JPH09269590A - Photomask and production of photomask - Google Patents
Photomask and production of photomaskInfo
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- JPH09269590A JPH09269590A JP7721796A JP7721796A JPH09269590A JP H09269590 A JPH09269590 A JP H09269590A JP 7721796 A JP7721796 A JP 7721796A JP 7721796 A JP7721796 A JP 7721796A JP H09269590 A JPH09269590 A JP H09269590A
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- phase shift
- phase
- light
- shift shifter
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Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はフォトマスク及びフ
ォトマスクの製造方法に係り、特に半導体集積回路の製
造工程で回路パターンの転写に利用されるフォトマスク
及びフォトマスクの製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photomask and a photomask manufacturing method, and more particularly to a photomask and a photomask manufacturing method used for transferring a circuit pattern in a semiconductor integrated circuit manufacturing process.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置の製造においては、ウェハー
上に塗布されたフォトレジストを、石英ガラス基板上に
クロム（Ｃｒ）などの遮光膜でパターニングされたフォ
トマスクを用い、縮小投影露光を行いレジストパターン
形成を行っている。ここで用いられるフォトマスクは、
完全な遮光膜と透過部を有したマスクが一般に用いられ
ているが、露光に用いる光源の波長と同等以下の設計寸
法が要求される近年の大規模集積回路（ＬＳＩ）の製造
においては、マスクの透過部を通過した光が回折し、干
渉し合うことによって光強度プロファイルが広がりをも
って転写パターンが正確に得られないため、上記の微細
パターンのＬＳＩ製造においては、隣り合う開口の片側
一方に、光の位相を反転させる位相シフタを用い、隣り
合う開口を透過した光が回折して干渉し合う際に境界部
の光強度を零とし、隣り合う転写パターンを分離解像で
きるようにした位相シフト技術が提案されている（例え
ば特開昭５８−１７３７４４号公報、特公昭６２−５０
８１１号公報）。2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor devices, a photoresist applied on a wafer is subjected to reduction projection exposure using a photomask patterned on a quartz glass substrate with a light-shielding film such as chromium (Cr). The pattern is being formed. The photomask used here is
A mask having a complete light-shielding film and a transparent portion is generally used. However, in the manufacture of large-scale integrated circuits (LSI) in recent years, which requires a design dimension equal to or less than the wavelength of a light source used for exposure, the mask is used. Since the light passing through the transmission part of is diffracted and interferes with each other, the light intensity profile spreads and a transfer pattern cannot be accurately obtained. Therefore, in the above-described fine pattern LSI manufacturing, one side of the adjacent openings is A phase shifter that uses a phase shifter that inverts the phase of light so that when the light transmitted through adjacent apertures diffracts and interferes with each other, the light intensity at the boundary is set to zero, and adjacent transfer patterns can be separated and resolved. Techniques have been proposed (for example, JP-A-58-173744 and JP-B-62-50).
811).
【０００３】この位相シフト技術で最も注目されている
手法として、ホールパターンに効果の大きいハーフトー
ン位相シフトマスクが、特開平４−１３６８５４号公報
などに開示されている。このハーフトーン位相シフトマ
スクは、通常用いられるフォトマスクの遮光部を半透明
として、上記半透明膜を透過する光と、ホール開口部な
どの透明部を透過する光の位相を反転させている。すな
わち、半透明膜から透過する光量を、転写するレジスト
感度以下とし、この光と開口部を透過した光の位相が反
転していることから、境界部の光強度が零に近くなり、
これによりフォトレジスト上に形成される光学像のコン
トラストが高くなり、良好なホールパターン形成が可能
になる。As a method which has received the most attention in this phase shift technique, a halftone phase shift mask having a great effect on a hole pattern is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-136854. In this halftone phase shift mask, the light-shielding portion of a commonly used photomask is made semitransparent, and the phase of light transmitted through the semitransparent film and light transmitted through transparent portions such as hole openings are inverted. That is, the amount of light transmitted from the semitransparent film is set to be equal to or lower than the resist sensitivity for transfer, and since the phase of this light and the light transmitted through the opening are inverted, the light intensity at the boundary becomes close to zero,
As a result, the contrast of the optical image formed on the photoresist is increased, and a good hole pattern can be formed.
【０００４】図５（ａ）はハーフトーン位相シフトマス
クの断面構造図を示す。このハーフトーン位相シフトマ
スクは、石英などのガラス基板１０の表面に半透明のハ
ーフトーン位相シフトシフタ２０を開口部３０を除いた
部分に積層した構造である。半透明膜は一般に単層構造
であるが、クロム（Ｃｒ）と二酸化シリコン（ＳｉＯ2
）などからなる２層構造、さらには３層構造などが用
いられる場合もある。ここでは、従来より用いられてい
る通常のフォトマスクと工程数が同様な、単層構造をハ
ーフトーン位相シフトシフタ２０として用いている。FIG. 5 (a) shows a sectional structure view of a halftone phase shift mask. This halftone phase shift mask has a structure in which a semitransparent halftone phase shift shifter 20 is laminated on the surface of a glass substrate 10 made of quartz or the like except the opening 30. The semi-transparent film generally has a single-layer structure, but chromium (Cr) and silicon dioxide (SiO2) are used.
In some cases, a two-layer structure composed of (1) or the like, or a three-layer structure may be used. Here, a single-layer structure having the same number of steps as a conventional photomask used conventionally is used as the halftone phase shift shifter 20.
【０００５】図５（ｂ）は上述のハーフトーン位相シフ
トマスクを透過した光の振幅を示しており、開口部３０
を透過した光は正の振幅４０を有しているが、ハーフト
ーン位相シフトシフタ２０を透過した光は負の振幅５１
を有している。このように、開口部３０を透過した光の
振幅４０と、半透明膜のハーフトーン位相シフトシフタ
２０を透過した光の振幅５１の境界部で、お互いの位相
が反転していることにより、振幅が打ち消し合うため、
メインローブのプロファイルはよりシャープとなり、高
コントラストが得られる。FIG. 5B shows the amplitude of light transmitted through the above-mentioned halftone phase shift mask, and the opening 30
The light transmitted through the halftone phase shift shifter 20 has a positive amplitude 40, while the light transmitted through the halftone phase shift shifter 20 has a negative amplitude 51.
have. In this way, the amplitudes of the light transmitted through the opening 30 and the amplitude 51 of the light transmitted through the halftone phase shift shifter 20 of the semitransparent film are mutually inverted at the boundary, so that the amplitude is Because they cancel each other out,
The profile of the main lobe becomes sharper and high contrast is obtained.
