JPH09211840A - Inspection method and inspection device for reticle as well as inspection method and inspection device for pattern - Google Patents
Inspection method and inspection device for reticle as well as inspection method and inspection device for patternInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
プロセスにおいて用いられるレチクルの検査方法及び検
査装置、並びに半導体装置の製造プロセスにおいて形成
されるレジスト膜又はその下地膜のパターンの検査方法
及び検査装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reticle inspecting method and an inspecting apparatus used in a semiconductor device manufacturing process, and an inspecting method and an inspecting pattern of a resist film or an underlying film formed in the semiconductor device manufacturing process. Regarding the device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、半導体装置の製造プロセスにおけ
るレジストパターンは、光、Ｘ線又は電子線等をレチク
ルと呼ばれる遮光板を用いて半導体基板上の上に形成さ
れたレジスト膜に照射して該レジスト膜の所定領域を感
光させた後、感光されたレジスト膜を現像することによ
って形成される。2. Description of the Related Art In recent years, a resist pattern in a semiconductor device manufacturing process is formed by irradiating a resist film formed on a semiconductor substrate with light, an X-ray, an electron beam or the like by using a light shielding plate called a reticle. It is formed by exposing a predetermined region of the resist film and then developing the exposed resist film.
【０００３】従って、レチクルの良否はレジストパター
ンの良否に直接に影響するので、レチクルの良否の評価
は重要である。また、レジストパターンの良否は、該レ
ジストパターンを用いてエッチングされた導電層に形成
される電極や配線のパターンの良否に直接に影響するの
で、レジストパターンの良否の検査も重要である。Therefore, since the quality of the reticle directly affects the quality of the resist pattern, it is important to evaluate the quality of the reticle. Further, since the quality of the resist pattern directly affects the quality of the pattern of the electrodes and wirings formed on the conductive layer etched using the resist pattern, it is important to inspect the quality of the resist pattern.
【０００４】従来は、レチクルの良否の検査は、レチク
ル上の指定された領域、例えばラインアンドスペースの
小さい領域を適当に選択し、選択された領域においてレ
チクルのパターンの寸法を測定し、測定されたパターン
の寸法が規格内であるか否かを判断することにより行な
われていた。Conventionally, the quality of the reticle is inspected by appropriately selecting a designated area on the reticle, for example, an area having a small line and space, and measuring the dimension of the reticle pattern in the selected area. It was done by judging whether the size of the pattern is within the standard.
【０００５】また、レジストパターンにおけるパターン
欠陥の検査は、レジストパターン上の指定された領域、
例えばラインアンドスペースの小さい領域を適当に選択
し、選択された領域においてパターン欠陥の有無の検査
を行なっていた。In addition, inspection of a pattern defect in a resist pattern is performed by designating a designated area on the resist pattern,
For example, an area with a small line and space is appropriately selected, and the presence or absence of a pattern defect is inspected in the selected area.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記従来の
レチクルの検査方法においては、レチクル上の指定され
た領域以外の箇所で規格外れが発生していても、該規格
外れは検出できないという問題がある。一方、レチクル
上の全ての領域において、レチクルのパターンの寸法を
測定することは、技術的には可能であっても、非常に検
査時間が掛かるので現実的ではない。However, in the conventional reticle inspection method described above, there is a problem in that even if a nonstandard specification occurs in a portion other than a designated area on the reticle, the nonstandard specification cannot be detected. is there. On the other hand, measuring the size of the reticle pattern in all the areas on the reticle is technically possible, but it is very unrealistic because it takes a long time for inspection.
【０００７】ところで、ウェハ上のレジスト膜に対する
パターン露光は、レチクルのパターンを等倍、拡大又は
縮小して転写することにより行なわれるが、デザインル
ールが０．５μｍよりも大きい場合には、レチクルのパ
ターンに多少の寸法バラツキがあっても、半導体素子の
性能は影響は受けない。ところが、デザインルールの最
小寸法が０．５μｍ以下になると、半導体素子の特性に
影響が出る場合がある。すなわち、規格外れのレチクル
を使用すると、露光条件や露光装置の性能のバラツキに
よって、配線同士の間にブリッジ不良（短絡不良）が発
生したり、配線にオープン不良（断線不良）が生じたり
する。レチクルの寸法バラツキや突発的に発生する寸法
ずれは、レチクルの特定の領域で発生するとは限らない
ので、予め予測することは困難である。By the way, the pattern exposure on the resist film on the wafer is performed by transferring the pattern of the reticle by enlarging or reducing it at the same size. However, when the design rule is larger than 0.5 μm, the reticle pattern is exposed. Even if the pattern has some dimensional variations, the performance of the semiconductor device is not affected. However, when the minimum dimension of the design rule is 0.5 μm or less, the characteristics of the semiconductor element may be affected. That is, if a non-standard reticle is used, a bridging defect (short circuit defect) may occur between wirings or an open defect (breaking wire defect) may occur between wirings due to variations in exposure conditions and performance of the exposure apparatus. It is difficult to predict in advance dimensional variations of the reticle and dimensional deviations that occur suddenly because they do not always occur in a specific area of the reticle.
【０００８】また、レチクルが規格通りにできていたと
しても、実際のＬＳＩ上においてはレジスト膜の表面に
高低差が生じているため、露光時のフォーカス位置によ
って、レジスト膜のパターン寸法がレチクルのパターン
寸法と一致するとは限らないという問題もある。Even if the reticle is formed according to the standard, the height of the surface of the resist film on the actual LSI is different. Therefore, the pattern size of the resist film is different from that of the reticle depending on the focus position during exposure. There is also a problem that it does not always match the pattern size.
【０００９】また、配線間のスペースの寸法が同じであ
っても、下地膜の段差や露光条件のずれによってレジス
トパターンにおけるブリッジ不良又はオープン不良等の
パターン欠陥の発生する位置が異なるので、設計上最小
寸法の配線部分又は最小スペースの部分にパターン欠陥
が発生するとは限らない。従って、半導体装置の製造工
程においてウェハ上に形成されたレジストパターンのパ
ターン欠陥を検査する場合、設計上最小寸法の配線部分
又は最小スペースの部分を検査すれば良いとは言えない
という問題もある。Further, even if the size of the space between the wirings is the same, the position where a pattern defect such as a bridge defect or an open defect occurs in the resist pattern differs depending on the step of the underlying film and the deviation of the exposure condition, and therefore, in designing. A pattern defect does not always occur in the minimum-sized wiring portion or the minimum space portion. Therefore, in the case of inspecting a pattern defect of a resist pattern formed on a wafer in a semiconductor device manufacturing process, there is a problem in that it is not sufficient to inspect a wiring portion having a minimum design dimension or a portion having a minimum space.
【００１０】また、半導体装置の製造プロセスにおい
て、レジストパターンにおけるパターン欠陥の有無を検
査するに際しては、前記レチクルの検査方法と同様の問
題がある。Further, in the process of manufacturing a semiconductor device, when inspecting the presence or absence of a pattern defect in a resist pattern, there are the same problems as in the reticle inspection method.
【００１１】前記に鑑み、本発明は、レチクルが規格ど
おりに作製されているか否かの検査を容易且つ確実に行
なえるようにすることを第１の目的とし、レチクルを用
いて露光されたレジストパターン又は該レジストパター
ンを用いてエッチングされた下地膜のパターンにおける
パターン欠陥を容易且つ確実に検出できるようにするこ
とを第２の目的とする。In view of the above, the first object of the present invention is to make it possible to easily and surely inspect whether or not a reticle is manufactured according to a standard, and to make a resist exposed using the reticle. A second object is to make it possible to easily and surely detect a pattern defect in the pattern or the pattern of the underlayer film etched using the resist pattern.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】前記第１及び第２の目的
を達成するため、本発明は、レチクルを介して露光条件
を順次変化させつつ露光することにより形成されたレジ
スト膜のパターン又は該レジスト膜のパターンを用いて
エッチングされた下地膜のパターンにおいてパターン欠
陥を検出し、パターン欠陥の数が所定以内であるパター
ンにおけるパターン欠陥の位置と対応するレチクルの位
置をパターン欠陥を発生させ易い部位と特定するもので
ある。In order to achieve the above first and second objects, the present invention provides a resist film pattern or a pattern formed by exposing through a reticle while sequentially changing exposure conditions. A portion where a pattern defect is detected in a pattern of a base film etched using a pattern of a resist film, and the position of the reticle corresponding to the position of the pattern defect in the pattern in which the number of pattern defects is within a predetermined range easily causes the pattern defect. Is to be specified.
【００１３】具体的に請求項１の発明が講じた解決手段
は、レチクルの検査方法を、基板上のレジスト膜に、被
検査用レチクルを用いて露光条件を順次変化させつつ露
光して前記被検査用レチクルのパターンを転写した後、
前記被検査用レチクルのパターンが転写された前記レジ
スト膜を現像することにより、前記レジスト膜よりなる
複数のパターンを形成するパターン形成工程と、前記レ
ジスト膜よりなる複数のパターンにおけるパターン欠陥
を検出する欠陥検出工程と、パターン欠陥が検出され且
つ検出されたパターン欠陥の数が所定数以内である前記
レジスト膜よりなるパターンにおけるパターン欠陥の位
置と対応する前記被検査用レチクルの位置をパターン欠
陥を発生させ易い部位であると特定する部位特定工程
と、前記被検査用レチクルにおける前記パターン欠陥を
発生させ易い部位に対して良否の検査を行なう検査工程
とを備えている構成とするものである。Specifically, the means for solving the problems according to the first aspect of the present invention is to provide a method for inspecting a reticle by exposing a resist film on a substrate using a reticle to be inspected while sequentially changing exposure conditions. After transferring the pattern of the inspection reticle,
A pattern forming step of forming a plurality of patterns of the resist film by developing the resist film to which the pattern of the reticle to be inspected is transferred, and detecting a pattern defect in the plurality of patterns of the resist film. Defect detection step, and the pattern defect is detected and the position of the inspected reticle corresponding to the position of the pattern defect in the pattern made of the resist film in which the number of detected pattern defects is within a predetermined number is generated. The configuration includes a part specifying step of specifying that the part is an easy part to be made, and an inspection step of performing a quality inspection on a part of the reticle to be inspected where the pattern defect is likely to occur.
【００１４】請求項１の構成により、露光条件を順次変
化させつつ露光することにより被検査用レチクルのパタ
ーンが転写されたレジスト膜を現像してパターンを形成
すると、露光条件の変化に伴ってレジスト膜のパターン
において検出されるパターン欠陥の数は徐々に変化す
る。従って、パターン欠陥の数が所定数以内であるレジ
スト膜のパターンにおけるパターン欠陥の位置と対応す
る被検査用レチクルの位置はパターン欠陥を発生させ易
い部位となる。According to the structure of claim 1, when the resist film on which the pattern of the reticle to be inspected is transferred is developed to form a pattern by exposing while sequentially changing the exposure condition, the resist is changed in accordance with the change of the exposure condition. The number of pattern defects detected in the film pattern changes gradually. Therefore, the position of the reticle to be inspected, which corresponds to the position of the pattern defect in the pattern of the resist film in which the number of pattern defects is within a predetermined number, is a site where the pattern defect is likely to occur.
【００１５】具体的に請求項２の発明が講じた解決手段
は、レチクルの検査方法を、基板上のレジスト膜に、被
検査用レチクルを用いて露光条件を順次変化させつつ露
光して前記被検査用レチクルのパターンを転写した後、
前記被検査用レチクルのパターンが転写されたレジスト
膜を現像することにより、前記レジスト膜よりなる複数
のパターンを形成するパターン形成工程と、前記レジス
ト膜よりなる複数のパターンを用いて前記レジスト膜の
下側に形成されている下地膜に対してエッチングを行な
うことにより、前記下地膜よりなる複数のパターンを形
成するエッチング工程と、前記下地膜よりなる複数のパ
ターンにおけるパターン欠陥を検出する欠陥検出工程
と、パターン欠陥が検出され且つ検出されたパターン欠
陥の数が所定数以内である前記下地膜よりなるパターン
におけるパターン欠陥の位置と対応する前記被検査用レ
チクルの位置をパターン欠陥を発生させ易い部位である
と特定する部位特定工程と、前記被検査用レチクルにお
ける前記パターン欠陥を発生させ易い部位に対して良否
の検査を行なう検査工程とを備えている構成とするもの
である。Specifically, the means for solving the problems of the second aspect of the present invention is to provide a method for inspecting a reticle, which comprises exposing a resist film on a substrate using a reticle to be inspected while sequentially changing the exposure conditions. After transferring the pattern of the inspection reticle,
A pattern forming step of forming a plurality of patterns of the resist film by developing the resist film to which the pattern of the reticle to be inspected is transferred, and a step of forming the resist film using the plurality of patterns of the resist film. An etching step of forming a plurality of patterns of the underlayer film by etching the underlying film formed on the lower side, and a defect detection step of detecting pattern defects in the plurality of patterns of the underlayer film A pattern defect is detected, and the position of the reticle to be inspected corresponding to the position of the pattern defect in the pattern made of the underlying film in which the number of detected pattern defects is within a predetermined number is a portion that easily causes the pattern defect. And the pattern defect in the reticle to be inspected. It is an arrangement and a test step for inspecting the quality with respect to likely sites to generate.
【００１６】請求項２の構成により、露光条件を順次変
化させつつ露光することにより被検査用レチクルのパタ
ーンが転写されたレジスト膜を現像してパターンを形成
し、該レジスト膜のパターンを用いて下地膜に対してエ
ッチングを行なうと、露光条件の変化に伴って下地膜の
パターンにおいて検出されるパターン欠陥の数は徐々に
変化する。従って、パターン欠陥の数が所定数以内であ
る下地膜のパターンにおけるパターン欠陥の位置と対応
する被検査用レチクルの位置はパターン欠陥を発生させ
易い部位となる。According to the structure of claim 2, the resist film on which the pattern of the reticle to be inspected is transferred is developed to form a pattern by exposing while sequentially changing the exposure conditions, and the pattern of the resist film is used. When the underlayer film is etched, the number of pattern defects detected in the pattern of the underlayer film gradually changes as the exposure conditions change. Therefore, the position of the reticle to be inspected, which corresponds to the position of the pattern defect in the pattern of the base film in which the number of pattern defects is within a predetermined number, is a site where the pattern defect is likely to occur.
