JPH09148549A - オンチップレンズ付カラー固体撮像素子 - Google Patents
オンチップレンズ付カラー固体撮像素子Info
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- JPH09148549A JPH09148549A JP7329769A JP32976995A JPH09148549A JP H09148549 A JPH09148549 A JP H09148549A JP 7329769 A JP7329769 A JP 7329769A JP 32976995 A JP32976995 A JP 32976995A JP H09148549 A JPH09148549 A JP H09148549A
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- Japan
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- color
- sensitivity
- chip lens
- lens
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 オンチップレンズ付固体撮像素子において、
色フィルタの色の違いに起因する各色間の感度差をなく
してより良好な色再現性を得るようにする。 【構成】 オンチップレンズが色フィルタにより形成さ
れ、該色フィルタの各色毎の画素の感度に応じてその画
素のオンチップレンズの高さを異ならせる。 【効果】 オンチップレンズの高さにより感度が変わる
ので、各色による感度差をオンチップレンズの高さによ
りなくすことができる。
色フィルタの色の違いに起因する各色間の感度差をなく
してより良好な色再現性を得るようにする。 【構成】 オンチップレンズが色フィルタにより形成さ
れ、該色フィルタの各色毎の画素の感度に応じてその画
素のオンチップレンズの高さを異ならせる。 【効果】 オンチップレンズの高さにより感度が変わる
ので、各色による感度差をオンチップレンズの高さによ
りなくすことができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、各画素に対応して
その受光素子に集光するオンチップレンズを備えたオン
チップレンズ付カラー固体撮像素子に関する。
その受光素子に集光するオンチップレンズを備えたオン
チップレンズ付カラー固体撮像素子に関する。
【0002】
【従来の技術】カラー固体撮像素子は、一般に基板表面
に赤、青、緑の原色フィルタ、あるいはシアン、マゼン
タ等の補色フィルタ等を適宜配置した色フィルタを有し
ている。そして、斯かるカラー固体撮像素子には各画素
毎にその受光素子に集光して画素の感度を上げるレンズ
素子(マイクロレンズ)を備えたものが多い。図4はそ
のようなオンチップレンズ付カラー固体撮像素子の従来
例の一つを示す断面図である。
に赤、青、緑の原色フィルタ、あるいはシアン、マゼン
タ等の補色フィルタ等を適宜配置した色フィルタを有し
ている。そして、斯かるカラー固体撮像素子には各画素
毎にその受光素子に集光して画素の感度を上げるレンズ
素子(マイクロレンズ)を備えたものが多い。図4はそ
のようなオンチップレンズ付カラー固体撮像素子の従来
例の一つを示す断面図である。
【0003】同図において、1は半導体基板、2、2、
・・・は各画素の受光素子、3は基板1表面に形成され
た平坦化膜で、色フィルタ4、4、・・・の下地を成
す。尚、基板1上にはゲート絶縁膜、転送電極、層間絶
縁膜、遮光膜等があり、その上に平坦化膜3があるが、
これらの図示、説明を省略する。色フィルタ4、4、・
・・は透明樹脂を形成し、これに染料を添加してなる。
5は透明樹脂からなり、表面を凸球面状に形成すること
により形成されたオンチップレンズで、凸レンズとして
機能する。従って、被写体側から結像用レンズを通して
各画素に向けてきた光をその画素の受光素子2、2、・
・・に比較的有効に集光することができる。
・・・は各画素の受光素子、3は基板1表面に形成され
た平坦化膜で、色フィルタ4、4、・・・の下地を成
す。尚、基板1上にはゲート絶縁膜、転送電極、層間絶
縁膜、遮光膜等があり、その上に平坦化膜3があるが、
これらの図示、説明を省略する。色フィルタ4、4、・
・・は透明樹脂を形成し、これに染料を添加してなる。
5は透明樹脂からなり、表面を凸球面状に形成すること
により形成されたオンチップレンズで、凸レンズとして
機能する。従って、被写体側から結像用レンズを通して
各画素に向けてきた光をその画素の受光素子2、2、・
・・に比較的有効に集光することができる。
【0004】図5(A)乃至(E)は図4に示したオン
チップレンズ付カラー固体撮像素子の製造方法を工程順
に示す断面図である。 (A)半導体基板1表面部に図5(A)に示すように受
光素子2、2、・・・を始め、図面に現れない垂直レジ
スタ、水平レジスタ等必要なものを形成し、更に、基板
1表面上に転送電極、層間絶縁膜、遮光膜(Al)など
を形成する。 (B)次に、図5(B)に示すように、平坦化膜3を形
成する。該平坦化膜3表面の半導体基板1表面からの高
さは例えば1.5〜3μmである。
チップレンズ付カラー固体撮像素子の製造方法を工程順
に示す断面図である。 (A)半導体基板1表面部に図5(A)に示すように受
光素子2、2、・・・を始め、図面に現れない垂直レジ
スタ、水平レジスタ等必要なものを形成し、更に、基板
1表面上に転送電極、層間絶縁膜、遮光膜(Al)など
を形成する。 (B)次に、図5(B)に示すように、平坦化膜3を形
成する。該平坦化膜3表面の半導体基板1表面からの高
