JPH09223680A - エッチング機能付き研磨装置 - Google Patents
エッチング機能付き研磨装置Info
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- JPH09223680A JPH09223680A JP2930496A JP2930496A JPH09223680A JP H09223680 A JPH09223680 A JP H09223680A JP 2930496 A JP2930496 A JP 2930496A JP 2930496 A JP2930496 A JP 2930496A JP H09223680 A JPH09223680 A JP H09223680A
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Landscapes
- Weting (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェーハの研磨面に生じたストレス、マイク
ロクラック等をエッチング手段で除去できるようにした
エッチング機能付き研磨装置を提供する。 【解決手段】 半導体ウェーハの面を研磨する研磨装置
であって、この研磨装置はウェーハの面を砥石によって
研磨する研磨手段と、ウェーハの研磨面に生じたストレ
ス、マイクロクラック等をエッチング液によってエッチ
ング除去するエッチング手段と、を少なくとも含む。
ロクラック等をエッチング手段で除去できるようにした
エッチング機能付き研磨装置を提供する。 【解決手段】 半導体ウェーハの面を研磨する研磨装置
であって、この研磨装置はウェーハの面を砥石によって
研磨する研磨手段と、ウェーハの研磨面に生じたストレ
ス、マイクロクラック等をエッチング液によってエッチ
ング除去するエッチング手段と、を少なくとも含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エッチング機能付
き研磨装置に関する。
き研磨装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般にシリコン、ガリウム・ヒ素等から
なる半導体ウェーハは、加工工程において研磨砥石を備
えた研磨装置により表面が研磨される。このようにウェ
ーハ面を砥石によって研磨すると、研磨面にストレス、
マイクロクラック（２μｍ程度）が生じ、ウェーハに反
りが生じる。従来は反りの原因であるストレス、マイク
ロクラックを、研磨装置とは別個独立した装置（例えば
スピンエッチャーと称するエッチング装置）でエッチン
グし除去していた。
なる半導体ウェーハは、加工工程において研磨砥石を備
えた研磨装置により表面が研磨される。このようにウェ
ーハ面を砥石によって研磨すると、研磨面にストレス、
マイクロクラック（２μｍ程度）が生じ、ウェーハに反
りが生じる。従来は反りの原因であるストレス、マイク
ロクラックを、研磨装置とは別個独立した装置（例えば
スピンエッチャーと称するエッチング装置）でエッチン
グし除去していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来方式
によると、研磨装置とは別にエッチング装置を設置しな
ければならず、設備費用や設置場所等の問題が生じ、又
研磨装置による研磨工程とは別にエッチング工程を必要
とする等の問題もある。そこで、本発明は、前記従来の
問題点を解消するためになされ、独立したエッチング装
置を設置する必要のないエッチング機能付き研磨装置を
提供することを目的とする。
によると、研磨装置とは別にエッチング装置を設置しな
ければならず、設備費用や設置場所等の問題が生じ、又
研磨装置による研磨工程とは別にエッチング工程を必要
とする等の問題もある。そこで、本発明は、前記従来の
問題点を解消するためになされ、独立したエッチング装
置を設置する必要のないエッチング機能付き研磨装置を
提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記課題を技術的に解決
するための手段として、半導体ウェーハの面を研磨する
研磨装置であって、この研磨装置はウェーハの面を砥石
によって研磨する研磨手段と、ウェーハの研磨面に生じ
たストレス、マイクロクラック等をエッチング液によっ
てエッチング除去するエッチング手段と、を少なくとも
含むエッチング機能付き研磨装置を要旨とする。
するための手段として、半導体ウェーハの面を研磨する
研磨装置であって、この研磨装置はウェーハの面を砥石
によって研磨する研磨手段と、ウェーハの研磨面に生じ
たストレス、マイクロクラック等をエッチング液によっ
てエッチング除去するエッチング手段と、を少なくとも
含むエッチング機能付き研磨装置を要旨とする。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の態様を添付
図面に基づいて詳説する。図１は本発明に係るエッチン
グ機能付き研磨装置の一例を示すもので、シリコン、ガ
リウム・ヒ素等からなる半導体ウェーハＷの面を砥石に
よって研磨する研磨手段１と、ウェーハの研磨面をエッ
チングするエッチング手段２とを有している。
図面に基づいて詳説する。図１は本発明に係るエッチン
グ機能付き研磨装置の一例を示すもので、シリコン、ガ
