JPH09138910A - メタル層をパターニングする方法 - Google Patents
メタル層をパターニングする方法Info
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- JPH09138910A JPH09138910A JP8254114A JP25411496A JPH09138910A JP H09138910 A JPH09138910 A JP H09138910A JP 8254114 A JP8254114 A JP 8254114A JP 25411496 A JP25411496 A JP 25411496A JP H09138910 A JPH09138910 A JP H09138910A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＨＤＤに用いる磁気ヘッドに下部磁性膜を形
成する方法を提供することで、下部磁性膜の上部に薄膜
絶縁層を容易に形成できる形状を有する下部磁性膜の形
成方法を提供する。 【解決手段】 下部磁性膜を形成する方法において、前
記方法は、（ａ）基板の上部に磁性層を形成する工程
と、（ｂ）前記磁性層の上部にマスク層を形成する工程
と、（ｃ）イオン注入法を用いて、前記マスク層にイオ
ン注入層を提供する工程と、（ｄ）第１傾斜壁部を形成
するように、エッチング液を用いて前記マスク層の一部
をエッチングする工程と、（ｅ）第２傾斜壁部を形成す
るように、前記エッチング液を用いて前記マスク層の他
の部分をエッチングすることによって、パターニングさ
れたマスク層を形成する工程と、（ｆ）前記磁性層をイ
オンミリング法を用いて、前記パターニングされたマス
ク層と同一の形態でパターニングして、下部磁性層を形
成する工程と、を含むことを特徴とする。
成する方法を提供することで、下部磁性膜の上部に薄膜
絶縁層を容易に形成できる形状を有する下部磁性膜の形
成方法を提供する。 【解決手段】 下部磁性膜を形成する方法において、前
記方法は、（ａ）基板の上部に磁性層を形成する工程
と、（ｂ）前記磁性層の上部にマスク層を形成する工程
と、（ｃ）イオン注入法を用いて、前記マスク層にイオ
ン注入層を提供する工程と、（ｄ）第１傾斜壁部を形成
するように、エッチング液を用いて前記マスク層の一部
をエッチングする工程と、（ｅ）第２傾斜壁部を形成す
るように、前記エッチング液を用いて前記マスク層の他
の部分をエッチングすることによって、パターニングさ
れたマスク層を形成する工程と、（ｆ）前記磁性層をイ
オンミリング法を用いて、前記パターニングされたマス
ク層と同一の形態でパターニングして、下部磁性層を形
成する工程と、を含むことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はハードディスクドラ
イブ（ＨＤＤ）に用いられる薄膜磁気ヘッドに関し、特
に、イオン注入方を用いて下部磁性膜を形成するための
向上された方法に関する。
イブ（ＨＤＤ）に用いられる薄膜磁気ヘッドに関し、特
に、イオン注入方を用いて下部磁性膜を形成するための
向上された方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、薄膜磁気ヘッドは磁気テ
ープまたは磁気ディスク上の信号を記録及び／または消
去するか読み込むのに広く用いられる。図１には、従来
の薄膜磁気ヘッド１００の概略的な断面図が示されてい
る。前記薄膜磁気ヘッド１００は、基板１１０上に形成
された第１磁性層１２４、前記第１磁性層１２４及び前
記基板１１０の上面の一部分上に形成された第２磁性層
１２６、前記第２磁性層１２６の一部分上に被着された
第１絶縁層１３４、電導性物質からなって、前記第１絶
縁層１３４の上部にパターニングされたコイル層１４
０、前記パターニングされたコイル層１４０及び前記第
