JPH09243846A - Production of high specific refractive index difference optical waveguide - Google Patents

Production of high specific refractive index difference optical waveguide

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JPH09243846A
JPH09243846A JP4587196A JP4587196A JPH09243846A JP H09243846 A JPH09243846 A JP H09243846A JP 4587196 A JP4587196 A JP 4587196A JP 4587196 A JP4587196 A JP 4587196A JP H09243846 A JPH09243846 A JP H09243846A
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JP
Japan
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film
refractive index
core
optical waveguide
sio
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Katsuyuki Imoto
克之 井本
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Hitachi Cable Ltd
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Hitachi Cable Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To increase the difference between the refractive index of a core and the refractive index of a clad layer by forming a buffer layer by using an SiO2 film doped with fluorine, forming a core film thereon and subjecting the film to a heat treatment. SOLUTION: The buffer layer 21 consisting of the F-doped SiO2 film is formed on a substrate 20 and the core film 22a consisting of the N-doped SiO2 film is formed thereon and is subjected to the heat treatment. The heat treatment tap. of this time is set at a high temp. of about 1200 deg.C. A WSi film 25a is formed on the core film 22a and photoresist patterns 26 are formed thereon. The WSi patterns 25 are formed by using the photoresist patterns 26 as a mask and the cores 22 having an approximately rectangular sectional shape are formed by patterning the core film 22a with the WSi patterns 25 as a mask. The WSi patterns 25 on the cores 22 are peeled. The surfaces of the buffer layers 21 and the cores 22 are covered with clad layer 23 consisting of the F-doped SiO2 film.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高比屈折率差光導
波路の製造方法に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method of manufacturing a high relative index difference optical waveguide.

【０００２】[0002]

【従来の技術】光ファイバ通信技術の発展に伴い、光デ
バイスには大量生産性、高信頼性、結合の無調整
化、自動組立化、低損失化等が要求されるようにな
った。これらの課題を解決するために導波路型の光デバ
イスが注目されるようになってきた。2. Description of the Related Art With the development of optical fiber communication technology, optical devices have been required to have mass productivity, high reliability, adjustment-free coupling, automatic assembly, and low loss. In order to solve these problems, a waveguide type optical device has been attracting attention.

【０００３】光導波路の中で、特に石英系ガラス光導波
路は、低損失で、光ファイバとの接続損失も非常に小さ
いため、将来の光導波路として有望視されている。石英
系ガラス光導波路の製造方法としては火炎堆積法が知ら
れている。図７（ａ）〜図７（ｆ）は光導波路の製造方
法（火炎堆積法）の従来例を示す図である。Among the optical waveguides, the silica glass optical waveguide is particularly promising as a future optical waveguide because of its low loss and very small connection loss with an optical fiber. A flame deposition method is known as a method for manufacturing a quartz glass optical waveguide. FIG. 7A to FIG. 7F are diagrams showing a conventional example of a method for manufacturing an optical waveguide (flame deposition method).

【０００４】これはシリコン基板１上へ石英ガラスから
なるバッファ用多孔質膜２ａ及びバッファ用多孔質膜２
ａ上に屈折率制御用添加物（Ｔｉ或いはＧｅ等）を含ん
だ石英ガラスからなるコア用多孔質膜３ａを形成し（図
７（ａ））、それらの加熱透明化によりバッファ層２及
びコア膜３ｂを持つ平面光導波路膜を形成する（図７
（ｂ））。マスク４を用いたドライエッチングプロセス
によるパターン化によって凸状断面形状又は矩形断面形
状のコア３を有する３次元光導波路を形成する（図７
（ｃ）、（ｄ））。この３次元光導波路上に石英ガラス
からなるクラッド用多孔質膜５ａを形成し（図７
（ｅ））、その加熱透明化によりクラッド層５を形成す
ることにより実現されている（図７（ｆ）、宮下：光導
波路技術、１．最近の光導波路技術、O plus E No.78 p
p.59-67 ）。This is because a buffer porous film 2a and a buffer porous film 2 made of quartz glass are formed on a silicon substrate 1.
A core porous film 3a made of quartz glass containing a refractive index control additive (Ti or Ge, etc.) is formed on a (FIG. 7 (a)), and the buffer layer 2 and the core are made transparent by heating them. A planar optical waveguide film having a film 3b is formed (FIG. 7).
(B)). A three-dimensional optical waveguide having a core 3 having a convex sectional shape or a rectangular sectional shape is formed by patterning by a dry etching process using the mask 4 (FIG. 7).
(C), (d)). On this three-dimensional optical waveguide, a porous film 5a for cladding made of quartz glass is formed (see FIG. 7).
(E)), which is realized by forming the cladding layer 5 by heat-transparency (Fig. 7 (f), Miyashita: optical waveguide technology, 1. recent optical waveguide technology, O plus E No.78 p.
p.59-67).

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７に
示した石英系ガラス導波路の製造方法には次のような問
題があった。However, the method of manufacturing the silica glass waveguide shown in FIG. 7 has the following problems.

【０００６】(1) コア３の屈折率とクラッド層５の屈折
率との差の大きいガラス導波路を製造するために屈折率
制御用添加物を含んだコアガラス膜をバッファ層の上に
形成すると、基板全体が熱膨張係数の違いによって反り
を生じ、その反り量が１０μｍをはるかに超える大きな
値となるので、高寸法精度の光回路をパターニングする
ことが難しい。この点で屈折率差を大きくするには限界
があった。(1) A core glass film containing a refractive index controlling additive is formed on a buffer layer in order to manufacture a glass waveguide having a large difference in refractive index between the core 3 and the cladding layer 5. Then, the entire substrate is warped due to the difference in the coefficient of thermal expansion, and the amount of the warpage becomes a large value far exceeding 10 μm, so that it is difficult to pattern an optical circuit with high dimensional accuracy. In this respect, there is a limit to increase the difference in refractive index.

【０００７】(2) 屈折率の高いコア用多孔質膜を堆積さ
せても、図７（ｂ）の焼結プロセスで屈折率制御用添加
物が揮散してしまい、屈折率の高いコア３を実現するこ
とが難しく、１．４７を超えることができず比屈折率差
Δの限界は１％であった。(2) Even if a porous film for core having a high refractive index is deposited, the additive for controlling the refractive index is volatilized in the sintering process of FIG. It was difficult to realize, and it could not exceed 1.47, and the limit of the relative refractive index difference Δ was 1%.

