JPH09260303A - Semiconductor manufacturing equipment and cleaning thereof - Google Patents
Semiconductor manufacturing equipment and cleaning thereofInfo
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- JPH09260303A JPH09260303A JP6335696A JP6335696A JPH09260303A JP H09260303 A JPH09260303 A JP H09260303A JP 6335696 A JP6335696 A JP 6335696A JP 6335696 A JP6335696 A JP 6335696A JP H09260303 A JPH09260303 A JP H09260303A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、チャンバを有す
る半導体製造装置とそのチャンバのクリーニング方法に
係り、チャンバに付着した付着物の除去に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus having a chamber and a method of cleaning the chamber, and more particularly to removing deposits attached to the chamber.
【0002】[0002]
【従来の技術】近時、半導体装置の内部配線層の導電材
料としてアルミニウム(Al)に代わって、銅(Cu)
がクローズアップされてきた。銅はアルミニウムに比べ
て固有抵抗が小さいので、配線の微細化に適しているた
めである。2. Description of the Related Art Recently, copper (Cu) has been used in place of aluminum (Al) as a conductive material for internal wiring layers of semiconductor devices.
Has been close up. This is because copper has a smaller specific resistance than aluminum and is suitable for fine wiring.
【0003】また、内部配線層は、従来、層間絶縁膜上
に導電材料層を形成し、形成された導電材料層をリソグ
ラフィ法を用いてパターニングして形成するのが一般的
である。Further, conventionally, the internal wiring layer is generally formed by forming a conductive material layer on an interlayer insulating film and patterning the formed conductive material layer by a lithographic method.
【0004】しかし、内部配線層がより微細に、そし
て、より多層化してくるにつれ、その形成は難しくなっ
てきている。そこで、層間絶縁膜自体に配線パターンに
応じた溝を形成し、この溝に導電材料を埋め込むこと
で、内部配線層を形成する、という方法が注目されつつ
ある。However, as the internal wiring layers become finer and more multilayered, it becomes difficult to form them. Therefore, a method of forming a groove according to a wiring pattern in the interlayer insulating film itself and burying a conductive material in the groove to form an internal wiring layer is attracting attention.
【0005】このような方法において、導電材料に銅を
用いたときには、形成された銅の層をメルトする工程を
付加する。銅を、溝に確実に埋め込むためである。銅を
メルトするためには、銅にエネルギを与える。銅にエネ
ルギを与えるためには、レーザが使われる。レーザは、
大気と隔離してウェーハを処理するプロセスチャンバの
外から、ウィンドウを介してチャンバに導かれ、ウェー
ハに形成された銅の層に照射される。レーザが照射され
ることによって、銅の層は加熱され、メルトする。In such a method, when copper is used as the conductive material, a step of melting the formed copper layer is added. This is because copper is surely embedded in the groove. In order to melt copper, energy is given to copper. A laser is used to energize the copper. The laser is
A copper layer formed on the wafer is irradiated with the gas from a process chamber that is isolated from the atmosphere and is introduced into the chamber through a window. The copper layer is heated and melted by being irradiated with the laser.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところで、銅の蒸気圧
は、融点で約6×10-2Paと高い。レーザ照射の1パ
ルスを、融点温度×100n秒としたときには、約0.
46nmの厚みの銅が蒸発する。実際に工程を製造ライ
ンに組み込むときには、レーザ照射の1パルスを、(融
点温度+100℃)×100n秒とすることが良いと思
われる。しかし、このときには、約3.1nmの厚みの
銅が蒸発する。蒸発した銅は、ウィンドウに付着する。
ウィンドウに銅が付着すると、透過率が下がる。1ロッ
トも処理すれば、ウィンドウに付着した銅によって、ウ
ェーハへ照射されるエネルギは確実に低下する。By the way, the vapor pressure of copper is as high as about 6 × 10 -2 Pa in melting point. When one pulse of the laser irradiation is set to the melting point temperature × 100 nsec, it is about 0.
Copper with a thickness of 46 nm evaporates. When actually incorporating the process into the manufacturing line, it is considered that one pulse of laser irradiation should be (melting point temperature + 100 ° C.) × 100 ns. However, at this time, copper having a thickness of about 3.1 nm is evaporated. The evaporated copper adheres to the window.
If copper adheres to the window, the transmittance will decrease. If one lot is processed, the energy deposited on the wafer will definitely decrease due to the copper adhering to the window.
【0007】ウィンドウに銅が付着してウェーハへ照射
されるエネルギが低下したときには、ウィンドウを製造
装置から外し、ウィンドウをクリーニングして付着した
銅を取り除いている。When copper is attached to the window and the energy applied to the wafer is reduced, the window is removed from the manufacturing apparatus and the window is cleaned to remove the attached copper.
【0008】しかし、製造装置の冷却待ち時間、並びに
真空再立ち上げ時間など、ロス時間があり、メンテナン
ス性がいま一つ良くない。この発明は上記の事情に鑑み
て為されたもので、その目的は、メンテナンス性を損な
わずに、ウィンドウが取り付けられているチャンバをク
リーニングできる半導体製造装置のクリーニング方法を
提供することにある。また、他の目的は、上記のクリー
ニング方法を効率良く行える半導体製造装置を提供する
ことにある。However, there is a loss time such as a waiting time for cooling the manufacturing apparatus and a vacuum restart time, and maintainability is not good. The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a cleaning method for a semiconductor manufacturing apparatus that can clean a chamber to which a window is attached without impairing maintainability. Another object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus that can efficiently perform the above cleaning method.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明では、大気と隔離して半導体基板を処理す
るプロセスチャンバと、前記基板を加熱するためのエネ
ルギを発するエネルギ源と、前記エネルギを前記プロセ
スチャンバに導くウィンドウと、前記プロセスチャンバ
にガスを導入するガス導入系とを少なくとも有する半導
体製造装置のクリーニング方法であって、前記エネルギ
を用いて、前記ウィンドウに付着している付着物を加熱
し、前記付着物を除去することを特徴としている。In order to achieve the above object, according to the present invention, there is provided a process chamber for processing a semiconductor substrate in isolation from the atmosphere, an energy source for emitting energy for heating the substrate, and What is claimed is: 1. A method for cleaning a semiconductor manufacturing apparatus, comprising: a window that guides energy to the process chamber; and a gas introduction system that introduces gas into the process chamber, the deposit being attached to the window using the energy. Is heated to remove the deposits.
