JPH09139451A - 放熱フィン付半導体装置およびその実装方法ならびに取り外し方法 - Google Patents
放熱フィン付半導体装置およびその実装方法ならびに取り外し方法Info
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- JPH09139451A JPH09139451A JP29636495A JP29636495A JPH09139451A JP H09139451 A JPH09139451 A JP H09139451A JP 29636495 A JP29636495 A JP 29636495A JP 29636495 A JP29636495 A JP 29636495A JP H09139451 A JPH09139451 A JP H09139451A
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Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 実装の信頼性が高くかつ実装作業時間および
取り外し作業時間の短縮化が図れる放熱フィン付半導体
装置を提供する。 【解決手段】 一面に実装用バンプ電極を有し他面にＬ
ＳＩチップを取り付けた両面配線基板（ベース）と、前
記ＬＳＩチップに直接または熱伝導体を介して接触する
放熱フィンと、前記放熱フィンを前記両面配線基板に着
脱自在に固定する固定手段とを有する。前記ベースに補
強体が固定され、この補強体に前記放熱フィンが前記固
定手段によって固定されている。前記固定手段はネジ構
造となり、前記補強体に放熱フィンがネジによって固定
されている。
取り外し作業時間の短縮化が図れる放熱フィン付半導体
装置を提供する。 【解決手段】 一面に実装用バンプ電極を有し他面にＬ
ＳＩチップを取り付けた両面配線基板（ベース）と、前
記ＬＳＩチップに直接または熱伝導体を介して接触する
放熱フィンと、前記放熱フィンを前記両面配線基板に着
脱自在に固定する固定手段とを有する。前記ベースに補
強体が固定され、この補強体に前記放熱フィンが前記固
定手段によって固定されている。前記固定手段はネジ構
造となり、前記補強体に放熱フィンがネジによって固定
されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は放熱フィン付半導体
装置およびその実装方法ならびに取り外し方法に関し、
特に両面配線基板からなるベースの一面に実装用バンプ
電極を有し、他面に半導体チップおよび放熱フィンを取
り付けてなる消費電力の大きい半導体装置に適用して有
効な技術に関する。
装置およびその実装方法ならびに取り外し方法に関し、
特に両面配線基板からなるベースの一面に実装用バンプ
電極を有し、他面に半導体チップおよび放熱フィンを取
り付けてなる消費電力の大きい半導体装置に適用して有
効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置（半導体集積回路装置）の一
つとして、両面配線基板からなるベースの一面に実装用
バンプ電極を有し、他面に放熱フィンを取り付けてなる
高放熱タイプのボールグリッドアレー（ＢＧＡ）が知ら
れている。
つとして、両面配線基板からなるベースの一面に実装用
バンプ電極を有し、他面に放熱フィンを取り付けてなる
高放熱タイプのボールグリッドアレー（ＢＧＡ）が知ら
れている。
【０００３】ＢＧＡについては、日経ＢＰ社発行「日経
エレクトロニクス」1994年２月28日号、P114に記載され
ている。この文献には、プリント基板に固定されたヒー
トスプレッダにＬＳＩチップを固定し、さらに前記ＬＳ
Ｉチップが固定されないヒートスプレッダ面に放熱フィ
ンを固定して放熱を図る構造が記載されている。
エレクトロニクス」1994年２月28日号、P114に記載され
ている。この文献には、プリント基板に固定されたヒー
トスプレッダにＬＳＩチップを固定し、さらに前記ＬＳ
Ｉチップが固定されないヒートスプレッダ面に放熱フィ
ンを固定して放熱を図る構造が記載されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来のＢ
ＧＡでは、以下に記すような問題があることが本発明者
によってあきらかにされた。
ＧＡでは、以下に記すような問題があることが本発明者
によってあきらかにされた。
【０００５】すなわち、従来のＢＧＡにおいては、放熱
フィンはヒートスプレッダに接着剤で固定されているた
め取り外すことができない。従ってプリント基板，ヒー
トスプレッダ，放熱フィン等の一体となる部分の熱容量
が増大し、ＢＧＡを実装基板に搭載する際、プリント基
板の一面に設けられた実装用バンプ電極の温度が充分に
上がらず、半田濡れ不足による接続不良が発生し易くな
る。
フィンはヒートスプレッダに接着剤で固定されているた
め取り外すことができない。従ってプリント基板，ヒー
トスプレッダ，放熱フィン等の一体となる部分の熱容量
が増大し、ＢＧＡを実装基板に搭載する際、プリント基
板の一面に設けられた実装用バンプ電極の温度が充分に
上がらず、半田濡れ不足による接続不良が発生し易くな
る。
【０００６】また、ＢＧＡの実装後、リペアのためにＢ
ＧＡを実装基板から取り外す際にも、プリント基板，ヒ
ートスプレッダ，放熱フィン等の一体となる部分の熱容
量が大きいため、半田が溶け難く、ＢＧＡを短時間に取
り外せなくなる。
ＧＡを実装基板から取り外す際にも、プリント基板，ヒ