【０００８】(3) 屈折率制御用添加物を多く含んだコア
３を図７（ｄ）に示すように、ドライエッチングプロセ
スによりパターニングすると、コア３を構成するＳｉＯ
2 のエッチング速度と屈折率制御用添加物のエッチング
速度との違いによってエッチング側面が凹凸状に荒れて
散乱損失が増加する。(3) When the core 3 containing a large amount of the refractive index controlling additive is patterned by a dry etching process as shown in FIG.
Due to the difference between the etching rate of 2 and the etching rate of the refractive index controlling additive, the etching side surface is roughened to increase the scattering loss.

【０００９】(4) 透明で緻密な膜を形成するため２回の
焼結プロセス（図７（ｂ），（ｆ））があるので製造時
間が長くかかる。このため電気、ガス、水道等の消費量
が増加する。(4) Since there are two sintering processes (FIGS. 7B and 7F) to form a transparent and dense film, the manufacturing time is long. Therefore, consumption of electricity, gas, water, etc. increases.

【００１０】(5) 図７（ａ），（ｅ）の多孔質膜形成プ
ロセスでは膜中にＯＨ基が混入し、これによる吸収損失
によって光導波路の損失が増加する。(5) In the porous film forming process shown in FIGS. 7 (a) and 7 (e), OH groups are mixed in the film, and the absorption loss caused thereby increases the loss of the optical waveguide.

【００１１】(6) 図８（ａ）に示すように屈折率１．４
６以上の高いコア膜を形成させようとすると、Ｔｉ、Ｇ
ｅ、Ａｌ、Ｐ等の屈折率制御用添加物を１０モル％以上
も添加させなければならない。しかし、それにつれて熱
膨張係数が大きく変化する（図８（ｂ））。そのため、
コア膜形成時に基板が反りを生じ、問題点(1) で述べた
ような問題点につながる。尚、図８（ａ）はＳｉＯ2 中
の添加物濃度と屈折率との関係を示す図であり、図８
（ｂ）はＳｉＯ2 中への添加物濃度と膨張係数との関係
を示す図である。図８（ａ）において横軸が添加物濃
度、縦軸が屈折率を示し、図８（ｂ）において横軸が添
加物濃度、縦軸が膨張係数を示す。(6) As shown in FIG. 8A, the refractive index is 1.4
When trying to form a high core film of 6 or more, Ti, G
It is necessary to add 10 mol% or more of refractive index controlling additives such as e, Al and P. However, the coefficient of thermal expansion greatly changes accordingly (FIG. 8B). for that reason,
The substrate warps when forming the core film, which leads to the problem described in problem (1). Incidentally, FIG. 8A is a diagram showing the relationship between the additive concentration in SiO 2 and the refractive index.
(B) is a diagram showing the relationship between the additive concentration in SiO 2 and the expansion coefficient. In FIG. 8A, the horizontal axis represents the additive concentration and the vertical axis represents the refractive index. In FIG. 8B, the horizontal axis represents the additive concentration and the vertical axis represents the expansion coefficient.

【００１２】そこで、本発明者は、逆にクラッドの屈折
率を、ＦをドープすることによりＳｉＯ2 よりも低い値
にし、結果的にコアとクラッド層との比屈折率差Δを大
きくとることを考え、プラズマＣＶＤ法によってＦをド
ープしたＳｉＯ2 を形成し、その膜の屈折率の熱処理温
度依存性を評価した。Therefore, the present inventors conversely set the refractive index of the clad to a value lower than that of SiO 2 by doping F, and consequently increase the relative refractive index difference Δ between the core and the clad layer. Considering the above, SiO 2 doped with F was formed by the plasma CVD method, and the heat treatment temperature dependence of the refractive index of the film was evaluated.

【００１３】図９はＳｉ基板上にＦをドープしたＳｉＯ
2 膜を形成し、熱処理温度を変化させたときのＦドープ
ＳｉＯ2 膜の屈折率との関係を示す図である。横軸は熱
処理温度を示し、縦軸はＦドープＳｉＯ2 膜の屈折率を
示している。FIG. 9 shows F-doped SiO on a Si substrate.
2 film is formed is a diagram showing the relationship between the refractive index of the F-doped SiO 2 film when changing the heat treatment temperature. The horizontal axis represents the heat treatment temperature, and the vertical axis represents the refractive index of the F-doped SiO 2 film.

【００１４】図９に示すＳｉ基板１０上に形成されたＦ
をドープＳｉＯ2 膜１１は、減圧排気されている反応管
内に、上部電極及び下部電極を設け、下部電極上にＳｉ
基板１０を設置して下部電極に設けたヒータで数百℃に
加熱し、上部電極側より有機オキシシラン系の蒸気、酸
化性ガス、Ｆを含んだガスをＳｉ基板１０上に噴射さ
せ、上部電極及び下部電極間に高周波電圧を印加してプ
ラズマ放電させながら成膜したものである。F formed on the Si substrate 10 shown in FIG.
The doped SiO 2 film 11 is formed by providing an upper electrode and a lower electrode in a reaction tube that is evacuated under reduced pressure,
The substrate 10 is installed and heated to several hundred degrees Celsius by a heater provided on the lower electrode, and a gas containing organic oxysilane-based vapor, oxidizing gas, and F is jetted onto the Si substrate 10 from the upper electrode side, And a film is formed while applying a high frequency voltage between the lower electrodes and causing plasma discharge.

【００１５】ＳｉＯ2 膜１１は直径３インチのＳｉ基板
１０上に約１μｍの厚さに形成し、Ｆを含んだガスの流
量を変えることにより、波長０．６３μｍでの屈折率が
約１．４４８のものと、約１．４５１５のものとの２種
類を作製した。上記Ｓｉ基板１０を４等分に分割し、そ
れぞれ分割した基板を５００℃、８００℃、１０００
℃、１２００℃で熱処理し、屈折率の変化の様子を測定
した。熱処理条件は、電気炉内にＮ2 を５リットル／分
流し、２時間で上記温度まで昇温させ、ついで３時間の
間上記温度に保温し、最後に約３時間かけて室温まで降
下させる条件で行った。The SiO 2 film 11 is formed on the Si substrate 10 having a diameter of 3 inches to a thickness of about 1 μm, and the flow rate of the gas containing F is changed so that the refractive index at a wavelength of 0.63 μm is about 1. Two types were produced, one of 448 and the other of about 1.4515. The Si substrate 10 is divided into four equal parts, and the divided substrates are divided into 500 ° C., 800 ° C. and 1000 ° C., respectively.
C. and 1200.degree. C. were heat-treated, and the state of change in the refractive index was measured. The heat treatment conditions are as follows: N 2 is flown in the electric furnace at a rate of 5 liters / minute, the temperature is raised to the above temperature for 2 hours, the temperature is kept at the above temperature for 3 hours, and finally the temperature is lowered to room temperature for about 3 hours. I went there.

