JPH09181332A - 半導体力学量センサの製造方法および異方性エッチングマスク - Google Patents
半導体力学量センサの製造方法および異方性エッチングマスクInfo
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- JPH09181332A JPH09181332A JP7341607A JP34160795A JPH09181332A JP H09181332 A JPH09181332 A JP H09181332A JP 7341607 A JP7341607 A JP 7341607A JP 34160795 A JP34160795 A JP 34160795A JP H09181332 A JPH09181332 A JP H09181332A
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- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
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- G01P2015/084—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass the mass being suspended at more than one of its sides, e.g. membrane-type suspension, so as to permit multi-axis movement of the mass
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Abstract
(57)【要約】
【課題】コーナ・アンダーカットを極力小さくして小型
化に優れた半導体力学量センサの製造方法を提供する。 【解決手段】半導体加速度センサは、<100>面を表
面とする単結晶シリコン基板における所定領域を窒化シ
リコン膜で被覆した状態でシリコンを異方性エッチング
加工することにより、被覆された領域を厚肉部とすると
ともに露出した領域を薄肉部とする。このとき、窒化シ
リコン膜を所定の形状にパターニングするためのマスク
23は、矩形パターン27の角部に、<011>面方向
および<01バー1>方向に目合わせされ、かつ各方向
での長さが異なる長方形状の形状補償部28a,28
b,28c,28dが設けられ、このマスク23を用い
た窒化シリコン膜のパターンを用いて異方性エッチング
を行う。
化に優れた半導体力学量センサの製造方法を提供する。 【解決手段】半導体加速度センサは、<100>面を表
面とする単結晶シリコン基板における所定領域を窒化シ
リコン膜で被覆した状態でシリコンを異方性エッチング
加工することにより、被覆された領域を厚肉部とすると
ともに露出した領域を薄肉部とする。このとき、窒化シ
リコン膜を所定の形状にパターニングするためのマスク
23は、矩形パターン27の角部に、<011>面方向
および<01バー1>方向に目合わせされ、かつ各方向
での長さが異なる長方形状の形状補償部28a,28
b,28c,28dが設けられ、このマスク23を用い
た窒化シリコン膜のパターンを用いて異方性エッチング
を行う。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、加速度や圧力等
の力学量を検出するための半導体力学量センサの製造方
法およびその製造の際に用いられる異方性エッチングマ
スクに関するものである。
の力学量を検出するための半導体力学量センサの製造方
法およびその製造の際に用いられる異方性エッチングマ
スクに関するものである。
【0002】
【従来の技術】車両のエアバックシステム用やABS用
に半導体加速度センサが用いられている(例えば、特開
平6−104244号公報)。この半導体加速度センサ
の一例を、図35に示す。シリコン基板60の中央部に
は重り部61が形成され、この重り部61は四角環状の
枠部62と薄肉の梁部63,64,65,66にて連結
され、この梁部63,64,65,66には歪みゲージ
67,68,69,70が配置されている。そして、図
中、Z軸方向に加速度が加わると重り部61が変位し、
この変位に伴い梁部63,64,65,66に発生する
歪み応力を歪みゲージ67,68,69,70により検
出して電気信号として取り出す。
に半導体加速度センサが用いられている(例えば、特開
平6−104244号公報)。この半導体加速度センサ
の一例を、図35に示す。シリコン基板60の中央部に
は重り部61が形成され、この重り部61は四角環状の
枠部62と薄肉の梁部63,64,65,66にて連結
され、この梁部63,64,65,66には歪みゲージ
67,68,69,70が配置されている。そして、図
中、Z軸方向に加速度が加わると重り部61が変位し、
この変位に伴い梁部63,64,65,66に発生する
歪み応力を歪みゲージ67,68,69,70により検
出して電気信号として取り出す。
【0003】この加速度センサにおいて、KOH等のエ
ッチング液を用いてシリコン基板60の所定領域を異方
性エッチングして溝71および梁部63,64,65,
66となる薄肉部を形成する。この異方性エッチングを
行う際に、シリコン窒化膜等を用いてシリコン基板60
における所定領域を被覆した状態でKOH等のエッチン
グ液を用いた異方性エッチングが行われるが、被覆部の
下においてコーナ・アンダーカット(角落ち;角部にお
ける斜状の側壁)が形成されてしまい各種の不具合が発
生する。このための異方性エッチング技術が、「Siマ
イクロマシニング先端技術」(1992)、株式会社サ
イエンスフォーラム、p117〜118に示されてい
る。これは、図36に示すように、矩形パターン72の
角部にコーナ・アンダーカット補償パターンとして正方
形の形状補償部73を付加するものである。
ッチング液を用いてシリコン基板60の所定領域を異方
性エッチングして溝71および梁部63,64,65,
66となる薄肉部を形成する。この異方性エッチングを
行う際に、シリコン窒化膜等を用いてシリコン基板60
における所定領域を被覆した状態でKOH等のエッチン
グ液を用いた異方性エッチングが行われるが、被覆部の
下においてコーナ・アンダーカット(角落ち;角部にお
ける斜状の側壁)が形成されてしまい各種の不具合が発
生する。このための異方性エッチング技術が、「Siマ
イクロマシニング先端技術」(1992)、株式会社サ
イエンスフォーラム、p117〜118に示されてい
る。これは、図36に示すように、矩形パターン72の
角部にコーナ・アンダーカット補償パターンとして正方
