JPH0920732A - アリールアルキル系４級アンモニウム化合物、及び当該アンモニウム化合物を含有する電気メッキ浴 - Google Patents
アリールアルキル系４級アンモニウム化合物、及び当該アンモニウム化合物を含有する電気メッキ浴Info
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- JPH0920732A JPH0920732A JP18835595A JP18835595A JPH0920732A JP H0920732 A JPH0920732 A JP H0920732A JP 18835595 A JP18835595 A JP 18835595A JP 18835595 A JP18835595 A JP 18835595A JP H0920732 A JPH0920732 A JP H0920732A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 新規の４級アンモニウム化合物を使用して、
電着皮膜の光沢性、均一電着性、並びにハンダ付け性を
改善する。 【構成】 下記の(Ｉ)式の化合物を一例とする新規のア
リールアルキル系４級アンモニウム化合物を新規に合成
し、当該化合物をメッキ浴に含有して電気メッキを施
す。 【化１】 これにより、メッキ皮膜の均一電着性及びハンダ付け性
が向上し、公知の４級アンモニウム化合物を使用した場
合に比べて、光沢性もさらに改善される。
電着皮膜の光沢性、均一電着性、並びにハンダ付け性を
改善する。 【構成】 下記の(Ｉ)式の化合物を一例とする新規のア
リールアルキル系４級アンモニウム化合物を新規に合成
し、当該化合物をメッキ浴に含有して電気メッキを施
す。 【化１】 これにより、メッキ皮膜の均一電着性及びハンダ付け性
が向上し、公知の４級アンモニウム化合物を使用した場
合に比べて、光沢性もさらに改善される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は新規のアリールアルキル
系４級アンモニウム化合物、並びにこの化合物を含有す
る電気メッキ浴に関し、光沢性を向上するとともに、ハ
ンダ付け性や均一電着性に優れた各種金属類、或はこれ
らの合金類のメッキ皮膜が得られる電気メッキ浴を提供
する。
系４級アンモニウム化合物、並びにこの化合物を含有す
る電気メッキ浴に関し、光沢性を向上するとともに、ハ
ンダ付け性や均一電着性に優れた各種金属類、或はこれ
らの合金類のメッキ皮膜が得られる電気メッキ浴を提供
する。
【０００２】
【従来の技術】本出願人は、他の出願人と共同で、特開
昭５９―１８２９８６号公報で、スズ、鉛、或はスズ−
鉛合金(即ち、ハンダ)メッキ浴にノニオン系界面活性剤
や平滑剤を加えて、密着性又は平滑性などを改善する発
明を開示したが、この発明では、同時に、第４級アルキ
ルアンモニウム塩、ピリジニウム塩、ベタイン型などの
カチオン系界面活性剤を浴に補助添加すると、高電流部
でのヤケ及びデンドライト(樹脂状物)の生長を抑制でき
ることも併記した(同公報第３頁左上欄〜右上欄参照)。
昭５９―１８２９８６号公報で、スズ、鉛、或はスズ−
鉛合金(即ち、ハンダ)メッキ浴にノニオン系界面活性剤
や平滑剤を加えて、密着性又は平滑性などを改善する発
明を開示したが、この発明では、同時に、第４級アルキ
ルアンモニウム塩、ピリジニウム塩、ベタイン型などの
カチオン系界面活性剤を浴に補助添加すると、高電流部
でのヤケ及びデンドライト(樹脂状物)の生長を抑制でき
ることも併記した(同公報第３頁左上欄〜右上欄参照)。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、カ
チオン系界面活性剤の添加により、ヤケなどを防止して
光沢性(即ち、鏡面状の光沢や曇りガラス状の半光沢)の
良いスズ、鉛、或はハンダのメッキ皮膜が得られる。そ
こで、本発明は上記金属、或は合金以外の電気メッキに
も適用範囲を拡大して、各種金属などの電着皮膜の光沢
性をさらに改善するとともに、併せて、上記従来技術で
特段には言及しなかったハンダ付け性や均一電着性の点
でも、これらの性能の向上を図ることを技術的課題とす
る。
チオン系界面活性剤の添加により、ヤケなどを防止して
光沢性(即ち、鏡面状の光沢や曇りガラス状の半光沢)の
良いスズ、鉛、或はハンダのメッキ皮膜が得られる。そ
こで、本発明は上記金属、或は合金以外の電気メッキに
も適用範囲を拡大して、各種金属などの電着皮膜の光沢
性をさらに改善するとともに、併せて、上記従来技術で
特段には言及しなかったハンダ付け性や均一電着性の点
でも、これらの性能の向上を図ることを技術的課題とす
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記従来技術では、カチ
オン系界面活性剤の具体例として、ベンジルジメチルド
デシルアンモニウム塩、ベンジルジメチルヘキサデシル
アンモニウム塩、ベンジルトリメチルアンモニウム塩な
どのベンジルトリアルキル化合物が挙げられるが、本発
明者らは、このベンジルアンモニウム化合物のうちのあ
る種のものがメッキ皮膜の展延性に影響を及ぼすという
現象を見出したのを出発点として、文献未記載である一
連のアリールアルキル系の第４級アンモニウム化合物を
新規に合成して、これらのアンモニウム化合物のメッキ
皮膜への作用を鋭意研究した。
オン系界面活性剤の具体例として、ベンジルジメチルド
デシルアンモニウム塩、ベンジルジメチルヘキサデシル
アンモニウム塩、ベンジルトリメチルアンモニウム塩な
どのベンジルトリアルキル化合物が挙げられるが、本発
明者らは、このベンジルアンモニウム化合物のうちのあ
る種のものがメッキ皮膜の展延性に影響を及ぼすという
現象を見出したのを出発点として、文献未記載である一
連のアリールアルキル系の第４級アンモニウム化合物を
新規に合成して、これらのアンモニウム化合物のメッキ
皮膜への作用を鋭意研究した。
【０００５】その結果、上記特定のアリールアルキル系
の４級アンモニウム化合物をメッキ浴に添加して電気メ
ッキを施すと、前記従来技術の公知のベンジルアンモニ
ウム化合物を使用した場合に比べて、メッキ皮膜の光沢
性がさらに改善されるとともに、ハンダ付け性や均一電
着性の点でも優れた作用を奏することを見出し、本発明
を完成した。
の４級アンモニウム化合物をメッキ浴に添加して電気メ
ッキを施すと、前記従来技術の公知のベンジルアンモニ
ウム化合物を使用した場合に比べて、メッキ皮膜の光沢
性がさらに改善されるとともに、ハンダ付け性や均一電
着性の点でも優れた作用を奏することを見出し、本発明
を完成した。
【０００６】即ち、本発明１は、次の一般式(Ｉ)
【０００７】
【化１２】
【０００８】(式(Ｉ)中、Ｒ1はＣ1〜20アルキルであ
る；Ｒ2はＣ1〜5アルキルである；Ｒ3はＣ1〜5アルキ
ル、又は下記の(1)〜(10)式に示すアリールアルキル型
置換基のいずれかである；
る；Ｒ2はＣ1〜5アルキルである；Ｒ3はＣ1〜5アルキ
ル、又は下記の(1)〜(10)式に示すアリールアルキル型
置換基のいずれかである；
【０００９】
【化１３】
【００１０】
【化１４】
【００１１】
【化１５】
【００１２】
【化１６】
【００１３】
【化１７】
【００１４】
【化１８】
【００１５】
【化１９】
【００１６】
【化２０】
【００１７】
【化２１】
【００１８】
【化２２】
【００１９】Ｒ4は上記(1)〜(10)式に示すアリールアル
キル型置換基のいずれかである；Ｘはハロゲン、ヒドロ
キシル、Ｃ1〜5アルカンスルホネート、パークロレイ
ト、サルフェート、ホスフェート、アセテート、テトラ
フルオロボレート、ベンゼンスルホネート、ｐ−トルエ
ンスルホネートである；ＹはＣ1〜5アルキル、ハロゲ
ン、Ｃ1〜5アルコキシ、Ｃ1〜5アルキルチオ、ＮＯ2、
ＣＮ、(Ｃ=Ｏ)Ｃ1〜3アルキル、Ｓ-Ｏ-Ｃ1〜3アルキ
ル、ＳＯ2-Ｃ1〜3アルキルであるが、但し、Ｒ4のＹが
メチル又はハロゲンの場合、Ｒ3は前記アリールアルキ
ル型置換基であり、また、Ｒ3とＲ4がともに上記(1)式
のアリールメチル置換基である場合に限り、ベンゼン環
に結合するＹはともに水素であっても良い；Ｚは水素、
Ｃ1〜5アルキル、ハロゲン、Ｃ1〜5アルコキシ、Ｃ1〜5
アルキルチオ、ＮＯ2、ＣＮ、(Ｃ=Ｏ)Ｃ1〜3アルキル、
Ｓ-Ｏ-Ｃ1〜3アルキル、ＳＯ2-Ｃ1〜3アルキルである；
ｍは１〜３の整数である；ｎは２〜５の整数である。)で
表されるアリールアルキル系４級アンモニウム化合物で
ある。
キル型置換基のいずれかである；Ｘはハロゲン、ヒドロ
キシル、Ｃ1〜5アルカンスルホネート、パークロレイ
ト、サルフェート、ホスフェート、アセテート、テトラ
フルオロボレート、ベンゼンスルホネート、ｐ−トルエ
ンスルホネートである；ＹはＣ1〜5アルキル、ハロゲ
ン、Ｃ1〜5アルコキシ、Ｃ1〜5アルキルチオ、ＮＯ2、
ＣＮ、(Ｃ=Ｏ)Ｃ1〜3アルキル、Ｓ-Ｏ-Ｃ1〜3アルキ
ル、ＳＯ2-Ｃ1〜3アルキルであるが、但し、Ｒ4のＹが
メチル又はハロゲンの場合、Ｒ3は前記アリールアルキ
ル型置換基であり、また、Ｒ3とＲ4がともに上記(1)式
のアリールメチル置換基である場合に限り、ベンゼン環