【０００６】光強度分布は振幅の絶対値の２乗で表せる
ため、このときの光強度分布特性は図５（ｃ）のように
なる。ここで、パターン形成を行う光の光強度は６０で
表され、便宜上メインローブとする。しかし、この従来
のハーフトーン位相シフトマスクでは、図５（ｃ）に示
すように、メインローブ６０の周囲にリング上のサイド
ローブ７０が大きく発生する。このマスクを用いて露光
を行う際には、このサイドローブ７０が転写されないよ
うに、露光量の調整やマスクバイアスの付加を行ってい
るが、特にホールとスペースの比が密に近接してくる
と、図５（ｃ）に点線で示す重なり合ったサイドローブ
７１により、不良解像がより発生し易くなる。Since the light intensity distribution can be represented by the square of the absolute value of the amplitude, the light intensity distribution characteristic at this time is as shown in FIG. 5 (c). Here, the light intensity of the light for forming the pattern is represented by 60, and is referred to as a main lobe for convenience. However, in this conventional halftone phase shift mask, as shown in FIG. 5C, a large side lobe 70 on the ring is generated around the main lobe 60. When exposure is performed using this mask, the exposure amount is adjusted and a mask bias is added so that the side lobes 70 are not transferred. In particular, the ratio of holes to spaces becomes close to each other. Then, due to the overlapping side lobes 71 shown by the dotted line in FIG. 5C, defective resolution is more likely to occur.
【０００７】図６はＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８
ｎｍ）露光において、レンズ開口数ＮＡを０．６、コヒ
ーレンス因子σが０．３（円形照明）、ホール／スペー
ス比１：２、ハーフトーン位相シフタの透過率Ｔ＝８％
を条件とし、□０．２５μｍを解像させたときの光強度
シミュレーション結果を示す。この図からわかるよう
に、ホールとホールの中間で生じているサイドローブピ
ークが、隣接するパターンとの重なりにより大きくなっ
ている。FIG. 6 shows a KrF excimer laser (wavelength 248
nm), the numerical aperture NA is 0.6, the coherence factor σ is 0.3 (circular illumination), the hole / space ratio is 1: 2, and the transmittance T of the halftone phase shifter is T = 8%.
Under the condition, the light intensity simulation result when □ 0.25 μm is resolved is shown. As can be seen from this figure, the side lobe peak generated between holes is large due to the overlap with the adjacent pattern.
【０００８】また、従来のハーフトーン位相シフトマス
クにおいては、ハーフトーン位相シフトシフタ２０を透
過する光量を増加させることで、より一層のプロセス裕
度向上効果が得られるが、上記サイドローブ７１の影響
でハーフトーン位相シフタ層の透過率を制限せざるを得
ない状況である。このため、位相シフトとしての十分な
効果を発揮していない。従って、メインローブ周辺に形
成されるサイドローブを小さく抑えることで、より一層
のプロセス裕度が得られる。 ハーフトーン位相シフト
マスクは、以上のような特徴を有しているが、更にマス
クの製造工程が既存のフォトマスクと同様であり、位相
シフトの実用化に問題となるシフタ自動配置の問題が生
じないという特徴がある。Further, in the conventional halftone phase shift mask, by increasing the amount of light transmitted through the halftone phase shift shifter 20, a further process margin improving effect can be obtained. In this situation, the transmittance of the halftone phase shifter layer must be limited. Therefore, it does not exhibit a sufficient effect as a phase shift. Therefore, by suppressing the side lobes formed around the main lobe to be small, a further process margin can be obtained. The halftone phase shift mask has the above features, but the mask manufacturing process is similar to that of existing photomasks, and the problem of automatic shifter placement occurs, which poses a problem for practical phase shift. There is a feature that there is no.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】上記のハーフトーン位
相シフトマスクにより投影される光学像は、半透明膜で
あるハーフトーン位相シフトシフタ２０の透過率を、よ
り高く設定することにより、パターンの光強度プロファ
イルがシャープになり焦点深度が大きく拡大する。しか
し、図５（ｃ）に７０で示したようなパターン周辺部に
サイドローブが存在し、このサイドローブ光強度が前記
重なり合ったサイドローブ７１などにより露光しきい値
以上となる場合、レジストに不必要なパターンや膜べり
が形成され、デバイスに支障をきたしていた。また、図
６に示したように、サイドロープピークが隣接するパタ
ーンとの重なりにより大きくなっており、これが主に不
必要パターンを解像する。この問題はパターン間隔が密
に配置された開口部ではより顕著となり、これはすなわ
ち隣り合う開口部のサイドローブがお互いに重なり合
い、増長されていることにほかならない。The optical image projected by the above-mentioned halftone phase shift mask is set by setting the transmittance of the halftone phase shift shifter 20, which is a semitransparent film, to be higher so that the light intensity of the pattern is increased. The profile becomes sharp and the depth of focus greatly expands. However, if there is a side lobe in the peripheral portion of the pattern as shown by 70 in FIG. 5C, and if the side lobe light intensity exceeds the exposure threshold due to the overlapping side lobes 71 and the like, the resist is unsuitable. Necessary patterns and film slips were formed, which hindered the device. Further, as shown in FIG. 6, the side rope peak is increased due to the overlap with the adjacent pattern, which mainly resolves the unnecessary pattern. This problem becomes more remarkable in the openings in which the pattern intervals are closely arranged, that is, the side lobes of the adjacent openings overlap each other and are increased.
【００１０】このため、従来は半透明膜であるハーフト
ーン位相シフトシフタ２０を透過する光に制約を与えざ
るを得なく、一般に５％〜１０％の透過率が最適とされ
て用いられている。For this reason, conventionally, there is no choice but to limit the light transmitted through the halftone phase shift shifter 20 which is a semi-transparent film, and a transmittance of 5% to 10% is generally considered to be optimum.
【００１１】本発明は以上の点に鑑みなされたもので、
発生するサイドローブによる不必要なパターン、膜べり
を抑制できるフォトマスク及びフォトマスクの製造方法
を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above points,
An object of the present invention is to provide a photomask capable of suppressing unnecessary patterns and film slippage due to side lobes that occur and a method for manufacturing a photomask.
