JPH09283455A - 縦型ウエーハボート - Google Patents
縦型ウエーハボートInfo
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- JPH09283455A JPH09283455A JP9519996A JP9519996A JPH09283455A JP H09283455 A JPH09283455 A JP H09283455A JP 9519996 A JP9519996 A JP 9519996A JP 9519996 A JP9519996 A JP 9519996A JP H09283455 A JPH09283455 A JP H09283455A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 縦型ウエーハボートにおいて、ウエーハを支
持する支持部に対してウエーハの荷重が均等に分散しな
かったこと、及び支持部とウエーハとの温度上昇率が異
なっていたことにより生じていたスリップを回避するこ
と。 【解決手段】 本発明に係る縦型ウエーハボートにおい
ては、ウエーハを３点で支持することにより、ウエーハ
の荷重を支持部において均等に分散することができ、更
に支持部の厚みを略ウエーハと同じ厚さにすることによ
り、熱伝導による温度上昇率を同じにすることで、スリ
ップを解消することができるのである。
持する支持部に対してウエーハの荷重が均等に分散しな
かったこと、及び支持部とウエーハとの温度上昇率が異
なっていたことにより生じていたスリップを回避するこ
と。 【解決手段】 本発明に係る縦型ウエーハボートにおい
ては、ウエーハを３点で支持することにより、ウエーハ
の荷重を支持部において均等に分散することができ、更
に支持部の厚みを略ウエーハと同じ厚さにすることによ
り、熱伝導による温度上昇率を同じにすることで、スリ
ップを解消することができるのである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多数枚の半導体ウ
エーハを搭載して高温で熱処理するための縦型ウエーハ
ボートに関するものである。
エーハを搭載して高温で熱処理するための縦型ウエーハ
ボートに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種のウエーハボートには、複数のウ
エーハを略垂直にして横に並べて外周縁を支持する、所
謂横型タイプと、複数のウエーハを横にして上下方向に
並べ各ウエーハの周辺近傍を複数箇所において支持す
る、所謂縦型タイプの２種類がある。ところで、熱処理
炉の小型化及び搬送の容易さのメリットを考慮すると共
に、近年、ウエーハの大口径化に伴って、ウエーハボー
トは横型タイプから縦型タイプに移行しつつある。
エーハを略垂直にして横に並べて外周縁を支持する、所
謂横型タイプと、複数のウエーハを横にして上下方向に
並べ各ウエーハの周辺近傍を複数箇所において支持す
る、所謂縦型タイプの２種類がある。ところで、熱処理
炉の小型化及び搬送の容易さのメリットを考慮すると共
に、近年、ウエーハの大口径化に伴って、ウエーハボー
トは横型タイプから縦型タイプに移行しつつある。
【０００３】縦型ウエーハボートとしては、上部を支持
して吊垂させるタイプと、下部を支持して起立させるタ
イプとがある。下部を支持する起立タイプとしては、例
えば特開平４−６８２６号公報に開示された構成のもの
が従来例として公知である。この公知の縦型ウエーハボ
ートにおいても、ウエーハの外周近傍を４箇所で支持す
る構成になっている。
して吊垂させるタイプと、下部を支持して起立させるタ
イプとがある。下部を支持する起立タイプとしては、例
えば特開平４−６８２６号公報に開示された構成のもの
が従来例として公知である。この公知の縦型ウエーハボ
ートにおいても、ウエーハの外周近傍を４箇所で支持す
る構成になっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この種の縦型ウエーハ
ボードは、ウエーハの外周近傍を複数箇所において支持
する構造であるため、１２００℃前後の高温で熱処理を
行うと、図７で示したように、ウエーハａにおいて、支
持されている部分からウエーハの内部に向かって歪みｂ
