JPH09157845A - Chaos treatment film forming device, chaos treatment film formation and chaos treatment film forming medium - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make magnetic anisotropy uniform and to stabilize the formation of low-noise magnetic film formation by superposing the waveforms and phase waveform by chaos angle control on the voltage to be applied between a substrate and an electrode at the time of sputtering. SOLUTION: The central hole of the substrate S is engaged with the bottom end of surface wave vibrator 16 disposed in a vacuum chamber 11 and a fixing member 17 is pressed thereto from the lower side thereof to detain the substrate S. On the other hand, a specified target T is placed on the electrode 22 facing the substrate S and the inside of the vacuum chamber 11 is evacuated to and held at the specified vacuum degree. An inert gas, such as Ar is then introduced from an introducing port 11a into the chamber; thereafter, a DC or high-frequency voltage is applied between the substrate S and the electrode 22. At that time, the chaos waveforms formed by a chaos generator having the phase control and a coupler 202 are superposed on the voltage to be applied, by which sputters are generated. As a result, the thin films F having a chaos structure are obtd. on the rear side surface of the substrate S accompanied with the annealing effect by the chaos phase control.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、成膜方法，処理方
法およびそのための装置、およびそれらの方法または装
置により形成された薄膜を有する情報記録媒体、および
上記記録媒体を用いた記憶装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film forming method, a processing method, an apparatus therefor, an information recording medium having a thin film formed by these methods or apparatuses, and a storage device using the recording medium.

【０００２】[0002]

【従来の技術】現在、商業化されている磁気記録媒体
は、主として有機バインダを用いて基材上に磁性粉を膜
状に塗布したものである。この塗布型媒体では、基材上
に磁性粉が不連続に分布するため、磁化の値を大きくす
ることができず、大出力を得ようとすると膜厚を厚くせ
ざるを得ない。したがって高密度記録には適さない。2. Description of the Related Art At present, commercially available magnetic recording media are those in which magnetic powder is applied in the form of a film on a base material mainly using an organic binder. In this coating type medium, since the magnetic powder is discontinuously distributed on the base material, the magnetization value cannot be increased, and the film thickness must be increased to obtain a large output. Therefore, it is not suitable for high density recording.

【０００３】近年、高密度記録の要請が著しく強まり、
保磁力の大きい媒体が必要となっており、それに応える
ため、基材上に、いわゆる、ＰＶＤ（Physical Vapour
Deposition）法により形成された磁性薄膜を用いる
ことが提案されている。この磁性薄膜は、基材上に連続
的に分布するため、塗布型媒体の磁性膜に比べて大きな
保磁力を持つ。この磁性薄膜は通常、金属，酸化物，窒
化物などからなり、真空蒸着，スパッタリング，イオン
プレーティング，イオンビーム蒸着，イオン・アシステ
ッド・デポジションなどの方法で形成される。In recent years, the demand for high density recording has significantly increased,
A medium with a large coercive force is required, and in order to meet this demand, a so-called PVD (Physical Vapor) is formed on the substrate.
It has been proposed to use a magnetic thin film formed by the Deposition method. Since this magnetic thin film is continuously distributed on the substrate, it has a larger coercive force than the magnetic film of the coating medium. This magnetic thin film is usually made of a metal, an oxide, a nitride or the like, and is formed by a method such as vacuum vapor deposition, sputtering, ion plating, ion beam vapor deposition, or ion assisted deposition.

【０００４】このような磁性薄膜では、合金の磁性薄膜
が特に優れた磁気特性を発揮し、種々の組成のものが提
案されている。例えば、ＣｏＰｔＣｒ（Ｃｒ：１〜１７
％）の一層膜（特開昭59−88806 号公報），ＣｏＰｔＣ
ｒ（Ｃｒ：１３〜２０％）の一層膜（米国特許第478959
8 号明細書），ＣｏＰｔＣｒ（Ｃｒ：１７％）とＣｒの
多層膜（特開平2 −281414号公報）などである。それら
合金磁性薄膜は通常、ＲＦ−ＤＣマグネトロン・スパッ
タリング，ＲＦスパッタリングなどの方法により形成さ
れる。Among such magnetic thin films, alloy magnetic thin films exhibit particularly excellent magnetic properties, and various compositions have been proposed. For example, CoPtCr (Cr: 1 to 17)
%) Single-layer film (JP-A-59-88806), CoPtC
r (Cr: 13-20%) single layer film (US Pat. No. 478959)
No. 8 specification), a multilayer film of CoPtCr (Cr: 17%) and Cr (JP-A-2-281414). These alloy magnetic thin films are usually formed by a method such as RF-DC magnetron sputtering or RF sputtering.

【０００５】さらに、特公平5−34748号公報にはヘッド
部と媒体面との間のトンネル電流値の変動を検出し、ス
ペーシング（磁気ヘッドの浮動高）を数十ナノメートル
以下の値まで減少させ、１Ｇｂから１０Ｇｂ／in² の記
録密度を可能とするヘッド側の技術が示されている。Further, Japanese Patent Publication No. 534748/1993 detects variations in the tunnel current value between the head portion and the medium surface, and the spacing (floating height of the magnetic head) is reduced to a value of several tens of nanometers or less. Head-side techniques have been shown to reduce and enable recording densities from 1 Gb to 10 Gb / in ² .

【０００６】これに対応して、記録密度１〜１０Ｇｂ／
in² の薄膜媒体側の技術では、ヘッドと媒体との吸着を
防止する目的で薄膜媒体の基板や表面に、機械的なテク
スチャという凹凸の線や種々の溝，格子パターンを設け
ることが考えられている。それらの例として特開平5−
303740号公報，特開平5−334666 号公報等が挙げられ
る。なお、テクスチャ技術に関しては電子情報通信学
会，信学技報ＭＲ８９−１４（１９８９−１４）に示さ
れるケミカルテクスチャリング方式によるスパッタディ
スクや、光技術コンタクト，Vol.３１，Ｎo.１０（１９
９３）の超精密研磨技術に示されるオプトメカトロニク
ス用材料の湿式メカノケミカルポリシング等がある。Correspondingly, recording density of 1 to 10 Gb /
In ² technology on the side of thin film media, it is possible to provide uneven lines called mechanical texture, various grooves, and lattice patterns on the substrate or surface of the thin film media in order to prevent adsorption between the head and the medium. ing. Japanese Patent Laid-Open No. 5-
JP-A-303740, JP-A-5-334666 and the like can be mentioned. Regarding the texture technology, a sputter disk by the chemical texturing method shown in IEICE Technical Report MR89-14 (1989-14) and optical technology contact, Vol. 31, No. 10 (19).
93) Wet mechanochemical polishing of materials for optomechatronics shown in the ultra-precision polishing technique.

【０００７】しかし、このような機械的凹凸を有するテ
クスチャやパターン技術は、より高密度の記録媒体を得
ようとするためには必ずしも望ましくない。However, such a texture or pattern technique having mechanical irregularities is not always desirable for obtaining a recording medium having a higher density.

【０００８】[0008]

【発明が解決しようとする課題】米国特許第4789598 号
明細書や特開平2−281414 号公報に開示された磁性薄膜
を用いれば、高密度記録時における媒体ノイズが低くな
り、ビット誤り率を少なくすることが可能である。しか
し、このような磁気記録媒体をＲＦ−ＤＣマグネトロン
・スパッタリング等の方法により製造すると、次のよう
な問題が生じる。The use of the magnetic thin film disclosed in US Pat. No. 4,789,598 or Japanese Patent Laid-Open No. 2-281414 reduces the medium noise at the time of high density recording and reduces the bit error rate. It is possible to However, when such a magnetic recording medium is manufactured by a method such as RF-DC magnetron sputtering, the following problems occur.

【０００９】すなわち、基板上に合金磁性薄膜を形成し
てなるディスク状磁気記録媒体において、例えば４００
Ｍｂ／in² 程度以上の高密度で記録・再生を行うために
は、磁気ヘッドと磁気記録媒体との距離（スペーシン
グ）を通常０.１μｍ 程度以下に設定することが必要で
あり、このためには基板の表面を極力、平滑（例えば中
心線平均粗さＲａ＝３ｎｍ以下）にする必要がある。し
かし、基板表面をこのように平滑にすると、成膜条件に
よっては、磁気ヘッド移動方向（ディスク状媒体では円
周方向）に沿って均一な磁気異方性が得られないという
問題が生じる。That is, in a disk-shaped magnetic recording medium having an alloy magnetic thin film formed on a substrate, for example, 400
In order to perform recording / reproducing at a high density of about Mb / in ² or more, it is necessary to set the distance (spacing) between the magnetic head and the magnetic recording medium to about 0.1 μm or less. Therefore, it is necessary to make the surface of the substrate as smooth as possible (for example, center line average roughness Ra = 3 nm or less). However, if the surface of the substrate is smoothed in this way, there arises a problem that uniform magnetic anisotropy cannot be obtained along the moving direction of the magnetic head (circumferential direction in a disk-shaped medium) depending on film forming conditions.

【００１０】この問題は、アイイーイーイー トランザ
クションズ オン マグネティクス第２２巻（１９８６
年），５７９頁〜５８１頁（IEEE．Trans．on．Magn.Ｍ
ＡＧ−２２，５７９〜５８１（１９８６)）や、米国特
許第4735840号明細書において既に指摘されているとこ
ろである。This problem is caused by IEE Transactions on Magnetics, Vol. 22 (1986).
, 579-581 (IEEE.Trans.on.Magn.M)
AG-22, 579-581 (1986)) and U.S. Pat. No. 4,735,840.

【００１１】また、上記の従来の方法では、低ノイズで
高密度記録・再生を行える磁気記録媒体を安定して製造
することが困難であるという問題もある。Further, the above conventional method has a problem that it is difficult to stably manufacture a magnetic recording medium capable of high-density recording / reproduction with low noise.

【００１２】本発明の目的は、構成微粒子が均一であ
り、かつその構成微粒子の配向性および結晶学的成長の
方位も良好な薄膜が安定して得られる成膜方法，処理方
法および装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide a film forming method, a processing method and an apparatus capable of stably obtaining a thin film in which the constituent fine particles are uniform and the orientation of the constituent fine particles and the orientation of crystallographic growth are stable. To do.

【００１３】本発明の他の目的は、１Ｇｂから１０Ｇｂ
／in² の高密度記録に好適な極めて平滑な面を持つ基板
上に、磁気異方性が均一でかつ低ノイズの磁性薄膜が安
定して得られる薄膜磁気記録媒体の製造方法，処理方法
および装置を提供することにある。Another object of the present invention is 1 Gb to 10 Gb.
/ In ² High-density recording on a substrate having an extremely smooth surface, a thin film magnetic recording medium having uniform magnetic anisotropy and stable, low-noise magnetic thin film To provide a device.

【００１４】本発明の他の目的は、１Ｇｂから１０Ｇｂ
／in² の高密度記録が可能な薄膜磁気記録媒体を提供す
ることにある。Another object of the present invention is 1 Gb to 10 Gb.
It is to provide a thin film magnetic recording medium capable of high-density recording of / in ² .

【００１５】本発明のさらに他の目的は、１Ｇｂから１
０Ｇｂ／in² の高密度記録が可能な磁気記録装置を提供
することにある。Still another object of the present invention is 1 Gb to 1
It is to provide a magnetic recording device capable of high density recording of 0 Gb / in ² .

【００１６】[0016]

【課題を解決するための手段】本発明の構成および手段
は図１，図２，図３，図４，図５，図７に示すように、
成膜装置のシステムをカオス望ましくはカオス角度制御
による波形および位相波形を印加することによりカオス
成膜媒体を得ることを特徴とする。As shown in FIGS. 1, 2, 3, 4, 5, and 7, the structure and means of the present invention are as follows.
It is characterized in that a chaotic film-forming medium is obtained by applying a chaos, preferably a waveform and a phase waveform by chaos angle control to the system of the film-forming apparatus.

【００１７】カオスは周知のとおり、先端科学・技術分
野として注目を集めつつ、相対性理論や量子論にも比肩
する科学の最重要概念の一つであり、同時に、量子レべ
ルから宇宙レベルまで、さまざまな時間的空間的スケー
ルにひろがる“ありふれた現象”である。カオスの本来
の意味は無秩序，混沌であるが、主に、決定論的カオス
(Deterministic Chaos）の立場から見ると、カオスと
は、一見ランダム（無秩序）に見えるが、時間と共にラ
ンダムな方向に進みながらも決定論（カオス回路の定数
等）に支配されている現象である。本発明に応用するカ
オスとは無秩序（ランダム性）と秩序（決定性）とを取
り入れた、特に、数理・決定論的カオスをいうものであ
る。As is well known, chaos is one of the most important concepts of science that is attracting attention as a field of advanced science and technology, but is comparable to the theory of relativity and quantum theory. At the same time, from the quantum level to the universe level Is a “common phenomenon” that spreads to various temporal and spatial scales. The original meaning of chaos is disorder and chaos, but mainly deterministic chaos
From the viewpoint of (Deterministic Chaos), chaos is a phenomenon that seems to be random (chaotic) at first glance, but is governed by determinism (constants of chaotic circuits, etc.) while proceeding in a random direction with time. The chaos applied to the present invention means, in particular, mathematical / deterministic chaos that incorporates disorder (randomness) and order (determinism).

