JPH09159800A - Charged particle lithographic beam controller - Google Patents
Charged particle lithographic beam controllerInfo
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- JPH09159800A JPH09159800A JP31676495A JP31676495A JPH09159800A JP H09159800 A JPH09159800 A JP H09159800A JP 31676495 A JP31676495 A JP 31676495A JP 31676495 A JP31676495 A JP 31676495A JP H09159800 A JPH09159800 A JP H09159800A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩ等の微細な
パターンを半導体基板等の試料上に描画する荷電ビーム
描画装置に係り、特にビームをステージに追従させる追
従制御回路を２つ設けることにより描画回路の補正演算
時間の無駄時間を解消させることのできる荷電ビーム描
画装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a charged beam drawing apparatus for drawing a fine pattern of an LSI or the like on a sample such as a semiconductor substrate, and particularly by providing two follow-up control circuits for making a beam follow a stage. The present invention relates to a charged beam drawing apparatus capable of eliminating a dead time of a correction calculation time of a drawing circuit.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、半導体ウェハ等の試料上にＬＳ
Ｉの回路等の所望の微細パターンを描画するために、電
子ビームやレーザービーム等の荷電ビームを用いた描画
装置が使われている。この荷電ビーム描画装置は、一纏
まりのパターンデータを描画制御装置より出力してデー
タ処理を行なった後に所定の描画動作を行なうステップ
・アンド・リピート描画方式により制御されていたが、
スループットを向上させるために、近年、このステップ
・アンド・リピート描画方式からステージ連続移動描画
方式に移行しつつある。2. Description of the Related Art Generally, LS is applied to a sample such as a semiconductor wafer.
A drawing apparatus using a charged beam such as an electron beam or a laser beam is used for drawing a desired fine pattern such as the I circuit. This charged beam drawing apparatus was controlled by a step-and-repeat drawing method in which a set of pattern data is output from the drawing control apparatus, data processing is performed, and then a predetermined drawing operation is performed.
In order to improve the throughput, in recent years, the step-and-repeat drawing method is shifting to the stage continuous movement drawing method.
【０００３】上記ステージ連続移動描画方式でパターン
を描画する場合、まず最初にレーザ干渉計よりステージ
の座標を読み込み描画データとの差分をビームの偏向量
とし、その偏向量に応じた偏向歪みを補正演算した後、
偏向データをディジタル／アナログコンバータ（ＤＡ
Ｃ）にセットし，セトリング時間分経過するまで待機し
てからフィールド内のパターン露光を開始する。この差
分計算を開始した直後からあるフィールドの露光が終了
するまでの間、荷電ビーム装置に設けられたレーザ干渉
計からのアップダウンパルスを専用のカウンタ（トラッ
キングカウンタ）に取り込むことにより、荷電ビームが
荷電ビーム装置内に設けられたステージに追従（ステー
ジトラッキング）するように制御する必要がある。When a pattern is drawn by the stage continuous movement drawing method, first, the coordinates of the stage are read from the laser interferometer and the difference from the drawing data is used as the beam deflection amount, and the deflection distortion according to the deflection amount is corrected. After calculating
Deflection data is converted to digital / analog converter (DA
C), wait until the settling time has elapsed, and then start the pattern exposure in the field. Immediately after this difference calculation is started and until the exposure of a certain field is completed, the up / down pulse from the laser interferometer provided in the charged beam apparatus is fetched into a dedicated counter (tracking counter) to It is necessary to control so as to follow (stage tracking) the stage provided in the charged beam apparatus.
【０００４】しかしながら、無駄時間の解消を企図する
ために用いられたこのステージ連続移動描画方式の場合
であっても、ステージトラッキングのための偏向歪みの
補正演算時間がビームの露光に関与しない無駄時間にな
りスループットを低下させるという問題点があった。However, even in the case of this stage continuous movement drawing method used for the purpose of eliminating the dead time, the correction calculation time of the deflection distortion for the stage tracking does not contribute to the beam exposure. However, there is a problem that the throughput is lowered.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ステージ連続移動描画
方式を採用した荷電ビーム描画装置において、２つのス
テージ追従制御回路を設け、二つの回路を交互に用いて
所定のパターンに関する所定のフィールドを一方の回路
により駆動制御して描画を行なっている最中に、他方の
回路により次のフィールドの補正演算処理を行なうよう
にして、無駄時間である偏向歪みの補正演算時間が隠れ
るように描画制御することのできる荷電ビーム描画制御
装置を提供することを目的としている。In a charged beam drawing apparatus adopting a continuous stage moving drawing method, two stage follow-up control circuits are provided, and two circuits are alternately used to set a predetermined field for a predetermined pattern in one of the fields. While the circuit is drive-controlled to perform drawing, the other circuit performs the correction calculation processing of the next field, and the drawing control is performed so that the deflection distortion correction calculation time, which is a dead time, is hidden. It is an object of the present invention to provide a charged beam drawing control device capable of performing the above.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る荷電ビーム描画制御装置は、荷電ビー
ムを発生させる荷電ビーム装置及びこの荷電ビームを所
定の偏向量だけ偏向させるビーム偏向回路に接続され、
試料を載置するために前記荷電ビーム装置に設けられた
ステージを連続的に移動させながら所定のパターンを前
記荷電ビームにより前記試料上に描画するように前記ビ
ーム偏向回路の偏向量を制御する荷電ビーム描画制御装
置において：任意のフィールドを描画する際に前記ステ
ージが移動している位置を常時検出して、前記ビーム偏
向手段のそのフィールドにおける偏向歪を補正演算する
と共に、この補正演算の結果に基づいて、所定パターン
を照射するビームが前記ステージの移動に追従するよう
に制御する第１の追従制御手段と；前記第１の追従制御
手段が前記任意のフィールドの描画を行なっている間
に、次のフィールドの前記偏向量を求めて前記偏向歪を
補正演算し、前記任意のフィールドの描画が終了したと
きに、予め求められた次のフィールドの偏向歪みの補正
演算結果に基づいて、次のフィールドにおける所定パタ
ーンの照射を制御する第２の追従制御手段と；連続する
フィールドの変わり目毎に、前記第１及び第２の追従制
御手段によるビーム位置補正動作を切り換えて連続する
フィールドにおける所定パターンの描画を連続的に制御
する切換手段と；を備えることを特徴としている。To achieve the above object, a charged beam drawing controller according to the present invention is a charged beam device for generating a charged beam and a beam deflection circuit for deflecting the charged beam by a predetermined deflection amount. Connected to the
Charging for controlling the deflection amount of the beam deflection circuit so as to draw a predetermined pattern on the sample by the charged beam while continuously moving a stage provided in the charged beam apparatus for mounting the sample. In the beam drawing control device: the position where the stage is moving is always detected when drawing an arbitrary field, and the deflection distortion in the field of the beam deflecting means is corrected and the result of this correction operation is calculated. A first follow-up control means for controlling the beam irradiating a predetermined pattern so as to follow the movement of the stage based on the above; and, while the first follow-up control means is performing the drawing of the arbitrary field, The deflection amount of the next field is calculated to correct the deflection distortion, and is calculated in advance when the drawing of the arbitrary field is completed. Second follow-up control means for controlling irradiation of a predetermined pattern in the next field based on the correction calculation result of the deflection distortion in the next field; and the first and second follow-up control at every transition of continuous fields. Switching means for switching the beam position correcting operation by the means and continuously controlling the drawing of a predetermined pattern in successive fields.
