JPH0926392A - 赤外吸収スペクトル法によるｃｖｄ膜中のｐ，ｂ濃度測定方法および検量線作成用標準試料 - Google Patents
赤外吸収スペクトル法によるｃｖｄ膜中のｐ，ｂ濃度測定方法および検量線作成用標準試料Info
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- JPH0926392A JPH0926392A JP17474895A JP17474895A JPH0926392A JP H0926392 A JPH0926392 A JP H0926392A JP 17474895 A JP17474895 A JP 17474895A JP 17474895 A JP17474895 A JP 17474895A JP H0926392 A JPH0926392 A JP H0926392A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 標準試料を長期保管しても測定精度が低下し
ない赤外吸収スペクトル法によるＣＶＤ膜中のＰ，Ｂ濃
度測定方法を提供する。 【解決手段】 Ｓｉ基板１の上にＢＰＳＧ膜２を堆積し
た後に吸湿性の低いＮＳＧ膜６を堆積した標準試料を、
赤外吸収スペクトル法による検量線作成に用い、赤外吸
収スペクトル法によりＣＶＤ膜中のＰ，Ｂ濃度を測定す
る。
ない赤外吸収スペクトル法によるＣＶＤ膜中のＰ，Ｂ濃
度測定方法を提供する。 【解決手段】 Ｓｉ基板１の上にＢＰＳＧ膜２を堆積し
た後に吸湿性の低いＮＳＧ膜６を堆積した標準試料を、
赤外吸収スペクトル法による検量線作成に用い、赤外吸
収スペクトル法によりＣＶＤ膜中のＰ，Ｂ濃度を測定す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置の保
護膜として使用されるＢＰＳＧ（Borophosphosilicate
glass)膜，ＰＳＧ（Phosphosilicate glass)膜中のＰ，
Ｂ濃度測定方法および検量線作成用標準試料に関し、特
に、赤外吸収スペクトル法によるＣＶＤ膜中のＰ，Ｂ濃
度測定方法および検量線作成用標準試料に関するもので
ある。
護膜として使用されるＢＰＳＧ（Borophosphosilicate
glass)膜，ＰＳＧ（Phosphosilicate glass)膜中のＰ，
Ｂ濃度測定方法および検量線作成用標準試料に関し、特
に、赤外吸収スペクトル法によるＣＶＤ膜中のＰ，Ｂ濃
度測定方法および検量線作成用標準試料に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来の赤外吸収スペクトル法によるＢＰ
ＳＧ膜の膜厚、Ｐ濃度およびＢ濃度の測定方法を説明す
る。図３（ａ）はＳｉ基板の赤外吸収スペクトルを測定
するためのバックグラウンド赤外吸収スペクトル測定用
試料を示す。同図において、１はＳｉ基板、Ｉ0 は入射
光強度、Ｉは透過光強度である。図３（ｂ）はＢＰＳＧ
膜／Ｓｉ基板の赤外吸収スペクトルを測定するための検
量線作成用標準試料を示す。同図において、１はＳｉ基
板（同図（ａ）のＳｉ基板１と同じ膜厚）、２はＢＰＳ
Ｇ膜、Ｉ0 は入射光強度、Ｉは透過光強度である。図３
（ｃ）はそれぞれの試料の波数に対する赤外吸光度をプ
ロットした赤外吸収スペクトルを示す。同図において、
３はＳｉ基板の赤外吸収スペクトル、４はＢＰＳＧ膜／
Ｓｉ基板の赤外吸収スペクトル、５はＢＰＳＧ膜の赤外
吸収スペクトルである。同図において、１１００ｃｍ-1
付近のピーク１はＳｉ−Ｏの赤外吸収、１３２０ｃｍ-1
付近のピーク２はＰ＝Ｏの赤外吸収、１４００ｃｍ-1付
近のピーク３はＢ−Ｏの赤外吸収である。また、赤外吸
光度は、以下の〔数１〕によって計算した。
ＳＧ膜の膜厚、Ｐ濃度およびＢ濃度の測定方法を説明す
る。図３（ａ）はＳｉ基板の赤外吸収スペクトルを測定
するためのバックグラウンド赤外吸収スペクトル測定用
試料を示す。同図において、１はＳｉ基板、Ｉ0 は入射
光強度、Ｉは透過光強度である。図３（ｂ）はＢＰＳＧ
膜／Ｓｉ基板の赤外吸収スペクトルを測定するための検
量線作成用標準試料を示す。同図において、１はＳｉ基
板（同図（ａ）のＳｉ基板１と同じ膜厚）、２はＢＰＳ
Ｇ膜、Ｉ0 は入射光強度、Ｉは透過光強度である。図３
（ｃ）はそれぞれの試料の波数に対する赤外吸光度をプ
ロットした赤外吸収スペクトルを示す。同図において、
３はＳｉ基板の赤外吸収スペクトル、４はＢＰＳＧ膜／
Ｓｉ基板の赤外吸収スペクトル、５はＢＰＳＧ膜の赤外
吸収スペクトルである。同図において、１１００ｃｍ-1
付近のピーク１はＳｉ−Ｏの赤外吸収、１３２０ｃｍ-1
付近のピーク２はＰ＝Ｏの赤外吸収、１４００ｃｍ-1付
近のピーク３はＢ−Ｏの赤外吸収である。また、赤外吸
光度は、以下の〔数１〕によって計算した。
【０００３】
【数１】赤外吸光度＝（Ｉ0 −Ｉ）／Ｉ0 ここで、膜厚、Ｐ濃度およびＢ濃度の検量線作成方法を
説明する。まず、図３（ａ）に示すようなＢＰＳＧ膜２
を堆積していないＳｉ基板の赤外吸収スペクトル３を測
定した後、膜厚とＢ濃度とＰ濃度が既知の図３（ｂ）に
示すようなＢＰＳＧ膜／Ｓｉ基板の赤外吸収スペクトル
４を測定し、両者の差からＢＰＳＧ膜の赤外吸収スペク
トル５を求める。図３（ｃ）に前記操作によって求めた
ＢＰＳＧ膜の赤外吸収スペクトル５を示す。
説明する。まず、図３（ａ）に示すようなＢＰＳＧ膜２
を堆積していないＳｉ基板の赤外吸収スペクトル３を測
定した後、膜厚とＢ濃度とＰ濃度が既知の図３（ｂ）に
示すようなＢＰＳＧ膜／Ｓｉ基板の赤外吸収スペクトル
４を測定し、両者の差からＢＰＳＧ膜の赤外吸収スペク