【００１２】また、本発明の他の目的は、半透明膜の透
過率の許容値を増加させることにより、半透明位相シフ
トの効果をより発揮できるフォトマスク及びフォトマス
クの製造方法を提供することにある。Another object of the present invention is to provide a photomask and a method for manufacturing the photomask which can further exhibit the effect of the semitransparent phase shift by increasing the allowable value of the transmissivity of the semitransparent film. It is in.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明のフォトマスクは、入射される露光光に対し
て透明な第１及び第２の領域と、半透明な第３及び第４
の領域を少なくとも有し、第１及び第２の領域を透過し
た光の位相差は互いにほぼ１８０°、第１及び第３の領
域を透過した光の位相差は互いにほぼ１８０°、第１及
び第４の領域を透過した光の位相差は互いにほぼ０°で
あり、第１乃至第４の領域を透過した光を用いて投影露
光を行う構成としたものである。To achieve the above object, the photomask of the present invention comprises first and second regions transparent to incident exposure light, and semitransparent third and third regions. Four
, The phase difference of the light transmitted through the first and second regions is approximately 180 °, the phase difference of the light transmitted through the first and third regions is approximately 180 °, the first and The phase difference between the lights transmitted through the fourth region is approximately 0 °, and the projection exposure is performed using the lights transmitted through the first to fourth regions.
【００１４】具体的には、本発明のフォトマスクは、透
明基板上の所望位置に透過光の位相をほぼ１８０°ずら
す半透明膜で形成されたパターンの第１の位相シフトシ
フタと、透明基板上と第１の位相シフトシフタ上の所望
位置に透過光の位相をほぼ１８０°ずらす透明膜で形成
されたパターンの第２の位相シフトシフタとを有する構
成、あるいは、透過光の位相が互いにほぼ１８０°ずれ
るように第１の厚さと第２の厚さの段差が形成された透
明基板と、第１の厚さの部分及び第２の厚さの部分の透
明基板上のそれぞれの所望位置に透過光の位相をほぼ１
８０°ずらす半透明膜で形成されたパターンの位相シフ
トシフタとを有する構成としたものである。Specifically, the photomask of the present invention comprises a first phase shift shifter having a pattern formed of a semitransparent film that shifts the phase of transmitted light by about 180 ° at a desired position on the transparent substrate, and a transparent substrate. And a second phase shift shifter having a pattern formed of a transparent film that shifts the phase of transmitted light by about 180 ° at a desired position on the first phase shift shifter, or the phases of transmitted light are shifted by about 180 ° from each other. As described above, the transparent substrate on which the step between the first thickness and the second thickness is formed, and the transmitted light is transmitted to the respective desired positions on the transparent substrate of the first thickness portion and the second thickness portion. Phase almost 1
It is configured to have a phase shift shifter having a pattern formed of a semitransparent film that is shifted by 80 °.
【００１５】また、本発明のフォトマスクの製造方法
は、上記の目的を達成するため、透明基板上の所望位置
に透過光の位相をほぼ１８０°ずらす半透明膜を第１の
位相シフトシフタとして形成しパターニングする第１の
工程と、透明基板上と第１の位相シフトシフタ上の所望
位置に透過光の位相をほぼ１８０°ずらす透明膜を第２
の位相シフトシフタとして形成しパターニングする第２
の工程とを含む。あるいは、透明基板に対し透過光の位
相が互いにほぼ１８０°ずれるように第１の厚さと第２
の厚さの段差を形成しパターニングする第１の工程と、
第１の厚さの部分及び第２の厚さの部分の透明基板上の
それぞれの所望位置に透過光の位相をほぼ１８０°ずら
す半透明膜を位相シフトシフタとして形成しパターニン
グする第２の工程とを含むことを特徴とする。Further, in order to achieve the above-mentioned object, the photomask manufacturing method of the present invention forms a semitransparent film as a first phase shift shifter at a desired position on a transparent substrate for shifting the phase of transmitted light by approximately 180 °. Then, the first step of patterning and the second step of forming the transparent film on the transparent substrate and the desired position on the first phase shift shifter for shifting the phase of transmitted light by about 180 °
Second patterning shifter formed and patterned
And the process of. Alternatively, the first thickness and the second thickness may be set so that the phases of the transmitted light are shifted from each other by approximately 180 ° with respect to the transparent substrate.
A first step of forming and patterning a step having a thickness of
A second step of forming and patterning a semitransparent film as a phase shift shifter that shifts the phase of transmitted light by approximately 180 ° at desired positions on the transparent substrate in the first thickness portion and the second thickness portion, respectively. It is characterized by including.
【００１６】上記の本発明のフォトマスク及びその製造
方法では、フォトマスクは透過光の位相と透過率の組み
合わせが少なくとも４種類の領域を有し、隣り合う開口
部を構成する透明な第１及び第２の領域を透過する露光
光の振幅が反転し、第１及び第２の領域を透過したそれ
ぞれの露光光のサイドローブに対しても位相が同様に反
転するため、これらの露光光のサイドローブの重なりが
生じても互いに打ち消し合うようにできる。In the above-described photomask of the present invention and the method of manufacturing the same, the photomask has regions having at least four types of combinations of the phase and the transmittance of transmitted light, and the transparent first and second regions forming the adjacent openings. The amplitude of the exposure light transmitted through the second region is inverted, and the phase is similarly inverted for the side lobes of the exposure light transmitted through the first and second regions. Even if lobes overlap, they can cancel each other out.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て説明する。図１（ａ）は本発明になる位相フォトマス
クの第１の実施の形態の断面構造図を示す。この位相フ
ォトマスクは透明基板であるガラス基板１０の上層の開
口部３０を除く部分に、透過光の位相を１８０°ずらす
半透明位相シフトシフタ２０が形成されている点は従来
と同様であるが、この実施の形態では更に隣接する開口
部３０の一方とその両側の半透明位相シフトシフタ２０
の一部の上に透過光位相をおよそ１８０°ずらす透明位
相シフトシフタ２１を形成しパターニングした点に特徴
がある。Next, an embodiment of the present invention will be described. FIG. 1A shows a sectional structure view of a first embodiment of a phase photomask according to the present invention. This phase photomask is similar to the conventional one in that a semitransparent phase shift shifter 20 for shifting the phase of transmitted light by 180 ° is formed in a portion excluding the opening 30 in the upper layer of the glass substrate 10 which is a transparent substrate. In this embodiment, one of the adjacent openings 30 and the semitransparent phase shift shifters 20 on both sides thereof are further adjacent to each other.