さは例えば1.5〜3μmである。
【0005】(C)次に、図5(C)に示すように色フ
ィルタ4、4、・・・を形成する。該色フィルタ4は染
料あるいは顔料を添加した樹脂をパターニングすること
により1色分の色フィルタを形成することを必要な色分
複数回繰り返すことにより行うとか、一旦全面的に透明
樹脂を形成し、その後、選択的に染色することを複数回
繰り返すという方法により形成される。 (D)次に、図5(D)に示すように、保護膜(膜厚例
えば3〜4μm)6を塗布する。該保護膜6は例えばS
OGからなり、レンズ5を成す透明樹脂と略等しいエッ
チング速度を有している。
ィルタ4、4、・・・を形成する。該色フィルタ4は染
料あるいは顔料を添加した樹脂をパターニングすること
により1色分の色フィルタを形成することを必要な色分
複数回繰り返すことにより行うとか、一旦全面的に透明
樹脂を形成し、その後、選択的に染色することを複数回
繰り返すという方法により形成される。 (D)次に、図5(D)に示すように、保護膜(膜厚例
えば3〜4μm)6を塗布する。該保護膜6は例えばS
OGからなり、レンズ5を成す透明樹脂と略等しいエッ
チング速度を有している。
【0006】(E)次に、上記保護膜6上に、オンチッ
プレンズとなる透明樹脂を形成し、該透明樹脂を各画素
毎に互いに独立して他から分離するようにするエッチン
グをし、その後、リフロー処理することにより各独立し
た透明樹脂の表面を、図5(E)に示すように、凸球面
状にしてオンチップレンズ5、5、・・・とする。この
各レンズ5、5、・・・の高さ(保護膜表面からの高
さ)は例えば2〜3μmである。その後、そのレンズ
5、5、・・・及び保護膜6をエッチングバックするこ
とにより図4に示すオンチップレンズ付カラー固体撮像
素子が出来上がる。そして、従来においては、各オンチ
ップレンズ5、5、・・・はどの色の画素であろうがす
べて同じ高さにされていた。
プレンズとなる透明樹脂を形成し、該透明樹脂を各画素
毎に互いに独立して他から分離するようにするエッチン
グをし、その後、リフロー処理することにより各独立し
た透明樹脂の表面を、図5(E)に示すように、凸球面
状にしてオンチップレンズ5、5、・・・とする。この
各レンズ5、5、・・・の高さ(保護膜表面からの高
さ)は例えば2〜3μmである。その後、そのレンズ
5、5、・・・及び保護膜6をエッチングバックするこ
とにより図4に示すオンチップレンズ付カラー固体撮像
素子が出来上がる。そして、従来においては、各オンチ
ップレンズ5、5、・・・はどの色の画素であろうがす
べて同じ高さにされていた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のオン
チップレンズ付カラー固体撮像素子には、先ず第1に、
オンチップレンズ5、5、・・・が色フィルタ4上に形
成され、オンチップレンズの基板1の表面からの高さが
高くなり、受光素子に有効に集光できず、感度を充分に
上げることが難しいという問題があった。即ち、基板1
表面の層間絶縁膜を介して例えば2層あるいは3層等多
層構造に形成された転送電極上に遮光膜を形成し、更
に、該遮光膜上に平坦化膜3を形成し、その上に色フィ
ルタ4、4、・・・を形成し、該色フィルタ4、4、・
・・上に保護膜6を形成し、該保護膜6上にオンチップ
レンズ5、5、・・・を形成するので、エッチングバッ
クにより若干低くなるとはいえ、オンチップレンズ5、
5、・・・の高さは相当に高く、そのために、感度を高
くすることが難しく、集光ずれが発生し易かったのであ
る。
チップレンズ付カラー固体撮像素子には、先ず第1に、
オンチップレンズ5、5、・・・が色フィルタ4上に形
成され、オンチップレンズの基板1の表面からの高さが
高くなり、受光素子に有効に集光できず、感度を充分に
上げることが難しいという問題があった。即ち、基板1
表面の層間絶縁膜を介して例えば2層あるいは3層等多
層構造に形成された転送電極上に遮光膜を形成し、更
に、該遮光膜上に平坦化膜3を形成し、その上に色フィ
ルタ4、4、・・・を形成し、該色フィルタ4、4、・
・・上に保護膜6を形成し、該保護膜6上にオンチップ
レンズ5、5、・・・を形成するので、エッチングバッ
クにより若干低くなるとはいえ、オンチップレンズ5、
5、・・・の高さは相当に高く、そのために、感度を高
くすることが難しく、集光ずれが発生し易かったのであ
る。
【0008】また、色フィルタ4、4、・・・とオンチ
ップレンズ5、5、・・・を別々に形成することは、工
程数の増大を招き、製造コストの増大に繋がるという問
題もあった。そこで、色フィルタそのものでレンズを形
成することが試みられた。即ち、各色フィルタの表面を
凸球面状にしてオンチップレンズとしての機能を発揮さ
せるのである。
ップレンズ5、5、・・・を別々に形成することは、工
程数の増大を招き、製造コストの増大に繋がるという問
題もあった。そこで、色フィルタそのものでレンズを形
成することが試みられた。即ち、各色フィルタの表面を
凸球面状にしてオンチップレンズとしての機能を発揮さ
せるのである。
【0009】しかし、従来においては、色の異なる画素
間で感度の齟齬が生じるという問題があった。というの
は、画素は色フィルタの光透過率等の違いにより色毎に
感度が異なり、原色フィルタを例に採ると、緑が最も高
感度で、次に赤の感度が高く、青が最も低感度である。
従って、同じ構造であってもその色フィルタによる感度
差ができた。
間で感度の齟齬が生じるという問題があった。というの
は、画素は色フィルタの光透過率等の違いにより色毎に
感度が異なり、原色フィルタを例に採ると、緑が最も高
感度で、次に赤の感度が高く、青が最も低感度である。
従って、同じ構造であってもその色フィルタによる感度
