JPH09246694A - 導電性厚膜を有する回路基板及びその製造方法 - Google Patents
導電性厚膜を有する回路基板及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH09246694A JPH09246694A JP5487196A JP5487196A JPH09246694A JP H09246694 A JPH09246694 A JP H09246694A JP 5487196 A JP5487196 A JP 5487196A JP 5487196 A JP5487196 A JP 5487196A JP H09246694 A JPH09246694 A JP H09246694A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thick film
- conductive
- film
- conductive thick
- circuit board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】耐めっき性に優れかつ表面平滑性の高い導電性
厚膜を、その厚膜の種類に拘わらずに比較的容易に得る
ことができる。 【解決手段】回路基板１０の基板本体１１上に金属粒子
１３及びこの金属粒子を結合するガラス１４を有する導
電性厚膜１２が形成され、この導電性厚膜の表面にめっ
き膜１６が形成される。本発明の特徴ある構成は、導電
性厚膜の表面粗さが中心線平均粗さで０．２μｍ以下で
あるところにある。本発明の回路基板を製造するには、
先ず基板本体上に導電性ペーストを塗布した後に導電性
ペーストを乾燥して焼成することにより基板本体上に導
電性厚膜を形成する。次に導電性厚膜の表面に機械的研
摩を施すことにより導電性厚膜の表面粗さを中心線平均
粗さで０．２μｍ以下にする。更に機械的研摩が施され
た導電性厚膜の表面に電解めっき法又は無電解めっき法
によりめっき膜を形成する。
厚膜を、その厚膜の種類に拘わらずに比較的容易に得る
ことができる。 【解決手段】回路基板１０の基板本体１１上に金属粒子
１３及びこの金属粒子を結合するガラス１４を有する導
電性厚膜１２が形成され、この導電性厚膜の表面にめっ
き膜１６が形成される。本発明の特徴ある構成は、導電
性厚膜の表面粗さが中心線平均粗さで０．２μｍ以下で
あるところにある。本発明の回路基板を製造するには、
先ず基板本体上に導電性ペーストを塗布した後に導電性
ペーストを乾燥して焼成することにより基板本体上に導
電性厚膜を形成する。次に導電性厚膜の表面に機械的研
摩を施すことにより導電性厚膜の表面粗さを中心線平均
粗さで０．２μｍ以下にする。更に機械的研摩が施され
た導電性厚膜の表面に電解めっき法又は無電解めっき法
によりめっき膜を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体を実装する
のに適した回路基板及びその製造方法に関する。更に詳
しくは表面がめっき膜により被覆される導電性厚膜を有
する回路基板及びその製造方法に関するものである。
のに適した回路基板及びその製造方法に関する。更に詳
しくは表面がめっき膜により被覆される導電性厚膜を有
する回路基板及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の回路基板として、図２に
示すように基板本体１上に金属粒子３及びこの金属粒子
３を結合するガラス４を有する導電性厚膜２が形成さ
れ、この導電性厚膜２の表面にめっき膜６が形成された
回路基板９が知られている。この回路基板の製造方法
を、基板本体１、導電性厚膜２及びめっき膜６として、
それぞれＡｌ2Ｏ3基板、Ｃｕ厚膜及びＣｕめっき膜を用
いた場合を例にとって説明する。先ずＣｕ粉末とガラス
粉末とエチルセルロースとテレピネオールとを所定の量
比で混合・混練して導電性ペーストを準備する。上記ペ
ーストをスクリーン印刷法によりＡｌ2Ｏ3基板１上に塗
布し、乾燥する。乾燥後、所定の雰囲気中で所定の温度
に保持することにより、上記導電性ペーストを焼成し
て、Ａｌ2Ｏ3基板１上にＣｕ厚膜２を形成する。焼成後
のＣｕ厚膜２をＡｌ2Ｏ3基板１とともに硫酸銅めっき液
に浸漬し、このめっき液に所定の電流密度の電流を所定
時間流し、Ｃｕめっき膜６を形成する。このようにして
回路基板９が得られる。
示すように基板本体１上に金属粒子３及びこの金属粒子
３を結合するガラス４を有する導電性厚膜２が形成さ
れ、この導電性厚膜２の表面にめっき膜６が形成された
回路基板９が知られている。この回路基板の製造方法
を、基板本体１、導電性厚膜２及びめっき膜６として、
それぞれＡｌ2Ｏ3基板、Ｃｕ厚膜及びＣｕめっき膜を用
いた場合を例にとって説明する。先ずＣｕ粉末とガラス
粉末とエチルセルロースとテレピネオールとを所定の量
比で混合・混練して導電性ペーストを準備する。上記ペ
ーストをスクリーン印刷法によりＡｌ2Ｏ3基板１上に塗
布し、乾燥する。乾燥後、所定の雰囲気中で所定の温度
に保持することにより、上記導電性ペーストを焼成し
て、Ａｌ2Ｏ3基板１上にＣｕ厚膜２を形成する。焼成後
のＣｕ厚膜２をＡｌ2Ｏ3基板１とともに硫酸銅めっき液
に浸漬し、このめっき液に所定の電流密度の電流を所定
時間流し、Ｃｕめっき膜６を形成する。このようにして
回路基板９が得られる。
【０００３】しかし、上記従来の回路基板では、Ｃｕ厚
膜２がポーラスな構造を有する、即ちＣｕ厚膜２はＣｕ
粒子３とこのＣｕ粒子３を結合するガラス４とこの厚膜
２中に発生した空洞５とを有するため、Ｃｕ厚膜２を形
成したＡｌ2Ｏ3基板１を硫酸銅めっき液に浸漬したとき
に、このめっき液が上記空洞５を通ってＣｕ厚膜２中に
浸透する。この結果、Ｃｕ厚膜２中のガラス４が酸性の
強い硫酸銅めっき液に溶解するので、Ｃｕ厚膜２とＡｌ
2Ｏ3基板１との密着性やＣｕ厚膜２自体の強度が低下す
る問題点があった。
