JPH09251030A - Capacitance-type pressure sensor, packaging structure thereof and manufacture of capacitance-type pressure sensor - Google Patents
Capacitance-type pressure sensor, packaging structure thereof and manufacture of capacitance-type pressure sensorInfo
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- JPH09251030A JPH09251030A JP8452096A JP8452096A JPH09251030A JP H09251030 A JPH09251030 A JP H09251030A JP 8452096 A JP8452096 A JP 8452096A JP 8452096 A JP8452096 A JP 8452096A JP H09251030 A JPH09251030 A JP H09251030A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は血圧計やガスメータ
あるいは安全弁装置など、圧力検出系を含む各種の機器
に使用される静電容量型圧力センサに関し、特に、セン
サ自体の構造だけでなく、センサのパッケージング構造
およびセンサの製造方法にも関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a capacitance type pressure sensor used in various devices including a pressure detection system such as a sphygmomanometer, a gas meter or a safety valve device, and particularly to not only the structure of the sensor itself but also the sensor. And a method of manufacturing the sensor.
【0002】[0002]
【従来の技術】図7,図8は、従来の静電容量型圧力セ
ンサの一例を示している。このセンサは、ガラスからな
る大きな寸法の絶縁基板1と、これより少し小さい寸法
の導電性感圧部品2とで構成されている。導電性感圧部
品2は、シリコン基板などの導電性基板からなり、半導
体デバイス製造技術やマイクロマシーニング技術により
成形加工されたもので、肉薄のダイアフラム2aの周辺
が肉厚の支持枠部2bに一体化された形状となってい
る。そして支持枠部2bの下面が絶縁基板1の上面の所
定位置に密着して接合し、ダイアフラム2aが絶縁基板
1の上面と小さな間隔をおいて対向している。7 and 8 show an example of a conventional capacitance type pressure sensor. This sensor is composed of a large-sized insulating substrate 1 made of glass and a conductive pressure-sensitive component 2 having a slightly smaller size. The conductive pressure-sensitive component 2 is made of a conductive substrate such as a silicon substrate and is molded by a semiconductor device manufacturing technique or a micromachining technique. The thin diaphragm 2a is integrally formed with a thick supporting frame portion 2b. It has a simplified shape. The lower surface of the support frame portion 2b is in close contact with and bonded to a predetermined position on the upper surface of the insulating substrate 1, and the diaphragm 2a faces the upper surface of the insulating substrate 1 with a small gap.
【0003】絶縁基板1の上面には、感圧部品2の支持
枠部2bの枠内に収まる円形の固定電極導体膜3が形成
されており、この固定電極導体膜3が可動電極としての
ダイアフラム2aと対向している。これにより、ダイア
フラム2aと固定電極導体膜3とが小さな間隔をおいて
対向してセンサ・キャパシタを形成する。On the upper surface of the insulating substrate 1, there is formed a circular fixed electrode conductor film 3 which fits within the frame of the support frame portion 2b of the pressure-sensitive component 2. The fixed electrode conductor film 3 serves as a movable electrode diaphragm. It faces 2a. As a result, the diaphragm 2a and the fixed electrode conductor film 3 face each other with a small gap therebetween to form a sensor capacitor.
【0004】すなわち、ダイアフラム2aが圧力を受け
て撓むと、両者の間隔が変化し、ダイアフラム2aと固
定電極導体膜3との間の静電容量が変化する。よって、
その静電容量の変化を検出することにより、ダイアフラ
ム2aの撓み量(変位量)が求められ、それにより圧力
を検出することができる。なお、図示の例では、ダイア
フラム2aに対する圧力は、絶縁基板1に設けた圧力導
入孔7を介して与えられ、圧力が加わることによりダイ
アフラム2aが絶縁基板1(固定電極導体膜3)から離
れるような構成をとっている。That is, when the diaphragm 2a bends under pressure, the distance between the two changes and the capacitance between the diaphragm 2a and the fixed electrode conductor film 3 changes. Therefore,
By detecting the change in the electrostatic capacitance, the deflection amount (displacement amount) of the diaphragm 2a is obtained, and the pressure can be detected accordingly. In the illustrated example, the pressure applied to the diaphragm 2a is given through the pressure introducing hole 7 provided in the insulating substrate 1, and the diaphragm 2a is separated from the insulating substrate 1 (fixed electrode conductor film 3) by applying pressure. It has a simple structure.
【0005】そして、上記静電容量の変化を外部に取り
出す構造は、以下のようになっている。まず、絶縁基板
1の上面には、固定電極導体膜3に連続したリード導体
膜3aが形成されている。リード導体膜3aは支持枠部
2bの枠外に延びていて、絶縁基板1の上面にて直角に
曲ったパターンになっている。また、支持枠部2bの下
面にはリード導体膜3aが通過する位置に切欠溝4が形
成されており、その切欠溝4によりリード導体膜3aと
支持枠部2bとが電気的に非接触に保たれている。The structure for taking out the change in the capacitance to the outside is as follows. First, on the upper surface of the insulating substrate 1, a lead conductor film 3a continuous with the fixed electrode conductor film 3 is formed. The lead conductor film 3a extends outside the frame of the support frame portion 2b and has a pattern bent at a right angle on the upper surface of the insulating substrate 1. Further, a cutout groove 4 is formed on the lower surface of the support frame portion 2b at a position where the lead conductor film 3a passes, and the cutout groove 4 makes the lead conductor film 3a and the support frame portion 2b electrically non-contact with each other. It is kept.
【0006】また、絶縁基板1の上面には、リード導体
膜3aと隣り合う位置に長方形パターンのリード導体膜
5が形成されている。このリード導体膜5の一端部分は
絶縁基板1と支持枠部2bの接合界面に入り込んでい
る。つまり、リード導体膜5の一端部分の上に支持枠部
2bが接合されている。これにより導電性感圧部品2と
リード導体膜5とが電気的に接続されている。Further, on the upper surface of the insulating substrate 1, a rectangular lead conductor film 5 is formed at a position adjacent to the lead conductor film 3a. One end portion of the lead conductor film 5 enters the joint interface between the insulating substrate 1 and the support frame portion 2b. That is, the support frame portion 2b is joined to one end portion of the lead conductor film 5. As a result, the conductive pressure-sensitive component 2 and the lead conductor film 5 are electrically connected.
