JPH09260300A - Semiconductor device - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device wherein uniformity of the temperature distribution in the surface of a wafer is improved. SOLUTION: A circulating pipe 230 is installed in a heater 220, and a reaction pipe 100 is installed inside the pipe 230. The reaction pipe 100 is equipped with a reaction pipe main body 10, a gas supplying pipe 136, a gas distributing chamber 140, and gas introducing pipes 111-114. Gas is supplied from the gas supplying pipe 136, and dispersed in the peripheral direction of the reaction main pipe body 10 by the gas distributing chamber 140. After that, the gas is induced to the upper part of the reaction pipe main body 10 by the gas introduing pipes 111-114, and therefrom supplied to the inside of the reaction pipe main body 10. Gas after reaction is discharged from an exhaust pipe 51. Wafers 200 are horizontally stacked in a boat 210 in the reaction pipe main body 10. Since gas is dispersed in the peripheral part of the reaction pipe main body 10 by the gas distributing chamber 140, the condition of the peripheral part of the reaction pipe main body 10 becomes almost uniform. A part which is locally cooled in the surface of the wafer 200 does not exist, and uniformity of the temperature distribution is improved.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置に関
し、特に半導体ウェーハの酸化、拡散、熱処理等の処理
を行う半導体製造装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly to a semiconductor manufacturing apparatus for performing processing such as oxidation, diffusion and heat treatment on a semiconductor wafer.

【０００２】[0002]

【従来の技術】半導体製造工程の１つに、シリコンウェ
ーハ表面に熱酸化膜を形成する工程があり、この工程
は、例えば図１４Ａ、１４Ｂに示す縦型の半導体製造装
置を使用して行われる。2. Description of the Related Art One of semiconductor manufacturing processes is a process of forming a thermal oxide film on the surface of a silicon wafer. This process is performed by using, for example, a vertical semiconductor manufacturing apparatus shown in FIGS. 14A and 14B. .

【０００３】図１４Ａは、従来の半導体製造装置１の縦
断面図であり、図１４Ｂは図１４ＡのＸ１４−Ｘ１４線
断面図である。FIG. 14A is a vertical sectional view of a conventional semiconductor manufacturing apparatus 1, and FIG. 14B is a sectional view taken along line X14-X14 of FIG. 14A.

【０００４】図１４Ａ、１４Ｂに示すように、この半導
体製造装置１においては、中空のヒータ２２０内に均熱
管２３０が設けられ、均熱管２３０内に反応管１００が
設けられている。均熱管２３０は熱容量が大きい材料か
ら構成され炉内の温度均一性を保たせるために使用され
ている。反応管１００は断面円状の反応管本体１０と１
本のガス導入管２０とを備えている。反応管本体１０の
上側の天井板１４上には上部ガス導入管４０が設けら
れ、上部ガス導入管４０と天井板１４とによりシャワー
室４２が画成されている。シャワー室４２内の天井板１
４は、複数のガス分散孔３２が設けられたガスシャワー
板３０となっており、シャワー室４２はガスシャワー板
３０を介して反応管本体１０内部に連通している。ガス
導入管２０は、反応管本体１０の外面に母線方向に沿っ
て鉛直方向に設けられており、その上流側である下端部
にはガス導入管ガス導入部２１が設けられ、下流側であ
る上端は反応管本体１０の上部に設けられたシャワー室
４２に連通している。反応管本体１０の下端近傍には排
気管５０が連通して設けられている。ガス導入管ガス導
入部２１は反応ガス供給源（図示せず。）に接続され、
排気管５０は排気装置（図示せず。）に接続している。As shown in FIGS. 14A and 14B, in this semiconductor manufacturing apparatus 1, a soaking tube 230 is provided in a hollow heater 220, and a reaction tube 100 is provided in the soaking tube 230. The soaking tube 230 is made of a material having a large heat capacity and is used to maintain temperature uniformity in the furnace. The reaction tube 100 includes a reaction tube body 10 and a reaction tube body 10 having a circular cross section.
A book gas introduction pipe 20 is provided. An upper gas introducing pipe 40 is provided on the ceiling plate 14 above the reaction tube body 10, and a shower chamber 42 is defined by the upper gas introducing pipe 40 and the ceiling plate 14. Ceiling board 1 in the shower room 42
Reference numeral 4 denotes a gas shower plate 30 provided with a plurality of gas dispersion holes 32, and the shower chamber 42 communicates with the inside of the reaction tube body 10 via the gas shower plate 30. The gas introducing pipe 20 is provided in the vertical direction along the generatrix direction on the outer surface of the reaction tube body 10, and the gas introducing pipe gas introducing portion 21 is provided at the lower end which is the upstream side thereof, and the gas introducing pipe 21 is the downstream side. The upper end communicates with the shower chamber 42 provided at the upper portion of the reaction tube body 10. An exhaust pipe 50 is provided in communication near the lower end of the reaction tube body 10. The gas introduction pipe gas introduction unit 21 is connected to a reaction gas supply source (not shown),
The exhaust pipe 50 is connected to an exhaust device (not shown).

【０００５】ボート２１０が、ボートエレベータ（図示
せず。）により昇降されることにより、反応管本体１０
内に導入され、反応管本体１０から取り出されるように
なっている。ボート２１０はボートキャップ６０上に立
設されており、ボートキャップ６０は炉口蓋６２上に設
けられている。反応管本体１０の下端の周囲にはフラン
ジ１２が設けられており、フランジ１２と炉口蓋６２と
の間にはＯ−リング６４が挟まれており、反応管本体１
０を気密に封じている。The boat 210 is moved up and down by a boat elevator (not shown), whereby the reaction tube body 10
It is introduced inside and taken out from the reaction tube body 10. The boat 210 is erected on the boat cap 60, and the boat cap 60 is provided on the furnace port cover 62. A flange 12 is provided around the lower end of the reaction tube body 10, and an O-ring 64 is sandwiched between the flange 12 and the furnace port lid 62.
0 is airtightly sealed.

【０００６】ボート２１０は４本のボート支柱２１２を
備えており、ボート支柱２１２には複数枚のウェーハ２
００が水平姿勢で多段に装填されており、ウェーハ２０
０がボート２１０に装填された状態で酸化され、その表
面に酸化膜が形成されるようになっている。The boat 210 is provided with four boat stanchions 212, and the boat stanchions 212 include a plurality of wafers 2.
00 are loaded in multiple stages in a horizontal posture, and wafers 20
O is oxidized in a state of being loaded in the boat 210, and an oxide film is formed on the surface thereof.

【０００７】ウェーハ２００の酸化処理は、ヒータ２２
０により炉内およびウェーハ２００が酸化処理温度に加
熱保持された状態で、酸素ガスを、ガス導入管２０によ
りシャワー室４２に供給し、シャワー室４２からガスシ
ャワー板３０のガス分散孔３２を介して反応管本体１０
内に分散供給する。酸素ガスとウェーハ２００とが反応
してウェーハ２００の表面に酸化膜が形成される。反応
後のガスは排気管５０を介して排気される。The wafer 22 is oxidized by the heater 22.
Oxygen gas is supplied to the shower chamber 42 by the gas introduction pipe 20 in a state where the inside of the furnace and the wafer 200 are heated and maintained at the oxidation treatment temperature by 0, and the gas is introduced from the shower chamber 42 through the gas dispersion holes 32 of the gas shower plate 30. The reaction tube body 10
Distributed within. The oxygen gas reacts with the wafer 200 to form an oxide film on the surface of the wafer 200. The gas after the reaction is exhausted through the exhaust pipe 50.

【０００８】反応ガス導入管２０の長さは、反応管本体
１０のヒータ２２０内および均熱管２３０内の長さとほ
ぼ同じ長さである。常温付近の温度でガス導入管ガス導
入部２１から導入された酸素ガスは、ガス導入管２０内
を通過中に加熱され、シャワー室４２に達する頃には反
応管本体１０内の温度やウェーハ２００の温度とほぼ同
じ温度となって、反応管本体１０内に導入されているも
のと考えられている。The length of the reaction gas introducing pipe 20 is substantially the same as the length in the heater 220 and the soaking pipe 230 of the reaction tube body 10. The oxygen gas introduced from the gas introduction tube gas introduction section 21 at a temperature near room temperature is heated while passing through the gas introduction tube 20, and when reaching the shower chamber 42, the temperature inside the reaction tube body 10 and the wafer 200. It is considered that the temperature becomes almost the same as the temperature of the above, and the temperature is introduced into the reaction tube body 10.

【０００９】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ガス導
入管ガス導入部２１から導入されるのは、常温付近の酸
素ガスであるので、ガス導入管２０の上流側ほど炉内と
は温度差が大きく、また炉内からの吸熱量も大きい。従
って、酸素ガスを一本のガス導入管２０により供給する
と、ガス導入管２０の上流側であるほど、ガス導入管２
０近傍でのウェーハ２００の部分的な冷却が生じ、特に
ウェーハ面内の温度分布の不均一性を招いていた。そし
て、ウェーハの温度は酸化膜の成膜速度に影響を与える
ので、ウェーハ面内の酸化膜の膜厚の不均一性を招いて
いた。However, since the oxygen gas around the room temperature is introduced from the gas introducing pipe gas introducing portion 21, the temperature difference between the upstream side of the gas introducing pipe 20 and the inside of the furnace is large. Also, the amount of heat absorbed from the furnace is large. Therefore, when the oxygen gas is supplied through the single gas introduction pipe 20, the gas introduction pipe 2 is located at the upstream side of the gas introduction pipe 20.
The wafer 200 was partially cooled in the vicinity of 0, and in particular, the temperature distribution in the wafer surface was nonuniform. Since the temperature of the wafer influences the film formation rate of the oxide film, it causes nonuniformity of the film thickness of the oxide film within the wafer surface.

【００１０】このような問題を解決するために、特開平
６−３２６０７９号公報においては２重管構造の反応管
を使用することが提案されている。図１５はこのような
２重管構造の反応管を説明するための斜視図である。こ
の２重管構造の反応管４００は、中空の内側反応管４１
０と中空の外側反応管４２０とを備えている。内側反応
管４１０は円柱状であり天井板４１４を備えている。外
側反応管４２０も円柱状であり天井板４４０を備えてい
る。内側反応管４１０と外側反応管４２０とは同心円状
に配置され、内側反応管４１０と外側反応管４２０との
間にはガス誘導空間４６０が画成されている。内側反応
管４１０の天井板４１４の中央部は複数のガス分散孔４
３２が設けられたガスシャワー板４３０となっており、
ガス誘導空間４６０はガスシャワー板４３０を介して内
側反応管４１０内部に連通している。外側反応管４２０
の下端部近傍には、ガス供給管４２１がガス誘導空間４
６０と連通して設けられている。外側反応管４２０の下
端部は閉塞している。In order to solve such a problem, JP-A-6-326079 proposes to use a reaction tube having a double tube structure. FIG. 15 is a perspective view for explaining a reaction tube having such a double tube structure. This double-tube structure reaction tube 400 is a hollow inner reaction tube 41.
0 and a hollow outer reaction tube 420. The inner reaction tube 410 has a cylindrical shape and includes a ceiling plate 414. The outer reaction tube 420 is also cylindrical and has a ceiling plate 440. The inner reaction tube 410 and the outer reaction tube 420 are concentrically arranged, and a gas induction space 460 is defined between the inner reaction tube 410 and the outer reaction tube 420. The central portion of the ceiling plate 414 of the inner reaction tube 410 has a plurality of gas dispersion holes 4
It is a gas shower plate 430 provided with 32,
The gas induction space 460 communicates with the inside of the inner reaction tube 410 via the gas shower plate 430. Outer reaction tube 420
A gas supply pipe 421 is provided near the lower end of the gas guide space 4
It is provided so as to communicate with 60. The lower end of the outer reaction tube 420 is closed.

【００１１】この２重管構造の反応管４００において
も、常温付近の温度でガス供給管４２１から導入された
酸素ガスは、内側反応管４１０と外側反応管４２０との
間のガス誘導空間４６０を通過中に加熱され、ガスシャ
ワー板４３０に達する頃には内側反応管４１０内部の温
度やウェーハの温度とほぼ同じ温度となって、内側反応
管４１０内に導入される。この場合に、ガス供給管４２
１から導入された酸素ガスは、ガス誘導空間４６０内を
広がって流れるので、図１４に示すような１本のガス導
入管２０を使用する場合よりもウェーハ面内の温度分布
の不均一性は改善されることが期待される。Also in the reaction tube 400 having the double tube structure, the oxygen gas introduced from the gas supply tube 421 at a temperature near room temperature forms a gas guide space 460 between the inner reaction tube 410 and the outer reaction tube 420. It is heated during passage, and when it reaches the gas shower plate 430, the temperature becomes almost the same as the temperature inside the inner reaction tube 410 and the temperature of the wafer, and is introduced into the inner reaction tube 410. In this case, the gas supply pipe 42
Since the oxygen gas introduced from No. 1 spreads and flows in the gas guiding space 460, the non-uniformity of the temperature distribution in the wafer surface is smaller than that in the case of using one gas introducing pipe 20 as shown in FIG. Expected to be improved.