が生ずるという現象が起きる。この歪みは、外見上では
視認できないが、Ｘ線写真によって確認できる。
ボードは、ウエーハの外周近傍を複数箇所において支持
する構造であるため、１２００℃前後の高温で熱処理を
行うと、図７で示したように、ウエーハａにおいて、支
持されている部分からウエーハの内部に向かって歪みｂ
が生ずるという現象が起きる。この歪みは、外見上では
視認できないが、Ｘ線写真によって確認できる。
【０００５】この歪みが生ずる現象をスリップと称して
いるが、このスリップは、ウエーハ径が８インチ、１２
インチと大口径になるにつれて大きくなると共に多くな
る傾向にある。そして、スリップが大きく且つ多くなる
とウエーハの品質の低下、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体の品
質低下、半導体製造の歩留りの低下等の不都合を招く原
因になっている。
いるが、このスリップは、ウエーハ径が８インチ、１２
インチと大口径になるにつれて大きくなると共に多くな
る傾向にある。そして、スリップが大きく且つ多くなる
とウエーハの品質の低下、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体の品
質低下、半導体製造の歩留りの低下等の不都合を招く原
因になっている。
【０００６】従って、縦型ウエーハボートにおいては、
スリップをなくすことに解決しなければならない課題を
有している。
スリップをなくすことに解決しなければならない課題を
有している。
【０００７】そこで、本発明者等が種々研究した結果、
縦型ウエーハボートにおいて、搭載したウエーハの自重
がボートの支持部に均等に分散していないこと、及び複
数枚（例えば１２５枚）のウエーハを搭載した縦型ウエ
ーハボートは７５０℃程度にランプダウンされた熱処理
炉内に搬入され、その後６０〜８０分程度の時間を掛け
て１１５０℃程度までランプアップされるが、その際に
ウエーハの温度上昇率とウエーハボート、特に支持部の
温度上昇率とが相違していることに起因してスリップが
生ずるとの知見を得た。
縦型ウエーハボートにおいて、搭載したウエーハの自重
がボートの支持部に均等に分散していないこと、及び複
数枚（例えば１２５枚）のウエーハを搭載した縦型ウエ
ーハボートは７５０℃程度にランプダウンされた熱処理
炉内に搬入され、その後６０〜８０分程度の時間を掛け
て１１５０℃程度までランプアップされるが、その際に
ウエーハの温度上昇率とウエーハボート、特に支持部の
温度上昇率とが相違していることに起因してスリップが
生ずるとの知見を得た。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記従来例の課題を解決
する具体的手段として本発明は、少なくともウエーハを
支持する支持本体と、該支持本体を上下で支持する上部
支持体と下部支持体とを含み、前記支持本体には、ウエ
ーハを３点で支持する支持部が複数形成されており、該
支持部はウエーハの厚みと略同じ厚さに形成したことを
特徴とする縦型ウエーハボートを提供するものである。
する具体的手段として本発明は、少なくともウエーハを
支持する支持本体と、該支持本体を上下で支持する上部
支持体と下部支持体とを含み、前記支持本体には、ウエ
ーハを３点で支持する支持部が複数形成されており、該
支持部はウエーハの厚みと略同じ厚さに形成したことを
特徴とする縦型ウエーハボートを提供するものである。
【０００９】前記支持部の厚みは、ウエーハの厚みに対
して±１０％の範囲内に形成されていること、前記３点
の支持は、ウエーハを支持した際、ウエーハの重心を中
心としてウエーハの搬入出側の２点の支持部の中心角が
略１４０°であり、その２点の支持部と他の支持部との
中心角がそれぞれ略１１０°であること、前記支持部の
ウエーハと接触する面の面粗度は、Ｒｍａｘ５μｍ以下
及びＲａ０．５μｍ以下であること、前記支持部材は、
シリコンまたは炭化硅素のいづれかで形成されているこ
と、及び少なくとも支持本体、上部支持体及び下部支持
体が、着脱自在に形成された組立式であることを含むも
のである。
して±１０％の範囲内に形成されていること、前記３点
の支持は、ウエーハを支持した際、ウエーハの重心を中
心としてウエーハの搬入出側の２点の支持部の中心角が