【００１８】（１）本発明の成膜方法，処理方法は、真
空中で基材上に薄膜を形成するカオス成膜方法におい
て、前記基材に超音波振動を与えながらその上に薄膜を
形成することにより一層の高性能媒体を得ることができ
る。(1) The film forming method and processing method according to the present invention are chaotic film forming methods for forming a thin film on a base material in a vacuum, and the thin film is formed on the base material while applying ultrasonic vibration. By doing so, a higher performance medium can be obtained.

【００１９】このカオス成膜方法および処理方法では、
超音波振動により前記基材に表面波を生じさせるのが好
ましく、その表面波モードは、同心円型，ランダム型お
よび干渉型の中から選ばれたいずれか１種であるのが好
ましい。また、前記基材の成膜面を薄膜構成微粒子の飛
来方向に対して傾斜させてもよい。In this chaotic film forming method and processing method,
It is preferable to generate a surface wave on the substrate by ultrasonic vibration, and the surface wave mode is preferably any one selected from a concentric type, a random type and an interference type. Further, the film forming surface of the base material may be inclined with respect to the flying direction of the fine particles constituting the thin film.

【００２０】また、カオス薄膜を形成する前に前記基材
に超音波振動を与えてその成膜面を清浄化する工程を含
むのが好ましい。この場合にも、超音波振動により表面
波を生じさせるのが好ましく、そのモードは同心円型，
ランダム型および干渉型の中から選ばれたいずれか１種
であるのが好ましい。Further, it is preferable to include a step of applying ultrasonic vibration to the substrate to clean the film-forming surface before forming the chaotic thin film. Also in this case, it is preferable to generate a surface wave by ultrasonic vibration, the mode of which is concentric circle type,
It is preferably any one selected from random type and interference type.

【００２１】さらにこのカオス成膜装置では、前記基材
の成膜面を薄膜構成微粒子の飛来方向に対して傾斜させ
る手段を有するのがより好ましい。Further, it is more preferable that the chaotic film forming apparatus has a means for inclining the film forming surface of the substrate with respect to the flying direction of the fine particles constituting the thin film.

【００２２】（２）また、本発明のカオス薄膜磁気記録
媒体は、基板上に直接または下地層を介して形成された
磁性薄膜を有するカオス薄膜磁気記録媒体において、前
記基材の成膜面の中心線平均粗さが２.５ｎｍ 以下であ
り、前記磁性薄膜の磁気ヘッドの移動方向に沿った磁気
特性のばらつきが７％以下であることを特徴とする。(2) Further, the chaotic thin film magnetic recording medium of the present invention is a chaotic thin film magnetic recording medium having a magnetic thin film formed directly on a substrate or through an underlayer. The center line average roughness is 2.5 nm or less, and the variation in magnetic characteristics of the magnetic thin film along the moving direction of the magnetic head is 7% or less.

【００２３】前記基材の成膜面の中心線平均粗さを２.
５ｎｍ 以下とするのは、成膜時の結晶成長が均一にな
ること、および１Ｇｂから１０Ｇｂ／in² の高密度記録
を行うにはこの程度が必要であることによる。前記磁性
薄膜の磁気ヘッドの移動方向に沿った磁気特性のばらつ
きを７％以上とするのは、１Ｇｂから１０Ｇｂ／in² の
高密度記録を行うにはサブミクロン級の高精度位置決め
のためにこの程度の均一性が必要であることによる。The center line average roughness of the film forming surface of the substrate is 2.
The reason why the thickness is 5 nm or less is that the crystal growth at the time of film formation becomes uniform, and this level is necessary for high density recording from 1 Gb to 10 Gb / in ² . The variation of the magnetic characteristics of the magnetic thin film along the moving direction of the magnetic head is set to 7% or more for high precision recording of 1 Gb to 10 Gb / in ² for high precision sub-micron positioning. Due to the need for some degree of uniformity.

【００２４】このカオス薄膜磁気記録媒体では、前記磁
性薄膜上にその表面の粗さが前記基材の成膜面のそれよ
りも大きい保護層を設けるのが好ましい。In this chaotic thin film magnetic recording medium, it is preferable to provide a protective layer on the magnetic thin film whose surface roughness is larger than that of the film-forming surface of the substrate.

【００２５】（３）本発明のカオス薄膜磁気記録媒体の
製造方法は、より望ましくは真空中で基材上に直接また
は下地層を介して磁性薄膜を形成するカオス薄膜磁気記
録媒体の製造方法において、前記下地層および磁性薄膜
の少なくとも一方を形成する際に前記基材に超音波振動
を与えることを特徴とする。(3) The method for producing a chaotic thin film magnetic recording medium of the present invention is more preferably a method for producing a chaotic thin film magnetic recording medium in which a magnetic thin film is formed on a substrate directly in vacuum or via an underlayer. Ultrasonic vibration is applied to the base material when forming at least one of the underlayer and the magnetic thin film.

【００２６】このカオス薄膜磁気記録媒体の製造方法で
は、超音波振動により前記基材または下地層に表面波を
生じさせるのが好ましい。その表面波のモードは、同心
円型，ランダム型および干渉型の中から選ばれたいずれ
か１種であるのが好ましい。In this method for manufacturing a chaotic thin film magnetic recording medium, it is preferable to generate a surface wave on the base material or the underlayer by ultrasonic vibration. The mode of the surface wave is preferably any one selected from the concentric type, the random type and the interference type.

【００２７】また、前記基材の成膜面を前記下地層およ
び磁性薄膜の構成微粒子の飛来方向に対して傾斜させる
のが好ましく、さらに、前記基材に超音波振動を与える
際にその基材の周囲に磁場を印加するのが好ましい。Further, it is preferable that the film forming surface of the base material is inclined with respect to the flying direction of the fine particles constituting the underlayer and the magnetic thin film, and the base material is subjected to ultrasonic vibration when the base material is subjected to ultrasonic vibration. It is preferred to apply a magnetic field around the.

【００２８】さらに、前記カオス磁性薄膜を覆う保護膜
を形成する際に前記基材に超音波振動を与える工程や、
前記基材に超音波振動を与えてその成膜面を清浄化する
工程を含むのが好ましい。この場合においても、超音波
振動により表面波を生じさせるのが好ましく、そのモー
ドは同心円型，ランダム型および干渉型の中から選ばれ
たいずれか１種であるのが好ましい。Furthermore, a step of applying ultrasonic vibration to the base material when forming a protective film covering the chaotic magnetic thin film,
It is preferable to include a step of applying ultrasonic vibration to the base material to clean the film formation surface. Also in this case, it is preferable to generate a surface wave by ultrasonic vibration, and the mode is preferably any one selected from the concentric type, the random type and the interference type.

【００２９】（４）本発明のカオス薄膜磁気記録媒体の
製造方法は、真空中で基材上に直接または下地層を介し
て磁性薄膜を形成するカオス薄膜磁気記録媒体の製造装
置において、前記基材に超音波振動を与える手段を有す
ることを特徴とする。(4) The method for producing a chaotic thin film magnetic recording medium according to the present invention is the apparatus for producing a chaotic thin film magnetic recording medium in which a magnetic thin film is formed on a substrate directly in vacuum or via an underlayer. It is characterized by having means for applying ultrasonic vibration to the material.

【００３０】このカオス薄膜磁気記録媒体の製造装置で
は、前記基材の成膜面を前記下地層および磁性薄膜の構
成微粒子の飛来方向に対して傾斜させる手段を有するの
が好ましく、さらに、前記基材の周囲に磁場を印加する
手段を有するのが好ましい。In this chaotic thin film magnetic recording medium manufacturing apparatus, it is preferable to have means for inclining the film forming surface of the base material with respect to the flying direction of the fine particles constituting the underlayer and the magnetic thin film. It is preferable to have means for applying a magnetic field around the material.

【００３１】（５）（１)，(２）において、使用する基
材および薄膜の種類は特に限定されない。望ましくは真
空中でカオス成膜およびカオス処理できるものであれ
ば、目的に応じて所望のものを任意に使用できる。(5) In (1) and (2), the types of base material and thin film used are not particularly limited. Desirably, any desired one can be used depending on the purpose, as long as it can perform chaotic film formation and chaotic treatment in vacuum.

【００３２】また、（１）〜（４）において、前記基材
としては、非磁性の基板、例えばＮｉＰ等をメッキした
Ａｌ合金基板，Ｔｉ基板，ガラス基板，セラミック基
板，カーボン基板のように、表面波振動が直接かつ有効
に伝播する材質からなる剛性のものが好ましい。しか
し、ポリイミド，ＰＥＴ等の有機フィルム等，可撓性の
基材も使用可能である。Further, in (1) to (4), as the base material, a non-magnetic substrate such as an Al alloy substrate plated with NiP or the like, a Ti substrate, a glass substrate, a ceramic substrate, a carbon substrate, A rigid material made of a material that allows surface wave vibration to directly and effectively propagate is preferable. However, a flexible substrate such as an organic film such as polyimide or PET can also be used.

【００３３】前記下地層は、Ｎｉｐ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｃｒ
Ｔｉ薄膜、さらにはこれらとＶ，ＳｉＯ₂ ，Ａｌ，Ｔ
ｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｈｆ等の薄膜との多層膜等が好
ましく、磁性膜としては、ＣｏＣｒＰｒ，ＣｏＣｒＴ
ａ,ＣｏＮｉＣｒ,ＣｏＮｉＰｔ，ＣｏＳｍ，ＣｏＮｉＰ
ｔＳｉＯ，ＦｅＳｉＯ 等が好ましい。保護層はＢ，
Ｃ，Ｂ₄Ｃ，ＺｒＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃等の薄膜が好ましい。The underlayer is made of Nip, Cr, Mo, Cr.
Ti thin film, and these, V, SiO ₂ , Al, T
A multilayer film with a thin film of i, Nb, Ta, Zr, Hf or the like is preferable, and the magnetic film is CoCrPr, CoCrT.
a, CoNiCr, CoNiPt, CoSm, CoNiP
tSiO, FeSiO 2 and the like are preferable. The protective layer is B,
Thin films of C, B ₄ C, ZrO ₂ , Al ₂ O ₃ etc. are preferred.

【００３４】本発明の磁気記憶装置は、（３）のカオス
薄膜磁気記録媒体と、磁気抵抗効果を用いた磁気ヘッド
とを備えてなることを特徴とする。The magnetic storage device of the present invention is characterized by comprising (3) the chaotic thin film magnetic recording medium and a magnetic head utilizing the magnetoresistive effect.

【００３５】本発明のカオス成膜方法および装置では、
カオス状態すなわち、カオス位相角を制御しながら膜を
成長させることで結晶学的微細で均一な方位を有する膜
構造ができ、しかも配向性も自由に制御できるので、Ｓ
／Ｎ，浮上性，書きにじみ特性に優れた媒体が形成でき
る。さらに成膜時に超音波振動を与えることにより基材
の表面に波動を励起でき、その波動は、基材の表面付近
に飛来してきたカオス制御をうけた薄膜構成微粒子に影
響を及ぼし、その結果、堆積したカオス制御された薄膜
構成微粒子（結晶粒）は、より微細化・均一化すると共
にその配向性と分散性また方位も良好となり、より一層
の低ノイズ化および高密度化に適した膜構造が得られ
る。In the chaotic film forming method and apparatus of the present invention,
A chaotic state, that is, a film structure having a crystallographically fine and uniform orientation can be formed by growing the film while controlling the chaotic phase angle, and the orientation can be freely controlled.
It is possible to form a medium excellent in / N, floating property, and writing bleeding property. Furthermore, by applying ultrasonic vibration during film formation, it is possible to excite waves on the surface of the base material, and the waves affect the chaotically controlled thin film constituent fine particles that have come near the surface of the base material. The deposited chaotic-controlled thin-film constituent fine particles (crystal grains) become finer and more uniform, and their orientation, dispersibility, and orientation become better, and the film structure is suitable for further noise reduction and high density. Is obtained.

【００３６】超音波振動を与えずに通常の蒸着法，スパ
ッタ法やＥＣＲスパッタ法により成膜する場合には、基
材表面の粗さの分布や斜め入射する薄膜の構成微粒子の
成長等に起因して、特に基材表面の粗さが小さい（平滑
な）場合には、形成される薄膜の結晶粒は均一になら
ず、その配向性も良好ではない。しかし、基材に超音波
振動を与えつつカオス制御することにより、それらによ
る影響を抑制することが可能となる。When a film is formed by a normal vapor deposition method, a sputtering method or an ECR sputtering method without applying ultrasonic vibration, it is caused by the distribution of the roughness of the surface of the substrate and the growth of the fine particles constituting the thin film obliquely incident. Then, especially when the surface roughness of the substrate is small (smooth), the crystal grains of the thin film to be formed are not uniform and their orientation is not good. However, by controlling the chaos while applying ultrasonic vibration to the base material, it is possible to suppress the influence thereof.