に結合するＹはともに水素であっても良い；Ｚは水素、
Ｃ1〜5アルキル、ハロゲン、Ｃ1〜5アルコキシ、Ｃ1〜5
アルキルチオ、ＮＯ2、ＣＮ、(Ｃ=Ｏ)Ｃ1〜3アルキル、
Ｓ-Ｏ-Ｃ1〜3アルキル、ＳＯ2-Ｃ1〜3アルキルである；
ｍは１〜３の整数である；ｎは２〜５の整数である。)で
表されるアリールアルキル系４級アンモニウム化合物で
ある。
【００２０】本発明２は、上記本発明１のアリールアル
キル系４級アンモニウム化合物を含有することを特徴と
する電気メッキ浴である。
キル系４級アンモニウム化合物を含有することを特徴と
する電気メッキ浴である。
【００２１】本発明３は、上記本発明２において、ノニ
オン系界面活性剤を添加することを特徴とするものであ
る。
オン系界面活性剤を添加することを特徴とするものであ
る。
【００２２】上記アリールアルキル系４級アンモニウム
化合物において、アリールアルキル基は、置換基を有す
る(又は有さない)アリールメチル、ジアリールメチル、
或は、アリールエチル、アリールプロピルなどであり、
当該アリールは、ベンゼン環、ナフタレン環、フラン
環、チオフェン環、ベンゾチアゾール環、イソオキサゾ
ール環、ピリジン環、ベンゾイル基などである。アリー
ルアルキル基がベンジルの場合、環に結合する置換基Ｙ
はＣ2〜5アルキル、Ｃ1〜5アルコキシ、Ｃ1〜5アルキル
チオなどが好ましい。アリールがフェニルエチル、ナフ
タレン環、フラン環、チオフェン環、ベンゾチアゾール
環、イソオキサゾール環、ピリジン環の場合、環に結合
する置換基Ｚは、ゼロである(即ち、ＺはＨである)か、
ハロゲン、Ｃ1〜5アルキル、Ｃ1〜5アルコキシ、Ｃ1〜5
アルキルチオなどが好ましい。
化合物において、アリールアルキル基は、置換基を有す
る(又は有さない)アリールメチル、ジアリールメチル、
或は、アリールエチル、アリールプロピルなどであり、
当該アリールは、ベンゼン環、ナフタレン環、フラン
環、チオフェン環、ベンゾチアゾール環、イソオキサゾ
ール環、ピリジン環、ベンゾイル基などである。アリー
ルアルキル基がベンジルの場合、環に結合する置換基Ｙ
はＣ2〜5アルキル、Ｃ1〜5アルコキシ、Ｃ1〜5アルキル
チオなどが好ましい。アリールがフェニルエチル、ナフ
タレン環、フラン環、チオフェン環、ベンゾチアゾール
環、イソオキサゾール環、ピリジン環の場合、環に結合
する置換基Ｚは、ゼロである(即ち、ＺはＨである)か、
ハロゲン、Ｃ1〜5アルキル、Ｃ1〜5アルコキシ、Ｃ1〜5
アルキルチオなどが好ましい。
【００２３】従って、上記アリールアルキル系４級アン
モニウム化合物を上位概念的に表現すると、例えば、ト
リアルキルと一つのアリールアルキルを有する４級アン
モニウム塩や、ジアルキルと二つのアリールアルキルを
有する４級アンモニウム塩などであり、中でも、置換ベ
ンジル・トリアルキル、置換ナフチルメチル・トリアルキ
ル、置換フルフリル・トリアルキル、置換テニル・トリア
ルキルなどのアンモニウム塩が好ましい。
モニウム化合物を上位概念的に表現すると、例えば、ト
リアルキルと一つのアリールアルキルを有する４級アン
モニウム塩や、ジアルキルと二つのアリールアルキルを
有する４級アンモニウム塩などであり、中でも、置換ベ
ンジル・トリアルキル、置換ナフチルメチル・トリアルキ
ル、置換フルフリル・トリアルキル、置換テニル・トリア
ルキルなどのアンモニウム塩が好ましい。
【００２４】但し、Ｒ4のＹがメチル又はハロゲンの場
合、Ｒ3はＣ1〜5アルキル以外の前記アリールアルキル
型置換基であることを要し、逆言すると、Ｒ4のＹがメ
チル又はハロゲン以外の場合には、Ｒ3はＣ1〜5アルキ
ルであっても良いし、これ以外のアリールアルキル型置
換基であっても差し支えない。即ち、Ｒ3にＣ1〜5アル
キルを選択し、且つ、Ｒ4に置換ベンジルを選択した場
合にだけＹは制限を受け、この場合には、Ｒ4のベンゼ
ン環の置換基Ｙはメチルやハロゲンが排除されるのであ
る。また、Ｒ3とＲ4がともにベンジルメチル置換基の場
合に限り、ベンゼン環に結合するＹはともに水素であっ
ても良い。従って、本発明１の化合物には、２個の無置
換のベンジル基と２個のアルキル基を有する(ジベンジ
ル)ジアルキルアンモニウム塩が含まれる。
合、Ｒ3はＣ1〜5アルキル以外の前記アリールアルキル
型置換基であることを要し、逆言すると、Ｒ4のＹがメ
チル又はハロゲン以外の場合には、Ｒ3はＣ1〜5アルキ
ルであっても良いし、これ以外のアリールアルキル型置
換基であっても差し支えない。即ち、Ｒ3にＣ1〜5アル
キルを選択し、且つ、Ｒ4に置換ベンジルを選択した場
合にだけＹは制限を受け、この場合には、Ｒ4のベンゼ
ン環の置換基Ｙはメチルやハロゲンが排除されるのであ
る。また、Ｒ3とＲ4がともにベンジルメチル置換基の場
合に限り、ベンゼン環に結合するＹはともに水素であっ
ても良い。従って、本発明１の化合物には、２個の無置
換のベンジル基と２個のアルキル基を有する(ジベンジ
ル)ジアルキルアンモニウム塩が含まれる。
【００２５】そこで、上記アリールアルキル系４級アン
モニウム化合物の好ましい具体例を挙げると、下記の通
りである。 (1)(ｐ−ニトロベンジル)ジメチルオクタデシルアンモ
ニウム塩 (2)(４−メチルナフチルメチル)ジメチルドデシルアン
モニウム塩 (3)(ｐ−メトキシベンジル)ジメチルドデシルアンモニ
ウム塩 (4)(２,４−ジメトキシベンジル)ジメチルドデシルアン
モニウム塩 (5)(ジベンジル)ドデシルメチルアンモニウム塩 (6)(ｐ−エトキシベンジル)ジエチルヘキサデシルアン
モニウム塩 (7)(フルフリル)ジメチルドデシルアンモニウム塩 (8)(２−テニル)ジメチルヘキサデシルアンモニウム塩 (9)(ｐ−フルオロフェネチル)ジメチルテトラデシルア
ンモニウム塩 (10)(２,４−ジエチルベンジル)ジメチルオクタデシル
アンモニウム塩 (11)(ｐ−メチルチオベンジル)ジメチルテトラデシルア
ンモニウム塩 (12)(ｐ−メチルチオベンジル)ジエチルヘキサデシルア
ンモニウム塩 (13)(２,４−ジメトキシベンジル)ジメチルオクタデシ
ルアンモニウム塩 (14)(２,４−ジメチルベンジル)ジメチルテトラデシル
アンモニウム塩 (15)(ｐ−イソプロポキシベンジル)ジメチルテトラデシ
ルアンモニウム塩 (16)(ｐ−イソプロポキシベンジル)ジエチルヘキサデシ
ルアンモニウム塩 (17)(２,４−ジイソプロポキシベンジル)ジメチルドデ
シルアンモニウム塩 (18)(４−フルオロフルフリル)ジメチルドデシルアンモ
ニウム塩 (19)(４−メチルフルフリル)ジメチルヘキサデシルアン
モニウム塩 (20)(４−メトキシフルフリル)ジメチルオクタデシルア
ンモニウム塩 (21)(４−メトキシテニル)ジエチルテトラデシルアンモ
ニウム塩など
モニウム化合物の好ましい具体例を挙げると、下記の通
りである。 (1)(ｐ−ニトロベンジル)ジメチルオクタデシルアンモ
ニウム塩 (2)(４−メチルナフチルメチル)ジメチルドデシルアン
モニウム塩 (3)(ｐ−メトキシベンジル)ジメチルドデシルアンモニ
ウム塩 (4)(２,４−ジメトキシベンジル)ジメチルドデシルアン
モニウム塩 (5)(ジベンジル)ドデシルメチルアンモニウム塩 (6)(ｐ−エトキシベンジル)ジエチルヘキサデシルアン
モニウム塩 (7)(フルフリル)ジメチルドデシルアンモニウム塩 (8)(２−テニル)ジメチルヘキサデシルアンモニウム塩 (9)(ｐ−フルオロフェネチル)ジメチルテトラデシルア
ンモニウム塩 (10)(２,４−ジエチルベンジル)ジメチルオクタデシル
アンモニウム塩 (11)(ｐ−メチルチオベンジル)ジメチルテトラデシルア
ンモニウム塩 (12)(ｐ−メチルチオベンジル)ジエチルヘキサデシルア
ンモニウム塩 (13)(２,４−ジメトキシベンジル)ジメチルオクタデシ
ルアンモニウム塩 (14)(２,４−ジメチルベンジル)ジメチルテトラデシル
アンモニウム塩 (15)(ｐ−イソプロポキシベンジル)ジメチルテトラデシ
ルアンモニウム塩 (16)(ｐ−イソプロポキシベンジル)ジエチルヘキサデシ
ルアンモニウム塩 (17)(２,４−ジイソプロポキシベンジル)ジメチルドデ
シルアンモニウム塩 (18)(４−フルオロフルフリル)ジメチルドデシルアンモ
ニウム塩 (19)(４−メチルフルフリル)ジメチルヘキサデシルアン
モニウム塩 (20)(４−メトキシフルフリル)ジメチルオクタデシルア
ンモニウム塩 (21)(４−メトキシテニル)ジエチルテトラデシルアンモ
ニウム塩など
【００２６】また、上記アンモニウム化合物のアニオン
部分Ｘは、ハロゲン、ヒドロキシ、メタンスルホネート
などが好ましい。
部分Ｘは、ハロゲン、ヒドロキシ、メタンスルホネート
などが好ましい。
【００２７】上記アンモニウム化合物の合成では、例え
ば、先ず、次式(Ａ)で示すように、フェニルリチウムの
存在下にエーテル中でジアルキルアミンとハロゲン化ア
ルキルを還流により反応させて、トリアルキルアンモニ
ウム塩を生成させる。 Ｒ1Ｒ2-Ｎ-Ｈ＋Ｒ3Ｘ→(Ｒ1Ｒ2-Ｎ-Ｒ3Ｈ)+Ｘ- …(Ａ) （Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3はアルキル基、Ｘはハロゲンである。） 又は、次式(Ｂ)で示すように、アルキルアミンにギ酸と
