JPH09113886A - Liquid crystal display device - Google Patents
Liquid crystal display deviceInfo
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- JPH09113886A JPH09113886A JP26712995A JP26712995A JPH09113886A JP H09113886 A JPH09113886 A JP H09113886A JP 26712995 A JP26712995 A JP 26712995A JP 26712995 A JP26712995 A JP 26712995A JP H09113886 A JPH09113886 A JP H09113886A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- crystal display
- light
- black matrix
- sealing material
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- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、それぞれ表示用透
明電極を設けた面が互いに対向するように、２枚の絶縁
基板を所定の間隙を隔てて重ね合せ、両基板間の縁周囲
に枠状に設けたシール材により両基板を接着すると共
に、シール材の内側の両基板間に液晶を封止した液晶表
示素子を有する液晶表示装置に係り、特に、いずれか一
方の基板にブラックマトリクスを設けた液晶表示装置に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method in which two insulating substrates are stacked with a predetermined gap therebetween so that the surfaces provided with transparent electrodes for display face each other, and a frame is formed around the edge between the substrates. The present invention relates to a liquid crystal display device having a liquid crystal display element in which both substrates are adhered by a sealing material provided in a ring shape and liquid crystal is sealed between both substrates inside the sealing material, and in particular, a black matrix is provided on one of the substrates. The liquid crystal display device is provided.
【０００２】[0002]
【従来の技術】アクティブ・マトリクス方式の液晶表示
装置は、マトリクス状に配列された複数の画素電極のそ
れぞれに対応して非線形素子（スイッチング素子）を設
けたものである。各画素における液晶は理論的には常時
駆動（デューティ比 1.0）されているので、時分割駆動
方式を採用している、いわゆる単純マトリクス方式と比
べてアクティブ方式はコントラストが良く、特にカラー
液晶表示装置では欠かせない技術となりつつある。スイ
ッチング素子として代表的なものとしては薄膜トランジ
スタ（ＴＦＴ）がある。2. Description of the Related Art An active matrix type liquid crystal display device is provided with a non-linear element (switching element) corresponding to each of a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix. Since the liquid crystal in each pixel is theoretically always driven (duty ratio 1.0), the active method has better contrast than the so-called simple matrix method that employs the time-division driving method. Then it is becoming an indispensable technology. A typical switching element is a thin film transistor (TFT).
【０００３】なお、薄膜トランジスタを使用したアクテ
ィブ・マトリクス方式の液晶表示装置は、例えば特開昭
６３−３０９９２１号公報や、「冗長構成を採用した1
2.5型アクティブ・マトリクス方式カラー液晶ディスプ
レイ」、日経エレクトロニクス、頁193〜210、1986年12
月15日、日経マグロウヒル社発行、で知られている。An active matrix type liquid crystal display device using a thin film transistor is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 63-309921 and "1.
2.5-inch active matrix color LCD ", Nikkei Electronics, pages 193-210, 1986 12
Known on the 15th of March, published by Nikkei McGraw-Hill, Inc.
【０００４】液晶表示装置は、例えば、表示用透明画素
電極と配向膜等をそれぞれ積層した面が対向するように
所定の間隙を隔てて２枚の透明ガラスから成る絶縁基板
を重ね合せ、該両基板間の縁部に枠状に設けたシール材
により、両基板を貼り合せると共に、シール材の一部に
設けた液晶封入口から両基板間のシール材の内側に液晶
を封入、封止し、さらに両基板の外側に偏光板を設けて
成る液晶表示素子（すなわち、液晶表示部、液晶表示パ
ネル、ＬＣＤ：リキッド クリスタル ディスプレイ）
と、液晶表示素子の下に配置され、液晶表示素子に光を
供給するバックライトと、液晶表示素子の外周部の外側
に配置した液晶表示素子の駆動用回路基板と、これらの
各部材を保持するモールド成形品である枠状体と、これ
らの各部材を収納し、液晶表示窓があけられた金属製フ
レーム（シールドケース）等を含んで構成されている。In the liquid crystal display device, for example, two insulating substrates made of transparent glass are stacked with a predetermined gap therebetween so that the surfaces on which the transparent pixel electrodes for display and the alignment film are laminated face each other. Both substrates are bonded together by a frame-shaped sealing material at the edge between the substrates, and liquid crystal is sealed inside the sealing material between both substrates from the liquid crystal sealing port provided in part of the sealing material. , And a liquid crystal display device in which polarizing plates are provided outside both substrates (that is, liquid crystal display unit, liquid crystal display panel, LCD: liquid crystal display).