【０００７】[0007]
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Preferred embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings.
【０００８】図１は、本発明の第１の実施の形態を示す
ブロック構成図であり、所定のパターンをデータとして
生成するパターン発生装置１で形成されたパターンデー
タは荷電ビーム装置２に供給されて描画のために供され
るが、この荷電ビーム装置２で用いられる荷電ビーム
は、ビーム偏向回路３において偏向制御された後試料上
に照射される。パターン発生装置１と荷電ビーム装置２
及びビーム偏向回路３の間には、本発明に係る荷電ビー
ム描画制御装置１０が設けられている。FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of the present invention. The pattern data formed by a pattern generator 1 for generating a predetermined pattern as data is supplied to a charged beam device 2. The charged beam used in the charged beam apparatus 2 is irradiated onto the sample after being deflected by the beam deflection circuit 3. Pattern generator 1 and charged beam device 2
The charged beam drawing controller 10 according to the present invention is provided between the beam deflection circuit 3 and the beam deflection circuit 3.
【０００９】図１において、荷電ビーム描画制御装置１
０は、パターン発生装置１とビーム偏向回路３との間に
介挿される偏向制御回路１１と、荷電ビーム装置２より
検出したステージ位置情報を偏向制御回路１１にフィー
ドバックするステージ位置検出手段１６と、を備えてい
る。In FIG. 1, a charged beam drawing controller 1 is shown.
Reference numeral 0 denotes a deflection control circuit 11 inserted between the pattern generator 1 and the beam deflection circuit 3, and stage position detection means 16 for feeding back the stage position information detected by the charged beam device 2 to the deflection control circuit 11. Is equipped with.
【００１０】本発明の特徴は、上述した目的を達成する
ためにビームの偏向位置を制御する偏向制御回路１１内
に、ステージを追従制御する手段を２つ用意し、あるフ
ィールド描画が終わる時間より前（偏向歪み補正演算時
間分）から次のパターンの位置とステージ座標との差分
を演算させ、次のフィールドの描画に使うもう一つのス
テージ追従制御手段によりステージ位置をモニタしつつ
偏向歪み補正演算させる。現フィールドの描画処理の終
了を待って次のフィールドの露光をスタートさせる。こ
のように２つのステージ追従制御回路を交互に使って露
光以外の無駄時間をなくすものである。In order to achieve the above-mentioned object, the feature of the present invention is to provide two means for tracking and controlling the stage in the deflection control circuit 11 for controlling the beam deflection position. The difference between the position of the next pattern and the stage coordinates is calculated from before (for the deflection distortion correction calculation time), and the deflection distortion correction calculation is performed while the stage position is monitored by another stage tracking control means used for drawing the next field. Let The exposure of the next field is started after waiting for the end of the drawing process of the current field. Thus, the two stage follow-up control circuits are alternately used to eliminate the dead time other than exposure.
【００１１】具体的な構成としては、図１において、偏
向制御回路１１が、この荷電ビームを発生させる荷電ビ
ーム装置２の荷電ビームを所定の偏向量だけ偏向させる
ビーム偏向回路３に接続され、試料を載置するために前
記荷電ビーム装置２に設けられたステージを連続的に移
動させながら所定のパターンを前記荷電ビームにより前
記試料上に描画するように前記ビーム偏向回路３の偏向
量を制御する荷電ビーム描画制御装置１０に設けられて
いる。この偏向制御回路１１は、パターン発生装置１か
らのパターンデータと荷電ビーム装置のステージ位置と
に基づいて主偏向歪み補正を行なう偏向歪み補正手段１
２と、任意のフィールドを描画する際に前記ステージが
移動している位置を常時検出して、前記ビーム偏向手段
のそのフィールドにおける偏向歪を補正演算すると共
に、この補正演算の結果に基づいて、所定パターンを照
射するビームが前記ステージの移動に追従するように制
御する第１の追従制御手段１３と、前記第１の追従制御
手段１３が前記任意のフィールドの描画を行なっている
間に、次のフィールドの前記偏向量を求めて前記偏向歪
を補正演算し、前記任意のフィールドの描画が終了した
ときに、予め求められた次のフィールドの偏向歪みの補
正演算結果に基づいて、次のフィールドにおける所定パ
ターンの照射を制御する第２の追従制御手段１４と、連
続するフィールドの変わり目毎に、前記第１及び第２の
追従制御手段１３及び１４によるビーム位置補正動作を
切り換えて、連続するフィールドにおける所定パターン
の描画を連続的に制御する切換手段１５と、を備えてい
る。As a concrete configuration, in FIG. 1, the deflection control circuit 11 is connected to a beam deflection circuit 3 for deflecting a charged beam of a charged beam apparatus 2 for generating this charged beam by a predetermined deflection amount, and a sample The beam deflection circuit 3 controls the deflection amount so as to draw a predetermined pattern on the sample by the charged beam while continuously moving the stage provided in the charged beam apparatus 2 for mounting the substrate. The charge beam drawing controller 10 is provided. The deflection control circuit 11 performs deflection distortion correction means 1 that performs main deflection distortion correction based on the pattern data from the pattern generator 1 and the stage position of the charged beam apparatus.
2, the position where the stage is moving is always detected when drawing an arbitrary field, the deflection distortion in the field of the beam deflecting means is corrected and calculated, and based on the result of this correction calculation, While the beam for irradiating a predetermined pattern follows the movement of the stage, the first follow-up control unit 13 and the first follow-up control unit 13 perform the following operations while drawing the arbitrary field. Of the field, the deflection distortion is corrected and calculated, and when the drawing of the arbitrary field is completed, the next field is calculated based on the deflection distortion correction calculation result of the next field obtained in advance. Second follow-up control means 14 for controlling the irradiation of a predetermined pattern in, and the first and second follow-up control means 13 and 14 by switching the beam position correction operation by, a, a switch 15 for continuously controlling the writing of the predetermined pattern in successive fields.
【００１２】また、前記第１及び第２のうちの一方の追
従制御手段１３又は１４は、他方の追従制御手段１４又
は１３が任意のフィールドにおける所定のパターンを描
画している間に、描画データを生成するパターン発生装
置１より出力される描画データに基づいて、次のフィー
ルド内のショット数を算出し、そのフィールドの描画前
にそのフィールドにおけるショット数とショットサイク
ル時間とを掛け算してそのフィールドの描画終了時間を
求めると共に；前記他方の追従制御回路１４又は１３
は、前記一方の追従制御手段１３又は１４により描画動
作を制御されている任意のフィールドの描画終了時間よ
りも所定時間前に設定された時間から前記補正演算の動
作を開始することをも特徴としている。Further, one of the first and second follow-up control means 13 or 14 draws the drawing data while the other follow-up control means 14 or 13 draws a predetermined pattern in an arbitrary field. The number of shots in the next field is calculated based on the drawing data output from the pattern generating apparatus 1 for generating the field, and the number of shots in the field is multiplied by the shot cycle time before the drawing in that field. Of the drawing end time of the above; and the other follow-up control circuit 14 or 13
Is also characterized in that the operation of the correction calculation is started from a time set a predetermined time before the drawing end time of an arbitrary field whose drawing operation is controlled by the one follow-up control means 13 or 14. There is.