ホルムアルデヒドを反応させる。 Ｒ1−ＮＨ2＋２ＣＨ2Ｏ＋２ＨＣＯＯＨ→Ｒ1-Ｎ-(ＣＨ3)2 …(Ｂ) (Ｒ1はアルキル基である。) 次いで、上記(Ａ)又は(Ｂ)のアンモニウム塩にアルカリ
を作用させて第三アミン(Ｒ1Ｒ2-Ｎ-Ｒ3)を分離し、こ
れに例えばハロゲン化アリールアルキルをアルカルの存
在下、若しくは非存在下に反応させて、トリアルキル・
アリールアルキル４級アンモニウム化合物を生成する
(次式(Ｃ)参照)。 Ｒ1Ｒ2-Ｎ-Ｒ3＋Ａｒ-Ｒ-Ｘ→(Ｒ1Ｒ2Ｒ3-Ｎ-Ｒ-Ａｒ)+Ｘ- …(Ｃ) （Ａｒ-Ｒ-はアリールアルキル基である。）
ば、先ず、次式(Ａ)で示すように、フェニルリチウムの
存在下にエーテル中でジアルキルアミンとハロゲン化ア
ルキルを還流により反応させて、トリアルキルアンモニ
ウム塩を生成させる。 Ｒ1Ｒ2-Ｎ-Ｈ＋Ｒ3Ｘ→(Ｒ1Ｒ2-Ｎ-Ｒ3Ｈ)+Ｘ- …(Ａ) （Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3はアルキル基、Ｘはハロゲンである。） 又は、次式(Ｂ)で示すように、アルキルアミンにギ酸と
ホルムアルデヒドを反応させる。 Ｒ1−ＮＨ2＋２ＣＨ2Ｏ＋２ＨＣＯＯＨ→Ｒ1-Ｎ-(ＣＨ3)2 …(Ｂ) (Ｒ1はアルキル基である。) 次いで、上記(Ａ)又は(Ｂ)のアンモニウム塩にアルカリ
を作用させて第三アミン(Ｒ1Ｒ2-Ｎ-Ｒ3)を分離し、こ
れに例えばハロゲン化アリールアルキルをアルカルの存
在下、若しくは非存在下に反応させて、トリアルキル・
アリールアルキル４級アンモニウム化合物を生成する
(次式(Ｃ)参照)。 Ｒ1Ｒ2-Ｎ-Ｒ3＋Ａｒ-Ｒ-Ｘ→(Ｒ1Ｒ2Ｒ3-Ｎ-Ｒ-Ａｒ)+Ｘ- …(Ｃ) （Ａｒ-Ｒ-はアリールアルキル基である。）
【００２８】この場合、一般に、ジオキサンなどの溶剤
の存在下で、温度７０〜１００℃、時間３〜２０時間程
度の条件で反応を行う。
の存在下で、温度７０〜１００℃、時間３〜２０時間程
度の条件で反応を行う。
【００２９】上記アリールアルキル系アンモニウム化合
物は単用又は併用でき、その添加量は、メッキ浴全体に
対して、一般に０.０１〜１０ｇ／ｌ、好ましくは０.１
〜３ｇ／ｌである。
物は単用又は併用でき、その添加量は、メッキ浴全体に
対して、一般に０.０１〜１０ｇ／ｌ、好ましくは０.１
〜３ｇ／ｌである。
【００３０】上記本発明２の電気メッキ浴は、スズ、
鉛、亜鉛、銅、カドミウム、ニッケル等の金属、若しく
は、スズ−鉛、スズ−ビスマス、スズ−亜鉛、ニッケル
−スズ等の合金など、電気メッキ可能な金属類の広義の
メッキ浴を意味する。そして、当該電気メッキ浴には、
主に、硫酸浴、ホウ酸浴、ホウフッ化浴、ケイフッ化
浴、塩化物浴、有機スルホン酸浴、或はスルファミン酸
浴などが用いられるが、この外にも、通常の電気メッキ
浴に使用される媒体系であれば限定を受けずに使用でき
る。
鉛、亜鉛、銅、カドミウム、ニッケル等の金属、若しく
は、スズ−鉛、スズ−ビスマス、スズ−亜鉛、ニッケル
−スズ等の合金など、電気メッキ可能な金属類の広義の
メッキ浴を意味する。そして、当該電気メッキ浴には、
主に、硫酸浴、ホウ酸浴、ホウフッ化浴、ケイフッ化
浴、塩化物浴、有機スルホン酸浴、或はスルファミン酸
浴などが用いられるが、この外にも、通常の電気メッキ
浴に使用される媒体系であれば限定を受けずに使用でき
る。
【００３１】また、例えば、ハンダメッキ浴では、有機
スルホン酸、即ち、アルカンスルホン酸、アルカノール
スルホン酸又は芳香族スルホン酸に、スズと鉛の供給源
を加えたものを基本組成とするメッキ浴が好ましい。こ
の場合、上記有機スルホン酸は単用又は併用でき、その
添加量は、一般に３０〜４００ｇ／ｌ、好ましくは７０
〜１５０ｇ／ｌである。
スルホン酸、即ち、アルカンスルホン酸、アルカノール
スルホン酸又は芳香族スルホン酸に、スズと鉛の供給源
を加えたものを基本組成とするメッキ浴が好ましい。こ
の場合、上記有機スルホン酸は単用又は併用でき、その
添加量は、一般に３０〜４００ｇ／ｌ、好ましくは７０
〜１５０ｇ／ｌである。
【００３２】上記アルカンスルホン酸は、次の一般式を
有し、 Ｒ―ＳＯ3Ｈ (式中、Ｒ＝Ｃ1〜5のアルキル基) 具体的には、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プ
ロパンスルホン酸、２―プロパンスルホン酸、ブタンス
ルホン酸、２―ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸
などである。
有し、 Ｒ―ＳＯ3Ｈ (式中、Ｒ＝Ｃ1〜5のアルキル基) 具体的には、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、プ
ロパンスルホン酸、２―プロパンスルホン酸、ブタンス
ルホン酸、２―ブタンスルホン酸、ペンタンスルホン酸
などである。
【００３３】上記アルカノールスルホン酸は、次の一般
式を有し、 ＨＯ―Ｒ―ＳＯ3Ｈ (式中、Ｒ＝Ｃ1〜5のアルキル基、但し、ＯＨ基はアル
キル基の任意の位置にあって良い。) 具体的には、イセチオン酸(２―ヒドロキシエタン―１
―スルホン酸)、２―ヒドロキシプロパン―１―スルホ
ン酸、１―ヒドロキシプロパン―２―スルホン酸、３―
ヒドロキシプロパン―１―スルホン酸、２―ヒドロキシ
ブタン―１―スルホン酸、４―ヒドロキシブタン―１―
スルホン酸、２―ヒドロキシペンタン―１―スルホン酸
などである。
式を有し、 ＨＯ―Ｒ―ＳＯ3Ｈ (式中、Ｒ＝Ｃ1〜5のアルキル基、但し、ＯＨ基はアル
キル基の任意の位置にあって良い。) 具体的には、イセチオン酸(２―ヒドロキシエタン―１
―スルホン酸)、２―ヒドロキシプロパン―１―スルホ
ン酸、１―ヒドロキシプロパン―２―スルホン酸、３―
ヒドロキシプロパン―１―スルホン酸、２―ヒドロキシ
ブタン―１―スルホン酸、４―ヒドロキシブタン―１―
スルホン酸、２―ヒドロキシペンタン―１―スルホン酸
などである。
【００３４】また、上記芳香族スルホン酸は、基本的に
はフェノールスルホン酸やクレゾールスルホン酸などで
ある。
はフェノールスルホン酸やクレゾールスルホン酸などで
ある。
【００３５】一方、本発明２の電気メッキ浴では、当該
浴の分散性を高め、平滑なメッキを得るために、ノニオ
ン系、アニオン系、両性などの種々の界面活性剤を添加
することができる。特に、本発明３のノニオン系界面活
性剤は、メッキ外観を向上させるとともに、つき回り性
を改善する点で効果がある。
浴の分散性を高め、平滑なメッキを得るために、ノニオ
ン系、アニオン系、両性などの種々の界面活性剤を添加
することができる。特に、本発明３のノニオン系界面活
性剤は、メッキ外観を向上させるとともに、つき回り性
を改善する点で効果がある。
【００３６】本発明で有効に使用できる上記ノニオン系
界面活性剤は、(イ)ポリアルキレングリコール、(ロ)高
級アルコール、フェノール、ルキルフェノール、ナフト
ール、アルキルナフトール、ビスフェノール類、スチレ
ン化フェノール、脂肪酸、脂肪族アミン、アルキレンジ
アミン、脂肪族アミド、スルホンアミド、りん酸、多価
アルコール、グリコシド等のポリアルキレン付加物など
が挙げられる。
界面活性剤は、(イ)ポリアルキレングリコール、(ロ)高
級アルコール、フェノール、ルキルフェノール、ナフト
ール、アルキルナフトール、ビスフェノール類、スチレ
ン化フェノール、脂肪酸、脂肪族アミン、アルキレンジ
アミン、脂肪族アミド、スルホンアミド、りん酸、多価
アルコール、グリコシド等のポリアルキレン付加物など
が挙げられる。
【００３７】一方、前記アニオン系界面活性剤として
は、アルキル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエー
テル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエー
テル硫酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩などが挙げ
られる。
は、アルキル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルエー
テル硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエー
テル硫酸塩、アルキルベンゼンスルホン酸塩などが挙げ
られる。
【００３８】上記両性界面活性剤としては、例えば、イ
ミダゾリン、ベタイン、スルホベタイン、アミノカルボ
ン酸などが挙げられる。
ミダゾリン、ベタイン、スルホベタイン、アミノカルボ
ン酸などが挙げられる。
【００３９】上記ノニオン系界面活性剤の添加量は、一
般に０.１〜５０ｇ／ｌ、好ましくは０.１〜２０ｇ／ｌ
である。また、適宜併用されるアニオン系界面活性剤及
び両性界面活性剤の添加量は、一般に０.０１〜２０ｇ
／ｌ、好ましくは０.１〜５ｇ／ｌである。
般に０.１〜５０ｇ／ｌ、好ましくは０.１〜２０ｇ／ｌ
である。また、適宜併用されるアニオン系界面活性剤及
び両性界面活性剤の添加量は、一般に０.０１〜２０ｇ
／ｌ、好ましくは０.１〜５ｇ／ｌである。
【００４０】他方、本発明２の電気メッキ浴には、必要
