JPH09230390A - フォトクロミック材料を有する層、その製造方法および利用方 法 - Google Patents

フォトクロミック材料を有する層、その製造方法および利用方 法

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JPH09230390A JP8354335A JP35433596A JPH09230390A JP H09230390 A JPH09230390 A JP H09230390A JP 8354335 A JP8354335 A JP 8354335A JP 35433596 A JP35433596 A JP 35433596A JP H09230390 A JPH09230390 A JP H09230390A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 電磁スペクトルの可視スペクトル領域におけ
るフオトクロミツク材料の利用性を高める。 【解決手段】 フォトクロミック材料を有する層のフォ
トクロミック材料は光学的に可逆なフォトクロミック効
果を有し、そのスイッチングしきい値は可視スペクトル
領域外またはその境界領域に設けられる。このような層
の用途を拡大するために、フォトクロミック材料は干渉
材料によって被着され、被着されたフォトクロミック材
料のスイッチングしきい値は、この結果被着されていな
いフォトクロミック材料のスイッチングしきい値に対し
てより長い波長の方向に偏移する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、請求項1の上位概
念に基づくフォトクロミック材料を有する層、または請
求項11の上位概念に基づくその製造方法ならびに層の
利用方法に関する。
【0002】
【従来の技術】ドイツの教科書「レンプ化学事典」第9
巻、1993年ゲオルク・ティーメ出版シュトゥットガ
ルト ニューヨーク、3403ページには、可視光また
は紫外線光の入射の際にフォトクロミック材料が物質的
に変化するという点において優れた可逆的物性としての
フォトクロミック効果が記述されている。物質的変化に
色彩変化が伴う。もちろん、これらの物質のいくつかは
スイッチングしきい値、すなわちフォトクロミック効果
の組み込みをたいてい備え、このスイッチングしきい値
は可視スペクトル領域の紫色の高エネルギ境界に配置さ
れるかまたはその下に配置され、これによって可視スペ
クトル領域におけるこのような材料の利用性が少なくと
も著しく制限を受ける。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、電磁
スペクトルの可視スペクトル領域におけるフォトクロミ
ック材料の利用性を高めることである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の課題は請求項1
の特徴部分、または請求項11の特徴的な処理工程を有
するような根拠とされる方法の特徴部分によって解決さ
れる。おそらく内部光電効果の利用によって、フォトク
ロミック効果のスイッチングしきい値をより大きな波長
方向へ、したがって可視スペクトル領域に偏移させるこ
とが可能となり、これによってフォトクロミック効果の
利用に必要な光子エネルギがより小さくなる。最大強度
がほぼ波長500nm近辺にあるというように、可視ス
ペクトル領域内の日光には強度分布があるので、本発明
に基づく層は、日光の場合にフォトクロミック効果のた
めに高い光子数を利用でき、このことは吸収率の向上、
したがって層の着色性の改善となって現れる。さらなる
利点は、スイッチングしきい値の偏移によりより多くの
レーザの使用が可能になることである。
【発明の実施の形態】
【0005】
【実施例】本発明の有効な形態は下位請求項から知るこ
とができる。その他の点について、図面に示した実施例
を参考にして本発明を説明する。
【0006】図1では、片側がフォトクロミック層3’
