JPH09197357A - Waveguide type optical device - Google Patents
Waveguide type optical deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、焦電効果を持つ材
料からなる基板に導波路を形成した導波路型光デバイス
に関し、特に、光電界センサ、光受信アンテナ及び光ス
イッチング素子等に用いられる導波路型光デバイスに関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a waveguide type optical device in which a waveguide is formed on a substrate made of a material having a pyroelectric effect, and is particularly used for an optical electric field sensor, an optical receiving antenna, an optical switching element and the like. The present invention relates to a waveguide type optical device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】導波路型光デバイスは、低駆動電圧、高
速動作が可能で且つ小型集積化も有望である。しかし、
ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）のような焦電効果を
有する材料、即ち、自発分極を有する結晶等を基板に用
いて、その基板にチタン等の拡散層を形成して導波路を
構成した導波路型光デバイスにおいては、温度変化によ
って、焦電効果に基づく電荷が表面に発生し、その電荷
分布が一様でないため、導波路型光デバイスの特性、例
えばスイッチング特性等が変動してしまうという問題が
ある。2. Description of the Related Art A waveguide type optical device is capable of low driving voltage and high speed operation, and is expected to be miniaturized and integrated. But,
A waveguide in which a material having a pyroelectric effect such as lithium niobate (LiNbO 3 ), that is, a crystal having spontaneous polarization is used as a substrate and a diffusion layer such as titanium is formed on the substrate to form a waveguide. In a photonic optical device, electric charges based on the pyroelectric effect are generated on the surface due to temperature changes, and the charge distribution is not uniform, so that the characteristics of the waveguide optical device, such as switching characteristics, vary. There is.
【０００３】以下、この問題について、図５及び図６を
用いて説明する。Hereinafter, this problem will be described with reference to FIGS. 5 and 6.
【０００４】図５及び図６に示す導波路型光デバイス
は、Ｚ板ＬｉＮｂＯ3 からなる基板１上にＴｉ拡散層２
を形成して導波路とし、その上面にＳｉＯ2 からなるバ
ッファー層５を形成し、さらにその上面にアルミニウ
ム、チタン等からなる電極３を形成したものである。In the waveguide type optical device shown in FIGS. 5 and 6, a Ti diffusion layer 2 is formed on a substrate 1 made of a Z plate LiNbO 3.
To form a waveguide, a buffer layer 5 made of SiO 2 is formed on the upper surface thereof, and an electrode 3 made of aluminum, titanium or the like is further formed on the upper surface thereof.
【０００５】この導波路型光デバイスにおいて、温度が
上昇すると、Ｚ板ＬｉＮｂＯ3 からなる基板１は分極の
状態を変化させる。この様子を示したのが図６であり、
図中、６は電界、７は分極電荷を示す。即ち、かかる導
波路型光デバイスにおいて、温度が上昇する前は分極を
起こしておらず電気的に中性であったとした場合、温度
上昇後には焦電効果によりＺ板ＬｉＮｂＯ3 からなる基
板１の厚さ方向に分極を発生させる。この時、図６に示
すように、基板１のバッファー層５側に＋電荷が発生し
たとすると、電極３のバッファー層５側にはその電荷を
打ち消すように−電荷が供給される。従って、基板１の
電極３付近ではほぼ中性に、それ以外の箇所では＋電位
になっているため、基板１内には電極３が形成されてい
ない表面から電極３に向かって電界が発生することにな
る。In this waveguide type optical device, when the temperature rises, the substrate 1 made of the Z plate LiNbO 3 changes the polarization state. This is shown in FIG. 6,
In the figure, 6 indicates an electric field and 7 indicates a polarization charge. That is, in such a waveguide type optical device, if it is assumed that polarization was not generated before temperature rise and it was electrically neutral, the temperature of the substrate 1 made of Z-plate LiNbO 3 was increased by pyroelectric effect after temperature rise. Generates polarization in the thickness direction. At this time, as shown in FIG. 6, if a + charge is generated on the buffer layer 5 side of the substrate 1, a −charge is supplied to the buffer layer 5 side of the electrode 3 so as to cancel the charge. Therefore, since the electric potential is almost neutral in the vicinity of the electrode 3 of the substrate 1 and is + potential in other portions, an electric field is generated from the surface where the electrode 3 is not formed in the substrate 1 toward the electrode 3. It will be.