に応じて、平滑剤、光沢助剤、半光沢助剤、応力減少
剤、湿潤剤、或は、酸化防止剤などの種々の添加剤を加
えても差し支えない。例えば、スズやハンダなどのメッ
キ浴では、スズが２価から４価に酸化するのを防止する
ために上記酸化防止剤が添加され、具体的には、ハイド
ロキノン、レゾルシン、カテコール、フロログルシン、
ピロガロール、α又はβ―ナフトール、フェノールスル
ホン酸、クレゾールスルホン酸などが使用される。
に応じて、平滑剤、光沢助剤、半光沢助剤、応力減少
剤、湿潤剤、或は、酸化防止剤などの種々の添加剤を加
えても差し支えない。例えば、スズやハンダなどのメッ
キ浴では、スズが２価から４価に酸化するのを防止する
ために上記酸化防止剤が添加され、具体的には、ハイド
ロキノン、レゾルシン、カテコール、フロログルシン、
ピロガロール、α又はβ―ナフトール、フェノールスル
ホン酸、クレゾールスルホン酸などが使用される。
【００４１】上記酸化防止剤の添加量は、一般に０.０
５〜５ｇ／ｌ、好ましくは０.２〜２ｇ／ｌである。
５〜５ｇ／ｌ、好ましくは０.２〜２ｇ／ｌである。
【００４２】また、本発明のメッキ浴での上記各成分の
濃度は、バレルメッキ、ラックメッキ、高速連続メッ
キ、スルホールメッキ等に対応して任意に選択できる。
適用温度範囲は常温で良く、高速度メッキでは５０〜６
０℃程度に昇温する。
濃度は、バレルメッキ、ラックメッキ、高速連続メッ
キ、スルホールメッキ等に対応して任意に選択できる。
適用温度範囲は常温で良く、高速度メッキでは５０〜６
０℃程度に昇温する。
【００４３】
(1)本発明１では、電気メッキ浴の添加剤として使用す
ることで、メッキ皮膜を改善できるなどの効果を備えた
新規のアリールアルキル系の４級アンモニウム化合物を
提供できる。
ることで、メッキ皮膜を改善できるなどの効果を備えた
新規のアリールアルキル系の４級アンモニウム化合物を
提供できる。
【００４４】(2)後述の試験結果に示すように、上記(1)
のアリールアルキル系４級アンモニウム化合物を含有す
る本発明２のメッキ浴を使用して電気メッキを行うと、
無添加の場合に比べてハンダ付け性(即ち、ハンダ濡れ
性)に優れたメッキ皮膜が得られる。また、本発明２の
メッキ浴から得られる電着皮膜では、種々の電流密度下
でもメッキ膜厚のバラつきが少なく、一次電流分布比に
対する実際のメッキの析出比の関係を示すメッキ皮膜の
均一電着性を向上できる。
のアリールアルキル系４級アンモニウム化合物を含有す
る本発明２のメッキ浴を使用して電気メッキを行うと、
無添加の場合に比べてハンダ付け性(即ち、ハンダ濡れ
性)に優れたメッキ皮膜が得られる。また、本発明２の
メッキ浴から得られる電着皮膜では、種々の電流密度下
でもメッキ膜厚のバラつきが少なく、一次電流分布比に
対する実際のメッキの析出比の関係を示すメッキ皮膜の
均一電着性を向上できる。
【００４５】(3)後述の試験結果に示すように、電気メ
ッキ浴に本発明１の４級アンモニウム化合物を添加する
と、適正な電流範囲において、冒述の従来技術に示され
た公知の４級アンモニウム化合物を使用した場合に比べ
て、焼けやコゲがない状態でメッキ皮膜の光沢性をさら
に改善して、鏡面状の光沢、或は曇りガラス状の半光沢
の緻密なメッキ面が得られ、メッキ外観を向上できる。
ッキ浴に本発明１の４級アンモニウム化合物を添加する
と、適正な電流範囲において、冒述の従来技術に示され
た公知の４級アンモニウム化合物を使用した場合に比べ
て、焼けやコゲがない状態でメッキ皮膜の光沢性をさら
に改善して、鏡面状の光沢、或は曇りガラス状の半光沢
の緻密なメッキ面が得られ、メッキ外観を向上できる。
【００４６】(4)上記４級アンモニウム化合物の外に、
ノニオン系界面活性剤を併用添加すると、メッキ皮膜の
付き回り性、メッキ外観、密着性、及び平滑性などがさ
らに向上する。
ノニオン系界面活性剤を併用添加すると、メッキ皮膜の
付き回り性、メッキ外観、密着性、及び平滑性などがさ
らに向上する。
【００４７】
【実施例】以下、本発明のアンモニウム化合物の製造実
施例を順次述べるととともに、製造した各種化合物を含
有させてメッキ浴を調製し、電気メッキで得られた皮膜
の光沢性、均一電着性、並びにハンダ付け性の各種の試
験結果を併記する。尚、本発明は下記の実施例に拘束さ
れるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で多く
の変形をなし得ることは勿論である。
施例を順次述べるととともに、製造した各種化合物を含
有させてメッキ浴を調製し、電気メッキで得られた皮膜
の光沢性、均一電着性、並びにハンダ付け性の各種の試
験結果を併記する。尚、本発明は下記の実施例に拘束さ
れるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で多く
の変形をなし得ることは勿論である。
【００４８】《製造実施例１》下記の手順で(ｐ−ニト
ロベンジル)ジメチルオクタデシルアンモニウムクロラ
イドを生成した。即ち、ジメチルオクタデシルアミン１
０ｇをジオキサン３０ｍｌに溶解し、次いで、炭酸水素
ナトリウム０.１ｇを加えた。この溶液をスターラーで
撹拌しながら８０℃に加熱するとともに、ｐ−ニトロベ
ンジルクロライド５.７７ｇをジオキサン１５ｍｌに溶
解した液を２０分かけて前記加熱溶液に滴下した。滴下
終了後、撹拌しながら９０〜９５℃、１０時間の条件下
で上記両化合物を反応させた。反応終了後、溶媒を留去
し、ヘキサンを用いて得られた粉末を濾過し、固化粉砕
した(即ち、トリチュレートした)。次いで、固形物を濾
過して上記アンモニウム化合物１４.６ｇを得た。
ロベンジル)ジメチルオクタデシルアンモニウムクロラ
イドを生成した。即ち、ジメチルオクタデシルアミン１
０ｇをジオキサン３０ｍｌに溶解し、次いで、炭酸水素
ナトリウム０.１ｇを加えた。この溶液をスターラーで
撹拌しながら８０℃に加熱するとともに、ｐ−ニトロベ
ンジルクロライド５.７７ｇをジオキサン１５ｍｌに溶
解した液を２０分かけて前記加熱溶液に滴下した。滴下
終了後、撹拌しながら９０〜９５℃、１０時間の条件下
で上記両化合物を反応させた。反応終了後、溶媒を留去
し、ヘキサンを用いて得られた粉末を濾過し、固化粉砕
した(即ち、トリチュレートした)。次いで、固形物を濾
過して上記アンモニウム化合物１４.６ｇを得た。
【００４９】当該アンモニウム化合物の各種機器分析に
よる同定結果は次の通りであった。 (1)元素分析値：Ｃ27Ｈ49Ｎ2Ｏ2Ｃｌとして 計算値(％)：Ｃ ６９.１５；Ｈ １０.４６；Ｎ ５.９８ 実測値(％)：Ｃ ６８.７１；Ｈ １０.１２；Ｎ ５.７４ (2)ＩＲ：２９２０ｃｍ-1(-ＣＨ2-)；１５２０、１４６
０ｃｍ-1(-ＮＯ2)
よる同定結果は次の通りであった。 (1)元素分析値：Ｃ27Ｈ49Ｎ2Ｏ2Ｃｌとして 計算値(％)：Ｃ ６９.１５；Ｈ １０.４６；Ｎ ５.９８ 実測値(％)：Ｃ ６８.７１；Ｈ １０.１２；Ｎ ５.７４ (2)ＩＲ：２９２０ｃｍ-1(-ＣＨ2-)；１５２０、１４６
０ｃｍ-1(-ＮＯ2)
【００５０】《製造実施例２》下記の手順で(４−メチ
ルナフチルメチル)ジメチルドデシルアンモニウムブロ
マイドを生成した。即ち、ジメチルドデシルアミン８ｇ
をジオキサン３０ｍｌに溶解し、次いで、炭酸水素ナト
リウム０.１ｇを加えた。この溶液をスターラーで撹拌
しながら８０℃に加熱するとともに、４−メチルナフチ
ルメチルブロマイド８.８２ｇをジオキサン３０ｍｌに
溶解した液を３０分かけて前記加熱溶液に滴下した。滴
下終了後、撹拌しながら９０〜９５℃、８時間の条件下
で上記両化合物を反応させた。反応終了後、溶媒を留去
し、ヘキサンでトリチュレートした。次いで、固形物を
濾過して上記アンモニウム化合物１５.５１ｇを得た。
ルナフチルメチル)ジメチルドデシルアンモニウムブロ
マイドを生成した。即ち、ジメチルドデシルアミン８ｇ
をジオキサン３０ｍｌに溶解し、次いで、炭酸水素ナト
リウム０.１ｇを加えた。この溶液をスターラーで撹拌
しながら８０℃に加熱するとともに、４−メチルナフチ
ルメチルブロマイド８.８２ｇをジオキサン３０ｍｌに
溶解した液を３０分かけて前記加熱溶液に滴下した。滴
下終了後、撹拌しながら９０〜９５℃、８時間の条件下
で上記両化合物を反応させた。反応終了後、溶媒を留去
し、ヘキサンでトリチュレートした。次いで、固形物を
濾過して上記アンモニウム化合物１５.５１ｇを得た。
【００５１】当該アンモニウム化合物の各種機器分析に
よる同定結果は次の通りであった。 (1)元素分析値：Ｃ26Ｈ42ＮＢｒとして 計算値(％)：Ｃ ６９.６４；Ｈ ９.３８；Ｎ ３.１３ 実測値(％)：Ｃ ６８.７４；Ｈ ８.５８；Ｎ ２.７６ (2)ＩＲ：８２０、７５０ｃｍ-1(ナフチレン(1,4-)基)
よる同定結果は次の通りであった。 (1)元素分析値：Ｃ26Ｈ42ＮＢｒとして 計算値(％)：Ｃ ６９.６４；Ｈ ９.３８；Ｎ ３.１３ 実測値(％)：Ｃ ６８.７４；Ｈ ８.５８；Ｎ ２.７６ (2)ＩＲ：８２０、７５０ｃｍ-1(ナフチレン(1,4-)基)
【００５２】《製造実施例３》(ｐ−メトキシベンジル)
ジメチルドデシルアンモニウムメタンスルホネートの製
造例を示す。即ち、ジメチルドデシルアミン１０ｇ、及