で蒸着されたガラス基板の断面が示されている。層3’
は、干渉材料2とフォトクロミック材料1とからなる交
互に入れ替わる2つの層を備える。本実施例の干渉材料
2はアモルファス状に蒸着した半導体の硫化カドミウム
(CdS)であり、一方フォトクロミック材料1はアモ
ルファス状に蒸着した酸化タングステンWO3 である。
干渉材料2としてのCdS半導体の代わりに、光分解に
対して安定したチタン酸塩基の半導体材料も使用するこ
とができる。
【0007】ガラス基板5の上にすでに蒸着してある干
渉材料2からなる層の上にフォトクロミック材料1を蒸
着することによって、フォトクロミック材料1は干渉材
料2との電荷キャリヤを輸送可能な接点を備える。
【0008】図2から分かるように、干渉材料2として
選択された硫化カドミウム(CdS)は、価電子帯(E
v )と、Eg =2.4eVの伝導帯Ec との間で、Eg
=3.26eVのバンドギャップを有するフォトクロミ
ック材料1として使用されるHWO3 よりも小さなバン
ドギャップEg を有する。干渉材料2とフォトクロミッ
ク材料1とからなる両方の層の間の境界面領域のバンド
は、バンドのそれぞれの伝導帯Ec に対し異なった距離
で配置されたフェルミ準位Ef の高さで近似するので、
干渉材料2の層とフォトクロミック材料1の層との間の
境界面領域における本発明に基づく層3、3’のバンド
推移は、バンド非連続性を有する。
【0009】干渉材料2のキャリヤが光学スペクトル領
域内で励起できるように、干渉材料2は選択される。さ
らに、干渉材料2とフォトクロミック材料1との間のキ
ャリヤ輸送に関する少なくともある種のキャリヤについ
て、必要ならばあるかもしれないポテンシャル障壁を考
慮して、ゼロよりも大きな量子力学的移行マトリックス
成分が存在する必要がある。ポテンシャル障壁は、フォ
トクロミック材料1と干渉材料2との間のバンドギャッ
プ差の差異よりも小さくなければならない。
【0010】上記の条件が遵守されるならば、層3、
3’のフォトクロミック効果のスイッチングしきい値S
1 は、すなわち波長の下方で層3、3’のフォトクロミ
ック効果が利用されるような波長のスイッチングしきい
値S1 は、純粋なフォトクロミック材料1のスイッチン
グしきい値S2 に較べ、より大きな波長に向かって、し
たがって照射される光または照射される電磁波のより小
さな光子エネルギに向かって偏移する。
【0011】上記の関係は図3のグラフに示されてい
る。このグラフでは、本発明に基づくCdS/WO3
3、3’に関し、また純粋な被着されていないフォトク
ロミックWO3 からなる層とに関し、波長依存の吸収尺
度である波長依存着色速度ηabs が波長λの関数として
示されている。強度浄化された波長依存の着色速度η
abs は、測定された着色速度ηdir と、照射光強度I
abs (λ)との関係として示される。この場合525n
mしたがって約145nmの波長では、本発明に基づく
CdS/WO3 層3、3’のスイッチングしきい値S1
が、被着されていないWO3 のスイッチングしきい値S
2 よりも高いことが明白である。
【0012】図3と図4のグラフのために使用された本
発明に基づくCdS/WO3 層3の製造のために、ガラ
ス基板5を真空蒸着装置の容器に入れ、まずCdSを蒸
着し次にWO3 を蒸着した。通常の方法で清浄にされる
ガラス基板5の表面は12cm2であり、ガラス基板5
と、蒸発装置の容器または蒸発源との間の間隔は30c
mから60cmであり、調整圧力は1.5・10−5m
barであり、99.9%の純度の1から2gのCdS
を140秒間連続蒸着することによってボートが造ら
れ、この中でCdSが赤熱に加熱され続け、これによっ
てCdSが部分的に蒸発されまたガラス基板5の上に7
0nmの厚さのWO3 層が析出された。200nmの厚
さのWO3 層の蒸着は、1.5・10-5から2.5・1
-5mbarの圧力で行われ、約1から2gのWO3
蒸発された。
【0013】スイッチングしきい値S1 の偏移は絶対値
