JPH09283484A - ウエハの洗浄方法 - Google Patents
ウエハの洗浄方法Info
- Publication number
- JPH09283484A JPH09283484A JP9222796A JP9222796A JPH09283484A JP H09283484 A JPH09283484 A JP H09283484A JP 9222796 A JP9222796 A JP 9222796A JP 9222796 A JP9222796 A JP 9222796A JP H09283484 A JPH09283484 A JP H09283484A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- oxide film
- wafer
- solution
- oxidation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハ表面を酸化しながらその酸化膜
を除去する洗浄液を用いて半導体ウエハ表面に付着して
いる金属汚染物質やパーティクルを除去する方法では十
分な洗浄効果が得られなかった。また半導体ウエハにド
ーピングされている不純物の種類、そのドーピング量に
よって酸化速度が異なるため、ウエハ面内を均一に酸化
して洗浄することは困難であった。 【解決手段】 酸化性溶液12で半導体ウエハ11の表面を
酸化させて酸化膜13を形成する第1工程と、酸化膜13を
選択的にエッチングするエッチング液14によって、酸化
膜13をエッチングするとともに付着物質21を除去する第
2工程とを備えたウエハの洗浄方法であり、第1工程と
第2工程とを繰り返し行ってもよい。
を除去する洗浄液を用いて半導体ウエハ表面に付着して
いる金属汚染物質やパーティクルを除去する方法では十
分な洗浄効果が得られなかった。また半導体ウエハにド
ーピングされている不純物の種類、そのドーピング量に
よって酸化速度が異なるため、ウエハ面内を均一に酸化
して洗浄することは困難であった。 【解決手段】 酸化性溶液12で半導体ウエハ11の表面を
酸化させて酸化膜13を形成する第1工程と、酸化膜13を
選択的にエッチングするエッチング液14によって、酸化
膜13をエッチングするとともに付着物質21を除去する第
2工程とを備えたウエハの洗浄方法であり、第1工程と
第2工程とを繰り返し行ってもよい。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハの洗
浄方法に関する。
浄方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体ウエハの洗浄では、アンモ
ニア過水(NH4 OH+H2 O2 )を用いて、半導体ウ
エハの表面を酸化するとほぼ同時にその酸化膜をエッチ
ングして除去することにより、半導体ウエハ表面に付着
している反応生成物、有機物等のいわゆるパーティクル
および金属汚染物質を除去していた。また塩酸過水(H
Cl+H2 O2 )では、その酸化作用により半導体ウエ
ハの表面に付着している金属汚染物質を除去していた。
例えば、上記アンモニア過水では、過酸化水素(H2 O
2 )によって半導体ウエハ表面を酸化し、その酸化膜を
アンモニアの水酸基(OH- )によってエッチングする
ことで、半導体ウエハ表面に付着しているパーティクル
等を除去する。
ニア過水(NH4 OH+H2 O2 )を用いて、半導体ウ
エハの表面を酸化するとほぼ同時にその酸化膜をエッチ
ングして除去することにより、半導体ウエハ表面に付着
している反応生成物、有機物等のいわゆるパーティクル
および金属汚染物質を除去していた。また塩酸過水(H
Cl+H2 O2 )では、その酸化作用により半導体ウエ
ハの表面に付着している金属汚染物質を除去していた。
例えば、上記アンモニア過水では、過酸化水素(H2 O
2 )によって半導体ウエハ表面を酸化し、その酸化膜を
アンモニアの水酸基(OH- )によってエッチングする
ことで、半導体ウエハ表面に付着しているパーティクル
等を除去する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記説明した従来の洗
浄方法では、通常、半導体ウエハ表面の酸化量が少ない
ため、当然のことながらその酸化膜を除去する量も少な
くなる。そのため、酸化膜を除去するとほぼ同時に半導
体ウエハ表面に付着している物質(以下、付着物質とい