膜２がポーラスな構造を有する、即ちＣｕ厚膜２はＣｕ
粒子３とこのＣｕ粒子３を結合するガラス４とこの厚膜
２中に発生した空洞５とを有するため、Ｃｕ厚膜２を形
成したＡｌ2Ｏ3基板１を硫酸銅めっき液に浸漬したとき
に、このめっき液が上記空洞５を通ってＣｕ厚膜２中に
浸透する。この結果、Ｃｕ厚膜２中のガラス４が酸性の
強い硫酸銅めっき液に溶解するので、Ｃｕ厚膜２とＡｌ
2Ｏ3基板１との密着性やＣｕ厚膜２自体の強度が低下す
る問題点があった。
【０００４】この点を解消するために、酸化ルテニウム
粉末と、Ａｇ及び又はＰｄ粉末とを合計で１５〜３５重
量％と、ＴｉＯ2を１〜５重量％含有する硼硅酸鉛系ガ
ラス粉末５５〜４０重量％と、酸化ビスマス粉末１〜５
重量％及びＡｌ2Ｏ3粉末１〜５重量％と、有機質ビヒク
ル１５〜２８重量％とを含有する厚膜導電ペーストが開
示されている（特公平３−１１４８３）。この厚膜導電
ペーストでは、ペーストを５５０〜７００℃という比較
的低温で焼成しても、十分に耐摩耗性及び耐酸性を有す
る導電性厚膜が得られる。この結果、信頼性を有するタ
ッチパネルの製造が可能となるとともに、上記導電性厚
膜の表面にめっき膜を形成するために、強い酸性又はア
ルカリ性のめっき液に浸漬しても、導電性厚膜が形成さ
れた基板とこの厚膜との密着性が低下することはなく、
導電性厚膜の強度が低下することもない。
粉末と、Ａｇ及び又はＰｄ粉末とを合計で１５〜３５重
量％と、ＴｉＯ2を１〜５重量％含有する硼硅酸鉛系ガ
ラス粉末５５〜４０重量％と、酸化ビスマス粉末１〜５
重量％及びＡｌ2Ｏ3粉末１〜５重量％と、有機質ビヒク
ル１５〜２８重量％とを含有する厚膜導電ペーストが開
示されている（特公平３−１１４８３）。この厚膜導電
ペーストでは、ペーストを５５０〜７００℃という比較
的低温で焼成しても、十分に耐摩耗性及び耐酸性を有す
る導電性厚膜が得られる。この結果、信頼性を有するタ
ッチパネルの製造が可能となるとともに、上記導電性厚
膜の表面にめっき膜を形成するために、強い酸性又はア
ルカリ性のめっき液に浸漬しても、導電性厚膜が形成さ
れた基板とこの厚膜との密着性が低下することはなく、
導電性厚膜の強度が低下することもない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の厚
膜導電ペーストでは、多種多様な導電性厚膜に対して、
それぞれ耐めっき性を向上させるには、ペースト及びめ
っき液の種類に応じて、それぞれに適合したガラス粉末
を、その都度作製する必要があり、作業性及び製造工程
の管理が煩わしくなる不具合があった。本発明の目的
は、耐めっき性に優れかつ表面平滑性の高い導電性厚膜
を、その厚膜の種類に拘わらずに比較的容易に得られ
る、導電性厚膜を有する回路基板及びその製造方法を提
供することにある。
膜導電ペーストでは、多種多様な導電性厚膜に対して、
それぞれ耐めっき性を向上させるには、ペースト及びめ
っき液の種類に応じて、それぞれに適合したガラス粉末
を、その都度作製する必要があり、作業性及び製造工程
の管理が煩わしくなる不具合があった。本発明の目的
は、耐めっき性に優れかつ表面平滑性の高い導電性厚膜
を、その厚膜の種類に拘わらずに比較的容易に得られ
る、導電性厚膜を有する回路基板及びその製造方法を提
供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１に示すように、基板本体１１上に形成され金属粒子
１３及びこの金属粒子１３を結合するガラス１４を有す
る導電性厚膜１２と、導電性厚膜１２の表面に形成され
ためっき膜１６とを備えた導電性厚膜を有する回路基板
の改良である。その特徴ある構成は、導電性厚膜１２の
表面粗さが中心線平均粗さで０．２μｍ以下であるとこ
ろにある。この導電性厚膜を有する回路基板では、導電
性厚膜１２の表面を平滑化することにより、この厚膜１
２上に薄膜多層回路を形成することができる。請求項２
に係る発明は、請求項１に係る発明であって、更に導電
性厚膜がＣｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｌ，Ｗ及び
Ｍｏからなる群より選ばれた１種又は２種以上の金属を
含むことを特徴とする。
図１に示すように、基板本体１１上に形成され金属粒子
１３及びこの金属粒子１３を結合するガラス１４を有す
る導電性厚膜１２と、導電性厚膜１２の表面に形成され
ためっき膜１６とを備えた導電性厚膜を有する回路基板
の改良である。その特徴ある構成は、導電性厚膜１２の
表面粗さが中心線平均粗さで０．２μｍ以下であるとこ
ろにある。この導電性厚膜を有する回路基板では、導電
性厚膜１２の表面を平滑化することにより、この厚膜１
２上に薄膜多層回路を形成することができる。請求項２
に係る発明は、請求項１に係る発明であって、更に導電
性厚膜がＣｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｌ，Ｗ及び
Ｍｏからなる群より選ばれた１種又は２種以上の金属を
含むことを特徴とする。
【０００７】請求項３に係る発明は、図１に示すよう
に、基板本体１１上に金属粉末及びガラス粉末を有する
導電性ペーストを塗布した後に導電性ペーストを乾燥し
て焼成することにより基板本体１１上に導電性厚膜１２
を形成する工程と、導電性厚膜１２の表面に機械的研摩
を施すことにより導電性厚膜１２の表面粗さを中心線平
均粗さで０．２μｍ以下にする工程と、機械的研摩が施
された導電性厚膜１２の表面に電解めっき法又は無電解
めっき法によりめっき膜１６を形成する工程とを含む導
電性厚膜を有する回路基板の製造方法である。この導電
性厚膜を有する回路基板の製造方法では、導電性厚膜１
２表面を研摩することにより、導電性厚膜１２表面の金
属粒子１３が押しつぶされ、元来ポーラスな構造を有し
ていた導電性厚膜１２表面を緻密な構造に変えることが
できる。この結果、研磨された導電性厚膜１２を有する
基板本体１１をめっき液に浸漬したとき、導電性厚膜１