形の形状補償部73を付加するものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この技術
は、図35の重り部61と枠部62との間隔が十分広
く、図36において矩形パターン72と対向するパター
ンとの間隔L50が広い場合には問題が無いが、図37
に示すように、矩形パターン72と対向するパターンと
の間隔L51を狭くしてセンサの小型化を図る際におい
ては、正方形の形状補償部73を用いると、図38(エ
ッチング後のシリコン基板60の平面図)に示すよう
に、大きなコーナ・アンダーカット74が形成されてし
まう。この大きなコーナ・アンダーカット74により、
図35に示すように、梁部63と64の間隔(および梁
部65と66の間隔)Wを狭めて形成する必要があり、
加速度検出方向Z以外の作用力を受けてしまいセンサの
指向性を悪化させてしまう。又、重り部61が小さくな
るため感度出力不足となる。
は、図35の重り部61と枠部62との間隔が十分広
く、図36において矩形パターン72と対向するパター
ンとの間隔L50が広い場合には問題が無いが、図37
に示すように、矩形パターン72と対向するパターンと
の間隔L51を狭くしてセンサの小型化を図る際におい
ては、正方形の形状補償部73を用いると、図38(エ
ッチング後のシリコン基板60の平面図)に示すよう
に、大きなコーナ・アンダーカット74が形成されてし
まう。この大きなコーナ・アンダーカット74により、
図35に示すように、梁部63と64の間隔(および梁
部65と66の間隔)Wを狭めて形成する必要があり、
加速度検出方向Z以外の作用力を受けてしまいセンサの
指向性を悪化させてしまう。又、重り部61が小さくな
るため感度出力不足となる。
【0005】そこで、この発明の目的は、コーナ・アン
ダーカットを極力小さくして小型化に優れた半導体力学
量センサの製造方法を提供することにある。
ダーカットを極力小さくして小型化に優れた半導体力学
量センサの製造方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明は、被覆部(マ
スク)における矩形パターンの角部に、<011>面方
向および<01バー1>面方向に目合わせされ、かつ各
方向での長さが異なる長方形状の形状補償部を設け、こ
の形状補償部を用いて異方性エッチングを行うようにし
たことを特徴としている。
スク)における矩形パターンの角部に、<011>面方
向および<01バー1>面方向に目合わせされ、かつ各
方向での長さが異なる長方形状の形状補償部を設け、こ
の形状補償部を用いて異方性エッチングを行うようにし
たことを特徴としている。
【0007】よって、<100>面を表面とする単結晶
シリコン基板に、前述のパターンにより所定領域を被覆
した状態で単結晶シリコン基板を異方性エッチング加工
すると、被覆された領域が厚肉部となるとともに露出し
た領域が薄肉部となる。このとき、図14に示すように
被覆した状態から異方性エッチングを行うと、図15〜
図17に示すように、エッチングレートの速い<212
>面や<211>面がエッチングされ、エッチングレー
トの遅い<111>面が露出してくる。そして、図18
に示す過程を経て図19に示すように、露出しているの
は<111>面だけとなり、その後、図20に示すよう
に角部が形成される。
シリコン基板に、前述のパターンにより所定領域を被覆
した状態で単結晶シリコン基板を異方性エッチング加工
すると、被覆された領域が厚肉部となるとともに露出し
た領域が薄肉部となる。このとき、図14に示すように
被覆した状態から異方性エッチングを行うと、図15〜
図17に示すように、エッチングレートの速い<212
>面や<211>面がエッチングされ、エッチングレー
トの遅い<111>面が露出してくる。そして、図18
に示す過程を経て図19に示すように、露出しているの
は<111>面だけとなり、その後、図20に示すよう
に角部が形成される。
【0008】ここで、図17においてシリコン表面での
辺S1とこの辺S1と直交する辺S2との関係において
辺S1の端部P10と辺S1の延長線上での辺S2の端
部P20との距離ΔLが、図18に示すように徐々に小
さくなる。このように、コーナ・アンダーカットが形成
されようとする領域(部位)にSi<111>面以外の
面よりなる部位を残し、この部位をエッチングさせるこ
とでコーナ・アンダーカットが入る時間を稼ぎコーナ・
アンダーカットを極力小さくすることができる。形状補
償パターンが正方形のときには、図17においてΔL=
0となり、図18に示すΔLが小さくなる過程を含むこ
とはない。このようにして、コーナ・アンダーカットを
極力小さくして小型化を図ることが可能となる。
辺S1とこの辺S1と直交する辺S2との関係において
辺S1の端部P10と辺S1の延長線上での辺S2の端
部P20との距離ΔLが、図18に示すように徐々に小
さくなる。このように、コーナ・アンダーカットが形成
されようとする領域(部位)にSi<111>面以外の
面よりなる部位を残し、この部位をエッチングさせるこ
とでコーナ・アンダーカットが入る時間を稼ぎコーナ・
アンダーカットを極力小さくすることができる。形状補
償パターンが正方形のときには、図17においてΔL=
0となり、図18に示すΔLが小さくなる過程を含むこ
とはない。このようにして、コーナ・アンダーカットを
極力小さくして小型化を図ることが可能となる。
【0009】尚、本明細書においては、単結晶シリコン
の面および軸方向を表す場合、本来ならば図面に記載さ
れているように、所要の数字の上にバーを付した表現を
とるべきであるが、表現手段に制約があるために、前記
所要の数字の上にバーを付す表現の代わりに、前記所要
数字の後に「バー」を付して表現している。
の面および軸方向を表す場合、本来ならば図面に記載さ
れているように、所要の数字の上にバーを付した表現を
とるべきであるが、表現手段に制約があるために、前記
所要の数字の上にバーを付す表現の代わりに、前記所要
数字の後に「バー」を付して表現している。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に従って説明する。本実施の形態においては半導体加
速度センサに具体化している。
面に従って説明する。本実施の形態においては半導体加
速度センサに具体化している。
【0011】図1には、半導体加速度センサの平面図を
示す。図2には、図1のA−A断面図を示し、図3に
は、図1のB−B断面図を示す。半導体加速度センサ
は、四角板状の単結晶シリコン基板(シリコンチップ)
1を有し、そのシリコン基板1はガラス台座2の上に接
合されている。図4には、シリコン基板1を裏面から見
た図を示す。
示す。図2には、図1のA−A断面図を示し、図3に
は、図1のB−B断面図を示す。半導体加速度センサ