【００１６】その結果、同図に示すように光導波路の熱
処理温度を高くすると、成膜時の屈折率よりもはるかに
高い値の屈折率に変化し、１２００℃の熱処理を施した
後では、その屈折率はＳｉＯ2 の屈折率（１．４５７
５）と略等しいか、又はそれよりも高い値となってしま
い。これでは低屈折率用クラッド膜として使えないこと
が分かった。なぜならば、後述するように、コア膜及び
クラッド膜内に含まれているＯＨ基、Ｓｉ−Ｈ基等によ
る吸収損失を低減するためには、コア膜及びクラッド膜
を１２００℃程度の高温で熱処理することが必須の条件
であるためである。従って、このような高温熱処理を施
しても低屈折率値を保持できる膜、或いは導波路構造、
さらには製造方法の開発が重要になってくる。As a result, as shown in the figure, when the heat treatment temperature of the optical waveguide is increased, the refractive index changes to a value much higher than the refractive index at the time of film formation, and after the heat treatment at 1200 ° C., Its refractive index is that of SiO 2 (1.457).
The value is almost equal to or higher than 5). It has been found that this cannot be used as a cladding film for low refractive index. This is because, as will be described later, in order to reduce the absorption loss due to the OH group, Si—H group, etc. contained in the core film and the clad film, the core film and the clad film are heat-treated at a high temperature of about 1200 ° C. This is because it is an indispensable condition. Therefore, a film or a waveguide structure that can maintain a low refractive index value even when subjected to such high temperature heat treatment,
Furthermore, development of manufacturing methods becomes important.

【００１７】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、コアの屈折率とクラッド層の屈折率との差が大きい
高比屈折率差光導波路の製造方法を提供することにあ
る。Therefore, an object of the present invention is to solve the above problems and to provide a method of manufacturing a high relative refractive index difference optical waveguide in which the difference between the refractive index of the core and the refractive index of the cladding layer is large.

【００１８】[0018]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、基板上にバッファ層を形成し、バッファ層
の上にコア膜を形成し、コア膜に導波路のマスクパター
ンを用いてフォトリソグラフィを施し、略矩形断面形状
のコアを形成し、コア及びバッファ層の上にクラッド層
を形成する高比屈折率差光導波路の製造方法において、
フッ素をドープしたＳｉＯ2 膜を用いてバッファ層を形
成した後上記コア膜を形成し、少なくとも１０００℃で
熱処理を行い、その後フォトリソグラフィを施して略矩
形断面形状のコアを形成し、次いでフッ素をドープした
ＳｉＯ2 膜をクラッド層として形成するものである。In order to achieve the above object, the present invention provides a buffer layer on a substrate, a core film on the buffer layer, and a waveguide mask pattern on the core film. Photolithography is performed to form a core having a substantially rectangular cross-sectional shape, and a clad layer is formed on the core and the buffer layer.
After forming the buffer layer by using a fluorine-doped SiO 2 film, the core film is formed, heat treatment is performed at least at 1000 ° C., and then photolithography is performed to form a core having a substantially rectangular cross-section. The doped SiO 2 film is formed as a cladding layer.

【００１９】上記構成に加え本発明は、バッファ層の屈
折率はＳｉＯ2 の屈折率より低くてもよい。In addition to the above structure, in the present invention, the refractive index of the buffer layer may be lower than that of SiO 2 .

【００２０】上記構成に加え本発明は、クラッド層の上
にＳｉＯ2 保護層を被覆し、その後少なくとも８００℃
で熱処理してもよい。In addition to the above-mentioned constitution, the present invention has a method in which a SiO 2 protective layer is coated on the clad layer and then at least 800 ° C.
Heat treatment.

【００２１】上記構成に加え本発明は、基板にＳｉＯ2
を用いてもよい。In addition to the above structure, the present invention provides a substrate with SiO 2
May be used.

【００２２】上記構成に加え本発明は、マスクパターン
によりコアのみならずバッファ層も略矩形断面形状に形
成してもよい。In addition to the above structure, according to the present invention, not only the core but also the buffer layer may be formed into a substantially rectangular cross section by the mask pattern.

【００２３】フッ素をドープしたＳｉＯ2 膜を用いてバ
ッファ層を形成した後コア膜を形成し、少なくとも１０
００℃で熱処理を行うことにより、コア膜がバッファ層
の保護膜として働き、バッファ層からのフッ素の揮散を
防ぐことができるため、熱処理によるバッファ層の屈折
率上昇を低く抑えることができる。A buffer layer is formed using a fluorine-doped SiO 2 film, and then a core film is formed.
By performing the heat treatment at 00 ° C., the core film functions as a protective film for the buffer layer, and it is possible to prevent the volatilization of fluorine from the buffer layer. Therefore, an increase in the refractive index of the buffer layer due to the heat treatment can be suppressed to a low level.

【００２４】バッファ層の屈折率をＳｉＯ2 の屈折率よ
り低くすることにより、コアとの屈折率差を大きくする
ことができる。By making the refractive index of the buffer layer lower than that of SiO 2 , the refractive index difference with the core can be increased.

【００２５】クラッド層の上にＳｉＯ2 保護層を被覆す
ることにより、熱処理時のフッ素の拡散による揮散が防
止されると共に、ＳｉＯ2 系の光ファイバを接続する際
の接続損失が低下する。By covering the cladding layer with the SiO 2 protective layer, volatilization due to diffusion of fluorine during heat treatment is prevented, and the connection loss when connecting the SiO 2 optical fiber is reduced.