【0010】さらに、前記ガス導入系から前記付着物と
反応する反応性ガスを前記プロセスチャンバに導入し
て、前記プロセスチャンバ中の雰囲気を付着物が化学反
応を起こす反応性雰囲気とし、前記反応性雰囲気中で前
記ウィンドウに付着している付着物を加熱して前記付着
物を昇華させ、前記付着物を除去することを特徴として
いる。Further, a reactive gas that reacts with the deposit is introduced from the gas introduction system into the process chamber to make the atmosphere in the process chamber a reactive atmosphere in which the deposit undergoes a chemical reaction. It is characterized in that the deposit attached to the window is heated in an atmosphere to sublimate the deposit to remove the deposit.
【0011】さらに、前記反応性雰囲気を気相エッチン
グ雰囲気に置換し、前記反応性雰囲気中で生成された反
応生成物を、気相エッチングによってさらに除去するこ
とを特徴としている。Further, it is characterized in that the reactive atmosphere is replaced with a vapor phase etching atmosphere, and the reaction product produced in the reactive atmosphere is further removed by vapor phase etching.
【0012】また、前記プロセスチャンバの、少なくと
も処理雰囲気に晒されていた面を加熱し、前記面に付着
している付着物を、前記ウィンドウに付着している付着
物とともに除去することを特徴としている。Further, it is characterized in that at least the surface of the process chamber that has been exposed to the processing atmosphere is heated to remove the deposits adhering to the surface together with the deposits adhering to the window. There is.
【0013】また、上記他の目的を達成するために、こ
の発明では、大気と隔離して半導体基板を処理するプロ
セスチャンバと、前記基板を加熱するためのエネルギを
発するエネルギ源と、前記エネルギを前記プロセスチャ
ンバに導くウィンドウと、前記プロセスチャンバにガス
を導入するガス導入系とを具備し、さらに前記エネルギ
を前記ウィンドウの近くにフォーカスさせるフォーカス
系を具備することを特徴としている。Further, in order to achieve the above-mentioned other object, in the present invention, a process chamber for processing a semiconductor substrate in a state of being isolated from the atmosphere, an energy source for emitting energy for heating the substrate, and the energy It is characterized by including a window leading to the process chamber, a gas introduction system for introducing a gas into the process chamber, and a focus system for focusing the energy near the window.
【0014】また、前記フォーカス系は、前記エネルギ
が前記ウィンドウに達する前に、前記エネルギを前記ウ
ィンドウの近くにフォーカスさせることを特徴としてい
る。また、前記フォーカス系は、前記エネルギが前記ウ
ィンドウを介して前記プロセスチャンバに導かれた後
に、前記エネルギを前記プロセスチャンバの中で反射さ
せて、前記エネルギを前記ウィンドウの近くにフォーカ
スさせることを特徴としている。Further, the focus system is characterized in that the energy is focused near the window before the energy reaches the window. Further, the focus system reflects the energy in the process chamber after the energy is guided to the process chamber through the window to focus the energy near the window. I am trying.
【0015】また、前記プロセスチャンバの、少なくと
も処理雰囲気に晒される面を加熱する加熱系を、さらに
具備することを特徴としている。また、前記ガス導入系
は、前記基板を処理するためのプロセスガスの他、前記
ウィンドウに付着した付着物と反応する反応性ガスを、
前記プロセスチャンバに、さらに導入することを特徴と
している。Further, the invention is characterized by further comprising a heating system for heating at least a surface of the process chamber exposed to the processing atmosphere. Further, the gas introduction system, in addition to the process gas for processing the substrate, a reactive gas that reacts with the deposits attached to the window,
It is characterized in that it is further introduced into the process chamber.
【0016】また、大気と隔離して半導体基板を処理す
るプロセスチャンバと、前記基板を加熱するためのエネ
ルギを発するエネルギ源と、前記エネルギを前記プロセ
スチャンバに導くウィンドウと、前記プロセスチャンバ
にガスを導入するガス導入系と、前記エネルギを前記ウ
ィンドウの近くにフォーカスさせるフォーカス系とを少
なくとも有する半導体製造装置のクリーニング方法であ
って、前記エネルギを前記ウィンドウの近くにフォーカ
スさせ、前記ウィンドウに付着している付着物を加熱
し、前記付着物を除去することを特徴としている。Further, a process chamber for processing a semiconductor substrate isolated from the atmosphere, an energy source for emitting energy for heating the substrate, a window for guiding the energy to the process chamber, and a gas for the process chamber. A method for cleaning a semiconductor manufacturing apparatus having at least a gas introduction system for introducing and a focus system for focusing the energy near the window, wherein the energy is focused near the window and adhered to the window. It is characterized in that the attached matter is heated to remove the attached matter.
【0017】さらに、前記ガス導入系から前記付着物と
反応する反応性ガスを前記プロセスチャンバに導入し
て、前記プロセスチャンバ中の雰囲気を付着物が化学反
応を起こす反応性雰囲気とし、前記反応性雰囲気中で前
記ウィンドウに付着している付着物を加熱して前記付着
物を昇華させ、前記付着物を除去することを特徴として
いる。Further, a reactive gas that reacts with the deposit is introduced from the gas introduction system into the process chamber to make the atmosphere in the process chamber a reactive atmosphere in which the deposit undergoes a chemical reaction, It is characterized in that the deposit attached to the window is heated in an atmosphere to sublimate the deposit to remove the deposit.
【0018】さらに、前記反応性雰囲気を気相エッチン
グ雰囲気に置換し、前記反応性雰囲気中で生成された反
応生成物を、気相エッチングによってさらに除去するこ
とを特徴としている。Further, it is characterized in that the reactive atmosphere is replaced with a vapor phase etching atmosphere, and the reaction product produced in the reactive atmosphere is further removed by vapor phase etching.
【0019】さらに、前記プロセスチャンバの、少なく
とも処理雰囲気に晒されていた面を加熱し、前記面に付
着している付着物を、前記ウィンドウに付着している付
着物とともに除去することを特徴としている。Further, at least the surface of the process chamber that has been exposed to the processing atmosphere is heated, and the deposits adhering to the surface are removed together with the deposits adhering to the window. There is.
【0020】また、前記エネルギは、前記ウィンドウに
達する前に、前記ウィンドウの近くにフォーカスされる
ことを特徴としている。さらに、前記エネルギは、前記
ウィンドウを介して前記プロセスチャンバに導かれた後
に、前記エネルギを前記プロセスチャンバの中で反射さ
せて、前記ウィンドウの近くにフォーカスされることを
特徴としている。Further, the energy is focused near the window before reaching the window. Further, the energy is guided to the process chamber through the window and then reflected in the process chamber to be focused near the window.
【0021】[0021]
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて説明する。図1は、この発明の第1の実施の形態に
係る半導体製造装置(熱処理装置)の断面図である。Embodiments of the present invention will be described below. FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor manufacturing apparatus (heat treatment apparatus) according to the first embodiment of the present invention.