【００１２】しかしながら、この従来の２重管構造にお
いては、ガスを均一に流すための工夫がされていないた
めに、ガス供給管４２１の反対側のガス誘導空間４６０
にはガスの流れがほとんどない領域４５０が生じ、その
結果、やはりウェーハ面内の温度分布の不均一性が生じ
ていた。そして、ウェーハの温度は酸化膜の成膜速度に
影響を与えるので、ウェーハ面内の酸化膜の膜厚の不均
一性を招いていた。However, in this conventional double pipe structure, since no devise has been made to uniformly flow the gas, the gas guide space 460 on the opposite side of the gas supply pipe 421 is provided.
A region 450 where there is almost no gas flow was generated in the wafer, and as a result, the non-uniformity of the temperature distribution in the wafer surface also occurred. Since the temperature of the wafer influences the film formation rate of the oxide film, it causes nonuniformity of the film thickness of the oxide film within the wafer surface.

【００１３】従って、本発明の主な目的は、ウェーハ面
内の温度分布の均一性を向上させた半導体製造装置を提
供することにある。Therefore, a main object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus in which the uniformity of temperature distribution in the wafer surface is improved.

【００１４】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、加熱手
段と、前記加熱手段内に設けられた反応管であって、前
記反応管の長手方向に所定の距離離間したガス導入部と
排気部とを有する反応管と、前記排気部側に設けられた
ガス供給管と、前記排気部側に設けられたガス分配手段
であって、前記ガス供給管から供給されたガスを前記反
応管の周囲方向に分配するガス分配手段と、前記ガス分
配手段から前記ガス導入部まで前記反応管の側壁に沿っ
て延在し、前記ガス分配手段によって前記反応管の周囲
方向に分配されたガスを前記ガス導入部まで誘導するガ
ス誘導手段と、を備えることを特徴とする半導体製造装
置が提供される。According to the present invention, there is provided a heating means, a reaction tube provided in the heating means, and a gas introduction part and an exhaust gas which are separated from each other by a predetermined distance in the longitudinal direction of the reaction tube. A gas supply pipe provided on the side of the exhaust part, and a gas distribution means provided on the side of the exhaust part, wherein the gas supplied from the gas supply pipe is A gas distribution means for distributing in the circumferential direction, and a gas extending from the gas distribution means to the gas introduction part along the side wall of the reaction tube, and distributed by the gas distribution means in the circumferential direction of the reaction tube, There is provided a semiconductor manufacturing apparatus, comprising: a gas guiding unit that guides the gas to a gas introduction unit.

【００１５】このように、ガス供給管から供給されたガ
スを反応管の周囲方向に分配するガス分配手段を設け、
このガス分配手段からガス導入部まで反応管の側壁に沿
って延在し、ガス分配手段によって反応管の周囲方向に
分配されたガスをガス導入部まで誘導するガス誘導手段
を設けることにより、反応管内、特に長手方向と直交す
る面内の温度分布の均一性を向上させることができる。As described above, gas distribution means for distributing the gas supplied from the gas supply pipe in the circumferential direction of the reaction pipe is provided,
By providing gas guiding means extending from the gas distributing means to the gas introducing portion along the side wall of the reaction tube and guiding the gas distributed in the circumferential direction of the reaction tube by the gas distributing means to the gas introducing portion, the reaction It is possible to improve the uniformity of the temperature distribution in the tube, particularly in the plane orthogonal to the longitudinal direction.

【００１６】本発明の半導体製造装置は、好ましくは、
前記反応管内に被処理基板の主面を前記長手方向に実質
的に直角に保持可能な基板保持手段をさらに備える。The semiconductor manufacturing apparatus of the present invention is preferably
The reaction tube may further include substrate holding means capable of holding the main surface of the substrate to be processed substantially at right angles to the longitudinal direction.

【００１７】また、好ましくは、本発明の半導体製造装
置は、前記反応管内に複数枚の被処理基板を前記長手方
向に積層して保持可能であると共に、前記複数枚の前記
被処理基板のそれぞれの主面を前記長手方向に実質的に
それぞれ直角に保持可能な基板保持手段をさらに備え
る。Further, preferably, in the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, a plurality of substrates to be processed can be stacked and held in the reaction tube in the longitudinal direction, and each of the plurality of the substrates to be processed can be held. Further comprises substrate holding means capable of holding the main surface of the substrate substantially at right angles to the longitudinal direction.

【００１８】このようにして長手方向に直角に基板を保
持することにより、基板の面内の温度分布の均一性が向
上する。By holding the substrate at right angles to the longitudinal direction in this manner, the uniformity of the temperature distribution in the plane of the substrate is improved.

【００１９】また、本発明の半導体装置においては、好
ましくは、前記反応管が断面円状の形状を有している。
このような形状の反応管は基板が半導体ウェーハである
場合に好適に使用される。Further, in the semiconductor device of the present invention, preferably, the reaction tube has a circular cross section.
The reaction tube having such a shape is preferably used when the substrate is a semiconductor wafer.

【００２０】また、好ましくは、前記ガス分配手段が、
前記反応管の側壁に沿って前記排気部側に設けられたガ
ス分配室であり、前記反応管の円周面に沿って前記反応
管の周囲に設けられていると共に前記長手方向に所定の
長さを有している前記ガス分配室であり、前記分配室の
前記長手方向における前記ガス導入部側の一端部にガス
の流れに対して抵抗となる抵抗手段が設けられており、
前記ガス供給管が前記分配室の前記一端部から前記長手
方向において前記分配室の他端部に向かって所定の距離
離間した箇所において前記ガス分配室に連通して設けら
れている。Preferably, the gas distribution means is
A gas distribution chamber provided on the side of the exhaust unit along the side wall of the reaction tube, which is provided around the reaction tube along the circumferential surface of the reaction tube and has a predetermined length in the longitudinal direction. Is a gas distribution chamber having a height, the resistance means for resistance to the flow of gas is provided at one end portion of the distribution chamber in the longitudinal direction of the gas introduction portion side,
The gas supply pipe is provided so as to communicate with the gas distribution chamber at a position separated from the one end of the distribution chamber by a predetermined distance in the longitudinal direction toward the other end of the distribution chamber.

【００２１】この場合に、好ましくは、前記反応管と同
心円状に配置され、断面円状の形状を有している分配室
用反応管をさらに備え、前記分配室の両側壁が前記反応
管と前記分配室用反応管により構成されている。In this case, preferably, the reactor further comprises a reaction chamber reaction tube for a distribution chamber which is arranged concentrically with the reaction tube and has a circular cross-section, and both side walls of the distribution chamber are connected to the reaction tube. It is composed of the reaction tube for the distribution chamber.

【００２２】前記抵抗手段は、好ましくは、複数のガス
導出孔が設けられたリング状の板であり、前記リング状
の板が前記反応管と前記分配室用反応管との間に設けら
れている。The resistance means is preferably a ring-shaped plate provided with a plurality of gas lead-out holes, and the ring-shaped plate is provided between the reaction tube and the reaction tube for distribution chamber. There is.

【００２３】この場合に、好ましくは、前記複数のガス
導出孔が前記反応管周囲に実質的に等間隔に設けられて
いる。このようにすれば、反応管の周囲が略均等条件と
なり、温度分布の均一性が向上する。In this case, it is preferable that the plurality of gas outlet holes are provided at substantially equal intervals around the reaction tube. By doing so, the circumference of the reaction tube becomes a substantially uniform condition, and the uniformity of temperature distribution is improved.

【００２４】また、前記複数のガス導出孔が前記ガス供
給管から遠ざかるにつれて大きくなっているようにして
もよい。このようにすれば、複数のガス導出孔から導出
されるガスの流量がガス導出孔管で均一なものとなり、
温度分布の均一性がより向上する。Further, the plurality of gas outlet holes may be increased in size with increasing distance from the gas supply pipe. By doing this, the flow rate of the gas discharged from the plurality of gas discharge holes becomes uniform in the gas discharge hole pipe,
The uniformity of temperature distribution is further improved.

【００２５】また、前記複数のガス導出孔の間隔を前記
ガス供給管から遠ざかるにつれて狭くしてもよい。この
ようにすれば、複数のガス導出孔から導出されてガス誘
導手段内を流れるガスによる冷却の効果が反応管の周囲
において均一になりやすく、その結果温度分布の均一性
がより向上する。The intervals between the plurality of gas outlet holes may be narrowed as the distance from the gas supply pipe increases. With this configuration, the effect of cooling by the gas led out from the plurality of gas lead-out holes and flowing in the gas guiding means is likely to be uniform around the reaction tube, and as a result, the uniformity of the temperature distribution is further improved.

【００２６】また、前記分配室内であって前記抵抗手段
と前記ガス供給管との間に設けられた多孔質材をさらに
備えてもよい。このように、多孔質材を設けると、ガス
がより分散されて、複数のガス導出孔から導出されるガ
スの流量がガス導出孔間でより均一なものとなり、温度
分布の均一性がより向上する。Further, a porous material provided in the distribution chamber between the resistance means and the gas supply pipe may be further provided. As described above, when the porous material is provided, the gas is more dispersed, and the flow rate of the gas discharged from the plurality of gas outlet holes becomes more uniform between the gas outlet holes, which further improves the uniformity of temperature distribution. To do.

【００２７】また、好ましくは、前記抵抗手段が多孔質
材であり、前記多孔質材が前記反応管と前記分配室用反
応管との間に設けられている。このように多孔質材を使
用すると、多孔質材から導出されるガスの流量が反応管
の周囲おいて均等となり、温度分布の均一性が向上す
る。Also, preferably, the resistance means is a porous material, and the porous material is provided between the reaction tube and the reaction tube for the distribution chamber. When the porous material is used as described above, the flow rate of the gas discharged from the porous material becomes uniform around the reaction tube, and the uniformity of the temperature distribution is improved.

【００２８】また、好ましくは、前記ガス誘導手段が、
前記反応管と同心円状に設けられた第２の反応管との間
に画成されたガス誘導空間である。このようにすれば、
ガス分配手段で反応管の周囲に分配されたガスが反応管
の外周の全周囲にわたってガス導入部に誘導されるの
で、反応管の周囲を流れるガスの流量が均等となり、温
度分布の均一性が向上する。Preferably, the gas guiding means is
It is a gas induction space defined between the reaction tube and a second reaction tube provided concentrically. If you do this,
Since the gas distributed around the reaction tube by the gas distribution means is guided to the gas introduction section over the entire outer circumference of the reaction tube, the flow rate of the gas flowing around the reaction tube becomes uniform and the temperature distribution becomes uniform. improves.

【００２９】前記ガス分配手段および前記ガス誘導手段
の少なくともいずれか一方を前記反応管の内側に設ける
ことも好ましい。このようにすれば、反応管の洗浄が容
易になる。It is also preferable to provide at least one of the gas distributing means and the gas guiding means inside the reaction tube. In this way, the reaction tube can be easily washed.

【００３０】また、本発明によれば、加熱手段と、前記
加熱手段内に設けられた第１の反応管であって、前記第
１の反応管の長手方向に所定の距離離間したガス導入部
と排気部とを有する第１の反応管と、前記第１の反応管
と同心円状に設けられた第２の反応管と、前記第１の反
応管と前記第２の反応管との間に形成され、前記ガス導
入部と連通するガス空間と、前記前記第１の反応管と前
記第２の反応管との間であって前記排気部側に設けられ
たガス分散手段と、前記ガス分散手段に対して、前記長
手方向において前記ガス導入部と反対側に前記ガス空間
と連通して設けられたガス供給管と、を備えることを特
徴とする半導体製造装置が提供される。Further, according to the present invention, the heating means and the first reaction tube provided in the heating means, the gas introducing section being separated by a predetermined distance in the longitudinal direction of the first reaction tube. Between the first reaction tube and the second reaction tube, a second reaction tube concentrically provided with the first reaction tube, A gas space formed between the first reaction tube and the second reaction tube, the gas space communicating with the gas introduction section, and the gas dispersion means provided on the exhaust section side; With respect to the means, there is provided a semiconductor manufacturing apparatus, comprising: a gas supply pipe provided on the side opposite to the gas introduction portion in the longitudinal direction so as to communicate with the gas space.

【００３１】このようにすれば、２重管構造の反応管を
有する半導体製造装置において、長手方向と直交する面
内の温度分布の均一性を向上させることができる。By doing so, in a semiconductor manufacturing apparatus having a reaction tube having a double tube structure, it is possible to improve the uniformity of temperature distribution in a plane orthogonal to the longitudinal direction.

【００３２】前記ガス分散手段は、好ましくは、複数の
ガス導出孔が設けられた板であり、前記板が前記第１の
反応管と前記第２の反応管との間に設けられている。The gas dispersion means is preferably a plate provided with a plurality of gas lead-out holes, and the plate is provided between the first reaction tube and the second reaction tube.

