JPH09213685A - Plasma electrode of plasma system for semiconductor device - Google Patents
Plasma electrode of plasma system for semiconductor deviceInfo
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- JPH09213685A JPH09213685A JP8034181A JP3418196A JPH09213685A JP H09213685 A JPH09213685 A JP H09213685A JP 8034181 A JP8034181 A JP 8034181A JP 3418196 A JP3418196 A JP 3418196A JP H09213685 A JPH09213685 A JP H09213685A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
工程にて使用するプラズマ装置においてプラズマを発生
させるプラズマ電極に関し、特に上部電極及び下部電極
を構成する各部品間の端面部分で電位差が生じて異常放
電が発生することがないようにすることができる半導体
装置用プラズマ装置のプラズマ電極に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma electrode for generating plasma in a plasma device used in a manufacturing process of a semiconductor device, and in particular, a potential difference is generated in an end face portion between respective parts constituting an upper electrode and a lower electrode. The present invention relates to a plasma electrode of a plasma device for a semiconductor device, which can prevent abnormal discharge from occurring.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置の製造工程における例えばホ
トマスクの製作においては、半導体装置用プラズマ装置
として平行平板型のプラズマアッシャー装置を使用して
いる。そして、従来のこの種の半導体装置用プラズマ装
置のプラズマ電極は、図２に示すように、周囲に下向き
に突出した縁部３ａを有し中央部には空間部３ｂを有し
て処理ガス４を下方に吹き出すと共に電極板となるガス
シャワープレート５を底面に有し、このガスシャワープ
レート５の上面には内部に冷却水が通されてそのガスシ
ャワープレート５の発熱を冷却する冷却部材６を有する
上部電極１と、この上部電極１の下方にて上記ガスシャ
ワープレート５と平行に配置され平板状の電極板となる
と共にワーク７を載せる上面板８を有し、この上面板８
の下面には内部に冷却水が通されてその上面板８の発熱
を冷却する冷却部材９を有する下部電極２とを備えて成
っていた。2. Description of the Related Art A parallel plate type plasma asher device is used as a plasma device for a semiconductor device in, for example, manufacturing a photomask in a semiconductor device manufacturing process. As shown in FIG. 2, the plasma electrode of the conventional plasma device for a semiconductor device has a peripheral edge portion 3a protruding downward and a space portion 3b in the central portion, so that the processing gas 4 Has a gas shower plate 5 serving as an electrode plate on the bottom and a cooling member 6 for cooling the heat generation of the gas shower plate 5 by passing cooling water inside thereof. The upper electrode 1 is provided, and the upper electrode 8 is disposed below the upper electrode 1 in parallel with the gas shower plate 5 to form a flat plate-shaped electrode plate and the work 7 is placed thereon.
The lower electrode 2 has a lower electrode 2 having a cooling member 9 through which cooling water is passed to cool the heat generated by the upper plate 8.
【０００３】そして、図２において、上記ガスシャワー
プレート５の中央部には処理ガス供給管１０が連結され
ており、酸素ガスなどの処理ガス４が供給されるように
なっている。また、上部電極１の冷却部材６は、上下に
分かれた冷却板６ａと６ｂとを接合してなり、この冷却
板６ａ，６ｂの間に形成された凹所に冷却水供給管１１
と冷却水排出管１２とが連結されており、冷却水を供
給、排出するようになっている。これと同様に、下部電
極２の冷却部材９は、上下に分かれた冷却板９ａ，９ｂ
とを接合してなり、この冷却板９ａ，９ｂの間に形成さ
れた凹所に冷却水供給管１３と冷却水排出管１４とが連
結されている。In FIG. 2, a processing gas supply pipe 10 is connected to the central portion of the gas shower plate 5 so that a processing gas 4 such as oxygen gas is supplied. The cooling member 6 of the upper electrode 1 is formed by joining cooling plates 6a and 6b, which are vertically separated, into a recess formed between the cooling plates 6a and 6b.
And the cooling water discharge pipe 12 are connected to supply and discharge the cooling water. Similarly, the cooling member 9 of the lower electrode 2 includes cooling plates 9a and 9b which are divided into upper and lower parts.
The cooling water supply pipe 13 and the cooling water discharge pipe 14 are connected to the recess formed between the cooling plates 9a and 9b.