略１４０°であり、その２点の支持部と他の支持部との
中心角がそれぞれ略１１０°であること、前記支持部の
ウエーハと接触する面の面粗度は、Ｒｍａｘ５μｍ以下
及びＲａ０．５μｍ以下であること、前記支持部材は、
シリコンまたは炭化硅素のいづれかで形成されているこ
と、及び少なくとも支持本体、上部支持体及び下部支持
体が、着脱自在に形成された組立式であることを含むも
のである。
【００１０】本発明に係る縦型ウエーハボートにおいて
は、ウエーハを３点で支持することにより、ウエーハの
自重を３点の支持部に均等に分散することができ、更に
支持部の厚みを略ウエーハと同じ厚さにすることによ
り、熱伝導による温度上昇率を同じにすることで、スリ
ップの発生を解消することができるのである。
は、ウエーハを３点で支持することにより、ウエーハの
自重を３点の支持部に均等に分散することができ、更に
支持部の厚みを略ウエーハと同じ厚さにすることによ
り、熱伝導による温度上昇率を同じにすることで、スリ
ップの発生を解消することができるのである。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に本発明を図示の実施例により
更に詳しく説明する。図１は一部を分解して示した本発
明の縦型ウエーハボート１を示すものであり、該ウエー
ハボート１はウエーハを支持するために、３本の支持本
体２と、上部支持体３及び下部支持体４とから構成され
ている。前記支持本体２は実質的に柱状体を呈し、前記
上下の支持体３，４は実質的に板状を呈するものであ
る。
更に詳しく説明する。図１は一部を分解して示した本発
明の縦型ウエーハボート１を示すものであり、該ウエー
ハボート１はウエーハを支持するために、３本の支持本
体２と、上部支持体３及び下部支持体４とから構成され
ている。前記支持本体２は実質的に柱状体を呈し、前記
上下の支持体３，４は実質的に板状を呈するものであ
る。
【００１２】これら３本の支持本体２と、上部支持体３
及び下部支持体４とは、各支持本体２の上下端部におい
て所定の係止手段により組立自在に形成されている。こ
の所定の係止手段は、上下端部のそれぞれの係止部にお
いて略同一構造であるので、その一つについて図２〜３
を用いて説明する。
及び下部支持体４とは、各支持本体２の上下端部におい
て所定の係止手段により組立自在に形成されている。こ
の所定の係止手段は、上下端部のそれぞれの係止部にお
いて略同一構造であるので、その一つについて図２〜３
を用いて説明する。
【００１３】一方の支持本体２の上下端部には、外向き
の鉤部５が一体に形成されと共に、その鉤部５に近接し
た位置の内側に凹状の被係合部５ａが形成され、他方の
上部支持体３及び下部支持体４には、前記鉤部５が嵌合
して係止される係止孔６を設けると共に、ストッパー片
７を回転可能に設けてある。そして、係止孔６内には鉤
部５が実質的に係合する段部６ａが形成されている。
の鉤部５が一体に形成されと共に、その鉤部５に近接し
た位置の内側に凹状の被係合部５ａが形成され、他方の
上部支持体３及び下部支持体４には、前記鉤部５が嵌合
して係止される係止孔６を設けると共に、ストッパー片
７を回転可能に設けてある。そして、係止孔６内には鉤
部５が実質的に係合する段部６ａが形成されている。
【００１４】前記ストッパー片７には回転を許容するボ
ス部７ａが一体に突出形成されると共に、支持本体２に
形成された被係合部５ａに回動係合部７ｂが形成され、
前記ボス部７ａを上下の支持体３，４に設けた軸孔８に
装着して回転可能に取り付けられる。
ス部７ａが一体に突出形成されると共に、支持本体２に
形成された被係合部５ａに回動係合部７ｂが形成され、
前記ボス部７ａを上下の支持体３，４に設けた軸孔８に
装着して回転可能に取り付けられる。
【００１５】このような構成の係止手段を用いることに
より、先ず下部支持体４に対して３本の支持本体２の下
端部を各対応する係止孔６内に装着して起立状態にし、
支持本体２の上端部に上部支持体３を載せ、各対応する
係止孔６内に上端部を夫々装着する。
より、先ず下部支持体４に対して３本の支持本体２の下
端部を各対応する係止孔６内に装着して起立状態にし、
支持本体２の上端部に上部支持体３を載せ、各対応する
係止孔６内に上端部を夫々装着する。
【００１６】この装着状態において、各支持本体２の端