【００２６】基板にＳｉＯ2 を用いることにより、光導
波路の入出力端面にＳｉＯ2 系の光ファイバを接続する
際の接続損失が低下する。The use of SiO 2 as the substrate reduces the connection loss when connecting the SiO 2 optical fiber to the input / output end face of the optical waveguide.

【００２７】コアのみならずバッファ層も略矩形断面形
状に形成することにより、コアの側面が滑らかになると
共に、垂直性よく加工することができる。すなわち、コ
ア膜のみを加工しようとすると、コア膜とバッファ層と
の境界面の不整合が生じやすくなり光散乱による損失を
誘引する。これに対し、バッファ層まで連続的にエッチ
ング加工するとコアとバッファ層との境界面が略連続的
に形成される。By forming not only the core but also the buffer layer to have a substantially rectangular cross section, the side surface of the core can be made smooth and can be processed with good verticality. That is, if only the core film is processed, the interface between the core film and the buffer layer is likely to be misaligned, which causes a loss due to light scattering. On the other hand, when the buffer layer is continuously etched, the boundary surface between the core and the buffer layer is formed substantially continuously.

【００２８】[0028]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.

【００２９】図２は本発明の高比屈折率差光導波路の製
造方法を適用した光導波路の一実施の形態を示す断面図
である。FIG. 2 is a sectional view showing an embodiment of an optical waveguide to which the method for manufacturing a high relative refractive index difference optical waveguide of the present invention is applied.

【００３０】同図に示すように、Ｓｉ或いはＳｉＯ2 系
の基板２０の上にフッ素ＦをドープしたＳｉＯ2 膜（以
下「ＦドープＳｉＯ2 膜」という。）からなるバッファ
層２１が形成されている。このバッファ層２１の上には
略矩形状のコア２２が形成され、コア２２及びバッファ
層２１を覆うように、ＦドープＳｉＯ2 膜からなるクラ
ッド層２３が形成されている。これら基板２０、バッフ
ァ層２１、コア２２及びクラッド層２３で高比屈折率差
光導波路２４が構成されている。As shown in the drawing, a buffer layer 21 made of a fluorine F-doped SiO 2 film (hereinafter referred to as “F-doped SiO 2 film”) is formed on a Si or SiO 2 -based substrate 20. There is. A substantially rectangular core 22 is formed on the buffer layer 21, and a clad layer 23 made of an F-doped SiO 2 film is formed so as to cover the core 22 and the buffer layer 21. The substrate 20, the buffer layer 21, the core 22 and the clad layer 23 constitute a high relative refractive index difference optical waveguide 24.

【００３１】コア２２は、ＳｉＯ2 或いはＳｉＯ2 に
Ｎ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｐ、Ｔａ等の屈折率制御用ドーパント
を少なくとも１種類含んだものからなっている。バッフ
ァ層２１の屈折率とクラッド層２３の屈折率とは略等し
い値となっている。The core 22 is made of SiO 2 or SiO 2 containing at least one dopant for controlling the refractive index such as N, Ge, Ti, P and Ta. The refractive index of the buffer layer 21 and the refractive index of the cladding layer 23 are substantially equal.

【００３２】ここで、図３は光導波路に用いるＦドープ
ＳｉＯ2 膜の屈折率とその熱処理温度との関係を示す図
であり、横軸が熱処理温度、縦軸がＦドープＳｉＯ2 膜
屈折率を示す。Here, FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the refractive index of the F-doped SiO 2 film used for the optical waveguide and its heat treatment temperature, where the horizontal axis is the heat treatment temperature and the vertical axis is the F-doped SiO 2 film refractive index. Indicates.

【００３３】同図に示す測定対象としての光導波路に
は、Ｓｉ基板３０上に、バッファ層としてのＦドープＳ
ｉＯ2 膜３１を約５μｍ形成し、ＦドープＳｉＯ2 膜３
１の上にコア膜としてのＮをドープしたＳｉＯ2 膜（以
下「ＮドープＳｉＯ2 膜」という。）３２を約３μｍ形
成したものを用いた。これらのＳｉＯ2 膜３１、３２
は、プラズマＣＶＤ法によって形成した。但し、Ｎドー
プＳｉＯ2 膜は、プロセスガスとしてＳｉＨ4 とＮ2 と
Ｎ2 Ｏとを用いて成膜した。In the optical waveguide as the measurement object shown in the figure, the F-doped S as the buffer layer is formed on the Si substrate 30.
The io 2 film 31 is formed to a thickness of about 5 μm, and the F-doped SiO 2 film 3
An N-doped SiO 2 film (hereinafter, referred to as “N-doped SiO 2 film”) 32 as a core film was formed on the film No. 1 to have a thickness of about 3 μm. These SiO 2 films 31, 32
Was formed by the plasma CVD method. However, the N-doped SiO 2 film was formed using SiH 4 , N 2 and N 2 O as process gas.

【００３４】上記光導波路を、ＦドープＳｉＯ2 膜３１
のＦドープ量を変えて、波長０．６３μｍでの屈折率が
約１．４４８のものと、約１．４５１５のものとの２種
類作製し、前述した図９と同様な実験測定を行った。An F-doped SiO 2 film 31 is formed on the optical waveguide.
By changing the F-doping amount, the two types of the refractive index at a wavelength of 0.63 μm of about 1.448 and about 1.4515 were prepared, and the same experimental measurement as in FIG. 9 was performed. .

【００３５】図３から、ＦドープＳｉＯ2 膜上に約３μ
ｍの厚いコア膜を形成しておくと、高い温度で熱処理を
施しても、ＦドープＳｉＯ2 膜の屈折率の上昇は図９に
示した特性曲線と比較してはるかに小さいことが分かる
（図３の特性曲線に示すように、ＦドープＳｉＯ2 膜の
屈折率の熱処理温度依存性は本発明者が見出したもので
あり、本発明の高比屈折率差光導波路の製造方法におけ
る重要な要素である。）。From FIG. 3, about 3 μ is formed on the F-doped SiO 2 film.
When a thick core film having a thickness of m is formed, the increase in the refractive index of the F-doped SiO 2 film is much smaller than that of the characteristic curve shown in FIG. 9 even if the heat treatment is performed at a high temperature ( As shown in the characteristic curve of FIG. 3, the heat treatment temperature dependence of the refractive index of the F-doped SiO 2 film was found by the present inventor, and is important in the method for manufacturing a high relative refractive index difference optical waveguide of the present invention. It is an element.)

