JPH09219482A - Positioning device and dam bar cutting device of semiconductor device - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a device capable of positioning a semiconductor device very accurately in a short time in a manufacturing process independent of the type and manufacturing conditions of the semiconductor device by a method wherein the semiconductor device is corrected for position based on positional errors calculated from the detection signal and a movement obtained based on the reflected light of a detection light. SOLUTION: A device is made to position a semiconductor device 1 at a processing position, wherein detecting light is made to irradiate the surface of a lead frame, and the lead frame is relatively moved against the detecting light, whereby the detecting light is made to scan the lead frame traversing a mark which is previously provided in the frame. The movement of the lead frame is measured, the intensity of the detecting light reflected from the mark is detected, and detection signal is generated corresponding to the intensity of the reflected light. Furthermore, the dimensions of the mark are calculated from the amplitude and movement of the detection signal, the positioning errors of the semiconductor device 1 are obtained, and the semiconductor device 1 is corrected for position based on the positioning errors.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレームお
よび半導体チップを樹脂モールドで封止した半導体装置
を製造するに際し、半導体装置の位置決めを行う半導体
装置の位置決め装置、およびその位置決め装置を備えた
ダムバー切断装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device positioning device for positioning a semiconductor device in manufacturing a semiconductor device in which a lead frame and a semiconductor chip are sealed with a resin mold, and a dam bar provided with the positioning device. Regarding the cutting device.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来からの半導体装置用リードフレーム
の一般的な製造方法としては、写真焼付現像技術におけ
る腐食処理を利用したエッチング加工や、プレス用の型
を用いて打ち抜きを行うプレス加工などが知られてい
る。これらは両者とも能率が高くしかも精度の良い加工
方式である。2. Description of the Related Art Conventionally, as a general method of manufacturing a lead frame for a semiconductor device, there are an etching process utilizing a corrosive treatment in a photoprinting development technique, a press process of punching using a press die, and the like. Are known. Both of these are highly efficient and accurate processing methods.

【０００３】一般に、リードフレームには、２個以上の
同じ半導体装置を並べて制作できるように、半導体装置
に必要なリードパターンが等間隔に形成される。このよ
うなリードフレームを用いた半導体装置の製造において
は、チップ状に切断し半導体チップ（シリコンウエハー
等）がリードフレームに搭載され、半導体チップの端子
とリードフレームのインナーリードとがワイヤーボンデ
ィング等により電気的に接続され、樹脂モールドによっ
て上記半導体チップ及びインナーリードが封止される。
この樹脂モールドによる封止後、リード間に設けられた
樹脂モールド堰止め用のダムバーが除去され、各々の半
導体装置が個々に分離され、アウターリードの折り曲げ
加工が行われる。In general, lead patterns necessary for a semiconductor device are formed at equal intervals on a lead frame so that two or more same semiconductor devices can be manufactured side by side. In manufacturing a semiconductor device using such a lead frame, a semiconductor chip (such as a silicon wafer) is cut into chips and mounted on a lead frame, and terminals of the semiconductor chip and inner leads of the lead frame are bonded by wire bonding or the like. The semiconductor chip and the inner leads are electrically connected and sealed with a resin mold.
After the sealing with the resin mold, the dam bar for blocking the resin mold provided between the leads is removed, the respective semiconductor devices are individually separated, and the outer leads are bent.

【０００４】上記のうち、ダムバーの除去に用いて好適
なレーザ加工装置またはレーザ加工方法に関する従来技
術としては、特開平６−１４２９６８号公報に記載のも
のがある。この従来技術では、加工位置近傍における被
加工物の有無を検出して対応する検出信号を発生する検
出手段と、その検出信号に基づいて矩形波信号を発生す
る矩形波信号発生手段と、その矩形波信号に基づいたタ
イミングでパルスレーザ光が照射されるようパルスレー
ザ光の発振を制御する制御手段とを備えたレーザ加工装
置が開示されている。Among the above, as a prior art relating to a laser processing apparatus or a laser processing method suitable for removing a dam bar, there is one described in Japanese Patent Laid-Open No. 6-142968. In this conventional technique, a detection unit that detects the presence or absence of a work piece in the vicinity of a processing position and generates a corresponding detection signal, a rectangular wave signal generation unit that generates a rectangular wave signal based on the detection signal, and a rectangular wave thereof. There is disclosed a laser processing apparatus including a control unit that controls oscillation of pulsed laser light so that the pulsed laser light is irradiated at a timing based on a wave signal.

【０００５】半導体装置が個々に切り離されるまでは複
数の半導体装置を搭載したリードフレームのままで各工
程が順次実施される。この各工程においては、例えば図
１１に示すように、リードフレーム製造時にその外周部
に設けておいた位置決め用ピン穴５２に、リードフレー
ム取付治具５０に設けられた位置決めピン５１を挿入す
ることによって各半導体装置とリードフレームの据え付
け位置が決定され、リードフレームおよび半導体装置の
微妙な位置ずれを補正することも可能となる。この位置
決め用ピン穴５２は、各半導体装置毎に決められた少な
くとも２つの位置（半導体装置の対角線上に設けられる
ことが多い）に開けられている。Until the semiconductor devices are individually separated, each process is sequentially performed with the lead frame having a plurality of semiconductor devices mounted thereon. In each of these steps, as shown in FIG. 11, for example, the positioning pin 51 provided on the lead frame mounting jig 50 is inserted into the positioning pin hole 52 provided on the outer periphery of the lead frame during manufacturing. By this, the installation positions of the respective semiconductor devices and the lead frame are determined, and it becomes possible to correct a slight positional deviation between the lead frame and the semiconductor device. The positioning pin hole 52 is formed in at least two positions (often provided on a diagonal line of the semiconductor device) determined for each semiconductor device.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】近年、電子機器の小型
化や高性能化を実現するため、半導体チップの高集積
化、小型化がますます進行しており、４方向からリード
（端子）が延びるＱＦＰ型半導体装置などのリードフレ
ームを用いた半導体装置では、多ピン化や狭ピッチ化が
要求されてきている。この多ピン化や狭ピッチ化を進め
る上ではこれまで以上に半導体装置各部の加工精度が厳
しくなってきており、それに伴って前述のリードフレー
ムおよび半導体装置の位置決め時にも高い精度が要求さ
れてきている。In recent years, in order to realize miniaturization and high performance of electronic devices, semiconductor chips are becoming more highly integrated and miniaturized, and leads (terminals) are placed in four directions. A semiconductor device using a lead frame such as an extended QFP type semiconductor device is required to have a large number of pins and a narrow pitch. In order to increase the number of pins and narrow the pitch, the processing accuracy of each part of the semiconductor device is becoming more severe than ever, and accordingly, high accuracy is required when positioning the lead frame and the semiconductor device. There is.