And a backlight arranged below the liquid crystal display element for supplying light to the liquid crystal display element, a driving circuit board for the liquid crystal display element arranged outside the outer peripheral portion of the liquid crystal display element, and holding these members. A frame-shaped body, which is a molded product, and a metal frame (shield case) in which each of these members is housed and a liquid crystal display window is opened are included.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】図８（Ａ）、（Ｂ）は
それぞれ従来の薄膜トランジスタを使用したアクティブ
・マトリクス方式カラー液晶表示素子の要部（すなわ
ち、１対の基板を接着しているシール部近傍の端部の）
概略断面図である。なお、以下で説明する図面で、同一
機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説
明は省略する。8A and 8B are main parts of an active matrix type color liquid crystal display element using a conventional thin film transistor (that is, a seal in which a pair of substrates are adhered to each other). Part of the end)
It is an outline sectional view. In the drawings described below, those having the same functions are denoted by the same reference numerals, and the repeated description thereof will be omitted.
【０００６】ＳＵＢ１は下部透明ガラス基板、ＳＵＢ２
は上部透明ガラス基板、ＢＭはブラックマトリクス、Ｆ
ＩＬ（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）はそれぞれ赤色、緑色、青
色のカラーフィルタ、ＰＳＶ１は保護膜、ＩＴＯ１、Ｉ
ＴＯ２は透明画素電極、ＯＲＩ１、ＯＲＩ２は配向膜、
ＳＬはシール材、ＳＰは両基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間
隙（ギャップ）を規定するスペーサ、ＬＣは液晶層、Ｔ
ＦＴは薄膜トランジスタ、ＰＯＬ１、ＰＯＬ２は偏光板
である。SUB1 is a lower transparent glass substrate, SUB2
Is an upper transparent glass substrate, BM is a black matrix, F
IL (R), (G) and (B) are red, green and blue color filters respectively, PSV1 is a protective film, ITO1 and I
TO2 is a transparent pixel electrode, ORI1 and ORI2 are alignment films,
SL is a sealing material, SP is a spacer that defines a gap between the substrates SUB1 and SUB2, LC is a liquid crystal layer, and T is a liquid crystal layer.
FT is a thin film transistor, and POL1 and POL2 are polarizing plates.
【０００７】図８（Ａ）に示す従来の液晶表示素子で
は、シール材ＳＬを設けた部分にも、クロム（Ｃｒ）等
の金属膜から成るブラックマトリクスＢＭが配置されて
いる。In the conventional liquid crystal display element shown in FIG. 8A, a black matrix BM made of a metal film of chromium (Cr) or the like is arranged also in the portion where the sealing material SL is provided.
【０００８】なお、ブラックマトリクスＢＭは、上下の
透明画素電極ＩＴＯ１、ＩＴＯ２で構成される各画素の
周囲に格子状に形成され、この格子により１画素の有効
表示領域が仕切られており、これにより、各画素の輪郭
がはっきりとし、コントラストが向上する。The black matrix BM is formed in a lattice shape around each pixel composed of the upper and lower transparent pixel electrodes ITO1 and ITO2, and this lattice partitions an effective display area of one pixel. , The contour of each pixel becomes clear, and the contrast is improved.
【０００９】なお、（Ａ）のように、反射性の金属材料
から成るブラックマトリクスＢＭは、広い面積を占め、
該ブラックマトリクスＢＭを設けた基板ＳＵＢ２側が表
示画面側（観察側）となる場合は、表示画面側の外部の
光がブラックマトリクスＢＭで外側（観察側）に反射
し、画面が見にくくなり（鏡のようになり）、コントラ
ストが低下し、表示品質が低下する問題がある。この問
題を解消するため、図８（Ｂ）に示すように、ブラック
マトリクスＢＭを、低反射である有機系樹脂で形成する
ことが提案されている。この場合、有機系樹脂の基板と
の密着性が低いことから、シール材ＳＬを設けた部分に
は、ブラックマトリクスＢＭは配置していない。As shown in (A), the black matrix BM made of a reflective metal material occupies a large area.
