JPH09283457A - 半導体用塗布拡散剤 - Google Patents
半導体用塗布拡散剤Info
- Publication number
- JPH09283457A JPH09283457A JP9100896A JP9100896A JPH09283457A JP H09283457 A JPH09283457 A JP H09283457A JP 9100896 A JP9100896 A JP 9100896A JP 9100896 A JP9100896 A JP 9100896A JP H09283457 A JPH09283457 A JP H09283457A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hydrocarbon
- diffusing agent
- coating
- compound
- deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 多種多様な特性を有する半導体素子の製造方
法に対して、広範囲に対応できかつ、濃度や粘度等の塗
布特性を柔軟に変えられる新規な半導体素子用塗布拡散
剤を提供する。 【解決手段】 2酸化ケイ素膜を形成する原料と、不純
分を構成する他の原料と,この原料を投入する溶媒とし
てのアルコールとより成る点に特徴がある外に、前記2
酸化ケイ素膜を形成する原料として、SiーX4 (X:
炭化水素化合物)で表されるケイ素酸化物で構成させ、
更に前記炭化水素化合物より成るXは、ーOR(R:炭
化水素基)、ーR、ーOH等前記溶媒に溶けやすい基を
備え、更に又前記ケイ素化合物炭化水素は、ホモ炭化水
素化合物基及びヘテロ炭化水素化合物基を有する点にも
特徴がある。
法に対して、広範囲に対応できかつ、濃度や粘度等の塗
布特性を柔軟に変えられる新規な半導体素子用塗布拡散
剤を提供する。 【解決手段】 2酸化ケイ素膜を形成する原料と、不純
分を構成する他の原料と,この原料を投入する溶媒とし
てのアルコールとより成る点に特徴がある外に、前記2
酸化ケイ素膜を形成する原料として、SiーX4 (X:
炭化水素化合物)で表されるケイ素酸化物で構成させ、
更に前記炭化水素化合物より成るXは、ーOR(R:炭
化水素基)、ーR、ーOH等前記溶媒に溶けやすい基を
備え、更に又前記ケイ素化合物炭化水素は、ホモ炭化水
素化合物基及びヘテロ炭化水素化合物基を有する点にも
特徴がある。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体用塗布拡散剤
に係り、特にシリコンウエーハへの不純物拡散時に好適
する。
に係り、特にシリコンウエーハへの不純物拡散時に好適
する。
【0002】
【従来の技術】半導体用単結晶内に不純物を導入拡散す
る方式として、半導体用塗布拡散剤が近年利用されてお
り、Sb不純物塗布拡散剤を例に説明する。
る方式として、半導体用塗布拡散剤が近年利用されてお
り、Sb不純物塗布拡散剤を例に説明する。
【0003】シリコン酸化物例えば2酸化ケイ素膜用の
原料としては、エチルシリケートSi(OC2 H5 )4
に対して不純物源Sb2 O3 原料としてアンチモンエト
キシドSb(OC4 H9 )3 の形で溶媒中に混合されて
いる。SiO2 膜用として記載したエチルシリケートの
分子式を図6に示す。
原料としては、エチルシリケートSi(OC2 H5 )4
に対して不純物源Sb2 O3 原料としてアンチモンエト
キシドSb(OC4 H9 )3 の形で溶媒中に混合されて
いる。SiO2 膜用として記載したエチルシリケートの
分子式を図6に示す。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】Sb不純物塗布拡散剤
を例にすると、溶媒にアルコール例えばイソプロピルア
ルコールが用いられた場合には、SiO2 膜源としてS
i(OC2 H5 )4 だけが使用されており、このSi
(OC2 H5 )4 と不純物源並びに溶媒であるアルコー
ルの混合比を制御することにより塗布特性(濃度、粘度
性質等)を決定しているためにその種類が限定されてい
た。
を例にすると、溶媒にアルコール例えばイソプロピルア
ルコールが用いられた場合には、SiO2 膜源としてS
i(OC2 H5 )4 だけが使用されており、このSi
(OC2 H5 )4 と不純物源並びに溶媒であるアルコー
ルの混合比を制御することにより塗布特性(濃度、粘度
性質等)を決定しているためにその種類が限定されてい
た。
【0005】従って半導体素子の製造過程特に不純物拡
散工程において以下の問題が生じていて。
散工程において以下の問題が生じていて。
【0006】1.パターン付きのシリコンウエーハを処
理する際、シリコンウエーハ表面に形成される段差の違
いにより、不純物塗布膜が剥がれる。
理する際、シリコンウエーハ表面に形成される段差の違
いにより、不純物塗布膜が剥がれる。
【0007】2.設定される塗布膜の厚さは、広範囲で
あり、シリコンウエーハ内の膜厚を制御するのが難し
い。
あり、シリコンウエーハ内の膜厚を制御するのが難し
い。
【0008】3.拡散処理の違い(拡散温度)により塗
布膜にクラックが発生する事があった。
布膜にクラックが発生する事があった。
【0009】本発明はこのような事情により成されたも
ので、特に多種多様な特性を有する半導体素子の製造方
法に対して、広範囲に対応できかつ、濃度や粘度等の塗
布特性を柔軟に変えられる新規な半導体素子用塗布拡散
剤を提供する。
ので、特に多種多様な特性を有する半導体素子の製造方
法に対して、広範囲に対応できかつ、濃度や粘度等の塗
布特性を柔軟に変えられる新規な半導体素子用塗布拡散