【００３６】このように本発明者は、ＦドープＳｉＯ2
膜上に約３μｍの厚いコア膜を形成しておくと、高い熱
処理温度で熱処理を施してもＦドープＳｉＯ2 膜の屈折
率の上昇は、コア膜を形成しないで熱処理を施したもの
と比較してはるかに小さいことが分った。このことか
ら、Ｆドープ膜を高温で熱処理する場合には、その膜上
には必ずＦの拡散による揮散を防ぐように保護膜を形成
しておいてから行えばよいことを見出した。本発明の高
比屈折率差光導波路の製造方法はこの事実を基にして構
成されている。As described above, the present inventor has proposed that F-doped SiO 2
When a thick core film with a thickness of about 3 μm is formed on the film, the increase in the refractive index of the F-doped SiO 2 film even when heat-treated at a high heat-treatment temperature is higher than that when heat-treated without forming the core film. Then I found that it was much smaller. From this, it has been found that when the F-doped film is heat-treated at a high temperature, a protective film may be formed on the film to prevent volatilization by diffusion of F. The method of manufacturing the high relative refractive index difference optical waveguide of the present invention is constructed based on this fact.

【００３７】以下、本発明の高比屈折率差光導波路の製
造方法について図１（ａ）〜図１（ｇ）を参照して説明
する。図１（ａ）〜図１（ｇ）は本発明の高比屈折率差
光導波路の製造方法の一実施の形態を示す工程図であ
る。A method of manufacturing the high relative refractive index difference optical waveguide of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 (a) to 1 (g). 1A to 1G are process diagrams showing an embodiment of a method for manufacturing a high relative refractive index difference optical waveguide of the present invention.

【００３８】まず、Ｓｉ或いはＳｉＯ2 系の基板２０上
に、「ＦドープＳｉＯ2 膜」からなるバッファ層２１を
前述したプラズマＣＶＤ法によって形成する（図１
（ａ））。First, the buffer layer 21 made of the "F-doped SiO 2 film" is formed on the Si or SiO 2 substrate 20 by the plasma CVD method described above (FIG. 1).
(A)).

【００３９】バッファ層２１の上にＮドープＳｉＯ2 膜
からなるコア膜２２ａを同じくプラズマＣＶＤ法によっ
て形成する。尚、コア膜２２ａは電子ビーム蒸着法やス
パッタリング法等で形成してもよい。すなわち、タブレ
ットやターゲットとしてＳｉ3 Ｎ4 とＳｉＯ2 を用いれ
ば、コア膜２２ａを容易に形成することができるためで
ある（図１（ｂ））。On the buffer layer 21, a core film 22a made of an N-doped SiO 2 film is similarly formed by the plasma CVD method. The core film 22a may be formed by an electron beam evaporation method, a sputtering method, or the like. That is, the core film 22a can be easily formed by using Si 3 N 4 and SiO 2 as a tablet or a target (FIG. 1B).

【００４０】これらバッファ層２１及びコア膜２２ａを
形成した後、熱処理を行う。このときの熱処理温度は、
ＮドープＳｉＯ2 膜からなるコア膜２２ａ中のＯＨ基や
Ｓｉ−Ｈ基を低減させるため約１２００℃の高温に設定
する。熱処理中の雰囲気は、前述したＮ2 雰囲気の他に
Ａｒ、Ｏ2 等の雰囲気でもよい。この熱処理を行った段
階において、コア膜２２ａとバッファ層２１との比屈折
率差Δは０．４％から８％近くまで実現することができ
る。After forming the buffer layer 21 and the core film 22a, heat treatment is performed. The heat treatment temperature at this time is
The temperature is set to about 1200 ° C. in order to reduce the OH groups and Si—H groups in the core film 22a made of the N-doped SiO 2 film. The atmosphere during the heat treatment may be an atmosphere such as Ar or O 2 in addition to the N 2 atmosphere described above. At the stage where this heat treatment is performed, the relative refractive index difference Δ between the core film 22a and the buffer layer 21 can be realized from 0.4% to nearly 8%.

【００４１】なぜならば、ＳｉＯ2 とバッファ層２１と
の比屈折率差Δは約−０．４４％もとれ、かつ、コア膜
２２ａとＳｉＯ2 との比屈折率差ΔはＮ濃度を制御する
ことにより、７％強まで得ることができるからである。
このコア膜２２ａとバッファ層２１との組み合わせに
は、いずれも５００℃以下の低温で成膜することができ
ること、基板２０の反りがすくないこと、同じプラズマ
ＣＶＤ装置を使って成膜できることなどの利点がある。This is because the relative refractive index difference Δ between SiO 2 and the buffer layer 21 is about −0.44%, and the relative refractive index difference Δ between the core film 22a and SiO 2 controls the N concentration. By doing so, it is possible to obtain up to a little over 7%.
The combination of the core film 22a and the buffer layer 21 is advantageous in that both can be formed at a low temperature of 500 ° C. or less, warpage of the substrate 20 is small, and the same plasma CVD apparatus can be used for film formation. There is.

【００４２】つまり、ＦドープＳｉＯ2 膜からなるバッ
ファ層２１は、有機オキシシラン系の蒸気の代わりに、
ＳｉＨ4 ガスを用いることによって同性能の膜を形成す
ることができるためである。That is, the buffer layer 21 made of the F-doped SiO 2 film is replaced with the organic oxysilane-based vapor,
This is because a film having the same performance can be formed by using SiH 4 gas.

【００４３】次にコア膜２２ａ上にスパッタリング法に
よってＷＳｉ膜２５ａを形成する。その後、このＷＳｉ
膜２５ａの上にフォトリソグラフィを施すことにより導
波路のマスクパターンとしてのフォトレジストパターン
２６を形成する（図１（ｃ））。Next, a WSi film 25a is formed on the core film 22a by a sputtering method. Then this WSi
Photolithography is performed on the film 25a to form a photoresist pattern 26 as a waveguide mask pattern (FIG. 1C).

【００４４】ついで反応性イオンエッチング装置（図示
せず）を用いてフォトレジストパターンをマスクにして
ＷＳｉパターン２５を形成する。ＷＳｉパターン２５を
形成した後、そのＷＳｉパターン２５上のフォトレジス
トパターンを酸素アッシング装置を用いて除去する（図
１（ｄ））。Then, a WSi pattern 25 is formed using a photoresist pattern as a mask using a reactive ion etching device (not shown). After forming the WSi pattern 25, the photoresist pattern on the WSi pattern 25 is removed using an oxygen ashing device (FIG. 1D).