【００３７】この発明のカオス薄膜磁気記録媒体の製造
方法および装置では、基材で与えられる超音波振動によ
り、磁性薄膜のカオス制御された構成微粒子（結晶粒）
は微細化・均一化すると共にその配向性と分散性，方位
も良好となる。したがって、均一な磁気異方性が得ら
れ、かつ、低ノイズ化に適したカオス制御の膜構造とな
る。In the method and apparatus for manufacturing the chaotic thin film magnetic recording medium of the present invention, the chaos-controlled fine particles (crystal grains) of the magnetic thin film are controlled by the ultrasonic vibration applied by the base material.
Becomes finer and more uniform, and its orientation, dispersibility, and orientation become better. Therefore, a uniform magnetic anisotropy is obtained, and a chaos-controlled film structure suitable for reducing noise is obtained.

【００３８】本発明のカオス薄膜磁気記録媒体では、前
記基材の成膜面の中心線平均粗さが２.５ｎｍ 以下であ
り、前記磁性薄膜の磁気ヘッドの移動方向に沿った磁気
特性のばらつきが７％以下であり、さらに移動方向に垂
直な方向の特性分布がサブミクロン領域でも全くなく、
高トラック密度での記録再生も可能で、１Ｇｂ／in²か
ら１０Ｇｂ／in² の高密度記録が可能である。In the chaotic thin film magnetic recording medium of the present invention, the center line average roughness of the film forming surface of the substrate is 2.5 nm or less, and the magnetic characteristics of the magnetic thin film vary along the moving direction of the magnetic head. Is 7% or less, and there is no characteristic distribution in the direction perpendicular to the moving direction even in the submicron region,
Recording and reproduction at high track density is also possible, and high density recording of 1 Gb / in ² to 10 Gb / in ² is possible.

【００３９】この薄膜磁気記録媒体を高密度な磁気抵抗
効果を用いた磁気ヘッドと組み合わせれば、１Ｇｂ／in
²から１０Ｇｂ／in²の高密度記録が可能な磁気記憶装置
が提供される。If this thin film magnetic recording medium is combined with a magnetic head using a high density magnetoresistive effect, 1 Gb / in
A magnetic storage device capable of high density recording of ² to 10 Gb / in ² is provided.

【００４０】[0040]

【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施例のカオス
・システムのブロック図であり、成膜装置５０２をカオ
ス処理（位相角）制御系５０１によって動作させること
を特徴とするカオス成膜装置５００である。入力側５０
３から種々の基板をカオス成膜装置内に搬入し、成膜
後、出力側５０４にカオス成膜媒体５０５を搬出するも
のである。1 is a block diagram of a chaos system according to an embodiment of the present invention, in which a film forming apparatus 502 is operated by a chaos processing (phase angle) control system 501. The membrane device 500. Input side 50
Various substrates from No. 3 are carried into the chaotic film forming apparatus, and after the film formation, the chaotic film forming medium 505 is carried out to the output side 504.

【００４１】図２にカオス成膜装置をカオス処理制御に
よって有効に駆動させるための電子計算機（マイクロコ
ンピュータ；以下ＭＣ）２１１を用いたシステムの構成
例を示す。これは、前述したような数理・決定論的カオ
スを有効化するための、カオス発生プログラム２１５で
動作するＭＣ２１１及び特に、カオス位相角制御プログ
ラム２１５により制御されるディジタル信号のアナログ
変換器(Ｄ／Ａ)２１２、さらに、時間的に変化する成膜
条件を得るための、高速処理システム２１３から成るカ
オス発生機２００と、その増幅器２０１，波形結合器２
０２（必要に応じて）、カオス成膜装置５００より成
る。FIG. 2 shows a configuration example of a system using an electronic computer (microcomputer: MC hereinafter) 211 for effectively driving a chaotic film forming apparatus by controlling chaotic processing. This is because the MC 211 that operates with the chaos generation program 215 and, in particular, the analog converter (D / D) of the digital signal that is controlled by the chaos phase angle control program 215 for validating the mathematical / deterministic chaos as described above. A) 212, and further, a chaotic generator 200 including a high-speed processing system 213 for obtaining a film forming condition that changes with time, its amplifier 201, and a waveform combiner 2.
02 (if necessary), and a chaotic film forming apparatus 500.

【００４２】また、図３は、この発明のカオス成膜媒体
を得る一般的なプラズマ方式のカオス成膜装置５００の
概略図を示したものである。カオス発生を得るためのプ
ログラムを用いてＭＣ（図示せず）により制御すること
で得られる二つのパターン、および位相角制御したパタ
ーン(図１２，図１３)、すなわち、カオス的無秩序パタ
ーン２２１ｎ（ランダム）及びカオス的秩序パターン２
２２Ｑを得る。それら二つのパターンと位相角制御した
パターン信号は磁性薄膜媒体の目的に応じてｎまたはＱ
のいずれかもしくはこれらの結合パターンとして、カオ
ス発生機より増幅器を経て成膜装置５０２の駆動信号と
して供給される。なお、成膜装置５０２内のＳは基板、
Ｔはターゲットである。FIG. 3 is a schematic diagram of a general plasma type chaotic film forming apparatus 500 for obtaining the chaotic film forming medium of the present invention. Two patterns obtained by controlling by MC (not shown) using a program for obtaining chaos generation, and a phase angle controlled pattern (FIGS. 12 and 13), that is, chaotic disordered pattern 221n (random ) And chaotic ordering pattern 2
Get 22Q. Depending on the purpose of the magnetic thin film medium, the two patterns and the phase angle controlled pattern signal may be n or Q.
Or a combination pattern thereof is supplied as a drive signal for the film forming apparatus 502 from a chaos generator through an amplifier. In addition, S in the film forming apparatus 502 is a substrate,
T is the target.

【００４３】同様に、成膜装置が蒸着装置１５０である
場合もカオス成膜およびカオス処理が可能であり、図７
はその様子の概略図である。すなわち、図７(ａ)はカオ
ス波形およびカオス位相角制御波形を直接カオス発生機
２００より増幅器２０１で増幅し、抵抗加熱，電子線加
熱等による蒸発源ｖに印加させて基板Ｓに成膜させるも
のである。また、図７(ｂ)は重畳方式で、通常の交流ま
たは直流（１５５）波形にカオス発生機２００より得る
カオス波形を重畳させるための結合器２０２を有し、重
畳された波形を蒸発源ｖに印加させて基板Ｓにカオス成
膜およびカオス処理させるものである。Similarly, even when the film forming apparatus is the vapor deposition apparatus 150, chaotic film formation and chaotic processing are possible.
Is a schematic diagram of the situation. That is, in FIG. 7A, the chaotic waveform and the chaotic phase angle control waveform are directly amplified by the amplifier 201 from the chaos generator 200 and applied to the evaporation source v by resistance heating, electron beam heating or the like to form a film on the substrate S. It is a thing. Further, FIG. 7B is a superposition method, which has a coupler 202 for superimposing a chaotic waveform obtained from the chaos generator 200 on a normal AC or DC (155) waveform, and the superposed waveform is used as the evaporation source v. Is applied to the substrate S to cause chaotic film formation and chaotic treatment.

【００４４】ここで、この発明に用いた通常のカオス回
路を図８に示す。図８のカオス回路図で、Ｌ７５０はイ
ンダクタンス、Ｃ₁７２１，Ｃ₂７２２はコンデンサ、Ｒ
708は可変抵抗、Ｒ₁７０１〜Ｒ₇７０７は抵抗、Ｇ＝１
／Ｒはコンダクタンスを示したものである。なお、７７
０はＯＰアンプで、７００は電源である。Here, FIG. 8 shows a normal chaotic circuit used in the present invention. In the chaos circuit diagram of FIG. 8, L750 is an inductance, C ₁ 721, C ₂ 722 are capacitors, and R is
708 is a variable resistor, R ₁ 701 to R ₇ 707 are resistors, and G = 1.
/ R indicates conductance. 77
0 is an OP amplifier, and 700 is a power supply.

【００４５】この回路の微分方程式は数１で与えられ
る。The differential equation of this circuit is given by equation 1.

【００４６】[0046]

【数１】 (Equation 1)

【００４７】式を変換ｇ（ｖ_C1）し、この微分方程式を
ルンゲ・クッタ法（Runge−KuttaMethod）で数値解法
（詳しくは電気工学ハンドブック，電気学会編，１９８
８−昭和６３年を参照）をする。なお、式の変換ｇ（ｖ
_C1）に関してはカオス，カオス理論の基礎と応用，サイ
エンス社，１９９１年１０月２５日第３刷発行に示され
ている。The equation is transformed g (v _C1 ) and the differential equation is numerically solved by the Runge-Kutta Method (for details, Handbook of Electrical Engineering, edited by The Institute of Electrical Engineers, 198).
8-See 1988). In addition, the conversion g (v
_C1 ) is described in Chaos, Fundamentals and Applications of Chaos Theory, Science Co., Ltd., October 25, 1991, third edition.

【００４８】すなわち、数２と、数１におけるＣ₁，
Ｃ₂，Ｌ，Ｇの回路定数(パラメータ値)さらにｖ_C1，ｖ
_C2，ｉ_L の適当な初期値を入力すれば良い。That is, the equation 2 and C ₁ in the equation ₁
Circuit constants (parameter values) of C ₂ , L, G, and v _C1 , v
_It suffices to input appropriate initial values for _C2 and i _L.

【００４９】[0049]

【数２】 (Equation 2)

【００５０】これらのパラメータ，初期値を入力して得
られた結果のカオス位相角制御発生プログラムを表１，
表２に示す。Table 1 shows a chaotic phase angle control generation program obtained as a result of inputting these parameters and initial values.
It is shown in Table 2.

【００５１】[0051]

【表１】 [Table 1]

【００５２】[0052]

【表２】 [Table 2]

【００５３】なお、図９は、この発明のカオス波形を理
解するための最も単純で一般的なカオス回路の振る舞い
を表わしたものである。FIG. 9 shows the behavior of the simplest general chaotic circuit for understanding the chaotic waveform of the present invention.

【００５４】この発明の実施例に用いた表１，表２のカ
オス発生プログラムにしたがって得られたカオス波形の
例を図１０に示す。この図１０の（ａ)〜(ｅ）は無秩序
ｎ（ランダム）、図１０（ｆ)〜(ｊ）は秩序Ｑの例であ
る。ここで、図の（ａ）から（ｅ）と（ｆ）から（ｊ）
において、（ｅ）と（ｊ）はそれぞれ時間的なカオス波
形の極限値を示すもので、極限値におけるパターンから
カオス成膜のパターンとしてｎ性のものとＱ性のものと
して表示したものである。FIG. 10 shows an example of chaotic waveforms obtained according to the chaos generating programs of Tables 1 and 2 used in the embodiment of the present invention. 10A to 10E are examples of disordered n (random), and FIGS. 10F to 10J are examples of disordered Q. Here, (a) to (e) and (f) to (j) in the figure
In FIG. 2, (e) and (j) respectively show the limit values of the temporal chaotic waveform, which are displayed as n-type and Q-type patterns of chaotic film formation from the patterns at the limit values. .

【００５５】特に、位相角（θ）制御用の概念図を図１
１（ａ)，(ｂ）に示す。図１１(ａ)ではＸ，Ｙの座標変
換として得られるピッチ（位相角（θ）幅；点Ｐ₁から
Ｐ₁′へのズレ）が結晶学的方位成長と深い関係があ
る。よって、成膜および処理の目的から図１１（ｂ）に
示すように種々の変換場として与えて成膜および処理を
行う。なお、図１２，図１３は実験に用いた実施例のカ
オス・位相角パターン(Ｐ₂，Ｐ₂′),（Ｐ₃，Ｐ₃′，
Ｐ₃′′，Ｐ₃′′′）の一例である。In particular, FIG. 1 is a conceptual diagram for controlling the phase angle (θ).
1 (a) and (b). In FIG. 11A, the pitch (phase angle (θ) width; deviation from the point P ₁ to P ₁ ′) obtained as the X, Y coordinate conversion has a deep relationship with the crystallographic orientation growth. Therefore, for the purpose of film formation and processing, as shown in FIG. 11B, various conversion fields are given to perform film formation and processing. 12 and 13, the chaos / phase angle patterns (P ₂ , P ₂ ′), (P ₃ , P ₃ ′,
P ₃ '', P ₃ ', which is an example of a'').

【００５６】これらの手法で得られたカオス成膜媒体の
模式的構造の例を図４に示す。すなわち、図４（ａ）は
非磁性基板Ｓにカオス的無秩序層３０１の磁性薄膜が形
成されたものである。図４（ｂ）はカオス的秩序層３０
２の磁性薄膜が形成されたものである。さらにはこれら
を多層膜とすることにより、図４（ｃ），図４（ｄ）の
構造が得られる。これらの成膜は一般的に用いられるデ
ィスク記憶装置のカオス磁性膜形成法に図１に記載の手
法を適用することで容易に成し得る。An example of the schematic structure of the chaotic film-forming medium obtained by these methods is shown in FIG. That is, in FIG. 4A, the magnetic thin film of the chaotic disordered layer 301 is formed on the non-magnetic substrate S. FIG. 4B shows a chaotic ordered layer 30.
No. 2 magnetic thin film is formed. Further, by forming them into a multilayer film, the structure shown in FIGS. 4C and 4D can be obtained. These films can be easily formed by applying the method shown in FIG. 1 to the chaotic magnetic film forming method of a commonly used disk storage device.