【０００６】ここで、導波路型光デバイスは、Ｔｉ拡散
層２からなる導波路が形成されている電極３間に電界を
印加することにより、Ｔｉ拡散層２からなる導波路の屈
折率を変化させ、電気信号を光信号に変換させるもの
（Ｅ／Ｏ変換）であるから、上述した温度上昇により電
極３間に変調信号による電界以外のバイアス電界を加え
ていることになってしまう。Here, the waveguide type optical device changes the refractive index of the waveguide formed of the Ti diffusion layer 2 by applying an electric field between the electrodes 3 on which the waveguide formed of the Ti diffusion layer 2 is formed. Since the electric signal is converted into an optical signal (E / O conversion), a bias electric field other than the electric field due to the modulation signal is applied between the electrodes 3 due to the above-mentioned temperature rise.
【０００７】このため、温度変化に対して安定したスイ
ッチング特性が得られなかった。For this reason, stable switching characteristics with respect to temperature changes cannot be obtained.
【０００８】上記問題の解決法として、電極間にＳｉ膜
からなる導電性をわずかに持つ薄膜を設置し、焦電効果
により発生した電荷が電極部に滞留しないようにする方
策が取られている。As a solution to the above problem, a measure has been taken in which a thin film made of a Si film having a slight conductivity is provided between electrodes so that charges generated by the pyroelectric effect do not stay in the electrodes. .
【０００９】即ち、図７に示すように、Ｚ板ＬｉＮｂＯ
3 からなる基板１上にＳｉＯ2 膜からなるバッファー層
５を形成した後にＳｉ膜８を形成し、Ｓｉ膜８上にＡ
ｌ、Ｔｉ等からなる電極３を形成する方法が取られてい
る。That is, as shown in FIG. 7, Z plate LiNbO
After the buffer layer 5 made of the SiO 2 film is formed on the substrate 1 made of 3 , the Si film 8 is formed, and A is formed on the Si film 8.
A method of forming the electrode 3 made of l, Ti or the like is adopted.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板１
の材料であるＬｉＮｂＯ3 は、バッファー層５の材料で
あるＳｉＯ2 およびＳｉ膜８の材料であるＳｉとの線膨
張率の差が大きく、この線膨張率の差によって基板１表
面に応力が発生し、この応力による圧電効果によって電
界が発生し、この電界により上述したスイッチング特性
の安定化が達成できなかった。However, the substrate 1
The material LiNbO 3 has a large difference in linear expansion coefficient from SiO 2 which is the material of the buffer layer 5 and Si which is the material of the Si film 8. Due to the difference in the coefficient of linear expansion, stress is generated on the surface of the substrate 1. However, an electric field is generated by the piezoelectric effect due to this stress, and the above-mentioned stabilization of the switching characteristics cannot be achieved by this electric field.
【００１１】即ち、ＬｉＮｂＯ3 の線膨張率は１０〜１
６×１０-6／℃であるのに対し、ＳｉＯ2 の線膨張率は
４×１０-7／℃であり、ＳｉＯ2 の方が２桁程線膨張率
が小さい。That is, the linear expansion coefficient of LiNbO 3 is 10 to 1
The linear expansion coefficient of SiO 2 is 4 × 10 −7 / ° C. while the linear expansion coefficient of SiO 2 is 6 × 10 −6 / ° C., and the linear expansion coefficient of SiO 2 is smaller by about two digits.
【００１２】一方、Ｓｉの線膨張率は２．４×１０-6／
℃である。これは、ＬｉＮｂＯ3 の線膨張率に対しては
１桁小さい値であり、ＳｉＯ2 の線膨張率に対して１桁
大きい値である。On the other hand, the linear expansion coefficient of Si is 2.4 × 10 -6 /
° C. This is a value one digit smaller than the linear expansion coefficient of LiNbO 3 and one digit larger than the linear expansion coefficient of SiO 2 .
【００１３】従って、この大きな線膨張率の差によりＬ
ｉＮｂＯ3 からなる基板１上に非常に大きい応力を発生
してしまう。Therefore, due to this large difference in linear expansion coefficient, L
A very large stress is generated on the substrate 1 made of iNbO 3 .