【0022】図1に示すように、ウェーハ1を、大気と
隔離して処理するプロセスチャンバ3がある。チャンバ
3の外部には、レーザ5を発するレーザ源7が設けられ
ている。レーザ5はウェーハ1に形成されている銅の層
9にエネルギを与え、銅の層9の、少なくとも一部を加
熱する。レーザ5の一例は、エキシマレーザである。チ
ャンバ3は、レーザ光を通さない金属により形成されて
いるが、その一部には、レーザ光を通すガラス製のウィ
ンドウ11が設けられている。レーザ5の焦点は、光学
系13によって設定される。レーザ5は、光学系13に
よりフォーカスされ、ウィンドウ11を介して、チャン
バ3内に導かれる。As shown in FIG. 1, there is a process chamber 3 for processing a wafer 1 in isolation from the atmosphere. A laser source 7 that emits a laser 5 is provided outside the chamber 3. The laser 5 energizes the copper layer 9 formed on the wafer 1 to heat at least a portion of the copper layer 9. An example of the laser 5 is an excimer laser. The chamber 3 is made of a metal that does not allow laser light to pass through, and a glass window 11 that allows laser light to pass through is provided in a part of the chamber 3. The focus of the laser 5 is set by the optical system 13. The laser 5 is focused by the optical system 13 and guided into the chamber 3 through the window 11.
【0023】この第1の実施の形態に係る半導体製造装
置では、レーザ5の焦点が固定されている。レーザ5の
焦点を、銅の層9に合わせるためには、ウェーハステー
ジ27をZ軸(垂直方向)に移動させる図示せぬZ軸機
構が使われる。また、参照符号15に示す部材は、レー
ザ源7から発せられたレーザ5を反射させ、レーザ5を
光学系13に導くためのミラーである。In the semiconductor manufacturing apparatus according to the first embodiment, the focus of the laser 5 is fixed. In order to focus the laser 5 on the copper layer 9, a Z-axis mechanism (not shown) that moves the wafer stage 27 in the Z-axis (vertical direction) is used. The member indicated by reference numeral 15 is a mirror for reflecting the laser 5 emitted from the laser source 7 and guiding the laser 5 to the optical system 13.
【0024】また、チャンバ3にはガス導入系17およ
び排気系19が接続されていて、チャンバ3の圧力、雰
囲気を、様々な熱処理工程に応じて調節できるようにな
っている。Further, a gas introduction system 17 and an exhaust system 19 are connected to the chamber 3 so that the pressure and atmosphere of the chamber 3 can be adjusted according to various heat treatment processes.
【0025】さらに、チャンバ3の外部にはヒータ21
が設けられている。ヒータ21は、チャンバ3の、少な
くとも処理雰囲気に晒される面を加熱するためのもので
ある。ヒータ21の取付位置は、チャンバ3を形づくる
ための金属性ハウジング23の内部、あるいは図示する
ようにハウジング23の外のいずれかである。ウェーハ
1は、支持柱25により支持されたステージ27に載置
される。支持柱25およびステージ27の中にもそれぞ
れ、ヒータ21が設けられている。Further, a heater 21 is provided outside the chamber 3.
Is provided. The heater 21 is for heating at least the surface of the chamber 3 that is exposed to the processing atmosphere. The mounting position of the heater 21 is either inside the metallic housing 23 for forming the chamber 3 or outside the housing 23 as shown. The wafer 1 is mounted on the stage 27 supported by the support columns 25. The heater 21 is also provided in each of the support column 25 and the stage 27.
【0026】ヒータ21は、後述するクリーニング工程
に使用することを目的として、さらに取り付けられたも
のである。しかし、ヒータ21は、レーザ5による加熱
以外に、チャンバ3の温度を、特にウェーハ1の周囲の
温度を、様々な熱処理工程に応じて調節するなど、熱処
理工程のときにも利用することができる。The heater 21 is further attached for the purpose of using it in the cleaning process described later. However, the heater 21 can be used during the heat treatment process, such as adjusting the temperature of the chamber 3, in particular, the temperature around the wafer 1 according to various heat treatment processes, in addition to the heating by the laser 5. .
【0027】図1に示す断面は、銅の層9をメルトする
ための熱処理工程のときの断面である。銅の層9をメル
トするには、レーザ5の焦点を銅の層9にフォーカスさ
せる。これにより、銅の層9にはエネルギが与えられ、
銅の層9が加熱される。加熱された銅の層9は流動性を
得るようになる。流動性を得た銅は、配線形成用溝、あ
るいはコンタクト孔などの段差部分へと流れこみ、段差
部分を徐々に埋めていく。The cross section shown in FIG. 1 is a cross section during the heat treatment step for melting the copper layer 9. To melt the copper layer 9, the laser 5 is focused on the copper layer 9. This gives energy to the copper layer 9,
The copper layer 9 is heated. The heated copper layer 9 becomes fluid. The fluidized copper flows into the step portion such as the wiring forming groove or the contact hole, and gradually fills the step portion.
【0028】このとき、加熱された銅の層9からは、銅
が蒸発していく。蒸発した銅は、ウィンドウ11やチャ
ンバ3の内壁面(処理雰囲気に晒される面)に付着す
る。図2は、図1に示す半導体製造装置の断面図であ
る。図2に示す断面は、ウィンドウ11に付着した銅を
除去するためのクリーニング工程のときの断面である。At this time, copper evaporates from the heated copper layer 9. The evaporated copper adheres to the window 11 and the inner wall surface of the chamber 3 (the surface exposed to the processing atmosphere). FIG. 2 is a sectional view of the semiconductor manufacturing apparatus shown in FIG. The cross section shown in FIG. 2 is a cross section at the time of the cleaning process for removing the copper adhering to the window 11.
【0029】図2に示すように、ウィンドウ11には付
着物層30が形成されている。付着物層30は、蒸発し
た銅が付着して形成されたものである。付着物層30が
ウィンドウ11に形成されたままでは、ウィンドウ11
の透過率が下がってしまう。付着物層30を除去するた
めに、この第1の実施の形態に係る半導体製造装置で
は、レーザ5を付着物層30に照射し、付着物層30に
エネルギを与え、付着物層30を加熱する。加熱によっ
て、付着物層30からは、付着物層30を構成している
銅が蒸発する。これにより、付着物層30が除去され
る。As shown in FIG. 2, an adhering substance layer 30 is formed on the window 11. The deposit layer 30 is formed by depositing evaporated copper. If the deposit layer 30 remains formed on the window 11,
Transmittance will be reduced. In order to remove the deposit layer 30, the semiconductor manufacturing apparatus according to the first embodiment irradiates the deposit layer 30 with the laser 5 to apply energy to the deposit layer 30 to heat the deposit layer 30. To do. By heating, the copper forming the deposit layer 30 evaporates from the deposit layer 30. As a result, the deposit layer 30 is removed.