トル５を求める。図３（ｃ）に前記操作によって求めた
ＢＰＳＧ膜の赤外吸収スペクトル５を示す。
【０００４】ここで、ＢＰＳＧ膜／Ｓｉ基板の赤外吸収
スペクトル４からＳｉ基板の赤外吸収スペクトル３を差
し引いたＢＰＳＧ膜の赤外吸収スペクトル５を求めるの
は、１１００ｃｍ-1付近のピーク１の強度、１３２０ｃ
ｍ-1付近のピーク２の強度および１４００ｃｍ-1付近の
ピーク３の強度から、Ｓｉ基板の厚さ、裏面状態および
比抵抗などの影響を取り除くためである。
スペクトル４からＳｉ基板の赤外吸収スペクトル３を差
し引いたＢＰＳＧ膜の赤外吸収スペクトル５を求めるの
は、１１００ｃｍ-1付近のピーク１の強度、１３２０ｃ
ｍ-1付近のピーク２の強度および１４００ｃｍ-1付近の
ピーク３の強度から、Ｓｉ基板の厚さ、裏面状態および
比抵抗などの影響を取り除くためである。
【０００５】つぎに、図４に示すような膜厚、Ｐ濃度お
よびＢ濃度範囲の検量線作成用標準試料に対して以上の
操作を行い、各検量線作成用標準試料のＢＰＳＧ膜の赤
外吸収スペクトル５を求める。図４のＸ軸はＰ濃度、Ｙ
軸はＢ濃度、Ｚ軸は膜厚、×印は検量線作成用標準試料
の選択条件を示す。そして、各検量線作成用標準試料の
膜厚と１１００ｃｍ-1付近のピーク１の強度とからＢＰ
ＳＧ膜の膜厚の検量線を、各検量線作成用標準試料のＰ
濃度と１３２０ｃｍ-1付近のピーク２の強度とからＢＰ
ＳＧ膜のＰ濃度の検量線を、各検量線作成用標準試料の
Ｂ濃度と１４００ｃｍ-1付近のピーク３の強度とからＢ
ＰＳＧ膜のＢ濃度の検量線を求める。
よびＢ濃度範囲の検量線作成用標準試料に対して以上の
操作を行い、各検量線作成用標準試料のＢＰＳＧ膜の赤
外吸収スペクトル５を求める。図４のＸ軸はＰ濃度、Ｙ
軸はＢ濃度、Ｚ軸は膜厚、×印は検量線作成用標準試料
の選択条件を示す。そして、各検量線作成用標準試料の
膜厚と１１００ｃｍ-1付近のピーク１の強度とからＢＰ
ＳＧ膜の膜厚の検量線を、各検量線作成用標準試料のＰ
濃度と１３２０ｃｍ-1付近のピーク２の強度とからＢＰ
ＳＧ膜のＰ濃度の検量線を、各検量線作成用標準試料の
Ｂ濃度と１４００ｃｍ-1付近のピーク３の強度とからＢ
ＰＳＧ膜のＢ濃度の検量線を求める。
【０００６】なお、堆積直後のＢＰＳＧ膜２は吸湿性が
大きく、温湿度管理をしているクリーン・ルーム内に保
管した場合でも、時間が経つにつれて１３２０ｃｍ-1付
近のＰ＝Ｏピーク２の強度および１４００ｃｍ-1付近の
Ｂ−Ｏピーク３の強度が低下する。したがって、以上の
操作はＢＰＳＧ膜を堆積した後、数時間以内に完了させ
るか、堆積直後の検量線作成用標準試料をデシケータな
どの低湿度環境下に保管する必要がある。
大きく、温湿度管理をしているクリーン・ルーム内に保
管した場合でも、時間が経つにつれて１３２０ｃｍ-1付
近のＰ＝Ｏピーク２の強度および１４００ｃｍ-1付近の
Ｂ−Ｏピーク３の強度が低下する。したがって、以上の
操作はＢＰＳＧ膜を堆積した後、数時間以内に完了させ
るか、堆積直後の検量線作成用標準試料をデシケータな
どの低湿度環境下に保管する必要がある。
【０００７】以上のようにして求めた検量線を用いて、
膜厚、Ｐ濃度およびＢ濃度が未知の未知試料におけるＢ
ＰＳＧ膜２の測定方法を説明する。まず、図３（ａ）に
示すようなＢＰＳＧ膜２を堆積していないＳｉ基板の赤
外吸収スペクトル３を測定する。つぎに、図３（ｂ）に
示すような測定したいＢＰＳＧ膜２を堆積したＢＰＳＧ
膜／Ｓｉ基板（未知試料）の赤外吸収スペクトル４を測
定し、両者の差からＢＰＳＧ膜の赤外吸収スペクトル５
を求める。
膜厚、Ｐ濃度およびＢ濃度が未知の未知試料におけるＢ
ＰＳＧ膜２の測定方法を説明する。まず、図３（ａ）に
示すようなＢＰＳＧ膜２を堆積していないＳｉ基板の赤
外吸収スペクトル３を測定する。つぎに、図３（ｂ）に
示すような測定したいＢＰＳＧ膜２を堆積したＢＰＳＧ
膜／Ｓｉ基板（未知試料）の赤外吸収スペクトル４を測
定し、両者の差からＢＰＳＧ膜の赤外吸収スペクトル５
を求める。
【０００８】そして、１１００ｃｍ-1付近のピーク１の
強度と膜厚の検量線とからＢＰＳＧ膜／Ｓｉ基板からな
る未知試料におけるＢＰＳＧ膜の膜厚を算出し、１３２
０ｃｍ-1付近のピーク２の強度とＰ濃度の検量線とから
同ＢＰＳＧ膜のＰ濃度を算出し、１４００ｃｍ-1付近の
ピーク３の強度とＢ濃度の検量線とから同ＢＰＳＧ膜の
Ｂ濃度を算出する。
強度と膜厚の検量線とからＢＰＳＧ膜／Ｓｉ基板からな
る未知試料におけるＢＰＳＧ膜の膜厚を算出し、１３２
０ｃｍ-1付近のピーク２の強度とＰ濃度の検量線とから
同ＢＰＳＧ膜のＰ濃度を算出し、１４００ｃｍ-1付近の
ピーク３の強度とＢ濃度の検量線とから同ＢＰＳＧ膜の
Ｂ濃度を算出する。
【０００９】前述したように、ＢＰＳＧ膜２の吸湿性の
ため、未知試料の測定の場合にも、堆積後数時間以内に
測定を完了するか、堆積してから測定するまでの間はデ
シケータなどの低湿度環境下に保管する必要がある。な
お、この従来例では、ＢＰＳＧ膜中の膜厚、ＰおよびＢ
濃度測定方法に関して説明したが、ＰＳＧ膜中の膜厚お
よびＰ濃度測定方法に関しても、１４００ｃｍ-1付近の
ピーク３が観察されないだけで、他はＢＰＳＧ膜と全く
同様である。
ため、未知試料の測定の場合にも、堆積後数時間以内に
測定を完了するか、堆積してから測定するまでの間はデ
シケータなどの低湿度環境下に保管する必要がある。な
お、この従来例では、ＢＰＳＧ膜中の膜厚、ＰおよびＢ
濃度測定方法に関して説明したが、ＰＳＧ膜中の膜厚お
よびＰ濃度測定方法に関しても、１４００ｃｍ-1付近の
ピーク３が観察されないだけで、他はＢＰＳＧ膜と全く
