JPH0917809A - 半導体セラミックパッケージの製造方法と装置 - Google Patents

半導体セラミックパッケージの製造方法と装置

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JPH0917809A
JPH0917809A JP7188242A JP18824295A JPH0917809A JP H0917809 A JPH0917809 A JP H0917809A JP 7188242 A JP7188242 A JP 7188242A JP 18824295 A JP18824295 A JP 18824295A JP H0917809 A JPH0917809 A JP H0917809A
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lead frame
positioning
mounting table
package substrate
pin
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JP7188242A
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Noriaki Otani
徳明 大谷
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Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
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Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 リードフレームとパッケージ用基板の位置決
め精度をいっそう向上させる得る半導体セラミックパッ
ケージの製造方法と装置を提供する。 【構成】 位置合わせ孔を備えたリードフレームと、封
止面に熱溶融性接合材を配したパッケージ用基板を位置
決めした後、該接合材を加熱・溶融して該リードフレー
ムとパッケージ用基板を接合させて製造する方法と装置
である。リードフレーム載置台と、該リードフレーム載
置台の下方に昇降自在に設けられ、該リードフレーム載
置台の該位置合わせ孔と同じ間隔の位置に位置決めピン
を備えた位置決め材と、該位置決めピンを、該リードフ
レーム載置台のピン貫通孔に貫通させる位置決めピン昇
降手段と、リードフレーム配置手段、およびリードフレ
ームのインナーリード上にパッケージ用基板の封止面側
を下にして配置する基板配置手段を有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体セラミックパッ
ケージの製造方法と装置に係り、より詳細には、位置合
わせ孔を備えたリードフレームと、封止面に樹脂あるい
はガラス等の熱溶融性接合材を配したパッケージ用基板
を、該熱溶融性接合材を加熱・溶融して接合するに際し
て、前記リードフレームとパッケージ用基板の位置決め
精度をいっそう向上させることができる半導体セラミッ
クパッケージの製造方法と装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＣＱＦＰ（セラミック・クワッド
・フラット・パッケージ）のように、４方向にリードを
備えたタイプの半導体セラミックパッケージは、多ピン
化傾向にある。そして、このような傾向に伴って、パッ
ケージに搭載した半導体チップからリードフレーム上に
ボンディング配線（アルミまたは金ワイヤー）をする際
の位置精度の要求が高まっている。そのため、前記半導
体セラミックパッケージを製造するに際し、前記リード
フレームとセラミック製のパッケージ用基板の位置精度
を向上させることが必要となる。この位置決めは、通
常、図６に示されるように、中央にパッケージ用基板ａ
を収納するための凹部ｂを有し、側部上面にリードフレ
ームｃのタイバー部ｄに設けられている位置合わせ孔ｅ
に貫通させる位置決めピンｆが立設されているステンレ
ス製の位置決め治具ｇを用いて行っている。
【０００３】この位置決め治具ｇを用いて、リードフレ
ームｃとセラミック製のパッケージ用基板ａを接合する
