JPH09115907A - パターン生成方法 - Google Patents
パターン生成方法Info
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- JPH09115907A JPH09115907A JP8100393A JP10039396A JPH09115907A JP H09115907 A JPH09115907 A JP H09115907A JP 8100393 A JP8100393 A JP 8100393A JP 10039396 A JP10039396 A JP 10039396A JP H09115907 A JPH09115907 A JP H09115907A
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- gas
- pattern
- ion beam
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、パターン生成方法に関し、イオン
ビームを試料面に照射しつつ導電性の被膜を生成する化
合物ガスおよび絶縁性の被膜を生成する化合物ガスを順
次試料面に吹きつけ、導電性のパターンと絶縁性のパタ
ーンを容易かつ迅速に生成することを目的とする。 【解決手段】 表示装置上に表示されている表示情報に
基づいて新たに導電性のパターンあるいは新たに絶縁性
のパターンを生成しようとする領域に対してイオンビー
ムを照射しつつガス吹きつけ装置を用いて分解して導電
性のパターンあるいは分解して絶縁性のパターンを生成
する化合物ガスを吹きつけて新たな導電性のパターンと
新たな絶縁性のパターンとを積層して生成するパターン
生成方法である。
ビームを試料面に照射しつつ導電性の被膜を生成する化
合物ガスおよび絶縁性の被膜を生成する化合物ガスを順
次試料面に吹きつけ、導電性のパターンと絶縁性のパタ
ーンを容易かつ迅速に生成することを目的とする。 【解決手段】 表示装置上に表示されている表示情報に
基づいて新たに導電性のパターンあるいは新たに絶縁性
のパターンを生成しようとする領域に対してイオンビー
ムを照射しつつガス吹きつけ装置を用いて分解して導電
性のパターンあるいは分解して絶縁性のパターンを生成
する化合物ガスを吹きつけて新たな導電性のパターンと
新たな絶縁性のパターンとを積層して生成するパターン
生成方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はパターン生成方法、
特にイオンビームを試料面に照射しつつ導電性の被膜を
生成するガスおよび絶縁性の被膜を生成するガスを順次
当該試料面に吹きつけることによって導電性のパターン
と絶縁性のバタ一ンとを積層する態様で生成するパター
ン生成方法に関するものである。
特にイオンビームを試料面に照射しつつ導電性の被膜を
生成するガスおよび絶縁性の被膜を生成するガスを順次
当該試料面に吹きつけることによって導電性のパターン
と絶縁性のバタ一ンとを積層する態様で生成するパター
ン生成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ等の素子を製造した後、微小（ミ
クロンオーダ）な配線パターンを跨ぐ態様で他の配線パ
ターンを相互に電気的に接続する場合には、跨ぐ配線パ
ターン上に絶縁物の薄膜からなるパターンを生成した
後、当該絶縁物の薄膜パターンの上に導電性の薄膜から
なるパターンを鎖交する態様で生成して他の配線パター
ン相互の電気的な接続を行ことが望まれている。また、
シリコン基板あるいは導電性の薄膜パターンの上に絶縁
性の薄膜パターンを形成し、更に当該絶縁性の薄膜パタ
ーンの上に導電性のパターンを形成することにより、微
小な素子例えばコンデンサ、マイクロ・ストリップライ
ンおよび誘電体共振器等の素子を任意の場所かつ任意な
時に形成したり、あるいは特性のバラツキを調整等した
りすることが望まれている。
クロンオーダ）な配線パターンを跨ぐ態様で他の配線パ
ターンを相互に電気的に接続する場合には、跨ぐ配線パ
ターン上に絶縁物の薄膜からなるパターンを生成した
後、当該絶縁物の薄膜パターンの上に導電性の薄膜から
なるパターンを鎖交する態様で生成して他の配線パター
ン相互の電気的な接続を行ことが望まれている。また、
