JPH09175829A - 分散移動光ファイバの製造方法 - Google Patents
分散移動光ファイバの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 なめらかなコアの屈折率をもつ環状リング型
屈折率プロファイルの分散移動光ファイバを製造するＭ
ＣＶＤ法を利用した製造方法を提供する。 【解決手段】 温度を1875℃→1903℃としつつSiCl4 ：
5200mg/m,GeCl4：430mg/m,POCl3 ：30mg/m,CF4：9cc/m
で供給してクラッドを形成する第１蒸着工程と、温度を
1900℃とし、SiCl4 ：3300mg/m,GeCl4：1150mg/m,POC
l3：20mg/m,O2 ：1500cc/mで供給して環状リングを形成
する第２蒸着工程と、温度を1890℃→1897℃としつつSi
Cl4 ：3800mg/m,GeCl4：430mg/m,POCl3 ：10mg/m,CF4：
7cc/m で供給してクラッドを形成する第３蒸着工程と、
温度を1920℃→1890℃としつつSiCl4：380mg/m →260mg
/m,GeCl4 ：20mg/m→195mg/m としながら供給し、O2：1
500cc/mで供給してコア部を蒸着する第４蒸着工程と、
温度を2300〜2360℃として蒸着後の石英管を凝縮し、密
封前に温度を2220〜2250℃としてCF4 ：30〜40cc/mで供
給しエッチングした後、温度を2350〜2370℃としCl2 ：
100cc/m で供給して密封する密封工程と、を実施する。
屈折率プロファイルの分散移動光ファイバを製造するＭ
ＣＶＤ法を利用した製造方法を提供する。 【解決手段】 温度を1875℃→1903℃としつつSiCl4 ：
5200mg/m,GeCl4：430mg/m,POCl3 ：30mg/m,CF4：9cc/m
で供給してクラッドを形成する第１蒸着工程と、温度を
1900℃とし、SiCl4 ：3300mg/m,GeCl4：1150mg/m,POC
l3：20mg/m,O2 ：1500cc/mで供給して環状リングを形成
する第２蒸着工程と、温度を1890℃→1897℃としつつSi
Cl4 ：3800mg/m,GeCl4：430mg/m,POCl3 ：10mg/m,CF4：
7cc/m で供給してクラッドを形成する第３蒸着工程と、
温度を1920℃→1890℃としつつSiCl4：380mg/m →260mg
/m,GeCl4 ：20mg/m→195mg/m としながら供給し、O2：1
500cc/mで供給してコア部を蒸着する第４蒸着工程と、
温度を2300〜2360℃として蒸着後の石英管を凝縮し、密
封前に温度を2220〜2250℃としてCF4 ：30〜40cc/mで供
給しエッチングした後、温度を2350〜2370℃としCl2 ：
100cc/m で供給して密封する密封工程と、を実施する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光ファイバ、特に、
コアの周りにコアより屈折率が低い環状リング型屈折率
(Annular Ring Refractive Index) を有する形態の分散
移動光ファイバ(Dispersion Mobile Optical Fiber) に
関し、特に、石英管内部に化学ガスを供給して外部熱源
により加熱、蒸着するＭＣＶＤ法を利用したその製造方
法に関するものである。
コアの周りにコアより屈折率が低い環状リング型屈折率
(Annular Ring Refractive Index) を有する形態の分散
移動光ファイバ(Dispersion Mobile Optical Fiber) に
関し、特に、石英管内部に化学ガスを供給して外部熱源
により加熱、蒸着するＭＣＶＤ法を利用したその製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近の超高速情報通信網用として利用さ
れる１．５５マイクロメートルの石英系光ファイバを使
用した分散移動光ファイバは、その種類と特性が多様で
ある。この分散移動光ファイバの種類と特性は、参考文
献「Academic Press, Inc.出版の“OPTICAL FIBER TELE
COMUNICATION II ”の29頁〜36頁」に詳しい。このよう
な分散移動光ファイバの中でも特に環状リング型屈折率
を有する分散移動光ファイバは、マイクロベンディング
(Micro Bending) 損失特性に優れたものと知られてい
る。環状リング型屈折率を有する構造は、コアの周りに
このコアを保護する環状リング形態の低い屈折率を有す
る層を設けたものであることは、１９８３年にBhagavat
ula 氏らによって提案され、米国特許第４, ４１２, ７
２２号や第４, ５１６, ８２６号に開示されている。
れる１．５５マイクロメートルの石英系光ファイバを使
用した分散移動光ファイバは、その種類と特性が多様で
ある。この分散移動光ファイバの種類と特性は、参考文
献「Academic Press, Inc.出版の“OPTICAL FIBER TELE
COMUNICATION II ”の29頁〜36頁」に詳しい。このよう
な分散移動光ファイバの中でも特に環状リング型屈折率
を有する分散移動光ファイバは、マイクロベンディング
(Micro Bending) 損失特性に優れたものと知られてい
る。環状リング型屈折率を有する構造は、コアの周りに
このコアを保護する環状リング形態の低い屈折率を有す
る層を設けたものであることは、１９８３年にBhagavat
ula 氏らによって提案され、米国特許第４, ４１２, ７
２２号や第４, ５１６, ８２６号に開示されている。
【０００３】この環状リング型屈折率を有する構造の光
ファイバは、主にＯＶＤ(Outer Vapor Deposition)法