【０００７】しかしながら、上述のリードフレームおよ
び半導体装置の位置決め方法では、リードフレーム上の
位置決め用ピン穴５２とその相手側となる位置決めピン
５１との間で機械的な抜き差しが行われるため、両者間
のクリアランスが最小でも２０μｍ程度以上は必要であ
り、しかも位置決めピン５１の抜き差しの繰り返しによ
って位置決め用ピン穴５２或いは位置決めピン５１に摩
耗が生じる。そして、このクリアランスや摩耗と、リー
ドフレーム製造時に不可避の位置決め用ピン穴５２の寸
法公差、或いは製造装置の機械的なガタなどが累積され
ると、リードフレームおよび半導体装置の据え付け位置
が本来の位置から大きくずれ、位置決め精度が大きく低
下する可能性がある。However, in the above-described method for positioning the lead frame and the semiconductor device, mechanical insertion / removal is performed between the positioning pin hole 52 on the lead frame and the positioning pin 51 on the other side of the positioning pin hole 52. The minimum clearance is required to be about 20 μm or more, and the positioning pin hole 52 or the positioning pin 51 is worn by repeated insertion and removal of the positioning pin 51. If this clearance, wear, dimensional tolerance of the positioning pin hole 52, which is unavoidable at the time of manufacturing the lead frame, or mechanical backlash of the manufacturing apparatus, are accumulated, the installation positions of the lead frame and the semiconductor device are the original positions. There is a possibility that there will be a large deviation from, and the positioning accuracy will drop significantly.

【０００８】また、上記のような従来の位置決め方式で
は、位置決め精度を確保するため、製造すべき半導体装
置の品種やサイズが変わる毎にそれに対応して位置決め
ピン５１の径や位置変更や調整、或いはリードフレーム
取付治具５０そのものの入れ替えが必要となってしま
う。従って、製造時間の延長および生産性の低下、及び
治具等の部品点数増加によるコスト増大などの問題が生
じてくる。Further, in the conventional positioning method as described above, in order to secure the positioning accuracy, the diameter and position of the positioning pin 51 are changed and adjusted in accordance with the change in the type and size of the semiconductor device to be manufactured. Alternatively, the lead frame mounting jig 50 itself needs to be replaced. Therefore, problems such as an increase in manufacturing time, a decrease in productivity, and an increase in cost due to an increase in the number of parts such as jigs occur.

【０００９】本発明の目的は、半導体装置の製造時にお
ける位置決めを半導体装置の品種や製造条件に拘らず高
精度かつ短時間に行うことができ、厳しい加工精度の要
求に対応できる半導体装置の位置決め装置及びダムバー
切断装置を提供することである。An object of the present invention is to perform positioning in manufacturing a semiconductor device with high accuracy and in a short time regardless of the type of the semiconductor device and manufacturing conditions, and to position a semiconductor device capable of meeting strict processing accuracy requirements. A device and a dambar cutting device.

【００１０】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、リードフレームおよび半導体チッ
プを樹脂モールドで封止した半導体装置を製造するに際
し、加工を行う位置に前記半導体装置を位置決めする半
導体装置の位置決め装置において、検出光を前記リード
フレーム表面に照射する検出光発生手段と、そのリード
フレームを上記検出光に対して相対的に移動させ検出光
の照射位置をリードフレームに予め設けたマークを横切
って走査させる移動手段と、その移動手段によるリード
フレームの移動量を測定する移動量測定手段と、前記マ
ークによる前記検出光の反射光の強弱を検出してその反
射光の強弱に対応する検出信号を発生する検出手段と、
その検出信号に基づいた前記マークの大きさと前記移動
量測定手段で測定した移動量とから上記マークの寸法を
算出し半導体装置の位置決め誤差を求める演算手段と、
前記位置決め誤差に基づいて上記半導体装置の位置を補
正する位置補正手段とを有することを特徴とする半導体
装置の位置決め装置が提供される。In order to achieve the above object, according to the present invention, when manufacturing a semiconductor device in which a lead frame and a semiconductor chip are sealed with a resin mold, the semiconductor device is placed at a processing position. In a positioning device of a semiconductor device for positioning, a detection light generating means for irradiating the surface of the lead frame with the detection light, and the lead frame are moved relative to the detection light so that the irradiation position of the detection light is set in advance on the lead frame. Moving means for scanning across the provided mark, moving amount measuring means for measuring the moving amount of the lead frame by the moving means, and intensity of the reflected light by detecting the intensity of the reflected light of the detection light by the mark Detecting means for generating a detection signal corresponding to
An arithmetic unit that calculates the dimension of the mark from the size of the mark based on the detection signal and the movement amount measured by the movement amount measuring unit to obtain the positioning error of the semiconductor device,
There is provided a positioning device for a semiconductor device, comprising: a position correction unit that corrects the position of the semiconductor device based on the positioning error.

【００１１】上記のように構成した本発明においては、
検出発生手段からリードフレーム表面に検出光を発生さ
せながら移動手段によってリードフレームを検出光に対
して相対的に移動させ、上記検出光の照射位置をリード
フレームに予め設けたマークを横切るように走査させ
る。そして、検出手段によって、上記マークによる検出
光の反射光の強弱を検出し、その強弱に対応する検出信
号を発生させる。この検出信号は、マークの実際の形状
や大きさを正確に反映している。なお、リードフレーム
に予め設けるマークは、従来リードフレーム外周部に設
けられていた位置決め用ピン穴に相当するものである
が、必ずしも貫通した穴である必要はなく、検出光によ
って光学的に判別できるものであれば止まり穴や塗料の
塗布によるマークとしてもよい。In the present invention constructed as described above,
The lead frame is moved relative to the detection light by the moving means while generating the detection light on the surface of the lead frame from the detection generation means, and the irradiation position of the detection light is scanned so as to cross the mark provided in advance on the lead frame. Let Then, the detection means detects the intensity of the reflected light of the detection light by the mark and generates a detection signal corresponding to the intensity. This detection signal accurately reflects the actual shape and size of the mark. The mark provided in advance on the lead frame corresponds to the positioning pin hole conventionally provided on the outer periphery of the lead frame, but it does not necessarily have to be a penetrating hole and can be optically distinguished by the detection light. If it is a material, it may be a blind hole or a mark formed by applying paint.

【００１２】一方、移動手段によるリードフレームの移
動量を移動量測定手段によって測定し、この移動量と、
前述の検出信号の強弱の幅とを用いて演算手段で演算を
行うことにより、実際のマークの大きさや位置の誤差を
正確に求められ、半導体装置の位置決め誤差が高精度か
つ短時間に求められる。さらに、上記位置決め誤差に基
づいて位置補正手段で半導体装置の位置を補正すること
により、半導体装置の品種や製造条件に拘らず高精度か
つ短時間に位置決めを行うことが可能となる。On the other hand, the moving amount of the lead frame by the moving means is measured by the moving amount measuring means,
The error of the actual size and position of the mark can be accurately obtained by performing the operation by the operation means using the above-mentioned width of the detection signal, and the positioning error of the semiconductor device can be obtained with high accuracy and in a short time. . Further, by correcting the position of the semiconductor device by the position correcting means based on the positioning error, it becomes possible to perform the positioning with high accuracy and in a short time regardless of the type of the semiconductor device and the manufacturing conditions.