には、まずパッケージ用基板ａの封止面ｈにシールガラ
ス等の熱溶融性接合材ｉをスクリーン印刷等によって塗
布した後、このパッケージ用基板ａを、位置決め治具ｇ
の凹部ｂに収納した後、この熱溶融性接合材ｉの上にリ
ードフレームｃを載せ、かつ位置合わせ孔ｅに前記位置
決めピンｆを貫通させて位置決めを行う。次に、これを
熱溶融性接合材ｉの溶融温度（接合材ｉがシールガラス
の場合、３５０〜５００℃）で加熱し、この熱溶融性接
合材ｉ中にリードフレームｃを沈ませることで両者の接
合を行っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、リードフレー
ムｃとパッケージ用基板ａを接合させることで半導体セ
ラミックパッケージを製造する際に、このような位置決
め手段を用いた場合、次のような課題がある。すなわ
ち、 パッケージ用基板ａの寸法が同じで、かつこのパッ
ケージ用基板ａに接合するリードフレームｃの位置合わ
せ孔ｅの位置サイズが同寸法のものについてしか共通す
る治具が使用できない。そのため、１種類毎に異なるス
テンレス製の位置決め治具が必要になり、多種類、少量
生産品を製造する場合は、その製作時間が長くなる。 位置決め治具ｇの凹部ｂに収納したパッケージ用基
板ａの上に、軽いリードフレームｃを載せて位置決めを
行うため、該パッケージ用基板ａとリードフレームｃと
の接合時にずれが生じやすい。 セラミック製のパッケージ用基板ａは、その製造時
における焼成収縮により基板の寸法にバラツキが生じる
ため、このパッケージ用基板ａを収納する位置決め治具
ｇの凹部ｂの寸法ｙ1 は、パッケージ用基板ａの基板寸
法ｘ1 の最大値ｘ1 ＋δｘ1 に、位置決め治具ｇの凹部
ｂの出来上がり寸法精度±δｙ1 を加算した寸法ｘ1 ＋
δｘ1 ＋δｙ1 に設計する必要がある。そのため、この
凹部ｂに収納したパッケージ用基板ａは、この凹部ｂの
中心から周方向に寸法（δｘ1 ＋δｙ1 ）／２のずれを
生じる。 また、位置決め治具ｇは、その位置決めピンｆのピ
ン径ｙ2 の出来上がり精度±δｙ2 、位置決めピンｆ間
のピン間隔ｙ3 の出来上がり精度±δｙ3 、およびリー
ドフレームｃの位置合わせ孔ｅの孔径ｚ1 の精度±δｚ
1 を考慮して加味して製作する必要がある。
【０００５】ところで、これらの寸法精度のうちで、パ
ッケージ用基板ａとリードフレームｃとの位置決めをす
る際に、位置ずれの発生する最大の要因は、寸法精度の
バラツキが大きいパッケージ用基板ａの寸法精度±δｘ
1 である。表２に示すように、パッケージ用基板ａの寸
法精度±δｘ1 が、±０．１５〜±０．２５ｍｍである
のに対して、他の例えば位置決め治具ｇの凹部ｂの出来
上がり寸法精度±δｙ1 が±０．０５ｍｍである。
【０００６】
【表２】
【０００７】このことから、前述したような位置決め治
具を用いた場合、前記パッケージ用基板を、該位置決め
治具の凹部に収納し、この上にリードフレームをセット
することになるので、常に、該パッケージ用基板の寸法
精度を考慮しなければならないことになる。そこで、本
発明者は、このような観点に鑑み、先に、前記リードフ
レームを位置設定した後、このリードフレームのインナ
ーリード部にパッケージ用基板をセットする手法を採用
することで、前記位置決め治具を用いることなく、パッ
ケージ用基板ａとリードフレームｃとの位置精度を向上
させ得ることを究明した。
【０００８】本発明は、以上のような課題に対処して創
作したものであって、その目的とする処は、位置合わせ
孔を備えたリードフレームと、封止面に樹脂あるいはガ
ラス等の熱溶融性接合材を配したパッケージ用基板を位
置決めした後、該接合材を加熱・溶融して前記リードフ
レームとパッケージ用基板を接合させることにより製造
する半導体セラミックパッケージの製造方法と装置にお
いて、前記熱溶融性接合材によりリードフレームとパッ
ケージ用基板を接合するに際し、該リードフレームとパ
ッケージ用基板の位置決め精度をいっそう向上させるこ
とができる半導体セラミックパッケージの製造方法と装
置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】そして、上記課題を解決
するための手段としての本発明の請求項１の半導体セラ