【００５７】より望ましい高密度用カオス磁性薄膜媒体
として、ヘッドからの高周波記録に対し、形成される磁
性薄膜記録磁化状態の劣化をきたす渦電流損を極小化す
るために中間層または表面に導電層３０３を設けたもの
を図５に示す。この図５(ａ)，（ｂ）,（ｃ）,（ｄ）は
図４（ａ）,（ｂ）,（ｃ）,（ｄ)の中間層または表面に
導電層３０３を設けたものであり、電磁気的な高周波特
性，出力の向上，ノイズの減少等を極めてすぐれたカオ
ス成膜媒体の構造を示したものである。As a more desirable chaotic magnetic thin film medium for high density, in order to minimize the eddy current loss that causes deterioration of the magnetization state of the formed magnetic thin film recording upon high frequency recording from the head, a conductive layer is formed on the intermediate layer or surface. A device provided with 303 is shown in FIG. 5 (a), 5 (b), 5 (c) and 5 (d) are obtained by providing a conductive layer 303 on the intermediate layer or surface of FIGS. 4 (a), 4 (b), 4 (c) and 4 (d). It shows the structure of a chaotic film forming medium which is extremely excellent in electromagnetic high frequency characteristics, output improvement, noise reduction and the like.

【００５８】なお、図６は従来の成膜方法と基板のテク
スチャの様子を示した図である。図６（ａ）はＡｒガス
圧と基板のバイアス電圧との関係を制御することで得ら
れる金属薄膜の結晶成長の様子を示したもので、Ａｒガ
ス圧の低い場合に、高バイアス化にするほどより柱状組
織が得られることを示す形態図（プラズマ条件による薄
膜形成の結晶配向性およびモルフォロジー；第３回粒子
線の先端的応用技術に関するシンポジウム，ＢＥＡＭＳ
−１９９２，平成４年１１月東京）である。FIG. 6 is a diagram showing the conventional film forming method and the texture of the substrate. FIG. 6A shows a state of crystal growth of a metal thin film obtained by controlling the relationship between the Ar gas pressure and the bias voltage of the substrate. When the Ar gas pressure is low, the bias is increased. Figure showing that a more columnar structure can be obtained (Crystal orientation and morphology of thin film formation under plasma conditions; 3rd Symposium on advanced application technology of particle beam, BEAMS
-1992, Tokyo, November 1992).

【００５９】また、これらに用いる基板は平滑性の良い
もの（図６（ｂ））が選ばれるが、ヘッドとディスクと
の吸着を防止すること及び周方向の特性を均一にするこ
とから基板等のテクスチャ処理、図６（ｃ）,（ｅ），
図６（ｄ）,（ｆ）が用いられることが多い。ここで、
（ｃ）,（ｄ）は断面図を示し、（ｅ）,（ｆ）は上面図
を示し、（ｅ）は線状の凹凸状のテクスチャ、（ｆ）は
条痕状のテクスチャを示したものである。A substrate having good smoothness is selected (FIG. 6B) as the substrate used for these, but the substrate and the like are used in order to prevent adsorption between the head and the disk and to make the characteristics in the circumferential direction uniform. Texture processing of FIG. 6 (c), (e),
6 (d) and 6 (f) are often used. here,
(C) and (d) show sectional views, (e) and (f) show top views, (e) shows linear uneven texture, and (f) shows streak-like texture. It is a thing.

【００６０】（第１実施例）図１４は本発明の薄膜磁気
記録媒体の製造装置の第１実施例を示す断面図である。
製造装置１０はスパッタリングもしくはＥＣＲスパッタ
リングにより基板上に磁性薄膜を形成する。(First Embodiment) FIG. 14 is a sectional view showing a first embodiment of the apparatus for manufacturing a thin film magnetic recording medium of the present invention.
The manufacturing apparatus 10 forms a magnetic thin film on a substrate by sputtering or ECR sputtering.

【００６１】真空槽１１の内部には、その上面より回転
可能な支持軸１２が垂直に取り付けてあり、その支持軸
１２の下端に保持体１３が取り付けてある。保持体１３
の下端には、基板Ｓが図のようにして保持される。支持
軸１２は、図示しない駆動装置によって垂直軸の周りに
回転可能である。Inside the vacuum chamber 11, a support shaft 12 which is rotatable from its upper surface is vertically attached, and a holding body 13 is attached to the lower end of the support shaft 12. Holder 13
The substrate S is held at the lower end of the substrate as shown. The support shaft 12 is rotatable about a vertical axis by a driving device (not shown).

【００６２】保持体１３は、下面を開口した円筒体から
構成され、その上面で支持軸１２に接合してある。保持
体１３の内部には、位相可変型の超音波振動子１４が設
けてあり、超音波振動子１４の下位には金属製の表面波
振動子１６が装着してある。表面波振動子１６の下端に
は、固定部材１７が取り外し可能に取り付けてある。振
動効率を上げるため、保持体１３の内部は樹脂により充
填されている。固定部材１７は、表面波振動子１６によ
り与えられる超音波振動を緩和する材料、例えば、テフ
ロンにより形成してある。The holder 13 is composed of a cylindrical body having an open lower surface, and the upper surface thereof is joined to the support shaft 12. A phase variable ultrasonic transducer 14 is provided inside the holding body 13, and a metallic surface wave transducer 16 is mounted below the ultrasonic transducer 14. A fixing member 17 is detachably attached to the lower end of the surface acoustic wave oscillator 16. In order to increase the vibration efficiency, the inside of the holder 13 is filled with resin. The fixing member 17 is formed of a material, such as Teflon, which relaxes the ultrasonic vibration given by the surface wave oscillator 16.

【００６３】超音波振動子１４の駆動は、真空槽１１の
外部に設けた発振器２１により行う。発振器２１により
発生した高周波電流は、摺動ピン２０およびスリップリ
ング１９を介して、支持棒１２の内部を通ってコイル１
５に接続された導線（図示省略）の端部に供給され、そ
の導線を介してコイル１５に供給される。こうして、超
音波振動子１４はその下面より超音波振動を発生する。
コイル１５への電流の供給は、摺動ピン２０およびスリ
ップリング１９を介して行うので、通電中に支持軸１２
が回転してもコイル１５へ通電に支障が生じない。The ultrasonic oscillator 14 is driven by an oscillator 21 provided outside the vacuum chamber 11. The high frequency current generated by the oscillator 21 passes through the inside of the support rod 12 through the sliding pin 20 and the slip ring 19, and then the coil 1
It is supplied to the end of a conductor wire (not shown) connected to 5, and is supplied to the coil 15 via the conductor wire. In this way, the ultrasonic transducer 14 generates ultrasonic vibration from the lower surface thereof.
Electric current is supplied to the coil 15 via the sliding pin 20 and the slip ring 19, so that the support shaft 12 is not energized during energization.
Even if the coil rotates, there is no problem in energizing the coil 15.

【００６４】表面波振動子１６は、超音波振動子１４が
発生する超音波振動により駆動され、その下端より表面
波を発生する。この表面波は、保持している基板Ｓに伝
達され、基板Ｓの表面（ここでは下面）に表面波が発生
する。The surface wave oscillator 16 is driven by the ultrasonic vibration generated by the ultrasonic oscillator 14, and generates a surface wave from the lower end thereof. This surface wave is transmitted to the substrate S which is being held, and a surface wave is generated on the surface (here, the lower surface) of the substrate S.

【００６５】基板Ｓは、その中央の透孔を表面波振動子
１６の下端に係合させ、下方から固定部材１７を表面波
振動子１６に固定することにより水平に保持される。The substrate S is held horizontally by engaging the central through hole with the lower end of the surface acoustic wave oscillator 16 and fixing the fixing member 17 to the surface acoustic wave oscillator 16 from below.

【００６６】表面波振動子１６の下端の基板Ｓと接触す
る部分には、図１５に示すように、３個の突起１６ａが
設けてある。これらの突起１６ａは、表面波振動子１６
の外形の円周に沿って等間隔で配置してある。表面波振
動子１６９が発生した表面波は、これらの突起１６ａを
介して基板Ｓに伝達される。As shown in FIG. 15, three projections 16a are provided at the lower end of the surface acoustic wave oscillator 16 in contact with the substrate S. These protrusions 16a are provided on the surface wave oscillator 16
Are arranged at equal intervals along the circumference of the outline. The surface wave generated by the surface wave oscillator 169 is transmitted to the substrate S via these protrusions 16a.

【００６７】保持体１３の外側には、リング状の電磁石
１８が配置してある。この電磁石１８の位置は可変であ
り、必要に応じて好適な位置に固定される。電磁石１８
により基板Ｓの近傍に磁界を与えることにより、基板Ｓ
上に堆積した磁性薄膜の構成微粒子の磁気異方性を所望
の向きに整列させることができる。A ring-shaped electromagnet 18 is arranged outside the holder 13. The position of the electromagnet 18 is variable and is fixed at a suitable position as needed. Electromagnet 18
By applying a magnetic field in the vicinity of the substrate S by
The magnetic anisotropy of the constituent fine particles of the magnetic thin film deposited on top can be aligned in a desired direction.

【００６８】真空槽１１の内部には、保持体１３の直下
にターゲット電極２２が設けてある。ターゲット電極２
２は、真空槽１１のベースに取り付けた支持部材２３に
よって支持してあり、ターゲット電極２２と支持部材２
３の周囲はシールド２４によって覆ってある。ターゲッ
トＴは、図示しているように、ターゲット電極２２の上
に水平に載置される。Inside the vacuum chamber 11, a target electrode 22 is provided immediately below the holder 13. Target electrode 2
2 is supported by a support member 23 attached to the base of the vacuum chamber 11, and the target electrode 22 and the support member 2
The periphery of 3 is covered by a shield 24. The target T is horizontally mounted on the target electrode 22 as shown in the figure.

【００６９】真空槽１１内の気体を排気する排気系は、
真空槽１１の下位に設けてあり、真空槽１１のベースに
接続された管路に取り付けた弁２５，クライオポンプ２
６，弁２７およびロータリポンプ（ターボポンプでも良
い）２８から構成される。特にターボポンプを用い、配
管も脱ガス化した超クリーン雰囲気とすることが望まし
い。The exhaust system for exhausting the gas in the vacuum chamber 11 is
A valve 25 and a cryopump 2 which are provided below the vacuum chamber 11 and are attached to a pipeline connected to the base of the vacuum chamber 11.
6, a valve 27 and a rotary pump (may be a turbo pump) 28. In particular, it is desirable to use a turbo pump and degasify the piping to create an ultra-clean atmosphere.

【００７０】真空槽１１内に導入されるＨｅ，Ｎｅ，Ａ
ｒ，Ｘｅ，Ｒｎガス等の気体は、真空槽１１の側面上部
に設けた導入口１１ａから導入される。He, Ne, A introduced into the vacuum chamber 11
A gas such as r, Xe, or Rn gas is introduced from an inlet 11a provided on the upper side surface of the vacuum chamber 11.

【００７１】表面波振動子１６は、それに接続された導
線３１および導線３２を介して、また、ターゲット電極
２２は、それに接続された導線３３を介して、直流電源
３４（または交流電源３５）にそれぞれ接続される。表
面波振動子１６とターゲット電極２２の間に、直流電圧
または交流電圧が印加され、その電圧は表面波振動子１
６と接触している基板Ｓにも印加される。The surface wave oscillator 16 is connected to the DC power source 34 (or the AC power source 35) through the conductors 31 and 32 connected thereto, and the target electrode 22 is connected through the conductor 33 connected thereto. Connected respectively. A DC voltage or an AC voltage is applied between the surface wave oscillator 16 and the target electrode 22, and the voltage is applied to the surface wave oscillator 1.
It is also applied to the substrate S which is in contact with 6.

【００７２】表面波振動子１６により発生する表面波の
モードは、大きく分けて同心円型，ランダム型および干
渉型の三つがある。これらモードの違いを図１７ないし
図１９に示す。The modes of the surface wave generated by the surface wave oscillator 16 are roughly classified into three types: concentric type, random type and interference type. The difference between these modes is shown in FIGS.

【００７３】図１７は、基板Ｓ上に同心円型モードの表
面波が表われた状態を示す平面図である。この同心円型
モードの表面波は、図１６の表面波振動子１６により３
個の突起１６ａに印加される超音波振動の周波数，位相
および振幅が等しく、かつ周波数が基板Ｓ（厳密には薄
膜Ｆを含めたもの）の固有の共振周波数に等しい場合に
得られる。１０１は３個の突起１６ａから発生する表面
波（定在波）を示す。例えば、直径５.２５ インチ，長
さ２mmのＡｌ基板の表面にＮｉＰの下地層を設けたもの
を基板とする場合は、約４２ｋＨｚまたはその整数倍の
周波数で振動させるのが好ましい。直径３.５インチ，
厚さ１.２mmの同じＮｉＰ／Ａｌ基板の場合は、約５５
ｋＨｚが好ましい。FIG. 17 is a plan view showing a state in which surface waves of the concentric mode are displayed on the substrate S. This concentric mode surface wave is generated by the surface wave oscillator 16 in FIG.
It is obtained when the frequencies, phases and amplitudes of the ultrasonic vibrations applied to the individual protrusions 16a are equal and the frequencies are equal to the natural resonance frequency of the substrate S (strictly including the thin film F). Reference numeral 101 denotes a surface wave (standing wave) generated from the three protrusions 16a. For example, when an Ni substrate having a NiP underlayer provided on the surface of an Al substrate having a diameter of 5.25 inches and a length of 2 mm is used as the substrate, it is preferable to vibrate at a frequency of about 42 kHz or an integral multiple thereof. 3.5 inch diameter,
For the same NiP / Al substrate with a thickness of 1.2 mm, about 55
kHz is preferred.