と、ＭＣＶＤ(Modified Chemical Vapour Deposition)
法によって製造される。ＯＶＤ法は、米国特許第４, ７
１５, ６７９号や韓国特許第２６４１０号、第４９５０
９号に開示されているように、環状リングのプロファイ
ルを階段式に製造することは難しいが、この階段式形態
に類似した三角形態であれば比較的容易に製造すること
ができ、また気孔性状態にした母材外径をある程度まで
大きく作れるという長所がある。一方のＭＣＶＤ法は、
米国特許第４, ７３７, １７９号、第４, ７５５, ０２
２号、第４, ８２２, ３９９号に開示されているよう
に、内部蒸着をするため、均一な流量制御によって比較
的容易に所望形態のプロファイルを製造可能であるが、
母材の外径を大きくすることができない。
ファイバは、主にＯＶＤ(Outer Vapor Deposition)法
と、ＭＣＶＤ(Modified Chemical Vapour Deposition)
法によって製造される。ＯＶＤ法は、米国特許第４, ７
１５, ６７９号や韓国特許第２６４１０号、第４９５０
９号に開示されているように、環状リングのプロファイ
ルを階段式に製造することは難しいが、この階段式形態
に類似した三角形態であれば比較的容易に製造すること
ができ、また気孔性状態にした母材外径をある程度まで
大きく作れるという長所がある。一方のＭＣＶＤ法は、
米国特許第４, ７３７, １７９号、第４, ７５５, ０２
２号、第４, ８２２, ３９９号に開示されているよう
に、内部蒸着をするため、均一な流量制御によって比較
的容易に所望形態のプロファイルを製造可能であるが、
母材の外径を大きくすることができない。
【０００４】このような環状リング型屈折率を有する分
散移動光ファイバの製造方法のうち、ＭＣＶＤ法につい
て以下説明する。図１は、一般的なＭＣＶＤ法による製
造設備を説明する概略構成図で、図２は、環状リング型
プロファイルを示した分布図である。また、図３〜図８
は、環状リング型プロファイルの製造工程を説明する各
パラメータのグラフである。即ち、図３は環状リング型
プロファイルを製造する際の工程順の加熱温度を示し、
図４は環状リング型プロファイルを製造する際の工程順
に供給するＳｉＣｌ4 の流量を示し、図５は環状リング
型プロファイルを製造する際の工程順に供給するＧｅＣ
ｌ4 の流量を示し、図６は環状リング型プロファイルを
製造する際の工程順に供給するＰＯＣｌ3 の流量を示
し、図７は環状リング型プロファイルを製造する際の工
程順に供給するＯ2 の流量を示し、図８は環状リング型
プロファイルを製造する際の工程順に供給するＣＦ
4 （ＳＦ 6 ）の流量を示す。
散移動光ファイバの製造方法のうち、ＭＣＶＤ法につい
て以下説明する。図１は、一般的なＭＣＶＤ法による製
造設備を説明する概略構成図で、図２は、環状リング型
プロファイルを示した分布図である。また、図３〜図８
は、環状リング型プロファイルの製造工程を説明する各
パラメータのグラフである。即ち、図３は環状リング型
プロファイルを製造する際の工程順の加熱温度を示し、
図４は環状リング型プロファイルを製造する際の工程順
に供給するＳｉＣｌ4 の流量を示し、図５は環状リング
型プロファイルを製造する際の工程順に供給するＧｅＣ
ｌ4 の流量を示し、図６は環状リング型プロファイルを
製造する際の工程順に供給するＰＯＣｌ3 の流量を示
し、図７は環状リング型プロファイルを製造する際の工
程順に供給するＯ2 の流量を示し、図８は環状リング型
プロファイルを製造する際の工程順に供給するＣＦ
4 （ＳＦ 6 ）の流量を示す。
【０００５】この製造方法では、図１のように、バーナ
ー８を移動させて所定温度で石英管を加熱しながら原料
ガス供給系４を通じて一定量の原料ガスを供給し堆積さ
せることにより、環状リング型屈折率を有する分散移動
光ファイバを製造する。その詳細は、まず、図３の最初
の蒸着クラッド(Deposition Clad) 部の工程(Pass)で
は、石英管温度が１８９０℃になるように一定時間加熱
して石英管の内部を均一にした後、図４〜図８のように
してＳｉＣｌ4 ：５４００ｍｇ／ｍ、ＧｅＣｌ4：４５
０ｍｇ／ｍ、ＰＯＣｌ3 ：４０ｍｇ／ｍ、ＣＦ4 ：１２
ｃｃ／ｍを供給しながら、石英管外部から酸素及び水素
バーナー８で１８９０℃に一定加熱することにより、蒸
着を行う。
ー８を移動させて所定温度で石英管を加熱しながら原料
ガス供給系４を通じて一定量の原料ガスを供給し堆積さ
せることにより、環状リング型屈折率を有する分散移動
光ファイバを製造する。その詳細は、まず、図３の最初
の蒸着クラッド(Deposition Clad) 部の工程(Pass)で
は、石英管温度が１８９０℃になるように一定時間加熱
して石英管の内部を均一にした後、図４〜図８のように
してＳｉＣｌ4 ：５４００ｍｇ／ｍ、ＧｅＣｌ4：４５
０ｍｇ／ｍ、ＰＯＣｌ3 ：４０ｍｇ／ｍ、ＣＦ4 ：１２
ｃｃ／ｍを供給しながら、石英管外部から酸素及び水素
バーナー８で１８９０℃に一定加熱することにより、蒸
着を行う。
【０００６】次の環状リング(Annular Ring)部の工程で
は、図４〜図８のようにしてＳｉＣｌ4 ：３０００ｍｇ
／ｍ、ＧｅＣｌ4 ：１３００ｍｇ／ｍ、ＰＯＣｌ3 ：３
５ｍｇ／ｍ、Ｏ2 ：２０００ｃｃ／ｍを供給しながら、
図３のように蒸着温度を１９０５℃で一定にして蒸着を
行う。
は、図４〜図８のようにしてＳｉＣｌ4 ：３０００ｍｇ
／ｍ、ＧｅＣｌ4 ：１３００ｍｇ／ｍ、ＰＯＣｌ3 ：３
５ｍｇ／ｍ、Ｏ2 ：２０００ｃｃ／ｍを供給しながら、
図３のように蒸着温度を１９０５℃で一定にして蒸着を
行う。
【０００７】続く更なる蒸着クラッド部の工程では、図
４〜図８のようにしてＳｉＣｌ4 ：４０００ｍｇ／ｍ、