同様である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の方
法では、ＢＰＳＧ膜の吸湿によって１３２０ｃｍ-1付近
のＰ＝Ｏピーク２および１４００ｃｍ-1付近のＢ−Ｏピ
ーク３の強度が低下するため、検量線の作成に用いた試
料（検量線作成用標準試料）を長期間保管すると測定精
度が低下するという問題点を有していた。
法では、ＢＰＳＧ膜の吸湿によって１３２０ｃｍ-1付近
のＰ＝Ｏピーク２および１４００ｃｍ-1付近のＢ−Ｏピ
ーク３の強度が低下するため、検量線の作成に用いた試
料（検量線作成用標準試料）を長期間保管すると測定精
度が低下するという問題点を有していた。
【００１１】なお、ＰＳＧ膜中のＰ濃度に関しても、同
様の問題点を有していた。この発明の第１の目的は、検
量線作成用標準試料を長期保管しても測定精度が低下し
ない赤外吸収スペクトル法によるＣＶＤ膜中のＰ，Ｂ濃
度測定方法を提供することである。この発明の第２の目
的は、長期保管しても赤外吸収スペクトル法によるＣＶ
Ｄ膜中のＰ，Ｂ濃度測定方法によるＰ，Ｂ濃度の測定精
度を低下させることがない検量線作成用標準試料を提供
することを目的とする。
様の問題点を有していた。この発明の第１の目的は、検
量線作成用標準試料を長期保管しても測定精度が低下し
ない赤外吸収スペクトル法によるＣＶＤ膜中のＰ，Ｂ濃
度測定方法を提供することである。この発明の第２の目
的は、長期保管しても赤外吸収スペクトル法によるＣＶ
Ｄ膜中のＰ，Ｂ濃度測定方法によるＰ，Ｂ濃度の測定精
度を低下させることがない検量線作成用標準試料を提供
することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の赤外吸収
スペクトル法によるＣＶＤ膜中のＰ，Ｂ濃度測定方法
は、Ｓｉ基板上にＢＰＳＧまたはＰＳＧ膜を堆積した後
に吸湿性の低いＣＶＤ酸化膜を堆積した検量線作成用標
準試料を赤外吸収スペクトル法による検量線作成に用い
ることを特徴とする。この方法によれば、吸湿性の低い
ＣＶＤ酸化膜によって、その下層のＢＰＳＧ膜またはＰ
ＳＧ膜への吸湿が防止される。その結果、吸湿による１
３２０ｃｍ-1付近のＰ＝Ｏピーク２および１４００ｃｍ
-1付近のＢ−Ｏピーク３の強度の低下が防止できるの
で、検量線作成用標準試料を長期間保管しても測定精度
が低下しない。
スペクトル法によるＣＶＤ膜中のＰ，Ｂ濃度測定方法
は、Ｓｉ基板上にＢＰＳＧまたはＰＳＧ膜を堆積した後
に吸湿性の低いＣＶＤ酸化膜を堆積した検量線作成用標
準試料を赤外吸収スペクトル法による検量線作成に用い
ることを特徴とする。この方法によれば、吸湿性の低い
ＣＶＤ酸化膜によって、その下層のＢＰＳＧ膜またはＰ
ＳＧ膜への吸湿が防止される。その結果、吸湿による１
３２０ｃｍ-1付近のＰ＝Ｏピーク２および１４００ｃｍ
-1付近のＢ−Ｏピーク３の強度の低下が防止できるの
で、検量線作成用標準試料を長期間保管しても測定精度
が低下しない。
【００１３】請求項２記載の赤外吸収スペクトル法によ
るＣＶＤ膜中のＰ，Ｂ濃度測定方法は、５ｎｍ以上の熱
酸化膜を形成したＳｉ基板上にＢＰＳＧまたはＰＳＧ膜
を堆積した後に熱処理を行った検量線作成用標準試料を
赤外吸収スペクトル法による検量線作成に用いることを
特徴とする。この方法によれば、熱処理によってＢＰＳ
Ｇ膜またはＰＳＧ膜の吸湿性が低くなる。そのため、吸
湿による１３２０ｃｍ -1付近のＰ＝Ｏピーク２および１
４００ｃｍ-1付近のＢ−Ｏピーク３の強度低下が防止で
きるので、検量線作成用標準試料を長期間保管しても測
定精度が低下しない。
るＣＶＤ膜中のＰ，Ｂ濃度測定方法は、５ｎｍ以上の熱
酸化膜を形成したＳｉ基板上にＢＰＳＧまたはＰＳＧ膜
を堆積した後に熱処理を行った検量線作成用標準試料を
赤外吸収スペクトル法による検量線作成に用いることを
特徴とする。この方法によれば、熱処理によってＢＰＳ
Ｇ膜またはＰＳＧ膜の吸湿性が低くなる。そのため、吸
湿による１３２０ｃｍ -1付近のＰ＝Ｏピーク２および１
４００ｃｍ-1付近のＢ−Ｏピーク３の強度低下が防止で
きるので、検量線作成用標準試料を長期間保管しても測
定精度が低下しない。
【００１４】請求項３記載の赤外吸収スペクトル法によ
る検量線作成用標準試料は、Ｓｉ基板と、このＳｉ基板
上に堆積したＢＰＳＧ膜またはＰＳＧ膜と、このＢＰＳ
Ｇ膜またはＰＳＧ膜上に堆積した吸湿性の低いＣＶＤ酸
化膜とを備えている。この検量線作成用標準試料によれ
ば、吸湿性の低いＣＶＤ酸化膜によって、その下層のＢ
ＰＳＧ膜またはＰＳＧ膜への吸湿が防止される。その結
果、吸湿による１３２０ｃｍ-1付近のＰ＝Ｏピーク２お
よび１４００ｃｍ-1付近のＢ−Ｏピーク３の強度の低下
が防止できるので、長期間保管しても赤外吸収スペクト
ル法によるＣＶＤ膜中のＰ，Ｂ濃度測定方法によるＰ，
Ｂ濃度の測定精度が低下しない。
る検量線作成用標準試料は、Ｓｉ基板と、このＳｉ基板
上に堆積したＢＰＳＧ膜またはＰＳＧ膜と、このＢＰＳ
Ｇ膜またはＰＳＧ膜上に堆積した吸湿性の低いＣＶＤ酸
化膜とを備えている。この検量線作成用標準試料によれ
ば、吸湿性の低いＣＶＤ酸化膜によって、その下層のＢ
ＰＳＧ膜またはＰＳＧ膜への吸湿が防止される。その結
果、吸湿による１３２０ｃｍ-1付近のＰ＝Ｏピーク２お
よび１４００ｃｍ-1付近のＢ−Ｏピーク３の強度の低下
が防止できるので、長期間保管しても赤外吸収スペクト
ル法によるＣＶＤ膜中のＰ，Ｂ濃度測定方法によるＰ，
Ｂ濃度の測定精度が低下しない。
【００１５】請求項４記載の赤外吸収スペクトル法によ
る検量線作成用標準試料は、Ｓｉ基板と、このＳｉ基板