シリコン基板あるいは導電性の薄膜パターンの上に絶縁
性の薄膜パターンを形成し、更に当該絶縁性の薄膜パタ
ーンの上に導電性のパターンを形成することにより、微
小な素子例えばコンデンサ、マイクロ・ストリップライ
ンおよび誘電体共振器等の素子を任意の場所かつ任意な
時に形成したり、あるいは特性のバラツキを調整等した
りすることが望まれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来はＬＳＩ
等の如く一旦パターンの完成したものに対して、あるい
はカスタムＩＣの如く完成後に必要に応じて、前述した
目的等のために導電性のパターンと絶縁性のパターンと
を所望の位置に所望の時に迅速かつ簡単に積層する態様
で、しかも例えばミクロンオーダときにはサブミクロン
オーダの寸法で所定領域に正確に形成し難いという問題
点があった。
等の如く一旦パターンの完成したものに対して、あるい
はカスタムＩＣの如く完成後に必要に応じて、前述した
目的等のために導電性のパターンと絶縁性のパターンと
を所望の位置に所望の時に迅速かつ簡単に積層する態様
で、しかも例えばミクロンオーダときにはサブミクロン
オーダの寸法で所定領域に正確に形成し難いという問題
点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記問題点を
解決するために、イオンビームを試料面に照射しつつ導
電性の被膜を生成するガスおよび絶縁性の被膜を生成す
るガスを順次当該試料面に吹きつける手段を採用するこ
とにより、微小な導電性のパターンと絶縁性のパターン
とを積層したものを容易かつ迅速に生成し得るようにし
ている。
解決するために、イオンビームを試料面に照射しつつ導
電性の被膜を生成するガスおよび絶縁性の被膜を生成す
るガスを順次当該試料面に吹きつける手段を採用するこ
とにより、微小な導電性のパターンと絶縁性のパターン
とを積層したものを容易かつ迅速に生成し得るようにし
ている。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下図面を参照しつつ本発明の実
施例を詳細に説明する。第１図は本発明の１実施例構成
図、第２図は第１図図示本発明の１実施例構成を用いた
具体的応用例を示す。
施例を詳細に説明する。第１図は本発明の１実施例構成
図、第２図は第１図図示本発明の１実施例構成を用いた
具体的応用例を示す。
【０００６】図中、１はパターン生成装置、２はイオン
銃、２−１はイオン源、２−２は電極、３は偏向電極
（ＤＥＦ）、４は対物レンス、５は試料、６は試料台、
７は試料移動機構、８は検出器、９はアシストガスを吹
きつけるガス銃、１０はニードルバルブ、１１はガス
源、１２は真空排気装置、１３−１、１３−３は高電圧
発生装置、１３−２はイオン加速電圧制御部、１３−４
は焦点合せ制御部、１４は走査制御部、１５は信号増幅
処理部、１６は照射位置制脚部、１７はスパッタ／アシ
スト制御部、１８は試料位置制御部、１９は真空排気系
制御部、２０はアシストガス制御部、２１はディスプレ
イ、２２はキーボード、２３はディスクを表す。
銃、２−１はイオン源、２−２は電極、３は偏向電極
（ＤＥＦ）、４は対物レンス、５は試料、６は試料台、
７は試料移動機構、８は検出器、９はアシストガスを吹
きつけるガス銃、１０はニードルバルブ、１１はガス
源、１２は真空排気装置、１３−１、１３−３は高電圧
発生装置、１３−２はイオン加速電圧制御部、１３−４
は焦点合せ制御部、１４は走査制御部、１５は信号増幅
処理部、１６は照射位置制脚部、１７はスパッタ／アシ
スト制御部、１８は試料位置制御部、１９は真空排気系
制御部、２０はアシストガス制御部、２１はディスプレ
イ、２２はキーボード、２３はディスクを表す。
【０００７】まず第１に、イオンビームを照射した試料
から放射された荷電粒子例えば２次電子をディスプレ２
１上にＳＩＭ像として表示する場合の構成および動作に
ついて説明する。
から放射された荷電粒子例えば２次電子をディスプレ２
１上にＳＩＭ像として表示する場合の構成および動作に
ついて説明する。
【０００８】第１図において、図中イオン銃２は軸上に
穴を有し接地された電極２−２に対して、イオン源２−
１例えは先端が鋭利かつガリウムを含むニードル型のも
のに正の高電圧十ＨＶ1を高電圧発生装置１３−１から
印加すると共に当該イオン源２−１の先端に液体ガリウ