ＧｅＣｌ4 ：４５０ｍｇ／ｍ、ＰＯＣｌ3 ：２５ｍｇ／
ｍ、ＣＦ4 ：９ｃｃ／ｍを供給しながら、図３のように
蒸着温度を１９１５℃で一定にして蒸着を行う。
４〜図８のようにしてＳｉＣｌ4 ：４０００ｍｇ／ｍ、
ＧｅＣｌ4 ：４５０ｍｇ／ｍ、ＰＯＣｌ3 ：２５ｍｇ／
ｍ、ＣＦ4 ：９ｃｃ／ｍを供給しながら、図３のように
蒸着温度を１９１５℃で一定にして蒸着を行う。
【０００８】そしてコア(Core)部の工程では、図４〜図
８のようにしてＳｉＣｌ4 ：１１００ｍｇ／ｍ、Ｏ2 ：
２０００ｍｇ／ｍを供給すると共にＧｅＣｌ4 を６０ｍ
ｇ／ｍから２５０ｍｇ／ｍへ増加させつつ供給しなが
ら、図３のように蒸着温度を１９１０℃で一定にして蒸
着を行う。
８のようにしてＳｉＣｌ4 ：１１００ｍｇ／ｍ、Ｏ2 ：
２０００ｍｇ／ｍを供給すると共にＧｅＣｌ4 を６０ｍ
ｇ／ｍから２５０ｍｇ／ｍへ増加させつつ供給しなが
ら、図３のように蒸着温度を１９１０℃で一定にして蒸
着を行う。
【０００９】その後、図３のように２３００〜２３２０
℃で蒸着完成した石英管を凝縮させるコラプス(Collaps
e)工程を行い、そして密封直前にＣＦ4 ：２５〜３０
（ＳＦ 6 ：６〜７）ｃｃ／ｍを石英管に供給して図３の
ように２２２０〜２２５０℃でエッチング(Etching Sec
tion) を行った後、２３４０〜２３６０℃に加熱して密
封(Seal)する。
℃で蒸着完成した石英管を凝縮させるコラプス(Collaps
e)工程を行い、そして密封直前にＣＦ4 ：２５〜３０
（ＳＦ 6 ：６〜７）ｃｃ／ｍを石英管に供給して図３の
ように２２２０〜２２５０℃でエッチング(Etching Sec
tion) を行った後、２３４０〜２３６０℃に加熱して密
封(Seal)する。
【００１０】
【発明が解しようとする課題】上記のような製造方法に
よって製造した環状リング型プロファイルを有する分散
移動光ファイバの母材は、図２に示すように、そのコア
の屈折率形態が円錐形であり、コアの中心で最大屈折率
を有する。従って、コア中心へ行くほどＧｅＯ 2 量が多
くならなければならない。このため上記のようにコア部
工程でＧｅＯ2の量を増加させるようにしているが、そ
の際に図２のように、流量を変える度に蒸着部内の屈折
率が落ち、またコア中心の屈折率が落ちるセンターディ
ップ(center dip)現象が発生するという問題がある。
よって製造した環状リング型プロファイルを有する分散
移動光ファイバの母材は、図２に示すように、そのコア
の屈折率形態が円錐形であり、コアの中心で最大屈折率
を有する。従って、コア中心へ行くほどＧｅＯ 2 量が多
くならなければならない。このため上記のようにコア部
工程でＧｅＯ2の量を増加させるようにしているが、そ
の際に図２のように、流量を変える度に蒸着部内の屈折
率が落ち、またコア中心の屈折率が落ちるセンターディ
ップ(center dip)現象が発生するという問題がある。
【００１１】またこの他にも、単一モード光ファイバに
比してコア径が小さいため、母材から光ファイバを引出
すときに、母材長さによる光特性の偏差が多いという問
題がある。
比してコア径が小さいため、母材から光ファイバを引出
すときに、母材長さによる光特性の偏差が多いという問
題がある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記のような課題に着目
して本発明では、蒸着時の蒸着温度と蒸着流量を微調節
してリップルのない屈折率を作り、そして、母材形成時
に高温によってコア中心で蒸発するＧｅＯ2 の占める部
分に特定量のＳＦ6 やＣＦ4 を使用してそのＧｅＯ2 の
占める部分をエッチングすることによりセンターディッ
プを減らした製造方法を提供する。またこれにより、母
材外径を大きくしてコア径を均一にすることを可能にす
る。
して本発明では、蒸着時の蒸着温度と蒸着流量を微調節
してリップルのない屈折率を作り、そして、母材形成時
に高温によってコア中心で蒸発するＧｅＯ2 の占める部
分に特定量のＳＦ6 やＣＦ4 を使用してそのＧｅＯ2 の
占める部分をエッチングすることによりセンターディッ
プを減らした製造方法を提供する。またこれにより、母
材外径を大きくしてコア径を均一にすることを可能にす
る。
【００１３】即ち本発明によれば、環状リング型屈折率
プロファイルを有する分散移動光ファイバの製造方法に
おいて、石英管温度を１８７５℃から１９０３℃へ上昇
させつつ、ＳｉＣｌ4 を５２００ｍｇ／ｍ、ＧｅＣｌ4
を４３０ｍｇ／ｍ、ＰＯＣｌ 3 を３０ｍｇ／ｍ、ＣＦ4
を９ｃｃ／ｍで供給して蒸着クラッド部を形成する第１
蒸着工程と、石英管温度を１９００℃とし、ＳｉＣｌ4
を３３００ｍｇ／ｍ、ＧｅＣｌ4 を１１５０ｍｇ／ｍ、
ＰＯＣｌ3 を２０ｍｇ／ｍ、Ｏ2 を１５００ｃｃ／ｍで
供給して環状リング部を形成する第２蒸着工程と、石英
管温度を１８９０℃から１８９７℃へ上昇させつつ、Ｓ
ｉＣｌ4 を３８００ｍｇ／ｍ、ＧｅＣｌ 4 を４３０ｍｇ
／ｍ、ＰＯＣｌ3 を１０ｍｇ／ｍ、ＣＦ4 を７ｃｃ／ｍ
で供給して蒸着クラッド部を形成する第３蒸着工程と、
石英管温度を１９２０℃から１８９０℃へ降下させつ
つ、ＳｉＣｌ4 を３８０ｍｇ／ｍから２６０ｍｇ／ｍへ
減少させながら供給し、またＧｅＣｌ4 を２０ｍｇ／ｍ
から１９５ｍｇ／ｍへ増加させながら供給し、そしてＯ
2 を１５００ｃｃ／ｍで供給してコア部を蒸着する第４
蒸着工程と、石英管温度を２３００〜２３６０℃として
蒸着後の石英管を凝縮し、そして密封前に石英管温度を
２２２０〜２２５０℃とし、ＣＦ4 を３０〜４０ｃｃ／
ｍ又はＳＦ6 を８〜１０ｃｃ／ｍで供給してエッチング
した後、石英管温度を２３５０〜２３７０℃とし、Ｃｌ
2 を１００ｃｃ／ｍで供給して密封する密封工程と、を
実施することを特徴とする。