剤を提供する。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体用塗
布拡散剤の第1の発明は、2酸化ケイ素膜を形成する原
料と、不純物を構成する他の原料と、この原料を投入す
る溶媒としてのアルコールより成る点に特徴がある。
布拡散剤の第1の発明は、2酸化ケイ素膜を形成する原
料と、不純物を構成する他の原料と、この原料を投入す
る溶媒としてのアルコールより成る点に特徴がある。
【0011】第2の発明は、前記2酸化ケイ素膜を形成
する原料として、SiーX4 (X:炭化水素化合物)で
表されるケイ素酸化物で構成させる点に特徴がある。
する原料として、SiーX4 (X:炭化水素化合物)で
表されるケイ素酸化物で構成させる点に特徴がある。
【0012】第3の発明は、前記炭化水素化合物より成
るXは、ーOR(R:炭化水素基)、ーR、ーOH等前
記溶媒に溶けやすい基を備える点に特徴がある。
るXは、ーOR(R:炭化水素基)、ーR、ーOH等前
記溶媒に溶けやすい基を備える点に特徴がある。
【0013】第4の発明は、前記ケイ素化合物炭化水素
は、ホモ炭化水素化合物基及びヘテロ炭化水素化合物基
を有する点に特徴がある。
は、ホモ炭化水素化合物基及びヘテロ炭化水素化合物基
を有する点に特徴がある。
【0014】溶媒にアルコ−ルを用いる本発明に係る半
導体用塗布拡散剤では、SiO2 膜源には、エチルシリ
ケートだけでなく、幾つかのケイ素炭化水素化合物の形
をとる事により、塗布特性の制御範囲を拡大した。例え
ばSi(OC3 H7 )4 (プロピルシリケート)及びS
i(OC4 H9 )4 (ブチルシリケート)等が挙げられ
る。
導体用塗布拡散剤では、SiO2 膜源には、エチルシリ
ケートだけでなく、幾つかのケイ素炭化水素化合物の形
をとる事により、塗布特性の制御範囲を拡大した。例え
ばSi(OC3 H7 )4 (プロピルシリケート)及びS
i(OC4 H9 )4 (ブチルシリケート)等が挙げられ
る。
【0015】
【発明の実施の形態】本発明に係る実施例を説明する。
Sb不純物塗布拡散剤であり、溶媒にアルコールを用い
たSiO2 源としては、図1に炭化水素基を増やしたプ
ロピルシリケートの分子式を、図2にブチルシリケート
の分子式を記載した。図3には、ヘテロ官を有するシリ
カ化合物ジプロピルジハイドロシリケ−トの分子式を、
図4にジメチルジプロピルシリケートの分子式を記載し
た。
Sb不純物塗布拡散剤であり、溶媒にアルコールを用い
たSiO2 源としては、図1に炭化水素基を増やしたプ
ロピルシリケートの分子式を、図2にブチルシリケート
の分子式を記載した。図3には、ヘテロ官を有するシリ
カ化合物ジプロピルジハイドロシリケ−トの分子式を、
図4にジメチルジプロピルシリケートの分子式を記載し
た。
【0016】更に図5では、Si(OR)4 (R:炭化
水素)の形におけるC数が変化した時、同じ重量%の混
合液中に含まれるSi(OR)4 と塗布膜との関係を示
す。この図に明らかなように、炭化水素鎖が増加すると
燃焼時に炭化水素部分がCO2 とH2 Oに分解され生成
されるSiO2 の厚さは薄くなる。
水素)の形におけるC数が変化した時、同じ重量%の混
合液中に含まれるSi(OR)4 と塗布膜との関係を示
す。この図に明らかなように、炭化水素鎖が増加すると
燃焼時に炭化水素部分がCO2 とH2 Oに分解され生成
されるSiO2 の厚さは薄くなる。
【0017】
【発明の効果】溶媒にアルコールを用いる半導体素子用
塗布拡散剤では、多種多様な塗布特性を有するものが調
整でき、各々の不純物拡散工程における不純物拡散特性
及び製造方法に最適な塗布拡散剤を選択できあるいは調
整できることにより歩留まりや品質の向上できる。
塗布拡散剤では、多種多様な塗布特性を有するものが調
整でき、各々の不純物拡散工程における不純物拡散特性
及び製造方法に最適な塗布拡散剤を選択できあるいは調
整できることにより歩留まりや品質の向上できる。
【図1】本発明に係る半導体素子用塗布拡散剤に使用す
るSiO2 膜原料であるプロピルシリケートの分子式を
示した。
るSiO2 膜原料であるプロピルシリケートの分子式を
示した。
【図2】本発明に係る半導体素子用塗布拡散剤に使用す
るSiO2 膜原料であるブチルシリケートの分子式を示
した。
るSiO2 膜原料であるブチルシリケートの分子式を示
した。
【図3】本発明に係る半導体素子用塗布拡散剤に使用す
るSiO2 膜原料であるジプロピルジハイドロシリケー
トの分子式を示した。
るSiO2 膜原料であるジプロピルジハイドロシリケー
トの分子式を示した。
【図4】従来使用されていた混合液中のSiO2 膜原料
であるエチルシリケ−トの分子式である。
であるエチルシリケ−トの分子式である。
【図5】Si(OR)4 (R:炭化水素)の形における
C数が変化した時、同じ重量%の混合液中に含まれるS
i(OR)4 と塗布膜との関係を示し、縦軸の膜厚を、
横軸に炭素数を採ったものである。
C数が変化した時、同じ重量%の混合液中に含まれるS
i(OR)4 と塗布膜との関係を示し、縦軸の膜厚を、
横軸に炭素数を採ったものである。
【図6】従来SiO2 膜用として使用するエチルシリケ
ートの分子式である。
ートの分子式である。
Claims (4)
- 【請求項1】 2酸化ケイ素膜を形成する原料と、不純
物を構成する他の原料と、この原料を投入する溶媒であ
るアルコールより成る半導体用塗布拡散剤 - 【請求項2】 前記2酸化ケイ素膜を形成する原料とし
て、SiーX4 (X:炭化水素化合物)で表されるケイ
素酸化物で構成することを特徴とする前記請求項1記載
の半導体用塗布拡散剤 - 【請求項3】 前記炭化水素化合物より成るXは、ーO