ムが生じる程度に加熱することによって、ガリウム・イ
オン・ビームが放射されるものである。該ガリウム・イ
オン・ビームを加速する加速電圧は、イオン加速電圧制
御部１３−２によって設定される。放射されたガリウム
・イオン・ビームは対物レンス（ＯＬ）４によって試料
台６上に取りつけられた試料５上に細く絞られる（結像
される）と共に、偏向電極（ＸおよびＹ）３によって当
該試料５上を走査される。該試料５から放射された例え
ば２次電子等は検出器８によって検出され、信号増幅処
理部１５に供給される。この際、対物レンズ４には、焦
点合せ制御部１３−４からの信号に基づき高電圧発生装
置１３−３によって発生された高電圧が印加され、試料
５上にガリウム・イオン・ビームが細く絞られる。そし
て、信号増幅処理部１５に供給された信号に対して増幅
および処理等が行われ、ディスプレイ２１上に例えばＳ
ＩＭ像として表示される。該表示されるＳＩＭ像等の倍
率は、走査制御部１４が偏向電極３に印加する走査信号
の大きさによって決定される。また、ディスプレイ２１
上で観察される試料５の位置は、試料位置制御部１８か
らの指示によって試料移動機構７が試料台６を移動させ
ること、あるいは図示されていない手動機構を介して試
料移動機構７が試料台６を移動させることによって行わ
れる。更に、パターン生成装置１を構成する試料室等の
内部およびガリウム・イオン・ビームが通過する領域
は、真空排気系制御部１９からの指示に基づき真空排気
装置１２によって超高真空に排気される。
穴を有し接地された電極２−２に対して、イオン源２−
１例えは先端が鋭利かつガリウムを含むニードル型のも
のに正の高電圧十ＨＶ1を高電圧発生装置１３−１から
印加すると共に当該イオン源２−１の先端に液体ガリウ
ムが生じる程度に加熱することによって、ガリウム・イ
オン・ビームが放射されるものである。該ガリウム・イ
オン・ビームを加速する加速電圧は、イオン加速電圧制
御部１３−２によって設定される。放射されたガリウム
・イオン・ビームは対物レンス（ＯＬ）４によって試料
台６上に取りつけられた試料５上に細く絞られる（結像
される）と共に、偏向電極（ＸおよびＹ）３によって当
該試料５上を走査される。該試料５から放射された例え
ば２次電子等は検出器８によって検出され、信号増幅処
理部１５に供給される。この際、対物レンズ４には、焦
点合せ制御部１３−４からの信号に基づき高電圧発生装
置１３−３によって発生された高電圧が印加され、試料
５上にガリウム・イオン・ビームが細く絞られる。そし
て、信号増幅処理部１５に供給された信号に対して増幅
および処理等が行われ、ディスプレイ２１上に例えばＳ
ＩＭ像として表示される。該表示されるＳＩＭ像等の倍
率は、走査制御部１４が偏向電極３に印加する走査信号
の大きさによって決定される。また、ディスプレイ２１
上で観察される試料５の位置は、試料位置制御部１８か
らの指示によって試料移動機構７が試料台６を移動させ
ること、あるいは図示されていない手動機構を介して試
料移動機構７が試料台６を移動させることによって行わ
れる。更に、パターン生成装置１を構成する試料室等の
内部およびガリウム・イオン・ビームが通過する領域
は、真空排気系制御部１９からの指示に基づき真空排気
装置１２によって超高真空に排気される。
【０００９】以上の如き構成および動作によって試料５
のＳＩＭ像を観察することができ、後述する導電性のパ
ターンと絶縁性のパターンとを積層する場合に必要な位
置を正確に決定することが可能となる。
のＳＩＭ像を観察することができ、後述する導電性のパ
ターンと絶縁性のパターンとを積層する場合に必要な位
置を正確に決定することが可能となる。
【００１０】第２に、新たな導電性のパターンと新たな
絶縁性のパターンとを積層する態様で生成する場合の構
成および動作について説明する。既述した如くして新た
に生成すべきパターンを含む領域が当該ディスプレイ２
１上にＳＩＭ像として表示されるように試料台６を移動
させ、かつ対物レンズ４の焦点合わせを行う。この際、
試料台６の移動は、試料５である例えばＬＳＩ等上のパ
ターンの位置座標等の情報を予めデータベースとしてデ
ィスク２３中に格納しておき、キーボード２２から新た
なパターンを生成すべき位置情報および寸法等をスパッ
タ／アシスト制御部１７にキー入力して指定することに
