JPH09148469A - 光学的窓を備えたハーメチックパッケージおよびその方法 - Google Patents
光学的窓を備えたハーメチックパッケージおよびその方法Info
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- JPH09148469A JPH09148469A JP30017095A JP30017095A JPH09148469A JP H09148469 A JPH09148469 A JP H09148469A JP 30017095 A JP30017095 A JP 30017095A JP 30017095 A JP30017095 A JP 30017095A JP H09148469 A JPH09148469 A JP H09148469A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光学的ガラス窓（２３）が低温度でハウジン
グ（２０）に固定される半導体パッケージおよびそれを
作る方法。 【解決手段】 光学的ガラス窓（２３）はエッチングさ
れ、金属層（２６）がエッチングした表面に形成され
る。金属層は金属フレーム（２１）にシールされ、そし
てそのフレームがハウジング（２０）にシールされ、ま
たは付着した金属層（２６）が直接ハウジング（２０）
にシールされる。
グ（２０）に固定される半導体パッケージおよびそれを
作る方法。 【解決手段】 光学的ガラス窓（２３）はエッチングさ
れ、金属層（２６）がエッチングした表面に形成され
る。金属層は金属フレーム（２１）にシールされ、そし
てそのフレームがハウジング（２０）にシールされ、ま
たは付着した金属層（２６）が直接ハウジング（２０）
にシールされる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はハーメチックシール
半導体パッケージに関し、さらに詳細には、蓋組立体に
光学的性質のガラス窓および温度感知半導体光学素子を
備えたハーメチックシール半導体パッケージに関する。
半導体パッケージに関し、さらに詳細には、蓋組立体に
光学的性質のガラス窓および温度感知半導体光学素子を
備えたハーメチックシール半導体パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】過去においては、ガラス製光学的窓を利
用する温度感知半導体パッケージのハーメチックシール
は、パッケージハウジングに対しガラスを高温で熔融さ
せることを必要としていた。シール方法において、ガラ
スフリットをパッケージすなわちガラスに付着させ、そ
してガラス窓がガラスフリットを介してパッケージに融
着される。
用する温度感知半導体パッケージのハーメチックシール
は、パッケージハウジングに対しガラスを高温で熔融さ
せることを必要としていた。シール方法において、ガラ
スフリットをパッケージすなわちガラスに付着させ、そ
してガラス窓がガラスフリットを介してパッケージに融
着される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ガラスフリットにガラ
スを融着させるために必要となる高温が原因で、ガラス
窓の光学的性質が低下する。また高温が要求されるため
に、半導体チップの品質低下または破壊が発生する。従
来の方法は素子の蓋部の円形窓を利用している。
スを融着させるために必要となる高温が原因で、ガラス
窓の光学的性質が低下する。また高温が要求されるため
に、半導体チップの品質低下または破壊が発生する。従
来の方法は素子の蓋部の円形窓を利用している。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は低温で封止でき
る光学的性質のガラス窓を備えたハーメチックシール半
導体パッケージ、および光学的性質のガラス窓を備えた
パッケージを作る方法に関する。
る光学的性質のガラス窓を備えたハーメチックシール半
導体パッケージ、および光学的性質のガラス窓を備えた
パッケージを作る方法に関する。
【０００５】光学的性質のガラス窓を有する半導体素子
パッケージを作る方法は、光学的性質のガラスを研磨す
る段階と、次にガラス表面の決められた範囲をエッチン
グする段階とを包含する。このエッチングされた範囲上
に、金属層が付着される。次に、この金属層は金属フレ
ームにシールされ、また金属フレームはハウジングに封
止される。
パッケージを作る方法は、光学的性質のガラスを研磨す