When the substrate SUB2 side provided with the black matrix BM becomes the display screen side (observation side), the light outside the display screen side is reflected to the outside (observation side) by the black matrix BM and the screen becomes difficult to see (mirror Therefore, there is a problem that the contrast is lowered and the display quality is lowered. In order to solve this problem, as shown in FIG. 8B, it has been proposed to form the black matrix BM with an organic resin having low reflection. In this case, since the adhesiveness of the organic resin to the substrate is low, the black matrix BM is not arranged in the portion where the sealing material SL is provided.
【００１０】しかし、（Ｂ）に示す構造では、シール材
ＳＬを設けた部分に、ブラックマトリクスＢＭを配置し
ていないため、シール材ＳＬの部分で光漏れが生じ、表
示品質が低下する問題がある。また、この問題を解消す
るため、液晶表示素子の外周部のシール材ＳＬ部を金属
製フレームで被覆しようとすると、表示領域に対する当
該液晶表示装置、すなわち、モジュールの最終外形寸法
が大きくなるという問題がある。However, in the structure shown in (B), since the black matrix BM is not arranged in the portion where the sealing material SL is provided, there is a problem that light leakage occurs in the portion of the sealing material SL and the display quality is deteriorated. is there. Further, in order to solve this problem, if the seal material SL portion of the outer peripheral portion of the liquid crystal display element is covered with a metal frame, the final outer dimension of the liquid crystal display device, that is, the module, with respect to the display area becomes large. There is.
【００１１】本発明の目的は、シール部における光漏れ
と、シール部における基板の剥がれを防止し、表示品質
と信頼性の優れた表示領域の広い液晶表示装置を提供す
ることにある。An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device having a wide display area, which is excellent in display quality and reliability, in which light leakage at the seal portion and peeling of the substrate at the seal portion are prevented.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、ブラックマトリクスとして、低反射の着
色有機系樹脂材料を用い、かつ、１対の絶縁基板を接着
するシール材として、遮光性材料を用いることを特徴と
する。In order to solve the above problems, the present invention uses a low reflection colored organic resin material as a black matrix and a sealing material for adhering a pair of insulating substrates, A light-shielding material is used.
【００１３】すなわち、２枚の絶縁基板をそれぞれ表示
用透明電極を設けた面が互いに対向するように所定の間
隙を隔てて重ね合せ、前記両基板間の縁周囲に枠状に設
けたシール材により前記両基板を接着すると共に、前記
シール材の内側の前記両基板間に液晶を封止し、かつ、
いずれか一方の前記基板にブラックマトリクスを設けた
液晶表示素子を有する液晶表示装置において、前記ブラ
ックマトリクスが着色された有機系樹脂から成り、か
つ、前記シール材に遮光性を持たせたことを特徴とす
る。That is, two insulating substrates are stacked with a predetermined gap so that the surfaces on which the transparent electrodes for display are provided face each other, and a sealing material provided in a frame shape around the edge between the two substrates. By adhering the both substrates by, sealing the liquid crystal between the both substrates inside the sealing material, and
In a liquid crystal display device having a liquid crystal display element in which a black matrix is provided on one of the substrates, the black matrix is made of a colored organic resin, and the sealing material has a light-shielding property. And
【００１４】また、前記ブラックマトリクスを設けた前
記基板と、前記シール材との間に、前記ブラックマトリ
クスが全く存在しない、または一部を除いてほとんど存
在しないことを特徴とする。Further, the black matrix is not present at all or is almost absent except a part between the substrate provided with the black matrix and the sealing material.
【００１５】また、前記基板面と垂直な方向から見た場
合、前記液晶側の前記シール材と、前記ブラックマトリ
クスとが一部重なり合っていることを特徴とする。Further, when viewed from a direction perpendicular to the surface of the substrate, the sealing material on the liquid crystal side and the black matrix partially overlap each other.