ミックパッケージの製造方法は、位置合わせ孔を備えた
リードフレームと、封止面に樹脂あるいはガラス等の熱
溶融性接合材を配したパッケージ用基板を位置決めした
後、該接合材を加熱・溶融して前記リードフレームとパ
ッケージ用基板を接合させることにより製造する半導体
セラミックパッケージの製造方法において、前記リード
フレームに設けられた位置合わせ孔に対応する位置に位
置合わせピン貫通孔を備えたリードフレーム載置台と、
該位置合わせ孔と同じ間隔の位置に位置決めピンを備え
た位置決め材を準備する工程と、該位置決めピンを、前
記リードフレーム載置台の下方から上昇させ、前記リー
ドフレーム載置台のピン貫通孔に貫通させる工程と、該
リードフレーム載置台のピン貫通孔から貫通している位
置決めピンに、前記リードフレームの位置合わせ孔を貫
通させて、該リードフレームを前記リードフレーム載置
台に配置する工程と、該リードフレーム載置台に配置さ
れたリードフレームのインナーリード部上に、前記パッ
ケージ用基板を、該基板の封止面側を下にして配置する
工程と、該パッケージ用基板をリードフレームのインナ
ーリード部上に配置した後、前記位置決めピンを下降さ
せて、該位置決めピンを前記リードフレームの位置合わ
せ孔およびリードフレーム載置台のピン貫通孔から抜き
出す工程を有する構成としている。
【００１０】請求項２の半導体セラミックパッケージの
製造方法は、前記請求項１の製造方法において、前記パ
ッケージ用基板またはリードフレームの接合部に、加熱
による脱バインダー性を有する仮接着用の接着剤を塗布
しておき、該半導体パッケージ用基板とリードフレーム
の位置決め、および仮接着をした後、前記熱溶融性接合
材を加熱・溶融して前記リードフレームと半導体パッケ
ージ用基板を接合させる構成としている。
【００１１】請求項３の半導体セラミックパッケージの
製造装置は、位置合わせ孔を備えたリードフレームと、
封止面に樹脂あるいはガラス等の熱溶融性接合材を配し
たパッケージ用基板を位置決めした後、該接合材を加熱
・溶融して前記リードフレームとパッケージ用基板を接
合させることにより製造する半導体セラミックパッケー
ジの製造装置において、前記リードフレームに設けられ
た位置合わせ孔に対応する位置に位置合わせピン貫通孔
を備えたリードフレーム載置台と、該リードフレーム載
置台の下方に昇降自在に設けられ、該リードフレーム載
置台の該位置合わせ孔と同じ間隔の位置に位置決めピン
を備えた位置決め材と、該位置決めピンを、該リードフ
レーム載置台のピン貫通孔に貫通させる位置決めピン昇
降手段と、該位置決めピンに、前記リードフレームの位
置合わせ孔を貫通させて、該リードフレームを該リード
フレーム載置台に配置するリードフレーム配置手段、お
よび該リードフレーム載置台に配置されているリードフ
レームのインナーリード部上に、前記パッケージ用基板
を、該基板の封止面側を下にして配置する基板配置手段
を有する構成としている。
【００１２】請求項４の半導体セラミックパッケージの
製造装置は、前記請求項３の製造装置において、前記リ
ードフレーム載置台が、前記熱溶融性接合材を加熱・溶
融して前記リードフレームとパッケージ用基板を接合さ
せる加熱炉を通過するコンベアに固定され、また前記位
置決め材が該コンベアとは独立して、該加熱炉入口の進
行方向後方に配置されている構成としている。
【００１３】
【作用】本発明の請求項１の半導体セラミックパッケー
ジの製造方法と、請求項３の半導体セラミックパッケー
ジの製造装置は、前記リードフレーム載置台の位置合わ
せピン貫通孔に、該リードフレーム載置台の下方から位
置決めピンを上昇・貫通させた状態で、前記リードフレ
ームの位置合わせ孔を該位置決めピンに貫通させて、該
リードフレームを前記リードフレーム載置台上に配置
し、該リードフレームの位置決めをした後、該位置決め
ピンによって係止されているリードフレームのインナー
リード部の上に、前記パッケージ用基板を、該基板の封
止面を下側にして配置することにより、該リードフレー
ムとパッケージ用基板の位置決めを行うので、該パッケ
ージ用基板の寸法精度の違いの有無にかかわらず、該リ
ードフレームの中心にパッケージ用基板の中心を合わせ
ることで、該リードフレームとパッケージ用基板の位置