ートスプレッダ，放熱フィン等の一体となる部分の熱容
量が大きいため、半田が溶け難く、ＢＧＡを短時間に取
り外せなくなる。
【０００７】一方、プリント基板（ベース）に素子面を
対向させてＬＳＩチップを搭載した構造では、プリント
基板とＬＳＩチップの熱膨張係数が、たとえば、１６×
１０~6／°Ｃ、３．５×１０~6／°Ｃとなり、その差が
大きく、反りが発生し易くなる。表面実装の場合、プリ
ント基板（ベース）の反りが大きくなると、実装用バン
プ電極の高さが場所によって変わり、実装基板のランド
に実装用バンプ電極を接続した場合、場所によっては実
装用バンプ電極がランドに接触できず接続不良が発生
し、信頼性の低下に繋がる。
対向させてＬＳＩチップを搭載した構造では、プリント
基板とＬＳＩチップの熱膨張係数が、たとえば、１６×
１０~6／°Ｃ、３．５×１０~6／°Ｃとなり、その差が
大きく、反りが発生し易くなる。表面実装の場合、プリ
ント基板（ベース）の反りが大きくなると、実装用バン
プ電極の高さが場所によって変わり、実装基板のランド
に実装用バンプ電極を接続した場合、場所によっては実
装用バンプ電極がランドに接触できず接続不良が発生
し、信頼性の低下に繋がる。
【０００８】本発明の目的は、実装の信頼性が高くかつ
実装作業時間の短縮化が図れる放熱フィン付半導体装置
およびその実装方法を提供することにある。
実装作業時間の短縮化が図れる放熱フィン付半導体装置
およびその実装方法を提供することにある。
【０００９】本発明の他の目的は、実装基板からの取り
外しが確実でかつ短時間に行える放熱フィン付半導体装
置およびその取り外し方法を提供することにある。
外しが確実でかつ短時間に行える放熱フィン付半導体装
置およびその取り外し方法を提供することにある。
【００１０】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００１２】（１）一面に実装用バンプ電極を有し他面
にＬＳＩチップを取り付けた両面配線基板（ベース）
と、前記ＬＳＩチップに直接または熱伝導体を介して接
触する放熱フィンと、前記放熱フィンを前記両面配線基
板に着脱自在に固定する固定手段とを有する。前記ベー
スに補強体が固定され、この補強体に前記放熱フィンが
前記固定手段によって固定されている。前記固定手段は
ネジ構造となり、前記補強体に放熱フィンがネジによっ
て固定されている。
にＬＳＩチップを取り付けた両面配線基板（ベース）
と、前記ＬＳＩチップに直接または熱伝導体を介して接
触する放熱フィンと、前記放熱フィンを前記両面配線基
板に着脱自在に固定する固定手段とを有する。前記ベー
スに補強体が固定され、この補強体に前記放熱フィンが
前記固定手段によって固定されている。前記固定手段は
ネジ構造となり、前記補強体に放熱フィンがネジによっ
て固定されている。
【００１３】（２）前記手段（１）の構成において、前
記補強体に放熱フィンがクリップによって弾力的に固定
されている。
記補強体に放熱フィンがクリップによって弾力的に固定
されている。
【００１４】（３）一面に実装用バンプ電極を有し他面
にＬＳＩチップと補強体を取り付けた両面配線基板（ベ
ース）と、前記ＬＳＩチップに直接または熱伝導体を介
して接触する放熱フィンと、前記放熱フィンを前記補強
体に着脱自在に固定する固定手段とを有する放熱フィン
付半導体装置を実装基板に実装する方法であって、前記
実装用バンプ電極をリフローして実装基板のランドに固
定することによって前記ベースを実装基板に固定する段
階と、前記固定手段によって前記ベースの補強体に前記
放熱フィンを固定する段階とを有する。
にＬＳＩチップと補強体を取り付けた両面配線基板（ベ
ース）と、前記ＬＳＩチップに直接または熱伝導体を介
して接触する放熱フィンと、前記放熱フィンを前記補強
体に着脱自在に固定する固定手段とを有する放熱フィン
付半導体装置を実装基板に実装する方法であって、前記
実装用バンプ電極をリフローして実装基板のランドに固
定することによって前記ベースを実装基板に固定する段
階と、前記固定手段によって前記ベースの補強体に前記
放熱フィンを固定する段階とを有する。
【００１５】（４）一面に実装用バンプ電極を有し他面
にＬＳＩチップと補強体を取り付けた両面配線基板（ベ
ース）と、前記ＬＳＩチップに直接または熱伝導体を介
して接触する放熱フィンと、前記放熱フィンを前記補強
体に着脱自在に固定する固定手段とを有する放熱フィン
付半導体装置を実装基板から取り外す方法であって、前
記固定手段を解除して前記ベースの補強体から前記放熱
フィンを取り外す段階と、前記実装用バンプ電極を溶か
して前記実装基板のランドから前記ベースを取り外す段
階とを有する。
にＬＳＩチップと補強体を取り付けた両面配線基板（ベ
ース）と、前記ＬＳＩチップに直接または熱伝導体を介
して接触する放熱フィンと、前記放熱フィンを前記補強
体に着脱自在に固定する固定手段とを有する放熱フィン
付半導体装置を実装基板から取り外す方法であって、前
記固定手段を解除して前記ベースの補強体から前記放熱
フィンを取り外す段階と、前記実装用バンプ電極を溶か
して前記実装基板のランドから前記ベースを取り外す段
階とを有する。
【００１６】前記（１）の手段によれば、放熱フィン付
半導体装置は、放熱フィンがベースから取り外し自在と
なっていることから、実装基板に放熱フィン付半導体装
置を実装あるいは取り外しする際、放熱フィンを外して
熱容量を小さくした状態で実装用バンプ電極を加熱する
ことができるため、実装用バンプ電極は短時間に溶け、
