JPH09139355A - Laser annealing apparatus - Google Patents
Laser annealing apparatusInfo
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- JPH09139355A JPH09139355A JP29847295A JP29847295A JPH09139355A JP H09139355 A JPH09139355 A JP H09139355A JP 29847295 A JP29847295 A JP 29847295A JP 29847295 A JP29847295 A JP 29847295A JP H09139355 A JPH09139355 A JP H09139355A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザーアニール
処理装置に関し、更に詳しくは、被処理体から発生した
蒸散物質による処理効率の低下を防止できるようにした
レーザーアニール処理装置に関するものである。本発明
のレーザーアニール処理装置は、特に多結晶シリコン薄
膜の形成に有用である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser annealing treatment apparatus, and more particularly to a laser annealing treatment apparatus capable of preventing a reduction in treatment efficiency due to a transpiration substance generated from an object to be treated. The laser annealing apparatus of the present invention is particularly useful for forming a polycrystalline silicon thin film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図４は、従来のレーザーアニール処理装
置の一例の要部縦断面図である。このレーザーアニール
処理装置５００は、真空チャンバ１と、この真空チャン
バ１内に設置された基台Ｂ上を移動すると共にその上面
に被処理体Ｍが載置される移動載置台２と、この移動載
置台２の上面に埋設され前記被処理体Ｍを予熱する抵抗
線３と、前記真空チャンバ１の天井部１ａに設けられ且
つ石英ガラス板の両面に紫外線反射防止膜（ＡＲコー
ト）を形成したレーザー導入用窓５と、このレーザー導
入用窓５を通してレーザー光Ｒを照射するエキシマレー
ザー照射装置６と、前記真空チャンバ１に被処理体Ｍを
導入するためのゲートバルブＳ２と、前記真空チャンバ
１から被処理体Ｍを導出するためのゲートバルブＳ３と
を具備している。１ｂは、真空引き（１１）用の排気口
である。前記被処理体Ｍは、絶縁基板Ｍ２上に非晶質半
導体薄膜Ｍ１を形成したものである。2. Description of the Related Art FIG. 4 is a longitudinal sectional view of an essential part of an example of a conventional laser annealing apparatus. This laser annealing processing apparatus 500 moves on a vacuum chamber 1, a base B installed in the vacuum chamber 1, and a moving mounting table 2 on which an object M to be processed is mounted, and the movement. A resistance wire 3 embedded in the upper surface of the mounting table 2 for preheating the object M to be processed, and an ultraviolet antireflection film (AR coat) provided on both surfaces of the quartz glass plate provided on the ceiling portion 1a of the vacuum chamber 1 were formed. Laser introduction window 5, excimer laser irradiation device 6 for irradiating laser light R through the laser introduction window 5, gate valve S2 for introducing the object M to be processed into the vacuum chamber 1, and the vacuum chamber 1 And a gate valve S3 for leading out the object M to be processed. 1b is an exhaust port for evacuation (11). The object M to be processed has an amorphous semiconductor thin film M1 formed on an insulating substrate M2.
【０００３】レーザーアニール処理は次の手順で行う。 ゲートバルブＳ２を開けて、未処理の被処理体Ｍを移
動載置台２の上に載置し、ゲートバルブＳ２を閉じる。 真空チャンバ１の排気口１ｂから真空引き（１１）
し、真空チャンバ１内を１０-2〜１０-6Ｔｏｒｒの高真
空とする（あるいは窒素ガスを充填する）。次に、前記
抵抗線３に通電し、被処理体Ｍを４００℃程度に予熱す
る。また、レーザー照射部分Ｐが被処理体Ｍの照射スタ
ート点に位置するように移動載置台２を移動させる。そ
して、エキシマレーザー照射装置６からレーザー光Ｒを
発生させる。レーザー光Ｒは、レーザー導入用窓５を通
って真空チャンバ１内に導入され、被処理体Ｍの表面に
略垂直に照射される。この状態で移動載置台２を移動
し、小面積（例えば０．４ｍｍ×１５０ｍｍ）のレーザ
ー照射部分Ｐで前記被処理体Ｍの非晶質半導体薄膜Ｍ１
の全面（例えば３００ｍｍ×３００ｍｍ）を走査する。
これにより、非晶質半導体薄膜Ｍ１の結晶化を行うこと
が出来る。 ゲートバルブＳ３を開けて、処理済の被処理体Ｍを移
動載置台２の上から取り出し、ゲートバルブＳ３を閉じ
る。The laser annealing process is performed in the following procedure. The gate valve S2 is opened, the unprocessed object M is mounted on the movable mounting table 2, and the gate valve S2 is closed. Vacuuming from the exhaust port 1b of the vacuum chamber 1 (11)
Then, the inside of the vacuum chamber 1 is set to a high vacuum of 10 −2 to 10 −6 Torr (or filled with nitrogen gas). Next, the resistance wire 3 is energized to preheat the object M to be processed to about 400 ° C. Further, the movable mounting table 2 is moved so that the laser irradiation portion P is located at the irradiation start point of the object M to be processed. Then, a laser beam R is generated from the excimer laser irradiation device 6. The laser light R is introduced into the vacuum chamber 1 through the laser introduction window 5 and is irradiated onto the surface of the object M to be processed substantially vertically. The movable mounting table 2 is moved in this state, and the amorphous semiconductor thin film M1 of the object M to be processed is irradiated with the laser irradiation portion P having a small area (for example, 0.4 mm × 150 mm).