【００１６】また、遮光性の前記シール材が、三核体以
上のフェノール樹脂を硬化剤とした熱硬化型エポキシ樹
脂に、黒色の着色剤を加えて成ることを特徴とする。Further, the light-shielding sealing material is characterized in that a black colorant is added to a thermosetting epoxy resin having a phenol resin having three or more nuclear bodies as a curing agent.
【００１７】また、遮光性の前記シール材と前記ブラッ
クマトリクスとの光学特性をほぼ同等としたことを特徴
とする。Further, it is characterized in that the light-shielding sealing material and the black matrix have substantially the same optical characteristics.
【００１８】また、遮光性の前記シール材と前記ブラッ
クマトリクスとの可視光域における吸光度（ＯＤ値）が
１．５〜３．５の範囲であることを特徴とする。Further, the light-shielding sealing material and the black matrix are characterized in that the absorbance (OD value) in the visible light range is in the range of 1.5 to 3.5.
【００１９】さらに、遮光性の前記シール材と前記ブラ
ックマトリクスとのＣ光源で換算した色調はｘ、ｙが共
に０．２〜０．５の範囲であることを特徴とする。Further, the color tone converted by the C light source of the light-shielding sealant and the black matrix is characterized in that both x and y are in the range of 0.2 to 0.5.
【００２０】なお、遮光性シール材を有する液晶表示素
子については、例えば特開平２−２９６２２３号、特開
平５−８８１８９号公報に開示されているが、ブラック
マトリクスについての記載は一切なく、本発明の構成を
有しない。A liquid crystal display device having a light-shielding sealant is disclosed in, for example, JP-A-2-296223 and JP-A-5-88189, but there is no description about a black matrix and the present invention is not disclosed. It does not have the structure of.
【００２１】本発明では、ブラックマトリクスが低反射
の着色された有機系樹脂から成り、かつ、シール材に遮
光性を持たせたことにより、シール部に光漏れが生じる
のを防止でき、表示品質が向上する。なお、シール材と
ブラックマトリクスとに同程度の光学特性を持たせるの
が望ましく、これにより、バックライトから照射される
光が同程度に遮光される。また、液晶表示素子の外周部
を被覆する金属製フレームによるシール部のマスキング
が不要となるので、表示領域の広い、小型、大画面の液
晶表示素子を得ることができる。また、シール部にブラ
ックマトリクスを全く、あるいは一部しか配置しないこ
とにより、ブラックマトリクスの密着力不足による剥が
れが防止できるので、信頼性が向上できる。In the present invention, since the black matrix is made of a colored organic resin having a low reflection and the sealing material has a light-shielding property, it is possible to prevent light from leaking to the sealing portion and display quality. Is improved. Note that it is desirable that the sealing material and the black matrix have substantially the same optical characteristics, so that light emitted from the backlight is shielded to the same extent. In addition, since it is not necessary to mask the seal portion with the metal frame that covers the outer peripheral portion of the liquid crystal display element, a small-sized and large-screen liquid crystal display element having a wide display area can be obtained. Further, by disposing the black matrix at all or only a part of the seal portion, it is possible to prevent the black matrix from being peeled off due to insufficient adhesion, thereby improving the reliability.
【００２２】[0022]
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
例について詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
【００２３】《アクティブ・マトリクス液晶表示装置》
以下、アクティブ・マトリクス方式のカラー液晶表示装
置にこの発明を適用した実施例を説明する。<< Active Matrix Liquid Crystal Display Device >>
An embodiment in which the present invention is applied to an active matrix type color liquid crystal display device will be described below.
【００２４】《ブラックマトリクスＢＭとシール材Ｓ
Ｌ》図１は本発明の薄膜トランジスタを使用したアクテ
ィブ・マトリクス方式カラー液晶表示素子の要部（すな
わち、１対の基板を接着しているシール部近傍の端部
の）概略断面図である。<< Black Matrix BM and Sealing Material S
L >> FIG. 1 is a schematic sectional view of an essential part of an active matrix type color liquid crystal display device using the thin film transistor of the present invention (that is, an end part in the vicinity of a seal part to which a pair of substrates are bonded).