【００７４】図１８は、基板Ｓ上にランダム型モードの
表面波が表われた状態を示す平面図で、１０２は３個の
突起１６ａから発生する表面波を示す。ランダム型モー
ドの表面波は、３個の突起１６ａのうち少なくとも１個
に印加される超音波振動の位置が他の二つのそれと異な
った場合に得られる。FIG. 18 is a plan view showing a state in which a surface acoustic wave of a random type mode is shown on the substrate S, and 102 is a surface acoustic wave generated from the three protrusions 16a. Random mode surface waves are obtained when the position of ultrasonic vibration applied to at least one of the three protrusions 16a is different from that of the other two.

【００７５】図１９は、基板Ｓ上に干渉型モードの表面
波が表われた状態を示す説明図で、１０４は３個の突起
１６ａから発生する表面波、１０５はそれら表面波が干
渉し合って得られた干渉型モードの表面波を示す。干渉
型モードの表面波は、３個の突起１６ａからの表面波伝
達のバランスをくずした場合に得られる。例えば、３個
の突起１６ａが基板Ｓに与える圧力が異なる場合であ
る。なお、図１９（ｂ）の表面波振動子１６の構成は、
図３のそれとは異なり、表面波振動子１６の端面に形成
した凹部に固定部材１７を係合させて基板Ｓを保持する
ようにしている。FIG. 19 is an explanatory diagram showing a state in which surface waves in the interference mode are displayed on the substrate S. 104 is a surface wave generated from the three protrusions 16a, and 105 is a surface wave which interferes with each other. The surface wave of the interference mode obtained by the above is shown. The surface wave in the interference mode is obtained when the balance of the surface wave transmission from the three protrusions 16a is broken. For example, this is a case where the pressures applied to the substrate S by the three protrusions 16a are different. The configuration of the surface acoustic wave oscillator 16 in FIG.
Unlike that in FIG. 3, the fixing member 17 is engaged with the recess formed in the end surface of the surface acoustic wave oscillator 16 to hold the substrate S.

【００７６】図２０（ａ）は、図１９と同様の干渉型モ
ードの表面波が表われた状態を示す平面図である。図２
０では、突起１６ａが８個設けてある点が図１９と異な
る。８個の突起１６ａは、表面波振動子１６の外縁周に
沿って等間隔で配置してある。この場合は、８点干渉型
モードの表面波が得られる。FIG. 20A is a plan view showing a state in which a surface wave in the interference mode similar to that in FIG. 19 is shown. FIG.
0 is different from FIG. 19 in that eight protrusions 16 a are provided. The eight protrusions 16 a are arranged at equal intervals along the outer circumference of the surface acoustic wave oscillator 16. In this case, a surface wave of 8-point interference mode is obtained.

【００７７】突起１６ａの数を変えることにより、種々
の干渉型モードの表面波が得られ、図１９の３点干渉型
モード，図２０の８点干渉型モード以外の他の多点干渉
型モードも有効である。By changing the number of the protrusions 16a, surface waves of various interference type modes can be obtained, and multi-point interference type modes other than the three-point interference type mode of FIG. 19 and the eight-point interference type mode of FIG. Is also effective.

【００７８】表面波振動子１６により発生する表面波の
モードは、これら以外のものでもこの発明の効果は得ら
れるが、三つのモードが好ましい。また、要求される記
録・再生特性の仕様に応じてこれら三つのモードを使い
分けることが望ましい。例えば、高い再生出力が特に要
求される場合には、円周方向の配向性に優れた同心円型
モードが望ましく、特に著しい低ノイズ性が要求される
場合にはランダム型モードが、高い再生出力と低ノイズ
性が平均的に要求される場合には干渉型モードとするこ
とが望ましい。The mode of the surface wave generated by the surface wave oscillator 16 is not limited to these modes, but the effect of the present invention can be obtained, but three modes are preferable. Further, it is desirable to use these three modes properly according to the specifications of the required recording / reproducing characteristics. For example, when a high reproduction output is particularly required, a concentric circular mode having excellent orientation in the circumferential direction is desirable, and when a particularly low noise property is required, the random mode is a high reproduction output. When low noise is required on average, it is desirable to use the interference mode.

【００７９】なお、ここでは、表面波振動子１６は突起
１６ａを設けてあるが、必ずしも突起１６ａを設ける必
要はない。突起が設けられていなくても、表面波振動子
１６のある箇所が結果として突起１６ａと同じ作用をし
ている場合でもよい。Although the surface wave oscillator 16 is provided with the protrusion 16a here, it is not always necessary to provide the protrusion 16a. Even if the protrusion is not provided, it is possible that a certain portion of the surface acoustic wave oscillator 16 has the same function as the protrusion 16a as a result.

【００８０】以上の構成を持つカオス薄膜磁気記録媒体
の製造装置１０は、次のように使用する。The chaotic thin film magnetic recording medium manufacturing apparatus 10 having the above configuration is used as follows.

【００８１】まず、真空槽１１内で、表面波振動子１６
の下端部に基板Ｓの中心孔を係合させ、その下方より固
定部材１７を押し当てて表面波振動子１６の下端部に基
板Ｓを係止する。こうして、基板Ｓは図１４に示すよう
にして保持される。他方、電極２２上の所定のターゲッ
トＴを載置する。First, in the vacuum chamber 11, the surface wave oscillator 16
The center hole of the substrate S is engaged with the lower end of the substrate S, and the fixing member 17 is pressed from below to lock the substrate S with the lower end of the surface acoustic wave oscillator 16. Thus, the substrate S is held as shown in FIG. On the other hand, a predetermined target T on the electrode 22 is placed.

【００８２】次に、排気系を作動させて真空槽１１内の
空気を排気し、所定の真空度に設定する。そして、導入
口１１ａより真空槽１１内に例えばＡｒガスを導入した
後、基板Ｓと電極２２の間に直流または高周波電圧を印
加する。このとき、高周波電圧には、位相制御を有する
カオス発生機２００及び結合器２０２により生成される
カオス波形が重畳される。ターゲットＴは放電により生
成するＡｒ+ イオンによりスパッタされ、カオス位相制
御によるアニーリング効果を伴って基板Ｓの下面にター
ゲットＴと同じ物質からなる結晶学的偏位すなわちカオ
ス・テクスチャを有した薄膜Ｆが形成される。Next, the exhaust system is operated to exhaust the air in the vacuum chamber 11 to set a predetermined degree of vacuum. Then, for example, Ar gas is introduced into the vacuum chamber 11 through the introduction port 11a, and then a direct current or a high frequency voltage is applied between the substrate S and the electrode 22. At this time, the chaos waveform generated by the chaos generator 200 having phase control and the coupler 202 is superimposed on the high frequency voltage. The target T is sputtered by Ar + ions generated by electric discharge, and a thin film F having a crystallographic deviation, that is, a chaotic texture made of the same material as the target T is formed on the lower surface of the substrate S with an annealing effect by chaotic phase control. It is formed.

【００８３】ターゲットＴを材質の異なるものに適宜交
換して同様にスパッタリングを行えば、基板Ｓ上に磁性
層，下地層，保護層などの各層を任意に形成することが
できる。By appropriately replacing the target T with a different material and performing the sputtering in the same manner, each layer such as a magnetic layer, an underlayer and a protective layer can be arbitrarily formed on the substrate S.

【００８４】薄膜Ｆを形成する際には、支持軸１２を介
して基板Ｓを低速で回転させるのが好ましい。こうする
ことにより、薄膜Ｆの膜厚が均一となり、また構成微粒
子の配向性および分散性および結晶性が一層良好とな
る。また、その際に電磁石１８により磁界を作用させる
のが好ましい。基板Ｓ上の磁性微粒子の磁気異方性の向
きを望ましい方向に整列させることが可能となる。When forming the thin film F, it is preferable to rotate the substrate S at a low speed via the support shaft 12. By doing so, the film thickness of the thin film F becomes uniform, and the orientation, dispersibility and crystallinity of the constituent fine particles are further improved. At that time, it is preferable that a magnetic field is applied by the electromagnet 18. The direction of magnetic anisotropy of the magnetic fine particles on the substrate S can be aligned in a desired direction.

【００８５】なお、生産性を上げるため、真空槽１１の
内部の適当な位置に磁石を配置していわゆるマグネトロ
ン型としてもよい。In order to increase productivity, a magnet may be arranged at an appropriate position inside the vacuum chamber 11 to form a so-called magnetron type.

【００８６】（第２実施例）図１５は、この発明のカオ
ス薄膜磁気記録媒体の製造装置の第２実施例を示す。図
１５の製造装置１０ａでは、真空槽１１の内部において
保持体１３が傾斜して設けてある点が図１１の製造装置
１０と異なっており、その他の構成はほぼ同じである。
両製造装置１０，１０ａの対応する要素には、それぞれ
対応する符号が付してある。(Second Embodiment) FIG. 15 shows a second embodiment of the apparatus for manufacturing a chaotic thin film magnetic recording medium of the present invention. The manufacturing apparatus 10a of FIG. 15 is different from the manufacturing apparatus 10 of FIG. 11 in that the holder 13 is provided inside the vacuum chamber 11 in an inclined manner, and other configurations are almost the same.
Corresponding numerals are assigned to the corresponding elements of both manufacturing apparatuses 10 and 10a.

【００８７】支持軸１２ａは、真空槽１１の側面に水平
に取り付けてあり、その内端に保持体１３が傾斜して取
り付けてある。支持軸１２ａは、真空槽１１の外部に設
けた駆動装置により回転可能である。支持軸１２ａを回
転させると、保持体１３は図に示す傾斜角度を保ったま
まで、その中心軸の周りに回転する。したがって、保持
体１３に保持された基板Ｓも同様に、傾斜したままで回
転する。The support shaft 12a is horizontally attached to the side surface of the vacuum chamber 11, and the holder 13 is attached to the inner end of the support shaft 12 in an inclined manner. The support shaft 12a can be rotated by a drive device provided outside the vacuum chamber 11. When the support shaft 12a is rotated, the holding body 13 rotates around its central axis while maintaining the inclination angle shown in the figure. Therefore, the substrate S held by the holder 13 also rotates while being inclined.

【００８８】真空槽１１の上面には、導線３６を介して
発振器２１に接続された端子３０が設けてあり、保持体
１３の内部の超音波振動子１４は、導線２９を介してこ
の端子３０に接続してある。コイル１５は導線２９に接
続してあるので、コイル１５には、導線３６，端子３０
および導線２９を介して発振器２１により高周波駆動電
流が供給され、これによって超音波振動子１４は超音波
を発生する。A terminal 30 connected to the oscillator 21 via a conductor 36 is provided on the upper surface of the vacuum chamber 11, and the ultrasonic transducer 14 inside the holder 13 is connected to the terminal 30 via a conductor 29. Connected to. Since the coil 15 is connected to the conductor wire 29, the coil 15 has a conductor wire 36 and a terminal 30.
A high-frequency drive current is supplied from the oscillator 21 via the conductor 29 and the conductor 29, whereby the ultrasonic transducer 14 generates ultrasonic waves.

【００８９】以上の構成を持つカオス薄膜磁気記録媒体
の製造装置１０ａの使用方法は、図１４の製造装置１０
と同じである。The method of using the chaotic thin film magnetic recording medium manufacturing apparatus 10a having the above-described structure is as follows.
Is the same as

【００９０】装置１０ａによれば、ターゲットＴからス
パッタされた微粒子は基板Ｓに斜めに入射する。そのた
め、図１４の装置１０に比べて、超音波振動とカオス波
形およびカオス位相波形による効果が一層向上する利点
が得られる。According to the apparatus 10a, the fine particles sputtered from the target T are obliquely incident on the substrate S. Therefore, compared with the device 10 of FIG. 14, there is an advantage that the effect of ultrasonic vibration, chaotic waveform, and chaotic phase waveform is further improved.