差ができた。
【0010】斯かる感度差は撮像画像の色再現性を低減
する要因となり、好ましくない。そこで、本発明者はそ
の問題を克服すべく模索し、オンチップレンズの高さに
より集光効率を異ならせることにより色フィルタの感度
差を補償するという着想を得た。即ち、オンチップレン
ズの高さにより集光効率が異なる。図6(A)乃至
(C)はレンズの大きさ、高さにより集光特性が異なる
ことを示すものである。そして、レンズの大きさは各画
素の大きさが一定なので大きさを異ならせることができ
ない。そこで、レンズの高さを色毎に異ならせることに
より集光効率を異ならせて、色フィルタによる感度差の
違いをなくすという着想が生まれた。本発明は斯かる着
想に基づいて為されたものである。
する要因となり、好ましくない。そこで、本発明者はそ
の問題を克服すべく模索し、オンチップレンズの高さに
より集光効率を異ならせることにより色フィルタの感度
差を補償するという着想を得た。即ち、オンチップレン
ズの高さにより集光効率が異なる。図6(A)乃至
(C)はレンズの大きさ、高さにより集光特性が異なる
ことを示すものである。そして、レンズの大きさは各画
素の大きさが一定なので大きさを異ならせることができ
ない。そこで、レンズの高さを色毎に異ならせることに
より集光効率を異ならせて、色フィルタによる感度差の
違いをなくすという着想が生まれた。本発明は斯かる着
想に基づいて為されたものである。
【0011】即ち、本発明は色フィルタの色の違いに起
因する各色間の感度差をなくしてより良好な色再現性を
得るようにすることを可能にすることを目的とする。
因する各色間の感度差をなくしてより良好な色再現性を
得るようにすることを可能にすることを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明オンチップレンズ
付カラー固体撮像素子は、オンチップレンズが色フィル
タにより形成され、該色フィルタの各色毎の画素の感度
に応じてその画素のオンチップレンズの高さを異ならせ
てなることを特徴とする。従って、本発明オンチップレ
ンズ付カラー固体撮像素子によれば、色フィルタとオン
チップレンズを別個に形成するわけではないので、色フ
ィルタの厚さ分オンチップレンズの高さを低くすること
ができ、延いては、全体的に感度を高くすることができ
るのみならず、製造工数を少なくでき、延いては、製造
コストの低減を図ることができるうえに、色フィルタに
よる各色毎の感度の違いに応じて感度の低い画素につい
てはオンチップレンズを感度が高くなる高さにし、その
逆のときは感度が低くなる高さにすることにより画素の
色間の色フィルタによる感度差を是正することができ
る。
付カラー固体撮像素子は、オンチップレンズが色フィル
タにより形成され、該色フィルタの各色毎の画素の感度
に応じてその画素のオンチップレンズの高さを異ならせ
てなることを特徴とする。従って、本発明オンチップレ
ンズ付カラー固体撮像素子によれば、色フィルタとオン
チップレンズを別個に形成するわけではないので、色フ
ィルタの厚さ分オンチップレンズの高さを低くすること
ができ、延いては、全体的に感度を高くすることができ
るのみならず、製造工数を少なくでき、延いては、製造
コストの低減を図ることができるうえに、色フィルタに
よる各色毎の感度の違いに応じて感度の低い画素につい
てはオンチップレンズを感度が高くなる高さにし、その
逆のときは感度が低くなる高さにすることにより画素の
色間の色フィルタによる感度差を是正することができ
る。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示実施の形態に
従って詳細に説明する。図1は本発明オンチップレンズ
付カラー固体撮像素子の一つの実施の形態を示す断面図
である。図面において、1は半導体基板、2、2、・・
・は該基板1の表面部に形成された受光素子、3は該基
板1表面に形成された平坦化膜である。尚、基板1上に
はゲート絶縁膜、転送電極、層間絶縁膜、遮光膜等があ
り、その上に平坦化膜3があるが、これら、即ちゲート
絶縁膜、転送電極等の図示、説明を省略する。
従って詳細に説明する。図1は本発明オンチップレンズ
付カラー固体撮像素子の一つの実施の形態を示す断面図
である。図面において、1は半導体基板、2、2、・・
・は該基板1の表面部に形成された受光素子、3は該基
板1表面に形成された平坦化膜である。尚、基板1上に
はゲート絶縁膜、転送電極、層間絶縁膜、遮光膜等があ
り、その上に平坦化膜3があるが、これら、即ちゲート
絶縁膜、転送電極等の図示、説明を省略する。
【0014】7、7、・・・は平坦化膜3上に形成され
た色フィルタで、7r 、7r、・・・は赤の、7g、7
g、・・・は緑の、7b、7b、・・・は青の色フィル
タである。該色フィルタ7r、7g、7b、7r、7
g、7b、・・・はオンチップレンズとしても機能する
ように表面が凸球面状に形成されている。そして、オン
チップレンズ7r、7g、7b7r、7g、7b・・・
は色毎に高さが異ならしめられている。即ち、緑の色フ
ィルタ7g、7g、・・・は最も高く形成されている。
これは、緑の色フィルタ7g、7g・・・が他の二つの
原色の色フィルタ7r、7r、・・・、7b、7b、・
・・に比較して画素の感度が高くなることから、相対的
に感度を低めるためにはレンズ高さを高くして集光効率
を悪くする必要があるからである。
た色フィルタで、7r 、7r、・・・は赤の、7g、7
g、・・・は緑の、7b、7b、・・・は青の色フィル
タである。該色フィルタ7r、7g、7b、7r、7
g、7b、・・・はオンチップレンズとしても機能する
ように表面が凸球面状に形成されている。そして、オン