よって行ってもよいし、あるいは手動によって行っても
よい。
絶縁性のパターンとを積層する態様で生成する場合の構
成および動作について説明する。既述した如くして新た
に生成すべきパターンを含む領域が当該ディスプレイ２
１上にＳＩＭ像として表示されるように試料台６を移動
させ、かつ対物レンズ４の焦点合わせを行う。この際、
試料台６の移動は、試料５である例えばＬＳＩ等上のパ
ターンの位置座標等の情報を予めデータベースとしてデ
ィスク２３中に格納しておき、キーボード２２から新た
なパターンを生成すべき位置情報および寸法等をスパッ
タ／アシスト制御部１７にキー入力して指定することに
よって行ってもよいし、あるいは手動によって行っても
よい。
【００１１】次に、ディスブレイ２１上に表示されたパ
ターン中に新たにパターンを生成すべき領域がガリウム
・イオン・ビームによって正確に所定時間走査されるよ
うに、キーボード２２からスパッタ／アシスト制御部１
７に対してキー入力する。キー入力を行うことによって
当該スパッタ／アシスト制御部１７は照射位置制御部１
６に対して指令を与える。該指令を受けた照射位置制御
部１６は、走査制御部１４に対して制御信号を送出して
偏向電極３に所定電圧の走査電圧を印加する。
ターン中に新たにパターンを生成すべき領域がガリウム
・イオン・ビームによって正確に所定時間走査されるよ
うに、キーボード２２からスパッタ／アシスト制御部１
７に対してキー入力する。キー入力を行うことによって
当該スパッタ／アシスト制御部１７は照射位置制御部１
６に対して指令を与える。該指令を受けた照射位置制御
部１６は、走査制御部１４に対して制御信号を送出して
偏向電極３に所定電圧の走査電圧を印加する。
【００１２】更に、新たな導電性のパターンあるいは新
たな絶縁性のパターンを生成するために、スパッタ/ア
シスト制御部１７ はアシストガス制御部２０に対して
指令を発して、ガス源１１を加熱等して発生させたガス
例えば導電性の薄膜を生成させるための化合物ガスであ
るピレン（Ｃ16Ｈ10）ガスを、ニードルバルブ１０を介
してガス銃９を構成する複数のノズルのうちの一つから
試料５上のガリウム・イオン・ビームが照射されている
位置に吹きつける。これにより、ガリウム・イオン・ビ
ームを用いてピレンガスを分解した付着力の強い導電性
のカーボン膜が当該ガリウム・イオン・ビームを用いて
走査した領域に生成されることとなる。同様に例えばＳ
ｉＨ4−ＮＨ3ガスをガス銃９を構成する他のノズルから
ガリウム・イオン・ビームが照射されている試料５面に
吹きつけることにより、絶縁性の酸化シリコン（ＳｉＯ
2）膜が当該ガリウム・イオン・ビームを用いて走査し
た領域に生成されることとなる。
たな絶縁性のパターンを生成するために、スパッタ/ア
シスト制御部１７ はアシストガス制御部２０に対して
指令を発して、ガス源１１を加熱等して発生させたガス
例えば導電性の薄膜を生成させるための化合物ガスであ
るピレン（Ｃ16Ｈ10）ガスを、ニードルバルブ１０を介
してガス銃９を構成する複数のノズルのうちの一つから
試料５上のガリウム・イオン・ビームが照射されている
位置に吹きつける。これにより、ガリウム・イオン・ビ
ームを用いてピレンガスを分解した付着力の強い導電性
のカーボン膜が当該ガリウム・イオン・ビームを用いて
走査した領域に生成されることとなる。同様に例えばＳ
ｉＨ4−ＮＨ3ガスをガス銃９を構成する他のノズルから
ガリウム・イオン・ビームが照射されている試料５面に
吹きつけることにより、絶縁性の酸化シリコン（ＳｉＯ
2）膜が当該ガリウム・イオン・ビームを用いて走査し
た領域に生成されることとなる。
【００１３】以上の如くして導薄性のパターンと絶縁性
のパターンとを積層する態様で順次生成することが可能
となる。尚、ガス銃９を構成する複数のノズルに対して
夫々設けられたニードルバルブ１０（図中では１個しか
示してなく他は省略してある)は、夫々のガス源１１か
らガス銃９を構成する複数のノズルに対してアシストガ
スを夫々供給しない場合には、閉状態にされる。一般に
導電性のパターンを生成する場合には、既述した如く例
えばピレンガスのみを供給するようにガス源１１を加熱
等すると共に当該ガス源１１によって発生させたガスを
ガス銃９を構成する所定のノズルからガリウム・イオン
・ビームが照射されている試料５面に吹きつけている。