リウム・ヒ素等からなる半導体ウェーハＷの面を砥石に
よって研磨する研磨手段１と、ウェーハの研磨面をエッ
チングするエッチング手段２とを有している。
【０００６】前記ウェーハＷは、カセット載置領域Ａに
載置されたカセット３内に複数枚収容されており、搬出
入手段４によりカセット３内から待機領域Ｂに搬出され
ると共に、先端に吸着機構を備えた３本の放射状に突出
したアーム５ａを有する回転式搬送手段５によって研磨
手段１の第１のチャックテーブル６に搬送される。
載置されたカセット３内に複数枚収容されており、搬出
入手段４によりカセット３内から待機領域Ｂに搬出され
ると共に、先端に吸着機構を備えた３本の放射状に突出
したアーム５ａを有する回転式搬送手段５によって研磨
手段１の第１のチャックテーブル６に搬送される。
【０００７】この場合、研磨手段１は粗研磨用の研磨装
置１ａと、仕上げ研磨用の研磨装置１ｂとが所定の間隔
をあけて並設され、前記搬送手段５によって第１のチャ
ックテーブル６に搬送されたウェーハＷは先ず粗研磨用
の研磨装置１ａで粗研磨される。
置１ａと、仕上げ研磨用の研磨装置１ｂとが所定の間隔
をあけて並設され、前記搬送手段５によって第１のチャ
ックテーブル６に搬送されたウェーハＷは先ず粗研磨用
の研磨装置１ａで粗研磨される。
【０００８】粗研磨の終了後、ウェーハＷは前記搬送手
段５のアーム５ａの先端に吸着されて第１のチャックテ
ーブル６から第２のチャックテーブル７に搬送され、前
記仕上げ研磨用の研磨装置１ｂで仕上げ研磨される。
段５のアーム５ａの先端に吸着されて第１のチャックテ
ーブル６から第２のチャックテーブル７に搬送され、前
記仕上げ研磨用の研磨装置１ｂで仕上げ研磨される。
【０００９】前記ウェーハＷが第１のチャックテーブル
６から第２のチャックテーブル７に搬送される時に、搬
送手段５の他のアーム５ａは前記搬出入手段４によりカ
セット３内から待機領域Ｂに搬出されて待機している２
番目のウェーハを、待機領域Ｂから第１のチャックテー
ブル６に搬送する。つまり、粗研磨後に最初のウェーハ
Ｗを第１のチャックテーブル６から第２のチャックテー
ブル７に搬送する工程と、２番目のウェーハを待機領域
Ｂから第１のチャックテーブル６に搬送する工程とが同
時に行われる。
６から第２のチャックテーブル７に搬送される時に、搬
送手段５の他のアーム５ａは前記搬出入手段４によりカ
セット３内から待機領域Ｂに搬出されて待機している２
番目のウェーハを、待機領域Ｂから第１のチャックテー
ブル６に搬送する。つまり、粗研磨後に最初のウェーハ
Ｗを第１のチャックテーブル６から第２のチャックテー
ブル７に搬送する工程と、２番目のウェーハを待機領域
Ｂから第１のチャックテーブル６に搬送する工程とが同
時に行われる。
【００１０】このように同時搬送した後、仕上げ研磨用
の研磨装置１ｂで最初のウェーハＷを仕上げ研磨する工
程と、粗研磨用の研磨装置１ａで２番目のウェーハを粗
研磨する工程とが同時に遂行される。
の研磨装置１ｂで最初のウェーハＷを仕上げ研磨する工
程と、粗研磨用の研磨装置１ａで２番目のウェーハを粗
研磨する工程とが同時に遂行される。
【００１１】この後、搬送手段５の３本のアーム５ａ全
部を使って最初のウェーハＷは第２のチャックテーブル
７から前記エッチング手段２に、２番目のウェーハは第
１のチャックテーブル６から第２のチャックテーブル７
に、そして前記搬出入手段４によりカセット３内から待
機領域Ｂに搬出されて待機している３番目のウェーハは
待機領域Ｂから第１のチャックテーブル６にそれぞれ同
時に搬送される。このようにして、各工程のタイミング
を取りながら一連の作業が効率良く続行される。
部を使って最初のウェーハＷは第２のチャックテーブル
７から前記エッチング手段２に、２番目のウェーハは第
１のチャックテーブル６から第２のチャックテーブル７
に、そして前記搬出入手段４によりカセット３内から待
機領域Ｂに搬出されて待機している３番目のウェーハは
待機領域Ｂから第１のチャックテーブル６にそれぞれ同
時に搬送される。このようにして、各工程のタイミング
を取りながら一連の作業が効率良く続行される。
【００１２】尚、８は第１のチャックテーブル６に近接
配置された厚さ検出装置、９は第２のチャックテーブル
７に近接配置された厚さ検出装置であり、それぞれウェ
ーハの厚さを検出してＣＰＵ（図示せず）に入力できる
ようにしてある。
配置された厚さ検出装置、９は第２のチャックテーブル
７に近接配置された厚さ検出装置であり、それぞれウェ
ーハの厚さを検出してＣＰＵ（図示せず）に入力できる
ようにしてある。
【００１３】前記エッチング手段２は、例えば図２に示
すように上部カバー１０ａを有する本体１０と、この本
体１０のほぼ中央部に配設された回転支持部１１と、こ
の回転支持部１１に隣接配置された洗浄液供給ノズル１
２、エッチング液供給ノズル１３及び乾燥用のエア供給
ノズル１４と、前記本体１０に上下動可能に設けられた
保護カバー１０ｂとを備えている。
すように上部カバー１０ａを有する本体１０と、この本
体１０のほぼ中央部に配設された回転支持部１１と、こ
の回転支持部１１に隣接配置された洗浄液供給ノズル１
２、エッチング液供給ノズル１３及び乾燥用のエア供給
ノズル１４と、前記本体１０に上下動可能に設けられた
保護カバー１０ｂとを備えている。
【００１４】前記仕上げ研磨後エッチング手段２に搬送
された最初のウェーハＷは、図３に二点鎖線で示すよう