【００３３】前記ガス分配手段が多孔質材であり、前記
多孔質材が前記第１の反応管と前記第２の反応管との間
に設けられていることも好ましい。It is also preferable that the gas distributing means is a porous material, and the porous material is provided between the first reaction tube and the second reaction tube.

【００３４】また、本発明によれば、加熱手段と、前記
加熱手段内に設けられた第１の反応管であって、前記第
１の反応管の長手方向に所定の距離離間したガス導入部
と排気部とを有する第１の反応管と、前記第１の反応管
と同心円状に設けられた第２の反応管と、前記第１の反
応管と前記第２の反応管との間に形成され、前記ガス導
入部と連通するガス空間と、前記排気部側において、前
記第２の反応管の周囲において実質的に等間隔な位置で
前記ガス空間に連通して設けられた複数のガス供給管
と、を備えることを特徴とする半導体製造装置が提供さ
れる。Further, according to the present invention, the heating means and the first reaction tube provided in the heating means, the gas introducing section being separated by a predetermined distance in the longitudinal direction of the first reaction tube. Between the first reaction tube and the second reaction tube, a second reaction tube concentrically provided with the first reaction tube, A gas space formed and communicating with the gas introducing part, and a plurality of gases provided in communication with the gas space at substantially equidistant positions around the second reaction tube on the exhaust part side. Provided is a semiconductor manufacturing apparatus including a supply pipe.

【００３５】このように、複数のガス供給管を等間隔で
設けることにより温度分布の均一性が向上する。Thus, by providing a plurality of gas supply pipes at equal intervals, the uniformity of temperature distribution is improved.

【００３６】[0036]

【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面を
参照して説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【００３７】（第１の実施の形態）図１Ａは、本発明の
第１の実施の形態の半導体製造装置を説明するための縦
断面図であり、図１Ｂは、図１ＡのＸ１−Ｘ１線横断面
図であり、図２は、本発明の第１の実施の形態の半導体
製造装置において使用される反応管を説明するための斜
視図であり、図３は、本発明の第１の実施の形態の半導
体製造装置において使用される反応管を説明するための
部分拡大斜視図である。(First Embodiment) FIG. 1A is a vertical cross-sectional view for explaining a semiconductor manufacturing apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a line X1-X1 of FIG. 1A. FIG. 2 is a cross-sectional view, FIG. 2 is a perspective view for explaining a reaction tube used in the semiconductor manufacturing apparatus of the first embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a first embodiment of the present invention. FIG. 7 is a partially enlarged perspective view for explaining a reaction tube used in the semiconductor manufacturing apparatus of the above mode.

【００３８】この半導体製造装置１においては、中空の
ヒータ２２０内に均熱管２３０が設けられ、均熱管２３
０内に反応管１００が設けられている。均熱管２３０は
熱容量が大きい材料（例えばＳｉＣ）から構成され炉内
の温度均一性を保たせるために使用されている。In this semiconductor manufacturing apparatus 1, a soaking tube 230 is provided in the hollow heater 220, and the soaking tube 23 is provided.
A reaction tube 100 is provided within the space 0. The soaking tube 230 is made of a material having a large heat capacity (for example, SiC) and is used to maintain the temperature uniformity in the furnace.

【００３９】反応管１００は中空で断面円状の反応管本
体１０と４本のガス導入管１１１乃至１１４とガス分配
室１４０とを備えている。The reaction tube 100 is provided with a hollow reaction tube body 10 having a circular cross section, four gas introduction tubes 111 to 114, and a gas distribution chamber 140.

【００４０】反応管本体１０の上側の天井板１４上には
上部ガス導入管４０が設けられ、上部ガス導入管４０と
天井板１４とによりシャワー室４２が画成されている。
シャワー室４２内の天井板１４は、複数のガス分散孔３
２が設けられたガスシャワー板３０となっており、シャ
ワー室４２はガスシャワー板３０を介して反応管本体１
０内部に連通している。An upper gas introducing pipe 40 is provided on the ceiling plate 14 on the upper side of the reaction tube body 10, and the shower chamber 42 is defined by the upper gas introducing pipe 40 and the ceiling plate 14.
The ceiling plate 14 in the shower room 42 has a plurality of gas dispersion holes 3
2 is provided, and the shower chamber 42 is provided with the reaction tube body 1 through the gas shower plate 30.
0 communicates with the inside.

【００４１】ガス分配室１４０は反応管本体１０の下部
に設けられている。このガス分配室１４０は反応管本体
１０の円周面に沿って反応管本体１０の周囲に設けられ
ていると共に反応管本体１０の母線方向に長さＡを有し
ている。The gas distribution chamber 140 is provided below the reaction tube body 10. The gas distribution chamber 140 is provided around the reaction tube body 10 along the circumferential surface of the reaction tube body 10 and has a length A in the generatrix direction of the reaction tube body 10.

【００４２】反応管本体１０と、反応管本体１０の外側
に反応管本体１０と同心円状に配置された円柱状のガス
分配室外側反応管１４１と、ガス分配室外側反応管１４
１の上端部と反応管本体１０との間に設けられた天井板
１４２と、ガス分配室外側反応管１４１の下端部と反応
管本体１０との間に設けられた底板１４４とによりガス
分配室１４０が画成されている。The reaction tube body 10, a cylindrical gas distribution chamber outer reaction tube 141 which is arranged outside the reaction tube body 10 concentrically with the reaction tube body 10, and a gas distribution chamber outer reaction tube 14
1 is provided between the upper end of the reaction tube main body 10 and the ceiling plate 142, and the bottom plate 144 is provided between the lower end of the reaction tube outer reaction tube 141 and the reaction tube main body 10. 140 are defined.

【００４３】天井板１４２にはガス導出孔１５１乃至１
５４が９０゜間隔に等間隔に設けられている。ガス導入
管１１１乃至１１４も反応管本体１０の円周面に沿って
９０゜間隔に等間隔に設けられ、かつ反応管本体１０の
外周面に母線方向に沿って鉛直方向にそれぞれ設けられ
ている。ガス導入管１１１乃至１１４の下端はガス導出
孔１５１乃至１５４をそれぞれ介してガス分配室１４０
と連通している。ガス導入管１１１乃至１１４の下流側
である上端は反応管本体１０の上部に設けられたシャワ
ー室４２の円周の４等分した位置にそれぞれ連通してい
る。ガス導入管１１１乃至１１４の内径および外径はそ
れぞれ互いに同じであり、ガス導入管１１１乃至１１４
の内径はガス導出孔１５１乃至１５４の直径と同じであ
る。Gas discharge holes 151 to 1 are formed in the ceiling plate 142.
54 are provided at equal intervals of 90 °. The gas introducing pipes 111 to 114 are also provided at equal intervals of 90 ° along the circumferential surface of the reaction tube body 10, and are also provided on the outer circumferential surface of the reaction tube body 10 in the vertical direction along the generatrix direction. . The lower ends of the gas introduction pipes 111 to 114 are connected to the gas distribution chamber 140 via the gas discharge holes 151 to 154, respectively.
Is in communication with The upper ends, which are the downstream sides of the gas introduction pipes 111 to 114, are communicated with the shower chamber 42 provided at the upper part of the reaction tube main body 10 at a position divided into four equal parts. The inner diameter and the outer diameter of the gas introduction pipes 111 to 114 are the same as each other.
Has the same inner diameter as the gas outlet holes 151 to 154.

【００４４】ガス導入管１１１の下方であって外側反応
管１４１の下端部にはガス供給管１３６がガス分配室１
４０と連通して設けられている。反応管本体１０の下端
近傍には排気管５１が連通して設けられている。ガス供
給管１３６は反応ガス供給源（図示せず。）に接続さ
れ、排気管５１は排気装置（図示せず。）に接続されて
いる。Below the gas introduction pipe 111 and at the lower end of the outer reaction pipe 141, a gas supply pipe 136 is provided.
It is provided in communication with 40. An exhaust pipe 51 is provided in communication near the lower end of the reaction tube body 10. The gas supply pipe 136 is connected to a reaction gas supply source (not shown), and the exhaust pipe 51 is connected to an exhaust device (not shown).

【００４５】ボート２１０が、ボートエレベータ（図示
せず。）により昇降されることにより、反応管本体１０
内に導入され、反応管本体１０から取り出されるように
なっている。ボート２１０はボートキャップ６０上に立
設されており、ボートキャップ６０は炉口蓋６２上に設
けられている。反応管本体１０の下端の周囲にはフラン
ジ１２が設けられており、フランジ１２と炉口蓋６２と
の間にはＯ−リング６４が挟まれており、反応管本体１
０を気密に封じている。The boat 210 is moved up and down by a boat elevator (not shown), whereby the reaction tube body 10
It is introduced inside and taken out from the reaction tube body 10. The boat 210 is erected on the boat cap 60, and the boat cap 60 is provided on the furnace port cover 62. A flange 12 is provided around the lower end of the reaction tube body 10, and an O-ring 64 is sandwiched between the flange 12 and the furnace port lid 62.
0 is airtightly sealed.

【００４６】ボート２１０は４本のボート支柱２１２を
備えており、ボート支柱２１２には複数枚のウェーハ２
００が水平姿勢で多段に装填されており、ウェーハ２０
０がボート２１０に装填された状態で酸化され、その表
面に酸化膜が形成されるようになっている。The boat 210 is provided with four boat stanchions 212, and the boat stanchions 212 include a plurality of wafers 2.
00 are loaded in multiple stages in a horizontal posture, and wafers 20
O is oxidized in a state of being loaded in the boat 210, and an oxide film is formed on the surface thereof.

【００４７】ウェーハ２００の酸化処理は、ヒータ２２
０により炉内およびウェーハ２００が酸化処理温度に加
熱保持された状態で、酸素ガスを、ガス供給管１３６、
ガス分配室１４０およびガス導入管１１１乃至１１４を
介してシャワー室４２に供給し、シャワー室４２からガ
スシャワー板３０のガス分散孔３２を介して反応管本体
１０内に分散供給する。酸素ガスとウェーハ２００とが
反応してウェーハ２００の表面に酸化膜が形成される。
反応後のガスは排気管５１を介して排気される。The wafer 22 is oxidized by the heater 22.
Oxygen gas is supplied to the gas supply pipe 136, while the wafer 200 and the wafer 200 are heated and maintained at the oxidation treatment temperature by 0.
The gas is supplied to the shower chamber 42 through the gas distribution chamber 140 and the gas introduction pipes 111 to 114, and is dispersedly supplied from the shower chamber 42 into the reaction tube body 10 through the gas dispersion holes 32 of the gas shower plate 30. The oxygen gas reacts with the wafer 200 to form an oxide film on the surface of the wafer 200.
The gas after the reaction is exhausted through the exhaust pipe 51.

【００４８】ガス供給管１３６から供給された酸素ガス
はガス分配室１４０によって分配され、ガス導出孔１５
１乃至１５４に到達する際には、これらのガス導出孔１
５１乃至１５４における流量がかなり均一化され、また
はほぼ同じとなっている。ガス導出孔１５１乃至１５４
から導出されるガスの流量を同じとするためには、ガス
導出孔１５１乃至１５４の抵抗に比べて、ガス分配室１
４０の高さＡと幅Ｂとにより決まるガス供給管１３６か
らガス導出孔１５１乃至１５４までの抵抗を充分小さく
することが必要となる。The oxygen gas supplied from the gas supply pipe 136 is distributed by the gas distribution chamber 140, and the gas outlet 15
1 to 154, these gas outlet holes 1
The flow rates at 51 to 154 are fairly uniform or nearly the same. Gas outlet holes 151 to 154
In order to make the flow rate of the gas discharged from the gas distribution chambers the same, compared with the resistance of the gas discharge holes 151 to 154,
It is necessary to sufficiently reduce the resistance from the gas supply pipe 136, which is determined by the height A and the width B of 40, to the gas outlet holes 151 to 154.

【００４９】本実施の形態では、ガス分配室１４０によ
って流量がかなり均一化されまたはほぼ同じとなってガ
ス導出孔１５１乃至１５４からそれぞれ導出される酸素
ガスが、反応管本体１０の周囲に等分配置され内径が同
じである４本のガス導入管１１１乃至１１４によりシャ
ワー室４２にそれぞれ供給されるので、反応管本体１０
の周囲が略均等条件となり、ウェーハ２００の面内で局
所的に冷却される部分がなくなり、熱酸化処理により形
成した酸化膜の均一性が改善される。In this embodiment, the oxygen gas whose flow rates are made substantially uniform or almost the same by the gas distribution chamber 140 and which are respectively discharged from the gas discharge holes 151 to 154 are equally divided around the reaction tube body 10. Since the gas is supplied to the shower chamber 42 by four gas introduction pipes 111 to 114 which are arranged and have the same inner diameter, the reaction pipe main body 10
Is substantially equalized, and there is no locally cooled portion in the surface of the wafer 200, and the uniformity of the oxide film formed by the thermal oxidation process is improved.