【００１７】請求項３の発明は、請求項１又は２の構成
に、前記パターン形成工程における露光条件は、露光時
間、露光エネルギー及びフォーカスのうちのいずれか１
つである構成を付加するものである。According to a third aspect of the present invention, in the structure of the first or second aspect, the exposure condition in the pattern forming step is any one of an exposure time, an exposure energy and a focus.
One of the configurations is added.
【００１８】請求項４の発明は、請求項１又は２の構成
に、前記欠陥検出工程は、露光条件を順次変化させつつ
露光された第１のチップ上に形成されたパターンと、パ
ターン欠陥を発生させない露光条件で露光された第２の
チップ上に形成されたパターンとを比較することによ
り、パターン欠陥を検出する工程を含む構成を付加する
ものである。According to a fourth aspect of the present invention, in the structure according to the first or second aspect, the defect detecting step includes a pattern formed on the first chip exposed while sequentially changing the exposure condition, and a pattern defect. A configuration including a step of detecting a pattern defect by comparing with a pattern formed on the second chip exposed under the exposure condition that does not occur is added.
【００１９】請求項５の発明は、請求項４の構成に、前
記第２のチップは前記第１のチップの両側にそれぞれ形
成されている構成を付加するものである。According to a fifth aspect of the invention, in addition to the configuration of the fourth aspect, a configuration in which the second chip is formed on both sides of the first chip is added.
【００２０】請求項６の発明は、請求項１又は２の構成
に、前記パターン形成工程における前記基板には、素子
分離領域、トランジスタ素子及びトランジスタ素子用の
電極のうちの少なくとも１つが既に形成されている構成
を付加するものである。According to a sixth aspect of the present invention, in the structure according to the first or second aspect, at least one of an element isolation region, a transistor element and an electrode for a transistor element is already formed on the substrate in the pattern forming step. The configuration is added.
【００２１】具体的に請求項７の発明が講じた解決手段
は、レチクルの検査装置を、基板上のレジスト膜に、被
検査用レチクルを用いて露光条件を順次変化させつつ露
光して前記被検査用レチクルのパターンを転写し、前記
被検査用レチクルのパターンが転写された前記レジスト
膜を現像することにより形成された前記レジスト膜より
なる複数のパターンにおけるパターン欠陥を検出する欠
陥検出手段と、パターン欠陥が検出され且つ検出された
パターン欠陥の数が所定数以内である前記レジスト膜よ
りなるパターンにおけるパターン欠陥の位置と対応する
前記被検査用レチクルの位置をパターン欠陥を発生させ
易い部位であると特定する部位特定手段と、前記被検査
用レチクルにおける前記パターン欠陥を発生させ易い部
位に対して良否の検査を行なう検査手段とを備えている
構成とするものである。[0021] Specifically, the means for solving the problems according to the invention of claim 7 is that the reticle inspection device exposes the resist film on the substrate by sequentially changing the exposure conditions by using the reticle to be inspected. Defect detection means for transferring a pattern of an inspection reticle, and detecting a pattern defect in a plurality of patterns of the resist film formed by developing the resist film to which the pattern of the inspected reticle is transferred, A pattern defect is detected, and the position of the reticle to be inspected corresponding to the position of the pattern defect in the pattern made of the resist film in which the number of detected pattern defects is within a predetermined number is a portion where the pattern defect is easily generated. And a part identification unit that identifies the pattern defect in the reticle to be inspected. It is an arrangement and a test means for 査.
【００２２】請求項７の構成により、露光条件を順次変
化させつつ露光することにより被検査用レチクルのパタ
ーンが転写されたレジスト膜を現像して得られたパター
ンにおいてパターン欠陥を検出すると、露光条件の変化
に伴ってレジスト膜のパターンにおいて検出されるパタ
ーン欠陥の数は徐々に変化する。従って、パターン欠陥
の数が所定数以内であるレジスト膜のパターンにおける
パターン欠陥の位置と対応する被検査用レチクルの位置
はパターン欠陥を発生させ易い部位となる。According to the structure of claim 7, when a pattern defect is detected in the pattern obtained by developing the resist film to which the pattern of the reticle to be inspected is transferred by exposing while sequentially changing the exposure condition, the exposure condition is detected. The number of pattern defects detected in the pattern of the resist film gradually changes with the change of. Therefore, the position of the reticle to be inspected, which corresponds to the position of the pattern defect in the pattern of the resist film in which the number of pattern defects is within a predetermined number, is a site where the pattern defect is likely to occur.
【００２３】具体的に請求項８の発明が講じた解決手段
は、レチクルの検査装置を、基板上のレジスト膜に、被
検査用レチクルを用いて露光条件を順次変化させつつ露
光して前記被検査用レチクルのパターンを転写し、前記
被検査用レチクルのパターンが転写された前記レジスト
膜を現像して得た複数のレジストパターンを用いてエッ
チングすることにより形成された前記レジスト膜の下側
の下地膜よりなる複数のパターンにおけるパターン欠陥
を検出する欠陥検出手段と、パターン欠陥が検出され且
つ検出されたパターン欠陥の数が所定数以内である前記
下地膜よりなるパターンにおけるパターン欠陥の位置と
対応する前記被検査用レチクルの位置をパターン欠陥を
発生させ易い部位であると特定する部位特定手段と、前
記被検査用レチクルにおける前記パターン欠陥を発生さ
せ易い部位に対して良否の検査を行なう検査手段とを備
えている構成とするものである。[0023] Specifically, the solution means taken by the invention of claim 8 is to expose the resist film on the substrate to the resist film on the substrate by exposing the resist film on the substrate while sequentially changing the exposure conditions. The pattern of the reticle for inspection is transferred, and the resist film on the lower side of the resist film formed by etching using a plurality of resist patterns obtained by developing the resist film on which the pattern of the reticle for inspection is transferred. Defect detecting means for detecting a pattern defect in a plurality of patterns formed of an underlayer film, and a pattern defect detected and a position of the pattern defect in the pattern formed of the underlayer film in which the number of detected pattern defects is within a predetermined number And a reticle to be inspected for identifying a position of the reticle to be inspected that is a site where pattern defects are likely to occur, It is an arrangement and a test means for testing the quality with respect to likely sites to generate the pattern defects in.
【００２４】請求項８の構成により、露光条件を順次変
化させつつ露光することにより被検査用レチクルのパタ
ーンが転写されたレジスト膜を現像してパターンを形成
し、該レジスト膜のパターンを用いてエッチングされた
下地膜に対してパターン欠陥の検出を行なうと、露光条
件の変化に伴って下地膜のパターンにおいて検出される
パターン欠陥の数は徐々に変化する。従って、パターン
欠陥の数が所定数以内である下地膜のパターンにおける
パターン欠陥の位置と対応する被検査用レチクルの位置
はパターン欠陥を発生させ易い部位となる。According to the structure of claim 8, the resist film on which the pattern of the reticle to be inspected is transferred is developed to form a pattern by exposing while sequentially changing the exposure conditions, and the pattern of the resist film is used. When pattern defects are detected in the etched underlayer film, the number of pattern defects detected in the pattern of the underlayer film gradually changes as the exposure conditions change. Therefore, the position of the reticle to be inspected, which corresponds to the position of the pattern defect in the pattern of the base film in which the number of pattern defects is within a predetermined number, is a site where the pattern defect is likely to occur.
【００２５】具体的に請求項９の発明が講じた解決手段
は、パターンの検査方法を、基板上の第１のレジスト膜
に、レチクルを用いて露光条件を順次変化させつつ露光
して前記レチクルのパターンを転写した後、前記レチク
ルのパターンが転写された第１のレジスト膜を現像する
ことにより、第１のレジスト膜よりなる複数のパターン
を形成する第１のパターン形成工程と、前記第１のレジ
スト膜よりなる複数のパターンにおけるパターン欠陥を
検出する欠陥検出工程と、パターン欠陥が検出され且つ
検出されたパターン欠陥の数が所定数以内である前記第
１のレジスト膜よりなるパターンにおいて検出されたパ
ターン欠陥の位置と対応する前記レチクルの位置をパタ
ーン欠陥を発生させ易い部位であると特定する部位特定
工程と、基板上の第２のレジスト膜に対してパターン欠
陥を発生させ易い部位が特定された前記レチクルを用い
て露光した後、露光された第２のレジスト膜を現像して
第２のレジスト膜よりなるパターンを形成する第２のパ
ターン形成工程と、前記第２のレジスト膜よりなるパタ
ーンにおける前記レチクルのパターン欠陥を発生させ易
い部位と対応する部位に対して良否の検査を行なう検査
工程とを備えている構成とするものである。Specifically, a solution means taken by the invention of claim 9 is that the pattern inspection method comprises exposing the first resist film on a substrate using a reticle while sequentially changing the exposure conditions to expose the reticle. First pattern forming step of forming a plurality of patterns of the first resist film by developing the first resist film to which the reticle pattern has been transferred, Defect detecting step of detecting pattern defects in a plurality of patterns of the resist film, and pattern defects are detected and detected in the pattern of the first resist film in which the number of detected pattern defects is within a predetermined number. A part specifying step of specifying the position of the reticle corresponding to the position of the pattern defect as a part where the pattern defect is likely to occur; The second resist film is exposed by using the reticle in which a portion where a pattern defect is easily generated is specified, and then the exposed second resist film is developed to form a pattern made of the second resist film. A second pattern forming step and an inspecting step for inspecting the quality of the portion corresponding to the portion of the reticle where the pattern defect of the reticle is likely to occur in the pattern made of the second resist film are provided. It is a thing.
【００２６】請求項９の構成により、請求項１の構成と
同様にして、パターン欠陥の数が所定数以内である第１
のレジスト膜のパターンにおいて検出されたパターン欠
陥の位置と対応するレチクルの位置はレジスト膜のパタ
ーンにパターン欠陥を発生させ易い部位となるから、パ
ターン欠陥を発生させ易い部位が特定されたレチクルを
用いて形成された第２のレジスト膜のパターンにおける
レチクルのパターン欠陥を発生させ易い部位と対応する
部位に対して良否の検査を行なうと、第２のレジスト膜
のパターンにおけるパターン欠陥が発生し易い部位に対
して検査が行なわれることになる。According to the structure of claim 9, the number of pattern defects is within a predetermined number as in the structure of claim 1.
Since the position of the reticle corresponding to the position of the pattern defect detected in the pattern of the resist film becomes the part where the pattern defect is easily generated in the pattern of the resist film, the reticle in which the part where the pattern defect is easily specified is specified is used. When a pass / fail inspection is performed on a portion corresponding to a portion of the reticle in which the pattern defect of the second resist film is formed that is likely to occur, a portion where the pattern defect of the second resist film pattern is likely to occur Will be inspected.
【００２７】請求項１０の発明が講じた解決手段は、パ
ターンの検査方法を、基板上の第１のレジスト膜に、レ
チクルを用いて露光条件を順次変化させつつ露光して前
記レチクルのパターンを転写した後、前記レチクルのパ
ターンが転写された第１のレジスト膜を現像することに
より、第１のレジスト膜よりなる複数のパターンを形成
する第１のパターン形成工程と、前記第１のレジスト膜
よりなる複数のパターンにおけるパターン欠陥を検出す
る欠陥検出工程と、パターン欠陥が検出され且つ検出さ
れたパターン欠陥の数が所定数以内である前記第１のレ
ジスト膜よりなるパターンにおけるパターン欠陥の位置
と対応する前記レチクルの位置をパターン欠陥を発生さ
せ易い部位であると特定する部位特定工程と、基板上の
第２のレジスト膜に対してパターン欠陥を発生させ易い
部位が特定された前記レチクルを用いて露光した後、露
光された第２のレジスト膜を現像して第２のレジスト膜
よりなるパターンを形成する第２のパターン形成工程
と、前記第２のレジスト膜よりなるパターンを用いて前
記第２のレジスト膜の下側に形成されている下地膜に対
してエッチングを行なうことにより、前記下地膜よりな
るパターンを形成するエッチング工程と、前記下地膜よ
りなるパターンにおける前記レチクルのパターン欠陥を
発生させ易い部位と対応する部位に対して良否の検査を
行なう検査工程とを備えている構成とするものである。According to a tenth aspect of the present invention, a pattern inspecting method exposes a first resist film on a substrate using a reticle while sequentially changing the exposure conditions to expose the reticle pattern. After the transfer, a first pattern forming step of forming a plurality of patterns of the first resist film by developing the first resist film to which the pattern of the reticle has been transferred, and the first resist film. A defect detecting step of detecting a pattern defect in a plurality of patterns, and a position of the pattern defect in the pattern made of the first resist film in which the pattern defect is detected and the number of detected pattern defects is within a predetermined number. A site specifying step of specifying the corresponding position of the reticle as a site where pattern defects are likely to occur, and a second resist film on the substrate. On the other hand, the second reticle is exposed by using the reticle in which a portion where a pattern defect is easily generated is specified, and then the exposed second resist film is developed to form a pattern of the second resist film. Etching for forming a pattern made of the base film by performing etching on the base film formed under the second resist film using the steps and the pattern made of the second resist film. It is configured to include a step and an inspection step of inspecting the quality of a portion corresponding to a portion of the reticle in which the pattern of the base film is likely to cause a pattern defect.
【００２８】請求項１０の構成により、請求項１の構成
と同様にして、パターン欠陥の数が所定数以内である第
１のレジスト膜よりなるパターンにおいて検出されたパ
ターン欠陥の位置と対応するレチクルの位置はレジスト
膜のパターンにパターン欠陥を発生させ易い部位となる
から、パターン欠陥を発生させ易い部位が特定されたレ
チクルを用いて形成された第２のレジスト膜のパターン
を用いてエッチングすることにより得られる下地膜のパ
ターンにおけるレチクルのパターン欠陥を発生させ易い
部位と対応する部位に対して良否の検査を行なうと、下
地膜のパターンにおけるパターン欠陥が発生し易い部位
に対して検査が行なわれることになる。According to the structure of claim 10, as in the structure of claim 1, the reticle corresponding to the position of the pattern defect detected in the pattern made of the first resist film in which the number of pattern defects is within a predetermined number. Since the position of is a portion where pattern defects are likely to occur in the resist film pattern, etching should be performed using the second resist film pattern formed using the reticle in which the portion where pattern defects are likely to occur is specified. When the pass / fail inspection is performed on the portion of the pattern of the underlayer film corresponding to the portion where the pattern defects of the reticle are easily generated, the inspection is performed on the portion of the pattern of the underlying film where the pattern defects are likely to occur. It will be.
