JPH0911536A - 電界放出型プリントヘッド - Google Patents

電界放出型プリントヘッド

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JPH0911536A
JPH0911536A JP18331195A JP18331195A JPH0911536A JP H0911536 A JPH0911536 A JP H0911536A JP 18331195 A JP18331195 A JP 18331195A JP 18331195 A JP18331195 A JP 18331195A JP H0911536 A JPH0911536 A JP H0911536A
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JP
Japan
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gate
anode
line
field emission
lines
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JP18331195A
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Yoichi Kobori
洋一 小堀
Yukihiko Shimizu
幸彦 清水
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  • Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【目的】電界放出された電子を集束すること。 【構成】奇数番目のゲートラインGT11,GT13,
・・GT(n−1)は第1ゲート引出電極GT1に接続
され、偶数番目のゲートラインGT12,GT14,・
・GTnは第2ゲート引出電極GT2に接続する。第1
ゲート引出電極GT1が選択駆動された場合、第2ゲー
ト引出電極GT2の電位は低レベルとされ、奇数番目の
ゲートラインは低レベルの偶数番目のゲートラインに挟
まれるので、放出電子は集束される。第2ゲート引出電
極GT2が選択駆動された場合も同様に放出電子は集束
される。各ゲートラインGT11〜GT1nには細長く
電界放出アレイFE1〜FEnが形成されて、製造を容
易にしている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光学式プリンタ用プリ
ントヘッドに関し、特に電界放出素子を使用したプリン
トヘッドに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、光学式プリンタが知られてい
るが、光学式プリンタの概略を図6を参照しながら説明
する。フィルム120はハロゲン化銀(銀塩)等の感光
剤が被着されており、このフィルム120の下側に、ミ
ラー121により反射された光が照射されることにより
感光されるようにされている。このフィルム120に照
射される光はプリントヘッド125から放射されるが、
プリントヘッド125には1ラインづつの画像データが
供給されており、紙面に対して垂直方向の主走査方向
に、この画像データにより変調された1ラインづつの光
が照射される。そして、図示する矢印のようにプリント
ヘッド125が副走査されることにより、線順次方式に
よりフィルム120上に一枚の画像がプリントされるよ
うになる。
【0003】なお、SLA122はセルフォックレンズ
アレイであり、プリントヘッド125から放射された光
がフィルム120上に焦点を結ぶようにするためのレン
ズである。ミラー123はこのSLA122に光を導く
ためのミラーである。また、RGBフィルター124
は、フィルム120に上にカラーの画像をプリントさせ
るための3原色の光のRGBフィルターである。カラー
画像をプリントする場合は、同一の1ラインの画像デー
タをR(赤),G(緑),B(青)の3つの画像データ
に分解して、各色の画像データに対応してRGBフィル
ター124を順次移動させて3回の主走査をさせるよう
にしている。すなわち、3回の主走査により1ラインの
カラー画像がフィルム120に記録されることになる。
【0004】このような光学式プリンタのプリントヘッ
ドの光源としては、従来、発光ダイオード(LED)や
熱電子放出型の蛍光表示管などが用いられていたが、近
年、半導体微細加工技術を駆使して基板上にミクロンサ
イズの電界放出素子をアレイ状に作成することが可能と
なり、この電界放出素子アレイを電子源として使用した
電界放出型プリントヘッドが提案されている(特開平4
−43539号公報)。
【0005】この従来の電界放出型プリントヘッドの一
構成例を図7に示す。図7において、(a)は概略平面
図、(b)はそのA−A’線に沿った概略断面図、
(c)はそのB−B’線に沿った詳細断面図である。図
示するように、この電界放出型プリントヘッドは、複数
個の電界放出素子105が形成された第1平面基板10
