JPH09137272A - Sputtering apparatus - Google Patents
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/52—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with simultaneous movement of head and record carrier, e.g. rotation of head
- G11B5/53—Disposition or mounting of heads on rotating support
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はスパッタリング装置
に関し、特に、スパッタリング表面に平行な磁場を用い
たスパッタリング装置に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a sputtering apparatus, and more particularly to a sputtering apparatus using a magnetic field parallel to a sputtering surface.
【０００２】[0002]
【従来の技術】周知のように、スパッタリング装置は基
板上に薄膜物質を形成するために用いられる。従来の種
々のスパッタリング装置のうち、磁場を生成するための
マグネトロンを有するマグネトロン陰極アセンブリはイ
オン化率を増加させ得ることが知られている。このよう
なマグネトロン陰極スパッタリング装置において、マグ
ネトロン陰極アセンブリの一部であるターゲットから放
出された電子は、磁場内に収束されることによってター
ゲット近傍の電子の密度が増加され、これらの電子によ
りターゲットの周りのイオンの流束が増加することにな
る。ターゲット表面の周りのイオンの流束の増加によっ
て高いスパッタリング速度が得られ、これによって、ス
パッタリングされた物質が基板上に形成される割合が増
加する。BACKGROUND OF THE INVENTION As is well known, sputtering systems are used to form thin film materials on a substrate. Among various conventional sputtering devices, it is known that a magnetron cathode assembly having a magnetron for generating a magnetic field can increase the ionization rate. In such a magnetron cathode sputtering apparatus, the electrons emitted from the target, which is a part of the magnetron cathode assembly, are converged in the magnetic field to increase the density of electrons in the vicinity of the target, and these electrons surround the target. Will increase the flux of ions. The increased flux of ions around the target surface results in a high sputtering rate, which increases the rate at which sputtered material is formed on the substrate.
【０００３】図１には、トンネル形状の磁場の効果を示
した従来のマグネトロン陰極アセンブリ１００の模式的
な斜視図が示されている。FIG. 1 is a schematic perspective view of a conventional magnetron cathode assembly 100 showing the effect of a tunnel-shaped magnetic field.
【０００４】マグネトロン陰極アセンブリ１００は、背
面板１０２に取り付けられた平担な円板状のターゲット
１０４、及び背面板１０２の下に配置された複数の磁
石、例えば、円環状磁石１０６と中心磁石１０８とを有
する。円環状磁石１０６の第１磁極、例えばＮ極は、背
面板１０２の周縁部に配置され、中心磁石１０８の第２
磁極、例えばＳ極は、背面板１０２の中心に配置されて
いる。The magnetron cathode assembly 100 includes a flat disk-shaped target 104 attached to a back plate 102, and a plurality of magnets disposed under the back plate 102, for example, an annular magnet 106 and a central magnet 108. Have and. The first magnetic pole of the annular magnet 106, for example, the N pole, is disposed on the peripheral portion of the back plate 102, and the second magnetic pole of the central magnet 108
The magnetic pole, for example, the S pole, is arranged at the center of the back plate 102.
【０００５】ターゲット１０４に対向する円環状磁石１
０６の磁極の極性と中心磁石１０８の磁極の極性とが相
異なるように磁石を配置することによって、一方の極性
のターゲット１０４の表面から流出した磁束が、曲線を
描き、もう一方の極性のターゲット１０４の表面へ流入
する。よって、トンネル形の磁場１１０がターゲット１
０４の表面上に形成される。図１に示したように、磁場
１１０の他の観点には、閉じられたループというものが
ある。このループは“レーストラック（ｒａｃｅｔｒａ
ｃｋ）”と呼ばれ、このループ内の電子は、磁場１１０
と、ターゲット１０４とアノードとの間の電場（図示せ
ず）との相互作用により収束される。符号１１２はレー
ストラックによって決まる方向に沿ってホッピング運動
をする電子の経路を表している。An annular magnet 1 facing the target 104
By arranging the magnets so that the polarity of the magnetic pole of 06 and the polarity of the magnetic pole of the central magnet 108 are different from each other, the magnetic flux flowing out from the surface of the target 104 of one polarity draws a curve and the target of the other polarity is drawn. Flows into the surface of 104. Therefore, the tunnel-shaped magnetic field 110 causes the target 1
Formed on the surface 04. As shown in FIG. 1, another aspect of the magnetic field 110 is that of a closed loop. This loop is called "racetrack"
ck) ”, the electrons in this loop are
And an electric field (not shown) between the target 104 and the anode causes the magnetic field to converge. Reference numeral 112 represents a path of electrons that perform hopping motion along a direction determined by the race track.