【００１３】また、上記のような半導体装置の位置決め
装置をダムバー切断装置に取り付けてもよい。即ち、本
発明によれば、パルス状のレーザ光を発振するレーザ発
振器と、そのレーザ光を被加工物の加工位置まで誘導す
る加工光学系と、その被加工物を移動させその加工位置
を決定する搬送手段と、所定の加工位置に上記パルスレ
ーザ光が照射されるようそのパルスレーザ光の発振を制
御する制御手段とを備え、半導体装置のダムバーにレー
ザ光を照射しながらそのレーザ光の光軸を前記半導体装
置に対して相対的に移動させることによりダムバーを順
次切断するダムバー加工装置において、前述のような半
導体装置の位置決め装置をさらに備えたことを特徴とす
るダムバー切断装置が提供される。The semiconductor device positioning device as described above may be attached to the dam bar cutting device. That is, according to the present invention, a laser oscillator that oscillates a pulsed laser beam, a processing optical system that guides the laser beam to a processing position of a workpiece, and the processing object is moved to determine the processing position. And a control means for controlling the oscillation of the pulsed laser light so that the pulsed laser light is applied to a predetermined processing position, and the light of the laser light is applied to the dam bar of the semiconductor device while applying the laser light. A dambar cutting device for sequentially cutting a dambar by moving an axis relative to the semiconductor device, wherein the dambar cutting device further includes a positioning device for the semiconductor device as described above. .

【００１４】[0014]

【発明の実施の形態】本発明の第１の実施形態につい
て、図１から図８を参照しながら説明する。但し、本実
施形態はリードフレームの外周部に設けておいた位置決
め用穴（マーク）を利用して製造中の半導体装置の位置
決めを行う実施形態である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. However, this embodiment is an embodiment in which the positioning of the semiconductor device being manufactured is performed using the positioning holes (marks) provided on the outer peripheral portion of the lead frame.

【００１５】図１に示すように、本実施形態の半導体装
置の位置決め装置には、製造中の半導体装置（ワーク）
１を搭載し水平面内（ＸＹ平面内）に移動させるＸＹテ
ーブル１０、ＸＹテーブル１０を駆動するモータ１１、
検出ヘッド１２、テーブルコントローラ１３、コンパレ
ータ１４、カウンタ補正演算回路１５が備えられてい
る。ＸＹテーブル１０には鉛直軸（Ｚ軸）を中心軸とし
て回転するθテーブル１９が搭載されており、ＸＹテー
ブル１０とθテーブル１９とにより移動手段が構成され
ている。テーブルコントローラ１３はＸＹテーブル１０
の水平面内の移動動作およびθテーブル１９の回転動作
を制御し、ＸＹテーブル１０の移動量はエンコーダ１０
ａによりパルス信号に変換されてカウンタ補正演算回路
１５にフィードバックされる。検出ヘッド１２には後述
する検出光発生手段２０ａと検出手段としてのフォトセ
ンサ９とが備えられており、フォトセンサ９からの検出
信号はコンパレータ１４に入力される。As shown in FIG. 1, the semiconductor device positioning apparatus of this embodiment includes a semiconductor device (workpiece) being manufactured.
1. An XY table 10 on which 1 is mounted and moved within a horizontal plane (an XY plane), a motor 11 for driving the XY table 10,
A detection head 12, a table controller 13, a comparator 14, and a counter correction calculation circuit 15 are provided. The XY table 10 is equipped with a θ table 19 which rotates about a vertical axis (Z axis) as a central axis, and the XY table 10 and the θ table 19 constitute a moving means. The table controller 13 is the XY table 10.
Of the XY table 10 is controlled by controlling the movement of the XY table 10 in the horizontal plane and the rotation of the θ table 19.
It is converted into a pulse signal by a and fed back to the counter correction calculation circuit 15. The detection head 12 is provided with a detection light generating means 20a, which will be described later, and a photosensor 9 as a detection means, and a detection signal from the photosensor 9 is input to the comparator 14.

【００１６】また、コンパレータ１４はオペアンプで構
成された比較手段であり、図２に示すように、フォトセ
ンサ９からの検出信号がコンパレータ１４で２値化され
て矩形波信号Ｔが生成され、カウンタ補正演算回路１５
に出力される。カウンタ補正演算回路１５にはカウンタ
回路１７および補正演算回路１８が備えられており、カ
ウンタ回路１７には矩形波信号Ｔとエンコーダ１０ａか
らのパルス信号とが入力される。そして、矩形波信号Ｔ
のパルス幅に対応するエンコーダ１０ａからのパルス信
号のパルス数がカウントされ、そのカウント数を表すカ
ウント信号Ｔ₁が補正演算回路１８に入力される。補正
演算回路１８には、リードフレーム外周部に設けられた
位置決め用穴（図４〜図７参照）の設計値（寸法や位
置）に基づくパルス数があらかじめ入力されており、こ
の設計値に基づくパルス数とカウント信号Ｔ₁のカウン
ト数とから位置決め用穴の実際の大きさや位置の誤差が
求められ、その誤差に基づく位置補正信号Ｔ₂がテーブ
ルコントローラ１３へ出力される。Further, the comparator 14 is a comparing means composed of an operational amplifier, and as shown in FIG. 2, the detection signal from the photosensor 9 is binarized by the comparator 14 to generate a rectangular wave signal T, and the counter is generated. Correction calculation circuit 15
Is output to The counter correction calculation circuit 15 is provided with a counter circuit 17 and a correction calculation circuit 18, and the rectangular wave signal T and the pulse signal from the encoder 10a are input to the counter circuit 17. Then, the rectangular wave signal T
The pulse number of the pulse signal from the encoder 10a corresponding to the pulse width of is counted, and the count signal T ₁ representing the counted number is input to the correction arithmetic circuit 18. The number of pulses based on the design value (dimension or position) of the positioning hole (see FIGS. 4 to 7) provided on the outer peripheral portion of the lead frame is input in advance to the correction calculation circuit 18, and based on this design value. An error in the actual size and position of the positioning hole is obtained from the number of pulses and the count number of the count signal T ₁ , and a position correction signal T ₂ based on the error is output to the table controller 13.

【００１７】図３に示すように検出ヘッド１２内部には
検出光源２０、ダイクロイックミラー２１、集光レンズ
２２、結像用レンズ２３、ターゲット２４及びフォトセ
ンサ９が備えられている。このうちフォトセンサ９はタ
ーゲット２４に開けられた開口部Ｗ₀に設けられてお
り、検出手段を構成する。また、検出光源２０やダイク
ロイックミラー２１などが検出光発生手段２０ａを構成
する。As shown in FIG. 3, a detection light source 20, a dichroic mirror 21, a condenser lens 22, an image forming lens 23, a target 24 and a photo sensor 9 are provided inside the detection head 12. Of these, the photo sensor 9 is provided in the opening W ₀ opened in the target 24 and constitutes a detecting means. Further, the detection light source 20, the dichroic mirror 21, and the like constitute the detection light generating means 20a.