【0007】以上のように、センサ・キャパシタの可動
電極であるダイアフラム2aはリード導体膜5に接続さ
れており、これに対向する固定電極導体膜3はリード電
極膜3aに接続されており、両リード導体膜5,3a間
に可動電極と固定電極導体膜3との間に発生する静電容
量に応じた信号が出力される。そして、絶縁基板1の上
面に露呈しているリード導体膜3aとリード導体膜5
が、この圧力センサの外部接続用のボンディングパッド
となる。As described above, the diaphragm 2a, which is the movable electrode of the sensor capacitor, is connected to the lead conductor film 5, and the fixed electrode conductor film 3 facing the diaphragm 2a is connected to the lead electrode film 3a. A signal corresponding to the capacitance generated between the movable electrode and the fixed electrode conductor film 3 is output between the lead conductor films 5 and 3a. Then, the lead conductor film 3 a and the lead conductor film 5 exposed on the upper surface of the insulating substrate 1
Serves as a bonding pad for external connection of this pressure sensor.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の静電容量型加速度センサでは、以下に示す問題
があった。すなわち、通常、導電性感圧部品2を絶縁基
板1の上に陽極接合などの手段で接合している。その際
に前述のように、支持枠部2bの下面のごく一部分が絶
縁基板1上に形成されているリード導体膜5の上に接合
し、支持枠部2bと絶縁基板1の間にリード導体膜5を
挟み込んだ状態になる。この挟み込みが局部的であり、
かつリード導体膜5にはある程度の厚みがあるので、図
8(B)に拡大して示すように絶縁基板1の上平面と支
持枠部2bの下平面とがぴったりと平行に密着しにく
く、隙間Sが生じる。However, the above-mentioned conventional capacitance type acceleration sensor has the following problems. That is, the conductive pressure-sensitive component 2 is usually bonded onto the insulating substrate 1 by means of anodic bonding or the like. At that time, as described above, a small part of the lower surface of the supporting frame portion 2b is bonded onto the lead conductor film 5 formed on the insulating substrate 1 to form a lead conductor between the supporting frame portion 2b and the insulating substrate 1. The membrane 5 is sandwiched. This pinching is local,
Moreover, since the lead conductor film 5 has a certain thickness, it is difficult to make the upper plane of the insulating substrate 1 and the lower plane of the support frame portion 2b closely and parallelly adhere to each other as shown in an enlarged view in FIG. 8B. A gap S is created.
【0009】そして、その隙間Sが大きくなると、絶縁
基板1の上平面に対して支持枠部2bが傾いて接合され
てしまう。しかも、この傾き加減が製品によりばらつ
き、ダイアフラム2aと固定電極導体膜3との間隔(キ
ャパシタ・ギャップの幅)が製品間で一定せず、その結
果、製品間の特性のばらつきが大きくなる。つまり、特
性の揃った高精度なセンサを安価に量産するのが難しい
という問題があった。When the gap S becomes large, the support frame portion 2b is inclined and joined to the upper plane of the insulating substrate 1. Moreover, this inclination adjustment varies depending on the product, and the interval between the diaphragm 2a and the fixed electrode conductor film 3 (width of the capacitor gap) is not constant between products, and as a result, the variation in characteristics between products increases. That is, there is a problem that it is difficult to mass-produce a highly accurate sensor having uniform characteristics at low cost.
【0010】また、図示した絶縁基板1側から圧力を導
入するタイプの場合には、絶縁基板1の上面とダイアフ
ラム2aとで形成される圧力室は、高感度な測定を行う
上では密閉するのが好ましく、切欠溝4内にポリイミド
等の絶縁性樹脂を充填し、気密性を図るようにしてい
る。しかし、上記隙間Sが大きくなり圧力室にまで開口
すると、その隙間Sを介して圧力室が大気開放されるこ
とになり高精度な測定が行えなくなる。Further, in the case of the type in which pressure is introduced from the side of the insulating substrate 1 shown in the figure, the pressure chamber formed by the upper surface of the insulating substrate 1 and the diaphragm 2a is hermetically sealed for performing highly sensitive measurement. It is preferable that the notch groove 4 is filled with an insulating resin such as polyimide to achieve airtightness. However, when the gap S becomes large and opens up to the pressure chamber, the pressure chamber is opened to the atmosphere through the gap S, and high-precision measurement cannot be performed.
【0011】なお、感圧部品2は全体が導電性材料から
なるので、ダイアフラム2a(可動電極)の外部配線を
例えば支持枠部2bの上面にボンディングすることも可
能であり、その場合にはリード導体膜5は不必要にな
り、リード導体膜5がなければ前述の問題点も解消され
る。しかし、可動電極側のボンディング部を導電性感圧
部品2の上面とし、固定電極側のボンディング部を絶縁
基板1上のリード導体膜3aにしたのでは、2つのボン
ディング部に導電性感圧部品2の高さ寸法分の段差が生
じる。Since the pressure-sensitive component 2 is entirely made of a conductive material, it is possible to bond the external wiring of the diaphragm 2a (movable electrode) to, for example, the upper surface of the support frame portion 2b. The conductor film 5 is unnecessary, and the above-mentioned problems can be solved without the lead conductor film 5. However, if the bonding portion on the movable electrode side is the upper surface of the conductive pressure-sensitive component 2 and the bonding portion on the fixed electrode side is the lead conductor film 3a on the insulating substrate 1, the conductive pressure-sensitive component 2 is connected to the two bonding portions. There is a step difference in height.
【0012】そうすると、当該センサの実装やパッケー
ジングに伴う外部配線のボンディングに、通常のボンデ
ィング・ツールが使えなくなり、ボンディング作業がき
わめて面倒になる。このボンディング作業上の面倒を回
避するために、可動電極側のリード導体膜5を絶縁基板
1の上面に形成し、固定電極側のリード導体膜3aと面
一に配設しているのである(そのため前述した問題が発
生する)。Then, a normal bonding tool cannot be used for bonding the external wiring involved in mounting the sensor or packaging, and the bonding work becomes extremely troublesome. In order to avoid the trouble in the bonding work, the movable electrode side lead conductor film 5 is formed on the upper surface of the insulating substrate 1 and arranged flush with the fixed electrode side lead conductor film 3a ( Therefore, the problems mentioned above occur).