【００２５】ＳＵＢ１は下部透明ガラス基板、ＳＵＢ２
は上部透明ガラス基板、ＢＭはブラックマトリクス、Ｆ
ＩＬ（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）はそれぞれ赤色、緑色、青
色のカラーフィルタ、ＰＳＶ１は保護膜、ＩＴＯ１、Ｉ
ＴＯ２は透明画素電極、ＯＲＩ１、ＯＲＩ２は配向膜、
ＳＬはシール材、ＳＰは両基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間
隙（ギャップ）を規定するスペーサ、ＬＣは液晶層、Ｔ
ＦＴは薄膜トランジスタ、ＰＯＬ１、ＰＯＬ２は偏光板
である。SUB1 is a lower transparent glass substrate, SUB2
Is an upper transparent glass substrate, BM is a black matrix, F
IL (R), (G) and (B) are red, green and blue color filters respectively, PSV1 is a protective film, ITO1 and I
TO2 is a transparent pixel electrode, ORI1 and ORI2 are alignment films,
SL is a sealing material, SP is a spacer that defines a gap between the substrates SUB1 and SUB2, LC is a liquid crystal layer, and T is a liquid crystal layer.
FT is a thin film transistor, and POL1 and POL2 are polarizing plates.
【００２６】本実施例では、図１に示すように、ブラッ
クマトリクスＢＭが黒色の有機系樹脂から成り、かつ、
シール材ＳＬに遮光性を持たせたことを特徴とする。な
お、遮光性のシール材ＳＬとブラックマトリクスＢＭと
の光学特性、つまり、遮光性、色調等は同等としてあ
る。すなわち、遮光性シール材ＳＬとブラックマトリク
スＢＭの可視光域における吸光度（ＯＤ値）は１．５〜
３．５の範囲であり、Ｃ光源で換算した色調はｘ、ｙが
共に０．２〜０．５の範囲であった。また、遮光性のシ
ール材ＳＬは、三核体以上のフェノール樹脂を硬化剤と
した熱硬化型エポキシ樹脂に、黒色の着色剤を加えてい
る。また、基板面と垂直な方向から見た場合、シール材
ＳＬとブラックマトリクスＢＭとが液晶層ＬＣ側で一部
重なり合っている。In this embodiment, as shown in FIG. 1, the black matrix BM is made of a black organic resin, and
It is characterized in that the sealing material SL has a light shielding property. The optical properties of the light-shielding sealing material SL and the black matrix BM, that is, the light-shielding properties, the color tone, and the like are the same. That is, the absorbance (OD value) of the light-shielding sealing material SL and the black matrix BM in the visible light range is 1.5 to
The color tone converted by the C light source was in the range of 3.5, and both x and y were in the range of 0.2 to 0.5. The light-shielding sealing material SL is obtained by adding a black coloring agent to a thermosetting epoxy resin using a phenol resin having three or more nuclei as a curing agent. When viewed from a direction perpendicular to the substrate surface, the sealing material SL and the black matrix BM partially overlap on the liquid crystal layer LC side.
【００２７】本実施例では、ブラックマトリクスＢＭを
低反射の着色された有機系樹脂で形成し、かつ、シール
材ＳＬを遮光性材料で形成したので、シール部に光漏れ
が生じるのを防止でき、表示品質が向上する。また、シ
ール材ＳＬとブラックマトリクスＢＭとに同程度の光学
特性を持たせたので、バックライト（図６の符号ＢＬ参
照）から照射される光がシール部とブラックマトリクス
ＢＭ部とで同程度に遮光される。また、液晶表示素子の
外周部を被覆する金属製フレーム（図６の符号ＳＨＤ参
照）によるシール部のマスキングが不要となるので、表
示領域の広い、小型、大画面のカラー液晶表示素子を得
ることができる。また、シール部にブラックマトリクス
ＢＭを一部しか配置しないので、ブラックマトリクスの
密着力不足による剥がれが防止できるため、信頼性が向
上できる。In this embodiment, since the black matrix BM is formed of a low reflection colored organic resin and the sealing material SL is formed of a light shielding material, it is possible to prevent light leakage at the sealing portion. , The display quality is improved. Further, since the sealing material SL and the black matrix BM are provided with the same optical characteristics, the light emitted from the backlight (see the reference numeral BL in FIG. 6) is almost the same in the sealing portion and the black matrix BM portion. It is shielded from light. Further, since it is not necessary to mask the seal portion by the metal frame (see reference numeral SHD in FIG. 6) covering the outer peripheral portion of the liquid crystal display element, a color liquid crystal display element having a wide display area, a small size, and a large screen can be obtained. You can Moreover, since only a part of the black matrix BM is arranged in the seal portion, peeling due to insufficient adhesion of the black matrix can be prevented, so that reliability can be improved.
