JPH09249492A - Seed crystal for pulling up single crystal and pulling-up of single crystal using the same - Google Patents
Seed crystal for pulling up single crystal and pulling-up of single crystal using the sameInfo
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- JPH09249492A JPH09249492A JP5564796A JP5564796A JPH09249492A JP H09249492 A JPH09249492 A JP H09249492A JP 5564796 A JP5564796 A JP 5564796A JP 5564796 A JP5564796 A JP 5564796A JP H09249492 A JPH09249492 A JP H09249492A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は単結晶引き上げ用種
結晶及び該種結晶を用いた単結晶引き上げ方法に関し、
より詳細には半導体材料として使用されるシリコン単結
晶を育成する際に用いられる、単結晶引き上げ用種結晶
及び該種結晶を用いた単結晶引き上げ方法に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a seed crystal for pulling a single crystal and a single crystal pulling method using the seed crystal,
More specifically, the present invention relates to a single crystal pulling-up seed crystal used for growing a silicon single crystal used as a semiconductor material and a single crystal pulling-up method using the seed crystal.
【０００２】[0002]
【従来の技術】単結晶を育成するには種々の方法がある
が、その一つにチョクラルスキー法（以下、ＣＺ法と記
す）に代表される引き上げ法がある。図５は従来のＣＺ
法に用いられる単結晶引き上げ装置の要部を模式的に示
した断面図であり、図中３１は坩堝を示している。2. Description of the Related Art There are various methods for growing a single crystal, one of which is a pulling method represented by the Czochralski method (hereinafter referred to as the CZ method). Figure 5 shows the conventional CZ
It is a sectional view showing typically the important section of the single crystal pulling up device used for the method, and 31 in the figure shows the crucible.
【０００３】この坩堝３１は、有底円筒形状の石英製坩
堝３１ａと、この石英製坩堝３１ａの外側に嵌合され
た、同じく有底円筒形状の黒鉛製坩堝３１ｂとから構成
されており、坩堝３１は図中の矢印方向に所定の速度で
回転する支持軸３９に支持されている。この坩堝３１の
外側には抵抗加熱式のヒータ３２、及びヒータ３２の外
側には、坩堝３１への熱移動を促進する保温筒４２が同
心円状に配置されており、坩堝３１内には、このヒータ
３２により溶融させられた単結晶用原料の溶融液３３が
充填されるようになっている。The crucible 31 comprises a bottomed cylindrical quartz crucible 31a and a bottomed cylindrical graphite crucible 31b fitted to the outside of the quartz crucible 31a. Reference numeral 31 is supported by a support shaft 39 that rotates at a predetermined speed in the direction of the arrow in the figure. A resistance heating type heater 32 is provided outside the crucible 31, and a heat retaining cylinder 42 is concentrically arranged outside the heater 32 to promote heat transfer to the crucible 31. A single crystal raw material melt 33 melted by the heater 32 is filled.
【０００４】坩堝３１の中心軸上には、引き上げ棒ある
いはワイヤー等からなる引き上げ軸３４が吊設されてお
り、この引き上げ軸３４の先には、シードチャック３４
ａを介して種結晶３５が取り付けられている。A pulling shaft 34 made of a pulling rod or a wire is hung on the central axis of the crucible 31, and a seed chuck 34 is provided at the tip of the pulling shaft 34.
The seed crystal 35 is attached via a.
【０００５】上記した単結晶引き上げ装置により単結晶
３６を引き上げるには、まず種結晶３５を溶融液３３に
着液させて種結晶３５を溶融液３３に馴染ませた後、引
き上げを開始する（以下、シーディング工程と記す）。
その後、所定の引き上げ速度で所定径になるまで種結晶
３５を細く絞り、単結晶３６のネック３６ａを形成する
（以下、ネッキング工程と記す）。その後引き上げ速度
を落して単結晶３６を所定の径まで成長させ、単結晶３
６のショルダー３６ｂを形成する（以下、ショルダー形
成工程と記す）。その後、一定の引き上げ速度で一定の
径、所定長さの単結晶３６を育成し、単結晶３６のメイ
ンボディ（定径部）３６ｃを形成する（以下、ボディ形
成工程と記す）。In order to pull up the single crystal 36 with the above-mentioned single crystal pulling apparatus, first, the seed crystal 35 is dipped in the melt 33 to make the seed crystal 35 fit in the melt 33, and then pulling is started (hereinafter, referred to as "pulling"). , Seeding process).
After that, the seed crystal 35 is thinly drawn at a predetermined pulling speed until it has a predetermined diameter, and a neck 36a of the single crystal 36 is formed (hereinafter, referred to as a necking step). Then, the pulling rate is reduced to grow the single crystal 36 to a predetermined diameter, and the single crystal 3
The shoulder 36b of No. 6 is formed (hereinafter referred to as the shoulder forming step). After that, a single crystal 36 having a constant diameter and a predetermined length is grown at a constant pulling rate to form a main body (constant diameter portion) 36c of the single crystal 36 (hereinafter referred to as a body forming step).
【０００６】上記ネッキング工程を行う目的について、
以下に説明する。前記シーディング工程を行うにあたっ
て、通常、種結晶底部３５ａをある程度予熱した後に、
溶融液３３に着液させるが、前記予熱温度（約１３００
℃程度以下）と種結晶３５の融点（約１４１０℃）との
間には、１００℃以上の差が生じる。このため、溶融液
３３への着液時に種結晶底部３５ａには、熱応力による
転位が導入される。該転位は、後の単結晶化を阻害する
ものであるため、前記転位を排除してから単結晶３６を
成長させる必要がある。一般に前記転位は、単結晶３６
の成長界面に対して垂直方向に成長するものであること
から、上記ネッキング工程において前記成長界面の形状
を下に凸形状とし、前記転位を排除する。Regarding the purpose of performing the above-mentioned necking step,
This will be described below. In performing the seeding step, usually, after preheating the seed crystal bottom portion 35a to some extent,
The molten liquid 33 is made to come into contact with the liquid 33, but the preheating temperature (about 1300
A difference of 100 ° C. or more occurs between the melting point of the seed crystal 35 (about 1410 ° C.). For this reason, dislocation due to thermal stress is introduced into the seed crystal bottom portion 35a when the liquid crystal is applied to the melt 33. Since the dislocation inhibits the subsequent single crystallization, it is necessary to grow the single crystal 36 after eliminating the dislocation. Generally, the dislocations are single crystal 36
Since it grows in a direction perpendicular to the growth interface, the growth interface is made to have a downward convex shape in the necking step to eliminate the dislocation.