【００５０】なお、このように、ガス分配室１４０を設
ける場合には、ボート２１０に搭載されるウェーハ２０
０の位置よりも下側に設けることが好ましい。このよう
にすれば、ウェーハ処理領域の温度ムラを防止できる。When the gas distribution chamber 140 is provided in this way, the wafers 20 mounted on the boat 210 are mounted.
It is preferably provided below the 0 position. In this way, temperature unevenness in the wafer processing area can be prevented.

【００５１】このガス分配室１４０をガス分配室として
機能させるためには、ヒータ２２０や均熱管２３０内に
配置する必要はなく、ヒータ２２０や均熱管２３０の下
側の外側に配置してもよい。In order for the gas distribution chamber 140 to function as a gas distribution chamber, it is not necessary to arrange it inside the heater 220 or the heat equalizing pipe 230, but it may be arranged outside the heater 220 or the heat equalizing pipe 230. .

【００５２】また、図１Ａに示すように、ガス分配室１
４０をヒータ２２０および均熱管２３０内に配置するこ
とによりガス分配室１４０はガス分配室としてだけでな
く、ガスを予備加熱するガス加熱室としても機能するよ
うになり、ガス供給管１３６から供給されたガスは、ガ
ス導入管１１１乃至１１４内に導入されるまでに予備加
熱される。その結果、ガス導入管１１１乃至１１４内を
流れるガスによる冷却効果が抑制される。Further, as shown in FIG. 1A, the gas distribution chamber 1
By arranging 40 in the heater 220 and the heat equalizing pipe 230, the gas distribution chamber 140 can function not only as a gas distribution chamber but also as a gas heating chamber for preheating gas, and the gas is supplied from the gas supply pipe 136. The gas is preheated before being introduced into the gas introduction pipes 111 to 114. As a result, the cooling effect of the gas flowing through the gas introduction pipes 111 to 114 is suppressed.

【００５３】なお、ガス分配室１４０によって充分に加
熱されてガス導入管１１１乃至１１４内に導入されるま
でに炉内およびウェーハ２００の温度とほぼ同じ温度に
ガスの温度がなっている場合には、ガス導入管１１１乃
至１１４は必ずしも反応管本体１０の外周に等分配置し
なくても、ウェーハ２００の面内の温度分布は均一なも
のとなり、その結果成膜される酸化膜の膜厚もウェーハ
２００の面内において均一なものとなる。When the temperature of the gas is almost the same as the temperature of the inside of the furnace and the temperature of the wafer 200 before being sufficiently heated by the gas distribution chamber 140 and being introduced into the gas introducing pipes 111 to 114, Even if the gas introduction pipes 111 to 114 are not necessarily evenly arranged on the outer periphery of the reaction tube body 10, the temperature distribution in the plane of the wafer 200 becomes uniform, and as a result, the film thickness of the oxide film formed is also increased. It becomes uniform in the plane of the wafer 200.

【００５４】また、ガス分配室１４０による加熱によっ
てガス導入管１１１乃至１１４内に導入されるまでに炉
内およびウェーハ２００の温度とほぼ同じ温度にガスの
温度がなっていない場合であっても、ガス導入管１１１
乃至１１４内をそれぞれ通過中に加熱され、シャワー室
４２に達する頃には反応管本体１０内の温度やウェーハ
２００の温度とほぼ同じ温度となる。この場合には、ガ
ス導入管１１１乃至１１４は反応管本体１０の外周に等
分配置されていることが好ましい。Further, even when the temperature of the gas is not substantially the same as the temperature of the inside of the furnace and the temperature of the wafer 200 before being introduced into the gas introduction pipes 111 to 114 by the heating by the gas distribution chamber 140, Gas introduction pipe 111
The temperature inside the reaction tube body 10 and the temperature of the wafer 200 are almost the same as the temperature inside the reaction tube main body 10 and the temperature of the wafer 200 when they reach the shower chamber 42. In this case, it is preferable that the gas introduction pipes 111 to 114 are evenly arranged on the outer periphery of the reaction tube body 10.

【００５５】なお、ガス分配室１４０を加熱室としても
機能させるためには、ヒータ２２０内および均熱管２３
０内のガス分配室１４０の高さを約２００乃至４００ｍ
ｍとすることが好ましい。また、このように、ガス分配
室１４０をガス加熱室として機能させる場合にも、ガス
分配室１４０は、ボート２１０に搭載されるウェーハ２
００の位置よりも下側に設けることが好ましい。このよ
うにすれば、ウェーハ処理領域の温度ムラを防止でき
る。In order to make the gas distribution chamber 140 also function as a heating chamber, the inside of the heater 220 and the soaking tube 23 are arranged.
The height of the gas distribution chamber 140 within 0 is approximately 200 to 400 m.
m is preferable. Further, even when the gas distribution chamber 140 is made to function as the gas heating chamber in this way, the gas distribution chamber 140 is used for the wafer 2 mounted on the boat 210.
It is preferably provided below the position 00. In this way, temperature unevenness in the wafer processing area can be prevented.

【００５６】（第２の実施の形態）図４Ａは、本発明の
第２の実施の形態の半導体製造装置において使用される
反応管を説明するための部分拡大斜視図であり、図２Ｂ
は、本発明の第２の実施の形態の半導体製造装置におい
て使用される多孔質材を説明するための斜視図である。(Second Embodiment) FIG. 4A is a partially enlarged perspective view for explaining a reaction tube used in a semiconductor manufacturing apparatus according to a second embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 8 is a perspective view for explaining a porous material used in the semiconductor manufacturing apparatus according to the second embodiment of the present invention.

【００５７】本実施の形態においては、リング状の多孔
質材３００をガス分配室１４０内に設けている。このよ
うにすれば、ガス供給管１３６からガス分配室１４０内
に供給されたガスがより均一に分配され、その結果、ガ
ス導入管１１１乃至１１４に導入されるガスの流量がよ
り均一となる。In the present embodiment, the ring-shaped porous material 300 is provided in the gas distribution chamber 140. By doing so, the gas supplied from the gas supply pipe 136 into the gas distribution chamber 140 is more uniformly distributed, and as a result, the flow rate of the gas introduced into the gas introduction pipes 111 to 114 becomes more uniform.

【００５８】また、本実施の形態においても、ガス分配
室１４０をヒータ２２０および均熱管２３０内に配置し
て、ガス分配室１４０をガスを予備加熱するガス加熱室
としても機能せしめているが、ガスが多孔質材３００を
通過するのに時間がかかるので、この多孔質材３００を
ヒータ２２０および均熱管２３０内に配置することによ
り、多孔質材３００をガス分配室１４０内に設けない場
合に比べてガスの予備加熱効果をより一層奏するように
なる。Also in the present embodiment, the gas distribution chamber 140 is arranged in the heater 220 and the heat equalizing tube 230 so that the gas distribution chamber 140 also functions as a gas heating chamber for preheating the gas. Since it takes time for the gas to pass through the porous material 300, by disposing the porous material 300 in the heater 220 and the heat equalizing tube 230, the porous material 300 is not provided in the gas distribution chamber 140. Compared with this, the effect of preheating gas is further enhanced.

【００５９】（第３の実施の形態）図５Ａ、５Ｂは、本
発明の第３の実施の形態の半導体製造装置において使用
される反応管を説明するための横断面図である。(Third Embodiment) FIGS. 5A and 5B are cross-sectional views for explaining a reaction tube used in a semiconductor manufacturing apparatus according to a third embodiment of the present invention.

【００６０】本実施の形態においては、８本のガス導入
管１１５を反応管本体１０の外周面に沿って４５゜間隔
に等間隔に設けている。ガス導入管１１５は天井板１４
２に設けられたガス導出孔１４３を介してガス分配室１
４０に連通している。８個のガス導出孔１４３は反応管
本体１０の外周に沿って４５゜間隔に等間隔に設けられ
ている。ガス導入管１１５の内径とガス導出孔１４３の
直径とは同じである。In the present embodiment, eight gas introduction pipes 115 are provided at equal intervals of 45 ° along the outer peripheral surface of the reaction tube body 10. The gas introduction pipe 115 is the ceiling plate 14.
2 through the gas outlet 143 provided in the gas distribution chamber 1
It communicates with 40. Eight gas lead-out holes 143 are provided at equal intervals of 45 ° along the outer circumference of the reaction tube body 10. The inner diameter of the gas inlet pipe 115 and the diameter of the gas outlet hole 143 are the same.

【００６１】なお、本実施の形態においても、ガス分配
室１４０をヒータ２２０および均熱管２３０内に配置し
て、ガス分配室１４０をガスを予備加熱するガス加熱室
としても機能せしめている。Also in this embodiment, the gas distribution chamber 140 is arranged in the heater 220 and the heat equalizing tube 230 so that the gas distribution chamber 140 also functions as a gas heating chamber for preheating the gas.

【００６２】（第４の実施の形態）図６Ａ、６Ｂは、本
発明の第４の実施の形態の半導体製造装置において使用
される反応管を説明するための横断面図である。(Fourth Embodiment) FIGS. 6A and 6B are cross-sectional views for explaining a reaction tube used in a semiconductor manufacturing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.

【００６３】本実施の形態においては、６本のガス導入
管１６１乃至１６６を反応管本体１０の外周面に沿って
６０゜間隔に等間隔に設けている。ガス導入管１６１乃
至１６６は天井板１４２に設けられたガス導出孔１７１
乃至１７６をそれぞれ介してガス分配室１４０に連通し
ている。６個のガス導出孔１７１乃至１７６も反応管本
体１０の外周に沿って６０゜間隔に等間隔に設けられて
いる。In the present embodiment, six gas introduction pipes 161 to 166 are provided at equal intervals of 60 ° along the outer peripheral surface of the reaction tube body 10. The gas inlet pipes 161 to 166 are provided with gas outlet holes 171 provided in the ceiling plate 142.
Through 176 respectively, communicate with the gas distribution chamber 140. The six gas outlet holes 171 to 176 are also provided at regular intervals of 60 ° along the outer circumference of the reaction tube body 10.

【００６４】ガス導入管１６１の内径、ガス導入管１６
６の内径、ガス導出孔１７１、１７６の直径は同じであ
る。ガス導入管１６２の内径、ガス導入管１６５の内
径、ガス導出孔１７２、１７５の直径は同じである。ガ
ス導入管１６３の内径、ガス導入管１６４の内径、ガス
導出孔１７３、１７４の直径は同じである。Inner diameter of gas introducing pipe 161, gas introducing pipe 16
The inner diameter of 6 and the diameter of the gas outlet holes 171, 176 are the same. The inner diameter of the gas introduction pipe 162, the inner diameter of the gas introduction pipe 165, and the diameters of the gas outlet holes 172 and 175 are the same. The inner diameter of the gas introduction pipe 163, the inner diameter of the gas introduction pipe 164, and the diameters of the gas outlet holes 173 and 174 are the same.

【００６５】ガス導入管１６１乃至１６６の内径および
ガス導出孔１７１乃至１７６の直径は、ガス供給管１３
６から遠ざかるにつれて大きくなっている。従って、ガ
ス導入管１６１乃至１６６の内径が全て同じであり、ガ
ス導出孔１７１乃至１７６の直径も全て同じである場合
に比べて、ガス導入管１６１乃至１６６内をそれぞれ流
れるガスの流量がより均一になりやすく、その結果、ウ
ェーハの面内の温度分布がより均一になって形成される
酸化膜のウェーハの面内分布の均一性がより向上する。The inner diameters of the gas inlet pipes 161 to 166 and the diameters of the gas outlet holes 171 to 176 are the same as those of the gas supply pipe 13.
It gets bigger as you move away from 6. Therefore, as compared with the case where the inner diameters of the gas introduction pipes 161 to 166 are all the same and the diameters of the gas discharge holes 171 to 176 are all the same, the flow rates of the gas flowing in the gas introduction pipes 161 to 166 are more uniform. As a result, the uniformity of the in-plane distribution of the oxide film formed by making the temperature distribution in the plane of the wafer more uniform is further improved.

【００６６】なお、本実施の形態においても、ガス分配
室１４０をヒータ２２０および均熱管２３０内に配置し
て、ガス分配室１４０をガスを予備加熱するガス加熱室
としても機能せしめている。Also in this embodiment, the gas distribution chamber 140 is arranged in the heater 220 and the heat equalizing tube 230 so that the gas distribution chamber 140 also functions as a gas heating chamber for preheating the gas.

【００６７】（第５の実施の形態）図７Ａ、７Ｂは、本
発明の第５の実施の形態の半導体製造装置において使用
される反応管を説明するための断面図である。(Fifth Embodiment) FIGS. 7A and 7B are sectional views for explaining a reaction tube used in a semiconductor manufacturing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.