【００１３】図２は、上記構成を有する荷電ビーム描画
制御装置１０が設けられている描画装置の全体のシステ
ムの詳細を示している。この描画装置においては、荷電
ビームとして電子ビームが用いられている。図２におい
て、１は圧縮された描画データを展開して描画制御用の
データを発生させるパターン発生装置としてパターンジ
ェネレータ、２は電子ビームを発生させて所定パターン
の描画を行なう電子ビーム（ＥＢ）装置、３は主偏向ア
ンプ３Ａと副偏向アンプ３Ｂを備えるビーム偏向回路、
４はパターンジェネレータ１及びステージ駆動回路５を
制御する制御用計算機、５はステージの位置を測定する
ステージ駆動回路、６は副偏向器、７は主偏向器、８は
対物レンズ、９はウエハ等の試料、１０はステージ、１
１はＥＢ装置２内のステージを移動制御するステージ駆
動回路、１６はステージの位置を測定するステージ位置
検出手段としてのレーザ測長計である。FIG. 2 shows the details of the entire system of the drawing apparatus provided with the charged beam drawing control apparatus 10 having the above-mentioned configuration. In this drawing apparatus, an electron beam is used as the charged beam. In FIG. 2, 1 is a pattern generator as a pattern generator for expanding compressed drawing data to generate drawing control data, and 2 is an electron beam (EB) device for generating an electron beam to draw a predetermined pattern. 3, a beam deflection circuit including a main deflection amplifier 3A and a sub deflection amplifier 3B,
4 is a control computer for controlling the pattern generator 1 and the stage drive circuit 5, 5 is a stage drive circuit for measuring the position of the stage, 6 is a sub-deflector, 7 is a main deflector, 8 is an objective lens, 9 is a wafer, etc. Sample, 10 is stage, 1
Reference numeral 1 is a stage drive circuit for controlling the movement of the stage in the EB device 2, and 16 is a laser length meter as a stage position detecting means for measuring the position of the stage.
【００１４】上記ＥＢ装置２は、電子ビームを発生させ
る電子銃２１、主偏向アンプ３Ａに接続された主偏向器
２２、副偏向アンプ３Ｂに接続された副偏向器２３、両
偏向器２２及び２３付近に設けられた対物レンズ２４、
パターンが描画される試料２５を載置するステージ２
６、ステージ２６に取り付けられて前記レーザ測長計１
６に対してステージ位置データを送出するレーザ測長計
用のミラー２７を備えている。The EB device 2 includes an electron gun 21 for generating an electron beam, a main deflector 22 connected to the main deflection amplifier 3A, a sub-deflector 23 connected to the sub-deflection amplifier 3B, and both deflectors 22 and 23. Objective lens 24 provided in the vicinity,
Stage 2 on which a sample 25 on which a pattern is drawn is placed
6. The laser length meter 1 attached to the stage 26
6 is provided with a mirror 27 for a laser length measuring instrument that sends stage position data.
【００１５】上記構成において、電子ビームは対物レン
ズ２４で試料２５上に焦点を結び、主・副２段の偏向器
２２及び２３により電子ビームを試料２５上の任意の点
へ位置決めできる。主偏向器２２により試料２５上の任
意の場所に副偏向領域を位置決めし、副偏向領域内は高
速の副偏向アンプ３Ｂによりでビームを偏向する。ま
た、試料台としてのステージ２６はレーザ測長計１６に
より正確に移動量を測定することが可能である。In the above structure, the electron beam is focused on the sample 25 by the objective lens 24, and the electron beam can be positioned at any point on the sample 25 by the main and sub two-stage deflectors 22 and 23. The main deflector 22 positions the sub-deflection region at an arbitrary position on the sample 25, and the beam is deflected in the sub-deflection region by the high-speed sub-deflection amplifier 3B. Further, the stage 26 as a sample stage can accurately measure the movement amount by the laser length meter 16.
【００１６】次に、本発明の第２の実施の形態に係る荷
電ビーム描画制御装置の構成及び動作について、図３の
回路図と図４のタイミングチャートを用いて説明する。
この第２の実施の形態に係る荷電ビーム描画制御装置
は、図１に示されている第１の実施の形態に係る制御装
置のより詳細な構成を備えており、荷電ビームの具体例
としては電子ビームを用いて図２に示されるような描画
システムに設けられている。Next, the configuration and operation of the charged particle beam drawing control apparatus according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to the circuit diagram of FIG. 3 and the timing chart of FIG.
The charged particle beam drawing control apparatus according to the second embodiment has a more detailed configuration of the control apparatus according to the first embodiment shown in FIG. 1. It is provided in a writing system as shown in FIG. 2 using an electron beam.
【００１７】図３において、偏向制御回路１１は、主偏
向歪み補正回路１２と、レーザ測長計１６の検出出力に
基づいて任意のフィールドのレーザパルスを計数する第
１のトラッキングカウンタ１３と、レーザ測長計１６の
検出出力に基づいて任意のフィールドの次のフィールド
のレーザパルスを計数する第２のトラッキングカウンタ
１４と、フィールド毎にカウンタの出力を切換え制御す
る切換回路１５と、パターンジェネレータ１の出力デー
タからレーザ測長計１６の検出出力を減算する減算器１
７と、切換回路１５の切換出力に応じて電子ビームの主
偏向感度を補正する主偏向感度補正回路１８と、を備え
ている。また、この第２の実施の形態においては、主偏
向歪み補正回路１２と主偏向アンプ３Ａとの間には第１
のディジタル／アナログ・コンバータ（ＤＡＣ）６が設
けられ、主偏向感度補正回路１８と主偏向アンプ３Ａと
の間には第２のディジタル／アナログ・コンバータ（Ｄ
ＡＣ）７が設けられている。In FIG. 3, the deflection control circuit 11 includes a main deflection distortion correction circuit 12, a first tracking counter 13 for counting laser pulses in an arbitrary field based on the detection output of the laser length meter 16, and a laser measurement circuit. A second tracking counter 14 that counts the laser pulse of the next field of an arbitrary field based on the detection output of the length meter 16, a switching circuit 15 that switches and controls the output of the counter for each field, and output data of the pattern generator 1. Subtractor 1 for subtracting the detection output of the laser length meter 16 from
7 and a main deflection sensitivity correction circuit 18 that corrects the main deflection sensitivity of the electron beam according to the switching output of the switching circuit 15. Further, in the second embodiment, the first deflection distortion correction circuit 12 and the main deflection amplifier 3A are provided between the first deflection distortion correction circuit 12 and the main deflection amplifier 3A.