1と、該第1平面基板101と対向して配置され、蛍光
体106などが形成された第2平面基板102と、第1
平面基板101と第2平面基板102との間隔を一定に
保持する挟持体103と、第1平面基板101と第2平
面基板102と挟持体103とに囲まれた真空層104
とから構成されている。
【0006】第1平面基板101はn型シリコン単結晶
基板よりなり、電界放出素子105部分と基板コンタク
ト電極107部分を除きシリコン酸化膜(SiO2 膜)
101’で覆われている。第2平面基板102は透明な
ガラス基板よりなり、その表面に透明なアノード電極1
09と蛍光体106が積層されて形成されている。カソ
ード電極とゲート電極を有する電界放出素子105とア
ノード電極を有する蛍光体106は真空層104を挟ん
で対向して配置され、その一対が単位光源を構成してい
る。各単位光源は互いに分離され、アレイ状に配置され
たゲート電極に区分される1個の電界放出素子をもつ。
そして、各々の電界放出素子のカソード電極はシリコン
単結晶板を共有しており、また、アノード電極も共通と
されている。
【0007】一つの電界放出素子は、図7(c)に示す
ように、第1平面基板101の表面に形成された複数個
の突起状のカソード電極(エミッタ)111と、SiO
2 膜101’を介して形成され、それぞれの突起の近傍
に開口をもつゲート電極112よりなる。また、各々の
電界放出素子でゲート電極112は分離されて形成され
ている。なお、上記においては、第1平面基板101に
シリコン単結晶基板を用い、突起はシリコン単結晶基板
の異方性エッチングを利用して作成したものとしたが、
金属電極をもつ絶縁性基板と金属突起を用いたり、導電
性基板に金属突起を形成したものを用いることもできる
ものである。
【0008】このように構成された単位光源において、
基板コンタクト電極107を通してシリコン単結晶基板
101を接地した状態で、アノードコンタクト電極11
0およびアノード電極109を通して蛍光体106にア
ノード電圧Vakを印加し、ゲートコンタクト電極108
を通して電界放出素子105のゲート電極にゲート電圧
gkを印加すると、当該電界放出素子105のカソード
電極の突起部分にゲート電極の電界が印加され、突起先
端より電子が電界放出される。電界放出された電子はア
ノード電圧により加速されて蛍光体106に到達し、素
子に対向する部分の蛍光体106を発光させる。
【0009】このようにして、発光された光は透明のア
ノード電極109および第2平面基板102を通して放
射され、1ライン分の画像データがフィルム等の記録媒
体に発光記録される。この場合、上記したように記録媒
体またはプリントヘッド自体を移動させて、次の1ライ
ン分の画像データを記録する、線順次走査方式により画
像の記録を行なうことができるものである。この時、図
6に示すようにRGBフィルター124を移動させて主
走査を行うことにより、カラー画像の記録を行うことが
できる。このような電界放出型プリントヘッドは、半導
体微細加工技術を利用して作成されているので、高解像
度を実現することができるものである。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の電界放出型プリントヘッドにおいては電子が電
界放出される先鋭状のカソード電極の先端から約60°
の拡がりをもって放出されるため、アノードに到達した
電子はある程度広がることになる。すると、アノード側
の隣接する画素にも電子が当り、漏れ発光を生じる恐れ
があるという問題点があった。これを防止するには画素
ピッチを大きくすればよいが、画素ピッチを大きくする
と解像度が低下することになる。また、カソードとアノ
ードとの間隔を狭めるようにすれば、電子の拡がりを抑
制することができるが、カソードとアノードとの間隔を
狭めると、アノードに印加している数百ボルトの駆動電
圧に耐えることができず、その間隔は狭めることができ
ない。
【0011】そこで、本発明は、画素ピッチを大きくす
ることなく、かつ、カソードとアノードとの間隔を狭め
ることなく漏れ発光の生じない電界放出型プリントヘッ
ドを提供することを目的としている。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の電界放出型プリントヘッドは、カソード基
板上に形成された複数本のカソードラインと、該カソー
ドライン上にそれぞれ絶縁層を介して形成された複数本
のゲートラインと、該ゲートラインの内、奇数番目のゲ
ートラインが接続される第1ゲート引出電極と、該ゲー
トラインの内、偶数番目のゲートラインが接続される第
2ゲート引出電極と、複数本の上記カソードラインと複
数本の上記ゲートラインとが重合する各々の部分にスト
ライプ状に細長く形成されている電界放出アレイと、上
記カソード基板と対向して配置されると共に、上記ゲー
トラインのそれぞれに形成された上記電界放出アレイに
対応して蛍光体の被着されたアノードラインを備えるア
ノード基板を備え、上記アノードラインが、上記ゲート
