JPH09283436A - 走査型露光装置 - Google Patents
走査型露光装置Info
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- JPH09283436A JPH09283436A JP8121069A JP12106996A JPH09283436A JP H09283436 A JPH09283436 A JP H09283436A JP 8121069 A JP8121069 A JP 8121069A JP 12106996 A JP12106996 A JP 12106996A JP H09283436 A JPH09283436 A JP H09283436A
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- reticle
- scanning
- substrate
- exposure apparatus
- displacement
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、走査型露光装置において、レチクル
と基板とを同期して走査中の基板に対するレチクルの変
位による投影パターンの結像不良を防止する。 【解決手段】走査中のレチクル上面の高さをレチクル変
位測定手段によつて３次元的にリアルタイムで測定し、
測定して得た第２の方向の位置情報に基づいて、レチク
ル載置手段に配されたレチクル移動手段によつてレチク
ルを第２の方向に同一高さ補正あるいはチルト補正し
て、投影光学系とレチクルとの間隔を一定に維持する。
と基板とを同期して走査中の基板に対するレチクルの変
位による投影パターンの結像不良を防止する。 【解決手段】走査中のレチクル上面の高さをレチクル変
位測定手段によつて３次元的にリアルタイムで測定し、
測定して得た第２の方向の位置情報に基づいて、レチク
ル載置手段に配されたレチクル移動手段によつてレチク
ルを第２の方向に同一高さ補正あるいはチルト補正し
て、投影光学系とレチクルとの間隔を一定に維持する。
Description
【０００１】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 発明の属する技術分野 従来の技術 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段（図２及び図３） 発明の実施の形態（図１〜図４） 発明の効果
【０００２】
【発明の属する技術分野】本発明は走査型露光装置に関
し、レチクルと半導体装置の基板とを同期して走査して
この基板に露光するスキヤン型露光装置に適用し得る。
し、レチクルと半導体装置の基板とを同期して走査して
この基板に露光するスキヤン型露光装置に適用し得る。
【０００３】
【従来の技術】従来、スキヤン型露光装置は、レチクル
の走査方向Ｘと、レチクルの面内方向でＸ方向と直交す
るＹ方向と、レチクルの面内方向の角度θとのそれぞれ
の位置誤差を二次元的に補正するレチクルスキヤンニン
グステージを有する。スキヤン型露光装置は、レチクル
の位置誤差を補正した後に、レチクルスキヤンニングス
テージを露光スリツト部に対して走査していた。
の走査方向Ｘと、レチクルの面内方向でＸ方向と直交す
るＹ方向と、レチクルの面内方向の角度θとのそれぞれ
の位置誤差を二次元的に補正するレチクルスキヤンニン
グステージを有する。スキヤン型露光装置は、レチクル
の位置誤差を補正した後に、レチクルスキヤンニングス
テージを露光スリツト部に対して走査していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、基板
が大型化したため、レチクルも大型化した。ところが、
レチクルが大型化するに従つて、水平に保持されたレチ
クルの、Ｘ及びＹ方向と直交するＺ方向（投影光学系の
光軸の方向）の自重たわみが大きくなつた。このため、
走査前のフオーカスマージンが減少するという問題があ
つた。
が大型化したため、レチクルも大型化した。ところが、
レチクルが大型化するに従つて、水平に保持されたレチ
クルの、Ｘ及びＹ方向と直交するＺ方向（投影光学系の