る段階と、次にガラス表面の決められた範囲をエッチン
グする段階とを包含する。このエッチングされた範囲上
に、金属層が付着される。次に、この金属層は金属フレ
ームにシールされ、また金属フレームはハウジングに封
止される。
【０００６】本発明の技術的進歩およびその目的は、付
随の図面に関連する本発明の好適実施例についての以下
の説明および特許請求の範囲に定められた新規の特徴か
ら自明となるであろう。
随の図面に関連する本発明の好適実施例についての以下
の説明および特許請求の範囲に定められた新規の特徴か
ら自明となるであろう。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１および図２は半導体パッケー
ジにガラス窓を封止した従来の展開図および方法の段階
を示す。図１および図２を参照すると、ステップ１５で
半導体パッケージ１３を被覆するセラミックまたは金属
蓋１１上にガラス１０が置かれる。ガラス蓋組立体９
は、ステップ１６の高温処理中に燃焼または熔融され、
ガラス１０を蓋１１中に密封（ヘーメチックシール）す
る。次に、ガラスフリット未加工体１２がガラス蓋組立
体９およびパッケージ１３間に置かれる。それ故、ガラ
ス蓋組立体９、ガラスフリット未加工体１２およびパッ
ケージ１３は、ステップ１８の高温燃焼工程によって、
蓋９とパッケージ１３間で密封熔融封止される。燃焼工
程１６、１７および１８は４００℃以上の温度である。
これらの高温はパッケージ中の半導体素子にダメージを
発生させ、ガラス窓の光学的性質を低下させる。
ジにガラス窓を封止した従来の展開図および方法の段階
を示す。図１および図２を参照すると、ステップ１５で
半導体パッケージ１３を被覆するセラミックまたは金属
蓋１１上にガラス１０が置かれる。ガラス蓋組立体９
は、ステップ１６の高温処理中に燃焼または熔融され、
ガラス１０を蓋１１中に密封（ヘーメチックシール）す
る。次に、ガラスフリット未加工体１２がガラス蓋組立
体９およびパッケージ１３間に置かれる。それ故、ガラ
ス蓋組立体９、ガラスフリット未加工体１２およびパッ
ケージ１３は、ステップ１８の高温燃焼工程によって、
蓋９とパッケージ１３間で密封熔融封止される。燃焼工
程１６、１７および１８は４００℃以上の温度である。
これらの高温はパッケージ中の半導体素子にダメージを
発生させ、ガラス窓の光学的性質を低下させる。
【０００８】図３ａは本発明に従う光学的窓パッケージ
の展開図であり、図３ｂは金属化表面２６を備えた光学
的ガラス２３の背面側を示し、図４はパッケージング処
理に使用される処理段階を示す。このパッケージング処
理は半導体素子がマウントされる金属またはセラミック
パッケージ２０を有する。もしパッケージ２０がセラミ
ックの場合、それはハーメチックシール処理のための金
属製シールリング２１を有する。金属またはセラミック
パッケージ２０は、ガラス蓋組立体に良く適合する熱膨
張係数を有していなければならない。金属材料の例はコ
バル（ニッケル／鉄／コバルト）または合金４２（ニッ
ケル／鉄）であり、セラミック材料の例はアルミナ酸化
物（Ａｌ2 Ｏ3 ）またはアルミナ窒化物（ＡｌＮ）であ
る。
の展開図であり、図３ｂは金属化表面２６を備えた光学
的ガラス２３の背面側を示し、図４はパッケージング処
理に使用される処理段階を示す。このパッケージング処
理は半導体素子がマウントされる金属またはセラミック
パッケージ２０を有する。もしパッケージ２０がセラミ
ックの場合、それはハーメチックシール処理のための金
属製シールリング２１を有する。金属またはセラミック
パッケージ２０は、ガラス蓋組立体に良く適合する熱膨
張係数を有していなければならない。金属材料の例はコ
バル（ニッケル／鉄／コバルト）または合金４２（ニッ
ケル／鉄）であり、セラミック材料の例はアルミナ酸化
物（Ａｌ2 Ｏ3 ）またはアルミナ窒化物（ＡｌＮ）であ
る。
【０００９】基本処理工程は、ガラスを研磨し（ステッ
プ３０）、研磨したガラス２３上に金属パターン２６を
付着させ（ステップ３１）、これによって蓋組立体が提
供される（ステップ３２）。蓋組立体は次に半田未加工
体２２によってベース金属フレーム２１にシールされ
（ステップ３３）、次に蓋／金属フレームがパッケージ
２０に封止される（ステップ３４）。
プ３０）、研磨したガラス２３上に金属パターン２６を
付着させ（ステップ３１）、これによって蓋組立体が提
供される（ステップ３２）。蓋組立体は次に半田未加工
体２２によってベース金属フレーム２１にシールされ