プロファイルを有する分散移動光ファイバの製造方法に
おいて、石英管温度を１８７５℃から１９０３℃へ上昇
させつつ、ＳｉＣｌ4 を５２００ｍｇ／ｍ、ＧｅＣｌ4
を４３０ｍｇ／ｍ、ＰＯＣｌ 3 を３０ｍｇ／ｍ、ＣＦ4
を９ｃｃ／ｍで供給して蒸着クラッド部を形成する第１
蒸着工程と、石英管温度を１９００℃とし、ＳｉＣｌ4
を３３００ｍｇ／ｍ、ＧｅＣｌ4 を１１５０ｍｇ／ｍ、
ＰＯＣｌ3 を２０ｍｇ／ｍ、Ｏ2 を１５００ｃｃ／ｍで
供給して環状リング部を形成する第２蒸着工程と、石英
管温度を１８９０℃から１８９７℃へ上昇させつつ、Ｓ
ｉＣｌ4 を３８００ｍｇ／ｍ、ＧｅＣｌ 4 を４３０ｍｇ
／ｍ、ＰＯＣｌ3 を１０ｍｇ／ｍ、ＣＦ4 を７ｃｃ／ｍ
で供給して蒸着クラッド部を形成する第３蒸着工程と、
石英管温度を１９２０℃から１８９０℃へ降下させつ
つ、ＳｉＣｌ4 を３８０ｍｇ／ｍから２６０ｍｇ／ｍへ
減少させながら供給し、またＧｅＣｌ4 を２０ｍｇ／ｍ
から１９５ｍｇ／ｍへ増加させながら供給し、そしてＯ
2 を１５００ｃｃ／ｍで供給してコア部を蒸着する第４
蒸着工程と、石英管温度を２３００〜２３６０℃として
蒸着後の石英管を凝縮し、そして密封前に石英管温度を
２２２０〜２２５０℃とし、ＣＦ4 を３０〜４０ｃｃ／
ｍ又はＳＦ6 を８〜１０ｃｃ／ｍで供給してエッチング
した後、石英管温度を２３５０〜２３７０℃とし、Ｃｌ
2 を１００ｃｃ／ｍで供給して密封する密封工程と、を
実施することを特徴とする。
【００１４】このときの第４蒸着工程は、石英管温度を
１９２０℃から１８９０℃へ９段階で降下させつつ、Ｓ
ｉＣｌ4 を３８０ｍｇ／ｍから２６０ｍｇ／ｍへ９段階
で前記石英管温度に合わせて減少させながら供給し、ま
たＧｅＣｌ4 を２０ｍｇ／ｍから１９５ｍｇ／ｍへ９段
階で前記石英管温度に合わせて増加させながら供給し、
そしてＯ2 を１５００ｃｃ／ｍで供給する工程とすると
よい。尚、第１蒸着工程は従来同様の工程にすることな
ども可能である。
１９２０℃から１８９０℃へ９段階で降下させつつ、Ｓ
ｉＣｌ4 を３８０ｍｇ／ｍから２６０ｍｇ／ｍへ９段階
で前記石英管温度に合わせて減少させながら供給し、ま
たＧｅＣｌ4 を２０ｍｇ／ｍから１９５ｍｇ／ｍへ９段
階で前記石英管温度に合わせて増加させながら供給し、
そしてＯ2 を１５００ｃｃ／ｍで供給する工程とすると
よい。尚、第１蒸着工程は従来同様の工程にすることな
ども可能である。
【００１５】また本発明によれば、環状リング型屈折率
プロファイルを有する分散移動光ファイバの製造方法に
おいて、石英管温度を１８７５℃から１９０３℃へ上昇
させつつ、ＳｉＣｌ4 を５２００ｍｇ／ｍ、ＧｅＣｌ4
を４３０ｍｇ／ｍ、ＰＯＣｌ 3 を３０ｍｇ／ｍ、ＣＦ4
を９ｃｃ／ｍで供給して蒸着クラッド部を形成する第１
蒸着工程と、石英管温度を１９００℃とし、ＳｉＣｌ4
を３３００ｍｇ／ｍ、ＧｅＣｌ4 を１１５０ｍｇ／ｍ、
ＰＯＣｌ3 を２０ｍｇ／ｍ、Ｏ2 を１５００ｃｃ／ｍで
供給して環状リング部を形成する第２蒸着工程と、石英
管温度を１８９０℃から１８９７℃へ上昇させつつ、Ｓ
ｉＣｌ4 を３８００ｍｇ／ｍ、ＧｅＣｌ 4 を４３０ｍｇ
／ｍ、ＰＯＣｌ3 を１０ｍｇ／ｍ、ＣＦ4 を７ｃｃ／ｍ
で供給して蒸着クラッド部を形成する第３蒸着工程と、
石英管温度を１９０５℃から１８９０℃へ降下させつ
つ、ＳｉＣｌ4 を３００ｍｇ／ｍから２６０ｍｇ／ｍへ
減少させながら供給し、またＧｅＣｌ4 を２０ｍｇ／ｍ
から１９５ｍｇ／ｍへ増加させながら供給し、そしてＯ
2 を１５００ｃｃ／ｍで供給してコア部を蒸着する第４
蒸着工程と、石英管温度を２３００〜２３６０℃として
蒸着後の石英管を凝縮し、そして密封前に石英管温度を
２２２０〜２２５０℃とし、ＣＦ4 を３０〜４０ｃｃ／
ｍ又はＳＦ6 を８〜１０ｃｃ／ｍで供給してエッチング
した後、石英管温度を２３５０〜２３７０℃とし、Ｃｌ
2 を１００ｃｃ／ｍで供給して密封する密封工程と、を
実施することを特徴とする。
プロファイルを有する分散移動光ファイバの製造方法に
おいて、石英管温度を１８７５℃から１９０３℃へ上昇
させつつ、ＳｉＣｌ4 を５２００ｍｇ／ｍ、ＧｅＣｌ4
を４３０ｍｇ／ｍ、ＰＯＣｌ 3 を３０ｍｇ／ｍ、ＣＦ4
を９ｃｃ／ｍで供給して蒸着クラッド部を形成する第１
蒸着工程と、石英管温度を１９００℃とし、ＳｉＣｌ4
を３３００ｍｇ／ｍ、ＧｅＣｌ4 を１１５０ｍｇ／ｍ、
ＰＯＣｌ3 を２０ｍｇ／ｍ、Ｏ2 を１５００ｃｃ／ｍで
供給して環状リング部を形成する第２蒸着工程と、石英
管温度を１８９０℃から１８９７℃へ上昇させつつ、Ｓ
ｉＣｌ4 を３８００ｍｇ／ｍ、ＧｅＣｌ 4 を４３０ｍｇ
／ｍ、ＰＯＣｌ3 を１０ｍｇ／ｍ、ＣＦ4 を７ｃｃ／ｍ
で供給して蒸着クラッド部を形成する第３蒸着工程と、
石英管温度を１９０５℃から１８９０℃へ降下させつ
つ、ＳｉＣｌ4 を３００ｍｇ／ｍから２６０ｍｇ／ｍへ
減少させながら供給し、またＧｅＣｌ4 を２０ｍｇ／ｍ
から１９５ｍｇ／ｍへ増加させながら供給し、そしてＯ
2 を１５００ｃｃ／ｍで供給してコア部を蒸着する第４
蒸着工程と、石英管温度を２３００〜２３６０℃として
蒸着後の石英管を凝縮し、そして密封前に石英管温度を
２２２０〜２２５０℃とし、ＣＦ4 を３０〜４０ｃｃ／
ｍ又はＳＦ6 を８〜１０ｃｃ／ｍで供給してエッチング
した後、石英管温度を２３５０〜２３７０℃とし、Ｃｌ
2 を１００ｃｃ／ｍで供給して密封する密封工程と、を
実施することを特徴とする。
【００１６】このときの第４蒸着工程は、石英管温度を
１９０５℃から１８９０℃へ９段階で降下させつつ、Ｓ
ｉＣｌ4 を３００ｍｇ／ｍから２６０ｍｇ／ｍへ９段階
で前記石英管温度に合わせて減少させながら供給し、ま
たＧｅＣｌ4 を２０ｍｇ／ｍから１９５ｍｇ／ｍへ９段
階で前記石英管温度に合わせて増加させながら供給し、