【０００７】一般に前記ネッキング工程においては、ネ
ック３６ａ径を細く絞るほど前記成長界面の形状をより
下に凸とすることができ、前記転位を効率良く排除する
ことができる。Generally, in the necking step, the narrower the diameter of the neck 36a, the more downwardly convex the shape of the growth interface, and the more efficiently the dislocations can be eliminated.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の単結晶
引き上げ方法においては、直径約６インチ、重量が８０
ｋｇ程度の単結晶３６を引き上げるために、直径１２ｍ
ｍ程度の種結晶３５を用いるのが一般的であった。その
際のネック３６ａ径は、単結晶３６を安全に引き上げる
ことができ、しかも上記転位を効率的に排除することが
できる大きさとして通常２〜３ｍｍ程度とされていた。
しかしながら、近年の半導体デバイスの高集積化、低コ
スト化及び高生産性の要求に対応して、ウエハの大口径
化が要求されてきており、最近では例えば直径約１２イ
ンチ、重量が３００ｋｇ程度の単結晶３６の製造が望ま
れている。この場合、従来のネック３６ａ径（通常３ｍ
ｍ程度）では、ネック３５ａが引き上げられる単結晶３
６の重さに耐えられずに破損し、単結晶３６が落下して
しまう。In the conventional method for pulling a single crystal described above, the diameter is about 6 inches and the weight is 80 inches.
12m in diameter to pull up the single crystal 36 of about kg
It was general to use a seed crystal 35 of about m. The diameter of the neck 36a at that time was usually set to about 2 to 3 mm so that the single crystal 36 could be pulled up safely and the dislocations could be efficiently eliminated.
However, in response to the recent demand for higher integration, lower cost and higher productivity of semiconductor devices, a larger diameter wafer has been required, and recently, for example, a diameter of about 12 inches and a weight of about 300 kg have been achieved. The production of single crystal 36 is desired. In this case, the diameter of the conventional neck 36a (usually 3 m
(about m), the single crystal 3 from which the neck 35a is pulled up
The single crystal 36 falls without being able to withstand the weight of 6 and falls.
【０００９】上記した大重量の単結晶３６を育成するに
あたり、単結晶３６の落下等の事故の発生を防ぎ、安全
に引き上げを行うためには、シリコン強度（約１６ｋｇ
ｆ／ｍｍ2 ）から算出してネック３６ａ径を６ｍｍ程度
まで太くする必要がある。しかしながら、ネック３６ａ
径のこの程度の絞りでは、種結晶３５の溶融液３３への
着液時に導入された転位を十分に排除することができ
ず、無転位結晶が製造出来ない場合が発生し、歩留まり
が著しく低下するといった課題があった。In growing the above-mentioned heavy single crystal 36, in order to prevent accidents such as dropping of the single crystal 36 and to safely pull up the single crystal 36, the silicon strength (about 16 kg) is required.
It is necessary to increase the diameter of the neck 36a to about 6 mm, calculated from f / mm 2 ). However, the neck 36a
When the diameter is reduced to this extent, the dislocations introduced at the time of landing the seed crystal 35 on the melt 33 cannot be sufficiently eliminated, and a dislocation-free crystal may not be produced, resulting in a significant decrease in yield. There was a problem such as doing.
【００１０】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、大重量の単結晶を引き上げる場合であっても、転位
を効率的に排除することができる単結晶引き上げ用種結
晶、またネッキング工程を不要とし、大重量の単結晶で
あっても、安全に低コストで歩留まりよく引き上げるこ
とができる、前記種結晶を用いた単結晶引き上げ方法を
提供することを目的としている。The present invention has been made in view of the above problems, and a seed crystal for pulling a single crystal capable of efficiently eliminating dislocations even when pulling a large-weight single crystal, and a necking step are provided. It is an object of the present invention to provide a single crystal pulling method using the above-mentioned seed crystal, which is unnecessary and can be pulled safely and at low cost with a high yield even if the single crystal is heavy.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段及びその効果】上記目的を
達成するために、本発明に係る単結晶引き上げ用種結晶
（１）は、ドーパントとしてリン（Ｐ）が用いられ、ド
ーパント濃度が１×１０19〜１×１０21／ｃｍ3 の範囲
にあることを特徴としている。In order to achieve the above object, the seed crystal (1) for pulling a single crystal according to the present invention uses phosphorus (P) as a dopant and has a dopant concentration of 1 ×. It is characterized by being in the range of 10 19 to 1 × 10 21 / cm 3 .
【００１２】上記単結晶引き上げ用種結晶（１）によれ
ば、Ｐのドーパント濃度が１×１０19〜１×１０21／ｃ
ｍ3 の範囲にあり、一般的なＰのドーパント濃度（１×
１０15／ｃｍ3 ）よりも高く、前記着液時に導入された
転位が種結晶の上部方向に伝播するのに要する応力レベ
ルを、通常よりも高くすることができる。すなわち、通
常よりも高い応力が働かない限り前記転位は伝播しない
ため、前記着液時に、転位が導入された部分を適度な速
度で溶融液に溶かし込めば、転位を伝播させることなく
転位が導入された部分を除去することができ、転位のな
い種結晶を基にした単結晶の引き上げが可能となる。こ
のため引き上げた単結晶の無転位化率を高めることがで
きる。According to the seed crystal for pulling a single crystal (1), the dopant concentration of P is 1 × 10 19 to 1 × 10 21 / c.
It is in the range of m 3 and is a general P dopant concentration (1 ×
The stress level higher than 10 15 / cm 3 ) and required for propagating the dislocations introduced at the time of deposition in the upper direction of the seed crystal can be made higher than usual. That is, since the dislocations do not propagate unless a stress higher than usual works, the dislocations are introduced without propagating the dislocations when the portion where the dislocations are introduced is melted into the melt at an appropriate speed during the liquid deposition. The formed portion can be removed, and a single crystal based on a seed crystal without dislocation can be pulled up. Therefore, the dislocation-free rate of the pulled single crystal can be increased.
【００１３】また、本発明に係る単結晶引き上げ用種結
晶（２）は、ドーパントとしてホウ素（Ｂ）が用いら
れ、ドーパント濃度が５×１０19〜６×１０20／ｃｍ3
の範囲にあることを特徴としている。The seed crystal (2) for pulling a single crystal according to the present invention uses boron (B) as a dopant and has a dopant concentration of 5 × 10 19 to 6 × 10 20 / cm 3.
It is characterized by being in the range of.