実装や取り外しが確実に行えるとともに、実装作業や取
り外し作業時間の短縮化が図れる。
半導体装置は、放熱フィンがベースから取り外し自在と
なっていることから、実装基板に放熱フィン付半導体装
置を実装あるいは取り外しする際、放熱フィンを外して
熱容量を小さくした状態で実装用バンプ電極を加熱する
ことができるため、実装用バンプ電極は短時間に溶け、
実装や取り外しが確実に行えるとともに、実装作業や取
り外し作業時間の短縮化が図れる。
【００１７】また、ベースには補強体が固定されている
ことから、ベースは反り難くなり、全ての実装用バンプ
電極が実装基板のランドに確実に接触して実装がなされ
るため、実装の信頼性が高くなる。
ことから、ベースは反り難くなり、全ての実装用バンプ
電極が実装基板のランドに確実に接触して実装がなされ
るため、実装の信頼性が高くなる。
【００１８】前記（２）の手段によれば、ベースに固定
された補強体と放熱フィンはクリップによって着脱自在
に固定されていることから、ベースと放熱フィンとの固
定化または固定解除化が容易となる。
された補強体と放熱フィンはクリップによって着脱自在
に固定されていることから、ベースと放熱フィンとの固
定化または固定解除化が容易となる。
【００１９】前記（３）の手段によれば、実装基板に放
熱フィン付半導体装置を実装する際、放熱フィンを外し
たベースを加熱して実装用バンプ電極を溶かすことか
ら、実装用バンプ電極加熱時の加熱部分の熱容量が小さ
くなり、実装用バンプ電極は短時間に溶けるため、実装
用バンプ電極を実装基板のランドに確実に固定すること
ができる。
熱フィン付半導体装置を実装する際、放熱フィンを外し
たベースを加熱して実装用バンプ電極を溶かすことか
ら、実装用バンプ電極加熱時の加熱部分の熱容量が小さ
くなり、実装用バンプ電極は短時間に溶けるため、実装
用バンプ電極を実装基板のランドに確実に固定すること
ができる。
【００２０】前記（４）の手段によれば、実装基板から
放熱フィン付半導体装置を取り外す際、放熱フィンを外
した後ベースを加熱して実装用バンプ電極を溶かすこと
から、加熱部分の熱容量が小さくなって前記実装用バン
プ電極は短時間に溶けるため、短時間に実装基板からベ
ースを取り外すことができ、放熱フィン付半導体装置の
実装基板からの取り外し作業が短時間に行える。
放熱フィン付半導体装置を取り外す際、放熱フィンを外
した後ベースを加熱して実装用バンプ電極を溶かすこと
から、加熱部分の熱容量が小さくなって前記実装用バン
プ電極は短時間に溶けるため、短時間に実装基板からベ
ースを取り外すことができ、放熱フィン付半導体装置の
実装基板からの取り外し作業が短時間に行える。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００２２】（実施形態１）図１は本発明の一実施形態
（実施形態１）である放熱フィン付半導体装置を示す断
面図、図２は本実施形態１の放熱フィン付半導体装置を
ベース部分と放熱フィン部分に分解した状態を示す断面
図、図３は本実施形態１の放熱フィン付半導体装置のベ
ース部分を示す斜視図、図４および図５は本実施形態１
の放熱フィン付半導体装置の実装における図を示すもの
であり、図４は放熱フィンを取り外したベースを実装基
板に固定した状態を示す断面図、図５は実装基板に固定
したベースに放熱フィンを固定した放熱フィン付半導体
装置の実装状態を示す断面図である。
（実施形態１）である放熱フィン付半導体装置を示す断
面図、図２は本実施形態１の放熱フィン付半導体装置を
ベース部分と放熱フィン部分に分解した状態を示す断面
図、図３は本実施形態１の放熱フィン付半導体装置のベ
ース部分を示す斜視図、図４および図５は本実施形態１
の放熱フィン付半導体装置の実装における図を示すもの
であり、図４は放熱フィンを取り外したベースを実装基
板に固定した状態を示す断面図、図５は実装基板に固定
したベースに放熱フィンを固定した放熱フィン付半導体
装置の実装状態を示す断面図である。
【００２３】本実施形態１の放熱フィン付半導体装置１
は、図２に示すように、分解可能な構造となり、分解状
態ではベース部分２と、放熱フィン３と、前記ベース部
分２と放熱フィン３を固定するための座金４およびナッ
ト５と、前記ベース部分２のＬＳＩチップの熱を放熱フ
ィン３に伝達するための熱伝導シート（熱伝導体）６と
からなっている。
は、図２に示すように、分解可能な構造となり、分解状
態ではベース部分２と、放熱フィン３と、前記ベース部
分２と放熱フィン３を固定するための座金４およびナッ
ト５と、前記ベース部分２のＬＳＩチップの熱を放熱フ
ィン３に伝達するための熱伝導シート（熱伝導体）６と
からなっている。
【００２４】ベース部分２は、図２および図３に示すよ
うに、一面（下面）に実装用バンプ電極１０を複数有
し、他面（上面）に補強体１１およびＬＳＩチップ（半
導体チップ）１２を取り付けた両面配線基板（ベース）
１３と、前記補強体１１の表面に雄ネジ部１５を突出さ
せる複数のネジ１４とからなっている。
うに、一面（下面）に実装用バンプ電極１０を複数有
し、他面（上面）に補強体１１およびＬＳＩチップ（半
導体チップ）１２を取り付けた両面配線基板（ベース）
１３と、前記補強体１１の表面に雄ネジ部１５を突出さ
せる複数のネジ１４とからなっている。
【００２５】ベース１３は、ＢＴレジンの積層構造とな
る両面配線基板で形成されている。ベース１３の下面に
は、実装基板のランドに接続される半田バンプからなる
実装用バンプ電極１０が複数設けられている。また、ベ