光軸の方向）の自重たわみが大きくなつた。このため、
走査前のフオーカスマージンが減少するという問題があ
つた。
【０００５】また上述した従来のスキヤン型露光装置に
おいては、レチクルステージを走査中に自重たわみによ
るレチクルのＺ方向の変動量を補正できなかつた。この
ため、レチクルのＺ方向の変動によるフオーカスマージ
ンが不足して、基板に投影したパターンがぼけることが
あるという問題があつた。
おいては、レチクルステージを走査中に自重たわみによ
るレチクルのＺ方向の変動量を補正できなかつた。この
ため、レチクルのＺ方向の変動によるフオーカスマージ
ンが不足して、基板に投影したパターンがぼけることが
あるという問題があつた。
【０００６】さらにレチクル保持部（吸着部）あるいは
レチクル保持部に接触したレチクル上に塵埃が付着した
場合には、レチクルが投影光学系に対して傾斜する。傾
斜したチクル上のパターンを投影光学系によつてウエハ
上に投影すると、ウエハ上に投影されたパターン形状歪
みがレンズデイストーシヨンにより増加したり、フオー
カスマージンが減少するという問題があつた。
レチクル保持部に接触したレチクル上に塵埃が付着した
場合には、レチクルが投影光学系に対して傾斜する。傾
斜したチクル上のパターンを投影光学系によつてウエハ
上に投影すると、ウエハ上に投影されたパターン形状歪
みがレンズデイストーシヨンにより増加したり、フオー
カスマージンが減少するという問題があつた。
【０００７】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、レチクルと基板とを同期して走査中の基板に対する
レチクルの変位による投影パターンの結像不良を防止し
得る走査型露光装置を提案しようとするものである。
で、レチクルと基板とを同期して走査中の基板に対する
レチクルの変位による投影パターンの結像不良を防止し
得る走査型露光装置を提案しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、パターンが形成されたレチクルを
載置するレチクル載置手段と、レチクルを照明して得た
光束を基板に投影する投影光学系と、基板を載置する基
板載置手段とを有し、レチクル載置手段と基板載置手段
とを同期して投影光学系に対して相対的に第１の方向に
走査してパターンを基板面上に露光する走査型露光装置
において、レチクル変位測定手段及びレチクル移動手段
を設け、走査のとき投影光学系とレチクルとの間隔を一
定に維持する。レチクル変位測定手段は、走査のとき
の、基板の面内方向と直交する第２の方向に沿つたレチ
クルの変位を測定する。レチクル移動手段は、レチクル
載置手段に配され、測定結果に基づいて、レチクルを第
２の方向に沿つて移動させる、及び又は基板の面内方向
に対して傾斜させる。
め本発明においては、パターンが形成されたレチクルを
載置するレチクル載置手段と、レチクルを照明して得た
光束を基板に投影する投影光学系と、基板を載置する基
板載置手段とを有し、レチクル載置手段と基板載置手段
とを同期して投影光学系に対して相対的に第１の方向に
走査してパターンを基板面上に露光する走査型露光装置
において、レチクル変位測定手段及びレチクル移動手段
を設け、走査のとき投影光学系とレチクルとの間隔を一
定に維持する。レチクル変位測定手段は、走査のとき
の、基板の面内方向と直交する第２の方向に沿つたレチ
クルの変位を測定する。レチクル移動手段は、レチクル
載置手段に配され、測定結果に基づいて、レチクルを第
２の方向に沿つて移動させる、及び又は基板の面内方向
に対して傾斜させる。
【０００９】走査中のレチクル上面の高さをレチクル変
位測定手段によつて３次元的にリアルタイムで測定し、
測定して得た第２の方向の位置情報に基づいて、レチク
ル載置手段に配されたレチクル移動手段によつてレチク
ルを第２の方向に同一高さ補正あるいはチルト補正し
て、走査のとき投影光学系とレチクルとの間隔を一定に
維持することにより、レチクルと基板とを同期して走査
中の基板に対するレチクルの変位による投影パターンの
結像不良を容易に防止することができる。
位測定手段によつて３次元的にリアルタイムで測定し、
