JPH09129540A - ステージ装置の直交度測定方法 - Google Patents

ステージ装置の直交度測定方法

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JPH09129540A
JPH09129540A JP7283889A JP28388995A JPH09129540A JP H09129540 A JPH09129540 A JP H09129540A JP 7283889 A JP7283889 A JP 7283889A JP 28388995 A JP28388995 A JP 28388995A JP H09129540 A JPH09129540 A JP H09129540A
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JP
Japan
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stage
orthogonality
coordinate system
reticle
moving coordinate
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JP7283889A
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English (en)
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Muneyasu Yokota
宗泰 横田
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • A Measuring Device Byusing Mechanical Method (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】ステージ直交度の誤差変化量を容易かつ短時間
に測定する。 【解決手段】ステージスリット21をステージ6のY軸
上に一定間隔で複数配置し、それらを用いてステージ直
交度測定用の基準マーク入りレチクルを計測し、レチク
ルのマーク配列座標の直交度を基準としたステージ直交
度をステージストローク全域での算出する。所定の時間
経過後、同じ基準マーク入りレチクルを用いて同様の測
定を行い、前回の測定値と比較することによりステージ
直交度の変化量を求める。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体素子
や液晶表示素子製造用の露光装置において基板を載置し
て2次元的に移動するステージの移動座標系の直交度を
測定する方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体メモリや液晶ディスプレイを製造
する工程の一工程であるフォトリソグラフィ工程では、
露光装置を用いてレジストを塗布したウエハやガラス基
板等の感光性基板(以下、単に基板という)上にレチク
ルのパターンを露光することが行われる。基板は、露光
装置のステージ上に載置されて2次元移動され、所定の
露光位置に位置決めされる。
【0003】ステージの位置決めは、ステージに対して
2つの移動鏡(平面鏡)を反射面が互いに直交するよう
に固定し、これら2つの移動鏡までの距離をレーザ干渉
計で測定することにより行われる。このとき、2つの移
動鏡によってステージの2つの移動軸が決定され、この
2つの移動軸によって移動座標系が構成される。従っ
て、2つの移動鏡に取り付け誤差があって反射面が直交
していない場合には、2つの移動鏡によって決められる
ステージの移動座標系のX軸とY軸が完全に直交してい
ないことになる。このような状態では、レチクル上のパ
ターンをステージ上に載置された基板にいわゆるステッ
プ・アンド・リピート方式で露光する際、基板上に形成
されるパターの配列座標系も直交しなくなり、パターン
が本来の位置(設計上の目標位置)からずれて露光さ
れ、レチクルと基板の位置決めがずれることになる。
【0004】ステージ移動座標系の直交度(以下、ステ
ージ直交度という)は基板上に形成されるパターンの精
度に直接影響するため、初期調整時にテスト露光を行っ
てステージ直交度を測定し、この結果得られた直交度を
補正値として装置に設定し、露光動作を行うようになさ
れている。従来、ステージ直交度の測定は、中心部にマ
ーク群が設けられたレチクルを用い、このマーク群をレ
ジストを塗布した基板に露光、現像することによって行