【００１４】上記単結晶引き上げ用種結晶（２）によれ
ば、Ｂのドーパント濃度が５×１０19〜６×１０20／ｃ
ｍ3 の範囲にあり、一般的なＢドーパント濃度（１×１
０15／ｃｍ3 ）よりも高いため、前記着液時に生じた転
位が種結晶の上部方向に伝播するのに要する応力レベル
を、通常よりも高くすることができる。よって、上記し
た単結晶引き上げ用種結晶（１）の場合と同様の効果が
得られる。According to the seed crystal for pulling a single crystal (2), the dopant concentration of B is 5 × 10 19 to 6 × 10 20 / c.
m 3 range, and a general B dopant concentration (1 × 1
Since it is higher than 0 15 / cm 3 ), the stress level required for propagating the dislocation generated at the time of landing in the upper direction of the seed crystal can be made higher than usual. Therefore, the same effect as in the case of the seed crystal for pulling a single crystal (1) can be obtained.
【００１５】また、本発明に係る単結晶引き上げ用種結
晶（３）は、上記単結晶引き上げ用種結晶（１）又は
（２）において、種結晶径が６ｍｍ以上あることを特徴
としている。The seed crystal (3) for pulling a single crystal according to the present invention is characterized in that the seed crystal (1) or (2) for pulling a single crystal has a seed crystal diameter of 6 mm or more.
【００１６】上記単結晶引き上げ用種結晶（３）によれ
ば、上記単結晶引き上げ用種結晶（１）又は（２）の場
合と同様の効果が得られると共に、前記種結晶径が６ｍ
ｍ以上あるため、例えば３００ｋｇ以上の大重量の単結
晶を引き上げる場合であっても、前記種結晶がシリコン
強度（約１６ｋｇｆ／ｍｍ2 ）から算出して十分な強度
を有するため、種結晶の破損による単結晶の落下等の事
故の心配がなく、安全に単結晶を引き上げることができ
る。According to the seed crystal for pulling a single crystal (3), the same effect as that of the seed crystal for pulling a single crystal (1) or (2) can be obtained, and the seed crystal diameter is 6 m.
Since m is more than m, even if a single crystal having a large weight of, for example, 300 kg or more is pulled, the seed crystal has a sufficient strength calculated from the silicon strength (about 16 kgf / mm 2 ). The single crystal can be pulled up safely without worrying about accidents such as falling of the single crystal.
【００１７】また、本発明に係る単結晶引き上げ方法
（１）は、上記種結晶（１）〜（３）のいずれかを用
い、該種結晶の先端部を溶融液に浸漬して溶かし込んだ
後、ネックを形成せずに単結晶を引き上げることを特徴
としている。Further, in the single crystal pulling method (1) according to the present invention, any one of the seed crystals (1) to (3) is used, and the tip portion of the seed crystal is immersed in a melt and melted. After that, the single crystal is pulled up without forming a neck.
【００１８】上記単結晶引き上げ方法（１）によれば、
着液時に導入された転位を有する前記種結晶の先端部を
一旦溶融させるため、転位のない種結晶を基に前記単結
晶の引き上げを行うことができる。これにより、引き上
げられる単結晶に前記転位が伝播することがほとんどな
いため、ネッキング工程を省略しても無転位の単結晶を
効率的に引き上げることができる。また、前記ネッキン
グ工程を省略できることから、細いネックによって単結
晶を支持する必要性がなくなり、種結晶径がすなわち単
結晶を支持するための最細部径となり、前記種結晶の強
度さえ十分みておけば、大重量の単結晶であっても、落
下等の事故発生の心配もなく安全に引き上げることがで
きる。さらに、前記ネックを形成する必要がないため、
種結晶は従来１２ｍｍ程度であったものを６ｍｍ程度ま
で細くでき、種結晶に要する原料コストを削減すること
ができるとともに、引き上げ工程を簡略化することがで
きる。According to the above single crystal pulling method (1),
Since the tip portion of the seed crystal having dislocations introduced at the time of landing is once melted, the single crystal can be pulled up based on the seed crystal having no dislocations. As a result, the dislocations hardly propagate to the pulled single crystal, so that the dislocation-free single crystal can be efficiently pulled up even if the necking step is omitted. Further, since the necking step can be omitted, there is no need to support the single crystal by a thin neck, and the seed crystal diameter is the smallest diameter for supporting the single crystal, and even if the strength of the seed crystal is sufficiently considered. Even if it is a heavy single crystal, it can be safely pulled up without fear of an accident such as dropping. Furthermore, since it is not necessary to form the neck,
The seed crystal, which was conventionally about 12 mm, can be thinned to about 6 mm, and the raw material cost required for the seed crystal can be reduced and the pulling process can be simplified.
【００１９】また、上記種結晶（１）〜（３）のいずれ
か、すなわち転位の導入されていない種結晶を用いるた
め、引き上げられる単結晶に転位が導入されにくく、単
結晶における無転位率も向上させることができる。従っ
て、引き上げた単結晶の歩留まりを向上させることがで
きる。Further, since any one of the seed crystals (1) to (3), that is, a seed crystal in which dislocations are not introduced, is used, dislocations are hardly introduced into the pulled single crystal, and the dislocation-free rate in the single crystal is also high. Can be improved. Therefore, the yield of the pulled single crystal can be improved.
【００２０】また、本発明に係る単結晶引き上げ方法
（２）は、上記単結晶の引き上げ方法（４）において、
溶かし込む種結晶長さを種結晶径以上とすることを特徴
としている。The single crystal pulling method (2) according to the present invention is the same as the single crystal pulling method (4).
The feature is that the length of the seed crystal to be melted is not less than the seed crystal diameter.
【００２１】上記単結晶の引き上げ方法（２）によれ
ば、溶かし込む種結晶長さが種結晶径以上であるため、
熱ショックにより転位が導入された転位部分（転位が存
在する部分）をほとんど溶かし込むことができ、残りを
無転位部分のみからなる種結晶とすることができる。よ
って引き上げた単結晶の歩留まりをより向上させること
ができる。According to the above single crystal pulling method (2), since the length of the seed crystal to be melted is equal to or larger than the seed crystal diameter,
Almost all dislocation portions where dislocations have been introduced by heat shock (portions where dislocations exist) can be melted, and the rest can be a seed crystal consisting of only dislocation-free portions. Therefore, the yield of the pulled single crystal can be further improved.
【００２２】一方、溶かし込む種結晶長さが種結晶径よ
りも短い場合は、前記転位が残存することになり、後の
単結晶化の妨げとなる。On the other hand, when the length of the seed crystal to be melted is shorter than the seed crystal diameter, the dislocations remain, which hinders subsequent single crystallization.
