JPH09120061A - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶表示装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】広視野角とクロストークレスを両立したアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置の提供。 【解決手段】基板上に共通電極，走査電極，映像信号電
極，画素電極およびアクティブ素子により構成され複数
の表示画素上に液晶の配向膜が形成されており、前記基
板は液晶の配向膜を形成したもう一方の透明基板と対向
して配置され、前記両基板により液晶層が挟持され、前
記各電極は液晶層に対し実質的に基板と平行な電界が印
加できるよう構成され、かつ、表示パターンに応じ印加
電界を任意に制御できる外部制御手段と接続可能に形成
されており、前記液晶層の配向状態により光学特性を変
化させる偏光手段を備えたアクティブマトリクス型液晶
表示装置であって、前記映像信号電極に対し平行に形成
された遮光膜２２ａを備え、該遮光膜の比抵抗が１０8
Ω・ｃｍ未満とした該液晶表示装置にある。
ィブマトリクス型液晶表示装置の提供。 【解決手段】基板上に共通電極，走査電極，映像信号電
極，画素電極およびアクティブ素子により構成され複数
の表示画素上に液晶の配向膜が形成されており、前記基
板は液晶の配向膜を形成したもう一方の透明基板と対向
して配置され、前記両基板により液晶層が挟持され、前
記各電極は液晶層に対し実質的に基板と平行な電界が印
加できるよう構成され、かつ、表示パターンに応じ印加
電界を任意に制御できる外部制御手段と接続可能に形成
されており、前記液晶層の配向状態により光学特性を変
化させる偏光手段を備えたアクティブマトリクス型液晶
表示装置であって、前記映像信号電極に対し平行に形成
された遮光膜２２ａを備え、該遮光膜の比抵抗が１０8
Ω・ｃｍ未満とした該液晶表示装置にある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板に対し平行な電
界を印加する液晶表示装置に係り、広視野角と高画質を
両立するアクティブマトリクス型液晶表示装置に関す
る。
界を印加する液晶表示装置に係り、広視野角と高画質を
両立するアクティブマトリクス型液晶表示装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示装置において、液晶を駆
動する電極を２枚の基板表面上に形成し、相対向させ用
いていた。これは液晶に対し基板に垂直な方向の電界を
印加することで動作させる、ツイステッドネマチック表
示方式に代表される。この場合の電極にはＩＴＯ（Ｉnd
im Ｔin Ｏxide）などの透明電極が用いられている。
動する電極を２枚の基板表面上に形成し、相対向させ用
いていた。これは液晶に対し基板に垂直な方向の電界を
印加することで動作させる、ツイステッドネマチック表
示方式に代表される。この場合の電極にはＩＴＯ（Ｉnd
im Ｔin Ｏxide）などの透明電極が用いられている。
【０００３】一方、液晶に印加する電界の方向を基板に
対してほぼ平行な方向にする方式として、１枚の基板上
に設けた櫛歯電極を用いた方式が、特公昭６３−２１９
０７号公報、ＵＳＰ第４３４５２４９号公報により提案
されている。この場合、電極は透明である必要はなく、
導電性が高く不透明な金属電極が用いられる。
対してほぼ平行な方向にする方式として、１枚の基板上
に設けた櫛歯電極を用いた方式が、特公昭６３−２１９
０７号公報、ＵＳＰ第４３４５２４９号公報により提案
されている。この場合、電極は透明である必要はなく、
導電性が高く不透明な金属電極が用いられる。
【０００４】しかしながら、アクティブ素子を用いて液
晶に印加する電界の方向を基板にほぼ平行な方向にする
表示方式（以下、横電界方式と称す）において、多数の
電極配線が混在する中で、基板に対し平行に印加される
電界が互いに干渉することなく、適正な電界を液晶に印
加する方法、およびそれに伴う高画質化の手段について
は全く記されていない。
晶に印加する電界の方向を基板にほぼ平行な方向にする
表示方式（以下、横電界方式と称す）において、多数の
電極配線が混在する中で、基板に対し平行に印加される
電界が互いに干渉することなく、適正な電界を液晶に印
加する方法、およびそれに伴う高画質化の手段について
は全く記されていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】一般に、横電界方式で
は、一方の基板上に多数の配線を形成し電気信号を送信
するため、電界が互いに干渉する。従って、不要な電界
によって液晶に印加される電界が影響を受け、適正な電
界が液晶に印加されなくなる。
は、一方の基板上に多数の配線を形成し電気信号を送信
するため、電界が互いに干渉する。従って、不要な電界
によって液晶に印加される電界が影響を受け、適正な電
界が液晶に印加されなくなる。
【０００６】また、電極間に形成される不要な電気容量
によって、液晶に印加される電圧が変動してしまうと云
うこともある。このような現象は液晶表示装置の画質を
損なう原因となる。特に、ＴＦＴ等のアクティブ素子を
有する各画素に、信号を伝達する映像信号電極から発生
する電界が、液晶を動作するための画素電極と共通電極
間の電界に影響を与える。
によって、液晶に印加される電圧が変動してしまうと云
うこともある。このような現象は液晶表示装置の画質を
損なう原因となる。特に、ＴＦＴ等のアクティブ素子を
有する各画素に、信号を伝達する映像信号電極から発生
する電界が、液晶を動作するための画素電極と共通電極
間の電界に影響を与える。
【０００７】映像信号電極の電位は信号を伝播するた
め、フレーム期間中常に変動している。仮に、映像信号
電極に画素電極（アクティブ素子がオフ時に電位は浮遊
状態）が隣接していると、映像信号電極の変動する電位
によって、クロストーク現象であるスメアと呼ばれる映
像信号電極と平行に、筋状の影のようなむらが発生する
ことが知られている。この現象を抑制するため、映像信
号電極の最近接電極として、外部より常に電位を供与さ
れている共通電極を配置すると云う技術がある（特開平
６−４６９１６号公報）。
め、フレーム期間中常に変動している。仮に、映像信号
電極に画素電極（アクティブ素子がオフ時に電位は浮遊
状態）が隣接していると、映像信号電極の変動する電位
によって、クロストーク現象であるスメアと呼ばれる映
像信号電極と平行に、筋状の影のようなむらが発生する
ことが知られている。この現象を抑制するため、映像信
号電極の最近接電極として、外部より常に電位を供与さ
れている共通電極を配置すると云う技術がある（特開平
６−４６９１６号公報）。
【０００８】しかし、この技術では電界のシールド効果
が必ずしも十分ではなく、スメアが発生してしまうと云
う問題がある。共通電極の配線幅を大きくすればシール
ド効果が上がり、スメアを抑制することはできると予想
されるが、配線幅が大きくなることは、液晶表示装置の
開口率が低下してしまうと云う問題を引き起こす。
が必ずしも十分ではなく、スメアが発生してしまうと云
う問題がある。共通電極の配線幅を大きくすればシール
ド効果が上がり、スメアを抑制することはできると予想
されるが、配線幅が大きくなることは、液晶表示装置の
開口率が低下してしまうと云う問題を引き起こす。