（ステップ３３）、次に蓋／金属フレームがパッケージ
２０に封止される（ステップ３４）。
【００１０】蓋組立体は金属フレーム２１、半田未加工
体２２および半田接合できる光学的ガラス２３から成
る。半田接合できる光学的ガラスは、良好な光学的性質
を有する研磨ガラス片および金属フレーム２１に密接に
適合するＣＴＥである。例えば、それはショットＺＫＮ
７ガラスまたは類似のガラスである。
体２２および半田接合できる光学的ガラス２３から成
る。半田接合できる光学的ガラスは、良好な光学的性質
を有する研磨ガラス片および金属フレーム２１に密接に
適合するＣＴＥである。例えば、それはショットＺＫＮ
７ガラスまたは類似のガラスである。
【００１１】図３ｂに示す光学的ガラス２３は、その底
面に付着された金属パターン２６を有し、その中央部す
なわち開口部２５は金属化されない光学的窓を成してい
る。例えば、Ｃｒ，ＮｉおよびＡｕから成る金属化層２
６は、従来のメッキ処理、例えば、エンハンストイオン
プレーティング（ＥＩＰ）３１、または他の適当な金属
化技術によって、付着される。イオンメッキ（イオンプ
レーティング）処理は、通常、熱蒸発源を備え、高いエ
ネルギのガラス粒子ボンバードメントによる真空付着で
ある。従来のイオンプレーティングシステムは、通常、
直流電流（ＤＣ）バイアス電位（−２から−５ｋＶ）ま
たは無線周波数ＲＦバイアスと５から２００mtorr の圧
力の不活性ガス（典型的にはアルゴンＡｒ）を包含す
る。ＥＩＰ処理は、ＲＦバイアスと、ある場合には、イ
オン化源として磁界、そして負の直流バイアスの付与を
使用する。Ａｒがイオンボンバードメントの増加のため
にしばしば使用されるが、金属蒸気自体は、（約１ｘ１
０-4ｔｏｒｒ）の低圧で、Ａｒプラズマを使用せずにイ
オン化される。ガラスはバイアスされ、したがって低圧
電荷の陰極となり、プラズマすなわちイオンで補助され
た付着を生ずる。イオン化されると、蒸気粒子はガラス
の方向に加速され、熱的なところから数百電子ボルトの
範囲のエネルギで衝突する。ＥＩＰのようなイオンプレ
ーティング処理を使用する利点は、イオン化蒸気の高い
到着エネルギによって得られる接着力の増加である。ガ
ラスに対する金属化層の接着力の増加は強固なハーメチ
ック半田接合を提供する。
面に付着された金属パターン２６を有し、その中央部す
なわち開口部２５は金属化されない光学的窓を成してい
る。例えば、Ｃｒ，ＮｉおよびＡｕから成る金属化層２
６は、従来のメッキ処理、例えば、エンハンストイオン
プレーティング（ＥＩＰ）３１、または他の適当な金属
化技術によって、付着される。イオンメッキ（イオンプ
レーティング）処理は、通常、熱蒸発源を備え、高いエ
ネルギのガラス粒子ボンバードメントによる真空付着で
ある。従来のイオンプレーティングシステムは、通常、
直流電流（ＤＣ）バイアス電位（−２から−５ｋＶ）ま
たは無線周波数ＲＦバイアスと５から２００mtorr の圧
力の不活性ガス（典型的にはアルゴンＡｒ）を包含す
る。ＥＩＰ処理は、ＲＦバイアスと、ある場合には、イ
オン化源として磁界、そして負の直流バイアスの付与を
使用する。Ａｒがイオンボンバードメントの増加のため
にしばしば使用されるが、金属蒸気自体は、（約１ｘ１
０-4ｔｏｒｒ）の低圧で、Ａｒプラズマを使用せずにイ
オン化される。ガラスはバイアスされ、したがって低圧
電荷の陰極となり、プラズマすなわちイオンで補助され
た付着を生ずる。イオン化されると、蒸気粒子はガラス
の方向に加速され、熱的なところから数百電子ボルトの
範囲のエネルギで衝突する。ＥＩＰのようなイオンプレ
ーティング処理を使用する利点は、イオン化蒸気の高い
到着エネルギによって得られる接着力の増加である。ガ
ラスに対する金属化層の接着力の増加は強固なハーメチ
ック半田接合を提供する。
【００１２】電気メッキ、スパッタリング、または蒸発
のような他の金属化技術が、半田接合可能な金属化層２
６を形成するために使用されても良い。しかしながら、
ＥＩＰは、他の技術よりも、低温、低金属化応力、優れ
た接着性、厚みの均一性および複雑性と変動性を低減し
た処理法を含む利点を備えていることが示された。ＥＩ
Ｐの他の利点は、細かい線寸法（サイズ、公差）を与え
る金属化層を形成することによって、光学素子用の臨界
開口寸法が得られることである。
のような他の金属化技術が、半田接合可能な金属化層２
６を形成するために使用されても良い。しかしながら、
ＥＩＰは、他の技術よりも、低温、低金属化応力、優れ
た接着性、厚みの均一性および複雑性と変動性を低減し
