JPH0918232A - マイクロ波発振器 - Google Patents
マイクロ波発振器Info
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- JPH0918232A JPH0918232A JP16049595A JP16049595A JPH0918232A JP H0918232 A JPH0918232 A JP H0918232A JP 16049595 A JP16049595 A JP 16049595A JP 16049595 A JP16049595 A JP 16049595A JP H0918232 A JPH0918232 A JP H0918232A
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- JP
- Japan
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- output signal
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- output
- microwave oscillator
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はマイクロ波発振器に関し、簡単な構
成で高調波成分を有効に抑圧できるマイクロ波発振器の
提供を目的とする。 【構成】 背面に接地導体１を有する誘電体基板２上
に、導体ストリップ、半導体素子等を実装して成るマイ
クロ波発振器において、所望周波数ｆで発振する発振回
路１０と、発振回路１０に接続した出力スタブ３2 とを
備え、出力スタブ３ 2 のオープン端から所望発振周波数
ｆのｎ倍周波数ｎｆにおけるλ／４長となる位置より出
力信号を取り出すように構成する。好ましくは、出力信
号をカップリングコンデンサ素子を介して、又は出力ス
タブ３2 の長手方向一部端面と信号取出用導体ストリッ
プ３3 の一部端面との間に形成した間隔の狭いパターン
ギャップを介して、又は出力スタブ３2 上面の一部より
誘電体層を介して取り出す。また、出力スタブ３2 の長
手方向において出力信号の取出位置を変えることにより
出力信号レベルの調整を行う。
成で高調波成分を有効に抑圧できるマイクロ波発振器の
提供を目的とする。 【構成】 背面に接地導体１を有する誘電体基板２上
に、導体ストリップ、半導体素子等を実装して成るマイ
クロ波発振器において、所望周波数ｆで発振する発振回
路１０と、発振回路１０に接続した出力スタブ３2 とを
備え、出力スタブ３ 2 のオープン端から所望発振周波数
ｆのｎ倍周波数ｎｆにおけるλ／４長となる位置より出
力信号を取り出すように構成する。好ましくは、出力信
号をカップリングコンデンサ素子を介して、又は出力ス
タブ３2 の長手方向一部端面と信号取出用導体ストリッ
プ３3 の一部端面との間に形成した間隔の狭いパターン
ギャップを介して、又は出力スタブ３2 上面の一部より
誘電体層を介して取り出す。また、出力スタブ３2 の長
手方向において出力信号の取出位置を変えることにより
出力信号レベルの調整を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波発振器に関
し、更に詳しくは背面に接地導体を有する誘電体基板上
に、導体ストリップ、半導体素子等を実装して成るマイ
クロ波発振器に関する。この種のマイクロ波発振器は、
光伝送装置のクロック源、マイクロ波やミリ波帯のＦＭ
変調器、マイクロ波多重無線装置の局部発振器等に広く
利用され、発振出力の一層の安定化及び歪みの低減化が
望まれる。更に、近年の携帯機器の普及に伴い、デバイ
スの一層の小型化、低価格化も望まれる。
し、更に詳しくは背面に接地導体を有する誘電体基板上
に、導体ストリップ、半導体素子等を実装して成るマイ
クロ波発振器に関する。この種のマイクロ波発振器は、
光伝送装置のクロック源、マイクロ波やミリ波帯のＦＭ
変調器、マイクロ波多重無線装置の局部発振器等に広く
利用され、発振出力の一層の安定化及び歪みの低減化が
望まれる。更に、近年の携帯機器の普及に伴い、デバイ
スの一層の小型化、低価格化も望まれる。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来のマイクロ波発振器を示す図
である。このマイクロ波発振器は、背面に接地導体１を
有する誘電体基板２上に、導体ストリップ３、誘電体共
振器ＤＲ、半導体素子（ＧａＡｓＦＥＴ，Ｓｉトランジ