っていた。図8は、ステージ直交度を測定する際に使用
されるレチクルに設けられたマーク群の拡大図である。
マーク群50は、XY重ね合わせ計測用バーニアの主尺
マーク53、副尺マーク54及び基板アライメント用マ
ーク55からなる。
【0005】まず、図9(a)に示すように、レチクル
のマーク群50をレジストを塗布した基板60の上下左
右の位置61,62,63,64に焼き付け、現像す
る。ここで、露光位置61と62は中心のX座標値が等
しくなるようにステージをステージ移動座標系のY軸に
平行に移動して設定され、露光位置63と64は中心の
Y座標値が等しくなるようにステージをステージ移動座
標系のX軸に平行に移動して設定される。その後、図9
(b)に示すように、基板60を90°回転(この例で
は時計回り)させた状態で、位置62と61に形成され
たマーク群50のアライメントマーク52がX軸に平行
になるように基板のアライメントを行い、先に焼き付け
た上下左右の位置にマーク群50を重ねて焼き付け現像
し、重ね合わせ計測用バーニア53,54を用いて直交
度を算出する。
【0006】図10に示すように、基板60の上下左右
の各位置63,64,62,61において、主尺53、
副尺54のX方向、Y方向の間隔(ΔX,ΔY)を測定
し、その設計値からのずれを各々(ΔXt,ΔYt)、
(ΔXb,ΔYb)、(ΔXr,ΔYr)、(ΔXl,
ΔYl)とする。また、図9(b)に示すように、上下
バーニア間距離をLtb、左右バーニア間距離をLlr
とすると、ステージ直交度θは下式で求められる。
【0007】θ=(ΔXt−ΔXb)/2Ltb+(Δ
Yl−ΔYr)/2Llr
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ステージ直交度は、環
境温度の変化やステージ移動時の衝撃等によって変化す
る場合があるため、定期的に直交度を測定し、装置の補
正値を修正する必要がある。しかし、上記従来技術によ
っては、レジストを塗布した基板とマーク群を設けたレ
チクルを用意し、2回の焼き付け、現像処理を行ったの
ち、バーニア計測を行い、直交度を算出するので、処理
が煩雑な上、時間を要するという問題があった。
【0009】本発明は、このような従来の問題点に鑑み
てなされたもので、ステージ直交度の誤差変化量を容易
かつ短時間に測定できる方法を提供することを目的とす
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明では、ステージスリットをステージのY軸方向に
一定間隔で複数配置し、それらを用いてステージ直交度
測定用の基準マークが配置された測定用レチクルを計測
し、レチクルのマーク配列座標の直交度を基準にしてス
テージ直交度を評価する。測定用レチクルの配列座標が
完全に直交しているか、あるいは完全に直交していなく
とも直交度が測定されていて既知であれば、測定用レチ
クルを測定した結果からステージの直交度を評価するこ
とができる。また、同じ測定用レチクルを用いて所定の
時間毎に計測を行うと、その間のステージ直交度の変化
を評価することができる。
【0011】本発明によると基板の焼き付け処理やバー
ニア計測処理を行う必要はなく、基準マークの入った測
定用レチクルを用意するだけで、容易かつ短時間にステ
ージ直交度を測定することができる。すなわち、本発明
は、互いに交差する2つの軸によって決定される移動座
標系に沿って2次元的に移動するステージを有するステ
ージ装置の移動座標系の直交度を測定する方法におい
て、第1の直線上に配置された複数の第1のマークと第
1の直線と直交する第2の直線上に配置された複数の第
2のマークを有する測定用レチクルを用い、ステージに
設けられた発光部から射出された光で測定用レチクルに
設けられた第1及び第2のマークを検出したときの移動
座標系におけるステージの位置を求めることによって移
動座標系の直交度を測定することを特徴とする。
【0012】また、本発明は、互いに交差する2つの軸
によって決定される移動座標系に沿って2次元的に移動
するステージを有するステージ装置の移動座標系の直交
度を測定する方法において、第1の直線上に配置された
複数の第1のマークと第1の直線と直交する第2の直線
上に配置された複数の第2のマークを有する測定用レチ
クルを用い、ステージに設けられた発光部から射出され
た光で測定用レチクルに設けられた第1及び第2のマー
クを検出したときの移動座標系におけるステージの位置
を求めることによって、第1及び第2の直線で決定され