【００２８】すなわち、本実施例では、透明ガラス基板
ＳＵＢ２上に、カーボンブラック、黒色の有機顔料等を
添加した例えばアクリル、エポキシ、ポリイミド樹脂等
の有機系樹脂から成るブラックマトリクスＢＭを所定の
パターンに形成し、その上に、カラーフィルタＦＩＬ
（Ｒ）、（Ｇ）、（Ｂ）をそれぞれ所定のパターンに形
成した。なお、カラーフィルタＦＩＬとしては、各々の
色調に合せた有機顔料を添加した光硬化型ネガレジスト
を用い、フォトリソグラフィ技術により、順次形成し
た。その後、着色樹脂からの不純物の溶出防止、および
表面平坦性を確保するために、アクリル、エポキシ樹脂
等をスピンコート、ロールコート、転写印刷法等により
塗布を行い、熱処理を施し、硬化させ、ブラックマトリ
クスＢＭとカラーフィルタＦＩＬの上に保護膜ＰＳＶ１
を形成した。つぎに、この上に、酸化インジウムを主成
分とする透明導電膜をスパッタリング法により成膜し
て、透明画素電極ＩＴＯ２を形成し、カラーフィルタ側
基板を作製した。つぎに、この基板の透明画素電極ＩＴ
Ｏ２上に、配向膜ＯＲＩ２を転写印刷法により転写形成
した後、１８０〜２２０℃で熱処理を行った。また、対
向基板である薄膜トランジスタＴＦＴを形成した基板に
も配向膜ＯＲＩ１を形成した後、同様の熱処理を行っ
た。ついで、両基板に配向処理を施した後、いずれか一
方の基板に、三核体以上のフェノール樹脂を硬化剤とし
た熱硬化型エポキシ樹脂を主成分とし、遮光材として、
カーボンブラック、有色例えば黒色の有機顔料、あるい
は無機顔料を内添した遮光性シール材ＳＬをスクリーン
印刷法、ディスペンサ塗布法等により形成した。なお、
シール材ＳＬは、透明画素電極の端子部と接触するので
（図３参照）、絶縁性が要求され、ここでは硬化後にお
ける電気抵抗が１０8Ω・ｃｍ以上となるようにし、か
つ、光学特性が所定の値となるよう、調整したものを用
いた。その後、溶媒乾燥を行い、上下基板のギャップを
制御する多数個のスペーサＳＰを一方の基板の全面に分
散した後、対向基板と組み合せ、０．５〜１．０ｋｇ／
ｃｍ2の加重を加え、１５０〜１８０℃、１〜４時間の
熱硬化処理を行った。なお、硬化が完了した基板のシー
ル材ＳＬの可視光域における吸光度（ＯＤ値）は１．５
〜３．５の範囲であり、Ｃ光源で換算した色調はｘ、ｙ
が共に０．２〜０．５の範囲であり、ブラックマトリク
スＢＭと同等であった。その後、所定の寸法に基板を切
断し、基板間の隙間に液晶ＬＣを注入し、両基板の外側
に偏光板ＰＯＬ１、ＰＯＬ２を貼り付け、液晶表示素子
を完成させた。この液晶表示素子を点灯させた結果、表
示領域外の部分では、バックライトから照射される光
が、シール材ＳＬの部分でブラックマトリクスＢＭと同
等に遮光されており、表示品質の良好なカラー液晶表示
素子を得ることができた。That is, in this embodiment, a black matrix BM made of an organic resin such as acrylic resin, epoxy resin or polyimide resin to which carbon black or a black organic pigment is added is formed in a predetermined pattern on the transparent glass substrate SUB2. Formed, and on top of that, the color filter FIL
Each of (R), (G), and (B) was formed into a predetermined pattern. As the color filter FIL, a photo-curable negative resist added with an organic pigment matched to each color tone was used, and the color filter FIL was sequentially formed by a photolithography technique. After that, in order to prevent the elution of impurities from the colored resin and to secure the surface flatness, acrylic, epoxy resin, etc. are applied by spin coating, roll coating, transfer printing, etc., and heat treatment is performed to cure them and black. Protective film PSV1 on the matrix BM and color filter FIL
Was formed. Next, a transparent conductive film containing indium oxide as a main component was formed thereon by a sputtering method to form a transparent pixel electrode ITO2, and a color filter side substrate was produced. Next, the transparent pixel electrode IT of this substrate
An alignment film ORI2 was transferred and formed on O2 by a transfer printing method, and then heat treatment was performed at 180 to 220 ° C. Further, after the orientation film ORI1 was formed also on the substrate on which the thin film transistor TFT which was the counter substrate was formed, the same heat treatment was performed. Then, after performing an orientation treatment on both substrates, on one of the substrates, the main component is a thermosetting epoxy resin with a phenol resin of a trinuclear body or more as a curing agent, and as a light-shielding material,