は、四角板状の単結晶シリコン基板(シリコンチップ)
1を有し、そのシリコン基板1はガラス台座2の上に接
合されている。図4には、シリコン基板1を裏面から見
た図を示す。
【0012】シリコン基板1は、p型シリコン基板3
と、その上面に形成されたn型エピタキシャル層4とか
らなる。シリコン基板1には、上下に貫通する貫通溝5
が形成され、その貫通溝5の外側に四角環状の枠部(厚
肉部)6が形成されている。枠部6の下面とガラス台座
2とが接合されている。又、貫通溝5の内側には、四角
形状の重り部(厚肉部)7が形成されている。重り部7
は全体として長方形をなし、長辺7a,7bと短辺7
c,7dを有し、さらに、各隅は斜状の辺7e,7f,
7g,7hを有している。重り部7における長辺7aの
両端部には薄肉の梁部(薄肉部)8,9が形成されると
ともに長辺7bの両端部には薄肉の梁部(薄肉部)1
0,11が形成されている。この梁部8,9,10,1
1により枠部6と重り部7とが連結されている。
と、その上面に形成されたn型エピタキシャル層4とか
らなる。シリコン基板1には、上下に貫通する貫通溝5
が形成され、その貫通溝5の外側に四角環状の枠部(厚
肉部)6が形成されている。枠部6の下面とガラス台座
2とが接合されている。又、貫通溝5の内側には、四角
形状の重り部(厚肉部)7が形成されている。重り部7
は全体として長方形をなし、長辺7a,7bと短辺7
c,7dを有し、さらに、各隅は斜状の辺7e,7f,
7g,7hを有している。重り部7における長辺7aの
両端部には薄肉の梁部(薄肉部)8,9が形成されると
ともに長辺7bの両端部には薄肉の梁部(薄肉部)1
0,11が形成されている。この梁部8,9,10,1
1により枠部6と重り部7とが連結されている。
【0013】梁部8,9,10,11はn型エピタキシ
ャル層4からなり、梁部8,9,10,11の表層部に
は歪みゲージ12,13,14,15が形成されてい
る。歪みゲージ12,13,14,15はp型不純物拡
散層(ピエゾ抵抗層)よりなり、梁部8,9,10,1
1に加わる歪みの大きさに応じて抵抗値が変化する。
ャル層4からなり、梁部8,9,10,11の表層部に
は歪みゲージ12,13,14,15が形成されてい
る。歪みゲージ12,13,14,15はp型不純物拡
散層(ピエゾ抵抗層)よりなり、梁部8,9,10,1
1に加わる歪みの大きさに応じて抵抗値が変化する。
【0014】そして、図2において、基板の表面に垂直
な方向(Xにて示す)に加速度が加わると、この方向に
重り部7が変位し、梁部8,9,10,11に歪みが生
じる。この歪み量に応じて歪みゲージ12,13,1
4,15の抵抗値が変化して図2中、X方向の加速度が
検出される。
な方向(Xにて示す)に加速度が加わると、この方向に
重り部7が変位し、梁部8,9,10,11に歪みが生
じる。この歪み量に応じて歪みゲージ12,13,1
4,15の抵抗値が変化して図2中、X方向の加速度が
検出される。
【0015】又、本実施の形態においては、図4に示す
ように重り部7の幅Lw が狭く、重り部7は細長い形状
となっている 図5には、半導体加速度センサの電気的構成を示す。図
5において、歪みゲージ12,13,14,15がフル
ブリッジ接続されている。歪みゲージ12と歪みゲージ
13との間の接続点aには電源電圧Vccが印加され、歪
みゲージ14と歪みゲージ15との間の接続点bはアー
スされている。歪みゲージ12と歪みゲージ14との間
の接続点c、及び歪みゲージ13と歪みゲージ15との
間の接続点dは出力端子となっている。このc点とd点
との電位差が加速度の大きさに応じた電気信号として出
力される。
ように重り部7の幅Lw が狭く、重り部7は細長い形状
となっている 図5には、半導体加速度センサの電気的構成を示す。図
5において、歪みゲージ12,13,14,15がフル
ブリッジ接続されている。歪みゲージ12と歪みゲージ
13との間の接続点aには電源電圧Vccが印加され、歪
みゲージ14と歪みゲージ15との間の接続点bはアー
スされている。歪みゲージ12と歪みゲージ14との間
の接続点c、及び歪みゲージ13と歪みゲージ15との
間の接続点dは出力端子となっている。このc点とd点
との電位差が加速度の大きさに応じた電気信号として出
力される。
【0016】次に、このように構成した半導体加速度セ
ンサの製造工程を、図6〜図11を用いて説明する。
尚、図6〜図11は図1のC−C断面を示すものであ
る。まず、図6に示すように、面方位が<100>のp
型シリコンウェハ16を用意し、そのシリコンウェハ1
6の上にn型エピタキシャル層17を形成する。
ンサの製造工程を、図6〜図11を用いて説明する。
尚、図6〜図11は図1のC−C断面を示すものであ
る。まず、図6に示すように、面方位が<100>のp
型シリコンウェハ16を用意し、そのシリコンウェハ1
6の上にn型エピタキシャル層17を形成する。
【0017】そして、n型エピタキシャル層17の表層
部における所定領域にピエゾ抵抗領域としてのp+ 拡散
層18を形成する。又、n型エピタキシャル層17の表
層部における所定領域にn+ 拡散層19を形成する。n
+ 拡散層19は、電気化学エッチング時の電極コンタク
トとなるものであり、上部分離溝(図9の符号33にて
示す)の形成に伴って除去されるものである。
部における所定領域にピエゾ抵抗領域としてのp+ 拡散
層18を形成する。又、n型エピタキシャル層17の表
層部における所定領域にn+ 拡散層19を形成する。n
+ 拡散層19は、電気化学エッチング時の電極コンタク
トとなるものであり、上部分離溝(図9の符号33にて
示す)の形成に伴って除去されるものである。
【0018】その後、エピタキシャル層17上に酸化膜
(図示略)を形成し、所定領域を開口させる。その上に
アルミ配線(図示略)を配置してp+ 拡散層18の所定
領域とコンタントをとる。その後、シリコン酸化膜等か
らなるパッシベーション膜(図示略)を堆積し、このパ
ッシベーション膜の所定領域を開口してワイヤボンディ
ング用のコンタクトホールを形成する。又、n+ 拡散層
19にコンタクトするための通電用アルミコンタクト部
を設ける。その後、レジスト膜又はPIQ膜20を全面
に形成し、所定領域を開口させる。
(図示略)を形成し、所定領域を開口させる。その上に
アルミ配線(図示略)を配置してp+ 拡散層18の所定
領域とコンタントをとる。その後、シリコン酸化膜等か
らなるパッシベーション膜(図示略)を堆積し、このパ
ッシベーション膜の所定領域を開口してワイヤボンディ
ング用のコンタクトホールを形成する。又、n+ 拡散層
19にコンタクトするための通電用アルミコンタクト部
を設ける。その後、レジスト膜又はPIQ膜20を全面
に形成し、所定領域を開口させる。
【0019】そして、ウェハ16の裏面にプラズマ窒化