【００２９】請求項１１の発明が講じた解決手段は、パ
ターンの検査方法を、基板上の第１のレジスト膜に、レ
チクルを用いて露光条件を順次変化させつつ露光して前
記レチクルのパターンを転写した後、前記レチクルのパ
ターンが転写された第１のレジスト膜を現像することに
より、第１のレジスト膜よりなる複数のパターンを形成
する第１のパターン形成工程と、前記第１のレジスト膜
よりなる複数のパターンを用いて前記第１のレジスト膜
の下側に形成されている下地膜に対してエッチングを行
なうことにより、前記下地膜よりなる複数のパターンを
形成するエッチング工程と、前記下地膜よりなる複数の
パターンにおけるパターン欠陥を検出する欠陥検出工程
と、パターン欠陥が検出され且つ検出されたパターン欠
陥の数が所定数以内である前記下地膜よりなるパターン
における検出されたパターン欠陥の位置と対応する前記
レチクルの位置をパターン欠陥を発生させ易い部位であ
ると特定する部位特定工程と、基板上の第２のレジスト
膜に対してパターン欠陥を発生させ易い部位が特定され
た前記レチクルを用いて露光した後、露光された第２の
レジスト膜を現像して第２のレジスト膜よりなるパター
ンを形成する第２のパターン形成工程と、前記第２のレ
ジスト膜よりなるパターンにおける前記レチクルのパタ
ーン欠陥を発生させ易い部位と対応する部位に対して良
否の検査を行なう検査工程とを備えている構成とするも
のである。According to the eleventh aspect of the present invention, a pattern inspecting method is used, in which a pattern of the reticle is exposed by exposing a first resist film on a substrate using a reticle while sequentially changing the exposure conditions. After the transfer, a first pattern forming step of forming a plurality of patterns of the first resist film by developing the first resist film to which the pattern of the reticle has been transferred, and the first resist film. An etching step of forming a plurality of patterns of the underlying film by performing etching on the underlying film formed under the first resist film using the plurality of patterns of the underlying film; A defect detecting step of detecting pattern defects in a plurality of patterns formed of a ground film, and a pattern defect is detected and the number of detected pattern defects is equal to or more than a predetermined number. A part specifying step of specifying the position of the reticle corresponding to the position of the detected pattern defect in the pattern made of the underlying film as a part where pattern defects are likely to occur, and a second resist film on the substrate. On the other hand, the second reticle is exposed by using the reticle in which a portion where a pattern defect is easily generated is specified, and then the exposed second resist film is developed to form a pattern of the second resist film. It is configured to include a step and an inspection step of inspecting the quality of the portion corresponding to the portion of the reticle where the pattern defect of the reticle is likely to occur in the pattern made of the second resist film.
【００３０】請求項１１の構成により、請求項２の構成
と同様にして、パターン欠陥の数が所定数以内である下
地膜のパターンにおいて検出されたパターン欠陥の位置
と対応するレチクルの位置は下地膜のパターンにパター
ン欠陥を発生させ易い部位となるから、パターン欠陥を
発生させ易い部位が特定されたレチクルを用いて形成さ
れた第２のレジスト膜のパターンにおけるレチクルのパ
ターン欠陥を発生させ易い部位と対応する部位に対して
良否の検査を行なうと、第２のレジスト膜のパターンに
おける下地膜のパターンにパターン欠陥を発生させ易い
部位に対して検査が行なわれることになる。According to the structure of claim 11, similarly to the structure of claim 2, the position of the reticle corresponding to the position of the pattern defect detected in the pattern of the underlying film in which the number of pattern defects is within a predetermined number is lower. A portion of the ground film pattern that easily causes pattern defects. Therefore, a portion of the second resist film pattern formed by using the reticle in which pattern defects are easily generated is likely to cause pattern defects of the reticle. When the pass / fail inspection is performed on the portion corresponding to, the inspection is performed on the portion in the pattern of the second resist film where the pattern of the base film is likely to cause a pattern defect.
【００３１】具体的に請求項１２の発明が講じた解決手
段は、パターンの検査方法を、基板上の第１のレジスト
膜に、レチクルを用いて露光条件を順次変化させつつ露
光して前記レチクルのパターンを転写した後、前記レチ
クルのパターンが転写された第１のレジスト膜を現像す
ることにより、第１のレジスト膜よりなる複数のパター
ンを形成する第１のパターン形成工程と、前記第１のレ
ジスト膜よりなる複数のパターンを用いて前記第１のレ
ジスト膜の下側に形成されている第１の下地膜に対して
エッチングを行なうことにより、前記第１の下地膜より
なる複数のパターンを形成する第１のエッチング工程
と、前記第１の下地膜よりなる複数のパターンにおいて
パターン欠陥を検出する欠陥検出工程と、パターン欠陥
が検出され且つ検出されたパターン欠陥の数が所定数以
内である前記第１の下地膜よりなるパターンにおける検
出されたパターン欠陥の位置と対応する前記レチクルの
位置をパターン欠陥を発生させ易い部位であると特定す
る部位特定工程と、基板上の第２のレジスト膜に対して
パターン欠陥を発生させ易い部位が特定された前記レチ
クルを用いて露光した後、露光された第２のレジスト膜
を現像して第２のレジスト膜よりなるパターンを形成す
る第２のパターン形成工程と、前記第２のレジスト膜よ
りなるパターンを用いて前記第２のレジスト膜の下側に
形成されている第２の下地膜に対してエッチングを行な
うことにより、前記第２の下地膜よりなるパターンを形
成する第２のエッチング工程と、前記第２の下地膜より
なるパターンにおける前記レチクルのパターン欠陥を発
生させ易い部位と対応する部位に対して良否の検査を行
なう検査工程とを備えている構成とするものである。Specifically, the reticle according to the invention as set forth in claim 12 is a method for inspecting a pattern, in which the first resist film on a substrate is exposed by sequentially changing exposure conditions using a reticle. First pattern forming step of forming a plurality of patterns of the first resist film by developing the first resist film to which the reticle pattern has been transferred, A plurality of patterns of the first underlayer film by etching the first underlayer film formed under the first resist film using the plurality of patterns of the first underlayer film. A first etching step of forming a pattern defect, a defect detection step of detecting a pattern defect in a plurality of patterns formed of the first base film, and a pattern defect being detected and detected. A portion that specifies the position of the reticle corresponding to the position of the detected pattern defect in the pattern made of the first underlayer film, in which the number of the generated pattern defects is within a predetermined number, as the portion that is likely to generate the pattern defect. After the exposure is performed by using the reticle in which the step of specifying the pattern defect and the portion of the second resist film on the substrate which is likely to occur are specified, the exposed second resist film is developed and the second resist film is developed. A second pattern forming step of forming a pattern made of a resist film, and a second base film formed below the second resist film using the pattern made of the second resist film. A second etching step of forming a pattern made of the second underlayer film by performing etching, and a reticle of the reticle in the pattern made of the second underlayer film. It is an arrangement and a test step for inspecting the quality with respect to portions corresponding to the likely site to generate turn defects.
【００３２】請求項１２の構成により、請求項２の構成
と同様にして、パターン欠陥の数が所定数以内である第
１の下地膜のパターンにおいて検出されたパターン欠陥
の位置と対応するレチクルの位置は下地膜のパターンに
パターン欠陥を発生させ易い部位となるから、パターン
欠陥を発生させ易い部位が特定されたレチクルを用いて
形成された第２のレジスト膜のパターンを用いてエッチ
ングすることにより得られる第２の下地膜のパターンに
おけるレチクルのパターン欠陥を発生させ易い部位と対
応する部位に対して良否の検査を行なうと、第２の下地
膜のパターンにおけるパターン欠陥が発生し易い部位に
対して検査が行なわれることになる。According to the structure of claim 12, similar to the structure of claim 2, the reticle corresponding to the position of the pattern defect detected in the pattern of the first underlayer film in which the number of pattern defects is within a predetermined number. Since the position is a portion where pattern defects are likely to occur in the underlying film pattern, etching is performed using the pattern of the second resist film formed using the reticle in which the portion where pattern defects are likely to occur is specified. When a pass / fail inspection is performed on a portion of the obtained pattern of the second underlayer film that corresponds to the pattern defect of the reticle, a defect inspection is performed on the portion of the second underlayer film pattern where the pattern defect easily occurs. Will be inspected.
【００３３】請求項１３の発明は、請求項９〜１２の構
成に、前記第１のパターン形成工程における露光条件
は、露光時間、露光エネルギー及びフォーカスのうちの
いずれか１つである構成を付加するものである。According to a thirteenth aspect of the present invention, in addition to the configurations of the ninth to twelfth aspects, the exposure condition in the first pattern forming step is any one of exposure time, exposure energy and focus. To do.
【００３４】請求項１４の発明は、請求項９〜１２の構
成に、前記欠陥検出工程は、露光条件を順次変化させつ
つ露光された第１のチップ上に形成されたパターンと、
パターン欠陥を発生させない露光条件で露光された第２
のチップ上に形成されたパターンとを比較することによ
り、パターン欠陥を検出する工程を含む構成を付加する
ものである。According to a fourteenth aspect of the present invention, in the structure of the ninth to twelfth aspects, the defect detection step includes a pattern formed on the first chip exposed while sequentially changing the exposure conditions,
The second exposed under the exposure condition that does not cause pattern defects
The structure including a step of detecting a pattern defect by comparing the pattern formed on the chip of FIG.
【００３５】請求項１５の発明は、請求項１４の構成
に、前記第２のチップは前記第１のチップの両側にそれ
ぞれ形成されている構成を付加するものである。According to a fifteenth aspect of the present invention, a configuration in which the second chip is formed on both sides of the first chip is added to the configuration of the fourteenth aspect.
【００３６】請求項１６の発明は、請求項９〜１２の構
成に、前記第１のパターン形成工程における前記基板に
は、素子分離領域、トランジスタ素子及びトランジスタ
素子用の電極のうちの少なくとも１つが既に形成されて
いる構成を付加するものである。According to a sixteenth aspect of the present invention, in the structure of the ninth to twelfth aspects, at least one of an element isolation region, a transistor element and an electrode for a transistor element is provided on the substrate in the first pattern forming step. The structure already formed is added.
【００３７】具体的に請求項１７の発明が講じた解決手
段は、パターンの検査方法を、パターン欠陥が存在しな
いレジストパターンを有する検査用ウェハを作製する工
程と、半導体装置の製造プロセスにおいて形成されたウ
ェハ上のレジストパターンの画像情報と、前記検査用ウ
ェハ上のレジストパターンの画像情報とを比較すること
により、前記ウェハ上のレジストパターンに対してパタ
ーン欠陥の有無を検査する検査工程とを備えている構成
とするものである。Specifically, the solution means taken by the seventeenth aspect of the invention is to form a pattern inspection method in the steps of producing an inspection wafer having a resist pattern having no pattern defect, and in forming a semiconductor device. And a step of inspecting the resist pattern on the wafer for pattern defects by comparing the image information of the resist pattern on the wafer with the image information of the resist pattern on the inspection wafer. The configuration is as follows.
【００３８】具体的に請求項１８の発明が講じた解決手
段は、パターンの検査装置を、基板上のレジスト膜に、
レチクルを用いて露光条件を順次変化させつつ露光して
前記レチクルのパターンを転写し、前記レチクルのパタ
ーンが転写された前記レジスト膜を現像することにより
形成された前記レジスト膜よりなる複数のパターンに対
してパターン欠陥を検出する欠陥検出手段と、パターン
欠陥が検出され且つ検出されたパターン欠陥の数が所定
数以内である前記レジスト膜よりなるパターンにおける
検出されたパターン欠陥の位置と対応する前記レチクル
の位置をパターン欠陥を発生させ易い部位であると特定
する部位特定手段と、パターン欠陥を発生させ易い部位
が特定された前記レチクルを用いて形成されたレジスト
膜又は該レジスト膜の下側の下地膜よりなるパターンに
おける前記レチクルのパターン欠陥を発生させ易い部位
と対応する部位に対して良否の検査を行なう検査手段と
を備えている構成とするものである。[0038] Specifically, a solution means taken by the invention of claim 18 is that a pattern inspection device is provided on a resist film on a substrate.
A reticle is used to perform exposure while sequentially changing the exposure conditions to transfer the pattern of the reticle, and the resist film on which the pattern of the reticle is transferred is developed to form a plurality of patterns of the resist film. On the other hand, the defect detection means for detecting a pattern defect, and the reticle corresponding to the position of the detected pattern defect in the pattern made of the resist film in which the pattern defect is detected and the number of detected pattern defects is within a predetermined number And a resist film formed by using the reticle in which the position where the pattern defect is easily generated is specified, and the reticle in which the position where the pattern defect is easily generated is specified is formed. In the part corresponding to the part where pattern defects of the reticle are likely to occur in the pattern of the ground film It is an arrangement and a test means for testing the quality and.
【００３９】請求項１８の構成により、パターン欠陥の
数が所定数以内であるレジスト膜よりなるパターンにお
けるパターン欠陥の位置と対応するレチクルの位置はパ
ターン欠陥を発生させ易い部位となるので、このレチク
ルを用いて形成されたレジスト膜又は該レジスト膜の下
側の下地膜よりなるパターンにおけるレチクルのパター
ン欠陥を発生させ易い部位と対応する部位に対して良否
の検査を行なうと、レジスト膜又は下地膜よりなるパタ
ーンにおけるパターン欠陥が発生し易い部位に対して検
査が行なわれることになる。According to the structure of the eighteenth aspect, since the position of the reticle corresponding to the position of the pattern defect in the pattern made of the resist film in which the number of pattern defects is within a predetermined number is a site where the pattern defect is likely to occur, this reticle. When a pass / fail test is performed on a portion corresponding to a portion of the reticle where a pattern defect of the reticle is likely to occur in the pattern formed of the resist film formed using The inspection is performed on a portion of the pattern formed by the pattern that is likely to cause a pattern defect.
【００４０】具体的に請求項１９の発明が講じた解決手
段は、パターンの検査装置を、基板上のレジスト膜に、
レチクルを用いて露光条件を順次変化させつつ露光して
前記レチクルのパターンを転写し、前記レチクルのパタ
ーンが転写された前記レジスト膜を現像して得た複数の
レジストパターンを用いてエッチングすることにより形
成された前記レジスト膜の下側の下地膜よりなる複数の
パターンにおけるパターン欠陥を検出する欠陥検出手段
と、パターン欠陥が検出され且つ検出されたパターン欠
陥の数が所定数以内である前記下地膜よりなるパターン
における検出されたパターン欠陥の位置と対応する前記
レチクルの位置をパターン欠陥を発生させ易い部位であ
ると特定する部位特定手段と、パターン欠陥を発生させ
易い部位が特定された前記レチクルを用いて形成された
レジスト膜又は該レジスト膜の下側の下地膜よりなるパ
ターンにおける前記レチクルのパターン欠陥を発生させ
易い部位と対応する部位に対して良否の検査を行なう検
査手段とを備えている構成とするものである。Specifically, a solution means taken by the invention of claim 19 is that a pattern inspection device is provided on a resist film on a substrate.