ラインと対向して上記ゲートラインに略直交するように
形成されたアノードラインと、該アノードラインの両側
に配置された2本のダミーアノードからなり、上記アノ
ードラインに、該アノードラインの軸方向にストライプ
状に蛍光体が形成され、交互に選択駆動される上記第1
ゲート引出電極および上記第2ゲート引出電極の内、非
選択のゲート引出電極の電位が低レベルとされると共
に、上記2本のダミーアノードの電位が低レベルにされ
るようにしたものである。
【0013】また、上記電界放出型プリントヘッドにお
いて、上記アノードラインが金属薄膜から形成されてい
ると共に、その軸方向にスリットが設けられており、該
スリットを覆うように上記蛍光体が被着されているよう
にしたものである。
【0014】
【作用】本発明によれば、奇数番目のゲートラインと偶
数番目のゲートラインが交互に選択駆動される場合に、
非選択のゲートラインの電位が低電位とされるため、選
択駆動されたゲートラインが低電位のゲートラインで挟
まれるようになり、電界放出された電子を集束すること
ができる。さらに、アノード側においても選択駆動され
るアノードラインが、低電位とされたダミーアノードに
より挟まれるため、アノード側においても電子を集束す
ることができる。従って、解像度を悪化させることな
く、かつアノード電位を下げて輝度を低下させることな
く、隣接する画素の漏れ発光を防止することができる。
また、電解放出アレイがストライプ状に形成されている
ので、カソード基板と貼り合わせるときの位置合わせ精
度を緩くすることができ、製造を容易とすることができ
る。
【0015】
【実施例】本発明の電界放出型プリントヘッドの第1実
施例を図1ないし図3を参照しながら説明するが、図1
には一実施例の電界放出型プリントヘッドを構成するカ
ソード基板1を上から見たゲートラインおよびカソード
ラインの一例を示しており、図2には、本発明の電界放
出型プリントヘッドを図1に示すA−A線で切断した時
の一部断面図を示し、図3には本発明の電界放出型プリ
ントヘッドの斜視図を示し、ゲートライン、カソードラ
イン、およびアノードラインの構成が示されている。
【0016】本発明の電界放出型プリントヘッドは、図
2に示すようにカソード基板1の一表面に複数本のカソ
ードラインC1,C2,C3,・・・Cn(図にはカソ
ードラインC(n−2),C(n−1),Cnの3本だ
けが示されている。)が形成されており、このカソード
ラインC1,C2,C3,・・・Cn上にそれぞれ電界
放出アレイを構成する複数のコーン状のエミッタ3が形
成されている。また、カソード基板1上にはSiO2
からなる絶縁層2が形成されており、この上にn本のゲ
ートラインGT11〜GT1n(図にはゲートラインG
T1(n−2),GT1(n−1),GT1nの3本だ
けが示されている。)と、ゲートラインGT11〜GT
1nの両側にダミーゲートGT21,GT22が形成さ
れている。
【0017】なお、カソードラインC1〜Cnとゲート
ラインGT11〜GT1nとエミッタ3とで電界放出ア
レイFE1〜FEnが構成されているが、電界放出アレ
イFE1,FE3,・・・FE(n−1)は、図1に示
すようにストライプ状に細長く形成されている。また、
カソード基板1に対向してアノード基板10が所定間隙
をもって配置されており、アノード側は、図3に示すよ
うにゲートラインGT11〜GT1nにほぼ直交して配
置されたストライプ状のスリット14を有するアノード
ラインA11と、アノードラインA11の両側に配置さ
れた2本のダミーアノードA21とから構成されてい
る。
【0018】アノードラインA11には蛍光体13の発
光を取り出すためのスリット14が設けられており、こ
のスリット14を覆うようにストライプ状の蛍光体13
が被着されている。なお、アノードラインA11および
ダミーアノードA21はアルミニウム等の金属薄膜から
形成されている。この蛍光体13は、前記した電界放出
アレイFE1〜FEnから放出された電子が当って発光
するものであるが、電界放出アレイFE1〜FEnがア
ノードラインA11とほぼ直交する方向にストライプ状
に形成されていることから、カソード基板1とアノード
基板10とを貼り合せて電界放出型プリントヘッドを作
製する時の、カソード基板1に対するアノード基板10
の位置合わせ精度の許容範囲を広げることができる。
【0019】また、金属薄膜製のアノードラインA11
にスリット14を設けることにより、薄膜レベルで高精
細な発光パターンを得ることができるようになるので、
蛍光体13のパターニングの精度の許容範囲を広げるこ
とができる。従って、本発明の電界放出型プリントヘッ
ドは容易に製造をすることができるようになる。
【0020】なお、カソード基板1とアノード基板10
と図示しない側板とで真空気密容器が形成されており、
その内部は高真空とされている。また、蛍光体13の発
光をアノード基板10を介して取り出しているため、ア
ノード基板10はガラス製とされている。ただし、カソ
ード基板1もガラス製とすることができる。また、アノ