It is characterized in that a transparent phase shift shifter 21 for shifting the transmitted light phase by about 180 ° is formed on a part of the above and patterned.
【００１８】半透明位相シフトシフタ２０は酸化クロム
により構成されているが、珪素、カルシウム、リチウ
ム、マグネシウム、ハフニウム、タンタル、ジルコニウ
ム、クロム、チタン、モリブデン、タングステン、アル
ミニウム、ニッケル、錫などとの、酸化又はフッ化ある
いは窒化あるいは塩化化合物からなる半透明膜を、スピ
ンコート又はスパッタリングあるいは気相成長あるいは
蒸着あるいはメッキなどにより形成されたものを用いて
も同様の効果を得ることができる。The semitransparent phase shift shifter 20 is composed of chromium oxide, but is oxidized with silicon, calcium, lithium, magnesium, hafnium, tantalum, zirconium, chromium, titanium, molybdenum, tungsten, aluminum, nickel, tin, etc. Alternatively, the same effect can be obtained by using a semi-transparent film formed of a fluorinated, nitrided or chlorinated compound by spin coating, sputtering, vapor phase growth, vapor deposition, plating or the like.
【００１９】また、開口部３０上の片側にのみ設けられ
た透明位相シフトシフタ２１は開口部３１を新たに形成
しており、開口部３１の両側部分には半透明位相シフト
シフタ２０と透明位相シフトシフタ２１の重なりあった
領域３２が設けられている。The transparent phase shift shifter 21 provided only on one side of the opening 30 has an opening 31 newly formed, and the translucent phase shift shifter 20 and the transparent phase shift shifter 21 are formed on both sides of the opening 31. An overlapping area 32 is provided.
【００２０】これにより、この実施の形態の位相シフト
マスクは、ガラス基板１０のみからなる開口部３０によ
る第１の領域と、ガラス基板１０とその上の透明位相シ
フトシフタ２１からなる開口部３１による第２の領域
と、ガラス基板１０とその上の半透明位相シフトシフタ
２０からなる第３の領域と、ガラス基板１０とその上の
半透明位相シフトシフタ２０と透明位相シフトシフタ２
１の重なりあった第４の領域３２の、計４種類の透過率
及び位相の組み合わせを持つ領域を有することとなる。
そして、第１及び第２の領域は第３及び第４の領域を介
して隣り合うように配置される。As a result, in the phase shift mask of this embodiment, the first region formed by the opening 30 formed only of the glass substrate 10 and the first region formed by the opening 31 formed of the glass substrate 10 and the transparent phase shift shifter 21 thereon. 2 region, a third region consisting of the glass substrate 10 and the semitransparent phase shift shifter 20 thereon, the glass substrate 10 and the semitransparent phase shift shifter 20 thereon and the transparent phase shift shifter 2
The fourth region 32 having one overlap has a region having a total of four types of combinations of transmittance and phase.
Then, the first and second regions are arranged so as to be adjacent to each other with the third and fourth regions interposed therebetween.
【００２１】図１（ｂ）は同図（ａ）に示したハーフト
ーン位相シフトマスクを透過した光の振幅を示してお
り、開口部３０のみを透過した光は正の振幅４０を有
し、半透明位相シフトシフタ２０のみを透過した光は負
の振幅５１を有している点は従来と同様であるが、開口
部３１を透過した光は負の振幅４１を有し、ハーフトー
ン位相シフトシフタ２０と透明位相シフトシフタ２１が
重なっている領域３２では正の振幅５０を有している。FIG. 1B shows the amplitude of the light transmitted through the halftone phase shift mask shown in FIG. 1A, and the light transmitted only through the opening 30 has a positive amplitude 40. The light transmitted through only the semi-transparent phase shift shifter 20 has a negative amplitude 51, which is the same as the conventional one, but the light transmitted through the opening 31 has a negative amplitude 41, and the halftone phase shift shifter 20 has a negative amplitude. A region 32 where the transparent phase shift shifter 21 and the transparent phase shift shifter 21 overlap each other has a positive amplitude 50.
【００２２】ここで、開口部３０を透過した光に対し
て、開口部３１を透過した振幅４１の光は、透明位相シ
フトシフタ２１により位相が１８０°反転されており、
ハーフトーン位相シフトシフタ２０と透明位相シフトシ
フタ２１とが重なり合った領域３２では３６０°の位相
である。このため、ハーフトーン位相シフトマスクとし
ての効果をそのままに、隣り合う開口部間で位相を１８
０°反転させることができる。Here, with respect to the light having passed through the opening 30, the light having the amplitude 41 passing through the opening 31 has its phase inverted by 180 ° by the transparent phase shift shifter 21,
The region 32 where the halftone phase shift shifter 20 and the transparent phase shift shifter 21 overlap each other has a phase of 360 °. Therefore, while maintaining the effect of the halftone phase shift mask, the phase between the adjacent openings is set to 18
It can be inverted by 0 °.
【００２３】図１（ｃ）はこの実施の形態のフォトマス
クの光強度分布を示す。このように、この実施の形態で
は開口部３０及び３１を透過した光の光強度は６０で示
す如く大であり、しかも隣り合う開口部３０及び３１の
透過光の位相が互いに１８０°異なるため、開口部３
０、３１で生じたサイドローブは互いに打ち消され、７
２で示す如くサイドローブの発生を大幅に減少させるこ
とができ、この結果、不必要なパターン転写を抑制でき
る。このことから、また半透明位相シフトシフタ２０、
３４を透過する光量を増やすことができるため、従来よ
りもプロセス裕度を向上できる。FIG. 1C shows the light intensity distribution of the photomask of this embodiment. As described above, in this embodiment, the light intensity of the light transmitted through the openings 30 and 31 is large as indicated by 60, and the phases of the transmitted light of the adjacent openings 30 and 31 are different from each other by 180 °. Opening 3
The side lobes generated at 0 and 31 cancel each other out, and
As shown by 2, the occurrence of side lobes can be greatly reduced, and as a result, unnecessary pattern transfer can be suppressed. From this, the semitransparent phase shift shifter 20,
Since the amount of light transmitted through 34 can be increased, the process margin can be improved as compared with the conventional case.