う)である金属汚染物質やパーティクルの除去を十分に
行うことができなかった。
浄方法では、通常、半導体ウエハ表面の酸化量が少ない
ため、当然のことながらその酸化膜を除去する量も少な
くなる。そのため、酸化膜を除去するとほぼ同時に半導
体ウエハ表面に付着している物質(以下、付着物質とい
う)である金属汚染物質やパーティクルの除去を十分に
行うことができなかった。
【0004】また、半導体ウエハ中にドーピングされて
いる不純物の種類やそのドーピング量によって半導体ウ
エハの酸化速度が異なる。その結果、金属汚染物質やパ
ーティクルの除去を十分に行うためには半導体ウエハの
表面酸化量がばらつく。そのため、例えば、ある領域に
おいて半導体ウエハ表面の付着物質(例えばパーティク
ルや金属汚染物質)を除去するために適正な酸化速度で
あっても、他の領域では酸化速度が遅すぎて上記付着物
質の除去が不十分となる。または上記付着物質を除去す
るために適正な酸化速度であっても、他の領域では酸化
速度が速すぎて半導体ウエハがエッチングされ過ぎる。
その結果、例えば半導体ウエハに形成した拡散層がエッ
チングによって除去され過ぎるまたは消滅するという課
題が生じる。また、ドーピング量によっては、ウエハ表
面のマイクロラフネス(原子的サイズの表面粗さ)が大
きくなるという課題も生じる。
いる不純物の種類やそのドーピング量によって半導体ウ
エハの酸化速度が異なる。その結果、金属汚染物質やパ
ーティクルの除去を十分に行うためには半導体ウエハの
表面酸化量がばらつく。そのため、例えば、ある領域に
おいて半導体ウエハ表面の付着物質(例えばパーティク
ルや金属汚染物質)を除去するために適正な酸化速度で
あっても、他の領域では酸化速度が遅すぎて上記付着物
質の除去が不十分となる。または上記付着物質を除去す
るために適正な酸化速度であっても、他の領域では酸化
速度が速すぎて半導体ウエハがエッチングされ過ぎる。
その結果、例えば半導体ウエハに形成した拡散層がエッ
チングによって除去され過ぎるまたは消滅するという課
題が生じる。また、ドーピング量によっては、ウエハ表
面のマイクロラフネス(原子的サイズの表面粗さ)が大
きくなるという課題も生じる。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされたウエハの洗浄方法である。
決するためになされたウエハの洗浄方法である。
【0006】すなわち、ウエハの洗浄方法は、酸化性溶
液で半導体ウエハ表面を酸化させて、この半導体ウエハ
の表面に酸化膜を形成する第1工程と、酸化膜を選択的
にエッチングするエッチング液によって、上記第1工程
で形成した酸化膜をエッチングして、この酸化膜ととも
に半導体ウエハ表面に付着している物質を除去する第2
工程とを備えた洗浄方法である。
液で半導体ウエハ表面を酸化させて、この半導体ウエハ
の表面に酸化膜を形成する第1工程と、酸化膜を選択的
にエッチングするエッチング液によって、上記第1工程
で形成した酸化膜をエッチングして、この酸化膜ととも
に半導体ウエハ表面に付着している物質を除去する第2
工程とを備えた洗浄方法である。
【0007】上記ウエハの洗浄方法では、まず酸化性溶
液で半導体ウエハ表面を酸化させることから、半導体ウ
エハ表面には、酸化性溶液によって規定される酸化深さ
に律速されて酸化膜が形成される。そのため、半導体ウ
エハにドーピングされている不純物の種類やドーピング
量によらず、一定の厚さの酸化膜が形成される。そして
上記酸化によって形成した酸化膜を選択的にエッチング
することから、半導体ウエハ表面から酸化膜が除去され
るとともに半導体ウエハ表面に付着している物質とし
て、例えばパーティクルや金属汚染物質も除去される。
液で半導体ウエハ表面を酸化させることから、半導体ウ
エハ表面には、酸化性溶液によって規定される酸化深さ
に律速されて酸化膜が形成される。そのため、半導体ウ
エハにドーピングされている不純物の種類やドーピング
量によらず、一定の厚さの酸化膜が形成される。そして
上記酸化によって形成した酸化膜を選択的にエッチング
することから、半導体ウエハ表面から酸化膜が除去され
るとともに半導体ウエハ表面に付着している物質とし
て、例えばパーティクルや金属汚染物質も除去される。
【0008】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態の一例を、図1
の洗浄方法の模式説明図によって説明する。本洗浄方法