【０００６】前述したマグネトロン陰極アセンブリ１０
０の短所の１つは、ターゲットを不均一に浸食すること
である。このような不均一な浸食は前述したレーストラ
ックの効果の直接的な結果である。即ち、イオンの流束
の密度は、レーストラック内で、その他の部分より密に
なることによって、ターゲットを構成するターゲット物
質が、レーストラックの下部において他の部分より高い
率で衝突されることになる。ターゲット物質のこの部分
が浸食された後、レーストラックの外側部分にターゲッ
ト物質が残っているにもかかわらず、ターゲットを交換
しなければならない。The magnetron cathode assembly 10 described above.
One of the disadvantages of 0 is that it erodes the target non-uniformly. Such non-uniform erosion is a direct result of the race track effects described above. That is, the ion flux density is higher in the racetrack than in other parts, so that the target material constituting the target is collided at a lower rate in the racetrack than in other parts. Become. After this portion of the target material has been eroded, the target must be replaced despite the remaining target material on the outer portion of the racetrack.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の主な
目的は、ターゲット表面に平行な磁場を用いて、スパッ
タリング速度を増加させ、ターゲットを均一に浸食する
スパッタリング装置を提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, the main object of the present invention is to provide a sputtering apparatus which increases the sputtering rate and uniformly erodes the target by using a magnetic field parallel to the target surface.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明によれば、基板を固定するための基板ホル
ダーと、前記基板上にスパッタリング物質を供給するた
めのスパッタリング物質からなり、中心領域及び周縁領
域を有するスパッタリング表面を有するスパッタリング
ターゲットと、前記スパッタリングターゲットに実質的
に垂直な電界を発生するための電界発生手段と、前記周
縁領域における前記スパッタリング表面に対して平行な
磁場を発生し、各々の一方の磁極が前記ターゲットに対
向するように前記スパッタリング表面の前記周縁領域の
周りの円周上に配置された複数の磁石を備える磁化手段
であって、前記各磁石のもう一方の磁極は前記ターゲッ
トから離れる向きに向かい、前記ターゲットに対向する
隣接した前記各磁極は互いに相異なる極性を有するよう
に前記各磁石が配置されている前記磁化手段とを含むこ
とを特徴とするスパッタリング装置が提供される。In order to achieve the above-mentioned object, according to the present invention, a substrate holder for fixing a substrate and a sputtering substance for supplying a sputtering substance onto the substrate, A sputtering target having a sputtering surface having a central region and a peripheral region, an electric field generating means for generating an electric field substantially perpendicular to the sputtering target, and a magnetic field parallel to the sputtering surface in the peripheral region. A magnetizing means comprising a plurality of magnets arranged on the circumference around the peripheral region of the sputtering surface so that each one of the magnetic poles faces the target, and the other of the magnets is The magnetic pole faces away from the target, and each of the adjacent magnets facing the target. The sputtering apparatus according to claim is provided to include said magnetizing means each magnet is arranged so as to have different polarities from each other.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適実施について
図面を参照しながらより詳しく説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００１０】図２を参照すれば、スパッタリング装置２
００は、上部壁２１２、側面壁２１０及びベースプレー
ト２０８を有する真空チャンバ２０６と、基板上にスパ
ッタリングされる、例えば、金（Ａｕ）などのスパッタ
リング物質からなるターゲット３３４とを有すると共に
上部壁２１２を貫通して真空チャンバ２０６に取り付け
られるマグネトロン陰極アセンブリ３００と、基板２０
２を固定するための基板ホルダー２０４と、電源とを備
える。ここで、真空チャンバ２０６の側面壁２１０に
は、ガス源（図示せず）に連結された入力ポート２１
４、及び適切なポンプ装置（図示せず）に連結された排
出ポート２１８が設けられており、上部壁２１２には、
マグネトロン陰極アセンブリ３００を挿入するための円
形開口２２２が設けられている。Referring to FIG. 2, the sputtering apparatus 2
00 has a vacuum chamber 206 having an upper wall 212, a side wall 210 and a base plate 208, and a target 334 made of a sputtering material, such as gold (Au), which is sputtered on the substrate and penetrates through the upper wall 212. The magnetron cathode assembly 300, which is then mounted in the vacuum chamber 206, and the substrate 20.