チップレンズ7r、7g、7b7r、7g、7b・・・
は色毎に高さが異ならしめられている。即ち、緑の色フ
ィルタ7g、7g、・・・は最も高く形成されている。
これは、緑の色フィルタ7g、7g・・・が他の二つの
原色の色フィルタ7r、7r、・・・、7b、7b、・
・・に比較して画素の感度が高くなることから、相対的
に感度を低めるためにはレンズ高さを高くして集光効率
を悪くする必要があるからである。
【0015】赤の色フィルタ7r、7r、・・・はそれ
に次ぐ高さに形成されている。これは赤の色フィルタ7
rが緑の色フィルタ7gに次いで画素の感度が高くなる
からである。そして、最も感度が悪くなる色フィルタ7
b、7b、・・・のレンズ高さを最も低くして集光効率
を低くすることによって感度が高くなるようにしてな
る。このようなオンチップレンズ付カラー固体撮像素子
によれば、色フィルタ7r、7g、7b、7r、7g、
7b・・・がそのままオンチップレンズを成すので、製
造工数が従来よりも少なくて済み、延いては、製造コス
トの低減を図ることができる。
に次ぐ高さに形成されている。これは赤の色フィルタ7
rが緑の色フィルタ7gに次いで画素の感度が高くなる
からである。そして、最も感度が悪くなる色フィルタ7
b、7b、・・・のレンズ高さを最も低くして集光効率
を低くすることによって感度が高くなるようにしてな
る。このようなオンチップレンズ付カラー固体撮像素子
によれば、色フィルタ7r、7g、7b、7r、7g、
7b・・・がそのままオンチップレンズを成すので、製
造工数が従来よりも少なくて済み、延いては、製造コス
トの低減を図ることができる。
【0016】そして、オンチップレンズ7r、7g、7
b、7r、7g、7b・・・の基板1表面からの高さ
を、色フィルタの色の違いによる感度差に応じて画素の
最終的感度が一定になるように、異ならせたので、画素
の感度差をなくすことができ、延いては、撮像画像の色
再現性を高めることができる。
b、7r、7g、7b・・・の基板1表面からの高さ
を、色フィルタの色の違いによる感度差に応じて画素の
最終的感度が一定になるように、異ならせたので、画素
の感度差をなくすことができ、延いては、撮像画像の色
再現性を高めることができる。
【0017】図2(A)乃至(E)及び図3(F)乃至
(K)は図1に示したオンチップレンズ付カラー固体撮
像素子の製造方法を工程順(A)〜(K)に示す断面図
である。 (A)半導体基板1表面部に図2(A)に示すように受
光素子2、2、・・・を始め、図面に現れない垂直レジ
スタ、水平レジスタ等必要なものを形成し、更に、基板
1表面上に便宜上図示を省略した転送電極、層間絶縁
膜、遮光膜(Al)などを形成する。 (B)次に、図2(B)に示すように、平坦化膜3を形
成する。該平坦化膜3表面の半導体基板1表面からの高
さは例えば1.5〜3μmである。
(K)は図1に示したオンチップレンズ付カラー固体撮
像素子の製造方法を工程順(A)〜(K)に示す断面図
である。 (A)半導体基板1表面部に図2(A)に示すように受
光素子2、2、・・・を始め、図面に現れない垂直レジ
スタ、水平レジスタ等必要なものを形成し、更に、基板
1表面上に便宜上図示を省略した転送電極、層間絶縁
膜、遮光膜(Al)などを形成する。 (B)次に、図2(B)に示すように、平坦化膜3を形
成する。該平坦化膜3表面の半導体基板1表面からの高
さは例えば1.5〜3μmである。
【0018】(C)次に、図2(C)に示すように、あ
る厚さ、例えば5μm程度の緑フィルタ形成用のレジス
ト膜7gを形成する。該レジスト膜7gは透明レジスト
に緑の染料あるいは顔料を添加してなるものである。 (D)次に、上記緑フィルタ形成用レジスト膜7gを露
光、現像によって選択的にエッチングすることにより、
図2(D)に示すように、緑のフィルタを形成すべき部
分のみに残存させるようにする。
る厚さ、例えば5μm程度の緑フィルタ形成用のレジス
ト膜7gを形成する。該レジスト膜7gは透明レジスト
に緑の染料あるいは顔料を添加してなるものである。 (D)次に、上記緑フィルタ形成用レジスト膜7gを露
光、現像によって選択的にエッチングすることにより、
図2(D)に示すように、緑のフィルタを形成すべき部
分のみに残存させるようにする。
【0019】(E)次に、加熱処理により、上記緑フィ
ルタ形成用レジスト膜7gを図2(E)に示すように、
リフローしてレンズ状にすることによりオンチップレン
ズとしても機能するようにする。即ち、色フィルタ7g
は緑の色フィルタでもありまたオンチップレンズでもあ
る。 (F)次に、図3(F)に示すように、工程(C)で形
成した上記緑フィルタ形成用の色フィルタ7gよりも適
宜薄くされた赤フィルタ形成用のレジスト膜7rを形成
する。該レジスト膜7rは透明レジストに赤の染料ある
いは顔料を添加してなるものである。尚、上述のように
赤色フィルタ形成用レジスト膜7rを緑色フィルタ形成
用レジスト膜7gよりも薄く形成するのは、レジストの
光透過率等の関係で赤の画素の感度が緑の画素の感度よ
りも低くなるために、レンズ高さを低くして感度不足を
補償するためである。
ルタ形成用レジスト膜7gを図2(E)に示すように、
リフローしてレンズ状にすることによりオンチップレン
ズとしても機能するようにする。即ち、色フィルタ7g
は緑の色フィルタでもありまたオンチップレンズでもあ
る。 (F)次に、図3(F)に示すように、工程(C)で形
成した上記緑フィルタ形成用の色フィルタ7gよりも適
宜薄くされた赤フィルタ形成用のレジスト膜7rを形成
する。該レジスト膜7rは透明レジストに赤の染料ある
いは顔料を添加してなるものである。尚、上述のように
赤色フィルタ形成用レジスト膜7rを緑色フィルタ形成
用レジスト膜7gよりも薄く形成するのは、レジストの