では、一例として、枚葉式の回転洗浄装置(図示省略)
を用いた。
の洗浄方法の模式説明図によって説明する。本洗浄方法
では、一例として、枚葉式の回転洗浄装置(図示省略)
を用いた。
【0009】図1の(1)に示すように、第1工程で、
半導体ウエハ(例えばシリコンウエハ)11上に酸化性
溶液12を供給して、半導体ウエハ11上にその酸化性
溶液12を所定時間が経過するまで保持する。それによ
って、半導体ウエハ11の表面を酸化させて酸化膜13
を形成する。上記酸化性溶液12には、例えばオゾン水
を用いる。
半導体ウエハ(例えばシリコンウエハ)11上に酸化性
溶液12を供給して、半導体ウエハ11上にその酸化性
溶液12を所定時間が経過するまで保持する。それによ
って、半導体ウエハ11の表面を酸化させて酸化膜13
を形成する。上記酸化性溶液12には、例えばオゾン水
を用いる。
【0010】上記所定時間が経過した後、半導体ウエハ
11上から上記酸化性溶液12を除去する。その結果、
半導体ウエハ11の酸化は停止される。次いで図1の
(2)に示すように、第2工程で、上記酸化膜13(2
点鎖線で示す部分)を選択的にエッチングするエッチン
グ液14を上記半導体ウエハ11上に供給して、半導体
ウエハ11上にそのエッチング液14を所定時間が経過
するまで保持する。それによって、上記酸化膜13(2
点鎖線で示す部分)はエッチングされて除去される。上
記エッチング液12には、例えば希フッ酸溶液を用い
る。
11上から上記酸化性溶液12を除去する。その結果、
半導体ウエハ11の酸化は停止される。次いで図1の
(2)に示すように、第2工程で、上記酸化膜13(2
点鎖線で示す部分)を選択的にエッチングするエッチン
グ液14を上記半導体ウエハ11上に供給して、半導体
ウエハ11上にそのエッチング液14を所定時間が経過
するまで保持する。それによって、上記酸化膜13(2
点鎖線で示す部分)はエッチングされて除去される。上
記エッチング液12には、例えば希フッ酸溶液を用い
る。
【0011】上記酸化膜13が除去される所定時間が経
過した後、上記エッチング液14を半導体ウエハ11上
から除去する。続いて第3工程で、図1の(3)に示す
ように、上記半導体ウエハ11の表面にリンス液15を
供給して、半導体ウエハ11の表面からエッチン液14
〔図の(2)を参照〕を洗い流す。その後半導体ウエハ
11の表面に供給されたリンス液15を除去した後、半
導体ウエハ11を乾燥させる。上記リンス液15には、
例えば純水を用いる。また上記リンス液15の除去は、
半導体ウエハ11を高速回転(例えば3000rpm〜
5000rpm程度)させることで、遠心力を利用して
半導体ウエハ11上のリンス液15を振り切る。なお、
上記酸化性溶液12およびエッチング液14を除去する
のも、半導体ウエハ11を高速回転させて行う。また半
導体ウエハ11の乾燥は、例えばベーキングによって行
う。
過した後、上記エッチング液14を半導体ウエハ11上
から除去する。続いて第3工程で、図1の(3)に示す
ように、上記半導体ウエハ11の表面にリンス液15を
供給して、半導体ウエハ11の表面からエッチン液14
〔図の(2)を参照〕を洗い流す。その後半導体ウエハ
11の表面に供給されたリンス液15を除去した後、半
導体ウエハ11を乾燥させる。上記リンス液15には、
例えば純水を用いる。また上記リンス液15の除去は、
半導体ウエハ11を高速回転(例えば3000rpm〜
5000rpm程度)させることで、遠心力を利用して
半導体ウエハ11上のリンス液15を振り切る。なお、
上記酸化性溶液12およびエッチング液14を除去する
のも、半導体ウエハ11を高速回転させて行う。また半
導体ウエハ11の乾燥は、例えばベーキングによって行
う。
【0012】また、上記酸化性溶液12としてオゾン水
の他に、例えば過酸化水素水(H2O2 )、硫酸(H2
SO4 )、硝酸(HNO3 )、電界イオン水等を用いる
ことが可能である。上記エッチング液14としては、希
フッ酸溶液の他に、例えばアンモニア水溶液(NH4 O
H+H2 O)、水酸化カリウム水溶液(KOH+H
2O)等の少なくとも水酸基(OH- )を含む溶液を用
いることが可能である。
の他に、例えば過酸化水素水(H2O2 )、硫酸(H2
SO4 )、硝酸(HNO3 )、電界イオン水等を用いる
ことが可能である。上記エッチング液14としては、希
フッ酸溶液の他に、例えばアンモニア水溶液(NH4 O
H+H2 O)、水酸化カリウム水溶液(KOH+H