１絶縁層１３４を被覆する第２絶縁層１３８及び前記第
２絶縁層１３８の上部に形成された上部磁性膜１３６を
含み、該上部磁性膜１３６は前記第２磁性層１２６の一
部分及び、前記第２絶縁層１３８で被覆されない前記第
１絶縁層１３４の一部分を被覆する。ここで、下部磁性
膜１２５は第１および第２磁性層１２４、１２６からな
る。さらに、前記第２磁性層１２６が前記第１磁性層１
２４の上部にステップを提供するため、ステップの上部
に連続的に形成される各々の層もやはりステップを提供
して、その結果、ステップ領域１４２が形成される。
ープまたは磁気ディスク上の信号を記録及び／または消
去するか読み込むのに広く用いられる。図１には、従来
の薄膜磁気ヘッド１００の概略的な断面図が示されてい
る。前記薄膜磁気ヘッド１００は、基板１１０上に形成
された第１磁性層１２４、前記第１磁性層１２４及び前
記基板１１０の上面の一部分上に形成された第２磁性層
１２６、前記第２磁性層１２６の一部分上に被着された
第１絶縁層１３４、電導性物質からなって、前記第１絶
縁層１３４の上部にパターニングされたコイル層１４
０、前記パターニングされたコイル層１４０及び前記第
１絶縁層１３４を被覆する第２絶縁層１３８及び前記第
２絶縁層１３８の上部に形成された上部磁性膜１３６を
含み、該上部磁性膜１３６は前記第２磁性層１２６の一
部分及び、前記第２絶縁層１３８で被覆されない前記第
１絶縁層１３４の一部分を被覆する。ここで、下部磁性
膜１２５は第１および第２磁性層１２４、１２６からな
る。さらに、前記第２磁性層１２６が前記第１磁性層１
２４の上部にステップを提供するため、ステップの上部
に連続的に形成される各々の層もやはりステップを提供
して、その結果、ステップ領域１４２が形成される。
【０００３】図２Ａ乃至図２Ｆによれば、図１に示され
たように、前記基板１１０の上部に前記下部磁性膜１２
５を形成するための従来の方法を示した概略的な断面図
が示されている。ここで、前記下部磁性膜１２５を形成
するための工程は、前記基板１１０の上部にスパッタリ
ングのような技法を用いて金属からなるシード層１１２
を形成することによって開始される。第１フォトレジス
ト層を、例えば、ポジティブ形態のフォトレジストをス
ピンコーティング法などのような方法を用いて前記シー
ド層１１２の上部に形成する。しかる後、前記フォトレ
ジスト層の一部分１１６、１１８が予め定められた形状
によってパターニングされることによって、図２Ａに示
されたように、前記シード層１１２の一部分を露出させ
る。
たように、前記基板１１０の上部に前記下部磁性膜１２
５を形成するための従来の方法を示した概略的な断面図
が示されている。ここで、前記下部磁性膜１２５を形成
するための工程は、前記基板１１０の上部にスパッタリ
ングのような技法を用いて金属からなるシード層１１２
を形成することによって開始される。第１フォトレジス
ト層を、例えば、ポジティブ形態のフォトレジストをス
ピンコーティング法などのような方法を用いて前記シー
ド層１１２の上部に形成する。しかる後、前記フォトレ
ジスト層の一部分１１６、１１８が予め定められた形状
によってパターニングされることによって、図２Ａに示
されたように、前記シード層１１２の一部分を露出させ
る。
【０００４】図２Ｂに示されたように、前記パターニン
グされた部分１１６の一部分１２２は光ビームによって
照射される。図２Ｃに示されたように、第１磁性層１２
４が前記シード層１１２の露出された部分上に電解めっ
きされ、図２Ｄに示されたように、前記パターニングさ
れた部分１１６の前記露出された部分１２２が適切な現
像液を用いて取り除かれる。
グされた部分１１６の一部分１２２は光ビームによって
照射される。図２Ｃに示されたように、第１磁性層１２
４が前記シード層１１２の露出された部分上に電解めっ
きされ、図２Ｄに示されたように、前記パターニングさ