By exposing while sequentially changing the exposure conditions using a reticle to transfer the pattern of the reticle, and by etching using a plurality of resist patterns obtained by developing the resist film to which the pattern of the reticle is transferred Defect detection means for detecting pattern defects in a plurality of patterns of the underlying film formed under the resist film, and the underlying film in which pattern defects are detected and the number of detected pattern defects is within a predetermined number. A part specifying means for specifying the position of the reticle corresponding to the position of the detected pattern defect in the pattern consisting of the position as a part where the pattern defect is likely to occur, and the reticle where the part where the pattern defect is likely to occur is specified. In the pattern consisting of the resist film formed by using or the underlying film below the resist film It is an arrangement and a test means for testing the quality with respect to portions corresponding to those likely site generates a pattern defect of a reticle.
【００４１】請求項１９の構成により、パターン欠陥の
数が所定数以内である下地膜よりなるパターンにおける
パターン欠陥の位置と対応するレチクルの位置はパター
ン欠陥を発生させ易い部位となるので、このレチクルを
用いて形成されたレジスト膜又は該レジスト膜の下側の
下地膜よりなるパターンにおけるレチクルのパターン欠
陥を発生させ易い部位と対応する部位に対して良否の検
査を行なうと、レジスト膜又は下地膜におけるパターン
欠陥が発生し易い部位に対して検査が行なわれることに
なる。According to the nineteenth aspect of the invention, the position of the reticle corresponding to the position of the pattern defect in the pattern made of the underlying film having the number of pattern defects within a predetermined number is a site where the pattern defect is likely to occur. When a pass / fail test is performed on a portion corresponding to a portion of the reticle where a pattern defect of the reticle is likely to occur in the pattern formed of the resist film formed using The inspection is performed on the portion where the pattern defect is likely to occur.
【００４２】[0042]
【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施形態に係る
レチクルの検査方法及び検査装置並びにパターンの検査
方法及び検査装置について図面を参照しながら説明す
る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, a reticle inspection method and an inspection apparatus, a pattern inspection method and an inspection apparatus according to each embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００４３】（第１の実施形態）図１は、本発明の第１
の実施形態に係るレチクル検査方法及び検査装置に用い
る露光時間の変化の分布を示している。すなわち、半導
体装置の製造工程の途中である半導体ウェハ１上の第１
の領域２の第１のチップのレジスト膜に対しては、３３
０ｍｓｅｃから２４０ｍｓｅｃまで１０ｍｓｅｃづつ露
光時間を減少させて露光する一方、半導体ウェハ１上の
第１の領域２の両側に位置する第２の領域３の第２のチ
ップのレジスト膜に対しては、ブリッジ不良が生じない
十分の露光時間である３３０ｍｓｅｃの露光をそれぞれ
行なう。(First Embodiment) FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention.
7 shows a distribution of changes in exposure time used in the reticle inspection method and the inspection apparatus according to the embodiment. That is, the first device on the semiconductor wafer 1 which is in the middle of the manufacturing process of the semiconductor device.
33 for the resist film of the first chip in region 2 of
The exposure is performed by decreasing the exposure time from 0 msec to 240 msec by 10 msec, and the bridge is formed on the resist film of the second chip in the second region 3 located on both sides of the first region 2 on the semiconductor wafer 1. Each exposure is performed for 330 msec, which is a sufficient exposure time that does not cause a defect.
【００４４】次に、前記のように露光時間を変化させて
露光されたレジスト膜に対して現像を行なってレジスト
パターンを形成した後、該レジストパターンをマスクと
して下地膜としての導電膜に対してエッチングを行なっ
て配線パターンを形成し、形成された配線パターンに対
して画像認識を用いる欠陥検査を行なう。この欠陥検査
は、第１の領域２に位置する各チップの配線パターンの
画像情報を、両側の第２の領域３に位置する各チップの
配線パターンの画像情報と比較することにより行なう。Next, the exposed resist film is developed by changing the exposure time as described above to form a resist pattern, and then the resist pattern is used as a mask for the conductive film as the base film. A wiring pattern is formed by etching, and a defect inspection using image recognition is performed on the formed wiring pattern. This defect inspection is performed by comparing the image information of the wiring pattern of each chip located in the first area 2 with the image information of the wiring pattern of each chip located in the second areas 3 on both sides.
【００４５】図２は、第１の領域２に位置する第１のチ
ップの配線パターンに発生したブリッジ不良の箇所を示
している。図２において、１０は拡散層、１１Ａ，１１
Ｂ，１１Ｃはゲート電極、１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃは配
線パターンであって、配線パターン１２Ａと配線パター
ン１２Ｃとが短絡していることが分かる。図３（ａ），
（ｂ）に示すように、レジストパターン１３にブリッジ
部１３ａが生じることにより、図３（ｃ）に示すよう
に、レジストパターン１３を用いてエッチングされた配
線パターン１２に短絡部１２ａが発生するのである。FIG. 2 shows the location of a bridging defect that has occurred in the wiring pattern of the first chip located in the first region 2. In FIG. 2, 10 is a diffusion layer, 11A and 11
It can be seen that B and 11C are gate electrodes and 12A, 12B and 12C are wiring patterns, and the wiring patterns 12A and 12C are short-circuited. FIG. 3 (a),
As shown in FIG. 3B, when the bridge portion 13a is formed in the resist pattern 13, a short circuit portion 12a is generated in the wiring pattern 12 etched by using the resist pattern 13 as shown in FIG. 3C. is there.
【００４６】図４は、第１の領域２の第１のチップのレ
ジスト膜に対する露光時間とブリッジ不良との関係を示
しており、第１のチップ２０においてはブリッジ部Ａ，
Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅが発生し、第１のチップ２１においては
ブリッジ部Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｅが発生し、第１のチップ２２
においてはブリッジ部Ａ，Ｂが発生し、第１のチップ２
３においてはブリッジ部Ｂが発生し、第１のチップ２４
においてはブリッジ部が発生していないことが分かる。
すなわち、露光時間が長くなるにつれてブリッジ部の数
が減少する。FIG. 4 shows the relationship between the exposure time for the resist film of the first chip in the first region 2 and the bridge failure. In the first chip 20, the bridge portion A,
B, C, D and E are generated, and bridge portions A, B, C and E are generated in the first chip 21, and the first chip 22 is generated.
, The bridge portions A and B are generated, and the first chip 2
3, the bridge portion B is generated, and the first chip 24
It can be seen that no bridge portion is generated in.
That is, the number of bridge portions decreases as the exposure time increases.
【００４７】ブリッジ部の検出方法の一例について説明
すると、例えば欠陥検査装置に設けられた光学顕微鏡に
より画像認識を行なって露光時間の短い第１のチップに
対して全てのブリッジ部を検出した後、検出されたブリ
ッジ部に対してＳＥＭ等の電子顕微鏡によりブリッジ部
の有無を再度検出する。このようにするのは、最初から
電子顕微鏡によりブリッジ部の発見を行なうのは困難で
ある一方、光学顕微鏡では１．０μｍ以下のブリッジ部
を確実に検出できないためである。第１のチップにおい
て検出されたブリッジ部の位置と対応する第２のチップ
の位置についてもブリッジ部の有無を検査する。前記の
作業を、ブリッジ部が所定数、例えば１〜３程度以内に
減少するまで、露光時間の相対的に短い第１のチップか
ら露光時間の相対的に長い第１のチップに対して順次行
なう。An example of the method of detecting the bridge portion will be described. For example, after image recognition is performed by an optical microscope provided in the defect inspection apparatus to detect all the bridge portions for the first chip having a short exposure time, The presence or absence of the bridge portion is detected again with respect to the detected bridge portion by an electron microscope such as SEM. This is because it is difficult to find the bridge portion by the electron microscope from the beginning, but the bridge portion of 1.0 μm or less cannot be surely detected by the optical microscope. The presence / absence of the bridge portion is also inspected at the position of the second chip corresponding to the position of the bridge portion detected in the first chip. The above work is sequentially performed from the first chip having a relatively short exposure time to the first chip having a relatively long exposure time until the number of bridge portions is reduced to within a predetermined number, for example, about 1 to 3. .
【００４８】前記の作業によって最後まで発見され続け
たブリッジ部Ｂの位置が、配線パターンにおいてブリッ
ジ部が最も発生し易い位置であると特定できる。次に、
レチクルにおけるブリッジ部Ｂの位置と対応する部位の
パターン寸法を測定し、この部位のパターン寸法が規定
内であるか否かを判断することによりレチクルの良否を
検査するのである。The position of the bridge portion B which has been found to the end by the above work can be specified as the position where the bridge portion is most likely to occur in the wiring pattern. next,
The quality of the reticle is inspected by measuring the pattern dimension of a portion of the reticle corresponding to the position of the bridge portion B and determining whether the pattern dimension of this portion is within the regulation.
【００４９】尚、第１の実施形態においては、光学顕微
鏡によりブリッジ部の検出を行なった後、電子顕微鏡に
よりブリッジ部の確認を行なったが、電子顕微鏡により
ブリッジ部を確実に検出できる場合には、最初から電子
顕微鏡によりブリッジ部の検出を行なってもよい。In the first embodiment, the bridge portion is confirmed by the electron microscope after the bridge portion is detected by the optical microscope. However, when the bridge portion can be surely detected by the electron microscope, Alternatively, the bridge portion may be detected from the beginning with an electron microscope.
【００５０】また、第１の実施形態においては、露光時
間を３３０ｍｓｅｃから１０ｍｓｅｃづつ減少させて露
光を行なったが、露光時間及び露光時間の減少ステップ
については、露光装置及びレチクルの設計ルールなどに
より適宜変更可能である。Further, in the first embodiment, the exposure time is reduced by 10 msec from 330 msec, but the exposure time and the step of reducing the exposure time are appropriately set according to the design rules of the exposure apparatus and the reticle. It can be changed.
【００５１】また、第１の実施形態においては、パター
ン欠陥の検出をブリッジ部に対して行なったが、オープ
ン部（断線部分）に対して行なってもよい。Further, in the first embodiment, the pattern defect is detected in the bridge portion, but it may be detected in the open portion (broken portion).
【００５２】また、第１の実施形態においては、露光時
間を徐々に減少させることによりブリッジ部の検出を行
なったが、露光時間の変化に代えて、露光エネルギーの
変化、フォーカスの変化（焦点位置のプラス側又はマイ
ナス側への変化）、アライメントの変化又は光源の波長
の変化等の露光条件に影響するパラメーターの変化を行
なってもよい。半導体装置の製造プロセスにおいてパタ
ーン欠陥の発生に大きな影響を及ぼすパラメータを順次
変化させてレジストパターンを形成し、該レジストパタ
ーンを用いてエッチングされた配線パターンにおいてパ
ターン欠陥の検出を行なうことができる。Further, in the first embodiment, the bridge portion is detected by gradually reducing the exposure time. However, instead of the change in the exposure time, the change in the exposure energy and the change in the focus (focus position). Change to the plus side or minus side), a change in alignment, a change in wavelength of the light source, or the like, may be performed to change parameters that affect the exposure conditions. In the manufacturing process of a semiconductor device, a resist pattern can be formed by sequentially changing parameters that greatly affect the occurrence of pattern defects, and the pattern defects can be detected in the wiring pattern etched using the resist pattern.
【００５３】また、第１の実施形態においては、レジス
トパターンをマスクとして導電層に対してエッチングを
行なって配線パターンを形成し、形成された配線パター
ンに対してブリッジ部の検出を行なったが、レジストパ
ターンにおいて検出感度が得られ、レジストパターンの
パターン欠陥の検出が確実にできる場合には、レジスト
パターンにおいてパターン欠陥の検出を行なってもよ
い。Further, in the first embodiment, the conductive layer is etched using the resist pattern as a mask to form a wiring pattern, and the bridge portion is detected in the formed wiring pattern. When the detection sensitivity is obtained in the resist pattern and the pattern defect of the resist pattern can be surely detected, the pattern defect may be detected in the resist pattern.
【００５４】さらに、第１の実施形態においては、露光
時間を徐々に変化させる第１の領域２の両側に露光時間
を一定にする第２の領域３をそれぞれ設けたが、例えば
レチクルの作成データ等との比較によって第１の領域２
のチップにおけるパターン欠陥の検出が可能な場合に
は、第２の領域３は設けることなく、第１の領域２のチ
ップとレチクルの作成データとの比較によりパターン欠
陥の検出を行なってもよい。Further, in the first embodiment, the second areas 3 for making the exposure time constant are provided on both sides of the first area 2 for gradually changing the exposure time. The first area 2 by comparison with
If it is possible to detect the pattern defect in the chip, the pattern defect may be detected by comparing the chip in the first region 2 with the reticle creation data without providing the second region 3.
【００５５】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態に係るパターンの検査方法について図５を参照
しながら説明する。(Second Embodiment) A pattern inspection method according to a second embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
【００５６】図５は、前記第１の実施形態において説明
したレチクルの検査方法を半導体装置の製造プロセスに
おけるパターンの検査に適用する場合のフローチャート
を示している。FIG. 5 is a flow chart in the case where the reticle inspection method described in the first embodiment is applied to the pattern inspection in the semiconductor device manufacturing process.
【００５７】まず、ステップＳ１において半導体基板に
素子分離領域を形成した後、ステップＳ２においてトラ
ンジスタ素子のゲート酸化膜を形成し、その後、ステッ
プＳ３においてトランジスタ素子のゲート電極膜を堆積
した後、ステップＳ４においてゲート電極用のレジスト
パターンを形成する。First, an element isolation region is formed on a semiconductor substrate in step S1, a gate oxide film of a transistor element is formed in step S2, and then a gate electrode film of the transistor element is deposited in step S3, and then step S4. At, a resist pattern for a gate electrode is formed.