た処理法を含む利点を備えていることが示された。ＥＩ
Ｐの他の利点は、細かい線寸法（サイズ、公差）を与え
る金属化層を形成することによって、光学素子用の臨界
開口寸法が得られることである。
【００１３】半田未加工体２２は、例えば８０％金と２
０％スズの未加工体または他の類似の比率、例えば７０
％から９０％の金と３０から１０％のスズの未加工体で
ある。例えば、０．０５ｍｍ（０．００２インチ）厚の
未加工体が、赤外線真空再流加熱処理３３によって、金
属化光学的ガラスと金属フレーム２１間に密閉半田を形
成するように利用される。赤外線真空再流加熱処理は、
得られるピーク温度をゆっくりと増減させることによっ
て、光学的ガラスと半田接合中に現れる応力を最小にす
るという利点を有している。従来のベルト式炉に比較し
て、赤外線真空再流のもう１つの利点は、ハーメチック
半田接合中の空隙を最小にできることである。それ故、
半田接合の密封性を最大化できる。
０％スズの未加工体または他の類似の比率、例えば７０
％から９０％の金と３０から１０％のスズの未加工体で
ある。例えば、０．０５ｍｍ（０．００２インチ）厚の
未加工体が、赤外線真空再流加熱処理３３によって、金
属化光学的ガラスと金属フレーム２１間に密閉半田を形
成するように利用される。赤外線真空再流加熱処理は、
得られるピーク温度をゆっくりと増減させることによっ
て、光学的ガラスと半田接合中に現れる応力を最小にす
るという利点を有している。従来のベルト式炉に比較し
て、赤外線真空再流のもう１つの利点は、ハーメチック
半田接合中の空隙を最小にできることである。それ故、
半田接合の密封性を最大化できる。
【００１４】金属化被服２６を備えた光学的ガラスおよ
び金属フレームから成る蓋組立体は、次に局部的すなわ
ち低温ハーメチックシール処理３４によってハウジング
２０に取り付けられる。局部的低温ハーメチックシール
の１つの方法はＮＤＹａｇレーザシールシステムであ
る。蓋組立体はハウジング上の金属シールリングと整列
され、端部−端部ハーメチックシール溶接が成される。
レーザはベース金属に高温の熔融点源を発生させるが、
感熱光学的素子の温度は、金属からの熱放散によって、
雰囲気以上には上がらない。蓋組立体のハウジングへの
ハーメチックシールの他の方法は、シーム溶接またはプ
ロジェクション溶接である。
び金属フレームから成る蓋組立体は、次に局部的すなわ
ち低温ハーメチックシール処理３４によってハウジング
２０に取り付けられる。局部的低温ハーメチックシール
の１つの方法はＮＤＹａｇレーザシールシステムであ
る。蓋組立体はハウジング上の金属シールリングと整列
され、端部−端部ハーメチックシール溶接が成される。
レーザはベース金属に高温の熔融点源を発生させるが、
感熱光学的素子の温度は、金属からの熱放散によって、
雰囲気以上には上がらない。蓋組立体のハウジングへの
ハーメチックシールの他の方法は、シーム溶接またはプ
ロジェクション溶接である。
【００１５】図５は金属フレームが使用されない第２の
実施例を示す。研磨した光学的ガラス（ステップ４０）
が使用される。光学的ガラスのエッチ領域が金属化され
（ステップ４１）、そして光学的ガラスのエッチされな
い領域が開口（図３の開口２３）を定めている。金属化
パターンを備えた光学的ガラスが蓋組立体を形成する
（ステップ４２）。蓋組立体が真空再流処理（ステップ
４３）によってハウジングにシールされるので、半田未
加工体はこの実施例では使用されない。光学的ガラス上
に付着させた金属範囲をハウジングにシールするこの処
理は、図４の処理３４以上の高温を必要とし、そしてこ
のパッケージに使用できる半導体素子のタイプに或る制
限を与えてしまう。もし加熱が制限とならなければ、こ
の方法は低コストおよび少ない処理段階と言う利点を有
している。
実施例を示す。研磨した光学的ガラス（ステップ４０）
が使用される。光学的ガラスのエッチ領域が金属化され
（ステップ４１）、そして光学的ガラスのエッチされな
い領域が開口（図３の開口２３）を定めている。金属化
パターンを備えた光学的ガラスが蓋組立体を形成する
（ステップ４２）。蓋組立体が真空再流処理（ステップ
４３）によってハウジングにシールされるので、半田未
加工体はこの実施例では使用されない。光学的ガラス上
に付着させた金属範囲をハウジングにシールするこの処
理は、図４の処理３４以上の高温を必要とし、そしてこ
のパッケージに使用できる半導体素子のタイプに或る制
限を与えてしまう。もし加熱が制限とならなければ、こ
の方法は低コストおよび少ない処理段階と言う利点を有