Digital / analog converter (DAC) 6 is provided, and a second digital / analog converter (D) is provided between the main deflection sensitivity correction circuit 18 and the main deflection amplifier 3A.
AC) 7 is provided.
【００１８】以上の構成において、任意のサブフィール
ドを描画する場合、第１のトラッキングカウンタ１３を
リセットした後、レーザ測長計１６からのレーザパルス
をカウントイネーブル（制御信号がＨ）状態にすると同
時にパターン位置データとステージ位置との差分を図４
の時間Ｔ１で計算する。次に、時間Ｔ２において、その
差分に応じた主偏向歪みと電極の組み立て誤差を含めた
誤差を補正して偏向器の座標（ＤＡＣ座標）系に変換す
る。一般的には主偏向歪み補正は３次の多項式 Ｘ＝ｘ＋ａ0 ＋ａ1 ｘ＋ａ2 ｙ＋ａ3 ｘｙ＋ａ4 ｘ2 ＋ａ5 ｙ2 ＋ａ6 ｘ2 ｙ ＋ａ7 ｘｙ2 ＋ａ8 ｘ3 ＋ａ9 ｙ3 Ｙ＝ｙ＋ｂ0 ＋ｂ1 ｘ＋ｂ2 ｙ＋ｂ3 ｘｙ＋ｂ4 ｘ2 ＋ｂ5 ｙ2 ＋ｂ6 ｘ2 ｙ ＋ｂ7 ｘｙ2 ＋ｂ8 ｘ3 ＋ｂ9 ｙ3 で演算し、電極の数に対応するＤＡＣ値を算出してい
る。In the above configuration, when drawing an arbitrary subfield, after resetting the first tracking counter 13, the laser pulse from the laser length meter 16 is set to the count enable (control signal is H) state and at the same time the pattern is formed. Figure 4 shows the difference between the position data and the stage position.
The time T1 is calculated. Next, at time T2, the main deflection distortion corresponding to the difference and the error including the electrode assembly error are corrected and converted into the coordinate system (DAC coordinate system) of the deflector. Generally, the main deflection distortion correction is a third-order polynomial X = x + a 0 + a 1 x + a 2 y + a 3 xy + a 4 x 2 + a 5 y 2 + a 6 x 2 y + a 7 xy 2 + a 8 x 3 + a 9 y 3 Y = y + b 0 + b 1 x + b 2 y + b 3 xy + b 4 x 2 + b 5 y 2 + b 6 x 2 y + b 7 xy 2 + b 8 x 3 + b 9 y 3 and the DAC value corresponding to the number of electrodes is calculated. .
【００１９】［Ｘ，ＹはＤＡＣ値、ｘ，ｙはパターン位
置データとステージ位置との差分］この第２の実施の形
態に係る荷電ビーム描画制御装置の場合、８極の電極を
有する偏向器を用いているためそれぞれの電極毎のＤＡ
ＣデータはＸ，−Ｘ，Ｙ，−Ｙ，（Ｘ＋Ｙ）／２，（−
Ｘ−Ｙ）／２，（−Ｘ＋Ｙ）／２のように表現される。[X and Y are DAC values, and x and y are differences between pattern position data and stage position] In the case of the charged beam drawing controller according to the second embodiment, a deflector having electrodes of 8 poles is used. DA for each electrode because it uses
C data is X, -X, Y, -Y, (X + Y) / 2, (-
It is expressed as (X−Y) / 2, (−X + Y) / 2.
【００２０】なお、４５度方向の偏向アンプは、２1/2
倍のゲインが設定されており、このゲインに基づいて
（（Ｘ＋Ｙ）／）1/2 の電圧が対応する電極に印加され
る。また、１３５度，２２５度，３１５度の方向につい
ても角度毎のゲインを求めこれに基づいて所定の電圧を
演算して印加する動作は上述したものと同様である。It should be noted that the deflection amplifier in the direction of 45 degrees is 2 1/2
A double gain is set, and a voltage of ((X + Y) /) 1/2 is applied to the corresponding electrode based on this gain. Further, the operation of obtaining the gain for each angle in the directions of 135 degrees, 225 degrees, and 315 degrees and calculating and applying the predetermined voltage based on the gain is the same as that described above.
【００２１】この第２の実施の形態に係る荷電ビーム描
画制御装置の場合、３次の多項式を演算した後８極分の
ＤＡＣデータを算出するまでに２０μｓの演算時間を必
要とし、この時間が無駄時間になりスループットを低下
させる。この後、ＤＡＣにデータをセットし、主偏向ア
ンプ３Ａのセトリング時間が経過してからサブフィール
ド内の描画を開始する。描画中は第１のトラッキングカ
ウンタ１３のデータが選択され、主偏向感度補正回路１
８により主偏向感度を補正されて第２のＤＡＣ７にデー
タが供給されセットされる。この主偏向感度についての
補正は、主偏向位置に対応した補正メモリから補正係数
を読み出しパイプライン処理で補正演算することにより
行なわれる。この演算のためには、約３μｓの時間が必
要とされている。In the case of the charged particle beam drawing control apparatus according to the second embodiment, a calculation time of 20 μs is required to calculate the DAC data for eight poles after the calculation of the third-order polynomial, and this time is required. Wasted time reduces throughput. After that, data is set in the DAC, and drawing in the subfield is started after the settling time of the main deflection amplifier 3A has elapsed. During the drawing, the data of the first tracking counter 13 is selected, and the main deflection sensitivity correction circuit 1
The main deflection sensitivity is corrected by 8 and the data is supplied to the second DAC 7 and set. The correction of the main deflection sensitivity is performed by reading a correction coefficient from the correction memory corresponding to the main deflection position and performing a correction calculation by pipeline processing. About 3 μs is required for this calculation.