【００４５】ＷＳｉパターン２５上のフォトレジストパ
ターンが除去されたら、反応性イオンエッチング装置を
用いてＷＳｉパターン２５をマスクとしてコア膜２２ａ
をパターニングし、略矩形断面形状のコア２２を形成す
る（図１（ｅ））。After the photoresist pattern on the WSi pattern 25 is removed, the core film 22a is formed by using the WSi pattern 25 as a mask using a reactive ion etching apparatus.
Is patterned to form a core 22 having a substantially rectangular cross section (FIG. 1E).

【００４６】コア２２を形成した後、反応性イオンエッ
チング装置を用いてコア２２上のＷＳｉパターン２５を
剥離する。尚、ＷＳｉ膜２５ａのパターニングや剥離に
はＮＦ3 ガスを用いて行う。コア膜２２ａのパターニン
グにはＣＨＦ3 ガスを用いて行う（図１（ｆ））。After the core 22 is formed, the WSi pattern 25 on the core 22 is peeled off using a reactive ion etching device. Note that NF 3 gas is used for patterning and peeling of the WSi film 25a. Patterning of the core film 22a is performed using CHF 3 gas (FIG. 1 (f)).

【００４７】最後にバッファ層２１及びコア２２の表面
をＦドープＳｉＯ2 膜からなるクラッド層２３で覆う。
このクラッド層２３は前述のプラズマＣＶＤ法によって
成膜する（図１（ｇ））。Finally, the surfaces of the buffer layer 21 and the core 22 are covered with a clad layer 23 made of an F-doped SiO 2 film.
The clad layer 23 is formed by the plasma CVD method described above (FIG. 1 (g)).

【００４８】以上のような製造方法を用いることによ
り、コア２２の屈折率とクラッド層２３の屈折率との差
が大きい高比屈折率差光導波路２４を実現することがで
きる。図４（ａ）〜図４（ｇ）は本発明の高比屈折率差
光導波路の製造方法の他の実施の形態を示す工程図であ
る。図４（ａ）〜図４（ｆ）までの工程は図１（ａ）〜
図１（ｆ）までの工程と共通であるため説明は省略す
る。By using the above manufacturing method, the high relative refractive index difference optical waveguide 24 having a large difference between the refractive index of the core 22 and the refractive index of the cladding layer 23 can be realized. FIGS. 4A to 4G are process diagrams showing another embodiment of the method for manufacturing a high relative refractive index difference optical waveguide of the present invention. The process from FIG. 4A to FIG. 4F is shown in FIG.
The description is omitted because it is the same as the steps up to FIG.

【００４９】図１に示した工程と異なる点の第１は図４
（ｇ）に示すようにＦドープＳｉＯ2 膜からなるクラッ
ド層２３の上にＳｉＯ2 保護層２７を形成した点であ
り、第２の点はこのＳｉＯ2 保護層２７の形成後、熱処
理を施す点である。ＳｉＯ2 保護層２７は、熱処理を施
すときにＦドープＳｉＯ2 膜の屈折率変化を小さく抑え
るためのものである。このようにＳｉＯ2 保護層の形成
後、熱処理を施すことによりＦドープＳｉＯ2 膜中のＯ
Ｈ基を低減させることができ、より低損失な光導波路２
８を実現することができる。The first difference from the process shown in FIG. 1 is that shown in FIG.
As shown in (g), the SiO 2 protective layer 27 is formed on the clad layer 23 made of the F-doped SiO 2 film, and the second point is that after the SiO 2 protective layer 27 is formed, heat treatment is performed. It is a point. The SiO 2 protective layer 27 is for suppressing the change in the refractive index of the F-doped SiO 2 film when heat treatment is performed. After forming the SiO 2 protective layer as described above, heat treatment is performed to remove O in the F-doped SiO 2 film.
Optical waveguide 2 that can reduce H groups and has lower loss
8 can be realized.

【００５０】図５（ａ）〜図５（ｇ）は本発明の高比屈
折率差光導波路の製造方法のさらに他の実施の形態を示
す工程図である。尚、図５（ａ）〜図５（ｄ）までの工
程は図１（ａ）〜図１（ｄ）までの工程と共通のため説
明は省略する。FIGS. 5 (a) to 5 (g) are process diagrams showing still another embodiment of the method for manufacturing a high relative refractive index difference optical waveguide of the present invention. Note that the steps of FIGS. 5A to 5D are common to the steps of FIGS. 1A to 1D, and the description thereof will be omitted.

【００５１】図１に示した工程と異なる点は図５（ｅ）
に示すように、ＷＳｉパターン２５をマスクにして、Ｆ
ドープＳｉＯ2 膜からなるバッファ層２１とＮドープＳ
ｉＯ2 膜からなるコア膜２２ａとを反応性イオンエッチ
ングにより、同時に略矩形断面形状に加工する点であ
る。すなわち、基板２０上に略矩形断面形状のバッファ
２１ａ及びコア２２を積層する点である（図５
（ｆ））。The difference from the process shown in FIG. 1 is that shown in FIG.
As shown in FIG.
Buffer layer 21 made of doped SiO 2 film and N-doped S
The point is that the core film 22a made of the iO 2 film is simultaneously processed into a substantially rectangular cross-sectional shape by reactive ion etching. That is, the buffer 21a and the core 22 having a substantially rectangular cross section are stacked on the substrate 20 (FIG. 5).
(F)).

【００５２】基板２０、バッファ２１ａ及びコア２２の
表面をＦドープＳｉＯ2 膜からなるクラッド層２３で覆
う（図５（ｇ））。The surfaces of the substrate 20, the buffer 21a and the core 22 are covered with a clad layer 23 made of an F-doped SiO 2 film (FIG. 5 (g)).

【００５３】このような工程によって、図６に示すよう
な構造の光導波路２９を製造することができる。尚、図
４（ｇ）に示したように、クラッド層２３の上にＳｉＯ
2 保護層２７を形成して熱処理工程とを付加してもよ
い。Through the above steps, the optical waveguide 29 having the structure shown in FIG. 6 can be manufactured. As shown in FIG. 4G, SiO 2 is formed on the cladding layer 23.
2 The protective layer 27 may be formed and a heat treatment step may be added.