れた部分１１６の前記露出された部分１２２が適切な現
像液を用いて取り除かれる。
【０００５】その後、図２Ｅに示されたように、第２磁
性層１２６が前記第１磁性層１２４の上面及び前記露出
された部分１２２を除去することにより覆いを取られた
前記シード層１１２の部分上に電解めっきされる。図２
Ｆに示されたように、前記パターニングされた部分１１
８、１２０が除去され、それから好ましくない第１およ
び第２磁性膜及びシード層が全部前記基板１１０から取
り除かれる。
性層１２６が前記第１磁性層１２４の上面及び前記露出
された部分１２２を除去することにより覆いを取られた
前記シード層１１２の部分上に電解めっきされる。図２
Ｆに示されたように、前記パターニングされた部分１１
８、１２０が除去され、それから好ましくない第１およ
び第２磁性膜及びシード層が全部前記基板１１０から取
り除かれる。
【０００６】次に、図１に示されたように、前記第１絶
縁層１３４が前記下部磁性膜１２５の上面上及び下部磁
性膜１２５によって被覆されていない部分の前記基板１
１０上の一部分に被着される。前記第１絶縁層１３４は
前記上部及び下部磁性膜１３６、１２５の間のギャップ
層としての機能をする。ここで、前記第１絶縁層１３４
の厚さは、薄膜磁気ヘッドの性能において重要な役割を
する。なぜならば、前記ギャップ層が狭ければ狭いほ
ど、磁気テープの狭い部分に磁場を拘束し得、予め定め
られた長さの磁気テープに多くの量の磁気信号を記録し
得るようにするためである。
縁層１３４が前記下部磁性膜１２５の上面上及び下部磁
性膜１２５によって被覆されていない部分の前記基板１
１０上の一部分に被着される。前記第１絶縁層１３４は
前記上部及び下部磁性膜１３６、１２５の間のギャップ
層としての機能をする。ここで、前記第１絶縁層１３４
の厚さは、薄膜磁気ヘッドの性能において重要な役割を
する。なぜならば、前記ギャップ層が狭ければ狭いほ
ど、磁気テープの狭い部分に磁場を拘束し得、予め定め
られた長さの磁気テープに多くの量の磁気信号を記録し
得るようにするためである。
【０００７】前述した方法の主な短所のうちの１つは、
図２Ｆで点線の円で示した急なステップ１５０によっ
て、前記下部磁性膜１２５の上部に前記第１絶縁層１３
４を薄く且つ均一に形成しにくいということである。
図２Ｆで点線の円で示した急なステップ１５０によっ
て、前記下部磁性膜１２５の上部に前記第１絶縁層１３
４を薄く且つ均一に形成しにくいということである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の主な
目的は、ＨＤＤに用いられる磁気ヘッドに下部磁性膜を
形成する方法を提供し、上部に薄膜絶縁層を容易に形成
できる形状を有する下部磁性膜の形成方法を提供するこ
とである。
目的は、ＨＤＤに用いられる磁気ヘッドに下部磁性膜を
形成する方法を提供し、上部に薄膜絶縁層を容易に形成
できる形状を有する下部磁性膜の形成方法を提供するこ
とである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、下部磁性膜を形成するための方法において、前記
方法は、前記方法は、（ａ）基板の上部に磁性層を形成
する工程と、（ｂ）前記磁性層の上部にマスク層を形成
する工程と、（ｃ）イオン注入法を用いてマスク層にイ
オン注入層を提供する工程と、（ｄ）第１傾斜壁部を形
成するようにエッチング液を用いて、前記前記マスク層
の一部をエッチングする工程と、（ｅ）第２傾斜壁部を
形成するように前記エッチング液を用いて、前記マスク
層の他の部分をエッチングすることによって、パターニ
ングされたマスク層を形成する工程と、（ｆ）前記磁性
層をイオンミリング法を用いて、前記パターニングされ
たマスク層と同一の形態でパターニングして、下部磁性
層を形成する工程と、からなることを特徴とするメタル
層をパターニングする方法である。