測定して得た第２の方向の位置情報に基づいて、レチク
ル載置手段に配されたレチクル移動手段によつてレチク
ルを第２の方向に同一高さ補正あるいはチルト補正し
て、走査のとき投影光学系とレチクルとの間隔を一定に
維持することにより、レチクルと基板とを同期して走査
中の基板に対するレチクルの変位による投影パターンの
結像不良を容易に防止することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。
施例を詳述する。
【００１１】図１は全体としてスキヤン型露光装置１を
示し、走査中の基板としてのウエハ２に対する投影パタ
ーンの結像不良をレチクル載置手段としてのレチクルス
キヤンステージ系３側で防止する。
示し、走査中の基板としてのウエハ２に対する投影パタ
ーンの結像不良をレチクル載置手段としてのレチクルス
キヤンステージ系３側で防止する。
【００１２】スキヤン露光装置１は、照明光学系４より
得た光束ＬＡ１を、メインコンデンサレンズ５を介し
て、レチクルスキヤンステージ系３に保持されたレチク
ル６に照射する。スキヤン露光装置１は、レチクル６を
透過した光束ＬＡ１を、レチクルスキヤンニングステー
ジ７下のスリツト（図示せず）で整形して投影光学系レ
ンズとしての投影レンズ８に与える。スキヤン露光装置
１は、この整形した光束ＬＡ１を投影レンズ８によつ
て、ウエハステージ系９に保持されたウエハ２に投影し
て結像する。
得た光束ＬＡ１を、メインコンデンサレンズ５を介し
て、レチクルスキヤンステージ系３に保持されたレチク
ル６に照射する。スキヤン露光装置１は、レチクル６を
透過した光束ＬＡ１を、レチクルスキヤンニングステー
ジ７下のスリツト（図示せず）で整形して投影光学系レ
ンズとしての投影レンズ８に与える。スキヤン露光装置
１は、この整形した光束ＬＡ１を投影レンズ８によつ
て、ウエハステージ系９に保持されたウエハ２に投影し
て結像する。
【００１３】露光するとき、スキヤン露光装置１は、レ
チクルスキヤンニングステージ７をリニアモータ１０に
よつて図中に示した第１の方向としてのＸ方向に走査す
る。またスキヤン露光装置１は、ウエハスキヤンニング
ステージ１１をレチクルスキヤンニングステージ７と同
期してリニアモータ１２によつてＸ方向に走査する。こ
れにより、スキヤン露光装置１は、ウエハ２上に形成さ
れたパターンをウエハ２の全面に結像することができ
る。
チクルスキヤンニングステージ７をリニアモータ１０に
よつて図中に示した第１の方向としてのＸ方向に走査す
る。またスキヤン露光装置１は、ウエハスキヤンニング
ステージ１１をレチクルスキヤンニングステージ７と同
期してリニアモータ１２によつてＸ方向に走査する。こ
れにより、スキヤン露光装置１は、ウエハ２上に形成さ
れたパターンをウエハ２の全面に結像することができ
る。
【００１４】このときのレチクルスキヤンニングステー
ジ７の走査速度は、投影レンズ８の倍率が例えば×1/4
である場合、ウエハスキヤンニングステージ１１の走査
速度の４倍となる。
ジ７の走査速度は、投影レンズ８の倍率が例えば×1/4
である場合、ウエハスキヤンニングステージ１１の走査
速度の４倍となる。
【００１５】ウエハステージ系９は、ウエハスキヤンニ
ングステージ１１上にウエハステージ１３が載置されて
おり、このウエハステージ１３をＤＣモータ１４によつ
て第３の方向としてのＹ方向に移動する。ウエハ２は、
このウエハステージ１３上に載置して保持されている。
ングステージ１１上にウエハステージ１３が載置されて
おり、このウエハステージ１３をＤＣモータ１４によつ
て第３の方向としてのＹ方向に移動する。ウエハ２は、
このウエハステージ１３上に載置して保持されている。
【００１６】スキヤン露光装置１は、レチクルスキヤン
ニングステージ７上にレチクル移動手段としてのレチク
ルチルト機構１５が配設されている。図２に示すよう
に、レチクルチルト機構１５は、ピエゾ素子及びパルス
モータでなる３つの微小駆動ユニツト１６でチルトベー
ス１７の周辺の３点を支えている。レチクル６は、この
チルトベース１７上に載置して保持されている。
ニングステージ７上にレチクル移動手段としてのレチク