【００６８】本実施の形態においては、８本のガス導入
管１８１乃至１８８を反応管本体１０の外周面に沿って
設けているが、ガス導入管１８１乃至１８８の間隔がガ
ス供給管１３６から遠ざかるにつれて狭くなっている。
従って、ガス導入管１８１乃至１８８の間隔が全て同じ
である場合に比べて、ガス導入管１８１乃至１８８内を
流れるガスによる冷却の効果が反応管本体１０の周囲に
おいてより均一になりやすく、その結果、ウェーハの面
内の温度分布がより均一になって形成される酸化膜のウ
ェーハの面内分布の均一性がより向上する。In the present embodiment, eight gas introduction pipes 181 to 188 are provided along the outer peripheral surface of the reaction tube body 10, but the distance between the gas introduction pipes 181 to 188 is far from the gas supply pipe 136. It is getting narrower.
Therefore, as compared with the case where the intervals of the gas introducing pipes 181 to 188 are all the same, the effect of cooling by the gas flowing in the gas introducing pipes 181 to 188 is likely to be more uniform around the reaction tube body 10, and as a result, As a result, the uniformity of the in-plane distribution of the oxide film formed by making the temperature distribution in the plane of the wafer more uniform is further improved.

【００６９】なお、ガス導入管１８１乃至１８８は天井
板１４２に設けられたガス導出孔１９１乃至１９８をそ
れぞれ介してガス分配室１４０に連通している。８個の
ガス導出孔１９１乃至１９８の間隔もガス供給管１３６
から遠ざかるにつれて狭くなっている。また、ガス導入
管１８１乃至１８８の内径およびガス導出孔１９１乃至
１９８の直径は同じである。The gas introduction pipes 181 to 188 communicate with the gas distribution chamber 140 via gas discharge holes 191 to 198 provided in the ceiling plate 142, respectively. The interval between the eight gas outlet holes 191 to 198 is also the gas supply pipe 136.
It becomes narrower away from. Further, the inner diameters of the gas introducing pipes 181 to 188 and the diameters of the gas outlet holes 191 to 198 are the same.

【００７０】また、本実施の形態においても、ガス分配
室１４０をヒータ２２０および均熱管２３０内に配置し
て、ガス分配室１４０をガスを予備加熱するガス加熱室
としても機能せしめている。Also in the present embodiment, the gas distribution chamber 140 is arranged inside the heater 220 and the heat equalizing tube 230 so that the gas distribution chamber 140 also functions as a gas heating chamber for preheating the gas.

【００７１】（第６の実施の形態）図８は、本発明の第
６の実施の形態の半導体製造装置において使用される反
応管を説明するための断面図である。(Sixth Embodiment) FIG. 8 is a sectional view for explaining a reaction tube used in a semiconductor manufacturing apparatus according to a sixth embodiment of the present invention.

【００７２】本実施の形態においては、ガス分配室３４
０を反応管本体１０の内側に設けている点が第１の実施
の形態と異なるが他の点は同様である。In the present embodiment, the gas distribution chamber 34
Although 0 is provided inside the reaction tube body 10, it is different from the first embodiment, but the other points are the same.

【００７３】ガス分配室３４０は反応管本体１０の円周
面に沿って反応管本体１０の内側周囲に設けられている
と共に反応管本体１０の母線方向に所定の長さを有して
いる。The gas distribution chamber 340 is provided around the inner surface of the reaction tube body 10 along the circumferential surface of the reaction tube body 10 and has a predetermined length in the generatrix direction of the reaction tube body 10.

【００７４】反応管本体１０と、反応管本体１０の内側
に反応管本体１０と同心円状に配置された円柱状のガス
分配室内側反応管３４１と、ガス分配室内側反応管３４
１の上端部と反応管本体１０との間に設けられた天井板
３４２と、ガス分配室内側反応管３４１の下端部と反応
管本体１０との間に設けられた底板３４４とによりガス
分配室３４０が画成されている。The reaction tube main body 10, a cylindrical gas distribution chamber inner side reaction tube 341 arranged concentrically with the reaction tube main body 10 inside the reaction tube main body 10, and the gas distribution chamber inner side reaction tube 34.
The gas distribution chamber includes a ceiling plate 342 provided between the upper end of the reaction tube body 10 and the reaction tube body 10, and a bottom plate 344 provided between the lower end of the reaction tube 341 inside the gas distribution chamber and the reaction tube body 10. 340 are defined.

【００７５】天井板３４２にはガス導入管１１１乃至１
１４の一端部がそれぞれ連通して設けられている。ガス
導入管１１１乃至１１４は反応管本体１０の内円周面に
沿って９０゜間隔に等間隔に設けられ、かつ反応管本体
１０の内周面に母線方向に沿って鉛直方向にそれぞれ設
けられている。The ceiling plate 342 has gas introduction pipes 111 to 1
One end portions of 14 are provided so as to communicate with each other. The gas introduction tubes 111 to 114 are provided at equal intervals along the inner circumferential surface of the reaction tube body 10 at 90 ° intervals, and are provided on the inner circumferential surface of the reaction tube body 10 in the vertical direction along the generatrix direction. ing.

【００７６】このように、ガス分配室３４０やガス導入
管１１１乃至１１４を反応管本体１０の内側に設けるこ
とによって、反応管１００の洗浄等が容易になる。すな
わち、ガス導入管１１１乃至１１４を反応管本体１０の
内側に設けることによって、反応管１００の側壁をロー
ラー等の支持部材で支持しつつ洗浄用薬液に浸けて反応
管１００を回転しながら洗浄する場合に、ガス導入管１
１１乃至１１４が支持部材にぶつかったりひっかかった
りすることがなく、反応管１００がスムーズに回転し、
また破損することも防止できる。また、ガス分配室３４
０を反応管本体１０の内側に設ければ、ガス分配室３４
０と反応管本体１０との段違いがなくなり、反応管１０
０がスムーズに回転するようになる。As described above, by providing the gas distribution chamber 340 and the gas introduction pipes 111 to 114 inside the reaction tube body 10, cleaning of the reaction tube 100 and the like become easy. That is, by providing the gas introduction pipes 111 to 114 inside the reaction tube body 10, the side wall of the reaction tube 100 is supported by a supporting member such as a roller and immersed in the cleaning chemical solution to clean the reaction tube 100 while rotating it. In case of gas introduction pipe 1
The reaction tube 100 rotates smoothly without causing 11 to 114 to hit or be caught by the support member.
Also, it can be prevented from being damaged. In addition, the gas distribution chamber 34
If 0 is provided inside the reaction tube body 10, the gas distribution chamber 34
0 and the reaction tube main body 10 have no step difference, and the reaction tube 10
0 will rotate smoothly.

【００７７】なお、本実施の形態においても、ガス分配
室３４０をヒータ２２０および均熱管２３０内に配置し
て、ガス分配室３４０をガスを予備加熱するガス加熱室
としても機能せしめている。In the present embodiment as well, the gas distribution chamber 340 is arranged in the heater 220 and the heat equalizing tube 230 so that the gas distribution chamber 340 also functions as a gas heating chamber for preheating the gas.

【００７８】なお、上記各実施の形態においてはそれぞ
れ所定数のガス導入管を設けたが、ガス導入管の本数
は、必要に応じて２本、３本、４本あるいは５本以上と
することができ、また、１本のガス導入管を複数に分岐
させ、ガスシャワー板３０の周囲等分箇所からガスを流
出させるようにしてもよく、また、ガスシャワー板３０
を介さずに直接反応管本体１０内に導入してもよい。Although a predetermined number of gas introduction pipes are provided in each of the above-described embodiments, the number of gas introduction pipes may be two, three, four or five or more as required. In addition, one gas introduction pipe may be branched into a plurality of parts so that the gas flows out from the equally divided portions around the gas shower plate 30.
It may be directly introduced into the reaction tube body 10 without going through.

【００７９】また、上記各実施の形態においては、反応
管本体に対して複数のガス導入管や分配室を付設する構
造であるので、制作費も安価であり、かつ重量的にもあ
まり重くならず、メンテナンス時に作業者が持ち運ぶの
も取り付けるのも容易となり、安全性も向上する。な
お、図１５に示した全２重管構造の場合には、反応管の
重さは約１８ｋｇであったのに対して、分配室を用いる
第１乃至第６の実施の形態では反応管の重さは約１２．
４ｋｇであり、約３０％も軽量化できた。Further, in each of the above-mentioned embodiments, since a plurality of gas introduction pipes and distribution chambers are attached to the reaction tube body, the production cost is low and the weight is not so heavy. Instead, it is easy for workers to carry and install during maintenance, improving safety. In addition, in the case of the full double tube structure shown in FIG. 15, the weight of the reaction tube was about 18 kg, whereas in the first to sixth embodiments using the distribution chamber, the reaction tube Weight is about 12.
The weight was 4 kg, and the weight could be reduced by about 30%.

【００８０】（第７の実施の形態）図９は、本発明の第
７の実施の形態の半導体製造装置を説明するための図で
あり、図９Ａは図９ＢのＹ９−Ｙ９線縦断面図であり、
図９Ｂは、図９ＡのＸ９−Ｘ９線横断面図である。(Seventh Embodiment) FIG. 9 is a view for explaining a semiconductor manufacturing apparatus according to a seventh embodiment of the present invention. FIG. 9A is a vertical sectional view taken along line Y9-Y9 of FIG. 9B. And
9B is a cross-sectional view taken along line X9-X9 of FIG. 9A.

【００８１】この半導体製造装置１においては、中空の
ヒータ２２０内に均熱管２３０が設けられ、均熱管２３
０内に反応管５００が設けられている。均熱管２３０は
熱容量が大きい材料（例えばＳｉＣ）から構成されてい
る。In this semiconductor manufacturing apparatus 1, a soaking tube 230 is provided in the hollow heater 220, and the soaking tube 23 is provided.
A reaction tube 500 is provided in the zero. The soaking tube 230 is made of a material having a large heat capacity (for example, SiC).

【００８２】反応管５００は２重管構造であり、中空の
内側反応管５１０と中空の外側反応管５２０と、抵抗板
６４２とガス分配室６４０とを備えている。The reaction tube 500 has a double tube structure and is provided with a hollow inner reaction tube 510, a hollow outer reaction tube 520, a resistance plate 642 and a gas distribution chamber 640.

【００８３】内側反応管５１０は円柱状であり天井板５
１４を備えている。外側反応管５２０も円柱状であり天
井板５４０と底板５２２を備えている。内側反応管５１
０と外側反応管５２０とは同心円状に配置され、内側反
応管５１０の側壁５１１と外側反応管５２０の側壁５２
１との間にはガス誘導空間５５０が画成され、内側反応
管５１０の天井板５１４と外側反応管５２０の天井板５
４０との間にはガス誘導空間５６０が画成されており、
ガス誘導空間５５０とガス誘導空間５６０は連通してい
る。内側反応管５１０の天井板５１４の中央部は複数の
ガス分散孔５３２が設けられたガスシャワー板５３０と
なっており、ガス誘導空間５６０はガスシャワー板４３
０を介して内側反応管５１０内部に連通している。外側
反応管５２０の下端部は、外側反応管５２０の底板５２
２が内側反応管５１０の側壁５１１において終端するこ
とにより閉塞している。The inner reaction tube 510 has a columnar shape and has a ceiling plate 5.
14 are provided. The outer reaction tube 520 also has a cylindrical shape and includes a ceiling plate 540 and a bottom plate 522. Inner reaction tube 51
0 and the outer reaction tube 520 are concentrically arranged, and the side wall 511 of the inner reaction tube 510 and the side wall 52 of the outer reaction tube 520.
A gas guiding space 550 is defined between the ceiling plate 514 of the inner reaction tube 510 and the ceiling plate 5 of the outer reaction tube 520.
A gas guiding space 560 is defined between the
The gas guiding space 550 and the gas guiding space 560 are in communication with each other. The central portion of the ceiling plate 514 of the inner reaction tube 510 is a gas shower plate 530 provided with a plurality of gas dispersion holes 532, and the gas guide space 560 is a gas shower plate 43.
0 to the inside of the inner reaction tube 510. The lower end of the outer reaction tube 520 has a bottom plate 52 of the outer reaction tube 520.
2 is closed by terminating at the side wall 511 of the inner reaction tube 510.

【００８４】抵抗板６４２はリング状であり、外側反応
管５２０下端から鉛直方向に距離Ｃの位置において、そ
の外側が外側反応管５２０の側壁５２１に固定され、そ
の内側が内側反応管５１０の側壁５１１に固定されてい
る。抵抗板６４２、内側反応管５１０の側壁５１１、外
側反応管５２０の側壁５２１および底板５２２によりガ
ス分配室６４０が画成されている。The resistance plate 642 has a ring shape, the outer side of which is fixed to the side wall 521 of the outer reaction tube 520 and the inner side of which is the side wall of the inner reaction tube 510 at a position at a distance C in the vertical direction from the lower end of the outer reaction tube 520. It is fixed to 511. A gas distribution chamber 640 is defined by the resistance plate 642, the side wall 511 of the inner reaction tube 510, the side wall 521 of the outer reaction tube 520, and the bottom plate 522.