スタ）等を実装した分布定数形マイクロ波回路として実
現される。
である。このマイクロ波発振器は、背面に接地導体１を
有する誘電体基板２上に、導体ストリップ３、誘電体共
振器ＤＲ、半導体素子（ＧａＡｓＦＥＴ，Ｓｉトランジ
スタ）等を実装した分布定数形マイクロ波回路として実
現される。
【０００３】例えばＦＥＴのゲートＧに接続したストリ
ップライン３1 と誘電体共振器ＤＲにより発振回路を構
成する。ストリップライン３1 には高Ｑの誘電体共振器
ＤＲが磁気的に結合しており、高い周波数安定度を得て
いる。更に、電圧により容量変化するバラクタダイオー
ドＶＤと、分布定数的に誘導素子となるストリップライ
ン３4 とから成るＬＣ回路を誘電体共振器ＤＲに磁気的
に結合させ、全体として電圧制御発振器ＶＣＯとしてい
る。
ップライン３1 と誘電体共振器ＤＲにより発振回路を構
成する。ストリップライン３1 には高Ｑの誘電体共振器
ＤＲが磁気的に結合しており、高い周波数安定度を得て
いる。更に、電圧により容量変化するバラクタダイオー
ドＶＤと、分布定数的に誘導素子となるストリップライ
ン３4 とから成るＬＣ回路を誘電体共振器ＤＲに磁気的
に結合させ、全体として電圧制御発振器ＶＣＯとしてい
る。
【０００４】発振出力信号は、ＦＥＴのドレインＤから
取り出すが、従来は、ｌ＝λ／４長のオープン（出力）
スタブ３2 と、アイソレータ（ＩＳＬ）４に接続した信
号取出用ストリップライン３3 とを図示の如く狭い間隔
ｓで平行（カップリング）させ、所謂結合ストリップ線
路による方法で出力信号を取り出していた。出力信号レ
ベルは間隔ｓにより調整可能であり、間隔ｓを小さくす
れば大きくなり、間隔ｓを大きくすれば小さくなる。
取り出すが、従来は、ｌ＝λ／４長のオープン（出力）
スタブ３2 と、アイソレータ（ＩＳＬ）４に接続した信
号取出用ストリップライン３3 とを図示の如く狭い間隔
ｓで平行（カップリング）させ、所謂結合ストリップ線
路による方法で出力信号を取り出していた。出力信号レ
ベルは間隔ｓにより調整可能であり、間隔ｓを小さくす
れば大きくなり、間隔ｓを大きくすれば小さくなる。
【０００５】更に、出力信号に含まれる高調波成分を除
去するため、出力端にローパスフィルタ（ＬＰＦ）５を
接続していた。
去するため、出力端にローパスフィルタ（ＬＰＦ）５を
接続していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来のよ
うに出力信号を結合ストリップ線路により取り出す方法
であると、所望発振周波数成分ｆと共にその高調波成分
２ｆ，３ｆ等も同時に取り出され、出力信号が歪むと言
う問題があった。なお、出力端のローパスフィルタ５に
より高調波成分を除去できるが、回路規模が大きくな
り、デバイスの小型化、低価格化の妨げとなる。
うに出力信号を結合ストリップ線路により取り出す方法
であると、所望発振周波数成分ｆと共にその高調波成分
２ｆ，３ｆ等も同時に取り出され、出力信号が歪むと言
う問題があった。なお、出力端のローパスフィルタ５に
より高調波成分を除去できるが、回路規模が大きくな
り、デバイスの小型化、低価格化の妨げとなる。
【０００７】本発明の目的は、簡単な構成で高調波成分
を有効に抑圧できるマイクロ波発振器を提供することに
ある。
を有効に抑圧できるマイクロ波発振器を提供することに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題は図１の構成
により解決される。即ち、本発明のマイクロ波発振器
は、背面に接地導体１を有する誘電体基板２上に、導体
ストリップ、半導体素子等を実装して成るマイクロ波発
振器において、所望周波数ｆで発振する発振回路１０
と、発振回路１０に接続した出力スタブ３2 とを備え、
出力スタブ３2 のオープン端から所望発振周波数ｆのｎ
倍周波数ｎｆにおけるλ／４長となる位置より出力信号
を取り出すように構成したものである。
により解決される。即ち、本発明のマイクロ波発振器
は、背面に接地導体１を有する誘電体基板２上に、導体
ストリップ、半導体素子等を実装して成るマイクロ波発
振器において、所望周波数ｆで発振する発振回路１０
と、発振回路１０に接続した出力スタブ３2 とを備え、
出力スタブ３2 のオープン端から所望発振周波数ｆのｎ
倍周波数ｎｆにおけるλ／４長となる位置より出力信号
を取り出すように構成したものである。
【０００９】
【作用】図において、発振回路１０には所望発振周波数
ｆでλ／４長となるようなオープン（出力）スタブ３2
が接続されている。このような出力スタブ３2 には定在