ルチルト機構１５が配設されている。図２に示すよう
に、レチクルチルト機構１５は、ピエゾ素子及びパルス
モータでなる３つの微小駆動ユニツト１６でチルトベー
ス１７の周辺の３点を支えている。レチクル６は、この
チルトベース１７上に載置して保持されている。
【００１７】これによりレチクルチルト機構１５は、３
つの微小駆動ユニツト１６の駆動量がそれぞれ別個に制
御されて、レチクル６の第２の方向としてのＺ方向の高
さ誤差及びＸＹ平面に対する傾斜が任意に調節される。
因みに、レチクル６は、Ｚ方向の高さ及び傾斜がレチク
ルチルト機構１５と別個の駆動系によつて粗く調整され
る。またレチクル６は、実際上、ウエハステージ系９側
を基準としてＺ方向の高さや傾斜が調節される。
つの微小駆動ユニツト１６の駆動量がそれぞれ別個に制
御されて、レチクル６の第２の方向としてのＺ方向の高
さ誤差及びＸＹ平面に対する傾斜が任意に調節される。
因みに、レチクル６は、Ｚ方向の高さ及び傾斜がレチク
ルチルト機構１５と別個の駆動系によつて粗く調整され
る。またレチクル６は、実際上、ウエハステージ系９側
を基準としてＺ方向の高さや傾斜が調節される。
【００１８】レチクルチルト機構１５は、発光部１８及
び受光部１９でなるレチクル変位測定手段としてのレチ
クル変位計測系によつてレチクル６のＺ方向の変位を計
測する。すなわち、図３に示すように、レチクル変位計
測系は、発光部１８の光源としての発光ダイオード２０
より光束ＬＡ２をレチクル６の斜め上方より鋭角でレチ
クル６上面に照射する。レチクル変位計測系は、レチク
ル６上面で反射された光束ＬＡ２をレチクル６上方の受
光部１９の光学系（図示せず）に入射し、光束ＬＡ２の
位置の変位を拡大してポジシヨンセンシテイブデバイス
（以下、ＰＳＤという）２１で受光する。
び受光部１９でなるレチクル変位測定手段としてのレチ
クル変位計測系によつてレチクル６のＺ方向の変位を計
測する。すなわち、図３に示すように、レチクル変位計
測系は、発光部１８の光源としての発光ダイオード２０
より光束ＬＡ２をレチクル６の斜め上方より鋭角でレチ
クル６上面に照射する。レチクル変位計測系は、レチク
ル６上面で反射された光束ＬＡ２をレチクル６上方の受
光部１９の光学系（図示せず）に入射し、光束ＬＡ２の
位置の変位を拡大してポジシヨンセンシテイブデバイス
（以下、ＰＳＤという）２１で受光する。
【００１９】発光部１８は、複数の発光ダイオード２０
がＹ方向に配列されている。また受光部１９は、複数の
発光ダイオード２０にそれぞれ対応した複数のＰＳＤ２
１がＹ方向に配列されている。これにより、レチクル変
位計測系は、レチクルスキヤンニングステージ７を走査
するときのスリツト２２上に到達したレチクル６上面の
Ｚ方向（チルト）の変位を３次元的に計測することがで
きる。
がＹ方向に配列されている。また受光部１９は、複数の
発光ダイオード２０にそれぞれ対応した複数のＰＳＤ２
１がＹ方向に配列されている。これにより、レチクル変
位計測系は、レチクルスキヤンニングステージ７を走査
するときのスリツト２２上に到達したレチクル６上面の
Ｚ方向（チルト）の変位を３次元的に計測することがで
きる。
【００２０】発光部１８は、少なくとも３列のダイオー
ドアレイ２３〜２５が走査方向（Ｘ方向）に沿つて配置
されている。また受光部１９は、ダイオードアレイ２３
〜２５にそれぞれ対応した少なくとも３列のＰＳＤアレ
イ２６〜２８がＸ方向に沿つて配置されている。これに
より、レチクル変位計測系は、スリツト２２上に到達す
る前のレチクル６上面のＺ方向の高さを走査の往復でそ
れぞれ計測することができる。従つて、スキヤン型露光
装置１は、レチクル変位計測系より測定結果としての高
さ情報をリアルタイムで得て、計測した部分がスリツト
２２に到達するまでにレチクル６上面のこの計測した部
分のＺ方向（チルト）の変位を補正することができる。
ドアレイ２３〜２５が走査方向（Ｘ方向）に沿つて配置
されている。また受光部１９は、ダイオードアレイ２３
〜２５にそれぞれ対応した少なくとも３列のＰＳＤアレ
イ２６〜２８がＸ方向に沿つて配置されている。これに
より、レチクル変位計測系は、スリツト２２上に到達す