【００５８】次に、ステップＳ５において、ゲート電極
用のレジストパターンにおけるパターン欠陥の検出を顕
微鏡を用いる目視検査により行なう。この場合、前記第
１の実施形態に示したレチクルの検査方法により特定さ
れたレチクルにおけるパターン欠陥例えばブリッジ部を
発生させ易い部位と対応するレジストパターンの部位に
対してブリッジ部の有無の検査を行なう。この検査にお
いて、ブリッジ部が検出された場合には、レジストパタ
ーンを除去し、ゲート電極用のレジストパターン形成工
程へ戻って、再度レジストパターンを形成する。Next, in step S5, pattern defects in the resist pattern for the gate electrode are detected by visual inspection using a microscope. In this case, a pattern defect in the reticle identified by the reticle inspection method shown in the first embodiment, for example, a portion of the resist pattern corresponding to a portion where a bridge portion is likely to be generated is inspected for the presence or absence of the bridge portion. . In this inspection, when the bridge portion is detected, the resist pattern is removed, the process returns to the resist electrode forming step for the gate electrode, and the resist pattern is formed again.
【００５９】ステップＳ５において、ブリッジ部が検出
されない場合には、ステップＳ６において、例えばドラ
イエッチングによりゲート電極を形成する。If no bridge portion is detected in step S5, a gate electrode is formed in step S6 by dry etching, for example.
【００６０】第２の実施形態によると、レジストパター
ンにおけるレチクルの最もブリッジ部を発生させ易い部
位において、ブリッジ部の有無の検査を行なっているの
で、この部位においてブリッジ部が発生していない場合
には、レジストパターンにおける他の全ての領域におい
てもブリッジ部が発生していないと判断することができ
る。According to the second embodiment, the presence or absence of the bridge portion is inspected at the portion of the reticle where the bridge portion is most likely to be formed in the resist pattern. It can be determined that the bridge portion does not occur in all other regions in the resist pattern.
【００６１】尚、第２の実施形態においては、パターン
欠陥としてブリッジ部の有無について説明したが、これ
に代えて、オープン不良等の検査を行なってもよいこと
は言うまでもない。In the second embodiment, the presence / absence of the bridge portion as the pattern defect has been described, but it goes without saying that an inspection for an open defect or the like may be performed instead.
【００６２】また、第２の実施形態においては、ゲート
電極用のレジストパターンの形成工程を例に説明した
が、本発明は、ゲート電極以外の電極や配線を形成する
ためのレジストパターン形成工程においても適用でき
る。また、レジストパターンに対するパターン欠陥の検
出に代えて、レジストパターンの下地膜に対してパター
ン欠陥の検出を行なってもよい。In the second embodiment, the process of forming the resist pattern for the gate electrode has been described as an example, but the present invention is applicable to the process of forming the resist pattern for forming electrodes and wirings other than the gate electrode. Can also be applied. Further, instead of detecting the pattern defect in the resist pattern, the pattern defect may be detected in the base film of the resist pattern.
【００６３】さらに、第１の実施形態と同様に、露光時
間の変化に代えて、フォーカス等の他のパラメーターの
変化によってレチクルにおけるパターン欠陥の発生し易
い位置が特定されている場合には、そのパラメーターに
対応するパターン欠陥が発生し易い部位に対してパター
ン欠陥の検出を行なうことは言うまでもない。Further, as in the first embodiment, when the position where pattern defects are likely to occur on the reticle is specified by changing other parameters such as focus instead of changing the exposure time, It goes without saying that the pattern defect is detected for the portion where the pattern defect corresponding to the parameter is likely to occur.
【００６４】（第３の実施形態）以下、本発明の第３の
実施形態に係るパターンの検査装置について図６を参照
しながら説明する。(Third Embodiment) A pattern inspection apparatus according to a third embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
【００６５】図６において、３１はレジストパターンが
形成されたウェハ、３２はウェハ３１の上に形成された
チップ、３３は光学レンズ、３４はＣＣＤ撮像装置、３
５はＣＣＤ撮像装置３４により得られた画像データ、３
６はレチクルにおける最もブリッジ部が発生し易い位置
の設計データである。In FIG. 6, 31 is a wafer on which a resist pattern is formed, 32 is a chip formed on the wafer 31, 33 is an optical lens, 34 is a CCD image pickup device, 3
5 is image data obtained by the CCD imaging device 34, 3
Reference numeral 6 is design data at a position where the bridge portion is most likely to occur on the reticle.
【００６６】まず、第１の実施形態に示したレチクルの
検査方法を用いて、アルミ配線形成用のレチクルにおけ
るブリッジ部が発生し易い部位を特定し、この部位にお
けるレチクル作製時の設計データ３６を予め検査装置に
記憶させておく。First, by using the reticle inspection method shown in the first embodiment, a portion of the reticle for forming aluminum wiring where a bridge portion is likely to occur is specified, and design data 36 at the time of manufacturing the reticle at this portion is specified. It is stored in the inspection device in advance.
【００６７】次に、半導体装置のアルミ配線形成工程に
おいてアルミ配線用のレジストパターンを形成した後、
チップ３２におけるブリッジ部が発生し易い領域３２ａ
の画像を光学レンズ３３により拡大し、ＣＣＤ撮像装置
３４により撮像して画像データ３５として取り込む。そ
の後、画像データ３５と設計データ３６とをコンピュー
タ等により比較して、チップ３２におけるブリッジ部の
有無を検出する。Next, after forming a resist pattern for aluminum wiring in the aluminum wiring forming process of the semiconductor device,
Area 32a in which a bridge portion of the chip 32 is likely to occur
Image is enlarged by the optical lens 33, captured by the CCD image capturing device 34, and captured as image data 35. After that, the image data 35 and the design data 36 are compared by a computer or the like to detect the presence or absence of a bridge portion in the chip 32.
【００６８】第３の実施形態に係る検査装置は、チップ
３２を全面に亘って検査するのではなく、ブリッジ部が
発生し易い領域３２ａのみを検査するので、検査時間を
著しく短縮することができる。このため、画像データの
処理及び設計データとの比較の計算処理に時間をかける
ことができるので、微小なブリッジ部の検出を行なう際
にも有効である。The inspection apparatus according to the third embodiment does not inspect the entire surface of the chip 32, but inspects only the region 32a where the bridge portion is likely to occur, so that the inspection time can be remarkably shortened. . Therefore, it is possible to spend time on the image data processing and the calculation processing for comparison with the design data, which is also effective when detecting a minute bridge portion.
【００６９】尚、第３の実施形態においては、アルミ配
線用のレジストパターン形成工程について説明したが、
本発明は、アルミ配線用以外のレジストパターン形成工
程についても有効であることは言うまでもない。In the third embodiment, the resist pattern forming process for aluminum wiring has been described.
It goes without saying that the present invention is also effective for resist pattern forming steps other than those for aluminum wiring.
【００７０】また、第３の実施形態においては、レジス
トパターンについて説明したが、本発明は、レジストパ
ターンを用いて下地膜例えば導電膜に対してドライエッ
チングを行なった後、レジストパターンを除去して得た
導電膜よりなる電極や配線のパターンに対しても有効で
ある。Although the resist pattern has been described in the third embodiment, the present invention removes the resist pattern after performing dry etching on the base film, for example, the conductive film using the resist pattern. It is also effective for an electrode or wiring pattern made of the obtained conductive film.
【００７１】また、第３の実施形態においては、チップ
３２の光学像を基にして画像データ３５を取り込んだ
が、これに代えて、例えば２次電子像等の他の像を基に
して画像データ３５を取り込んでもよい。Further, in the third embodiment, the image data 35 is taken in based on the optical image of the chip 32, but instead of this, the image data 35 is taken in based on another image such as a secondary electron image. 35 may be incorporated.
【００７２】（第４の実施形態）以下、本発明の第４の
実施形態に係るパターンの検査方法及び検査装置につい
て図７を参照しながら説明する。(Fourth Embodiment) A pattern inspection method and a pattern inspection apparatus according to a fourth embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
【００７３】図７において、４１は半導体装置の製造プ
ロセスにおいてゲート電極用のレジストパターンが形成
された被検査用ウェハ、４２はブリッジ部の発生してい
ないゲート電極用のレジストパターンが形成された参照
用ウェハであって、該参照ウェハ４２は被検査用ウェハ
４１の検査の際にリファレンスとして使用される。ま
た、４３は被検査用ウェハ４１上に形成されたチップ、
４４は参照用ウェハ４２上に形成されたチップ、４５，
４６は光学レンズ、４７，４８はＣＣＤ撮像装置、４９
はＣＣＤ撮像装置４７により得られた画像データ、５０
はＣＣＤ撮像装置４８により得られた画像データ５０で
ある。In FIG. 7, reference numeral 41 is a wafer to be inspected in which a resist pattern for a gate electrode is formed in the manufacturing process of a semiconductor device, and 42 is a resist pattern for a gate electrode in which no bridge portion is formed. The reference wafer 42, which is a wafer for use, is used as a reference when inspecting the wafer 41 to be inspected. 43 is a chip formed on the wafer 41 to be inspected,
44 is a chip formed on the reference wafer 42, 45,
46 is an optical lens, 47 and 48 are CCD image pickup devices, 49
Is image data obtained by the CCD image pickup device 47,
Is image data 50 obtained by the CCD image pickup device 48.
【００７４】まず、ブリッジ部の発生していないゲート
電極用のレジストパターンが形成された参照用ウェハ４
２を準備すると共に、半導体装置のゲート電極形成工程
におけるゲート電極用のレジストパターンが形成された
被検査用ウェハ４１を検査装置に装着する。First, the reference wafer 4 on which a resist pattern for a gate electrode in which no bridge portion is formed is formed.
2 is prepared, and the wafer 41 to be inspected on which the resist pattern for the gate electrode is formed in the gate electrode forming step of the semiconductor device is mounted on the inspection device.
【００７５】次に、被検査用ウェハ４１と参照用ウェハ
４２とにおける同一の領域をそれぞれ光学レンズ４５，
４６で拡大し、ＣＣＤ撮像装置２７，２８により画像デ
ータ４９，５０として取り込む。画像データ４９と画像
データ５０とをコンピュータ等を用いて比較することに
より、被検査用ウェハ４１のチップ４３におけるブリッ
ジ部を検出する。この場合、画像データ４９，５０とし
ては、被検査用ウェハ４１及び参照用ウェハ４２、又は
光学レンズ４５，４６及びＣＣＤ撮像装置４７，４８を
同期させてスキャンすることにより、被検査用ウェハ４
１上の任意の位置のものを得ることができる。Next, the same area of the wafer 41 to be inspected and the wafer 42 for reference are respectively covered by the optical lenses 45,
The image is enlarged at 46, and captured as image data 49, 50 by the CCD imaging devices 27, 28. By comparing the image data 49 and the image data 50 with a computer or the like, the bridge portion of the chip 43 of the wafer 41 to be inspected is detected. In this case, as the image data 49 and 50, the wafer 41 to be inspected and the reference wafer 42, or the wafer 4 to be inspected by scanning the optical lenses 45 and 46 and the CCD imaging devices 47 and 48 in synchronization
Any position on 1 can be obtained.
【００７６】第４の実施形態によると、ブリッジ部の発
生していない参照用ウェハ４２との比較により被検査用
ウェハ４１に対する検査を行なうため、レチクルを用い
ることなく被検査用ウェハ４１の検査を行なうことがで
きるので、レチクルにダスト等が付着してパターン欠陥
の検出が確実にできない場合でも対応することができ
る。According to the fourth embodiment, the wafer to be inspected 41 is inspected by comparison with the reference wafer 42 in which no bridge portion is generated. Therefore, the wafer to be inspected 41 can be inspected without using a reticle. Since it can be performed, it is possible to deal with the case where dust or the like adheres to the reticle and the pattern defect cannot be reliably detected.
【００７７】尚、第４の実施形態においては、ゲート電
極用のレジストパターン形成工程について説明したが、
他の電極又は配線用のレジストパターン形成工程につい
ても適用できることは言うまでもない。In the fourth embodiment, the resist pattern forming process for the gate electrode has been described.
It goes without saying that the present invention can be applied to other resist pattern forming steps for electrodes or wirings.
【００７８】また、第４実施形態においては、チップ４
３，４４の光学像を基に画像データ４９，５０を得た
が、光学像の代わりに、例えば２次電子像等を基に画像
データ４９，５０を得てもよい。Further, in the fourth embodiment, the chip 4
Although the image data 49, 50 are obtained based on the optical images of 3, 44, the image data 49, 50 may be obtained based on, for example, a secondary electron image instead of the optical image.
【００７９】[0079]
【発明の効果】請求項１の発明に係るレチクルの検査方
法によると、パターン欠陥の数が所定数以内であるレジ
スト膜のパターンにおけるパターン欠陥の位置と対応す
る被検査用レチクルの位置はパターン欠陥を発生させ易
い部位であるから、被検査用レチクルにおけるパターン
欠陥を発生させ易い部位に対して良否の検査を行なう
と、被検査用レチクルに対する良否検査を短時間で的確
に行なうことができる。According to the reticle inspection method of the first aspect of the present invention, the position of the reticle to be inspected corresponding to the position of the pattern defect in the pattern of the resist film in which the number of pattern defects is within a predetermined number is the pattern defect. Since it is a portion where the reticle to be inspected is easily generated, if the portion of the reticle to be inspected that is likely to cause the pattern defect is inspected, the quality inspection of the reticle to be inspected can be accurately performed in a short time.
【００８０】請求項２の発明に係るレチクルの検査方法
によると、パターン欠陥の数が所定数以内である下地膜
のパターンにおけるパターン欠陥の位置と対応する被検
査用レチクルの位置はパターン欠陥を発生させ易い部位
であるから、被検査用レチクルにおけるパターン欠陥を
発生させ易い部位に対して良否の検査を行なうと、被検
査用レチクルに対する良否検査を短時間で的確に行なう
ことができる。また、パターン欠陥の検出は、レジスト
膜よりなるパターンに対して行なう場合よりも下地膜よ
りなるパターンに対して行なう場合の方が容易であるこ
とが多いので、パターン欠陥の検出が容易になる。According to the reticle inspection method of the second aspect of the invention, the position of the reticle to be inspected corresponding to the position of the pattern defect in the pattern of the base film in which the number of pattern defects is within a predetermined number causes the pattern defect. Since it is a portion that is easy to perform, if the quality of the portion of the reticle to be inspected where pattern defects are likely to occur is inspected, the quality of the reticle to be inspected can be accurately inspected in a short time. In addition, the pattern defect is often detected more easily in the case of the pattern made of the base film than in the case of the pattern made of the resist film, so that the pattern defect is easily detected.