この際、試料５面にガスを吹きつけるために、所定のニ
ードルバルブ１０例えば１個のみを開状態に制御する。
また、当該ニードルバルブ１０は必要に応じてガスの供
給量を制御するためにも使用し得るものである。また、
導電性のパターンを生成する化合物ガスとして、前記ピ
レンガスの代わりにモリブデン化合物ガス、アルミニウ
ム化合物ガスあるいはクロム化合物ガス等をガス銃９を
構成する所定のノズルからガリウム・イオン・ビームの
照射されている位置に吹きつけることにより、夫々の導
電性物質に対応した新たな導電性のパターンをサブミク
ロン・サイズの寸法で生成することが可能となる。そし
て、当該導電性のパターンと絶縁性のパターンとを積層
する態様で順次積層することにより、既述したコンデン
サ、マイクロ・ストリップ・ライン等の素子を任意の場
所に任意の時に任意の大きさで生成することが可能とな
る。
のパターンとを積層する態様で順次生成することが可能
となる。尚、ガス銃９を構成する複数のノズルに対して
夫々設けられたニードルバルブ１０（図中では１個しか
示してなく他は省略してある)は、夫々のガス源１１か
らガス銃９を構成する複数のノズルに対してアシストガ
スを夫々供給しない場合には、閉状態にされる。一般に
導電性のパターンを生成する場合には、既述した如く例
えばピレンガスのみを供給するようにガス源１１を加熱
等すると共に当該ガス源１１によって発生させたガスを
ガス銃９を構成する所定のノズルからガリウム・イオン
・ビームが照射されている試料５面に吹きつけている。
この際、試料５面にガスを吹きつけるために、所定のニ
ードルバルブ１０例えば１個のみを開状態に制御する。
また、当該ニードルバルブ１０は必要に応じてガスの供
給量を制御するためにも使用し得るものである。また、
導電性のパターンを生成する化合物ガスとして、前記ピ
レンガスの代わりにモリブデン化合物ガス、アルミニウ
ム化合物ガスあるいはクロム化合物ガス等をガス銃９を
構成する所定のノズルからガリウム・イオン・ビームの
照射されている位置に吹きつけることにより、夫々の導
電性物質に対応した新たな導電性のパターンをサブミク
ロン・サイズの寸法で生成することが可能となる。そし
て、当該導電性のパターンと絶縁性のパターンとを積層
する態様で順次積層することにより、既述したコンデン
サ、マイクロ・ストリップ・ライン等の素子を任意の場
所に任意の時に任意の大きさで生成することが可能とな
る。
【００１４】第２図を用いて導電性のパターンと絶縁性
のパターンとを積層する態様で生成する場合の動作を詳
細に説明する。第２図はＬＳＩを構成する配線パターン
Ａを跨ぐ態様で、他の配線パターンＢ 1と配線パターン
Ｂ2とを電気的に接続する場合の絶縁性のパターンＣと
導電性のパターンＤとを生成する例を示す。
のパターンとを積層する態様で生成する場合の動作を詳
細に説明する。第２図はＬＳＩを構成する配線パターン
Ａを跨ぐ態様で、他の配線パターンＢ 1と配線パターン
Ｂ2とを電気的に接続する場合の絶縁性のパターンＣと
導電性のパターンＤとを生成する例を示す。
【００１５】第１に、配線パターンＡの上に図中二点鏡
線を用いて示す絶縁性のパターンＣを生成させために、
既述した如くして第１図図中ディスプレイ２１上に当該
絶縁性のパターンＣを生成させる領域を表示させる。そ
して、キーホード２２からスバッタ／アシスト制御部１
７に対して、絶縁性のパターンＣを生成させる領域情
報、絶縁性のパターンＣを生成するためのガスを指定す
るアシストガス情報、当該絶縁性のパターンＣの膜厚情
報等をキー人力する。これにより、スパッタ／アシスト
制御部１７は既述した如く照射位置制御部１６およびア
シストガス制御部２０に指令を発して、ガリウム・イオ
ン・ビームが前記指定された絶縁性のパターンＣを生成
すべき領域を走査するように走査信号を制御すると共に
絶縁性のパターンＣを生成させる例えばＳｉＨ4−ＮＨ3
ガスがガリウム・イオン・ビームの照射されている位置
に吹きつけられるように制御する。そして所定時間ガリ
ウム・イオン・ビームを照射することにより、所定膜厚
の絶縁性のパターンＣが図示２点鎖線を用いて示す如く
生成される。
線を用いて示す絶縁性のパターンＣを生成させために、
既述した如くして第１図図中ディスプレイ２１上に当該
絶縁性のパターンＣを生成させる領域を表示させる。そ
して、キーホード２２からスバッタ／アシスト制御部１