【0013】本発明は、上記した背景に鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、上記した問題を解決
し、可動電極側の外部配線ボンディング部と固定電極側
の外部配線ボンディング部とを面一とし、かつ絶縁基板
と導電性感圧部品との接合姿勢の乱れによるキャパシタ
・ギャップ幅のばらつきをなくし、特性の揃った高精度
な静電容量型圧力センサを安価に量産できるようにした
静電容量型圧力センサおよびそのパッケージング構造お
よび静電容量型圧力センサの製造方法を提供することに
ある。The present invention has been made in view of the above background, and an object of the present invention is to solve the above problems and to provide an external wiring bonding portion on the movable electrode side and an external wiring bonding portion on the fixed electrode side. It is possible to mass-produce a highly accurate capacitive pressure sensor with uniform characteristics at low cost by eliminating the variation of the capacitor gap width due to the disturbance of the bonding posture between the insulating substrate and the conductive pressure-sensitive component. An object of the present invention is to provide a capacitive pressure sensor, a packaging structure thereof, and a method of manufacturing the capacitive pressure sensor.
【0014】[0014]
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明に係る静電容量型圧力センサでは、次の
各要件(1)〜(5)を備えるように構成した(請求項
1)。 (1)絶縁基板の上面に導電性感圧部品と導電性端子小
塊が適当な間隔をおいた所定の配置で接合されており、
これら導電性感圧部品と導電性端子小塊の上面がほぼ面
一になっている。 (2)前記導電性感圧部品は、ポリシリコンなどの導電
性材料からなり、肉薄のダイアフラムの周辺が肉厚の支
持枠部に一体化された形状であり、前記支持枠部の下面
が前記絶縁基板の上面に密着して接合し、前記ダイアフ
ラムが前記絶縁基板の上面と小さな間隔をおいて対向し
ている。 (3)前記絶縁基板の上面には、前記支持枠部の枠内に
収まって可動電極としての前記ダイアフラムと対向する
固定電極導体膜と、これに連続するリード導体膜が形成
されており、このリード導体膜は前記支持枠部の枠外に
延びている。 (4)前記支持枠部の下面には前記リード導体膜が通過
する位置に切欠溝が形成されており、その切欠溝により
前記リード導体膜と前記支持枠部とが電気的に非接触に
保たれている。 (5)前記リード導体膜の先端部の上に前記導電性端子
小塊が接合され、両者が電気的に接続されている。In order to achieve the above-mentioned object, a capacitance type pressure sensor according to the present invention is configured to have the following requirements (1) to (5) (claims). 1). (1) The conductive pressure-sensitive component and the conductive terminal blob are bonded to the upper surface of the insulating substrate in a predetermined arrangement with an appropriate interval,
The upper surfaces of the conductive pressure-sensitive component and the conductive terminal blob are substantially flush with each other. (2) The conductive pressure-sensitive component is made of a conductive material such as polysilicon, and has a shape in which the periphery of a thin diaphragm is integrated with a thick support frame portion, and the lower surface of the support frame portion is the insulation. The diaphragm is closely adhered to and bonded to the upper surface of the substrate, and the diaphragm faces the upper surface of the insulating substrate with a small gap therebetween. (3) On the upper surface of the insulating substrate, there are formed a fixed electrode conductor film which is accommodated in the frame of the support frame portion and faces the diaphragm as the movable electrode, and a lead conductor film which is continuous with the fixed electrode conductor film. The lead conductor film extends outside the frame of the support frame portion. (4) A cutout groove is formed on the lower surface of the support frame portion at a position where the lead conductor film passes, and the cutout groove keeps the lead conductor film and the support frame portion electrically non-contact with each other. Is dripping (5) The small pieces of conductive terminals are joined on the tip end portion of the lead conductor film, and both are electrically connected.
【0015】なお、本発明でいう絶縁基板の上面とは、
導電性感圧部品との接合面側を意味する。そして、それ
を基準に上下方向を規定し、各部の定義・説明をしてい
る(明細書の説明で図面などを引用して特に断り書きを
した場合を除く)。従って、実際の製造工程で、シリコ
ン基板(導電性感圧部品,導電性端子小塊)などの上に
ガラス基板(絶縁基板)をおくような工程があった場合
には、実際の上下の位置と、本明細書でいう上面,下面
とは逆の状態になる。The upper surface of the insulating substrate in the present invention means
It means the joint surface side with the conductive pressure-sensitive component. Then, the vertical direction is defined based on that, and each part is defined / explained (except in the case where a particular reference is made to a drawing or the like in the description of the specification). Therefore, in the actual manufacturing process, if there is a process of placing a glass substrate (insulating substrate) on a silicon substrate (conductive pressure-sensitive component, conductive terminal small block), etc., The upper and lower surfaces referred to in this specification are in the opposite state.
【0016】導電性感圧部品と絶縁基板との接合面に
は、可動電極を外部と導通させるための導体膜が存在せ
ず、また、固定電極導体膜を外部と導通させるためのリ
ード導体膜の配線部位には、切欠溝が存在するので、導
電性感圧部品と絶縁基板の接合面は、均一に面接触さ
れ、部分的に持ち上がったりすることがない。従って、
平常状態における可動電極と固定電極導体膜との間の距
離は一定となり、センサ間でのばらつきもなくなる。There is no conductor film for electrically connecting the movable electrode to the outside on the joint surface between the conductive pressure-sensitive component and the insulating substrate, and a lead conductor film for electrically connecting the fixed electrode conductor film to the outside is provided. Since the notch groove exists in the wiring portion, the joint surface between the conductive pressure-sensitive component and the insulating substrate is uniformly surface-contacted and is not partially lifted. Therefore,
In a normal state, the distance between the movable electrode and the fixed electrode conductor film is constant, and there is no variation between sensors.
【0017】ここで、前記導電性端子小塊は、前記導電
性感圧部品と同一材料からなり、これら導電性感圧部品
および導電性端子小塊の上面にはボンディング用導体膜
が形成されている構成を採ると、導電性感圧部品と導電
性端子小塊とを同一基板から構成することができるので
好ましい(請求項2)。Here, the conductive terminal small pieces are made of the same material as the conductive pressure sensitive parts, and a bonding conductor film is formed on the upper surfaces of the conductive pressure sensitive parts and the conductive terminal small pieces. It is preferable that (1) is adopted because the conductive pressure-sensitive component and the conductive terminal blob can be formed from the same substrate (claim 2).