めに、下部磁性膜を形成するための方法において、前記
方法は、前記方法は、（ａ）基板の上部に磁性層を形成
する工程と、（ｂ）前記磁性層の上部にマスク層を形成
する工程と、（ｃ）イオン注入法を用いてマスク層にイ
オン注入層を提供する工程と、（ｄ）第１傾斜壁部を形
成するようにエッチング液を用いて、前記前記マスク層
の一部をエッチングする工程と、（ｅ）第２傾斜壁部を
形成するように前記エッチング液を用いて、前記マスク
層の他の部分をエッチングすることによって、パターニ
ングされたマスク層を形成する工程と、（ｆ）前記磁性
層をイオンミリング法を用いて、前記パターニングされ
たマスク層と同一の形態でパターニングして、下部磁性
層を形成する工程と、からなることを特徴とするメタル
層をパターニングする方法である。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施につい
て図面を参照しながらより詳しく説明する。
て図面を参照しながらより詳しく説明する。
【００１１】図３Ａ乃至図３Ｆには、薄膜磁気ヘッドに
用いられる本発明の一実施例による下部磁性膜の製造方
法に関する工程を示した概略的な断面図が示されてい
る。
用いられる本発明の一実施例による下部磁性膜の製造方
法に関する工程を示した概略的な断面図が示されてい
る。
【００１２】前記下部磁性膜を製造するための工程は、
例えば、二酸化シリコン (ＳｉＯ2)又は酸化アルミニウ
ム (Ａｌ2 Ｏ3)のような非磁性物質からなる上面を有す
る基板２１０の上部に、図３Ａに示されたように、スパ
ッタリング又は蒸着のような方法により形成されたシー
ド層２１２を形成することによって始まる。前記シード
層２１２は、各々５０〜２００Åの厚さを有する上部及
び下部層からなり、前記上部層が例えば、Ｎｉ−Ｆｅの
パーマロイからなり、前記下部層はＣｒからなる。ま
た、磁性層２１４は９〜１６μm の厚さを有し、例え
ば、Ｎｉ−Ｆｅのようなパーマロイ物質からなり、前記
シード層２１２の上部に電解めっきされる。
例えば、二酸化シリコン (ＳｉＯ2)又は酸化アルミニウ
ム (Ａｌ2 Ｏ3)のような非磁性物質からなる上面を有す
る基板２１０の上部に、図３Ａに示されたように、スパ
ッタリング又は蒸着のような方法により形成されたシー
ド層２１２を形成することによって始まる。前記シード
層２１２は、各々５０〜２００Åの厚さを有する上部及
び下部層からなり、前記上部層が例えば、Ｎｉ−Ｆｅの
パーマロイからなり、前記下部層はＣｒからなる。ま
た、磁性層２１４は９〜１６μm の厚さを有し、例え
ば、Ｎｉ−Ｆｅのようなパーマロイ物質からなり、前記
シード層２１２の上部に電解めっきされる。
【００１３】二酸化シリコン (ＳｉＯ2)のような物質か
らなるマスク層２１６が、前記磁性層２１４の上部に被
着される。前記マスク層２１６の厚さは前記磁性層２１
４の厚さより大きいことが好ましい。その後、ポジティ
ブイオンからなるイオンビームでマスク層２１６に衝撃
を加えるイオン注入法を用いて、マスク層２１６の上部
にイオン注入層２１６ａが形成される。即ち、図３Ａに
示されたように、マスク層２１６はイオン注入の結果、
イオン注入層２１６ａと非損傷層２１６ｂとに分けら
れ、イオン注入層２１６ａは非損傷層２１６ｂの上部に
位置される。フォトレジスト層２１８がスピンコーティ
ングのような方法により前記マスク層２１６の上部に形
成され、前記下部磁性膜の大きさを限定するために、前
記フォトレジスト層２１８の一部分２２０は光ビームに
露出される。
らなるマスク層２１６が、前記磁性層２１４の上部に被
着される。前記マスク層２１６の厚さは前記磁性層２１
４の厚さより大きいことが好ましい。その後、ポジティ
ブイオンからなるイオンビームでマスク層２１６に衝撃
を加えるイオン注入法を用いて、マスク層２１６の上部
にイオン注入層２１６ａが形成される。即ち、図３Ａに
示されたように、マスク層２１６はイオン注入の結果、
