JPH09185062A - Display element - Google Patents
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- JPH09185062A JPH09185062A JP7353474A JP35347495A JPH09185062A JP H09185062 A JPH09185062 A JP H09185062A JP 7353474 A JP7353474 A JP 7353474A JP 35347495 A JP35347495 A JP 35347495A JP H09185062 A JPH09185062 A JP H09185062A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、自発光型、非発光
型を含む種々の形態の表示素子、特に好ましくは液晶を
表示媒体として用いる液晶表示素子に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to various types of display elements including self-luminous type and non-luminous type, and more preferably to liquid crystal display elements using liquid crystal as a display medium.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、表示素子において表示電極と
して用いる透明電極としては、光透過率、電気抵抗、機
械的強度等の特性を考慮して、酸化錫や酸化インジウム
のような金属酸化物からなる透明導電膜、好ましくは、
錫ドープ型インジウム酸化物（インジウム錫酸化物、以
下ＩＴＯと記す）の薄膜が用いられている。2. Description of the Related Art Conventionally, a transparent electrode used as a display electrode in a display element is made of a metal oxide such as tin oxide or indium oxide in consideration of characteristics such as light transmittance, electric resistance and mechanical strength. Transparent conductive film, preferably
A thin film of tin-doped indium oxide (indium tin oxide, hereinafter referred to as ITO) is used.
【０００３】かかる透明導電膜、特にＩＴＯ膜として
は、上述したように低いシート抵抗値及び高い透明性が
要求され、その製法並びに製造条件が限定されて、結晶
性の高い膜が用いられていた。例えば、特開平５−１５
１８２７号公報には、透明導電膜上における金属被膜の
密着性を向上させるべく、表面を粗くするという観点
で、結晶粒径の大きな（＞２２２＜方向での結晶粒径４
００Å以上）ＩＴＯ膜を用いることが開示されている。As the transparent conductive film, particularly the ITO film, a low sheet resistance value and a high transparency are required as described above, and the manufacturing method and manufacturing conditions are limited, and a film having a high crystallinity has been used. . For example, JP-A-5-15
In Japanese Patent No. 1827, from the viewpoint of roughening the surface in order to improve the adhesion of the metal film on the transparent conductive film, the crystal particle size is large (> 222 <direction grain size 4).
It is disclosed that an ITO film is used (00 Å or more).
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな結晶性の高い透明導電膜、特にＩＴＯ膜は、その特
性に関して、以下のような問題点があった。However, such a transparent conductive film having high crystallinity, particularly an ITO film, has the following problems with respect to its characteristics.
【０００５】即ち結晶性の高い透明導電膜（ＩＴＯ膜）
は、かなり表面の凹凸が大きく、表示電極として要求さ
れる表面平坦性に劣っている。このような透明導電膜
を、表示素子の表示電極として用いた場合、その表示特
性が不十分なものとなる。例えば一対の電極基板間に液
晶を挟持した構造の液晶表示素子における透明電極とし
て用いる場合、該透明電極の表面の凹凸は、液晶の配向
制御、特に配向状態の均一化、その他表示素子における
諸特性に悪影響を与えていた。That is, a transparent conductive film (ITO film) having high crystallinity
Has considerably large surface irregularities and is inferior in surface flatness required as a display electrode. When such a transparent conductive film is used as a display electrode of a display element, its display characteristics will be insufficient. For example, when it is used as a transparent electrode in a liquid crystal display device having a structure in which a liquid crystal is sandwiched between a pair of electrode substrates, the unevenness of the surface of the transparent electrode causes alignment control of the liquid crystal, particularly uniform alignment state, and other characteristics of the display device. Was adversely affecting.
【０００６】詳述すれば、膜厚１００ｎｍ程度のＩＴＯ
膜を形成する場合、結晶性の高いＩＴＯを採用すると、
その膜表面の凹凸は、成膜方法及び条件等により異なる
が、通常Ｐ−Ｐ（ピークツウピーク、走査型トンネル顕
微鏡により測定）で約１０〜２０ｎｍ程度となる。かか
るＩＴＯ膜を、上記構成の液晶表示素子において表示電
極（透明電極として用いる場合、好ましくは該ＩＴＯ膜
より上層に、更に液晶に対して配向状態の制御能を持っ
た膜（配向制御膜）が設けられるが、かかる配向制御膜
は、上述したＩＴＯ膜表面の凹凸に困り均一な特性で得
られず、結果的に液晶の配向状態を均一に制御できない
といった問題が生じることがある。このような問題は、
配向制御膜の膜厚がより薄い場合、配向制御膜を構成す
る材料が高分子材料であってその重合度が大きい、ある
いは同材料の剛性が大きく薄膜化が容易ではない場合に
特に顕著に生じる。More specifically, ITO having a film thickness of about 100 nm is used.
If ITO with high crystallinity is used when forming a film,
The unevenness of the film surface is usually about 10 to 20 nm in PP (peak-to-peak, measured by a scanning tunneling microscope), though it varies depending on the film forming method and conditions. When such an ITO film is used as a display electrode (transparent electrode in a liquid crystal display device having the above-mentioned configuration, a film having an ability to control the alignment state with respect to liquid crystal (alignment control film) is preferably formed above the ITO film. Although provided, such an orientation control film may be difficult to obtain due to unevenness on the surface of the ITO film as described above and may not be obtained with uniform characteristics, resulting in a problem that the orientation state of the liquid crystal cannot be uniformly controlled. The problem is,
When the film thickness of the orientation control film is thinner, it occurs remarkably especially when the material forming the orientation control film is a polymer material and its degree of polymerization is high, or when the material has high rigidity and cannot be thinned easily. .
【０００７】更に具体的には、上述したＩＴＯ膜上に有
機膜等を形成し、ラビング処理を施して配向制御膜とす
る場合、配向制御膜自体の膜切れ等の発生もあるが、Ｉ
ＴＯ膜表面の凹凸に起因して、配向制御膜全面におい
て、ミクロン単位でのラビング処理が均一になされな
い。よって、配向制御膜の特性が不均一となり、液晶の
配向において欠陥やムラが生じ易い。More specifically, when an organic film or the like is formed on the ITO film described above and subjected to rubbing treatment to form an alignment control film, the alignment control film itself may be broken, but I
Due to the unevenness of the surface of the TO film, the rubbing process in the unit of micron cannot be performed uniformly on the entire surface of the alignment control film. Therefore, the characteristics of the alignment control film become non-uniform, and defects or unevenness are likely to occur in the alignment of the liquid crystal.