【０００４】なお、図２において、符号１５は上記上部
電極１及び下部電極２に電力を供給する電源を示し、符
号１６は上部電極１の上面の絶縁板を示し、符号１７は
プラズマ電極のチャンバーのベース部材を示している。
また、上記ガスシャワープレート５は、アルミニウムで
できており冷却板６ｂの下面側に図示省略の取付ねじで
取り付けられており、上面板８は、アルミニウムででき
ており冷却板９ａの上面側に図示省略の取付ねじで取り
付けられている。In FIG. 2, reference numeral 15 indicates a power source for supplying electric power to the upper electrode 1 and the lower electrode 2, reference numeral 16 indicates an insulating plate on the upper surface of the upper electrode 1, and reference numeral 17 indicates a chamber of the plasma electrode. The base member of is shown.
The gas shower plate 5 is made of aluminum and is attached to the lower surface side of the cooling plate 6b with a mounting screw (not shown). The upper surface plate 8 is made of aluminum and is shown on the upper surface side of the cooling plate 9a. It is attached with the mounting screws (omitted).
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような従
来の半導体装置用プラズマ装置のプラズマ電極において
は、上部電極１における冷却板６ａと冷却板６ｂとガス
シャワープレート５との間にわずかな隙間があり、また
下部電極２における上面板８と冷却板９ａと冷却板９ｂ
との間にわずかな隙間があったので、電源１５により上
部電極１及び下部電極２の間に高電圧を印加すると、上
記各部品間の端面部分においても電位差が生じてそれぞ
れの隙間部分で異常放電が発生することがあった。さら
に、上記ガスシャワープレート５及び上面板８の取付ね
じの部分でも異常放電が発生することがあった。従っ
て、これらの異常放電発生部分において放電跡による汚
れが発生したり、空気中の塵埃を集めて異物が発生する
ものであった。そして、上記発生した汚れや異物が脱落
してワーク７としての例えばホトマスク上に付着するこ
とがあった。このことから、上記ホトマスクとしては不
良となり、最終的に製造される半導体装置の品質が低下
したり、歩留まりが低下するものであった。However, in such a plasma electrode of the conventional plasma device for a semiconductor device, a slight gap is formed between the cooling plate 6a, the cooling plate 6b and the gas shower plate 5 in the upper electrode 1. And the upper plate 8, the cooling plate 9a, and the cooling plate 9b in the lower electrode 2.
Since there is a slight gap between the parts, when a high voltage is applied between the upper electrode 1 and the lower electrode 2 by the power supply 15, a potential difference also occurs at the end face part between the above-mentioned parts, and an abnormality occurs in each gap part. Discharge sometimes occurred. Further, abnormal discharge may occur at the mounting screws of the gas shower plate 5 and the top plate 8. Therefore, in these abnormal discharge occurrence portions, dirt is generated due to discharge traces, or dust in the air is collected to generate foreign matter. Then, the generated dirt or foreign matter may fall off and adhere to the work 7 such as a photomask. For this reason, the photomask becomes defective, and the quality of the finally manufactured semiconductor device deteriorates, or the yield decreases.
【０００６】そこで、本発明は、このような問題点に対
処し、上部電極及び下部電極を構成する各部品間の端面
部分で電位差が生じて異常放電が発生することがないよ
うにすることができる半導体装置用プラズマ装置のプラ
ズマ電極を提供することを目的とする。Therefore, the present invention addresses such a problem and prevents an abnormal discharge from occurring due to a potential difference occurring at the end face portions between the parts constituting the upper electrode and the lower electrode. An object of the present invention is to provide a plasma electrode of a plasma device for a semiconductor device that can be manufactured.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による半導体装置用プラズマ装置のプラズマ
電極は、周囲に下向きに突出した縁部を有し中央部には
空間部を有して処理ガスを下方に吹き出すと共に電極板
となるガスシャワープレートを底面に有し、このガスシ
ャワープレートの上面には内部に冷却水が通されてその
ガスシャワープレートの発熱を冷却する冷却部材を有す
る上部電極と、この上部電極の下方にて上記ガスシャワ
ープレートと平行に配置され平板状の電極板となると共
にワークを載せる上面板を有し、この上面板の下面には
内部に冷却水が通されてその上面板の発熱を冷却する冷
却部材を有する下部電極とを備えて成る半導体装置用プ
ラズマ装置のプラズマ電極において、上記上部電極のガ
スシャワープレートの周縁部を立ち上げて延長しその上
面に配置された冷却部材の外側端面を覆うように形成
し、かつ上記下部電極の上面板の周縁部を立ち下げて延
長しその下面に配置された冷却部材の外側端面を覆うよ
うに形成したものである。In order to achieve the above object, a plasma electrode of a plasma device for a semiconductor device according to the present invention has a peripherally downwardly projecting edge portion and a space portion in a central portion. Has a gas shower plate serving as an electrode plate on the bottom surface, and has a cooling member through which cooling water is passed to cool the heat generation of the gas shower plate. It has an upper electrode and an upper plate which is arranged below the upper electrode in parallel with the gas shower plate to form a flat electrode plate and on which a work is placed. Cooling water passes through the lower surface of the upper plate. And a lower electrode having a cooling member for cooling the heat generation of the upper plate, the gas shower play of the upper electrode in a plasma electrode of a plasma device for a semiconductor device. Of the cooling member disposed on the lower surface of the lower electrode is formed by raising and extending the peripheral portion of the lower electrode to cover the outer end surface of the cooling member disposed on the upper surface of the lower electrode. It is formed so as to cover the outer end surface of the member.