２中にめっき液が浸透するのを抑制できるので、上記め
っき液による導電性厚膜１２中のガラス１４の溶解を防
止できる。請求項４に係る発明は、請求項３に係る発明
であって、更に導電性ペーストがＣｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐ
ｄ，Ｐｔ，Ａｌ，Ｗ及びＭｏからなる群より選ばれた１
種又は２種以上の金属を含むことを特徴とする。
に、基板本体１１上に金属粉末及びガラス粉末を有する
導電性ペーストを塗布した後に導電性ペーストを乾燥し
て焼成することにより基板本体１１上に導電性厚膜１２
を形成する工程と、導電性厚膜１２の表面に機械的研摩
を施すことにより導電性厚膜１２の表面粗さを中心線平
均粗さで０．２μｍ以下にする工程と、機械的研摩が施
された導電性厚膜１２の表面に電解めっき法又は無電解
めっき法によりめっき膜１６を形成する工程とを含む導
電性厚膜を有する回路基板の製造方法である。この導電
性厚膜を有する回路基板の製造方法では、導電性厚膜１
２表面を研摩することにより、導電性厚膜１２表面の金
属粒子１３が押しつぶされ、元来ポーラスな構造を有し
ていた導電性厚膜１２表面を緻密な構造に変えることが
できる。この結果、研磨された導電性厚膜１２を有する
基板本体１１をめっき液に浸漬したとき、導電性厚膜１
２中にめっき液が浸透するのを抑制できるので、上記め
っき液による導電性厚膜１２中のガラス１４の溶解を防
止できる。請求項４に係る発明は、請求項３に係る発明
であって、更に導電性ペーストがＣｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐ
ｄ，Ｐｔ，Ａｌ，Ｗ及びＭｏからなる群より選ばれた１
種又は２種以上の金属を含むことを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面に
基づいて詳しく説明する。図１に示すように、本発明の
回路基板１０は基板本体１１上に形成された導電性厚膜
１２と、導電性厚膜１２の表面に形成されためっき膜１
６とを備える。導電性厚膜１２は金属粒子１３とこの金
属粒子１３を結合するガラス１４とを有し、導電性厚膜
１２の表面粗さは機械的研摩により中心線平均粗さで
０．２μｍ以下に形成される。また上記導電性厚膜１２
はＣｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｌ，Ｗ及びＭｏか
らなる群より選ばれた１種又は２種以上の金属を含む。
１５は導電性厚膜１２の内部に形成された空洞である。
基づいて詳しく説明する。図１に示すように、本発明の
回路基板１０は基板本体１１上に形成された導電性厚膜
１２と、導電性厚膜１２の表面に形成されためっき膜１
６とを備える。導電性厚膜１２は金属粒子１３とこの金
属粒子１３を結合するガラス１４とを有し、導電性厚膜
１２の表面粗さは機械的研摩により中心線平均粗さで
０．２μｍ以下に形成される。また上記導電性厚膜１２
はＣｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｌ，Ｗ及びＭｏか
らなる群より選ばれた１種又は２種以上の金属を含む。
１５は導電性厚膜１２の内部に形成された空洞である。
【０００９】このように構成された回路基板は以下のよ
うにして製造される。 (a) 導電性ペーストの調製 導電性ペーストとしては、粒度が２００メッシュ以上の
金属粉末及びガラス粉末にエチルセルロース等の有機バ
インダとテレピネオール等の有機溶剤が添加されたもの
が用いられる。上記ペースト中の金属粉末はＣｕ，Ａ
ｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｌ，Ｗ及びＭｏからなる群よ
り選ばれた１種又は２種以上の金属を含む。またガラス
粉末としては、上記金属粉末の溶融温度以下で軟化或い
は溶融し、金属粉末や基板本体と接着するものを使用す
る。例えば、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3系やＳｉＯ2−
Ｂ2Ｏ3−ＰｂＯ系等の酸化物系ガラスを用いることが好
ましい。また導電性ペースト中の金属粉末とガラス粉末
との量比は、６０重量％：４０重量％から９５重量％：
５重量％の範囲にあることが好ましい。上記範囲に限定
したのは、金属粉末が６０重量％より少なくなると焼成
後に得られる導電性厚膜の抵抗値が高くなり、金属粉末
が９５重量％を越えると導電性厚膜の強度が低下するか
らである。
うにして製造される。 (a) 導電性ペーストの調製 導電性ペーストとしては、粒度が２００メッシュ以上の
金属粉末及びガラス粉末にエチルセルロース等の有機バ
インダとテレピネオール等の有機溶剤が添加されたもの
が用いられる。上記ペースト中の金属粉末はＣｕ，Ａ
ｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｌ，Ｗ及びＭｏからなる群よ
り選ばれた１種又は２種以上の金属を含む。またガラス
粉末としては、上記金属粉末の溶融温度以下で軟化或い
は溶融し、金属粉末や基板本体と接着するものを使用す
る。例えば、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3系やＳｉＯ2−
Ｂ2Ｏ3−ＰｂＯ系等の酸化物系ガラスを用いることが好
ましい。また導電性ペースト中の金属粉末とガラス粉末
との量比は、６０重量％：４０重量％から９５重量％：
５重量％の範囲にあることが好ましい。上記範囲に限定
したのは、金属粉末が６０重量％より少なくなると焼成
後に得られる導電性厚膜の抵抗値が高くなり、金属粉末
が９５重量％を越えると導電性厚膜の強度が低下するか
らである。
【００１０】(b) 導電性ペーストの基板本体への形成及
びこのペーストの焼成 上記導電性ペーストをスクリーン印刷法等により基板本
体１１上に塗布し、所定の雰囲気中で７０〜２００℃に
５〜３０分間保持して乾燥する。乾燥後、所定の雰囲気