【００１４】更に、その応力の大きさについても、Ｌｉ
ＮｂＯ3 からなる基板１、ＳｉＯ2膜からなるバッファ
ー層５及びＳｉ膜８の間で線膨張率の差が大きいため、
それぞれの膜の応力が僅かに変動しても基板１が受ける
応力は大きく変動し再現性に乏しいため、作製される導
波路型光デバイスの歩留まりが悪く、コスト高を招いて
いた。Further, regarding the magnitude of the stress, Li
Since the difference in the linear expansion coefficient between the substrate 1 made of NbO 3, the buffer layer 5 made of a SiO 2 film and the Si film 8 is large,
Even if the stress of each film slightly fluctuates, the stress received by the substrate 1 largely fluctuates and the reproducibility is poor, so that the yield of the waveguide type optical device to be manufactured is low and the cost is increased.
【００１５】本発明の目的は、温度変化に対する出力の
安定化が図れ、歩留まりを向上でき、低コストの導波路
型光デバイスを提供することにある。An object of the present invention is to provide a waveguide type optical device which can stabilize the output against temperature changes, improve the yield and can be manufactured at low cost.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】本発明者は、以上の問題
点に対し鋭意検討の結果、焦電効果を有する材料からな
る基板に形成された導波路上に、主成分として透明導電
性酸化物および透明絶縁性酸化物の混合膜からなる透明
導電膜を形成し、更にその上に電極を形成すれば、かか
る問題点を解決できることを見出した。As a result of intensive studies on the above problems, the present inventor has found that transparent conductive oxide as a main component is formed on a waveguide formed on a substrate made of a material having a pyroelectric effect. It has been found that such a problem can be solved by forming a transparent conductive film made of a mixed film of a material and a transparent insulating oxide and further forming an electrode thereon.
【００１７】また、上記透明導電膜の線膨張率を、基板
の線膨張率と実質的に等しくなるようにすれば良いこと
を考案した。It was also devised that the coefficient of linear expansion of the transparent conductive film should be substantially equal to the coefficient of linear expansion of the substrate.
【００１８】即ち、本発明によれば、焦電効果を有する
材料からなる基板に形成された導波路上に、主成分とし
て透明導電性酸化物および透明絶縁性酸化物の混合膜か
らなる透明導電膜を形成し、該透明導電膜上に電極を形
成したことを特徴とする導波路型光デバイスが得られ
る。That is, according to the present invention, a transparent conductive film made of a mixed film of a transparent conductive oxide and a transparent insulating oxide as main components is formed on a waveguide formed on a substrate made of a material having a pyroelectric effect. A waveguide type optical device is obtained in which a film is formed and an electrode is formed on the transparent conductive film.
【００１９】また、本発明によれば、前記透明導電膜の
線膨張率を、前記基板の線膨張率と実質的に等しくした
ことを特徴とする導波路型光デバイスが得られる。Further, according to the present invention, there is provided a waveguide type optical device characterized in that the coefficient of linear expansion of the transparent conductive film is substantially equal to the coefficient of linear expansion of the substrate.
【００２０】[0020]
【作用】導波路型光デバイスの製造歩留まり向上のため
には、ＬｉＮｂＯ3 からなる基板、ＳｉＯ2 膜からなる
バッファー層及びＳｉ膜３者の応力の再現性の向上と応
力の低減が必要である。In order to improve the manufacturing yield of the waveguide type optical device, it is necessary to improve the stress reproducibility and reduce the stress of the substrate made of LiNbO 3 , the buffer layer made of the SiO 2 film and the Si film. .
【００２１】このため第１の方策として、バッファー層
に僅かに導電性を持たせることができれば、従来のＳｉ
膜を省略でき、ＬｉＮｂＯ3 からなる基板とバッファー
層の間の応力のみ制御すれば良く、光導波路上に発生す
る応力の再現性を向上できる。Therefore, as a first measure, if the buffer layer can be made slightly conductive, the conventional Si
The film can be omitted, and only the stress between the substrate made of LiNbO 3 and the buffer layer needs to be controlled, and the reproducibility of the stress generated on the optical waveguide can be improved.
【００２２】また、第２の方策として、このバッファー
層の材料の線膨張率をＬｉＮｂＯ3からなる基板の線膨
張率に近くすることで光導波路上に発生する応力の低減
が図れる。As a second measure, the stress generated on the optical waveguide can be reduced by making the linear expansion coefficient of the material of the buffer layer close to the linear expansion coefficient of the substrate made of LiNbO 3 .