【０００９】本発明の目的は、上記の問題を解決し、広
視野角でスメアの発生がない高画質を両立する横電界方
式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の提供にあ
る。
視野角でスメアの発生がない高画質を両立する横電界方
式のアクティブマトリクス型液晶表示装置の提供にあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成する本発
明の要旨は次のとおりである。
明の要旨は次のとおりである。
【００１１】〔１〕 基板上に共通電極，走査電極，映
像信号電極，画素電極およびアクティブ素子により構成
され複数の表示画素上に液晶の配向膜が形成されてお
り、前記基板は液晶の配向膜を形成したもう一方の透明
基板と対向して配置され、前記両基板により液晶層が挟
持され、前記各電極は液晶層に対し実質的に基板と平行
な電界が印加できるよう構成され、かつ、表示パターン
に応じ印加電界を任意に制御できる外部制御手段と接続
可能に形成されており、前記液晶層の配向状態により光
学特性を変化させる偏光手段を備えたアクティブマトリ
クス型液晶表示装置であって、前記映像信号電極に対し
平行に形成された遮光膜を備え、該遮光膜の比抵抗が１
０8Ω・ｃｍ未満であることを特徴とするアクティブマ
トリクス型液晶表示装置。
像信号電極，画素電極およびアクティブ素子により構成
され複数の表示画素上に液晶の配向膜が形成されてお
り、前記基板は液晶の配向膜を形成したもう一方の透明
基板と対向して配置され、前記両基板により液晶層が挟
持され、前記各電極は液晶層に対し実質的に基板と平行
な電界が印加できるよう構成され、かつ、表示パターン
に応じ印加電界を任意に制御できる外部制御手段と接続
可能に形成されており、前記液晶層の配向状態により光
学特性を変化させる偏光手段を備えたアクティブマトリ
クス型液晶表示装置であって、前記映像信号電極に対し
平行に形成された遮光膜を備え、該遮光膜の比抵抗が１
０8Ω・ｃｍ未満であることを特徴とするアクティブマ
トリクス型液晶表示装置。
【００１２】〔２〕 前記映像信号電極に対し平行に形
成された遮光膜が、１０8Ω・ｃｍ以上の絶縁体でさら
に覆われている遮光膜である。
成された遮光膜が、１０8Ω・ｃｍ以上の絶縁体でさら
に覆われている遮光膜である。
【００１３】〔３〕 前記走査電極に対し平行に形成さ
れた遮光膜の比抵抗が１０8Ω・ｃｍ以上である。
れた遮光膜の比抵抗が１０8Ω・ｃｍ以上である。
【００１４】〔４〕 前記映像信号電極に対し平行に形
成された遮光膜の映像信号電極との対向部分が導電体で
ある。
成された遮光膜の映像信号電極との対向部分が導電体で
ある。
【００１５】〔５〕 前記映像信号電極に対して平行に
形成された遮光膜中の導電体の電位が、前記共通電極と
同電位に設定できるよう構成されている。
形成された遮光膜中の導電体の電位が、前記共通電極と
同電位に設定できるよう構成されている。
【００１６】本発明は、電界を吸収する部材を遮光膜と
兼用し、映像信号電極から生ずる電界を、液晶層への印
加電界に影響を与えないようシールドしたことにある。
その際、映像信号の対向部分にのみ電界を吸収する部材
を配置し、それを覆うよう絶縁性の大きい遮光膜で被覆
してもよい。
兼用し、映像信号電極から生ずる電界を、液晶層への印
加電界に影響を与えないようシールドしたことにある。
その際、映像信号の対向部分にのみ電界を吸収する部材
を配置し、それを覆うよう絶縁性の大きい遮光膜で被覆
してもよい。
【００１７】上記電界を吸収する部材は金属などの導電
体でもよい。その場合は、映像信号電極の対向部分にの
み導電体を配置し、それを覆うよう絶縁性の大きい遮光
膜で被覆する。このとき、導電体には共通電極の電位と
同電位となるよう構成することにより、電界のシールド
効果をより大きくすることができる。
体でもよい。その場合は、映像信号電極の対向部分にの
み導電体を配置し、それを覆うよう絶縁性の大きい遮光
膜で被覆する。このとき、導電体には共通電極の電位と
同電位となるよう構成することにより、電界のシールド
効果をより大きくすることができる。
【００１８】上記絶縁性遮光膜としては、金属やカーボ
ン等の導電性粒子を配合した有機高分子材料を用い、導
電性粒子の配合量を調整することで比抵抗を調節するこ
とができる。
ン等の導電性粒子を配合した有機高分子材料を用い、導
電性粒子の配合量を調整することで比抵抗を調節するこ
とができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】まず、横電界方式の動作原理につ
いて説明する。
いて説明する。
【００２０】図１は本発明の横電界方式のアクティブマ
トリクス型液晶表示装置の模式構成図を示す。映像信号
電極に平行なブラックマトリクス２２ａと走査電極に平
行なブラックマトリクス２２ｂとの構成が異なる点が特
徴である。
トリクス型液晶表示装置の模式構成図を示す。映像信号
電極に平行なブラックマトリクス２２ａと走査電極に平
行なブラックマトリクス２２ｂとの構成が異なる点が特
徴である。
【００２１】図２（ａ）、（ｂ）は本発明の液晶パネル
内での液晶の動作を示す模式側断面図、図２（ｃ）、
（ｄ）はその模式正面図である。電圧無印加時のセル側
断面を図２（ａ）に、その時の正面図を図２（ｃ）に示
す。なお、図２ではアクティブ素子を省略してある。ま
た、本発明ではストライプ状の電極を形成して複数の画
素を形成するが、ここではその一画素の部分を示した。
内での液晶の動作を示す模式側断面図、図２（ｃ）、
（ｄ）はその模式正面図である。電圧無印加時のセル側
断面を図２（ａ）に、その時の正面図を図２（ｃ）に示
す。なお、図２ではアクティブ素子を省略してある。ま
た、本発明ではストライプ状の電極を形成して複数の画
素を形成するが、ここではその一画素の部分を示した。
【００２２】図３は電界９の方向に対する偏光板８の偏
光透過軸１１のなす角φP、基板界面近傍での液晶分子
長軸（光学軸）方向（ラビング方向１０）のなす角φLC
の関係を示す。なお、偏光板と液晶界面はそれぞれ上下
に一対あるので必要に応じてφP1、φP2、φLC1、φLC2
と表記する。
光透過軸１１のなす角φP、基板界面近傍での液晶分子
長軸（光学軸）方向（ラビング方向１０）のなす角φLC
の関係を示す。なお、偏光板と液晶界面はそれぞれ上下
に一対あるので必要に応じてφP1、φP2、φLC1、φLC2
と表記する。
【００２３】図２において、透明な一対の基板７，７’
の内側にストライプ状の電極１，３，４が形成され、そ
の上に配向制御膜５，５’が形成され、その間に液晶組
成物が挟持されている。
の内側にストライプ状の電極１，３，４が形成され、そ
の上に配向制御膜５，５’が形成され、その間に液晶組
成物が挟持されている。
【００２４】棒状の液晶分子６は、電界無印加時にはス
トライプ状の電極１，４の長手方向に対して若干の角
度、即ち、４５度＜｜φLC｜≦９０度となるように配向
されている。上下界面上での液晶分子６の配向方向１０
はここでは平行、即ち、φLC1＝φLC2を例に説明する。
また、液晶組成物の誘電異方性は正を想定している。負
であっても構わない。
トライプ状の電極１，４の長手方向に対して若干の角
度、即ち、４５度＜｜φLC｜≦９０度となるように配向
されている。上下界面上での液晶分子６の配向方向１０
はここでは平行、即ち、φLC1＝φLC2を例に説明する。