中で５００〜１０００℃に５〜３０分間保持することに
より、上記導電性ペーストを焼成して、基板本体１１上
に膜厚が５〜５０μｍの導電性厚膜１２を形成する。こ
の導電性厚膜１２は金属粒子１３と、この金属粒子１３
を結合するガラス１４と、厚膜１２の内部に発生した空
洞１５とを有する。基板本体としては、Ａｌ2Ｏ3基板，
ＡｌＮ基板又はムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）基
板等の絶縁性セラミック基板や、銅基板，タングステン
基板又はモリブデン基板等の金属基板等が用いられる。
基板本体として金属基板を用いる場合には、この基板と
導電性厚膜との間に絶縁体層としてほうろう層又は誘電
体層が介装される。
びこのペーストの焼成 上記導電性ペーストをスクリーン印刷法等により基板本
体１１上に塗布し、所定の雰囲気中で７０〜２００℃に
５〜３０分間保持して乾燥する。乾燥後、所定の雰囲気
中で５００〜１０００℃に５〜３０分間保持することに
より、上記導電性ペーストを焼成して、基板本体１１上
に膜厚が５〜５０μｍの導電性厚膜１２を形成する。こ
の導電性厚膜１２は金属粒子１３と、この金属粒子１３
を結合するガラス１４と、厚膜１２の内部に発生した空
洞１５とを有する。基板本体としては、Ａｌ2Ｏ3基板，
ＡｌＮ基板又はムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）基
板等の絶縁性セラミック基板や、銅基板，タングステン
基板又はモリブデン基板等の金属基板等が用いられる。
基板本体として金属基板を用いる場合には、この基板と
導電性厚膜との間に絶縁体層としてほうろう層又は誘電
体層が介装される。
【００１１】(c) 導電性厚膜の研摩 基板本体１１上の導電性厚膜１２は、一般的な金属の研
摩方法により研磨される。粒度が４０〜１５００メッシ
ュの砥粒を所定の接着剤により研摩布に固着し、水溶性
の研削液を注ぎながら、上記研摩布を基板本体上の導電
性厚膜表面に均一に所定の圧力で押付け、５００〜２０
００ｍ／分の速度で移動させることにより、導電性厚膜
１２表面を研摩する。砥粒としてはＡｌ2Ｏ3，ＳｉＣ，
ガーネット，ダイヤモンド等の微粒子が用いられ、接着
剤としては膠やレジン等の接着剤が用いられ、更に研摩
布としてはクラフト紙やナイロン繊維の不織布等により
形成されたシートが用いられる。この研摩により導電性
厚膜の表面粗さを中心線平均粗さで０．２μｍ以下にす
ることが好ましい。上記研摩により導電性厚膜１２表面
の金属粒子１３が押しつぶされ、導電性厚膜１２表面が
金属粒子１３に隙間なく覆われて緻密な構造となる。
摩方法により研磨される。粒度が４０〜１５００メッシ
ュの砥粒を所定の接着剤により研摩布に固着し、水溶性
の研削液を注ぎながら、上記研摩布を基板本体上の導電
性厚膜表面に均一に所定の圧力で押付け、５００〜２０
００ｍ／分の速度で移動させることにより、導電性厚膜
１２表面を研摩する。砥粒としてはＡｌ2Ｏ3，ＳｉＣ，
ガーネット，ダイヤモンド等の微粒子が用いられ、接着
剤としては膠やレジン等の接着剤が用いられ、更に研摩
布としてはクラフト紙やナイロン繊維の不織布等により
形成されたシートが用いられる。この研摩により導電性
厚膜の表面粗さを中心線平均粗さで０．２μｍ以下にす
ることが好ましい。上記研摩により導電性厚膜１２表面
の金属粒子１３が押しつぶされ、導電性厚膜１２表面が
金属粒子１３に隙間なく覆われて緻密な構造となる。
【００１２】(d) 研磨された導電性厚膜表面へのめっき
膜の形成 研摩された導電性厚膜１２表面には電解めっき法又は無
電解めっき法によりめっき膜１６を形成する。 電解めっき法 研摩された導電性厚膜１２を有する基板本体１１を、所
定のめっき液に浸漬した状態で、所定の電流密度で所定
時間通電することにより、導電性厚膜１２の表面にめっ
き膜１６を形成する。例えば、導電性厚膜がＣｕ厚膜
で、めっき膜がＣｕめっき膜の場合には、基板本体を硫
酸銅めっき液に浸漬した状態で、１〜１５Ａ／ｄｍ2の
電流密度で１〜６０分間通電することにより、Ｃｕ厚膜
の表面に０．５〜２０μｍの膜厚のＣｕめっき膜を形成
する。 無電解めっき法 研摩された導電性厚膜をジンケート処理した後、所定の
めっき液に所定時間浸漬することにより、導電性厚膜の
表面にめっき膜を形成する。例えば、導電性厚膜がＡｌ
厚膜で、めっき膜がＮｉめっき膜の場合には、この厚膜
をジンケート処理した後、無電解Ｎｉめっき液に１〜６
０分間浸漬することにより、Ａｌ厚膜の表面に０．５〜
２０μｍの膜厚のＮｉめっき膜を形成する。
膜の形成 研摩された導電性厚膜１２表面には電解めっき法又は無
電解めっき法によりめっき膜１６を形成する。 電解めっき法 研摩された導電性厚膜１２を有する基板本体１１を、所
定のめっき液に浸漬した状態で、所定の電流密度で所定
時間通電することにより、導電性厚膜１２の表面にめっ
き膜１６を形成する。例えば、導電性厚膜がＣｕ厚膜
で、めっき膜がＣｕめっき膜の場合には、基板本体を硫
酸銅めっき液に浸漬した状態で、１〜１５Ａ／ｄｍ2の
電流密度で１〜６０分間通電することにより、Ｃｕ厚膜
の表面に０．５〜２０μｍの膜厚のＣｕめっき膜を形成
する。 無電解めっき法 研摩された導電性厚膜をジンケート処理した後、所定の
めっき液に所定時間浸漬することにより、導電性厚膜の
表面にめっき膜を形成する。例えば、導電性厚膜がＡｌ
厚膜で、めっき膜がＮｉめっき膜の場合には、この厚膜
をジンケート処理した後、無電解Ｎｉめっき液に１〜６
０分間浸漬することにより、Ａｌ厚膜の表面に０．５〜
２０μｍの膜厚のＮｉめっき膜を形成する。
【００１３】
【実施例】次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく
説明する。 ＜実施例１＞図１に示すように、先ず粒度が３２５メッ
シュ以上のＣｕ粉末を８０ｇ、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ｐｂ