2O)等の少なくとも水酸基(OH- )を含む溶液を用
いることが可能である。
【0013】さらに上記洗浄方法の説明では枚葉式の洗
浄装置を用いた一例を開示したが、例えば浸漬式の洗浄
装置を用いてもよい。また半導体ウエハの乾燥方法は、
上記説明した方法に限定されることはなく、半導体ウエ
ハを乾燥する方法であればいかなる方法であってもよ
い。
浄装置を用いた一例を開示したが、例えば浸漬式の洗浄
装置を用いてもよい。また半導体ウエハの乾燥方法は、
上記説明した方法に限定されることはなく、半導体ウエ
ハを乾燥する方法であればいかなる方法であってもよ
い。
【0014】上記洗浄方法では、まず酸化性溶液12で
半導体ウエハ11の表面を酸化させることから、半導体
ウエハ11の表面には、酸化性溶液12によって規定さ
れる酸化深さに律速された酸化膜13が形成される。す
なわち、酸化性溶液12による半導体ウエハ11の酸化
では、酸化膜13の膜厚が一定の厚さになると酸化が進
行しなくなる。そして半導体ウエハ11の酸化量は、半
導体ウエハの材質、酸化性溶液の種類、酸化性溶液の濃
度、処理温度等によって規定される。そのため、半導体
ウエハ11にドーピングされている不純物の種類やドー
ピング量によらず、一定の厚さの酸化膜13が形成され
る。そしてエッチング液14によって上記酸化によって
形成した酸化膜13を選択的にエッチングすることか
ら、半導体ウエハ11の表面から酸化膜13とともに付
着物質21である例えばパーティクルおよび金属汚染物
質(図示省略)が除去される。また半導体ウエハ11に
形成された拡散層(図示省略)を過剰酸化し、それをエ
ッチングすることによる拡散層の過剰エッチングや消滅
が防止される。
半導体ウエハ11の表面を酸化させることから、半導体
ウエハ11の表面には、酸化性溶液12によって規定さ
れる酸化深さに律速された酸化膜13が形成される。す
なわち、酸化性溶液12による半導体ウエハ11の酸化
では、酸化膜13の膜厚が一定の厚さになると酸化が進
行しなくなる。そして半導体ウエハ11の酸化量は、半
導体ウエハの材質、酸化性溶液の種類、酸化性溶液の濃
度、処理温度等によって規定される。そのため、半導体
ウエハ11にドーピングされている不純物の種類やドー
ピング量によらず、一定の厚さの酸化膜13が形成され
る。そしてエッチング液14によって上記酸化によって
形成した酸化膜13を選択的にエッチングすることか
ら、半導体ウエハ11の表面から酸化膜13とともに付
着物質21である例えばパーティクルおよび金属汚染物
質(図示省略)が除去される。また半導体ウエハ11に
形成された拡散層(図示省略)を過剰酸化し、それをエ
ッチングすることによる拡散層の過剰エッチングや消滅
が防止される。
【0015】次に上記洗浄方法における付着物質の除去
機構を、図2によって説明する。図2の(1)に示すよ
うに、半導体ウエハ11上には例えばパーティクルのよ
うな付着物質21が付着している。このような状態で、
上記半導体ウエハ11を酸化性溶液12によりウエット
酸化して酸化膜13を形成する。ここで酸化膜13を形
成するためにウエット酸化を採用したのは、例えば熱酸
化のような高温状態にウエハをさらす酸化では、半導体
ウエハ11の表面の付着物質が半導体ウエハ11中に拡
散するのを防ぐためである。上記のように半導体ウエハ
11の表面に酸化膜13を形成することによって、付着
物質21の下部側の半導体ウエハ11も酸化される。
機構を、図2によって説明する。図2の(1)に示すよ
うに、半導体ウエハ11上には例えばパーティクルのよ
うな付着物質21が付着している。このような状態で、
上記半導体ウエハ11を酸化性溶液12によりウエット
酸化して酸化膜13を形成する。ここで酸化膜13を形
成するためにウエット酸化を採用したのは、例えば熱酸
化のような高温状態にウエハをさらす酸化では、半導体
ウエハ11の表面の付着物質が半導体ウエハ11中に拡
散するのを防ぐためである。上記のように半導体ウエハ
11の表面に酸化膜13を形成することによって、付着
物質21の下部側の半導体ウエハ11も酸化される。
【0016】その後、エッチング液14によって上記酸
化膜13をエッチングして除去すれば、図2の(2)に
示すように、いわゆるリフトオフ法の原理によって付着
物質21は酸化膜13(2点鎖線で示す部分)とともに
半導体ウエハ11の表面から除去される。
化膜13をエッチングして除去すれば、図2の(2)に
示すように、いわゆるリフトオフ法の原理によって付着