(For example, 300 mm × 300 mm) is scanned.
Thereby, the amorphous semiconductor thin film M1 can be crystallized. The gate valve S3 is opened, the processed object M is taken out of the movable mounting table 2, and the gate valve S3 is closed.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】レーザー光Ｒを被処理
体Ｍの表面に照射すると、被処理体Ｍのレーザー照射部
分Ｐでアブレーション（ablation）を起こし、蒸散物質
が発生する場合がある。この蒸散物質は、図４に矢印Ｊ
で示すように、略垂直上方に上昇する。このため、上記
従来のレーザーアニール処理装置５００では、蒸散物質
がレーザー導入用窓５の下面５ｕに付着し、レーザー導
入用窓５を汚してしまう。そして、処理を繰り返してレ
ーザー導入用窓５の下面５ｕ汚れが進むと、レーザー光
Ｒの利用できるエネルギーが減少してしまい、処理効率
が低下するという問題点がある。また、レーザー光Ｒの
透過強度分布にむらができて、良好なアニール処理の妨
げになるという問題点がある。また、被処理体Ｍで反射
された反射レーザー光がレーザー導入用窓５の汚れによ
って再反射されてしまい、被処理体Ｍに再び照射され、
良好なアニール処理の妨げになるという問題点がある。
さらに、上記問題点を避けるために、真空チャンバ１を
大気開放してレーザー導入用窓５をクリーニングするこ
とを頻繁に行えば、スループットが悪くなり、生産コス
トが高くなってしまうという問題点がある。そこで、本
発明の目的は、被処理体から発生した蒸散物質による処
理効率の低下を防止できるようにしたレーザーアニール
処理装置を提供することにある。When the surface of the object M to be processed is irradiated with the laser beam R, a laser irradiation portion P of the object M to be processed may cause ablation, and a transpiration substance may be generated. This transpiration material is indicated by the arrow J in FIG.
As shown by, rises substantially vertically upward. Therefore, in the above-described conventional laser annealing apparatus 500, the evaporated substance adheres to the lower surface 5u of the laser introduction window 5 and stains the laser introduction window 5. When the treatment is repeated and the lower surface 5u of the laser introduction window 5 becomes contaminated, the usable energy of the laser light R decreases, and the treatment efficiency decreases. In addition, there is a problem that the transmission intensity distribution of the laser light R becomes uneven, which hinders a good annealing process. Further, the reflected laser light reflected by the object M to be processed is re-reflected due to the dirt on the laser introduction window 5, and the object M to be processed is irradiated again.
There is a problem that it hinders a good annealing process.