膜21を全面に形成するとともにレジストおよびマスク
(フォトマスク)を用いてプラズマ窒化膜21を所望の
形状にフォトパターニングする。このフォトパターニン
グを図12,13を用いてより詳細に説明する。
膜21を全面に形成するとともにレジストおよびマスク
(フォトマスク)を用いてプラズマ窒化膜21を所望の
形状にフォトパターニングする。このフォトパターニン
グを図12,13を用いてより詳細に説明する。
【0020】図13に示すように、堆積したプラズマ窒
化膜21の上にレジスト膜22をスピニングにより塗布
するとともに、図12の異方性エッチングマスク23を
用意する。即ち、図12には、裏面エッチングマスク形
状の平面図を示す。マスク23は、図13に示すように
ガラス板24の表面に、所定の形状を有するCr薄膜2
5を配置したものである。図12において、異方性エッ
チングマスク23は、四角環状の枠部26と、枠部26
の内方に形成された四角部(矩形パターン)27と、四
角部27の角部に形成された長方形状の形状補償部28
a,28b,28c,28dとを有する。形状補償部2
8a,28b,28c,28dは、その一辺がシリコン
の<011>面方向に延びており、又、その辺と直交す
る一辺がシリコンの<01バー1>面方向に延びてお
り、<011>面方向の長さL2の方が<01バー1>
面方向の長さL1よりも長くなっている。つまり、重り
部7は図12において縦方向に比べ横方向の方が長い長
方形状をなし、横方向の幅(図4におけるLw )が細い
ため形状補償部が重ならないように図12の形状補償部
28a,28b,28c,28dにおいては縦方向より
も横方向の方が長くなっている。
化膜21の上にレジスト膜22をスピニングにより塗布
するとともに、図12の異方性エッチングマスク23を
用意する。即ち、図12には、裏面エッチングマスク形
状の平面図を示す。マスク23は、図13に示すように
ガラス板24の表面に、所定の形状を有するCr薄膜2
5を配置したものである。図12において、異方性エッ
チングマスク23は、四角環状の枠部26と、枠部26
の内方に形成された四角部(矩形パターン)27と、四
角部27の角部に形成された長方形状の形状補償部28
a,28b,28c,28dとを有する。形状補償部2
8a,28b,28c,28dは、その一辺がシリコン
の<011>面方向に延びており、又、その辺と直交す
る一辺がシリコンの<01バー1>面方向に延びてお
り、<011>面方向の長さL2の方が<01バー1>
面方向の長さL1よりも長くなっている。つまり、重り
部7は図12において縦方向に比べ横方向の方が長い長
方形状をなし、横方向の幅(図4におけるLw )が細い
ため形状補償部が重ならないように図12の形状補償部
28a,28b,28c,28dにおいては縦方向より
も横方向の方が長くなっている。
【0021】このように、異方性エッチングマスク23
における矩形パターン27の角部に、<011>面方向
および<01バー1>面方向に目合わせされ、かつ各方
向での長さが異なる長方形状の形状補償部28a,28
b,28c,28dが設けられている。そして、異方性
エッチングマスク23を介して光を照射してレジスト膜
22をフォトパターニングした後、露出しているプラズ
マ窒化膜21を除去する。
における矩形パターン27の角部に、<011>面方向
および<01バー1>面方向に目合わせされ、かつ各方
向での長さが異なる長方形状の形状補償部28a,28
b,28c,28dが設けられている。そして、異方性
エッチングマスク23を介して光を照射してレジスト膜
22をフォトパターニングした後、露出しているプラズ
マ窒化膜21を除去する。
【0022】このようにプラズマ窒化膜21をパターニ
ングした後に、図7に示すように、エピタキシャル層1
7の表面をワックス29で保護しつつアルミナからなる
支持板30に接着する。これを、エッチング液に浸漬
し、電気化学エッチングを行う。尚、支持板30上には
白金電極が延設されており、この白金電極の先端をアル
ミコンタクト部に接触させて、n+ 拡散層19を通じて
エピタキシャル層17およびウェハ16を通電して上記
電気化学エッチングを行い、p型シリコンウェハ16と
n型エピタキシャル層17とのpn接合部にてエッチン
グをストップする。その結果、ウェハ16に下部分離溝
31が形成される。
ングした後に、図7に示すように、エピタキシャル層1
7の表面をワックス29で保護しつつアルミナからなる
支持板30に接着する。これを、エッチング液に浸漬
し、電気化学エッチングを行う。尚、支持板30上には
白金電極が延設されており、この白金電極の先端をアル
ミコンタクト部に接触させて、n+ 拡散層19を通じて
エピタキシャル層17およびウェハ16を通電して上記
電気化学エッチングを行い、p型シリコンウェハ16と
n型エピタキシャル層17とのpn接合部にてエッチン
グをストップする。その結果、ウェハ16に下部分離溝
31が形成される。
【0023】そして、図8に示すように、フッ酸により
プラズマ窒化膜21を除去した後、支持板30をホット
プレートに載せてワックス29を軟化させてn型エピタ
キシャル層17を支持板30より分離し、分離したウェ
ハ16を有機溶剤中に浸漬し、ワックス29を洗浄して
ウェハ16を取り出す。
プラズマ窒化膜21を除去した後、支持板30をホット
プレートに載せてワックス29を軟化させてn型エピタ
キシャル層17を支持板30より分離し、分離したウェ
ハ16を有機溶剤中に浸漬し、ワックス29を洗浄して
ウェハ16を取り出す。
【0024】その後、ウェハ16の裏面にレジスト32
を全面塗布する。尚、このレジスト32はフォトパター
ニングを行わないためレジストを流下させるだけでよ
く、スピンニング装置のように真空チャックする必要は
ない。
を全面塗布する。尚、このレジスト32はフォトパター
ニングを行わないためレジストを流下させるだけでよ
く、スピンニング装置のように真空チャックする必要は
ない。
【0025】さらに、図9に示すように、レジスト膜2
0の開口部からエピタキシャル層17をドライエッチン
グして、下部分離溝31と連通する上部分離溝33を形
成する。
0の開口部からエピタキシャル層17をドライエッチン
グして、下部分離溝31と連通する上部分離溝33を形
成する。
【0026】引き続き、図10に示すように、レジスト
32を有機溶剤にて除去して上部分離溝33と下部分離
溝31とからなる貫通溝5とする。そして、図11に示
すように、レジスト膜(PIQ)20を酸素プラズマア
ッシングにより除去する。尚、酸素プラズマアッシング
時にチャンバ内の温度を適切にすることにより特性変動
を回避できる。
32を有機溶剤にて除去して上部分離溝33と下部分離
溝31とからなる貫通溝5とする。そして、図11に示