ードラインA11およびダミーアノードA21は、前記
したようにアルミニウム薄膜等の金属薄膜で形成されて
いるが、金属薄膜の反射率は大きいので、アルミニウム
薄膜等の金属薄膜による反射を防ぐために、アノード基
板10とアルミニウムとの界面に酸化チタン膜を設け
て、反射防止層を形成するようにしてもよい。これによ
り、コントラストの高い発光を得ることができる。
【0021】また、アノードラインA11およびダミー
アノードA21をITO等の透明導電材により形成する
こともできる。この場合のアノード側の構成を図4に示
すが、アノードラインA11は透明であるのでスリット
14を設ける必要はなく、図示するようにアノードライ
ンA11の下側にストライプ状の蛍光体13が形成され
ている構造とされている。
【0022】次に、このように構成された第1実施例の
電界放出プリントヘッドを駆動する方法を図5に示す駆
動パルスのタイムチャートを参照しながら説明する。前
記したように、n本のゲートラインGT11〜GTnの
うちの奇数番目のゲートラインGT11,GT13,G
T15,・・・GT1(n−1)は、第1ゲート引出電
極GT1に接続され、n本のゲートラインGT11〜G
Tnのうちの偶数番目のゲートラインGT12,GT1
4,GT16,・・・GT1nは、第2ゲート引出電極
GT2に接続されており、第1ゲート引出電極GT1と
第2ゲート引出電極GT2とは、図5(a)(b)に示
すように、1表示期間の半周期毎に交互に選択駆動され
る。この場合、非選択のゲート引出電極の電位は、低レ
ベル(あるいはゼロレベルまたは負レベルとしてもよ
い。)とされている。
【0023】例えば、第1ゲート引出電極GT1が選択
駆動された時に、ゲートラインGT13を例に挙げると
その両側に位置するゲートラインGT12およびゲート
ラインGT14の電位が低レベルとなる。すると、両側
に配置された低レベルのゲートラインGT12,GT1
4の電界の影響を受けて、ゲートラインGT13から放
出された電子は拡散されず集束されるようになる。この
ようにして、第1ゲート引出電極GT1が選択駆動され
た時に、奇数番目のゲートラインGT11,GT13,
GT15,・・・GT1(n−1)から放出された電子
が集束され、次いで第2ゲート引出電極GT2が選択駆
動された時には、奇数番目のゲートラインGT11,G
T13,GT15,・・・GT1(n−1)の電位が低
レベル(あるいはゼロレベルまたは負レベルとしてもよ
い。)とされるため、偶数番目のゲートラインGT1
2,GT14,GT16,・・・GT1nから放出され
た電子が集束されるようになる。
【0024】なお、ゲートラインGT11およびゲート
ラインG1nの外側にはゲートラインは存在しないの
で、ダミーゲートGT21,GT22を設けるようにし
て電子を集束している。また、アノード側においては、
アノードラインA11には図5(c)に示すように駆動
電圧が常時供給されていると共に、ダミーアノードA2
1には同図(d)に示すように常時低レベルの電位(図
示する場合はゼロ電位とされており、負電位でもよ
い。)が供給されている。
【0025】すると、アノードラインA11は低レベル
のダミーアノードA21により挟まれるようになるた
め、その電界の作用によりゲートラインGT11〜GT
1nから放出された電子は、集束されてアノードライン
A11に到達するようになる。この場合、電子が集束さ
れる方向は、アノードラインA11と直交する方向とさ
れるが、前記した奇数番目のゲートラインGT11,G
T13,・・・GT1(n−1)と偶数番目のゲートラ
インGT12,GT14,・・・GT1nとの作用によ
り電子が集束される方向は、アノードラインA11と平
行な方向となるので、選択駆動されたそれぞれの電界放
出アレイから放出された電子はその集束断面が円形とな
るように効率的に集束されるようになる。
【0026】なお、第1ゲート引出電極GT1が選択駆
動されている時には、奇数番目のカソード電極C1,C
3,・・・C(n−1)には1ライン分の奇数番目の画
像データが、図5(e)に示すように供給されており、
アノードラインA11に被着された蛍光体13が、この
画像データに応じて発光制御される。次いで、第2ゲー
ト引出電極GT2が駆動されると、偶数番目のカソード
電極C2,C4,・・・Cnには1ライン分の偶数番目
の画像データが、図5(f)に示すように供給され、ア
ノードラインA11に被着された蛍光体13がが、この
画像データに応じて発光制御される。
【0027】このように第1ゲート引出電極GT1の選
択駆動に続いて、第2ゲート引出電極GT2が選択駆動
された時に1ライン分の画像が記録媒体に記録されるこ
とになる。以降同様に線順次の走査が順次行われて、1
画面の画像が記録媒体に記録されるようになる。
【0028】以上説明した電界放出型プリントヘッドに
おいては、カソードラインC1〜Cnは奇数番目のカソ
ードラインC1,C3,・・・C(n−1)と偶数番目
のカソードラインC2,C4,・・・Cnとが交互に選