【0018】また、前記の静電容量型圧力センサを所定
のパッケージに収納し、そのパッケージの配線導体パタ
ーンと前記導電性感圧部品および前記導電性端子小塊の
上面をワイヤーボンディングにより接続するパッケージ
ング構造を採るようにしてもよい(請求項3)。また、
当該センサを所定のパッケージに収納し、そのパッケー
ジの配線導体パターンと前記導電性感圧部品および前記
導電性端子小塊の上面とを直接的に接触させるフェース
ダウンボンディングにより接続するパッケージング構造
も採るようにしてもよい(請求項4)。Further, the capacitance type pressure sensor is housed in a predetermined package, and the wiring conductor pattern of the package is connected to the upper surfaces of the conductive pressure sensitive component and the conductive terminal small block by wire bonding. You may make it take a structure (Claim 3). Also,
A packaging structure may be adopted in which the sensor is housed in a predetermined package, and the wiring conductor pattern of the package is connected to the upper surface of the conductive pressure-sensitive component and the upper surface of the conductive terminal blob by face-down bonding. It may be (claim 4).
【0019】さらに、前記の静電容量型圧力センサを製
造する方法としては、前記導電性感圧部品と前記導電性
端子小塊とをシリコン基板などの導電性基板により一体
的に成形し、この一体物を前記絶縁基板に接合してから
前記導電性感圧部品と前記導電性端子小塊とに分離する
ようにする(請求項5)。その場合に、前記導電性感圧
部品と前記導電性端子小塊の一体物の成形時に、その下
面側には適宜に上面側に延びる分離用の溝をあらかじめ
形成しておき(ハーフダイシング等により形成でき
る)、これを前記絶縁基板に接合した後に、前記溝の位
置で前記導電性感圧部品と前記導電性端子小塊とに分離
するようにしてもよい(請求項6)。Further, as a method of manufacturing the electrostatic capacitance type pressure sensor, the conductive pressure-sensitive component and the conductive terminal blob are integrally molded by a conductive substrate such as a silicon substrate, and this integrated body is formed. An object is bonded to the insulating substrate and then separated into the conductive pressure-sensitive component and the conductive terminal blob (claim 5). In that case, when molding the conductive pressure-sensitive component and the conductive terminal small piece integrally, a separation groove extending appropriately to the upper surface side is previously formed on the lower surface side (formed by half dicing or the like). It is possible to separate the conductive pressure-sensitive component and the conductive terminal blob at the position of the groove after bonding this to the insulating substrate (claim 6).
【0020】[0020]
【発明の実施の形態】図1は、本発明に係る静電容量型
圧力センサの実施の形態の一例を示している。同図に示
すように、長方形のガラス板からなる絶縁基板1の上面
に導電性感圧部品2を接合する点では従来のものと同様
である。但し、本発明では、上記導電性間圧部品2と分
離した状態で絶縁基板1の上面に導電性端子小塊6を接
合している。導電性感圧部品2と導電性端子小塊6はシ
リコンからなり、後述のように半導体デバイス製造技術
やマイクロマシーニング技術により成形加工されたもの
である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows an example of an embodiment of a capacitance type pressure sensor according to the present invention. As shown in the figure, the point that the conductive pressure-sensitive component 2 is bonded to the upper surface of the insulating substrate 1 made of a rectangular glass plate is similar to the conventional one. However, in the present invention, the conductive terminal blobs 6 are bonded to the upper surface of the insulating substrate 1 in a state of being separated from the conductive inter-voltage component 2. The conductive pressure-sensitive component 2 and the conductive terminal blob 6 are made of silicon and are molded by a semiconductor device manufacturing technique or a micromachining technique as described later.
【0021】導電性感圧部品2は、肉薄のダイアフラム
2aの周辺が肉厚の支持枠部2bに一体化されたもの
で、平面形状が正方形で、全体の立体包絡形状が直方体
をなしている。支持枠部2bの下面が絶縁基板1の上面
の所定位置に密着して接合し、ダイアフラム2aが絶縁
基板1の上面と小さな間隔をおいて対向している。そし
て、導電性間圧部品の上方から圧力が加わる構成をとっ
ており、印加圧力が増加するほどダイアフラム2aが絶
縁基板1側に近づくようになっている。In the conductive pressure-sensitive component 2, the periphery of the thin diaphragm 2a is integrated with the thick support frame portion 2b, the planar shape is square, and the overall three-dimensional envelope shape is a rectangular parallelepiped. The lower surface of the support frame portion 2b is closely adhered to and bonded to a predetermined position on the upper surface of the insulating substrate 1, and the diaphragm 2a faces the upper surface of the insulating substrate 1 with a small gap. Further, the pressure is applied from above the conductive inter-pressure component, and the diaphragm 2a comes closer to the insulating substrate 1 side as the applied pressure increases.
【0022】導電性端子小塊6は、高さと長さが導電性
感圧部品2と同じ寸法で、幅が小さな細長い直方体をな
している。感圧部品2と端子小塊6の高さ寸法が同じな
ので、図示のように、絶縁基板1の上に接合された感圧
部品2と端子小塊6の上面は同一平面に含まれて、面一
になっている。この実施の形態においては、ポリシリコ
ン製の感圧部品2と端子小塊6の上面にメタライズによ
り外部配線用のボンディングパッドとなる導体膜が形成
してある(図示省略)。The electrically conductive terminal blob 6 has the same height and length as the electrically conductive pressure-sensitive component 2 and is in the form of an elongated rectangular parallelepiped having a small width. Since the pressure-sensitive component 2 and the terminal blob 6 have the same height, the upper surfaces of the pressure-sensitive component 2 and the terminal blob 6 bonded on the insulating substrate 1 are included in the same plane as shown in the figure. It's flush. In this embodiment, a conductor film serving as a bonding pad for external wiring is formed on the upper surfaces of the pressure-sensitive component 2 made of polysilicon and the terminal blob 6 by metallization (not shown).