Further, in order to avoid the above-mentioned problems, if the vacuum chamber 1 is opened to the atmosphere and the laser introducing window 5 is frequently cleaned, the throughput is deteriorated and the production cost is increased. . Therefore, an object of the present invention is to provide a laser annealing treatment apparatus capable of preventing a reduction in treatment efficiency due to a transpiration substance generated from an object to be treated.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】第１の観点では、本発明
は、密閉容器（１）内に置かれた被処理体（Ｍ）に外部
からレーザー導入用窓（５）を通してレーザー光（Ｒ）
を照射するレーザーアニール処理装置において、前記密
閉容器（１）の内部側のレーザー導入用窓（５）の面
（５ｕ）を窒素ガスの流れによってシールドする窒素ガ
ス流シールド手段（１３ｂ，１３ｓ）を設けることによ
り、被処理体（Ｍ）から発生した蒸散物質がレーザー導
入用窓（５）のレーザー光通過部分に付着しにくいよう
にしたことを特徴とするレーザーアニール処理装置（１
００）を提供する。上記第１の観点によるレーザーアニ
ール処理装置（１００）では、密閉容器（１）の内部側
のレーザー導入用窓（５）の面（５ｕ）を窒素ガスの流
れによってシールドしたから、被処理体（Ｍ）から発生
した蒸散物質が前記窒素ガスの流れにより他へ運ばれ、
レーザー導入用窓（５）の面（５ｕ）に付着しにくくな
る。従って、レーザー導入用窓（５）から導入されるレ
ーザー光（Ｒ）のエネルギーがレーザー導入用窓（５）
の汚れによって減少することを防止でき、処理効率の低
下を防止できる。また、レーザー光Ｒの透過強度分布に
むらができることを防止でき、良好にアニール処理を行
えるようになる。また、被処理体（Ｍ）で反射した反射
レーザー光（Ｌ）がレーザー導入用窓（５）の汚れによ
って再反射されて被処理体（Ｍ）に再び照射されるとい
うことがなくなり、良好にアニール処理を行えるように
なる。さらに、密閉容器（１）を大気開放してレーザー
導入用窓（５）のクリーニングを頻繁に行う必要もなく
なり、スループットを向上でき、生産コストを低減でき
るようになる。According to a first aspect of the present invention, a laser beam (R) is externally applied to an object (M) placed in a closed container (1) through a laser introduction window (5). )
In the laser annealing treatment device for irradiating with nitrogen, a nitrogen gas flow shield means (13b, 13s) for shielding the surface (5u) of the laser introduction window (5) on the inner side of the closed container (1) by the flow of nitrogen gas is provided. The laser annealing apparatus (1) is characterized in that the transpiration material generated from the object to be processed (M) is prevented from adhering to the laser light passage portion of the laser introduction window (5) by providing the object.
00) is provided. In the laser annealing apparatus (100) according to the first aspect, since the surface (5u) of the laser introduction window (5) on the inner side of the closed container (1) is shielded by the flow of nitrogen gas, the object to be treated ( The transpiration material generated from M) is carried to another by the flow of the nitrogen gas,
It becomes difficult to adhere to the surface (5u) of the laser introduction window (5). Therefore, the energy of the laser beam (R) introduced from the laser introduction window (5) is the laser introduction window (5).
It can be prevented from being reduced due to the stains on the substrate, and a reduction in processing efficiency can be prevented. Further, it is possible to prevent unevenness in the transmission intensity distribution of the laser light R, and it becomes possible to perform good annealing treatment. Further, the reflected laser light (L) reflected by the object to be processed (M) is not re-reflected by the dirt on the laser introducing window (5) and is not irradiated again to the object to be processed (M), which is excellent. The annealing process can be performed. Further, it is not necessary to open the airtight container (1) to the atmosphere and frequently clean the laser introduction window (5), so that the throughput can be improved and the production cost can be reduced.
【０００６】[0006]
【発明の実施の形態】以下、図を参照して本発明の実施
の形態について説明する。なお、これによりこの発明が
限定されるものではない。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. It should be noted that the present invention is not limited by this.
【０００７】−第１の実施形態− 図１は、本発明の第１の実施形態にかかるレーザーアニ
ール処理装置の要部断面図である。このレーザーアニー
ル処理装置１００は、アルミニウム製の真空チャンバ１
と、この真空チャンバ１内に設置された基台Ｂ上を移動
すると共にその上面に被処理体Ｍが載置される移動載置
台２と、この移動載置台２の上面に埋設され前記被処理
体Ｍを予熱する抵抗線３と、前記真空チャンバ１の天井
部１ａに設けられ且つ石英ガラス板の両面に紫外線反射
防止膜（ＡＲコート）を形成したレーザー導入用窓５
と、このレーザー導入用窓５を通して略垂直下方にレー
ザー光Ｒを照射するエキシマレーザー照射装置６と、前
記レーザー導入用窓５の下面５ｕの一方側から窒素ガス
を吹き込む窒素ガス導入管１２ｂと、前記レーザー導入
用窓５の下面５ｕの他方側から窒素ガスを吸い出す窒素
ガス導出管１２ｓと、前記真空チャンバ１に被処理体Ｍ
を導入するためのゲートバルブＳ２と、前記真空チャン
バ１から被処理体Ｍを導出するためのゲートバルブＳ３
とを具備している。１ｂは、真空引き（１１）用の排気
口である。前記被処理体Ｍは、絶縁基板Ｍ２上に非晶質
半導体薄膜Ｍ１を形成したものである。-First Embodiment- FIG. 1 is a cross-sectional view of essential parts of a laser annealing apparatus according to a first embodiment of the present invention. This laser annealing processing apparatus 100 includes a vacuum chamber 1 made of aluminum.