【００２４】図２は本発明の実施の形態を実際のフォト
マスクに適応したときの平面図を示す。同図中、図１と
同一構成部分には同一符号を付してある。図２におい
て、密に繰り返し配置されたホール開口部３０が半透明
なハーフトーン位相シフトシフタ２０に１：２のホール
／スペース比で繰り返し配置してある。その上層の隣り
合う開口部３０、３１の位相差が１８０°となるよう
に、市松模様状に透明位相シフトシフタ２１を同図の通
りホールとホールの中点まで配置することにより、ホー
ル開口部３１では位相が１８０°、半透明膜と透明膜が
重なり合った領域３２では３６０°というように位相が
変化している。FIG. 2 shows a plan view when the embodiment of the present invention is applied to an actual photomask. In the figure, the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. In FIG. 2, the densely repeated hole openings 30 are repeatedly arranged in the semitransparent halftone phase shift shifter 20 at a hole / space ratio of 1: 2. By arranging the transparent phase shift shifter 21 in a checkered pattern up to the hole and the midpoint of the hole so that the phase difference between the adjacent openings 30 and 31 in the upper layer is 180 °, the hole opening 31 is formed. , The phase is changed by 180 °, and the phase is changed by 360 ° in the region 32 where the semitransparent film and the transparent film overlap.
【００２５】このように、この実施の形態では、通常の
ハーフトーンとしての効果を損なわず、隣り合う開口部
３０、３１で位相を反転することができる。なお、この
フォトマスクでは、１：２ホール／スペース比の配置を
想定しているが、１：１、１：３などのパターンでも同
様に中点まで透明位相シフトシフタを配置することで効
果を得ることができる。As described above, in this embodiment, the phase can be inverted in the adjacent openings 30 and 31 without impairing the effect as a normal halftone. In this photomask, the arrangement of 1: 2 hole / space ratio is assumed, but the effect can be obtained by arranging the transparent phase shift shifter up to the middle point in the pattern of 1: 1, 1: 3, etc. be able to.
【００２６】図３はＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８
ｎｍ）露光において、レンズ開口数ＮＡ＝０．６、コヒ
ーレンス因子σ＝０．３（円形照明）、ホール／スペー
ス比１：２、ハーフトーン位相シフタの透過率Ｔ＝８％
の、図６と同一の条件で図１の実施の形態を用いて、□
０．２５μｍを解像させたときの光強度シミュレーショ
ン結果を示す。この図３からわかるように、この実施の
形態では、サイドローブが全く逆の位相を有しているこ
とから、サイドローブを打ち消し合うため、これをほぼ
零とすることができ、不必要パターンの形成を抑制でき
ることが確かめられた。FIG. 3 shows a KrF excimer laser (wavelength 248).
(nm) exposure, lens numerical aperture NA = 0.6, coherence factor σ = 0.3 (circular illumination), hole / space ratio 1: 2, halftone phase shifter transmittance T = 8%
Using the embodiment of FIG. 1 under the same conditions as in FIG.
The light intensity simulation result when 0.25 μm is resolved is shown. As can be seen from FIG. 3, in this embodiment, since the side lobes have completely opposite phases, the side lobes cancel each other out, so that the side lobes can be made approximately zero, and unnecessary patterns can be formed. It was confirmed that the formation could be suppressed.
【００２７】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。上記の第１の実施の形態はガラス基板の上層
に透明位相シフトシフタを形成しているが、透明位相シ
フトシフタをガラス基板の下層に配置する、あるいはフ
ォトマスク基板をエッチングによりガラス基板に掘り込
むことで同様の効果を得ることもできる。Next, a second embodiment of the present invention will be described. In the first embodiment described above, the transparent phase shift shifter is formed in the upper layer of the glass substrate, but the transparent phase shift shifter is arranged in the lower layer of the glass substrate, or the photomask substrate is dug into the glass substrate by etching. The same effect can be obtained.
【００２８】図４（ａ）は本発明になる位相フォトマス
クの第２の実施の形態の断面構造図を示す。この位相フ
ォトマスクはホール／スペース比１：２のパターンをガ
ラス基板掘り込みで形成したものである。図４（ａ）の
断面構造を持つ位相フォトマスクの製造方法について説
明するに、まず、第１の工程により透明基板であるガラ
ス基板１０上に透過光の位相をおよそ１８０°ずらす段
差をエッチングにより掘り込む。これにより、ガラス基
板１０の開口部３０と段差のある開口部３３を透過した
光は互いに位相が１８０°異なることとなる。FIG. 4A shows a sectional structural view of the second embodiment of the phase photomask according to the present invention. This phase photomask has a hole / space ratio of 1: 2 formed by digging a glass substrate. In order to describe the method of manufacturing the phase photomask having the cross-sectional structure of FIG. 4A, first, in the first step, a step for shifting the phase of transmitted light by about 180 ° is etched on the glass substrate 10 which is a transparent substrate by etching. Dig in. As a result, the light transmitted through the opening 30 of the glass substrate 10 and the light passing through the stepped opening 33 have a phase difference of 180 °.
【００２９】次の第２の工程では、段差が形成されたガ
ラス基板１０の上層に、透過光の位相をおよそ１８０°
ずらす半透明位相シフトシフタ２０、３４を開口部３
０、３３を除く所望の位置に成膜しパターニングして図
４（ａ）に示した断面構造の位相フォトマスクを製造す
る。３４は、掘り込んだ位置に成膜された半透明位相シ
フトシフタで、半透明位相シフトシフタ２０と同一の部
材からなる。これにより、半透明位相シフトシフタ２
０、３４を透過した光の位相は互いに１８０°ずれる。In the next second step, the phase of the transmitted light is set to about 180 ° on the upper layer of the glass substrate 10 on which the step is formed.
The translucent phase shift shifters 20 and 34 for shifting the openings 3
Films are formed at desired positions except 0 and 33, and patterned to manufacture a phase photomask having a sectional structure shown in FIG. Reference numeral 34 denotes a semitransparent phase shift shifter formed at the dug position, which is made of the same member as the semitransparent phase shift shifter 20. As a result, the semitransparent phase shift shifter 2
The phases of the light transmitted through 0 and 34 are shifted from each other by 180 °.