A substrate holder 204 for fixing 2 and a power supply are provided. Here, the side wall 210 of the vacuum chamber 206 has an input port 21 connected to a gas source (not shown).
4 and an exhaust port 218 connected to a suitable pumping device (not shown) is provided in the upper wall 212.
A circular opening 222 is provided for inserting the magnetron cathode assembly 300.
【００１１】スパッタリング装置２００において、ガス
は入力ポート２１４を経て真空チャンバ２０６内へ注入
される。ガスは、スパッタリングバレット（ｂｕｌｌｅ
ｔ）として働く。スパッタリングバレットとスパッタリ
ング物質との間の化学的な反応を防止するために、アル
ゴンのような不活性ガスを用いることが好ましい。ター
ゲット３３４を、電源の接地された電極とは異なるもう
一方の電極に接続し、この実施例ではアノード電極とし
て働く真空チャンバ２０６のベースプレート２０８及び
基板ホルダー２０４を接地することによって、電場がタ
ーゲット３３４の表面の周りに形成される。ここで、タ
ーゲット３３４の表面の近傍に配置された別のアノード
電極を用いても良い。電場は電子を加速し、加速された
電子はガスの中性原子と衝突してイオン、即ち、スパッ
タリングバレットと、電子とを更に発生する。電場によ
って加速された電子はより多くのイオン及び電子を生成
し、この過程がアバランシのような形態で進行し、プラ
ズマを形成する。電場により加速されたイオンがターゲ
ット３３４に向かいターゲット３３４の表面に衝突し、
ターゲット３３４のスパッタリング物質が放出される。
放出されたスパッタリング物質は基板２０２に被着され
る。In the sputtering apparatus 200, the gas is injected into the vacuum chamber 206 via the input port 214. The gas is a sputtering bullet.
work as t). It is preferred to use an inert gas such as argon to prevent chemical reactions between the sputtering bullet and the sputtering material. By connecting the target 334 to another electrode of the power supply, which is different from the grounded electrode, and grounding the base plate 208 and the substrate holder 204 of the vacuum chamber 206, which in this example serves as the anode electrode, an electric field is applied to the target 334. Formed around the surface. Here, another anode electrode arranged near the surface of the target 334 may be used. The electric field accelerates the electrons, and the accelerated electrons collide with neutral atoms of the gas to further generate ions, that is, sputtering bullets and electrons. The electrons accelerated by the electric field generate more ions and electrons, and this process proceeds in an avalanche-like form to form a plasma. Ions accelerated by the electric field head toward the target 334 and collide with the surface of the target 334,
The sputtering material of the target 334 is released.
The released sputtering material is deposited on the substrate 202.
【００１２】スパッタリング速度はターゲット表面の近
傍のイオンの流束の密度に依存する。ターゲット表面の
周りに磁場を加えることによって、電子はターゲット表
面の周りで外サイクロイド運動をすることになり、この
ように収束された電子はターゲット３３４の近傍で中性
ガスと衝突することになって、ターゲット３３４の近傍
でイオンの密度を増加させる。The sputtering rate depends on the ion flux density near the target surface. By applying a magnetic field around the target surface, the electrons will have an epicycloidal motion around the target surface, and the electrons thus converged will collide with a neutral gas near the target 334. , Increase the density of ions near the target 334.
