、例えば、１．５ｍｍ程度の内径を有するものであ
る。細管３２の外周面の上方には、内部に滞留するフォ
トレジスト液の液面レベルを検出する液面レベルセンサ
３４が配設されている。この液面レベルセンサ３４は、
細管３２に滞留するフォトレジスト液の液面レベルを検
出して信号を出力するものであり、その信号は制御部４
０に与えられる。この液面レベルセンサ３４の細管３２
への配設位置は、後述する吐出高さ（ｈ）に応じて予め
設定されているものであり、フォトレジスト液の液面レ
ベルが特定のレベル（これを設定液面レベルと称する）
になった場合にのみ液面レベルセンサ３４が動作（オ
ン）し、それ以外のレベルにある場合には非動作（オ
フ）となるものである。制御部４０は、図示しないＣＰ
Ｕやメモリなどにより構成されており、上述した昇降モ
ータ１１と、水平移動モータ１８と、ポンプ３０の各部
を後述するように統括制御する。なお、リザーバタンク
２６と、供給タンク２８と、ポンプ３０とは、本発明に
おける処理液供給手段に相当するものである。

【００１６】制御部４０は、予め液面レベルセンサ３４
の出力信号がオンとなるようにポンプ３０を制御するこ
とにより、図３に示すように塗布ヘッド２０の吐出部２
１から表面張力により盛り上がるフォトレジスト液Ｒの
吐出高さｈ（例えば、０．５〜１．５ｍｍ）を一定に維
持する。この吐出高さｈは、吐出部２１から吐出してい
るフォトレジスト液Ｒの吐出量と密接な相関関係にある
ので、この吐出高さｈを一定にすることにより、フォト
レジスト液Ｒの吐出量を、予め設定した特定の吐出量ｑ
₀ （これを設定吐出量ｑ₀ と称する）にすることができ
る。なお、このフォトレジスト液Ｒの設定吐出量ｑ
₀ は、塗布したフォトレジスト液の目標膜厚と、基板Ｗ
の水平移動速度などを勘案して予め設定されているもの
である。上述した細管３２中の液面レベルは、その吐出
高さｈと相関関係があるので、液面レベルを検出するこ
とによりその吐出高さｈが判り、よってその吐出量が判
ることになる。なお、細管３２と液面レベルセンサ３４
とは、吐出部２１から吐出するフォトレジスト液Ｒの吐
出量に関連する物理量を検出するものであるので、本発
明における検出手段に相当する。

【００１７】ところで、図４（ａ）に示すように、基板
Ｗを水平移動させることにより基板Ｗの処理面にフォト
レジスト液Ｒを塗布する際には、当然のことながら基板
Ｗの処理面と吐出部２１との間が吐出高さｈよりも狭い
間隔ｈ₀ に設定されるので、吐出しているフォトレジス
ト液Ｒの上部が基板Ｗの処理面に押されてその吐出高さ
ｈを確保することはできない。しかしながら、その吐出
高さｈを保持するようにフォトレジスト液Ｒが供給され
ると、フォトレジスト液Ｒには吐出高さｈとなるように
圧力が加わるので、図４（ｂ）に示すように、吐出部２
１から吐出しているフォトレジスト液Ｒはその分横方向
に拡がって設定吐出量ｑ₀ となる。したがって、塗布処
理中におけるフォトレジスト液Ｒの吐出高さは、処理前
の吐出高さｈよりも低い吐出高さｈ₀ （＝基板Ｗの処理
面と吐出部２１との間隔）となるが、圧力は吐出高さｈ
となっている場合と同じだけ加わるので、細管３２の液
面レベルは吐出高さｈに相当する設定液面レベルにな
る。そこで細管３２中のフォトレジスト液Ｒの液面レベ
ルが常に設定液面レベルとなるように制御することによ
り、吐出部２１の吐出量を常に設定吐出量ｑ₀ にするこ
とができる。上述したように、フォトレジスト液Ｒの吐
出量は、基板Ｗの処理面と吐出部２１との狭い間隔内に
存在しているフォトレジスト液の量であること、基板Ｗ
は吐出ヘッド２０に対して水平移動することに起因し
て、フォトレジスト液の吐出量を直接的に検出すること
は困難であるが、このように細管３２の液面レベルを検
出することにより間接的に吐出量を検出することができ
る。また、フォトレジスト液Ｒの吐出量を微調整する必
要があるので、上述したポンプ３０としてはダイアフラ
ム式ポンプよりも精密ポンプが好ましい。