【0023】絶縁基板1の上面には、感圧部品2の支持
枠部2bの枠内に収まる円形の固定電極導体膜3が形成
されており、この固定電極導体膜3が可動電極としての
ダイアフラム2aと対向している。ダイアフラム2aと
固定電極導体膜3とが小さな間隔をおいて対向してセン
サ・キャパシタを形成している。ダイアフラム2aが圧
力を受けて撓むと、両者の間隔が変化し、ダイアフラム
2aと固定電極導体膜3との間の静電容量が変化する。On the upper surface of the insulating substrate 1, there is formed a circular fixed electrode conductor film 3 which fits within the frame of the support frame portion 2b of the pressure-sensitive component 2. This fixed electrode conductor film 3 serves as a movable electrode diaphragm. It faces 2a. The diaphragm 2a and the fixed electrode conductor film 3 face each other with a small gap therebetween to form a sensor capacitor. When the diaphragm 2a receives pressure and bends, the distance between the two changes, and the electrostatic capacitance between the diaphragm 2a and the fixed electrode conductor film 3 changes.
【0024】絶縁基板1の上面には、固定電極導体膜3
に連続したリード導体膜3aが形成されている。リード
導体膜3aは支持枠部2bの枠外に延びていて、支持枠
部2bの下面にはリード導体膜3aが通過する位置に切
欠溝4が形成されている。この切欠溝4によりリード導
体膜3aと支持枠部2bとが電気的に非接触に保たれて
いる。The fixed electrode conductor film 3 is formed on the upper surface of the insulating substrate 1.
A continuous lead conductor film 3a is formed. The lead conductor film 3a extends outside the frame of the support frame portion 2b, and a cutout groove 4 is formed on the lower surface of the support frame portion 2b at a position where the lead conductor film 3a passes. The notch groove 4 electrically keeps the lead conductor film 3a and the support frame portion 2b out of contact with each other.
【0025】リード導体膜3aの先端部分は、絶縁基板
1と導電性端子小塊6の接合界面に入り込んでおり、絶
縁基板1と導電性端子小塊6の間にリード導体膜3aの
先端部分が挟み込まれている。つまり、絶縁基板1の上
にリード導体膜3aが膜形成され、そのリード導体膜3
aの上に乗る状態で導電性端子小塊6が絶縁基板1の上
面に接合されている。The tip portion of the lead conductor film 3a enters the bonding interface between the insulating substrate 1 and the conductive terminal blob 6, and the tip portion of the lead conductor film 3a is placed between the insulating substrate 1 and the conductive terminal blob 6. Is sandwiched between. That is, the lead conductor film 3 a is formed on the insulating substrate 1, and the lead conductor film 3 a is formed.
The conductive terminal blobs 6 are bonded to the upper surface of the insulating substrate 1 while being placed on the surface a.
【0026】次に、上記した構成の作用効果について説
明する。固定電極導体膜3がリード導体膜3aを介して
導電性端子小塊6に電気的に接続されており、端子小塊
6の上面が外部配線用のボンディングパッドとなる(本
実施の形態では、この部分がメタライズされている)。
一方、固定電極と対向してセンサ・キャパシタを形成す
る可動電極としてのダイアフラム2aは、これを含んだ
感圧部品2の全体が導電材料であるポリシリコンから形
成されているので、支持枠部2bの上面が外部配線用の
ボンディングパッドとなる(本実施の形態では、この部
分がメタライズされている)。Next, the function and effect of the above configuration will be described. The fixed electrode conductor film 3 is electrically connected to the conductive terminal blob 6 via the lead conductor film 3a, and the upper surface of the terminal blob 6 serves as a bonding pad for external wiring (in the present embodiment, This part is metallized).
On the other hand, the diaphragm 2a as a movable electrode facing the fixed electrode to form the sensor capacitor is formed of polysilicon, which is a conductive material, as a whole of the pressure-sensitive component 2 including the diaphragm 2a. Serves as a bonding pad for external wiring (in this embodiment, this portion is metallized).
【0027】以上のように、感圧部品2と端子小塊6の
高さ寸法が同じなので、図示のように、絶縁基板1の上
に接合された感圧部品2と端子小塊6の上面は同一平面
に含まれて、面一になっている。そして、感圧部品2の
上面が可動電極側の外部配線用ボンディング部であり、
端子小塊6の上面が固定電極側の外部配線用ボンディン
グ部である。したがって外部配線作業は一般のボンディ
ング・ツールを使って面倒なく行える。As described above, since the height dimensions of the pressure-sensitive component 2 and the terminal blob 6 are the same, as shown in the figure, the upper surface of the pressure-sensitive component 2 and the terminal blob 6 bonded on the insulating substrate 1 is shown. Are included in the same plane and are flush with each other. Then, the upper surface of the pressure-sensitive component 2 is the external electrode bonding portion on the movable electrode side,
The upper surface of the terminal blob 6 is the external wiring bonding portion on the fixed electrode side. Therefore, the external wiring work can be done easily using a general bonding tool.
【0028】また、絶縁基板1と導電性感圧部品2の接
合界面には、従来のように導体膜の局部的な挟み込みが
ないので、接合姿勢を乱す要因が取り除かれ、キャパシ
タ・ギャップ幅のばらつきはごく少なくなる。もちろ
ん、リード導体膜3aは支持枠部2bの切欠溝4の位置
を通過して非接触であるので、導電性感圧部品2の接合
姿勢を乱す原因にはならない。Further, since there is no local sandwiching of the conductor film at the joint interface between the insulating substrate 1 and the conductive pressure-sensitive component 2 unlike the conventional case, the factor that disturbs the joint posture is removed, and the variation in the capacitor gap width is eliminated. Very few. Of course, since the lead conductor film 3a passes through the position of the cutout groove 4 of the support frame portion 2b and is not in contact, it does not disturb the joining posture of the conductive pressure-sensitive component 2.