【００１８】上記検出ヘッド１２の機能を説明する。検
出光源２０で発光した検出光２００はダイクロイックミ
ラー２１で方向が変えられ、集光レンズ２２で集光され
てリードフレーム（ワーク１）表面の照明光となる。リ
ードフレーム表面で反射した反射光はダイクロイックミ
ラー２１を透過して、結像用レンズ２３で集光され、タ
ーゲット２４に当たる。ターゲット２４に当たった反射
光のうちの一部が開口部Ｗ₀からフォトセンサ９に入力
される。この時、集光レンズ２２と結像用レンズ２３と
の組み合わせによりリードフレーム表面上の像がフォト
センサ９の位置で結像するようにしておくと、検出位置
の像が結像用レンズ２３で絞られたターゲット２４の位
置で、例えば図４に示すように結像される。The function of the detection head 12 will be described. The detection light 200 emitted from the detection light source 20 has its direction changed by the dichroic mirror 21 and is condensed by the condenser lens 22 to become illumination light on the surface of the lead frame (work 1). The reflected light reflected on the surface of the lead frame passes through the dichroic mirror 21, is condensed by the imaging lens 23, and hits the target 24. Part of the reflected light that hits the target 24 is input to the photosensor 9 through the opening W ₀ . At this time, if the image on the lead frame surface is formed at the position of the photosensor 9 by the combination of the condenser lens 22 and the image forming lens 23, the image at the detection position is formed by the image forming lens 23. An image is formed at the narrowed position of the target 24, for example, as shown in FIG.

【００１９】図４は、上記のようにしてターゲット２４
上に結像した画像の一例であり、リードフレーム２に設
けられた位置決め用穴３近傍が結像している状態が示さ
れている。この画像に対し斜線部で示す部分に開口部Ｗ
₀があり、この開口部Ｗ₀にフォトセンサ９が取り付けら
れている。開口部Ｗ₀に入射した光はフォトセンサ９で
検出されるが、その状態で、例えば図中Ｘ軸の正方向に
検出ヘッド１２を移動させることにより、フォトセンサ
９はリードフレーム材料の有無、つまり位置決め用穴３
の寸法や位置を検出することができる。なお、図４では
開口部Ｗ₀はターゲット２４上の中心付近に設けられて
いるが、位置決め用穴３を検出可能な場所であればター
ゲット２４の中央以外の位置に設けてもよい。FIG. 4 shows the target 24 as described above.
It is an example of the image formed above, and shows the state in which the vicinity of the positioning hole 3 provided in the lead frame 2 is imaged. The opening W is shown in the shaded area in this image.
₀ There is, photosensor 9 is attached to the opening W _0. The light incident on the opening W ₀ is detected by the photosensor 9, and in that state, for example, by moving the detection head 12 in the positive direction of the X-axis in the figure, the photosensor 9 detects the presence or absence of the lead frame material. That is, positioning hole 3
The size and position of can be detected. Although the opening W ₀ is provided near the center of the target 24 in FIG. 4, it may be provided at a position other than the center of the target 24 as long as the positioning hole 3 can be detected.

【００２０】以上の構成を有する位置決め装置の動作を
説明する。まず、半導体装置１をＸＹテーブル１０によ
って、例えばＸ軸の負方向に一定速度で移動させ、位置
決め用穴３を横切るように走査させると、ターゲット２
４上の画像もＸ軸の負方向に移動する。ところが、フォ
トセンサ９はターゲット２４の開口部Ｗ₀に固定されて
いるので、フォトセンサ９からの出力である検出信号の
変化は図５のタイムチャートに示すように、リードフレ
ーム材料が存在する箇所で高い出力となり、位置決め用
穴３即ちリードフレーム材料が存在しない箇所で低い出
力となる。但し、図５ではターゲット２４上の位置決め
用穴３近傍の画像が模式的に表されており、フォトセン
サ９からの検出信号は、光が強い場合に高い出力、光が
弱い場合に低い出力になるものとする。また、半導体装
置１をＹ軸方向に移動させた場合についても同様であ
る。The operation of the positioning device having the above configuration will be described. First, the semiconductor device 1 is moved by the XY table 10 in the negative direction of the X-axis at a constant speed, and is scanned so as to traverse the positioning hole 3.
The image on 4 also moves in the negative direction of the X axis. However, since the photosensor 9 is fixed to the opening W ₀ of the target 24, the change of the detection signal which is the output from the photosensor 9 changes as shown in the time chart of FIG. The output becomes high at the position, and the output becomes low at the position where the positioning hole 3, that is, the lead frame material does not exist. However, in FIG. 5, an image in the vicinity of the positioning hole 3 on the target 24 is schematically shown, and the detection signal from the photosensor 9 has a high output when the light is strong and a low output when the light is weak. Shall be. The same applies when the semiconductor device 1 is moved in the Y-axis direction.

【００２１】上記フォトセンサ９からの波形はコンパレ
ータ１４に入力され、この検出信号が図中波線Ｓで示す
所定のスレッシュホールドをもとに２値化される。さら
にテーブルコントローラ１３からゲート信号Ｇがコンパ
レータ１４に入力され、このゲート信号Ｇと上記２値化
した検出信号とから矩形波信号Ｔが生成される。但し、
図５では位置決め用穴３内から検出を開始するものとし
ており、ゲート信号Ｇは図５に示すように検出開始と共
に或いは検出開始後すぐに立ち上がるように設定されて
いるものとする。また、この場合、ゲート信号Ｇのゲー
ト幅は位置決め用穴３の直径程度またはそれよりも大き
めがよい。さらに、矩形波信号Ｔの生成方法としては、
２値化したフォトセンサ９からの検出信号を反転してか
らゲート信号ＧとＡＮＤをとるように信号処理するのが
よい。矩形波信号Ｔのパルス幅は、検出開始位置（ゲー
ト信号Ｇの立ち上がり）から位置決め用穴３のエッジま
での走査線上における長さに対応している。The waveform from the photo sensor 9 is input to the comparator 14, and this detection signal is binarized based on a predetermined threshold shown by a broken line S in the figure. Further, the gate signal G is input from the table controller 13 to the comparator 14, and a rectangular wave signal T is generated from the gate signal G and the binarized detection signal. However,
In FIG. 5, the detection is started from inside the positioning hole 3, and the gate signal G is set so as to rise with the detection start or immediately after the detection start as shown in FIG. Further, in this case, the gate width of the gate signal G is preferably about the diameter of the positioning hole 3 or larger than it. Further, as a method of generating the rectangular wave signal T,
It is preferable that the binarized detection signal from the photo sensor 9 be inverted before the signal processing is performed so as to be ANDed with the gate signal G. The pulse width of the rectangular wave signal T corresponds to the length on the scanning line from the detection start position (rising edge of the gate signal G) to the edge of the positioning hole 3.