上に形成した５ｎｍ以上の熱酸化膜と、この熱酸化膜上
に形成し熱処理を行ったＢＰＳＧ膜またはＰＳＧ膜とを
備えている。この検量線作成用標準試料によれば、熱処
理によってＢＰＳＧ膜またはＰＳＧ膜の吸湿性が低くな
る。そのため、吸湿による１３２０ｃｍ-1付近のＰ＝Ｏ
ピーク２および１４００ｃｍ-1付近のＢ−Ｏピーク３の
強度低下が防止できるので、長期間保管しても赤外吸収
スペクトル法によるＣＶＤ膜中のＰ，Ｂ濃度測定方法に
よるＰ，Ｂ濃度の測定精度が低下しない。
る検量線作成用標準試料は、Ｓｉ基板と、このＳｉ基板
上に形成した５ｎｍ以上の熱酸化膜と、この熱酸化膜上
に形成し熱処理を行ったＢＰＳＧ膜またはＰＳＧ膜とを
備えている。この検量線作成用標準試料によれば、熱処
理によってＢＰＳＧ膜またはＰＳＧ膜の吸湿性が低くな
る。そのため、吸湿による１３２０ｃｍ-1付近のＰ＝Ｏ
ピーク２および１４００ｃｍ-1付近のＢ−Ｏピーク３の
強度低下が防止できるので、長期間保管しても赤外吸収
スペクトル法によるＣＶＤ膜中のＰ，Ｂ濃度測定方法に
よるＰ，Ｂ濃度の測定精度が低下しない。
【００１６】
【発明の実施の形態】この発明の第１の実施の形態（請
求項１に対応）を図面に基づき説明する。図１（ａ）は
吸湿性の低いＣＶＤ酸化膜（ＳｉＯ2 膜）／Ｓｉ基板の
赤外吸収スペクトルを測定するためのバックグラウンド
赤外吸収スペクトル測定用試料を示す。同図において、
１はＳｉ基板、６はＣＶＤ酸化膜、Ｉ0 は入射光強度、
Ｉは透過光強度である。図１（ｂ）はＣＶＤ酸化膜／Ｂ
ＰＳＧ膜／Ｓｉ基板の赤外吸収スペクトルを測定するた
めの検量線作成用標準試料を示す。同図において、１は
Ｓｉ基板（同図（ａ）のＳｉ基板１と同じ膜厚）、２は
ＢＰＳＧ膜、６はＣＶＤ酸化膜（同図（ａ）のＣＶＤ酸
化膜６と同じ膜厚）、Ｉ0 は入射光強度、Ｉは透過光強
度である。図１（ｃ）はそれぞれの試料の波数に対する
赤外吸光度をプロットした赤外吸収スペクトルを示す。
同図において、７はＣＶＤ酸化膜／Ｓｉ基板の赤外吸収
スペクトル、８はＣＶＤ酸化膜／ＢＰＳＧ膜／Ｓｉ基板
の赤外吸収スペクトル、９はＢＰＳＧ膜の赤外吸収スペ
クトルである。また、赤外吸光度は、前記〔数１〕によ
って計算した。
求項１に対応）を図面に基づき説明する。図１（ａ）は
吸湿性の低いＣＶＤ酸化膜（ＳｉＯ2 膜）／Ｓｉ基板の
赤外吸収スペクトルを測定するためのバックグラウンド
赤外吸収スペクトル測定用試料を示す。同図において、
１はＳｉ基板、６はＣＶＤ酸化膜、Ｉ0 は入射光強度、
Ｉは透過光強度である。図１（ｂ）はＣＶＤ酸化膜／Ｂ
ＰＳＧ膜／Ｓｉ基板の赤外吸収スペクトルを測定するた
めの検量線作成用標準試料を示す。同図において、１は
Ｓｉ基板（同図（ａ）のＳｉ基板１と同じ膜厚）、２は
ＢＰＳＧ膜、６はＣＶＤ酸化膜（同図（ａ）のＣＶＤ酸
化膜６と同じ膜厚）、Ｉ0 は入射光強度、Ｉは透過光強
度である。図１（ｃ）はそれぞれの試料の波数に対する
赤外吸光度をプロットした赤外吸収スペクトルを示す。
同図において、７はＣＶＤ酸化膜／Ｓｉ基板の赤外吸収
スペクトル、８はＣＶＤ酸化膜／ＢＰＳＧ膜／Ｓｉ基板
の赤外吸収スペクトル、９はＢＰＳＧ膜の赤外吸収スペ
クトルである。また、赤外吸光度は、前記〔数１〕によ
って計算した。
【００１７】ここで、膜厚、Ｐ濃度およびＢ濃度の検量
線作成方法を説明する。まず、図１（ａ）に示すような
ＣＶＤ酸化膜６を堆積したＳｉ基板の赤外吸収スペクト
ル７を測定した後、膜厚とＢ濃度とＰ濃度が既知の図１
（ｂ）に示すようなＣＶＤ酸化膜／ＢＰＳＧ膜／Ｓｉ基
板の赤外吸収スペクトル８を測定し、両者の差からＢＰ
ＳＧ膜の赤外吸収スペクトル９を求める。ここで、ＣＶ
Ｄ酸化膜６の膜厚は全試料とも同じ１００ｎｍ程度とす
る。図１（ｃ）に前記操作によって求めたＢＰＳＧ膜の
赤外吸収スペクトル９を示す。
線作成方法を説明する。まず、図１（ａ）に示すような
ＣＶＤ酸化膜６を堆積したＳｉ基板の赤外吸収スペクト
ル７を測定した後、膜厚とＢ濃度とＰ濃度が既知の図１
（ｂ）に示すようなＣＶＤ酸化膜／ＢＰＳＧ膜／Ｓｉ基
板の赤外吸収スペクトル８を測定し、両者の差からＢＰ
ＳＧ膜の赤外吸収スペクトル９を求める。ここで、ＣＶ
Ｄ酸化膜６の膜厚は全試料とも同じ１００ｎｍ程度とす
る。図１（ｃ）に前記操作によって求めたＢＰＳＧ膜の
赤外吸収スペクトル９を示す。
【００１８】また、ＣＶＤ酸化膜／ＢＰＳＧ膜／Ｓｉ基
板の赤外吸収スペクトル８からＣＶＤ酸化膜／Ｓｉ基板
の赤外吸収スペクトル７を差し引いたＢＰＳＧ膜の赤外
吸収スペクトル９を求めるのは、１１００ｃｍ-1付近の
ピーク１の強度、１３２０ｃｍ-1付近のピーク２の強度
および１４００ｃｍ-1付近のピーク３の強度から、ＣＶ
Ｄ酸化膜、Ｓｉ基板の厚さ、裏面状態および比抵抗など
の影響を取り除くためである。
板の赤外吸収スペクトル８からＣＶＤ酸化膜／Ｓｉ基板
の赤外吸収スペクトル７を差し引いたＢＰＳＧ膜の赤外
吸収スペクトル９を求めるのは、１１００ｃｍ-1付近の
ピーク１の強度、１３２０ｃｍ-1付近のピーク２の強度
および１４００ｃｍ-1付近のピーク３の強度から、ＣＶ
Ｄ酸化膜、Ｓｉ基板の厚さ、裏面状態および比抵抗など
の影響を取り除くためである。
【００１９】つぎに、以上の操作を図４に示すような膜
厚、Ｐ濃度およびＢ濃度範囲の検量線作成用標準試料に
対して行い、各検量線作成用標準試料のＢＰＳＧ膜の赤
外吸収スペクトル９を求める。そして、各検量線作成用
標準試料の膜厚と１１００ｃｍ-1付近のピーク１の強度
とからＢＰＳＧ膜の膜厚の検量線を、各検量線作成用標
準試料のＰ濃度と１３２０ｃｍ-1付近のピーク２の強度
とからＢＰＳＧ膜のＰ濃度の検量線を、各検量線作成用