る座標系の直交度からの移動座標系の直交度の偏差を求
め、所定の時間後に再び、測定用レチクルを用い、ステ
ージに設けられた発光部から射出された光で測定用レチ
クルに設けられた第1及び第2のマークを検出したとき
の移動座標系におけるステージの位置を求めることによ
って、第1及び第2の直線で決定される座標系の直交度
からの移動座標系の直交度の偏差を求め、2つの偏差を
比較することによって移動座標系の直交度の変化量を求
めることを特徴とする。
【0013】ステージに設ける発光部は、移動座標系の
一方の軸方向、例えばY軸方向に関し間隔を開けて複数
個設けるのがよい。測定用レチクルをレチクルライブラ
リに保管しておけば、一定期間毎あるいはオンラインに
よるホストコンピュータからの指示によって自動で測定
することができ、無人化された精度管理も可能となる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
の形態を説明する。図1は露光装置の概略側面図、図2
はステージ装置の上面図である。照明光学系1から射出
された露光光は、ほぼ均一な照度でレチクルステージ2
上に保持されたレチクル3を照明する。レチクル3のパ
ターン像は、投影光学系4を介してレジストが塗布され
た基板5上に形成される。レジストが塗布されたウエハ
やガラス基板等の基板5はステージ6上に載置されてい
る。ステージ6は、投影光学系4の光軸に垂直な面内で
基板5を2次元的に位置決めするXYステージ、基板5
を投影光学系4の光軸に平行な方向に位置決めするZス
テージ、及び基板5を回転させるθステージ等により構
成されている。ステージ6の上面には移動鏡(平面鏡)
11が固定され、移動鏡11に対向するようにレーザ干
渉計12が配置されている。
【0015】図2により、ステージ装置について詳細に
説明する。図2において10は全体としてステージ装置
を示し、X軸とY軸からなる直交座標系(移動座標系)
に沿って移動するステージ6上には、レーザ干渉計を用
いて位置決めを行うための2つの移動鏡11X,11Y
が互いに直角をなすように固定されている。レーザ干渉
計は、X軸に沿って移動鏡11Xにレーザビームを照射
するX軸用のレーザ干渉計12X及びY軸に沿って移動
鏡11Yにレーザビームを照射するY軸用のレーザ干渉
計12Yより構成され、ステージ6のX座標及びY座標
が計測される。レーザ干渉計12X,12Yにより計測
されたステージ6のX座標及びY座標の情報は制御装置
15に供給され、制御装置15は計測された座標値をモ
ニタしつつモーター16を制御してステージ6の位置決
め動作を制御する。ここでX軸に対するY軸の直交度
(ステージ直交度)をθとする。
【0016】図1には示していないが、レチクル側にも
基板側と全く同じ干渉計システムを設け、制御装置15
がその干渉計の出力を利用してモーター17によりレチ
クルホルダー2の駆動も行うようにしてもよい。また、
基板5のアライメントを行うための基板アライメント用
顕微鏡18、レチクル3をアライメントするためのレチ
クルアライメント顕微鏡19が設けられている。
【0017】図2に戻って、ステージ6のY軸方向には
複数のステージスリット21a〜21eが配置されてい
る。隣接するステージスリット8a〜8eのY軸方向の
間隔は、基板5上に投影されたレチクル3の投影像のY
軸方向寸法以下であり、Y軸方向の+、−のステージリ
ミット位置でも、最低1つのステージスリットがレチク
ル投影領域内の、前者は−側、後者は+側の端部に来る
ような配置となっている。これらのステージスリット
は、Y軸方向のステージ移動の全ストロークをカバーす
るように設けられていればよく、必ずしも図示のように
一直線上に配置する必要はない。
【0018】ステージスリット21aは、図3に示すよ
うに、Y軸に平行なスリット(透明部)22XとX軸に
平行なスリット(透明部)22Yからなり、ミラー23
によって反射された光ファイバー24からの光によって
ステージ内部から照明される。他の照明ステージスリッ
ト21b〜21eも同一の構造を有する。光ファイバー
24の他端には光源25が配置され、シャッター26を
介して露光光と同一波長の光が導かれる。シャッター2
6は制御装置15によって駆動されるソレノイド27に
よって開閉される。光源25は露光用の光源と兼用して
もよいし、露光光とほぼ同一波長のスペクトルを有する
レーザ光源であってもよい。光ファイバー24から射出
した照明光はスリット22X,22Yをほぼ均一に照明
するため、投影レンズ4側からスリット22X,22Y
を見るとそれ自体発光したスリット状のマークとなる。