【０００８】この他、表示素子等では、表示電極である
ＩＴＯ膜上に、例えば液晶表示素子では対向基板間にお
けるショート防止等の目的で配向制御膜以外の種々の絶
縁膜を設けることがある。ここで、上述した結晶性の高
いＩＴＯ膜を用いると、その表面凹凸に起因して、当該
絶縁膜の絶縁性能が均一にならず、表示素子の特性改善
に悪影響がでる場合がある。In addition, in a display element or the like, various insulating films other than the alignment control film may be provided on the ITO film which is a display electrode, for example, in the liquid crystal display element for the purpose of preventing a short circuit between opposing substrates. Here, when the above-mentioned ITO film having high crystallinity is used, the insulating performance of the insulating film may not be uniform due to the surface irregularities, which may adversely affect the improvement of the characteristics of the display element.
【０００９】このような問題点に鑑みて、表示素子を構
成する表示電極として、低抵抗、高透過率を確保し、表
面平坦性に優れた、透明導電材料（膜）を適用すること
が望まれていた。In view of such problems, it is desired to apply a transparent conductive material (film) which has low resistance and high transmittance and is excellent in surface flatness, as a display electrode constituting a display element. It was rare.
【００１０】本発明の課題は、表示電極として、上述し
た低抵抗、高透過率が安定して確保され、表面平坦性に
優れ、且つ加工性に富んだ透明導電膜を用いた、優れた
表示特性を有する表示素子を提供することである。An object of the present invention is to provide an excellent display using, as a display electrode, a transparent conductive film having the above-mentioned low resistance and high transmittance stably secured, excellent surface flatness, and excellent workability. It is to provide a display device having characteristics.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段及び作用】本発明の上記課
題は、表示電極を備えた基板を有する表示素子であっ
て、該表示電極が、面内での水平方向長さ２００〜５０
０Åの範囲における凹凸の最大幅が３０Å以下である表
面を有する酸化インジウム及び／又は酸化錫を主成分と
する透明導電膜、あるいは該膜を加熱処理してなる透明
導電膜であることを特徴とする表示素子、によって解決
される。The above object of the present invention is a display device having a substrate having display electrodes, wherein the display electrodes have a horizontal length of 200 to 50 in the plane.
A transparent conductive film containing indium oxide and / or tin oxide as a main component, or a transparent conductive film obtained by heat-treating the film, which has a surface having a maximum width of irregularities of 30 Å or less in the range of 0 Å Is solved by the display element.
【００１２】本発明の表示素子では、表示電極における
透明導電膜を、その表面が水平方向の所定長さ（２００
〜５００Å）における凹凸の最大幅、即ち山谷（ピーク
トウバレイ）の最大高さが３０Å以下となるように設定
し、その平坦性を著しく向上した点に特徴がある。かか
る透明導電膜は、例えば、粗大化した結晶による凹凸形
状を回避すべく、アモルファス相を含み、表面の粒状を
小さくして表面平坦性を向上させ、特定の平均表面粗さ
に設定した、酸化インジウム及び／又は酸化錫を主成分
とする膜、好ましくは、錫ドープ型インジウム酸化物
（ＩＴＯ）の薄膜を製膜し、これを最適な条件でアニー
リングすることにより形成され得る。かかる透明導電膜
は、透過率及びシート抵抗値については、従来の結晶性
の高いＩＴＯ膜等に比べても許容可能なレベルを保持し
ており、更に 表面平滑性に優れ、表示電極として、表
示素子の特性向上に十分寄与する。加えて、かかる透明
導電膜は、最終的な表示電極の形態においてアモルファ
ス成分を含むことにより、結晶性の高いＩＴＯ膜に比べ
て、エッチングの際に弱酸等を含む幅広いエッチャント
が使用可能となり、素子において透明導電膜の下層に設
けられた種々の膜に対するダメージも低減され得る。ひ
いては、該透明導電膜を表示電極として備えた表示素子
の性能が向上する。In the display element of the present invention, the surface of the transparent conductive film in the display electrode has a predetermined horizontal length (200 mm).
It is characterized in that the maximum width of the unevenness in the range of up to 500 Å), that is, the maximum height of the peaks and valleys is set to 30 Å or less, and the flatness thereof is remarkably improved. Such a transparent conductive film contains, for example, an amorphous phase in order to avoid the uneven shape due to the coarsened crystal, improves the surface flatness by reducing the surface graininess, and is set to a specific average surface roughness. It can be formed by forming a film containing indium and / or tin oxide as a main component, preferably a thin film of tin-doped indium oxide (ITO), and annealing the film under optimum conditions. Such a transparent conductive film has an acceptable level of transmittance and sheet resistance even compared with a conventional ITO film having high crystallinity and the like, and further has excellent surface smoothness, and is used as a display electrode for display. It sufficiently contributes to the improvement of device characteristics. In addition, since such a transparent conductive film contains an amorphous component in the form of the final display electrode, a wider range of etchants containing a weak acid or the like can be used during etching as compared with an ITO film having high crystallinity. In the above, damage to various films provided under the transparent conductive film can also be reduced. As a result, the performance of the display device including the transparent conductive film as a display electrode is improved.
【００１３】本発明において、膜の表面状態は、膜の表
面の凹凸を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）及び走査型トンネ
ル顕微鏡（ＳＴＭ）により観察し、規定したものであ
る。In the present invention, the surface condition of the film is defined by observing the surface irregularities of the film by an atomic force microscope (AFM) and a scanning tunneling microscope (STM).
【００１４】本発明において、透明導電膜として用い
る、アモルファス成分を含む酸化インジウム及び／又は
酸化錫を主成分とする膜、特にＩＴＯ膜は、種々の成膜
方法及び条件により形成され得る。例えば、スパッタ成
膜において、基板温度を低く設定（好ましくは１００℃
以下）し、低いパワー密度条件とすることによって、ア
モルファス度の高いＩＴＯ膜を得ることができる。その
際原料ガスである酸素の量をＩＴＯを得るための適量よ
り少なく設定することにより、アモルファス化、そして
ＩＴＯ表面の形状が微細粒化が促進され、表面平坦性が
より優れたものとなる。In the present invention, the film containing indium oxide and / or tin oxide containing an amorphous component as a main component, particularly the ITO film, used as the transparent conductive film can be formed by various film forming methods and conditions. For example, in sputtering film formation, the substrate temperature is set low (preferably 100 ° C.).
In the following), the ITO film having a high degree of amorphousness can be obtained under the low power density condition. At that time, by setting the amount of oxygen, which is a raw material gas, to be less than an appropriate amount for obtaining ITO, amorphization and formation of fine particles on the surface of the ITO are promoted, and the surface flatness becomes more excellent.