【００２３】[0023]
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る単結晶引き上
げ用種結晶、及び該種結晶を用いた単結晶引き上げ方法
の実施の形態を、図面に基づいて説明する。なお、従来
と同一の機能を有する構成部品には、同一の符号を付し
てある。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of a seed crystal for pulling a single crystal and a method for pulling a single crystal using the seed crystal according to the present invention will be described below with reference to the drawings. In addition, the same reference numerals are given to the components having the same functions as the conventional ones.
【００２４】図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形
態に係る単結晶引き上げ用種結晶及び該種結晶を用いた
単結晶引き上げ方法を、工程順に示した模式的部分側面
図であり、図２は、実施の形態に係る単結晶引き上げ方
法により、単結晶を引き上げている状態を示した模式的
断面図である。1 (a) to 1 (d) are schematic partial side views showing, in the order of steps, a seed crystal for pulling a single crystal according to an embodiment of the present invention and a single crystal pulling method using the seed crystal. 2 is a schematic cross-sectional view showing a state in which a single crystal is pulled by the single crystal pulling method according to the embodiment.
【００２５】まず、６ｍｍ以上の直径（ｌ）を有する種
結晶１５を、溶融液３３直上まで降下させて種結晶１５
の予熱を行う（図１（ａ））。種結晶１５には、ドーパ
ントとして例えばリン（Ｐ）が用いられ、種結晶１５の
ドーパント濃度は、１×１０19〜１×１０21／ｃｍ3 の
範囲に設定されている。その後、種結晶１５を溶融液３
３の表面に着液させる（図１（ｂ））。この時、種結晶
１５の先端部１５ａから種結晶１５上部方向に向かっ
て、前記着液時に作用する熱応力により、転位（図示せ
ず）が導入される。この後、所定の速度で種結晶１５を
降下させ、種結晶１５の先端部１５ａ（転位が導入され
た部分）を溶融液３３に浸漬して溶かし込む。該溶かし
込む長さ（Ｌ）は、６ｍｍ以上とする（図１（ｃ））。
このように、種結晶１５の先端部１５ａを溶かし込むこ
とにより、種結晶１５の残った部分を無転位部分のみに
することができる。この後、従来行っていたネッキング
工程を省略してショルダー形成工程に移り、所定の引き
上げ速度で引き上げることにより単結晶１６を所定の径
まで成長させ、ショルダー１６ｂを形成する（図１
（ｄ））。この後ボディー形成工程に移り、メインボデ
ィー１６ｃ（図２）を形成する。First, the seed crystal 15 having a diameter (l) of 6 mm or more is lowered to directly above the melt 33 and the seed crystal 15 is dropped.
Is preheated (FIG. 1 (a)). For example, phosphorus (P) is used as a dopant in the seed crystal 15, and the dopant concentration of the seed crystal 15 is set in the range of 1 × 10 19 to 1 × 10 21 / cm 3 . After that, the seed crystal 15 is melted into the melt 3
3 is made to come in contact with the liquid (FIG. 1 (b)). At this time, dislocations (not shown) are introduced from the tip portion 15a of the seed crystal 15 toward the upper portion of the seed crystal 15 due to the thermal stress acting upon the liquid deposition. After that, the seed crystal 15 is lowered at a predetermined speed, and the tip portion 15a (the portion where dislocations are introduced) of the seed crystal 15 is immersed in the melt 33 and melted. The melting length (L) is 6 mm or more (FIG. 1 (c)).
In this manner, by melting the tip portion 15a of the seed crystal 15 into the seed crystal 15, the remaining portion of the seed crystal 15 can be made to be a dislocation-free portion only. After that, the necking process which has been performed conventionally is omitted and the process proceeds to the shoulder forming process, in which the single crystal 16 is grown to a predetermined diameter by pulling at a predetermined pulling rate to form the shoulder 16b (FIG. 1).
(D)). After that, the process moves to the body forming step to form the main body 16c (FIG. 2).
【００２６】一般に、種結晶１５に作用する応力と、種
結晶１５に導入された転位が前記応力によって伝播する
速度との間には、図３に示すような関係が成立する。Generally, the relationship shown in FIG. 3 is established between the stress acting on the seed crystal 15 and the speed at which the dislocation introduced into the seed crystal 15 propagates due to the stress.
【００２７】図３において縦軸は転位の伝播速度（ｖ）
を、横軸は種結晶に作用する応力（σ）を示している。In FIG. 3, the vertical axis represents the dislocation propagation velocity (v).
The horizontal axis represents the stress (σ) acting on the seed crystal.
【００２８】種結晶が一般的なドーパント濃度（１×１
０15／ｃｍ3 ）を有している場合をグラフＡとすると、
種結晶１５において、ドーパントとして例えばリン
（Ｐ）が用いられ、ドーパント濃度が１×１０19である
場合はグラフＢ、ドーパント濃度が１×１０21／ｃｍ3
である場合はグラフＣとなる。The seed crystal has a typical dopant concentration (1 × 1
0 15 / cm 3 ) and graph A shows that
In the seed crystal 15, for example, phosphorus (P) is used as a dopant and the dopant concentration is 1 × 10 19 , the graph B is shown, and the dopant concentration is 1 × 10 21 / cm 3.
If, then graph C is obtained.
【００２９】すなわち、種結晶が一般的なドーパント濃
度を有している場合（グラフＡ）は、σ1 以上の応力が
作用すると転位が伝播してゆく（転位の伝播速度が０以
上となる）のに対し、１×１０19／ｃｍ3 のドーパント
濃度を有している場合（グラフＢ）は、σ2 の応力が作
用しない限り前記転位が伝播してゆかず、１×１０21／
ｃｍ3 のドーパント濃度を有している場合（グラフＣ）
に至っては、σ3 の応力が働かない限り前記転位が伝播
してゆかない。ここで応力の大きさは、σ1 ＜σ2 ＜σ
3 である。このように、ドーパント濃度が高いほど、前
記転位の伝播を抑制することができる。That is, when the seed crystal has a general dopant concentration (graph A), dislocation propagates when a stress of σ 1 or more acts (the dislocation propagation velocity becomes 0 or more). On the other hand, when the dopant concentration is 1 × 10 19 / cm 3 (graph B), the dislocations do not propagate unless the stress of σ 2 acts, and 1 × 10 21 / cm 3
With a dopant concentration of cm 3 (Graph C)
Up to, the dislocations do not propagate unless the stress of σ 3 acts. Here, the magnitude of stress is σ 1 <σ 2 <σ