物質21は酸化膜13(2点鎖線で示す部分)とともに
半導体ウエハ11の表面から除去される。
【0017】したがって、上記洗浄方法によれば、エッ
チング、化学的気相成長(CVD)、スパッタリング等
で発生する反応生成物、レジストのような有機物等のパ
ーティクルや、銅、鉄、ニッケル、亜鉛等の遷移金属な
どの金属汚染物質が除去される。
チング、化学的気相成長(CVD)、スパッタリング等
で発生する反応生成物、レジストのような有機物等のパ
ーティクルや、銅、鉄、ニッケル、亜鉛等の遷移金属な
どの金属汚染物質が除去される。
【0018】上記にように、半導体ウエハの表面を酸化
する第1工程と、その酸化膜とともにパーティクル、金
属汚染物質等の付着物質を除去する第2工程とを、それ
ぞれ1回行っても、半導体ウエハの表面から付着物質を
除去することができない場合には、前記説明した洗浄方
法の第1工程と第2工程とを繰り返し行えばよい。そし
て最後に前記第3工程のリンス工程および乾燥工程を行
えばよい。この場合の除去機構の一例を図3によって説
明する。
する第1工程と、その酸化膜とともにパーティクル、金
属汚染物質等の付着物質を除去する第2工程とを、それ
ぞれ1回行っても、半導体ウエハの表面から付着物質を
除去することができない場合には、前記説明した洗浄方
法の第1工程と第2工程とを繰り返し行えばよい。そし
て最後に前記第3工程のリンス工程および乾燥工程を行
えばよい。この場合の除去機構の一例を図3によって説
明する。
【0019】図3の(1)は、本発明の洗浄方法を行っ
た後でも、半導体ウエハ11上に付着物質21が残存す
る一例を示している。すなわち、第1回目の酸化によっ
ても、半導体ウエハ11上に付着している付着物質21
の下部の全域にわたって半導体ウエハ表面を酸化するこ
とはできなかった。そのため、酸化膜13(13A)
(2点鎖線で示す部分)を除去しても、半導体ウエハ1
1上には付着物質21が残存している。
た後でも、半導体ウエハ11上に付着物質21が残存す
る一例を示している。すなわち、第1回目の酸化によっ
ても、半導体ウエハ11上に付着している付着物質21
の下部の全域にわたって半導体ウエハ表面を酸化するこ
とはできなかった。そのため、酸化膜13(13A)
(2点鎖線で示す部分)を除去しても、半導体ウエハ1
1上には付着物質21が残存している。
【0020】そこで図3の(2)に示すように、第2回
目の半導体ウエハ11の酸化(第1工程)を行う。その
結果、付着物質21の下部の半導体ウエハ11も酸化さ
れて、半導体ウエハ11の表面側の全域にわたって酸化
膜13(13B)が形成される。
目の半導体ウエハ11の酸化(第1工程)を行う。その
結果、付着物質21の下部の半導体ウエハ11も酸化さ
れて、半導体ウエハ11の表面側の全域にわたって酸化
膜13(13B)が形成される。
【0021】次いで図3の(3)に示すように、第2回
目の酸化膜13のエッチング(第2工程)を行う。その
結果、酸化膜13(13B)(2点鎖線で示す部分)と
ともに付着物質21は半導体ウエハ11の表面から除去
される。
目の酸化膜13のエッチング(第2工程)を行う。その
結果、酸化膜13(13B)(2点鎖線で示す部分)と
ともに付着物質21は半導体ウエハ11の表面から除去
される。
【0022】このように、洗浄工程(第1工程と第2工
程)を繰り返すことによって、半導体ウエハ11上に付
着している付着物質21の数は減少していくことにな
る。
程)を繰り返すことによって、半導体ウエハ11上に付
着している付着物質21の数は減少していくことにな
る。
【0023】次に、半導体ウエハの表面酸化をオゾン水
を用いて行い、その酸化膜のエッチングを希フッ酸溶液
を用いて行った場合の洗浄効果の一例を、図4および図
5によって説明する。
を用いて行い、その酸化膜のエッチングを希フッ酸溶液
を用いて行った場合の洗浄効果の一例を、図4および図
5によって説明する。
【0024】図4は洗浄の繰り返し回数によるパーティ
クルの除去率を示すものであり、縦軸にパーティクルの
除去率を示し、横軸に洗浄の繰り返し回数を示す。ここ
で、パーティクルの除去率は、〔(洗浄後の半導体ウエ
ハ上に存在していた0.16μm以上の大きさのパーテ
ィクル数)/(洗浄前の半導体ウエハ上に存在していた
0.16μm以上の大きさのパーティクル数)〕×10
0%で表す。また洗浄の繰り返し回数は、前記図1によ
って説明した第1工程と第2工程とを繰り返した回数を
示す。例えば、第1工程と第2工程とを行った後、さら