【００３０】これにより、この実施の形態の位相シフト
マスクは、ガラス基板１０の厚さの厚い部分からなる開
口部３０による第１の領域と、ガラス基板１０の厚さの
薄い部分からなる開口部３３による第２の領域と、ガラ
ス基板１０の厚さの厚い部分とその上の半透明位相シフ
トシフタ２０からなる第３の領域と、ガラス基板１０の
厚さの薄い部分とその上の透明位相シフトシフタ３４か
らなる第４の領域の、計４種類の透過率及び位相の組み
合わせを持つ領域を有することとなる。As a result, in the phase shift mask of this embodiment, the first region formed by the opening 30 having the thick portion of the glass substrate 10 and the opening formed by the thin portion of the glass substrate 10 are formed. 33, a third region including a thick portion of the glass substrate 10 and the semitransparent phase shift shifter 20 thereon, a thin portion of the glass substrate 10 and a transparent phase shift shifter above the thin region. A fourth region consisting of 34 has a region having a total of four types of combinations of transmittance and phase.
【００３１】図４（ｂ）は同図（ａ）に示したハーフト
ーン位相シフトマスクを透過した光の振幅を示してお
り、ガラス基板１０の厚さの厚い開口部３０のみを透過
した光は正の振幅４０を有し、開口部３０の両側の半透
明位相シフトシフタ２０を透過した光は負の振幅５１を
有している点は従来と同様であるが、ガラス基板１０の
厚さの薄い開口部３３を透過した光は負の振幅４２を有
し、開口部３３の両側のハーフトーン位相シフトシフタ
３４を透過した光は正の振幅５２を有している。FIG. 4B shows the amplitude of the light transmitted through the halftone phase shift mask shown in FIG. 4A, and the light transmitted through only the thick opening 30 of the glass substrate 10 is shown. The light having the positive amplitude 40 and the light transmitted through the semitransparent phase shift shifters 20 on both sides of the opening 30 has the negative amplitude 51 as in the conventional case, but the glass substrate 10 is thin. The light transmitted through the opening 33 has a negative amplitude 42, and the light transmitted through the halftone phase shift shifters 34 on both sides of the opening 33 has a positive amplitude 52.
【００３２】ここで、開口部３０を透過した光に対し
て、開口部３３を透過した振幅４２の光は位相が１８０
°反転されており、ハーフトーン位相シフトシフタ３４
を透過した光は３６０°の位相である。このため、ハー
フトーン位相シフトマスクとしての効果をそのままに、
隣り合う開口部３０と３３の透過光の間で位相を１８０
°反転させることができる。Here, the light having the amplitude 42 transmitted through the opening 33 has a phase of 180 with respect to the light transmitted through the opening 30.
° inverted and halftone phase shift shifter 34
The light transmitted through is 360 ° in phase. Therefore, while maintaining the effect of the halftone phase shift mask,
The phase between the transmitted light from the adjacent openings 30 and 33 is 180
° Can be flipped.
【００３３】図４（ｃ）はこの実施の形態のフォトマス
クの光強度分布を示す。このように、この実施の形態で
は開口部３０及び３３を透過した光の光強度は６０及び
６１で示す如く大であり、しかも隣り合う開口部３０及
び３３での透過光の位相が反転されるため、開口部３
０、３３で生じたサイドローブは互いに打ち消され、７
３で示す如くサイドローブの発生を減少させることがで
き、この結果、不必要なパターン転写を抑制できる。こ
のことから、また半透明位相シフトシフタ２０、３４を
透過する光量を増やすことができるため、従来よりもプ
ロセス裕度を向上できる。FIG. 4C shows the light intensity distribution of the photomask of this embodiment. Thus, in this embodiment, the light intensity of the light transmitted through the openings 30 and 33 is large as indicated by 60 and 61, and the phase of the transmitted light in the adjacent openings 30 and 33 is inverted. For opening 3
The side lobes generated at 0 and 33 cancel each other out,
As shown by 3, the generation of side lobes can be reduced, and as a result, unnecessary pattern transfer can be suppressed. From this, the amount of light transmitted through the semitransparent phase shift shifters 20 and 34 can be increased, so that the process margin can be improved as compared with the conventional case.
【００３４】なお、この第２実施の形態の掘り込み型の
位相シフト技術は、より短波長の露光光源などを使用し
た場合に問題となる、透明位相シフトシフタの耐光性、
安定性に優れているため、ＡｒＦエキシマレーザ露光用
としても用いることができる。The digging-type phase shift technique of the second embodiment has the problem of light resistance of the transparent phase shift shifter, which is a problem when an exposure light source with a shorter wavelength is used.
Since it has excellent stability, it can also be used for ArF excimer laser exposure.
【００３５】[0035]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
隣り合う開口部を構成する透明な第１及び第２の領域を
透過する露光光の振幅が反転し、第１及び第２の領域を
透過したそれぞれの露光光のサイドローブに対しても位
相が同様に反転する構成とすることにより、これらの露
光光のサイドローブの重なりが生じても互いに打ち消し
合うようにしたため、従来のハーフトーン位相シフトマ
スクで生じていた隣り合う開口部の透過光のサイドロー
ブの重なりによる不必要パターンの解像を消失させ、不
必要なパターン転写を大幅に抑制することができる。こ
れにより、本発明によれば、半透明膜を透過する光量を
従来よりも増やすことができ、従来よりもプロセス裕度
を大幅に向上できる。As described above, according to the present invention,
The amplitude of the exposure light transmitted through the transparent first and second regions forming the adjacent openings is inverted, and the phase is also relative to the side lobes of the exposure light transmitted through the first and second regions. Similarly, since the side lobes of these exposure lights are canceled by each other even when the side lobes of these exposure lights are overlapped, the side of the transmitted light of the adjacent openings generated by the conventional halftone phase shift mask is eliminated. Unnecessary pattern resolution due to overlapping of lobes can be eliminated, and unnecessary pattern transfer can be significantly suppressed. As a result, according to the present invention, the amount of light transmitted through the semitransparent film can be increased more than ever, and the process margin can be significantly improved as compared with the conventional one.
【００３６】また、本発明によれば、隣り合う開口部の
一方に透明位相シフタを配置するだけであるので、コン
ピュータ支援設計（ＣＡＤ）を使用した複雑な計算を必
要とすることなく、位相シフトシフタの配置が容易にで
きる。Further, according to the present invention, since the transparent phase shifter is arranged only in one of the adjacent openings, the phase shift shifter can be performed without the need for complicated calculation using computer aided design (CAD). Can be easily arranged.