Ｏ系ガラス粉末を２０ｇ、エチルセルロースを１．５
ｇ、テレピネオールを２０ｇの量比で混合・混練された
導電性ペーストを準備した。上記ペーストをスクリーン
印刷法により縦５０ｍｍ、横５０ｍｍ及び厚さ１ｍｍの
Ａｌ2Ｏ3基板１１上に塗布し、大気雰囲気中１２０℃に
１０分間保持して乾燥した。乾燥後、Ｏ2濃度が５ｐｐ
ｍのＮ2雰囲気中で６００℃に１０分間保持することに
より、上記導電性ペーストを焼成して、Ａｌ2Ｏ3基板１
１上に膜厚が２０μｍのＣｕ厚膜１２を形成した。この
Ｃｕ厚膜１２はＣｕ粒子１３と、Ｃｕ粒子１３を結合す
るガラス１４と、厚膜１２の内部に発生した空洞１５と
を有する。
説明する。 ＜実施例１＞図１に示すように、先ず粒度が３２５メッ
シュ以上のＣｕ粉末を８０ｇ、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ｐｂ
Ｏ系ガラス粉末を２０ｇ、エチルセルロースを１．５
ｇ、テレピネオールを２０ｇの量比で混合・混練された
導電性ペーストを準備した。上記ペーストをスクリーン
印刷法により縦５０ｍｍ、横５０ｍｍ及び厚さ１ｍｍの
Ａｌ2Ｏ3基板１１上に塗布し、大気雰囲気中１２０℃に
１０分間保持して乾燥した。乾燥後、Ｏ2濃度が５ｐｐ
ｍのＮ2雰囲気中で６００℃に１０分間保持することに
より、上記導電性ペーストを焼成して、Ａｌ2Ｏ3基板１
１上に膜厚が２０μｍのＣｕ厚膜１２を形成した。この
Ｃｕ厚膜１２はＣｕ粒子１３と、Ｃｕ粒子１３を結合す
るガラス１４と、厚膜１２の内部に発生した空洞１５と
を有する。
【００１４】焼成後のＣｕ厚膜１２に、粒度が６００メ
ッシュのＡｌ2Ｏ3微粒子を接着剤により接着したナイロ
ン繊維の不織布シートからなる研摩布を密着させ、この
研摩布をＡｌ2Ｏ3基板１１に対して６００ｍ／分の速度
で移動させて、Ｃｕ厚膜１２表面の研摩を行った。研摩
量はＣｕ厚膜１２の膜厚減少量で４μｍであった。研摩
されたＣｕ厚膜１２をＡｌ2Ｏ3基板１１とともに硫酸銅
めっき液に浸漬し、このめっき液に電流密度が２Ａ／ｄ
ｍ2の電流を２０分間流し、膜厚が５μｍのＣｕめっき
膜１６を形成した。このようにして製造された回路基板
１０を実施例１とした。 ＜比較例１＞図示しないが、実施例１のＣｕ厚膜の表面
を研磨しないことを除いて、上記実施例１と同様にして
製造した回路基板を比較例１とした。
ッシュのＡｌ2Ｏ3微粒子を接着剤により接着したナイロ
ン繊維の不織布シートからなる研摩布を密着させ、この
研摩布をＡｌ2Ｏ3基板１１に対して６００ｍ／分の速度
で移動させて、Ｃｕ厚膜１２表面の研摩を行った。研摩
量はＣｕ厚膜１２の膜厚減少量で４μｍであった。研摩
されたＣｕ厚膜１２をＡｌ2Ｏ3基板１１とともに硫酸銅
めっき液に浸漬し、このめっき液に電流密度が２Ａ／ｄ
ｍ2の電流を２０分間流し、膜厚が５μｍのＣｕめっき
膜１６を形成した。このようにして製造された回路基板
１０を実施例１とした。 ＜比較例１＞図示しないが、実施例１のＣｕ厚膜の表面
を研磨しないことを除いて、上記実施例１と同様にして
製造した回路基板を比較例１とした。
【００１５】＜比較試験１及び評価＞実施例１及び比較
例１の回路基板のＣｕめっき膜上にビニール製テープを
用いて、一辺が２ｍｍの正方形のパッドを形成し、この
パッド上に直径１ｍｍのＣｕ線を固定し、６２Ｓｎ−３
６Ｐｂ−２Ａｇはんだを用いてはんだ付けを行い、ピー
リング試験を行った。なお、実施例１及び比較例１の試
料数をそれぞれ１０とした。実施例１では、上記Ｃｕ厚
膜の密着強度の平均値が３．０ｋｇｆ／２ｍｍ2であ
り、その破断モードは全て基板本体内であったのに対
し、比較例１では、上記Ｃｕ厚膜の密着強度の平均値が
０．６ｋｇｆ／２ｍｍ2であり、その破断モードは全て
Ｃｕ厚膜と基板本体の界面であった。この結果、実施例
１の研摩処理を施したＣｕ厚膜とＡｌ2Ｏ3基板との密着
性は、比較例１の無研摩のＣｕ厚膜よりも遙かに優れて
いることが判明した。
例１の回路基板のＣｕめっき膜上にビニール製テープを
用いて、一辺が２ｍｍの正方形のパッドを形成し、この
パッド上に直径１ｍｍのＣｕ線を固定し、６２Ｓｎ−３
６Ｐｂ−２Ａｇはんだを用いてはんだ付けを行い、ピー
リング試験を行った。なお、実施例１及び比較例１の試
料数をそれぞれ１０とした。実施例１では、上記Ｃｕ厚
膜の密着強度の平均値が３．０ｋｇｆ／２ｍｍ2であ
り、その破断モードは全て基板本体内であったのに対
し、比較例１では、上記Ｃｕ厚膜の密着強度の平均値が
０．６ｋｇｆ／２ｍｍ2であり、その破断モードは全て
Ｃｕ厚膜と基板本体の界面であった。この結果、実施例
１の研摩処理を施したＣｕ厚膜とＡｌ2Ｏ3基板との密着
性は、比較例１の無研摩のＣｕ厚膜よりも遙かに優れて
いることが判明した。
【００１６】＜実施例２＞図示しないが、先ず粒度が３
２５メッシュ以上のＡｌ粉末を７０ｇ、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ
3−Ｂｉ2Ｏ3系ガラス粉末を３０ｇ、エチルセルロース
を２．０ｇ、テレピネオールを２５ｇの量比で混合・混
練された導電性ペーストを準備した。上記ペーストをス
クリーン印刷法により縦５０ｍｍ、横５０ｍｍ及び厚さ
１ｍｍのＡｌ2Ｏ3基板上に塗布し、大気雰囲気中１２０
℃に１０分間保持して乾燥した。乾燥後、Ｏ2濃度が５
ｐｐｍのＮ2雰囲気中で５００℃に１０分間保持するこ
とにより、上記導電性ペーストを焼成して、膜厚が１５
μｍのＡｌ厚膜を形成した。このＡｌ厚膜はＡｌ粒子
と、このＡｌ粒子を結合するガラスと、厚膜の内部に発
生した空洞とを有する。
２５メッシュ以上のＡｌ粉末を７０ｇ、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ
3−Ｂｉ2Ｏ3系ガラス粉末を３０ｇ、エチルセルロース
を２．０ｇ、テレピネオールを２５ｇの量比で混合・混
練された導電性ペーストを準備した。上記ペーストをス