【0029】なお、図1に示した静電容量型圧力センサ
では、測定圧力が導電性感圧部品2側から加わるタイプ
のものを示したが、本発明はこれに限ることはなく、例
えば図2に示したように、絶縁基板1側から測定圧力を
印加するようにしたものでももちろんよい。すなわち、
図示の例では絶縁基板1を上下に貫通する圧力導入孔7
を設け、この圧力導入孔7を通じてダイアフラム2aの
下面に外部の圧力を導けるようにしている。なお、その
他の構成ならびに作用効果は、図1に示す構造のものと
同様であるので、同一符号を付し、その詳細な説明を省
略する。The capacitance type pressure sensor shown in FIG. 1 is of the type in which the measured pressure is applied from the conductive pressure sensitive component 2 side, but the present invention is not limited to this, and for example, FIG. As shown in FIG. 4, it is of course possible to apply the measurement pressure from the insulating substrate 1 side. That is,
In the illustrated example, the pressure introducing hole 7 that vertically penetrates the insulating substrate 1
Is provided so that external pressure can be introduced to the lower surface of the diaphragm 2a through the pressure introducing hole 7. Since the other configurations and effects are the same as those of the structure shown in FIG. 1, the same reference numerals are given and detailed description thereof will be omitted.
【0030】次に、上記した構造の静電容量型圧力セン
サを製造するための本発明に係る製造方法の一例を説明
する。導電性感圧部品2と導電性端子小塊6とをシリコ
ンなどより一体的に成形し、この一体物を絶縁基板1に
接合してから感圧部品2と端子小塊6とに分離する製造
方法が合理的である。そして、係る一体物の形成及び分
離を従来の製造プロセスとさほど変更を加えることなく
行うためには、以下に示す方法を採ることが好ましい。Next, an example of the manufacturing method according to the present invention for manufacturing the capacitance type pressure sensor having the above structure will be described. A manufacturing method in which the conductive pressure-sensitive component 2 and the conductive terminal blob 6 are integrally molded from silicon or the like, the integrated body is bonded to the insulating substrate 1, and then the pressure-sensitive component 2 and the terminal blob 6 are separated. Is rational. Then, in order to form and separate such an integrated body without making much changes to the conventional manufacturing process, it is preferable to adopt the following method.
【0031】通常の圧力センサの製造プロセスに従っ
て、シリコン基板などの導電性基板の表面に対してエッ
チングなどを行い、接合面側の所定位置に凹部を形成す
る。この凹部を形成した箇所が最終的にダイアフラムと
なる。さらに、接合面側の所定位置に対してハーフダイ
シングを行い所定深さの溝を一定間隔で平行に形成す
る。In accordance with a normal pressure sensor manufacturing process, the surface of a conductive substrate such as a silicon substrate is etched to form a recess at a predetermined position on the bonding surface side. The place where the recess is formed finally becomes the diaphragm. Further, half dicing is performed at predetermined positions on the bonding surface side to form grooves having a predetermined depth in parallel at regular intervals.
【0032】この溝の具体的な形成位置は、最終製品に
おける導電性間圧部品と導電性端子小塊との境界部分と
なる。係る処理を行った後、絶縁基板に陽極接合して一
体化し、さらにシリコン基板の上面に対してエッチング
を行い、ダイアフラム形成部位に凹部を形成する。これ
により、図3に示すような中間製品が形成される。The specific formation position of this groove is a boundary portion between the conductive inter-voltage component and the conductive terminal blob in the final product. After performing such a treatment, the insulating substrate is anodically bonded and integrated, and the upper surface of the silicon substrate is further etched to form a concave portion in the diaphragm formation portion. As a result, an intermediate product as shown in FIG. 3 is formed.
【0033】すなわち、感圧部品2と端子小塊6が一体
的に形成されており、その下面側には適宜に上記したハ
ーフダイシングにより形成された上面側に延びる分離用
の溝8が設けられる。なお、接合時には、連結部分8a
を介して感圧部品2と端子小塊6が連結されて一体化し
ているので、リード導体膜3aが端子小塊6を局部的に
上方に持ち上げ、それによる歪みが感圧部品2側に伝達
するおそれがあるが、リード導体膜3aと端子小塊6と
の接触部位は、支持枠部2aと絶縁基板1との接合部位
から遠く、しかも、溝8が存在するので、歪みは連結部
分8aを介して伝わるため、その途中で吸収され、実用
上問題になることはない。That is, the pressure-sensitive component 2 and the terminal blob 6 are integrally formed, and the lower surface side thereof is appropriately provided with a separating groove 8 formed by the above-mentioned half dicing and extending to the upper surface side. . At the time of joining, the connecting portion 8a
Since the pressure-sensitive component 2 and the terminal small piece 6 are connected and integrated via the lead conductor film 3a, the lead conductor film 3a locally lifts the terminal small piece 6 upward, and the strain caused thereby is transmitted to the pressure-sensitive part 2 side. However, since the contact portion between the lead conductor film 3a and the terminal blob 6 is far from the joint portion between the supporting frame portion 2a and the insulating substrate 1 and the groove 8 is present, the strain is generated in the connecting portion 8a. Since it is transmitted through the device, it is absorbed in the middle of the process and does not pose a practical problem.
【0034】この後、シリコン基板の上方より溝8に対
応する位置をダイシグンして連結部分8aを切断し、感
圧部品2と端子小塊6とに分離する。なお、溝8の形成
方法として、ハーフダイシングを示したが、エッチング
その他の手法を用いてもよいのはもちろんである。After that, the connecting portion 8a is cut by die-signing the position corresponding to the groove 8 from above the silicon substrate to separate the pressure-sensitive component 2 and the terminal blob 6 from each other. Although half dicing is shown as the method of forming the groove 8, it goes without saying that other methods such as etching may be used.
【0035】次に、本発明に係るパッケージング構造の
実施の形態を説明する。図1に示す実施の形態の圧力セ
ンサを上下逆さまにして、図4,図5に示す上部開口し
た箱状のパッケージ9に収納する。このパッケージ9の
内部底面にはリードフレーム10a,10bが配設され
ている。圧力センサにおける支持枠部2bの上面(図
4,図5では下面になる)の可動電極側ボンディング部
がリードフレーム10aに当接し、導電性端子小塊6の
上面(図4,図5では下面)の固定電極側ボンディング
部がリードフレーム10bに当接する。これらは導電性
ペースト11を介して電気的に接続される。なお、パッ
ケージ9の底面中央には導圧管15があり、ここからの
圧力がダイアフラム2aに作用する。Next, an embodiment of the packaging structure according to the present invention will be described. The pressure sensor of the embodiment shown in FIG. 1 is turned upside down and housed in a box-shaped package 9 having an upper opening shown in FIGS. Lead frames 10 a and 10 b are arranged on the inner bottom surface of the package 9. The movable electrode side bonding portion of the upper surface (the lower surface in FIGS. 4 and 5) of the support frame portion 2b in the pressure sensor contacts the lead frame 10a, and the upper surface of the conductive terminal blob 6 (lower surface in FIGS. 4 and 5). The fixed electrode side bonding portion of) contacts the lead frame 10b. These are electrically connected via the conductive paste 11. There is a pressure guiding tube 15 at the center of the bottom surface of the package 9, and the pressure from this acts on the diaphragm 2a.