【００１５】本発明では、酸化インジウム及び／又は酸
化錫を主成分とする透明導電膜、特にＩＴＯ膜におい
て、アモルファス成分が含まれる場合、表面平坦性は向
上するが、光透過率が低下し、シート抵抗値が大きくな
るといった弊害を伴うことがあり得る。このため、アモ
ルファス成分を含む膜の種々の製膜条件更にアニール処
理の条件を温度１５０〜３００℃、好ましくは２００℃
未満の低温条件に設定し、これらの条件を最適化するこ
とによって、光透過率及びシート抵抗値を、結晶性の高
いＩＴＯのレベル程度に維持することが好ましい。In the present invention, when a transparent conductive film containing indium oxide and / or tin oxide as a main component, particularly an ITO film, contains an amorphous component, the surface flatness is improved but the light transmittance is lowered, There may be an adverse effect such as an increased sheet resistance value. For this reason, various film forming conditions for the film containing an amorphous component and the annealing condition are set at a temperature of 150 to 300 ° C., preferably 200 ° C.
It is preferable to maintain the light transmittance and the sheet resistance at about the level of ITO having high crystallinity by setting low temperature conditions of less than 1 and optimizing these conditions.
【００１６】この場合、成膜後のアモルファス成分を含
む透明導電膜（ＩＴＯ膜）を、弱酸等の透明導電膜より
下層の部材に影響の小さいエッチャントを用いてパター
ニングした後、更にアニール処理することが加工精度及
び透明導電膜の諸特性を両立させる観点では好ましい。In this case, the transparent conductive film (ITO film) containing the amorphous component after film formation is patterned by using an etchant such as a weak acid which has a small effect on a member below the transparent conductive film, and then annealed. Is preferable from the viewpoint of satisfying both processing accuracy and various characteristics of the transparent conductive film.
【００１７】尚、特開平５−１５１８２７号公報には、
ＩＴＯの微細なアモルファス相とその熱処理（アニール
処理）について開示されている。しかしながら、かかる
例で得られたＩＴＯ膜は、金属被膜との密着性を向上す
ることを意図するもので、Ｘ線回折により分析される結
晶粒径が４００Å以上であることを言及しているに過ぎ
ない。発明者らの検討では、実際にアニール後のＩＴＯ
膜の表面粗さはＸ線による粒径とは無関係であり、本発
明における透明導電膜（ＩＴＯ膜）は、アニール後にお
いて特定の範囲の表面粗さを有する平坦性に優れた膜で
ある点で、上記公報記載のＩＴＯ膜とは相違するものて
ある。Incidentally, in Japanese Patent Laid-Open No. 5-151827,
The fine amorphous phase of ITO and its heat treatment (annealing treatment) are disclosed. However, the ITO film obtained in such an example is intended to improve the adhesion with the metal film, and mentions that the crystal grain size analyzed by X-ray diffraction is 400 Å or more. Not too much. According to the study by the inventors, the ITO after the annealing was actually performed.
The surface roughness of the film is irrelevant to the particle size by X-ray, and the transparent conductive film (ITO film) in the present invention is a film having a surface roughness in a specific range after annealing and excellent in flatness. However, it is different from the ITO film described in the above publication.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】上述したような透明導電膜を表示
電極として有する本発明の表示素子は、液晶ディスプレ
イ等の非発光タイプ、ＥＬＤやＰＤＰ等の自発光タイプ
といった、種々のタイプに表示素子に適用され得る。い
ずれのタイプの表示素子においても、透明導電膜の特
性、即ち光透過率が高く、低抵抗であり、且つ表面平坦
性に優れていることに起因して、表示性能が格段に向上
されている。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The display element of the present invention having the above-mentioned transparent conductive film as a display electrode is a display element of various types such as a non-emission type such as a liquid crystal display and a self-emission type such as an ELD or PDP. Can be applied to. In any type of display element, the display performance is remarkably improved due to the characteristics of the transparent conductive film, that is, high light transmittance, low resistance, and excellent surface flatness. .
【００１９】特に本発明の表示素子は、好ましくは表示
電極を備えた一対の基板間に液晶を挟持し、該液晶に所
定の電圧を印加して液晶の配向状態を制御して表示画像
を形成する液晶素子に適用することができる。かかる液
晶素子では、具体的には、各画素における液晶の配向状
態を調整し、光の透過率を２値あるいは多値に制御して
所望の画像を得る。この場合、画素のアドレスの方法
も、マトリクス電極によるマルチプレクス方式或は光導
電膜を用いた光アドレス方式のいずれをも適用すること
ができる。Particularly, in the display element of the present invention, a liquid crystal is preferably sandwiched between a pair of substrates having display electrodes, and a predetermined voltage is applied to the liquid crystal to control the alignment state of the liquid crystal to form a display image. It can be applied to a liquid crystal element that operates. In such a liquid crystal element, specifically, the alignment state of the liquid crystal in each pixel is adjusted and the light transmittance is controlled to be binary or multivalued to obtain a desired image. In this case, as a pixel addressing method, either a multiplex method using a matrix electrode or an optical addressing method using a photoconductive film can be applied.
【００２０】本発明では、上記液晶素子における液晶と
して、表示素子の用途に応じて、種々のネマチック液晶
やスメクチック液晶を用いることができる。液晶の配向
制御がより重要である。カイラルスメクチック相を有
し、強誘電性を示す液晶を用いる場合、本発明の表示素
子の構成は、その透明電極の性能に起因して配向制御膜
の特性の均一性が向上する観点で特に有効である。In the present invention, various kinds of nematic liquid crystals and smectic liquid crystals can be used as the liquid crystal in the above liquid crystal element depending on the application of the display element. Alignment control of liquid crystal is more important. When a liquid crystal having a chiral smectic phase and exhibiting ferroelectricity is used, the structure of the display element of the present invention is particularly effective from the viewpoint of improving the uniformity of the characteristics of the alignment control film due to the performance of the transparent electrode. Is.
【００２１】また、本発明の表示素子は、一画素毎にス
イッチング素子（例えばＴＦＴ素子、ＭＩＭ素子等）を
設け、ネマチック液晶を媒体としたアクティブマトリク
ス型の液晶素子にも適用することができる。Further, the display element of the present invention can be applied to an active matrix type liquid crystal element using a nematic liquid crystal as a medium in which a switching element (for example, TFT element, MIM element, etc.) is provided for each pixel.
【００２２】以下に本発明の表示素子を適用した液晶素
子の具体的な構成例を図面を参照して説明する。A specific configuration example of a liquid crystal element to which the display element of the present invention is applied will be described below with reference to the drawings.