そしてＯ2 を１５００ｃｃ／ｍで供給する工程とすると
よい。この場合の第１蒸着工程も従来同様の工程にする
ことなどが可能である。
１９０５℃から１８９０℃へ９段階で降下させつつ、Ｓ
ｉＣｌ4 を３００ｍｇ／ｍから２６０ｍｇ／ｍへ９段階
で前記石英管温度に合わせて減少させながら供給し、ま
たＧｅＣｌ4 を２０ｍｇ／ｍから１９５ｍｇ／ｍへ９段
階で前記石英管温度に合わせて増加させながら供給し、
そしてＯ2 を１５００ｃｃ／ｍで供給する工程とすると
よい。この場合の第１蒸着工程も従来同様の工程にする
ことなどが可能である。
【００１７】また更に本発明によれば、環状リング型屈
折率プロファイルを有する分散移動光ファイバの製造方
法において、石英管温度を１８７５℃から１９０３℃へ
上昇させつつ、ＳｉＣｌ4 を５２００ｍｇ／ｍ、ＧｅＣ
ｌ4 を４３０ｍｇ／ｍ、ＰＯＣｌ3 を３０ｍｇ／ｍ、Ｃ
Ｆ4 を９ｃｃ／ｍで供給して蒸着クラッド部を形成する
第１蒸着工程と、石英管温度を１９００℃とし、ＳｉＣ
ｌ4 を３３００ｍｇ／ｍ、ＧｅＣｌ4 を１１５０ｍｇ／
ｍ、ＰＯＣｌ3 を２０ｍｇ／ｍ、Ｏ2 を１５００ｃｃ／
ｍで供給して環状リング部を形成する第２蒸着工程と、
石英管温度を１８９０℃から１８９７℃へ上昇させつ
つ、ＳｉＣｌ4 を３８００ｍｇ／ｍ、ＧｅＣｌ4 を４３
０ｍｇ／ｍ、ＰＯＣｌ3 を１０ｍｇ／ｍ、ＣＦ4 を７ｃ
ｃ／ｍで供給して蒸着クラッド部を形成する第３蒸着工
程と、石英管温度を１９０５℃から１８９０℃へ降下さ
せつつ、ＳｉＣｌ4 を３００ｍｇ／ｍから２６０ｍｇ／
ｍへ減少させながら供給し、またＧｅＣｌ4 を３０ｍｇ
／ｍから１９５ｍｇ／ｍへ増加させながら供給し、そし
てＯ2 を１５００ｃｃ／ｍで供給してコア部を蒸着する
第４蒸着工程と、石英管温度を２３００〜２３６０℃と
して蒸着後の石英管を凝縮し、そして密封前に石英管温
度を２２２０〜２２５０℃とし、ＣＦ4 を３０〜４０ｃ
ｃ／ｍ又はＳＦ6 を８〜１０ｃｃ／ｍで供給してエッチ
ングした後、石英管温度を２３５０〜２３７０℃とし、
Ｃｌ2 を１００ｃｃ／ｍで供給して密封する密封工程
と、を実施することを特徴とする。
折率プロファイルを有する分散移動光ファイバの製造方
法において、石英管温度を１８７５℃から１９０３℃へ
上昇させつつ、ＳｉＣｌ4 を５２００ｍｇ／ｍ、ＧｅＣ
ｌ4 を４３０ｍｇ／ｍ、ＰＯＣｌ3 を３０ｍｇ／ｍ、Ｃ
Ｆ4 を９ｃｃ／ｍで供給して蒸着クラッド部を形成する
第１蒸着工程と、石英管温度を１９００℃とし、ＳｉＣ
ｌ4 を３３００ｍｇ／ｍ、ＧｅＣｌ4 を１１５０ｍｇ／
ｍ、ＰＯＣｌ3 を２０ｍｇ／ｍ、Ｏ2 を１５００ｃｃ／
ｍで供給して環状リング部を形成する第２蒸着工程と、
石英管温度を１８９０℃から１８９７℃へ上昇させつ
つ、ＳｉＣｌ4 を３８００ｍｇ／ｍ、ＧｅＣｌ4 を４３
０ｍｇ／ｍ、ＰＯＣｌ3 を１０ｍｇ／ｍ、ＣＦ4 を７ｃ
ｃ／ｍで供給して蒸着クラッド部を形成する第３蒸着工
程と、石英管温度を１９０５℃から１８９０℃へ降下さ
せつつ、ＳｉＣｌ4 を３００ｍｇ／ｍから２６０ｍｇ／
ｍへ減少させながら供給し、またＧｅＣｌ4 を３０ｍｇ
／ｍから１９５ｍｇ／ｍへ増加させながら供給し、そし
てＯ2 を１５００ｃｃ／ｍで供給してコア部を蒸着する
第４蒸着工程と、石英管温度を２３００〜２３６０℃と
して蒸着後の石英管を凝縮し、そして密封前に石英管温
度を２２２０〜２２５０℃とし、ＣＦ4 を３０〜４０ｃ
ｃ／ｍ又はＳＦ6 を８〜１０ｃｃ／ｍで供給してエッチ
ングした後、石英管温度を２３５０〜２３７０℃とし、
Ｃｌ2 を１００ｃｃ／ｍで供給して密封する密封工程
と、を実施することを特徴とする。
【００１８】このときの第４蒸着工程は、石英管温度を
１９０５℃から１８９０℃へ９段階で降下させつつ、Ｓ
ｉＣｌ4 を３００ｍｇ／ｍから２６０ｍｇ／ｍへ９段階
で前記石英管温度に合わせて減少させながら供給し、ま
たＧｅＣｌ4 を３０ｍｇ／ｍから１９５ｍｇ／ｍへ９段
階で前記石英管温度に合わせて増加させながら供給し、
そしてＯ2 を１５００ｃｃ／ｍで供給する工程とすると
よい。この場合の第１蒸着工程も従来同様の工程にする
ことなどが可能である。
１９０５℃から１８９０℃へ９段階で降下させつつ、Ｓ
ｉＣｌ4 を３００ｍｇ／ｍから２６０ｍｇ／ｍへ９段階
で前記石英管温度に合わせて減少させながら供給し、ま
たＧｅＣｌ4 を３０ｍｇ／ｍから１９５ｍｇ／ｍへ９段
階で前記石英管温度に合わせて増加させながら供給し、
そしてＯ2 を１５００ｃｃ／ｍで供給する工程とすると
よい。この場合の第１蒸着工程も従来同様の工程にする
ことなどが可能である。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を添付図
面を参照して詳細に説明する。
面を参照して詳細に説明する。
【００２０】図９に、本発明による環状リング型プロフ
ァイルを示している。図示のように、非常にスムースな
環状リング型屈折率プロファイルをもつ。そして図１０
〜図１６に、本発明による環状リング型プロファイルの
製造方法におけるパラメータを示す。即ち、図１０は各
工程での加熱温度を示し、図１１は各工程で供給するＳ
ｉＣｌ4 の流量を示し、図１２は各工程で供給するＧｅ
Ｃｌ4 の流量を示し、図１３は各工程で供給するＰＯＣ
ｌ3 の流量を示し、図１４は各工程で供給するＯ2 の流
量を示し、図１５は各工程で供給するＣＦ4 （ＳＦ6 ）
の流量を示し、図１６は各工程で供給するＣｌ2 の流量
をそれぞれ示す。
ァイルを示している。図示のように、非常にスムースな
環状リング型屈折率プロファイルをもつ。そして図１０
〜図１６に、本発明による環状リング型プロファイルの
製造方法におけるパラメータを示す。即ち、図１０は各
工程での加熱温度を示し、図１１は各工程で供給するＳ
ｉＣｌ4 の流量を示し、図１２は各工程で供給するＧｅ