【図１】本発明の第１の実施の形態の断面構造図及び透
過光の振幅及び光強度分布図である。FIG. 1 is a cross-sectional structure diagram and a transmitted light amplitude and light intensity distribution diagram of a first embodiment of the present invention.
【図２】図１の位相シフトマスクを適用したフォトマス
クの平面図である。2 is a plan view of a photomask to which the phase shift mask of FIG. 1 is applied.
【図３】図１の特性図である。FIG. 3 is a characteristic diagram of FIG.
【図４】本発明の第２の実施の形態の断面構造図及び透
過光の振幅及び光強度分布図である。FIG. 4 is a cross-sectional structure diagram and a transmitted light amplitude and light intensity distribution diagram of a second embodiment of the present invention.
【図５】従来のハーフトーン位相シフトマスクの断面構
造図及び透過光の振幅及び光強度分布図である。FIG. 5 is a cross-sectional structural view of a conventional halftone phase shift mask and an amplitude and light intensity distribution diagram of transmitted light.
【図６】従来の一例の特性図である。FIG. 6 is a characteristic diagram of a conventional example.
１０ ガラス基板 ２０、３４ ハーフトーン位相シフトシフタ ２１ 透明位相シフトシフタ ３０、３１、３４ 開口部 ３２半透明位相シフトシフタ２０と透明位相シフトシフ
タ２１の重なりあった領域 ４０、４１、４２ 開口部の透過光の振幅 ５０、５１、５２ 半透明の位相シフタシフトの透過光
の振幅 ６０、６１ 開口部の透過光の光強度分布 ７２、７３ サイドローブの光強度分布10 Glass Substrate 20, 34 Halftone Phase Shift Shifter 21 Transparent Phase Shift Shifter 30, 31, 34 Opening 32 Semi-Transparent Phase Shift Shifter 20 and Transparent Phase Shift Shifter 21 Overlap Area 40, 41, 42 Amplitude of Transmitted Light at Opening 50 , 51, 52 Amplitude of transmitted light of semitransparent phase shifter shift 60, 61 Light intensity distribution of transmitted light at aperture 72, 73 Side lobe light intensity distribution
Claims (8)
び第２の領域と、半透明な第３及び第４の領域を少なく
とも有し、前記第１及び第２の領域を透過した光の位相
差は互いにほぼ１８０°、前記第１及び第３の領域を透
過した光の位相差は互いにほぼ１８０°、前記第１及び
第４の領域を透過した光の位相差は互いにほぼ０°であ
り、該第１乃至第４の領域を透過した光を用いて投影露
光を行うことを特徴とするフォトマスク。1. At least first and second regions transparent to incident exposure light and semitransparent third and fourth regions, and transmitted through the first and second regions. The phase difference of light is approximately 180 °, the phase difference of light transmitted through the first and third regions is approximately 180 °, and the phase difference of light transmitted through the first and fourth regions is substantially 0. The photomask is characterized in that projection exposure is performed by using light transmitted through the first to fourth regions.
ほぼ１８０°ずらす半透明膜で形成されたパターンの第
１の位相シフトシフタと、前記透明基板上と該第１の位
相シフトシフタ上の所望位置に透過光の位相をほぼ１８
０°ずらす透明膜で形成されたパターンの第２の位相シ
フトシフタとを有し、前記透明基板のみの開口部を前記
第１の領域とし、該透明基板上の該第２の位相シフトシ
フタによる開口部を前記第２の領域とし、該透明基板上
の前記第１の位相シフトシフタを前記第３の領域とし、
該第１の位相シフトシフタ上に前記第２の位相シフトシ
フタが重ね合わされた領域を前記第４の領域としたこと
を特徴とする請求項１記載のフォトマスク。2. A first phase shift shifter having a pattern formed of a semitransparent film that shifts the phase of transmitted light at a desired position on the transparent substrate by about 180 °, and on the transparent substrate and on the first phase shift shifter. The phase of the transmitted light is almost 18 at the desired position.
A second phase shift shifter having a pattern formed of a transparent film that is shifted by 0 °, and the opening of only the transparent substrate is the first region, and the opening formed by the second phase shift shifter on the transparent substrate. As the second region, and the first phase shift shifter on the transparent substrate as the third region,
The photomask according to claim 1, wherein a region in which the second phase shift shifter is superposed on the first phase shift shifter is defined as the fourth region.
るように第１の厚さと第２の厚さの段差が形成された透
明基板と、該第１の厚さの部分及び第２の厚さの部分の
該透明基板上のそれぞれの所望位置に透過光の位相をほ
ぼ１８０°ずらす半透明膜で形成されたパターンの位相
シフトシフタとを有し、前記第１の厚さ部分の透明基板
のみの開口部を前記第１の領域とし、前記第２の厚さ部
分の透明基板のみの開口部を前記第２の領域とし、前記
第１の厚さ部分の透明基板上の該位相シフトシフタを前
記第３の領域とし、前記第２の厚さ部分の透明基板上の
該位相シフトシフタを前記第４の領域としたことを特徴
とする請求項１記載のフォトマスク。3. A transparent substrate having a step of a first thickness and a step of a second thickness such that the phases of transmitted light are shifted from each other by approximately 180 °, a portion having the first thickness and a second thickness. A phase shift shifter having a pattern formed of a semitransparent film that shifts the phase of transmitted light by approximately 180 ° at each desired position on the transparent substrate at the portion of the first thickness, and only the transparent substrate at the portion of the first thickness Of the phase shift shifter on the transparent substrate of the first thickness portion as the first region, and the opening of only the transparent substrate of the second thickness portion as the second region. The photomask according to claim 1, wherein the third region is formed, and the phase shift shifter on the transparent substrate in the second thickness portion is formed as the fourth region.
ム、珪素、カルシウム、リチウム、マグネシウム、ハフ
ニウム、タンタル、ジルコニウム、クロム、チタン、モ
リブデン、タングステン、アルミニウム、ニッケル、錫
などとの、酸化又はフッ化あるいは窒化あるいは塩化に
よる化合物であり、スピンコート又はスパッタリングあ
るいは気相成長あるいは蒸着あるいはメッキなどにより
形成されていることを特徴とする請求項２又は３記載の
フォトマスク。4. The main material of the translucent film is oxidation with chromium oxide, silicon, calcium, lithium, magnesium, hafnium, tantalum, zirconium, chromium, titanium, molybdenum, tungsten, aluminum, nickel, tin, or the like. The photomask according to claim 2 or 3, wherein the photomask is a compound formed by fluorination, nitridation or chlorination, and is formed by spin coating, sputtering, vapor phase growth, vapor deposition, plating or the like.