【００２３】図１は、本発明の強誘電性液晶層を有する
液晶素子の一例を示す断面概略図である。符号１は液晶
層、２はガラス基板、３は透明電極、４は絶縁性配向制
御層、５はスペーサー、８は偏光板、９は光源を示して
いる。FIG. 1 is a schematic sectional view showing an example of a liquid crystal element having a ferroelectric liquid crystal layer of the present invention. Reference numeral 1 is a liquid crystal layer, 2 is a glass substrate, 3 is a transparent electrode, 4 is an insulating orientation control layer, 5 is a spacer, 8 is a polarizing plate, and 9 is a light source.
【００２４】一対の対向する２枚のガラス基板２には、
上述したような酸化インジウム及び／又は酸化錫を主成
分とする、好ましくはＩＴＯ薄膜からなる透明電極３が
被覆されている。かかる透明電極は、画素形状に応じて
所定の形状にパターンニングされている。その上にポリ
イミドの様な高分子の薄膜をガーゼやアセテート植毛布
等でラビングして、液晶をラビング方向に並べる絶縁性
配向制御層４が形成されている。ここで配向制御層に用
いる絶縁物質として、例えばシリコン窒化物、水素を含
有するシリコン酸化物、シリコン酸化物、ホウ素窒化
物、水素を含有するホウ素窒化物、セリウム酸化物、ア
ルミニウム酸化物、ジルコニウム酸化物、チタン酸化
物、フッ化マグネシウム等の無機物質ポリビニルアルコ
ール、ポリイミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポ
リエステルイミド、ポリパラキシレン、ポリエステル、
ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビ
ニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セ
ルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリヤ樹脂、アクリル樹
脂やフォトレジスト樹脂等の有機絶縁物質を用いること
ができる。配向制御層４は、上述した無機物質絶縁物質
及び／又は有機絶縁物質２層で形成されていてもよく、
また無機物質絶縁性層あるいは有機物質絶縁性層単層で
あってもよい。この絶縁性配向制御層が無機系材料なら
ば蒸着法などで形成でき、有機系材料ならば有機絶縁物
質を溶解させた溶液、又はその前駆体溶液（溶剤に０．
１％〜２０重量％、好ましくは０．２〜１０重量％）を
用いて、スピナー塗布法、浸漬塗布法、スクリーン印刷
法、スプレー塗布法、ロール塗布法、ロール塗布法等で
塗布し、所定の硬化条件下（例えば加熱下）で硬化させ
形成されることができる。絶縁性配向制御層４の層厚は
通常１０Å〜１μｍ、好ましくは１０Å〜３０００Å、
更に好ましくは１０Å〜１０００Åが適している。この
２枚のガラス基板２はスペーサー５によって任意の間隔
に保たれている。例えば所定の直径を持つシリカビー
ズ、アルミナビーズをスペーサーとしてガラス基板２枚
で挟持し、周囲をシール剤、例えばエポキシ系接着剤を
用いて密封する方法がある。その他スペーサーとして高
分子フィルムやガラスファイバーを使用してもよい。こ
の２枚のガラス基板の間に液晶が封入され液晶層が形成
されている。The two glass substrates 2 facing each other are
As described above, the transparent electrode 3 containing indium oxide and / or tin oxide as a main component and preferably made of an ITO thin film is coated. The transparent electrode is patterned into a predetermined shape according to the pixel shape. On top of that, a thin film of a polymer such as polyimide is rubbed with a gauze, an acetate flocking cloth or the like, and an insulating orientation control layer 4 for arranging liquid crystals in the rubbing direction is formed. Here, as the insulating material used for the orientation control layer, for example, silicon nitride, silicon oxide containing hydrogen, silicon oxide, boron nitride, boron nitride containing hydrogen, cerium oxide, aluminum oxide, zirconium oxide. Substances, titanium oxide, inorganic substances such as magnesium fluoride polyvinyl alcohol, polyimide, polyimide, polyamide imide, polyester imide, polyparaxylene, polyester,
Organic insulating substances such as polycarbonate, polyvinyl acetal, polyvinyl chloride, polyvinyl acetate, polyamide, polystyrene, cellulose resin, melamine resin, urea resin, acrylic resin and photoresist resin can be used. The orientation control layer 4 may be formed of two layers of the above-mentioned inorganic insulating material and / or organic insulating material,
Further, it may be a single layer of an inorganic material insulating layer or an organic material insulating layer. If this insulating orientation control layer is an inorganic material, it can be formed by a vapor deposition method or the like, and if it is an organic material, a solution in which an organic insulating substance is dissolved or a precursor solution thereof (0.
1% to 20% by weight, preferably 0.2 to 10% by weight) and applied by spinner coating method, dip coating method, screen printing method, spray coating method, roll coating method, roll coating method, etc. It can be formed by curing under the curing conditions of (for example, under heating). The layer thickness of the insulating orientation control layer 4 is usually 10Å to 1 μm, preferably 10Å to 3000Å,
More preferably, 10Å to 1000Å are suitable. The two glass substrates 2 are kept at an arbitrary interval by a spacer 5. For example, there is a method in which silica beads and alumina beads having a predetermined diameter are sandwiched between two glass substrates as spacers, and the periphery is sealed with a sealant, for example, an epoxy adhesive. Alternatively, a polymer film or glass fiber may be used as the spacer. A liquid crystal is enclosed between the two glass substrates to form a liquid crystal layer.
【００２５】かかる液晶層１の液晶材料としては、上述
したようにネマチック液晶、スメクチック液晶、好まし
くはカイラルスメクチック相を呈する液晶、強誘電性を
示す液晶を用いることができる。As the liquid crystal material of the liquid crystal layer 1, as described above, nematic liquid crystal, smectic liquid crystal, preferably liquid crystal exhibiting a chiral smectic phase, and liquid crystal exhibiting ferroelectricity can be used.
【００２６】強誘電性で示す液晶を用いた場合、液晶層
１は、一般には０．５〜２０μｍ、好ましくは０．５〜
５μｍである。When a liquid crystal exhibiting ferroelectricity is used, the liquid crystal layer 1 generally has a thickness of 0.5 to 20 μm, preferably 0.5 to 20 μm.
5 μm.
【００２７】透明電極３からリード線によって外部の電
源７に接続されている。またガラス基板２の外側には偏
向板８が貼り合わせてある。かかる素子は透過型の素子
であり、光源９を備えている。The transparent electrode 3 is connected to an external power source 7 by a lead wire. A deflection plate 8 is attached to the outside of the glass substrate 2. Such an element is a transmissive element and includes a light source 9.