部を外側方向に僅かに移動させることで、鉤部５と段部
６ａとが係合するようになり、その状態において、各ス
トッパー片７をそれぞれ回転させて支持本体２の内側面
に形成された被係合部５ａに回動係合部７ｂが係合する
ことにより、支持本体２が内側方向に移動しない状態に
なり、鉤部５と段部６ａとの係合が安定した状態に維持
されて、図４に示したように、縦型ウエーハボート１の
組立が完了する。分解する場合には、前記とは逆の作業
を行えば良い。なお、ストッパー片７は回転可能な状態
で設けられているが、これに代わって、例えば別体の楔
部材を係止孔６内に落とし込むようにしても良い。
部を外側方向に僅かに移動させることで、鉤部５と段部
６ａとが係合するようになり、その状態において、各ス
トッパー片７をそれぞれ回転させて支持本体２の内側面
に形成された被係合部５ａに回動係合部７ｂが係合する
ことにより、支持本体２が内側方向に移動しない状態に
なり、鉤部５と段部６ａとの係合が安定した状態に維持
されて、図４に示したように、縦型ウエーハボート１の
組立が完了する。分解する場合には、前記とは逆の作業
を行えば良い。なお、ストッパー片７は回転可能な状態
で設けられているが、これに代わって、例えば別体の楔
部材を係止孔６内に落とし込むようにしても良い。
【００１７】３本の支持本体２には、ウエーハａを搭載
するために、複数段（例えば１２５段）の支持部２ａが
同一レベルをもってそれぞれ整列して突出形成され、各
支持部２ａは全部が内側方向に突出している。
するために、複数段（例えば１２５段）の支持部２ａが
同一レベルをもってそれぞれ整列して突出形成され、各
支持部２ａは全部が内側方向に突出している。
【００１８】この場合の各支持部２ａの厚みは、図５に
示したように、載置されるウエーハａの厚みと略同一、
もしくはウエーハａの厚み±１０％程度の厚みに形成し
てある。これは、支持部２ａの温度上昇率をウエーハａ
と略同等または限りなく近似させるためである。
示したように、載置されるウエーハａの厚みと略同一、
もしくはウエーハａの厚み±１０％程度の厚みに形成し
てある。これは、支持部２ａの温度上昇率をウエーハａ
と略同等または限りなく近似させるためである。
【００１９】また、各支持部２ａにおけるウエーハａと
接触する面の面粗度は、Ｒｍａｘ５μｍ以下及びＲａ
０．５μｍ以下に設定してある。これは、面粗度の粗さ
に起因して支持部２ａにおける重量の不均一の防止、延
いてはスリップを防止するためである。
接触する面の面粗度は、Ｒｍａｘ５μｍ以下及びＲａ
０．５μｍ以下に設定してある。これは、面粗度の粗さ
に起因して支持部２ａにおける重量の不均一の防止、延
いてはスリップを防止するためである。
【００２０】３本の支持本体２と、上部及び下部支持体
３，４との結合は、前記した通りであるが、３本の支持
本体２を用いるということはウエーハａを３点で支持す
るということであり、しかもウエーハａの自重が各支持
部２ａにおいて略均等に分散される必要がある。
３，４との結合は、前記した通りであるが、３本の支持
本体２を用いるということはウエーハａを３点で支持す
るということであり、しかもウエーハａの自重が各支持
部２ａにおいて略均等に分散される必要がある。
【００２１】そのために、図６に示したように、３本の
支持本体２は所定の角度間隔をもって取り付ける必要が
ある。そして、ウエーハａは、方向を合わせるための所
謂オリフラｃが形成されており、必ずしも限定されるも
のではないが、該オリフラｃが前面側に来るようにして
縦型ウエーハボート１にウエーハａが搬入及び搬出され
る。
支持本体２は所定の角度間隔をもって取り付ける必要が
ある。そして、ウエーハａは、方向を合わせるための所
謂オリフラｃが形成されており、必ずしも限定されるも
のではないが、該オリフラｃが前面側に来るようにして
縦型ウエーハボート１にウエーハａが搬入及び搬出され
る。
【００２２】これらのことを考慮して、３点支持の内、
前面側に位置する２点の支持本体２は、搭載されるウエ
ーハａの重心を中心にして中心角がウエーハａの搬入出
可能な角度、即ち略１４０°の角度範囲となるように
し、これら前面側に２点の支持本体２に対して後面側に
位置する１点の支持本体２は、前記２点の支持本体２か
らの中心角が略１１０°の角度範囲になるように設定し
てある。