であり、この場合着色速度ηdir またはηabs の強度、
すなわち本発明に基づく層3、3’の吸収力を飽和にす
るような尺度は、特に時間の関数である。
【0014】上記の関係は図4のグラフに示されてい
る。CdS/WO3 層3の着色速度ηdir の時間勾配を
算出するために、層3は異なった箇所、異なった時間で
波長480nmの光で照射された。図3から分かるよう
に、この波長は、本発明に基づく層3のフォトクロミッ
ク効果のスイッチングしきい値S1 の下方に配置され、
このため層は、異なった箇所において感光時間または照
射時間に依存して異なって着色された。
【0015】着色速度ηdir を決定するために、透過強
度、すなわちCdS/WO3 層3を通して達する光の強
度が測定され、その光の波長は668nmであり、した
がってCdS/WO3 層3のまた被着されていないフォ
トクロミック材料1のスイッチングしきい値S1 の上方
に、WO3 が配置された。668nmの波長を有する測
定光線が、CdS/WO3 層3の場合に決してフォトク
ロミック効果を発生しないように、測定前に点検かつ保
証された。
【0016】波長λの場合の時間透過性T(t)の推移
は、次式
【数1】 に基づく指数関数によって少なくとも近似することが可
能である。この場合、T(t0 )は開始時点t0 の透過
性、As はCdS/WO3 層3の最大(飽和)吸収、t
はt0 後の継続時間、またτは、T(t)曲線の初期勾
配の値に対応する時間定数であり、この時間定数は実施
された試験では10から60秒の間にあった。
【0017】原則として本発明に基づく層3、3’のス
イッチングしきい値S1 の、純粋なフォトクロミック材
料1のスイッチングしきい値S2 に対する移動は、干渉
材料2の唯一の層が被着されたフォトクロミック材料1
の層、すなわち複層3で行われる。
【0018】これについては次表の2つの例を示す。サ
ンプル1では、ガラス基板5上に70nmの厚さの層C
dSが被着され、次に200nmの厚さのWO3 層が被
着された複層3が対象とされる。サンプル2ではガラス
基板5上に被着された複数層が対象とされ、この場合複
数層から形成される多層3’は連続する5つの複層3を
備え、この場合複層3の各層は10nmの厚さのCdS
層と、40nmの厚さのWO3 層とを備える。サンプル
1と2の蒸着条件は、個々の層の厚さが異なるという点
を除き同一であった。
【0019】サンプル1と2は、サンプル1と2のそれ
ぞれのCdS/WO3 層3、3’のスイッチングしきい
値S1 の下方に位置する、480nmから飽和As まで
の波長のレーザによって着色された。この場合感光時間
は5分間から2日間であった。達成された着色速度η
dir は、サンプル1と2のそれぞれのCdS/WO3
3、3’のスイッチングしきい値S1 の上方に配置され
た668nmの波長によって測定された。既述したよう
に、この測定光はフォトクロミック効果を発生する。
【0020】着色速度ηdir は、時間透過性T(t)の
上述の関数の第1の時間導関数として規定され、すなわ
ち次の式が適用される:
【数2】
【表1】
【0021】上の図によれば、多層3’を備えるサンプ
ル2の着色速度ηdir は、複層3から形成されるサンプ
ル1の対応する着色速度ηdir はよりも25倍大きい。
この比較からさらに証明されることは、ほぼ同一の質量
を使用した複数層によって、本発明に基づく層3’のフ
ォトクロミック効果を何倍にも高めることができる。
【0022】このことは、可視スペクトル領域では創意
に富んだ層3、3’のフォトクロミック効果の着色速度
ηdir が、干渉材料2とフォトクロミック材料1との間
の接触面の拡大によって高めることができるという証左
として評価することができる。接触面のこのような拡大
は、特にフォトクロミック材料1と干渉材料2の個々の
層をコロイド状のゾル・ゲル法で特にガラス基板5の上
に被着することによって実現することができる。
【0023】本発明に基づく層3、3’の着色速度η