Ｃｌ4 の流量を示し、図１３は各工程で供給するＰＯＣ
ｌ3 の流量を示し、図１４は各工程で供給するＯ2 の流
量を示し、図１５は各工程で供給するＣＦ4 （ＳＦ6 ）
の流量を示し、図１６は各工程で供給するＣｌ2 の流量
をそれぞれ示す。
【００２１】本例でも図１のようなシステムを利用し、
酸素及び水素バーナー８により所定温度に石英管を加熱
する間に原料ガス供給系４を通じて一定量の原料ガスを
供給することにより、環状リング型屈折率を有する分散
移動光ファイバを製造する。より詳細には、まず最初の
蒸着クラッド部を堆積させる工程で、図１０に示すよう
に石英管温度が１８７５℃になるまで一定時間加熱して
石英管の内部を均一にした後、図１１〜図１６に示すよ
うにＳｉＣｌ4 ：５２００ｍｇ／ｍ、ＧｅＣｌ 4 ：４３
０ｍｇ／ｍ、ＰＯＣｌ3 ：３０ｍｇ／ｍ、ＣＦ4 ：９ｃ
ｃ／ｍを供給しながら、石英管の外部から酸素及び水素
バーナー８で、図１０に示すように１８７５℃から３．
５℃ずつ９段階で１９０３℃まで加熱し、蒸着を行う。
酸素及び水素バーナー８により所定温度に石英管を加熱
する間に原料ガス供給系４を通じて一定量の原料ガスを
供給することにより、環状リング型屈折率を有する分散
移動光ファイバを製造する。より詳細には、まず最初の
蒸着クラッド部を堆積させる工程で、図１０に示すよう
に石英管温度が１８７５℃になるまで一定時間加熱して
石英管の内部を均一にした後、図１１〜図１６に示すよ
うにＳｉＣｌ4 ：５２００ｍｇ／ｍ、ＧｅＣｌ 4 ：４３
０ｍｇ／ｍ、ＰＯＣｌ3 ：３０ｍｇ／ｍ、ＣＦ4 ：９ｃ
ｃ／ｍを供給しながら、石英管の外部から酸素及び水素
バーナー８で、図１０に示すように１８７５℃から３．
５℃ずつ９段階で１９０３℃まで加熱し、蒸着を行う。
【００２２】次いで環状リング部の工程では、図１１〜
図１６のようにＳｉＣｌ4 ：３３００ｍｇ／ｍ、ＧｅＣ
ｌ4 ：１１５０ｍｇ／ｍ、ＰＯＣｌ3 ：２０ｍｇ／ｍ、
Ｏ2：１５００ｃｃ／ｍを供給しながら、図１０のよう
に蒸着温度を１９００℃で一定にし、蒸着を行う。
図１６のようにＳｉＣｌ4 ：３３００ｍｇ／ｍ、ＧｅＣ
ｌ4 ：１１５０ｍｇ／ｍ、ＰＯＣｌ3 ：２０ｍｇ／ｍ、
Ｏ2：１５００ｃｃ／ｍを供給しながら、図１０のよう
に蒸着温度を１９００℃で一定にし、蒸着を行う。
【００２３】続く蒸着クラッド部の工程では、図１１〜
図１６のようにＳｉＣｌ4 ：３８００ｍｇ／ｍ、ＧｅＣ
ｌ4 ：４３０ｍｇ／ｍ、ＰＯＣｌ3 ：１０ｍｇ／ｍ、Ｃ
Ｆ4：７ｃｃ／ｍを供給しながら、図１０のように蒸着
温度を１８９０℃から１８９７℃へ温度を上昇させつ
つ、蒸着を行う。
図１６のようにＳｉＣｌ4 ：３８００ｍｇ／ｍ、ＧｅＣ
ｌ4 ：４３０ｍｇ／ｍ、ＰＯＣｌ3 ：１０ｍｇ／ｍ、Ｃ
Ｆ4：７ｃｃ／ｍを供給しながら、図１０のように蒸着
温度を１８９０℃から１８９７℃へ温度を上昇させつ
つ、蒸着を行う。
【００２４】そしてコア部の工程は、図１１のように原
料中のＳｉＣｌ4 の流量を３８０ｍｇ／ｍから２６０ｍ
ｇ／ｍへ９段階で減少させつつ供給し、また図１２のよ
うにＧｅＣｌ4 の流量を２０ｍｇ／ｍから１９５ｍｇ／
ｍへ９段階で増加させつつ供給し、そして図１２のよう
にＯ2 の流量を１５００ｃｃ／ｍの一定で供給しなが
ら、図１０のように蒸着温度を１９２０℃から１８９０
℃へ９段階で降下させつつ、蒸着を行う。このときの原
料の流量と蒸着温度の関係は、下記表１のとおりとす
る。
料中のＳｉＣｌ4 の流量を３８０ｍｇ／ｍから２６０ｍ
ｇ／ｍへ９段階で減少させつつ供給し、また図１２のよ
うにＧｅＣｌ4 の流量を２０ｍｇ／ｍから１９５ｍｇ／
ｍへ９段階で増加させつつ供給し、そして図１２のよう
にＯ2 の流量を１５００ｃｃ／ｍの一定で供給しなが
ら、図１０のように蒸着温度を１９２０℃から１８９０
℃へ９段階で降下させつつ、蒸着を行う。このときの原
料の流量と蒸着温度の関係は、下記表１のとおりとす
る。
【表１】
【００２５】その後、図１０のように２３００〜２３６
０℃の温度で蒸着完成した石英管を凝縮するコラプス工
程を実施し、そして密封直前に図１５のようにＣＦ4 ：
３０〜４０（ＳＦ6 ：８〜１０）ｃｃ／ｍを石英管に供
給しながら、図１０のように２２２０〜２２５０℃でエ
ッチングした後、図１６のようにＣｌ2 ：１００ｃｃ／
ｍを石英管に供給しながら２３５０〜２３７０℃で加熱
し、密封する。
０℃の温度で蒸着完成した石英管を凝縮するコラプス工
程を実施し、そして密封直前に図１５のようにＣＦ4 ：
３０〜４０（ＳＦ6 ：８〜１０）ｃｃ／ｍを石英管に供
給しながら、図１０のように２２２０〜２２５０℃でエ
ッチングした後、図１６のようにＣｌ2 ：１００ｃｃ／
ｍを石英管に供給しながら２３５０〜２３７０℃で加熱
し、密封する。
【００２６】上記の他にも第２の例として、コア部の工
程は、ＳｉＣｌ4 の流量を３００ｍｇ／ｍから２６０ｍ
ｇ／ｍへ９段階で減少させつつ供給し、またＧｅＣｌ4
の流量を２０ｍｇ／ｍから１９５ｍｇ／ｍへ９段階で増
加させつつ供給し、そしてＯ 2 の流量を１５００ｃｃ／
ｍの一定で供給しながら、蒸着温度を１９０５℃から１
８９０℃へ９段階で降下させつつ、蒸着を行うこともで
きる。このときの原料の流量と蒸着温度の関係は、下記
表２のとおりとする。
程は、ＳｉＣｌ4 の流量を３００ｍｇ／ｍから２６０ｍ
ｇ／ｍへ９段階で減少させつつ供給し、またＧｅＣｌ4
の流量を２０ｍｇ／ｍから１９５ｍｇ／ｍへ９段階で増
加させつつ供給し、そしてＯ 2 の流量を１５００ｃｃ／
ｍの一定で供給しながら、蒸着温度を１９０５℃から１
８９０℃へ９段階で降下させつつ、蒸着を行うこともで
きる。このときの原料の流量と蒸着温度の関係は、下記
表２のとおりとする。
【表２】
【００２７】更に第３の例として、コア部の工程は、Ｓ
ｉＣｌ4 の流量を３００ｍｇ／ｍから２６０ｍｇ／ｍへ