る前のレチクル６上面のＺ方向の高さを走査の往復でそ
れぞれ計測することができる。従つて、スキヤン型露光
装置１は、レチクル変位計測系より測定結果としての高
さ情報をリアルタイムで得て、計測した部分がスリツト
２２に到達するまでにレチクル６上面のこの計測した部
分のＺ方向（チルト）の変位を補正することができる。
【００２１】因みに、レチクルスキヤンステージ系３
は、レチクル６のＸ方向の位置と、Ｙ方向の位置及びＸ
Ｙ面内の傾きとをそれぞれレチクル干渉計２９及び３０
によつて計測する。またレチクルスキヤンステージ系３
は、レチクル６の位置をレチクル微動ユニツト３１によ
つてＹ方向に微調整する。ウエハステージ系９は、ウエ
ハ２のＸ方向の位置と、Ｙ方向の位置とをそれぞれウエ
ハ干渉計３２及び３３によつて計測する。またウエハス
テージ系９は、ウエハ２のＸＹ面内の傾きをθ補正ユニ
ツト３４によつて補正する。さらにウエハステージ系９
は、自動焦点及びアライメント検出光学系３５の検出結
果に基づいて、自動焦点及びアライメント補正ユニツト
３６によつて焦点位置及びアライメントを調節する。
は、レチクル６のＸ方向の位置と、Ｙ方向の位置及びＸ
Ｙ面内の傾きとをそれぞれレチクル干渉計２９及び３０
によつて計測する。またレチクルスキヤンステージ系３
は、レチクル６の位置をレチクル微動ユニツト３１によ
つてＹ方向に微調整する。ウエハステージ系９は、ウエ
ハ２のＸ方向の位置と、Ｙ方向の位置とをそれぞれウエ
ハ干渉計３２及び３３によつて計測する。またウエハス
テージ系９は、ウエハ２のＸＹ面内の傾きをθ補正ユニ
ツト３４によつて補正する。さらにウエハステージ系９
は、自動焦点及びアライメント検出光学系３５の検出結
果に基づいて、自動焦点及びアライメント補正ユニツト
３６によつて焦点位置及びアライメントを調節する。
【００２２】以上の構成において、図４に示すように、
走査中にレチクル６上面の高さが変位した場合を考え
る。この場合、光束ＬＡ２の反射位置はレチクル６上面
の高さに応じて変位する。これにより、受光部１９の光
学系３７に対する光束ＬＡ２の入射位置は、レチクル６
上面の高さに応じてＰＳＤ２１の受光面内方向に変位す
る。従つて、レチクル変位計測系は、光学系３７に対す
る光束ＬＡ２の入射位置をＰＳＤ２１で検出して、レチ
クル６上面の高さを計測することができる。
走査中にレチクル６上面の高さが変位した場合を考え
る。この場合、光束ＬＡ２の反射位置はレチクル６上面
の高さに応じて変位する。これにより、受光部１９の光
学系３７に対する光束ＬＡ２の入射位置は、レチクル６
上面の高さに応じてＰＳＤ２１の受光面内方向に変位す
る。従つて、レチクル変位計測系は、光学系３７に対す
る光束ＬＡ２の入射位置をＰＳＤ２１で検出して、レチ
クル６上面の高さを計測することができる。
【００２３】例えば、レチクル６上面高さがＲ１からＲ
２に変化したときのＺ方向の変化量ｄ〔μm 〕は、ＰＳ
Ｄ２１面内方向の変位をＤ〔μm 〕とし、光学系３７の
倍率をβとし、光束ＬＡ２の入射角をθとして、ｄ≒Ｄ
／（２β cosθ）〔μm 〕で求められる。
２に変化したときのＺ方向の変化量ｄ〔μm 〕は、ＰＳ
Ｄ２１面内方向の変位をＤ〔μm 〕とし、光学系３７の
倍率をβとし、光束ＬＡ２の入射角をθとして、ｄ≒Ｄ
／（２β cosθ）〔μm 〕で求められる。
【００２４】このようにして、スキヤン型露光装置１
は、レチクル変位計測系によつて得たレチクル６上面の
Ｚ方向の位置情報に基づいて、走査中のレチクル６上面
のＺ方向の位置をレチクルチルト機構１５によつてＺ方
向に同一高さ補正、あるいはチルト補正する。これによ
り、スキヤン型露光装置１は、走査中に投影レンズ８と
レチクル６との間隔がレチクル６のたわみやうねりによ
り変動することを防止して、投影レンズ８とレチクル６
との間隔を一定に維持することができる。従つて、スキ
ヤン型露光装置１は、走査中のレチクル６のたわみやう
ねりによるフオーカスマージン不足を未然に防止して、
パターンを常に投影光学系８のフオーカスマージン内で
良好に結像することができる。
は、レチクル変位計測系によつて得たレチクル６上面の
Ｚ方向の位置情報に基づいて、走査中のレチクル６上面