すように、レジスト膜(PIQ)20を酸素プラズマア
ッシングにより除去する。尚、酸素プラズマアッシング
時にチャンバ内の温度を適切にすることにより特性変動
を回避できる。
【0027】最後に、ダイシングしてチップ化する。次
に、図12の長方形の形状補償部28a,28b,28
c,28dを用いてエッチングを行ったときの過程を詳
細に説明する。図14〜図20はエッチングされていく
状態を示す平面図である。
に、図12の長方形の形状補償部28a,28b,28
c,28dを用いてエッチングを行ったときの過程を詳
細に説明する。図14〜図20はエッチングされていく
状態を示す平面図である。
【0028】図14に示すようにシリコン窒化膜をパタ
ーニングした状態から、シリコンをKOH等のエッチン
グ液に浸漬すると、異方性エッチングが行われるわけで
あるが、まず、図15,16,17に示すように、エッ
チングレートの速い<212>面や<211>面がエッ
チングされ、エッチングレートの遅い<111>面が露
出してくる。そして、図18を経て図19に示すよう
に、露出しているのは<111>面だけとなり、その
後、アンダーカットが形成されるようになり、図20に
示すように角部が形成される。これは、<111>面に
対して、<100>面が約100倍エッチングレートが
速く、さらに、<212>,<211>面のエッチング
レートが速いことを利用して重り部が得られるものであ
る。通常、エッチング深さは、数百μmであり、<10
0>面を数百μmエッチングするわけであるが、<11
1>面は数μmしかエッチングされない。
ーニングした状態から、シリコンをKOH等のエッチン
グ液に浸漬すると、異方性エッチングが行われるわけで
あるが、まず、図15,16,17に示すように、エッ
チングレートの速い<212>面や<211>面がエッ
チングされ、エッチングレートの遅い<111>面が露
出してくる。そして、図18を経て図19に示すよう
に、露出しているのは<111>面だけとなり、その
後、アンダーカットが形成されるようになり、図20に
示すように角部が形成される。これは、<111>面に
対して、<100>面が約100倍エッチングレートが
速く、さらに、<212>,<211>面のエッチング
レートが速いことを利用して重り部が得られるものであ
る。通常、エッチング深さは、数百μmであり、<10
0>面を数百μmエッチングするわけであるが、<11
1>面は数μmしかエッチングされない。
【0029】ここで、図17においてシリコン表面での
辺S1の端部P10と辺S1の延長線上での辺S2の端
部P20との距離ΔLが、図18に示すように徐々に小
さくなる。このように、コーナ・アンダーカットが形成
されようとする領域(部位)にSi<111>面以外の
<211><212>面よりなる部位を残し、この部位
をエッチングさせる工程が含まれている。これにより、
大きなコーナ・アンダーカットが形成されるのを回避す
るための時間を稼ぐことができる。これは、図37のよ
うに形状補償部73が正方形である場合には、図18の
ように大きなコーナ・アンダーカットが形成されるのを
回避するための時間稼ぎができない。
辺S1の端部P10と辺S1の延長線上での辺S2の端
部P20との距離ΔLが、図18に示すように徐々に小
さくなる。このように、コーナ・アンダーカットが形成
されようとする領域(部位)にSi<111>面以外の
<211><212>面よりなる部位を残し、この部位
をエッチングさせる工程が含まれている。これにより、
大きなコーナ・アンダーカットが形成されるのを回避す
るための時間を稼ぐことができる。これは、図37のよ
うに形状補償部73が正方形である場合には、図18の
ように大きなコーナ・アンダーカットが形成されるのを
回避するための時間稼ぎができない。
【0030】次に、図37のような従来方式である正方
形の形状補償部73を用いた場合のエッチング過程につ
いて述べる。図21に示す正方形の形状補償部40を用
いた異方性エッチングにより形成されるシリコン基板4
1の平面図を図22に示す。図23には、図22のD−
D断面を示し、図24には、図22のE−E断面を示
す。
形の形状補償部73を用いた場合のエッチング過程につ
いて述べる。図21に示す正方形の形状補償部40を用
いた異方性エッチングにより形成されるシリコン基板4
1の平面図を図22に示す。図23には、図22のD−
D断面を示し、図24には、図22のE−E断面を示
す。
【0031】図22〜図24においてシリコン基板41
にはエッチングにより凹部42が形成される。このエッ
チング工程において、シリコン<111>面のエッチン
グレートが遅いためシリコン<111>からなるテーパ
状の側壁43が形成される。一方、シリコン<212>
面またはシリコン<211>面のエッチングレートが速
いために薄肉部(梁部)44が形成される。電気化学ス
トップエッチングではなくエッチング液に浸漬するだけ
のウェットエッチングにおいては、エッチング量(エッ
チング深さ)はエッチング時間に正比例している。エッ
チング時間は、得たい薄肉部44の厚さによって決定さ
れる。例えば、シリコン<100>基板を用いた時のエ
ッチング時間は (ウェハ厚−薄肉部44の厚さ)÷シリコン<100>
のエッチングレート となる。
にはエッチングにより凹部42が形成される。このエッ
チング工程において、シリコン<111>面のエッチン
グレートが遅いためシリコン<111>からなるテーパ
状の側壁43が形成される。一方、シリコン<212>
面またはシリコン<211>面のエッチングレートが速
いために薄肉部(梁部)44が形成される。電気化学ス
トップエッチングではなくエッチング液に浸漬するだけ
のウェットエッチングにおいては、エッチング量(エッ
チング深さ)はエッチング時間に正比例している。エッ
チング時間は、得たい薄肉部44の厚さによって決定さ
れる。例えば、シリコン<100>基板を用いた時のエ
ッチング時間は (ウェハ厚−薄肉部44の厚さ)÷シリコン<100>
のエッチングレート となる。
【0032】図23に示すように、シリコン<111>
の側壁43と凹部42の底面(シリコン<100>)と
でなす角度は54.7°であり、得たい重り部の質量と
梁部の長さLb より重り部Lw の幅が決定される。
の側壁43と凹部42の底面(シリコン<100>)と
でなす角度は54.7°であり、得たい重り部の質量と
梁部の長さLb より重り部Lw の幅が決定される。
【0033】図25に、正方形の形状補償部を設けた場
合におけるシリコン異方性エッチング過程の平面図を、
図26には同じく斜視図を示す。図25において
(a)、(b)、(c)、(d)の順にエッチングが進
行していき、この(a)、(b)、(c)、(d)の各
状態を図26においても(a)、(b)、(c)、