【0030】この第1の実施の形態では、レーザ5の焦
点が固定であり、レーザ5の焦点が付着物層30に合っ
ていない。しかしながら、レーザ5が当たっていれば、
付着物層30にはエネルギが与えられるので、付着物層
30を加熱することができる。このような加熱を続けれ
ば、付着物層30は蒸発し、そして除去することができ
る。In the first embodiment, the focus of the laser 5 is fixed, and the focus of the laser 5 is not aligned with the deposit layer 30. However, if the laser 5 hits,
Since energy is applied to the deposit layer 30, the deposit layer 30 can be heated. If such heating is continued, the deposit layer 30 can be evaporated and removed.
【0031】また、固定されたレーザ5の焦点は、ステ
ージ27の近くにあって、ウィンドウ11のクリーニン
グ中に、ステージ27に熱的なダメージが与えられる可
能性がある。これを防止するために、一つの形態では、
ウィンドウ11をクリーニングしている間、ステージ2
7を、レーザ5の焦点から外れるような位置に移動させ
ておく。また、他の形態では、図2に示すようにステー
ジ27に、ダミーウェーハ100を置く。ステージ27
に置かれたダミーウェーハ100によって、ステージ2
7は、熱的なダメージから保護される。Further, the focus of the fixed laser 5 is near the stage 27, and there is a possibility that the stage 27 is thermally damaged during the cleaning of the window 11. To prevent this, in one form,
Stage 2 while cleaning window 11
7 is moved to a position where it is out of the focus of the laser 5. In another embodiment, the dummy wafer 100 is placed on the stage 27 as shown in FIG. Stage 27
By the dummy wafer 100 placed on the stage 2
7 is protected from thermal damage.
【0032】上記付着物層30の加熱は、排気系19を
使って、チャンバ3を脱気しながら行うと、さらに良
い。付着物層30から蒸発した銅が、ウィンドウに再び
付着することを防止できるためである。It is more preferable to heat the deposit layer 30 while using the exhaust system 19 to evacuate the chamber 3. This is because it is possible to prevent the copper evaporated from the deposit layer 30 from reattaching to the window.
【0033】また、チャンバ3を脱気し続けておくこと
によって、チャンバ3の中の圧力を、低く保てる。チャ
ンバ3の中の圧力が、例えば大気圧よりも低くなってい
れば、銅の気化点は下がり、銅の気化を、さらに促進さ
せることができる。Further, by keeping the chamber 3 degassed, the pressure in the chamber 3 can be kept low. If the pressure in the chamber 3 is lower than atmospheric pressure, for example, the vaporization point of copper is lowered, and vaporization of copper can be further promoted.
【0034】さらにこの第1の実施の形態では、付着物
層30の気化/蒸発を加速させるために、チャンバ3の
雰囲気を、銅を酸化させる酸化性雰囲気としている。酸
化性雰囲気は、ガス導入系17から、酸素(O2 )をチ
ャンバ3に導入することによって作られる。具体的に
は、分圧として10-4Pa程度導入する。これにより、
付着物層30を構成している銅は酸化され、Cu2 Oと
なる。Cu2 Oは、Cuよりも昇華しやすい。温度60
0℃における蒸気圧は10-2Paである。これにより、
付着物層30の気化/蒸発は、よりいっそう加速され
る。Further, in this first embodiment, in order to accelerate the vaporization / evaporation of the deposit layer 30, the atmosphere in the chamber 3 is an oxidizing atmosphere for oxidizing copper. The oxidizing atmosphere is created by introducing oxygen (O 2 ) into the chamber 3 from the gas introduction system 17. Specifically, about 10 −4 Pa is introduced as a partial pressure. This allows
The copper forming the deposit layer 30 is oxidized to Cu 2 O. Cu 2 O is easier to sublime than Cu. Temperature 60
The vapor pressure at 0 ° C is 10 -2 Pa. This allows
The vaporization / evaporation of the deposit layer 30 is further accelerated.
【0035】また、銅を酸化すると、Cu2 Oが生成さ
れると同時に、CuOも生成される。このCuOの蒸気
圧はCu2 Oよりも低く、気化/蒸発し難い。このよう
なCuOを、素早く除去するためには、上記酸化性雰囲
気を、気相エッチング雰囲気に置換すると良い。気相エ
ッチング雰囲気は、ガス導入系17から、弗酸蒸気(H
Fベーパー)と、水蒸気(H2 Oベーパー)とをチャン
バ3に導入することによって作ることができる。これに
より、CuOは、気相エッチングされて除去される。こ
のような気相エッチングを、例えばクリーニングシーケ
ンスの最後で行うと、ウィンドウ11のクリーニング効
果を、さらに高めることができる。When copper is oxidized, Cu 2 O is produced and at the same time CuO is produced. The vapor pressure of this CuO is lower than that of Cu 2 O, and it is difficult to vaporize / evaporate. In order to quickly remove such CuO, it is advisable to replace the oxidizing atmosphere with a gas phase etching atmosphere. The gas phase etching atmosphere is changed from the gas introduction system 17 to the hydrofluoric acid vapor (H
It can be produced by introducing F vapor) and water vapor (H 2 O vapor) into the chamber 3. As a result, CuO is vapor-phase etched and removed. If such vapor phase etching is performed at the end of the cleaning sequence, for example, the cleaning effect of the window 11 can be further enhanced.
【0036】さらに、レーザ5を用いて付着物層30を
加熱するとともに、ヒータ21を用いて、チャンバ3の
少なくとも処理雰囲気に晒されていた面、つまりハウジ
ング23の内壁、チャンバ支持柱25の表面、ステージ
27の表面などを加熱すると、この面に付着した銅も除
去することができる。Further, the laser 5 is used to heat the deposit layer 30, and the heater 21 is used to use at least the surface of the chamber 3 exposed to the processing atmosphere, that is, the inner wall of the housing 23 and the surface of the chamber support column 25. By heating the surface of the stage 27, the copper attached to this surface can be removed.
【0037】次に、この発明の第2の実施の形態に係る
半導体製造装置(熱処理装置)について説明する。図3
は、この発明の第2の実施の形態に係る半導体製造装置
(熱処理装置)の、熱処理工程時における断面図、図4
は、この発明の第2の実施の形態に係る半導体製造装置
(熱処理装置)の、クリーニング工程時における断面図
である。Next explained is a semiconductor manufacturing apparatus (heat treatment apparatus) according to the second embodiment of the invention. FIG.