【００２３】[0023]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しつつ説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２４】本実施形態においては、図１に示すよう
に、Ｚ板ＬｉＮｂＯ3 からなる基板１上に、Ｔｉ拡散法
によってＴｉ拡散層２からなるマッファツェンダー導波
路を形成した後にホウケイ酸ガラスであるパイレックス
（商標名）とＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄ
ｅ）の混合膜からなる導電性バッファー層４を形成し、
更に、導電性バッファー層４の上にＴｉからなる電極３
を形成した。In this embodiment, as shown in FIG. 1, a Mappa-Zehnder waveguide composed of a Ti diffusion layer 2 is formed on a substrate 1 composed of a Z plate LiNbO 3 by a Ti diffusion method, and then a borosilicate glass is used. A certain Pyrex (trade name) and ITO (Indium Tin Oxid)
forming a conductive buffer layer 4 composed of the mixed film of e),
Further, the electrode 3 made of Ti is formed on the conductive buffer layer 4.
Was formed.
【００２５】また、導電性バッファー層４の線膨張率が
基板１の線膨張率と実質的に等しくなるようにした。Further, the coefficient of linear expansion of the conductive buffer layer 4 is made substantially equal to the coefficient of linear expansion of the substrate 1.
【００２６】ここで、上述したＳｉ膜からなる導電膜体
を兼ねた導電性バッファー層４に要求される特性として
は、使用波長において透明で屈折率が小さいこと、およ
び抵抗率が１０6 〜１０10（Ω・ｃｍ）であることが考
えられる。Here, the characteristics required for the conductive buffer layer 4 which also serves as the conductive film body made of the Si film are that it is transparent and has a small refractive index and a resistivity of 10 6 to 10 at the wavelength used. It is considered to be 10 (Ω · cm).
【００２７】また、基板１の線膨張率と実質的に等しく
なるためには、この導電性バッファー層４の線膨張率が
ＬｉＮｂＯ3 からなる基板１の線膨張率、即ち、１０〜
１６×１０-6／℃に近いことが挙げられる。In order for the linear expansion coefficient of the substrate 1 to be substantially equal to that of the substrate 1, the linear expansion coefficient of the conductive buffer layer 4 is made of LiNbO 3 , that is, the linear expansion coefficient of 10 to 10.
It may be close to 16 × 10 −6 / ° C.
【００２８】これらの条件を単独材料で満足することは
非常に難しく、複数の材料の混合物によって達成した。Satisfying these conditions with a single material is very difficult and was achieved with a mixture of materials.
【００２９】即ち、本発明の実施形態では、透明導電性
物質と、絶縁性の透明物質を混合した膜を形成し、その
混合比を最適化することにより、前述の条件を満足でき
るようにした。That is, in the embodiment of the present invention, a film in which a transparent conductive material and an insulating transparent material are mixed is formed and the mixing ratio thereof is optimized so that the above-mentioned conditions can be satisfied. .
【００３０】ここで、一般に透明導電性物質としてはＩ
ＴＯ、ＳｎＯ2 、ＺｎＯがあり、絶縁性透明物質として
ＳｉＯｘ（Ｘ≦２）、パイレックス、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｔｉ
Ｏ2、ＺｒＯ2 等が挙げられ、これらのどの材料の組み
合わせによっても十分な特性を持った膜が得られる。In general, the transparent conductive material is I
There are TO, SnO 2 , and ZnO, and SiO x (X ≦ 2), Pyrex, Al 2 O 3 , and Ti as insulating transparent materials.
O 2 , ZrO 2 and the like can be mentioned, and a film having sufficient characteristics can be obtained by combining any of these materials.
【００３１】また、混合膜の形成法としては、真空蒸着
法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等のい
わゆるＰＶＤ法や、減圧、常圧および加圧ＣＶＤ法があ
り、さらにゾルーゲル法により混合粉末をコーティング
した後に加熱溶融して作製する方法があり、いずれの方
法においても上述の特性を満足する膜が得られる。As a method for forming a mixed film, there are a so-called PVD method such as a vacuum deposition method, an ion plating method and a sputtering method, a reduced pressure, a normal pressure and a pressure CVD method. Further, a mixed powder is prepared by a sol-gel method. There is a method in which it is produced by coating and then heating and melting, and in any method, a film satisfying the above characteristics can be obtained.