している。
【００１６】図６は図３の組み立てられた素子を示す。
光学的開口２５を備えた光学的ガラス２３の蓋がパッケ
ージ２０にシールされる。パッケージ２０は、少なくと
も２つの側面から伸びた複数のリード２０ａを有してい
る。金属フレーム２１はガラス２３とパッケージ２０間
にシールされていることを示す。
光学的開口２５を備えた光学的ガラス２３の蓋がパッケ
ージ２０にシールされる。パッケージ２０は、少なくと
も２つの側面から伸びた複数のリード２０ａを有してい
る。金属フレーム２１はガラス２３とパッケージ２０間
にシールされていることを示す。
【００１７】以上の説明に関して以下の項を開示する。 （１）光学的性質の窓を有する半導体素子パッケージを
作る方法であって、光学的性質のガラスを提供する段
階、このガラスの１つの表面上の定められた範囲をパタ
ーン化する段階、このガラスのパターン化された表面上
に金属層を付着する段階、この金属層を金属フレームに
シールする段階、およびこの金属フレームをハウジング
にシールする段階を有する前記の方法。 （２）付着した金属層が半田未加工体によって金属フレ
ームにシールされる、（１）項記載の方法。 （３）金属フレームが局部加熱によって金属ハウジング
にシールされる、（１）項記載の方法。 （４）金属フレームが真空再流によって金属ハウジング
にシールされる、（１）項記載の方法。 （５）付着した金属層がＣｒ，ＮｉおよびＡｕから成る
グループから選択される、（１）項記載の方法。 （６）付着した金属層が金属のイオンメッキ層である、
（１）項記載の方法。 （７）光学的性質の窓を有する半導体素子パッケージを
作る方法であって、光学的性質のガラスを研磨する段
階、このガラスの１つの表面上の定められた範囲をエッ
チングする段階、このガラスのエッチングされた表面上
に金属層を付着する段階、この金属層を金属フレームに
シールする段階、およびこの金属フレームをハウジング
にシールする段階を有する前記の方法。 （８）付着した金属層が半田未加工体によって金属フレ
ームにシールされる、（７）項記載の方法。 （９）金属フレームが局部加熱によって金属ハウジング
にシールされる、（７）項記載の方法。 （１０）金属フレームが真空再流によって金属ハウジン
グにシールされる、（７）項記載の方法。 （１１）付着した金属層がＣｒ，ＮｉおよびＡｕの内の
１つである、（７）項記載の方法。 （１２）付着した金属層がイオンメッキ層である、
（７）項記載の方法。 （１３）光学的性質の窓を有する半導体パッケージであ
って、ハウジング、および前記ハウジングにシールされ
る金属化パターンがその上にメッキされた光学的ガラス
を有し、この光学的ガラスと前記ハウジング間をハーメ
チックシールしている、前記の半導体パッケージ。 （１４）前記光学的ガラスと前記ハウジング間に金属フ
レームを有する、（１３）項記載の半導体パッケージ。 （１５）前記金属フレームとハウジングがベース金属で
ある、（１４）項記載の半導体パッケージ。 （１６）光学的性質の窓を有する半導体パッケージであ
って、ハウジング、その上に金属化パターンを有する光
学的ガラス、およびこの光学的ガラス上の前記金属化パ
ターンおよび前記ハウジングに取り付けられ、金属フレ
ームと光学的ガラスおよび前記金属フレームと前記ハウ
ジング間にハーメチックシールを提供する、金属フレー
ムを有する前記の半導体パッケージ。 （１７）前記金属フレームとハウジングがベース金属で
ある、（１６）項記載の半導体パッケージ。 （１８）パッケージベースに固定されるパッケージの蓋
にある光学的性質の窓を有する半導体パッケージを作る
方法であって、光学的性質のガラス窓を研磨する段階、
前記ガラス窓に金属パターンをメッキする段階、この金
属パターンを低い温度でパッケージベースにハーメチッ
クシールする段階を有する前記の方法。 （１９）メッキ段階がイオンメッキ処理によって達成さ
れる、（１８）項記載の方法。 （２０）メッキされたガラス窓がベース金属フレームに
シールされ、そしてベース金属フレームがパッケージベ
ースにシールされる、（１８）項記載の方法。 （２１）光学的ガラス窓２３が低温度でハウジング２０
に固定される半導体パッケージおよびそれを作る方法。
光学的ガラス窓２３はエッチングされ、金属層２６がエ
ッチングした表面に形成される。金属層は金属フレーム
２１にシールされ、そしてそのフレームがハウジング２
０にシールされ、または付着した金属層２６が直接ハウ
ジング２０にシールされる。
作る方法であって、光学的性質のガラスを提供する段