【００８５】抵抗板６４２には、ガス導出孔６４３が４
５゜間隔に等間隔に設けられている。ガス導出孔６４３
の直径はすべて同じである。ガス分配室６４０はガス誘
導空間５５０と抵抗板６４２のガス導出孔６４３を介し
て連通している。In the resistance plate 642, there are four gas outlet holes 643.
They are provided at equal intervals of 5 °. Gas outlet 643
Have the same diameter. The gas distribution chamber 640 communicates with the gas guiding space 550 through the gas outlet hole 643 of the resistance plate 642.

【００８６】外側反応管５２０の下端部にはガス供給管
６３６がガス分配室６４０と連通して設けられている。
内側反応管５１０の下端近傍には排気管６５１が連通し
て設けられている。ガス供給管６３６は反応ガス供給源
（図示せず。）に接続され、排気管６５１は排気装置
（図示せず。）に接続されている。A gas supply pipe 636 is provided at the lower end of the outer reaction pipe 520 so as to communicate with the gas distribution chamber 640.
An exhaust pipe 651 is provided in communication near the lower end of the inner reaction pipe 510. The gas supply pipe 636 is connected to a reaction gas supply source (not shown), and the exhaust pipe 651 is connected to an exhaust device (not shown).

【００８７】ボート２１０が、ボートエレベータ（図示
せず。）により昇降されることにより、内側反応管５１
０内に導入され、内側反応管５１０から取り出されるよ
うになっている。ボート２１０はボートキャップ６０上
に立設されており、ボートキャップ６０は炉口蓋６２上
に設けられている。内側反応管５１０の下端の周囲には
フランジ５１２が設けられており、フランジ５１２と炉
口蓋６２との間にはＯ−リング６４が挟まれており、内
側反応管５１０を気密に封じている。The boat 210 is moved up and down by a boat elevator (not shown), whereby the inner reaction tube 51
It is designed to be introduced into the inner tube 0 and taken out from the inner reaction tube 510. The boat 210 is erected on the boat cap 60, and the boat cap 60 is provided on the furnace port cover 62. A flange 512 is provided around the lower end of the inner reaction tube 510, and an O-ring 64 is sandwiched between the flange 512 and the furnace port lid 62 to hermetically seal the inner reaction tube 510.

【００８８】ボート２１０は４本のボート支柱２１２を
備えており、ボート支柱２１２には複数枚のウェーハ２
００が水平姿勢で多段に装填されており、ウェーハ２０
０がボート２１０に装填された状態で酸化され、その表
面に酸化膜が形成されるようになっている。The boat 210 is provided with four boat stanchions 212, and the boat stanchions 212 include a plurality of wafers 2.
00 are loaded in multiple stages in a horizontal posture, and wafers 20
O is oxidized in a state of being loaded in the boat 210, and an oxide film is formed on the surface thereof.

【００８９】ウェーハ２００の酸化処理は、ヒータ２２
０により炉内およびウェーハ２００が酸化処理温度に加
熱保持された状態で、酸素ガスを、ガス供給管６３６、
ガス分配室６４０、ガス誘導空間５５０、５６０および
ガスシャワー板５３０のガス分散孔５３２を介して内側
反応管５１０内に分散供給する。酸素ガスとウェーハ２
００とが反応してウェーハ２００の表面に酸化膜が形成
される。反応後のガスは排気管６５１を介して排気され
る。The wafer 22 is oxidized by the heater 22.
Oxygen gas is supplied to the gas supply pipe 636 in a state where the inside of the furnace and the wafer 200 are heated and held at the oxidation treatment temperature by 0.
The gas is distributed and supplied into the inner reaction tube 510 through the gas distribution chamber 640, the gas induction spaces 550 and 560, and the gas distribution holes 532 of the gas shower plate 530. Oxygen gas and wafer 2
00 reacts with each other to form an oxide film on the surface of the wafer 200. The gas after the reaction is exhausted through the exhaust pipe 651.

【００９０】ガス供給管６３６から供給された酸素ガス
はガス分配室６４０によって分配され、ガス導出孔６４
３に到達する際には、これらのガス導出孔６４３におけ
る流量がかなり均一化され、またはほぼ同じとなってい
る。ガス導出孔６４３から導出されるガスの流量を同じ
とするためには、ガス導出孔６４３の抵抗に比べて、ガ
ス分配室６４０の高さＣと幅Ｄとにより決まるガス供給
管６３６からガス導出孔６４３までの抵抗を充分小さく
することが必要となる。The oxygen gas supplied from the gas supply pipe 636 is distributed by the gas distribution chamber 640, and the gas outlet hole 64 is formed.
When reaching 3, the flow rates in these gas outlet holes 643 are considerably equalized or almost the same. In order to make the flow rate of the gas led out from the gas lead-out hole 643 the same, the gas lead-out from the gas supply pipe 636 determined by the height C and the width D of the gas distribution chamber 640 as compared with the resistance of the gas lead-out hole 643. It is necessary to sufficiently reduce the resistance up to the hole 643.

【００９１】本実施の形態では、ガス分配室６４０によ
って流量がかなり均一化されまたはほぼ同じとなってガ
ス導出孔６４３からそれぞれ導出される酸素ガスが、内
側反応管５１０の外側の周囲に同一の幅を持って形成さ
れているガス誘導空間５５０により内側反応管５１０上
部のガス誘導空間５６０まで供給されるので内側反応管
５１０の周囲が略均等条件となり、ウェーハ２００の面
内で局所的に冷却される部分がなくなり、熱酸化処理に
より形成した酸化膜の均一性が改善される。In the present embodiment, the oxygen distribution gas 640 has a substantially uniform flow rate or substantially the same flow rate, and the oxygen gas discharged from the gas discharge holes 643 is the same around the outside of the inner reaction tube 510. Since the gas guiding space 550 having a width is supplied to the gas guiding space 560 above the inner reaction tube 510, the circumference of the inner reaction tube 510 becomes a substantially equal condition, and the wafer 200 is locally cooled in the plane. The removed portion is eliminated, and the uniformity of the oxide film formed by the thermal oxidation process is improved.

【００９２】なお、このように、抵抗板６４２によりガ
ス分配室６４０を画成する場合には、抵抗板６４２をボ
ート２１０に搭載されるウェーハ２００の位置よりも下
側に設けることが好ましい。このようにすれば、ウェー
ハ処理領域の温度ムラを防止できる。When the gas distribution chamber 640 is defined by the resistance plate 642 as described above, the resistance plate 642 is preferably provided below the position of the wafer 200 mounted on the boat 210. In this way, temperature unevenness in the wafer processing area can be prevented.

【００９３】このガス分配室６４０をガス分配室として
機能させるためには、ヒータ２２０や均熱管２３０内に
配置する必要はなく、ヒータ２２０や均熱管２３０の下
側の外側に配置してもよい。In order for the gas distribution chamber 640 to function as a gas distribution chamber, it is not necessary to arrange it inside the heater 220 or the heat equalizing pipe 230, but it may be arranged outside the heater 220 or the heat equalizing pipe 230. .

【００９４】また、本実施の形態のように、ガス分配室
６４０をヒータ２２０および均熱管２３０内に配置する
ことによりガス分配室６４０はガス分配室としてだけで
なく、ガスを予備加熱するガス加熱室としても機能する
ようになり、ガス供給管６３６から供給されたガスは、
ガス誘導空間５５０内に導入されるまでに予備加熱され
る。その結果、ガス誘導空間５５０内を流れるガスによ
る冷却効果が抑制される。Further, by disposing the gas distribution chamber 640 inside the heater 220 and the heat equalizing tube 230 as in the present embodiment, the gas distribution chamber 640 is not only used as a gas distribution chamber, but is also heated by preheating the gas. The gas supplied from the gas supply pipe 636 can also function as a chamber.
It is preheated before being introduced into the gas induction space 550. As a result, the cooling effect of the gas flowing in the gas guiding space 550 is suppressed.

【００９５】なお、このように、ガス分配室６４０をガ
ス加熱室として機能させる場合にも、抵抗板６４２は、
ボート２１０に搭載されるウェーハ２００の位置よりも
下側に設けることが好ましい。このようにすれば、ウェ
ーハ処理領域の温度ムラを防止できる。Even when the gas distribution chamber 640 functions as a gas heating chamber as described above, the resistance plate 642 is
It is preferably provided below the position of the wafer 200 mounted on the boat 210. In this way, temperature unevenness in the wafer processing area can be prevented.

【００９６】また、この２重管構造の反応管５００にお
いても、常温付近の温度でガス供給管６３６から導入さ
れた酸素ガスは、内側反応管５１０と外側反応管５２０
との間のガス誘導空間５５０、５６０を通過中に加熱さ
れ、ガスシャワー板５３０に達する頃には内側反応管５
１０内部の温度やウェーハ２００の温度とほぼ同じ温度
となって、内側反応管５１０内に導入される。Also in the double-tube structure reaction tube 500, the oxygen gas introduced from the gas supply tube 636 at a temperature near room temperature has an inner reaction tube 510 and an outer reaction tube 520.
Is heated while passing through the gas induction spaces 550 and 560 between the inner reaction tube 5 and the gas shower plate 530.
The temperature inside 10 and the temperature of the wafer 200 become almost the same, and the temperature is introduced into the inner reaction tube 510.

【００９７】（第８の実施の形態）図１０は、本発明の
第８の実施の形態の半導体製造装置において使用される
反応管を説明するための横断面図である。(Eighth Embodiment) FIG. 10 is a cross-sectional view for explaining a reaction tube used in a semiconductor manufacturing apparatus according to an eighth embodiment of the present invention.

【００９８】本実施の形態においては、６個のガス導出
孔６７１乃至６７６を抵抗板６４２に、内側反応管５１
０の外周に沿って６０゜間隔で等間隔に設けている。ガ
ス分配室６４０はガス導出孔６７１乃至６７６を介して
ガス誘導空間５５０に連通している。In this embodiment, the six gas outlet holes 671 to 676 are formed in the resistance plate 642 and the inner reaction tube 51 is formed.
They are provided at regular intervals of 60 ° along the outer circumference of 0. The gas distribution chamber 640 communicates with the gas guide space 550 through the gas outlet holes 671 to 676.

【００９９】ガス導出孔６７１、６７６の直径は同じで
ある。ガス導出孔６７２、６７５の直径は同じである。
ガス導出孔６７３、６７４の直径は同じである。ガス導
出孔６７１乃至６７６の直径は、ガス供給管６３６から
遠ざかるにつれて大きくなっている。従って、ガス導出
孔６７１乃至６７６の直径が全て同じである場合に比べ
て、ガス導出孔６７１乃至６７６からガス誘導空間５５
０に導出されるガスの流量がより均一になりやすく、そ
の結果、ガス誘導空間５５０を流れるガスの流量もより
均一になる。従って、ウェーハの面内の温度分布がより
均一になって形成される酸化膜のウェーハの面内分布の
均一性がより向上する。The gas outlet holes 671 and 676 have the same diameter. The gas outlet holes 672 and 675 have the same diameter.
The gas outlet holes 673 and 674 have the same diameter. The diameters of the gas outlet holes 671 to 676 increase as the distance from the gas supply pipe 636 increases. Therefore, as compared with the case where the diameters of the gas outlets 671 to 676 are all the same, the gas outlet spaces 671 to 676 are separated from the gas outlet spaces 55.
The flow rate of the gas discharged to 0 becomes more uniform, and as a result, the flow rate of the gas flowing through the gas guiding space 550 becomes more uniform. Therefore, the uniformity of the in-plane distribution of the oxide film formed by making the temperature distribution in the plane of the wafer more uniform is further improved.

【０１００】なお、本実施の形態においても、抵抗板６
４２をヒータ２２０および均熱管２３０内に配置して、
ガス分配室６４０をガスを予備加熱するガス加熱室とし
ても機能せしめている。Note that, also in this embodiment, the resistance plate 6
42 is arranged in the heater 220 and the heat equalizing tube 230,
The gas distribution chamber 640 also functions as a gas heating chamber for preheating the gas.

【０１０１】（第９の実施の形態）図１１は、本発明の
第９の実施の形態の半導体製造装置において使用される
反応管を説明するための横断面図である。(Ninth Embodiment) FIG. 11 is a cross sectional view for explaining a reaction tube used in a semiconductor manufacturing apparatus according to a ninth embodiment of the present invention.

【０１０２】本実施の形態においては、８本のガス導出
孔６９１乃至６９８を内側反応管５１０の外周面に沿っ
て設けているが、ガス導出孔６９１乃至６９８の間隔が
ガス供給管６３６から遠ざかるにつれて狭くなってい
る。従って、ガス導出孔６９１乃至６９８の間隔が全て
同じである場合に比べて、ガス導出孔６９１乃至６９８
からガス誘導空間５５０に導出されてガス誘導空間５５
０を流れるガスによる冷却の効果が内側反応管５１０の
周囲においてより均一になり、その結果、ウェーハの面
内の温度分布がより均一になって形成される酸化膜のウ
ェーハの面内分布の均一性がより向上する。なお、本実
施の形態においては、ガス導出孔６９１乃至６９８の直
径は同じである。In the present embodiment, eight gas outlet holes 691 to 698 are provided along the outer peripheral surface of the inner reaction tube 510, but the distance between the gas outlet holes 691 to 698 is far from the gas supply pipe 636. It is getting narrower. Therefore, as compared with the case where the intervals of the gas outlet holes 691 to 698 are all the same, the gas outlet holes 691 to 698.
From the gas guiding space 550 to the gas guiding space 55
The effect of cooling by the gas flowing through 0 becomes more uniform around the inner reaction tube 510, and as a result, the temperature distribution in the plane of the wafer becomes more uniform, and the in-plane distribution of the oxide film formed is uniform. Sex is improved. In the present embodiment, the gas outlet holes 691 to 698 have the same diameter.