【００３２】透明導電性物質としてＩＴＯを、絶縁性透
明物質としてパイレックスガラスを使用した場合の抵抗
値を図２に示す。FIG. 2 shows the resistance values when ITO is used as the transparent conductive material and Pyrex glass is used as the insulating transparent material.
【００３３】混合膜の作製法としては、ＲＦスパッタリ
ング法を使用し、φ４のＩＴＯターゲット上にパイレッ
クスガラス（１０×３０×１ｍｍ）のペレットを置き、
ペレットの枚数によって組成比を制御した。As a method for producing the mixed film, an RF sputtering method is used, and a Pyrex glass (10 × 30 × 1 mm) pellet is placed on a φ4 ITO target.
The composition ratio was controlled by the number of pellets.
【００３４】図２からわかるように、ペレット枚数を増
やすにつれて抵抗値は大きくなり、パイレックスガラス
８〜１０本で必要とする１０6 〜１０9 （Ω・ｃｍ）が
得られる。As can be seen from FIG. 2, the resistance value increases as the number of pellets increases, and 10 6 to 10 9 (Ω · cm) required for 8 to 10 Pyrex glasses can be obtained.
【００３５】また、パイレックスガラス８〜１０本のと
きの導電性バッファー層４の線膨張率は６．３〜６．０
×１０-6／℃となり、ＬｉＮｂＯ3 からなる基板１の線
膨張率に近い値となる。Further, the linear expansion coefficient of the conductive buffer layer 4 when the Pyrex glass is 8 to 10 is 6.3 to 6.0.
The value is × 10 -6 / ° C, which is close to the linear expansion coefficient of the substrate 1 made of LiNbO 3 .
【００３６】従って、ＩＴＯ／パイレックス混合膜を導
電性バッファー層４として形成し、その上に電極３を設
置するだけで、温度変化によるドリフトのない導波路型
光デバイスが得られる。Therefore, by forming the ITO / Pyrex mixed film as the conductive buffer layer 4 and disposing the electrode 3 thereon, a waveguide type optical device free from drift due to temperature change can be obtained.
【００３７】[0037]
【実施例】以下、実施例により、詳細に説明する。EXAMPLES Hereinafter, examples will be described in detail.
【００３８】上述したように、Ｚ板ＬｉＮｂＯ3 からな
る基板１上に、Ｔｉ拡散法によってＴｉ拡散層２からな
るマッファツェンダー導波路を形成した後にパイレック
ス／ＩＴＯ混合膜からなる導電性バッファー層４を形成
したが、このときの、パイレックス／ＩＴＯ混合膜の膜
厚は３０００Ａとし、抵抗率は６×１０9 （Ω・ｃｍ）
であった。As described above, the Muffa-Zehnder waveguide made of the Ti diffusion layer 2 is formed on the substrate 1 made of the Z plate LiNbO 3 by the Ti diffusion method, and then the conductive buffer layer 4 made of the Pyrex / ITO mixed film is formed. Was formed. At this time, the film thickness of the Pyrex / ITO mixed film was 3000 A, and the resistivity was 6 × 10 9 (Ω · cm).
Met.
【００３９】更に、パイレックス／ＩＴＯ混合膜からな
る導電性バッファー層４の上にＴｉからなる電極３を３
０００オングストロームの厚さに形成した。Further, three electrodes 3 made of Ti are formed on the conductive buffer layer 4 made of a Pyrex / ITO mixed film.
It was formed to a thickness of 000 angstroms.
【００４０】この実施例により作製された導波路型光デ
バイス（光変調器）を恒温恒湿機に入れ、サイクル試験
を行いながらこの光変調器を通過する光強度の変化を測
定した。この測定結果を図３に示す。The waveguide type optical device (optical modulator) produced in this example was placed in a thermo-hygrostat and the change in the light intensity passing through the optical modulator was measured while performing a cycle test. FIG. 3 shows the measurement results.
【００４１】この時のサイクル試験の条件は、湿度５０
％一定とし、温度を０℃〜６０℃とした。The condition of the cycle test at this time is that the humidity is 50.
%, And the temperature was 0 ° C. to 60 ° C.