ース１３の上面中央部分には、図示しない配線が設けら
れている。そして、配線で形成される図示しないランド
には、半導体チップ１２の一面に設けられた半田バンプ
からなるバンプ電極１６が接続されている。バンプ電極
１６のランドへの接続によって、半導体チップ１２はベ
ース１３に素子面を対面させて固定（フェイスダウンボ
ンディング）されている。
る両面配線基板で形成されている。ベース１３の下面に
は、実装基板のランドに接続される半田バンプからなる
実装用バンプ電極１０が複数設けられている。また、ベ
ース１３の上面中央部分には、図示しない配線が設けら
れている。そして、配線で形成される図示しないランド
には、半導体チップ１２の一面に設けられた半田バンプ
からなるバンプ電極１６が接続されている。バンプ電極
１６のランドへの接続によって、半導体チップ１２はベ
ース１３に素子面を対面させて固定（フェイスダウンボ
ンディング）されている。
【００２６】ベース１３の上下面の配線パターンは、図
示しないスルーホールに充填された導体によって電気的
に接続されている。
示しないスルーホールに充填された導体によって電気的
に接続されている。
【００２７】前記ベース１３の下面の放熱フィン付半導
体装置１の実装用の半田は６３％Ｓｎ−Ｐｂの低融点組
成であるのに対して、ベース１３の上面の半導体チップ
１２の搭載用の半田は３％Ａｇ−Ｓｎ等の高融点半田組
成として溶融温度に差をもたせ、放熱フィン付半導体装
置１の実装時の加熱温度で半導体チップ１２を接続する
バンプ電極１６の溶融が生じないように配慮してある。
体装置１の実装用の半田は６３％Ｓｎ−Ｐｂの低融点組
成であるのに対して、ベース１３の上面の半導体チップ
１２の搭載用の半田は３％Ａｇ−Ｓｎ等の高融点半田組
成として溶融温度に差をもたせ、放熱フィン付半導体装
置１の実装時の加熱温度で半導体チップ１２を接続する
バンプ電極１６の溶融が生じないように配慮してある。
【００２８】また、ベース１３の上面には、図３にも示
すように、枠体からなる補強体１１が接着剤１７を介し
て固定されている。前記補強体１１は、たとえば、厚さ
２μｍ程度のアルミニウム（Ａｌ）からなり、表面はア
ルマイト処理が施されている。前記接着剤１７は、バン
プ電極１６や実装用バンプ電極１０の溶融温度に耐える
ように高耐熱性の接着剤が使用されている。熱処理が短
時間であれば、シリコーン系の接着剤でも使用可能であ
る。
すように、枠体からなる補強体１１が接着剤１７を介し
て固定されている。前記補強体１１は、たとえば、厚さ
２μｍ程度のアルミニウム（Ａｌ）からなり、表面はア
ルマイト処理が施されている。前記接着剤１７は、バン
プ電極１６や実装用バンプ電極１０の溶融温度に耐える
ように高耐熱性の接着剤が使用されている。熱処理が短
時間であれば、シリコーン系の接着剤でも使用可能であ
る。
【００２９】前記補強体１１の４辺の中央には、図３に
示すように孔が設けられるとともに、この孔には、接着
面側からネジ１４の雄ネジ部１５が挿入されている。ま
た、接着面側の補強体１１の前記孔部分には座グリ部分
が設けられ、この座グリ部分にネジ１４の頭部１８が納
まるようになっている。また、ネジ１４は図示しない接
着剤等によって回転しないように補強体１１に固定され
ている。
示すように孔が設けられるとともに、この孔には、接着
面側からネジ１４の雄ネジ部１５が挿入されている。ま
た、接着面側の補強体１１の前記孔部分には座グリ部分
が設けられ、この座グリ部分にネジ１４の頭部１８が納
まるようになっている。また、ネジ１４は図示しない接
着剤等によって回転しないように補強体１１に固定され
ている。
【００３０】ベース１３に補強体１１を固定することに
よって、ベース１３の機械的強度が高くなり、ベース１
３が熱によっても反り返るようなことがない。この結
果、ベース１３の一面に設けられた実装用バンプ電極１
０の高さバラツキは生じなくなり、実装基板の全てのラ
ンドに全ての実装用バンプ電極１０が接触し、確実な接
続が達成できることになる。
よって、ベース１３の機械的強度が高くなり、ベース１
３が熱によっても反り返るようなことがない。この結
果、ベース１３の一面に設けられた実装用バンプ電極１
０の高さバラツキは生じなくなり、実装基板の全てのラ
ンドに全ての実装用バンプ電極１０が接触し、確実な接
続が達成できることになる。
【００３１】放熱フィン３は前記補強体１１に重なる板
状の基部２０と、この基部２０から突出する複数のフィ
ン部２１とからなっている。また、前記基部２０には、
図２に示すように、前記ネジ１４の雄ネジ部１５が挿入
できる孔２２が設けられている。
状の基部２０と、この基部２０から突出する複数のフィ
ン部２１とからなっている。また、前記基部２０には、
図２に示すように、前記ネジ１４の雄ネジ部１５が挿入
できる孔２２が設けられている。
【００３２】前記ベース部分２の半導体チップ１２上熱
伝導体６を載せ、その後ベース部分２に放熱フィン３を
位置決めして重ね、放熱フィン３の基部２０の孔２２か
ら突出した雄ネジ部１５に座金４を挿入するとともに、
ナット５を螺合することによって図２に示すように、放
熱フィン付半導体装置１が得られる。
伝導体６を載せ、その後ベース部分２に放熱フィン３を
位置決めして重ね、放熱フィン３の基部２０の孔２２か
ら突出した雄ネジ部１５に座金４を挿入するとともに、
ナット５を螺合することによって図２に示すように、放
熱フィン付半導体装置１が得られる。
【００３３】本実施形態１の放熱フィン付半導体装置１