【００１３】図３を参照すれば、本発明の好ましい実施
例に基づく図２に示されたマグネトロン陰極アセンブリ
３００の詳細断面図が示されている。Referring to FIG. 3, there is shown a detailed cross-sectional view of the magnetron cathode assembly 300 shown in FIG. 2 in accordance with the preferred embodiment of the present invention.
【００１４】マグネトロン陰極アセンブリ３００は、カ
バープレート３１０、ターゲット３３４、及びフランジ
を備えた円盤型の背面板３２０を備え、ここで、背面板
３２０は磁気保持板３１４、円環状スペーサブロック３
２２、円環状磁石３２６、及び中心磁石３２４を備え
る。カバープレート３１０は気密リング３１２により真
空チャンバ２０６の上部壁２１２に連結されている。気
密リング３１２によって、真空チャンバ２０６を所望の
圧力まで減圧できる。The magnetron cathode assembly 300 includes a disk-shaped back plate 320 having a cover plate 310, a target 334, and a flange, where the back plate 320 is a magnetic holding plate 314 and an annular spacer block 3.
22, a circular magnet 326, and a central magnet 324. The cover plate 310 is connected to the upper wall 212 of the vacuum chamber 206 by an airtight ring 312. The airtight ring 312 allows the vacuum chamber 206 to be depressurized to a desired pressure.
【００１５】背面板３２０は銅のような熱伝導性を有す
る非磁性物質からなり、カバープレート３１０の下面に
取り付けられている。円環状磁石３２６及び中心磁石３
２４は、カバープレート３１０の凹部に嵌合された磁気
保持板３１４に対向して背面板３２０の内部に配置され
ている。スパッタリングされる物質からなるターゲット
３３４は背面板の外側底面に取り付けられている。中心
磁石３２４は円環状磁石３２６の側面からスペーサブロ
ック３２２によって隔てられて配置されることになり、
ターゲットに対向する円環状磁石３２６の磁極の極性が
ターゲットに対向する中心磁石３２４の磁極の極性と相
異なるように磁石を配置することによって、第１磁場３
３６を発生する。第１磁場３３６の磁束はターゲット３
３４の表面を経て、例えば、Ｎ極の磁極から流出して、
ターゲット３３４の近傍の空間を曲線を描いて通過し、
例えば、Ｓ極の磁極へ流入することによって、ターゲッ
ト３３４の周りでトンネル形状の磁場３３６の連続した
閉ループが形成される。このようなトンネル形状の磁場
３３６は電子に外サイクロイド運動をさせて電子を収束
させる。The back plate 320 is made of a non-magnetic material having thermal conductivity such as copper, and is attached to the lower surface of the cover plate 310. Toroidal magnet 326 and center magnet 3
24 is arranged inside the back plate 320 so as to face the magnetic holding plate 314 fitted in the recess of the cover plate 310. A target 334 of sputtered material is attached to the outer bottom surface of the back plate. The center magnet 324 is arranged to be separated from the side surface of the annular magnet 326 by the spacer block 322,
By disposing the magnets so that the polarities of the magnetic poles of the annular magnet 326 facing the target are different from the polarities of the magnetic poles of the central magnet 324 facing the target, the first magnetic field 3
36 is generated. The magnetic flux of the first magnetic field 336 is the target 3
After passing through the surface of 34, for example, flowing out from the magnetic pole of the N pole,
Passing through the space near the target 334 in a curved line,
For example, by flowing into the south pole, a continuous closed loop of tunnel-shaped magnetic field 336 is formed around the target 334. Such a tunnel-shaped magnetic field 336 causes the electrons to perform an outer cycloidal motion to converge the electrons.
【００１６】中空シリンダ形状のシールド３３０は、上
部壁２１２に取り付けられ、スパッタリングされる領域
を制限するようにターゲット３３４を取り囲む。シール
ド３３０は真空チャンバ２０６の上部壁２１２に連結さ
れて接地されることによって、陽イオンを反発すること
によって、陽イオンがシールド３３０の表面と衝突しな
いようにすることが好ましい。円環状磁石アセンブリ３
３２がシールド３３０の外側面に取り付けられ、第２磁
場３４０が形成されている。A hollow cylinder shaped shield 330 is attached to the top wall 212 and surrounds the target 334 to limit the area that is sputtered. The shield 330 is preferably connected to the upper wall 212 of the vacuum chamber 206 and grounded to repel cations so that the cations do not collide with the surface of the shield 330. Toroidal magnet assembly 3
32 is attached to the outer surface of the shield 330, and a second magnetic field 340 is formed.