前面側に位置する２点の支持本体２は、搭載されるウエ
ーハａの重心を中心にして中心角がウエーハａの搬入出
可能な角度、即ち略１４０°の角度範囲となるように
し、これら前面側に２点の支持本体２に対して後面側に
位置する１点の支持本体２は、前記２点の支持本体２か
らの中心角が略１１０°の角度範囲になるように設定し
てある。
【００２３】このように３点支持における各点の角度範
囲を設定することにより、縦型ウエーハボート１に対す
るウエーハａの搬入及び搬出が容易に行えると共に、各
支持点に対するウエーハａの荷重が略均等に分散するよ
うになる。特に、３点支持であるため、例えばウエーハ
ａの平面度に多少の誤差（全体的な歪みも含む）があっ
たにしても、４点支持のものに比べて、支持部２ａに対
する荷重の偏りがほとんど生じないのである。
囲を設定することにより、縦型ウエーハボート１に対す
るウエーハａの搬入及び搬出が容易に行えると共に、各
支持点に対するウエーハａの荷重が略均等に分散するよ
うになる。特に、３点支持であるため、例えばウエーハ
ａの平面度に多少の誤差（全体的な歪みも含む）があっ
たにしても、４点支持のものに比べて、支持部２ａに対
する荷重の偏りがほとんど生じないのである。
【００２４】前記した構成部材は、従来と同様に耐熱性
に優れた材料で形成されるが、少なくともウエーハａが
載置される支持部２ａは、温度上昇率をウエーハａに合
わせることで薄く形成するようにしたので、シリコンま
たは炭化硅素のいずれかで形成した方が良い。そして、
本発明に係るウエーハボートは組立式で且つ縦型であ
り、吊垂式でも下部支持式でも使用できるものである。
に優れた材料で形成されるが、少なくともウエーハａが
載置される支持部２ａは、温度上昇率をウエーハａに合
わせることで薄く形成するようにしたので、シリコンま
たは炭化硅素のいずれかで形成した方が良い。そして、
本発明に係るウエーハボートは組立式で且つ縦型であ
り、吊垂式でも下部支持式でも使用できるものである。
【００２５】そして、実際に本発明の縦型ウエーハボー
ト１を使用して、従来例と同様の手段で熱処理を行っ
た。即ち、１２５枚のウエーハａを搭載した後、７５０
℃程度にランプダウンされた熱処理炉内に縦型ウエーハ
ボート１を搬入し、その後６０分程度の時間を掛けて略
１１５０℃程度までランプアップして熱処理を行った。
その結果、支持部２ａで支持されていた部分に、わずか
な歪みが確認されたが、従来例に見られたような大きな
歪みは認められず、実質的に半導体製品の品質低下につ
ながらない程度であった。従って、スリップ現象を大幅
に改善できたのである。
ト１を使用して、従来例と同様の手段で熱処理を行っ
た。即ち、１２５枚のウエーハａを搭載した後、７５０
℃程度にランプダウンされた熱処理炉内に縦型ウエーハ
ボート１を搬入し、その後６０分程度の時間を掛けて略
１１５０℃程度までランプアップして熱処理を行った。
その結果、支持部２ａで支持されていた部分に、わずか
な歪みが確認されたが、従来例に見られたような大きな
歪みは認められず、実質的に半導体製品の品質低下につ
ながらない程度であった。従って、スリップ現象を大幅
に改善できたのである。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る縦型
ウエーハボートは、少なくともウエーハを支持する支持
本体と、該支持本体を上下で支持する上部支持体と下部
支持体とを含み、前記支持本体には、ウエーハを３点で
支持する支持部が複数形成されており、該支持部はウエ
ーハの厚みと略同じ厚さに形成した構成であるため、特
に３点支持によって、搭載されるウエーハの荷重を３点
で略均等に分散して支持することができると共に、支持
部の厚みをウエーハの厚みと略同じ厚さにしたことで、
ウエーハと同じに温度上昇するようになり、両者相俟っ
てスリップを避けることができるという優れた効果を奏
する。
ウエーハボートは、少なくともウエーハを支持する支持
本体と、該支持本体を上下で支持する上部支持体と下部
支持体とを含み、前記支持本体には、ウエーハを３点で
支持する支持部が複数形成されており、該支持部はウエ
ーハの厚みと略同じ厚さに形成した構成であるため、特
に３点支持によって、搭載されるウエーハの荷重を３点
で略均等に分散して支持することができると共に、支持