光透過率等の関係で赤の画素の感度が緑の画素の感度よ
りも低くなるために、レンズ高さを低くして感度不足を
補償するためである。
【0020】(G)次に、上記赤フィルタ形成用のレジ
スト膜7rを露光、現像によって選択的エッチングする
ことにより、図3(G)に示すように、赤のフィルタを
形成すべき部分のに残存させるようにする。 (H)次に、加熱処理により、上記赤フィルタ形成用レ
ジスト膜7rを図3(H)に示すように、リフローして
レンズ状にすることによりオンチップレンズとしても機
能するようにする。即ち、色フィルタ7rは赤の色フィ
ルタでもありまたオンチップレンズでもある。
スト膜7rを露光、現像によって選択的エッチングする
ことにより、図3(G)に示すように、赤のフィルタを
形成すべき部分のに残存させるようにする。 (H)次に、加熱処理により、上記赤フィルタ形成用レ
ジスト膜7rを図3(H)に示すように、リフローして
レンズ状にすることによりオンチップレンズとしても機
能するようにする。即ち、色フィルタ7rは赤の色フィ
ルタでもありまたオンチップレンズでもある。
【0021】(I)次に、図3(I)に示すように、工
程(F)で形成した上記赤フィルタ形成用の色フィルタ
7rよりも適宜薄くされた青フィルタ形成用のレジスト
膜7bを形成する。該レジスト膜7bは透明レジストに
青の染料あるいは顔料を添加してなるものである。尚、
上述のように青色フィルタ形成用レジスト膜7bを赤色
フィルタ形成用レジスト膜7rよりも薄く形成するの
は、染料あるいは顔料を添加したレジストの光透過率等
の関係で青の画素の感度が赤の画素の感度よりも低くな
ることから、レンズ高さを低くして感度不足を補償する
ためである。
程(F)で形成した上記赤フィルタ形成用の色フィルタ
7rよりも適宜薄くされた青フィルタ形成用のレジスト
膜7bを形成する。該レジスト膜7bは透明レジストに
青の染料あるいは顔料を添加してなるものである。尚、
上述のように青色フィルタ形成用レジスト膜7bを赤色
フィルタ形成用レジスト膜7rよりも薄く形成するの
は、染料あるいは顔料を添加したレジストの光透過率等
の関係で青の画素の感度が赤の画素の感度よりも低くな
ることから、レンズ高さを低くして感度不足を補償する
ためである。
【0022】(J)次に、上記青フィルタ形成用のレジ
スト膜7b を露光、現像によって選択的エッチングする
ことにより、図3(J)に示すように、赤のフィルタを
形成すべき部分のに残存させるようにする。 (K)次に、次に、加熱処理により、上記赤フィルタ形
成用レジスト膜7rを図3(K)に示すように、リフロ
ーしてレンズ状にすることによりオンチップレンズとし
ても機能するようにする。即ち、色フィルタ7bは緑の
色フィルタでもあり、またオンチップレンズでもある。
スト膜7b を露光、現像によって選択的エッチングする
ことにより、図3(J)に示すように、赤のフィルタを
形成すべき部分のに残存させるようにする。 (K)次に、次に、加熱処理により、上記赤フィルタ形
成用レジスト膜7rを図3(K)に示すように、リフロ
ーしてレンズ状にすることによりオンチップレンズとし
ても機能するようにする。即ち、色フィルタ7bは緑の
色フィルタでもあり、またオンチップレンズでもある。
【0023】このような方法によれば、色フィルタ形成
用のレジスト膜7g、7r、7b の厚さを変えることに
より、オンチップレンズの高さを変えて各色間の感度差
の補償をした図1に示すオンチップレンズ付カラー固体
撮像素子を得ることができる。尚、本固体撮像素子は、
色毎に膜厚の異なる色フィルタ4、例えば原色フィルタ
の場合、緑、赤、青の三色分というように必要分を上述
した例の如く厚さを変えて形成し、その後、その表面に
例えば透明レジストからなるレンズ材を塗布形成し、そ
の後、該レンズ材を選択的にエッチングして各レンズ素
子を形成すべき領域を他から分離し、その後、加熱によ
りリフローしてその表面を凸球面状にすることにより集
光機能を持つようにし、その後、該各オンチップレンズ
及び上記フィルタをエッチバックすることによりフィル
タ兼用の高さの異なるオンチップレンズを形成するよう
な方法で製造しても良い。また、上記実施の形態は本発
明を原色フィルタタイプのオンチップレンズ付カラー固
体撮像素子に適用したものであったが、本発明は原色フ
ィルタのみならず補色フィルタのオンチップレンズ付カ
ラー固体撮像素子にも適用できることはいうまでもな
い。
用のレジスト膜7g、7r、7b の厚さを変えることに
より、オンチップレンズの高さを変えて各色間の感度差
の補償をした図1に示すオンチップレンズ付カラー固体
撮像素子を得ることができる。尚、本固体撮像素子は、
色毎に膜厚の異なる色フィルタ4、例えば原色フィルタ
の場合、緑、赤、青の三色分というように必要分を上述
した例の如く厚さを変えて形成し、その後、その表面に
例えば透明レジストからなるレンズ材を塗布形成し、そ
の後、該レンズ材を選択的にエッチングして各レンズ素
子を形成すべき領域を他から分離し、その後、加熱によ
りリフローしてその表面を凸球面状にすることにより集
光機能を持つようにし、その後、該各オンチップレンズ
及び上記フィルタをエッチバックすることによりフィル
タ兼用の高さの異なるオンチップレンズを形成するよう
な方法で製造しても良い。また、上記実施の形態は本発
明を原色フィルタタイプのオンチップレンズ付カラー固
体撮像素子に適用したものであったが、本発明は原色フ
ィルタのみならず補色フィルタのオンチップレンズ付カ
ラー固体撮像素子にも適用できることはいうまでもな
い。
【0024】
【発明の効果】本発明オンチップレンズ付カラー固体撮
像素子によれば、色フィルタとオンチップレンズを別個