【００１７】図４を参照すれば、図３のＩ−Ｉ線に沿っ
た断面図が示されている。円環状磁石アセンブリ３３２
は複数の磁石を備えている。ここで、各磁石はＮ極及び
Ｓ極を有する。各磁石の一方の磁極はシールド３３０に
対向し、もう一方の磁極はシールドとは逆の向きに向か
い、シールド３３０に対向する隣接した磁極が互いに相
異なる極性を有するように各磁石を配置することによっ
て、ターゲット３３４の表面に平行な第２磁場３４０を
発生する。ターゲット３３４と概ね垂直な電場及びター
ゲット３３４に平行な第２磁場３４０との相互作用によ
り、ターゲット３３４の周縁部の電子は、ターゲット３
３４の周りで外サイクロイド運動をすることによって、
この領域でのイオン化率を増加させ、その結果、そのイ
オンの流束を増加させる。図１に示された従来のマグネ
トロン陰極アセンブリ１００と比較して、ターゲット３
３４の周縁部における増加したイオンの流束により、イ
オン化した粒子がターゲット３３４の表面に均一に衝突
し、ターゲット表面が均一に浸食されることになる。Referring to FIG. 4, there is shown a cross-sectional view taken along the line II of FIG. Toroidal magnet assembly 332
Has multiple magnets. Here, each magnet has a north pole and a south pole. Arranging the magnets so that one pole of each magnet faces the shield 330, the other pole faces in the opposite direction to the shield, and the adjacent poles facing the shield 330 have different polarities. Generates a second magnetic field 340 parallel to the surface of the target 334. Due to the interaction between the target 334 and the substantially vertical electric field and the second magnetic field 340 parallel to the target 334, the electrons in the peripheral portion of the target 334 may be absorbed by the target 3.
By doing an epicycloidal motion around 34,
It increases the ionization rate in this region and consequently the flux of the ions. The target 3 compared to the conventional magnetron cathode assembly 100 shown in FIG.
Due to the increased ion flux at the peripheral edge of 34, the ionized particles collide with the surface of the target 334 uniformly, and the target surface is uniformly eroded.
【００１８】上記において、本発明の特定の実施例につ
いて説明したが、本明細書に記載した特許請求の範囲を
逸脱することなく、当業者は種々の変更を加え得ること
は勿論である。While particular embodiments of the present invention have been described above, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications can be made without departing from the scope of the claims set forth herein.
【００１９】[0019]
【発明の効果】従って、本発明によれば、スパッタリン
グ速度を増加させ、スパッタリングターゲットの表面が
均一に浸食される。Therefore, according to the present invention, the sputtering rate is increased and the surface of the sputtering target is uniformly eroded.
【図１】トンネル形状の磁場の効果を示した従来のマグ
ネトロン陰極アセンブリの概略斜視図。FIG. 1 is a schematic perspective view of a conventional magnetron cathode assembly showing the effect of a tunnel-shaped magnetic field.
【図２】基板上に物質を形成するための本発明によるス
パッタリング装置の概略断面図。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a sputtering apparatus according to the present invention for forming a substance on a substrate.
【図３】図２に示されたマグネトロン陰極アセンブリの
詳細断面図。3 is a detailed cross-sectional view of the magnetron cathode assembly shown in FIG.
【図４】図３のＩ−Ｉ線に沿ったマグネトロン陰極アセ
ンブリの断面図。4 is a cross-sectional view of the magnetron cathode assembly taken along line I-I of FIG.