また、液晶組成物の誘電異方性は正を想定している。負
であっても構わない。
【００２５】次に、電界９を印加すると図２（ｂ）、
（ｄ）に示すように電界方向に液晶分子がその向きを変
える。偏光板８，８’を所定角度（偏光板透過軸方向１
１）に配置することで電界印加によって光透過率を変え
ることが可能となる。
（ｄ）に示すように電界方向に液晶分子がその向きを変
える。偏光板８，８’を所定角度（偏光板透過軸方向１
１）に配置することで電界印加によって光透過率を変え
ることが可能となる。
【００２６】なお、液晶組成物の誘率異方性が負の場合
には、初期配向状態をストライプ状電極の長手方向に垂
直な方向からの角度｜φLC｜（即ち、０度＜｜φLC｜≦
４５度）を持つように配向させる。
には、初期配向状態をストライプ状電極の長手方向に垂
直な方向からの角度｜φLC｜（即ち、０度＜｜φLC｜≦
４５度）を持つように配向させる。
【００２７】次に、本発明の不要電界のシールド手段に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００２８】映像信号電極に平行なブラックマトリクス
２２ａの比抵抗を１０8Ω・ｃｍ未満とすることによ
り、クロストーク現象であるスメアを低減することがで
きる。
２２ａの比抵抗を１０8Ω・ｃｍ未満とすることによ
り、クロストーク現象であるスメアを低減することがで
きる。
【００２９】横電界方式では、基本的にアクティブ素子
が搭載されている基板側にのみ電極が形成されている。
そして、電界は基板に平行な方向に印加されるため、対
向基板上の導体は電界の障害となる。
が搭載されている基板側にのみ電極が形成されている。
そして、電界は基板に平行な方向に印加されるため、対
向基板上の導体は電界の障害となる。
【００３０】従って、対向基板側にブラックマトリクス
（以下、ＢＭと称す）を設ける場合は、その材質は金属
ではなく、印加電界に影響を及ぼさない絶縁体とするこ
とが必然となる。
（以下、ＢＭと称す）を設ける場合は、その材質は金属
ではなく、印加電界に影響を及ぼさない絶縁体とするこ
とが必然となる。
【００３１】映像信号電極３に平行に形成するＢＭの比
抵抗を１０8Ω・ｃｍ未満とすることにより、映像信号
電極３に隣接する共通電極１の不要電界のシールド効果
を補助できることを見出した。これは１０8Ω・ｃｍ未
満の絶縁体は、絶縁体と云えども電界を吸収すると云う
実験結果に基づくものである。
抵抗を１０8Ω・ｃｍ未満とすることにより、映像信号
電極３に隣接する共通電極１の不要電界のシールド効果
を補助できることを見出した。これは１０8Ω・ｃｍ未
満の絶縁体は、絶縁体と云えども電界を吸収すると云う
実験結果に基づくものである。
【００３２】図４（ａ）にその実験結果を示す。これ
は、図４（ｂ）のような櫛歯電極付き基板（Ｉ）の対向
基板（II）にＢＭを形成した基板を用い、ＢＭの影響を
受けないスポットａでの駆動電圧と、ＢＭの影響を受け
る可能性のあるスポットｂでの駆動電圧を測定し比較し
た。
は、図４（ｂ）のような櫛歯電極付き基板（Ｉ）の対向
基板（II）にＢＭを形成した基板を用い、ＢＭの影響を
受けないスポットａでの駆動電圧と、ＢＭの影響を受け
る可能性のあるスポットｂでの駆動電圧を測定し比較し
た。
【００３３】この結果ＢＭの材料の比抵抗が１０8Ω・
ｃｍ未満では、駆動電圧がは上昇することが分かった。
つまり、絶縁体であっても比抵抗が１０8Ω・ｃｍ未満
のものは電界を吸収することが実証された。従って、Ｂ
Ｍの部材として比抵抗が１０8Ω・ｃｍ未満の絶縁体を
用いることにより、不要な電界をシールドする効果が得
られる。
ｃｍ未満では、駆動電圧がは上昇することが分かった。
つまり、絶縁体であっても比抵抗が１０8Ω・ｃｍ未満
のものは電界を吸収することが実証された。従って、Ｂ
Ｍの部材として比抵抗が１０8Ω・ｃｍ未満の絶縁体を
用いることにより、不要な電界をシールドする効果が得
られる。
【００３４】映像信号電極３と対向するＢＭを比抵抗が
１０8Ω・ｃｍ未満に形成し、それを１０8Ω・ｃｍ以上
の絶縁体で覆う二重構造とすることにより、上下基板の
アラインメントのずれに基づく画素電極４と共通電極１
により液晶に印加する電界に影響を及ぼさないようにで
きる。
１０8Ω・ｃｍ未満に形成し、それを１０8Ω・ｃｍ以上
の絶縁体で覆う二重構造とすることにより、上下基板の
アラインメントのずれに基づく画素電極４と共通電極１
により液晶に印加する電界に影響を及ぼさないようにで
きる。
【００３５】さらに、映像信号電極３と対向するＢＭを
導電体で構成し、その導電体を１０8Ω・ｃｍ以上の絶
縁体で覆う二重構造にしても、ＢＭによる不要電界のシ
ールド効果はさらに増強する。なお、上記の導電体を絶
縁体で覆う方法としては、凸状の導電体を逆凹状に覆っ
ても、また、導電体上に絶縁体が積層された形状に構成
しても同様の効果が得られる。
導電体で構成し、その導電体を１０8Ω・ｃｍ以上の絶
縁体で覆う二重構造にしても、ＢＭによる不要電界のシ
ールド効果はさらに増強する。なお、上記の導電体を絶
縁体で覆う方法としては、凸状の導電体を逆凹状に覆っ
ても、また、導電体上に絶縁体が積層された形状に構成
しても同様の効果が得られる。
【００３６】さらにまた、上記において導電体が電位的
に浮遊しているよりもある電位を有する方が、電界の吸
収効果が安定する。従って、導電体を共通電極１の電位
と常に同レベルに設定することにより、電界のシールド
効果をより高めることができる。
に浮遊しているよりもある電位を有する方が、電界の吸
収効果が安定する。従って、導電体を共通電極１の電位
と常に同レベルに設定することにより、電界のシールド
効果をより高めることができる。
【００３７】前記絶縁体の比抵抗の制御は、高分子有機
材料中に金属粒やカーボンを分散する方法があり、それ
らの含有量を調節することにより絶縁体の比抵抗を調節
できる。
材料中に金属粒やカーボンを分散する方法があり、それ
らの含有量を調節することにより絶縁体の比抵抗を調節
できる。
【００３８】
【実施例】本発明を実施例によりさらに具体的に説明す
る。
る。
【００３９】〔実施例 １〕基板としては、厚さ１.１
ｍｍの表面を研磨した透明なガラス基板を２枚用いる。
これらの基板の一方の基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）１４を形成し、さらにその上を絶縁膜である窒化シ
リコン膜を形成し、その上に配向膜５を塗布した。本実
施例では、配向膜５としてポリイミドを採用し、その表
面を液晶を配向させるためのラビング処理をした。
ｍｍの表面を研磨した透明なガラス基板を２枚用いる。
これらの基板の一方の基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）１４を形成し、さらにその上を絶縁膜である窒化シ
リコン膜を形成し、その上に配向膜５を塗布した。本実
施例では、配向膜５としてポリイミドを採用し、その表
面を液晶を配向させるためのラビング処理をした。
【００４０】もう一方の基板にはＢＭ付きカラーフィル
ター２３を形成し、表面にポリイミドを塗布し同様のラ
ビング処理をした。
ター２３を形成し、表面にポリイミドを塗布し同様のラ
ビング処理をした。
【００４１】上下界面上のラビング方向１０は互いにほ
ぼ平行で、かつ、電界９の印加方向とのなす角度を７５
度（φLC1＝φLC2＝７５度）とした。