波が形成され、開放端における電圧振幅Ｖが最も高い。
図に発振周波数ｆ及びその２〜４倍周波数２ｆ〜４ｆに
対する各定在波を示す。但し、開放端における電圧振幅
Ｖを１に正規化して示している。
ｆでλ／４長となるようなオープン（出力）スタブ３2
が接続されている。このような出力スタブ３2 には定在
波が形成され、開放端における電圧振幅Ｖが最も高い。
図に発振周波数ｆ及びその２〜４倍周波数２ｆ〜４ｆに
対する各定在波を示す。但し、開放端における電圧振幅
Ｖを１に正規化して示している。
【００１０】マイクロ波理論によれば、ｆ成分は開放端
からの距離ｄ＝０でＶ＝１、かつｄ＝λ／４でＶ＝０で
ある。また２ｆ成分はｄ＝０でＶ＝１、かつｄ＝λ／８
（２ｆについてはλ／４）の位置でＶ＝０である。更に
３ｆ成分はｄ＝０でＶ＝１、かつｄ＝λ／１２（３ｆに
ついてはλ／４）の位置でＶ＝０である。以下、同様で
ある。
からの距離ｄ＝０でＶ＝１、かつｄ＝λ／４でＶ＝０で
ある。また２ｆ成分はｄ＝０でＶ＝１、かつｄ＝λ／８
（２ｆについてはλ／４）の位置でＶ＝０である。更に
３ｆ成分はｄ＝０でＶ＝１、かつｄ＝λ／１２（３ｆに
ついてはλ／４）の位置でＶ＝０である。以下、同様で
ある。
【００１１】本発明（１）においては、出力スタブ３2
のオープン端から所望発振周波数ｆのｎ倍周波数ｎｆに
おけるλ／４長となる位置より出力信号を取り出す。従
って、ｆ線分を抽出できると共に所望の高調波成分を抑
圧できる。例えば２ｆ成分を抑圧したい場合は、オープ
ン端から２ｆについてのλ／４長となる位置ｄ2 より出
力信号を取り出す。この位置では２ｆ成分のＶ＝０であ
り、もって２ｆ成分の出力を抑圧できる。図示しない
が、同時に６ｆ成分も抑圧できる。
のオープン端から所望発振周波数ｆのｎ倍周波数ｎｆに
おけるλ／４長となる位置より出力信号を取り出す。従
って、ｆ線分を抽出できると共に所望の高調波成分を抑
圧できる。例えば２ｆ成分を抑圧したい場合は、オープ
ン端から２ｆについてのλ／４長となる位置ｄ2 より出
力信号を取り出す。この位置では２ｆ成分のＶ＝０であ
り、もって２ｆ成分の出力を抑圧できる。図示しない
が、同時に６ｆ成分も抑圧できる。
【００１２】また、例えば３ｆ成分を抑圧したい場合
は、オープン端から３ｆについてのλ／４長となる位置
ｄ3 より出力信号を取り出す。この位置では３ｆ成分の
Ｖ＝０であり、もって３ｆ成分の出力を抑圧できる。図
示しないが、同時に９ｆ成分も抑圧できる。以下、同様
である。従って、簡単な構成により所望の高調波成分を
有効に抑圧でき、出力端よりローパスフィルタを削除で
きる。またこれによりデバイスの小型化、低価格化が図
れる。
は、オープン端から３ｆについてのλ／４長となる位置
ｄ3 より出力信号を取り出す。この位置では３ｆ成分の
Ｖ＝０であり、もって３ｆ成分の出力を抑圧できる。図
示しないが、同時に９ｆ成分も抑圧できる。以下、同様
である。従って、簡単な構成により所望の高調波成分を
有効に抑圧でき、出力端よりローパスフィルタを削除で
きる。またこれによりデバイスの小型化、低価格化が図
れる。
【００１３】好ましくは、図２（Ａ），図３（Ａ）に示
す様に、出力信号を集中定数形のカップリングコンデン
サ素子６を介して取り出す。また好ましくは、図２
（Ｂ），（Ｃ）に示す様に、出力信号を出力スタブ３2
の長手方向一部端面と信号取出用導体ストリップ３3 の
一部端面との間に形成した間隔ｓの狭いパターンギャッ
プ７を介して取り出す。
す様に、出力信号を集中定数形のカップリングコンデン
サ素子６を介して取り出す。また好ましくは、図２
（Ｂ），（Ｃ）に示す様に、出力信号を出力スタブ３2
の長手方向一部端面と信号取出用導体ストリップ３3 の
一部端面との間に形成した間隔ｓの狭いパターンギャッ
プ７を介して取り出す。
【００１４】また好ましくは、図３（Ｂ）に示す様に、
出力信号を出力スタブ３2 上面の一部より誘電体層４２
を介して導体４１より取り出す。また好ましくは、図１
において、出力スタブ３2 の長手方向において出力信号
の取出位置を変えることにより出力信号レベルの調整を
行う。例えば出力スタブ３2 のオープン端から略ｄ2 の
距離より出力信号を取り出す場合を考える。ｆ成分につ
いては距離ｄ2 を大にすると出力レベルが減少し、逆に
距離ｄ2 を小にすると出力レベルが増す傾向にある。一
方、抑圧対象の２ｆ成分についてはこの範囲でＶ≒０で
ある。従って、出力信号の取出位置を左右にずらすこと
で、出力信号レベルの調整を行える。
出力信号を出力スタブ３2 上面の一部より誘電体層４２
を介して導体４１より取り出す。また好ましくは、図１