【００２２】コンパレータ１４からの矩形波信号Ｔはカ
ウンタ補正演算回路１５のカウンタ回路１７に入力され
る。カウンタ回路１７にはエンコーダ１０ａからのパル
ス信号も入力されるが、ＸＹテーブル１０のＸ軸および
Ｙ軸の両方向の動きにそれぞれ対応するエンコーダ１０
ａからのパルス信号を切り換えるためのポートが備えて
いる。そして、矩形波信号Ｔの立ち上がりから立ち下が
りまでの時間ｔの間におけるエンコーダ１０ａからのパ
ルス信号のパルス数をカウンタ回路１７でカウントす
る。このことは、時間ｔの間の結局ＸＹテーブル１０の
移動距離、従って検出開始位置から位置決め用穴３のエ
ッジまでの実際の距離を求めることになり、実際の位置
決め用穴３の寸法や位置の誤差を求めることが可能とな
る。図５では上記検出開始位置から位置決め用穴３のエ
ッジまでの距離をｄＸで表してある。また、Ｙ軸方向に
走査させる場合には、図５中ｄＹで表す距離が求められ
ることになる。なお、図中のエンコーダ１０ａからのパ
ルス信号は実際には幅をもつものであるが、その幅は他
の信号に比べ非常に短いため、線状に表されている。The rectangular wave signal T from the comparator 14 is input to the counter circuit 17 of the counter correction calculation circuit 15. Although the pulse signal from the encoder 10a is also input to the counter circuit 17, the encoder 10 corresponding to the movements of the XY table 10 in both the X-axis and the Y-axis directions, respectively.
A port for switching the pulse signal from a is provided. Then, the counter circuit 17 counts the number of pulses of the pulse signal from the encoder 10a during the time t from the rise to the fall of the rectangular wave signal T. This means that the movement distance of the XY table 10, that is, the actual distance from the detection start position to the edge of the positioning hole 3 is finally obtained during the time t, and the size and position of the actual positioning hole 3 are determined. It is possible to obtain the error. In FIG. 5, the distance from the detection start position to the edge of the positioning hole 3 is represented by dX. When scanning in the Y-axis direction, the distance represented by dY in FIG. 5 is obtained. The pulse signal from the encoder 10a in the figure actually has a width, but since the width is much shorter than other signals, it is represented by a line.

【００２３】上記カウンタ回路１７からの時間ｔのカウ
ント数はカウント信号Ｔ₁として補正演算回路１８に入
力され、あらかじめ入力された設計値に基づくパルス数
と比較され、位置決め用穴の実際の大きさや位置の誤差
が求められる。図５において、設計値に基づく正規の検
出開始位置が位置決め用穴３の中心であったとするなら
ば、誤差はΔＸおよびΔＹとなる。The count number of the time t from the counter circuit 17 is input to the correction arithmetic circuit 18 as a count signal T ₁ and compared with the pulse number based on the design value input in advance to determine the actual size of the positioning hole. The position error is determined. In FIG. 5, if the normal detection start position based on the design value is the center of the positioning hole 3, the errors are ΔX and ΔY.

【００２４】ここで、補正演算回路１８における補正値
の演算の一例について図６および図７により説明する。
この例では、図６のように半導体装置１が３個一組で取
り扱われるものとし、リードフレーム２の外周部に各々
の半導体装置１に対してそれぞれ２箇所（合計６箇所）
に位置決め用穴３が設けられているものとし、図６中左
上の位置決め用穴３ａと右下の位置決め用穴３ｂとを前
述のように検出して誤差を演算するものとする。また、
図７のように、正規の位置における位置決め用穴３ａ，
３ｂの位置をそれぞれ点Ａ，Ｂ、ずれた位置における位
置決め用穴３ａ，３ｂの位置をそれぞれ点Ａ₁，Ｂ₁と
し、点Ａを通るＹ軸に平行な直線とＢを通るＸ軸に平行
な直線との交点を点Ｃ、ＣＢの距離をＬ_X、ＣＡの距離
をＬ_Yとする。Here, an example of calculation of the correction value in the correction calculation circuit 18 will be described with reference to FIGS. 6 and 7.
In this example, it is assumed that the semiconductor devices 1 are handled as a set of three as shown in FIG.
It is assumed that the positioning hole 3 is provided in the above position, the upper left positioning hole 3a and the lower right positioning hole 3b in FIG. 6 are detected as described above, and the error is calculated. Also,
As shown in FIG. 7, the positioning holes 3a at the regular position,
The positions of 3b are points A and B, and the positions of the positioning holes 3a and 3b at the displaced positions are points A ₁ and B ₁ , respectively, and the straight line parallel to the Y axis passing through the point A and the X axis passing through B are parallel to each other. _Let the point of intersection with the straight line be point C, the distance of CB be L _X , and the distance of CA be L _Y.

【００２５】図７では、半導体装置１の位置決め誤差
が、位置決め用穴３ａおよび３ｂのそれぞれに対して、
パルスのカウント数の差より（△Ｘ₁，△Ｙ₁），（△Ｘ
₂，△Ｙ₂）と求められており、この誤差をＸＹテーブル
１０のＸ軸およびＹ軸方向への移動と、θテーブル１９
の回転中心Ｏまわりの微小角度回転により補正する。こ
のためには、位置決め用穴３ａと３ｂの座標の差Ｌ_X，
Ｌ_Yの値を補正演算回路１８に入力しておき、これらの
値と△Ｘ₁，△Ｙ₁，△Ｘ₂，△Ｙ₂を用いて各移動軸方向
の補正値△Ｘ，△Ｙ，△θを演算により求める。なお、
θテーブル１９の回転方向は時計まわりを正とする。In FIG. 7, the positioning error of the semiconductor device 1 is different from that of the positioning holes 3a and 3b.
From the difference in the pulse counts, (ΔX ₁ , ΔY ₁ ), (ΔX
₂ , ΔY ₂ ), and this error can be calculated by moving the XY table 10 in the X-axis and Y-axis directions and the θ table 19
It is corrected by rotating a small angle around the rotation center O of. For this purpose, the difference L _X between the coordinates of the positioning holes 3a and 3b,
The value of L _Y is input to the correction calculation circuit 18, and these values and ΔX ₁ , ΔY ₁ , ΔX ₂ , ΔY ₂ are used to correct the correction values ΔX, ΔY, Δθ is calculated. In addition,
The rotation direction of the θ table 19 is positive in the clockwise direction.