標準試料のＢ濃度と１４００ｃｍ-1付近のピーク３の強
度とからＢＰＳＧ膜のＢ濃度の検量線を求める。
厚、Ｐ濃度およびＢ濃度範囲の検量線作成用標準試料に
対して行い、各検量線作成用標準試料のＢＰＳＧ膜の赤
外吸収スペクトル９を求める。そして、各検量線作成用
標準試料の膜厚と１１００ｃｍ-1付近のピーク１の強度
とからＢＰＳＧ膜の膜厚の検量線を、各検量線作成用標
準試料のＰ濃度と１３２０ｃｍ-1付近のピーク２の強度
とからＢＰＳＧ膜のＰ濃度の検量線を、各検量線作成用
標準試料のＢ濃度と１４００ｃｍ-1付近のピーク３の強
度とからＢＰＳＧ膜のＢ濃度の検量線を求める。
【００２０】なお、この実施の形態の場合は、ＢＰＳＧ
膜２上に吸湿性の低いＣＶＤ酸化膜であるＣＶＤ酸化膜
６を堆積してあるので、従来例で問題となったＢＰＳＧ
膜２の吸湿による１３２０ｃｍ-1付近のＰ＝Ｏピーク２
の強度および１４００ｃｍ-1付近のＢ−Ｏピーク３の強
度の低下は起こらない。また、検量線は従来例と同様に
ＢＰＳＧ膜２のみの赤外吸収スペクトルから求めている
ので、この実施の形態のＢＰＳＧ膜の赤外吸収スペクト
ル９と従来のＢＰＳＧ膜の赤外吸収スペクトル５は全く
同じとなる。
膜２上に吸湿性の低いＣＶＤ酸化膜であるＣＶＤ酸化膜
６を堆積してあるので、従来例で問題となったＢＰＳＧ
膜２の吸湿による１３２０ｃｍ-1付近のＰ＝Ｏピーク２
の強度および１４００ｃｍ-1付近のＢ−Ｏピーク３の強
度の低下は起こらない。また、検量線は従来例と同様に
ＢＰＳＧ膜２のみの赤外吸収スペクトルから求めている
ので、この実施の形態のＢＰＳＧ膜の赤外吸収スペクト
ル９と従来のＢＰＳＧ膜の赤外吸収スペクトル５は全く
同じとなる。
【００２１】以上のようにして求めた検量線を用いて、
膜厚、Ｐ濃度およびＢ濃度が未知の未知試料におけるＢ
ＰＳＧ膜の測定方法を説明する。まず、図３（ａ）に示
すようなＢＰＳＧ膜を堆積していないＳｉ基板の赤外吸
収スペクトル３を測定する。つぎに、図３（ｂ）に示す
ような測定したいＢＰＳＧ膜２を堆積したＢＰＳＧ膜／
Ｓｉ基板（未知試料）の赤外吸収スペクトル４を測定
し、両者の差からＢＰＳＧ膜の赤外吸収スペクトル５を
求める。
膜厚、Ｐ濃度およびＢ濃度が未知の未知試料におけるＢ
ＰＳＧ膜の測定方法を説明する。まず、図３（ａ）に示
すようなＢＰＳＧ膜を堆積していないＳｉ基板の赤外吸
収スペクトル３を測定する。つぎに、図３（ｂ）に示す
ような測定したいＢＰＳＧ膜２を堆積したＢＰＳＧ膜／
Ｓｉ基板（未知試料）の赤外吸収スペクトル４を測定
し、両者の差からＢＰＳＧ膜の赤外吸収スペクトル５を
求める。
【００２２】そして、１１００ｃｍ-1付近のピーク１の
強度と赤外吸収スペクトル９から求めた膜厚の検量線と
からＢＰＳＧ膜２の膜厚を算出し、１３２０ｃｍ-1付近
のピーク２の強度と赤外吸収スペクトル９から求めたＰ
濃度の検量線とからＢＰＳＧ膜２のＰ濃度を算出し、１
４００ｃｍ-1付近のピーク３の強度と赤外吸収スペクト
ル９から求めたＢ濃度の検量線とからＢＰＳＧ膜２のＢ
濃度を算出する。
強度と赤外吸収スペクトル９から求めた膜厚の検量線と
からＢＰＳＧ膜２の膜厚を算出し、１３２０ｃｍ-1付近
のピーク２の強度と赤外吸収スペクトル９から求めたＰ
濃度の検量線とからＢＰＳＧ膜２のＰ濃度を算出し、１
４００ｃｍ-1付近のピーク３の強度と赤外吸収スペクト
ル９から求めたＢ濃度の検量線とからＢＰＳＧ膜２のＢ
濃度を算出する。
【００２３】このように、この第１の実施の形態によれ
ば、吸湿性の低いＣＶＤ酸化膜であるＣＶＤ酸化膜６に
よって、その下層のＢＰＳＧ膜２への吸湿が防止され
る。その結果、吸湿による１３２０ｃｍ-1付近のＰ＝Ｏ
ピーク２および１４００ｃｍ-1付近のＢ−Ｏピーク３の
強度の低下が防止できるので、検量線作成用標準試料を
長期間保管しても測定精度が低下しない。
ば、吸湿性の低いＣＶＤ酸化膜であるＣＶＤ酸化膜６に
よって、その下層のＢＰＳＧ膜２への吸湿が防止され
る。その結果、吸湿による１３２０ｃｍ-1付近のＰ＝Ｏ
ピーク２および１４００ｃｍ-1付近のＢ−Ｏピーク３の
強度の低下が防止できるので、検量線作成用標準試料を
長期間保管しても測定精度が低下しない。
【００２４】また、ＢＰＳＧ膜２と同じ常圧ＣＶＤ装置
で堆積できるＣＶＤ酸化膜６を用いるので、試料作成が
簡単になるという利点を有する。つぎに、この発明の第
２の実施の形態（請求項２に対応）を図面に基づいて説
明する。図２（ａ）は熱酸化膜／Ｓｉ基板の赤外吸収ス
ペクトルを測定するためのバックグラウンド赤外吸収ス
ペクトル測定用試料を示す。同図において、１はＳｉ基
板、１０は熱酸化膜、Ｉ0 は入射光強度、Ｉは透過光強
度である。図２（ｂ）は熱処理したＢＰＳＧ膜／熱酸化
膜／Ｓｉ基板の赤外吸収スペクトルを測定するための検
量線作成用標準試料を示す。同図において、１はＳｉ基
板（同図（ａ）のＳｉ基板１と同じ膜厚）、１０は熱酸
化膜（同図（ａ）の熱酸化膜１０と同じ膜厚）、１１は
熱処理したＢＰＳＧ膜、Ｉ0 は入射光強度、Ｉは透過光
強度である。図２（ｃ）はそれぞれの試料の波数に対す
る赤外吸光度をプロットした赤外吸収スペクトルを示
す。同図において、１２は熱酸化膜／Ｓｉ基板の赤外吸
収スペクトル、１３は熱処理したＢＰＳＧ膜／熱酸化膜
／Ｓｉ基板の赤外吸収スペクトル、１４は熱処理したＢ
ＰＳＧ膜の赤外吸収スペクトルである。また、赤外吸光
度は、前記〔数１〕によって計算した。
で堆積できるＣＶＤ酸化膜６を用いるので、試料作成が
簡単になるという利点を有する。つぎに、この発明の第
２の実施の形態（請求項２に対応）を図面に基づいて説
明する。図２（ａ）は熱酸化膜／Ｓｉ基板の赤外吸収ス