７に対して、絶縁性のパターンＣを生成させる領域情
報、絶縁性のパターンＣを生成するためのガスを指定す
るアシストガス情報、当該絶縁性のパターンＣの膜厚情
報等をキー人力する。これにより、スパッタ／アシスト
制御部１７は既述した如く照射位置制御部１６およびア
シストガス制御部２０に指令を発して、ガリウム・イオ
ン・ビームが前記指定された絶縁性のパターンＣを生成
すべき領域を走査するように走査信号を制御すると共に
絶縁性のパターンＣを生成させる例えばＳｉＨ4−ＮＨ3
ガスがガリウム・イオン・ビームの照射されている位置
に吹きつけられるように制御する。そして所定時間ガリ
ウム・イオン・ビームを照射することにより、所定膜厚
の絶縁性のパターンＣが図示２点鎖線を用いて示す如く
生成される。
【００１６】第２に、第１のステップによって生成した
絶縁性のパターンＣを跨ぐ態様で、かつ配線パターンＢ
1と配線パターンＢ2を電気的に接続するために、図示点
線を用いて示す如き導電性のパターンＤを生成する。第
１のステップの場合と同様にして、キーボード２２から
導電性のパターンＣを生成するためのガスを指定するア
シストガス情報、当該導竜性のバターンの膜厚情報等を
キー入力する。これにより、スバッタ／アシスト制御部
１７は既述した如く照射位置制御部１６およびアシスト
ガス制御部２０に指令を発して、ガリウム・イオン・ビ
ームが前記指定された導電性のパターンＤを生成すべき
領域を走査するように走査信号を制御すると共に導電性
のパターンＤを生成させる例えばピレンガスがガリウム
・イオン・ビームの照射されている位置に吹きつけられ
るように制御する。そして所定時間ガリウム・イオン・
ビームが照射されることにより、所定膜厚の導電性のパ
ターンＤが図示の如く生成される。
絶縁性のパターンＣを跨ぐ態様で、かつ配線パターンＢ
1と配線パターンＢ2を電気的に接続するために、図示点
線を用いて示す如き導電性のパターンＤを生成する。第
１のステップの場合と同様にして、キーボード２２から
導電性のパターンＣを生成するためのガスを指定するア
シストガス情報、当該導竜性のバターンの膜厚情報等を
キー入力する。これにより、スバッタ／アシスト制御部
１７は既述した如く照射位置制御部１６およびアシスト
ガス制御部２０に指令を発して、ガリウム・イオン・ビ
ームが前記指定された導電性のパターンＤを生成すべき
領域を走査するように走査信号を制御すると共に導電性
のパターンＤを生成させる例えばピレンガスがガリウム
・イオン・ビームの照射されている位置に吹きつけられ
るように制御する。そして所定時間ガリウム・イオン・
ビームが照射されることにより、所定膜厚の導電性のパ
ターンＤが図示の如く生成される。
【００１７】以上の如く絶縁性のパターンＣ上に積層す
る態様で、かつ鎖交する態様で導電性のパターンＤを生
成することにより、すでに完成されたＬＳＩ等の配線パ
ターンＡを跨ぐ態様で容易かつ迅速にしかもサブミクロ
ン・サイズで配線パターンＢ 1と配線パターンＢ2とを電
気的に接続することが可能となる。
る態様で、かつ鎖交する態様で導電性のパターンＤを生
成することにより、すでに完成されたＬＳＩ等の配線パ
ターンＡを跨ぐ態様で容易かつ迅速にしかもサブミクロ
ン・サイズで配線パターンＢ 1と配線パターンＢ2とを電
気的に接続することが可能となる。
【００１８】また、同様にして導電性のパターンの上に
絶縁性のパターンを生成し、更に当該絶縁性のバターン
の上に導電性のパターンをいわば順次積層する態様で生
成することにより、コンデンサをサブミクロン・サイズ
で任意の場所に任意の時に任意の大きさに作成すること
が可能となる。更に、ミクロンオーダときとしてサブミ
クロンオーダで生成された各種配線パターンの補修ある
いは欠陥素子を切断して予備の他の素子に接続交換等を
行うことも容易にできる。例えばディスプレイ等として
用いられるドット構成の液晶パネルを駆動する配線パタ
ーンの補修および当該配線パターンに接続された欠陥の
ある駆動素子を切断し、予備の他の駆動素子と接続交換
を行う場合等に、他の配線を跨ぐ態様で電気的な接続を
行うことも可能となる。
絶縁性のパターンを生成し、更に当該絶縁性のバターン
の上に導電性のパターンをいわば順次積層する態様で生
成することにより、コンデンサをサブミクロン・サイズ
で任意の場所に任意の時に任意の大きさに作成すること