びメタンスルホン酸ｐ−メトキシベンジル１０.１ｇ
を、前記製造実施例１と同様の処理条件下で反応させ
て、上記アンモニウム化合物１８.５３ｇを得た。
ジメチルドデシルアンモニウムメタンスルホネートの製
造例を示す。即ち、ジメチルドデシルアミン１０ｇ、及
びメタンスルホン酸ｐ−メトキシベンジル１０.１ｇ
を、前記製造実施例１と同様の処理条件下で反応させ
て、上記アンモニウム化合物１８.５３ｇを得た。
【００５３】当該アンモニウム化合物の各種機器分析に
よる同定結果は次の通りであった。 (1)元素分析値：Ｃ23Ｈ43ＮＯ4Ｓとして 計算値(％)：Ｃ ６４.３４；Ｈ １０.０２；Ｎ ３.２６ 実測値(％)：Ｃ ６５.８５；Ｈ １０.３５；Ｎ ３.８１ (2)ＩＲ：１２４０、１０３０ｃｍ-1(-ＯＣＨ3)
よる同定結果は次の通りであった。 (1)元素分析値：Ｃ23Ｈ43ＮＯ4Ｓとして 計算値(％)：Ｃ ６４.３４；Ｈ １０.０２；Ｎ ３.２６ 実測値(％)：Ｃ ６５.８５；Ｈ １０.３５；Ｎ ３.８１ (2)ＩＲ：１２４０、１０３０ｃｍ-1(-ＯＣＨ3)
【００５４】《製造実施例４》(２,４−ジメトキシベン
ジル)ジメチルドデシルアンモニウムメタンスルホネー
トの製造例を示す。即ち、ジメチルドデシルアミン８
ｇ、及びメタンスルホン酸２,４−ジメトキシベンジル
９.２４ｇを、前記製造実施例１と同様の処理条件下で
反応させて、上記アンモニウム化合物１５.７４ｇを得
た。
ジル)ジメチルドデシルアンモニウムメタンスルホネー
トの製造例を示す。即ち、ジメチルドデシルアミン８
ｇ、及びメタンスルホン酸２,４−ジメトキシベンジル
９.２４ｇを、前記製造実施例１と同様の処理条件下で
反応させて、上記アンモニウム化合物１５.７４ｇを得
た。
【００５５】当該アンモニウム化合物の各種機器分析に
よる同定結果は次の通りであった。 (1)元素分析値：Ｃ24Ｈ45ＮＯ5Ｓとして 計算値(％)：Ｃ ６２.７５；Ｈ ９.８０；Ｎ ３.０５ 実測値(％)：Ｃ ６３.８１；Ｈ １０.３５；Ｎ ３.６４ (2)ＩＲ：１２５０、１０３５ｃｍ-1(-ＯＣＨ3)
よる同定結果は次の通りであった。 (1)元素分析値：Ｃ24Ｈ45ＮＯ5Ｓとして 計算値(％)：Ｃ ６２.７５；Ｈ ９.８０；Ｎ ３.０５ 実測値(％)：Ｃ ６３.８１；Ｈ １０.３５；Ｎ ３.６４ (2)ＩＲ：１２５０、１０３５ｃｍ-1(-ＯＣＨ3)
【００５６】《製造実施例５》(ジベンジル)ドデシルメ
チルアンモニウムブロマイドの製造例を示す。即ち、ド
デシルメチルアミン５ｇ、及びベンジルブロマイド８.
６ｇを用いることにより、前記製造実施例１と同様の処
理条件下で反応させて、上記アンモニウム化合物１０.
５４ｇを得た。
チルアンモニウムブロマイドの製造例を示す。即ち、ド
デシルメチルアミン５ｇ、及びベンジルブロマイド８.
６ｇを用いることにより、前記製造実施例１と同様の処
理条件下で反応させて、上記アンモニウム化合物１０.
５４ｇを得た。
【００５７】当該アンモニウム化合物の元素分析による
同定結果は次の通りであった。 元素分析値：Ｃ27Ｈ42ＮＢｒとして 計算値(％)：Ｃ ７０.４３；Ｈ ９.１３；Ｎ ３.０４ 実測値(％)：Ｃ ７１.１５；Ｈ ９.６８；Ｎ ３.５７
同定結果は次の通りであった。 元素分析値：Ｃ27Ｈ42ＮＢｒとして 計算値(％)：Ｃ ７０.４３；Ｈ ９.１３；Ｎ ３.０４ 実測値(％)：Ｃ ７１.１５；Ｈ ９.６８；Ｎ ３.５７
【００５８】《製造実施例６》(ｐ−エトキシベンジル)
ジエチルヘキサデシルアンモニウムベンゼンスルホネー
トの製造例を示す。即ち、ジエチルヘキサデシルアミン
８ｇ、及びベンゼンスルホン酸ｐ−エトキシベンジル
７.８ｇを、前記製造実施例１と同様の処理条件下で反
応させて、上記アンモニウム化合物１４.４７ｇを得
た。
ジエチルヘキサデシルアンモニウムベンゼンスルホネー
トの製造例を示す。即ち、ジエチルヘキサデシルアミン
８ｇ、及びベンゼンスルホン酸ｐ−エトキシベンジル
７.８ｇを、前記製造実施例１と同様の処理条件下で反
応させて、上記アンモニウム化合物１４.４７ｇを得
た。
【００５９】当該アンモニウム化合物の各種機器分析に
よる同定結果は次の通りであった。 (1)元素分析値：Ｃ35Ｈ59ＮＯ4Ｓとして 計算値(％)：Ｃ ７１.３１；Ｈ １０.０２；Ｎ ２.３８ 実測値(％)：Ｃ ７０.７３；Ｈ ９.７９；Ｎ ２.１８ (2)ＩＲ：１２４０、１０３０ｃｍ-1(-ＯＣ2Ｈ5)
よる同定結果は次の通りであった。 (1)元素分析値：Ｃ35Ｈ59ＮＯ4Ｓとして 計算値(％)：Ｃ ７１.３１；Ｈ １０.０２；Ｎ ２.３８ 実測値(％)：Ｃ ７０.７３；Ｈ ９.７９；Ｎ ２.１８ (2)ＩＲ：１２４０、１０３０ｃｍ-1(-ＯＣ2Ｈ5)
【００６０】《製造実施例７》(フルフリル)ジメチルド
デシルアンモニウムブロマイドの製造例を示す。即ち、
ジメチルドデシルアミン１０ｇ、及びフルフリルブロマ
イド７.５ｇを、前記製造実施例１と同様の処理条件下
で反応させて、上記アンモニウム化合物１６.０３ｇを
得た。
デシルアンモニウムブロマイドの製造例を示す。即ち、
ジメチルドデシルアミン１０ｇ、及びフルフリルブロマ
イド７.５ｇを、前記製造実施例１と同様の処理条件下
で反応させて、上記アンモニウム化合物１６.０３ｇを
得た。
【００６１】当該アンモニウム化合物の元素分析による
同定結果は次の通りであった。 元素分析値：Ｃ19Ｈ36ＮＯＢｒとして 計算値(％)：Ｃ ６０.９６；Ｈ ９.６３；Ｎ ３.７４ 実測値(％)：Ｃ ６０.０８；Ｈ ９.１７；Ｎ ３.３９
同定結果は次の通りであった。 元素分析値：Ｃ19Ｈ36ＮＯＢｒとして 計算値(％)：Ｃ ６０.９６；Ｈ ９.６３；Ｎ ３.７４ 実測値(％)：Ｃ ６０.０８；Ｈ ９.１７；Ｎ ３.３９
【００６２】《製造実施例８》(２−テニル)ジメチルヘ
キサデシルアンモニウムブロマイドの製造例を示す。即
ち、ジメチルヘキサデシルアミン７ｇ、及び２−テニル
ブロマイド４.６ｇを、前記製造実施例１と同様の処理
条件下で反応させて、上記アンモニウム化合物１０.４
８ｇを得た。
キサデシルアンモニウムブロマイドの製造例を示す。即
ち、ジメチルヘキサデシルアミン７ｇ、及び２−テニル
ブロマイド４.６ｇを、前記製造実施例１と同様の処理
条件下で反応させて、上記アンモニウム化合物１０.４
８ｇを得た。
【００６３】当該アンモニウム化合物の元素分析による
同定結果は次の通りであった。 元素分析値：Ｃ23Ｈ44ＮＳＢｒとして 計算値(％)：Ｃ ６１.８８；Ｈ ９.８７；Ｎ ３.１
４；Ｓ ７.１７ 実測値(％)：Ｃ ６２.７３；Ｈ １０.２７；Ｎ ３.５
７；Ｓ ７.３４
同定結果は次の通りであった。 元素分析値：Ｃ23Ｈ44ＮＳＢｒとして 計算値(％)：Ｃ ６１.８８；Ｈ ９.８７；Ｎ ３.１
４；Ｓ ７.１７ 実測値(％)：Ｃ ６２.７３；Ｈ １０.２７；Ｎ ３.５
７；Ｓ ７.３４
【００６４】《製造実施例９》(ｐ−フルオロフェネチ
ル)ジメチルテトラデシルアンモニウムｐ−トシレート
の製造例を示す。即ち、ジメチルテトラデシルアミン１
０ｇ、及びｐ−トルエンスルホン酸ｐ−フルオロフェネ
チル１２.１ｇを、前記製造実施例１と同様の処理条件
下で反応させて、上記アンモニウム化合物２０.３１ｇ
を得た。
ル)ジメチルテトラデシルアンモニウムｐ−トシレート
の製造例を示す。即ち、ジメチルテトラデシルアミン１
０ｇ、及びｐ−トルエンスルホン酸ｐ−フルオロフェネ
チル１２.１ｇを、前記製造実施例１と同様の処理条件
下で反応させて、上記アンモニウム化合物２０.３１ｇ
を得た。
【００６５】当該アンモニウム化合物の元素分析による
同定結果は次の通りであった。 元素分析値：Ｃ31Ｈ50ＮＯ3ＳＦとして 計算値(％)：Ｃ ６９.５３；Ｈ ９.３５；Ｎ ２.６２ 実測値(％)：Ｃ ６８.９７；Ｈ ９.１３；Ｎ ２.４７
同定結果は次の通りであった。 元素分析値：Ｃ31Ｈ50ＮＯ3ＳＦとして 計算値(％)：Ｃ ６９.５３；Ｈ ９.３５；Ｎ ２.６２ 実測値(％)：Ｃ ６８.９７；Ｈ ９.１３；Ｎ ２.４７
【００６６】《製造実施例１０》(２,４−ジエチルベン
ジル)ジメチルオクタデシルアンモニウムクロライドの
製造例を示す。即ち、ジメチルオクタデシルアミン７
ｇ、及び２,４−ジエチルベンジルクロライド４.３ｇ
を、前記製造実施例１と同様の処理条件下で反応させ
て、上記アンモニウム化合物１０.２８ｇを得た。
ジル)ジメチルオクタデシルアンモニウムクロライドの
製造例を示す。即ち、ジメチルオクタデシルアミン７
ｇ、及び２,４−ジエチルベンジルクロライド４.３ｇ
を、前記製造実施例１と同様の処理条件下で反応させ
て、上記アンモニウム化合物１０.２８ｇを得た。
【００６７】当該アンモニウム化合物の元素分析による
同定結果は次の通りであった。 元素分析値：Ｃ31Ｈ58ＮＣｌとして 計算値(％)：Ｃ ７７.５８；Ｈ １２.１０；Ｎ ２.９２ 実測値(％)：Ｃ ７８.１２；Ｈ １２.５９；Ｎ ３.１８
同定結果は次の通りであった。 元素分析値：Ｃ31Ｈ58ＮＣｌとして 計算値(％)：Ｃ ７７.５８；Ｈ １２.１０；Ｎ ２.９２ 実測値(％)：Ｃ ７８.１２；Ｈ １２.５９；Ｎ ３.１８
【００６８】以下、上記製造実施例の各アンモニウム化