【０００８】また、上記上部電極の冷却部材の外側端面
を覆ったガスシャワープレートの周縁部の角部は面取り
をして丸みを付け、かつ下部電極の冷却部材の外側端面
を覆った上面板の周縁部の角部は面取りをして丸みを付
けてもよい。Further, the corner portion of the peripheral edge of the gas shower plate which covers the outer end surface of the cooling member of the upper electrode is chamfered and rounded, and the upper plate which covers the outer end surface of the cooling member of the lower electrode is formed. The corners of the peripheral edge may be chamfered and rounded.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明による半
導体装置用プラズマ装置のプラズマ電極の実施の形態を
示す正面断面図である。この半導体装置用プラズマ装置
のプラズマ電極は、半導体装置の製造工程にて使用する
プラズマ装置においてプラズマを発生させるもので、図
１に示すように、上部電極１と、下部電極２とを有して
成る。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a front sectional view showing an embodiment of a plasma electrode of a plasma device for a semiconductor device according to the present invention. The plasma electrode of the plasma device for a semiconductor device is for generating plasma in the plasma device used in the manufacturing process of the semiconductor device, and has an upper electrode 1 and a lower electrode 2 as shown in FIG. Become.
【００１０】上記上部電極１は、後述の下部電極２との
空間にプラズマガスを発生させるために高電圧を印加す
る上方の電極となるもので、底面にガスシャワープレー
ト５′を有し、その上面に冷却部材６を有している。ガ
スシャワープレート５′は、処理ガス供給管１０から供
給される酸素ガスなどの処理ガス４を下方に吹き出すと
共に電極板となるもので、例えばアルミニウムででき、
周囲に下向きに突出した縁部３ａを有し中央部には空間
部３ｂを有して成る。そして、このガスシャワープレー
ト５′に対し電源１５から高電圧が供給されるようにな
っている。また、冷却部材６は、上記ガスシャワープレ
ート５′の動作による発熱を冷却するもので、上下に分
かれた冷却板６ａと６ｂとを接合してなり、この冷却板
６ａ，６ｂの間に形成された凹所に冷却水供給管１１と
冷却水排出管１２とが連結されており、冷却水を供給、
排出するようになっている。なお、符号１６は上部電極
１の上面の絶縁板を示している。The upper electrode 1 serves as an upper electrode for applying a high voltage to generate a plasma gas in a space with a lower electrode 2 which will be described later, and has a gas shower plate 5'on its bottom surface. The cooling member 6 is provided on the upper surface. The gas shower plate 5 ′ serves as an electrode plate as well as blows out the processing gas 4 such as oxygen gas supplied from the processing gas supply pipe 10, and is made of, for example, aluminum.
It has a peripheral edge portion 3a protruding downward and a space portion 3b in the central portion. Then, a high voltage is supplied from the power source 15 to the gas shower plate 5 '. The cooling member 6 cools the heat generated by the operation of the gas shower plate 5 ', and is formed by joining the upper and lower cooling plates 6a and 6b to each other, and is formed between the cooling plates 6a and 6b. The cooling water supply pipe 11 and the cooling water discharge pipe 12 are connected to the recess, and the cooling water is supplied.