【0019】ステージスリット21の発光スリット像は
投影レンズ4を介してレチクル3の下面に結像する。図
1に示すように、ステージスリット21がレチクル3に
設けられたマーク3aの投影点に位置決めされると、そ
のマーク3aを透過した発光スリット像の光は、ミラー
31、検出光学系32を介してディテクタ33に入射す
る。ディテクタ33の出力信号は増幅器34で増幅さ
れ、アナログ/デジタル変換器35でデジタル信号に変
換されたのち制御装置15に入力される。
【0020】次に、図1に示された露光装置のステージ
直交度測定方法について説明する。ここでは、図4に示
す測定用レチクルを用いる。測定用レチクル40は、直
交するx軸とy軸とからなる直交座標系(以下、配列座
標系という)上に形成された4つのマーク41〜44を
有する。マーク41と42は、配列座標系のy座標値が
等しくなるように、すなわちx軸に平行な直線上に設け
られている。マーク43と44は配列座標系のx座標値
が等しくなるように、すなわちy軸に平行な直線上に設
けられている。
【0021】ステージ6の直交度が従来の方法を用いて
調整された状態を初期状態とする。まず初期状態におい
て、測定用レチクル40をレチクルホルダー2に載置し
て通常の方法でアライメントし、ステージスリット21
aで順次マーク41〜44を計測する。ステージをY軸
方向に駆動したとき発光スリット22Yからの照明光が
レチクルマーク41を横切ると、図5のようにディテク
タ33の受光量が減少する。このディテクタ33の光量
が極小になった時点tでのステージ6の移動量をレーザ
干渉計12Yの出力から知ることにより、マーク41の
投影像のY座標値(Yr)を求める。続いて、ステージ
6を同様にY軸方向に駆動して発光スリット22Yでレ
チクルマーク42を走査し、ディテクタの出力信号が極
値をとったときのレーザ干渉計12Yの出力からマーク
42の投影像のY座標値(Yl)を求める。同様にし
て、発光スリット22Xを用い、ディテクタ33とレー
ザ干渉計12Xの出力からマーク43の投影像のX座標
値(Xb)と、マーク44の投影像のX座標値(Xt)
を求める。同様の操作を、各ステージスリット21b〜
21eを用いて繰り返す。
【0022】マーク41,42,43,44の投影像の
座標が図6のように測定されたとすると、ステージ装置
10の直交度は、各ステージスリット毎に次のように求
められる。ここで、nはステージスリット21a〜21
eによる計測値を区別するための記号であり、図の例で
はn=1,2,…,5である。また、Lxはマーク41
と42の投影像間の距離、Lyはマーク43と44の投
影像間の距離である。
【0023】θn=(−Xtn+Xbn)/Ly−(Y
rn−Yln)/Lx ここで測定したステージ直交度θnは測定用レチクル4
0の製造誤差を含んでいるが、以後の測定でも同一のレ
チクルを使用することを前提とし、これらの値を初期値
として制御装置15内に記憶させる。以後のステージ直
交度の測定も同様に行われ、その時求まるステージ直交
度をθntとすると、次式によりステージ直交度の変化
量Δθnが求められる。
【0024】Δθn=θnt−θn ここで求めたステージ直交度の変化量Δθnは、ステー
ジ6のY軸方向ストロークを複数の領域に分割(図の例
では5分割)たとき、その各部分領域でのステージ直交
度の変化量である。ステージ装置全体での直交度の変化
量Δθは、図7に示すように、Y軸方向に分割して測定
された各部分領域でのステージ直交度変化直線をつなぎ
合わせた折れ線の上下端を結んだ直線とY軸がなす角度
として求めることができる。あるいはΔθnの平均値を
ステージ直交度の変化量とすることもできる。
【0025】こうして測定されたステージ直交度が装置
が補正可能な範囲にあれば、補正量を更新する。ステー
ジ直交度のずれが許容限度を超える場合には、CRT等
の表示手段に警告メッセージを表示し、作業者に報知し
てステージ装置の調整を促す。なお、測定用レチクルの
40に設けられたマーク41及び42で定められるx軸
と、マーク43及び44で定められるy軸で決定される
配列座標系のx軸とy軸が完全に直交している場合に
は、図7と同様の手法によりY軸方向に分割して測定さ
れた各部分領域でのステージ直交度θnをつなぎ合わせ
た折れ線の上下端を結んだ直線とY軸がなす角度θ、あ
るいはθnの平均値をそのままステージ直交度として評
価することができる。また、測定用レチクルの配列座標
系のx軸とy軸が完全に直交していなくても、その直交
度が測定されていて既知であれば、上式で計算された値