【００４２】図３から、温度変化に対して光強度の変化
が無く、安定していることが分かる。From FIG. 3, it can be seen that there is no change in the light intensity with respect to the temperature change and the light is stable.
【００４３】更に、実施例と同一の方法により１０個作
製された光変調器に対し、上記サイクル試験を行い、光
強度の変化量をヒストグラムにしたのが図４である。Further, FIG. 4 shows the above-mentioned cycle test for 10 optical modulators manufactured by the same method as the embodiment, and a histogram of the amount of change in the light intensity.
【００４４】図４から分かるように、温度変化に対して
安定した光変調器が再現性良く得られた。As can be seen from FIG. 4, an optical modulator stable with respect to temperature changes was obtained with good reproducibility.
【００４５】[0045]
【発明の効果】以上述べたように、本発明においては、
焦電効果を有する材料からなる基板に形成された導波路
上に、主成分として透明導電性酸化物および透明絶縁性
酸化物の混合膜からなる透明導電膜を形成し、更にその
上に電極を形成したので、光導波路上に発生する応力の
再現性の向上が可能となった。As described above, in the present invention,
A transparent conductive film made of a mixed film of a transparent conductive oxide and a transparent insulating oxide as a main component is formed on a waveguide formed on a substrate made of a material having a pyroelectric effect, and an electrode is further formed on the transparent conductive film. Since it is formed, the reproducibility of the stress generated on the optical waveguide can be improved.
【００４６】また、上記透明導電膜の線膨張率を、基板
の線膨張率と実質的に等しくなるようにしたので、光導
波路上に発生する応力の低減が図れた。Further, since the coefficient of linear expansion of the transparent conductive film is made substantially equal to the coefficient of linear expansion of the substrate, the stress generated on the optical waveguide can be reduced.
【００４７】従って、作製される導波路型光デバイスの
温度変化に対する出力の安定化が図れ、歩留まりを向上
できるので、低コストの導波路型光デバイスを提供し得
る。Therefore, the output of the manufactured waveguide type optical device can be stabilized against temperature changes and the yield can be improved, so that a low cost waveguide type optical device can be provided.
【図１】本発明の実施形態に係る導波路型光デバイスの
構造を示す概略図である。FIG. 1 is a schematic view showing a structure of a waveguide type optical device according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１に示した導波路型光デバイスにおけるパイ
レックス／ＩＴＯ混合膜の抵抗率を示すグラフである。2 is a graph showing the resistivity of a Pyrex / ITO mixed film in the waveguide type optical device shown in FIG.
【図３】本発明の一実施例により作製された導波路型光
デバイス（光変調器）を恒温恒湿機に入れ、サイクル試
験を行いながらこの光変調器を通過する光強度の変化を
測定した結果を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a waveguide type optical device (optical modulator) manufactured according to an embodiment of the present invention, which is placed in a constant temperature and humidity chamber, and a change in light intensity passing through the optical modulator is measured while performing a cycle test. It is a figure which shows the result.
【図４】図３に示した実施例と同一の方法により１０個
作製された光変調器に対し、上記サイクル試験を行い、
光強度の変化量をヒストグラムにした図である。FIG. 4 is a cycle diagram of 10 optical modulators manufactured by the same method as the embodiment shown in FIG.
It is a figure which made the amount of change of light intensity into a histogram.
【図５】導波路型光デバイスの一般的な構造を示す概略
図である。FIG. 5 is a schematic view showing a general structure of a waveguide type optical device.
【図６】図５に示した導波路型光デバイスにおける問題
点を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining a problem in the waveguide type optical device shown in FIG.
【図７】従来の導波路型光デバイスの構造を示す概略図
である。FIG. 7 is a schematic view showing a structure of a conventional waveguide type optical device.
１ 基板 ２ Ｔｉ拡散層 ３ 電極 ４ 導電性バッファー層 ５ バッファー層 ６ 電界 ７ 分極電荷 ８ Ｓｉ膜 1 substrate 2 Ti diffusion layer 3 electrode 4 conductive buffer layer 5 buffer layer 6 electric field 7 polarization charge 8 Si film
Claims (9)
成された導波路上に、主成分として透明導電性酸化物お
よび透明絶縁性酸化物の混合膜からなる透明導電膜を形
成し、該透明導電膜上に電極を形成したことを特徴とす
る導波路型光デバイス。1. A transparent conductive film made of a mixed film of a transparent conductive oxide and a transparent insulating oxide as a main component is formed on a waveguide formed on a substrate made of a material having a pyroelectric effect. A waveguide type optical device comprising an electrode formed on a transparent conductive film.