ぼ平行で、かつ、電界９の印加方向とのなす角度を７５
度（φLC1＝φLC2＝７５度）とした。
【００４２】これらの基板間に誘電率異方性Δεが正
で、その値が７.３であり、屈折率異方性Δｎが０.０７
４（５８９ｎｍ、２０℃）のネマチック液晶組成物を挟
んだ。パネルギャップｄは、球形のポリマビーズを基板
間に分散，挾持し、液晶封入状態で４.０μｍとした。
従ってΔｎ・ｄは０.２９６μｍである。
で、その値が７.３であり、屈折率異方性Δｎが０.０７
４（５８９ｎｍ、２０℃）のネマチック液晶組成物を挟
んだ。パネルギャップｄは、球形のポリマビーズを基板
間に分散，挾持し、液晶封入状態で４.０μｍとした。
従ってΔｎ・ｄは０.２９６μｍである。
【００４３】上記パネルを２枚の偏光板〔日東電工社製
Ｇ１２２０ＤＵ〕で挾み、一方の偏光板の偏光透過軸φ
P1＝７５度に設定し、他方の偏光板をこれに直交、即
ち、φP2＝−１５度とした。
Ｇ１２２０ＤＵ〕で挾み、一方の偏光板の偏光透過軸φ
P1＝７５度に設定し、他方の偏光板をこれに直交、即
ち、φP2＝−１５度とした。
【００４４】なお、本実施例では低電圧（ＶOFF）で暗
状態、高電圧（ＶON）で明状態をとるノーマリクローズ
特性を採用した。
状態、高電圧（ＶON）で明状態をとるノーマリクローズ
特性を採用した。
【００４５】図５に上記パネルのＴＦＴおよび各電極の
模式構造を示す。図５は基板面に垂直な方向から見た正
面図と正面図のＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’における模式側断面
図を併せて表す。
模式構造を示す。図５は基板面に垂直な方向から見た正
面図と正面図のＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’における模式側断面
図を併せて表す。
【００４６】ＴＦＴ１４は、画素電極（ソース電極）
４、映像信号電極（ドレイン電極）３、走査電極（ゲー
ト電極）１２、および、アモルファスシリコン１３から
構成される。共通電極（コモン電極）１，走査電極１
２，映像信号電極３および画素電極４は、それぞれ同一
の金属層をパターン化して形成した。
４、映像信号電極（ドレイン電極）３、走査電極（ゲー
ト電極）１２、および、アモルファスシリコン１３から
構成される。共通電極（コモン電極）１，走査電極１
２，映像信号電極３および画素電極４は、それぞれ同一
の金属層をパターン化して形成した。
【００４７】容量素子１６は、２本の共通電極１，１’
間の領域において、画素電極４と共通電極１で絶縁膜
２’を挟む構造に形成した（Ａ−Ａ’）。
間の領域において、画素電極４と共通電極１で絶縁膜
２’を挟む構造に形成した（Ａ−Ａ’）。
【００４８】画素電極４は、正面図において３本の共通
電極１の間に配置されている。画素ピッチは横方向、即
ち、映像信号電極３間は１００μｍ、縦方向、即ち、走
査電極１２間は３００μｍである。電極幅は、複数画素
間にまたがる走査電極１２と、映像信号電極３および共
通電極１の走査電極１２と平行（図５で横方向）に延び
た部分とは、それぞれ広めに形成して線欠陥を回避し
た。その線幅はそれぞれ１０μｍ、８μｍ、８μｍであ
る。
電極１の間に配置されている。画素ピッチは横方向、即
ち、映像信号電極３間は１００μｍ、縦方向、即ち、走
査電極１２間は３００μｍである。電極幅は、複数画素
間にまたがる走査電極１２と、映像信号電極３および共
通電極１の走査電極１２と平行（図５で横方向）に延び
た部分とは、それぞれ広めに形成して線欠陥を回避し
た。その線幅はそれぞれ１０μｍ、８μｍ、８μｍであ
る。
【００４９】一方、１画素単位で独立に形成した画素電
極４および共通電極１の映像信号電極３の長手方向と平
行に伸びた部分の線幅は若干狭くし、それぞれ５μｍ、
６μｍとした。このように電極の線幅を狭くすると、混
入異物等による短絡，断線の可能性が高まるが、１画素
の部分的欠落ですみ線欠陥には至らない。
極４および共通電極１の映像信号電極３の長手方向と平
行に伸びた部分の線幅は若干狭くし、それぞれ５μｍ、
６μｍとした。このように電極の線幅を狭くすると、混
入異物等による短絡，断線の可能性が高まるが、１画素
の部分的欠落ですみ線欠陥には至らない。
【００５０】映像信号電極３と共通電極１は絶縁膜を介
して２μｍの間隙を設けた。なお、画素数は６４０×３
（Ｒ、Ｇ、Ｂ）本の映像信号電極３と４８０本の共通電
極１とで、６４０×３×４８０個とした。
して２μｍの間隙を設けた。なお、画素数は６４０×３
（Ｒ、Ｇ、Ｂ）本の映像信号電極３と４８０本の共通電
極１とで、６４０×３×４８０個とした。
【００５１】図６にＢＭ付きカラーフィルター基板の一
構成例の模式図を示す。図６では基板面に垂直な方向か
ら見た正面図と、正面図のＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’における
模式側断面図を併せて表す。
構成例の模式図を示す。図６では基板面に垂直な方向か
ら見た正面図と、正面図のＡ−Ａ’、Ｂ−Ｂ’における
模式側断面図を併せて表す。
【００５２】ＢＭ材料にはカーボンと有機顔料を混合し
た材料を用いた。まず、基板上にＢＭ材料（ａ）を塗布
後、パターニング露光、現像処理により走査電極１２に
平行に配置されるＢＭを形成した。次に、ＢＭ材料
（ｂ）を塗布後、パターニング露光、現像処理により映
像信号電極３に平行に配置されるＢＭを形成した。
た材料を用いた。まず、基板上にＢＭ材料（ａ）を塗布
後、パターニング露光、現像処理により走査電極１２に
平行に配置されるＢＭを形成した。次に、ＢＭ材料
（ｂ）を塗布後、パターニング露光、現像処理により映
像信号電極３に平行に配置されるＢＭを形成した。
【００５３】幅は１６μｍとしＢＭが共通電極１の線幅
の中心ラインより画素側に入らぬようにした。ＢＭの電
極基板に対する配置は図５中に破線で示す窓として示し
た。
の中心ラインより画素側に入らぬようにした。ＢＭの電
極基板に対する配置は図５中に破線で示す窓として示し
た。
【００５４】なお、ＢＭ材料（ａ）とＢＭ材料（ｂ）の
比抵抗は、カーボンの配合量によって変えた。本実施例
では、ＢＭ材料（ａ）が２×１０9Ω・ｃｍ、ＢＭ材料
（ｂ）を８×１０7Ω・ｃｍ（いずれもＢＭ形成後の比
抵抗で、実施例２以下も同じ）とした。
比抵抗は、カーボンの配合量によって変えた。本実施例
では、ＢＭ材料（ａ）が２×１０9Ω・ｃｍ、ＢＭ材料
（ｂ）を８×１０7Ω・ｃｍ（いずれもＢＭ形成後の比
抵抗で、実施例２以下も同じ）とした。
【００５５】次に、感光性樹脂に顔料を分散しＲ、Ｇ、
Ｂ領域にそれぞれコーティング、パターニング露光、現
像してカラーフィルタ２３を形成し、本発明のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置を得た。
Ｂ領域にそれぞれコーティング、パターニング露光、現
像してカラーフィルタ２３を形成し、本発明のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置を得た。
【００５６】〔実施例 ２〕本実施例は以下を除いて実
施例１と同じ構成である。
施例１と同じ構成である。
【００５７】走査電極１２と平行に配置されるＢＭのＢ
Ｍ材料（ａ）の比抵抗は１×１０8Ω・ｃｍとした。ま
た、映像信号電極３と平行に配置されるＢＭのＢＭ材料
（ｂ）の比抵抗は５×１０7Ω・ｃｍとした。