合わせが正確に行え、また該リードフレーム上に、該パ
ッケージ用基板の重量がかかるので、該リードフレーム
とパッケージ用基板の接合時のずれの発生を軽減でき
る。
【００１４】請求項２の半導体セラミックパッケージの
製造方法は、前記パッケージ用基板またはリードフレー
ムの接合部に、加熱による脱バインダー性を有する仮接
着用の接着剤を塗布して、該パッケージ用基板をリード
フレーム上に配置した際、該接着剤によって仮接着する
ことから、前記接合時の位置ずれの発生をいっそう軽減
でき、かつ該接着剤は、加熱によって消失し、前記熱溶
融性接合材による接合性に悪影響を与えることがない。
【００１５】請求項４の半導体セラミックパッケージの
製造装置は、コンベアに固定したリードフレーム載置台
上で、前記リードフレームとパッケージ用基板との位置
合決めをした後、該リードフレーム載置台の位置合わせ
ピン貫通孔から、位置決め材に備えている位置決めピン
を下降・分離させ、前記リードフレームが位置決めピン
で位置規制されない状態で加熱炉に搬送されるので、該
リードフレームとパッケージ用基板とを接合する熱溶融
性接合材を加熱・溶融して、両者の接合する際の該リー
ドフレームの熱膨張による位置ずれ等のおそれを解消で
きる。
【００１６】
【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明を具体化
した実施例について説明する。ここに、図１〜図５は、
本発明の実施例を示し、図１はリードフレームとパッケ
ージ用基板との位置合決め装置の概略図、図２はリード
フレームとパッケージ用基板との位置決め工程の説明
図、図３（ａ）（ｂ）はリードフレーム載置台の平面
図、図４は４連リードフレームの平面図、図５は位置決
め・加熱接合部分の概略配置を示す説明図である。
【００１７】本実施例は、ＣＱＦＰの製造装置における
リードフレーム１とパッケージ用基板２との位置決めを
し、またリードフレーム１とパッケージ用基板２を接合
するための部分の装置であって、概略すると、図１に示
すように、リードフレーム載置台１１と、位置決め材１
２と、位置決めピン昇降部１３と、リードフレーム移載
部１４と、基板移載部１５、および加熱炉１６の６つの
部分とからなる。
【００１８】ここで、本実施例で用いるリードフレーム
１は、図４に示すように、４２アロイやコバールからな
る４連式のリードフレームである。それぞれの単位リー
ドフレーム１ａ，１ｂ・・は、それぞれ４方向にリード
３を備えている。そして、このリードフレーム１の一方
の端部には、基準となる位置合わせ用の位置合わせ孔４
を、また他端側には、遊びを有する位置合わせ孔（長孔
あるいは楕円孔）５を有している。このリードフレーム
１の各単位リードフレーム１ａ，１ｂ・・と接合するパ
ッケージ用基板２は、図１に示すように、セラミックパ
ッケージであって、その封止面６に、ガラス等の熱溶融
性接合材が塗布あるいは印刷された接合部７を備えてい
る。
【００１９】そして、リードフレーム載置台１１は、リ
ードフレーム１を配置・位置決めするためのステンレス
鋼等で形成された耐熱性ボードであって、その左右端部
に、加熱炉１６を通過する無端駆動のコンベア１７に所
定間隔で着脱自在に取り付けるためのコンベア固定孔１
８を備えている（図３参照）。また、このリードフレー
ム載置台１１には、リードフレーム１とパッケージ用基
板２を接合する際、パッケージ用基板２の封止面６に形
成されている接合部７の接合材が付着しないようにする
ための単位リードフレーム１ａ，１ｂ・・に対応する穴
１９と、リードフレーム１に設けられている位置合わせ
孔４，５に対応する位置にピン貫通孔２０，２１を備え
ている。このピン貫通孔２０，２１は、後述する位置決
め材１２に設けられている位置決めピン２２のピン径よ
り大径孔であって、通常、位置決めピン２２との間に
は、５ｍｍ程度の遊びを設けている。
【００２０】位置決め材１２は、加熱炉１６の入口部分
のコンベア１７の下方に配置されていて、このコンベア
１７上のリードフレーム載置台１１に設けられているピ
ン貫通孔２０，２１に対応する位置に位置決めピン２２
を備えている。この位置決めピン２２は、リードフレー
ム載置台１１のピン貫通孔２０，２１を貫通し、リード
フレーム１を保持できる長さのピンで、リードフレーム