に回転支持部１１の上端に吸引保持され、前記保護カバ
ー１０ｂが上昇して上部カバー１０ａに当接停止した
後、エッチング液供給ノズル１３からエッチング液１５
が供給され、ウェーハＷの研磨面のエッチング工程が行
われる。
された最初のウェーハＷは、図３に二点鎖線で示すよう
に回転支持部１１の上端に吸引保持され、前記保護カバ
ー１０ｂが上昇して上部カバー１０ａに当接停止した
後、エッチング液供給ノズル１３からエッチング液１５
が供給され、ウェーハＷの研磨面のエッチング工程が行
われる。
【００１５】エッチング工程終了後、前記洗浄液供給ノ
ズル１２から洗浄液１６が供給されてウェーハＷの洗浄
工程が行われ、更にエア供給ノズル１４からエアが供給
されて乾燥される。
ズル１２から洗浄液１６が供給されてウェーハＷの洗浄
工程が行われ、更にエア供給ノズル１４からエアが供給
されて乾燥される。
【００１６】前記エッチング液１５としては、硝酸と弗
酸の混酸が好ましいが硝酸、弗酸単独でも良く、ウェー
ハの種類によって適宜選択する。又、エッチング液１５
を収容したタンクが複数ある場合は、エッチング液供給
ノズル１３を複数設けても良いが、１つのノズルで複数
のタンクをバルブで切り替えるようにしても良い。更
に、図３に略図で示すように、樋１７を設けてエッチン
グ液を回収しタンクに戻すようにすると好ましい。
酸の混酸が好ましいが硝酸、弗酸単独でも良く、ウェー
ハの種類によって適宜選択する。又、エッチング液１５
を収容したタンクが複数ある場合は、エッチング液供給
ノズル１３を複数設けても良いが、１つのノズルで複数
のタンクをバルブで切り替えるようにしても良い。更
に、図３に略図で示すように、樋１７を設けてエッチン
グ液を回収しタンクに戻すようにすると好ましい。
【００１７】ウェーハの乾燥後に前記保護カバー１０ｂ
が下降し、回転支持部１１の上部が露出されると、ウェ
ーハＷは前記搬出入手段４により回転支持部１１からカ
セット３内の所定の位置に搬入される。図１に二点鎖線
で示すように、カセット３とは別のカセット３′をエッ
チング手段２の隣りに配置し、処理後のウェーハを搬出
入手段４により収容するようにしても良い。
が下降し、回転支持部１１の上部が露出されると、ウェ
ーハＷは前記搬出入手段４により回転支持部１１からカ
セット３内の所定の位置に搬入される。図１に二点鎖線
で示すように、カセット３とは別のカセット３′をエッ
チング手段２の隣りに配置し、処理後のウェーハを搬出
入手段４により収容するようにしても良い。
【００１８】前記エッチング工程によって、ウェーハの
研磨面に生じたストレスやマイクロクラック等を除去す
ることができ、これによりウェーハの反りを未然に防止
すると共に研磨時に付着したコンタミも同時に除去する
ことができる。
研磨面に生じたストレスやマイクロクラック等を除去す
ることができ、これによりウェーハの反りを未然に防止
すると共に研磨時に付着したコンタミも同時に除去する
ことができる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体ウェーハを研磨する研磨装置にエッチング機能を
付加したので、独立したエッチング装置が不要になると
共に、独立したエッチング工程を省くことができ、これ
により経済性、生産性に優れた効果が得られる。
半導体ウェーハを研磨する研磨装置にエッチング機能を
付加したので、独立したエッチング装置が不要になると
共に、独立したエッチング工程を省くことができ、これ
により経済性、生産性に優れた効果が得られる。
【図１】 本発明の実施の形態を示すエッチング機能付
き研磨装置の概略斜視図である。
き研磨装置の概略斜視図である。
【図２】 エッチング手段の概略斜視図である。
【図３】 同、一部の概略断面図である。
１…研磨手段 １ａ、１ｂ…研磨装置 ２…エッチング手段 ３…カセット ４…搬出入手段 ５…搬送手段 ５ａ…アーム ６…第１のチャックテーブル ７…第２のチャックテーブル ８、９…厚さ検出手段 １０…本体 １０ａ…上部カバー １０ｂ…保護カバー １１…回転支持部 １２…洗浄液供給ノズル １３…エッチング液供給ノズル １４…エア供給ノズル １５…エッチング液 １６…洗浄液 １７…樋
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウェーハの面を研磨する研磨装置
であって、この研磨装置はウェーハの面を砥石によって
研磨する研磨手段と、ウェーハの研磨面に生じたストレ
ス、マイクロクラック等をエッチング液によってエッチ
ング除去するエッチング手段と、を少なくとも含むエッ
チング機能付き研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2930496A JPH09223680A (ja) | 1996-02-16 | 1996-02-16 | エッチング機能付き研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2930496A JPH09223680A (ja) | 1996-02-16 | 1996-02-16 | エッチング機能付き研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09223680A true JPH09223680A (ja) | 1997-08-26 |