Ｍ材料（ａ）の比抵抗は１×１０8Ω・ｃｍとした。ま
た、映像信号電極３と平行に配置されるＢＭのＢＭ材料
（ｂ）の比抵抗は５×１０7Ω・ｃｍとした。
【００５８】〔実施例 ３〕本実施例は以下を除いて実
施例１と同じ構成である。
施例１と同じ構成である。
【００５９】図７にＢＭ付きカラーフィルター基板の一
構成例の模式図を示す。ＢＭ材料（ｂ）を用い、映像信
号電極３と平行に配置されるＢＭを形成した。該ＢＭの
幅は映像信号電極３より若干細目の６μｍとした。次
に、ＢＭ材料（ａ）を用い、走査電極１２と平行に配置
されるＢＭと、さらに、上記ＢＭ材料（ｂ）で形成した
ＢＭの両側を囲うように被覆形成した。
構成例の模式図を示す。ＢＭ材料（ｂ）を用い、映像信
号電極３と平行に配置されるＢＭを形成した。該ＢＭの
幅は映像信号電極３より若干細目の６μｍとした。次
に、ＢＭ材料（ａ）を用い、走査電極１２と平行に配置
されるＢＭと、さらに、上記ＢＭ材料（ｂ）で形成した
ＢＭの両側を囲うように被覆形成した。
【００６０】その結果、映像信号電極３に平行なＢＭの
最終配線幅は１６μｍで、ＢＭの電極基板に対する配置
は図５の破線の窓で示した。
最終配線幅は１６μｍで、ＢＭの電極基板に対する配置
は図５の破線の窓で示した。
【００６１】本実施例では、ＢＭ材料（ａ）の比抵抗を
３×１０10Ω・ｃｍ、ＢＭ材料（ｂ）の比抵抗を３×１
０6Ω・ｃｍとした。
３×１０10Ω・ｃｍ、ＢＭ材料（ｂ）の比抵抗を３×１
０6Ω・ｃｍとした。
【００６２】〔実施例 ４〕本実施例は以下を除いて実
施例３と同じ構成である。
施例３と同じ構成である。
【００６３】走査電極１２と平行に配置されるＢＭと、
映像信号電極３と平行に配置されるＢＭの外側部分のＢ
Ｍ材料（ａ）の比抵抗は５×１０9Ω・ｃｍとした。ま
た、映像信号電極３に平行に配置されるＢＭの内側部分
のＢＭ材料（ｂ）の比抵抗は５×１０6Ω・ｃｍとし
た。
映像信号電極３と平行に配置されるＢＭの外側部分のＢ
Ｍ材料（ａ）の比抵抗は５×１０9Ω・ｃｍとした。ま
た、映像信号電極３に平行に配置されるＢＭの内側部分
のＢＭ材料（ｂ）の比抵抗は５×１０6Ω・ｃｍとし
た。
【００６４】〔実施例 ５〕本実施例は以下を除いて実
施例１と同じ構成である。
施例１と同じ構成である。
【００６５】ＢＭ材料（ｂ）としてクロムを用い、映像
信号電極３に平行に配置されるＢＭを形成した。この幅
は映像信号電極３より若干細目の６μｍとした。
信号電極３に平行に配置されるＢＭを形成した。この幅
は映像信号電極３より若干細目の６μｍとした。
【００６６】さらに、ＢＭ材料（ａ）を用いて上記クロ
ムのＢＭを被覆形成し、映像信号電極３に平行なＢＭの
最終配線幅を１６μｍとした。このとき、同時に走査電
極１２に平行なＢＭも形成した。ＢＭの電極基板に対す
る配置は図５の破線の窓で示してある。なお、本実施例
では、ＢＭ材料（ａ）の比抵抗を１×１０10Ω・ｃｍと
した。
ムのＢＭを被覆形成し、映像信号電極３に平行なＢＭの
最終配線幅を１６μｍとした。このとき、同時に走査電
極１２に平行なＢＭも形成した。ＢＭの電極基板に対す
る配置は図５の破線の窓で示してある。なお、本実施例
では、ＢＭ材料（ａ）の比抵抗を１×１０10Ω・ｃｍと
した。
【００６７】〔実施例 ６〕本実施例は以下を除いて実
施例５と同じ構成である。
施例５と同じ構成である。
【００６８】走査電極１２に平行に配置されるＢＭと、
映像信号電極３に平行に配置される金属ＢＭを覆うＢＭ
材料（ａ）の比抵抗は７×１０7Ω・ｃｍとした。
映像信号電極３に平行に配置される金属ＢＭを覆うＢＭ
材料（ａ）の比抵抗は７×１０7Ω・ｃｍとした。
【００６９】上記実施例１〜６で得たアクティブマトリ
クス型液晶表示装置は、上下左右６０度で階調反転が生
じない広視野角で、映像信号電極３に沿って生ずるクロ
ストークであるスメアも全く観測されなかった。
クス型液晶表示装置は、上下左右６０度で階調反転が生
じない広視野角で、映像信号電極３に沿って生ずるクロ
ストークであるスメアも全く観測されなかった。
【００７０】〔実施例 ７〕本実施例においては、実施
例５で得たアクティブマトリクス型液晶表示装置を用い
た。
例５で得たアクティブマトリクス型液晶表示装置を用い
た。
【００７１】共通電極１には交流を印加するため以下の
ような構成とした。図８に示すように、各映像信号電極
３には映像信号電極駆動用回路１８、各走査電極１２に
は走査電極駆動用回路１９を接続した。また、共通電極
１には共通電極駆動用回路２０を接続した。これらはコ
ントロール回路１７で制御される。
ような構成とした。図８に示すように、各映像信号電極
３には映像信号電極駆動用回路１８、各走査電極１２に
は走査電極駆動用回路１９を接続した。また、共通電極
１には共通電極駆動用回路２０を接続した。これらはコ
ントロール回路１７で制御される。
【００７２】映像信号電極３には情報を有する信号波形
が印加され、走査電極１２には走査波形が信号波形と同
期をとって印加される。映像信号電極３からＴＦＴ１４
を介して画素電極４に情報信号が伝達され、共通電極１
との間で液晶部分に電圧が印加される。本実施例では共
通電極１にも電圧波形を印加しており、その分より高い
電圧が液晶層にかかる。図９に各配線電極への印加電圧
波形を示す。
が印加され、走査電極１２には走査波形が信号波形と同
期をとって印加される。映像信号電極３からＴＦＴ１４
を介して画素電極４に情報信号が伝達され、共通電極１
との間で液晶部分に電圧が印加される。本実施例では共
通電極１にも電圧波形を印加しており、その分より高い
電圧が液晶層にかかる。図９に各配線電極への印加電圧
波形を示す。
【００７３】なお、電圧波形の振幅は、ＶD-CENTER＝１
４.０、ＶGH＝２８.０、ＶGL＝０、ＶDH＝１６.４、Ｖ
DL＝１１.４、ＶCH＝１５.１、ＶCL＝９.１に設定し
た。このとき、映像信号電極３に平行なＢＭ中の金属部
分は共通電極１と接続し、共通電極１の電位と常に一定
になるようにした。
４.０、ＶGH＝２８.０、ＶGL＝０、ＶDH＝１６.４、Ｖ
DL＝１１.４、ＶCH＝１５.１、ＶCL＝９.１に設定し
た。このとき、映像信号電極３に平行なＢＭ中の金属部
分は共通電極１と接続し、共通電極１の電位と常に一定
になるようにした。
【００７４】上記共通電極１への印加電界が交流化され
たアクティブマトリクス型液晶表示装置においても、上
下左右６０度で階調反転が生じない広視野角で、映像信
号電極に沿って生ずるクロストークであるスメアも全く
観測されなかった。
たアクティブマトリクス型液晶表示装置においても、上
下左右６０度で階調反転が生じない広視野角で、映像信
号電極に沿って生ずるクロストークであるスメアも全く
観測されなかった。
【００７５】
【発明の効果】本発明によれば、横電界方式において映
像信号電極に対し平行に形成される遮光膜（ＢＭ）の比
抵抗を１０8Ω・ｃｍ未満とすることにより、広視野角
で、クロストークの発生のない横電界方式のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置を得ることができる。
像信号電極に対し平行に形成される遮光膜（ＢＭ）の比
抵抗を１０8Ω・ｃｍ未満とすることにより、広視野角
で、クロストークの発生のない横電界方式のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置を得ることができる。
【００７６】また、上記ＢＭを比抵抗が１０8Ω・ｃｍ