載置台１１に設けられているピン貫通孔２０，２１の個
数に対応するだけ、少なくとも２個以上設けている。そ
して、この位置決めピン２２は、位置決め材１２の下部
に取り付けられた位置決めピン昇降部１３によって昇降
自在の構成としている。ここで、加熱炉１６は、パッケ
ージ用基板２の封止面６に塗布あるいは印刷により形成
されているガラス等の熱溶融性接合材からなる接合部７
を加熱・溶融してリードフレーム１とパッケージ用基板
２を接合するための炉であり、該接合材の溶融温度に熱
する。
【００２１】位置決めピン昇降部１３は、位置決め材１
２を昇降させて位置決めピン２２をリードフレーム載置
台１１のピン貫通孔２０，２１に挿入させるための昇降
駆動部であって、エアシリンダ２３と、コンベア１７に
固定されているリードフレーム載置台１１が、位置決め
ピン２２の上方に達したことを検出するセンサー２４を
有する。そして、このセンサー２４からの検出信号によ
って、コントロール部２５を介してエアシリンダ２３が
駆動する。
【００２２】リードフレーム移載部１４は、位置決め材
１２の設けられている個所で、コンベア１７の外側に設
けられ、リードフレーム１をリードフレームセット台２
６から、リードフレーム載置台１１に移載するための部
分であって、吸着パッド２７と、この吸着パッド２７を
昇降させるエアシリンダ２８、吸着パッド保持体２９を
左右動させる駆動機構（図示せず）、およびリードフレ
ーム載置台１１上へのリードフレーム１のセット状態を
検出するセンサー（図示せず）からなり、この駆動機構
はリードフレーム載置台１４のピン貫通孔２０，２１に
挿入されている位置決めピン２２の位置と位置合わせし
ている。
【００２３】基板移載部１５は、位置決め材１２の設け
られている個所で、コンベア１７の外側に設けられ、パ
ッケージ用基板２を芯出した後、このパッケージ用基板
２をリードフレーム載置台１１に配置したリードフレー
ム１の各単位リードフレーム１ａ，１ｂ，・・の中心に
移載するための部分であって、基板芯出し・チャック部
３１と、該芯出した基板２を移動させてリードフレーム
１上に配置する駆動機構部（図示せず）と、リードフレ
ーム１上にパッケージ用基板２のセット状態を検出する
センサー（図示せず）からなる。基板芯出し・チャック
部３１は、一般的な、芯出し装置であって、基板２を、
左右のチャックハンド３３によって、クランプ軸３４を
中心としてチャックすることで芯出しする装置あるいは
光学的機構等を使ったロボットで芯出しする装置を用い
ている。
【００２４】次に、本実施例の製造装置を用いて、半導
体セラミックパッケージの製造方法について説明する。
本実施例の製造方法は、セラミック粉末を所定形状の金
型でプレス加工し焼成したもの、あるいは所定の水平、
垂直導体パターンを形成したセラミック生シート（単層
あるいは積層）を、所定温度で焼成して作製したセラミ
ック基板からなるパッケージ用基板２にリードフレーム
１を接合してパッケージを製造する。
【００２５】まず、接合するパッケージ用基板２とリー
ドフレーム１に対応するリードフレーム載置台１１と、
このリードフレーム載置台１１と位置決め材１２を準備
すると共に、加熱炉１６内を通過するように設置された
コンベア１７に、リードフレーム載置台１１を所定間隔
で固定する。なお、パッケージ用基板２の封止面６の接
合部７上または、リードフレーム１の該接合部７に対応
する個所に、加熱による脱バインダー性を有するニトロ
セルローズ、またはアクリル系接着剤を塗布しておく。
この接着剤としては、加熱による脱バインダー性を有す
るものであれば、他の接着剤であってもよい。また、加
熱炉１６の入口の所定個所に、位置決めピン昇降部１３
で昇降する前記位置決め材１２を配置する。そして、コ
ンベア１７をタクト駆動させ、コンベア１７に固定され
ているリードフレーム載置台１１が移動し、位置決め材
１２の配置されている個所に到達すると、これをセンサ
ー２４が検出し、この検出信号によってコントロール部
２５を介して位置決めピン昇降部１３のエアシリンダ２
３が上昇して、位置決めピン２２がリードフレーム載置
台１１に設けられているピン貫通孔２０，２１に挿入・
貫通し、セット状態となる。
【００２６】この位置決めピン２２のセット状態をセン