It is designed to be discharged. The reference numeral 16 indicates an insulating plate on the upper surface of the upper electrode 1.
【００１１】下部電極２は、上記上部電極１の下方にて
該上部電極１との空間にプラズマガスを発生させるため
に高電圧を印加する下方の電極となるもので、上面に上
面板８′を有し、その下面に冷却部材９を有している。
上面板８′は、平板状の電極板となると共にホトマスク
等のワーク７を載せるもので、例えばアルミニウムでで
き、上記ガスシャワープレート５′と平行に配置されて
いる。これにより、上記ガスシャワープレート５′と上
面板８′とが平行平板型に構成されている。そして、こ
の上面板８′は、接地線１８により接地されている。ま
た、冷却部材９は、上記上面板８′の動作による発熱を
冷却するもので、上下に分かれた冷却板９ａと９ｂとを
接合してなり、この冷却板９ａ，９ｂの間に形成された
凹所に冷却水供給管１３と冷却水排出管１４とが連結さ
れており、冷却水を供給、排出するようになっている。
なお、符号１７はプラズマ電極のチャンバーのベース部
材を示している。The lower electrode 2 serves as a lower electrode for applying a high voltage in order to generate a plasma gas in a space below the upper electrode 1 in the space between the lower electrode 2 and the upper electrode 8'on its upper surface. And a cooling member 9 on its lower surface.
The upper surface plate 8 'serves as a flat plate-shaped electrode plate on which the work 7 such as a photomask is placed, and is made of, for example, aluminum and arranged in parallel with the gas shower plate 5'. As a result, the gas shower plate 5'and the top plate 8'are formed into a parallel plate type. The top plate 8'is grounded by the ground wire 18. The cooling member 9 cools the heat generated by the operation of the upper plate 8 ', and is formed by joining upper and lower cooling plates 9a and 9b, and is formed between the cooling plates 9a and 9b. A cooling water supply pipe 13 and a cooling water discharge pipe 14 are connected to the recess to supply and discharge the cooling water.
Reference numeral 17 indicates a base member of the plasma electrode chamber.
【００１２】ここで、本発明においては、上記上部電極
１のガスシャワープレート５′の周縁部１９を立ち上げ
て延長しその上面に配置された冷却部材６の外側端面を
覆うように形成し、かつ上記下部電極２の上面板８′の
周縁部２０を立ち下げて延長しその下面に配置された冷
却部材９の外側端面を覆うように形成されている。すな
わち、上記上部電極１の周縁部１９を上方に延長し、こ
の周縁部１９で冷却板６ａと６ｂと絶縁板１６との接合
間に隙間が生じないように一体的に覆っている。また、
上記下部電極２の周縁部２０を下方に延長し、この周縁
部２０で冷却板９ａと９ｂとベース部材１７との接合間
に隙間が生じないように一体的に覆っている。In the present invention, the peripheral portion 19 of the gas shower plate 5'of the upper electrode 1 is formed so as to rise and extend so as to cover the outer end surface of the cooling member 6 disposed on the upper surface thereof. In addition, the peripheral portion 20 of the upper surface plate 8'of the lower electrode 2 is formed so as to stand down and extend to cover the outer end surface of the cooling member 9 arranged on the lower surface thereof. That is, the peripheral portion 19 of the upper electrode 1 is extended upward, and the peripheral portion 19 is integrally covered so that no gap is formed between the cooling plates 6a and 6b and the insulating plate 16. Also,
The peripheral portion 20 of the lower electrode 2 is extended downward, and the peripheral portion 20 integrally covers the cooling plates 9a and 9b and the base member 17 so that no gap is formed between them.
【００１３】さらに、上記上部電極１の冷却部材６の外
側端面を覆ったガスシャワープレート５′の周縁部１９
の角部は面取りをして丸みを付け、かつ下部電極２の冷
却部材９の外側端面を覆った上面板８′の周縁部２０の
角部は面取りをして丸みを付けられている。すなわち、
上記上部電極１の周縁部１９の立上り部の直角状の角部
を削って先鋭部分がないように形成している。また、上
記下部電極２の周縁部２０の立下り部の直角状の角部を
削って先鋭部分がないように形成している。Further, a peripheral portion 19 of the gas shower plate 5'covering the outer end surface of the cooling member 6 of the upper electrode 1 is provided.