以上の絶縁膜で被覆することにより、よりクロストーク
の発生がない横電界方式のアクティブマトリクス型液晶
表示装置を提供することができる。
以上の絶縁膜で被覆することにより、よりクロストーク
の発生がない横電界方式のアクティブマトリクス型液晶
表示装置を提供することができる。
【図１】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置
の模式概略図である。
の模式概略図である。
【図２】本発明の横電界方式における液晶の動作を示す
図である。
図である。
【図３】ラビング方向、偏光板の軸方向の定義を示す図
である。
である。
【図４】ＢＭの比抵抗の液晶印加電界に与える影響を示
す図である。
す図である。
【図５】本発明の液晶表示装置における単位画素内の電
極構造の典型例を示す図である。
極構造の典型例を示す図である。
【図６】カラーフィルター基板の一構成例を示す模式図
である。
である。
【図７】カラーフィルター基板の一構成例を示す模式図
である。
である。
【図８】本発明の液晶表示装置の回路図である。
【図９】共通電極を交流化する際の波形の例を表す図で
ある。
ある。
１…共通電極（コモン電極）、２,２５…絶縁膜、３…
映像信号電極（ドレイン電極）、４…画素電極（ソース
電極）、５…配向膜、６…液晶分子、７…基板、８…偏
光板、９…電界、１０…ラビング方向、１１…偏光板透
過軸方向、１２…走査電極、１３…アモルファスシリコ
ン、１４…薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、１６…容量素
子、１７…コントロール回路、１８…映像信号電極駆動
用回路、１９…走査電極駆動用回路、２０…共通電極駆
動用回路、２１…アクティブマトリクス型液晶パネル、
２２ａ…映像信号電極に平行なブラックマトリクス、２
２ｂ…走査電極に平行なブラックマトリクス、２３…カ
ラーフィルター、２４…保護膜兼平坦化膜。
映像信号電極（ドレイン電極）、４…画素電極（ソース
電極）、５…配向膜、６…液晶分子、７…基板、８…偏
光板、９…電界、１０…ラビング方向、１１…偏光板透
過軸方向、１２…走査電極、１３…アモルファスシリコ
ン、１４…薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、１６…容量素
子、１７…コントロール回路、１８…映像信号電極駆動
用回路、１９…走査電極駆動用回路、２０…共通電極駆
動用回路、２１…アクティブマトリクス型液晶パネル、
２２ａ…映像信号電極に平行なブラックマトリクス、２
２ｂ…走査電極に平行なブラックマトリクス、２３…カ
ラーフィルター、２４…保護膜兼平坦化膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿須間 宏明 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 衣川 清重 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に共通電極，走査電極，映像信号
電極，画素電極およびアクティブ素子により構成され複
数の表示画素上に液晶の配向膜が形成されており、前記
基板は液晶の配向膜を形成したもう一方の透明基板と対
向して配置され、前記両基板により液晶層が挟持され、
前記各電極は液晶層に対し実質的に基板と平行な電界が
印加できるよう構成され、かつ、表示パターンに応じ印
加電界を任意に制御できる外部制御手段と接続可能に形
成されており、前記液晶層の配向状態により光学特性を
変化させる偏光手段を備えたアクティブマトリクス型液
晶表示装置であって、 前記映像信号電極に対し平行に形成された遮光膜を備
え、該遮光膜の比抵抗が１０8Ω・ｃｍ未満であること
を特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記映像信号電極に対し平行に形成され
た遮光膜が、１０8Ω・ｃｍ以上の絶縁体でさらに覆わ
れている遮光膜である請求項１に記載のアクティブマト
リクス型液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記走査電極に対し平行に形成された遮
光膜の比抵抗が１０8Ω・ｃｍ以上である請求項１また
は２に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記映像信号電極に対し平行に形成され
た遮光膜の映像信号電極との対向部分が導電体である請
求項２に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記映像信号電極に対して平行に形成さ
れた遮光膜中の導電体の電位が、前記共通電極と同電位
に設定できるよう構成されている請求項４に記載のアク
ティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項６】 前記遮光膜が金属あるいはカーボンの粒
子を含む有機高分子材料で形成されている請求項１に記
載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27864495A JP3200552B2 (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| US08/731,162 US5805247A (en) | 1995-10-26 | 1996-10-10 | Liquid crystal display apparatus in which plural common electrodes are parallel to the pixel electrodes on the same substrate and a black matrix on the opposing substrate |
| KR1019960048754A KR100493374B1 (ko) | 1995-10-26 | 1996-10-26 | 액티브매트릭스형액정표시장치 |
| US09/139,117 US6100956A (en) | 1995-10-26 | 1998-08-24 | Active matrix type liquid crystal display apparatus with a shielding layer having a specific resistance of a part thereof being less than 108 Ω·CM |
| US09/620,245 US6392732B1 (en) | 1995-10-26 | 2000-07-20 | Active matrix type liquid crystal display apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27864495A JP3200552B2 (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09120061A true JPH09120061A (ja) | 1997-05-06 |
| JP3200552B2 JP3200552B2 (ja) | 2001-08-20 |
Family
ID=17600158
Family Applications (1)