サー（図示せず）が検出すると、この検出信号によっ
て、リードフレーム移載部１４の吸着パッド２７がエア
シリンダ２８の作動で、リードフレームセット台２６か
ら吸着し、保持して上昇し、かつ駆動機構によってリー
ドフレーム載置台１１上に配置する。次に、このリード
フレーム１のセット状態を検出すると、基板移載部１５
の基板芯出し・チャック部３１が作動し、パッケージ用
基板２を左右のチャックハンド３３によって、クランプ
軸３４を中心としてチャックすることで芯出しを行な
い、図示しない駆動機構によって、このパッケージ用基
板２をリードフレーム１の各単位リードフレーム１ａ，
１ｂ・・上に、繰り返して配置する。
【００２７】次に、このパッケージ用基板２を全ての各
単位リードフレーム１ａ，１ｂ・・上に配置したことを
検出すると、この検出信号によって、位置決めピン昇降
部１３のエアシリンダ２３が下降して、位置決めピン２
２がリードフレーム載置台１１に設けられているピン貫
通孔２０，２１から離脱し、セット解消状態となる。こ
のように位置決めピン２２がリードフレーム載置台１１
のピン貫通孔２０，２１から外れると、コンベア１７が
駆動し、加熱炉１６に搬入され、該加熱により、パッケ
ージ用基板２の接合部７上に塗布あるいは印刷されてい
る加熱による脱バインダー性を有する接着剤が昇華し、
更にパッケージ用基板２の封止面６に形成されている熱
溶融性接合材からなる接合部７が加熱によって溶融し、
パッケージ用基板２とリードフレーム１が接合する。
【００２８】この動作をコンベア１７をタクト駆動する
ことによって、加熱炉１６の入口に到達するリードフレ
ーム載置台１１について、パッケージ用基板２とリード
フレーム１の位置決め、配置を繰り返して行ない、加熱
炉１６に搬入し、パッケージ用基板２とリードフレーム
１の連続して接合する。そして、本実施例の製造装置と
方法を用い、パッケージ用基板２とリードフレーム１を
位置決めし、かつ加熱炉を介して接合することで、パッ
ケージ用基板２とリードフレーム１の位置精度が良好な
半導体セラミックパッケージを製造することができた。
なお、リードフレーム１が、多連（本実施例では、４連
のリードフレーム）の場合で説明したが、１個からなる
単リードフレームの場合は、図３（ｂ）に示すように、
リードフレーム載置台１１として、基準となる左端の位
置合わせ孔２０から、リードフレーム１に対応する位置
合わせ孔２１ａ，２１ｂ・・が、所定ピッチで設けられ
ている載置台を用い、これに該位置合わせ孔２１ａ，２
１ｂ・・に対応する位置決めピン２２を有する位置決め
材１３を使用することで、多連リードフレームの場合と
同様に、リードフレームとパッケージ用基板の位置決め
・接合ができる。なお、５連以上のリードフレームでも
同様である。
【００２９】ところで、本実施例の製造方法と装置を用
いて半導体セラミックパッケージを製造した場合、従来
の治具を用いた場合に比べて、パッケージ用基板とリー
ドフレームとの位置決め・接合による位置精度が、３〜
４倍程度向上できることが確認できた。これは、次の理
由による。 本実施例の方法を用いた場合、パッケージ用基板を
リードフレーム上に載置する方法を採用しているため、
該パッケージ用基板の芯出しをすることで、位置決めで
きることから、従来例の場合と異なり、パッケージ用基
板自体の精度±δｘ1 による影響が少ないことによる。 パッケージ用基板を収納する凹部を備えた治具を用
いないので、凹部ｂの出来上がり寸法精度±δｙ1 を考
慮する必要がないこと、および位置決めした後、位置決
めピンを外すので、位置決めピン間の寸法精度±δｙ3
を考慮する必要がないことによる。 なお、本実施例の場合、リードフレーム載置台への
リードフレーム、パッケージ用基板の配置を繰り返しす
る自動化による繰り返し精度を考慮する必要があるが、
この精度は、±０．０５ｍｍ程度である。このことか
ら、前述した表２に示す従来例の位置精度と、次に示す
表１の本実施例の位置精度を比べると、従来例の場合、
トータル精度が、±０．１８〜±０．２７ｍｍであるの
に対して、本実施例の場合は、前述した自動化による繰
り返し精度を考慮しても±０．０７ｍｍであり、本実施
例の場合、その位置精度をいっそう向上させ得ることが
分かる。
【００３０】
【表１】