イオン注入層２１６ａと非損傷層２１６ｂとに分けら
れ、イオン注入層２１６ａは非損傷層２１６ｂの上部に
位置される。フォトレジスト層２１８がスピンコーティ
ングのような方法により前記マスク層２１６の上部に形
成され、前記下部磁性膜の大きさを限定するために、前
記フォトレジスト層２１８の一部分２２０は光ビームに
露出される。
【００１４】次の工程には、図３Ｂに示されたように、
前記フォトレジスト層２１８の一部分２２０は現像液を
用いて取り除かれ、該当部分２２０の下部の前記マスク
層２１６をエッチング液を用いて一部除去することによ
って、第１傾斜壁部２２３を得る。前記下部磁性膜のチ
ップ領域を限定するために、前記フォトレジスト層２１
８の残りの一部分２２２が光ビームに露出される。次の
工程に、前記の一部分２２２は現像液を用いて取り除か
れ、部分２２０の下部のマスク層２１６も、除去される
間、部分２２２を除去することにより覆いを取られたマ
スク層２１６の残りは、図３Ｃに示されたように、前記
磁性層２１４の上面が現される時までエッチング液を用
いて前記マスク層をエッチングすることによって、パタ
ーニングされたマスク層２２４を得ることになる。ここ
で、前記のパターニングされたマスク層２２４は第２傾
斜壁部２２５を備える。エッチング液は弗化アンモニウ
ム（ＮＨ4 Ｆ）に弗酸（ＨＦ）を混ぜて生成することが
好ましい。
前記フォトレジスト層２１８の一部分２２０は現像液を
用いて取り除かれ、該当部分２２０の下部の前記マスク
層２１６をエッチング液を用いて一部除去することによ
って、第１傾斜壁部２２３を得る。前記下部磁性膜のチ
ップ領域を限定するために、前記フォトレジスト層２１
８の残りの一部分２２２が光ビームに露出される。次の
工程に、前記の一部分２２２は現像液を用いて取り除か
れ、部分２２０の下部のマスク層２１６も、除去される
間、部分２２２を除去することにより覆いを取られたマ
スク層２１６の残りは、図３Ｃに示されたように、前記
磁性層２１４の上面が現される時までエッチング液を用
いて前記マスク層をエッチングすることによって、パタ
ーニングされたマスク層２２４を得ることになる。ここ
で、前記のパターニングされたマスク層２２４は第２傾
斜壁部２２５を備える。エッチング液は弗化アンモニウ
ム（ＮＨ4 Ｆ）に弗酸（ＨＦ）を混ぜて生成することが
好ましい。
【００１５】本発明の好ましい実施例によれば、イオン
注入層２１６ａ内に損傷があるために、エッチングの間
に非損傷層２１６ｂよりもイオン注入層２１６ａの方が
エッチング液により容易にエッチングされるので、エッ
チングの速度がさらに速くなって、マスク層２１６内に
イオン注入層２１６ａがない場合より緩慢な第１および
第２傾斜壁部が得られる。図３Ｄを参照すれば、前記パ
ターニングされたマスク層２２４の上部の前記フォトレ
ジスト層２１８は取り除かれる。ここで、前記磁性層２
１４がパターニングされる間、前記パターニングされた
マスク層２２４はマスク層として作用をする。
注入層２１６ａ内に損傷があるために、エッチングの間
に非損傷層２１６ｂよりもイオン注入層２１６ａの方が
エッチング液により容易にエッチングされるので、エッ
チングの速度がさらに速くなって、マスク層２１６内に
イオン注入層２１６ａがない場合より緩慢な第１および
第２傾斜壁部が得られる。図３Ｄを参照すれば、前記パ
ターニングされたマスク層２２４の上部の前記フォトレ
ジスト層２１８は取り除かれる。ここで、前記磁性層２
１４がパターニングされる間、前記パターニングされた
マスク層２２４はマスク層として作用をする。
【００１６】その後、前記磁性層２１４はドライエッチ
ング法、例えば、イオンミリングを用いてパターニング
されたマスク層２２４と同一の形状を有する下部磁性膜
２２６へパターニングされ、図３Ｅに示されたように、
前記下部磁性膜２２６は傾斜面２２９及び上部面２３０