【0036】図6は、パッケージ構造の別の実施の形態
を示している。圧力センサを図6に示す上部開口した箱
状のパッケージ12に収納する。パッケージ12の上方
段部12aにはリードフレーム13a,13bが配設さ
れており、これが収納された圧力センサの上面とほぼ面
一になる。FIG. 6 shows another embodiment of the package structure. The pressure sensor is housed in a box-shaped package 12 having an upper opening shown in FIG. Lead frames 13a and 13b are provided on the upper step portion 12a of the package 12 and are substantially flush with the upper surface of the pressure sensor housed therein.
【0037】そして、導電性感圧部品2の支持枠部2b
の上面の可動電極側ボンディング部とリードフレーム1
3aとをワイヤーボンディングし、導電性端子小塊6の
上面の固定電極側ボンディング部とリードフレーム13
bとをワイヤーボンディングする。なお、符号14a,
14bはそれぞれボンディングワイヤーを指している。
また、パッケージ12の底面中央には導圧管15があ
り、これとセンサの圧力導入孔7が連通しており、ここ
からの圧力がダイアフラム2aに作用する。Then, the support frame portion 2b of the conductive pressure-sensitive component 2
Movable electrode side bonding part on the upper surface of the and lead frame 1
3a is wire-bonded to the fixed electrode side bonding portion on the upper surface of the conductive terminal blob 6 and the lead frame 13.
Wire bond with b. Incidentally, reference numeral 14a,
Each of 14b indicates a bonding wire.
Further, there is a pressure guiding tube 15 at the center of the bottom surface of the package 12, and this communicates with the pressure introducing hole 7 of the sensor, and the pressure from this acts on the diaphragm 2a.
【0038】[0038]
【発明の効果】以上のように、本発明に係る静電容量型
圧力センサおよびそのパッケージング構造および静電容
量型圧力センサの製造方法では、可動電極側の外部配線
ボンディング部と固定電極側の外部配線ボンディング部
とを面一とし、かつ絶縁基板と導電性感圧部品との接合
姿勢の乱れによるキャパシタ・ギャップ幅のばらつきを
なくし、特性の揃った高精度な静電容量型圧力センサを
安価に量産できる。As described above, in the capacitance type pressure sensor, the packaging structure thereof and the method of manufacturing the capacitance type pressure sensor according to the present invention, the external wiring bonding portion on the movable electrode side and the fixed electrode side are formed. Makes the external wiring bonding part flush with each other, eliminates the variation in the capacitor gap width due to the disorder of the bonding posture between the insulating substrate and the conductive pressure-sensitive component, and makes it possible to inexpensively provide a highly accurate capacitive pressure sensor with uniform characteristics. Mass production is possible.
【図1】(A)は本発明に係る静電容量型圧力センサの
実施の形態の一例を示す平面図である。(B)は図1
(A)のB−B線断面図である。FIG. 1A is a plan view showing an example of an embodiment of a capacitance type pressure sensor according to the present invention. (B) is FIG.
It is a BB sectional view taken on the line of (A).
【図2】本発明に係る静電容量型圧力センサの他の実施
の形態を示す構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram showing another embodiment of the capacitance type pressure sensor according to the present invention.
【図3】本発明に係る静電容量型圧力センサの製造方法
の実施の形態の要点を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing the main points of an embodiment of a method for manufacturing a capacitance type pressure sensor according to the present invention.
【図4】本発明に係るパッケージング構造の第1の実施
の形態を示す構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram showing a first embodiment of a packaging structure according to the present invention.
【図5】本発明に係るパッケージング構造の第1の実施
の形態を示す構成図である。FIG. 5 is a configuration diagram showing a first embodiment of a packaging structure according to the present invention.
【図6】本発明に係るパッケージング構造の第2の実施
の形態を示す構成図である。FIG. 6 is a configuration diagram showing a second embodiment of a packaging structure according to the present invention.
【図7】(A)は従来の静電容量型圧力センサの平面図
である。(B)は図7(A)のB−B線断面図である。FIG. 7A is a plan view of a conventional electrostatic capacitance type pressure sensor. FIG. 7B is a sectional view taken along line BB of FIG.
【図8】(A)は従来の静電容量型圧力センサの正面図
である。(B)はその一部を拡大して示した図である。FIG. 8A is a front view of a conventional capacitance type pressure sensor. (B) is the figure which expanded and showed a part.