A movable mounting table 2 which moves on a base B installed in the vacuum chamber 1 and on which an object M to be processed is mounted, and the processing target 2 which is embedded on the upper surface of the movable mounting table 2 and to be processed. A resistance wire 3 for preheating the body M, and a laser introduction window 5 provided on the ceiling portion 1a of the vacuum chamber 1 and having an ultraviolet antireflection film (AR coat) formed on both surfaces of a quartz glass plate 5
An excimer laser irradiation device 6 for irradiating the laser beam R substantially vertically downward through the laser introduction window 5, and a nitrogen gas introduction pipe 12b for blowing nitrogen gas from one side of the lower surface 5u of the laser introduction window 5, The nitrogen gas outlet pipe 12s for sucking nitrogen gas from the other side of the lower surface 5u of the laser introducing window 5 and the object to be processed M in the vacuum chamber 1
And a gate valve S3 for introducing the object to be processed M from the vacuum chamber 1.
Is provided. 1b is an exhaust port for evacuation (11). The object M to be processed has an amorphous semiconductor thin film M1 formed on an insulating substrate M2.
【０００８】図２に示すように、レーザー導入用窓５の
下面５ｕの近傍に前記窒素ガス導入管１２ｂと前記窒素
ガス導出管１２ｓとが対向して開口している。As shown in FIG. 2, in the vicinity of the lower surface 5u of the laser introduction window 5, the nitrogen gas introduction pipe 12b and the nitrogen gas extraction pipe 12s face each other and open.
【０００９】レーザーアニール処理は次の手順で行う。 ゲートバルブＳ２を開けて、未処理の被処理体Ｍを移
動載置台２の上に載置し、ゲートバルブＳ２を閉じる。 真空チャンバ１の排気口１ｂから真空引き（１１）
し、真空チャンバ１内を１０-2〜１０-6Torrの高真空と
する（あるいは窒素ガスを充填する）。 抵抗線３に通電し、被処理体Ｍを４００℃程度に予熱
する。また、レーザー照射部分Ｐが被処理体Ｍの照射ス
タート点に位置するように移動載置台２を移動させる。 窒素ガス導入管１２ｂから窒素ガス導出管１２ｓへと
窒素ガスの流れを形成する。流量は、真空度などに合せ
て、ニードルバルブなどにより調整する。そして、エキ
シマレーザー照射装置６からレーザー光Ｒを発生させ
る。レーザー光Ｒは、レーザー導入用窓５を通って真空
チャンバ１内に導入され、被処理体Ｍの表面に略垂直に
照射される。この状態で移動載置台２を移動し、小面積
（例えば０．４ｍｍ×１５０ｍｍ）のレーザー照射部分
Ｐで前記被処理体Ｍの非晶質半導体薄膜Ｍ１の全面（例
えば３００ｍｍ×３００ｍｍ）を走査する。 ゲートバルブＳ３を開けて、処理済の被処理体Ｍを移
動載置台２の上から取り出し、ゲートバルブＳ３を閉じ
る。The laser annealing process is performed in the following procedure. The gate valve S2 is opened, the unprocessed object M is mounted on the movable mounting table 2, and the gate valve S2 is closed. Vacuuming from the exhaust port 1b of the vacuum chamber 1 (11)
Then, the inside of the vacuum chamber 1 is set to a high vacuum of 10 -2 to 10 -6 Torr (or filled with nitrogen gas). The resistance wire 3 is energized to preheat the object M to be processed to about 400 ° C. Further, the movable mounting table 2 is moved so that the laser irradiation portion P is located at the irradiation start point of the object M to be processed. A flow of nitrogen gas is formed from the nitrogen gas inlet pipe 12b to the nitrogen gas outlet pipe 12s. The flow rate is adjusted by a needle valve or the like according to the degree of vacuum. Then, a laser beam R is generated from the excimer laser irradiation device 6. The laser light R is introduced into the vacuum chamber 1 through the laser introduction window 5 and is irradiated onto the surface of the object M to be processed substantially vertically. In this state, the movable mounting table 2 is moved to scan the entire surface (for example, 300 mm × 300 mm) of the amorphous semiconductor thin film M1 of the processing target M with the laser irradiation portion P having a small area (for example, 0.4 mm × 150 mm). . The gate valve S3 is opened, the processed object M is taken out of the movable mounting table 2, and the gate valve S3 is closed.