いて、前記透明導電膜の線膨張率を、前記基板の線膨張
率と実質的に等しくしたことを特徴とする導波路型光デ
バイス。2. The waveguide type optical device according to claim 1, wherein the linear expansion coefficient of the transparent conductive film is substantially equal to the linear expansion coefficient of the substrate.
いて、前記焦電効果を有する材料として、ニオブ酸リチ
ウム（ＬｉＮｂＯ3 ）を用いたことを特徴とする導波路
型光デバイス。3. The waveguide type optical device according to claim 1, wherein lithium niobate (LiNbO 3 ) is used as the material having the pyroelectric effect.
いて、前記透明導電性酸化物をＩＴＯ、ＳｎＯ2 、Ｚｎ
Ｏのうちの少なくとも一つとしたことを特徴とする導波
路型光デバイス。4. The waveguide type optical device according to claim 1, wherein the transparent conductive oxide is ITO, SnO 2 , Zn.
At least one of O is a waveguide type optical device.
いて、前記透明絶縁性酸化物をＳｉＯｘ（Ｘ≦２）、ホ
ウケイ酸ガラス、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 のう
ちの少なくとも一つとしたことを特徴とする導波路型光
デバイス。5. The waveguide type optical device according to claim 1, wherein the transparent insulating oxide is at least one of SiO x (X ≦ 2), borosilicate glass, Al 2 O 3 , TiO 2 , and ZrO 2. A waveguide type optical device characterized by being one.
いて、前記透明導電性酸化物をＩＴＯ、ＳｎＯ2 、Ｚｎ
Ｏのうちの少なくとも一つとしたことを特徴とする導波
路型光デバイス。6. The waveguide type optical device according to claim 2, wherein the transparent conductive oxide is ITO, SnO 2 , Zn.
At least one of O is a waveguide type optical device.
いて、前記透明絶縁性酸化物をＳｉＯｘ（Ｘ≦２）、ホ
ウケイ酸ガラス、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 のう
ちの少なくとも一つとしたことを特徴とする導波路型光
デバイス。7. The waveguide type optical device according to claim 2, wherein the transparent insulating oxide is at least one of SiO x (X ≦ 2), borosilicate glass, Al 2 O 3 , TiO 2 , and ZrO 2. A waveguide type optical device characterized by being one.
いて、前記透明導電性酸化物としてＩＴＯを、前記透明
絶縁性酸化物としてホウケイ酸ガラスを使用したことを
特徴とする導波路型光デバイス。8. The waveguide type optical device according to claim 3, wherein ITO is used as the transparent conductive oxide and borosilicate glass is used as the transparent insulating oxide. .
いて、前記透明導電膜の線膨張率を１０〜１６×１０-6
／℃の範囲内としたことを特徴とする導波路型光デバイ
ス。9. The waveguide type optical device according to claim 3, wherein the linear expansion coefficient of the transparent conductive film is 10 to 16 × 10 −6.
A waveguide-type optical device characterized by being set within the range of / ° C.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP316796A JPH09197357A (en) | 1996-01-11 | 1996-01-11 | Waveguide type optical device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP316796A JPH09197357A (en) | 1996-01-11 | 1996-01-11 | Waveguide type optical device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09197357A true JPH09197357A (en) | 1997-07-31 |
Family
ID=11549822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP316796A Pending JPH09197357A (en) | 1996-01-11 | 1996-01-11 | Waveguide type optical device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09197357A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1471377A1 (en) * | 2003-04-24 | 2004-10-27 | Nec Tokin Corporation | Electro-optic modulator |
-
1996
- 1996-01-11 JP JP316796A patent/JPH09197357A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1471377A1 (en) * | 2003-04-24 | 2004-10-27 | Nec Tokin Corporation | Electro-optic modulator |
| US7123784B2 (en) | 2003-04-24 | 2006-10-17 | Seikoh Giken Co., Ltd. | Electro-optic modulator with particular diffused buffer layer |
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