は、下記の方法によって実装基板に実装される。
は、下記の方法によって実装基板に実装される。
【００３４】図４に示すように、配線基板からなる実装
基板２５の上面に放熱フィン３を取り外したベース部分
２を位置決めして載置し、その後加熱処理（リフロー）
する。このリフローによって、ベース１３の下面の実装
用バンプ電極１０は、実装基板２５の上面に設けられた
図示しないランドに電気的に接続される。
基板２５の上面に放熱フィン３を取り外したベース部分
２を位置決めして載置し、その後加熱処理（リフロー）
する。このリフローによって、ベース１３の下面の実装
用バンプ電極１０は、実装基板２５の上面に設けられた
図示しないランドに電気的に接続される。
【００３５】つぎに、ベース部分２の半導体チップ１２
上に熱伝導シート６を位置決め載置する。この熱伝導シ
ート６は、たとえば、シリコーン樹脂にアルミナ等のフ
ィラーを添加した構造となり、半導体チップ１２と放熱
フィン３の基部２０間の接触熱抵抗を低減するために使
用される。
上に熱伝導シート６を位置決め載置する。この熱伝導シ
ート６は、たとえば、シリコーン樹脂にアルミナ等のフ
ィラーを添加した構造となり、半導体チップ１２と放熱
フィン３の基部２０間の接触熱抵抗を低減するために使
用される。
【００３６】つぎに、実装基板２５に固定されたベース
部分２に対して放熱フィン３を位置決めして重ね、放熱
フィン３の基部２０の孔２２から突出した雄ネジ部１５
に座金４を挿入するとともに、ナット５を螺合すること
によって図５に示すように、放熱フィン付半導体装置１
を実装基板２５に実装する。
部分２に対して放熱フィン３を位置決めして重ね、放熱
フィン３の基部２０の孔２２から突出した雄ネジ部１５
に座金４を挿入するとともに、ナット５を螺合すること
によって図５に示すように、放熱フィン付半導体装置１
を実装基板２５に実装する。
【００３７】一方、本実施形態１の放熱フィン付半導体
装置１は、下記の方法によって実装基板から取り外され
る。
装置１は、下記の方法によって実装基板から取り外され
る。
【００３８】図５に示されるように、実装基板２５に実
装された放熱フィン付半導体装置１のナット５を緩め、
放熱フィン３をベース部分２から取り外す。その後、ベ
ース１３の下面の実装用バンプ電極１０を加熱して溶か
し、実装基板２５からベース部分２を取り外す。
装された放熱フィン付半導体装置１のナット５を緩め、
放熱フィン３をベース部分２から取り外す。その後、ベ
ース１３の下面の実装用バンプ電極１０を加熱して溶か
し、実装基板２５からベース部分２を取り外す。
【００３９】本実施形態１の放熱フィン付半導体装置１
は、放熱フィン３がベース部分２（ベース１３）から取
り外し自在となっていることから、実装基板２５に放熱
フィン付半導体装置１を実装あるいは取り外しする際、
放熱フィン３を外して熱容量を小さくした状態で実装用
バンプ電極１０を加熱することができるため、実装用バ
ンプ電極１０は短時間に溶ける。
は、放熱フィン３がベース部分２（ベース１３）から取
り外し自在となっていることから、実装基板２５に放熱
フィン付半導体装置１を実装あるいは取り外しする際、
放熱フィン３を外して熱容量を小さくした状態で実装用
バンプ電極１０を加熱することができるため、実装用バ
ンプ電極１０は短時間に溶ける。
【００４０】したがって、放熱フィン付半導体装置１の
実装時、実装用バンプ電極１０の溶融不十分による実装
用バンプ電極１０とランド（配線）との接続不良が起き
ることもなく実装の信頼性が高くなる。
実装時、実装用バンプ電極１０の溶融不十分による実装
用バンプ電極１０とランド（配線）との接続不良が起き
ることもなく実装の信頼性が高くなる。
【００４１】また、放熱フィン付半導体装置１の実装や
取り外しの際、実装用バンプ電極１０の溶融時間の短縮
から、実装作業や取り外し作業時間の短縮化が図れる。
取り外しの際、実装用バンプ電極１０の溶融時間の短縮
から、実装作業や取り外し作業時間の短縮化が図れる。
【００４２】また、本実施形態１の放熱フィン付半導体
装置１は、ベース１３に補強体１１が固定されているこ
とから、ベース１３は反り難くなる。したがって、全て
の実装用バンプ電極１０の高さが変化せずに一定するた
め、各実装用バンプ電極１０は実装基板２５の各ランド
に確実に接触して実装がなされるため、実装の信頼性が
高くなる。
装置１は、ベース１３に補強体１１が固定されているこ
とから、ベース１３は反り難くなる。したがって、全て
の実装用バンプ電極１０の高さが変化せずに一定するた
め、各実装用バンプ電極１０は実装基板２５の各ランド
に確実に接触して実装がなされるため、実装の信頼性が
高くなる。
【００４３】本実施形態１の放熱フィン付半導体装置１
は、半導体チップ１２と放熱フィン３との間に熱伝導シ
ート６が介在される構造となっていることから、部品各
部の寸法バラツキがあっても、半導体チップ１２と放熱
フィン３は確実に接触するようになり、放熱が確実とな
る。
は、半導体チップ１２と放熱フィン３との間に熱伝導シ
ート６が介在される構造となっていることから、部品各
部の寸法バラツキがあっても、半導体チップ１２と放熱
フィン３は確実に接触するようになり、放熱が確実とな
る。
【００４４】（実施形態２）図６は本発明の他の実施形
態（実施形態２）である放熱フィン付半導体装置の実装
状態を示す断面図である。
態（実施形態２）である放熱フィン付半導体装置の実装
状態を示す断面図である。
【００４５】本実施形態２の放熱フィン付半導体装置１
は、前記実施形態１のように補強体１１にネジ１４を固