に形成するわけではないので、色フィルタの厚さ分オン
チップレンズの高さを低くすることができ、延いては、
全体的に感度を高くすることができるのみならず、製造
工数を少なくでき、延いては、製造コストの低減を図る
ことができるうえに、色フィルタによる各色毎の感度の
違いに応じて感度の低い画素についてはオンチップレン
ズを感度が高くなる高さにし、その逆のときは感度が低
くなる高さにすることにより画素の色間の色フィルタに
よる感度差を是正することができる。
像素子によれば、色フィルタとオンチップレンズを別個
に形成するわけではないので、色フィルタの厚さ分オン
チップレンズの高さを低くすることができ、延いては、
全体的に感度を高くすることができるのみならず、製造
工数を少なくでき、延いては、製造コストの低減を図る
ことができるうえに、色フィルタによる各色毎の感度の
違いに応じて感度の低い画素についてはオンチップレン
ズを感度が高くなる高さにし、その逆のときは感度が低
くなる高さにすることにより画素の色間の色フィルタに
よる感度差を是正することができる。
【図1】本発明の第1の実施の形態を示す断面図であ
る。
る。
【図2】(A)乃至(E)は第1の実施の形態のオンチ
ップレンズ付カラー固体撮像素子の製造方法の工程
(A)乃至(E)を順に示す断面図である。
ップレンズ付カラー固体撮像素子の製造方法の工程
(A)乃至(E)を順に示す断面図である。
【図3】(F)乃至(K)は第1の実施の形態のオンチ
ップレンズ付カラー固体撮像素子の製造方法の工程
(F)乃至(K)を工程順に示す断面図である。
ップレンズ付カラー固体撮像素子の製造方法の工程
(F)乃至(K)を工程順に示す断面図である。
【図4】従来例を示す断面図である。
【図5】(A)乃至(E)は図4に示した従来例の製造
方法を工程順に示す断面図である。
方法を工程順に示す断面図である。
【図6】(A)乃至(C)はオンチップレンズの大き
さ、高さによる集光特性の違いを説明する断面図であ
る。
さ、高さによる集光特性の違いを説明する断面図であ
る。
1 半導体基板 2 受光素子 3 平坦化膜 7r、7g、7b 色フィルタからなるオンチップレン
ズ
ズ
Claims (1)
- 【請求項1】 各画素に対応してその受光素子に集光す
るオンチップレンズを備えたオンチップレンズ付カラー
固体撮像素子において、 上記オンチップレンズが色フィルタにより形成され、 上記色フィルタの各色毎の画素の感度に応じてその画素
のオンチップレンズの高さを異ならせてなることを特徴
とするオンチップレンズ付カラー固体撮像素子
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7329769A JPH09148549A (ja) | 1995-11-25 | 1995-11-25 | オンチップレンズ付カラー固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7329769A JPH09148549A (ja) | 1995-11-25 | 1995-11-25 | オンチップレンズ付カラー固体撮像素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09148549A true JPH09148549A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=18225070
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7329769A Pending JPH09148549A (ja) | 1995-11-25 | 1995-11-25 | オンチップレンズ付カラー固体撮像素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09148549A (ja) |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003332547A (ja) * | 2002-05-16 | 2003-11-21 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2005057024A (ja) * | 2003-08-04 | 2005-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、カメラ |
US6974717B2 (en) | 2002-08-12 | 2005-12-13 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solid state image device and including an optical lens and a microlens |
JP2006066931A (ja) * | 2005-10-14 | 2006-03-09 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2006093456A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置、その製造方法およびカメラ |
JP2007304583A (ja) * | 2006-05-02 | 2007-11-22 | Sharp Corp | 放物線状のフォトレジストプロファイルを生成する、マイクロレンズ形成のためのステップオーバーリソグラフィ |
CN100434970C (zh) * | 2005-06-29 | 2008-11-19 | 乐金显示有限公司 | 显示器件 |