階、このガラスの１つの表面上の定められた範囲をパタ
ーン化する段階、このガラスのパターン化された表面上
に金属層を付着する段階、この金属層を金属フレームに
シールする段階、およびこの金属フレームをハウジング
にシールする段階を有する前記の方法。 （２）付着した金属層が半田未加工体によって金属フレ
ームにシールされる、（１）項記載の方法。 （３）金属フレームが局部加熱によって金属ハウジング
にシールされる、（１）項記載の方法。 （４）金属フレームが真空再流によって金属ハウジング
にシールされる、（１）項記載の方法。 （５）付着した金属層がＣｒ，ＮｉおよびＡｕから成る
グループから選択される、（１）項記載の方法。 （６）付着した金属層が金属のイオンメッキ層である、
（１）項記載の方法。 （７）光学的性質の窓を有する半導体素子パッケージを
作る方法であって、光学的性質のガラスを研磨する段
階、このガラスの１つの表面上の定められた範囲をエッ
チングする段階、このガラスのエッチングされた表面上
に金属層を付着する段階、この金属層を金属フレームに
シールする段階、およびこの金属フレームをハウジング
にシールする段階を有する前記の方法。 （８）付着した金属層が半田未加工体によって金属フレ
ームにシールされる、（７）項記載の方法。 （９）金属フレームが局部加熱によって金属ハウジング
にシールされる、（７）項記載の方法。 （１０）金属フレームが真空再流によって金属ハウジン
グにシールされる、（７）項記載の方法。 （１１）付着した金属層がＣｒ，ＮｉおよびＡｕの内の
１つである、（７）項記載の方法。 （１２）付着した金属層がイオンメッキ層である、
（７）項記載の方法。 （１３）光学的性質の窓を有する半導体パッケージであ
って、ハウジング、および前記ハウジングにシールされ
る金属化パターンがその上にメッキされた光学的ガラス
を有し、この光学的ガラスと前記ハウジング間をハーメ
チックシールしている、前記の半導体パッケージ。 （１４）前記光学的ガラスと前記ハウジング間に金属フ
レームを有する、（１３）項記載の半導体パッケージ。 （１５）前記金属フレームとハウジングがベース金属で
ある、（１４）項記載の半導体パッケージ。 （１６）光学的性質の窓を有する半導体パッケージであ
って、ハウジング、その上に金属化パターンを有する光
学的ガラス、およびこの光学的ガラス上の前記金属化パ
ターンおよび前記ハウジングに取り付けられ、金属フレ
ームと光学的ガラスおよび前記金属フレームと前記ハウ
ジング間にハーメチックシールを提供する、金属フレー
ムを有する前記の半導体パッケージ。 （１７）前記金属フレームとハウジングがベース金属で
ある、（１６）項記載の半導体パッケージ。 （１８）パッケージベースに固定されるパッケージの蓋
にある光学的性質の窓を有する半導体パッケージを作る
方法であって、光学的性質のガラス窓を研磨する段階、
前記ガラス窓に金属パターンをメッキする段階、この金
属パターンを低い温度でパッケージベースにハーメチッ
クシールする段階を有する前記の方法。 （１９）メッキ段階がイオンメッキ処理によって達成さ
れる、（１８）項記載の方法。 （２０）メッキされたガラス窓がベース金属フレームに
シールされ、そしてベース金属フレームがパッケージベ
ースにシールされる、（１８）項記載の方法。 （２１）光学的ガラス窓２３が低温度でハウジング２０
に固定される半導体パッケージおよびそれを作る方法。
光学的ガラス窓２３はエッチングされ、金属層２６がエ
ッチングした表面に形成される。金属層は金属フレーム
２１にシールされ、そしてそのフレームがハウジング２
０にシールされ、または付着した金属層２６が直接ハウ
ジング２０にシールされる。
【図１】高温ガラスフリットを利用する半導体パッケー
ジに非光学的性質の窓を提供している従来技術の素子の
展開図。
ジに非光学的性質の窓を提供している従来技術の素子の
展開図。
【図２】高温ガラスフリットを利用した半導体パッケー
ジに非光学的性質の窓を提供する従来技術の方法のステ
ップを示す図。
ジに非光学的性質の窓を提供する従来技術の方法のステ
ップを示す図。
【図３】ａは本発明の１つの実施例に従う光学的ガラス
の蓋組立体を備えた半導体パッケージの展開図。ｂは光
学ガラス上の金属化層を示す図。
の蓋組立体を備えた半導体パッケージの展開図。ｂは光
学ガラス上の金属化層を示す図。
【図４】半導体パッケージに光学的性質の蓋組立体およ
びシール処理を提供する本発明の方法のステップを示す
図。
びシール処理を提供する本発明の方法のステップを示す