択駆動されるので、隣接する奇数番目のカソードライン
と偶数番目のカソードラインとを接続して、1つのカソ
ードドライバにより駆動することが可能である。このよ
うにすれば、カソードドライバ数を半減することができ
る。
【0029】
【発明の効果】本発明は以上説明したように、奇数番目
のゲートラインと偶数番目のゲートラインが交互に選択
駆動される場合に、非選択のゲートラインの電位が低電
位(ゼロ電位あるいは負電位でもよい。)とされるた
め、選択駆動されたゲートラインが低電位のゲートライ
ンで挟まれるようになり、選択駆動されたゲートライン
から電界放出された電子を集束することができる。さら
に、アノード側においても選択駆動されるアノードライ
ンが、低電位とされたダミーアノードにより挟まれるた
め、アノード側においても電子を集束することができ
る。この場合、ゲート側とアノード側とで電子を集束す
る方向が直交しているので効率的に集束することができ
る。
【0030】従って、解像度を悪化させることなく、か
つアノード電位を下げて輝度を低下させることなく、隣
接する画素の漏れ発光を防止することができる。また、
カソード側に形成されている電界放出アレイがストライ
プ状に細長く形成されているため、カソード基板とアノ
ード基板を貼り合せる時のカソード基板に対するアノー
ド基板の位置合わせの許容範囲を広げることができ、電
界放出型プリントヘッドを容易に製造することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の電界放出型プリントヘッドの一実施例
のゲートラインとカソードラインの構成を示す図であ
る。
【図2】本発明の電界放出型プリントヘッドの一実施例
の構成を示す一部側断面図である。
【図3】本発明の電界放出型プリントヘッドの一実施例
のゲートラインとカソードラインとアノードラインの構
成を示す斜視図である。
【図4】本発明の電界放出型プリントヘッドの一実施例
の変形例を示す図である。
【図5】本発明の電界放出型プリントヘッドを駆動する
駆動パルスのタイミングチャートを示す図である。
【図6】従来の光学式プリンタの概略構成を示す図であ
る。
【図7】従来の電界放出型プリントヘッドの概略構成を
示す上面図、正面の断面図、側断面図である。
【符号の説明】
1 カソード基板 2 絶縁層 3 エミッタ 4 開口部 10 アノード基板 13 蛍光体 14 スリット 101 第1平面基板 102 第2平面基板 103 挟持体 104 真空層 105 電界放出素子 107 基板コンタクト電極 108 ゲートコンタクト電極 110 アノードコンタクト電極 A11 アノードライン A21 ダミーアノード C1,C2,C3・・・,Cn カソードライン FE1,FE2,・・・FEn 電界放出アレイ GT1,GT2 ゲート引出電極 GT11〜GT1n ゲートライン GT21,GT22 ダミーゲート

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 カソード基板上に形成された複数本のカ
    ソードラインと、 該カソードライン上にそれぞれ絶縁層を介して形成され
    た複数本のゲートラインと、 該ゲートラインの内、奇数番目のゲートラインが接続さ
    れる第1ゲート引出電極と、該ゲートラインの内、偶数
    番目のゲートラインが接続される第2ゲート引出電極
    と、 複数本の上記カソードラインと複数本の上記ゲートライ
    ンとが重合する各々の部分にストライプ状に細長く形成
    されている電界放出アレイと、 上記カソード基板と対向して配置されると共に、上記ゲ
    ートラインのそれぞれに形成された上記電界放出アレイ
    に対応して蛍光体の被着されたアノードラインを備える
    アノード基板を備え、 上記アノードラインが、上記ゲートラインと対向して上
    記ゲートラインに略直交するように形成されたアノード
    ラインと、該アノードラインの両側に配置された2本の
    ダミーアノードからなり、上記アノードラインに、該ア
    ノードラインの軸方向にストライプ状に蛍光体が形成さ
    れ、 交互に選択駆動される上記第1ゲート引出電極および上
    記第2ゲート引出電極の内、非選択のゲート引出電極の
    電位が低レベルにされると共に、上記2本のダミーアノ
    ードの電位が低レベルとされることを特徴とする電界放
    出型プリントヘッド。
  2. 【請求項2】上記アノードラインが金属薄膜から形成さ
    れていると共に、その軸方向にスリットが設けられてお
    り、該スリットを覆うように上記蛍光体が被着されてい
    ることを特徴とする請求項1記載の電界放出型プリント
    ヘッド。
JP18331195A 1995-06-28 1995-06-28 電界放出型プリントヘッド Pending JPH0911536A (ja)

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