【００８１】請求項３の発明に係るレチクルの検査方法
によると、パターン形成工程における露光条件は、露光
時間、露光エネルギー及びフォーカスのうちのいずれか
１つであるため、露光時間又は露光エネルギーを少ない
方に変化させるとブリッジ不良を発生させ易い部位を検
出でき、露光時間又は露光エネルギーを多い方に変化さ
せるとオープン不良を発生させ易い部位を検出でき、フ
ォーカスをプラス側に変化させるとフォーカスがプラス
側にデフォーカスした場合にパターン欠陥を発生させ易
い部位を検出でき、フォーカスをマイナス側に変化させ
るとフォーカスがマイナス側にデフォーカスした場合に
パターン欠陥を発生させ易い部位を検出することができ
る。According to the reticle inspection method of the third aspect of the present invention, since the exposure condition in the pattern forming step is any one of the exposure time, the exposure energy and the focus, the exposure time or the exposure energy is small. If it is changed to one, the part where bridging defects are likely to occur can be detected, if the exposure time or exposure energy is changed to one that is more likely to cause open defects, the focus can be changed to plus. When the focus is defocused to the side, the portion where the pattern defect is likely to be generated can be detected, and when the focus is changed to the minus side, the portion where the pattern defect is easily generated can be detected when the focus is defocused to the minus side.
【００８２】請求項４の発明に係るレチクルの検査方法
によると、露光条件を順次変化させて露光された第１の
チップ上に形成されたパターンと、パターン欠陥を発生
させない露光条件で露光された第２のチップ上に形成さ
れたパターンとを比較することによりパターン欠陥を検
出するので、第１のチップ上に形成されたレジスト膜又
は下地膜よりなるパターンにおけるパターン欠陥を容易
且つ確実に検出することができる。According to the reticle inspection method of the fourth aspect of the present invention, the pattern formed on the first chip exposed by sequentially changing the exposure condition and the exposure condition that does not cause a pattern defect are exposed. Since the pattern defect is detected by comparing with the pattern formed on the second chip, the pattern defect in the pattern made of the resist film or the base film formed on the first chip can be easily and surely detected. be able to.
【００８３】請求項５の発明に係るレチクルの検査方法
によると、第２のチップは第１のチップの両側にそれぞ
れ形成されているため、第１のチップ上のレジスト膜又
は下地膜よりなるパターンを、第１のチップの両側に設
けられた第２のチップ上のレジスト膜又は下地膜よりな
るパターンと対比することにより、第１のチップ上のパ
ターンにおけるパターン欠陥を確実に検出することがで
きる。According to the reticle inspection method of the fifth aspect of the present invention, since the second chip is formed on both sides of the first chip, a pattern made of a resist film or a base film on the first chip. By comparing with a pattern formed of a resist film or a base film on the second chip provided on both sides of the first chip, it is possible to reliably detect a pattern defect in the pattern on the first chip. .
【００８４】請求項６の発明に係るレチクルの検査方法
によると、素子分離領域、トランジスタ素子及びトラン
ジスタ素子用の電極のうちの少なくとも１つが既に形成
されている基板の上に形成されたレジスト膜又は下地膜
よりなるパターンに対してパターン欠陥の検出を行なう
ため、半導体装置の製造プロセスにより形成された凹凸
状の表面を有するレジスト膜又は下地膜よりなるパター
ンにおけるパターン欠陥の検出を行なうことができるの
で、半導体装置の製造プロセスにより形成されたレジス
ト膜又は下地膜よりなるパターンにおいてパターン欠陥
を発生させ易い部位を特定することができる。According to the reticle inspection method of the sixth aspect of the present invention, a resist film formed on a substrate on which at least one of the element isolation region, the transistor element and the electrode for the transistor element is already formed, or Since the pattern defect is detected in the pattern made of the base film, it is possible to detect the pattern defect in the pattern made of the resist film or the base film having the uneven surface formed by the manufacturing process of the semiconductor device. It is possible to specify a portion in which a pattern defect is likely to occur in a pattern formed of a resist film or a base film formed by a semiconductor device manufacturing process.
【００８５】請求項７の発明に係るレチクルの検査装置
によると、レジスト膜のパターンにおけるパターン欠陥
を検出する欠陥検出手段と、レジスト膜のパターンにお
けるパターン欠陥の位置と対応する被検査用レチクルの
位置をパターン欠陥を発生させ易い部位であると特定す
る部位特定手段と、被検査用レチクルにおけるパターン
欠陥を発生させ易い部位に対して良否の検査を行なう検
査手段とを備えているので、請求項１の発明に係るレチ
クルの検査方法を確実に実現することができる。According to the reticle inspection apparatus of the seventh aspect of the present invention, the defect detection means for detecting a pattern defect in the resist film pattern and the position of the inspected reticle corresponding to the position of the pattern defect in the resist film pattern. And a means for inspecting a portion of the reticle to be inspected, which is likely to cause a pattern defect, for inspecting whether or not the pattern defect is likely to occur. The method of inspecting a reticle according to the invention can be surely realized.
【００８６】請求項８の発明に係るレチクルの検査装置
によると、下地膜のパターンにおけるパターン欠陥を検
出する欠陥検出手段と、下地膜のパターンにおけるパタ
ーン欠陥の位置と対応する被検査用レチクルの位置をパ
ターン欠陥を発生させ易い部位であると特定する部位特
定手段と、被検査用レチクルにおけるパターン欠陥を発
生させ易い部位に対して良否の検査を行なう検査手段と
を備えているので、請求項２の発明に係るレチクルの検
査方法を確実に実現することができる。According to the reticle inspection apparatus of the eighth aspect of the present invention, the defect detection means for detecting a pattern defect in the underlying film pattern and the position of the inspected reticle corresponding to the position of the pattern defect in the underlying film pattern. 3. The apparatus according to claim 2, further comprising: a portion specifying unit that specifies a portion where the pattern defect is likely to occur, and an inspection unit that inspects the portion of the reticle to be inspected where the pattern defect is likely to occur. The method of inspecting a reticle according to the invention can be surely realized.
【００８７】請求項９の発明に係るパターンの検査方法
によると、パターン欠陥を発生させ易い部位が特定され
たレチクルを用いて形成された第２のレジスト膜のパタ
ーンにおけるレチクルのパターン欠陥を発生させ易い部
位と対応する部位に対して良否の検査を行なうため、第
２のレジスト膜のパターンにおけるパターン欠陥が発生
し易い部位に対して検査が行なわれることになるので、
第２のレジスト膜に対する良否検査を短時間で的確に行
なうことができる。According to the pattern inspection method of the ninth aspect, the pattern defect of the reticle is generated in the pattern of the second resist film formed by using the reticle in which the portion where the pattern defect is easily generated is specified. Since the pass / fail inspection is performed on the portion corresponding to the easy portion, the inspection is performed on the portion where the pattern defect in the pattern of the second resist film is likely to occur.
The quality inspection of the second resist film can be accurately performed in a short time.
【００８８】請求項１０の発明に係るパターンの検査方
法によると、パターン欠陥を発生させ易い部位が特定さ
れたレチクルを用いて形成された第２のレジスト膜のパ
ターンを用いてエッチングすることにより得られる下地
膜のパターンにおけるレチクルのパターン欠陥を発生さ
せ易い部位と対応する部位に対して良否の検査を行なう
ため、下地膜のパターンにおけるパターン欠陥が発生し
易い部位に対して検査が行なわれることになるので、下
地膜に対する良否検査を短時間で的確に行なうことがで
きる。According to the pattern inspection method of the tenth aspect of the present invention, it is obtained by etching using the pattern of the second resist film formed by using the reticle in which the portion where the pattern defect is likely to occur is specified. In order to inspect whether or not a portion of the underlying film pattern in which the reticle pattern defect is likely to occur is defective or not, it is necessary to inspect the portion of the underlying film pattern where the pattern defect is likely to occur. Therefore, the quality inspection of the base film can be accurately performed in a short time.
【００８９】請求項１１の発明に係るパターンの検査方
法によると、パターン欠陥を発生させ易い部位が特定さ
れたレチクルを用いて形成された第２のレジスト膜のパ
ターンにおけるレチクルのパターン欠陥を発生させ易い
部位と対応する部位に対して良否の検査を行なうため、
第２のレジスト膜のパターンにおける下地膜のパターン
にパターン欠陥を発生させ易い部位に対して検査が行な
われることになるので、第２のレジスト膜に対する良否
検査を短時間で的確に行なうことができる。According to the pattern inspection method of the eleventh aspect of the present invention, the pattern defect of the reticle is generated in the pattern of the second resist film formed by using the reticle in which the portion where the pattern defect is easily generated is specified. In order to check the quality of the easy part and the corresponding part,
Since the portion of the pattern of the second resist film, which is likely to cause a pattern defect in the pattern of the base film, is inspected, the quality inspection of the second resist film can be accurately performed in a short time. .
【００９０】請求項１２の発明に係るパターンの検査方
法によると、パターン欠陥を発生させ易い部位が特定さ
れたレチクルを用いて形成された第２のレジスト膜のパ
ターンを用いてエッチングすることにより得られる第２
の下地膜のパターンにおけるレチクルのパターン欠陥を
発生させ易い部位と対応する部位に対して良否の検査を
行なうため、第２の下地膜のパターンにおけるパターン
欠陥が発生し易い部位に対して検査が行なわれることに
なるので、第２の下地膜に対する良否検査を短時間で的
確に行なうことができる。According to the pattern inspection method of the twelfth aspect of the present invention, it is obtained by etching using the pattern of the second resist film formed by using the reticle in which the site where the pattern defect is likely to occur is specified. The second
In order to perform a pass / fail inspection on a portion of the underlying film pattern corresponding to the reticle pattern defect that is likely to occur, an inspection is performed on the portion of the second underlying film pattern where the pattern defect is likely to occur. Therefore, the quality inspection of the second underlayer film can be accurately performed in a short time.
【００９１】請求項１３の発明に係るパターンの検査方
法によると、パターン形成工程における露光条件は、露
光時間、露光エネルギー及びフォーカスのうちのいずれ
か１つであるため、露光時間又は露光エネルギーを少な
い方に変化させるとブリッジ不良を確実に検出でき、露
光時間又は露光エネルギーを多い方に変化させるとオー
プン不良を確実に検出でき、フォーカスをプラス側に変
化させるとフォーカスがプラス側にデフォーカスした場
合のパターン欠陥を確実に検出でき、フォーカスをマイ
ナス側に変化させるとフォーカスがマイナス側にデフォ
ーカスした場合のパターン欠陥を確実に検出できる。According to the pattern inspection method of the thirteenth aspect, since the exposure condition in the pattern forming step is any one of the exposure time, the exposure energy and the focus, the exposure time or the exposure energy is small. If it is changed to the positive direction, the bridge defect can be reliably detected, if the exposure time or exposure energy is changed to the larger one, the open defect can be reliably detected, and if the focus is changed to the positive side, the focus is defocused to the positive side. The pattern defect can be reliably detected, and if the focus is changed to the minus side, the pattern defect when the focus is defocused to the minus side can be reliably detected.
【００９２】請求項１４の発明に係るパターンの検査方
法によると、露光条件を順次変化させつつ露光された第
１のチップ上に形成されたパターンと、パターン欠陥を
発生させない露光条件で露光された第２のチップ上に形
成されたパターンとを比較することにより、パターン欠
陥を検出するので、第１のチップ上に形成されたレジス
ト膜又は下地膜よりなるパターンにおけるパターン欠陥
を容易且つ確実に検出することができる。According to the pattern inspection method of the fourteenth aspect of the present invention, the pattern formed on the first chip is exposed while sequentially changing the exposure condition, and the pattern is exposed under the exposure condition that does not cause a pattern defect. Since the pattern defect is detected by comparing with the pattern formed on the second chip, the pattern defect in the pattern made of the resist film or the base film formed on the first chip can be easily and surely detected. can do.
【００９３】請求項１５の発明に係るパターンの検査方
法によると、第２のチップは第１のチップの両側にそれ
ぞれ形成されているため、第１のチップ上のレジスト膜
又は下地膜よりなるパターンを、第１のチップの両側に
設けられた第２のチップのパターンと対比することによ
り、第１のチップ上のレジスト膜又は下地膜よりなるパ
ターンにおけるパターン欠陥を確実に検出することがで
きる。According to the pattern inspection method of the fifteenth aspect of the present invention, since the second chips are formed on both sides of the first chip respectively, the pattern formed of the resist film or the base film on the first chips is formed. By comparing with the pattern of the second chip provided on both sides of the first chip, it is possible to reliably detect the pattern defect in the pattern of the resist film or the base film on the first chip.
【００９４】請求項１６の発明に係るパターンの検査方
法によると、素子分離領域、トランジスタ素子及びトラ
ンジスタ素子用の電極のうちの少なくとも１つが既に形
成されている基板の上に形成されたレジスト膜又は下地
膜よりなるパターンに対してパターン欠陥の検出を行な
うため、半導体装置の製造プロセスにより形成された凹
凸状の表面を有するレジスト膜又は下地膜よりなるパタ
ーンにおけるパターン欠陥の検出を確実に行なうことが
できる。According to the pattern inspection method of the sixteenth aspect of the present invention, the resist film or the resist film formed on the substrate on which at least one of the element isolation region, the transistor element and the electrode for the transistor element is already formed. Since the pattern defect is detected in the pattern made of the base film, it is possible to reliably detect the pattern defect in the pattern made of the resist film or the base film having the uneven surface formed by the manufacturing process of the semiconductor device. it can.
【００９５】請求項１７の発明に係るパターンの検査方
法によると、検査用ウェハ上のレジストパターンの画像
情報と、半導体装置の製造プロセスにおいて形成された
ウェハ上のレジストパターンの画像情報とを比較して、
ウェハ上のレジストパターンに対してパターン欠陥の有
無を検査するので、レチクルにダストが付着する等のレ
チクルに起因するパターン欠陥を確実に検出することが
できる。According to the pattern inspection method of the seventeenth aspect, the image information of the resist pattern on the inspection wafer and the image information of the resist pattern on the wafer formed in the semiconductor device manufacturing process are compared. hand,
Since the presence or absence of a pattern defect is inspected for the resist pattern on the wafer, it is possible to reliably detect the pattern defect caused by the reticle such as dust adhering to the reticle.