JP2009004550A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Fujifilm Corp | カラー画像撮像用固体撮像素子 |
JP2009194083A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Seiko Instruments Inc | イメージセンサ及びその製造方法 |
US7663682B2 (en) | 2005-09-30 | 2010-02-16 | Fujifilm Corporation | Variable sensitivity imaging device including a voltage applying section, and imaging apparatus including the same |
US7667755B2 (en) | 2005-09-30 | 2010-02-23 | Fujifilm Corporation | Variable sensitivity imaging device including a pulse voltage applying section, and imaging apparatus including the same |
US7683388B2 (en) | 2005-03-01 | 2010-03-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup device with color filter arranged for each color on interlayer lenses |
US8269299B2 (en) | 2009-05-19 | 2012-09-18 | Sony Corporation | Two-dimensional solid-state imaging device |
US8717468B2 (en) | 2008-05-13 | 2014-05-06 | Sony Corporation | Solid-state imaging devices and electronic devices with short wavelength absorption film over higher wavelength photoelectric conversion portion |
US8822896B2 (en) | 2009-12-11 | 2014-09-02 | Sony Corporation | Solid-state imaging element |
-
1995
- 1995-11-25 JP JP7329769A patent/JPH09148549A/ja active Pending
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003332547A (ja) * | 2002-05-16 | 2003-11-21 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
US6974717B2 (en) | 2002-08-12 | 2005-12-13 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solid state image device and including an optical lens and a microlens |
US7531782B2 (en) | 2003-08-04 | 2009-05-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state image sensor having micro-lenses arranged to collect light of which the incidence angle has been moderated by a transparent film disposed thereon |
JP2005057024A (ja) * | 2003-08-04 | 2005-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、カメラ |
US7411180B2 (en) | 2003-08-04 | 2008-08-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid state image sensor with transparent film on micro-lenses and offsetting positions of micro-lenses and color filters from a central portion of a corresponding light receiving area |
US7417214B2 (en) | 2003-08-04 | 2008-08-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid-state image sensor, manufacturing method for solid-state image sensor, and camera having plural color filters and dual transparent film |
US7919743B2 (en) | 2003-08-04 | 2011-04-05 | Panasonic Corporation | Solid-state image sensor, manufacturing method for solid-state image sensor, and camera |