【００２２】偏向アンプの中では、トラッキング出力が
主偏向出力にアナログ加算され、ビームはステージの移
動に追従する。この動作のタイミングが、図４に示され
ている。第２のトラッキングカウンタ１４が動作を開始
するタイミングを図るために、パターンジェネレータ１
からそれぞれのサブフィールド内のショット数をサブフ
ィールドの描画開始と同時に得ておく。ショット数とシ
ョットサイクルからサブフィールドの描画終了時間が予
想できるため、終了予想時刻から歪み補正演算時間を引
いた時点から第２のトラッキングカウンタ１４を動作さ
せる。図４に示すように、現在のサブフィールドを描画
している間に第２のトラッキングカウンタ１４をリセッ
トした後、次に描画するサブフィールドの位置とステー
ジの位置との差を算出すると同時にレーザ測長計１６か
らのアップダウンパルスのカウントを開始する。第２の
カウンタ１４でステージ位置をモニタしつつ偏向歪み補
正演算と８極分のＤＡＣデータを算出する。現サブフィ
ールドの描画が終了した時点で次のサブフィールド描画
のための主偏向データをＤＡＣにセットし主偏向セトリ
ング時間Ｔ３だけ待ってからサブフィールドの描画を開
始する。サブフィールド内の描画は時間Ｔ４の間に行な
われる。したがって、第１のトラッキングカウンタ１３
に基づくあるサブフィールドにおける描画時間Ｔ４の終
了間際の時間においては、第２のトラッキングカウンタ
１４に基づく次のサブフィールドのパターン位置データ
とステージ位置データとの差分を演算する時間Ｔ１と、
主偏向歪みを行ないながらＤＡＣのデータ値を演算する
時間Ｔ２と、の連続する時間がラップすることになり、
重なり合う時間分だけ描画処理速度が高速化することに
なる。In the deflection amplifier, the tracking output is analog-added to the main deflection output, and the beam follows the movement of the stage. The timing of this operation is shown in FIG. In order to control the timing at which the second tracking counter 14 starts its operation, the pattern generator 1
The number of shots in each subfield is obtained at the same time when the drawing of the subfield is started. Since the drawing end time of the subfield can be predicted from the number of shots and the shot cycle, the second tracking counter 14 is operated from the time when the distortion correction calculation time is subtracted from the estimated end time. As shown in FIG. 4, after the second tracking counter 14 is reset while the current subfield is being drawn, the difference between the position of the next subfield to be drawn and the position of the stage is calculated, and at the same time laser measurement is performed. Start counting up / down pulses from the subtotal 16. While the second counter 14 monitors the stage position, deflection distortion correction calculation and DAC data for eight poles are calculated. When the drawing of the current subfield is completed, the main deflection data for drawing the next subfield is set in the DAC, and after waiting for the main deflection settling time T3, the drawing of the subfield is started. Drawing in the subfield is performed during time T4. Therefore, the first tracking counter 13
At the time immediately before the end of the drawing time T4 in a certain subfield based on the above, the time T1 for calculating the difference between the pattern position data of the next subfield based on the second tracking counter 14 and the stage position data,
The time T2 during which the data value of the DAC is calculated while performing the main deflection distortion overlaps with the time T2.
The drawing processing speed is increased by the overlapping time.
【００２３】このように２つのトラッキングカウンタを
交互に使って偏向補正やＤＡＣ値算出の演算時間が隠れ
るように描画制御すれば無駄時間が排除されスループッ
トを向上（全サブフィールド数Ｘ演算時間分速くなる）
させることができる。As described above, if the two tracking counters are alternately used to perform the drawing control so that the calculation time for deflection correction and the DAC value calculation is hidden, the dead time is eliminated and the throughput is improved (the total number of subfields X the calculation time is shortened). Become)
Can be done.
【００２４】上記第１及び第２の実施の形態に係る荷電
ビーム描画制御装置は、第１及び第２の追従制御手段の
具体例として第１及び第２のトラッキングカウンタを用
いるものとして説明したが、この発明はこのような構成
に限定されず、レーザ干渉計（測長計）がストローブパ
ルスと共に位置データを出力している場合には、記憶手
段と減算手段とを対で設けるようにしても本発明の要旨
を満たすことが可能である。The charged beam drawing control apparatus according to the first and second embodiments has been described as using the first and second tracking counters as specific examples of the first and second tracking control means. However, the present invention is not limited to such a configuration, and when the laser interferometer (length measuring instrument) outputs the position data together with the strobe pulse, even if the storage means and the subtraction means are provided as a pair, It is possible to satisfy the gist of the invention.
【００２５】すなわち、第３の実施の形態に係る荷電ビ
ーム描画制御装置としては、前記第１及び第２の追従制
御手段１３及び１４は、一方が任意のフィールドの描画
を開始する際、そのフィールドの描画位置データと他方
が制御した１つ前のフィールドのステージ位置との差を
求めてステージ位置誤差データとして記憶手段に記憶
し、描画中に現在のステージ位置と前記記憶されたステ
ージ位置誤差データを一定のタイミングで求めて補正量
を求め、この任意のフィールドにおけるビームの位置を
偏向補正するように構成してもよい。That is, in the charged particle beam drawing control apparatus according to the third embodiment, when the first and second follow-up control means 13 and 14 start drawing an arbitrary field, Difference between the drawing position data and the stage position of the immediately preceding field controlled by the other is calculated and stored in the storage means as stage position error data, and the current stage position and the stored stage position error data during drawing. May be obtained at a fixed timing to obtain a correction amount, and the beam position in this arbitrary field may be deflected and corrected.
【００２６】前記記憶手段は、前記第１及び第２の追従
制御回路１３及び１４が任意のフィールドの描画を開始
する際、そのフィールドの描画位置データと１つ前のフ
ィールドのステージ位置との差を求めて任意のフィール
ドのステージ位置データをそれぞれ記憶する第１及び第
２のメモリを備えるようにしてもよい。When the first and second follow-up control circuits 13 and 14 start drawing an arbitrary field, the storage means stores the difference between the drawing position data of the field and the stage position of the immediately preceding field. It is also possible to provide a first memory and a second memory for respectively storing the stage position data of an arbitrary field in order to obtain
【００２７】前記第１及び第２の追従制御回路は、ステ
ージ位置検出手段により前記荷電ビーム装置から検出さ
れてパルスの積算値を補正量とし、ビームの位置を偏向
補正する構成になっていてもよい。Even if the first and second follow-up control circuits are configured to correct the deflection of the beam position by using the integrated value of the pulse detected by the stage position detection means from the charged beam device as the correction amount. Good.
【００２８】前記第１及び第２の追従制御手段は、各ビ
ームショットのセトリング時間に同期するようにそれぞ
れの制御手段のディジタル・アナログ変換手段に偏向補
正データを入力し、これを設定する点については第１な
いし第３の実施の形態の何れにおいても共通する構成で
ある。The first and second follow-up control means input deflection correction data to the digital-analog conversion means of each control means so as to synchronize with the settling time of each beam shot, and set this. Is common to all of the first to third embodiments.
【００２９】上記第３の実施の形態に係る荷電ビーム描
画制御装置の具体的な構成について図５を参照しながら
説明する。図５において、偏向制御回路１１Ａはパルス
カウンタを内蔵したレーザ干渉計１６から供給される位
置データを記憶する第１及び第２のメモリ３１及び３２
と、このレーザ干渉計１６のその時点でのステージ位置
データから前記第１及び第２のメモリ３１及び３２の各
々に記憶されている位置データをそれぞれ減算する第１
及び第２の減算器３３及び３４と、を備えている。その
他の構成、すなわち主偏向歪み補正回路１２、切換スイ
ッチ１５、主偏向感度補正回路１８等については第１及
び第２の実施の形態に係る荷電ビーム描画制御装置のそ
れぞれの構成と同様の構成を有するものとする。A specific configuration of the charged particle beam drawing control apparatus according to the third embodiment will be described with reference to FIG. In FIG. 5, the deflection control circuit 11A has first and second memories 31 and 32 for storing the position data supplied from the laser interferometer 16 having a built-in pulse counter.
And first subtracting the position data stored in each of the first and second memories 31 and 32 from the stage position data of the laser interferometer 16 at that time.
And second subtractors 33 and 34. Other configurations, that is, the main deflection distortion correction circuit 12, the changeover switch 15, the main deflection sensitivity correction circuit 18, etc. are the same as those of the charged beam drawing control apparatus according to the first and second embodiments. Shall have.