定せず、補強体１１にネジ１４の雄ネジ部１５が螺装さ
れる雌ネジ部２６を設け、この雌ネジ部２６に対応する
放熱フィン３の部分に孔２２を設けた構造となってい
る。
は、前記実施形態１のように補強体１１にネジ１４を固
定せず、補強体１１にネジ１４の雄ネジ部１５が螺装さ
れる雌ネジ部２６を設け、この雌ネジ部２６に対応する
放熱フィン３の部分に孔２２を設けた構造となってい
る。
【００４６】したがって、実装基板２５に放熱フィン付
半導体装置１を実装する場合は、放熱フィン３を取り外
したベース部分２を実装基板２５に位置決めして載置
し、実装用バンプ電極１０をリフローしてベース部分２
を実装基板２５に固定する。その後、ベース部分２の補
強体１１の雌ネジ部２６に放熱フィン３の孔２２を一致
するようにしてベース部分２に放熱フィン３を重ね、つ
いで座金４を差し込んだネジ１４を孔２２に挿入し、か
つ雌ネジ部２６にネジ１４を螺合して放熱フィン３をベ
ース部分２に固定する。
半導体装置１を実装する場合は、放熱フィン３を取り外
したベース部分２を実装基板２５に位置決めして載置
し、実装用バンプ電極１０をリフローしてベース部分２
を実装基板２５に固定する。その後、ベース部分２の補
強体１１の雌ネジ部２６に放熱フィン３の孔２２を一致
するようにしてベース部分２に放熱フィン３を重ね、つ
いで座金４を差し込んだネジ１４を孔２２に挿入し、か
つ雌ネジ部２６にネジ１４を螺合して放熱フィン３をベ
ース部分２に固定する。
【００４７】また、実装基板２５から放熱フィン付半導
体装置１を取り外す場合は、ネジ１４を緩めた後、放熱
フィン３を取り外し、その後実装用バンプ電極１０を加
熱して溶かし、ベース部分２を実装基板２５から取り外
す。
体装置１を取り外す場合は、ネジ１４を緩めた後、放熱
フィン３を取り外し、その後実装用バンプ電極１０を加
熱して溶かし、ベース部分２を実装基板２５から取り外
す。
【００４８】本実施形態２の放熱フィン付半導体装置１
も前記実施形態１の放熱フィン付半導体装置１と同様な
効果を奏する。
も前記実施形態１の放熱フィン付半導体装置１と同様な
効果を奏する。
【００４９】（実施形態３）図７は本発明の他の実施形
態（実施形態３）である放熱フィン付半導体装置の実装
状態を示す断面図である。
態（実施形態３）である放熱フィン付半導体装置の実装
状態を示す断面図である。
【００５０】本実施形態３はベース部分２と放熱フィン
３を固定する他の固定手段の例である。本実施形態３の
放熱フィン付半導体装置１は、折り曲げた弾性体からな
る線状のクリップ３０によってベース部分２の補強体１
１と放熱フィン３を着脱自在に固定する構造となってい
る。
３を固定する他の固定手段の例である。本実施形態３の
放熱フィン付半導体装置１は、折り曲げた弾性体からな
る線状のクリップ３０によってベース部分２の補強体１
１と放熱フィン３を着脱自在に固定する構造となってい
る。
【００５１】クリップ３０は略コの字状となり、両端は
内側に屈曲するフック３１となっている。前記補強体１
１の外周面は傾斜面３２となり、ベース１３の平坦面
と、前記傾斜面３２によってレの字状断面の窪み３３が
形成されている。前記フック３１は前記窪み３３に弾力
的に嵌合する。
内側に屈曲するフック３１となっている。前記補強体１
１の外周面は傾斜面３２となり、ベース１３の平坦面
と、前記傾斜面３２によってレの字状断面の窪み３３が
形成されている。前記フック３１は前記窪み３３に弾力
的に嵌合する。
【００５２】クリップ３０を放熱フィン３のフィン部２
１側を覆うように取り付け、先端内側に突出するフック
３１を窪み３３に嵌合させることによって、補強体１１
に放熱フィン３が固定される。クリップ３０は放熱フィ
ン３に十文字状に取り付けられたり、あるいは井桁状に
取り付けられる。
１側を覆うように取り付け、先端内側に突出するフック
３１を窪み３３に嵌合させることによって、補強体１１
に放熱フィン３が固定される。クリップ３０は放熱フィ
ン３に十文字状に取り付けられたり、あるいは井桁状に
取り付けられる。
【００５３】本実施形態３の放熱フィン付半導体装置１
は、前記実施形態１の放熱フィン付半導体装置１が奏す
る効果を有する以外に、ベース部分２に対する放熱フィ
ン３の取り付け，取り外しが簡単で短時間で行える効果
がある。
は、前記実施形態１の放熱フィン付半導体装置１が奏す
る効果を有する以外に、ベース部分２に対する放熱フィ
ン３の取り付け，取り外しが簡単で短時間で行える効果
がある。
【００５４】なお、クリップ３０は前記実施形態の形状
に特定されるものではない。たとえば、補強体１１と放
熱フィン３の基部２０をクランプするような構造でも良
い。
に特定されるものではない。たとえば、補強体１１と放
熱フィン３の基部２０をクランプするような構造でも良
い。
【００５５】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない、たとえ
ば、前記熱伝導体は他のもの、たとえばグリースのよう
なものでも良い。
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない、たとえ
ば、前記熱伝導体は他のもの、たとえばグリースのよう
なものでも良い。
【００５６】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００５７】（１）放熱フィン付半導体装置は、放熱フ
ィンがベースから取り外し自在となっていることから、