を備える。
ング法、例えば、イオンミリングを用いてパターニング
されたマスク層２２４と同一の形状を有する下部磁性膜
２２６へパターニングされ、図３Ｅに示されたように、
前記下部磁性膜２２６は傾斜面２２９及び上部面２３０
を備える。
【００１７】下部磁性膜２２６の内に緩慢な傾斜面２２
９がある場合、図３Ｆに示されたように、下部磁性膜の
上部に均一な薄膜絶縁層２２８を形成し易くなる。
９がある場合、図３Ｆに示されたように、下部磁性膜の
上部に均一な薄膜絶縁層２２８を形成し易くなる。
【００１８】上記において、本発明の特定の実施例につ
いて説明したが、本明細書に記載した特許請求の範囲を
逸脱することなく、当業者は種々の変更を加え得ること
は勿論である。
いて説明したが、本明細書に記載した特許請求の範囲を
逸脱することなく、当業者は種々の変更を加え得ること
は勿論である。
【００１９】
【発明の効果】従って、本発明によれば、薄膜ヘッドに
用いられる下部磁性膜１２５を形成する従来の方法に比
べ、本発明はイオン注入法を用いて、イオン注入層のエ
ッチング速度がイオン注入されない層より速くなり、緩
慢な傾斜壁部を有する下部磁性膜２２６を提供し得ると
共に、前記下部磁性膜の上部に薄い均一な絶縁層の形成
を容易にする。
用いられる下部磁性膜１２５を形成する従来の方法に比
べ、本発明はイオン注入法を用いて、イオン注入層のエ
ッチング速度がイオン注入されない層より速くなり、緩
慢な傾斜壁部を有する下部磁性膜２２６を提供し得ると
共に、前記下部磁性膜の上部に薄い均一な絶縁層の形成
を容易にする。
【図１】従来の薄膜磁気ヘッドの概略断面図である。
【図２】図１に示された薄膜磁気ヘッドにおいて、下部
磁性膜を形成するための従来の方法による順次の工程に
おける概略的な断面図を図２Ａ〜図２Ｆに示している。
磁性膜を形成するための従来の方法による順次の工程に
おける概略的な断面図を図２Ａ〜図２Ｆに示している。
【図３】本発明の好ましい実施例による下部磁性膜の製
造方法による順次の工程における概略的な断面図を図３
Ａ〜図３Ｆに示している。
造方法による順次の工程における概略的な断面図を図３
Ａ〜図３Ｆに示している。
１００ 従来の薄膜磁気ヘッド １１０ 基板 １１２ シード層 １１６ パターニングされた部分 １２０ パターニングされた部分 １２２ パターニングされた部分１１６の一部分 １２４ 第１磁性層 １２５ 下部磁性膜 １２６ 第２磁性層 １３４ 第１絶縁層 １３６ 上部磁性膜 １３８ 第２絶縁層 １４０ コイル層 １４２ ステップ領域 １５０ 急なステップ ２１０ 基板 ２１２ シード層 ２１４ 磁性層 ２１６ マスク層 ２１６ａ イオン注入層 ２１６ｂ 非損傷層 ２１８ フォトレジスト層 ２２０ フォトレジスト層の一方側の一部分 ２２２ フォトレジスト層の他方側の一部分 ２２３ 第１傾斜壁部 ２２４ パターニングされたマスク層 ２２５ 第２傾斜壁部 ２２６ 下部磁性膜 ２２８ 絶縁層 ２２９ 傾斜面 ２３０ 上部面
Claims (10)
- 【請求項１】 基板の上面上に形成されたメタル層をパ
ターニングするための方法であって、前記方法は、
（ａ）上部に薄い層を容易に形成する形状を有するパタ
ーニングされたマスク層を前記メタル層の上面上に形成
する工程、及び（ｂ）前記メタル層を、前記パターニン
グされたマスク層と同一の形状にパターニングする工
程、を含むことを特徴とするメタル層をパターニングす
る方法。 - 【請求項２】 前記工程（ａ）が、（ａ１）前記メタル
層の上面上にマスク層を被着する過程と、（ａ２）前記
マスク層にイオン注入法を用いてイオン注入層を形成す
る過程と、（ａ３）前記イオン注入層の上部にフォトレ
ジスト層を形成する過程と、（ａ４）第１傾斜壁部を形
成するように、エッチング液を用いて前記マスク層の一
部をエッチングする過程、及び（ａ５）第２傾斜壁部を
形成するように、前記エッチング液で前記マスク層の他