ペクトルを測定するためのバックグラウンド赤外吸収ス
ペクトル測定用試料を示す。同図において、１はＳｉ基
板、１０は熱酸化膜、Ｉ0 は入射光強度、Ｉは透過光強
度である。図２（ｂ）は熱処理したＢＰＳＧ膜／熱酸化
膜／Ｓｉ基板の赤外吸収スペクトルを測定するための検
量線作成用標準試料を示す。同図において、１はＳｉ基
板（同図（ａ）のＳｉ基板１と同じ膜厚）、１０は熱酸
化膜（同図（ａ）の熱酸化膜１０と同じ膜厚）、１１は
熱処理したＢＰＳＧ膜、Ｉ0 は入射光強度、Ｉは透過光
強度である。図２（ｃ）はそれぞれの試料の波数に対す
る赤外吸光度をプロットした赤外吸収スペクトルを示
す。同図において、１２は熱酸化膜／Ｓｉ基板の赤外吸
収スペクトル、１３は熱処理したＢＰＳＧ膜／熱酸化膜
／Ｓｉ基板の赤外吸収スペクトル、１４は熱処理したＢ
ＰＳＧ膜の赤外吸収スペクトルである。また、赤外吸光
度は、前記〔数１〕によって計算した。
【００２５】ここで、膜厚、Ｐ濃度およびＢ濃度の検量
線作成方法を説明する。まず、図２（ａ）に示すような
熱酸化膜／Ｓｉ基板の赤外吸収スペクトル１２を測定し
た後、膜厚とＢ濃度とＰ濃度が既知の図２（ｂ）に示す
ような熱処理したＢＰＳＧ膜／熱酸化膜／Ｓｉ基板の赤
外吸収スペクトル１３を測定し、両者の差から熱処理し
たＢＰＳＧ膜の赤外吸収スペクトル９を求める。ここ
で、熱酸化膜１０の膜厚は全試料とも同じ５ｎｍ程度と
し、ＢＰＳＧ膜２堆積後の熱処理温度は全試料とも同じ
８５０℃程度とする。図２（ｃ）に前記操作によって求
めた熱処理したＢＰＳＧ膜の赤外吸収スペクトル１４を
示す。
線作成方法を説明する。まず、図２（ａ）に示すような
熱酸化膜／Ｓｉ基板の赤外吸収スペクトル１２を測定し
た後、膜厚とＢ濃度とＰ濃度が既知の図２（ｂ）に示す
ような熱処理したＢＰＳＧ膜／熱酸化膜／Ｓｉ基板の赤
外吸収スペクトル１３を測定し、両者の差から熱処理し
たＢＰＳＧ膜の赤外吸収スペクトル９を求める。ここ
で、熱酸化膜１０の膜厚は全試料とも同じ５ｎｍ程度と
し、ＢＰＳＧ膜２堆積後の熱処理温度は全試料とも同じ
８５０℃程度とする。図２（ｃ）に前記操作によって求
めた熱処理したＢＰＳＧ膜の赤外吸収スペクトル１４を
示す。
【００２６】また、熱処理したＢＰＳＧ膜／熱酸化膜／
Ｓｉ基板の赤外吸収スペクトル１３から熱酸化膜／Ｓｉ
基板の赤外吸収スペクトル１２を差し引いた熱処理した
ＢＰＳＧ膜の赤外吸収スペクトル１４を求めるのは、１
１００ｃｍ-1付近のピーク１の強度、１３２０ｃｍ-1付
近のピーク２の強度および１４００ｃｍ-1付近のピーク
３の強度から、熱酸化膜、Ｓｉ基板の厚さ、裏面状態お
よび比抵抗などの影響を取り除くためである。
Ｓｉ基板の赤外吸収スペクトル１３から熱酸化膜／Ｓｉ
基板の赤外吸収スペクトル１２を差し引いた熱処理した
ＢＰＳＧ膜の赤外吸収スペクトル１４を求めるのは、１
１００ｃｍ-1付近のピーク１の強度、１３２０ｃｍ-1付
近のピーク２の強度および１４００ｃｍ-1付近のピーク
３の強度から、熱酸化膜、Ｓｉ基板の厚さ、裏面状態お
よび比抵抗などの影響を取り除くためである。
【００２７】つぎに、以上の操作を図４に示すような膜
厚、Ｐ濃度およびＢ濃度範囲の検量線作成用標準試料に
対して行い、各検量線作成用標準試料の熱処理したＢＰ
ＳＧ膜の赤外吸収スペクトル１４を求める。そして、各
検量線作成用標準試料の膜厚と１１００ｃｍ-1付近のピ
ーク１の強度とからＢＰＳＧ膜の膜厚の検量線を、各検
量線作成用標準試料のＰ濃度と１３２０ｃｍ-1付近のピ
ーク２の強度とからＢＰＳＧ膜のＰ濃度の検量線を、各
検量線作成用標準試料のＢ濃度と１４００ｃｍ-1付近の
ピーク３の強度とからＢＰＳＧ膜のＢ濃度の検量線を求
める。
厚、Ｐ濃度およびＢ濃度範囲の検量線作成用標準試料に
対して行い、各検量線作成用標準試料の熱処理したＢＰ
ＳＧ膜の赤外吸収スペクトル１４を求める。そして、各
検量線作成用標準試料の膜厚と１１００ｃｍ-1付近のピ
ーク１の強度とからＢＰＳＧ膜の膜厚の検量線を、各検
量線作成用標準試料のＰ濃度と１３２０ｃｍ-1付近のピ
ーク２の強度とからＢＰＳＧ膜のＰ濃度の検量線を、各
検量線作成用標準試料のＢ濃度と１４００ｃｍ-1付近の
ピーク３の強度とからＢＰＳＧ膜のＢ濃度の検量線を求
める。
【００２８】なお、この実施の形態の場合は、熱処理し
たＢＰＳＧ膜１１を用いているので、従来例で問題とな
ったたＢＰＳＧ膜２の吸湿による１３２０ｃｍ-1付近の
Ｐ＝Ｏピーク２の強度および１４００ｃｍ-1付近のＢ−
Ｏピーク３の強度の低下は起こらない。また、ＢＰＳＧ
膜２の下層に熱酸化膜１０を形成しているので、熱処理
中のＢＰＳＧ膜２からＳｉ基板１へのＢとＰの拡散は起
こらず、Ｓｉ基板１の赤外吸収スペクトルは従来例のＳ
ｉ基板１の赤外吸収スペクトルと全く同じである。さら
に、検量線は従来例と同様にＢＰＳＧ膜２のみの赤外吸
収スペクトルから求めているので、この実施の形態のＢ
ＰＳＧ膜の赤外吸収スペクトル１４と従来のＢＰＳＧ膜
の赤外吸収スペクトル５は全く同じである。
たＢＰＳＧ膜１１を用いているので、従来例で問題とな
ったたＢＰＳＧ膜２の吸湿による１３２０ｃｍ-1付近の
Ｐ＝Ｏピーク２の強度および１４００ｃｍ-1付近のＢ−
Ｏピーク３の強度の低下は起こらない。また、ＢＰＳＧ
膜２の下層に熱酸化膜１０を形成しているので、熱処理
中のＢＰＳＧ膜２からＳｉ基板１へのＢとＰの拡散は起
こらず、Ｓｉ基板１の赤外吸収スペクトルは従来例のＳ
ｉ基板１の赤外吸収スペクトルと全く同じである。さら
に、検量線は従来例と同様にＢＰＳＧ膜２のみの赤外吸
収スペクトルから求めているので、この実施の形態のＢ