【００１０】以上のレーザーアニール処理装置１００に
よれば、アニール処理時に非晶質半導体薄膜Ｍ１の一部
がアブレーションを起こし、蒸散物質がレーザー照射部
分Ｐの垂直上方に上昇する。ところが、レーザー導入窓
５の下面５ｕは窒素ガスの流れによりシールドされてい
るから、蒸散物質は窒素ガスの流れによって外部へ運び
出され、レーザー導入窓５の下面５ｕに付着しなくな
る。従って、レーザー導入用窓５から導入されるレーザ
ー光Ｒのエネルギーがレーザー導入用窓５の汚れによっ
て減少することを防止でき、処理効率の低下を防止でき
る。また、レーザー光Ｒの透過強度分布にむらができ
ず、良好にアニール処理を行えるようになる。また、被
処理体Ｍで反射した反射レーザー光Ｌがレーザー導入用
窓５の下面５ｕの汚れによって再反射されて被処理体Ｍ
に再び照射されるということがなくなり、良好にアニー
ル処理を行うことが出来る。又、真空チャンバ１を大気
開放してレーザー導入用窓５のクリーニングを頻繁に行
う必要もなくなり、スループットを向上でき、生産コス
トを低減できる。According to the above laser annealing apparatus 100, a part of the amorphous semiconductor thin film M1 undergoes ablation during the annealing, and the evaporated substance rises vertically above the laser-irradiated portion P. However, since the lower surface 5u of the laser introduction window 5 is shielded by the flow of nitrogen gas, the evaporated material is carried outside by the flow of nitrogen gas and does not adhere to the lower surface 5u of the laser introduction window 5. Therefore, it is possible to prevent the energy of the laser light R introduced from the laser introduction window 5 from decreasing due to the contamination of the laser introduction window 5, and to prevent the deterioration of the processing efficiency. Further, the transmission intensity distribution of the laser light R is not uneven, and the annealing process can be performed well. Further, the reflected laser light L reflected by the object M to be processed is re-reflected by the dirt on the lower surface 5u of the laser introduction window 5 to be processed M
It is not necessary to irradiate again, so that the annealing process can be performed well. Further, it is not necessary to frequently open the vacuum chamber 1 to the atmosphere to clean the laser introduction window 5, so that the throughput can be improved and the production cost can be reduced.
【００１１】図３は、上記レーザーアニール処理装置１
００の変形例である。レーザー導入用窓５の下部に小空
間を形成できるように、真空チャンバ１の天井部１ａに
スペーサ１６を介してレーザー導入用窓５を設ける。そ
して、その小空間に窒素ガスの流れを形成できるように
前記スペーサ１６に前記窒素ガス導入管１２ｂと前記窒
素ガス導出管１２ｓとを対向させて開口する。このよう
に構成し、アニール処理時に窒素ガスの流れでレーザー
導入用窓５の下面５ｕをシールドすれば、窒素ガスが真
空チャンバ１の全体へ拡散することが少なくなり、効率
を向上することが出来る。FIG. 3 shows the laser annealing apparatus 1 described above.
00 is a modified example. The laser introducing window 5 is provided on the ceiling portion 1a of the vacuum chamber 1 via the spacer 16 so that a small space can be formed below the laser introducing window 5. Then, the nitrogen gas inlet pipe 12b and the nitrogen gas outlet pipe 12s are opposed to each other and opened in the spacer 16 so that a flow of nitrogen gas can be formed in the small space. If the above configuration is adopted and the lower surface 5u of the laser introduction window 5 is shielded by the flow of nitrogen gas during the annealing treatment, the nitrogen gas is less diffused into the entire vacuum chamber 1 and the efficiency can be improved. .