ほぼ１８０°ずらす半透明膜を第１の位相シフトシフタ
として形成しパターニングする第１の工程と、前記透明
基板上と該第１の位相シフトシフタ上の所望位置に透過
光の位相をほぼ１８０°ずらす透明膜を第２の位相シフ
トシフタとして形成しパターニングする第２の工程とを
含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。5. A first step of forming and patterning, as a first phase shift shifter, a semitransparent film that shifts the phase of transmitted light by approximately 180 ° at a desired position on the transparent substrate, and the transparent substrate and the first step. A second step of forming and patterning a transparent film, which shifts the phase of transmitted light by approximately 180 °, at a desired position on the phase shift shifter as a second phase shift shifter, and patterning the photomask.
ぼ１８０°ずれるように第１の厚さと第２の厚さの段差
を形成しパターニングする第１の工程と、該第１の厚さ
の部分及び第２の厚さの部分の該透明基板上のそれぞれ
の所望位置に透過光の位相をほぼ１８０°ずらす半透明
膜を位相シフトシフタとして形成しパターニングする第
２の工程とを含むことを特徴とするフォトマスクの製造
方法。6. A first step of forming and patterning a step having a first thickness and a second thickness such that the phases of transmitted light are shifted from each other by about 180 ° with respect to a transparent substrate, and the first thickness. And a second step of forming a semi-transparent film as a phase shift shifter that shifts the phase of transmitted light by approximately 180 ° at desired positions on the transparent substrate in the portion of 2) and the portion of the second thickness. A method for manufacturing a featured photomask.
ム、珪素、カルシウム、リチウム、マグネシウム、ハフ
ニウム、タンタル、ジルコニウム、クロム、チタン、モ
リブデン、タングステン、アルミニウム、ニッケル、錫
などとの、酸化又はフッ化あるいは窒化あるいは塩化に
よる化合物であり、スピンコート又はスパッタリングあ
るいは気相成長あるいは蒸着あるいはメッキなどにより
形成されていることを特徴とする請求項５又は６記載の
フォトマスクの製造方法。7. The main material of the semitransparent film is oxidation with chromium oxide, silicon, calcium, lithium, magnesium, hafnium, tantalum, zirconium, chromium, titanium, molybdenum, tungsten, aluminum, nickel, tin, or the like. 7. The method of manufacturing a photomask according to claim 5, wherein the compound is formed by fluorination, nitridation, or chlorination, and is formed by spin coating, sputtering, vapor phase growth, vapor deposition, plating, or the like.
び第４の領域を介して隣り合う開口部を構成しているこ
とを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか一項記載
のフォトマスク。8. The first and second regions form an opening that is adjacent to each other via the third and fourth regions. The photomask described in the item.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7721796A JPH09269590A (en) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | Photomask and production of photomask |
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Publications (1)
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|---|---|
| JP (1) | JPH09269590A (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000131824A (en) * | 1998-10-28 | 2000-05-12 | Hitachi Ltd | Production of semiconductor integrated circuit device |
| JP2003520996A (en) * | 2000-01-20 | 2003-07-08 | エルエスアイ ロジック コーポレーション | Mask with optional composite transmission function |
| WO2003062923A1 (en) * | 2001-12-26 | 2003-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Photomask, method of producing it and pattern froming method using the photomask |
| JP2005345920A (en) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | Phase shift mask and its manufacturing method |
| US7332250B2 (en) | 2003-06-24 | 2008-02-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Photomask |
| JP2014074827A (en) * | 2012-10-05 | 2014-04-24 | Sk-Electronics Co Ltd | Production method of edge-enhanced phase shift mask, and edge-enhanced phase shift mask |
| JP2020154338A (en) * | 2015-09-26 | 2020-09-24 | Hoya株式会社 | Method of manufacturing photomask, photomask, and method of manufacturing display device |
-
1996
- 1996-03-29 JP JP7721796A patent/JPH09269590A/en active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000131824A (en) * | 1998-10-28 | 2000-05-12 | Hitachi Ltd | Production of semiconductor integrated circuit device |
| JP2003520996A (en) * | 2000-01-20 | 2003-07-08 | エルエスアイ ロジック コーポレーション | Mask with optional composite transmission function |
| JP4831802B2 (en) * | 2000-01-20 | 2011-12-07 | エルエスアイ コーポレーション | Mask with any composite transmission function |
| US7449285B2 (en) | 2001-12-26 | 2008-11-11 | Panasonic Corporation | Method for forming pattern |
| US7060398B2 (en) | 2001-12-26 | 2006-06-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Photomask, method for producing the same, and method for forming pattern using the photomask |
| CN100373258C (en) * | 2001-12-26 | 2008-03-05 | 松下电器产业株式会社 | Photomask, method of producing it and pattern forming method using the photomask |
| US7378198B2 (en) | 2001-12-26 | 2008-05-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Photomask |
| US7501213B2 (en) | 2001-12-26 | 2009-03-10 | Panasonic Corporation | Method for forming generating mask data |
| WO2003062923A1 (en) * | 2001-12-26 | 2003-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Photomask, method of producing it and pattern froming method using the photomask |
| US7332250B2 (en) | 2003-06-24 | 2008-02-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Photomask |
| US7618754B2 (en) | 2003-06-24 | 2009-11-17 | Panasonic Corporation | Pattern formation method |
| US7625678B2 (en) | 2003-06-24 | 2009-12-01 | Panasonic Corporation | Mask data creation method |
| JP2005345920A (en) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Semiconductor Leading Edge Technologies Inc | Phase shift mask and its manufacturing method |
| JP4582574B2 (en) * | 2004-06-04 | 2010-11-17 | シャープ株式会社 | Phase shift mask and manufacturing method thereof |
| JP2014074827A (en) * | 2012-10-05 | 2014-04-24 | Sk-Electronics Co Ltd | Production method of edge-enhanced phase shift mask, and edge-enhanced phase shift mask |
| JP2020154338A (en) * | 2015-09-26 | 2020-09-24 | Hoya株式会社 | Method of manufacturing photomask, photomask, and method of manufacturing display device |
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