【００２８】尚、上述した構成の液晶素子では、少なく
とも一方の基板にＲ．Ｇ．Ｂ等の色要素からなるカラー
フィルター層並びにこれを被覆する平坦化層を設け、カ
ラー液晶表示素子とすることもできる。この場合、カラ
ーフィルター層は、好ましくは透明電極の下層に（より
基板側の層）設けられるが凹凸がより多く生じる為、上
層である透明電極に本発明のような表面平坦性に優れた
透明導電膜を用いることは、液晶の配向状態を向上させ
る点で好ましい。In the liquid crystal element having the above-mentioned structure, at least one substrate has an R.P. G. FIG. It is also possible to provide a color liquid crystal display element by providing a color filter layer composed of color elements such as B and a flattening layer covering the color filter layer. In this case, the color filter layer is preferably provided in the lower layer of the transparent electrode (the layer closer to the substrate), but since more irregularities are generated, the transparent electrode which is the upper layer is transparent with excellent surface flatness as in the present invention. The use of a conductive film is preferable from the viewpoint of improving the alignment state of liquid crystals.
【００２９】また、上述したような構成の液晶素子で
は、一方の基板において画素に対応し、透明電極に接続
したスイッチング素子好ましくはＴＦＴを設けることも
できる。Further, in the liquid crystal element having the above-mentioned structure, a switching element, preferably a TFT, corresponding to a pixel on one substrate and connected to a transparent electrode can be provided.
【００３０】[0030]
【実施例】以下、本発明の実施例に沿って更に詳細に説
明する。最初に結晶性、平坦性の評価方法について説明
する。EXAMPLES The present invention will be described in more detail below with reference to examples. First, a method of evaluating crystallinity and flatness will be described.
【００３１】（結晶性の評価方法）ガラス基板もしくは
Ｓｉウエハーに測定対象となるＩＴＯ膜を成膜し、これ
を３５ｍｍＸ５０ｍｍにカットし、Ｘ線回折により測定
を行った。(Crystallinity Evaluation Method) An ITO film to be measured was formed on a glass substrate or a Si wafer, which was cut into 35 mm × 50 mm and measured by X-ray diffraction.
【００３２】 [0032]
【００３３】（平坦性評価）表面形状を観察するべく、
ＩＴＯ膜表面をＳＥＭによる傾斜観察を行い、詳細には
原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて調べた。(Evaluation of Flatness) In order to observe the surface shape,
The surface of the ITO film was observed by tilting with an SEM, and details were examined using an atomic force microscope (AFM).
【００３４】 [0034]
【００３５】尚、粗さ測定に用いたＩＴＯ膜は高精度研
磨Ｓｉウエハー上に形成した。これはガラス基板は、表
面にうねりの成分を持っており、測定範囲が長い場合、
誤差の原因となるためである。The ITO film used for the roughness measurement was formed on a high precision polished Si wafer. This is because the glass substrate has a waviness component on the surface, and when the measurement range is long,
This is because it causes an error.
【００３６】（実験例１）以下、本発明の実験例１につ
いてのべる。(Experimental Example 1) An experimental example 1 of the present invention will be described below.
【００３７】比較のための従来の結晶性の高いＩＴＯ膜
を形成するプロセスをＡ法とし、本発明の対象となるＩ
ＴＯの成膜及び加熱処理を行うプロセスをＢ法とする。For comparison, the conventional process for forming an ITO film with high crystallinity is method A, and I is the object of the present invention.
A process for forming a TO film and performing heat treatment is referred to as a B method.
【００３８】Ａ法は、基板温度を２００℃以上にしてシ
ート抵抗値が最小となるように最適化された酸素／アル
ゴン混合比でスパッタされる結晶性より高いＩＴＯ成膜
法である。Ｂ法は、成膜において基板温度を１００℃以
下としたＩＴＯ成膜法である。The method A is an ITO film formation method which is higher in crystallinity and is sputtered at an oxygen / argon mixture ratio optimized so that the sheet resistance value is minimized at a substrate temperature of 200 ° C. or higher. Method B is an ITO film formation method in which the substrate temperature is 100 ° C. or lower in film formation.
【００３９】ここでいう酸素／アルゴン混合比は、成膜
装置の到達真空で表わされる真空の高さ、質、ターゲッ
トに含まれる酸素等量、水分、スパッタパワー密度によ
り、左右される量であり、単一の数値では規定出来な
い。The oxygen / argon mixing ratio here is an amount that depends on the height and quality of the vacuum represented by the ultimate vacuum of the film forming apparatus, the equivalent amount of oxygen contained in the target, the water content, and the sputtering power density. , It cannot be specified by a single numerical value.
【００４０】実際の実験は、日電アネルバ製のＩＬＣ−
７０５を下記の条件で行われた。The actual experiment was carried out by ILC-made by Nidec Anerva.
705 was performed under the following conditions.
【００４１】 Ｂ法の場合、成膜ののち２００度１時間の熱処理を行っ
た。[0041] In the case of method B, after film formation, heat treatment was performed at 200 ° C. for 1 hour.
【００４２】Ａ法、Ｂ法夫々により形成されたＩＴＯ膜
のＡＦＭ観察による結果を図２〜図５に示す（Ａ法：図
２，図３、Ｂ法：図４，図５）。The results of AFM observation of the ITO film formed by each of the A method and the B method are shown in FIGS. 2 to 5 (A method: FIG. 2, FIG. 3, B method: FIG. 4, FIG. 5).
【００４３】各図における（２１），（３１），（４
１），（５１）は、該当するＩＴＯ膜の表面の状態を示
し、（２４），（３４），（４４），（５４）は夫々平
面（２１），（３１），（４１），（５１）における線
（２２），（３２），（４２），（５２）に沿った断面
形状、（２５），（３５），（４５），（５５）は夫々
線（２３），（３３），（４３），（５３）に沿った断
面形状を示す。尚、これらの図は、ＡＦＭによる観察を
画像処理を施して得た精密に模写したもので断面構造の
映像（２４，２５，３４，３５，４４，４５，５４，５
５）については適切なスケールを設定している。(21), (31), (4) in each figure
1) and (51) show the surface state of the corresponding ITO film, and (24), (34), (44), and (54) are planes (21), (31), (41), and (41), respectively. The cross-sectional shape along the lines (22), (32), (42) and (52) in (51), (25), (35), (45) and (55) are lines (23) and (33), respectively. , (43), (53). It should be noted that these figures are images of cross-section structures (24, 25, 34, 35, 44, 45, 54, 5 which are precisely reproduced by subjecting AFM observations to image processing.
Regarding 5), an appropriate scale is set.