に第1工程と第2工程とを行えば、繰り返し数は2回と
なる。なお、パーティクルの検出には、例えば半導体ウ
エハ上にレーザ光を走査させてその散乱光を検出するよ
うな検出装置を用いた。
クルの除去率を示すものであり、縦軸にパーティクルの
除去率を示し、横軸に洗浄の繰り返し回数を示す。ここ
で、パーティクルの除去率は、〔(洗浄後の半導体ウエ
ハ上に存在していた0.16μm以上の大きさのパーテ
ィクル数)/(洗浄前の半導体ウエハ上に存在していた
0.16μm以上の大きさのパーティクル数)〕×10
0%で表す。また洗浄の繰り返し回数は、前記図1によ
って説明した第1工程と第2工程とを繰り返した回数を
示す。例えば、第1工程と第2工程とを行った後、さら
に第1工程と第2工程とを行えば、繰り返し数は2回と
なる。なお、パーティクルの検出には、例えば半導体ウ
エハ上にレーザ光を走査させてその散乱光を検出するよ
うな検出装置を用いた。
【0025】図4に示すように、洗浄回数を増加させる
ことによって、パーティクルの除去率は高くなることが
わかった。しかも、ドーピングした不純物の種類、ドー
ピング量等によらず半導体ウエハ表面の酸化深さはウエ
ハ面内でほぼ一定であった。そのため、エッチングによ
って酸化膜が除去されることによって生じる半導体ウエ
ハの除去深さもウエハ面内でほぼ一定になった。
ことによって、パーティクルの除去率は高くなることが
わかった。しかも、ドーピングした不純物の種類、ドー
ピング量等によらず半導体ウエハ表面の酸化深さはウエ
ハ面内でほぼ一定であった。そのため、エッチングによ
って酸化膜が除去されることによって生じる半導体ウエ
ハの除去深さもウエハ面内でほぼ一定になった。
【0026】図5は洗浄の繰り返し回数による金属汚染
物質の残存数を示すものであり、縦軸に金属汚染物質の
残存数を示し、横軸に洗浄の繰り返し回数を示す。ここ
で、金属汚染物質(一例として銅)の残存数は、単位面
積当たりの原子数で表し、洗浄の繰り返し回数は前記図
4によって説明したのと同様である。なお、金属汚染物
質の残存数は、例えば半導体ウエハの表面に付着してい
る銅をフッ酸と過酸化水素水との混合溶液に溶出させ、
その溶液を原子吸光分析装置により分析し、その分析に
よって得た銅の濃度から半導体ウエハ上に存在する原子
数を換算して求めた。
物質の残存数を示すものであり、縦軸に金属汚染物質の
残存数を示し、横軸に洗浄の繰り返し回数を示す。ここ
で、金属汚染物質(一例として銅)の残存数は、単位面
積当たりの原子数で表し、洗浄の繰り返し回数は前記図
4によって説明したのと同様である。なお、金属汚染物
質の残存数は、例えば半導体ウエハの表面に付着してい
る銅をフッ酸と過酸化水素水との混合溶液に溶出させ、
その溶液を原子吸光分析装置により分析し、その分析に
よって得た銅の濃度から半導体ウエハ上に存在する原子
数を換算して求めた。
【0027】図5に示すように、洗浄回数を増加させる
ことによって、金属汚染物質の残存数は減少することが
わかった。しかも、ドーピングした不純物の種類、ドー
ピング量等によらず半導体ウエハ表面の酸化深さはウエ
ハ面内でほぼ一定であった。そのため、エッチングによ
って酸化膜が除去されることによって生じる半導体ウエ
ハの除去深さもウエハ面内でほぼ一定になった。
ことによって、金属汚染物質の残存数は減少することが
わかった。しかも、ドーピングした不純物の種類、ドー
ピング量等によらず半導体ウエハ表面の酸化深さはウエ
ハ面内でほぼ一定であった。そのため、エッチングによ
って酸化膜が除去されることによって生じる半導体ウエ
ハの除去深さもウエハ面内でほぼ一定になった。
【0028】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
酸化性溶液で半導体ウエハの表面を酸化させるので、酸
化性溶液によって規定される酸化深さに律速されて半導
体ウエハの表面に酸化膜を形成することができる。その
ため、半導体ウエハにドーピングされている不純物の種
類やドーピング量によらず、一定の厚さの酸化膜を形成
することが可能になる。その後上記酸化によって形成し
た酸化膜を選択的にエッチングするので、いわゆるリフ
トオフ法の原理により半導体ウエハの表面から酸化膜と
ともにパーティクルや金属汚染物質等の付着物質を除去
することが可能になる。さらに半導体ウエハに形成され
た拡散層を過剰酸化し、それをエッチングすることによ
る拡散層の過剰エッチングや消滅が防止できる。