4 is a cross-sectional view of the semiconductor manufacturing apparatus (heat treatment apparatus) according to the second embodiment of the present invention during a heat treatment step, FIG.
FIG. 6 is a sectional view of a semiconductor manufacturing apparatus (heat treatment apparatus) according to a second embodiment of the present invention during a cleaning step.
【0038】第2の実施の形態に係る製造装置が、第1
の実施の形態に係る製造装置と、特に異なるところは、
レーザ5の焦点が可変にされていることである。レーザ
5の焦点を可変にしたことにより、熱処理工程のとき、
レーザ5をウェーハ1のプロセス面にフォーカスさせ、
クリーリング工程のとき、レーザ5を付着物層30にフ
ォーカスさせることができる。The manufacturing apparatus according to the second embodiment is the first
What is particularly different from the manufacturing apparatus according to the embodiment of
That is, the focus of the laser 5 is variable. By changing the focus of the laser 5, during the heat treatment process,
Focus the laser 5 on the process surface of the wafer 1,
During the cleaning process, the laser 5 can be focused on the deposit layer 30.
【0039】図3および図4に示すように、第2の実施
の形態に係る製造装置では、レーザ5の焦点を、光学系
13を用いて変えている。このような光学系13を実現
する一つの例は、焦点の違う2種類のレンズを用意して
おき、熱処理工程のときと、クリーニング工程のときと
で、互いに取り替えることである。また、他の例は、光
学系13をズームレンズで構成し、熱処理工程のとき
と、クリーニング工程のときとで、焦点を変えることで
ある。As shown in FIGS. 3 and 4, in the manufacturing apparatus according to the second embodiment, the focus of the laser 5 is changed by using the optical system 13. One example of realizing such an optical system 13 is to prepare two kinds of lenses having different focal points and replace them with each other in the heat treatment step and the cleaning step. Another example is to configure the optical system 13 with a zoom lens and change the focus between the heat treatment step and the cleaning step.
【0040】このように、レーザ5を付着物層30にフ
ォーカスさせることで、付着物層30にエネルギを集中
させることができ、付着物層30を、非常に高い温度ま
で加熱することができる。付着物層30を、非常に高い
温度まで加熱できると、付着物層30の気化/蒸発を、
第1の実施の形態に係る製造装置に比べて、促進させる
ことができる。よって、この発明に係るクリーニング方
法を効率良く行うことができる。By thus focusing the laser 5 on the deposit layer 30, energy can be concentrated on the deposit layer 30 and the deposit layer 30 can be heated to a very high temperature. If the deposit layer 30 can be heated to a very high temperature, the vaporization / evaporation of the deposit layer 30
It can be promoted as compared with the manufacturing apparatus according to the first embodiment. Therefore, the cleaning method according to the present invention can be efficiently performed.
【0041】また、第2の実施の形態に係る製造装置で
は、クリーニング工程のとき、レーザ5の焦点が付着物
層30、あるいはその近くに合わせられるので、ステー
ジ27が被る熱的なダメージは、第1の実施の形態に係
る製造装置に比べて少ない。このため、クリーニング工
程では、ステージ27を、熱的なダメージから保護する
ための工夫は、必ずしも必要ではない。Further, in the manufacturing apparatus according to the second embodiment, since the focus of the laser 5 is focused on the adhering material layer 30 or in the vicinity thereof during the cleaning process, the thermal damage to the stage 27 is The number is smaller than that of the manufacturing apparatus according to the first embodiment. Therefore, in the cleaning process, a device for protecting the stage 27 from thermal damage is not always necessary.
【0042】次に、この発明の第3の実施の形態に係る
半導体製造装置(熱処理装置)について説明する。図5
は、この発明の第3の実施の形態に係る半導体製造装置
(熱処理装置)の、熱処理工程時における断面図、図6
は、この発明の第3の実施の形態に係る半導体製造装置
(熱処理装置)の、クリーニング工程時における断面図
である。Next explained is a semiconductor manufacturing apparatus (heat treatment apparatus) according to the third embodiment of the invention. FIG.
6 is a cross-sectional view of the semiconductor manufacturing apparatus (heat treatment apparatus) according to the third embodiment of the present invention during a heat treatment step, FIG.
[FIG. 6] is a sectional view of a semiconductor manufacturing apparatus (heat treatment apparatus) according to a third embodiment of the present invention during a cleaning step.
【0043】第3の実施の形態に係る製造装置は、第2
の実施の形態に係る製造装置に準じていて、レーザ5の
焦点を変えることができる。第3の実施の形態に係る製
造装置が、第2の実施の形態に係る製造装置と、特に異
なるところは、レーザ5の焦点の変え方である。The manufacturing apparatus according to the third embodiment is the second
The focus of the laser 5 can be changed according to the manufacturing apparatus according to the embodiment. The manufacturing apparatus according to the third embodiment is particularly different from the manufacturing apparatus according to the second embodiment in how to change the focus of the laser 5.
【0044】図5および図6に示すように、第3の実施
の形態に係る製造装置では、レーザ5の焦点を、チャン
バ3に設けた反射体を利用して変えている。このような
反射体を実現する一つの例は、特に図6に示すように、
ステージ27の上に、レーザ5を反射させるためのミラ
ーウェーハ102を置く。そして、ミラーウェーハ10
2が置かれたステージ27を、Z軸制御装置300によ
り制御されるZ軸機構200により垂直方向に移動させ
る。ミラーウェーハ102で反射されたレーザ5の焦点
は、ステージ27の高さ方向の位置に応じて変わる。こ
れを利用して、レーザ5の焦点が付着物層30に合うよ
うに、ステージ27の高さ方向の位置を調節すればよ
い。As shown in FIGS. 5 and 6, in the manufacturing apparatus according to the third embodiment, the focus of the laser 5 is changed by using the reflector provided in the chamber 3. One example of realizing such a reflector is, in particular, as shown in FIG.
A mirror wafer 102 for reflecting the laser 5 is placed on the stage 27. And the mirror wafer 10
The stage 27 on which 2 is placed is moved in the vertical direction by the Z-axis mechanism 200 controlled by the Z-axis control device 300. The focus of the laser 5 reflected by the mirror wafer 102 changes according to the position of the stage 27 in the height direction. By utilizing this, the position of the stage 27 in the height direction may be adjusted so that the laser 5 is focused on the deposit layer 30.
【0045】なお、ミラーウェーハ102の代わりに、
レーザ5を反射させるための反射体を、ステージ27と
別に設けるようにしても良い。第3の実施の形態に係る
製造装置においても、レーザ5を付着物層30にフォー
カスさせることができるので、第2の実施の形態に係る
製造装置と同様な効果を得ることができる。Instead of the mirror wafer 102,
A reflector for reflecting the laser 5 may be provided separately from the stage 27. Also in the manufacturing apparatus according to the third embodiment, the laser 5 can be focused on the deposit layer 30, so that the same effect as the manufacturing apparatus according to the second embodiment can be obtained.