９段階で減少させつつ供給し、またＧｅＣｌ4 流量を３
０ｍｇ／ｍから１９５ｍｇ／ｍへ９段階で増加させつつ
供給し、そしてＯ2 の流量を１５００ｃｃ／ｍの一定で
供給しながら、蒸着温度を１９０５℃から１８９０℃へ
９段階で降下させつつ、蒸着を行うこともできる。この
ときの原料の流量と蒸着温度の関係は、下記表３のとお
りとする。
ｉＣｌ4 の流量を３００ｍｇ／ｍから２６０ｍｇ／ｍへ
９段階で減少させつつ供給し、またＧｅＣｌ4 流量を３
０ｍｇ／ｍから１９５ｍｇ／ｍへ９段階で増加させつつ
供給し、そしてＯ2 の流量を１５００ｃｃ／ｍの一定で
供給しながら、蒸着温度を１９０５℃から１８９０℃へ
９段階で降下させつつ、蒸着を行うこともできる。この
ときの原料の流量と蒸着温度の関係は、下記表３のとお
りとする。
【表３】
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、蒸着の際に蒸着温度と
蒸着流量を微調節する、即ち、最初に一番高い温度で加
熱してから徐々に低くしつつ、同時にＳｉＣｌ4 の流量
を減少させながらＧｅＣｌ4 の流量を増加させる工程と
したことにより、リップルのない屈折率を作ることがで
き、そして母材形成の際に、高温によりコア中心から蒸
発するＧｅＯ2 が占める部分に特定量のＳＦ6 やＣＦ4
を使用してＧｅＯ2 が占める部分をエッチングすること
によりセンターディップを減らすことができる。また、
オーバークラッド方法を使用した母材の外径を大きくし
てコア径を均一にすることが可能となる。これにより、
光ファイバの損失が大きく向上し、また零分散波長も非
常に安定した特性を得られるようになる。
蒸着流量を微調節する、即ち、最初に一番高い温度で加
熱してから徐々に低くしつつ、同時にＳｉＣｌ4 の流量
を減少させながらＧｅＣｌ4 の流量を増加させる工程と
したことにより、リップルのない屈折率を作ることがで
き、そして母材形成の際に、高温によりコア中心から蒸
発するＧｅＯ2 が占める部分に特定量のＳＦ6 やＣＦ4
を使用してＧｅＯ2 が占める部分をエッチングすること
によりセンターディップを減らすことができる。また、
オーバークラッド方法を使用した母材の外径を大きくし
てコア径を均一にすることが可能となる。これにより、
光ファイバの損失が大きく向上し、また零分散波長も非
常に安定した特性を得られるようになる。
【図１】ＭＣＶＤ法による製造システムの概略構成図。
【図２】従来の環状リング型プロファイルを示す分布
図。
図。
【図３】従来の製造工程における加熱温度のパラメー
タ。
タ。
【図４】従来の製造工程におけるＳｉＣｌ4 流量のパラ
メータ。
メータ。
【図５】従来の製造工程におけるＧｅＣｌ4 流量のパラ
メータ。
メータ。
【図６】従来の製造工程におけるＰＯＣｌ3 流量のパラ
メータ。
メータ。
【図７】従来の製造工程におけるＯ2 流量のパラメー
タ。
タ。
【図８】従来の製造工程におけるＣＦ4 （ＳＦ6 ）流量
のパラメータ。
のパラメータ。
【図９】本発明による環状リング型プロファイルを示す
分布図。
分布図。
【図１０】本発明による製造工程における加熱温度のパ
ラメータ。
ラメータ。
【図１１】本発明による製造工程におけるＳｉＣｌ4 流
量のパラメータ。
量のパラメータ。
【図１２】本発明による製造工程におけるＧｅＣｌ4 流
量のパラメータ。
量のパラメータ。
【図１３】本発明による製造工程におけるＰＯＣｌ3 流
量のパラメータ。
量のパラメータ。
【図１４】本発明による製造工程におけるＯ2 流量のパ
ラメータ。
ラメータ。
【図１５】本発明による製造工程におけるＣＦ4 （ＳＦ
6 ）流量のパラメータ。
6 ）流量のパラメータ。
【図１６】本発明による製造工程におけるＣｌ2 流量の
パラメータ。
パラメータ。
２ 石英管 ４ 原料ガス供給系 ６ 蒸気運搬システム ８ バーナー １０ 蒸着部（合成ガラス層）
Claims (9)
- 【請求項１】 環状リング型屈折率プロファイルを有す
る分散移動光ファイバの製造方法において、 石英管温度を所定温度とし、ＳｉＣｌ4 、ＧｅＣｌ4 、
ＰＯＣｌ3 、ＣＦ4 をそれぞれ所定量で供給して蒸着ク
ラッド部を形成する第１蒸着工程と、石英管温度を１９
００℃とし、ＳｉＣｌ4 を３３００ｍｇ／ｍ、ＧｅＣｌ
4 を１１５０ｍｇ／ｍ、ＰＯＣｌ3 を２０ｍｇ／ｍ、Ｏ
2 を１５００ｃｃ／ｍで供給して環状リング部を形成す
る第２蒸着工程と、石英管温度を１８９０℃から１８９
７℃へ上昇させつつ、ＳｉＣｌ4 を３８００ｍｇ／ｍ、
ＧｅＣｌ4 を４３０ｍｇ／ｍ、ＰＯＣｌ3 を１０ｍｇ／
ｍ、ＣＦ4 を７ｃｃ／ｍで供給して蒸着クラッド部を形
成する第３蒸着工程と、石英管温度を１９２０℃から１
８９０℃へ降下させつつ、ＳｉＣｌ4 を３８０ｍｇ／ｍ
から２６０ｍｇ／ｍへ減少させながら供給し、またＧｅ
Ｃｌ4 を２０ｍｇ／ｍから１９５ｍｇ／ｍへ増加させな
がら供給し、そしてＯ2 を１５００ｃｃ／ｍで供給して
コア部を蒸着する第４蒸着工程と、石英管温度を２３０
０〜２３６０℃として蒸着後の石英管を凝縮し、そして
密封前に石英管温度を２２２０〜２２５０℃とし、ＣＦ
4 を３０〜４０ｃｃ／ｍ又はＳＦ6 を８〜１０ｃｃ／ｍ
で供給してエッチングした後、石英管温度を２３５０〜
２３７０℃とし、Ｃｌ2 を１００ｃｃ／ｍで供給して密
封する密封工程と、を実施することを特徴とする製造方
法。 - 【請求項２】 第１蒸着工程は、石英管温度を１８７５
℃から１９０３℃へ上昇させつつ、ＳｉＣｌ4 を５２０
０ｍｇ／ｍ、ＧｅＣｌ4 を４３０ｍｇ／ｍ、ＰＯＣｌ3
を３０ｍｇ／ｍ、ＣＦ4 を９ｃｃ／ｍで供給する請求項
１記載の製造方法。 - 【請求項３】 第４蒸着工程は、石英管温度を１９２０
℃、１９１６℃、１９１３℃、１９０９℃、１９０５
℃、１９０１℃、１８９７℃、１８９４℃、１８９０℃