のＺ方向の位置をレチクルチルト機構１５によつてＺ方
向に同一高さ補正、あるいはチルト補正する。これによ
り、スキヤン型露光装置１は、走査中に投影レンズ８と
レチクル６との間隔がレチクル６のたわみやうねりによ
り変動することを防止して、投影レンズ８とレチクル６
との間隔を一定に維持することができる。従つて、スキ
ヤン型露光装置１は、走査中のレチクル６のたわみやう
ねりによるフオーカスマージン不足を未然に防止して、
パターンを常に投影光学系８のフオーカスマージン内で
良好に結像することができる。
【００２５】以上の構成によれば、走査中のレチクル６
上面の高さをレチクル変位計測系によつて３次元的にリ
アルタイムで計測し、計測して得たＺ方向の位置情報に
基づいて、レチクルスキヤンステージ系３に配したレチ
クルチルト機構１５によつてレチクル６をＺ方向に同一
高さ補正あるいはチルト補正して、走査のとき投影レン
ズ８とレチクル６との間隔を一定に維持することによ
り、レチクルと基板とを同期して走査中の基板に対する
レチクル６のたわみやうねりによる投影パターンの結像
不良を容易に防止することができる。また走査中のレチ
クルスキヤンステージ系３自身のＺ方向の変位によるレ
チクル６のＺ方向の変位を補正することができる。さら
にレチクル６のパターンを縮小投影していることによ
り、ウエハステージ系９側でＺ方向に補正する場合に比
して、補正の精度を一段下げることができる。
上面の高さをレチクル変位計測系によつて３次元的にリ
アルタイムで計測し、計測して得たＺ方向の位置情報に
基づいて、レチクルスキヤンステージ系３に配したレチ
クルチルト機構１５によつてレチクル６をＺ方向に同一
高さ補正あるいはチルト補正して、走査のとき投影レン
ズ８とレチクル６との間隔を一定に維持することによ
り、レチクルと基板とを同期して走査中の基板に対する
レチクル６のたわみやうねりによる投影パターンの結像
不良を容易に防止することができる。また走査中のレチ
クルスキヤンステージ系３自身のＺ方向の変位によるレ
チクル６のＺ方向の変位を補正することができる。さら
にレチクル６のパターンを縮小投影していることによ
り、ウエハステージ系９側でＺ方向に補正する場合に比
して、補正の精度を一段下げることができる。
【００２６】なお上述の実施例においては、３つの微小
駆動ユニツト１６でチルトベース１７の周辺の３点を支
える場合について述べたが、本発明はこれに限らず、４
つ以上の微小駆動ユニツト１６で支えても良い。
駆動ユニツト１６でチルトベース１７の周辺の３点を支
える場合について述べたが、本発明はこれに限らず、４
つ以上の微小駆動ユニツト１６で支えても良い。
【００２７】また上述の実施例においては、複数の発光
ダイオードより射出した光束ＬＡ２によつてレチクル６
の変位を測定する場合について述べたが、本発明はこれ
に限らず、レーザ光束をレチクル表面で走査する等、任
意の方法でレチクルの変位を測定する場合にも適用でき
る。
ダイオードより射出した光束ＬＡ２によつてレチクル６
の変位を測定する場合について述べたが、本発明はこれ
に限らず、レーザ光束をレチクル表面で走査する等、任
意の方法でレチクルの変位を測定する場合にも適用でき
る。
【００２８】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、走査中の
レチクル上面の高さをレチクル変位測定手段によつて３
次元的にリアルタイムで測定し、測定して得た第２の方
向の位置情報に基づいて、レチクル載置手段に配された
レチクル移動手段によつてレチクルを第２の方向に同一
高さ補正あるいはチルト補正して、走査のとき投影光学
系とレチクルとの間隔を一定に維持することにより、レ
チクルと基板とを同期して走査中の基板に対するレチク
ルの変位による投影パターンの結像不良を容易に防止し
得る走査型露光装置を実現できる。
レチクル上面の高さをレチクル変位測定手段によつて３
次元的にリアルタイムで測定し、測定して得た第２の方
向の位置情報に基づいて、レチクル載置手段に配された
レチクル移動手段によつてレチクルを第２の方向に同一
高さ補正あるいはチルト補正して、走査のとき投影光学
系とレチクルとの間隔を一定に維持することにより、レ