【0046】第3の実施の形態に係る製造装置は、第2
の実施の形態に係る製造装置に比べて、光学系13が設
定するレーザ5の焦点が固定であっても良い、という利
点がある。The manufacturing apparatus according to the third embodiment is the second
As compared with the manufacturing apparatus according to the embodiment, there is an advantage that the focus of the laser 5 set by the optical system 13 may be fixed.
【0047】これに対して第2の実施の形態に係る製造
装置では、第3の実施の形態に係る製造装置に比べて、
チャンバ3へミラーウェーハ102を搬送する必要がな
い分、クリーニング工程に要する時間と手間がかからな
い、という利点がある。On the other hand, in the manufacturing apparatus according to the second embodiment, compared with the manufacturing apparatus according to the third embodiment,
Since it is not necessary to transfer the mirror wafer 102 to the chamber 3, there is an advantage that the time and labor required for the cleaning process are not required.
【0048】以上、上記各実施の形態により説明した半
導体製造装置、および半導体製造装置のクリーニング方
法によれば、ウィンドウ11に付着した付着物を、レー
ザ5により加熱することにより気化/蒸発させ、チャン
バ3から排気する。これにより、ウィンドウ11をハウ
ジング23から取り外すことなく、ウィンドウ11に付
着している付着物を、除去することができる。As described above, according to the semiconductor manufacturing apparatus and the method for cleaning the semiconductor manufacturing apparatus described in the above-mentioned respective embodiments, the deposits adhered to the window 11 are vaporized / evaporated by heating with the laser 5, and the chamber is heated. Exhaust from 3. Thereby, the adhered matter adhering to the window 11 can be removed without removing the window 11 from the housing 23.
【0049】また、上記各実施の形態により説明した半
導体製造装置、およびクリーニング方法を、製造ライン
に組み込んだときを考えると、メンテナンス性ばかりで
なく、製造ラインの生産効率の向上を達成することがで
きる。即ち、製造装置の全体を、あるいはウィンドウ1
1を、製造ラインから外すことなくクリーニングできる
ので、製造ラインを停止させておく時間が、より少なく
なるためである。Considering the case where the semiconductor manufacturing apparatus and the cleaning method described in each of the above embodiments are incorporated in a manufacturing line, not only the maintainability but also the production efficiency of the manufacturing line can be improved. it can. That is, the entire manufacturing apparatus or the window 1
1 can be cleaned without removing it from the production line, and the time for which the production line is stopped is reduced.
【0050】また、上記各実施の形態により説明したク
リーニング方法は、レーザメルト工程の中に、一つの工
程として組み込むことも可能である。例えば1ロット分
のレーザメルト工程が終了した後、上記クリーニング工
程を行う。そして、クリーニング工程が終了した後、次
のロットのレーザメルト工程を開始する、などである。Further, the cleaning method described in each of the above embodiments can be incorporated as one step in the laser melting step. For example, the cleaning process is performed after the laser melting process for one lot is completed. Then, after the cleaning process is completed, the laser melting process for the next lot is started, and so on.
【0051】このようにすれば、クリーニング工程が、
製造プロセスシーケンスの中の一つとなり、生産効率
の、さらなる向上を期待できる。その上、付着物の除去
に関して、実質的にメンテナンスフリーとなる半導体製
造装置を得ることもできる。In this way, the cleaning process is
It will be one of the manufacturing process sequences, and further improvement in production efficiency can be expected. In addition, it is possible to obtain a semiconductor manufacturing apparatus that is substantially maintenance-free with respect to the removal of deposits.
【0052】さらに、チャンバ3の中の雰囲気を、付着
物が化学反応を起こす反応性雰囲気とする、特に付着物
を、より蒸気圧が高い物質に変換させる化学反応を起こ
すような反応性雰囲気とすると、より付着物の気化/蒸
発を促進させることができる。Further, the atmosphere in the chamber 3 is set to a reactive atmosphere in which the attached matter causes a chemical reaction, and particularly, a reactive atmosphere in which the attached matter causes a chemical reaction for converting into a substance having a higher vapor pressure. Then, vaporization / evaporation of the deposit can be further promoted.
【0053】より具体的な例は上述した通りであるが、
付着物が銅であるときには、チャンバ3の中の雰囲気
を、酸化性雰囲気とする。これにより、銅が、より蒸気
圧の高いCu2 Oに変換される。A more specific example is as described above,
When the deposit is copper, the atmosphere in the chamber 3 is an oxidizing atmosphere. As a result, copper is converted into Cu 2 O having a higher vapor pressure.
【0054】また、付着物が、例えば銅であるとき、チ
ャンバ3の中の雰囲気を、酸化性雰囲気の他、弗化性雰
囲気、塩化性雰囲気としてもよい。さらに、上記反応性
雰囲気の中で、付着物を、より蒸気圧の高い物質に変換
している際中に、同時に、より蒸気圧の低い反応生成物
が生成されることもある。このときには、反応性雰囲気
を気相エッチング雰囲気に置換し、上記反応性生成物
を、気相エッチングによってさらに除去する工程を付加
すると、クリーニング時間の短縮、並びにクリーニング
精度の向上に有用である。When the deposit is, for example, copper, the atmosphere in the chamber 3 may be a fluorinated atmosphere or a chlorinated atmosphere in addition to the oxidizing atmosphere. Furthermore, during conversion of the deposit into a substance having a higher vapor pressure in the reactive atmosphere, a reaction product having a lower vapor pressure may be simultaneously produced. At this time, adding a step of replacing the reactive atmosphere with a gas phase etching atmosphere and further removing the above reactive products by gas phase etching is useful for shortening the cleaning time and improving the cleaning accuracy.
【0055】より具体的な例は、銅をCu2 Oに変換し
ているときである。このとき、同時にCuOなる気化し
にくい物質が生成されることがある。このCuOを、気
相エッチング雰囲気に置換することによって、気相エッ
チングする。これにより、CuOは、気化/蒸発させる
よりも、より速く除去することができる。A more specific example is when copper is being converted to Cu 2 O. At this time, a substance such as CuO that is not easily vaporized may be simultaneously generated. By replacing this CuO with a gas phase etching atmosphere, gas phase etching is performed. This allows CuO to be removed faster than it can be vaporized / evaporated.