合物を用いてメッキ浴を建浴し、電気メッキを施して、
得られたメッキ皮膜について各種の試験を行った。
合物を用いてメッキ浴を建浴し、電気メッキを施して、
得られたメッキ皮膜について各種の試験を行った。
【００６９】《試験例１》前記製造実施例３で調製した
アンモニウム化合物を用いて、下記の組成でスズ―鉛合
金メッキ浴を建浴した。 ヒドロキシエタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ２４ｇ／ｌ ヒドロキシエタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ６ｇ／ｌ ヒドロキシエタンスルホン酸 １００ｇ／ｌ (ｐ−メトキシベンジル)ジメチルドデシルアンモニウム −メタンスルホネート ０.５ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート(ＰＯＥ１５モル) ４ｇ／ｌ ハイドロキノン ０.３ｇ／ｌ イオン交換水 残部
アンモニウム化合物を用いて、下記の組成でスズ―鉛合
金メッキ浴を建浴した。 ヒドロキシエタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ２４ｇ／ｌ ヒドロキシエタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ６ｇ／ｌ ヒドロキシエタンスルホン酸 １００ｇ／ｌ (ｐ−メトキシベンジル)ジメチルドデシルアンモニウム −メタンスルホネート ０.５ｇ／ｌ ノニルフェノールポリエトキシレート(ＰＯＥ１５モル) ４ｇ／ｌ ハイドロキノン ０.３ｇ／ｌ イオン交換水 残部
【００７０】次いで、上記メッキ浴をスターラーで撹拌
しながら、白金被覆チタンを陽極とし、銅板を陰極とし
て、浴温２５℃で、電流密度、メッキ時間を種々に変化
させながら、ラック方式により電気メッキを行い、得ら
れた銅板上の電着皮膜について、光沢性を観察するとと
もに、均一電着性、並びにハンダ付け性（ハンダ濡れ
性）の測定試験を行った。
しながら、白金被覆チタンを陽極とし、銅板を陰極とし
て、浴温２５℃で、電流密度、メッキ時間を種々に変化
させながら、ラック方式により電気メッキを行い、得ら
れた銅板上の電着皮膜について、光沢性を観察するとと
もに、均一電着性、並びにハンダ付け性（ハンダ濡れ
性）の測定試験を行った。
【００７１】一方、上記アンモニウム化合物を省略し、
他の条件(添加物の種類及び添加量)を当該試験例１と同
様に設定したものを比較例１Ａとした。また、上記(ｐ
−メトキシベンジル)ジメチルドデシルアンモニウム化
合物に替えて、冒述の従来技術に示された公知のアンモ
ニウム化合物の一例であるベンジルジメチルドデシルア
ンモニウム化合物を０.５ｇ／ｌ添加し、他の条件を当
該試験例１と同様に設定したものを比較例１Ｂとした。
他の条件(添加物の種類及び添加量)を当該試験例１と同
様に設定したものを比較例１Ａとした。また、上記(ｐ
−メトキシベンジル)ジメチルドデシルアンモニウム化
合物に替えて、冒述の従来技術に示された公知のアンモ
ニウム化合物の一例であるベンジルジメチルドデシルア
ンモニウム化合物を０.５ｇ／ｌ添加し、他の条件を当
該試験例１と同様に設定したものを比較例１Ｂとした。
【００７２】但し、上記の各種試験は次の方式により実
施した。 （１）メッキ皮膜の光沢性 良好な光沢性を付与できる電流密度範囲を実測して、目
視により光沢性の良否の判断とした。
施した。 （１）メッキ皮膜の光沢性 良好な光沢性を付与できる電流密度範囲を実測して、目
視により光沢性の良否の判断とした。
【００７３】（２）均一電着性 ハーリングセル方法により、メッキ皮膜の試料板上での
２Ａ／ｄｍ2の膜厚と、７Ａ／ｄｍ2の膜厚との実測値か
ら、Haring−Blumの式、又はFieldの式に基づいて、両
電流密度下での比率を算出し、下記の区分評価を行っ
た。 ６０％以上 ：○ ６０〜４０％：△ ４０％以下 ：×
２Ａ／ｄｍ2の膜厚と、７Ａ／ｄｍ2の膜厚との実測値か
ら、Haring−Blumの式、又はFieldの式に基づいて、両
電流密度下での比率を算出し、下記の区分評価を行っ
た。 ６０％以上 ：○ ６０〜４０％：△ ４０％以下 ：×
【００７４】（３）ハンダ付け性 ２５mm×２５mmの圧延銅板の試料片に５Ａ／ｄｍ２でメ
ッキを施した後、フラックス(ロジン２５％含有のイソ
プロパノール溶液)中に５秒間浸漬し、次いで、２５０
℃に保持した溶融ハンダ(Sn/Pb=60/40の共晶ハンダ)に
５秒間浸漬し、イソプロパノールで洗浄した後にその表
面を観察し、ハンダの濡れ具合により下記の区分評価を
行った。 １００％濡れている ：○ ９８％以上濡れている ：△ 濡れが９８％未満である：×
ッキを施した後、フラックス(ロジン２５％含有のイソ
プロパノール溶液)中に５秒間浸漬し、次いで、２５０
℃に保持した溶融ハンダ(Sn/Pb=60/40の共晶ハンダ)に
５秒間浸漬し、イソプロパノールで洗浄した後にその表
面を観察し、ハンダの濡れ具合により下記の区分評価を
行った。 １００％濡れている ：○ ９８％以上濡れている ：△ 濡れが９８％未満である：×
【００７５】《試験例２》前記製造実施例４で調製した
アンモニウム化合物を用いて、下記の組成でスズメッキ
浴を建浴した。 ２−ヒドロキシプロパンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ２０ｇ／ｌ ２−ヒドロキシプロパンスルホン酸 １００ｇ／ｌ (２,４−ジメトキシベンジル)ジメチルドデシルアンモニウム −メタンスルホネート ０.８ｇ／ｌ β−ナフトールポリエトキシレート(ＰＯＥ１３モル) ４ｇ／ｌ カテコール ０.５ｇ／ｌ イオン交換水 残部
アンモニウム化合物を用いて、下記の組成でスズメッキ
浴を建浴した。 ２−ヒドロキシプロパンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ２０ｇ／ｌ ２−ヒドロキシプロパンスルホン酸 １００ｇ／ｌ (２,４−ジメトキシベンジル)ジメチルドデシルアンモニウム −メタンスルホネート ０.８ｇ／ｌ β−ナフトールポリエトキシレート(ＰＯＥ１３モル) ４ｇ／ｌ カテコール ０.５ｇ／ｌ イオン交換水 残部
【００７６】次いで、上記試験例１と同様の条件で電気
メッキを施し、得られたメッキ皮膜について同様の条件
で試験を行った。
メッキを施し、得られたメッキ皮膜について同様の条件
で試験を行った。
【００７７】また、上記アンモニウム化合物を省略し、
他の条件を当該試験例２と同様に設定したものを比較例
２とした。
他の条件を当該試験例２と同様に設定したものを比較例
２とした。
【００７８】《試験例３》前記製造実施例２で調製した
アンモニウム化合物を用いて、下記の組成でスズ―鉛合
金メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ５４ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ６ｇ／ｌ メタンスルホン酸 １５０ｇ／ｌ (４−メチルナフチルメチル)ジメチルドデシルアンモニウム −ブロマイド ０.６ｇ／ｌ オレイルアミンポリエトキシレート(ＰＯＥ１５モル) ５ｇ／ｌ ハイドロキノン ０.５ｇ／ｌ イオン交換水 残部
アンモニウム化合物を用いて、下記の組成でスズ―鉛合
金メッキ浴を建浴した。 メタンスルホン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ５４ｇ／ｌ メタンスルホン酸鉛(Ｐｂ2+として) ６ｇ／ｌ メタンスルホン酸 １５０ｇ／ｌ (４−メチルナフチルメチル)ジメチルドデシルアンモニウム −ブロマイド ０.６ｇ／ｌ オレイルアミンポリエトキシレート(ＰＯＥ１５モル) ５ｇ／ｌ ハイドロキノン ０.５ｇ／ｌ イオン交換水 残部
【００７９】次いで、浴温３０℃に設定し、その外の条
件を上記試験例１と同様にして電気メッキを施し、得ら
れたメッキ皮膜について同様の条件で試験を行った。
件を上記試験例１と同様にして電気メッキを施し、得ら
れたメッキ皮膜について同様の条件で試験を行った。
【００８０】また、上記アンモニウム化合物を省略し、
他の条件を当該試験例３と同様に設定したものを比較例
３とした。
他の条件を当該試験例３と同様に設定したものを比較例
３とした。
【００８１】《試験例４》前記製造実施例５で調製した
アンモニウム化合物を用いて、下記の組成でスズ―鉛合
金メッキ浴を建浴した。 スルファミン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ２８ｇ／ｌ スルファミン酸鉛(Ｐｂ2+として) １２ｇ／ｌ スルファミン酸 １３０ｇ／ｌ (ジベンジル)ドデシルメチルアンモニウムブロマイド ０.４ｇ／ｌ ビスフェノールＡポリエトキシレート(ＰＯＥ１３モル) ６ｇ／ｌ レゾルシン ０.５ｇ／ｌ イオン交換水 残部
アンモニウム化合物を用いて、下記の組成でスズ―鉛合