チクルと基板とを同期して走査中の基板に対するレチク
ルの変位による投影パターンの結像不良を容易に防止し
得る走査型露光装置を実現できる。
【図１】本発明による走査型露光装置の一実施例による
スキヤン型露光装置を示す斜視図である。
スキヤン型露光装置を示す斜視図である。
【図２】レチクルチルト機構及びレチクル変位計測系を
示す略線的斜視図である。
示す略線的斜視図である。
【図３】レチクル変位計測系の構成の説明に供する略線
的平面図及び正面図である。
的平面図及び正面図である。
【図４】レチクル変位検出原理の説明に供する略線図で
ある。
ある。
１……スキヤン型露光装置、２……ウエハ、３……レチ
クルスキヤンステージ系、４……照明光学系、５……メ
インコンデンサレンズ、６……レチクル、７……レチク
ルスキヤンニングステージ、８……投影レンズ、９……
ウエハステージ系、１０、１２……リニアモータ、１１
……ウエハスキヤンニングステージ、１３……ウエハス
テージ、１４……ＤＣモータ、１５……レチクルチルト
機構、１６……微小駆動ユニツト、１７……チルトベー
ス、１８……発光部、１９……受光部、２０……発光ダ
イオード、２１……ポジシヨンセンシテイブデバイス、
２２……スリツト、２３〜２５……ダイオードアレイ、
２６〜２８……ＰＳＤアレイ、２９、３０……レチクル
干渉計、３１……レチクル微動ユニツト、３２、３３…
…ウエハ干渉計、３４……θ補正ユニツト、３５……自
動焦点及びアライメント検出光学系、３６……自動焦点
及びアライメント補正ユニツト、３７……光学系、３８
……レチクル顕微鏡、３９……オフアクシスアライメン
ト顕微鏡、４０……Ｖ−Ｆガイド。
クルスキヤンステージ系、４……照明光学系、５……メ
インコンデンサレンズ、６……レチクル、７……レチク
ルスキヤンニングステージ、８……投影レンズ、９……
ウエハステージ系、１０、１２……リニアモータ、１１
……ウエハスキヤンニングステージ、１３……ウエハス
テージ、１４……ＤＣモータ、１５……レチクルチルト
機構、１６……微小駆動ユニツト、１７……チルトベー
ス、１８……発光部、１９……受光部、２０……発光ダ
イオード、２１……ポジシヨンセンシテイブデバイス、
２２……スリツト、２３〜２５……ダイオードアレイ、
２６〜２８……ＰＳＤアレイ、２９、３０……レチクル
干渉計、３１……レチクル微動ユニツト、３２、３３…
…ウエハ干渉計、３４……θ補正ユニツト、３５……自
動焦点及びアライメント検出光学系、３６……自動焦点
及びアライメント補正ユニツト、３７……光学系、３８
……レチクル顕微鏡、３９……オフアクシスアライメン
ト顕微鏡、４０……Ｖ−Ｆガイド。
Claims (5)
- 【請求項１】パターンが形成されたレチクルを載置する
レチクル載置手段と、上記レチクルを照明して得た光束
を基板に投影する投影光学系と、上記基板を載置する基
板載置手段とを有し、上記レチクル載置手段と上記基板
載置手段とを同期して上記投影光学系に対して相対的に
第１の方向に走査して上記パターンを上記基板面上に露
光する走査型露光装置において、 上記走査のときの、上記基板の面内方向と直交する第２
の方向に沿つた上記レチクルの変位を測定するレチクル
変位測定手段と、 上記レチクル載置手段に配され、上記測定結果に基づい
て、上記レチクルを上記第２の方向に沿つて移動させ
る、及び又は上記基板の面内方向に対して傾斜させるレ
チクル移動手段とを具え、上記走査のとき上記投影光学
系と上記レチクルとの間隔を一定に維持することを特徴
とする走査型露光装置。 - 【請求項２】上記レチクルを照明して得た光束をスリツ
トで整形し、当該整形した光束を上記基板に投影するこ
とを特徴とする請求項１に記載の走査型露光装置。 - 【請求項３】上記レチクル変位測定手段は、 光束を上記レチクル表面に射出する光源と、 上記レチクル表面の上記変位に応じた位置で反射された
上記光束を受光する受光素子とを有することを特徴とす
る請求項１に記載の走査型露光装置。 - 【請求項４】複数の上記光源を上記基板の面内方向で上
記第１の方向と直交する第３の方向に沿つて配列し、 複数の上記受光素子を上記第３の方向に沿つて配列する