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001033758A (ja) * | 1999-07-26 | 2001-02-09 | Nec Corp | 液晶表示装置 |
| KR20020015002A (ko) * | 2000-07-11 | 2002-02-27 | 가네꼬 히사시 | 격벽으로 둘러싸인 화소전극을 가진 액정표시장치 및 그의제조방법 |
| JP2002139727A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-17 | Nec Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US6781645B2 (en) | 1997-12-08 | 2004-08-24 | Nec Lcd Technologies Ltd. | Active matrix liquid crystal display device |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2888177B2 (ja) * | 1994-09-28 | 1999-05-10 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置 |
| TW354380B (en) * | 1995-03-17 | 1999-03-11 | Hitachi Ltd | A liquid crystal device with a wide visual angle |
| JPH0926603A (ja) * | 1995-05-08 | 1997-01-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| JP3634089B2 (ja) | 1996-09-04 | 2005-03-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP3883244B2 (ja) * | 1997-01-23 | 2007-02-21 | エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド | 液晶表示装置 |
| JPH10268309A (ja) * | 1997-03-21 | 1998-10-09 | Furontetsuku:Kk | 液晶表示装置 |
| JPH1152403A (ja) * | 1997-07-31 | 1999-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置 |
| US20040109103A1 (en) * | 1998-06-30 | 2004-06-10 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal display device |
| KR100336886B1 (ko) * | 1998-08-24 | 2003-06-09 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 고개구율및고투과율을갖는반사형액정표시장치및그제조방법 |
| JP4165001B2 (ja) * | 2000-11-02 | 2008-10-15 | 富士ゼロックス株式会社 | 画像表示媒体、画像表示装置及び画像表示方法 |
| KR100448046B1 (ko) * | 2000-12-05 | 2004-09-10 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 반사형 프린지 필드 구동 모드 액정 표시 장치 |
| US6876420B2 (en) * | 2002-06-25 | 2005-04-05 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device |
| KR100895016B1 (ko) * | 2002-10-04 | 2009-04-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계방식 액정 표시 소자 및 그 제조방법 |
| KR100860523B1 (ko) * | 2002-10-11 | 2008-09-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계방식 액정 표시 소자 및 그 제조방법 |
| KR20040038355A (ko) * | 2002-10-31 | 2004-05-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 개구율이 향상된 횡전계모드 액정표시소자 |
| KR100895017B1 (ko) | 2002-12-10 | 2009-04-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 개구율이 향상된 횡전계모드 액정표시소자 |
| KR100928921B1 (ko) * | 2002-12-11 | 2009-11-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계모드 액정표시소자 |
| KR100484948B1 (ko) | 2002-12-18 | 2005-04-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계 방식의 액정표시장치 |
| KR100876405B1 (ko) * | 2002-12-23 | 2008-12-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자 제조방법 |
| KR100919196B1 (ko) * | 2002-12-31 | 2009-09-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계모드 액정표시소자 |
| US7324176B2 (en) * | 2003-10-07 | 2008-01-29 | American Panel Corporation | Flat panel display having integral heater, EMI shield, and thermal sensors |
| US7265809B2 (en) * | 2003-10-07 | 2007-09-04 | Universal Avionics Systems Corporation | Flat panel display having integral metal heater optically hidden behind an EMI shield |
| JP4241850B2 (ja) | 2006-07-03 | 2009-03-18 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 液晶装置、液晶装置の駆動方法、および電子機器 |
| JP4415393B2 (ja) * | 2006-09-26 | 2010-02-17 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 駆動回路、液晶装置、電子機器、および液晶装置の駆動方法 |