【００３１】なお、本発明は、上述した実施例に限定さ
れるものでなく、本発明の要旨を変更しない範囲内で変
形実施できる構成を含む。因みに、前述した実施例にお
いては、位置決めピンを備えた位置決め材を位置決めピ
ン昇降部を介して昇降させる構成で説明したが、該位置
決めピンは任意に取り外しできる形態等としてもよいこ
とは当然である。
【００３２】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、本発明
の請求項１の半導体セラミックパッケージの製造方法
と、請求項３の半導体セラミックパッケージの製造装置
によれば、前記リードフレーム載置台の位置合わせピン
貫通孔に、該リードフレーム載置台に挿入させた状態
で、前記リードフレームの位置合わせ孔を該位置決めピ
ンに貫通させて、該リードフレームを前記リードフレー
ム載置台上に配置し、該リードフレームの位置決めをし
た後、該位置決めピンによって係止されているリードフ
レームのインナーリード部の上に、前記パッケージ用基
板を、該基板の封止面を下側にして配置し、該リードフ
レームとパッケージ用基板の位置決めを行うので、該パ
ッケージ用基板の寸法精度の違いの有無にかかわらず、
該リードフレームの中心にパッケージ用基板の中心を合
わせることで、該リードフレームとパッケージ用基板の
位置合わせが正確に行え、また該リードフレーム上に、
該パッケージ用基板の重量がかかるので、該リードフレ
ームとパッケージ用基板の接合時のずれの発生を軽減で
きるという効果を有する。
【００３３】請求項２の半導体セラミックパッケージの
製造方法によれば、前記パッケージ用基板またはリード
フレームの接合部に、加熱による脱バインダー性を有す
る仮接着用の接着剤を塗布して、該パッケージ用基板を
リードフレーム上に配置した際、該接着剤によって仮接
着することから、前記接合時の位置ずれの発生をいっそ
う軽減でき、かつ該接着剤は、加熱によって消失し、前
記熱溶融性接合材による接合性に悪影響を与えることが
ないという効果を有する。
【００３４】請求項４の半導体セラミックパッケージの
製造装置によれば、コンベアに固定したリードフレーム
載置台上で、前記リードフレームとパッケージ用基板と
の位置合決めをした後、該リードフレーム載置台の位置
合わせピン貫通孔から、位置決め材に備えている位置決
めピンを下降・分離させ、前記リードフレームが位置決
めピンで位置規制されない状態で加熱炉に搬送されるの
で、該リードフレームとパッケージ用基板とを接合する
熱溶融性接合材を加熱・溶融して、両者の接合する際の
該リードフレームの熱膨張による位置ずれ等のおそれを
解消できるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施例を示す、リードフレームとパ
ッケージ用基板との位置合決め装置の概略図である。
【図２】 本発明におけるリードフレームとパッケージ
用基板との位置決め工程の説明図である。
【図３】 本実施例におけるリードフレーム載置台の平
面図である。
【図４】 本実施例に使用する４連リードフレームの平
面図である。
【図５】 位置決め・加熱接合部分の概略配置を示す説
明図である。
【図６】 従来例のリードフレームとパッケージ用基板
との位置合決め装置の概略図である。
【符号の説明】
１・・・リードフレーム、１ａ，１ｂ・・・単位リード
フレーム、２・・・パッケージ用基板、３・・・リー
ド、４・・・位置合わせ孔、５・・・位置合わせ孔（長
孔、楕円孔）、６・・・パッケージ用基板の封止面、７
・・・接合部、１１・・・リードフレーム載置台、１２
・・・位置決め材、１３・・・位置決めピン昇降部、１
４・・・リードフレーム移載部、１５・・・基板移載
部、１６・・・加熱炉、１７・・・無端駆動のコンベ
ア、１８・・・コンベア固定孔、１９・・・穴、２０・
・・ピン貫通孔（基準孔）、２１・・・ピン貫通孔、２
２・・・位置決めピン、２３・・・エアシリンダ、２４
・・・センサー、２５・・・コントロール部、２６・・
・リードフレームセット台、２７・・・吸着パッド、２
８・・・エアシリンダ、２９・・・吸着パッド保持体、
３１・・・基板芯出し・チャック部、３３・・・左右の
チャックハンド、３４・・・クランプ軸、ａ・・・パッ
ケージ用基板、ｂ・・・凹部、ｃ・・・リードフレー