【００３０】上記構成において、第３の実施の形態に係
る制御装置の動作の概略について説明する。最近のレー
ザ干渉計は、独自に内蔵したカウンタから高速にデータ
の読み出しが可能である。例えば１００ｎｓのストロー
ブパルスと共にステージの位置データを出力しており、
偏向制御回路１１Ａにカウンタ等の回路を設ける必要が
なくなる。この場合、２個のカウンタの代わりに２組の
ラッチ用メモリ３１及び３２と減算器３３及び３４があ
ればいい。An outline of the operation of the control device according to the third embodiment having the above structure will be described. Recent laser interferometers can read data at high speed from a counter built into the laser interferometer. For example, outputting the position data of the stage together with the strobe pulse of 100 ns,
It is not necessary to provide a circuit such as a counter in the deflection control circuit 11A. In this case, two sets of latch memories 31 and 32 and subtractors 33 and 34 may be used instead of the two counters.
【００３１】動作の手順は、現サブフィールド描画の
際、パターンデータとステージ位置の差を算出し、その
時のステージ座標をメモリ１に記憶しておく。差分値に
応じた偏向歪みを補正し、ＤＡＣにデータをセット後セ
トリング時間待ってからサブフィールド内のパターンを
描画する。描画開始と同時にステージ位置を常に読みだ
しメモリとの差を得て主偏向感度補正回路１８により偏
向感度補正し、第２のＤＡＣ７にデータを供給してセッ
トする。このサブフィールド描画の時、レーザ干渉計１
６Ａからステージ位置を読み出すタイミングを副偏向の
セトリング時間に一致させると、トラッキングＤＡＣの
グリッジの影響を受けずに済み、ビームが揺らぐことは
ない。The operation procedure is to calculate the difference between the pattern data and the stage position when the current subfield is drawn, and store the stage coordinates at that time in the memory 1. The deflection distortion according to the difference value is corrected, data is set in the DAC, and after waiting for a settling time, the pattern in the subfield is drawn. Simultaneously with the start of drawing, the stage position is always read out, the difference from the memory is obtained, the deflection sensitivity is corrected by the main deflection sensitivity correction circuit 18, and the data is supplied to the second DAC 7 for setting. Laser interferometer 1 when drawing in this subfield
When the timing for reading the stage position from 6A is matched with the sub-deflection settling time, the beam is not fluctuated without being affected by the glitch of the tracking DAC.
【００３２】次のサブフィールド描画は上記第１及び第
２の実施の形態に係る制御装置と同様に、主偏向歪みの
演算時間分前より差分を算出しその時のステージ座標を
第２メモリ３２にラッチしておく。あとは次のサブフィ
ールドを描画する時、ステージの位置と第２のメモリ３
２の内容との差を算出しつつステージトラッキング補正
させ、ビームをステージの移動に追従制御させる。この
制御を繰り返せば、主偏向歪み補正のための演算に要す
る時間とＤＡＣのデータ値を算出のための無駄時間を取
り除くことができ、描画制御装置のスループットを向上
させることができる。In the next subfield drawing, the difference is calculated before the calculation time of the main deflection distortion and the stage coordinates at that time are stored in the second memory 32 as in the control devices according to the first and second embodiments. Latch it. After that, when drawing the next subfield, the stage position and the second memory 3
The stage tracking correction is performed while calculating the difference from the content of 2, and the beam is controlled to follow the movement of the stage. By repeating this control, the time required for the calculation for correcting the main deflection distortion and the dead time for calculating the data value of the DAC can be removed, and the throughput of the drawing control device can be improved.
【００３３】なお、上記第１ないし第３の実施の形態に
よる荷電ビーム描画制御装置は、何れも偏向制御回路１
１または１１Ａ内に第１及び第２の追従制御手段を設
け、これら２つの手段の出力を偏向制御回路１１または
１１Ａ内に設けられた切換手段１５により切り換えるよ
うにしていたが、本発明の要旨である２つの追従制御手
段と切換手段を備えてさえいれば、上記以外の構成であ
っても本発明を実施することが可能である。The charged beam drawing control devices according to the first to third embodiments are all deflection control circuits 1.
The first and second follow-up control means are provided in 1 or 11A, and the outputs of these two means are switched by the switching means 15 provided in the deflection control circuit 11 or 11A. The present invention can be implemented with a configuration other than the above as long as the two follow-up control means and the switching means are provided.
【００３４】例えばコストが割高となりあまり実用的で
ないとはいえ、主偏向アンプを２つ用意すれば、主偏向
セトリング時間を省くことができる。For example, although the cost is high and it is not very practical, if two main deflection amplifiers are prepared, the main deflection settling time can be omitted.
【００３５】具体的には、図６に示す第４の実施の形態
に係る荷電ビーム描画制御装置のように構成すればよ
い。図６において、偏向制御回路１１Ｂは、任意のサブ
フィールドのレーザパルスをカウントする第１のトラッ
キングカウンタ１３と、任意のサブフィールドの次のサ
ブフィールドのレーザパルスをカウントする第２のトラ
ッキングカウンタ１４と、第１のトラッキングカウンタ
１３の出力に基づいて主偏向感度の補正を行なう第１の
主偏向感度補正回路１８Ａと、第２のトラッキングカウ
ンタの出力に基づいて主偏向感度の補正を行なう第２の
主偏向感度補正回路１８Ｂと、を備えている。主偏向歪
み補正回路１２及び減算器１７は第２及び第３の実施の
形態に係る荷電ビーム描画制御装置と同一のものであ
る。Specifically, it may be configured as the charged particle beam drawing control apparatus according to the fourth embodiment shown in FIG. In FIG. 6, the deflection control circuit 11B includes a first tracking counter 13 that counts a laser pulse of an arbitrary subfield and a second tracking counter 14 that counts a laser pulse of a next subfield of an arbitrary subfield. , A first main deflection sensitivity correction circuit 18A for correcting the main deflection sensitivity based on the output of the first tracking counter 13, and a second main deflection sensitivity correction circuit 18A for correcting the main deflection sensitivity based on the output of the second tracking counter. And a main deflection sensitivity correction circuit 18B. The main deflection distortion correction circuit 12 and the subtractor 17 are the same as those in the charged beam drawing controller according to the second and third embodiments.
【００３６】ディジタルアナログ変換手段の構成につい
ても、第１のＤＡＣ６は上述した実施の形態に係る荷電
ビーム描画制御回路と同じであるが、第２のＤＡＣ７は
第３のＤＡＣ７Ａと第４のＤＡＣ７Ｂとの２段で構成さ
れている。Regarding the configuration of the digital-analog conversion means, the first DAC 6 is the same as the charged beam drawing control circuit according to the above-mentioned embodiment, but the second DAC 7 is the third DAC 7A and the fourth DAC 7B. It is composed of two stages.