【００２６】まず、直線ＢＣと直線ＢＡのなす角αは、 α＝tan^-1(−Ｌ_Y／Ｌ_X) … （１） と表され、直線Ｂ₁を通るＸ軸に平行な直線と直線Ｂ₁Ａ
₁のなす角βは、 β＝tan^-1((−Ｌ_Y−△Ｙ₁＋△Ｙ₂)／(Ｌ_X−△Ｘ₁＋△Ｘ₂)) … （２） となり、（１）式および（２）式よりθテーブル１９の
補正値△θは、 △θ＝α−β … （３） により求まる。First, the angle α formed by the straight line BC and the straight line BA is expressed as α = tan ⁻¹ (−L _Y / L _X ) ... (1), and the straight line parallel to the X axis passing through the straight line B ₁ and the straight line B ₁ A
The angle β formed by ₁ is β = tan ⁻¹ ((−L _Y −ΔY ₁ + ΔY ₂ ) / (L _X −ΔX ₁ + ΔX ₂ )) (2), and the formula (1) is obtained. And the correction value Δθ of the θ table 19 is obtained from the equation (2) by Δθ = α−β (3).

【００２７】一方、ＸＹテーブル１０によるＸ軸、Ｙ軸
方向のそれぞれの補正値△Ｘ，△Ｙは、 △Ｘ＝Ｘ₀₀−(Ｌ₀₁・cos(γ−△θ)) … （４） △Ｙ＝Ｙ₀₀−(Ｌ₀₁・sin(γ−△θ)) … （５） により求まる。但し、ここに、Ｘ₀₀，Ｙ₀₀はそれぞれ位
置決め用穴３ａとθテーブル１９の回転中心Ｏの座標の
差、γは直線ＯＡ₁と点Ａ₁を通るＸ軸に平行な直線との
なす角、Ｌ₀₁は直線ＯＡ₁の長さであり、 Ｌ₀₁＝√((−Ｘ₀₀＋△Ｘ₁)²＋(−Ｙ₀₀＋△Ｙ₁)²) … （６） γ＝tan^-1((−Ｙ₀₀＋△Ｙ₁)／(−Ｘ₀₀＋△Ｘ₁)) … （７） が成り立つ。On the other hand, the correction values ΔX and ΔY in the X-axis and Y-axis directions by the XY table 10 are ΔX = X ₀₀ − (L ₀₁ · cos (γ−Δθ)) (4) Δ Y = Y ₀₀ − (L ₀₁ · sin (γ−Δθ)) (5) Here, X ₀₀ and Y ₀₀ are the differences between the coordinates of the positioning hole 3a and the rotation center O of the θ table 19, respectively, and γ is the angle between the straight line OA ₁ and a straight line parallel to the X axis passing through the point A _1. , L ₀₁ is the length of the straight line OA ₁ , and L ₀₁ = √ ((− X ₀₀ + ΔX ₁ ) ² + (− Y ₀₀ + ΔY ₁ ) ² ) ... (6) γ = tan ⁻¹ ( (−Y ₀₀ + ΔY ₁ ) / (− X ₀₀ + ΔX ₁ )) (7) holds.

【００２８】上記のようにして求められた各補正値△
Ｘ，△Ｙ，△θが位置補正信号Ｔ₂としてテーブルコン
トローラ１３へ出力される。テーブルコントローラ１３
は、位置補正信号Ｔ₂を受けて各補正値をＸＹテーブル
１０およびθテーブル１９の各モータに指令する。そし
て、ＸＹテーブル１０及びθテーブル１９はその指令に
より位置の補正を行い、その位置の補正終了後、所定の
製造工程に入る。Each correction value Δ obtained as described above
X, ΔY, and Δθ are output to the table controller 13 as the position correction signal T ₂ . Table controller 13
Receives the position correction signal T ₂ and instructs each correction value to each motor of the XY table 10 and the θ table 19. Then, the XY table 10 and the θ table 19 correct the position according to the command, and after the position correction is completed, a predetermined manufacturing process starts.

【００２９】以上のような本実施形態によれば、位置決
め用穴３の大きさや位置に対応する矩形波信号Ｔをコン
パレータ１４から発生させ、その矩形波信号Ｔの立ち上
がりから立ち下がりまでの時間ｔにおけるエンコーダ１
０ａからのパルス信号のパルス数をカウンタ回路１７で
カウントし、補正演算回路１８においてそのカウント数
と設計値に基づく値とから位置決め用穴３の大きさや位
置の誤差を求めるので、ＸＹテーブル１０およびθテー
ブル１９の補正値を正確に求めることができ、半導体装
置１の品種や製造条件に拘らず高精度かつ短時間に位置
決めを行うことができる。従って、本実施形態によれば
厳しい加工精度の要求に対応することができる。According to the present embodiment as described above, the comparator 14 generates the rectangular wave signal T corresponding to the size and position of the positioning hole 3, and the time t from the rising to the falling of the rectangular wave signal T. Encoder 1 at
The counter circuit 17 counts the number of pulses of the pulse signal from 0a, and the correction arithmetic circuit 18 obtains the error in the size and position of the positioning hole 3 from the count number and the value based on the design value. The correction value of the θ table 19 can be accurately obtained, and positioning can be performed with high accuracy and in a short time regardless of the type of the semiconductor device 1 and the manufacturing conditions. Therefore, according to this embodiment, it is possible to meet a strict demand for processing accuracy.

【００３０】なお、位置決め用穴は各半導体装置に対し
て少なくとも２箇所であればよいのであって、必ずしも
対角線位置に設ける必要はない。また、位置決め用穴は
必ずしも貫通した穴である必要はなく、検出光によって
光学的に判別できるものであれば止まり穴や塗料の塗布
によるマークとしてもよい。It is sufficient that the positioning holes are provided in at least two positions for each semiconductor device, and they are not necessarily provided in diagonal positions. Further, the positioning hole does not necessarily have to be a penetrating hole, and may be a blind hole or a mark formed by coating with a paint as long as it can be optically discriminated by the detection light.

【００３１】また、上記実施形態では検出光の反射光を
利用したが、位置決め用穴を通過した通過光を利用して
もよい。また、上記実施形態ではＸＹテーブルの移動量
測定のためにエンコーダを利用したが、その他の手段に
よってＸＹテーブルの移動量を測定してもよい。Further, although the reflected light of the detection light is used in the above-mentioned embodiment, the light passing through the positioning hole may be used. Further, although the encoder is used for measuring the movement amount of the XY table in the above embodiment, the movement amount of the XY table may be measured by other means.

【００３２】次に、本発明の第２の実施形態について、
図８および図９を参照しながら説明する。本実施形態は
ダムバー切断装置に関するものであり、第１の実施形態
で説明した半導体装置の位置決め装置をダムバー切断装
置に取り付けた実施形態である。但し、図８および図９
において図１〜図７と同等の部材には同じ符号を付して
ある。Next, a second embodiment of the present invention will be described.
This will be described with reference to FIGS. The present embodiment relates to a dam bar cutting device, and is an embodiment in which the semiconductor device positioning device described in the first embodiment is attached to the dam bar cutting device. However, FIG. 8 and FIG.
In FIG. 7, the same members as those in FIGS. 1 to 7 are designated by the same reference numerals.