【００９６】請求項１８の発明に係るパターンの検査装
置によると、レジスト膜のパターンに対してパターン欠
陥を検出する欠陥検出手段と、レジスト膜のパターンに
おけるパターン欠陥の位置と対応するレチクルの位置を
パターン欠陥を発生させ易い部位であると特定する部位
特定手段と、レジスト膜又は該レジスト膜の下側の下地
膜よりなるパターンにおけるレチクルのパターン欠陥を
発生させ易い部位と対応する部位に対して良否の検査を
行なう検査手段とを備えているため、請求項９又は１０
の発明に係るパターンの検査方法を確実に実現すること
ができる。According to the pattern inspection apparatus of the eighteenth aspect of the present invention, the defect detecting means for detecting a pattern defect in the resist film pattern and the reticle position corresponding to the pattern defect position in the resist film pattern are arranged. The part specifying means for specifying a part that is likely to cause a pattern defect, and the part corresponding to the part corresponding to the part that is likely to cause a pattern defect of the reticle in the pattern of the resist film or the underlying film below the resist film are good or bad. The inspection means for performing inspection according to claim 9,
The pattern inspection method according to the invention can be surely realized.
【００９７】請求項１９の発明に係るパターンの検査装
置によると、下地膜のパターンにおけるパターン欠陥を
検出する欠陥検出手段と、下地膜のパターンにおけるパ
ターン欠陥の位置と対応するレチクルの位置をパターン
欠陥を発生させ易い部位であると特定する部位特定手段
と、レジスト膜又は該レジスト膜の下側の下地膜よりな
るパターンにおけるレチクルのパターン欠陥を発生させ
易い部位と対応する部位に対して良否の検査を行なう検
査手段とを備えているため、請求項１１又は１２の発明
に係るパターンの検査方法を確実に実現することができ
る。According to the pattern inspection apparatus of the nineteenth aspect of the present invention, the defect detecting means for detecting a pattern defect in the pattern of the underlying film and the position of the reticle corresponding to the position of the pattern defect in the pattern of the underlying film are used as the pattern defects. And a pass / fail inspection for a portion corresponding to a portion that easily causes a pattern defect of the reticle in the pattern formed by the resist film or the underlying film below the resist film. Since the inspection means for performing the above is provided, the pattern inspection method according to the invention of claim 11 or 12 can be surely realized.
【図１】本発明の第１の実施形態に係るレチクル検査方
法及び検査装置に用いる露光時間の変化の分布を示す図
である。FIG. 1 is a diagram showing a distribution of changes in exposure time used in a reticle inspection method and an inspection apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】ウェハの第１の領域に位置する第１のチップの
配線パターンに発生したブリッジ不良の箇所を示す図で
ある。FIG. 2 is a diagram showing a location of a bridge defect that has occurred in a wiring pattern of a first chip located in a first region of a wafer.
【図３】（ａ）及び（ｂ）は、レジストパターンに発生
したブリッジ部を示す図であり、（ｃ）は配線パターン
に発生した短絡部を示す図である。3A and 3B are diagrams showing a bridge portion generated in a resist pattern, and FIG. 3C is a diagram showing a short circuit portion generated in a wiring pattern.
【図４】ウェハの第１の領域の第１のチップのレジスト
膜に対する露光時間とブリッジ不良との関係を示す図で
ある。FIG. 4 is a diagram showing a relationship between an exposure time for a resist film of a first chip in a first region of a wafer and a bridge defect.
【図５】本発明の第２の実施形態に係るパターンの検査
方法を示すフローチャート図である。FIG. 5 is a flowchart showing a pattern inspection method according to a second embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第３の実施形態に係るパターンの検査
装置の構成を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a pattern inspection apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第４の実施形態に係るパターンの検査
方法及び検査装置を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a pattern inspection method and inspection apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
１ 半導体ウェハ ２ 第１の領域 ３ 第２の領域 １０ 拡散層 １１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ ゲート電極 １２，１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ 配線パターン １２ａ 短絡部 １３ レジストパターン １３ａ ブリッジ部 ２０，２１，２２，２３，２４ 第１のチップ ３１ ウェハ ３２ チップ ３３ 光学レンズ ３４ ＣＣＤ撮像装置 ３５ 画像データ ３６ 設計データ ４１ 被検査用ウェハ ４２ 参照用ウェハ ４３ 被検査用ウェハ上に形成されたチップ ４４ 参照用ウェハ上に形成されたチップ ４５，４６ 光学レンズ ４７，４８ ＣＣＤ撮像装置 ４９，５０ 画像データ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor wafer 2 1st area | region 3 2nd area | region 10 Diffusion layer 11A, 11B, 11C Gate electrode 12, 12A, 12B, 12C Wiring pattern 12a Short circuit part 13 Resist pattern 13a Bridge part 20, 21, 22, 23, 24 First chip 31 Wafer 32 Chip 33 Optical lens 34 CCD imager 35 Image data 36 Design data 41 Inspected wafer 42 Reference wafer 43 Chip formed on the inspected wafer 44 Formed on the reference wafer Chip 45,46 Optical lens 47,48 CCD imager 49,50 Image data
Claims (19)
ルを用いて露光条件を順次変化させつつ露光して前記被
検査用レチクルのパターンを転写した後、前記被検査用
レチクルのパターンが転写された前記レジスト膜を現像
することにより、前記レジスト膜よりなる複数のパター
ンを形成するパターン形成工程と、 前記レジスト膜よりなる複数のパターンにおけるパター
ン欠陥を検出する欠陥検出工程と、 パターン欠陥が検出され且つ検出されたパターン欠陥の
数が所定数以内である前記レジスト膜よりなるパターン
におけるパターン欠陥の位置と対応する前記被検査用レ
チクルの位置をパターン欠陥を発生させ易い部位である
と特定する部位特定工程と、 前記被検査用レチクルにおける前記パターン欠陥を発生
させ易い部位に対して良否の検査を行なう検査工程とを
備えていることを特徴とするレチクルの検査方法。1. A resist film on a substrate is exposed by sequentially changing exposure conditions using a reticle to be inspected to transfer the pattern of the reticle to be inspected, and then the pattern of the reticle to be inspected is transferred. A pattern forming step of forming a plurality of patterns of the resist film by developing the resist film thus formed, a defect detecting step of detecting a pattern defect in the plurality of patterns of the resist film, and a pattern defect being detected A portion that identifies the position of the reticle to be inspected that corresponds to the position of the pattern defect in the pattern made of the resist film in which the number of detected pattern defects is within a predetermined number as the part that easily causes the pattern defect. The specific process and the quality of the portion of the reticle to be inspected that is likely to cause the pattern defect A method for inspecting a reticle, comprising: an inspection step for inspecting.
ルを用いて露光条件を順次変化させつつ露光して前記被
検査用レチクルのパターンを転写した後、前記被検査用
レチクルのパターンが転写されたレジスト膜を現像する
ことにより、前記レジスト膜よりなる複数のパターンを
形成するパターン形成工程と、 前記レジスト膜よりなる複数のパターンを用いて前記レ
ジスト膜の下側に形成されている下地膜に対してエッチ
ングを行なうことにより、前記下地膜よりなる複数のパ
ターンを形成するエッチング工程と、 前記下地膜よりなる複数のパターンにおけるパターン欠
陥を検出する欠陥検出工程と、 パターン欠陥が検出され且つ検出されたパターン欠陥の
数が所定数以内である前記下地膜よりなるパターンにお
けるパターン欠陥の位置と対応する前記被検査用レチク
ルの位置をパターン欠陥を発生させ易い部位であると特
定する部位特定工程と、 前記被検査用レチクルにおける前記パターン欠陥を発生
させ易い部位に対して良否の検査を行なう検査工程とを
備えていることを特徴とするレチクルの検査方法。2. A resist film on a substrate is exposed by sequentially changing exposure conditions using a reticle to be inspected to transfer the pattern of the reticle to be inspected, and then the pattern of the reticle to be inspected is transferred. Patterning step of forming a plurality of patterns of the resist film by developing the formed resist film, and a base film formed under the resist film using the plurality of patterns of the resist film Etching step for forming a plurality of patterns of the underlayer film, a defect detection step of detecting pattern defects in the plurality of patterns of the underlayer film, and a pattern defect being detected and detected. The number of pattern defects formed is within a predetermined number A part specifying step of specifying the corresponding position of the reticle to be inspected as a part where pattern defects are likely to occur, and an inspection to perform pass / fail inspection on a part of the reticle to be inspected where the pattern defects are likely to occur A method for inspecting a reticle, which comprises:
は、露光時間、露光エネルギー及びフォーカスのうちの
いずれか１つであることを特徴とする請求項１又は２に
記載のレチクルの検査方法。3. The reticle inspection method according to claim 1, wherein the exposure condition in the pattern forming step is any one of exposure time, exposure energy, and focus.
化させつつ露光された第１のチップ上に形成されたパタ
ーンと、パターン欠陥を発生させない露光条件で露光さ
れた第２のチップ上に形成されたパターンとを比較する
ことにより、パターン欠陥を検出する工程を含むことを
特徴とする請求項１又は２に記載のレチクルの検査方
法。4. The defect detecting step comprises forming a pattern formed on a first chip exposed while sequentially changing an exposure condition and a second chip exposed under an exposure condition that does not cause a pattern defect. The reticle inspection method according to claim 1, further comprising a step of detecting a pattern defect by comparing the formed pattern with the formed pattern.
両側にそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項
４に記載のレチクルの検査方法。5. The reticle inspection method according to claim 4, wherein the second chips are formed on both sides of the first chip, respectively.
には、素子分離領域、トランジスタ素子及びトランジス
タ素子用の電極のうちの少なくとも１つが既に形成され
ていることを特徴とする請求項１又は２に記載のレチク
ルの検査方法。6. The substrate according to claim 1, wherein at least one of an element isolation region, a transistor element, and an electrode for a transistor element is already formed on the substrate in the pattern forming step. Reticle inspection method.
ルを用いて露光条件を順次変化させつつ露光して前記被
検査用レチクルのパターンを転写し、前記被検査用レチ
クルのパターンが転写された前記レジスト膜を現像する
ことにより形成された前記レジスト膜よりなる複数のパ
ターンにおけるパターン欠陥を検出する欠陥検出手段
と、 パターン欠陥が検出され且つ検出されたパターン欠陥の
数が所定数以内である前記レジスト膜よりなるパターン
におけるパターン欠陥の位置と対応する前記被検査用レ
チクルの位置をパターン欠陥を発生させ易い部位である
と特定する部位特定手段と、 前記被検査用レチクルにおける前記パターン欠陥を発生
させ易い部位に対して良否の検査を行なう検査手段とを
備えていることを特徴とするレチクルの検査装置。7. A resist film on a substrate is exposed by sequentially changing exposure conditions using a reticle to be inspected to transfer the pattern of the reticle to be inspected, and the pattern of the reticle to be inspected is transferred. Defect detecting means for detecting pattern defects in a plurality of patterns of the resist film formed by developing the resist film, and the pattern defects are detected and the number of detected pattern defects is within a predetermined number. Site specifying means for specifying the position of the reticle to be inspected corresponding to the position of the pattern defect in the pattern made of the resist film as a site where a pattern defect is likely to occur, and the pattern defect in the reticle to be inspected A reticle inspection device that is provided with inspection means for inspecting a part that is easy to perform. Apparatus.
ルを用いて露光条件を順次変化させつつ露光して前記被
検査用レチクルのパターンを転写し、前記被検査用レチ
クルのパターンが転写された前記レジスト膜を現像して
得た複数のレジストパターンを用いてエッチングするこ
とにより形成された前記レジスト膜の下側の下地膜より
なる複数のパターンにおけるパターン欠陥を検出する欠
陥検出手段と、 パターン欠陥が検出され且つ検出されたパターン欠陥の
数が所定数以内である前記下地膜よりなるパターンにお
けるパターン欠陥の位置と対応する前記被検査用レチク
ルの位置をパターン欠陥を発生させ易い部位であると特
定する部位特定手段と、 前記被検査用レチクルにおける前記パターン欠陥を発生
させ易い部位に対して良否の検査を行なう検査手段とを
備えていることを特徴とするレチクルの検査装置。8. A resist film on a substrate is exposed by sequentially changing exposure conditions using a reticle to be inspected to transfer the pattern of the reticle to be inspected, and the pattern of the reticle to be inspected is transferred. Defect detection means for detecting pattern defects in a plurality of patterns of the underlying film below the resist film formed by etching using a plurality of resist patterns obtained by developing the resist film, and a pattern A defect is detected, and the position of the reticle to be inspected corresponding to the position of the pattern defect in the pattern made of the underlying film in which the number of the detected pattern defects is within a predetermined number is a portion where a pattern defect is easily generated. Part identification means for specifying, and inspection of the quality of the part of the reticle to be inspected that is likely to cause the pattern defect Inspection device of the reticle, characterized in that it comprises a checking means for performing.
を用いて露光条件を順次変化させつつ露光して前記レチ
クルのパターンを転写した後、前記レチクルのパターン
が転写された第１のレジスト膜を現像することにより、
第１のレジスト膜よりなる複数のパターンを形成する第
１のパターン形成工程と、 前記第１のレジスト膜よりなる複数のパターンにおける
パターン欠陥を検出する欠陥検出工程と、 パターン欠陥が検出され且つ検出されたパターン欠陥の
数が所定数以内である前記第１のレジスト膜よりなるパ
ターンにおいて検出されたパターン欠陥の位置と対応す
る前記レチクルの位置をパターン欠陥を発生させ易い部
位であると特定する部位特定工程と、 基板上の第２のレジスト膜に対してパターン欠陥を発生
させ易い部位が特定された前記レチクルを用いて露光し
た後、露光された第２のレジスト膜を現像して第２のレ
ジスト膜よりなるパターンを形成する第２のパターン形
成工程と、 前記第２のレジスト膜よりなるパターンにおける前記レ
チクルのパターン欠陥を発生させ易い部位と対応する部
位に対して良否の検査を行なう検査工程とを備えている
ことを特徴とするパターンの検査方法。9. A first resist having a reticle pattern transferred onto a first resist film on a substrate by exposing the reticle while sequentially changing the exposure conditions to transfer the reticle pattern. By developing the film,
A first pattern forming step of forming a plurality of patterns of a first resist film; a defect detecting step of detecting pattern defects in the plurality of patterns of the first resist film; and a pattern defect being detected and detected. A portion that specifies the position of the reticle corresponding to the position of the pattern defect detected in the pattern made of the first resist film, in which the number of the generated pattern defects is within a predetermined number, as the portion that easily causes the pattern defect. After the exposure is performed using the reticle in which the specifying step and the portion where the pattern defects are likely to occur are specified with respect to the second resist film on the substrate, the exposed second resist film is developed and the second resist film is developed. A second pattern forming step of forming a pattern made of a resist film, and a step of forming the pattern of the reticle in the pattern made of the second resist film. A pattern inspecting method, comprising: an inspection step of inspecting a portion that is likely to generate a pattern defect and a portion corresponding to the defect.