US7456381B2 (en) | 2003-08-04 | 2008-11-25 | Panasonic Corporation | Solid-state image sensor, manufacturing method for solid-state image sensor, and camera having an offsetting arrangement between light receiving elements and micro-lenses |
US7459665B2 (en) | 2003-08-04 | 2008-12-02 | Panasonic Corporation | Solid-state image sensor with transparent film on micro-lenses by which oblique light is refracted towards light receiving elements |
JP2006093456A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置、その製造方法およびカメラ |
JP4546797B2 (ja) * | 2004-09-24 | 2010-09-15 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置、その製造方法およびカメラ |
US7683388B2 (en) | 2005-03-01 | 2010-03-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup device with color filter arranged for each color on interlayer lenses |
US7864422B2 (en) | 2005-06-29 | 2011-01-04 | Lg Display Co., Ltd. | Display device |
CN100434970C (zh) * | 2005-06-29 | 2008-11-19 | 乐金显示有限公司 | 显示器件 |
US7974007B2 (en) | 2005-06-29 | 2011-07-05 | Lg Display Co. Ltd. | Display device |
US7663682B2 (en) | 2005-09-30 | 2010-02-16 | Fujifilm Corporation | Variable sensitivity imaging device including a voltage applying section, and imaging apparatus including the same |
US7667755B2 (en) | 2005-09-30 | 2010-02-23 | Fujifilm Corporation | Variable sensitivity imaging device including a pulse voltage applying section, and imaging apparatus including the same |
JP2006066931A (ja) * | 2005-10-14 | 2006-03-09 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2007304583A (ja) * | 2006-05-02 | 2007-11-22 | Sharp Corp | 放物線状のフォトレジストプロファイルを生成する、マイクロレンズ形成のためのステップオーバーリソグラフィ |
JP2009004550A (ja) * | 2007-06-21 | 2009-01-08 | Fujifilm Corp | カラー画像撮像用固体撮像素子 |
JP4677425B2 (ja) * | 2007-06-21 | 2011-04-27 | 富士フイルム株式会社 | カラー画像撮像用固体撮像素子 |
JP2009194083A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Seiko Instruments Inc | イメージセンサ及びその製造方法 |
US8717468B2 (en) | 2008-05-13 | 2014-05-06 | Sony Corporation | Solid-state imaging devices and electronic devices with short wavelength absorption film over higher wavelength photoelectric conversion portion |
US8569855B2 (en) | 2009-05-19 | 2013-10-29 | Sony Corporation | Two-dimensional solid-state imaging device |
US8269299B2 (en) | 2009-05-19 | 2012-09-18 | Sony Corporation | Two-dimensional solid-state imaging device |
US8822896B2 (en) | 2009-12-11 | 2014-09-02 | Sony Corporation | Solid-state imaging element |
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