【００１８】次に、上述したように構成された基板処理
装置の動作について、図５および図６のフローチャート
を参照して説明する。なお、図５は処理を示すフローチ
ャートであり、図６はフォトレジスト液の吐出制御を示
すフローチャートである。

【００１９】ステップＳ１（基板搬入） 図示しない基板搬送機構が処理の対象である基板Ｗを、
その処理面を下方に向けた状態で基板搬送開口１２から
進入し、吸引チャック１にその基板Ｗを渡す。吸引チャ
ック１は、その基板Ｗの上面を吸引して吸着保持する。
そして、制御部４０は、昇降モータ１１を駆動して基板
Ｗを下降し、その下面である処理面と、現在奥側に位置
している塗布ヘッド２０の吐出部２１との上下方向の間
隔を、微小な間隔ｈ₀ に設定する（図４（ａ）参照）。

【００２０】ステップＳ２（処理開始位置へ移動） 制御部４０は、水平移動モータ１８を駆動して水平移動
部材７を奥側に水平移動し、基板Ｗの奥側周縁部分が塗
布ヘッド２０の上方に位置する処理開始位置へ移動す
る。この処理開始位置は、図１の二点鎖線で示す基板Ｗ
の位置および図４（ａ）で示す基板Ｗの位置である。

【００２１】ステップＳ３（吐出制御開始） 制御部４０は、液面レベルセンサ３４の出力信号に基づ
いてポンプ３０の動作を制御し、吐出部２１からの吐出
量を制御し始める。具体的には、図６のフローチャート
に示すように制御する。すなわち、ステップＴ１では、
液面レベルセンサ３４が動作（オン）したか否か、つま
り細管３２の液面レベルが設定液面レベルになっている
かを判断し、その判断結果によりポンプ３０をオン（ス
テップＴ２）するかまたはオフ（ステップＴ３）する。
このようにポンプ３０を制御して、細管３２の液面レベ
ルを設定液面レベルに保持することにより吐出部２１か
ら吐出するフォトレジスト液Ｒの吐出量を設定吐出量ｑ
₀ にする。この吐出制御は、これ以降のステップＳ６に
おいて停止されるまで常時実行され、常にフォトレジス
ト液Ｒの吐出量を設定吐出量ｑ₀ に調整する。

【００２２】ステップＳ４（基板の移動開始） 制御部４０は、水平移動モータ１８を駆動して基板Ｗを
一定の速度で移動開始する。基板Ｗは、図１中に二点鎖
線で示す処理開始位置（図４（ａ）も同様）から奥側に
向けて一定の速度で移動される。したがって、基板Ｗが
移動するにつれて、吐出部２１から吐出しているフォト
レジスト液は、図４（ｂ）に示すように基板Ｗの処理面
に付着してゆく。このとき、例えば多くの凹部が形成さ
れている、処理面のある領域では多くのフォトレジスト
液Ｒが消費されて吐出部２１から吐出するフォトレジス
ト液Ｒの吐出量が設定吐出量ｑ₀ より低下することにな
るが、図６のフローチャートに示すように細管３２の液
面レベルが設定液面レベルになるようにポンプ３０が制
御されているので、フォトレジスト液Ｒの吐出量は設定
吐出量ｑ₀ に一定化される。したがって、基板Ｗの処理
面の状態にかかわらず、フォトレジスト液Ｒの吐出量を
設定吐出量ｑ₀ に一定化することができるので、基板Ｗ
の処理面に均一にフォトレジスト液Ｒを塗布することが
できる。なお、基板Ｗの移動速度を一定速度としたが、
フォトレジスト液Ｒの吐出量を常に設定吐出量ｑ₀ にす
ることができるので、基板Ｗの移動速度を可変するよう
にしても同様の効果を得ることができる。

【００２３】ステップＳ５（処理終了位置に移動した
？） 図１中に点線で示す処理終了位置に基板Ｗが移動したか
否かによって処理を分岐する。すなわち、基板Ｗが処理
終了位置に到達していない場合には、ステップＳ４を繰
り返し実行して基板Ｗの等速度移動を継続することによ
り基板Ｗの処理面全体にフォトレジスト液Ｒを塗布し、
基板Ｗが処理終了位置に到達した場合にはステップＳ６
に移行する。