3 Thus, the higher the dopant concentration, the more the propagation of the dislocations can be suppressed.
【００３０】上記した単結晶引き上げ用種結晶１５によ
れば、Ｐのドーパント濃度が１×１０19〜１×１０21／
ｃｍ3 の範囲にあり、一般的なＰドーパント濃度（１×
１０15／ｃｍ3 ）よりも高いため、前記着液時に導入さ
れた転位が種結晶１５の上部方向に伝播するのに要する
応力レベルを、通常のものよりも高めることができる。
すなわち、種結晶１５に通常よりもかなり高いレベルの
応力が作用しない限り、前記転位は伝播しないこととな
る。よって、着液時に転位が導入された部分（先端部１
５ａ）を所定速度で溶融液に溶かし込むことにより、転
位を伝播させることなく、転位が導入された部分（先端
部１５ａ）を除去することができ、転位のない種結晶を
基にした単結晶の引き上げを可能とすることができる。
このため、引き上げた単結晶の無転位化率を高めること
ができる。According to the seed crystal 15 for pulling a single crystal described above, the dopant concentration of P is 1 × 10 19 to 1 × 10 21 /
in the range of cm 3 , and the general P dopant concentration (1 ×
Since it is higher than 10 15 / cm 3 ), the stress level required for the dislocation introduced at the time of landing to propagate in the upper direction of the seed crystal 15 can be increased more than usual.
That is, the dislocations do not propagate unless the stress applied to the seed crystal 15 is much higher than usual. Therefore, the portion where the dislocation was introduced at the time of landing (the tip 1
By dissolving 5a) in the melt at a predetermined speed, the dislocation-introduced portion (tip 15a) can be removed without propagating the dislocation, and a single crystal based on a dislocation-free seed crystal can be removed. Can be raised.
Therefore, the dislocation-free rate of the pulled single crystal can be increased.
【００３１】また、種結晶径（ｌ）が６ｍｍ以上あるた
め、例えば３００ｋｇ程度の大重量の単結晶１６を引き
上げる場合であっても、種結晶１５がシリコン強度（約
１６ｋｇｆ／ｍｍ2 ）から算出して十分な強度を有する
ため、種結晶１５の破損による単結晶１６の落下等の事
故の心配がなく、安全に単結晶１６を引き上げることが
できる。Since the seed crystal diameter (l) is 6 mm or more, the seed crystal 15 is calculated from the silicon strength (about 16 kgf / mm 2 ) even when pulling a large weight single crystal 16 of about 300 kg, for example. Therefore, since the single crystal 16 has sufficient strength, the single crystal 16 can be pulled up safely without fear of accident such as dropping of the single crystal 16 due to breakage of the seed crystal 15.
【００３２】また、上記した種結晶１５を用いた単結晶
引き上げ方法によれば、着液時に生じた転位を有する種
結晶１５の先端部１５ａを一旦溶融させるため、無転位
部分のみからなる種結晶１５を基に単結晶１６の引き上
げを行うことができる。このため引き上げられる単結晶
１６に転位が導入されることがなく、ネッキング工程を
省略することができる。また、前記ネッキング工程が不
要となることにより、細いネック３６ａ（図４）によっ
て単結晶１６を支持する必要性がなくなり、種結晶径
（ｌ）が、すなわち単結晶１６を支持するにあたっての
最細部径となり、大重量の単結晶１６であっても、落下
等の事故発生の心配もなく安全に引き上げることができ
る。さらに、ネック３６ａを形成する必要がないため、
種結晶１５は従来１２ｍｍ程度であったものを６ｍｍ程
度まで細くでき、種結晶に要する原料コストを削減する
ことができる。Further, according to the single crystal pulling method using the seed crystal 15 described above, since the tip portion 15a of the seed crystal 15 having dislocations generated at the time of landing is once melted, the seed crystal including only dislocation-free portions is used. The single crystal 16 can be pulled up on the basis of 15. Therefore, dislocations are not introduced into the pulled single crystal 16, and the necking step can be omitted. Further, since the necking step is unnecessary, it is not necessary to support the single crystal 16 by the thin neck 36a (FIG. 4), and the seed crystal diameter (l), that is, the smallest detail in supporting the single crystal 16. Since the diameter of the single crystal 16 is large, the single crystal 16 can be safely pulled up without fear of an accident such as dropping. Furthermore, since it is not necessary to form the neck 36a,
The seed crystal 15 can be thinned from about 12 mm in the past to about 6 mm, and the raw material cost required for the seed crystal can be reduced.
【００３３】さらに、溶かし込む種結晶１５の長さ
（Ｌ）を種結晶径以上とすることにより、転位が導入さ
れた部分をほとんど溶かし込むことができ、残りを無転
位部分のみからなる種結晶１５とすることができる。該
無転位部分のみからなる種結晶１５を用いて単結晶１６
を引き上げることにより、単結晶１６の歩留まりを向上
させることができる。Further, by setting the length (L) of the seed crystal 15 to be melted to be equal to or larger than the seed crystal diameter, almost all the portion where dislocations are introduced can be melted, and the rest is a seed crystal consisting only of dislocation-free portions. It can be 15. A single crystal 16 using a seed crystal 15 consisting of only the dislocation-free portion
The yield of the single crystal 16 can be improved by pulling up.
【００３４】本実施の形態においては、ドーパントとし
て例えばリン（Ｐ）を用い、種結晶１５のドーパント濃
度を１×１０19〜１×１０21／ｃｍ3 の範囲としたが、
何らこれに限定されるものでなく、別の実施の形態では
ドーパントとして例えばホウ素（Ｂ）を用い、ドーパン
ト濃度を５×１０19〜６×１０20／ｃｍ3 の範囲として
もよい。In this embodiment, for example, phosphorus (P) is used as the dopant, and the dopant concentration of the seed crystal 15 is set in the range of 1 × 10 19 to 1 × 10 21 / cm 3 .
The present invention is not limited to this, and in another embodiment, for example, boron (B) may be used as the dopant and the dopant concentration may be in the range of 5 × 10 19 to 6 × 10 20 / cm 3 .