酸化性溶液で半導体ウエハの表面を酸化させるので、酸
化性溶液によって規定される酸化深さに律速されて半導
体ウエハの表面に酸化膜を形成することができる。その
ため、半導体ウエハにドーピングされている不純物の種
類やドーピング量によらず、一定の厚さの酸化膜を形成
することが可能になる。その後上記酸化によって形成し
た酸化膜を選択的にエッチングするので、いわゆるリフ
トオフ法の原理により半導体ウエハの表面から酸化膜と
ともにパーティクルや金属汚染物質等の付着物質を除去
することが可能になる。さらに半導体ウエハに形成され
た拡散層を過剰酸化し、それをエッチングすることによ
る拡散層の過剰エッチングや消滅が防止できる。
【図1】本発明に係わる実施形態の一例の模式説明図で
ある。
ある。
【図2】パーティクルの除去機構の説明図である。
【図3】パーティクルの除去機構の説明図である。
【図4】洗浄回数によるパーティクルの除去率の説明図
である。
である。
【図5】洗浄回数による金属汚染物質の残存数の説明図
である。
である。
11 半導体ウエハ 12 酸化性溶液 13 酸
化膜 14 エッチング液
化膜 14 エッチング液
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体ウエハ表面に付着している物質を
除去する洗浄方法であって、 酸化性溶液で半導体ウエハ表面を酸化させて、該半導体
ウエハ表面に酸化膜を形成する第1工程と、 酸化膜を選択的にエッチングするエッチング液によっ
て、前記第1工程で形成した酸化膜をエッチングして、
該酸化膜とともに該半導体ウエハ表面に付着している物
質を除去する第2工程とを備えたことを特徴とするウエ
ハの洗浄方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9222796A JPH09283484A (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | ウエハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9222796A JPH09283484A (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | ウエハの洗浄方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09283484A true JPH09283484A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=14048561
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9222796A Pending JPH09283484A (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | ウエハの洗浄方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09283484A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7256104B2 (en) | 2003-05-21 | 2007-08-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate manufacturing method and substrate processing apparatus |
JP2007324610A (ja) * | 2007-07-09 | 2007-12-13 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2009543344A (ja) * | 2006-06-28 | 2009-12-03 | ラム リサーチ コーポレーション | 液体メニスカスによるポストエッチウエハ表面洗浄 |
CN109817512A (zh) * | 2017-11-22 | 2019-05-28 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 晶圆清洗方法及清洗装置 |
-
1996