dir は、干渉材料2とフォトクロミック材料1の間に反
応材料4を少なくとも領域毎に挿入することによってさ
らに高めることができる。これを示すために、上述の複
層3を有するサンプル1にほぼ対応する2つのサンプル
3と4を造った。もちろんサンプル4のCdS層は蒸着
後に水蒸気が加えられ、その後に初めてWO3 層3が蒸
着された。次に、この場合もCdS/WO3 層3は波長
668nmの赤色光線によって照射され、また赤色光線
透過率が測定された。測定の結果、本実施例では着色速
度ηdir に相関する着色度fsが決定された。この結果
は次表で比較表示されている。
【0024】着色度fs は、上述の時間透過性T(t)
の関数を根拠として次のように定義される:
【数3】 この場合着色度は着色速度と次の相関関係を有する:
【数4】
【表2】
【0025】上記の表から分かるように、干渉材料2と
フォトクロミック材料1との間の境界面に挿入される水
もCdS/WO3 層3のフォトクロミック効果を強め
る。
【0026】WO3 フィルムの着色特性から、光の作用
を受けて水が酸基にまた2つの水素基に分解されること
が公知である。水素基は、WO3 と共にタングステンブ
ロンズHWO3 を形成する可能性があり、生じる青着色
の原因となる。
【0027】創意に富んだ層に移って以下に説明する。
創意に富んだWO3 /CdS層3、3’の色中心形成の
際に、半導体のWO3 内の内部光電効果に起因する電子
・正孔対が関係する。電子・正孔対の正孔と、水分子と
の間の反応の際に、酸素の陰電性の上昇により、水素へ
の正電荷の移動が可能になる。
【0028】上記のことから、水素の供給が目的にかな
うということが推論される。この供給は、特に水素基お
よび/または水素陽子を形成するプラチナのような物質
によって行うことができる。さらに、特にポリビニルア
ルコールおよび多糖のような、極性結合されまた陽子と
して分離可能な水素を有するような層内に留まる不揮発
性の物質も推奨される。
【0029】干渉材料2とフォトクロミック材料1は真
空中で約5 *10-5から1 *10-6mbarで蒸着され
るので、反応材料4は、層3、3’の両方の異なった層
の間に簡単に配置することができる。プラチナ添加した
水の場合には、プラチナのわずかな量を簡単に蒸発し、
次にフォトクロミック材料1の蒸着は水蒸気を含む外気
の存在のもとに行うことができる。
【0030】層3、3’のフォトクロミック材料1と干
渉材料2の異なった層の境界面領域に配置された反応材
料4によって、層3、3’のフォトクロミック効果が強
められる。これには、フォトクロミック層3、3’のタ
ングステンを6価の反応段階から5価の反応段階へより
多く還元することが貢献する。反応材料として、水以外
に、特にポリビニルアルコールおよび多糖のような、極
性結合されまた陽子として分離可能な水素を有するよう
な層内に留まる不揮発性の物質も推奨された。
【0031】図5では、本発明に基づくフォトクロミッ
ク層3および3’を利用した情報技術またはコンピュー
タ技術用の光学式メモリユニットの構造が示されてい
る。メモリは概して光ファイバ7であり、この光ファイ
バの一方の端部に光を放射する送信機8が配設され、他
方の端部には光を検出する受信機9が配設されている。
グラスファイバとして形成された光ファイバ内には、送
信機8と受信機9との間に本発明に基づくフォトクロミ
ック層3、3’が配置され、この場合受信機9はより効
果的に層3、3’に直接配設されるべきであろう。
【0032】送信機8として半導体レーザ領域を利用す
る場合には、フォトダイオードの領域として受信機9を
形成することが好都合であり、この場合レーザアレーの
各半導体レーザにフォトダイオードを配設する。
【0033】送信機8としての2つのレーザの場合に
は、レーザの1つを記録およびリフレッシュレーザとし
て使用することが有効であり、この場合その波長は、層
3、3’のフォトクロミック効果のスイッチングしきい
値S1 の下方に配置される。他方のレーザは読み取りレ