【００３５】[0035]
【実施例及び比較例】以下、実施例及び比較例に係る単
結晶引き上げ用種結晶及び該種結晶を用いた単結晶引き
上げ方法により単結晶の引き上げを行い、ＤＦ（Disloc
ation Free)率を調べた結果について説明する。実施
例、比較例のいずれにおいても、直径約１２インチで長
さ約１０００ｍｍ、総重量３００ｋｇ程度の単結晶を１
０回引き上げた。前記ＤＦ率は、同じ条件で引き上げた
単結晶それぞれ１０本のうち、全く転位が発生していな
い単結晶の本数の割合で示した。前記転位発生の有無
は、外部観察によっても判断可能であるが、今回は、ス
ライスした単結晶をＸ線トポグラフで観察することによ
り判断した。[Examples and Comparative Examples] A single crystal is pulled by a seed crystal for pulling a single crystal and a single crystal pulling method using the seed crystal according to Examples and Comparative Examples, and DF (Disloc
(ation Free) rate will be explained. In each of the examples and comparative examples, one single crystal having a diameter of about 12 inches, a length of about 1000 mm, and a total weight of about 300 kg is used.
Raised 0 times. The DF ratio was shown by the ratio of the number of single crystals in which dislocations did not occur at all out of 10 single crystals pulled under the same conditions. The presence or absence of the dislocation can be determined by external observation, but this time, it was determined by observing the sliced single crystal with an X-ray topography.
【００３６】図４（ａ）、（ｂ）は、実施例、比較例１
及び比較例２に係る単結晶引き上げ方法を説明するため
に示した、模式的部分拡大側面図である。各々の単結晶
の引き上げに共通する成長条件を、下記の表１に示す。FIGS. 4A and 4B show Example and Comparative Example 1
7 is a schematic partially enlarged side view shown for explaining a single crystal pulling method according to Comparative Example 2. FIG. The growth conditions common to the pulling of each single crystal are shown in Table 1 below.
【００３７】[0037]
【表１】 [Table 1]
【００３８】＜実施例１＞実施例１では、図１、図２及
び図４（ａ）に示した方法及び表１に示した条件によっ
て、以下のようにして単結晶１６を引き上げた。種結晶
１５は、ドーパントとしてリン（Ｐ）が用いられてお
り、ドーパント濃度は、２×１０20／ｃｍ3である。Example 1 In Example 1, the single crystal 16 was pulled in the following manner by the method shown in FIGS. 1, 2 and 4 (a) and the conditions shown in Table 1. The seed crystal 15 uses phosphorus (P) as a dopant, and the dopant concentration is 2 × 10 20 / cm 3 .
【００３９】まず、直径約１０ｍｍの種結晶１５を溶融
液３３直上まで降下させて種結晶１５の予熱を行い、そ
の後、種結晶１５を溶融液３３の表面に着液させて、種
結晶１５を溶融液３３に馴染ませる。この後、０．２ｍ
ｍ／ｍｉｎの速度で種結晶１５を降下させ、種結晶１５
の先端部１５ａを溶融液３３に浸漬して種結晶１５の先
端部１５ａから約２０ｍｍの範囲を溶かし込む。この後
約０．３ｍｍ／ｍｉｎの引き上げ速度で種結晶１５を引
き上げ、ヒータ３２温度を調節することにより、種結晶
底面１５ａから下方１００ｍｍの範囲に単結晶１６のシ
ョルダー１６ｂを形成し、直径が１２インチとなるまで
成長させた。その後約０．５ｍｍ／ｍｉｎの引き上げ速
度で直径１２インチのメインボディ１６ｃを、長さ約１
０００ｍｍとなるまで成長させた。First, the seed crystal 15 having a diameter of about 10 mm is lowered to just above the melt 33 to preheat the seed crystal 15, and then the seed crystal 15 is allowed to come in contact with the surface of the melt 33 to form the seed crystal 15. Familiar with the melt 33. After this, 0.2m
The seed crystal 15 is lowered at a speed of m / min, and the seed crystal 15
The tip portion 15a of the seed crystal 15 is immersed in the melt 33 to melt a range of about 20 mm from the tip portion 15a of the seed crystal 15. After that, the seed crystal 15 is pulled at a pulling rate of about 0.3 mm / min, and the temperature of the heater 32 is adjusted to form a shoulder 16b of the single crystal 16 within a range of 100 mm below the bottom surface 15a of the seed crystal, and the diameter is 12 Grow to inches. Then, at a pulling rate of about 0.5 mm / min, the main body 16c having a diameter of 12 inches is set to a length of about 1
It was grown to 000 mm.
【００４０】上記実施例１に係る方法により、製造され
た単結晶１６のＤＦ率は９／１０であった。すなわち、
１０本引き上げた内の９本には全く転位の発生が確認さ
れなかった。また、単結晶１６の落下数は０／１０であ
り、単結晶１６の落下は発生しなかった。The DF ratio of the single crystal 16 produced by the method according to Example 1 was 9/10. That is,
Generation of dislocations was not confirmed at all in 9 out of 10 pulled up. The number of single crystals 16 dropped was 0/10, and no single crystals 16 dropped.
【００４１】＜実施例２＞実施例２では、直径６ｍｍの
種結晶１５を用い、その他の条件及び方法は実施例１の
場合と同様に行った。<Example 2> In Example 2, a seed crystal 15 having a diameter of 6 mm was used, and the other conditions and methods were the same as in Example 1.
【００４２】上記実施例２に係る方法により製造された
単結晶１６のＤＦ率は、９／１０であった。すなわち、
１０本引き上げた内の９本には全く転位の発生が確認さ
れなかった。また、単結晶１６の落下数は０／１０であ
り、単結晶１６の落下は発生しなかった。The DF ratio of the single crystal 16 produced by the method according to Example 2 was 9/10. That is,
Generation of dislocations was not confirmed at all in 9 out of 10 pulled up. The number of single crystals 16 dropped was 0/10, and no single crystals 16 dropped.
【００４３】＜比較例１＞比較例１では、図１、図２及
び図４（ａ）に示した方法及び表１に示した条件によっ
て単結晶２６を引き上げた。単結晶２６の引き上げ方法
に関しては、種結晶２５のドーパント濃度を除いては実
施例の場合と同様であり、ここではその説明を省略す
る。また、種結晶２５にはドーパントとしてリン（Ｐ）
が用いられており、ドーパント濃度は１×１０15／ｃｍ
3 とした。Comparative Example 1 In Comparative Example 1, the single crystal 26 was pulled by the method shown in FIGS. 1, 2 and 4 (a) and the conditions shown in Table 1. The method of pulling the single crystal 26 is the same as that of the embodiment except the dopant concentration of the seed crystal 25, and the description thereof is omitted here. In addition, the seed crystal 25 contains phosphorus (P) as a dopant.
Is used, and the dopant concentration is 1 × 10 15 / cm
It was set to 3 .