Corners are chamfered and rounded, and the corners of the peripheral edge portion 20 of the upper plate 8'covering the outer end surface of the cooling member 9 of the lower electrode 2 are chamfered and rounded. That is,
The right-angled corner portion of the rising portion of the peripheral portion 19 of the upper electrode 1 is shaved so that there is no sharp portion. Further, the right angled corner portion of the falling portion of the peripheral edge portion 20 of the lower electrode 2 is shaved so that there is no sharp portion.
【００１４】このようにすることにより、上部電極１に
おいて、冷却板６ａと６ｂと絶縁板１６との接合間に隙
間が生じないようにすると共にこれらの部品間の端面部
分に電位差が生じないようにすることができる。また、
下部電極２において、冷却板９ａと９ｂとベース部材１
７との接合間に隙間が生じないようにすると共にこれら
の部品間の端面部分に電位差が生じないようにすること
ができる。従って、上記各部品間において異常放電が発
生するのを防止することができる。また、上記上部電極
１の周縁部１９及び下部電極２の周縁部２０の角部を面
取りをして丸みを付けた場合は、先鋭部分からの異常放
電の発生も防止することができる。By doing so, in the upper electrode 1, no gap is generated between the cooling plates 6a and 6b and the insulating plate 16 and no potential difference is generated in the end face portion between these components. Can be Also,
In the lower electrode 2, the cooling plates 9a and 9b and the base member 1
It is possible to prevent a gap from being formed between the components and the joint 7 and to prevent a potential difference from occurring in the end face portion between these components. Therefore, it is possible to prevent abnormal discharge from occurring between the above-mentioned components. Further, when the corner portions of the peripheral portion 19 of the upper electrode 1 and the peripheral portion 20 of the lower electrode 2 are chamfered and rounded, it is possible to prevent the occurrence of abnormal discharge from the sharpened portion.
【００１５】[0015]
【発明の効果】本発明は以上のように構成されたので、
上部電極のガスシャワープレートの周縁部を立ち上げて
延長しその上面に配置された冷却部材の外側端面を覆う
ように形成し、かつ下部電極の上面板の周縁部を立ち下
げて延長しその下面に配置された冷却部材の外側端面を
覆うように形成したことにより、上記上部電極及び下部
電極を構成する各部品間に隙間が生じないようにすると
共にこれらの部品間の端面部分に電位差が生じないよう
にすることができる。従って、上記上部電極及び下部電
極の端面部分から異常放電が発生することがないように
することができる。このことから、従来のように異常放
電発生部分において放電跡による汚れが発生したり、空
気中の塵埃を集めて異物が発生することをなくし、ワー
ク上に異物が脱落して付着するのを防止することができ
る。従って、最終的に製造される半導体装置の品質を向
上すると共に歩留まりを向上することができる。Since the present invention is constructed as described above,
The upper edge of the gas shower plate of the upper electrode is raised and extended so as to cover the outer end face of the cooling member disposed on the upper surface thereof, and the lower edge of the upper plate of the lower electrode is extended and extended. Since it is formed so as to cover the outer end surface of the cooling member arranged in the above, a gap is not generated between the components forming the upper electrode and the lower electrode, and a potential difference is generated in the end face portion between these components. You can avoid it. Therefore, it is possible to prevent abnormal discharge from occurring from the end face portions of the upper electrode and the lower electrode. As a result, it is possible to prevent dirt from being generated due to discharge traces in the abnormal discharge occurrence area and to prevent foreign matter from being generated by collecting dust in the air as in the past, and to prevent foreign matter from falling off and adhering to the work. can do. Therefore, the quality of the finally manufactured semiconductor device can be improved and the yield can be improved.
【００１６】また、上記上部電極の冷却部材の外側端面
を覆ったガスシャワープレートの周縁部の角部は面取り
をして丸みを付け、かつ下部電極の冷却部材の外側端面
を覆った上面板の周縁部の角部は面取りをして丸みを付
けた場合は、先鋭部分からの異常放電の発生も防止する
ことができ、さらに異物の発生を防止して、半導体装置
の品質向上及び歩留まり向上を図ることができる。In addition, the corner portion of the peripheral edge of the gas shower plate that covers the outer end surface of the cooling member of the upper electrode is chamfered and rounded, and the upper end plate that covers the outer end surface of the cooling member of the lower electrode is formed. When the corners of the peripheral portion are chamfered and rounded, it is possible to prevent the occurrence of abnormal discharge from the sharpened portion, further prevent the generation of foreign matter, and improve the quality and yield of semiconductor devices. Can be planned.