【0056】気相エッチング雰囲気の例としては、弗酸
蒸気(HFベーパー)と、水蒸気(H2 Oベーパー)と
の混合雰囲気であるが、気相エッチング雰囲気について
は、反応生成物に応じて、様々に変更されて良い。An example of the vapor phase etching atmosphere is a mixed atmosphere of hydrofluoric acid vapor (HF vapor) and water vapor (H 2 O vapor). Regarding the vapor phase etching atmosphere, depending on the reaction product, It can be changed in various ways.
【0057】さらに、チャンバ3の、少なくとも処理雰
囲気に晒されていた面を加熱することで、この面に付着
している付着物を、ウィンドウに付着している付着物と
ともに除去することも可能である。Furthermore, by heating at least the surface of the chamber 3 that has been exposed to the processing atmosphere, it is possible to remove the deposits adhering to this surface together with the deposits adhering to the window. is there.
【0058】より具体的な例は上述した通りであるが、
レーザ5を用いて付着物層30を加熱するとともに、ヒ
ータ21を用いて、チャンバ3の少なくとも処理雰囲気
に晒されていた面、つまりハウジング23の内壁、チャ
ンバ支持柱25の表面、ステージ27の表面などを、同
時に加熱すれば良い。これにより、ウィンドウ11に付
着した付着物だけでなく、チャンバ3の処理雰囲気に晒
されていた面に付着した付着物をも、除去することがで
きる。A more specific example is as described above,
The laser 5 is used to heat the deposit layer 30 and the heater 21 is used to expose at least the surface of the chamber 3 to the processing atmosphere, that is, the inner wall of the housing 23, the surface of the chamber support column 25, and the surface of the stage 27. Etc. may be heated at the same time. This makes it possible to remove not only the deposit attached to the window 11 but also the deposit attached to the surface of the chamber 3 that was exposed to the processing atmosphere.
【0059】なお、上記各実施の形態では、銅がウィン
ドウ11に付着する例を挙げて説明したが、この発明を
利用して除去できる付着物は、銅に限られることはな
い。例えばアルミニウムなどが付着したときでも、この
発明を利用して除去することができる。In each of the above embodiments, an example in which copper adheres to the window 11 has been described, but the deposits that can be removed using the present invention are not limited to copper. For example, even when aluminum or the like is attached, it can be removed by utilizing the present invention.
【0060】[0060]
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、メンテナンス性を損なわずに、ウィンドウが取り付
けられているチャンバをクリーニングできる半導体製造
装置のクリーニング方法と、このクリーニング方法を効
率良く行える半導体製造装置とをそれぞれ提供すること
ができる。As described above, according to the present invention, there is provided a semiconductor manufacturing apparatus cleaning method capable of cleaning the chamber to which the window is attached without impairing maintainability, and a semiconductor method capable of efficiently performing the cleaning method. Manufacturing equipment can be provided respectively.
【図1】図1はこの発明の第1の実施の形態に係る半導
体製造装置の熱処理工程時における断面図。FIG. 1 is a cross-sectional view of a semiconductor manufacturing apparatus according to a first embodiment of the present invention during a heat treatment process.
【図2】図2はこの発明の第1の実施の形態に係る半導
体製造装置のクリーニング工程時における断面図。FIG. 2 is a sectional view of the semiconductor manufacturing apparatus according to the first embodiment of the present invention during a cleaning step.
【図3】図3はこの発明の第2の実施の形態に係る半導
体製造装置の熱処理工程時における断面図。FIG. 3 is a sectional view of the semiconductor manufacturing apparatus according to the second embodiment of the present invention during a heat treatment step.
【図4】図4はこの発明の第2の実施の形態に係る半導
体製造装置のクリーニング工程時における断面図。FIG. 4 is a sectional view of a semiconductor manufacturing apparatus according to a second embodiment of the present invention during a cleaning step.
【図5】図5はこの発明の第3の実施の形態に係る半導
体製造装置の熱処理工程時における断面図。FIG. 5 is a sectional view of a semiconductor manufacturing apparatus according to a third embodiment of the present invention during a heat treatment step.
【図6】図6はこの発明の第3の実施の形態に係る半導
体製造装置のクリーニング工程時における断面図。FIG. 6 is a sectional view of a semiconductor manufacturing apparatus according to a third embodiment of the present invention during a cleaning step.
1…ウェーハ、3…チャンバ、5…レーザ光、7…レー
ザ光源、9…銅の層、11…ウィンドウ、13…フォー
カス系、15…ミラー、17…ガス導入系、19…排気
系、21…ヒータ、23…ハウジング、25…支持柱、
27…ステージ、30…付着物層(銅)。1 ... Wafer, 3 ... Chamber, 5 ... Laser light, 7 ... Laser light source, 9 ... Copper layer, 11 ... Window, 13 ... Focus system, 15 ... Mirror, 17 ... Gas introduction system, 19 ... Exhaust system, 21 ... Heater, 23 ... housing, 25 ... support pillar,
27 ... Stage, 30 ... Adhesion layer (copper).
Claims (15)
ロセスチャンバと、前記基板を加熱するためのエネルギ
を発するエネルギ源と、前記エネルギを前記プロセスチ
ャンバに導くウィンドウと、前記プロセスチャンバにガ
スを導入するガス導入系とを少なくとも有する半導体製
造装置のクリーニング方法であって、 前記エネルギを用いて、前記ウィンドウに付着している
付着物を加熱し、前記付着物を除去することを特徴とす
る半導体製造装置のクリーニング方法。1. A process chamber for processing a semiconductor substrate in isolation from the atmosphere, an energy source for emitting energy to heat the substrate, a window for directing the energy to the process chamber, and a gas for the process chamber. A method of cleaning a semiconductor manufacturing apparatus having at least a gas introduction system for introducing gas, wherein the energy is used to heat the deposit attached to the window to remove the deposit. Cleaning method for manufacturing equipment.
る反応性ガスを前記プロセスチャンバに導入して、前記
プロセスチャンバ中の雰囲気を付着物が化学反応を起こ
す反応性雰囲気とし、前記反応性雰囲気中で前記ウィン
ドウに付着している付着物を加熱して前記付着物を昇華
させ、前記付着物を除去することを特徴とする請求項1
に記載の半導体製造装置のクリーニング方法。2. A reactive gas that reacts with the deposit is introduced from the gas introduction system into the process chamber to make the atmosphere in the process chamber a reactive atmosphere in which the deposit causes a chemical reaction. The deposit attached to the window is heated in an atmosphere to sublimate the deposit to remove the deposit.
A method for cleaning a semiconductor manufacturing apparatus according to item 1.
気に置換し、前記反応性雰囲気中で生成された反応生成
物を、気相エッチングによってさらに除去することを特
徴とする請求項2に記載の半導体製造装置のクリーニン
グ方法。3. The method according to claim 2, wherein the reactive atmosphere is replaced with a gas phase etching atmosphere, and a reaction product generated in the reactive atmosphere is further removed by gas phase etching. Cleaning method for semiconductor manufacturing equipment.