【０１０３】また、本実施の形態においても、抵抗板６
４２をヒータ２２０および均熱管２３０内に配置して、
ガス分配室６４０をガスを予備加熱するガス加熱室とし
ても機能せしめている。Also in the present embodiment, the resistance plate 6
42 is arranged in the heater 220 and the heat equalizing tube 230,
The gas distribution chamber 640 also functions as a gas heating chamber for preheating the gas.

【０１０４】（第１０の実施の形態）図１２は、本発明
の第１０の実施の形態の半導体製造装置を説明するため
の図であり、図１２Ａは縦断面図であり、図１２Ｂは本
発明の第１０の実施の形態の半導体製造装置において使
用される多孔質材を説明するための斜視図である。(Tenth Embodiment) FIG. 12 is a diagram for explaining a semiconductor manufacturing apparatus according to a tenth embodiment of the present invention, FIG. 12A is a vertical sectional view, and FIG. 12B is a book. It is a perspective view for explaining the porous material used in the semiconductor manufacturing device of a 10th embodiment of the invention.

【０１０５】本実施の形態においては、リング状の多孔
質材６６２を、外側反応管５２０の下端から鉛直方向に
距離Ｅの位置において、外側反応管５２０の側面５２１
と内側反応管５１０の側面５１１との間に設けている。
多孔質材６６２、内側反応管５１０の側壁５１１、外側
反応管５２０の側壁５２１および底板５２２によりガス
分配室６６０が画成されている。ガス分配室６６０はガ
ス誘導空間５５０と多孔質材６６２を介して連通してい
る。このように、多孔質材６６２を設けることにより、
ガス供給管６３６からガス分配室６６０内に供給された
ガスが均一に分配されてガス誘導空間５５０内に導出さ
れる。その結果、ガス誘導空間５５０を流れるガスの流
量もより均一になる。従って、ウェーハの面内の温度分
布がより均一になって形成される酸化膜のウェーハの面
内分布の均一性がより向上する。In this embodiment, the ring-shaped porous material 662 is attached to the side surface 521 of the outer reaction tube 520 at the position E vertically from the lower end of the outer reaction tube 520.
And the side surface 511 of the inner reaction tube 510.
A gas distribution chamber 660 is defined by the porous material 662, the side wall 511 of the inner reaction tube 510, the side wall 521 of the outer reaction tube 520, and the bottom plate 522. The gas distribution chamber 660 communicates with the gas guiding space 550 via the porous material 662. By thus providing the porous material 662,
The gas supplied from the gas supply pipe 636 into the gas distribution chamber 660 is uniformly distributed and led out into the gas guiding space 550. As a result, the flow rate of the gas flowing through the gas guiding space 550 becomes more uniform. Therefore, the uniformity of the in-plane distribution of the oxide film formed by making the temperature distribution in the plane of the wafer more uniform is further improved.

【０１０６】なお、本実施の形態においても、多孔質材
６６２をヒータ２２０および均熱管２３０内に配置し
て、ガス分配室６６０をガスを予備加熱するガス加熱室
としても機能せしめている。Also in this embodiment, the porous material 662 is arranged in the heater 220 and the heat equalizing tube 230 so that the gas distribution chamber 660 also functions as a gas heating chamber for preheating the gas.

【０１０７】（第１１の実施の形態）図１３は、本発明
の第１１の実施の形態の半導体製造装置を説明するため
の図であり、図１３Ａは図１３ＢのＹ１３−Ｙ１３線断
面図であり、図１３Ｂは、図１３ＡのＸ１３−Ｘ１３線
横断面図である。(Eleventh Embodiment) FIG. 13 is a view for explaining a semiconductor manufacturing apparatus according to an eleventh embodiment of the present invention. FIG. 13A is a sectional view taken along line Y13-Y13 of FIG. 13B. FIG. 13B is a cross-sectional view taken along line X13-X13 of FIG. 13A.

【０１０８】第７の実施の形態においては、抵抗板６４
２を用いて分配室６４０を画成し、分配室６４０の下端
部に１本のガス供給管６３６を連通させたが、本実施の
形態においては、４本のガス供給管６３１乃至６３４
を、内側反応管５１０の側壁５１１と外側反応管５２０
の側壁５２１との間に画成されるガス誘導空間５５０の
下端部に９０゜間隔に等間隔に連通させて設けている点
が第７の実施の形態と異なるが他の点は同様である。In the seventh embodiment, the resistance plate 64
2 is used to define the distribution chamber 640, and one gas supply pipe 636 is connected to the lower end portion of the distribution chamber 640. However, in the present embodiment, four gas supply pipes 631 to 634 are used.
To the side wall 511 of the inner reaction tube 510 and the outer reaction tube 520.
It is different from the seventh embodiment in that it is provided at the lower end of the gas guiding space 550 defined between the side wall 521 and the side wall 521 so as to be communicated at regular intervals of 90 °, but the other points are the same. .

【０１０９】本実施の形態においては、外側反応管５２
０の周囲に等分配置されたガス供給管６３１乃至６３４
により、内側反応管５１０の側壁５１１と外側反応管５
２０の側壁５２１との間に画成されるガス誘導空間５５
０の下端部に酸素ガスが供給されるので、内側反応管５
１０の周囲が略均等条件となりウェーハ面内で局所的に
冷却される部分がなくなる。従って、ウェーハの面内の
温度分布がより均一になって形成される酸化膜のウェー
ハの面内分布の均一性がより向上する。In the present embodiment, the outer reaction tube 52
Gas supply pipes 631 to 634 evenly arranged around 0
Accordingly, the side wall 511 of the inner reaction tube 510 and the outer reaction tube 5
Gas guide space 55 defined between the side wall 521 and the side wall 521
Since oxygen gas is supplied to the lower end of 0, the inner reaction tube 5
The periphery of 10 becomes a substantially equal condition, and there is no locally cooled portion in the wafer surface. Therefore, the uniformity of the in-plane distribution of the oxide film formed by making the temperature distribution in the plane of the wafer more uniform is further improved.

【０１１０】なお、上記各実施の形態においては、ガス
分配室１４０、３４０、６４０、６６０に連通するガス
供給管は一本であったが、複数本のガス供給管をガス分
配室に連通させてもよく、均一性が向上する。このよう
に複数本のガス供給管を設ける場合には、複数本のガス
供給管を等分配置することが均一性を向上させる点で好
ましい。In each of the above embodiments, the number of gas supply pipes communicating with the gas distribution chambers 140, 340, 640, 660 is one, but a plurality of gas supply pipes are connected to the gas distribution chambers. May improve the uniformity. When a plurality of gas supply pipes are provided in this way, it is preferable to dispose the plurality of gas supply pipes in equal parts in order to improve uniformity.

【０１１１】また、上記各実施の形態においては、酸素
ガスによるドライ酸化処理について説明したが、パイロ
ジェニック法によるウェット酸化、リン拡散、各種熱処
理等の半導体ウェーハの各種処理について同様に効果が
ある。Further, in each of the above-mentioned embodiments, the dry oxidation treatment with oxygen gas has been described, but the same effects can be obtained with respect to various treatments of semiconductor wafers such as wet oxidation by the pyrogenic method, phosphorus diffusion, and various heat treatments.

【０１１２】[0112]

【発明の効果】本発明によれば、反応管内の温度分布の
均一性が向上するので、ウェーハ等の被処理物の面内の
温度分布の均一性を向上させることができ、その結果、
ウェーハ等の被処理物上に形成される酸化膜厚等の均一
性が向上し、ひいては、デバイス特性の均一性が向上
し、歩留まりが向上する。According to the present invention, since the uniformity of the temperature distribution in the reaction tube is improved, it is possible to improve the uniformity of the temperature distribution in the plane of the object to be processed such as a wafer.
The uniformity of the oxide film thickness and the like formed on the object to be processed such as a wafer is improved, which in turn improves the uniformity of device characteristics and improves the yield.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の第１の実施の形態の半導体製造装置を
説明するための図であり、図１Ａは縦断面図であり、図
１Ｂは、図１ＡのＸ１−Ｘ１線横断面図である。1A and 1B are views for explaining a semiconductor manufacturing apparatus according to a first embodiment of the present invention, FIG. 1A is a vertical cross-sectional view, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line X1-X1 of FIG. 1A. is there.

【図２】本発明の第１の実施の形態の半導体製造装置に
おいて使用される反応管を説明するための斜視図であ
る。FIG. 2 is a perspective view for explaining a reaction tube used in the semiconductor manufacturing apparatus according to the first embodiment of the present invention.

【図３】本発明の第１の実施の形態の半導体製造装置に
おいて使用される反応管を説明するための部分拡大斜視
図である。FIG. 3 is a partial enlarged perspective view for explaining a reaction tube used in the semiconductor manufacturing apparatus according to the first embodiment of the present invention.

【図４】本発明の第２の実施の形態の半導体製造装置に
おいて使用される反応管を説明するための図であり、図
２Ａは反応管の部分拡大斜視図であり、図２Ｂは本発明
の第２の実施の形態の半導体製造装置において使用され
る多孔質材を説明するための斜視図である。FIG. 4 is a diagram for explaining a reaction tube used in the semiconductor manufacturing apparatus according to the second embodiment of the present invention, FIG. 2A is a partially enlarged perspective view of the reaction tube, and FIG. 2B is the present invention. FIG. 7 is a perspective view for explaining a porous material used in the semiconductor manufacturing apparatus of the second embodiment of FIG.

【図５】本発明の第３の実施の形態の半導体製造装置に
おいて使用される反応管を説明するための横断面図であ
る。FIG. 5 is a transverse cross-sectional view for explaining a reaction tube used in a semiconductor manufacturing device according to a third embodiment of the present invention.

【図６】本発明の第４の実施の形態の半導体製造装置に
おいて使用される反応管を説明するための横断面図であ
る。FIG. 6 is a transverse cross-sectional view for explaining a reaction tube used in a semiconductor manufacturing device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図７】本発明の第５の実施の形態の半導体製造装置に
おいて使用される反応管を説明するための横断面図であ
る。FIG. 7 is a transverse cross-sectional view for explaining a reaction tube used in a semiconductor manufacturing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.

【図８】本発明の第６の実施の形態の半導体製造装置に
おいて使用される反応管を説明するための横断面図であ
る。FIG. 8 is a transverse cross-sectional view for explaining a reaction tube used in a semiconductor manufacturing device according to a sixth embodiment of the present invention.

【図９】本発明の第７の実施の形態の半導体製造装置を
説明するための図であり、図９Ａは図９ＢのＹ９−Ｙ９
線断面図であり、図９Ｂは、図９ＡのＸ９−Ｘ９線横断
面図である。FIG. 9 is a diagram for explaining a semiconductor manufacturing apparatus according to a seventh embodiment of the present invention, and FIG. 9A is Y9-Y9 of FIG. 9B.
9B is a cross-sectional view taken along the line X9-X9 in FIG. 9A.

【図１０】本発明の第８の実施の形態の半導体製造装置
において使用される反応管を説明するための横断面図で
ある。FIG. 10 is a transverse cross-sectional view for explaining a reaction tube used in a semiconductor manufacturing device according to an eighth embodiment of the present invention.

【図１１】本発明の第９の実施の形態の半導体製造装置
において使用される反応管を説明するための横断面図で
ある。FIG. 11 is a transverse cross-sectional view for explaining a reaction tube used in a semiconductor manufacturing device according to a ninth embodiment of the present invention.

【図１２】本発明の第１０の実施の形態の半導体製造装
置を説明するための図であり、図１２Ａは縦断面図であ
り、図１２Ｂは本発明の第１０の実施の形態の半導体製
造装置において使用される多孔質材を説明するための斜
視図である。FIG. 12 is a diagram for explaining a semiconductor manufacturing apparatus according to a tenth embodiment of the present invention, FIG. 12A is a vertical cross-sectional view, and FIG. 12B is a semiconductor manufacturing apparatus according to the tenth embodiment of the present invention. It is a perspective view for explaining the porous material used in the device.

【図１３】本発明の第１１の実施の形態の半導体製造装
置を説明するための図であり、図１３Ａは図１３ＢのＹ
１３−Ｙ１３線断面図であり、図１３Ｂは、図１３Ａの
Ｘ１３−Ｘ１３線横断面図である。FIG. 13 is a diagram for explaining the semiconductor manufacturing apparatus according to the eleventh embodiment of the present invention, in which FIG. 13A is Y of FIG. 13B.
13 is a sectional view taken along line 13-Y13, and FIG. 13B is a sectional view taken along line X13-X13 in FIG. 13A.