部の厚みをウエーハの厚みと略同じ厚さにしたことで、
ウエーハと同じに温度上昇するようになり、両者相俟っ
てスリップを避けることができるという優れた効果を奏
する。
【００２７】また、前記支持部の厚みは、ウエーハの厚
みに対して±１０％の範囲内に形成されていること、及
び前記３点の支持は、ウエーハを支持した際、ウエーハ
の重心を中心としてウエーハの搬入出側の２点の支持部
の中心角が略１４０°であり、その２点の支持部と他の
支持部との中心角がそれぞれ略１１０°である構成にし
たことにより、温度上昇率をウエーハと略同じにするこ
と、及び３点支持の角度を設定することで、均等な荷重
を受けて熱処理ができること、により前記と同様にスリ
ップを防止することができるのである。
みに対して±１０％の範囲内に形成されていること、及
び前記３点の支持は、ウエーハを支持した際、ウエーハ
の重心を中心としてウエーハの搬入出側の２点の支持部
の中心角が略１４０°であり、その２点の支持部と他の
支持部との中心角がそれぞれ略１１０°である構成にし
たことにより、温度上昇率をウエーハと略同じにするこ
と、及び３点支持の角度を設定することで、均等な荷重
を受けて熱処理ができること、により前記と同様にスリ
ップを防止することができるのである。
【図１】本発明に係る一実施例の縦型ウエーハボートの
一部を分解して示した斜視図である。
一部を分解して示した斜視図である。
【図２】同実施例における係止手段の一例を示す係止前
の要部の略示的断面図である。
の要部の略示的断面図である。
【図３】同実施例における係止手段の一例を示す係止後
の要部の略示的断面図である。
の要部の略示的断面図である。
【図４】同実施例の組立完成後における一部を除去して
示した斜視図である。
示した斜視図である。
【図５】同実施例の縦型ウエーハボートにウエーハを搭
載した状態の一部を拡大して示した正面図である。
載した状態の一部を拡大して示した正面図である。
【図６】同実施例の縦型ウエーハボートにおける３点支
持の位置関係を示す説明図である。
持の位置関係を示す説明図である。
【図７】従来例の装置によって熱処理したウエーハの状
態を説明するための略示的平面図である。
態を説明するための略示的平面図である。
１……縦型ウエーハボート、 ２……支持本体、 ２ａ
……支持部、３……上部支持体、 ４……下部支持体、
５……支持本体の端部、５ａ……被係合部、 ６……
係止孔、 ６ａ……段部、 ７……ストッパー、７ａ…
…ボス部、 ７ｂ……回動係合部、 ８……軸孔、 ａ
……ウエーハ、ｂ……歪み、 ｃ……オリフラ
……支持部、３……上部支持体、 ４……下部支持体、
５……支持本体の端部、５ａ……被係合部、 ６……
係止孔、 ６ａ……段部、 ７……ストッパー、７ａ…
…ボス部、 ７ｂ……回動係合部、 ８……軸孔、 ａ
……ウエーハ、ｂ……歪み、 ｃ……オリフラ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｎ
Claims (6)
- 【請求項１】 少なくともウエーハを支持する支持本体
と、該支持本体を上下で支持する上部支持体と下部支持
体とを含み、前記支持本体には、ウエーハを３点で支持
する支持部が複数形成されており、該支持部はウエーハ
の厚みと略同じ厚さに形成したことを特徴とする縦型ウ
エーハボート。 - 【請求項２】 前記支持部の厚みは、ウエーハの厚みに
対して±１０％の範囲内に形成されている請求項１に記
載の縦型ウエーハボート。 - 【請求項３】 前記３点の支持は、ウエーハを支持した
際、ウエーハの重心を中心としてウエーハの搬入出側の
２点の支持部の中心角が略１４０°であり、その２点の
支持部と他の支持部との中心角がそれぞれ略１１０°で
ある請求項１または２に記載の縦型ウエーハボート。 - 【請求項４】 前記支持部のウエーハと接触する面の面
粗度は、Ｒｍａｘ５μｍ以下及びＲａ０．５μｍ以下で
ある請求項１、２または３に記載の縦型ウエーハボー
ド。 - 【請求項５】 前記支持部材は、シリコンまたは炭化硅
素のいづれかで形成されている請求項１、２、３または
４に記載の縦型ウエーハボート。 - 【請求項６】 少なくとも支持本体、上部支持体及び下
部支持体が、着脱自在に形成された組立式である請求項