実装基板に放熱フィン付半導体装置を実装あるいは取り
外しする際、放熱フィンを外して熱容量を小さくした状
態で実装用バンプ電極を加熱することができるため、実
装用バンプ電極は短時間に溶け、実装や取り外しが確実
に行えるとともに、実装作業や取り外し作業時間の短縮
化が図れる。
ィンがベースから取り外し自在となっていることから、
実装基板に放熱フィン付半導体装置を実装あるいは取り
外しする際、放熱フィンを外して熱容量を小さくした状
態で実装用バンプ電極を加熱することができるため、実
装用バンプ電極は短時間に溶け、実装や取り外しが確実
に行えるとともに、実装作業や取り外し作業時間の短縮
化が図れる。
【００５８】（２）ベースには補強体が固定されている
ことから、ベースは反り難くなり、全ての実装用バンプ
電極が実装基板のランドに確実に接触して実装がなされ
るため、放熱フィン付半導体装置の実装の信頼性が高く
なる。
ことから、ベースは反り難くなり、全ての実装用バンプ
電極が実装基板のランドに確実に接触して実装がなされ
るため、放熱フィン付半導体装置の実装の信頼性が高く
なる。
【図１】本発明の一実施形態（実施形態１）である放熱
フィン付半導体装置を示す断面図である。
フィン付半導体装置を示す断面図である。
【図２】本実施形態１の放熱フィン付半導体装置をベー
ス部分と放熱フィン部分に分解した状態を示す断面図で
ある。
ス部分と放熱フィン部分に分解した状態を示す断面図で
ある。
【図３】本実施形態１の放熱フィン付半導体装置のベー
ス部分を示す斜視図である。
ス部分を示す斜視図である。
【図４】本実施形態１の放熱フィン付半導体装置の実装
において、放熱フィンを取り外したベースを実装基板に
固定した状態を示す断面図である。
において、放熱フィンを取り外したベースを実装基板に
固定した状態を示す断面図である。
【図５】本実施形態１の放熱フィン付半導体装置の実装
において、実装基板に固定したベースに放熱フィンを固
定した状態を示す断面図である。
において、実装基板に固定したベースに放熱フィンを固
定した状態を示す断面図である。
【図６】本発明の他の実施形態（実施形態２）である放
熱フィン付半導体装置の実装状態を示す断面図である。
熱フィン付半導体装置の実装状態を示す断面図である。
【図７】本発明の他の実施形態（実施形態３）である放
熱フィン付半導体装置の実装状態を示す断面図である。
熱フィン付半導体装置の実装状態を示す断面図である。
【符号の説明】 １…放熱フィン付半導体装置、２…ベース部分、３…放
熱フィン、４…座金、５…ナット、１０…実装用バンプ
電極、１１…補強体、１２…ＬＳＩチップ（半導体チッ
プ）、１３…両面配線基板（ベース）、１４…ネジ、１
５…雄ネジ部、１６…バンプ電極、１７…接着剤、１８
…頭部、２０…基部、２１…フィン部、２２…孔、２５
…実装基板、２６…雌ネジ部、３０…クリップ、３１…
フック、３２…傾斜面、３３…窪み。
熱フィン、４…座金、５…ナット、１０…実装用バンプ
電極、１１…補強体、１２…ＬＳＩチップ（半導体チッ
プ）、１３…両面配線基板（ベース）、１４…ネジ、１
５…雄ネジ部、１６…バンプ電極、１７…接着剤、１８
…頭部、２０…基部、２１…フィン部、２２…孔、２５
…実装基板、２６…雌ネジ部、３０…クリップ、３１…
フック、３２…傾斜面、３３…窪み。
Claims (6)
- 【請求項１】 一面に実装用バンプ電極を有し他面にＬ
ＳＩチップを取り付けた両面配線基板と、前記ＬＳＩチ
ップに直接または熱伝導体を介して接触する放熱フィン
と、前記放熱フィンを前記両面配線基板に着脱自在に固
定する固定手段とを有することを特徴とする放熱フィン
付半導体装置。 - 【請求項２】 前記両面配線基板に補強体が固定され、
この補強体に前記放熱フィンが前記固定手段によって固
定されていることを特徴とする請求項１記載の放熱フィ
ン付半導体装置。 - 【請求項３】 前記補強体に放熱フィンがネジによって
固定されていることを特徴とする請求項２記載の放熱フ
ィン付半導体装置。 - 【請求項４】 前記補強体に放熱フィンがクリップによ
って弾力的に固定されていることを特徴とする請求項２
記載の放熱フィン付半導体装置。 - 【請求項５】 一面に実装用バンプ電極を有し他面にＬ
ＳＩチップと補強体を取り付けた両面配線基板と、前記
ＬＳＩチップに直接または熱伝導体を介して接触する放
熱フィンと、前記放熱フィンを前記補強体に着脱自在に
固定する固定手段とを有する放熱フィン付半導体装置を
実装基板に実装する方法であって、前記実装用バンプ電
極をリフローして実装基板のランドに固定することによ
って前記両面配線基板を実装基板に固定する段階と、前
記固定手段によって前記両面配線基板の補強体に前記放
熱フィンを固定する段階とを有することを特徴とする放
熱フィン付半導体装置の実装方法。 - 【請求項６】 一面に実装用バンプ電極を有し他面にＬ
ＳＩチップと補強体を取り付けた両面配線基板と、前記
ＬＳＩチップに直接または熱伝導体を介して接触する放
熱フィンと、前記放熱フィンを前記補強体に着脱自在に
固定する固定手段とを有する放熱フィン付半導体装置を
実装基板から取り外す方法であって、前記固定手段を解
除して前記両面配線基板の補強体から前記放熱フィンを
取り外す段階と、前記実装用バンプ電極を溶かして前記
実装基板のランドから前記両面配線基板を取り外す段階
とを有することを特徴とする放熱フィン付半導体装置の