クリーン印刷法により縦５０ｍｍ、横５０ｍｍ及び厚さ
１ｍｍのＡｌ2Ｏ3基板上に塗布し、大気雰囲気中１２０
℃に１０分間保持して乾燥した。乾燥後、Ｏ2濃度が５
ｐｐｍのＮ2雰囲気中で５００℃に１０分間保持するこ
とにより、上記導電性ペーストを焼成して、膜厚が１５
μｍのＡｌ厚膜を形成した。このＡｌ厚膜はＡｌ粒子
と、このＡｌ粒子を結合するガラスと、厚膜の内部に発
生した空洞とを有する。
【００１７】焼成後のＡｌ厚膜に、粒度が６００メッシ
ュのＡｌ2Ｏ3微粒子を接着剤により接着したナイロン繊
維の不織布シートからなる研摩布を密着させ、この研摩
布をＡｌ2Ｏ3基板に対して６００ｍ／分の速度で移動さ
せて、Ａｌ厚膜表面の研摩を行った。研摩量はＡｌ厚膜
の膜厚減少量で４μｍであった。研摩されたＡｌ厚膜を
ジンケート処理後、Ａｌ2Ｏ3基板とともに無電解Ｎｉめ
っき液に２０分間浸漬し、膜厚が５μｍのＮｉめっき膜
を形成した。このように製造された回路基板を実施例２
とした。 ＜比較例２＞実施例２の導電性厚膜の表面を研磨しない
ことを除いて、上記実施例２と同様にして製造した回路
基板を比較例２とした。
ュのＡｌ2Ｏ3微粒子を接着剤により接着したナイロン繊
維の不織布シートからなる研摩布を密着させ、この研摩
布をＡｌ2Ｏ3基板に対して６００ｍ／分の速度で移動さ
せて、Ａｌ厚膜表面の研摩を行った。研摩量はＡｌ厚膜
の膜厚減少量で４μｍであった。研摩されたＡｌ厚膜を
ジンケート処理後、Ａｌ2Ｏ3基板とともに無電解Ｎｉめ
っき液に２０分間浸漬し、膜厚が５μｍのＮｉめっき膜
を形成した。このように製造された回路基板を実施例２
とした。 ＜比較例２＞実施例２の導電性厚膜の表面を研磨しない
ことを除いて、上記実施例２と同様にして製造した回路
基板を比較例２とした。
【００１８】＜比較試験２及び評価＞実施例２及び比較
例２の回路基板のＮｉめっき膜上にビニール製テープを
用いて、一辺が２ｍｍの正方形のパッドを形成し、この
パッド上に直径１ｍｍのＣｕ線を固定し、６２Ｓｎ−３
６Ｐｂ−２Ａｇはんだを用いてはんだ付けを行い、ピー
リング試験を行った。なお、実施例１及び比較例１の試
料数をそれぞれ１０とした。実施例２では、上記Ａｌ厚
膜の密着強度の平均値が２．５ｋｇｆ／２ｍｍ2であ
り、その破断モードは全て基板本体内であったのに対
し、比較例２では、上記Ａｌ厚膜の密着強度の平均値が
０．４ｋｇｆ／２ｍｍ2であり、その破断モードは全て
Ａｌ厚膜と基板本体の界面であった。この結果、実施例
１の研摩処理を施したＡｌ厚膜とＡｌ2Ｏ3基板との密着
性は、比較例１の無研摩のＡｌ厚膜よりも遙かに優れて
いることが判明した。
例２の回路基板のＮｉめっき膜上にビニール製テープを
用いて、一辺が２ｍｍの正方形のパッドを形成し、この
パッド上に直径１ｍｍのＣｕ線を固定し、６２Ｓｎ−３
６Ｐｂ−２Ａｇはんだを用いてはんだ付けを行い、ピー
リング試験を行った。なお、実施例１及び比較例１の試
料数をそれぞれ１０とした。実施例２では、上記Ａｌ厚
膜の密着強度の平均値が２．５ｋｇｆ／２ｍｍ2であ
り、その破断モードは全て基板本体内であったのに対
し、比較例２では、上記Ａｌ厚膜の密着強度の平均値が
０．４ｋｇｆ／２ｍｍ2であり、その破断モードは全て
Ａｌ厚膜と基板本体の界面であった。この結果、実施例
１の研摩処理を施したＡｌ厚膜とＡｌ2Ｏ3基板との密着
性は、比較例１の無研摩のＡｌ厚膜よりも遙かに優れて
いることが判明した。
【００１９】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、基
板本体上に形成された導電性厚膜の表面粗さを中心線平
均粗さで０．２μｍ以下に形成したので、従来凹凸の大
きかった導電性厚膜の表面が平滑化される。この結果、
上記導電性厚膜上に薄膜多層回路を形成することができ
る。また基板本体上に金属粉末及びガラス粉末を有する
導電性ペーストを塗布した後に導電性ペーストを乾燥し
て焼成することにより基板本体上に導電性厚膜を形成
し、導電性厚膜の表面に機械的研摩を施すことにより導
電性厚膜の表面粗さを中心線平均粗さで０．２μｍ以下
にし、更に機械的研摩が施された導電性厚膜の表面に電
解めっき法又は無電解めっき法によりめっき膜を形成す
れば、導電性厚膜表面の研摩により、導電性厚膜表面の
金属粒子が押しつぶされ、元来ポーラスな構造を有して
いた導電性厚膜表面を緻密な構造に変えることができ
る。この結果、研磨された導電性厚膜を有する基板本体
をめっき液に浸漬したとき、導電性厚膜中にめっき液が
浸透するのを抑制できる。従って、上記めっき液による
導電性厚膜中のガラスの溶解を防止できるので、基板本
体との密着性や厚膜自体の強度の低下を防止できる。
板本体上に形成された導電性厚膜の表面粗さを中心線平
均粗さで０．２μｍ以下に形成したので、従来凹凸の大
きかった導電性厚膜の表面が平滑化される。この結果、
上記導電性厚膜上に薄膜多層回路を形成することができ
る。また基板本体上に金属粉末及びガラス粉末を有する
導電性ペーストを塗布した後に導電性ペーストを乾燥し
て焼成することにより基板本体上に導電性厚膜を形成
し、導電性厚膜の表面に機械的研摩を施すことにより導
電性厚膜の表面粗さを中心線平均粗さで０．２μｍ以下
にし、更に機械的研摩が施された導電性厚膜の表面に電
解めっき法又は無電解めっき法によりめっき膜を形成す
れば、導電性厚膜表面の研摩により、導電性厚膜表面の
金属粒子が押しつぶされ、元来ポーラスな構造を有して
いた導電性厚膜表面を緻密な構造に変えることができ
る。この結果、研磨された導電性厚膜を有する基板本体
をめっき液に浸漬したとき、導電性厚膜中にめっき液が
浸透するのを抑制できる。従って、上記めっき液による
導電性厚膜中のガラスの溶解を防止できるので、基板本
体との密着性や厚膜自体の強度の低下を防止できる。
【図１】本発明の導電性厚膜を有する回路基板の要部断
面図。
面図。
【図２】従来例を示す回路基板の図１に対応する要部断
面図。
面図。