２００ スパッタリング装置 ２０２ 基板 ２０４ 基板ホルダー ２０６ 真空チェーバ ２０８ ベースプレート ２１０ 側面壁 ２１２ 上部壁 ２１４ 入力ポート ２１８ 排出ポート ２２０ 弁 ２２２ 円形開口 ３００ マグネトロン陰極アセンブリ ３１０ カバープレート ３１２ 真空密封リング ３１４ 磁気保持板 ３２０ 背面板 ３２２ スペーサ ３２４ 中央磁石 ３２６ 円環状磁石 ３３０ シールド ３３２ 円環状磁石アセンブリ ３３４ ターゲット ３３６ 第１磁場 ３４０ 第２磁場 200 Sputtering device 202 Substrate 204 Substrate holder 206 Vacuum chaver 208 Base plate 210 Side wall 212 Upper wall 214 Input port 218 Discharge port 220 Valve 222 Circular opening 300 Magnetron cathode assembly 310 Cover plate 312 Vacuum sealing ring 314 Magnetic holding plate 320 Back plate 322 Spacer 324 central magnet 326 annular magnet 330 shield 332 annular magnet assembly 334 target 336 first magnetic field 340 second magnetic field
Claims (2)
ッタリング物質からなり、中心領域及び周縁領域を有す
るスパッタリング表面を有するスパッタリングターゲッ
トと、 前記スパッタリングターゲットに実質的に垂直な電界を
発生するための電界発生手段と、 前記周縁領域における前記スパッタリング表面に対して
平行な磁場を発生し、各々の一方の磁極が前記ターゲッ
トに対向するように前記スパッタリング表面の前記周縁
領域の周りの円周上に配置された複数の磁石を備える磁
化手段であって、前記各磁石のもう一方の磁極は前記タ
ーゲットから離れる向きに向かい、前記ターゲットに対
向する隣接した前記各磁極は互いに相異なる極性を有す
るように前記各磁石が配置されている前記磁化手段とを
含むことを特徴とするスパッタリング装置。1. A sputtering apparatus, comprising a substrate holder for fixing a substrate, a sputtering material for supplying a sputtering material onto the substrate, and a sputtering target having a sputtering surface having a central region and a peripheral region. An electric field generating means for generating an electric field substantially perpendicular to the sputtering target; and a magnetic field parallel to the sputtering surface in the peripheral region, one magnetic pole of each facing the target. A magnetizing means comprising a plurality of magnets arranged on a circumference around the peripheral region of the sputtering surface, wherein the other magnetic pole of each magnet faces away from the target, The adjacent magnetic poles adjacent to each other have polarities different from each other. The sputtering apparatus which comprises a said magnetizing means each magnet is arranged so.
表面と反対側の表面に対向して配置され、かつ第１及び
第２の磁極を備え、前記第１の磁極から流出して前記ス
パッタリング表面を通過し、前記スパッタリング表面の
近傍の空間を曲線を描いて通過し、前記スパッタリング
表面を通過して前記第２の磁極に流入する磁束からなる
第２の磁場を形成して、前記スパッタリング表面に隣接
したトンネル形状の磁場の連続した閉ループを形成する
第２磁化手段を更に有することを特徴とする請求項１に
記載のスパッタリング装置。2. A target is disposed opposite to the surface of the target opposite to the sputtering surface, and includes first and second magnetic poles, and flows out from the first magnetic pole and passes through the sputtering surface. A tunnel shape adjacent to the sputtering surface by forming a second magnetic field consisting of a magnetic flux passing through the space in the vicinity of the sputtering surface in a curved line and flowing into the second magnetic pole through the sputtering surface. 2. The sputtering apparatus according to claim 1, further comprising a second magnetizing means for forming a continuous closed loop of the magnetic field.
Applications Claiming Priority (2)
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| KR1995P10601 | 1995-04-29 | ||
| KR1019950010601A KR0141866B1 (en) | 1995-04-29 | 1995-04-29 | Device for sputtering a video of head drum |
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| KR (1) | KR0141866B1 (en) |
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Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105200384A (en) * | 2015-10-27 | 2015-12-30 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | Magnetic-shoe enhanced magnetron sputtering coating apparatus for diamond-like carbon film and method |
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1995
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1996
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- 1996-04-29 CN CN96104941A patent/CN1140207A/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| CN1140207A (en) | 1997-01-15 |
| KR0141866B1 (en) | 1998-07-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031216 |