ーザとして使用され、またスイッチングしきい値S1
上方に配置される波長を有することが好ましい。
【0034】この光学式メモリに書き込むために、書き
込みレーザは所定の継続時間の光パルスを発生し、これ
によって層3、3’は少なくとも領域毎に着色される。
図4のグラフから確認できるように、所定の継続時間後
に、メモリの設定状態として見なされる最低着色を維持
するために、層3、3’に所定の継続時間だけ新たに書
き込みレーザの光が加えられる。この再度の感光が行わ
れない場合、層3、3’の着色が消えるのでメモリは消
去される。
【0035】読み取りのために、読み取りレーザは公知
の強度の光パルスを発生する。連続光の強度は、受信機
9により層3、3’について透過率で測定され、また残
留強度に応じてメモリの設定状態または非設定状態に割
り当てられる。
【0036】図6では、カメラの写真フィルムに類似し
た本発明に基づく層3、3’が感光層として使用される
ようなガラス基板5上のフォトクロミック層3、3’を
有する層構造が示されている。次に本発明に基づくフォ
トクロミック層3、3’はホログラフィ点マトリックス
によって感光される。本発明に基づく層3、3’のフォ
トクロミック効果の可逆的性質により、本発明に基づく
層3、3’は、フォトクロミック層3、3’の着色が後
退する所定の時間後に所望のホログラフィに必要な点マ
トリックスによって、新たに感光しなければならない。
本応用例では、本発明に基づく層3、3’はすなわち一
時的なホログラフィ画像メモリを備える。
【0037】一時的画像メモリとしての本発明に基づく
層3、3’の他の応用例が図7に示されている。本実施
例の基本的層構造は、図6の層構造に一致している。も
ちろん記憶された画像では、例えば電磁波の干渉形成の
ために使用されるような一時的な刻線格子が対象であ
る。着色によって製造される格子がその他の措置なしに
所定の時間だけ維持され続けることによって、フォトク
ロミック効果の減少から算出されるある緩和時間後に、
例えば格子の線間隔および他のパラメータを適切に変更
することが可能である。これによって、例えばそれぞれ
異なった状況と必要性に対して干渉計格子を適合化する
ための簡単な手段が得られる。
【0038】図8では車両ボデーの効果塗料の塗料構造
が示され、この場合効果塗料には顔料6が添加され、こ
の顔料6は本発明に基づくフォトクロミック層を備え
る。効果塗料の使用はもちろん車両ボデーの好適な応用
に限定されず、塗装可能な他の対象物も含む。
【0039】車両ボデーのシートメタル10上に塗装さ
れる塗料構造のほとんどは、リン酸塩処理層11、下塗
り層12、充填層13、カラー層14およびクリアラッ
ク層15のような通常の構造を有する。クリアラック層
15には顔料6が添加され、この顔料は干渉材料2によ
り被着されたフォトクロミック材料1を有する本発明に
基づく層3、3’を有する。
【0040】特に数10μmの厚さのガラス膜の基板5
の上に干渉材料2とフォトクロミック材料1とを蒸着
し、次に本発明に基づく層3、3’が蒸着されたガラス
膜を顔料6を形成しつつ破砕することによって、顔料6
の製造を行うことができる。顔料の大きさとしては、顔
料6の平均的な大きさはmm範囲の下または下方にあ
り、特に100μmよりも小さいことが好ましい。しか
し「サイズ効果」の表面効果を避けるために、0.1μ
mよりも大きい大きさ、特に1μmよりも大きいことが
好ましい。
【0041】このようなCdS/WO3 層3、3’の自
己色は、CdS層の層厚に応じて青みを帯びたまたは緑
を帯びた色である。しかし青みを帯びた自己色では、黄
色の自己色を有するCdS被膜は十分に薄くなければな
らない。効果塗料の色効果は、青みがかったCdS/W
3 層3、3’で得られ、この層はCdS/WO3
3、3’が唯一存在する場合にのみ例えば赤色の着色カ
ラー層14と共同作用して、日光の状態に応じて効果塗
料の色彩の全体的印象を媒介し、この全体的印象は徐々
に赤色(日光なし)から紫色(日光あり)に変化する。