θnから求められる直交度から配列座標系の既知の直交
度を差し引くことによりステージ直交度の絶対値を評価
することができる。
【0026】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ステージ
直交度の測定を容易かつ短時間に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】露光装置の概略図。
【図2】ステージ装置の上面図。
【図3】ステージスリットの説明図。
【図4】測定用レチクルの説明図。
【図5】ディテクタの出力波形を示す図。
【図6】測定用レチクル上のマーク投影像をステージス
リットで測定したときの測定座標値を示す図。
【図7】ステージ装置全体の直交度の求め方の説明図。
【図8】従来の直交度測定方法で用いられたレチクルの
マーク群の説明図。
【図9】レチクルマーク群の露光方法の説明図。
【図10】重ね焼きされたバーニアの図。
【符号の説明】
1…照明系、2…レチクルステージ、3…レチクル、4
…投影レンズ、5…基板、6…ステージ、11…移動
鏡、12…レーザ干渉計、15…制御装置、16,17
…モーター、18…基板アライメント顕微鏡、19…レ
チクルアライメント顕微鏡、21a〜21e…ステージ
スリット、23…ミラー、24…光ファイバー、25…
光源、26…シャッター、27…ソレノイド、31…ミ
ラー、32…検出光学系、33…ディテクタ、34…増
幅器、35…アナログ/デジタル変換器、40…測定用
レチクル、41〜44…マーク、50…レチクルのマー
ク群、53…主尺マーク、54…副尺マーク、55…ア
ライメント用マーク、60…基板、61〜64…マーク
露光位置

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 互いに交差する2つの軸によって決定さ
    れる移動座標系に沿って2次元的に移動するステージを
    有するステージ装置の前記移動座標系の直交度を測定す
    る方法において、 第1の直線上に配置された複数の第1のマークと前記第
    1の直線と直交する第2の直線上に配置された複数の第
    2のマークを有する測定用レチクルを用い、 前記ステージに設けられた発光部から射出された光で前
    記測定用レチクルに設けられた前記第1及び第2のマー
    クを検出したときの前記移動座標系における前記ステー
    ジの位置を求めることによって前記移動座標系の直交度
    を測定することを特徴とするステージ装置の直交度測定
    方法。
  2. 【請求項2】 互いに交差する2つの軸によって決定さ
    れる移動座標系に沿って2次元的に移動するステージを
    有するステージ装置の前記移動座標系の直交度を測定す
    る方法において、 第1の直線上に配置された複数の第1のマークと前記第
    1の直線と直交する第2の直線上に配置された複数の第
    2のマークを有する測定用レチクルを用い、 前記ステージに設けられた発光部から射出された光で前
    記測定用レチクルに設けられた前記第1及び第2のマー
    クを検出したときの前記移動座標系における前記ステー
    ジの位置を求めることによって、前記第1及び第2の直
    線で決定される座標系の直交度からの前記移動座標系の
    直交度の偏差を求め、 所定の時間後に再び、前記測定用レチクルを用い、前記
    ステージに設けられた発光部から射出された光で前記測
    定用レチクルに設けられた前記第1及び第2のマークを
    検出したときの前記移動座標系における前記ステージの
    位置を求めることによって、前記第1及び第2の直線で
    決定される座標系の直交度からの前記移動座標系の直交
    度の偏差を求め、 前記2つの偏差を比較することによって前記移動座標系
    の直交度の変化量を求めることを特徴とするステージ装
    置の直交度測定方法。
  3. 【請求項3】 前記発光部は、前記移動座標系の一方の
    軸方向に関し間隔を開けて複数個設けられていることを
    特徴とする請求項1又は2記載のステージ装置の直交度
    測定方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2010161112A (ja) * 2009-01-06 2010-07-22 Nikon Corp 露光装置の管理方法及びデバイス製造方法
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