【００３３】図８に示すように、本実施形態のダムバー
切断装置には、テーブルコントローラ１３、コンパレー
タ１４、カウンタ補正演算回路１５に加えて、レーザヘ
ッド２８とレーザ電源２９とから構成されるレーザ発振
器３０、加工ヘッド３１が備えられている。加工ヘッド
３１の構成は検出ヘッド１２とは若干異なる。これ以外
の構成は図１と同様である。As shown in FIG. 8, in the dam bar cutting apparatus of this embodiment, in addition to the table controller 13, the comparator 14, the counter correction arithmetic circuit 15, a laser oscillator including a laser head 28 and a laser power source 29. A processing head 31 and a processing head 31 are provided. The configuration of the processing head 31 is slightly different from that of the detection head 12. The other configuration is the same as that of FIG.

【００３４】レーザ電源２９は、図示しない安定化電
源、コンデンサ部、スイッチ部、及びレーザコントロー
ラを有する。このレーザ電源２９では、まず、交流電源
より供給された交流電源が安定化電源部に供給され、レ
ーザコントローラから指令された電圧値に従って直流に
変えられてコンデンサ部に供給され、コンデンサ部に供
給された電荷がレーザコントローラから指定されたパル
ス幅によるスイッチ部の開閉動作により、レーザヘッド
２８に備えられたレーザ励起ランプに供給される。そし
てこのパルス状の電荷によりフラッシュランプが発光
し、レーザ媒体が励起されパルス状のレーザ光が出射さ
れる。このレーザヘッド２８からのレーザ光の出射タイ
ミングは、予めテーブルコントローラ１３またはレーザ
電源２９に設定されたデータに基づいて制御され、レー
ザ光が照射されることにより半導体装置１のダムバーが
切断される。The laser power source 29 has a stabilizing power source, a capacitor section, a switch section, and a laser controller (not shown). In this laser power supply 29, first, the AC power supply supplied from the AC power supply is supplied to the stabilized power supply unit, converted into DC according to the voltage value commanded by the laser controller, supplied to the capacitor unit, and supplied to the capacitor unit. The electric charge is supplied to the laser excitation lamp provided in the laser head 28 by the opening / closing operation of the switch unit according to the pulse width designated by the laser controller. Then, the flash lamp emits light by the pulsed electric charge, the laser medium is excited, and the pulsed laser light is emitted. The emission timing of the laser light from the laser head 28 is controlled based on the data set in the table controller 13 or the laser power source 29 in advance, and the dam bar of the semiconductor device 1 is cut by the irradiation of the laser light.

【００３５】また、図９に示すように、加工ヘッド３１
内部には、レーザヘッド２８からのレーザ光１００の波
長に対し高い反射率特性を有するベンディングミラー３
６、集光レンズ２２が備えられており、さらに検出光２
００を発生する検出光源３７、ダイクロイックミラー２
１、結像用レンズ２３、ターゲット２４、フォトセンサ
９が備えられている。Further, as shown in FIG. 9, the processing head 31
Inside the bending mirror 3 having a high reflectance characteristic with respect to the wavelength of the laser light 100 from the laser head 28.
6, the condenser lens 22 is provided, and the detection light 2
Detection light source 37 for generating 00, dichroic mirror 2
1, a lens 23 for imaging, a target 24, and a photo sensor 9 are provided.

【００３６】以上のような構成のダムバー切断装置で
は、半導体装置１を所定位置に取り付けた後のダムバー
の切断に先立ち、第１の実施形態と同様の動作によって
必要な位置補正を含めた位置決めを行い、その後直ちに
レーザヘッド２８からレーザ光を出射させてダムバーを
切断する。このような本実施形態によっても、第１の実
施形態と同様の効果が得られる他、半導体装置製造に要
する時間の短縮、および製造ラインの簡略化を図ること
ができる。In the dam bar cutting device having the above-described structure, prior to cutting the dam bar after mounting the semiconductor device 1 at a predetermined position, positioning including necessary position correction is performed by the same operation as in the first embodiment. After that, the laser beam is immediately emitted from the laser head 28 to cut the dam bar. According to this embodiment as well, the same effect as that of the first embodiment can be obtained, and the time required for manufacturing the semiconductor device can be shortened and the manufacturing line can be simplified.

【００３７】なお、本実施形態の場合は、前述した特開
平６−１４２９６８号公報に記載の従来技術をダムバー
切断に応用してもよい。即ち、図９の検出光源３７から
発せられる検出光をダムバー切断時にもリードフレーム
に当てるようにし、リードの有無を検出しその検出結果
をもとにダムバー切断用のレーザ光の出射タイミングを
制御してもよい。In the case of this embodiment, the conventional technique described in the above-mentioned Japanese Patent Laid-Open No. 6-142968 may be applied to the dam bar cutting. That is, the detection light emitted from the detection light source 37 of FIG. 9 is applied to the lead frame even when the dam bar is cut, the presence or absence of the lead is detected, and the emission timing of the laser light for cutting the dam bar is controlled based on the detection result. May be.

【００３８】[0038]

【発明の効果】本発明の半導体装置の位置決め装置よれ
ば、検出光の反射光に基づく検出信号と移動量測定手段
で測定した移動量とを用いて実際のマークの大きさや位
置の誤差を求め、その誤差に基づいて半導体装置の位置
を補正するので、半導体装置の品種や製造条件に拘らず
高精度かつ短時間に位置決めを行うことができる。従っ
て、本発明によれば厳しい加工精度の要求に対応するこ
とができる。According to the semiconductor device positioning apparatus of the present invention, the error in the actual size and position of the mark is obtained using the detection signal based on the reflected light of the detection light and the movement amount measured by the movement amount measuring means. Since the position of the semiconductor device is corrected based on the error, positioning can be performed with high accuracy and in a short time regardless of the type of semiconductor device and manufacturing conditions. Therefore, according to the present invention, it is possible to meet a strict demand for processing accuracy.

【００３９】また、本発明のダムバー切断装置によれ
ば、位置決め後に即座にダムバーの切断が行えるので、
半導体装置製造に要する時間の短縮、および製造ライン
の簡略化を図ることができる。Further, according to the dam bar cutting apparatus of the present invention, the dam bar can be cut immediately after positioning,
It is possible to reduce the time required for manufacturing a semiconductor device and simplify the manufacturing line.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の第１の実施形態を示す図であって、半
導体装置の位置決め装置の構成を示す概略図である。FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of the present invention and is a schematic diagram showing a configuration of a positioning device for a semiconductor device.

【図２】図１のコンパレータおよびカウンタ補正演算回
路の構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a comparator and a counter correction arithmetic circuit of FIG.