【００２４】ステップＳ６（吐出制御停止） 基板Ｗが処理終了位置に到達した場合には、フォトレジ
スト液Ｒを吐出量ｑ₀に保持する必要はないので、図６
のフローチャートに示した吐出制御を停止する。具体的
には、ポンプ３０のオン／オフ制御を停止する。

【００２５】ステップＳ７（基板の移動停止） 制御部４０は、水平移動モータ１８の駆動を停止するこ
とにより基板Ｗの等速水平移動を停止する。その後、制
御部４０が昇降モータ１１を駆動して基板Ｗの高さを現
在の処理高さ（図１および図４（ａ）に示す基板Ｗの高
さ）から搬送高さに上昇するとともに、水平移動モータ
１８を駆動して、フォトレジスト液が塗布された基板Ｗ
を基板搬送開口１２側の待機位置に向けて水平移動す
る。

【００２６】ステップＳ８（基板搬出） 図示しない基板搬送機構が基板搬送開口１２から進入し
て、処理面にフォトレジスト液が塗布された基板Ｗの上
面周辺部分を吸着した後、吸引チャック１の吸引動作を
解除することにより基板搬送機構がその基板Ｗを受け取
って装置容器１０外に搬出する。

【００２７】上述した一連の処理を経て１枚の基板Ｗに
対するフォトレジスト液の塗布処理が完了し、新たな基
板Ｗを基板搬送機構が装置容器１０内に搬入（ステップ
Ｓ１）して、上述した一連の処理を行うことにより順次
に複数枚の基板に対して処理を施してゆく。上述したよ
うに基板Ｗにフォトレジスト液Ｒを塗布する際に、吐出
部２１から吐出するフォトレジスト液Ｒの吐出量を設定
吐出量ｑ₀ に一定化しているので、基板Ｗの処理面の状
態にかかわらずフォトレジスト液Ｒを均一に塗布するこ
とができる。

【００２８】次に、図７の模式図を参照して従来例と本
発明について比較を行う。図７（ａ）に示すように基板
Ｗの直径を長さｌとし、その左端を基準点０として右端
を距離ｌとし、図７（ｂ）に示すように基板Ｗの左端か
ら右端に向かって処理面の粗さが直線的に増大している
基板Ｗを仮定する。つまり、基板Ｗの処理面の左端から
右端に向かってフォトレジスト液の消費量が直線的に増
大するようなものを仮定する。

【００２９】図７（ｃ）に示すように、従来例では一定
の流量でフォトレジスト液を供給している関係上、処理
面の粗さが増大するにつれて吐出しているフォトレジス
ト液が多く消費されることになるので、図中に点線で示
すようにフォトレジスト液の吐出量は直線的に低下して
ゆくことになる。一方、本発明では液面レベルを設定液
面レベルに保持することによりフォトレジスト液Ｒの吐
出量を図中に実線で示すように設定吐出量ｑ₀ に一定化
することができる。

【００３０】その結果、基板Ｗの処理面に塗布されるフ
ォトレジスト液の膜厚は、図７（ｄ）に示すようにな
る。つまり、従来例では右端に向かうにつれてフォトレ
ジスト液の吐出量が低下して不足することに起因して、
図中に点線で示すように膜厚も目標膜厚ｔ₀ から次第に
低下（薄く）なってゆくが、本発明では図中に実線で示
すように基板Ｗの左端から右端まで均一に目標膜厚ｔ₀
を得ることができる。すなわち、本発明によると処理面
の状態にかかわらず均一にフォトレジスト液を塗布する
ことができる。

【００３１】なお、上記の説明では、１枚の基板Ｗの処
理面内における塗布フォトレジスト液の均一性について
説明したが、処理面の状態がそれぞれ異なる複数枚の基
板を処理する場合であっても、各基板の処理面内に均一
にフォトレジスト液を塗布することができるとともに、
それぞれの基板においても均一にフォトレジスト液を塗
布することができる。