金メッキ浴を建浴した。 スルファミン酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ２８ｇ／ｌ スルファミン酸鉛(Ｐｂ2+として) １２ｇ／ｌ スルファミン酸 １３０ｇ／ｌ (ジベンジル)ドデシルメチルアンモニウムブロマイド ０.４ｇ／ｌ ビスフェノールＡポリエトキシレート(ＰＯＥ１３モル) ６ｇ／ｌ レゾルシン ０.５ｇ／ｌ イオン交換水 残部
【００８２】次いで、上記試験例１と同様の条件で電気
メッキを施し、得られたメッキ皮膜について同様の条件
で試験を行った。
メッキを施し、得られたメッキ皮膜について同様の条件
で試験を行った。
【００８３】また、上記アンモニウム化合物を省略し、
他の条件を当該試験例４と同様に設定したものを比較例
４とした。
他の条件を当該試験例４と同様に設定したものを比較例
４とした。
【００８４】《試験例５》前記製造実施例８で調製した
アンモニウム化合物を用いて、下記の組成でスズメッキ
浴を建浴した。 硫酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４０ｇ／ｌ 硫酸(比重１.８４) １５０ｇ／ｌ (２−テニル)ジメチルヘキサデシルアンモニウムクロライド ０.５ｇ／ｌ ２,４−ジブチルフェノール −ポリエトキシレート(ＰＯＥ１５モル) ８ｇ／ｌ ベンジリデンアセトン ０.１５ｇ／ｌ ハイドロキノン ０.５ｇ／ｌ イオン交換水 残部
アンモニウム化合物を用いて、下記の組成でスズメッキ
浴を建浴した。 硫酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ４０ｇ／ｌ 硫酸(比重１.８４) １５０ｇ／ｌ (２−テニル)ジメチルヘキサデシルアンモニウムクロライド ０.５ｇ／ｌ ２,４−ジブチルフェノール −ポリエトキシレート(ＰＯＥ１５モル) ８ｇ／ｌ ベンジリデンアセトン ０.１５ｇ／ｌ ハイドロキノン ０.５ｇ／ｌ イオン交換水 残部
【００８５】次いで、浴温を２０℃に設定し、その外の
条件を上記試験例１と同様にして電気メッキを施し、得
られたメッキ皮膜について同様の条件で試験を行った。
条件を上記試験例１と同様にして電気メッキを施し、得
られたメッキ皮膜について同様の条件で試験を行った。
【００８６】また、上記アンモニウム化合物を省略し、
他の条件を当該試験例５と同様に設定したものを比較例
５Ａとした。さらに、上記(２−テニル)ジメチルヘキサ
デシルアンモニウム化合物に替えて、冒述の従来技術に
示された公知のアンモニウム化合物の一例であるベンジ
ルジメチルヘキサデシルアンモニウム化合物を０.５ｇ
／ｌ添加し、他の条件を当該試験例１と同様に設定した
ものを比較例５Ｂとした。
他の条件を当該試験例５と同様に設定したものを比較例
５Ａとした。さらに、上記(２−テニル)ジメチルヘキサ
デシルアンモニウム化合物に替えて、冒述の従来技術に
示された公知のアンモニウム化合物の一例であるベンジ
ルジメチルヘキサデシルアンモニウム化合物を０.５ｇ
／ｌ添加し、他の条件を当該試験例１と同様に設定した
ものを比較例５Ｂとした。
【００８７】《試験例６》前記製造実施例６で調製した
アンモニウム化合物を用いて、下記の組成でスズ―鉛合
金メッキ浴を建浴した。 ホウフッ化第一スズ(Ｓｎ2+として) ２４ｇ／ｌ ホウフッ化鉛(Ｐｂ2+として) ６ｇ／ｌ ホウフッ化水素酸 １５０ｇ／ｌ (ｐ−エトキシベンジル)ジエチルヘキサデシルアンモニウム −ベンゼンスルホネート ０.５ｇ／ｌ ポリオキシエチレン(ＰＯＥ１２モル) −ソルビタンモノパルミテート ８ｇ／ｌ １−ナフトアルデヒド ０.１ｇ／ｌ レゾルシン ０.８ｇ／ｌ イオン交換水 残部
アンモニウム化合物を用いて、下記の組成でスズ―鉛合
金メッキ浴を建浴した。 ホウフッ化第一スズ(Ｓｎ2+として) ２４ｇ／ｌ ホウフッ化鉛(Ｐｂ2+として) ６ｇ／ｌ ホウフッ化水素酸 １５０ｇ／ｌ (ｐ−エトキシベンジル)ジエチルヘキサデシルアンモニウム −ベンゼンスルホネート ０.５ｇ／ｌ ポリオキシエチレン(ＰＯＥ１２モル) −ソルビタンモノパルミテート ８ｇ／ｌ １−ナフトアルデヒド ０.１ｇ／ｌ レゾルシン ０.８ｇ／ｌ イオン交換水 残部
【００８８】次いで、上記試験例１と同様の条件で電気
メッキを施し、得られたメッキ皮膜について同様の条件
で試験を行った。
メッキを施し、得られたメッキ皮膜について同様の条件
で試験を行った。
【００８９】また、上記アンモニウム化合物を省略し、
他の条件を当該試験例６と同様に設定したものを比較例
６とした。
他の条件を当該試験例６と同様に設定したものを比較例
６とした。
【００９０】《試験例７》前記製造実施例１で調製した
アンモニウム化合物を用いて、下記の組成で亜鉛メッキ
浴を建浴した。 塩化亜鉛 ６０ｇ／ｌ 塩化カリウム ２４０ｇ／ｌ ホウ酸 ５０ｇ／ｌ (ｐ−ニトロベンジル)ジメチルオクタデシルアンモニウム −クロライド ０.８ｇ／ｌ ジスチレン化フェノールポリエトキシレート(ＰＯＥ２３モル) ７ｇ／ｌ ４−メトキシベンジリデンアセトン ０.１ｇ／ｌ イオン交換水 残部
アンモニウム化合物を用いて、下記の組成で亜鉛メッキ
浴を建浴した。 塩化亜鉛 ６０ｇ／ｌ 塩化カリウム ２４０ｇ／ｌ ホウ酸 ５０ｇ／ｌ (ｐ−ニトロベンジル)ジメチルオクタデシルアンモニウム −クロライド ０.８ｇ／ｌ ジスチレン化フェノールポリエトキシレート(ＰＯＥ２３モル) ７ｇ／ｌ ４−メトキシベンジリデンアセトン ０.１ｇ／ｌ イオン交換水 残部
【００９１】次いで、上記試験例１と同様の条件で電気
メッキを施し、得られたメッキ皮膜について同様の条件
で試験を行った。
メッキを施し、得られたメッキ皮膜について同様の条件
で試験を行った。
【００９２】また、上記アンモニウム化合物を省略し、
他の条件を当該試験例７と同様に設定したものを比較例
７とした。
他の条件を当該試験例７と同様に設定したものを比較例
７とした。
【００９３】《試験例８》前記製造実施例７で調製した
アンモニウム化合物を用いて、下記の組成でニッケル−
スズ合金メッキ浴を建浴した。 塩化ニッケル ５０ｇ／ｌ 硫酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ３ｇ／ｌ 塩化アンモニウム １５ｇ／ｌ ホウ酸 １５ｇ／ｌ クエン酸ナトリウム ８０ｇ／ｌ (フルフリル)ジメチルドデシルアンモニウムブロマイド ０.８ｇ／ｌ ラウリルアルコールポリエトキシレート(ＰＯＥ１２モル) −ポリプロポキシレート(ＰＯＰ３モル) ８ｇ／ｌ イオン交換水 残部
アンモニウム化合物を用いて、下記の組成でニッケル−
スズ合金メッキ浴を建浴した。 塩化ニッケル ５０ｇ／ｌ 硫酸第一スズ(Ｓｎ2+として) ３ｇ／ｌ 塩化アンモニウム １５ｇ／ｌ ホウ酸 １５ｇ／ｌ クエン酸ナトリウム ８０ｇ／ｌ (フルフリル)ジメチルドデシルアンモニウムブロマイド ０.８ｇ／ｌ ラウリルアルコールポリエトキシレート(ＰＯＥ１２モル) −ポリプロポキシレート(ＰＯＰ３モル) ８ｇ／ｌ イオン交換水 残部
【００９４】次いで、浴温を３０℃に設定し、その外の
条件を上記試験例１と同様にして電気メッキを施し、得
られたメッキ皮膜について同様の条件で試験を行った。
条件を上記試験例１と同様にして電気メッキを施し、得
られたメッキ皮膜について同様の条件で試験を行った。
【００９５】また、上記アンモニウム化合物を省略し、
他の条件を当該試験例８と同様に設定したものを比較例
８とした。
他の条件を当該試験例８と同様に設定したものを比較例
８とした。
【００９６】《試験例９》前記製造実施例９で調製した
アンモニウム化合物を用いて、下記の組成で銅メッキ浴
を建浴した。 硫酸銅 １８０ｇ／ｌ 硫酸(比重１.８４) ５０ｇ／ｌ (ｐ−フルオロフェネチル)ジメチルテトラデシルアンモニウム −ｐ−トシレート １ｇ／ｌ ラウリン酸アミドポリエトキシレート(ＰＯＥ１５モル) ８ｇ／ｌ Ｎ−ブチリデンスルファニル酸 ２ｇ／ｌ イオン交換水 残部
アンモニウム化合物を用いて、下記の組成で銅メッキ浴
を建浴した。 硫酸銅 １８０ｇ／ｌ 硫酸(比重１.８４) ５０ｇ／ｌ (ｐ−フルオロフェネチル)ジメチルテトラデシルアンモニウム −ｐ−トシレート １ｇ／ｌ ラウリン酸アミドポリエトキシレート(ＰＯＥ１５モル) ８ｇ／ｌ Ｎ−ブチリデンスルファニル酸 ２ｇ／ｌ イオン交換水 残部
【００９７】次いで、浴温を３０℃に設定し、その外の
条件を上記試験例１と同様にして電気メッキを施し、得
られたメッキ皮膜について同様の条件で試験を行った。
条件を上記試験例１と同様にして電気メッキを施し、得
られたメッキ皮膜について同様の条件で試験を行った。
【００９８】また、上記アンモニウム化合物を省略し、
他の条件を当該試験例９と同様に設定したものを比較例
９とした。
他の条件を当該試験例９と同様に設定したものを比較例
９とした。
【００９９】《試験例１０》前記製造実施例１０で調製
したアンモニウム化合物を用いて、下記の組成でカドミ
ウムメッキ浴を建浴した。 硫酸カドミウム ３０ｇ／ｌ 硫酸(比重１.８４) １００ｇ／ｌ (２,４−ジエチルベンジル)ジメチルオクタデシルアンモニウム −クロライド ０.５ｇ／ｌ クミルフェノールポリエトキシレート(ＰＯＥ１５モル) ７ｇ／ｌ ３７％ホルマリン ２０ｍｌ イオン交換水 残部
したアンモニウム化合物を用いて、下記の組成でカドミ