図。
【図５】本発明の別の実施例を示す図。
【図６】図３ａに示す本発明に従って作られた光学的性
質の窓を有する組み立てられた素子を示す図。
質の窓を有する組み立てられた素子を示す図。
２０ ハウジング ２１ 金属フレーム ２３ 光学的ガラス ２５ 開口 ２６ 金属層
Claims (2)
- 【請求項１】光学的性質の窓を有する半導体素子パッケ
ージを作る方法であって、 光学的性質のガラスを提供する段階、 このガラスの１つの表面上の定められた範囲をパターン
化する段階、 このガラスのパターン化された表面上に金属層を付着す
る段階、 この金属層を金属フレームにシールする段階、およびこ
の金属フレームをハウジングにシールする段階を有する
前記の方法。 - 【請求項２】光学的性質の窓を有する半導体素子パッケ
ージを作る方法であって、 光学的性質のガラスを研磨する段階、 このガラスの１つの表面上の定められた範囲をエッチン
グする段階、 このガラスのエッチングされた表面上に金属層を付着す
る段階、 この金属層を金属フレームにシールする段階、およびこ
の金属フレームをハウジングにシールする段階を有する
前記の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30017095A JPH09148469A (ja) | 1995-11-17 | 1995-11-17 | 光学的窓を備えたハーメチックパッケージおよびその方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30017095A JPH09148469A (ja) | 1995-11-17 | 1995-11-17 | 光学的窓を備えたハーメチックパッケージおよびその方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09148469A true JPH09148469A (ja) | 1997-06-06 |
Family
ID=17881594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30017095A Pending JPH09148469A (ja) | 1995-11-17 | 1995-11-17 | 光学的窓を備えたハーメチックパッケージおよびその方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09148469A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005086229A1 (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Neomax Materials Co., Ltd. | 光透過用窓部材、光透過用窓部材を備えた半導体パッケージおよび光透過用窓部材の製造方法 |
| US10007137B2 (en) | 2015-04-17 | 2018-06-26 | Fujikura Ltd. | Optical device package |
| US10254537B2 (en) | 2016-01-14 | 2019-04-09 | Fujikura Ltd. | Optical device and method of producing same |
-
1995
- 1995-11-17 JP JP30017095A patent/JPH09148469A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005086229A1 (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Neomax Materials Co., Ltd. | 光透過用窓部材、光透過用窓部材を備えた半導体パッケージおよび光透過用窓部材の製造方法 |
| US10007137B2 (en) | 2015-04-17 | 2018-06-26 | Fujikura Ltd. | Optical device package |
| US10254537B2 (en) | 2016-01-14 | 2019-04-09 | Fujikura Ltd. | Optical device and method of producing same |
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