１０ 回路基板 １１ Ａｌ2Ｏ3基板（基板本体） １２ Ｃｕ厚膜（導電性厚膜） １３ Ｃｕ粒子（金属粒子） １４ ガラス １６ Ｃｕめっき膜
Claims (4)
- 【請求項１】 基板本体(11)上に形成され金属粒子(13)
及びこの金属粒子(13)を結合するガラス(14)を有する導
電性厚膜(12)と、前記導電性厚膜(12)の表面に形成され
ためっき膜(16)とを備えた導電性厚膜を有する回路基板
において、 前記導電性厚膜(12)の表面粗さが中心線平均粗さで０．
２μｍ以下であることを特徴とする導電性厚膜を有する
回路基板。 - 【請求項２】 導電性厚膜がＣｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，
Ｐｔ，Ａｌ，Ｗ及びＭｏからなる群より選ばれた１種又
は２種以上の金属を含む請求項１記載の導電性厚膜を有
する回路基板。 - 【請求項３】 基板本体(11)上に金属粉末及びガラス粉
末を有する導電性ペーストを塗布した後に前記導電性ペ
ーストを乾燥して焼成することにより前記基板本体(11)
上に導電性厚膜(12)を形成する工程と、 前記導電性厚膜(12)の表面に機械的研摩を施すことによ
り前記導電性厚膜(12)の表面粗さを中心線平均粗さで
０．２μｍ以下にする工程と、 前記機械的研摩が施された導電性厚膜(12)の表面に電解
めっき法又は無電解めっき法によりめっき膜(16)を形成
する工程とを含む導電性厚膜を有する回路基板の製造方
法。 - 【請求項４】 導電性ペーストがＣｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐ
ｄ，Ｐｔ，Ａｌ，Ｗ及びＭｏからなる群より選ばれた１
種又は２種以上の金属を含む請求項３記載の導電性厚膜
を有する回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5487196A JPH09246694A (ja) | 1996-03-12 | 1996-03-12 | 導電性厚膜を有する回路基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5487196A JPH09246694A (ja) | 1996-03-12 | 1996-03-12 | 導電性厚膜を有する回路基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246694A true JPH09246694A (ja) | 1997-09-19 |
Family
ID=12982662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5487196A Withdrawn JPH09246694A (ja) | 1996-03-12 | 1996-03-12 | 導電性厚膜を有する回路基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09246694A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004235267A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Kyocera Corp | 太陽電池素子 |
| WO2006132147A1 (ja) * | 2005-06-07 | 2006-12-14 | Fujikura Ltd. | 発光素子実装用ホーロー基板とその製造方法、発光素子モジュール、照明装置、表示装置及び交通信号機 |
| JP2008098658A (ja) * | 2007-11-30 | 2008-04-24 | Tdk Corp | 電子部品を搭載した低温焼成セラミック基板の製造方法 |
| EP1981319A1 (en) * | 2006-01-31 | 2008-10-15 | Tokuyama Corporation | Process for producing metallized ceramic substrate, metallized ceramic substrate produced by the process, and package |
| JP2015056501A (ja) * | 2013-09-11 | 2015-03-23 | セイコーエプソン株式会社 | 回路基板、回路基板の製造方法、電子デバイス、電子機器および移動体 |
| JP2015222841A (ja) * | 2015-09-15 | 2015-12-10 | 株式会社トクヤマ | メタライズドセラミックスビア基板及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-03-12 JP JP5487196A patent/JPH09246694A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004235267A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Kyocera Corp | 太陽電池素子 |
| WO2006132147A1 (ja) * | 2005-06-07 | 2006-12-14 | Fujikura Ltd. | 発光素子実装用ホーロー基板とその製造方法、発光素子モジュール、照明装置、表示装置及び交通信号機 |
| US7572039B2 (en) | 2005-06-07 | 2009-08-11 | Fujikura, Ltd. | Porcelain enamel substrate for mounting light emitting device and method of manufacturing the same, light emitting device module, illumination device, display unit and traffic signal |