【0042】図9では、構造16上に塗装されまたフォ
トクロミック層3、3’を備える顔料6を有する塗料構
造が示されている。このような塗料構造の可能な用途と
しては、構造16の着色のほかに、構造16の断熱用ガ
ラスとしてまたは車両ガラスとして設けられるガラス製
品が考えられる。
【0043】本発明に基づくフォトクロミック層3、
3’によって被着した構造16またはガラス製品は、構
造によって囲まれた車室の、特に車両の特に好ましくは
乗用車の乗員室の、日光入射に起因する加熱を自立的に
最少化するために役立つ。
【図面の簡単な説明】
【図1】干渉材料およびフォトクロミック材料を蒸着し
た層付きのガラス基板の断面図である。
【図2】干渉材料とフォトクロミック材料との間の境界
面領域における価電子帯と伝導帯の概略推移図である。
【図3】波長に対する着色速度のグラフである。
【図4】時間に基づく着色の概略図である。
【図5】フォトクロミック層を用いた情報またはコンピ
ュータ技術用の光学メモリユニットの構造である。
【図6】フォトクロミック層を備えまたホログラフィ点
マトリックスで感光させたガラス基板である。
【図7】フォトクロミック層を備えまた回折格子を形成
する線マトリックスで感光させたガラス基板である。
【図8】車両ボデーの効果塗料の塗料構造であり、塗料
構造にはフォトクロミック層を有する顔料が添加されて
いる。
【図9】フォトクロミック層を有する顔料付き構造の塗
料構造である。
【符号の説明】
1 フォトクロミック材料 2 干渉材料 3、3’ フォトクロミック層 5 ガラス基板 Eg バンドギャップ Ec 伝導帯 Ef フェルミ準位 S1 スイッチングしきい値 S2 スイッチングしきい値 4 反応材料 7 光ファイバ 8 送信機 9 受信機 6 顔料 11 リン酸塩処理層 12 下塗り層 13 充填層 14 カラー層 15 クリアラック層 16 構造
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G11B 7/24 516 8721−5D G11B 7/24 516 (72)発明者 クレメンス ベヒンガー ドイツ連邦共和国 78464 コンスタンツ ハーデルガツセ 14 (72)発明者 パウル ライデラー ドイツ連邦共和国 78476 アレンスバツ ハ ツム ヴアルツエンベルク (72)発明者 エツケハルト ヴイルト ドイツ連邦共和国 88048 フリードリツ ヒスハーフエン ロートケールヒエンヴエ ーク 23

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 フォトクロミック材料および光学的に可
    逆なフォトクロミック効果と、可視スペクトル領域外ま
    たはその境界領域のフォトクロミック材料のスイッチン
    グしきい値とを有する層において、フォトクロミック材
    料(1)が干渉材料(2)によって被着され、この結果
    層(3、3’)を形成する被着されたフォトクロミック
    材料のスイッチングしきい値(S1 )が、被着されてい
    ないフォトクロミック材料(1)のスイッチングしきい
    値(S2 )に対してより長い波長の方向に偏移すること
    を特徴とする層。
  2. 【請求項2】 前記フォトクロミック材料(1)が酸化
    タングステン(WO3 )であることを特徴とする、請求
    項1に記載の層構造。
  3. 【請求項3】 前記フォトクロミック材料(1)がアモ
    ルファスであることを特徴とする、請求項1に記載の層
    構造。
  4. 【請求項4】− フォトクロミック材料(1)が干渉材
    料(2)とのキャリヤ輸送可能接点を備え、 − 価電子帯(Ev )と、電子伝導帯(Ec )との間の
    干渉材料(2)がフォトクロミック材料(1)よりも小
    さなバンドギャップ(Eg )を有し、 − 干渉材料(2)のキャリヤが光学的スペクトル領域
    内で励起可能であり、 − 干渉材料(2)とフォトクロミック材料(1)との