【００４４】上記比較例１に係る方法により製造された
単結晶２６のＤＦ率は、６／１０であった。すなわち、
１０本引き上げた内の６本には、全く転位の発生が確認
されなかった。また、単結晶２６の落下数は、０／１０
であり、単結晶２６の落下は発生しなかった。The DF ratio of the single crystal 26 manufactured by the method according to Comparative Example 1 was 6/10. That is,
Generation of dislocations was not confirmed at all in 6 out of 10 pulled up. In addition, the number of drops of the single crystal 26 is 0/10.
Therefore, the single crystal 26 did not drop.
【００４５】＜比較例２＞比較例２では、図４（ｂ）及
び図５に示した方法及び表１に示した条件によって単結
晶４６を引き上げた。種結晶４５には、ドーパントとし
てリン（Ｐ）が用いられており、ドーパント濃度は実施
例の場合と同様に２×１０20／ｃｍ3 とした。Comparative Example 2 In Comparative Example 2, the single crystal 46 was pulled up by the method shown in FIGS. 4B and 5 and the conditions shown in Table 1. Phosphorus (P) was used as the dopant in the seed crystal 45, and the dopant concentration was set to 2 × 10 20 / cm 3 as in the case of the example.
【００４６】まず、直径１８ｍｍの種結晶４５を溶融液
３３直上まで降下させて種結晶４５の予熱を行い、その
後種結晶４５を溶融液３３の表面に着液させ種結晶４５
を溶融液３３に馴染ませる。この後約３ｍｍ／分の速さ
でヒータ３２の温度を調節しながら種結晶４５を引き上
げて、直径約１０ｍｍ、長さ約１００ｍｍのネック４６
ａを形成する。次に０．３ｍｍ／ｍｉｎの引き上げ速度
で種結晶４５を引き上げ、ヒータ３２の温度を調節する
ことにより、ネック４６ａの下端から下方１００ｍｍの
範囲に単結晶４６のショルダー４６ｂを形成して、直径
が１２インチとなるまで成長させた。その後０．５ｍｍ
／ｍｉｎの引き上げ速度で直径１２インチのメインボデ
ィ４６ｃを、長さ１０００ｍｍとなるまで成長させた。First, the seed crystal 45 having a diameter of 18 mm is lowered to just above the melt 33 to preheat the seed crystal 45, and then the seed crystal 45 is allowed to come in contact with the surface of the melt 33 and the seed crystal 45.
To the melt 33. Thereafter, the seed crystal 45 is pulled up while adjusting the temperature of the heater 32 at a speed of about 3 mm / min, and a neck 46 having a diameter of about 10 mm and a length of about 100 mm is formed.
a is formed. Next, the seed crystal 45 is pulled up at a pulling rate of 0.3 mm / min, and the temperature of the heater 32 is adjusted to form a shoulder 46b of the single crystal 46 within a range of 100 mm below the lower end of the neck 46a, and the diameter of the shoulder 46b is reduced. Grow to 12 inches. Then 0.5 mm
The main body 46c having a diameter of 12 inches was grown at a pulling rate of / min to a length of 1000 mm.
【００４７】上記比較例２に係る方法により製造された
単結晶４６のＤＦ率は０／１０であった。すなわち、引
き上げた単結晶４６全てに対して、転位の発生が確認さ
れた。一方、単結晶４６の落下数は０／１０となり、単
結晶４６の落下は発生しなかった。The DF ratio of the single crystal 46 manufactured by the method according to Comparative Example 2 was 0/10. That is, generation of dislocations was confirmed in all the pulled single crystals 46. On the other hand, the number of drops of the single crystal 46 was 0/10, and the single crystal 46 did not drop.
【００４８】以上の結果から明らかなように、実施例１
に係る種結晶１５によれば、Ｐのドーパント濃度が２×
１０20／ｃｍ3 にあり、一般的なＰドーパント濃度（１
×１０15／ｃｍ3 ）よりも高く、前記着液時に導入され
た転位が種結晶１５の上部方向に伝播するのに要する応
力レベルを、通常よりも高くすることができた。すなわ
ち、通常よりも高い応力が働かない限り前記転位は伝播
しないため、前記着液時に転位が導入された部分（先端
部１５ａ）を適度な速度で溶融液に溶かし込むことによ
り、転位を伝播させることなく転位が導入された部分
（先端部１５ａ）を除去することができ、転位のない種
結晶を基にした単結晶の引き上げを可能とすることがで
きた。このため引き上げた単結晶の無転位化率を高める
ことができた。As is clear from the above results, Example 1
According to the seed crystal 15 according to 1), the P dopant concentration is 2 ×
10 20 / cm 3, which is a general P dopant concentration (1
The stress level required for propagating the dislocations introduced at the time of landing in the upper direction of the seed crystal 15 was higher than usual, which was higher than × 10 15 / cm 3 ). That is, since the dislocation does not propagate unless a stress higher than usual works, the dislocation is propagated by melting the portion where the dislocation is introduced (the tip portion 15a) at the time of landing in the melt at an appropriate speed. It was possible to remove the portion where the dislocations were introduced (the tip portion 15a) without causing dislocation, and it was possible to pull up the single crystal based on the dislocation-free seed crystal. Therefore, the dislocation-free rate of the pulled single crystal could be increased.
【００４９】また、実施例１に係る単結晶１６の引き上
げ方法によれば、前記ネッキング工程が不要となること
により、細いネック３６ａ（図４）によって単結晶１６
を支持する必要性がなくなり、種結晶径（１０ｍｍ）が
すなわち単結晶１６を支持するにあたっての最細部径と
なり、大重量の単結晶１６（３００ｋｇ）であっても落
下等の事故発生の心配もなく安全に引き上げることがで
きた。Further, according to the method of pulling the single crystal 16 according to the first embodiment, the necking step is not required, and thus the single crystal 16 is formed by the thin neck 36a (FIG. 4).
There is no need to support the seed crystal, and the seed crystal diameter (10 mm) is the smallest diameter for supporting the single crystal 16, and even if the single crystal 16 has a large weight (300 kg), there is a risk of accidents such as falling. I was able to safely pull it up.
【００５０】さらに、溶かし込む種結晶１５の長さ
（Ｌ）が種結晶径以上の２０ｍｍであるため、転位が導
入された部分をほとんど溶かし込むことができ、残りを
無転位部分のみからなる種結晶１５とすることができ、
該無転位部分のみからなる種結晶１５を用いて単結晶１
６を引き上げることにより、単結晶１６の歩留まりを向
上させることができた。Further, since the length (L) of the seed crystal 15 to be melted is 20 mm or more, which is equal to or larger than the diameter of the seed crystal, it is possible to melt most of the dislocation-introduced portion, and the rest is composed of only dislocation-free portions. Can be crystal 15,
Single crystal 1 using seed crystal 15 consisting of only dislocation-free portions
By pulling up 6, the yield of the single crystal 16 could be improved.