| US8382345B2 (en) | 2005-06-07 | 2013-02-26 | Fujikara Ltd. | Porcelain enamel substrate for mounting light emitting device and method of manufacturing the same, light emitting device module, illumination device, display unit and traffic signal |
| EP1981319A1 (en) * | 2006-01-31 | 2008-10-15 | Tokuyama Corporation | Process for producing metallized ceramic substrate, metallized ceramic substrate produced by the process, and package |
| EP1981319A4 (en) * | 2006-01-31 | 2009-12-02 | Tokuyama Corp | PROCESS FOR THE PRODUCTION OF A METALLIC CERAMIC SUBSTRATE, METALLIC CERAMIC SUBSTRATE OBTAINED USING THE SAME, AND PACKAGING |
| US8071187B2 (en) | 2006-01-31 | 2011-12-06 | Tokuyama Corporation | Method for fabricating metallized ceramics substrate, metallized ceramics substrate fabricated by the method, and package |
| JP2008098658A (ja) * | 2007-11-30 | 2008-04-24 | Tdk Corp | 電子部品を搭載した低温焼成セラミック基板の製造方法 |
| JP4505761B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2010-07-21 | Ｔｄｋ株式会社 | 電子部品を搭載した低温焼成セラミック基板の製造方法 |
| JP2015056501A (ja) * | 2013-09-11 | 2015-03-23 | セイコーエプソン株式会社 | 回路基板、回路基板の製造方法、電子デバイス、電子機器および移動体 |
| JP2015222841A (ja) * | 2015-09-15 | 2015-12-10 | 株式会社トクヤマ | メタライズドセラミックスビア基板及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH097877A (ja) | 多層セラミックチップ型コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH09246694A (ja) | 導電性厚膜を有する回路基板及びその製造方法 | |
| JP3772093B2 (ja) | 導電ペースト並びにそれを用いた配線基板及びその製造方法 | |
| JP3495890B2 (ja) | 導電ペースト組成物、導電ペースト組成物の製造方法、表層導体形成方法、およびセラミック多層基板 | |
| JP2000173346A (ja) | 導電性ペースト及びセラミック多層基板 | |
| JPH10283840A (ja) | 窒化アルミ基板用銅導体ペースト及び窒化アルミ基板 | |
| JPH08306816A (ja) | 電極パッド | |
| JPH0737420A (ja) | 導体ペースト組成物及びそれを用いた回路基板 | |
| JPH08167768A (ja) | 回路パターンの形成方法及びそのペースト | |
| JPH0774445A (ja) | 厚膜導体およびその製造方法 | |
| JPS58130590A (ja) | セラミツク配線基板および該セラミツク配線基板を用いた厚膜ハイブリツドｉｃ | |
| JP2000340596A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3935026B2 (ja) | 配線基板 | |
| JPH09205035A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPH08204302A (ja) | グレーズド基板 | |
| JPH07141914A (ja) | 銀ペーストとセラミック電子部品 | |
| JP3689988B2 (ja) | 導電性組成物および多層セラミック基板 | |
| JPS61140195A (ja) | セラミツク配線基板の製法 | |
| JP2000252611A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| JPH05129458A (ja) | セラミツク基板とその製造方法並びにこの基板を用いたセラミツク配線板 | |
| JPH09293953A (ja) | メタライズ基板の製造方法 | |
| JP3631572B2 (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| JPH01260712A (ja) | ペースト組成物および導体 | |
| JPH05320943A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体用メタライズペースト | |
| JPH01260711A (ja) | ペースト組成物および導体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030603 |