が可能となる。更に、ミクロンオーダときとしてサブミ
クロンオーダで生成された各種配線パターンの補修ある
いは欠陥素子を切断して予備の他の素子に接続交換等を
行うことも容易にできる。例えばディスプレイ等として
用いられるドット構成の液晶パネルを駆動する配線パタ
ーンの補修および当該配線パターンに接続された欠陥の
ある駆動素子を切断し、予備の他の駆動素子と接続交換
を行う場合等に、他の配線を跨ぐ態様で電気的な接続を
行うことも可能となる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
イオンビームを試料面に照射しつつ導電性の被膜を生成
する化合物ガスおよび絶縁性の被膜を生成する化合物ガ
スを順次当該試料面に吹きつける手段を採用しているた
め、微小な導電性のパターンと絶縁性のパターンとを積
層した態様のものを生成することが可能となる。特に、
ＬＳＩ等の配線パターンの如く、既に完成された配線パ
ターンを跨ぐ態様で他の配線パターン間の電気的な接続
をミクロン・オーダときとしてサブミクロン・オーダで
行うことが可能となると共に、微小なコンデンサを任意
な時に任意の場所に任意の大きさにミクロン・オーダで
作成することが可能となる。
イオンビームを試料面に照射しつつ導電性の被膜を生成
する化合物ガスおよび絶縁性の被膜を生成する化合物ガ
スを順次当該試料面に吹きつける手段を採用しているた
め、微小な導電性のパターンと絶縁性のパターンとを積
層した態様のものを生成することが可能となる。特に、
ＬＳＩ等の配線パターンの如く、既に完成された配線パ
ターンを跨ぐ態様で他の配線パターン間の電気的な接続
をミクロン・オーダときとしてサブミクロン・オーダで
行うことが可能となると共に、微小なコンデンサを任意
な時に任意の場所に任意の大きさにミクロン・オーダで
作成することが可能となる。
【図１】本発明の１実施例構成図である。
【図２】第１図図示本発明の１実施例構成を用いた具体
的応用例である。
的応用例である。
１：パターン生成装置 ２：イオン銃 ２−１：イオン源 ２−２：電極 ３：偏向電極（ＤＥＦ） ４：対物レンス ５：試料 ６：試料台 ７：試料移動機構 ８：検出器 ９：アシストガスを吹きつけるガス銃 １０：ニードルバルブ １１：ガス源 １２：真空排気装置 １３−１、１３−３：高電圧発生装置 １３−２：イオン加速電圧制御部 １３−４：焦点合せ制御部 １４：走査制御部 １５：信号増幅処理部 １６：照射位置制御部 １７：スパッタ／アシスト制御部 １８：試料位置制御部 １９：真空排気系制御部 ２０：アシストガス制御部 ２１：ディスブレイ ２２：キーボード ２３：ディスク
Claims (2)
- 【請求項１】細く絞られた態様で試料面を照射するイオ
ンビームと、該イオンビームを偏向して試料面を走査す
る走査手段と、該走査手段を用いてイオンビームを試料
面に走査することによって当該試料から放射あるいは当
該試料に吸収される荷電粒子に関する情報を検出する荷
電粒子検出器と、該荷電粒子検出器を用いて検出された
荷電粒子によって生成された像を表示する表示装置とを
備えた装置において、 前記イオンビームによって照射されている試料面に対し
て複数個のノズルから夫々異なるガスを必要に応じて吹
きつけ得るよう構成したガス吹きつけ装置を備え、 前記表示装置上に表示されている表示情報に基づいて新
たに導電性のパターンあるいは新たに絶縁性のパターン
を生成しようとする領域に対して前記イオンビームを照
射しつつ前記ガス吹きつけ装置を用いて分解して導電性
のパターンあるいは分解して絶縁性のパターンを生成す
る化合物ガスを吹きつけて新たな導電性のパターンと新
たな絶縁性のパターンとを積層する態様で生成すること
を特徴とするパターン生成方法。 - 【請求項２】細く絞られた態様で試料面を照射するイオ
ンビームと、該イオンビームを偏向して試料面を走査す
る走査手段と、該走査手段を用いてイオンビームを試料
面に走査することによって当該試料から放射あるいは当
該試料に吸収される荷電粒子に関する情報を検出する荷
電粒子検出器と、該荷電粒子検出器を用いて検出された
荷電粒子によって生成された像を表示する表示装置とを
備えた装置において、 前記イオンビームによって照射されている試料面に対し
て１個のノズルでバルブを切り換えて所望の化合物ガス