【００９１】ＦｅＣｏＮｉＣｒや上述したコバルト基合
金等の強磁性金属薄膜を記録層とする磁気記録媒体にお
いて、配向性が高く磁気特性の優れたものを得るには、
スパッタされた強磁性金属原子の入射方向を基板Ｓに対
して斜めにするとよい。装置１０ａは、このことを考慮
したものである。すなわち、基板Ｓの傾斜と表面波との
相乗効果、さらにカオス波形およびカオス位相波形によ
り、連続薄膜媒体がより高配向化，高密度化（微粒子の
緻密化および結晶化の向上），高Ｓ／Ｎ化（微粒子の均
一な配向性）、さらには高信頼化（カオス・テクスチ
ャ）が期待できる。In order to obtain a magnetic recording medium having a ferromagnetic metal thin film such as FeCoNiCr or the above-mentioned cobalt-based alloy as a recording layer, having high orientation and excellent magnetic characteristics,
The incident direction of the sputtered ferromagnetic metal atoms may be inclined with respect to the substrate S. The device 10a takes this into consideration. That is, due to the synergistic effect of the inclination of the substrate S and the surface wave, and further due to the chaotic waveform and the chaotic phase waveform, the continuous thin film medium has a higher orientation, a higher density (fine particles are finer and crystallization is improved), and a high S / N conversion (uniform orientation of fine particles) and high reliability (chaos / texture) can be expected.

【００９２】図１５に破線で示すように、スパッタされ
た微粒子が基板Ｓに到達するのを抑制するための、マス
クＰを設けてもよいし、生産性を上げるため、磁石Ｍを
真空槽１１の内側面に沿って配置していわゆるマグネト
ロン型としてもよい。As shown by a broken line in FIG. 15, a mask P may be provided to prevent the sputtered particles from reaching the substrate S, or the magnet M may be provided in the vacuum chamber 11 to improve productivity. It may be arranged along the inner surface of the so-called magnetron type.

【００９３】（第３実施例）本発明の磁気記録媒体の第
３実施例を図２１に示す。この発明のカオス磁気記録媒
体５０は、基板Ｓの上に非磁性の下地層５１と、磁性層
５２と、非磁性の保護層５３と、潤滑剤層５４とを順に
積層して構成されている。ここでは、基板Ｓは、表面に
ＮｉＰをメッキした直径２.５ インチのＡｌ基板（表面
粗さＲａ：２.３ｎｍ)、下地層５１はＣｒ膜（厚さ５０
ｎｍ）、磁性層５２はＣｏＣｒＰｔ膜（厚さ４０ｎ
ｍ）、保護層５３はＣ膜（厚さ２２ｎｍ）、潤滑剤層５
４は吸着性の極性基を有するパーフルオロアルキルポリ
エーテル膜（厚さ３.５ｎｍ ）である。(Third Embodiment) FIG. 21 shows a third embodiment of the magnetic recording medium of the present invention. The chaotic magnetic recording medium 50 of the present invention is configured by laminating a nonmagnetic underlayer 51, a magnetic layer 52, a nonmagnetic protective layer 53, and a lubricant layer 54 in this order on a substrate S. . Here, the substrate S is a 2.5 inch diameter Al substrate (surface roughness Ra: 2.3 nm) having a surface plated with NiP, and the underlayer 51 is a Cr film (thickness: 50).
nm) and the magnetic layer 52 is a CoCrPt film (thickness: 40 n
m), the protective layer 53 is a C film (thickness: 22 nm), the lubricant layer 5
4 is a perfluoroalkyl polyether film (thickness: 3.5 nm) having an adsorptive polar group.

【００９４】カオス磁気記録媒体５０は、表面粗さＲａ
が２.３ｎｍ の極めて平滑な基板Ｓ上に形成しているに
もかかわらず、下地層５１，磁性層５２および保護層５
３の構成微粒子がいずれも結晶学的に非常に均一であ
り、配向性，方位性も優れている。また、円周方向、す
なわち、磁気ヘッドの移動方向に沿った磁気特性のばら
つきも７％以下である。カオス磁気記録媒体５０は、上
述したカオス製造装置１０を用いて、基板Ｓに超音波振
動とカオス波形およびカオス位相制御波形とを与えなが
ら各層５１，５２，５３のターゲットＴを順にスパッタ
リングすることにより容易に製造することができる。The chaotic magnetic recording medium 50 has a surface roughness Ra.
Is formed on the extremely smooth substrate S having a thickness of 2.3 nm, the underlayer 51, the magnetic layer 52 and the protective layer 5 are formed.
All the constituent fine particles of No. 3 are crystallographically very uniform, and the orientation and orientation are excellent. Further, variation in magnetic characteristics along the circumferential direction, that is, along the moving direction of the magnetic head is 7% or less. The chaotic magnetic recording medium 50 is formed by sequentially sputtering the targets T of the layers 51, 52, 53 while applying ultrasonic vibrations, a chaotic waveform, and a chaotic phase control waveform to the substrate S by using the above-described chaotic manufacturing apparatus 10. It can be easily manufactured.

【００９５】カオス磁気記録媒体５０の具体的製造方法
を以下に示す。まず、固定部材１７にＡｌ基板Ｓを係合
させた後、固定部材１７を表面波振動子１６の下端に係
止して、基板Ｓを保持体１３によって保持した。他方、
真空槽１１内に下地層５１用のＣｒターゲット，磁性層
５２用のＣｏＣｒＰｔＴａターゲット，保護層５３用の
Ｃターゲットを設置した。A specific method for manufacturing the chaotic magnetic recording medium 50 will be described below. First, after the Al substrate S was engaged with the fixing member 17, the fixing member 17 was locked to the lower end of the surface acoustic wave oscillator 16 and the substrate S was held by the holding body 13. On the other hand,
A Cr target for the underlayer 51, a CoCrPtTa target for the magnetic layer 52, and a C target for the protective layer 53 were set in the vacuum chamber 11.

【００９６】次に、排気系を作動させて真空層１１内の
気体を排気し、所定の真空度（10^-6〜１０^-10Torr)に設
定した後、導入口１１ａからＡｒガスをガス圧３ｍTorr
となるように導入した。その後、基板ＳとターゲットＴ
の間に直流電圧を印加し、発振器２１により超音波振動
子１４を作動させて基板Ｓの下面に表面波を発生させな
がら、ＤＣマグネトロン・スパッタリング法によりＣｒ
下地層，ＣｏＣｒＰｔ磁性層，Ｃ保護層を順に基板Ｓの
下面に形成した。入射電力密度は１５Ｗ／cm²に１〜５
Ｗのカオス波形，カオス位相制御波形（位相制御プログ
ラム表１，表２から得る）図１１，図１２，図１３を重
畳し、成膜時の基板Ｓの温度は１５０℃とした。なお、
成膜する前に、基板Ｓに超音波振動を与えてその成膜面
を清浄化した。また、基板に成膜するときはカオス的無
秩序の波形を、磁性層を得る時はカオス的秩序の波形を
用いた。Next, the gas in the vacuum layer 11 is exhausted by operating the exhaust system to set a predetermined degree of vacuum (10 ⁻⁶ to 10 ⁻¹⁰ Torr), and then Ar gas is introduced through the inlet 11 a to a gas pressure. 3mTorr
Was introduced so that After that, the substrate S and the target T
A DC voltage is applied between the two, and the oscillator 21 operates the ultrasonic vibrator 14 to generate a surface wave on the lower surface of the substrate S, while using a DC magnetron sputtering method to produce Cr.
An underlayer, a CoCrPt magnetic layer, and a C protective layer were sequentially formed on the lower surface of the substrate S. Incident power density is 1 to 5 at 15 W / cm ² .
W chaotic waveform, chaotic phase control waveform (obtained from phase control program Tables 1 and 2) FIGS. 11, 12 and 13 are superimposed, and the temperature of the substrate S during film formation is 150 ° C. In addition,
Before film formation, ultrasonic vibration was applied to the substrate S to clean the film formation surface. In addition, a chaotic disordered waveform was used when forming a film on a substrate, and a chaotically ordered waveform was used when a magnetic layer was obtained.

【００９７】次に、成膜された基板Ｓを真空槽１１から
取り出し、吸着性の極性基を有するパーフルオロアルキ
ルポリエーテルを付着させて、保護層５３の表面に潤滑
剤層５４を形成した。Next, the film-formed substrate S was taken out of the vacuum chamber 11, and perfluoroalkyl polyether having an adsorptive polar group was attached to form a lubricant layer 54 on the surface of the protective layer 53.

【００９８】基板Ｓに発生させた表面波のモードは、上
述した三つのモード、すなわち同心円型，ランダム型お
よび３点干渉型とし、これら各モードによって３種の磁
気記録媒体（試料Ａ，Ｂ，Ｃ）を製造した。比較例とし
て、超音波振動にカオス波形を印加しないで同様にして
磁気記録体（試料Ｘ）を製造した。なお、カオス・位相
角制御波形のみを印加した場合を試料φとして表示し
た。The modes of the surface wave generated on the substrate S are the above-mentioned three modes, that is, the concentric type, the random type and the three-point interference type, and three types of magnetic recording media (samples A, B, and C) was produced. As a comparative example, a magnetic recording medium (Sample X) was manufactured in the same manner without applying a chaotic waveform to ultrasonic vibration. In addition, the case where only the chaos / phase angle control waveform is applied is shown as the sample φ.

【００９９】次に、こうして製造した磁気記録媒体（試
料φ，Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｘ）を磁気ヘッドと組み合わせ、記
録・再生特性を測定した。磁気ヘッドとしては、記録部
にギャップ長０.１５μｍ ，トラック幅１μｍの薄膜ヘ
ッドを、再生部にパーマロイ系巨大磁気抵抗効果素子を
用いた記録再分離型磁気ヘッドを用いた。磁気ヘッドの
浮上量は０.０４μｍ 、記録密度は５Ｇｂ／in² の条件
で行った。その結果を表３に示す。Next, the magnetic recording medium (samples φ, A, B, C, and X) thus manufactured was combined with a magnetic head, and the recording / reproducing characteristics were measured. As the magnetic head, a thin film head having a gap length of 0.15 .mu.m and a track width of 1 .mu.m was used for the recording portion, and a recording / re-separation type magnetic head using a permalloy giant magnetoresistive element was used for the reproducing portion. The flying height of the magnetic head was 0.04 μm, and the recording density was 5 Gb / in ² . Table 3 shows the results.

【０１００】[0100]

【表３】 [Table 3]

【０１０１】この結果から、表面波を励起しないこと以
外は同じ条件とした比較例(試料Ｘ)に比べて、この発明
の実施例（試料φ，Ａ，Ｂ，Ｃ）はいずれもＳ／Ｎが高
く、出力変動も５.２％ 以下と小さいことが分かる。し
かも、実効Ｓ／Ｎは４以上であり、記録密度５Ｇｂ／in
² で、エラーレートは１０^-9であった。From these results, as compared with the comparative example (sample X) under the same conditions except that the surface wave was not excited, the S / N ratios of the examples of the present invention (samples φ, A, B and C) were all higher. It is clear that the output is high and the output fluctuation is small at less than 5.2%. Moreover, the effective S / N is 4 or more, and the recording density is 5 Gb / in.
^{At 2} , the error rate was 10 ^-9 .

【０１０２】通常の蒸着法，スパッタリング法，ＥＣＲ
スパッタリング法により薄膜を形成すると、基板の面粗
さの分布，基板温度の分布や斜め入射成分の粒子の成長
等により、特に基板の面粗さが小さい場合にはディスク
周方向の磁気特性は大きく変動してしまうが、本方法に
より表面を励起せしめ、かつ、プラズマ中にカオス位相
角制御することで、上記外乱による分布を抑制でき、特
性が均一化されていることが分かる。特に、このカオス
位相角制御とは、カオス・波動エネルギの位相角ピッチ
（位相角ズレの量θ；位相角プログラム）を与えること
で、結晶学的凹凸すなわち方位を有する、カオス・テク
スチャを得る有効なストレスのアニーリング法である。Normal evaporation method, sputtering method, ECR
When a thin film is formed by the sputtering method, the magnetic characteristics in the disk circumferential direction are large especially when the surface roughness of the substrate is small due to the distribution of the surface roughness of the substrate, the distribution of the substrate temperature, and the growth of particles of the obliquely incident component. Although it fluctuates, it can be seen that by exciting the surface by this method and controlling the chaotic phase angle in the plasma, the distribution due to the above-mentioned disturbance can be suppressed and the characteristics are made uniform. In particular, this chaotic phase angle control is effective to obtain a chaotic texture having crystallographic unevenness, that is, azimuth, by giving a phase angle pitch (amount of phase angle deviation θ; phase angle program) of chaos and wave energy. It is a stress annealing method.

【０１０３】よって、本発明のカオス磁気記録媒体は低
ノイズで特性の均一に優れるため、特に再生感度の高い
磁気抵抗効果型ヘッドと組み合わせることで、高密度で
高いＳ／Ｎが実現でき１〜１０Ｇｂ／in² 以上の高密度
磁気ディスク装置が提供できる。Therefore, since the chaotic magnetic recording medium of the present invention has low noise and is excellent in uniformity of characteristics, it is possible to realize high S / N at high density by combining with a magnetoresistive head having particularly high reproducing sensitivity. A high-density magnetic disk device of 10 Gb / in ² or more can be provided.

【０１０４】ここで、保護層５３の平均面粗さＲａが基
板Ｓの値よりも大きくなるようにするのが好ましい。こ
うすると、ＣＳＳ（コンタクト スタート アンド ス
トップ）時の粘着力，接線力の増大が抑制され、信頼性
が格段に改善される利点がある。保護層５３の面粗さを
大きくすると、空気中の水分等が磁気ヘッドと磁気記録
媒体間で凝集し難くなるためである。Here, it is preferable that the average surface roughness Ra of the protective layer 53 be larger than the value of the substrate S. This has the advantage that the adhesive strength and tangential force during CSS (contact start and stop) are suppressed from increasing, and the reliability is significantly improved. This is because if the surface roughness of the protective layer 53 is increased, moisture in the air or the like is less likely to aggregate between the magnetic head and the magnetic recording medium.