ことを特徴とする請求項３に記載の走査型露光装置。 - 【請求項５】上記第３の方向に沿つて配列した複数の上
記光源でなる光源列を上記第１の方向に沿つて複数列配
置し、 上記第３の方向に沿つて配列した複数の上記受光素子で
なる受光素子列を上記第１の方向に沿つて複数列配置す
ることを特徴とする請求項４に記載の走査型露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8121069A JPH09283436A (ja) | 1996-04-18 | 1996-04-18 | 走査型露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8121069A JPH09283436A (ja) | 1996-04-18 | 1996-04-18 | 走査型露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283436A true JPH09283436A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=14802077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8121069A Pending JPH09283436A (ja) | 1996-04-18 | 1996-04-18 | 走査型露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09283436A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008199034A (ja) * | 1999-03-08 | 2008-08-28 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ投影装置のオフアクシスレベリング |
| JP2010123950A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、ならびに基板非平坦性を補償する方法、パターニングデバイス非平坦性の影響を求める方法、およびパターニングデバイスへの熱負荷の影響を求める方法 |
| JP5734860B2 (ja) * | 2009-09-28 | 2015-06-17 | 京セラ株式会社 | 構造体およびその製造方法 |
-
1996
- 1996-04-18 JP JP8121069A patent/JPH09283436A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008199034A (ja) * | 1999-03-08 | 2008-08-28 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ投影装置のオフアクシスレベリング |
| JP2010123950A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、ならびに基板非平坦性を補償する方法、パターニングデバイス非平坦性の影響を求める方法、およびパターニングデバイスへの熱負荷の影響を求める方法 |
| US8345265B2 (en) | 2008-11-21 | 2013-01-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and methods for compensating substrate unflatness, determining the effect of patterning device unflatness, and determining the effect of thermal loads on a patterning device |
| JP5734860B2 (ja) * | 2009-09-28 | 2015-06-17 | 京セラ株式会社 | 構造体およびその製造方法 |
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