の９段階で降下させつつ、ＳｉＣｌ4 を３８０ｍｇ／
ｍ、３６５ｍｇ／ｍ、３５０ｍｇ／ｍ、３３５ｍｇ／
ｍ、３２０ｍｇ／ｍ、３０５ｍｇ／ｍ、２９０ｍｇ／
ｍ、２７５ｍｇ／ｍ、２６０ｍｇ／ｍの９段階で前記石
英管温度に合わせて減少させながら供給し、またＧｅＣ
ｌ4 を２０ｍｇ／ｍ、５２ｍｇ／ｍ、８２ｍｇ／ｍ、１
０９ｍｇ／ｍ、１３４ｍｇ／ｍ、１５６ｍｇ／ｍ、１７
５ｍｇ／ｍ、１９１ｍｇ／ｍ、１９５ｍｇ／ｍの９段階
で前記石英管温度に合わせて増加させながら供給し、そ
してＯ2 を１５００ｃｃ／ｍで供給する請求項１又は請
求項２記載の製造方法。 - 【請求項４】 環状リング型屈折率プロファイルを有す
る分散移動光ファイバの製造方法において、 石英管温度を所定温度とし、ＳｉＣｌ4 、ＧｅＣｌ4 、
ＰＯＣｌ3 、ＣＦ4 をそれぞれ所定量で供給して蒸着ク
ラッド部を形成する第１蒸着工程と、石英管温度を１９
００℃とし、ＳｉＣｌ4 を３３００ｍｇ／ｍ、ＧｅＣｌ
4 を１１５０ｍｇ／ｍ、ＰＯＣｌ3 を２０ｍｇ／ｍ、Ｏ
2 を１５００ｃｃ／ｍで供給して環状リング部を形成す
る第２蒸着工程と、石英管温度を１８９０℃から１８９
７℃へ上昇させつつ、ＳｉＣｌ4 を３８００ｍｇ／ｍ、
ＧｅＣｌ4 を４３０ｍｇ／ｍ、ＰＯＣｌ3 を１０ｍｇ／
ｍ、ＣＦ4 を７ｃｃ／ｍで供給して蒸着クラッド部を形
成する第３蒸着工程と、石英管温度を１９０５℃から１
８９０℃へ降下させつつ、ＳｉＣｌ4 を３００ｍｇ／ｍ
から２６０ｍｇ／ｍへ減少させながら供給し、またＧｅ
Ｃｌ4 を２０ｍｇ／ｍから１９５ｍｇ／ｍへ増加させな
がら供給し、そしてＯ2 を１５００ｃｃ／ｍで供給して
コア部を蒸着する第４蒸着工程と、石英管温度を２３０
０〜２３６０℃として蒸着後の石英管を凝縮し、そして
密封前に石英管温度を２２２０〜２２５０℃とし、ＣＦ
4 を３０〜４０ｃｃ／ｍ又はＳＦ6 を８〜１０ｃｃ／ｍ
で供給してエッチングした後、石英管温度を２３５０〜
２３７０℃とし、Ｃｌ2 を１００ｃｃ／ｍで供給して密
封する密封工程と、を実施することを特徴とする製造方
法。 - 【請求項５】 第１蒸着工程は、石英管温度を１８７５
℃から１９０３℃へ上昇させつつ、ＳｉＣｌ4 を５２０
０ｍｇ／ｍ、ＧｅＣｌ4 を４３０ｍｇ／ｍ、ＰＯＣｌ3
を３０ｍｇ／ｍ、ＣＦ4 を９ｃｃ／ｍで供給する請求項
４記載の製造方法。 - 【請求項６】 第４蒸着工程は、石英管温度を１９０５
℃、１９０３℃、１９００℃、１８９８℃、１８９５
℃、１８９３℃、１８９０℃、１８９０℃、１８９０℃
の９段階で降下させつつ、ＳｉＣｌ4 を３００ｍｇ／
ｍ、２９５ｍｇ／ｍ、２９０ｍｇ／ｍ、２８５ｍｇ／
ｍ、２８０ｍｇ／ｍ、２７５ｍｇ／ｍ、２７０ｍｇ／
ｍ、２６５ｍｇ／ｍ、２６０ｍｇ／ｍの９段階で前記石
英管温度に合わせて減少させながら供給し、またＧｅＣ
ｌ4 を２０ｍｇ／ｍ、４２ｍｇ／ｍ、６７ｍｇ／ｍ、９
２ｍｇ／ｍ、１１６ｍｇ／ｍ、１３８ｍｇ／ｍ、１６０
ｍｇ／ｍ、１８２ｍｇ／ｍ、１９５ｍｇ／ｍの９段階で
前記石英管温度に合わせて増加させながら供給し、そし
てＯ2 を１５００ｃｃ／ｍで供給する請求項４又は請求
項５記載の製造方法。 - 【請求項７】 環状リング型屈折率プロファイルを有す
る分散移動光ファイバの製造方法において、 石英管温度を所定温度とし、ＳｉＣｌ4 、ＧｅＣｌ4 、
ＰＯＣｌ3 、ＣＦ4 をそれぞれ所定量で供給して蒸着ク
ラッド部を形成する第１蒸着工程と、石英管温度を１９
００℃とし、ＳｉＣｌ4 を３３００ｍｇ／ｍ、ＧｅＣｌ
4 を１１５０ｍｇ／ｍ、ＰＯＣｌ3 を２０ｍｇ／ｍ、Ｏ
2 を１５００ｃｃ／ｍで供給して環状リング部を形成す
る第２蒸着工程と、石英管温度を１８９０℃から１８９
７℃へ上昇させつつ、ＳｉＣｌ4 を３８００ｍｇ／ｍ、
ＧｅＣｌ4 を４３０ｍｇ／ｍ、ＰＯＣｌ3 を１０ｍｇ／
ｍ、ＣＦ4 を７ｃｃ／ｍで供給して蒸着クラッド部を形
成する第３蒸着工程と、石英管温度を１９０５℃から１
８９０℃へ降下させつつ、ＳｉＣｌ4 を３００ｍｇ／ｍ
から２６０ｍｇ／ｍへ減少させながら供給し、またＧｅ
Ｃｌ4 を３０ｍｇ／ｍから１９５ｍｇ／ｍへ増加させな
がら供給し、そしてＯ2 を１５００ｃｃ／ｍで供給して
コア部を蒸着する第４蒸着工程と、石英管温度を２３０
０〜２３６０℃として蒸着後の石英管を凝縮し、そして
密封前に石英管温度を２２２０〜２２５０℃とし、ＣＦ
4 を３０〜４０ｃｃ／ｍ又はＳＦ6 を８〜１０ｃｃ／ｍ
で供給してエッチングした後、石英管温度を２３５０〜
２３７０℃とし、Ｃｌ2 を１００ｃｃ／ｍで供給して密
封する密封工程と、を実施することを特徴とする製造方
法。 - 【請求項８】 第１蒸着工程は、石英管温度を１８７５
℃から１９０３℃へ上昇させつつ、ＳｉＣｌ4 を５２０
０ｍｇ／ｍ、ＧｅＣｌ4 を４３０ｍｇ／ｍ、ＰＯＣｌ3
を３０ｍｇ／ｍ、ＣＦ4 を９ｃｃ／ｍで供給する請求項
７記載の製造方法。 - 【請求項９】 第４蒸着工程は、石英管温度を１９０５
℃、１９０３℃、１９００℃、１８９８℃、１８９５
℃、１８９３℃、１８９０℃、１８９０℃、１８９０℃
の９段階で降下させつつ、ＳｉＣｌ4 を３００ｍｇ／
ｍ、２９５ｍｇ／ｍ、２９０ｍｇ／ｍ、２８５ｍｇ／
ｍ、２８０ｍｇ／ｍ、２７５ｍｇ／ｍ、２７０ｍｇ／
ｍ、２６５ｍｇ／ｍ、２６０ｍｇ／ｍの９段階で前記石
英管温度に合わせて減少させながら供給し、またＧｅＣ
ｌ4 を３０ｍｇ／ｍ、５５ｍｇ／ｍ、７８ｍｇ／ｍ、１
０１ｍｇ／ｍ、１２３ｍｇ／ｍ、１４４ｍｇ／ｍ、１６
５ｍｇ／ｍ、１８４ｍｇ／ｍ、１９５ｍｇ／ｍの９段階
で前記石英管温度に合わせて増加させながら供給し、そ
してＯ2 を１５００ｃｃ／ｍで供給する請求項７又は請
求項８記載の製造方法。
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