【０１０５】保護層５３の表面粗さは、最大突起高さＲ
ｐの値で１５ｎｍ以下、より望ましくは１０ｎｍ以下と
するのが好ましい。この範囲であれば、見かけの磁気ヘ
ッド−媒体間のスペーシングを低減でき、１Ｇｂ／in²
以上の高記録密度化を達成できる。The surface roughness of the protective layer 53 is the maximum protrusion height R.
The value of p is preferably 15 nm or less, more preferably 10 nm or less. Within this range, the apparent spacing between the magnetic head and the medium can be reduced, and 1 Gb / in ²
The higher recording density can be achieved.

【０１０６】（第４実施例）保護層５３を、（ＷＮ
ｂ)₀.₅Ｎ₀.₅(平均膜厚１５ｎｍ）により形成した以外
は、第３実施例と同じ条件でディスク状磁気記録媒体
（試料Ｄ）を製造した。(Fourth Embodiment) The protective layer 53 is formed of (WN
_{b) 0. 5 N 0.} 5 ( except for forming the average film thickness 15 nm) were prepared with a disc-like magnetic recording medium (Sample D) under the same conditions as the third embodiment.

【０１０７】（ＷＮｂ)₀.₅Ｎ₀.₅ の保護層５３を形成す
る際に、基板Ｓに−４００Ｖのバイアス電圧を印加し
た。保護層５３を成膜する際にも表面波（同心円型モー
ド）を励起させたので、主成分ＮｂＮの凸起（高さ６ｎ
ｍ）が成長し、保護層５３の表面の粗さＲｐは１０ｎｍ
であった。[0107] _{(WNb) 0. 5 N 0} . When forming the protective layer 53 of ₅ was applied a bias voltage of -400V to the substrate S. Since the surface wave (concentric mode) was also excited when forming the protective layer 53, the protrusion of the main component NbN (height 6 n
m) grows and the surface roughness Rp of the protective layer 53 is 10 nm.
Met.

【０１０８】試料Ｄの磁気記録媒体と第３実施例の試料
φ，Ａ〜Ｃの磁気記録媒体についてＣＳＳ試験を行い、
１０⁴ 回動作後の接線力を比較したところ、試料Ａ〜Ｃ
では、接線力が１.９ｇ 増加したのに対し、試料Ｄでは
接線力の増大は全く認められず、極めて良好な耐摺動性
を示した。A CSS test was conducted on the magnetic recording medium of sample D and the magnetic recording media of samples φ and A to C of the third embodiment.
When the tangential forces after 10 ⁴ operations were compared, Samples A to C
In contrast, the tangential force increased by 1.9 g, whereas sample D did not show any increase in the tangential force and exhibited extremely good sliding resistance.

【０１０９】試料Ｄの磁気特性，記録再生特性について
も第２実施例と同様の試験を行ったところ、第３実施例
と同様の良好な特性を示した。With respect to the magnetic characteristics and recording / reproducing characteristics of Sample D, the same tests as in the second embodiment were carried out, and the same good characteristics as those in the third embodiment were shown.

【０１１０】なお、保護層５３成膜時の表面波モードを
ランダム型および干渉型とした場合も同様の結果が得ら
れた。Similar results were obtained when the surface wave mode at the time of forming the protective layer 53 was random type or interference type.

【０１１１】（第５実施例）基板Ｓをポリイミド，ＰＥ
Ｔ等の可撓性有機フィルムとした以外は第３実施例と同
じ条件でディスク状およびテープ状カオス磁気記録媒体
を製造した。ディスク状媒体では、同心円型，ランダム
型，干渉型のいずれも表面波モードで成膜した場合で
も、第３実施例と同様に優れた特性が得られた。テープ
状媒体では、１Ｇｂ／in² 条件でランダム型の表面波モ
ードで成膜した時に出力変動が１.３％と最も少なく、
干渉型で３.１％，同心円型で５.３％であった。実効Ｓ
／Ｎについてはいずれも４.８ 以上であった。(Fifth Embodiment) The substrate S is made of polyimide, PE
Disc-shaped and tape-shaped chaotic magnetic recording media were manufactured under the same conditions as in Example 3 except that a flexible organic film such as T was used. With respect to the disk-shaped medium, excellent characteristics were obtained as in the case of the third embodiment even when the concentric type, the random type, and the interference type were formed in the surface wave mode. The tape-shaped medium has the smallest output fluctuation of 1.3% when deposited in the random surface wave mode under the condition of 1 Gb / in ² ,
The interference type was 3.1% and the concentric type was 5.3%. Effective S
In each case, / N was 4.8 or higher.

【０１１２】したがって、この発明は面内磁気記録型，
ハードディスクだけでなく、垂直磁気記録型ハードディ
スク，フロッピィディスクや磁気テープにも適用可能で
あることが分かる。Therefore, the present invention relates to an in-plane magnetic recording type,
It can be seen that not only the hard disk but also the perpendicular magnetic recording type hard disk, the floppy disk and the magnetic tape can be applied.

【０１１３】（第６実施例）図１４の製造装置１０で、
電磁石１８の代わりに第２のリング状ターゲットＴを配
置し、下位のターゲットＴと共に基板Ｓの両側に２個の
ターゲットＴを配置してＤＣマグネトロン・スパッタリ
ングにより成膜を行った。基板Ｓとしては、直径２.５
インチのガラス基板で、その表面粗さＲａがそれぞれ
０.５，１，２，３，５，７および１０ｎｍのものを用
いた。(Sixth Embodiment) In the manufacturing apparatus 10 of FIG.
A second ring-shaped target T was placed instead of the electromagnet 18, two targets T were placed on both sides of the substrate S together with the lower target T, and film formation was performed by DC magnetron sputtering. The substrate S has a diameter of 2.5.
Inch glass substrates having surface roughnesses Ra of 0.5, 1, 2, 3, 5, 7 and 10 nm were used.

【０１１４】下地層５１はＣｒ₀.₉Ｔｉ₀.₁（膜厚１００
ｎｍ）膜を、磁性層５２としてはＣｏ₀.₇₇Ｃｒ₀.₁₇Ｐｔ
₀.₀₄Ｔａ₀.₀₂（膜厚３０ｎｍ）膜を、保護層５３として
は（Ｗ₀.₈−Ｍｏ₀.₂)₀.₃Ｃ₀.₇(膜厚２５ｎｍ）膜をそれ
ぞれ用いた。潤滑剤層５４としては、極性基を有するパ
ーフルオロアルキルポリエーテル（厚さ５ｎｍ）膜を用
いた。[0114] underlayer 51 _{Cr 0. 9 Ti 0. 1} ( film thickness 100
The nm) film, Co ₀ as the magnetic layer 52. ₇₇ Cr _{0. 17} Pt
_0. The ₀₄ Ta _{0. 02} (thickness 30 nm) film, as the protective layer 53 using _{(W 0. 8 -Mo 0.} 2) 0. 3 C 0. 7 ( thickness 25 nm) film, respectively. As the lubricant layer 54, a perfluoroalkylpolyether (thickness 5 nm) film having a polar group was used.

【０１１５】下地層５１，磁性層５２および保護層５３
の成膜時に励起する表面波モードは、いずれも同心円型
とした。成膜時の基板温度は３００℃，Ａｒのガス圧は
１ｍTorr，投入電力密度は１０Ｗ／cm² に１〜５Ｗのカ
オス波形後、さらに図１３に示すカオス位相角（θ＝０
°，９０°，１８０°，２７０°順次）処理波形を重畳
した。Underlayer 51, magnetic layer 52 and protective layer 53
The surface wave modes excited during the film formation were all concentric. The substrate temperature during film formation was 300 ° C., the Ar gas pressure was 1 mTorr, and the input power density was 10 W / cm ² after a chaotic waveform of ¹ to 5 W. Further, the chaotic phase angle (θ = 0) shown in FIG.
°, 90 °, 180 °, 270 ° in sequence) processed waveforms were superimposed.

【０１１６】こうして製造したディスク状磁気記録媒体
を第３実施例と同条件で評価し、出力変動と基板Ｓの表
面粗さＲａとの関係を求めた。また、超音波にカオス波
形を励起しない以外は同じ条件で製造したディスク状磁
気記録媒体についても、同様にしてその関係を求めた。
その結果を図２２に示す。この発明の媒体では、超音波
にカオス波形を励起をしない媒体に比べて、いずれの表
面粗さでも１.４％ 以下の出力変動が得られた。The disk-shaped magnetic recording medium thus manufactured was evaluated under the same conditions as in Example 3, and the relationship between the output fluctuation and the surface roughness Ra of the substrate S was obtained. Further, the relationship was similarly determined for the disk-shaped magnetic recording medium manufactured under the same conditions except that the chaotic waveform was not excited by ultrasonic waves.
The result is shown in FIG. In the medium of the present invention, an output fluctuation of 1.4% or less was obtained with any surface roughness as compared with the medium in which the chaotic waveform was not excited by ultrasonic waves.

【０１１７】（第７実施例）図１５の製造装置１０ａを
用いてディスク状磁気記録媒体を製造した。基板Ｓは、
ＮｉＰ（厚さ１０μｍ）をメッキした直径２.５ インチ
のＡｌ合金基板（表面粗さ２ｎｍ)を、下地層５１は、
第６実施例と同じＣｒ₀.₉Ｔｉ₀.₁(膜厚１００ｎｍ）膜
を、磁性層５２は、ＣｏＮｉＰｔ−ＳｉＯ₂複合磁性膜
（膜厚３５ｎｍ)を、保護層５３は、ＷＣ保護層（膜厚
１５ｎｍ）を用いた。潤滑剤層５４は、アミン系有機物
膜（厚さ７ｎｍ）を用いた。(Seventh Example) A disk-shaped magnetic recording medium was manufactured using the manufacturing apparatus 10a shown in FIG. The substrate S is
An underlayer 51 is formed of a 2.5 inch diameter Al alloy substrate (surface roughness: 2 nm) plated with NiP (thickness: 10 μm).
The sixth embodiment the same _{Cr 0. 9 Ti 0. 1} ( thickness 100 nm) film, a magnetic layer 52, CoNiPt-SiO ₂ composite magnetic film (thickness 35 nm), protective layer 53, WC protective layer ( A film thickness of 15 nm) was used. As the lubricant layer 54, an amine-based organic material film (thickness 7 nm) was used.

【０１１８】保持体１３に保持した基板Ｓを５０rpm で
回転させ（水平に設置された回転用端子線を兼ねた駆動
部（図示省略)により行う)、スパッタされたターゲット
Ｔの構成原子が平均入射角５０°で基板Ｓの下面に入射
するように、保持体１３の傾斜角度を設定した。そし
て、表面波(同心円型モード)と同時にカオス波形後、カ
オス位相処理波形を励起しながら、同じ条件でＣｒ₀.₉
Ｔｉ₀.₁膜，ＣｏＮｉＰｔ−ＳｉＯ₂ 複合膜，ＷＣ保護
層を順に形成した。最後に、ＷＣ保護層の上にアミン系
有機物質を形成した。成膜条件は第６実施例と同じとし
た。The substrate S held by the holder 13 is rotated at 50 rpm (this is performed by a driving unit (not shown) which is also installed horizontally and also serves as a rotating terminal wire), and the constituent atoms of the sputtered target T are incident on average. The inclination angle of the holder 13 was set so that the light was incident on the lower surface of the substrate S at an angle of 50 °. Then, the surface wave (concentric mode) at the same time after the chaotic waveform, while exciting the chaotic phase processed waveforms, Cr ₀ under the same conditions. ₉
Ti _{0. 1} film, CoNiPt-SiO ₂ composite film was formed of WC protective layer in this order. Finally, an amine-based organic material was formed on the WC protective layer. The film forming conditions were the same as in the sixth embodiment.

【０１１９】こうして得たディスク状磁気記録媒体に記
録密度を２Ｇｂ／in² として第１実施例と同じ条件で評
価したところ、Ｓ／Ｎは３.６、出力変動は２.５％であ
った。When the disk-shaped magnetic recording medium thus obtained was evaluated under the same conditions as in Example 1 with a recording density of 2 Gb / in ² , the S / N was 3.6 and the output fluctuation was 2.5%. .

【０１２０】図２３および図２４は、この発明の磁気記
憶装置の実施例を示す。図面において、磁気記憶装置８
０は、上述したディスク状カオス磁気記録媒体８１を複
数枚備えており、これらカオス磁気記録媒体８１は回転
軸に並列に固定されていて、駆動部８２によって同時に
回転駆動される。各カオス磁気記録媒体８１に近接し
て、記録用としての薄膜ヘッド部と再生用としての巨大
ＭＲヘッド部からなる磁気ヘッド８３が配設されてい
る。各磁気ヘッド８３は駆動部８４によって駆動され
る。なお、８５は記録・再生信号処理系である。23 and 24 show an embodiment of the magnetic memory device of the present invention. In the drawings, a magnetic storage device 8
0 includes a plurality of the disk-shaped chaotic magnetic recording media 81 described above. These chaotic magnetic recording media 81 are fixed in parallel to the rotation shaft and are simultaneously driven to rotate by the drive unit 82. A magnetic head 83 including a thin film head portion for recording and a giant MR head portion for reproducing is arranged in proximity to each chaotic magnetic recording medium 81. Each magnetic head 83 is driven by the drive unit 84. Reference numeral 85 is a recording / reproducing signal processing system.