を吹きつけ得るよう構成したガス吹きつけ装置を備え、 前記表示装置上に表示されている表示情報に基づいて新
たに導電性のパターンあるいは新たに絶縁性のパターン
を生成しようとする領域に対して前記イオンビームを照
射しつつ前記ガス吹きつけ装置を用いて分解して導電性
のパターンあるいは分解して絶縁性のパターンを生成す
る化合物ガスを吹きつけて新たな導電性のパターンと新
たな絶縁性のパターンとを積層する態様で生成すること
を特徴とするパターン生成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8100393A JPH09115907A (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | パターン生成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8100393A JPH09115907A (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | パターン生成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09115907A true JPH09115907A (ja) | 1997-05-02 |
Family
ID=14272753
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8100393A Pending JPH09115907A (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | パターン生成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09115907A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000065644A1 (fr) * | 1999-04-21 | 2000-11-02 | Seiko Instruments Inc. | Technique de restauration d'une interconnexion et dispositif a faisceau ionique focalise |
| JP2002341099A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-27 | Seiko Instruments Inc | 複数ノズルの一つを選択可能に昇降駆動できるガス銃 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61245553A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Seiko Instr & Electronics Ltd | イオンビーム加工装置 |
-
1996
- 1996-04-22 JP JP8100393A patent/JPH09115907A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61245553A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Seiko Instr & Electronics Ltd | イオンビーム加工装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000065644A1 (fr) * | 1999-04-21 | 2000-11-02 | Seiko Instruments Inc. | Technique de restauration d'une interconnexion et dispositif a faisceau ionique focalise |
| JP2002341099A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-27 | Seiko Instruments Inc | 複数ノズルの一つを選択可能に昇降駆動できるガス銃 |
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