- 1996-04-15 JP JP9222796A patent/JPH09283484A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7256104B2 (en) | 2003-05-21 | 2007-08-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate manufacturing method and substrate processing apparatus |
JP2009543344A (ja) * | 2006-06-28 | 2009-12-03 | ラム リサーチ コーポレーション | 液体メニスカスによるポストエッチウエハ表面洗浄 |
JP2007324610A (ja) * | 2007-07-09 | 2007-12-13 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
CN109817512A (zh) * | 2017-11-22 | 2019-05-28 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 晶圆清洗方法及清洗装置 |
CN109817512B (zh) * | 2017-11-22 | 2021-11-09 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 晶圆清洗方法及清洗装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2581268B2 (ja) | 半導体基板の処理方法 | |
Meuris et al. | Implementation of the IMEC-cleaning in advanced CMOS manufacturing | |
US5601656A (en) | Methods for cleaning silicon wafers with an aqueous solution of hydrofluoric acid and hydriodic acid | |
JP2841627B2 (ja) | 半導体ウェーハの洗浄方法 | |
JPH10256211A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
JPH09283484A (ja) | ウエハの洗浄方法 | |
JP3415549B2 (ja) | 電子デバイスの洗浄方法及びその製造方法 | |
US6992006B2 (en) | Method for fabricating semiconductor device | |
JP3239998B2 (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
JP2002329691A (ja) | シリコンウェーハの洗浄方法 | |
US5930650A (en) | Method of etching silicon materials | |
JP4857738B2 (ja) | 半導体ウエーハの洗浄方法および製造方法 | |
JP2776583B2 (ja) | 半導体基板の処理液及び処理方法 | |
JP3185732B2 (ja) | 基板表面金属汚染除去方法 | |
JP2839615B2 (ja) | 半導体基板の洗浄液及び半導体装置の製造方法 | |
JP2715086B2 (ja) | 半導体ウェーハに対する熱酸化膜の形成方法 | |
JP2843946B2 (ja) | シリコン基板表面の清浄化方法 | |
JP2002100599A (ja) | シリコンウェーハの枚葉洗浄方法 | |
JP3109083B2 (ja) | シリコン酸化膜のエッチング液およびシリコン酸化膜のエッチング方法 | |
Verhaverbeke et al. | Recent advances in wet processing technology and science | |
EP1132951A1 (en) | Process of cleaning silicon prior to formation of the gate oxide | |
JP3303447B2 (ja) | シリコン系材料の洗浄方法 | |
JPH08144075A (ja) | メタル上の異物の除去方法およびその装置 | |
JP2001230236A (ja) | 微細デバイスの製造方法 | |
JP2000277473A (ja) | シリコンウエーハの洗浄方法 |