取り外し方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29636495A JPH09139451A (ja) | 1995-11-15 | 1995-11-15 | 放熱フィン付半導体装置およびその実装方法ならびに取り外し方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29636495A JPH09139451A (ja) | 1995-11-15 | 1995-11-15 | 放熱フィン付半導体装置およびその実装方法ならびに取り外し方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09139451A true JPH09139451A (ja) | 1997-05-27 |
Family
ID=17832600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29636495A Pending JPH09139451A (ja) | 1995-11-15 | 1995-11-15 | 放熱フィン付半導体装置およびその実装方法ならびに取り外し方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09139451A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000004588A1 (de) * | 1998-07-14 | 2000-01-27 | Infineon Technologies Ag | Elektrooptische baugruppe |
| KR101043478B1 (ko) * | 2009-09-11 | 2011-06-23 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 적층체 조립 시스템 및 방법 |
| JP2011142157A (ja) * | 2010-01-06 | 2011-07-21 | Fujitsu Ltd | 電子装置及びその製造方法 |
| KR20170118599A (ko) * | 2016-04-15 | 2017-10-25 | 오므론 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 방열구조 |
| JP2018073864A (ja) * | 2016-10-24 | 2018-05-10 | 日本電気株式会社 | 冷却装置、搭載方法 |
| WO2018185859A1 (ja) * | 2017-04-04 | 2018-10-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体素子の保護構造および空気調和機 |
| US20220130734A1 (en) * | 2020-10-26 | 2022-04-28 | Mediatek Inc. | Lidded semiconductor package |
| CN114843234A (zh) * | 2022-05-07 | 2022-08-02 | 中山市木林森微电子有限公司 | 一种半导体封装结构 |
-
1995
- 1995-11-15 JP JP29636495A patent/JPH09139451A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000004588A1 (de) * | 1998-07-14 | 2000-01-27 | Infineon Technologies Ag | Elektrooptische baugruppe |
| KR101043478B1 (ko) * | 2009-09-11 | 2011-06-23 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 적층체 조립 시스템 및 방법 |
| JP2011142157A (ja) * | 2010-01-06 | 2011-07-21 | Fujitsu Ltd | 電子装置及びその製造方法 |
| KR20170118599A (ko) * | 2016-04-15 | 2017-10-25 | 오므론 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 방열구조 |
| JP2018073864A (ja) * | 2016-10-24 | 2018-05-10 | 日本電気株式会社 | 冷却装置、搭載方法 |
| WO2018185859A1 (ja) * | 2017-04-04 | 2018-10-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体素子の保護構造および空気調和機 |
| US20220130734A1 (en) * | 2020-10-26 | 2022-04-28 | Mediatek Inc. | Lidded semiconductor package |
| EP3993022A1 (en) * | 2020-10-26 | 2022-05-04 | MEDIATEK Inc. | Lidded semiconductor package |
| CN114843234A (zh) * | 2022-05-07 | 2022-08-02 | 中山市木林森微电子有限公司 | 一种半导体封装结构 |
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