    間のキャリヤ輸送に関する少なくともある種のキャリヤ
    について、あるかもしれないポテンシャル障壁を考慮し
    て、ゼロよりも大きな量子力学的移行マトリックス成分
    が存在し、 − この場合ポテンシャル障壁が、フォトクロミック材
    料(1)と干渉材料(2)との間のバンドギャップ差異
    の差よりも小さい、ことを特徴とする、請求項1に記載
    の層構造。
  5. 【請求項5】 前記干渉材料(2)がアモルファスであ
    ることを特徴とする、請求項4に記載の層構造。
  6. 【請求項6】 前記フォトクロミック材料(1)が酸化
    タングステン(WO3 )であり、また干渉材料(2)が
    半導体材料であることを特徴とする、請求項4に記載の
    層構造。
  7. 【請求項7】 前記フォトクロミック材料(1)が酸化
    タングステン(WO3 )であり、また干渉材料(2)が
    硫化カドミウム(CdS)であることを特徴とする、請
    求項4に記載の層構造。
  8. 【請求項8】 前記フォトクロミック材料(1)と干渉
    材料(2)との間に、少なくとも領域毎に、層(3、
    3’)の着色度を高める反応材料(4)が配置されるこ
    とを特徴とする、請求項4に記載の層構造。
  9. 【請求項9】 前記反応材料(4)が、水、および/ま
    たは極性結合されまた陽子として分離可能な水素付きの
    層構造内に留まる不揮発性の物質、および/または多
    糖、および/またはポリビニルアルコールであることを
    特徴とする、請求項7に記載の層構造。
  10. 【請求項10】 前記層(3’)が、フォトクロミック
    材料(1)と干渉材料(2)とからなる複数の交互の層
    を備えることを特徴とする、請求項4に記載の層構造。
  11. 【請求項11】 ある所定の波長からスイッチングしき
    い値を生起する光学的に可逆なフォトクロミック材料の
    フォトクロミック効果を有する層の製造方法において、
    フォトクロミック材料(1)に干渉材料(2)が加えら
    れることを特徴とする方法。
  12. 【請求項12】 前記干渉材料(2)とフォトクロミッ
    ク材料(1)が特にガラス製の基板(5)上に蒸着され
    ることを特徴とする、請求項11に記載の方法。
  13. 【請求項13】 前記フォトクロミック材料(1)を干
    渉材料(2)上に被着する前にまたは干渉材料(2)を
    フォトクロミック材料(1)上に被着する前に、それぞ
    れ自由なまた引き続く材料被着のために設けられるそれ
    ぞれの材料の表面に、反応材料(4)特に水蒸気を加え
    ることを特徴とする、請求項11に記載の方法。
  14. 【請求項14】 情報技術またはコンピュータ技術にお
    ける光学式メモリ材料としての請求項1に記載のフォト
    クロミック層の利用方法。
  15. 【請求項15】 ホログラフィ構造用の感光材料として
    の請求項1に記載のフォトクロミック層の利用方法。
  16. 【請求項16】 回折格子製造用の材料としての請求項
    1に記載のフォトクロミック層の利用方法。
  17. 【請求項17】 塗装時の効果塗料としての請求項1に
    記載のフォトクロミック層の利用方法。
  18. 【請求項18】 塗装対象物特に車両用の効果塗料の顔
    料(6)としての破砕状態の、請求項1に記載のフォト
    クロミック層の利用方法。
  19. 【請求項19】 光波および/または光度に基づき制御
    可能な、対象物特に構造の断熱のための請求項1に記載
    のフォトクロミック層の利用方法。
  20. 【請求項20】 特に車両のガラス板のコーティングと
    しての請求項1に記載のフォトクロミック層の利用方
    法。
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