ＰＳＧ膜の赤外吸収スペクトル１４と従来のＢＰＳＧ膜
の赤外吸収スペクトル５は全く同じである。
【００２９】以上のようにして求めた検量線を用いて、
膜厚、Ｐ濃度およびＢ濃度が未知な場合のＢＰＳＧ膜２
の測定方法を説明する。まず、図３（ａ）に示すような
ＢＰＳＧ膜２を堆積していないＳｉ基板の赤外吸収スペ
クトル３を測定する。つぎに、図３（ｂ）に示すような
測定したいＢＰＳＧ膜２を堆積したＢＰＳＧ膜／Ｓｉ基
板の赤外吸収スペクトル４を測定し、両者の差からＢＰ
ＳＧ膜の赤外吸収スペクトル５を求める。
膜厚、Ｐ濃度およびＢ濃度が未知な場合のＢＰＳＧ膜２
の測定方法を説明する。まず、図３（ａ）に示すような
ＢＰＳＧ膜２を堆積していないＳｉ基板の赤外吸収スペ
クトル３を測定する。つぎに、図３（ｂ）に示すような
測定したいＢＰＳＧ膜２を堆積したＢＰＳＧ膜／Ｓｉ基
板の赤外吸収スペクトル４を測定し、両者の差からＢＰ
ＳＧ膜の赤外吸収スペクトル５を求める。
【００３０】そして、１１００ｃｍ-1付近のピーク１の
強度と赤外吸収スペクトル１４から求めた膜厚の検量線
とからＢＰＳＧ膜の膜厚を算出、１３２０ｃｍ-1付近の
ピーク２の強度と赤外吸収スペクトル１４から求めたＰ
濃度の検量線とからＢＰＳＧ膜のＰ濃度を算出、１４０
０ｃｍ-1付近のピーク３の強度と赤外吸収スペクトル１
４から求めたＢＰＳＧ膜のＢ濃度の検量線とからＢ濃度
を算出する。
強度と赤外吸収スペクトル１４から求めた膜厚の検量線
とからＢＰＳＧ膜の膜厚を算出、１３２０ｃｍ-1付近の
ピーク２の強度と赤外吸収スペクトル１４から求めたＰ
濃度の検量線とからＢＰＳＧ膜のＰ濃度を算出、１４０
０ｃｍ-1付近のピーク３の強度と赤外吸収スペクトル１
４から求めたＢＰＳＧ膜のＢ濃度の検量線とからＢ濃度
を算出する。
【００３１】このように、この第２の実施の形態によれ
ば、熱処理によってＢＰＳＧ膜１１の吸湿性が低くな
る。そのため、吸湿による１３２０ｃｍ-1付近のＰ＝Ｏ
ピーク２および１４００ｃｍ-1付近のＢ−Ｏピーク３の
強度低下が防止できるので、検量線作成用標準試料を長
期間保管しても測定精度が低下しない。また、赤外吸収
スペクトルにほとんど影響しない５ｎｍ程度の薄い熱酸
化膜１０を形成するだけなので、熱処理したＢＰＳＧ膜
／Ｓｉ基板の赤外吸収スペクトル１３を求めるときの精
度が高くなるという利点を有する。
ば、熱処理によってＢＰＳＧ膜１１の吸湿性が低くな
る。そのため、吸湿による１３２０ｃｍ-1付近のＰ＝Ｏ
ピーク２および１４００ｃｍ-1付近のＢ−Ｏピーク３の
強度低下が防止できるので、検量線作成用標準試料を長
期間保管しても測定精度が低下しない。また、赤外吸収
スペクトルにほとんど影響しない５ｎｍ程度の薄い熱酸
化膜１０を形成するだけなので、熱処理したＢＰＳＧ膜
／Ｓｉ基板の赤外吸収スペクトル１３を求めるときの精
度が高くなるという利点を有する。
【００３２】なお、この実施の形態では、ＢＰＳＧ膜中
のＰおよびＢ濃度測定方法に関して説明したが、ＰＳＧ
膜中のＰ濃度測定方法に関しても、１４００ｃｍ-1付近
のピーク３が観察されないだけで、他はＢＰＳＧ膜と全
く同様である。
のＰおよびＢ濃度測定方法に関して説明したが、ＰＳＧ
膜中のＰ濃度測定方法に関しても、１４００ｃｍ-1付近
のピーク３が観察されないだけで、他はＢＰＳＧ膜と全
く同様である。
【００３３】
【発明の効果】この発明の赤外吸収スペクトル法による
ＣＶＤ膜中のＰ，Ｂ濃度測定方法によれば、検量線作成
用標準試料を長期保管しても測定精度が低下することは
ない。また、この発明の赤外吸収スペクトル法による検
量線作成用標準試料は、ＣＶＤ膜中のＰ，Ｂ濃度測定方
法によるＰ，Ｂ濃度の測定程度が低下することはない。
ＣＶＤ膜中のＰ，Ｂ濃度測定方法によれば、検量線作成
用標準試料を長期保管しても測定精度が低下することは
ない。また、この発明の赤外吸収スペクトル法による検
量線作成用標準試料は、ＣＶＤ膜中のＰ，Ｂ濃度測定方
法によるＰ，Ｂ濃度の測定程度が低下することはない。
【図１】（ａ）はこの発明の第１の実施の形態における
バックグラウンド赤外吸収スペクトル測定用試料の断面
構成図、（ｂ）は同じく検量線作成用標準試料（または
未知試料）の断面構成図、（ｃ）は同じく赤外吸収スペ
クトル図である。
バックグラウンド赤外吸収スペクトル測定用試料の断面
構成図、（ｂ）は同じく検量線作成用標準試料（または
未知試料）の断面構成図、（ｃ）は同じく赤外吸収スペ
クトル図である。
【図２】（ａ）はこの発明の第２の実施の形態における
バックグラウンド赤外吸収スペクトル測定用試料の断面
構成図、（ｂ）は同じく検量線作成用標準試料（または
未知試料）の断面構成図、（ｃ）は同じく赤外吸収スペ
クトル図である。
バックグラウンド赤外吸収スペクトル測定用試料の断面
構成図、（ｂ）は同じく検量線作成用標準試料（または
未知試料）の断面構成図、（ｃ）は同じく赤外吸収スペ
クトル図である。
【図３】（ａ）は従来例におけるバックグラウンド赤外
吸収スペクトル測定用試料の断面構成図、（ｂ）は同じ
く検量線作成用標準試料（または未知試料）の断面構成
図、（ｃ）は同じく赤外吸収スペクトル図である。
吸収スペクトル測定用試料の断面構成図、（ｂ）は同じ
く検量線作成用標準試料（または未知試料）の断面構成
図、（ｃ）は同じく赤外吸収スペクトル図である。
【図４】検量線作成用標準試料の膜厚、Ｐ濃度およびＢ
濃度の選択条件図である。
濃度の選択条件図である。
１ Ｓｉ基板 ２ ＢＰＳＧ膜 ３ Ｓｉ基板の赤外吸収スペクトル ４ ＢＰＳＧ膜／Ｓｉ基板の赤外吸収スペクトル ５ ＢＰＳＧ膜の赤外吸収スペクトル ６ ＣＶＤ酸化膜 ７ ＣＶＤ酸化膜／Ｓｉ基板の赤外吸収スペクトル ８ ＣＶＤ酸化膜／ＢＰＳＧ膜／Ｓｉ基板の赤外吸収ス