ム、ｄ・・・タイバー部、ｅ・・・位置合わせ孔、ｆ・
・・位置決めピン、ｇ・・・ステンレス製の位置決め治
具、ｈ・・・パッケージ用基板ａの封止面、ｉ・・・熱
溶融性接合材

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 位置合わせ孔を備えたリードフレーム
    と、封止面に樹脂あるいはガラス等の熱溶融性接合材を
    配したパッケージ用基板を位置決めした後、該接合材を
    加熱・溶融して前記リードフレームとパッケージ用基板
    を接合させることにより製造する半導体セラミックパッ
    ケージの製造方法において、 前記リードフレームに設けられた位置合わせ孔に対応す
    る位置に位置合わせピン貫通孔を備えたリードフレーム
    載置台と、該位置合わせ孔と同じ間隔の位置に位置決め
    ピンを備えた位置決め材を準備する工程と、 該位置決めピンを、前記リードフレーム載置台の下方か
    ら上昇させ、前記リードフレーム載置台のピン貫通孔に
    貫通させる工程と、 該リードフレーム載置台のピン貫通孔から貫通している
    位置決めピンに、前記リードフレームの位置合わせ孔を
    貫通させて、該リードフレームを前記リードフレーム載
    置台に配置する工程と、 該リードフレーム載置台に配置されたリードフレームの
    インナーリード部上に、前記パッケージ用基板を、該基
    板の封止面側を下にして配置する工程と、 該パッケージ用基板をリードフレームのインナーリード
    部上に配置した後、前記位置決めピンを下降させて、該
    位置決めピンを前記リードフレームの位置合わせ孔およ
    びリードフレーム載置台のピン貫通孔から抜き出す工
    程、 を有することを特徴とする半導体セラミックパッケージ
    の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記パッケージ用基板またはリードフレ
    ームの接合部に、加熱による脱バインダー性を有する仮
    接着用の接着剤を塗布しておき、該半導体パッケージ用
    基板とリードフレームの位置決め、および仮接着をした
    後、前記熱溶融性接合材を加熱・溶融して前記リードフ
    レームと半導体パッケージ用基板を接合させる請求項１
    に記載の半導体セラミックパッケージの製造方法。
  3. 【請求項３】 位置合わせ孔を備えたリードフレーム
    と、封止面に樹脂あるいはガラス等の熱溶融性接合材を
    配したパッケージ用基板を位置決めした後、該接合材を
    加熱・溶融して前記リードフレームとパッケージ用基板
    を接合させることにより製造する半導体セラミックパッ
    ケージの製造装置において、 前記リードフレームに設けられた位置合わせ孔に対応す
    る位置に位置合わせピン貫通孔を備えたリードフレーム
    載置台と、該リードフレーム載置台の下方に昇降自在に
    設けられ、該リードフレーム載置台の該位置合わせ孔と
    同じ間隔の位置に位置決めピンを備えた位置決め材と、
    該位置決めピンを、該リードフレーム載置台のピン貫通
    孔に貫通させる位置決めピン昇降手段と、該位置決めピ
    ンに、前記リードフレームの位置合わせ孔を貫通させ
    て、該リードフレームを該リードフレーム載置台に配置
    するリードフレーム配置手段、および該リードフレーム
    載置台に配置されているリードフレームのインナーリー
    ド部上に、前記パッケージ用基板を、該基板の封止面側
    を下にして配置する基板配置手段を有することを特徴と
    する半導体セラミックパッケージの製造装置。
  4. 【請求項４】 前記リードフレーム載置台が、前記熱溶
    融性接合材を加熱・溶融して前記リードフレームとパッ
    ケージ用基板を接合させる加熱炉を通過するコンベアに
    固定され、また前記位置決め材が該コンベアとは独立し
    て、該加熱炉入口の進行方向後方に配置されている請求
    項３に記載の半導体セラミックパッケージの製造装置。
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