理雰囲気に晒されていた面を加熱し、前記面に付着して
いる付着物を、前記ウィンドウに付着している付着物と
ともに除去することを特徴とする請求項1乃至請求項3
いずれか一項に記載の半導体製造装置のクリーニング方
法。4. A method of heating at least a surface of the process chamber, which has been exposed to a processing atmosphere, to remove deposits adhering to the surface together with deposits adhering to the window. Claim 1 to Claim 3
The method for cleaning a semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1.
ロセスチャンバと、 前記基板を加熱するためのエネルギを発するエネルギ源
と、 前記エネルギを前記プロセスチャンバに導くウィンドウ
と、 前記プロセスチャンバにガスを導入するガス導入系と、 前記エネルギを前記ウィンドウの近くにフォーカスさせ
るフォーカス系とを具備することを特徴とする半導体製
造装置。5. A process chamber for processing a semiconductor substrate in isolation from the atmosphere, an energy source for emitting energy for heating the substrate, a window for guiding the energy to the process chamber, and a gas for the process chamber. A semiconductor manufacturing apparatus comprising: a gas introduction system for introducing the gas; and a focus system for focusing the energy near the window.
記ウィンドウに達する前に、前記エネルギを前記ウィン
ドウの近くにフォーカスさせることを特徴とする請求項
5に記載の半導体製造装置。6. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 5, wherein the focus system focuses the energy near the window before the energy reaches the window.
記ウィンドウを介して前記プロセスチャンバに導かれた
後に、前記エネルギを前記プロセスチャンバの中で反射
させて、前記エネルギを前記ウィンドウの近くにフォー
カスさせることを特徴とする請求項5に記載の半導体製
造装置。7. The focus system reflects the energy in the process chamber after the energy has been guided to the process chamber through the window to focus the energy near the window. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 5, wherein:
理雰囲気に晒される面を加熱する加熱系を、さらに具備
することを特徴とする請求項5乃至請求項7いずれか一
項に記載の半導体製造装置。8. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 5, further comprising a heating system for heating at least a surface of the process chamber exposed to a processing atmosphere.
ためのプロセスガスの他、前記ウィンドウに付着した付
着物と反応する反応性ガスを、前記プロセスチャンバ
に、さらに導入することを特徴とする請求項5乃至請求
項8いずれか一項に記載の半導体製造装置。9. The gas introduction system further introduces, into the process chamber, a process gas for treating the substrate and a reactive gas that reacts with the deposits attached to the window. The semiconductor manufacturing apparatus according to any one of claims 5 to 8.
プロセスチャンバと、前記基板を加熱するためのエネル
ギを発するエネルギ源と、前記エネルギを前記プロセス
チャンバに導くウィンドウと、前記プロセスチャンバに
ガスを導入するガス導入系と、前記エネルギを前記ウィ
ンドウの近くにフォーカスさせるフォーカス系とを少な
くとも有する半導体製造装置のクリーニング方法であっ
て、 前記エネルギを前記ウィンドウの近くにフォーカスさ
せ、前記ウィンドウに付着している付着物を加熱し、前
記付着物を除去することを特徴とする半導体製造装置の
クリーニング方法。10. A process chamber for processing a semiconductor substrate in isolation from the atmosphere, an energy source for emitting energy to heat the substrate, a window for directing the energy to the process chamber, and a gas for the process chamber. A method of cleaning a semiconductor manufacturing apparatus having at least a gas introduction system for introducing and a focus system for focusing the energy near the window, wherein the energy is focused near the window and adhered to the window. A method for cleaning a semiconductor manufacturing apparatus, which comprises heating an attached substance to remove the attached substance.
する反応性ガスを前記プロセスチャンバに導入して、前
記プロセスチャンバ中の雰囲気を付着物が化学反応を起
こす反応性雰囲気とし、前記反応性雰囲気中で前記ウィ
ンドウに付着している付着物を加熱して前記付着物を昇
華させ、前記付着物を除去することを特徴とする請求項
10に記載の半導体製造装置のクリーニング方法。11. A reactive gas that reacts with the deposit is introduced from the gas introduction system into the process chamber to make the atmosphere in the process chamber a reactive atmosphere in which the deposit undergoes a chemical reaction, 11. The method for cleaning a semiconductor manufacturing apparatus according to claim 10, wherein the deposit attached to the window is heated in an atmosphere to sublimate the deposit to remove the deposit.
囲気に置換し、前記反応性雰囲気中で生成された反応生
成物を、気相エッチングによってさらに除去することを
特徴とする請求項11に記載の半導体製造装置のクリー
ニング方法。12. The method according to claim 11, wherein the reactive atmosphere is replaced with a gas phase etching atmosphere, and a reaction product generated in the reactive atmosphere is further removed by gas phase etching. Cleaning method for semiconductor manufacturing equipment.
処理雰囲気に晒されていた面を加熱し、前記面に付着し
ている付着物を、前記ウィンドウに付着している付着物
とともに除去することを特徴とする請求項10乃至請求
項12いずれか一項に記載の半導体製造装置のクリーニ
ング方法。13. A method of heating at least a surface of the process chamber, which has been exposed to a processing atmosphere, to remove deposits adhering to the surface together with deposits adhering to the window. 13. The method for cleaning a semiconductor manufacturing apparatus according to claim 10, wherein the cleaning method is used.
する前に、前記ウィンドウの近くにフォーカスされるこ
とを特徴とする請求項10乃至請求項13いずれか一項
に記載の半導体製造装置のクリーニング方法。14. The method for cleaning a semiconductor manufacturing apparatus according to claim 10, wherein the energy is focused near the window before reaching the window.
して前記プロセスチャンバに導かれた後に、前記エネル
ギを前記プロセスチャンバの中で反射させて、前記ウィ
ンドウの近くにフォーカスされることを特徴とする請求
項10乃至請求項13いずれか一項に記載の半導体製造
装置のクリーニング方法。15. The energy is directed into the process chamber through the window and then reflected in the process chamber to be focused near the window. Item 14. A method for cleaning a semiconductor manufacturing apparatus according to any one of items 10 to 13.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6335696A JPH09260303A (en) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | Semiconductor manufacturing equipment and cleaning thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP6335696A JPH09260303A (en) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | Semiconductor manufacturing equipment and cleaning thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09260303A true JPH09260303A (en) | 1997-10-03 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6335696A Pending JPH09260303A (en) | 1996-03-19 | 1996-03-19 | Semiconductor manufacturing equipment and cleaning thereof |
Country Status (1)
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