の一部をエッチングすることによって、パターニングさ
れたマスク層を得る工程と、を含むことを特徴とするメ
タル層パターニング方法。 - 【請求項３】 前記メタル層が磁性物質からなることを
特徴とする請求項１又は２に記載のメタル層をパターニ
ングする方法。 - 【請求項４】 前記磁性物質がパーマロイからなること
を特徴とする請求項３に記載のメタル層をパターニング
する方法。 - 【請求項５】 前記メタル層が８乃至１０μm の厚さを
有することを特徴とする請求項４に記載のメタル層をパ
ターニングする方法。 - 【請求項６】 前記マスク層が二酸化シリコン (ＳｉＯ
2)酸化絶縁膜からなることを特徴とする請求項２に記載
のメタル層をパターニングする方法。 - 【請求項７】 前記マスク層が９乃至２０μm の厚さを
有することを特徴とする請求項２に記載のメタル層をパ
ターニングする方法。 - 【請求項８】 前記エッチング液は弗酸（ＨＦ）及び弗
化アンモニウム（ＮＨ4 Ｆ）からなることを特徴とする
請求項７に記載のメタル層をパターニングする方法。 - 【請求項９】 前記メタル層がイオンミリング法によっ
てパターニングされることを特徴とする請求項１に記載
のメタル層をパターニングする方法。 - 【請求項１０】 下部磁性膜を形成する方法において、
前記方法は、（ａ）基板の上部に磁性層を形成する工程
と、（ｂ）前記磁性層の上部にマスク層を形成する工程
と、（ｃ）イオン注入法を用い、前記マスク層にイオン
注入層を提供する工程と、（ｄ）第１傾斜壁部を形成す
るように、エッチング液を用いて前記マスク層の一部を
エッチングする工程と、（ｅ）第２傾斜壁部を形成する
ように、前記エッチング液を用いて前記マスク層の他の
部分をエッチングすることによって、パターニングされ
たマスク層を形成する工程と、（ｆ）前記磁性層をイオ
ンミリング法を用いて、前記パターニングされたマスク
層と同一の形態でパターニングして、下部磁性層を形成
する工程と、を含むことを特徴とするメタル層をパター
ニングする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR95-33526 | 1995-09-30 | ||
| KR1019950033526A KR0174460B1 (ko) | 1995-09-30 | 1995-09-30 | 박막 자기 헤드의 하부 자성층 패턴 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09138910A true JPH09138910A (ja) | 1997-05-27 |
Family
ID=19428926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8254114A Pending JPH09138910A (ja) | 1995-09-30 | 1996-09-26 | メタル層をパターニングする方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09138910A (ja) |
| KR (1) | KR0174460B1 (ja) |
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Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN1959879B (zh) * | 2006-10-12 | 2010-05-12 | 南京航空航天大学 | 微细磁性元件及其电化学制造方法 |
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Also Published As
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