| US8619225B2 (en) * | 2007-03-28 | 2013-12-31 | Japan Display West Inc. | Liquid crystal device with pixel electrode under the common electrode and thinner than drain electrode, method of manufacturing liquid crystal device, and electronic apparatus |
| US8081178B2 (en) * | 2007-07-10 | 2011-12-20 | Sony Corporation | Electro-optical device, driving circuit, and electronic apparatus |
| KR101018558B1 (ko) * | 2008-10-21 | 2011-03-03 | 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 횡전계모드의 액정표시장치 |
| JP5333969B2 (ja) * | 2009-09-15 | 2013-11-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶装置、電子機器 |
| US9262020B2 (en) * | 2012-01-27 | 2016-02-16 | Blackberry Limited | Electronic device with capacitive touch-sensitive display |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5691277A (en) * | 1979-12-25 | 1981-07-24 | Citizen Watch Co Ltd | Liquiddcrystal display panel |
| US4538884A (en) * | 1981-07-10 | 1985-09-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Electro-optical device and method of operating same |
| JPH0715536B2 (ja) * | 1983-01-28 | 1995-02-22 | キヤノン株式会社 | 表示パネル |
| FI74871B (fi) * | 1986-06-26 | 1987-12-31 | Sinisalo Sport Oy | Skyddsklaede. |
| EP0444201A4 (en) * | 1989-09-18 | 1992-12-30 | Idemitsu Kosan Company Limited | Method of producing color filter and resist for light-shielding film used for the method |
| GB9211282D0 (en) * | 1992-05-28 | 1992-07-15 | Philips Electronics Uk Ltd | Liquid crystal display devices |
| GB9211283D0 (en) * | 1992-05-28 | 1992-07-15 | Philips Electronics Uk Ltd | Liquid crystal display devices |
| DE69333323T2 (de) * | 1992-09-18 | 2004-09-16 | Hitachi, Ltd. | Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung |
| TW477905B (en) * | 1995-06-14 | 2002-03-01 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display device formed of high resistance black matrix with wide view angle |
| JP3289099B2 (ja) * | 1995-07-17 | 2002-06-04 | 株式会社日立製作所 | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法 |
| TW505801B (en) * | 1995-10-12 | 2002-10-11 | Hitachi Ltd | In-plane field type liquid crystal display device comprising a structure prevented from charging with electricity |
-
1995
- 1995-10-26 JP JP27864495A patent/JP3200552B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-10-10 US US08/731,162 patent/US5805247A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-10-26 KR KR1019960048754A patent/KR100493374B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-08-24 US US09/139,117 patent/US6100956A/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-07-20 US US09/620,245 patent/US6392732B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6781645B2 (en) | 1997-12-08 | 2004-08-24 | Nec Lcd Technologies Ltd. | Active matrix liquid crystal display device |
| JP2001033758A (ja) * | 1999-07-26 | 2001-02-09 | Nec Corp | 液晶表示装置 |
| KR20020015002A (ko) * | 2000-07-11 | 2002-02-27 | 가네꼬 히사시 | 격벽으로 둘러싸인 화소전극을 가진 액정표시장치 및 그의제조방법 |
| JP2002139727A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-17 | Nec Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP4554798B2 (ja) * | 2000-10-30 | 2010-09-29 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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