【００５４】図６は本発明の高比屈折率差光導波路の製
造方法を適用した光導波路の他の実施の形態を示す断面
図である。図２に示した光導波路の実施の形態との相違
点は、ＦドープＳｉＯ2 膜からなるバッファ２１ａの領
域が非常に狭く、コア２２のすぐ真下の領域に限られた
構造となっている点である。このような光導波路２９に
おいても高い比屈折率差が得られる。FIG. 6 is a sectional view showing another embodiment of an optical waveguide to which the method for manufacturing a high relative refractive index difference optical waveguide of the present invention is applied. The difference from the embodiment of the optical waveguide shown in FIG. 2 is that the region of the buffer 21a made of the F-doped SiO 2 film is very narrow and the structure is limited to the region immediately below the core 22. Is. Even in such an optical waveguide 29, a high relative refractive index difference can be obtained.

【００５５】以上において、図１（ａ）〜図１（ｇ）、
図４（ａ）〜図４（ｇ）及び図５（ａ）〜図５（ｇ）に
示した製造方法において、基板２０とバッファ層２１と
の間に、ＳｉＯ2 膜（最大膜厚数μｍ）を形成し、基板
２０とバッファ層２１との密着性を改善したり、基板２
０からバッファ層２１への不純物の混入抑圧用として作
用させるようにしてもよい。さらに図４において、基板
２０にＳｉＯ2 を用いれば、コア２２の屈折率ｎｗが最
も高く、バッファ層２１の屈折率ｎｂがＳｉＯ2 の屈折
率よりも低くなり、またクラッド層２３の屈折率ｎｃも
バッファ層２１の屈折率ｎｂに等しくすれば、バッファ
層２１及びクラッド層２３はいわゆる中間層としての役
目をもち、基板２０とＳｉＯ2 保護層２７が通常のクラ
ッドとして作用することになり、この光導波路の両端面
にＳｉＯ2 系光ファイバを接続する場合に結合損失を小
さくして接続することができるという利点がある。In the above, FIG. 1 (a) to FIG. 1 (g),
In the manufacturing method shown in FIGS. 4A to 4G and FIGS. 5A to 5G, a SiO 2 film (maximum film thickness several μm) is formed between the substrate 20 and the buffer layer 21. ) To improve the adhesion between the substrate 20 and the buffer layer 21,
You may make it act as a thing for suppressing mixing of impurities from 0 to the buffer layer 21. Further, in FIG. 4, when SiO 2 is used for the substrate 20, the refractive index nw of the core 22 is the highest, the refractive index nb of the buffer layer 21 is lower than the refractive index of SiO 2 , and the refractive index nc of the cladding layer 23. If the refractive index nb of the buffer layer 21 is made equal, the buffer layer 21 and the cladding layer 23 serve as so-called intermediate layers, and the substrate 20 and the SiO 2 protective layer 27 act as ordinary cladding. When connecting the SiO 2 optical fibers to both end surfaces of the optical waveguide, there is an advantage that the coupling loss can be reduced and the connection can be performed.

【００５６】同様に図５（ａ）〜図５（ｇ）に示した製
造工程の場合も図４（ｇ）に示したＳｉＯ2 保護層２７
の形成と熱処理工程とを付加すれば、上記のような利点
が得られる。Similarly, in the case of the manufacturing process shown in FIGS. 5A to 5G, the SiO 2 protective layer 27 shown in FIG.
The above-described advantages can be obtained by adding the formation and heat treatment process.

【００５７】以上において本発明の高比屈折率差光導波
路の製造方法には以下のような効果がある。In the above, the method of manufacturing the high relative refractive index difference optical waveguide of the present invention has the following effects.

【００５８】(1) 比屈折率差Δを容易に大きくすること
ができる（最大８％）。しかも、比屈折率差Δを大きく
しても基板の反りは小さく、高寸法精度の光導波路型回
路をさらに小型にでき、それによって低損失、低コスト
化が実現できる。(1) The relative refractive index difference Δ can be easily increased (maximum 8%). Moreover, even if the relative refractive index difference Δ is increased, the warp of the substrate is small, and the optical waveguide type circuit with high dimensional accuracy can be further downsized, thereby realizing low loss and low cost.

【００５９】(2) 約１２００℃の高温熱処理を施すの
で、ＯＨ基やＳｉ−Ｈ基等の不要な吸収損失を大幅に低
減させることができ、かつ、それにもかかわらず従来よ
りもさらに高比屈折率差Δ化を実現することができる。(2) Since high-temperature heat treatment at about 1200 ° C. is performed, unnecessary absorption loss of OH groups, Si—H groups, etc. can be significantly reduced, and nevertheless a higher ratio than before. A refractive index difference Δ can be realized.

【００６０】(3) プラズマＣＶＤ装置を使用するだけで
光導波路のバッファ層、コア膜及びクラッド層、さらに
は保護層を形成することができるので、低コスト化が図
れる。(4) コアを覆うバッファ層、クラッド層の屈折率
をＳｉＯ2 よりも低い値にすることができるので、分散
量の大きい導波路型光デバイス例えば分散補償用光デバ
イスを、小型、低損失で実現することができる。(3) Since the buffer layer of the optical waveguide, the core film and the clad layer, and the protective layer can be formed only by using the plasma CVD apparatus, the cost can be reduced. (4) Since the refractive index of the buffer layer and the cladding layer that cover the core can be set to a value lower than that of SiO 2 , a waveguide type optical device with a large amount of dispersion, such as a dispersion compensating optical device, can be made small and with low loss. Can be realized.

【００６１】[0061]

【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。In summary, according to the present invention, the following excellent effects are exhibited.