１、２、３、４または５に記載の縦型ウエーハボート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9519996A JPH09283455A (ja) | 1996-04-17 | 1996-04-17 | 縦型ウエーハボート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9519996A JPH09283455A (ja) | 1996-04-17 | 1996-04-17 | 縦型ウエーハボート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283455A true JPH09283455A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=14131092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9519996A Pending JPH09283455A (ja) | 1996-04-17 | 1996-04-17 | 縦型ウエーハボート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09283455A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112008001108T5 (de) | 2007-05-01 | 2010-04-01 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Wafer-Halterung, vertikales Wärmebehandlungsschiffchen, welches eine Wafer-Halterung einschliesst, sowie Verfahren für die Herstellung einer Wafer-Halterung |
-
1996
- 1996-04-17 JP JP9519996A patent/JPH09283455A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112008001108T5 (de) | 2007-05-01 | 2010-04-01 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Wafer-Halterung, vertikales Wärmebehandlungsschiffchen, welches eine Wafer-Halterung einschliesst, sowie Verfahren für die Herstellung einer Wafer-Halterung |
| US8506712B2 (en) | 2007-05-01 | 2013-08-13 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Wafer support jig, vertical heat treatment boat including wafer support jig, and method for manufacturing wafer support jig |
| DE112008001108B4 (de) | 2007-05-01 | 2022-03-31 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Wafer-Halterung, vertikales Wärmebehandlungsschiffchen, welches eine Wafer-Halterung einschliesst, sowie Verfahren für die Herstellung einer Wafer-Halterung |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050216 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050413 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051017 |