【００４４】これらの図より明らかな様に、Ｂ法により
得られたＩＴＯ膜は、面内の水平方向５００Å以下（２
００Å以上）の長さの範囲において断面方向での凹凸の
最大（ピークトウバレー）２０Å以下程度のレベルとな
っている。これに対し、Ａ法により形成されたＩＴＯ膜
は、上記同様の水平方向の範囲での凹凸が５０Åを超え
るレベルとなっている。As is apparent from these figures, the ITO film obtained by the B method has an in-plane horizontal direction of 500 Å or less (2
In the range of the length of 00 Å or more), the maximum level of the unevenness in the cross-sectional direction (peak toe valley) is about 20 Å or less. On the other hand, the ITO film formed by the A method has a level in which the unevenness in the same horizontal range as above exceeds 50 Å.
【００４５】Ａ法、Ｂ法それぞれで形成されたＩＴＯ膜
表面のＳＥＭ像（顕微鏡写真）、Ｘ線回折チャート、を
それぞれ図６、図７（Ａ法）、図８、図９（Ｂ法）に示
す。SEM images (micrographs) and X-ray diffraction charts of the surface of the ITO film formed by the method A and the method B are shown in FIGS. 6, 7 (A method), 8 and 9 (method B), respectively. Shown in.
【００４６】図８より、Ｂ法で形成されたＩＴＯ膜表面
がＡ法で形成されたＩＴＯ膜表面に比べて平坦性に優れ
ることが明らかである。From FIG. 8, it is clear that the surface of the ITO film formed by the B method is superior in flatness to the surface of the ITO film formed by the A method.
【００４７】Ｘ線回折チャート等の結果よりＢ法によ
り、アモルファスを含むＩＴＯ膜が形成され、結晶の粗
大化及びそれに伴う粗れが抑制され、表面平坦性が向上
したことがわかった。またかかるＩＴＯ膜において、成
膜直後高かったシート抵抗値低かった光学透過率は、ア
ニール熱処理により各々１２０Ω／ｃｍ2が４０Ω／ｃ
ｍ2となり、５００ｎｍの透過率が８０％が８９％と向
上した。From the results of the X-ray diffraction chart and the like, it was found that the ITO film containing amorphous was formed by the B method, the coarsening of the crystal and the accompanying coarseness were suppressed, and the surface flatness was improved. Further, in such an ITO film, the sheet transmittance value which was high immediately after the film formation was low and the optical transmittance which was 120 Ω / cm 2 was 40 Ω / c by annealing heat treatment.
m 2, and the is 500nm transmittance of 80% and improved 89%.
【００４８】ここでＩＴＯの膜厚は８００Åである。Here, the film thickness of ITO is 800Å.
【００４９】以上、本発明に相当する液晶素子では（Ｂ
法）表面平坦性に優れ、アニールにより低抵抗かつ高透
過率を示す透明電極が形成されている。また、Ｂ法では
成膜後アニールを行う前は通常より弱い酸でウエットエ
ッチングを行いパターン形成することが可能であること
も確認された。この例では、Ａ法による成膜後のＩＴＯ
膜に比較してＢ法により成膜された（アニール前）ＩＴ
Ｏ膜は、同じエッチング液であれば約１／５の時間でエ
ッチング可能で、同じ時間であれば約半分の濃度の酸濃
度で良いということがわかった。As described above, in the liquid crystal element corresponding to the present invention, (B
Method) A transparent electrode having excellent surface flatness and low resistance and high transmittance is formed by annealing. It was also confirmed that in the method B, it is possible to form a pattern by performing wet etching with a weaker acid than usual before the annealing after the film formation. In this example, ITO after film formation by method A
IT formed by the B method compared to the film (before annealing)
It was found that the O film can be etched in about 1/5 of the time with the same etching solution, and the acid concentration of about half the concentration can be used for the same time.
【００５０】続いて、基板中心部をパターニングにより
除いたアルミ配線層が設けられた高精度研磨ガラスに、
Ａ法，Ｂ法による透明電極としてＩＴＯを成膜した基板
を各２枚作成した。これらの基板（透明電極上に）にポ
リイミド配向膜ＬＱ−１８００（日立化成社製）を１０
ｎｍ形成しナイロン布を用いてラビングを行い、スペー
サーを介して、張り合せ、液晶を注入したのち、封止し
た。液晶材料にはメルク社製の強誘電性液晶ＺＬＩ４５
２５をもちいた。Then, a high-precision polished glass provided with an aluminum wiring layer in which the central portion of the substrate was removed by patterning,
Two substrates each having an ITO film formed as a transparent electrode by the method A and the method B were prepared. A polyimide alignment film LQ-1800 (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was formed on each of these substrates (on the transparent electrode).
nm, rubbing was performed using a nylon cloth, the substrates were bonded through a spacer, liquid crystal was injected, and then sealed. Ferroelectric liquid crystal ZLI45 manufactured by Merck Ltd. is used as the liquid crystal material.
I used 25.
【００５１】このようにして得られたセルの対向する透
明電極間に電圧をかけ液晶をスイッチングさせ、その配
向状態のミクロな均一性を見たところ、Ａ法により形成
したＩＴＯ膜を有するセルには配向欠陥がみられたが、
Ｂ法により形成したセルには、配向欠陥は見られなかっ
た。A voltage was applied between the transparent electrodes facing each other of the cell thus obtained to switch the liquid crystal, and the microscopic uniformity of the alignment state was observed. As a result, it was confirmed that the cell having the ITO film formed by the method A was found. Orientation defects were observed,
No alignment defect was found in the cell formed by the B method.
【００５２】（実験例２）実施例１と同様に、さらにア
モルファス度を高めた本発明の最も優れた例について述
べる。実施例１と同様にして、成膜は日電アネルバ製Ｉ
ＬＣ−３９４９により行われた。今回の製法をＣ法と呼
び、以下に条件を示す。(Experimental Example 2) Similar to Example 1, the most excellent example of the present invention in which the degree of amorphousness is further increased will be described. In the same manner as in Example 1, the film formation was performed by Nichiden Anelva I
Performed by LC-3949. This manufacturing method is called C method, and the conditions are shown below.
【００５３】 [0053]
【００５４】この方法により得られたＩＴＯ膜のＳＥＭ
像を、図７に、Ｘ線回折のチャートを図１１に示す。SEM of ITO film obtained by this method
The image is shown in FIG. 7, and the X-ray diffraction chart is shown in FIG.
【００５５】図１１より、Ｃ法で形成されたＩＴＯ膜表
面の平坦化がなされていることが明らかである。From FIG. 11, it is clear that the surface of the ITO film formed by the C method is flattened.
【００５６】これらの結果より結晶の粗大化を抑えた。
微細な粒状のアモルファス化された、表面が平坦なＩＴ
Ｏ膜が形成されたことが確認された。このＣ法により得
られたＩＴＯ膜は、Ｂ法のＩＴＯ膜をさらに結晶成分を
減らし、平坦化を進めたものである。From these results, the coarsening of crystals was suppressed.