【００６２】基板上にバッファ層を形成し、バッファ層
の上にコア膜を形成し、コア膜に導波路のマスクパター
ンを用いてフォトリソグラフィを施して略矩形断面形状
のコアを形成し、コア及びバッファ層の上にクラッド層
を形成する高比屈折率差光導波路の製造方法において、
フッ素をドープしたＳｉＯ2 膜を用いてバッファ層を形
成した後上記コア膜を形成し、少なくとも１０００℃で
熱処理を行い、その後フォトリソグラフィを施して略矩
形断面形状のコアを形成し、次いでフッ素をドープした
ＳｉＯ2 膜をクラッド層として形成するので、コアの屈
折率とクラッド層の屈折率との差が大きい高比屈折率差
光導波路の製造方法を実現することができる。A buffer layer is formed on a substrate, a core film is formed on the buffer layer, and photolithography is performed on the core film using a waveguide mask pattern to form a core having a substantially rectangular cross section. And a method of manufacturing a high relative refractive index difference optical waveguide in which a cladding layer is formed on the buffer layer,
After forming the buffer layer by using a fluorine-doped SiO 2 film, the core film is formed, heat treatment is performed at least at 1000 ° C., and then photolithography is performed to form a core having a substantially rectangular cross-section. Since the doped SiO 2 film is formed as the cladding layer, it is possible to realize a method for manufacturing a high relative refractive index difference optical waveguide in which the difference between the refractive index of the core and the refractive index of the cladding layer is large.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】（ａ）〜（ｇ）は本発明の高比屈折率差光導波
路の製造方法の一実施の形態を示す工程図である。1A to 1G are process drawings showing an embodiment of a method for manufacturing a high relative refractive index difference optical waveguide of the present invention.

【図２】本発明の高比屈折率差光導波路の製造方法を適
用した光導波路の一実施の形態を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing an embodiment of an optical waveguide to which the method for manufacturing a high relative refractive index difference optical waveguide of the present invention is applied.

【図３】光導波路に用いるＦドープＳｉＯ2 膜の屈折率
とその熱処理温度との関係を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the refractive index of an F-doped SiO 2 film used for an optical waveguide and its heat treatment temperature.

【図４】（ａ）〜（ｇ）は本発明の高比屈折率差光導波
路の製造方法の他の実施の形態を示す工程図である。4A to 4G are process diagrams showing another embodiment of the method for manufacturing a high relative refractive index difference optical waveguide of the present invention.

【図５】（ａ）〜（ｇ）本発明の高比屈折率差光導波路
の製造方法のさらに他の実施の形態を示す工程図であ
る。5A to 5G are process diagrams showing still another embodiment of the method for manufacturing a high relative refractive index difference optical waveguide of the present invention.

【図６】本発明の高比屈折率差光導波路の製造方法を適
用した光導波路の他の実施の形態を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing another embodiment of an optical waveguide to which the method for manufacturing a high relative refractive index difference optical waveguide of the present invention is applied.

【図７】（ａ）〜（ｆ）は光導波路の製造方法の従来例
を示す図である。7A to 7F are diagrams showing a conventional example of a method for manufacturing an optical waveguide.

【図８】（ａ）はＳｉＯ2 中への添加物濃度と屈折率と
の関係を示す図であり、（ｂ）はＳｉＯ2 中の添加物濃
度と膨張係数との関係を示す図である。8A is a diagram showing the relationship between the additive concentration in SiO 2 and the refractive index, and FIG. 8B is a diagram showing the relationship between the additive concentration in SiO 2 and the expansion coefficient. .

【図９】Ｓｉ基板上にＦをドープしたＳｉＯ2 膜を形成
し、熱処理温度を変化させたときのＦドープＳｉＯ2 膜
の屈折率との関係を示す図である。9 SiO 2 film is formed doped with F on an Si substrate is a diagram showing the relationship between the refractive index of the F-doped SiO 2 film when changing the heat treatment temperature.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

２０ 基板（Ｓｉ基板） ２１ バッファ層 ２２ コア ２２ａ コア膜 ２３ クラッド層 20 substrate (Si substrate) 21 buffer layer 22 core 22a core film 23 clad layer

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】基板上にバッファ層を形成し、該バッファ
層の上にコア膜を形成し、該コア膜に導波路のマスクパ
ターンを用いてフォトリソグラフィを施して略矩形断面
形状のコアを形成し、該コア及び上記バッファ層の上に
クラッド層を形成する高比屈折率差光導波路の製造方法
において、フッ素をドープしたＳｉＯ2 膜を用いて上記
バッファ層を形成した後上記コア膜を形成し、少なくと
も１０００℃で熱処理を行い、その後フォトリソグラフ
ィを施して略矩形断面形状のコアを形成し、次いでフッ
素をドープしたＳｉＯ2 膜をクラッド層として形成する
ことを特徴とする高比屈折率差光導波路の製造方法。1. A buffer layer is formed on a substrate, a core film is formed on the buffer layer, and photolithography is applied to the core film using a mask pattern of a waveguide to form a core having a substantially rectangular cross section. In the method of manufacturing a high relative refractive index difference optical waveguide in which a clad layer is formed on the core and the buffer layer, the core layer is formed after forming the buffer layer using a fluorine-doped SiO 2 film. A high relative refractive index, characterized in that a core having a substantially rectangular cross-section is formed by performing a heat treatment at a temperature of at least 1000 ° C. and then performing a photolithography, and then forming a fluorine-doped SiO 2 film as a cladding layer. Manufacturing method of differential optical waveguide. 【請求項２】上記バッファ層の屈折率は上記ＳｉＯ2 の
屈折率より低い請求項１記載の高比屈折率差光導波路の
製造方法。 2. The method for producing a high relative refractive index difference optical waveguide according to claim 1, wherein the buffer layer has a refractive index lower than that of SiO 2 . 【請求項３】上記クラッド層の上にＳｉＯ2 保護層を被
覆し、その後少なくとも８００℃で熱処理する請求項１
または２記載の高比屈折率差光導波路の製造方法。3. The SiO 2 protective layer is coated on the clad layer and then heat-treated at at least 800 ° C.
Alternatively, the method for manufacturing the high relative refractive index difference optical waveguide according to the item 2. 【請求項４】上記基板にＳｉＯ2 を用いた請求項１から
３のいずれかに記載の高比屈折率差光導波路の製造方
法。4. The method for manufacturing a high relative refractive index difference optical waveguide according to claim 1, wherein SiO 2 is used for the substrate. 【請求項５】上記マスクパターンによりコアのみならず
バッファ層も略矩形断面形状に形成した請求項１から４
のいずれかに記載の高比屈折率差光導波路の製造方法。5. The mask pattern is used to form not only the core but also the buffer layer in a substantially rectangular cross section.
A method for manufacturing a high relative refractive index difference optical waveguide according to any one of 1.
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