Family
ID=12272491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2930496A Pending JPH09223680A (ja) | 1996-02-16 | 1996-02-16 | エッチング機能付き研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09223680A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6569282B1 (en) | 1999-08-19 | 2003-05-27 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Etching apparatus |
| DE10108388B4 (de) * | 2000-03-13 | 2010-02-18 | Disco Corp. | Halbleiterwafer-Bearbeitungsvorrichtung und Verfahren zum Dünnermachen eines Halbleiterwafers |
| DE10012150B4 (de) * | 1999-03-12 | 2010-12-23 | Disco Corp. | Drehwaschvorrichtung für Halbleiterscheiben |
| JP2011018802A (ja) * | 2009-07-09 | 2011-01-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置 |
| CN103187341A (zh) * | 2011-12-27 | 2013-07-03 | 芝浦机械电子株式会社 | 基板的处理装置及处理方法 |
| JP2013153141A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-08-08 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置及び処理方法 |
| CN112408807A (zh) * | 2020-11-26 | 2021-02-26 | 江苏应龙光学科技有限公司 | 一种用于屏幕盖板玻璃的蚀刻装置 |
-
1996
- 1996-02-16 JP JP2930496A patent/JPH09223680A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10012150B4 (de) * | 1999-03-12 | 2010-12-23 | Disco Corp. | Drehwaschvorrichtung für Halbleiterscheiben |
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| KR101380494B1 (ko) * | 2011-12-27 | 2014-04-01 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 기판의 처리 장치 및 처리 방법 |
| JP2013153141A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-08-08 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置及び処理方法 |
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| KR101432009B1 (ko) * | 2011-12-27 | 2014-08-20 | 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 | 기판의 처리 장치 및 처리 방법 |
| TWI494992B (zh) * | 2011-12-27 | 2015-08-01 | Shibaura Mechatronics Corp | Substrate processing device and processing method thereof |
| CN105070673A (zh) * | 2011-12-27 | 2015-11-18 | 芝浦机械电子株式会社 | 基板的处理装置及处理方法 |
| JP2017085174A (ja) * | 2011-12-27 | 2017-05-18 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板の処理装置及び処理方法 |
| TWI601202B (zh) * | 2011-12-27 | 2017-10-01 | Shibaura Mechatronics Corp | Substrate processing apparatus and processing method |
| CN112408807A (zh) * | 2020-11-26 | 2021-02-26 | 江苏应龙光学科技有限公司 | 一种用于屏幕盖板玻璃的蚀刻装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040127 |