において、出力スタブ３2 の長手方向において出力信号
の取出位置を変えることにより出力信号レベルの調整を
行う。例えば出力スタブ３2 のオープン端から略ｄ2 の
距離より出力信号を取り出す場合を考える。ｆ成分につ
いては距離ｄ2 を大にすると出力レベルが減少し、逆に
距離ｄ2 を小にすると出力レベルが増す傾向にある。一
方、抑圧対象の２ｆ成分についてはこの範囲でＶ≒０で
ある。従って、出力信号の取出位置を左右にずらすこと
で、出力信号レベルの調整を行える。
【００１５】
【実施例】以下、添付図面に従って本発明による実施例
を詳細に説明する。なお、全図を通して同一符号は同一
又は相当部分を示すものとする。図２は実施例のマイク
ロ波発振器を説明する図（１）で、図２（Ａ）は集中定
数回路素子のカップリングコンデンサにより出力信号を
取り出す場合を示している。
を詳細に説明する。なお、全図を通して同一符号は同一
又は相当部分を示すものとする。図２は実施例のマイク
ロ波発振器を説明する図（１）で、図２（Ａ）は集中定
数回路素子のカップリングコンデンサにより出力信号を
取り出す場合を示している。
【００１６】この例では、所望発振周波数ｆのλ／４長
を有する出力スタブ３2 の略中央側面に信号取出用スト
リップライン３3 を設け、両者の間をカップリング用チ
ップコンデンサ６により接続している。これによりｆ成
分を取り出し、かつ２ｆ成分を有効に抑圧できる。ま
た、カップリングコンデンサ６の容量値を変えることに
より、２ｆ成分を抑圧したままでｆ成分の結合量を調整
できる。即ち、コンデンサ６の容量値を大きくすればｆ
成分の出力信号レベルが大きくなり、容量値を小さくす
ればｆ成分の出力信号レベルが小さくなる。
を有する出力スタブ３2 の略中央側面に信号取出用スト
リップライン３3 を設け、両者の間をカップリング用チ
ップコンデンサ６により接続している。これによりｆ成
分を取り出し、かつ２ｆ成分を有効に抑圧できる。ま
た、カップリングコンデンサ６の容量値を変えることに
より、２ｆ成分を抑圧したままでｆ成分の結合量を調整
できる。即ち、コンデンサ６の容量値を大きくすればｆ
成分の出力信号レベルが大きくなり、容量値を小さくす
ればｆ成分の出力信号レベルが小さくなる。
【００１７】また、カップリングコンデンサ６の容量値
を変えなくても、その実装位置を変えれば、２ｆ成分を
抑圧したままでｆ成分の出力信号レベルを調整できる。
即ち、図１で説明したように、コンデンサ６を中央より
少し右側にずらしてつければｆ成分の出力信号レベルは
増し、逆に中央より少し左側にずらしてつければｆ成分
の出力信号レベルは減少する。
を変えなくても、その実装位置を変えれば、２ｆ成分を
抑圧したままでｆ成分の出力信号レベルを調整できる。
即ち、図１で説明したように、コンデンサ６を中央より
少し右側にずらしてつければｆ成分の出力信号レベルは
増し、逆に中央より少し左側にずらしてつければｆ成分
の出力信号レベルは減少する。
【００１８】更に、カップリングコンデンサ６として、
低誘電型セラミック等による温度補償用コンデンサを用
いれば、温度による出力信号レベルの変動を補償でき
る。例えば発振回路の出力信号レベルが正の温度傾斜特
性を有する場合は、容量の負の温度傾斜特性を有するコ
ンデンサ６を使用する。これにより、出力信号レベルは
温度によらず一定となる。
低誘電型セラミック等による温度補償用コンデンサを用
いれば、温度による出力信号レベルの変動を補償でき
る。例えば発振回路の出力信号レベルが正の温度傾斜特
性を有する場合は、容量の負の温度傾斜特性を有するコ
ンデンサ６を使用する。これにより、出力信号レベルは
温度によらず一定となる。
【００１９】図２（Ｂ）はストリップ線路間を容量的に
結合する場合を示している。出力スタブ３2 の略中央側
面に信号取出用ストリップライン３3 を図示の如く狭い
間隔ｓで設ければ、ストリップ線路３2 ，３3 間を容量
的に結合できる。結合容量を増したい場合は、図２
（Ｃ）に示す如く、ストリップ線路３2 ，３ 3 間の結合
部に凹凸の対向辺を有するようなパターンギャップ７を
設ける。こうすれば結合容量が増し、出力信号レベルが
増大する。
結合する場合を示している。出力スタブ３2 の略中央側
面に信号取出用ストリップライン３3 を図示の如く狭い
間隔ｓで設ければ、ストリップ線路３2 ，３3 間を容量
的に結合できる。結合容量を増したい場合は、図２
（Ｃ）に示す如く、ストリップ線路３2 ，３ 3 間の結合
部に凹凸の対向辺を有するようなパターンギャップ７を
設ける。こうすれば結合容量が増し、出力信号レベルが