【００３２】なお、上記の実施例では、水平移動モータ
１８を駆動することにより基板Ｗを水平方向に移動しつ
つフォトレジスト液を塗布する装置について説明した
が、基板Ｗを位置固定として塗布ヘッド２０を水平方向
に移動するように構成してもよい。また、上述した装置
では、水平に配設されたリニアガイド１４に沿って水平
姿勢で基板Ｗを移動するように構成したが、処理面に塗
布されたフォトレジスト液Ｒが流動しない程度の傾斜を
もってリニアガイド１４を配設し、傾斜姿勢で基板Ｗを
移動するようにしてもよい。

【００３３】また、上記の説明においては、フォトレジ
スト液の吐出量に関連する物理量を検出する検出手段と
して、細管３２と液面レベルセンサ３４を採用したが、
本発明はこのような構成に限定されるものではなく種々
の変形実施が可能である。例えば、供給配管２４に圧力
センサを配設しておき、その内部圧力を一定に保持する
ようにしてもよい。これによっても吐出部２１から吐出
するフォトレジスト液の吐出量を設定吐出量ｑ₀ に一定
化することができ、上述した構成と同様の効果を得るこ
とができる。

【００３４】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に記載の発明によれば、処理液の吐出量に関連する物
理量を検出手段により検出し、制御手段がその物理量を
一定に保持するように処理液供給手段からの処理液の供
給量を制御することにより、塗布手段の吐出部における
処理液の吐出量を常に一定量に保つことができる。その
結果、基板の処理面の状態にかかわらず均一に処理液を
塗布することができる。

【００３５】また、請求項２に記載の発明によれば、処
理液の吐出量は基板の処理面と塗布手段の吐出部との微
小間隔に存在する処理液の量であること、および基板と
塗布手段とは相対移動していることに起因して、直接的
にその吐出量を検出することは困難であるが、供給配管
に連通した細管の液面レベルを物理量として検出するこ
とにより吐出量を間接的に検出することができる。した
がって、制御手段がその液面レベルを一定に保持するよ
うに処理液供給手段からの処理液の供給量を制御するこ
とにより、塗布手段の吐出部における処理液の吐出量を
基板の処理面の状態にかかわらず常に一定量に保つこと
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】基板処理装置の要部を示す一部破断縦断面図お
よびブロック図である。

【図２】塗布ヘッドの外観を示す斜視図である。

【図３】フォトレジスト液の吐出高さおよび吐出量の説
明に供する図である。

【図４】フォトレジスト液の吐出高さおよび吐出量の説
明に供する図である。

【図５】処理のフローチャートである。

【図６】吐出制御のフローチャートである。

【図７】本発明と従来例との対比に供する模式図であ
る。

【符号の説明】

Ｗ … 基板 １ … 吸引チャック（基板保持手段） ５ … 昇降ブロック ７ … 水平移動部材 １４ … リニアガイド １６ … ボールネジ １８ … 水平移動モータ ２０ … 塗布ヘッド（塗布手段） ２１ … 吐出部 ２４ … 供給配管 ２６ … リザーバタンク（処理液供給手段） ２８ … 供給タンク（処理液供給手段） ３０ … ポンプ（処理液供給手段） ３２ … 細管（検出手段） ３４ … 液面レベルセンサ（検出手段） ４０ … 制御部（制御手段）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/316 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６４Ｚ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の処理面を下方に向けて基板を保持
   する基板保持手段と、前記基板の処理面に対して開口し
   た吐出部から処理液を吐出する塗布手段と、前記塗布手
   段に連通接続された供給配管を介して処理液を前記塗布
   手段へ供給する処理液供給手段とを備え、前記基板の処
   理面と前記塗布手段の吐出部とを近接させて、前記基板
   保持手段と前記塗布手段とを相対移動させることにより
   前記基板の処理面に処理液を塗布する基板処理装置にお
   いて、 前記塗布手段の吐出部から吐出する処理液の吐出量に関
   連する物理量を検出する検出手段と、 前記基板保持手段と前記塗布手段とを相対移動させる際
   に、前記検出手段により検出された物理量に基づいて、
   前記処理液供給手段から前記塗布手段への処理液の供給
   を制御する制御手段と、 を備えていることを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置におい
   て、前記検出手段は、前記供給配管に連通接続され、前
   記塗布手段の吐出部の高さよりも高い位置に開口を有す
   る細管と、前記細管中の処理液の液面レベルを前記物理
   量として検出する液面レベルセンサとを備えていること
   を特徴とする基板処理装置。