Fine-grained amorphous IT with flat surface
It was confirmed that an O film was formed. The ITO film obtained by the C method is a film obtained by further flattening the ITO film of the B method by further reducing the crystal component.
【００５７】このＣ法により成膜されたＩＴＯ膜を有す
る基板と、Ａ，Ｂ法により得られＩＴＯ膜を有する基板
を準備し、夫々５０Åのポリイミド系配向膜（日立化成
製ＬＱ１８００）を形成し、ナイロンにてラビンクを行
い、スペーサーを介して張り合せた。かかるセルにこれ
にフッ素系カイラルパートを有する光学活性化合物を含
む強誘電性液晶を注入し、封止した。A substrate having an ITO film formed by the C method and a substrate having an ITO film obtained by the A and B methods were prepared, and polyimide alignment films (LQ1800 manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) of 50 L each were formed. Rabink was performed with nylon, and the pieces were attached via a spacer. Ferroelectric liquid crystal containing an optically active compound having a fluorine-based chiral part was injected into this cell and sealed.
【００５８】こうして得られた３種の素子の配向形態を
みたところ、Ｃ＜Ｂ＜Ａの順に配向欠陥が少ない優れた
素子であった。The alignment morphology of the thus obtained three types of elements was observed, and it was an excellent element with few alignment defects in the order of C <B <A.
【００５９】これらの結果より、アモルファス成分を含
む平坦性に優れたＩＴＯ膜を用いることにより配向欠陥
の少ない表示素子を作成出来ることが認識される。From these results, it is recognized that a display element with few alignment defects can be prepared by using an ITO film containing an amorphous component and excellent in flatness.
【００６０】（実験例３）実験例２で示したＣ法による
ＩＴＯの成膜法を用いてガラス基板上に以下に示す積層
構造を形成した。(Experimental Example 3) The following laminated structure was formed on a glass substrate using the ITO film forming method by the C method shown in Experimental Example 2.
【００６１】 高精度研磨ガラス １．１ｍｍ ブラックマトリクス １０００Å カラーフィルター １．５ミクロン 高分子平坦化層 １．５ミクロン ＩＴＯ ８００Å 金属配線層 ２０００Å 絶縁層ＴａＯ ９００Å 配向膜（ＬＱ１８００） １００ÅHigh-precision polishing glass 1.1 mm Black matrix 1000 Å Color filter 1.5 micron Polymer flattening layer 1.5 micron ITO 800 Å Metal wiring layer 2000 Å Insulating layer TaO 900 Å Alignment film (LQ1800) 100 Å
【００６２】上記基板に対してカラーフィルター、平坦
化層を除いた同様の積層構造を形成した対向基板をスペ
ーサーを介して貼り合わせ、セルを形成した。かかるセ
ルにフッ素カイラルパートを有する光学活性化合物を含
む強誘電性液晶を注入し、封止した。A counter substrate having the same laminated structure excluding the color filter and the flattening layer was bonded to the above substrate through a spacer to form a cell. Ferroelectric liquid crystal containing an optically active compound having a fluorine chiral part was injected into this cell and sealed.
【００６３】このようにして得られた素子（パネル）を
パネル１として、同様にしてＢ法により成膜したＩＴＯ
膜を用いた素子をパネル２とする。パネル１、２を、電
極に電圧印加しスイッチグさせて配向状態を比較したと
ころ、パネル１より配向欠陥が少なく優れていた。The element (panel) thus obtained is used as panel 1 and ITO film is similarly formed by the method B.
The element using the film is referred to as panel 2. When the panels 1 and 2 were switched by applying a voltage to the electrodes to switch the alignment state, it was superior to the panel 1 with few alignment defects.
【００６４】尚、ここでＣ法によるＩＴＯ膜は成膜後、
エッチング性に富むうちにフォトリソグラフによるパタ
ーニングを行い、その後に２００度１時間のアニールに
より、シート抵抗の低減化、光学透過率の向上を達成し
ている。このアニール処理により、光学透過率は５００
ｎｍで８２％から８９％へと上昇し、シート抵抗値は９
０Ω／ｃｍ2から３０Ω／ｃｍ2へと減少し、より理想的
な透明電極となっていた。Here, after forming the ITO film by the C method,
Patterning is performed by photolithography while the etching property is high, and then annealing is performed at 200 ° C. for 1 hour to reduce the sheet resistance and improve the optical transmittance. The optical transmittance is 500 by this annealing treatment.
nm rises from 82% to 89%, and sheet resistance is 9
It decreased from 0 Ω / cm 2 to 30 Ω / cm 2 , and it became a more ideal transparent electrode.
【００６５】本発明におけるアモルファスと結晶性につ
いて言及している部分を、普遍的な評価とするため、そ
の量の目安として標準ＳｉパウダーのＸ線回折のチャー
トを図１２に示す。チャートから３０°入射のＸ線回折
において、Ｓｉパウダーは、６００００ｃｐｓのピーク
を持つ。これに対し、ＩＴＯの結晶成分は２００００〜
３００００ｃｐｓ程度のピークをもつ。In order to universally evaluate the portions of the present invention which mention amorphous and crystalline, an X-ray diffraction chart of standard Si powder is shown in FIG. 12 as a standard of the amount. From the chart, Si powder has a peak of 60,000 cps in X-ray diffraction at 30 ° incidence. On the other hand, the crystal component of ITO is 20000
It has a peak of about 30,000 cps.
【００６６】本発明で適用するＩＴＯは、約１０００〜
２０００ｃｐｓのハローピークをもち、結晶ピークは５
０００ｃｐｓ以下のＩＴＯ（２２２）ピークとなる。The ITO applied in the present invention is about 1000-
It has a halo peak of 2000 cps and a crystal peak of 5
The ITO (222) peak is 000 cps or less.
【００６７】このＩＴＯ結晶ピーク強度は、膜厚１００
０ｎｍ程度までは膜厚に比例した大きさとなり、それ以
上の膜厚では飽和してくる。今回の上記の値は比例して
いる範囲に含まれ、ＩＴＯ膜厚１００ｎｍ以下程度を示
している。膜厚が変わった場合も、飽和するまではピー
ク強度と比例していると考えればよい。The ITO crystal peak intensity is 100
The size is proportional to the film thickness up to about 0 nm, and becomes saturated at a film thickness larger than that. The above-mentioned value of this time is included in the proportional range, and shows the ITO film thickness of about 100 nm or less. Even when the film thickness is changed, it can be considered that it is proportional to the peak intensity until it is saturated.