(d)として対応付けて表記している。
合におけるシリコン異方性エッチング過程の平面図を、
図26には同じく斜視図を示す。図25において
(a)、(b)、(c)、(d)の順にエッチングが進
行していき、この(a)、(b)、(c)、(d)の各
状態を図26においても(a)、(b)、(c)、
(d)として対応付けて表記している。
【0034】図25,26における(a),(b)から
分かるように、シリコンのエッチングレートの速い<2
12>面や<211>面がエッチングされ、(c)に示
すように、<111>面が全て露出しエッチングパター
ンの角が出たところでエッチングが再び早く進み、
(d)に示すように所望の厚さを得た時には大きなコー
ナ・アンダーカット50が入る(図22参照)。
分かるように、シリコンのエッチングレートの速い<2
12>面や<211>面がエッチングされ、(c)に示
すように、<111>面が全て露出しエッチングパター
ンの角が出たところでエッチングが再び早く進み、
(d)に示すように所望の厚さを得た時には大きなコー
ナ・アンダーカット50が入る(図22参照)。
【0035】このように正方形の形状補償部を用いた際
のメカニズムを基にして、図12のパターンは次のよう
にして得ている。図27は図26を上から見た時におい
てエッチングの進行状態をベクトルを用いて示してい
る。つまり、矢印の向きにてエッチングの進行方向を示
すとともに矢印の長さによりエッチング速度の大小を示
す。又、図28は図26を上から見た時においてエッチ
ングの進行方向を示すものであり、形状補償部40に対
して50°をなす線は、<100>面と、エッチングレ
ートの速い例えば<211>面,<212>面との境界
線を示す。
のメカニズムを基にして、図12のパターンは次のよう
にして得ている。図27は図26を上から見た時におい
てエッチングの進行状態をベクトルを用いて示してい
る。つまり、矢印の向きにてエッチングの進行方向を示
すとともに矢印の長さによりエッチング速度の大小を示
す。又、図28は図26を上から見た時においてエッチ
ングの進行方向を示すものであり、形状補償部40に対
して50°をなす線は、<100>面と、エッチングレ
ートの速い例えば<211>面,<212>面との境界
線を示す。
【0036】正方形の形状補償部を用いる方式では、図
27,28に示すように形状補償部40の表面側のエッ
チングは、点P1を起点としてF方向に進行し点P2ま
でエッチングが進むだけであった。これに対し本実施の
形態では図29に示すように、枠部と形状補償部との間
はエッチングが十分可能な寸法であり、かつ、枠部と重
り部の間が梁部の長さ(ビーム長)Lb により決定され
ていた場合に、形状補償部の角部αから求めたA−A’
間の距離をとり収束する点βを求める。この点βを基準
として等角度45°におけるA−A’間距離をとり、点
γを求める。このα、γを長辺での頂点とする形状補償
部が得られ、図12に示したような裏面エッチングマス
ク形状(パターン)が得られる。
27,28に示すように形状補償部40の表面側のエッ
チングは、点P1を起点としてF方向に進行し点P2ま
でエッチングが進むだけであった。これに対し本実施の
形態では図29に示すように、枠部と形状補償部との間
はエッチングが十分可能な寸法であり、かつ、枠部と重
り部の間が梁部の長さ(ビーム長)Lb により決定され
ていた場合に、形状補償部の角部αから求めたA−A’
間の距離をとり収束する点βを求める。この点βを基準
として等角度45°におけるA−A’間距離をとり、点
γを求める。このα、γを長辺での頂点とする形状補償
部が得られ、図12に示したような裏面エッチングマス
ク形状(パターン)が得られる。
【0037】このとき、図29のβ点とエッチング終了
点P2とのズレ量ΔLが、大きなコーナ・アンダーカッ
トが形成されるのを回避するための時間を稼ぐための距
離となる。つまり、図30のように、従来の正方形の形
状補償部を用いると、前述の図29のβとP2との距離
ΔL=0であるため、図31に示すように、大きなコー
ナ・アンダーカット51が形成されてしまうが、本実施
の形態ではそれが回避される。つまり、本実施の形態で
はズレ量ΔLにより、従来の正方形の形状補償部を用い
た場合に比べエッチング深さに対し、図19のような状
態となる時を、より深くエッチングされている時にする
ことができるため正方形の形状補償部を用いる場合より
もアンダーカット量を低下させることができる。即ち、
図20の状態からさらにエッチングが進むと図25(従
来のもの)の(d)に示されるアンダーカット形状とな
る。
点P2とのズレ量ΔLが、大きなコーナ・アンダーカッ
トが形成されるのを回避するための時間を稼ぐための距
離となる。つまり、図30のように、従来の正方形の形
状補償部を用いると、前述の図29のβとP2との距離
ΔL=0であるため、図31に示すように、大きなコー
ナ・アンダーカット51が形成されてしまうが、本実施
の形態ではそれが回避される。つまり、本実施の形態で
はズレ量ΔLにより、従来の正方形の形状補償部を用い
た場合に比べエッチング深さに対し、図19のような状
態となる時を、より深くエッチングされている時にする
ことができるため正方形の形状補償部を用いる場合より
もアンダーカット量を低下させることができる。即ち、
図20の状態からさらにエッチングが進むと図25(従
来のもの)の(d)に示されるアンダーカット形状とな
る。
【0038】このようにして図4においては符号47に
て示す大きなコーナ・アンダーカットが入ることなく、
図4において梁部8と9との間隔(および梁部10と1
1との間隔)Wを大きくできセンサの小型化に優れてい
る。即ち、図37に示すように、矩形パターン72と対
向するパターンとの間隔L51を狭くしてセンサの小型
化を図る際において、正方形の形状補償部73を用いる
と、図38に示すように、大きなコーナ・アンダーカッ
ト74が形成されてしまい、図35に示すように、梁部
63と64の間隔(および梁部65と66の間隔)Wが
狭くなり、加速度検出方向Z以外の作用力を受けてしま
いセンサの指向性を悪化させてしまったり重り部61が
小さくなるため感度出力不足となるが、これに対し本例
では、コーナ・アンダーカットを極力小さくして、梁部
の間隔Wを広くして加速度検出方向Z以外の作用力を受
けににくセンサの指向性を向上させるとともに重り部も
大きくできセンサ感度の向上が図られる。
て示す大きなコーナ・アンダーカットが入ることなく、
図4において梁部8と9との間隔(および梁部10と1
1との間隔)Wを大きくできセンサの小型化に優れてい
る。即ち、図37に示すように、矩形パターン72と対
向するパターンとの間隔L51を狭くしてセンサの小型
化を図る際において、正方形の形状補償部73を用いる