増大する。
【００２０】又は、図２（Ｂ）に示すように、ストリッ
プ線路３2 ，３3 の結合部の上面にＳｉＯ2 やＳｉ3 Ｎ
4 等から成る誘電体フィルム３5 を重ね、かつその上に
導体ストリップ素辺３6 を重ね合わせる。これにより、
図２（Ｃ）の場合よりも一桁以上大きな結合容量を実現
できる。図３は実施例のマイクロ波発振器を説明する図
（２）で、図３（Ａ）は図２（Ａ）の変形例を示してい
る。
プ線路３2 ，３3 の結合部の上面にＳｉＯ2 やＳｉ3 Ｎ
4 等から成る誘電体フィルム３5 を重ね、かつその上に
導体ストリップ素辺３6 を重ね合わせる。これにより、
図２（Ｃ）の場合よりも一桁以上大きな結合容量を実現
できる。図３は実施例のマイクロ波発振器を説明する図
（２）で、図３（Ａ）は図２（Ａ）の変形例を示してい
る。
【００２１】ここでは、出力スタブ３2 と信号取出用ス
トリップライン３3 とが比較的広い間隔ｓを開けて平行
して設けられており、ストリップ線路３2 ，３3 間の抑
圧したい高調波成分の位置にチップコンデンサ６を実装
する。ストリップ線路３2 ，３3 は平行に設けられてい
るので、出力信号レベル、及び所望の高調波成分の抑圧
を考慮したチップコンデンサ６の実装が容易に行える。
トリップライン３3 とが比較的広い間隔ｓを開けて平行
して設けられており、ストリップ線路３2 ，３3 間の抑
圧したい高調波成分の位置にチップコンデンサ６を実装
する。ストリップ線路３2 ，３3 は平行に設けられてい
るので、出力信号レベル、及び所望の高調波成分の抑圧
を考慮したチップコンデンサ６の実装が容易に行える。
【００２２】また、図４に示すような実装パターンの従
来のマイクロ波発振器にも本発明を容易に適用できる。
即ち、図４の信号取出用ストリップライン３3 を間隔ｓ
を離すように設ければ図３（Ａ）と同等になる。この所
望位置にチップコンデンサ６を実装すれば良い。図３
（Ｂ）は出力信号を出力スタブ上面の一部より誘電体層
を介して取り出す場合を示している。
来のマイクロ波発振器にも本発明を容易に適用できる。
即ち、図４の信号取出用ストリップライン３3 を間隔ｓ
を離すように設ければ図３（Ａ）と同等になる。この所
望位置にチップコンデンサ６を実装すれば良い。図３
（Ｂ）は出力信号を出力スタブ上面の一部より誘電体層
を介して取り出す場合を示している。
【００２３】図において、３０1 は金属ケース、３０2
は金属による蓋部材、４０は同軸用コネクタ、４１は同
軸の中心導体に接続するピン部材、４２は出力スタブ３
2 の上面又はピン部材４１の先端に固定した誘電体層で
ある。金属ケース３０1 に蓋部材３０2 を実装すると、
出力スタブ３2 上面の所望位置にピン部材４１が誘電体
層４２を介して接触し、両者は容量結合する。これによ
り、所望の高調波成分を抑圧した発振出力信号を取り出
せる。
は金属による蓋部材、４０は同軸用コネクタ、４１は同
軸の中心導体に接続するピン部材、４２は出力スタブ３
2 の上面又はピン部材４１の先端に固定した誘電体層で
ある。金属ケース３０1 に蓋部材３０2 を実装すると、
出力スタブ３2 上面の所望位置にピン部材４１が誘電体
層４２を介して接触し、両者は容量結合する。これによ
り、所望の高調波成分を抑圧した発振出力信号を取り出
せる。
【００２４】なお、上記実施例では一例の発振回路を示
したが、本発明は他の各種発振回路に適用できる。ま
た、上記本発明に好適なる複数の実施例を述べたが、本
発明思想を逸脱しない範囲内で、構成及び組合せの様々
な変更が行えることは言うまでも無い。
したが、本発明は他の各種発振回路に適用できる。ま
た、上記本発明に好適なる複数の実施例を述べたが、本
発明思想を逸脱しない範囲内で、構成及び組合せの様々
な変更が行えることは言うまでも無い。
【００２５】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、簡単な
構成で高調波成分を有効に抑圧でき、もって出力端のロ
ーパスフィルタを省略できる。従って、この種のマイク
ロ波発振器の小型化、低価格化に寄与するところが大き
い。
構成で高調波成分を有効に抑圧でき、もって出力端のロ
ーパスフィルタを省略できる。従って、この種のマイク
ロ波発振器の小型化、低価格化に寄与するところが大き
い。
【図１】図１は本発明の原理を説明する図である。
【図２】図２は実施例のマイクロ波発振器を説明する図
（１）である。
（１）である。
【図３】図３は実施例のマイクロ波発振器を説明する図
（２）である。
（２）である。
【図４】図４は従来のマイクロ波発振器を示す図であ