ルを用いて露光条件を順次変化させつつ露光して前記レ
チクルのパターンを転写した後、前記レチクルのパター
ンが転写された第１のレジスト膜を現像することによ
り、第１のレジスト膜よりなる複数のパターンを形成す
る第１のパターン形成工程と、 前記第１のレジスト膜よりなる複数のパターンにおける
パターン欠陥を検出する欠陥検出工程と、 パターン欠陥が検出され且つ検出されたパターン欠陥の
数が所定数以内である前記第１のレジスト膜よりなるパ
ターンにおけるパターン欠陥の位置と対応する前記レチ
クルの位置をパターン欠陥を発生させ易い部位であると
特定する部位特定工程と、 基板上の第２のレジスト膜に対してパターン欠陥を発生
させ易い部位が特定された前記レチクルを用いて露光し
た後、露光された第２のレジスト膜を現像して第２のレ
ジスト膜よりなるパターンを形成する第２のパターン形
成工程と、 前記第２のレジスト膜よりなるパターンを用いて前記第
２のレジスト膜の下側に形成されている下地膜に対して
エッチングを行なうことにより、前記下地膜よりなるパ
ターンを形成するエッチング工程と、 前記下地膜よりなるパターンにおける前記レチクルのパ
ターン欠陥を発生させ易い部位と対応する部位に対して
良否の検査を行なう検査工程とを備えていることを特徴
とするパターンの検査方法。10. A first resist having a reticle pattern transferred onto a first resist film on a substrate by exposing the reticle pattern while sequentially changing exposure conditions, and then transferring the reticle pattern. A first pattern forming step of forming a plurality of patterns of a first resist film by developing the film; a defect detecting step of detecting pattern defects in the plurality of patterns of the first resist film; A pattern defect is detected, and the position of the reticle corresponding to the position of the pattern defect in the pattern made of the first resist film in which the number of detected pattern defects is within a predetermined number is a portion where the pattern defect is easily generated. And a portion specifying step where a pattern defect is likely to occur in the second resist film on the substrate is specified. A second pattern forming step of forming a pattern of the second resist film by developing the exposed second resist film after exposing using the reticle; and using the pattern of the second resist film. An etching step of forming a pattern made of the underlayer film by performing etching on the underlayer film formed under the second resist film, and a pattern of the reticle in the pattern made of the underlayer film. A method for inspecting a pattern, comprising: an inspection step of inspecting whether a defect-prone portion and a corresponding portion are inspected.
ルを用いて露光条件を順次変化させつつ露光して前記レ
チクルのパターンを転写した後、前記レチクルのパター
ンが転写された第１のレジスト膜を現像することによ
り、第１のレジスト膜よりなる複数のパターンを形成す
る第１のパターン形成工程と、 前記第１のレジスト膜よりなる複数のパターンを用いて
前記第１のレジスト膜の下側に形成されている下地膜に
対してエッチングを行なうことにより、前記下地膜より
なる複数のパターンを形成するエッチング工程と、 前記下地膜よりなる複数のパターンにおけるパターン欠
陥を検出する欠陥検出工程と、 パターン欠陥が検出され且つ検出されたパターン欠陥の
数が所定数以内である前記下地膜よりなるパターンにお
ける検出されたパターン欠陥の位置と対応する前記レチ
クルの位置をパターン欠陥を発生させ易い部位であると
特定する部位特定工程と、 基板上の第２のレジスト膜に対してパターン欠陥を発生
させ易い部位が特定された前記レチクルを用いて露光し
た後、露光された第２のレジスト膜を現像して第２のレ
ジスト膜よりなるパターンを形成する第２のパターン形
成工程と、 前記第２のレジスト膜よりなるパターンにおける前記レ
チクルのパターン欠陥を発生させ易い部位と対応する部
位に対して良否の検査を行なう検査工程とを備えている
ことを特徴とするパターンの検査方法。11. A first resist having a reticle pattern transferred onto a first resist film on a substrate by exposing the reticle while sequentially changing exposure conditions, and then transferring the reticle pattern. A first pattern forming step of forming a plurality of patterns of a first resist film by developing the film; and a step of forming a plurality of patterns of the first resist film under the first resist film. An etching step of forming a plurality of patterns of the underlying film by performing etching on the underlying film formed on the side, and a defect detection step of detecting pattern defects in the plurality of patterns of the underlying film. A pattern defect is detected and the number of detected pattern defects is within a predetermined number. A part specifying step for specifying the position of the reticle corresponding to the position of the turn defect as a part where pattern defects are likely to occur, and a part where pattern defects are likely to occur for the second resist film on the substrate are specified. And a second pattern forming step of developing the exposed second resist film to form a pattern of the second resist film after the exposure using the reticle, and a pattern of the second resist film. 2. A pattern inspection method, comprising: an inspection step of inspecting whether or not a portion of the reticle where pattern defects are likely to occur and a portion corresponding to the portion.
ルを用いて露光条件を順次変化させつつ露光して前記レ
チクルのパターンを転写した後、前記レチクルのパター
ンが転写された第１のレジスト膜を現像することによ
り、第１のレジスト膜よりなる複数のパターンを形成す
る第１のパターン形成工程と、 前記第１のレジスト膜よりなる複数のパターンを用いて
前記第１のレジスト膜の下側に形成されている第１の下
地膜に対してエッチングを行なうことにより、前記第１
の下地膜よりなる複数のパターンを形成する第１のエッ
チング工程と、 前記第１の下地膜よりなる複数のパターンにおいてパタ
ーン欠陥を検出する欠陥検出工程と、 パターン欠陥が検出され且つ検出されたパターン欠陥の
数が所定数以内である前記第１の下地膜よりなるパター
ンにおける検出されたパターン欠陥の位置と対応する前
記レチクルの位置をパターン欠陥を発生させ易い部位で
あると特定する部位特定工程と、 基板上の第２のレジスト膜に対してパターン欠陥を発生
させ易い部位が特定された前記レチクルを用いて露光し
た後、露光された第２のレジスト膜を現像して第２のレ
ジスト膜よりなるパターンを形成する第２のパターン形
成工程と、 前記第２のレジスト膜よりなるパターンを用いて前記第
２のレジスト膜の下側に形成されている第２の下地膜に
対してエッチングを行なうことにより、前記第２の下地
膜よりなるパターンを形成する第２のエッチング工程
と、 前記第２の下地膜よりなるパターンにおける前記レチク
ルのパターン欠陥を発生させ易い部位と対応する部位に
対して良否の検査を行なう検査工程とを備えていること
を特徴とするパターンの検査方法。12. A first resist on which a reticle pattern is transferred after exposing the first resist film on a substrate by sequentially changing the exposure conditions using a reticle to transfer the pattern of the reticle. A first pattern forming step of forming a plurality of patterns of a first resist film by developing the film; and a step of forming a plurality of patterns of the first resist film under the first resist film. By etching the first base film formed on the side,
A first etching step of forming a plurality of patterns of the underlying film, a defect detecting step of detecting pattern defects in the plurality of patterns of the first underlying film, and a pattern in which the pattern defects are detected and detected A part specifying step of specifying the position of the reticle corresponding to the position of the detected pattern defect in the pattern made of the first underlayer film in which the number of defects is within a predetermined number as a part where pattern defects are likely to occur; After exposing the second resist film on the substrate by using the reticle in which a portion where a pattern defect is likely to occur is specified, the exposed second resist film is developed to remove the second resist film from the second resist film. A second pattern forming step of forming a pattern consisting of the second resist film and a pattern consisting of the second resist film formed below the second resist film. A second etching step for forming a pattern made of the second underlayer film by etching the second underlayer film being formed, and the reticle pattern in the pattern made of the second underlayer film. A method for inspecting a pattern, comprising: an inspection step of inspecting whether a defect-prone portion and a corresponding portion are inspected.
露光条件は、露光時間、露光エネルギー及びフォーカス
のうちのいずれか１つであることを特徴とする請求項９
〜１２のいずれか１項に記載のパターンの検査方法。13. The exposure condition in the first pattern forming step is any one of an exposure time, an exposure energy and a focus.
Item 12. The pattern inspection method according to any one of items 1 to 12.
変化させつつ露光された第１のチップ上に形成されたパ
ターンと、パターン欠陥を発生させない露光条件で露光
された第２のチップ上に形成されたパターンとを比較す
ることにより、パターン欠陥を検出する工程を含むこと
を特徴とする請求項９〜１２のいずれか１項に記載のパ
ターンの検査方法。14. The defect detection step comprises: forming a pattern formed on a first chip that is exposed while sequentially changing an exposure condition, and a second chip exposed under an exposure condition that does not cause a pattern defect. The pattern inspection method according to claim 9, further comprising a step of detecting a pattern defect by comparing the formed pattern with the formed pattern.
の両側にそれぞれ形成されていることを特徴とする請求
項１４に記載のレチクルの検査方法。15. The reticle inspection method according to claim 14, wherein the second chips are formed on both sides of the first chip, respectively.
前記基板には、素子分離領域、トランジスタ素子及びト
ランジスタ素子用の電極のうちの少なくとも１つが既に
形成されていることを特徴とする請求項９〜１２のいず
れか１項に記載のパターンの検査方法。16. The device according to claim 9, wherein at least one of an element isolation region, a transistor element, and an electrode for a transistor element is already formed on the substrate in the first pattern forming step. 13. The pattern inspection method according to any one of 12.
ターンを有する検査用ウェハを作製する工程と、 半導体装置の製造プロセスにおいて形成されたウェハ上
のレジストパターンの画像情報と、前記検査用ウェハ上
のレジストパターンの画像情報とを比較することによ
り、前記ウェハ上のレジストパターンに対してパターン
欠陥の有無を検査する検査工程とを備えていることを特
徴とするパターンの検査方法。17. A process of producing an inspection wafer having a resist pattern having no pattern defects, image information of a resist pattern formed on a wafer in a semiconductor device manufacturing process, and a resist pattern formed on the inspection wafer. And a step of inspecting the resist pattern on the wafer for the presence or absence of a pattern defect.
いて露光条件を順次変化させつつ露光して前記レチクル
のパターンを転写し、前記レチクルのパターンが転写さ
れた前記レジスト膜を現像することにより形成された前
記レジスト膜よりなる複数のパターンに対してパターン
欠陥を検出する欠陥検出手段と、 パターン欠陥が検出され且つ検出されたパターン欠陥の
数が所定数以内である前記レジスト膜よりなるパターン
における検出されたパターン欠陥の位置と対応する前記
レチクルの位置をパターン欠陥を発生させ易い部位であ
ると特定する部位特定手段と、 パターン欠陥を発生させ易い部位が特定された前記レチ
クルを用いて形成されたレジスト膜又は該レジスト膜の
下側の下地膜よりなるパターンにおける前記レチクルの
パターン欠陥を発生させ易い部位と対応する部位に対し
て良否の検査を行なう検査手段とを備えていることを特
徴とするパターンの検査装置。18. A resist film on a substrate is exposed by sequentially changing exposure conditions using a reticle to transfer the pattern of the reticle, and the resist film to which the pattern of the reticle is transferred is developed. Defect detection means for detecting pattern defects in a plurality of patterns formed of the resist film, and a pattern formed of the resist film in which pattern defects are detected and the number of detected pattern defects is within a predetermined number The reticle is formed by using a part specifying unit that specifies the position of the reticle corresponding to the position of the detected pattern defect as a part where the pattern defect is likely to occur, and the reticle where the part where the pattern defect is likely to occur is specified. Pattern of the reticle in a pattern composed of a resist film or a base film below the resist film Inspection device pattern characterized by comprising an inspection means for inspecting the quality with respect to the corresponding site and easily site to generate Recessed.
いて露光条件を順次変化させつつ露光して前記レチクル
のパターンを転写し、前記レチクルのパターンが転写さ
れた前記レジスト膜を現像して得た複数のレジストパタ
ーンを用いてエッチングすることにより形成された前記
レジスト膜の下側の下地膜よりなる複数のパターンにお
けるパターン欠陥を検出する欠陥検出手段と、 パターン欠陥が検出され且つ検出されたパターン欠陥の
数が所定数以内である前記下地膜よりなるパターンにお
ける検出されたパターン欠陥の位置と対応する前記レチ
クルの位置をパターン欠陥を発生させ易い部位であると
特定する部位特定手段と、 パターン欠陥を発生させ易い部位が特定された前記レチ
クルを用いて形成されたレジスト膜又は該レジスト膜の
下側の下地膜よりなるパターンにおける前記レチクルの
パターン欠陥を発生させ易い部位と対応する部位に対し
て良否の検査を行なう検査手段とを備えていることを特
徴とするパターンの検査装置。19. A resist film on a substrate is exposed by sequentially changing exposure conditions using a reticle to transfer the pattern of the reticle, and the resist film to which the pattern of the reticle is transferred is developed and obtained. Defect detecting means for detecting pattern defects in a plurality of patterns of the underlying film below the resist film formed by etching using a plurality of resist patterns, and a pattern in which the pattern defects are detected and detected A part specifying means for specifying the position of the reticle corresponding to the position of the detected pattern defect in the pattern made of the underlying film having the number of defects within a predetermined number as a part where a pattern defect is likely to occur, and a pattern defect Of a resist film formed by using the reticle in which a portion that easily causes Inspection device pattern characterized by comprising an inspection means for inspecting the quality with respect to portions corresponding to those likely site generates a pattern defect of the reticle in the pattern consisting of the side of the base film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1902796A JPH09211840A (en) | 1996-02-05 | 1996-02-05 | Inspection method and inspection device for reticle as well as inspection method and inspection device for pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1902796A JPH09211840A (en) | 1996-02-05 | 1996-02-05 | Inspection method and inspection device for reticle as well as inspection method and inspection device for pattern |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09211840A true JPH09211840A (en) | 1997-08-15 |
Family
ID=11987989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1902796A Pending JPH09211840A (en) | 1996-02-05 | 1996-02-05 | Inspection method and inspection device for reticle as well as inspection method and inspection device for pattern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09211840A (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1996
- 1996-02-05 JP JP1902796A patent/JPH09211840A/en active Pending
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