と、図38に示すように、大きなコーナ・アンダーカッ
ト74が形成されてしまい、図35に示すように、梁部
63と64の間隔(および梁部65と66の間隔)Wが
狭くなり、加速度検出方向Z以外の作用力を受けてしま
いセンサの指向性を悪化させてしまったり重り部61が
小さくなるため感度出力不足となるが、これに対し本例
では、コーナ・アンダーカットを極力小さくして、梁部
の間隔Wを広くして加速度検出方向Z以外の作用力を受
けににくセンサの指向性を向上させるとともに重り部も
大きくできセンサ感度の向上が図られる。
【0039】このように、本実施の形態では、異方性エ
ッチングマスク23における矩形パターン27の角部
に、<011>面方向および<01バー1>面方向に目
合わせされ、かつ各方向での長さが異なる長方形状の形
状補償部28を設け、このマスク23を用いて異方性エ
ッチングを行うようにした。よって、<100>面を表
面とする単結晶シリコン基板(16,17)に、マスク
23によるパターン形状を有する窒化シリコン膜21を
配置し、単結晶シリコン基板(16)における所定領域
を被覆した状態で単結晶シリコン基板(16)を異方性
エッチング加工すると、被覆された領域が厚肉部なると
ともに露出した領域が梁部(薄肉部)となる。このと
き、図14に示すように被覆した状態から異方性エッチ
ングを行うと、図15〜図17に示すように、エッチン
グレートの速い<212>面や<211>面がエッチン
グされ、エッチングレートの遅い<111>面が露出し
てくる。そして、図18に示す過程を経て図19に示す
ように、露出しているのは<111>面だけとなり、そ
の後、図20に示すように角部が形成される。
ッチングマスク23における矩形パターン27の角部
に、<011>面方向および<01バー1>面方向に目
合わせされ、かつ各方向での長さが異なる長方形状の形
状補償部28を設け、このマスク23を用いて異方性エ
ッチングを行うようにした。よって、<100>面を表
面とする単結晶シリコン基板(16,17)に、マスク
23によるパターン形状を有する窒化シリコン膜21を
配置し、単結晶シリコン基板(16)における所定領域
を被覆した状態で単結晶シリコン基板(16)を異方性
エッチング加工すると、被覆された領域が厚肉部なると
ともに露出した領域が梁部(薄肉部)となる。このと
き、図14に示すように被覆した状態から異方性エッチ
ングを行うと、図15〜図17に示すように、エッチン
グレートの速い<212>面や<211>面がエッチン
グされ、エッチングレートの遅い<111>面が露出し
てくる。そして、図18に示す過程を経て図19に示す
ように、露出しているのは<111>面だけとなり、そ
の後、図20に示すように角部が形成される。
【0040】ここで、図18に示すようにコーナ部にお
いてSi<111>面以外の部分をエッチングさせるこ
とでコーナ・アンダーカットが入る時間を稼ぎコーナ・
アンダーカットを極力小さくすることができる。形状補
償部が正方形のときには、図18に示す過程を含むこと
はない。このようにして、コーナ・アンダーカットを極
力小さくして小型化を図ることができる。
いてSi<111>面以外の部分をエッチングさせるこ
とでコーナ・アンダーカットが入る時間を稼ぎコーナ・
アンダーカットを極力小さくすることができる。形状補
償部が正方形のときには、図18に示す過程を含むこと
はない。このようにして、コーナ・アンダーカットを極
力小さくして小型化を図ることができる。
【0041】これまで説明した例の他にも以下のように
実施してもよい。上述した例では、図4に示すように重
り部7の幅Lw が狭く重り部7が細長い形状となってい
る場合において図12に示したように形状補償部が重な
らないように重り部の長さ方向(長方形の重り部におけ
る長辺の延設方向)を形状補償部の長辺としたが、重り
部の幅Lw が十分に広く形状補正部が重ならないなら
ば、図32に示す裏面エッチングマスクを用いることが
できる。つまり、長方形の重り部における長辺の延設方
向を形状補償部の短辺(長さL4)とするとともに、長
方形の重り部における短辺の延設方向を形状補償部の長
辺(長さL5)とする形状補償部48を有するマスクを
用いる。その結果、図33に示すような重り部の幅Lw
が広い重り部の形状が得られる。
実施してもよい。上述した例では、図4に示すように重
り部7の幅Lw が狭く重り部7が細長い形状となってい
る場合において図12に示したように形状補償部が重な
らないように重り部の長さ方向(長方形の重り部におけ
る長辺の延設方向)を形状補償部の長辺としたが、重り
部の幅Lw が十分に広く形状補正部が重ならないなら
ば、図32に示す裏面エッチングマスクを用いることが
できる。つまり、長方形の重り部における長辺の延設方
向を形状補償部の短辺(長さL4)とするとともに、長
方形の重り部における短辺の延設方向を形状補償部の長
辺(長さL5)とする形状補償部48を有するマスクを
用いる。その結果、図33に示すような重り部の幅Lw
が広い重り部の形状が得られる。
【0042】又、半導体加速度センサの他にも、半導体
圧力センサ等の半導体力学量センサに用いることができ
る。例えば、図34には半導体圧力センサを示す。図3
4において、<100>面を表面とする単結晶シリコン
基板53における中央部に薄肉のダイヤフラム部54が
形成されるとともに、その中央部に厚肉の重り部55が
形成されている。又、ダイヤフラム部54には歪みゲー
ジ(不純物拡散層;ピエゾ抵抗層)56,57,58,
59が形成されている。重り部55により、ダイヤフラ
ム部54に対し作用する圧力を高い感度にて検出するこ
とができる。このような半導体圧力センサを製造する際
において、単結晶シリコン基板53に薄肉のダイヤフラ
ム部54を形成するときに、長方形状の形状補償部を有
するパターン(マスク)を用いて異方性エッチングを行
う。
圧力センサ等の半導体力学量センサに用いることができ
る。例えば、図34には半導体圧力センサを示す。図3
4において、<100>面を表面とする単結晶シリコン
基板53における中央部に薄肉のダイヤフラム部54が
形成されるとともに、その中央部に厚肉の重り部55が
形成されている。又、ダイヤフラム部54には歪みゲー
ジ(不純物拡散層;ピエゾ抵抗層)56,57,58,
59が形成されている。重り部55により、ダイヤフラ
ム部54に対し作用する圧力を高い感度にて検出するこ
とができる。このような半導体圧力センサを製造する際
において、単結晶シリコン基板53に薄肉のダイヤフラ
ム部54を形成するときに、長方形状の形状補償部を有
するパターン(マスク)を用いて異方性エッチングを行
う。
【0043】又 歪みゲージは拡散抵抗の他にも、Cr
Si薄膜よりなる抵抗体を用いてもよい。又、エッチン
グ液はHMDS等を用いてもよい。