【００３７】また、主偏向アンプの構成についても、Ｄ
ＡＣの構成に対応して２段構成になっている。すなわ
ち、第１のＤＡＣ６と第３のＤＡＣ７Ａとの出力を増幅
した後第１の加算器により加算して出力する第１段のア
ンプと、第１のＤＡＣ６と第４のＤＡＣ７Ｂとの出力を
増幅した後第２の加算器により加算して出力する第２段
のアンプと、を備えている。第１の加算器と第２の加算
器の出力はスイッチ１５Ａにより切り換えられてＥＢ装
置２１に供給される。Regarding the structure of the main deflection amplifier, D
It has a two-stage structure corresponding to the AC structure. That is, the first-stage amplifier that amplifies the outputs of the first DAC 6 and the third DAC 7A and then adds the amplified outputs by the first adder, and amplifies the outputs of the first DAC 6 and the fourth DAC 7B. After that, a second-stage amplifier for adding and outputting by a second adder is provided. The outputs of the first adder and the second adder are switched by the switch 15A and supplied to the EB device 21.
【００３８】また、前記回路ではアナログアンプでステ
ージトラッキング補正量を加算しているが、ディジタル
データを加算してＤＡＣにデータを設定してもよい。こ
の場合ＤＡＣ／ＡＭＰの台数が半分になる。In the above circuit, the stage tracking correction amount is added by the analog amplifier, but digital data may be added to set the data in the DAC. In this case, the number of DACs / AMPs is halved.
【００３９】以上の構成を有する第４の実施の形態に係
る荷電ビーム描画制御装置は、切換手段としてのスイッ
チ１５Ａの位置が主偏向アンプの後段となると共に、主
偏向感度補正回路、ＤＡＣ、主偏向アンプの構成が上記
第２及び第３の実施の形態に係る荷電ビーム描画制御装
置よりも若干複雑となるという相違点はあるものの、第
１内次第３の実施の形態に係る荷電ビーム描画制御装置
と同様の作用・効果を有する。In the charged particle beam drawing control apparatus according to the fourth embodiment having the above-mentioned structure, the position of the switch 15A as the switching means is located after the main deflection amplifier, and the main deflection sensitivity correction circuit, DAC, main Although the configuration of the deflection amplifier is slightly more complicated than that of the charged beam drawing control apparatus according to the second and third embodiments, the charge beam drawing control according to the first to third embodiments is performed. Has the same operation and effect as the device.
【００４０】[0040]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る荷電ビーム描画制御装置によれば、ステージを移動制
御して連続的に描画を行なうものにおいて、偏向制御回
路の中にステージを追従制御する回路を２つ用意し、こ
れをフィールド毎に切り換えて一方のステージ追従制御
回路により任意のフィールドを描画している最中に、他
方のステージ追従制御回路によりステージ位置をモニタ
しつつ次のフィールド描画のための偏向歪み補正演算を
行なうことにより、補正演算の際に生ずる無駄時間をな
くしてスループットを向上させることができる。As described above in detail, according to the charged beam drawing control apparatus of the present invention, in the case where the movement is controlled and the drawing is continuously performed, the deflection control circuit follows the stage. Two circuits to control are prepared, and while switching these for each field and one stage tracking control circuit is drawing an arbitrary field, the other stage tracking control circuit monitors the stage position while By performing the deflection distortion correction calculation for field drawing, it is possible to eliminate the dead time generated during the correction calculation and improve the throughput.
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る荷電ビーム描
画制御装置の構成を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a charged particle beam drawing control apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１の実施の形態に用いられる荷電ビ
ーム描画装置の全体を示す概略ブロック図である。FIG. 2 is a schematic block diagram showing an entire charged particle beam drawing apparatus used in the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る荷電ビーム描
画制御装置の構成を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a charged particle beam drawing control apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る荷電ビーム描
画制御装置におけるステージ追従制御のタイミングを示
すタイミングチャートである。FIG. 4 is a timing chart showing the timing of stage follow-up control in the charged particle beam drawing control apparatus according to the second embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第３の実施の形態に係る荷電ビーム描
画制御装置の構成を示すブロック図である。FIG. 5 is a block diagram showing a configuration of a charged particle beam drawing control apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第４の実施の形態に係る荷電ビーム描
画制御装置の構成を示すブロック図である。FIG. 6 is a block diagram showing a configuration of a charged particle beam drawing control apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
１ パターン発生装置 ２ 荷電ビーム装置 ３ ビーム偏向回路 １０ 荷電ビーム描画制御装置 １１ 偏向制御回路 １２ 偏向歪み補正手段 １３ 第１の追従制御手段 １４ 第２の追従制御手段 １５ 切換手段 １６ ステージ位置検出手段 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 pattern generation device 2 charged beam device 3 beam deflection circuit 10 charged beam drawing control device 11 deflection control circuit 12 deflection distortion correction means 13 first follow-up control means 14 second follow-up control means 15 switching means 16 stage position detection means
Claims (6)
びこの荷電ビームを所定の偏向量だけ偏向させるビーム
偏向回路に接続され、試料を載置するために前記荷電ビ
ーム装置に設けられたステージを連続的に移動させなが
ら所定のパターンを前記荷電ビームにより前記試料上に
描画するように前記ビーム偏向回路の偏向量を制御する
荷電ビーム描画制御装置において：任意のフィールドを
描画する際に前記ステージが移動している位置を常時検
出して、前記ビーム偏向手段のそのフィールドにおける
偏向歪を補正演算すると共に、この補正演算の結果に基
づいて、所定パターンを照射するビームが前記ステージ
の移動に追従するように制御する第１の追従制御手段
と；前記第１の追従制御手段が前記任意のフィールドの
描画を行なっている間に、次のフィールドの前記偏向量
を求めて前記偏向歪を補正演算し、前記任意のフィール
ドの描画が終了したときに、予め求められた次のフィー
ルドの偏向歪みの補正演算結果に基づいて、次のフィー
ルドにおける所定パターンの照射を制御する第２の追従
制御手段と；連続するフィールドの変わり目毎に、前記
第１及び第２の追従制御手段によるビーム位置補正動作
を切り換えて、連続するフィールドにおける所定パター
ンの描画を連続的に制御する切換手段と；を備えること
を特徴とする荷電ビーム描画制御装置。1. A charged beam device for generating a charged beam and a beam deflection circuit for deflecting the charged beam by a predetermined deflection amount, and a stage provided in the charged beam device for mounting a sample in succession. In a charged beam drawing controller that controls the deflection amount of the beam deflection circuit so that a predetermined pattern is drawn on the sample by the charged beam while moving the stage, the stage moves when drawing an arbitrary field. The position where the beam is deflected is constantly detected, the deflection distortion in the field of the beam deflecting means is corrected, and the beam irradiating a predetermined pattern follows the movement of the stage based on the result of the correction operation. A first follow-up control means for controlling the above-mentioned control; the first follow-up control means draws the arbitrary field In, to calculate the deflection distortion by obtaining the deflection amount of the next field, when the drawing of the arbitrary field is completed, based on the correction calculation result of the deflection distortion of the next field obtained in advance, Second follow-up control means for controlling irradiation of a predetermined pattern in the next field; beam position correction operations by the first and second follow-up control means are switched at every transition of successive fields, and in the successive fields And a switching means for continuously controlling the drawing of a predetermined pattern;
回路は、他方の追従制御回路が任意のフィールドにおけ
る所定のパターンを描画している間に、描画データを生
成するパターン発生装置より出力される描画データに基
づいて、次のフィールド内のショット数を算出し、その
フィールドの描画前にそのフィールドにおけるショット
数とショットサイクル時間とを掛け算してそのフィール
ドの描画終了時間を求めると共に；前記他方の追従制御
回路は、前記一方の追従制御回路により描画動作を制御
されている任意のフィールドの描画終了時間よりも所定
時間前に設定された時間から前記補正演算の動作を開始
することを特徴とする請求項１に記載された荷電ビーム
描画制御装置。2. A pattern generation device in which one of the first and second follow-up control circuits generates drawing data while the other follow-up control circuit is drawing a predetermined pattern in an arbitrary field. The number of shots in the next field is calculated based on the drawing data output from the output field, and the number of shots in that field is multiplied by the shot cycle time to obtain the drawing end time of that field before drawing in that field. The other tracking control circuit starts the correction calculation operation from a time set a predetermined time before the drawing end time of an arbitrary field whose drawing operation is controlled by the one tracking control circuit. The charged particle beam drawing controller according to claim 1.