R(R:炭化水素基)、ーR、ーOH等前記溶媒に溶け
やすい基を備えることを特徴とする前記請求項1及び請
求項2記載の半導体用塗布拡散剤 - 【請求項4】 前記ケイ素化合物炭化水素は、ホモ炭化
水素化合物基及びヘテロ炭化水素化合物基を有すること
を特徴とする前記請求項1乃至請求項3記載の半導体用
塗布拡散剤
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9100896A JPH09283457A (ja) | 1996-04-12 | 1996-04-12 | 半導体用塗布拡散剤 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9100896A JPH09283457A (ja) | 1996-04-12 | 1996-04-12 | 半導体用塗布拡散剤 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09283457A true JPH09283457A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=14014501
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9100896A Pending JPH09283457A (ja) | 1996-04-12 | 1996-04-12 | 半導体用塗布拡散剤 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09283457A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002539615A (ja) * | 1999-03-11 | 2002-11-19 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 半導体にp、p+およびn、n+領域を形成するためのドーパント・ペースト |
-
1996
- 1996-04-12 JP JP9100896A patent/JPH09283457A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002539615A (ja) * | 1999-03-11 | 2002-11-19 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング | 半導体にp、p+およびn、n+領域を形成するためのドーパント・ペースト |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5041311A (en) | Chemical vapor deposition method using a plasma self-cleaning | |
CN100343974C (zh) | 蚀刻期间保持浅沟槽隔离的结构和方法 | |
JP2591566B2 (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
EP1031641A3 (en) | Method and apparatus for depositing an insulating film | |
KR100434698B1 (ko) | 반도체소자의 선택적 에피성장법 | |
KR100274601B1 (ko) | 반도체장치의식각마스크형성방법 | |
US6323139B1 (en) | Semiconductor processing methods of forming photoresist over silicon nitride materials | |
JPH06240459A (ja) | 酸化ケイ素薄膜の形成法 | |
WO2003021636B1 (en) | Electronic devices and methods of manufacture | |
JPH1167757A (ja) | 酸化薄膜形成方法 | |
JPH09283457A (ja) | 半導体用塗布拡散剤 | |
US5641838A (en) | Thermostable coating materials | |
JPH03139836A (ja) | ガラス基板上に窒化ケイ素層を堆積させる方法 | |
JPH11130451A (ja) | 半導体熱処理装置用石英ガラス治具 | |
JPH0624191B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP2000286268A (ja) | 半導体シリコンウェーハの製造方法 | |
JPS6467910A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
JPH05299412A (ja) | 半導体装置のシリコン酸化膜の製造法 | |
JPH07245268A (ja) | 薄膜形成方法 | |
US7271102B2 (en) | Method of etching uniform silicon layer | |
JPS61136681A (ja) | 熱cvd方法 | |
JPH03201435A (ja) | 酸化シリコン膜の製造方法 | |
JPH07130676A (ja) | 半導体ウェーハのホウ素拡散方法 | |
JPH08321502A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0629221A (ja) | 半導体装置の製造方法 |