る。
る。
１ 接地導体 ２ 誘電体基板 １０ 発振回路 ３2 出力スタブ ３3 信号取出用ストリップ線路
Claims (5)
- 【請求項１】 背面に接地導体を有する誘電体基板上
に、導体ストリップ、半導体素子等を実装して成るマイ
クロ波発振器において、 所望周波数で発振する発振回路と、 発振回路に接続した出力スタブとを備え、 出力スタブのオープン端から所望発振周波数のｎ倍周波
数におけるλ／４長となる位置より出力信号を取り出す
ように構成したことを特徴とするマイクロ波発振器。 - 【請求項２】 出力信号をカップリングコンデンサ素子
を介して取り出すことを特徴とする請求項１のマイクロ
波発振器。 - 【請求項３】 出力信号を出力スタブの長手方向一部端
面と信号取出用導体ストリップの一部端面との間に形成
した間隔の狭いパターンギャップを介して取り出すこと
を特徴とする請求項１のマイクロ波発振器。 - 【請求項４】 出力信号を出力スタブ上面の一部より誘
電体層を介して取り出すことを特徴とする請求項１のマ
イクロ波発振器。 - 【請求項５】 出力スタブの長手方向において出力信号
の取出位置を変えることにより出力信号レベルの調整を
行うことを特徴とする請求項１のマイクロ波発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16049595A JPH0918232A (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | マイクロ波発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16049595A JPH0918232A (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | マイクロ波発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0918232A true JPH0918232A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=15716179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16049595A Withdrawn JPH0918232A (ja) | 1995-06-27 | 1995-06-27 | マイクロ波発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0918232A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030017932A (ko) * | 2001-08-25 | 2003-03-04 | 엘지전자 주식회사 | 발진기의 고조파 제거장치 |
| WO2005124993A1 (ja) * | 2004-06-17 | 2005-12-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 電圧制御発振器 |
| JP2010045623A (ja) * | 2008-08-13 | 2010-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波発振源 |
-
1995
- 1995-06-27 JP JP16049595A patent/JPH0918232A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030017932A (ko) * | 2001-08-25 | 2003-03-04 | 엘지전자 주식회사 | 발진기의 고조파 제거장치 |
| WO2005124993A1 (ja) * | 2004-06-17 | 2005-12-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | 電圧制御発振器 |
| JPWO2005124993A1 (ja) * | 2004-06-17 | 2008-04-17 | 三菱電機株式会社 | 電圧制御発振器 |
| JP2010045623A (ja) * | 2008-08-13 | 2010-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 高周波発振源 |
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