ペクトル ９ ＢＰＳＧ膜の赤外吸収スペクトル １０ 熱酸化膜 １１ 熱処理したＢＰＳＧ膜 １２ 熱酸化膜／Ｓｉ基板の赤外吸収スペクトル １３ 熱処理したＢＰＳＧ膜／熱酸化膜／Ｓｉ基板の赤
外吸収スペクトル １４ 熱処理したＢＰＳＧ膜の赤外吸収スペクトル Ｉ0 入射光強度 Ｉ 透過光強度 ピーク１ Ｓｉ−Ｏの赤外吸収ピーク ピーク２ Ｐ＝Ｏの赤外吸収ピーク ピーク３ Ｂ−Ｏの赤外吸収ピーク × 検量線作成用標準試料の膜厚、Ｐ濃度およびＢ濃
度の選択条件
ペクトル ９ ＢＰＳＧ膜の赤外吸収スペクトル １０ 熱酸化膜 １１ 熱処理したＢＰＳＧ膜 １２ 熱酸化膜／Ｓｉ基板の赤外吸収スペクトル １３ 熱処理したＢＰＳＧ膜／熱酸化膜／Ｓｉ基板の赤
外吸収スペクトル １４ 熱処理したＢＰＳＧ膜の赤外吸収スペクトル Ｉ0 入射光強度 Ｉ 透過光強度 ピーク１ Ｓｉ−Ｏの赤外吸収ピーク ピーク２ Ｐ＝Ｏの赤外吸収ピーク ピーク３ Ｂ−Ｏの赤外吸収ピーク × 検量線作成用標準試料の膜厚、Ｐ濃度およびＢ濃
度の選択条件
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｓｉ基板上にＢＰＳＧ膜またはＰＳＧ膜
を堆積した後に吸湿性の低いＣＶＤ酸化膜を堆積した検
量線作成用標準試料を赤外吸収スペクトル法による検量
線作成に用いることを特徴とする赤外吸収スペクトル法
によるＣＶＤ膜中のＰ，Ｂ濃度測定方法。 - 【請求項２】 ５ｎｍ以上の熱酸化膜を形成したＳｉ基
板上にＢＰＳＧ膜またはＰＳＧ膜を堆積した後に熱処理
を行った検量線作成用標準試料を赤外吸収スペクトル法
による検量線作成に用いることを特徴とする赤外吸収ス
ペクトル法によるＣＶＤ膜中のＰ，Ｂ濃度測定方法。 - 【請求項３】 Ｓｉ基板と、このＳｉ基板上に堆積した
ＢＰＳＧ膜またはＰＳＧ膜と、このＢＰＳＧ膜またはＰ
ＳＧ膜上に堆積した吸湿性の低いＣＶＤ酸化膜とを備え
た赤外吸収スペクトル法による検量線作成用標準試料。 - 【請求項４】 Ｓｉ基板と、このＳｉ基板上に形成した
５ｎｍ以上の熱酸化膜と、この熱酸化膜上に形成し熱処
理を行ったＢＰＳＧ膜またはＰＳＧ膜とを備えた赤外吸
収スペクトル法による検量線作成用標準試料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17474895A JPH0926392A (ja) | 1995-07-11 | 1995-07-11 | 赤外吸収スペクトル法によるｃｖｄ膜中のｐ，ｂ濃度測定方法および検量線作成用標準試料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17474895A JPH0926392A (ja) | 1995-07-11 | 1995-07-11 | 赤外吸収スペクトル法によるｃｖｄ膜中のｐ，ｂ濃度測定方法および検量線作成用標準試料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0926392A true JPH0926392A (ja) | 1997-01-28 |
Family
ID=15983999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17474895A Pending JPH0926392A (ja) | 1995-07-11 | 1995-07-11 | 赤外吸収スペクトル法によるｃｖｄ膜中のｐ，ｂ濃度測定方法および検量線作成用標準試料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0926392A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030055841A (ko) * | 2001-12-27 | 2003-07-04 | 삼성전자주식회사 | 비피에스지막의 두께 및 도핑된 불순물의 농도 측정 방법 |
| KR100540865B1 (ko) * | 2002-11-06 | 2006-01-11 | 삼성전자주식회사 | 농도 측정방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 불순물 농도측정방법 |
| CN113252596A (zh) * | 2021-07-15 | 2021-08-13 | 四川九通智路科技有限公司 | 一种基于红外激光的新型公路路面状态监测方法 |
-
1995
- 1995-07-11 JP JP17474895A patent/JPH0926392A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030055841A (ko) * | 2001-12-27 | 2003-07-04 | 삼성전자주식회사 | 비피에스지막의 두께 및 도핑된 불순물의 농도 측정 방법 |
| KR100540865B1 (ko) * | 2002-11-06 | 2006-01-11 | 삼성전자주식회사 | 농도 측정방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 불순물 농도측정방법 |
| CN113252596A (zh) * | 2021-07-15 | 2021-08-13 | 四川九通智路科技有限公司 | 一种基于红外激光的新型公路路面状态监测方法 |
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