【図３】図１の検出ヘッド内部の構成を示す概略図であ
る。FIG. 3 is a schematic diagram showing an internal configuration of the detection head of FIG.

【図４】図３のターゲット上に結像した位置決め用穴近
傍を示す画像の一例である。FIG. 4 is an example of an image showing the vicinity of a positioning hole formed on the target of FIG.

【図５】フォトセンサからの検出信号に基づく矩形波信
号と、ＸＹテーブルに取り付けたエンコーダからのパル
ス信号との対応関係を示すタイムチャートである。FIG. 5 is a time chart showing a correspondence relationship between a rectangular wave signal based on a detection signal from a photo sensor and a pulse signal from an encoder attached to an XY table.

【図６】３個一組で取り扱われる半導体装置を示す図で
ある。FIG. 6 is a diagram showing a semiconductor device handled as a set of three pieces.

【図７】補正演算回路における補正値の演算の一例を説
明する図である。FIG. 7 is a diagram illustrating an example of calculation of a correction value in a correction calculation circuit.

【図８】本発明の第２の実施形態を示す図であって、ダ
ムバー切断装置の構成を示す概略図である。FIG. 8 is a view showing a second embodiment of the present invention, and is a schematic view showing a configuration of a dam bar cutting device.

【図９】図８の加工ヘッド内部の構成を示す概略図であ
る。9 is a schematic view showing the internal structure of the processing head of FIG.

【図１０】半導体装置の位置決めを行う従来の方法を説
明する図である。FIG. 10 is a diagram illustrating a conventional method for positioning a semiconductor device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 半導体装置（ワーク） ２ リードフレーム ３ 位置決め用穴 ３ａ，３ｂ 位置決め用穴 ９ フォトセンサ １０ ＸＹテーブル １０ａ エンコーダ １２ 検出ヘッド １３ テーブルコントローラ １４ コンパレータ １５ カウンタ補正演算回路 １７ カウンタ回路 １８ 補正演算回路 １９ θテーブル ２０ 検出光源 ２０ａ 検出光発生手段 ２１ ダイクロイックミラー ２２ 集光レンズ ２３ 結像用レンズ ２４ ターゲット ２８ レーザヘッド ２９ レーザ電源 ３０ レーザ発振器 ３１ 加工ヘッド ３６ ベンディングミラー ３７ 検出光源 １００ レーザ光 ２００ 検出光 1 Semiconductor Device (Work) 2 Lead Frame 3 Positioning Holes 3a, 3b Positioning Hole 9 Photo Sensor 10 XY Table 10a Encoder 12 Detection Head 13 Table Controller 14 Comparator 15 Counter Correction Calculation Circuit 17 Counter Circuit 18 Correction Calculation Circuit 19 θ Table 20 detection light source 20a detection light generating means 21 dichroic mirror 22 focusing lens 23 imaging lens 24 target 28 laser head 29 laser power supply 30 laser oscillator 31 processing head 36 bending mirror 37 detection light source 100 laser light 200 detection light

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 下村 義昭 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機株 式会社土浦工場内 (72)発明者 奥村 信也 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機株 式会社土浦工場内 (72)発明者 桜井 茂行 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機株 式会社土浦工場内 (72)発明者 美野本 泰 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機エ ンジニアリング株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yoshiaki Shimomura 650 Kazutachi-cho, Tsuchiura-shi, Ibaraki Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. Tsuchiura factory (72) Inventor Shinya Okumura 650 Kintate-cho, Tsuchiura-shi, Ibaraki Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. Inside the Tsuchiura Factory (72) Inventor Shigeyuki Sakurai 650 Jinrachicho, Tsuchiura City, Ibaraki Hitachi Construction Machinery Co., Ltd. Inside the Tsuchiura Factory (72) Inventor, Yasushi Minomoto 650 Kintatecho, Tsuchiura City, Ibaraki Hitachi Construction Machinery Engineering Co., Ltd. Ring Co., Ltd.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 リードフレームおよび半導体チップを樹
脂モールドで封止した半導体装置を製造するに際し、加
工を行う位置に前記半導体装置を位置決めする半導体装
置の位置決め装置において、 検出光を前記リードフレーム表面に照射する検出光発生
手段と、 前記リードフレームを前記検出光に対して相対的に移動
させ、前記検出光の照射位置を前記リードフレームに予
め設けたマークを横切って走査させる移動手段と、 前記移動手段による前記リードフレームの移動量を測定
する移動量測定手段と、 前記マークによる前記検出光の反射光の強弱を検出して
その反射光の強弱に対応する検出信号を発生する検出手
段と、 前記検出信号の強弱の幅と前記移動量測定手段で測定し
た移動量とから前記マークの寸法を算出し前記半導体装
置の位置決め誤差を求める演算手段と、 前記位置決め誤差に基づいて前記半導体装置の位置を補
正する位置補正手段とを有することを特徴とする半導体
装置の位置決め装置。1. A semiconductor device positioning device for positioning a semiconductor device in which a lead frame and a semiconductor chip are sealed with a resin mold so as to position the semiconductor device at a processing position. Detecting light generating means for irradiating, moving means for moving the lead frame relative to the detecting light, and scanning the irradiation position of the detecting light across a mark previously provided on the lead frame, and the moving means. A movement amount measuring means for measuring a movement amount of the lead frame by means, a detection means for detecting the intensity of reflected light of the detection light by the mark and generating a detection signal corresponding to the intensity of the reflected light, The size of the mark is calculated from the width of the strength of the detection signal and the movement amount measured by the movement amount measuring means, and the position of the semiconductor device is calculated. Calculating means for obtaining an error determined, the positioning device for a semiconductor device characterized by having a position correcting means for correcting the position of the semiconductor device based on the positioning error. 【請求項２】 パルス状のレーザ光を発振するレーザ発
振器と、前記レーザ光を被加工物の加工位置まで誘導す
る加工光学系と、前記被加工物を移動させその加工位置
を決定する搬送手段と、所定の加工位置に前記パルスレ
ーザ光が照射されるようそのパルスレーザ光の発振を制
御する制御手段とを備え、半導体装置のダムバーに前記
レーザ光を照射しながらそのレーザ光の光軸を前記半導
体装置に対して相対的に移動させることにより前記ダム
バーを順次切断するダムバー加工装置において、請求項
１記載の半導体装置の位置決め装置をさらに備えたこと
を特徴とするダムバー切断装置。2. A laser oscillator that oscillates a pulsed laser beam, a machining optical system that guides the laser beam to a machining position of a workpiece, and a conveying unit that moves the workpiece and determines the machining position. And a control means for controlling the oscillation of the pulsed laser light so that the pulsed laser light is irradiated to a predetermined processing position, and the optical axis of the laser light is irradiated to the dam bar of the semiconductor device while irradiating the laser light. The dam bar cutting device for sequentially cutting the dam bars by moving the dam bar relative to the semiconductor device, further comprising a positioning device for the semiconductor device according to claim 1.