【０１２１】カオス磁気記録媒体８１として、上述した
第１実施例〜第５実施例のディスク状カオス磁気記録媒
体を用い、磁気ヘッド８３と共に組み込んで磁気記憶装
置８０を構成し、その動作を確認した。その結果、磁気
記録媒体と磁気ヘッド間のスペーシングを０.０５５μ
ｍ とすると、２Ｇｂ／in² の高密度で情報の記録再生
ができた。また、スペーシングを０.０２μｍとする
と、１０Ｇｂ／in²の高密度で情報の記録再生ができ
た。磁気ヘッドの浮上も安定していた。As the chaotic magnetic recording medium 81, the disk-shaped chaotic magnetic recording media of the above-mentioned first to fifth examples were used, and the magnetic storage device 80 was constructed by incorporating it together with the magnetic head 83, and its operation was confirmed. . As a result, the spacing between the magnetic recording medium and the magnetic head is 0.055μ.
When m, it was possible to record and reproduce information at a high density of ² Gb / in ² . When the spacing was 0.02 μm, information could be recorded / reproduced at a high density of 10 Gb / in ² . The flying of the magnetic head was also stable.

【０１２２】したがって、本発明により、特性が均一で
ノイズ特性に優れさらに磁気記録媒体と磁気ヘッド間の
スペーシングを０.０１μｍ 程度に小さくした場合に
も、磁気ヘッドが安定して浮上し、優れた耐摺動特性を
有する薄膜磁気記録媒体を製造提供できるので、１Ｇｂ
／in²〜１０Ｇｂ／in²の高い記録密度でも動作する磁気
記憶装置が提供できる。Therefore, according to the present invention, the characteristics are uniform and the noise characteristics are excellent. Further, even when the spacing between the magnetic recording medium and the magnetic head is reduced to about 0.01 μm, the magnetic head stably floats, which is excellent. Since it is possible to manufacture and provide a thin film magnetic recording medium having excellent sliding resistance, 1 Gb
It is possible to provide a magnetic storage device that operates even at a high recording density of / in ^{2 to} 10 Gb / in ² .

【０１２３】なお、上記実施例では、ディスク状のカオ
ス薄膜磁気記録媒体を製造する装置として構成したが、
基材上に非磁性薄膜を形成する成膜装置としても実施可
能である。また、ターゲットＴの替わりにＥＢ（電子ビ
ーム加熱）にカオス制御法などによる蒸着源を用い、蒸
着法で成膜することも可能である。In the above embodiment, the device for manufacturing the disk-shaped chaotic thin film magnetic recording medium is constructed.
It can also be implemented as a film forming apparatus for forming a non-magnetic thin film on a substrate. Further, instead of the target T, an EB (electron beam heating) evaporation source by a chaos control method or the like may be used to form a film by the evaporation method.

【０１２４】以上、上記に示したもの以外に本発明のカ
オス成膜製造方法およびカオス成膜装置は半導体，ＩＣ
プロセス等、その他に適用できることももちろん可能で
ある。As described above, the chaotic film forming method and the chaotic film forming apparatus of the present invention are semiconductors, ICs other than those shown above.
Needless to say, it can be applied to processes and the like.

【０１２５】[0125]

【発明の効果】本発明によれば、構成微粒子が均一で、
かつその構成微粒子の配向性，方位性も良好な薄膜が安
定して得られる。According to the present invention, the constituent fine particles are uniform,
Moreover, a thin film in which the orientation and orientation of the constituent fine particles are good can be obtained stably.

【０１２６】また、１Ｇｂ／in²〜１０Ｇｂ／in²の高密
度記録に好適な極めて平滑な表面を持つ基材上に、磁気
異方性が均一で低ノイズの磁性薄膜が安定して得られ
る。[0126] Further, on the substrate with a suitable very smooth surface for high-density recording of ^{1Gb / in 2 ~10Gb / in 2} , the magnetic thin film of uniform and low noise magnetic anisotropy can be obtained stably .

【０１２７】さらに、１Ｇｂ／in²〜１０Ｇｂ／in²の高
密度記録が可能となる。[0127] In addition, it becomes possible to high-density recording of ^{1Gb / in 2 ~10Gb / in 2} .

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明のカオス・システムのブロック図。FIG. 1 is a block diagram of the chaotic system of the present invention.

【図２】本発明の一実施例のブロック図。FIG. 2 is a block diagram of one embodiment of the present invention.

【図３】カオス成膜装置のブロック図。FIG. 3 is a block diagram of a chaotic film forming apparatus.

【図４】カオス成膜媒体の一般用の説明図。FIG. 4 is a general explanatory view of a chaotic film forming medium.

【図５】カオス成膜媒体の高密度の説明図。FIG. 5 is an explanatory diagram of high density of a chaotic film forming medium.

【図６】従来法の成膜条件および基板とテクスチャ基板
の説明図。FIG. 6 is an explanatory view of film forming conditions and a substrate and a textured substrate according to a conventional method.

【図７】カオス成膜装置の蒸着型のブロック図。FIG. 7 is a block diagram of a vapor deposition type of a chaotic film forming apparatus.

【図８】カオス回路図。FIG. 8 is a chaos circuit diagram.

【図９】カオス波形図。FIG. 9 is a chaos waveform diagram.

【図１０】本発明に使用した決定論的な立場におけるカ
オス的無秩序とカオス的秩序の説明図。FIG. 10 is an explanatory view of chaotic disorder and chaotic disorder in the deterministic position used in the present invention.

【図１１】本発明に使用した決定論的な立場におけるカ
オス的無秩序とカオス的秩序の説明図。FIG. 11 is an explanatory diagram of chaotic disorder and chaotic disorder in a deterministic position used in the present invention.

【図１２】本発明に使用した決定論的な立場におけるカ
オス的無秩序とカオス的秩序の説明図。FIG. 12 is an explanatory view of chaotic disorder and chaotic disorder in the deterministic position used in the present invention.

【図１３】本発明に使用した決定論的な立場におけるカ
オス的無秩序とカオス的秩序の説明図。FIG. 13 is an explanatory view of chaotic disorder and chaotic disorder in the deterministic position used in the present invention.

【図１４】本発明のカオス磁気記録媒体の製造装置の第
１実施例を示す系統図。FIG. 14 is a system diagram showing a first embodiment of the manufacturing apparatus of the chaotic magnetic recording medium of the present invention.

【図１５】本発明のカオス磁気記録媒体の製造装置の第
２実施例を示す系統図。FIG. 15 is a system diagram showing a second embodiment of the chaotic magnetic recording medium manufacturing apparatus of the invention.

【図１６】超音波振動子の端部構造を示す要部の断面
図。FIG. 16 is a cross-sectional view of a main part showing an end structure of an ultrasonic transducer.

【図１７】磁気記録媒体の表面に生じた同心円型モード
の表面波を示す平面図。FIG. 17 is a plan view showing a concentric mode surface wave generated on the surface of the magnetic recording medium.

【図１８】磁気記録媒体の表面に生じたランダム型モー
ドの表面波を示す平面図。FIG. 18 is a plan view showing surface waves in a random mode generated on the surface of the magnetic recording medium.

【図１９】磁気記録媒体の表面に生じた干渉型モードの
表面波を示す平面図および基板保持部の断面図。FIG. 19 is a plan view showing a surface wave in an interference mode generated on the surface of a magnetic recording medium and a cross-sectional view of a substrate holder.

【図２０】磁気記録媒体の表面に生じた干渉型モードの
表面波を示す平面図および基板保持部の断面図。FIG. 20 is a plan view showing a surface wave in an interference mode generated on the surface of a magnetic recording medium and a cross-sectional view of a substrate holder.

【図２１】本発明のディスク状磁気記録媒体の一実施例
の部分断面図。FIG. 21 is a partial cross-sectional view of one embodiment of the disk-shaped magnetic recording medium of the present invention.

【図２２】磁気記録媒体の特性図。FIG. 22 is a characteristic diagram of a magnetic recording medium.

【図２３】本発明の磁気記憶装置の平面図。FIG. 23 is a plan view of the magnetic memory device of the present invention.

【図２４】図２２のＡ−Ａ線に沿った断面図。24 is a sectional view taken along the line AA of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０…製造装置、１１…真空槽、１１ａ…導入口、１
２，１２ａ…支持軸、１３…保持体、１４…超音波振動
子、１５…コイル、１６…表面波振動子、１７…固定部
材、１８…電磁石、１９…スリップリング、２０…摺動
ピン、２１…発振器、２２…ターゲット電極、２３…支
持部材、２４…シールド、２５，２７…弁、２６…クラ
イオポンプ、２８…ロータリーポンプ、２９，３１，３
２，３３，３６…導線、３０…端子、２００…カオス発
生機、２０２…結合器。10 ... Manufacturing apparatus, 11 ... Vacuum tank, 11a ... Inlet port, 1
2, 12a ... Support shaft, 13 ... Holder, 14 ... Ultrasonic oscillator, 15 ... Coil, 16 ... Surface wave oscillator, 17 ... Fixing member, 18 ... Electromagnet, 19 ... Slip ring, 20 ... Sliding pin, 21 ... Oscillator, 22 ... Target electrode, 23 ... Support member, 24 ... Shield, 25, 27 ... Valve, 26 ... Cryo pump, 28 ... Rotary pump, 29, 31, 3
2, 33, 36 ... Lead wire, 30 ... Terminal, 200 ... Chaos generator, 202 ... Coupler.

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】真空中で基板上に薄膜を形成する成膜シス
テムを用い、前記成膜システムを位相制御したカオス処
理角度制御して得ることを特徴とするカオス処理成膜媒
体。1. A chaotic film forming medium, which is obtained by using a film forming system for forming a thin film on a substrate in a vacuum, and controlling the phase of the film forming system to control the chaotic angle. 【請求項２】真空中で基板上に薄膜を形成する成膜シス
テムを用い、前記成膜システムをカオス・アニーリング
処理角度制御により、カオス・テクスチャの方位角を付
与してなることを特徴とするカオス処理成膜媒体。2. A film forming system for forming a thin film on a substrate in a vacuum, wherein the film forming system is provided with an azimuth angle of chaotic texture by controlling a chaotic annealing process angle. Chaos processing film forming medium. 【請求項３】有機フィルム上にカオス処理望ましくは前
記カオス処理による成膜を設けてカオス・テクスチャの
方位角処理したことを特徴とするカオス処理成膜媒体。3. A chaotic film forming medium, characterized in that a chaotic film is formed on the organic film, preferably by the chaotic film, and an azimuth angle of chaotic texture is processed. 【請求項４】真空中で基板上に薄膜を形成する成膜シス
テムにおいて、カオス処理角度制御する手段を設けたこ
とを特徴とするカオス処理成膜装置。4. A chaotic film forming apparatus, characterized in that in a film forming system for forming a thin film on a substrate in a vacuum, means for controlling a chaotic angle is provided. 【請求項５】真空中で基板上に薄膜を形成する成膜シス
テムにおいて、カオス・アニーリング処理角度制御によ
るカオス・テクスチャの方位角を得る手段を設けたこと
を特徴とするカオス処理成膜装置。5. A film forming system for forming a thin film on a substrate in a vacuum, comprising a means for obtaining an azimuth angle of a chaotic texture by controlling an angle of a chaotic annealing process. 【請求項６】カオス座標角度変換手段を有して成ること
を特徴とするカオス処理制御システム。6. A chaos processing control system comprising chaotic coordinate angle conversion means. 【請求項７】真空中で基板上に直接または下地層，中間
層を介して磁気薄膜を形成する薄膜磁気記録媒体の製造
方法において、前記下地層，前記中間層および前記磁気
薄膜の少なくとも一つを形成する際に前記基板にカオス
波形およびカオス処理波形の角度変換処理を直接もしく
は間接的に与えることを特徴とするカオス処理成膜方
法。7. A method of manufacturing a thin film magnetic recording medium, which comprises forming a magnetic thin film directly on a substrate in a vacuum or via an underlayer and an intermediate layer, wherein at least one of the underlayer, the intermediate layer and the magnetic thin film. A chaotic film forming method, characterized in that a chaotic waveform and an angle conversion process of a chaotic waveform are directly or indirectly applied to the substrate when forming a film. 【請求項８】請求項１，２，３，４，５，６または７に
よって得られた前記カオス処理成膜媒体と前記成膜媒体
に情報を書き込みもしくは前記媒体に書き込まれた情報
を読み出すためのヘッドとを備えてなる記憶装置。8. The chaos-processed film-forming medium obtained according to claim 1, 2, 3, 4, 5, 6 or 7 for writing information on the film-forming medium or for reading information written on the medium. Storage device including a head.