Si薄膜よりなる抵抗体を用いてもよい。又、エッチン
グ液はHMDS等を用いてもよい。
【図1】 半導体加速度センサの平面図。
【図2】 図1のA−A断面図。
【図3】 図1のB−B断面図。
【図4】 シリコン基板を裏面から見た図。
【図5】 半導体加速度センサの電気的構成図。
【図6】 半導体加速度センサの製造工程を説明するた
めの断面図。
めの断面図。
【図7】 半導体加速度センサの製造工程を説明するた
めの断面図。
めの断面図。
【図8】 半導体加速度センサの製造工程を説明するた
めの断面図。
めの断面図。
【図9】 半導体加速度センサの製造工程を説明するた
めの断面図。
めの断面図。
【図10】 半導体加速度センサの製造工程を説明する
ための断面図。
ための断面図。
【図11】 半導体加速度センサの製造工程を説明する
ための断面図。
ための断面図。
【図12】 裏面エッチングマスクの平面図。
【図13】 半導体加速度センサの製造工程を説明する
ための断面図。
ための断面図。
【図14】 シリコンのエッチング過程を説明するため
の平面図。
の平面図。
【図15】 シリコンのエッチング過程を説明するため
の平面図。
の平面図。
【図16】 シリコンのエッチング過程を説明するため
の平面図。
の平面図。
【図17】 シリコンのエッチング過程を説明するため
の平面図。
の平面図。
【図18】 シリコンのエッチング過程を説明するため
の平面図。
の平面図。
【図19】 シリコンのエッチング過程を説明するため
の平面図。
の平面図。
【図20】 シリコンのエッチング過程を説明するため
の平面図。
の平面図。
【図21】 正方形の形状補償部をもつマスクの平面
図。
図。
【図22】 シリコン基板の平面図。
【図23】 図22のD−D断面図。
【図24】 図22のE−E断面図。
【図25】 シリコン異方性エッチング過程の平面図。
【図26】 シリコン異方性エッチング過程の斜視図。
【図27】 エッチングの進行を説明するための平面
図。
図。
【図28】 エッチングの進行を説明するための平面
図。
図。
【図29】 エッチング箇所におけるシリコン基板の平
面図。
面図。
【図30】 正方形の形状補償部を用いた際の平面図。
【図31】 正方形の形状補償部を用いた際の平面図。
【図32】 別例を説明するためのマスクの平面図
【図33】 別例を説明するためのシリコン基板を裏面
から見た図。
から見た図。
【図34】 別例を説明するための図。
【図35】 半導体加速度センサの斜視図。
【図36】 エッチングマスクの平面図。
【図37】 エッチングマスクの平面図。
【図38】 エッチング後のシリコン基板の平面図。
6…厚肉部としての枠部、7…厚肉部としての重り部、
8,9,10,11…薄肉部としての梁部、16…単結
晶シリコン基板を構成するシリコンウェハ、17…単結
晶シリコン基板を構成するエピタキシャル層、23…異
方性エッチングマスク、27…矩形パターン、28a,
28b,28c,28d…形状補償部。
8,9,10,11…薄肉部としての梁部、16…単結
晶シリコン基板を構成するシリコンウェハ、17…単結
晶シリコン基板を構成するエピタキシャル層、23…異
方性エッチングマスク、27…矩形パターン、28a,
28b,28c,28d…形状補償部。
Claims (2)
- 【請求項1】 <100>面を表面とする単結晶シリコ
ン基板における所定領域を被覆した状態で当該単結晶シ
リコン基板を異方性エッチング加工することにより、被
覆された領域を厚肉部とするとともに露出した領域を薄
肉部とする半導体力学量センサの製造方法であって、 前記被覆する矩形パターンの角部に、<011>面方向
および<01バー1>面方向に目合わせされ、かつ各方
向での長さが異なる長方形状の形状補償部を設け、この
形状補償部にて被覆した状態で異方性エッチングを行う
ようにしたことを特徴とする半導体力学量センサの製造
方法。 - 【請求項2】 <100>面を表面とする単結晶シリコ
ン基板の所定領域を薄肉部とする異方性エッチングに用
いられる異方性エッチングマスクであって、 矩形パターンの角部に、<011>面方向および<01
バー1>面方向に目合わせされ、かつ各方向での長さが
異なる長方形状の形状補償部を設けたことを特徴とする
異方性エッチングマスク。
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US09/436,358 US6270685B1 (en) | 1995-12-27 | 1999-11-09 | Method for producing a semiconductor |
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---|---|
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2006294892A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Dainippon Printing Co Ltd | 一軸半導体加速度センサ |
JP2014232028A (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-11 | 株式会社豊田中央研究所 | 力検知素子 |
JP2016157849A (ja) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | 三島光産株式会社 | 突起配列部材の製造方法、その製造方法で得られる突起配列部材、及びその突起配列部材を用いた突起配列部材成形金型の製造方法 |
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-
1995
- 1995-12-27 JP JP34160795A patent/JP3489309B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-12-23 US US08/772,993 patent/US6130010A/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-11-09 US US09/436,358 patent/US6270685B1/en not_active Expired - Lifetime
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US6270685B1 (en) | 2001-08-07 |
JP3489309B2 (ja) | 2004-01-19 |
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