1 絶縁基板 2 導電性感圧部品 2a ダイアフラム 2b 支持枠部 3 固定電極導体膜 3a リード導体膜 4 切欠溝 6 導電性端子小塊 8 分離用の溝 9,12 パッケージ 10a,10b,13a,13b リードフレーム 11 導電性ペースト 14a,14b ボンディングワイヤー DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating substrate 2 Conductive pressure-sensitive component 2a Diaphragm 2b Support frame part 3 Fixed electrode conductor film 3a Lead conductor film 4 Notch groove 6 Conductive terminal blob 8 Separation groove 9,12 Package 10a, 10b, 13a, 13b Lead frame 11 Conductive paste 14a, 14b Bonding wire
Claims (6)
を特徴とする静電容量型圧力センサ。 (1)絶縁基板の上面に導電性感圧部品と導電性端子小
塊が適当な間隔をおいた所定の配置で接合されており、
これら導電性感圧部品と導電性端子小塊の上面がほぼ面
一になっている。 (2)前記導電性感圧部品は、シリコン基板などの導電
性材料からなり、肉薄のダイアフラムの周辺が肉厚の支
持枠部に一体化された形状であり、前記支持枠部の下面
が前記絶縁基板の上面に密着して接合し、前記ダイアフ
ラムが前記絶縁基板の上面と小さな間隔をおいて対向し
ている。 (3)前記絶縁基板の上面には、前記支持枠部の枠内に
収まって可動電極としての前記ダイアフラムと対向する
固定電極導体膜と、これに連続するリード導体膜が形成
されており、このリード導体膜は前記支持枠部の枠外に
延びている。 (4)前記支持枠部の下面には前記リード導体膜が通過
する位置に切欠溝が形成されており、その切欠溝により
前記リード導体膜と前記支持枠部とが電気的に非接触に
保たれている。 (5)前記リード導体膜の先端部の上に前記導電性端子
小塊が接合され、両者が電気的に接続されている。1. A capacitance type pressure sensor having the following requirements (1) to (5). (1) The conductive pressure-sensitive component and the conductive terminal blob are bonded to the upper surface of the insulating substrate in a predetermined arrangement with an appropriate interval,
The upper surfaces of the conductive pressure-sensitive component and the conductive terminal blob are substantially flush with each other. (2) The conductive pressure-sensitive component is made of a conductive material such as a silicon substrate, and has a shape in which the periphery of a thin diaphragm is integrated with a thick support frame portion, and the lower surface of the support frame portion is the insulation. The diaphragm is closely adhered to and bonded to the upper surface of the substrate, and the diaphragm faces the upper surface of the insulating substrate with a small gap therebetween. (3) On the upper surface of the insulating substrate, there are formed a fixed electrode conductor film which is accommodated in the frame of the support frame portion and faces the diaphragm as the movable electrode, and a lead conductor film which is continuous with the fixed electrode conductor film. The lead conductor film extends outside the frame of the support frame portion. (4) A cutout groove is formed on the lower surface of the support frame portion at a position where the lead conductor film passes, and the cutout groove keeps the lead conductor film and the support frame portion electrically non-contact with each other. Is dripping (5) The small pieces of conductive terminals are joined on the tip end portion of the lead conductor film, and both are electrically connected.
は、前記導電性感圧部品と同一材料からなり、これら導
電性感圧部品および導電性端子小塊の上面にはボンディ
ング用導体膜が形成されていることを特徴とする静電容
量型圧力センサ。2. The conductive terminal small piece according to claim 1, made of the same material as the conductive pressure sensitive component, and a conductive film for bonding is formed on the upper surfaces of the conductive pressure sensitive component and the conductive terminal small chunk. Capacitive pressure sensor characterized in that
量型圧力センサを所定のパッケージに収納し、そのパッ
ケージの配線導体パターンと前記導電性感圧部品および
前記導電性端子小塊の上面をワイヤーボンディングによ
り接続することを特徴とするパッケージング構造。3. The capacitive pressure sensor according to claim 1 or 2 is housed in a predetermined package, and the wiring conductor pattern of the package, the conductive pressure-sensitive component, and the upper surface of the conductive terminal blob. A packaging structure characterized by connecting wires by wire bonding.
量型圧力センサを所定のパッケージに収納し、そのパッ
ケージの配線導体パターンと前記導電性感圧部品および
前記導電性端子小塊の上面とを直接的に接触させるフェ
ースダウンボンディングにより接続することを特徴とす
るパッケージング構造。4. The capacitive pressure sensor according to claim 1 or 2 is housed in a predetermined package, and the wiring conductor pattern of the package, the conductive pressure-sensitive component, and the upper surface of the conductive terminal blob. A packaging structure characterized by being connected by face-down bonding which directly contacts with.
量型圧力センサを製造する方法であって、前記導電性感
圧部品と前記導電性端子小塊とをシリコン基板等の導電
性基板により一体的に成形し、この一体物を前記絶縁基
板に接合してから前記導電性感圧部品と前記導電性端子
小塊とに分離することを特徴とする静電容量型圧力セン
サの製造方法。5. A method of manufacturing the capacitance type pressure sensor according to claim 1, wherein the conductive pressure-sensitive component and the conductive terminal blob are a conductive substrate such as a silicon substrate. A method of manufacturing a capacitance-type pressure sensor, characterized in that it is integrally molded by means of, and the integrated body is bonded to the insulating substrate and then separated into the conductive pressure-sensitive component and the conductive terminal small block.
と前記導電性端子小塊の一体物の成形時に、その下面側
には適宜に上面側に延びる分離用の溝をあらかじめ形成
しておき、これを前記絶縁基板に接合した後に、前記溝
の位置で前記導電性感圧部品と前記導電性端子小塊とに
分離することを特徴とする静電容量型圧力センサの製造
方法。6. The separation groove according to claim 5, wherein a groove for separation extending to the upper surface side is appropriately formed on the lower surface side at the time of molding the integrated body of the conductive pressure sensitive component and the small conductive terminal block. A method for manufacturing a capacitance type pressure sensor, comprising: joining the insulating substrate to the insulating substrate and then separating the conductive pressure-sensitive component and the small conductive terminal block at the position of the groove.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8452096A JPH09251030A (en) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | Capacitance-type pressure sensor, packaging structure thereof and manufacture of capacitance-type pressure sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8452096A JPH09251030A (en) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | Capacitance-type pressure sensor, packaging structure thereof and manufacture of capacitance-type pressure sensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09251030A true JPH09251030A (en) | 1997-09-22 |
Family
ID=13832919
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8452096A Withdrawn JPH09251030A (en) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | Capacitance-type pressure sensor, packaging structure thereof and manufacture of capacitance-type pressure sensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09251030A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007232650A (en) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Alps Electric Co Ltd | Capacitance type pressure sensor |
JP2007248149A (en) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Alps Electric Co Ltd | Capacitive pressure sensor |
JP2015152450A (en) * | 2014-02-14 | 2015-08-24 | オムロン株式会社 | Capacitance type pressure sensor and input device |
JP2015152457A (en) * | 2014-02-14 | 2015-08-24 | オムロン株式会社 | Capacitive pressure sensor and input device |
-
1996
- 1996-03-14 JP JP8452096A patent/JPH09251030A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007232650A (en) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Alps Electric Co Ltd | Capacitance type pressure sensor |
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