ウムメッキ浴を建浴した。 硫酸カドミウム ３０ｇ／ｌ 硫酸(比重１.８４) １００ｇ／ｌ (２,４−ジエチルベンジル)ジメチルオクタデシルアンモニウム −クロライド ０.５ｇ／ｌ クミルフェノールポリエトキシレート(ＰＯＥ１５モル) ７ｇ／ｌ ３７％ホルマリン ２０ｍｌ イオン交換水 残部
【０１００】次いで、上記試験例１と同様の条件で電気
メッキを施し、得られたメッキ皮膜について同様の条件
で試験を行った。
メッキを施し、得られたメッキ皮膜について同様の条件
で試験を行った。
【０１０１】また、上記アンモニウム化合物を省略し、
他の条件を当該試験例１０と同様に設定したものを比較
例１０とした。
他の条件を当該試験例１０と同様に設定したものを比較
例１０とした。
【０１０２】《試験結果の評価》図１及び図２は上記各
種試験の結果である。 (1)図１に示すように、本発明の新規のアンモニウム化
合物をメッキ浴に含有した試験例１〜１０では、これら
を省略した各比較例(１Ａ、２〜４、５Ａ、６〜１０)に比
べて、広い電流密度範囲(特に、高電流部はほぼ倍の数値
を示す)で鏡面状の光沢、或は曇りガラス状の半光沢の
緻密なメッキ面が得られ、光沢性が向上することが認め
られた。
種試験の結果である。 (1)図１に示すように、本発明の新規のアンモニウム化
合物をメッキ浴に含有した試験例１〜１０では、これら
を省略した各比較例(１Ａ、２〜４、５Ａ、６〜１０)に比
べて、広い電流密度範囲(特に、高電流部はほぼ倍の数値
を示す)で鏡面状の光沢、或は曇りガラス状の半光沢の
緻密なメッキ面が得られ、光沢性が向上することが認め
られた。
【０１０３】また、均一電着性やハンダ付け性に関して
も、試験例１〜１０は、新規のアンモニウム化合物を省
略した各比較例に比べて、全て評価が上回っていた。特
に、良好な均一電着性の達成が容易ではない亜鉛やカド
ミウムメッキにおいては(比較例７及び１０参照)、本発
明の新規のアンモニウム化合物を含有することにより、
試験例７及び１０の結果に示すように、均一電着性＝４
０〜６０％の成果を上げることができた。ハンダ付け性
についても、例えば、×の評価であるニッケル−スズの
メッキ皮膜(比較例８参照)が、本発明のアンモニウム化
合物を含有することにより、○の評価に改善できた(試
験例８参照)。
も、試験例１〜１０は、新規のアンモニウム化合物を省
略した各比較例に比べて、全て評価が上回っていた。特
に、良好な均一電着性の達成が容易ではない亜鉛やカド
ミウムメッキにおいては(比較例７及び１０参照)、本発
明の新規のアンモニウム化合物を含有することにより、
試験例７及び１０の結果に示すように、均一電着性＝４
０〜６０％の成果を上げることができた。ハンダ付け性
についても、例えば、×の評価であるニッケル−スズの
メッキ皮膜(比較例８参照)が、本発明のアンモニウム化
合物を含有することにより、○の評価に改善できた(試
験例８参照)。
【０１０４】(2)図２に示すように、本発明の新規のア
ンモニウム化合物を含有するメッキ浴から得られた電着
皮膜については、冒述の従来技術に記載された公知のベ
ンジルアンモニウム化合物を使用した場合に比べると、
試験例１と比較例１Ｂ、若しくは試験例５と比較例５Ｂ
に示すように、均一電着性の評価は△から○に向上する
うえ、広い電流密度範囲で光沢又は半光沢を示すことか
ら光沢性もさらに改善されることが認められた。
ンモニウム化合物を含有するメッキ浴から得られた電着
皮膜については、冒述の従来技術に記載された公知のベ
ンジルアンモニウム化合物を使用した場合に比べると、
試験例１と比較例１Ｂ、若しくは試験例５と比較例５Ｂ
に示すように、均一電着性の評価は△から○に向上する
うえ、広い電流密度範囲で光沢又は半光沢を示すことか
ら光沢性もさらに改善されることが認められた。
【図１】本発明のアンモニウム化合物を含有するメッキ
浴から得られた電着皮膜を、無添加の浴から得られた電
着皮膜と対比した、皮膜の光沢性、均一電着性並びにハ
ンダ付け性の試験結果を示す図表である。
浴から得られた電着皮膜を、無添加の浴から得られた電
着皮膜と対比した、皮膜の光沢性、均一電着性並びにハ
ンダ付け性の試験結果を示す図表である。
【図２】本発明のアンモニウム化合物を含有するメッキ
浴から得られた電着皮膜を、公知のアンモニウム化合物
を使用した場合の電着皮膜と対比した、皮膜の光沢性、
均一電着性並びにハンダ付け性の試験結果を示す図表で
ある。
浴から得られた電着皮膜を、公知のアンモニウム化合物
を使用した場合の電着皮膜と対比した、皮膜の光沢性、
均一電着性並びにハンダ付け性の試験結果を示す図表で
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２５Ｄ 3/36 Ｃ２５Ｄ 3/36 3/38 3/38 3/56 3/56 Ｚ
Claims (3)
- 【請求項１】 次の一般式(Ｉ) 【化１】 (式(Ｉ)中、Ｒ1はＣ1〜20アルキルである；Ｒ2はＣ1〜5
アルキルである；Ｒ3はＣ1〜5アルキル、又は下記の(1)
〜(10)式に示すアリールアルキル型置換基のいずれかで
ある； 【化２】 【化３】 【化４】 【化５】 【化６】 【化７】 【化８】 【化９】 【化１０】 【化１１】 Ｒ4は上記(1)〜(10)式に示すアリールアルキル型置換基
のいずれかである；Ｘはハロゲン、ヒドロキシル、Ｃ1
〜5アルカンスルホネート、パークロレイト、サルフェ
ート、ホスフェート、アセテート、テトラフルオロボレ
ート、ベンゼンスルホネート、ｐ−トルエンスルホネー
トである；ＹはＣ1〜5アルキル、ハロゲン、Ｃ1〜5アル
コキシ、Ｃ1〜5アルキルチオ、ＮＯ2、ＣＮ、(Ｃ=Ｏ)Ｃ
1〜3アルキル、Ｓ-Ｏ-Ｃ1〜3アルキル、ＳＯ2-Ｃ1〜3ア
ルキルであるが、但し、Ｒ4のＹがメチル又はハロゲン
の場合、Ｒ3は前記アリールアルキル型置換基であり、
また、Ｒ3とＲ4がともに上記(1)式のアリールメチル置
換基である場合に限り、ベンゼン環に結合するＹはとも
に水素であっても良い；Ｚは水素、Ｃ1〜5アルキル、ハ
ロゲン、Ｃ1〜5アルコキシ、Ｃ1〜5アルキルチオ、ＮＯ
2、ＣＮ、(Ｃ=Ｏ)Ｃ1〜3アルキル、Ｓ-Ｏ-Ｃ1〜3アルキ
ル、ＳＯ2-Ｃ1〜3アルキルである；ｍは１〜３の整数で
ある；ｎは２〜５の整数である。)で表されるアリールア
ルキル系４級アンモニウム化合物。 - 【請求項２】 請求項１のアリールアルキル系４級アン
モニウム化合物を含有することを特徴とする電気メッキ
浴。 - 【請求項３】 ノニオン系界面活性剤を添加することを
特徴とする請求項２に記載の電気メッキ浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18835595A JP3817701B2 (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | アリールアルキル系４級アンモニウム化合物を含有する電気メッキ浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18835595A JP3817701B2 (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | アリールアルキル系４級アンモニウム化合物を含有する電気メッキ浴 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0920732A true JPH0920732A (ja) | 1997-01-21 |
| JP3817701B2 JP3817701B2 (ja) | 2006-09-06 |
Family
ID=16222181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18835595A Expired - Fee Related JP3817701B2 (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | アリールアルキル系４級アンモニウム化合物を含有する電気メッキ浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3817701B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004029017A1 (en) * | 2002-09-26 | 2004-04-08 | Cooee Biosciences Limited | Novel quaternary ammonium compounds |
| JP2006045621A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Ebara Udylite Kk | めっき用レベリング剤、酸性銅めっき浴用添加剤組成物、酸性銅めっき浴および該めっき浴を用いるめっき方法 |
-
1995
- 1995-06-30 JP JP18835595A patent/JP3817701B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
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