【００１２】[0012]
【発明の効果】本発明のレーザーアニール処理装置（１
００）によれば、従来のレーザーアニール処理装置（５
００）において問題となっていたレーザー導入用窓
（５）の汚れを防止することが出来る。このため、処理
効率の低下を防止できると共にメンテナンスの手間およ
び時間を低減でき、生産性を向上することが出来る。The laser annealing apparatus of the present invention (1
00), the conventional laser annealing device (5
It is possible to prevent the laser introduction window (5) from becoming a problem in (00). Therefore, it is possible to prevent a decrease in processing efficiency, reduce the labor and time required for maintenance, and improve productivity.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図１】本発明の一実施形態のレーザーアニール処理装
置の要部断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of essential parts of a laser annealing processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】図１のレーザーアニール処理装置のレーザー導
入用窓の下面近傍を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory view showing the vicinity of a lower surface of a laser introducing window of the laser annealing processing apparatus of FIG.
【図３】図１のレーザーアニール処理装置の変形例の要
部断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of essential parts of a modification of the laser annealing processing apparatus in FIG.
【図４】従来のレーザーアニール処理装置の一例の要部
断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of essential parts of an example of a conventional laser annealing apparatus.
１００，５００ レーザーアニール処理装
置 １ 真空チャンバ １ａ 天井部 １ｂ 排気口 ２ 移動載置台 ３ 抵抗線 ５ レーザー導入用窓 ６ エキシマレーザー照射装
置 １２ｂ 窒素ガス導入管 １２ｓ 窒素ガス導出管 Ｂ 基台 Ｌ 反射レーザー光 Ｍ 被処理体 Ｍ１ 非晶質半導体薄膜 Ｍ２ 絶縁基板 Ｐ レーザー照射部分 Ｒ レーザー光100,500 Laser annealing apparatus 1 Vacuum chamber 1a Ceiling part 1b Exhaust port 2 Moving stage 3 Resistance wire 5 Laser introduction window 6 Excimer laser irradiation device 12b Nitrogen gas introduction tube 12s Nitrogen gas extraction tube B Base L Reflected laser light M Object to be processed M1 Amorphous semiconductor thin film M2 Insulating substrate P Laser irradiation part R Laser light
Claims (1)
（Ｍ）に外部からレーザー導入用窓（５）を通してレー
ザー光（Ｒ）を照射するレーザーアニール処理装置にお
いて、 前記密閉容器（１）の内部側のレーザー導入用窓（５）
の面（５ｕ）を窒素ガスの流れによってシールドする窒
素ガス流シールド手段（１３ｂ，１３ｓ）を設けること
により、被処理体（Ｍ）から発生した蒸散物質がレーザ
ー導入用窓（５）のレーザー光通過部分に付着しにくい
ようにしたことを特徴とするレーザーアニール処理装置
（１００）。1. A laser annealing apparatus for irradiating a target object (M) placed in a closed container (1) with laser light (R) from outside through a laser introduction window (5), wherein Laser introduction window (5) inside 1)
By providing the nitrogen gas flow shield means (13b, 13s) for shielding the surface (5u) with the flow of nitrogen gas, the transpiration substance generated from the object (M) to be processed is the laser light of the laser introduction window (5). A laser annealing treatment apparatus (100) characterized in that it is hard to adhere to a passing portion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29847295A JPH09139355A (en) | 1995-11-16 | 1995-11-16 | Laser annealing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29847295A JPH09139355A (en) | 1995-11-16 | 1995-11-16 | Laser annealing apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09139355A true JPH09139355A (en) | 1997-05-27 |
Family
ID=17860153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29847295A Pending JPH09139355A (en) | 1995-11-16 | 1995-11-16 | Laser annealing apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09139355A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9378951B1 (en) | 2015-02-09 | 2016-06-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Laser annealing apparatus and method of manufacturing display apparatus using the same |
| KR20170005390A (en) | 2014-05-12 | 2017-01-13 | 가부시끼가이샤 니혼 세이꼬쇼 | Laser annealing device, serial conveyance path for laser annealing, laser beam radiation means, and laser annealing method |
| WO2022250051A1 (en) * | 2021-05-25 | 2022-12-01 | 三菱重工業株式会社 | Vacuum laser processing device |
-
1995
- 1995-11-16 JP JP29847295A patent/JPH09139355A/en active Pending
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| KR20170005390A (en) | 2014-05-12 | 2017-01-13 | 가부시끼가이샤 니혼 세이꼬쇼 | Laser annealing device, serial conveyance path for laser annealing, laser beam radiation means, and laser annealing method |
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