が任意のフィールドの描画を開始する際、そのフィール
ドの描画位置データと他方が制御した１つ前のフィール
ドのステージ位置との差を求めてステージ位置誤差デー
タとして記憶手段に記憶し、描画中に現在のステージ位
置と前記記憶されたステージ位置誤差データを一定のタ
イミングで求めて補正量を求め、この任意のフィールド
におけるビームの位置を偏向補正する構成になっている
ことを特徴とする請求項１に記載された荷電ビーム描画
制御装置。3. The first and second follow-up control circuits, when one starts drawing of an arbitrary field, the drawing position data of the field and the stage position of the immediately preceding field controlled by the other. The difference is obtained and stored in the storage means as stage position error data, and the current stage position and the stored stage position error data are obtained at a fixed timing during drawing to obtain the correction amount, and the beam amount in this arbitrary field is calculated. The charged particle beam drawing control apparatus according to claim 1, wherein the charged beam drawing control apparatus is configured to correct the position by deflection.
制御回路が任意のフィールドの描画を開始する際、その
フィールドの描画位置データと１つ前のフィールドのス
テージ位置との差を求めて任意のフィールドのステージ
位置データをそれぞれ記憶する第１及び第２のメモリを
備えていることを特徴とする請求項３に記載された荷電
ビーム描画制御装置。4. When the first and second follow-up control circuits start drawing an arbitrary field, the storage means stores the difference between the drawing position data of the field and the stage position of the immediately preceding field. 4. The charged particle beam drawing control apparatus according to claim 3, further comprising first and second memories that store the stage position data of the desired field, respectively.
ージ位置検出手段により前記荷電ビーム装置から検出さ
れてパルスの積算値を補正量とし、ビームの位置を偏向
補正する構成になっていることを特徴とする請求項１に
記載された荷電ビーム描画制御装置。5. The first and second follow-up control circuits are configured to correct the deflection of the beam position by using the integrated value of the pulses detected by the stage position detecting means from the charged beam device as the correction amount. The charged particle beam drawing control apparatus according to claim 1, wherein
ームショットのセトリング時間に同期するようにそれぞ
れの制御手段のディジタル・アナログ変換手段に偏向補
正データを入力し、これを設定することを特徴とする請
求項１に記載された荷電ビーム描画制御装置。6. The first and second follow-up control means input deflection correction data to the digital-analog conversion means of each control means so as to be synchronized with the settling time of each beam shot, and set it. The charged particle beam drawing control apparatus according to claim 1, wherein
Priority Applications (1)
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| JP31676495A JP3260611B2 (en) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | Charge beam drawing controller |
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|---|---|---|---|
| JP31676495A JP3260611B2 (en) | 1995-12-05 | 1995-12-05 | Charge beam drawing controller |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09159800A true JPH09159800A (en) | 1997-06-20 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3260611B2 (en) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7057193B2 (en) | 2002-08-30 | 2006-06-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| JP2007189206A (en) * | 2005-12-15 | 2007-07-26 | Nuflare Technology Inc | Charged particle beam lithography method and apparatus thereof |
| JP2008016608A (en) * | 2006-07-05 | 2008-01-24 | Nuflare Technology Inc | Drawing device and drawing method in the same |
| JP2009037772A (en) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Hitachi High-Technologies Corp | Deflection control circuit and electron beam scanning device |
| JP2010062586A (en) * | 2005-12-15 | 2010-03-18 | Nuflare Technology Inc | Charged particle beam drawing method and apparatus |
| JP2010279702A (en) * | 2010-06-16 | 2010-12-16 | Mitsubishi Electric Corp | Particle beam irradiation device |
| JP2011151123A (en) * | 2010-01-20 | 2011-08-04 | Nuflare Technology Inc | Charged particle beam drawing device and charged particle beam drawing method |
| JP2012000232A (en) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | Particle therapy apparatus, and method for adjustment of the same |
| JP2012151345A (en) * | 2011-01-20 | 2012-08-09 | Nuflare Technology Inc | Charged particle beam lithography apparatus, and charged particle beam lithography method |
| US8658991B2 (en) | 2009-06-03 | 2014-02-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Particle beam irradiation apparatus utilized in medical field |
-
1995
- 1995-12-05 JP JP31676495A patent/JP3260611B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7057193B2 (en) | 2002-08-30 | 2006-06-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| JP2007189206A (en) * | 2005-12-15 | 2007-07-26 | Nuflare Technology Inc | Charged particle beam lithography method and apparatus thereof |
| JP2010062586A (en) * | 2005-12-15 | 2010-03-18 | Nuflare Technology Inc | Charged particle beam drawing method and apparatus |
| JP2010161415A (en) * | 2005-12-15 | 2010-07-22 | Nuflare Technology Inc | Charged particle beam drawing method and apparatus of the same |
| JP2008016608A (en) * | 2006-07-05 | 2008-01-24 | Nuflare Technology Inc | Drawing device and drawing method in the same |
| JP2009037772A (en) * | 2007-07-31 | 2009-02-19 | Hitachi High-Technologies Corp | Deflection control circuit and electron beam scanning device |
| US8658991B2 (en) | 2009-06-03 | 2014-02-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Particle beam irradiation apparatus utilized in medical field |
| JP2011151123A (en) * | 2010-01-20 | 2011-08-04 | Nuflare Technology Inc | Charged particle beam drawing device and charged particle beam drawing method |
| JP2010279702A (en) * | 2010-06-16 | 2010-12-16 | Mitsubishi Electric Corp | Particle beam irradiation device |
| JP2012000232A (en) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Mitsubishi Electric Corp | Particle therapy apparatus, and method for adjustment of the same |
| JP2012151345A (en) * | 2011-01-20 | 2012-08-09 | Nuflare Technology Inc | Charged particle beam lithography apparatus, and charged particle beam lithography method |
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