【図１】本発明による半導体装置用プラズマ装置のプラ
ズマ電極の実施の形態を示す正面断面図である。FIG. 1 is a front sectional view showing an embodiment of a plasma electrode of a plasma device for a semiconductor device according to the present invention.
【図２】従来例による半導体装置用プラズマ装置のプラ
ズマ電極を示す正面断面図である。FIG. 2 is a front sectional view showing a plasma electrode of a plasma device for a semiconductor device according to a conventional example.
１…上部電極 ２…下部電極 ３ａ…縁部 ３ｂ…空間部 ４…処理ガス ５′…ガスシャワープレート ６，９…冷却部材 ７…ワーク ８′…上面板 １０…処理ガス供給管 １１，１３…冷却水供給管 １２，１４…冷却水排出管 １５…電源 １９…ガスシャワープレートの周縁部 ２０…上面板の周縁部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Upper electrode 2 ... Lower electrode 3a ... Edge part 3b ... Space part 4 ... Processing gas 5 '... Gas shower plate 6,9 ... Cooling member 7 ... Work 8' ... Top plate 10 ... Processing gas supply pipes 11, 13 ... Cooling water supply pipe 12, 14 ... Cooling water discharge pipe 15 ... Power supply 19 ... Perimeter of gas shower plate 20 ... Perimeter of upper plate
Claims (2)
部には空間部を有して処理ガスを下方に吹き出すと共に
電極板となるガスシャワープレートを底面に有し、この
ガスシャワープレートの上面には内部に冷却水が通され
てそのガスシャワープレートの発熱を冷却する冷却部材
を有する上部電極と、この上部電極の下方にて上記ガス
シャワープレートと平行に配置され平板状の電極板とな
ると共にワークを載せる上面板を有し、この上面板の下
面には内部に冷却水が通されてその上面板の発熱を冷却
する冷却部材を有する下部電極とを備えて成る半導体装
置用プラズマ装置のプラズマ電極において、上記上部電
極のガスシャワープレートの周縁部を立ち上げて延長し
その上面に配置された冷却部材の外側端面を覆うように
形成し、かつ上記下部電極の上面板の周縁部を立ち下げ
て延長しその下面に配置された冷却部材の外側端面を覆
うように形成したことを特徴とする半導体装置用プラズ
マ装置のプラズマ電極。1. A gas shower plate serving as an electrode plate and having a gas shower plate at the bottom thereof, which has a peripherally downwardly projecting edge portion and a space portion at the central portion, and which serves as an electrode plate. An upper electrode having a cooling member through which cooling water is passed inside to cool the heat generation of the gas shower plate, and a flat electrode plate arranged below the upper electrode in parallel with the gas shower plate. And a lower electrode having a top plate on which a work is placed, and a bottom electrode having a cooling member for cooling the heat generated in the top plate by passing cooling water inside the top plate. In the plasma electrode of the device, the peripheral portion of the gas shower plate of the upper electrode is formed so as to rise and extend so as to cover the outer end surface of the cooling member arranged on the upper surface, and A plasma electrode for a plasma device for a semiconductor device, characterized in that a peripheral portion of an upper surface plate of the partial electrode is lowered and extended to cover an outer end surface of a cooling member arranged on the lower surface thereof.
ったガスシャワープレートの周縁部の角部は面取りをし
て丸みを付け、かつ下部電極の冷却部材の外側端面を覆
った上面板の周縁部の角部は面取りをして丸みを付けた
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置用プラズマ
装置のプラズマ電極。2. A corner plate of a peripheral portion of the gas shower plate which covers the outer end surface of the cooling member of the upper electrode is chamfered and rounded, and a top plate which covers the outer end surface of the cooling member of the lower electrode. The plasma electrode of the plasma device for a semiconductor device according to claim 1, wherein the corners of the peripheral portion are chamfered and rounded.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8034181A JPH09213685A (en) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | Plasma electrode of plasma system for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8034181A JPH09213685A (en) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | Plasma electrode of plasma system for semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09213685A true JPH09213685A (en) | 1997-08-15 |
Family
ID=12407041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8034181A Pending JPH09213685A (en) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | Plasma electrode of plasma system for semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09213685A (en) |
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