【図１４】従来の半導体製造装置を説明するための図で
あり、図１４Ａは縦断面図、図１４Ｂは、図１４ＡのＸ
１４−Ｘ１４線断面図である。14A and 14B are views for explaining a conventional semiconductor manufacturing apparatus, FIG. 14A is a vertical cross-sectional view, and FIG. 14B is X in FIG. 14A.
FIG. 14 is a sectional view taken along line 14-X14.

【図１５】従来の半導体製造装置において使用される反
応管を説明するための斜視図である。FIG. 15 is a perspective view for explaining a reaction tube used in a conventional semiconductor manufacturing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１…半導体製造装置 １０…反応管本体 １２、５１２…フランジ １４、１４２、３４２、４１４、４４０、５１４、５４
０…天井板 ２０、１１１〜１１５、１６１〜１６６、１８１〜１８
８…ガス導入管 ２１…ガス導入管ガス導入部 ３０、４３０、５３０…ガスシャワー板 ３２、４３２、５３２…ガス分散孔 ４０…上部ガス導入管 ４２…シャワー室 ５０、５１、６５１、６５２…排気管 １００、４００、５００…反応管 １３６、４２１、６３１〜６３４、６３６…ガス供給管 １４０、３４０、６４０、６６０…ガス分配室 １４１…ガス分配室外側反応管 １４３、１５１〜１５４、１７１〜１７６、１９１〜１
９８、６４３、６７１〜６７６、６９１〜６９８…ガス
導出孔 １４４、３４４…底板 ２００…ウェーハ ２１０…ボート ２２０…ヒータ ２３０…均熱管 ３００、６６２…多孔質材 ３４１…ガス分配室内側反応管 ４１０、５１０…内側反応管 ４２０、５２０…外側反応管 ５５０、５６０…ガス誘導空間 ４５０…ガスの流れがほとんどない領域 ６４２…抵抗板DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor manufacturing apparatus 10 ... Reaction tube main body 12, 512 ... Flange 14, 142, 342, 414, 440, 514, 54
0 ... Ceiling board 20,111-115,161-166,181-18
8 ... Gas introduction pipe 21 ... Gas introduction pipe Gas introduction part 30, 430, 530 ... Gas shower plate 32, 432, 532 ... Gas dispersion hole 40 ... Upper gas introduction pipe 42 ... Shower chamber 50, 51, 651, 652 ... Exhaust Pipes 100, 400, 500 ... Reaction pipes 136, 421, 631-634, 636 ... Gas supply pipes 140, 340, 640, 660 ... Gas distribution chamber 141 ... Gas distribution chamber outside reaction pipes 143, 151-154, 171-176 , 191-1
98, 643, 671 to 676, 691 to 698 ... Gas outlet hole 144, 344 ... Bottom plate 200 ... Wafer 210 ... Boat 220 ... Heater 230 ... Soaking tube 300, 662 ... Porous material 341 ... Gas distribution chamber inner side reaction tube 410, 510 ... Inner reaction tube 420, 520 ... Outer reaction tube 550, 560 ... Gas induction space 450 ... Region where gas hardly flows 642.

Claims (18)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】加熱手段と、 前記加熱手段内に設けられた反応管であって、前記反応
管の長手方向に所定の距離離間したガス導入部と排気部
とを有する反応管と、 前記排気部側に設けられたガス供給管と、 前記排気部側に設けられたガス分配手段であって、前記
ガス供給管から供給されたガスを前記反応管の周囲方向
に分配するガス分配手段と、 前記ガス分配手段から前記ガス導入部まで前記反応管の
側壁に沿って延在し、前記ガス分配手段によって前記反
応管の周囲方向に分配されたガスを前記ガス導入部まで
誘導するガス誘導手段と、 を備えることを特徴とする半導体製造装置。1. A heating means, a reaction tube provided in the heating means, the reaction tube having a gas introduction part and an exhaust part separated from each other by a predetermined distance in a longitudinal direction of the reaction tube, and the exhaust gas. A gas supply pipe provided on the side of the reaction chamber, a gas distribution unit provided on the side of the exhaust unit, the gas distribution unit distributing the gas supplied from the gas supply pipe in the circumferential direction of the reaction tube, Gas guiding means extending from the gas distributing means to the gas introducing portion along the side wall of the reaction tube, and guiding the gas distributed in the circumferential direction of the reaction tube by the gas distributing means to the gas introducing portion; A semiconductor manufacturing apparatus comprising: 【請求項２】前記反応管内に被処理基板の主面を前記長
手方向に実質的に直角に保持可能な基板保持手段をさら
に備えることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装
置。2. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, further comprising substrate holding means capable of holding the main surface of the substrate to be processed in the reaction tube substantially at right angles to the longitudinal direction. 【請求項３】前記反応管内に複数枚の被処理基板を前記
長手方向に積層して保持可能であると共に、前記複数枚
の前記被処理基板のそれぞれの主面を前記長手方向に実
質的にそれぞれ直角に保持可能な基板保持手段をさらに
備えることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装
置。3. A plurality of substrates to be processed can be stacked and held in the reaction tube in the longitudinal direction, and the main surfaces of the plurality of substrates to be processed are substantially aligned in the longitudinal direction. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, further comprising substrate holding means capable of holding each at a right angle. 【請求項４】前記反応管が断面円状の形状を有している
ことを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。4. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the reaction tube has a circular cross section. 【請求項５】前記ガス分配手段が、前記反応管の側壁に
沿って前記排気部側に設けられたガス分配室であり、前
記反応管の円周面に沿って前記反応管の周囲に設けられ
ていると共に前記長手方向に所定の長さを有している前
記ガス分配室であり、前記分配室の前記長手方向におけ
る前記ガス導入部側の一端部にガスの流れに対して抵抗
となる抵抗手段が設けられており、前記ガス供給管が前
記分配室の前記一端部から前記長手方向において前記分
配室の他端部に向かって所定の距離離間した箇所におい
て前記ガス分配室に連通して設けられていることを特徴
とする請求項４記載の半導体製造装置。5. The gas distribution means is a gas distribution chamber provided on the exhaust section side along a side wall of the reaction tube, and is provided around the reaction tube along a circumferential surface of the reaction tube. Is a gas distribution chamber having a predetermined length in the longitudinal direction, and is resistant to the flow of gas at one end of the distribution chamber on the gas introduction part side in the longitudinal direction. A resistance means is provided, and the gas supply pipe communicates with the gas distribution chamber at a position spaced from the one end of the distribution chamber by a predetermined distance toward the other end of the distribution chamber in the longitudinal direction. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 4, wherein the semiconductor manufacturing apparatus is provided. 【請求項６】前記反応管と同心円状に配置され、断面円
状の形状を有している分配室用反応管をさらに備え、前
記分配室の両側壁が前記反応管と前記分配室用反応管に
より構成されていることを特徴とする請求項５記載の半
導体製造装置。6. A reaction tube for a distribution chamber, which is arranged concentrically with the reaction tube and has a circular cross section, wherein both side walls of the distribution chamber are the reaction tube and the reaction for the distribution chamber. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 5, wherein the semiconductor manufacturing apparatus is configured by a pipe. 【請求項７】前記抵抗手段が、複数のガス導出孔が設け
られたリング状の板であり、前記リング状の板が前記反
応管と前記分配室用反応管との間に設けられていること
を特徴とする請求項６記載の半導体製造装置。7. The resistance means is a ring-shaped plate provided with a plurality of gas lead-out holes, and the ring-shaped plate is provided between the reaction tube and the reaction tube for the distribution chamber. 7. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 6, wherein. 【請求項８】前記複数のガス導出孔が前記反応管周囲に
実質的に等間隔に設けられていることを特徴とする請求
項７記載の半導体製造装置。8. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 7, wherein the plurality of gas outlet holes are provided at substantially equal intervals around the reaction tube. 【請求項９】前記複数のガス導出孔が前記ガス供給管か
ら遠ざかるにつれて大きくなっていることを特徴とする
請求項７記載の半導体製造装置。9. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 7, wherein the plurality of gas outlet holes are increased in size with increasing distance from the gas supply pipe. 【請求項１０】前記複数のガス導出孔の間隔が前記ガス
供給管から遠ざかるにつれて狭くなっていることを特徴
とする請求項７記載の半導体製造装置。10. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 7, wherein the distance between the plurality of gas outlet holes becomes narrower as the distance from the gas supply pipe increases. 【請求項１１】前記分配室内であって前記抵抗手段と前
記ガス供給管との間に設けられた多孔質材をさらに備え
ることを特徴とする請求項５乃至１１のいずれかに記載
の半導体製造装置。11. The semiconductor manufacturing according to claim 5, further comprising a porous material provided in the distribution chamber between the resistance means and the gas supply pipe. apparatus. 【請求項１２】前記抵抗手段が多孔質材であり、前記多
孔質材が前記反応管と前記分配室用反応管との間に設け
られていることを特徴とする請求項６記載の半導体製造
装置。12. The semiconductor manufacturing according to claim 6, wherein the resistance means is a porous material, and the porous material is provided between the reaction tube and the reaction tube for the distribution chamber. apparatus. 【請求項１３】前記ガス誘導手段が、前記反応管と同心
円状に設けられた第２の反応管との間に画成されたガス
誘導空間であることを特徴とする請求項４乃至１２のい
ずれかに記載の半導体製造装置。13. The gas guiding means is a gas guiding space defined between the reaction tube and a second reaction tube concentrically provided. The semiconductor manufacturing apparatus as described in any one. 【請求項１４】前記ガス分配手段および前記ガス誘導手
段の少なくともいずれか一方が前記反応管の内側に設け
られていることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれ
かに記載の半導体製造装置。14. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein at least one of the gas distribution unit and the gas guiding unit is provided inside the reaction tube. 【請求項１５】加熱手段と、 前記加熱手段内に設けられた第１の反応管であって、前
記第１の反応管の長手方向に所定の距離離間したガス導
入部と排気部とを有する第１の反応管と、 前記第１の反応管と同心円状に設けられた第２の反応管
と、 前記第１の反応管と前記第２の反応管との間に形成さ
れ、前記ガス導入部と連通するガス空間と、 前記前記第１の反応管と前記第２の反応管との間であっ
て前記排気部側に設けられたガス分散手段と、 前記ガス分散手段に対して、前記長手方向において前記
ガス導入部と反対側に前記ガス空間と連通して設けられ
たガス供給管と、 を備えることを特徴とする半導体製造装置。15. A heating means, a first reaction tube provided in the heating means, and having a gas introduction part and an exhaust part separated from each other by a predetermined distance in a longitudinal direction of the first reaction tube. A first reaction tube, a second reaction tube concentrically provided with the first reaction tube, a first reaction tube and a second reaction tube, and the gas introduction A gas space communicating with a section, a gas dispersion unit provided on the exhaust unit side between the first reaction tube and the second reaction tube, and the gas dispersion unit, A semiconductor manufacturing apparatus, comprising: a gas supply pipe provided on the side opposite to the gas introduction portion in the longitudinal direction so as to communicate with the gas space. 【請求項１６】前記ガス分散手段が、複数のガス導出孔
が設けられた板であり、前記板が前記第１の反応管と前
記第２の反応管との間に設けられていることを特徴とす
る請求項１５記載の半導体製造装置。16. The gas dispersion means is a plate provided with a plurality of gas outlet holes, and the plate is provided between the first reaction tube and the second reaction tube. 16. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 15, which is characterized in that. 【請求項１７】前記ガス分配手段が多孔質材であり、前
記多孔質材が前記第１の反応管と前記第２の反応管との
間に設けられていることを特徴とする請求項１５記載の
半導体製造装置。17. The gas distributing means is a porous material, and the porous material is provided between the first reaction tube and the second reaction tube. The semiconductor manufacturing apparatus described. 【請求項１８】加熱手段と、 前記加熱手段内に設けられた第１の反応管であって、前
記第１の反応管の長手方向に所定の距離離間したガス導
入部と排気部とを有する第１の反応管と、 前記第１の反応管と同心円状に設けられた第２の反応管
と、 前記第１の反応管と前記第２の反応管との間に形成さ
れ、前記ガス導入部と連通するガス空間と、 前記排気部側において、前記第２の反応管の周囲におい
て実質的に等間隔な位置で前記ガス空間に連通して設け
られた複数のガス供給管と、 を備えることを特徴とする半導体製造装置。18. A heating means, a first reaction tube provided in the heating means, and having a gas introduction part and an exhaust part separated from each other by a predetermined distance in a longitudinal direction of the first reaction tube. A first reaction tube, a second reaction tube concentrically provided with the first reaction tube, a first reaction tube and a second reaction tube, and the gas introduction A gas space communicating with the gas chamber, and a plurality of gas supply pipes communicating with the gas space at substantially equidistant positions around the second reaction pipe on the exhaust unit side. A semiconductor manufacturing apparatus characterized by the above.