【００６８】[0068]
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
特定の表面凹凸状態を有する酸化インジウム及び／又は
酸化錫を主成分とする透明導電膜、特にＩＴＯ膜を用い
て、表面平坦性が達成され、更に必要に応じてアニール
処理等を適用して光透過率、シート抵抗値が改善された
表面電極を有する、優れた表示特性を有する表示素子が
提供される。As described in detail above, according to the present invention,
Surface flatness is achieved by using a transparent conductive film containing indium oxide and / or tin oxide as a main component having a specific surface irregularity state, particularly an ITO film. Provided is a display element having a surface electrode having improved transmittance and sheet resistance, which has excellent display characteristics.
【図１】本発明の一実施態様になる液晶素子の構成概略
を示す断面図。FIG. 1 is a sectional view showing a schematic configuration of a liquid crystal element according to an embodiment of the present invention.
【図２】実施例におけるＡ法で形成したＩＴＯ膜をＡＦ
Ｍ分析により評価した結果を示す模式図（５００Å×５
００Å）。FIG. 2 is a diagram showing an ITO film formed by a method A in Example as an AF film.
Schematic diagram showing the result of evaluation by M analysis (500Å × 5
00Å).
【図３】実施例におけるＡ法で形成したＩＴＯ膜をＡＦ
Ｍ分析により評価した結果を示す模式図（５０００Å×
５０００Å）。FIG. 3 is a diagram showing an ITO film formed by a method A in an example, which is subjected to AF.
Schematic diagram showing the results evaluated by M analysis (5000Å ×
5000Å).
【図４】実施例におけるＢ法で形成したＩＴＯ膜をＡＦ
Ｍ分析により評価した結果を示す模式図（５００Å×５
００Å）。FIG. 4 is a diagram showing an ITO film formed by a method B in the embodiment as AF.
Schematic diagram showing the result of evaluation by M analysis (500Å × 5
00Å).
【図５】実施例におけるＢ法で形成したＩＴＯ膜をＡＦ
Ｍ分析により評価した結果を示す模式図（５０００Å×
５０００Å）。FIG. 5 is a schematic diagram showing an ITO film formed by a method B in an example, which is subjected to AF.
Schematic diagram showing the results evaluated by M analysis (5000Å ×
5000Å).
【図６】実施例におけるＡ法において形成したＩＴＯ膜
の表面形状を示す電子顕微鏡写真。FIG. 6 is an electron micrograph showing the surface shape of the ITO film formed by method A in the example.
【図７】実施例におけるＡ法において形成したＩＴＯ膜
のＸ線回折チャート。FIG. 7 is an X-ray diffraction chart of the ITO film formed by method A in the example.
【図８】実施例におけるＢ法において形成したＩＴＯ膜
の表面形状を示す電子顕微鏡写真。FIG. 8 is an electron micrograph showing the surface shape of the ITO film formed by method B in the examples.
【図９】実施例におけるＢ法において形成したＩＴＯ膜
のＸ線回折チャート。FIG. 9 is an X-ray diffraction chart of the ITO film formed by method B in the example.
【図１０】実施例におけるＣ法において形成したＩＴＯ
膜の表面形状を示す電子顕微鏡写真。FIG. 10: ITO formed by the C method in Examples
An electron micrograph showing the surface shape of the film.
【図１１】実施例におけるＣ法において形成したＩＴＯ
膜のＸ線回折チャート。FIG. 11: ITO formed by the C method in the example
X-ray diffraction chart of the film.
【図１２】結晶性評価の基準となる標準Ｓｉパウダーの
Ｘ線回折チャート。FIG. 12 is an X-ray diffraction chart of standard Si powder used as a reference for crystallinity evaluation.
１ 液晶層 ２ ガラス基板 ３ 透明電極 ４ 配向制御層 ５ スペーサー ８ 偏光板 ９ 光源 1 Liquid Crystal Layer 2 Glass Substrate 3 Transparent Electrode 4 Alignment Control Layer 5 Spacer 8 Polarizing Plate 9 Light Source
Claims (4)
であって、該表示電極が、面内での水平方向長さ２００
〜５００Åの範囲における凹凸の最大幅が３０Å以下で
ある表面を有する酸化インジウム及び／又は酸化錫を主
成分とする透明導電膜透明導電膜であることを特徴とす
る表示素子。1. A display element having a substrate having display electrodes, wherein the display electrodes have a horizontal length of 200 in a plane.
A display element, which is a transparent conductive film containing indium oxide and / or tin oxide as a main component and having a surface having a maximum width of irregularities of 30 Å or less in a range of up to 500 Å.
晶を挟持し、該液晶に所定の電圧を印加して液晶の配向
状態を制御して表示画像を形成する請求項１記載の表示
素子。2. The display according to claim 1, wherein a liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates having the display electrodes, and a predetermined voltage is applied to the liquid crystal to control the alignment state of the liquid crystal to form a display image. element.
呈する液晶である請求項１記載の表示素子。3. The display element according to claim 1, wherein the liquid crystal is a liquid crystal exhibiting a chiral smectic phase.
ラー表示素子である請求項１記載の表示素子。4. The display device according to claim 1, which is a color display device having a color filter layer on the substrate.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7353474A JPH09185062A (en) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | Display element |
| EP96309541A EP0782039A3 (en) | 1995-12-27 | 1996-12-24 | Display device and process for producing same |
| US08/773,897 US6310674B1 (en) | 1995-12-27 | 1996-12-27 | Method of making a display device with electrode characteristics |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7353474A JPH09185062A (en) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | Display element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09185062A true JPH09185062A (en) | 1997-07-15 |
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ID=18431098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7353474A Pending JPH09185062A (en) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | Display element |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JPH09185062A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004311418A (en) * | 2003-03-25 | 2004-11-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Display device and its manufacturing method |
| KR100805210B1 (en) * | 2000-07-19 | 2008-02-21 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | Substrate having electrode attached thereto and method for preparation thereof |
| US8054397B2 (en) | 2003-03-25 | 2011-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| JP2020060670A (en) * | 2018-10-10 | 2020-04-16 | セイコーエプソン株式会社 | Liquid crystal device, and electronic apparatus |
-
1995
- 1995-12-27 JP JP7353474A patent/JPH09185062A/en active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100805210B1 (en) * | 2000-07-19 | 2008-02-21 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | Substrate having electrode attached thereto and method for preparation thereof |
| JP2004311418A (en) * | 2003-03-25 | 2004-11-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Display device and its manufacturing method |
| US8054397B2 (en) | 2003-03-25 | 2011-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| JP2011243592A (en) * | 2003-03-25 | 2011-12-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Display device |
| US8432505B2 (en) | 2003-03-25 | 2013-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| JP2020060670A (en) * | 2018-10-10 | 2020-04-16 | セイコーエプソン株式会社 | Liquid crystal device, and electronic apparatus |
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