【００５１】また、実施例２に係る種結晶１５によれ
ば、種結晶径（ｌ）が６ｍｍあるため、３００ｋｇ程度
の大重量の単結晶１６を引き上げた場合であっても、種
結晶１５がシリコン強度（約１６ｋｇｆ／ｍｍ2 ）から
算出して十分な強度を有するため、種結晶１５の破損に
よる単結晶１６の落下等の事故の心配が少なく、安全に
単結晶１６を引き上げることができた。また種結晶１５
は従来１２ｍｍ程度であったものを６ｍｍ程度まで細く
したため体積にして１／４となり、種結晶１５に要する
原料コストを削減することができた。Further, according to the seed crystal 15 according to Example 2, since the seed crystal diameter (l) is 6 mm, the seed crystal 15 can be obtained even when a large weight single crystal 16 of about 300 kg is pulled up. Since it has sufficient strength calculated from silicon strength (about 16 kgf / mm 2 ), there is little concern about accident such as dropping of the single crystal 16 due to breakage of the seed crystal 15, and the single crystal 16 could be pulled up safely. . Seed crystal 15
Was reduced to about 6 mm from what was conventionally about 12 mm, so that the volume was reduced to 1/4 and the raw material cost required for the seed crystal 15 could be reduced.
【００５２】一方、比較例１に係る種結晶２５によれ
ば、実施例の場合と略同様の効果が得られたが、ドーパ
ント濃度が１×１０15／ｃｍ3 と従来程度であるため、
製品歩留まりにおいて実施例には及ばなかった。On the other hand, according to the seed crystal 25 of Comparative Example 1, substantially the same effect as that of the example was obtained, but the dopant concentration was 1 × 10 15 / cm 3, which was about the conventional level,
The product yield was lower than that of the example.
【００５３】他方、比較例２に係る種結晶４５によれ
ば、実施例と同様のドーパント濃度（２×１０20／ｃｍ
3 ）としたにもかかわらず、引き上げられた単結晶４６
全てにおいて転位が発生した。これは、図１に示す溶か
し込みの工程を行っていないためにシードに転位が存在
し、ネック４６ａの直径が１０ｍｍと大きく、種結晶４
５に存在する転位が抜け切れなかったためであると考え
られる。On the other hand, according to the seed crystal 45 of Comparative Example 2, the same dopant concentration (2 × 10 20 / cm 2) as that of the Example was used.
3 ) Despite this, the pulled single crystal 46
Dislocations occurred in all. This is because the seed has dislocations because the melting step shown in FIG. 1 is not performed, the diameter of the neck 46a is as large as 10 mm, and the seed crystal 4
It is considered that this is because the dislocations existing in No. 5 could not be completely eliminated.
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態に係る
単結晶引き上げ方法を、工程順に示した模式的部分側面
図である。1A to 1D are schematic partial side views showing a single crystal pulling method according to an embodiment of the present invention in the order of steps.
【図２】実施の形態に係る単結晶引き上げ方法により、
単結晶を引き上げている状態を示した模式的断面図であ
る。FIG. 2 shows a method of pulling a single crystal according to an embodiment.
It is a typical sectional view showing the state where a single crystal is pulled up.
【図３】種結晶に作用する応力と、前記種結晶に存在す
る転位が、応力によって伝播する速度との関係を示した
グラフである。FIG. 3 is a graph showing the relationship between the stress acting on a seed crystal and the speed at which dislocations existing in the seed crystal propagate due to stress.
【図４】（ａ）、（ｂ）は、実施例、比較例１及び比較
例２に係る種結晶及び該種結晶を用いた単結晶引き上げ
方法を説明するために示した、模式的部分拡大側面図で
ある。4 (a) and 4 (b) are schematic partial enlargements shown for explaining a seed crystal according to Example, Comparative Example 1 and Comparative Example 2 and a single crystal pulling method using the seed crystal. It is a side view.
【図５】ＣＺ法で使用される単結晶引き上げ装置の要部
を示した、模式的断面図である。FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a main part of a single crystal pulling apparatus used in the CZ method.
１５、２５、３５、４５ （単結晶引き上げ用）種結晶 １５ａ、２５ａ、３５ａ、４５ａ （種結晶の）先端部 １６、２６、３６、４６ 単結晶 15, 25, 35, 45 Seed crystal (for pulling single crystal) 15a, 25a, 35a, 45a (Seed crystal) tip portion 16, 26, 36, 46 Single crystal
Claims (5)
れ、ドーパント濃度が１×１０19〜１×１０21／ｃｍ3
の範囲にあることを特徴とする、単結晶引き上げ用種結
晶。1. Phosphorus (P) is used as a dopant, and the dopant concentration is 1 × 10 19 to 1 × 10 21 / cm 3.
A seed crystal for pulling a single crystal, characterized in that
れ、ドーパント濃度が５×１０19〜６×１０20／ｃｍ3
の範囲にあることを特徴とする、単結晶引き上げ用種結
晶。2. Boron (B) is used as a dopant, and the dopant concentration is 5 × 10 19 to 6 × 10 20 / cm 3.
A seed crystal for pulling a single crystal, characterized in that
する、請求項１又は請求項２記載の単結晶引き上げ用種
結晶。3. The seed crystal for pulling a single crystal according to claim 1, which has a seed crystal diameter of 6 mm or more.
結晶を用い、該種結晶の先端部を溶融液に浸漬して溶か
し込んだ後、ネックを形成せずに単結晶を引き上げるこ
とを特徴とする、単結晶引き上げ方法。4. A single crystal is formed without forming a neck by using the seed crystal according to any one of claims 1 to 3 and immersing the tip of the seed crystal in a melt to melt it. A method for pulling a single crystal, which comprises pulling.
することを特徴とする、請求項４記載の単結晶引き上げ
方法。5. The method for pulling a single crystal according to claim 4, wherein the length of the seed crystal to be melted is not less than the seed crystal diameter.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8055647A JP3050120B2 (en) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | Single crystal pulling seed crystal and single crystal pulling method using the seed crystal |
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|---|---|---|---|
| JP8055647A JP3050120B2 (en) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | Single crystal pulling seed crystal and single crystal pulling method using the seed crystal |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09249492A true JPH09249492A (en) | 1997-09-22 |
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Country Status (1)
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| Publication number | Publication date |
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| JP3050120B2 (en) | 2000-06-12 |
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