A light-shielding sealant SL internally containing carbon black, a colored organic pigment such as black, or an inorganic pigment was formed by a screen printing method, a dispenser coating method, or the like. In addition,
Since the sealing material SL is in contact with the terminal portion of the transparent pixel electrode (see FIG. 3), it is required to have insulation properties, and here, the electrical resistance after curing is set to 10 8 Ω · cm or more, and the optical characteristics are set. Was used so as to be a predetermined value. After that, solvent drying is performed to disperse a large number of spacers SP for controlling the gap between the upper and lower substrates on the entire surface of one substrate, and then combined with the counter substrate to form 0.5 to 1.0 kg /
A weight of cm 2 was added, and a heat curing treatment was performed at 150 to 180 ° C. for 1 to 4 hours. The absorbance (OD value) of the sealing material SL of the cured substrate in the visible light range is 1.5.
The color tone converted by the C light source is x, y.
Was in the range of 0.2 to 0.5, which was equivalent to that of the black matrix BM. After that, the substrate was cut into a predetermined size, the liquid crystal LC was injected into the gap between the substrates, and the polarizing plates POL1 and POL2 were attached to the outside of both substrates to complete the liquid crystal display element. As a result of turning on the liquid crystal display element, in the portion outside the display area, the light emitted from the backlight is shielded at the seal material SL portion in the same manner as the black matrix BM, and the color liquid crystal with good display quality is obtained. A display device could be obtained.
【００２９】《マトリクス部の概要》図２は本発明が適
用可能なアクティブ・マトリクス方式カラー液晶表示装
置の一画素とその周辺を示す平面図、図３はマトリクス
の画素部を中央にして（図２の３−３切断線における断
面図）、両側に液晶表示素子角付近と映像信号端子部付
近を示す断面図である。<< Outline of Matrix Part >> FIG. 2 is a plan view showing one pixel of an active matrix type color liquid crystal display device to which the present invention is applicable and its periphery, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line 3-3 of FIG. 2), and is a cross-sectional view showing the vicinity of the liquid crystal display element angle and the vicinity of the video signal terminal portion on both sides.
【００３０】図２に示すように、各画素は隣接する２本
の走査信号線（ゲート信号線または水平信号線）ＧＬ
と、隣接する２本の映像信号線（ドレイン信号線または
垂直信号線）ＤＬとの交差領域内（４本の信号線で囲ま
れた領域内）に配置されている。各画素は薄膜トランジ
スタＴＦＴ、透明画素電極ＩＴＯ１および保持容量素子
Ｃaddを含む。走査信号線ＧＬは図では左右方向に延在
し、上下方向に複数本配置されている。映像信号線ＤＬ
は上下方向に延在し、左右方向に複数本配置されてい
る。As shown in FIG. 2, each pixel has two adjacent scanning signal lines (gate signal lines or horizontal signal lines) GL.
And two adjacent video signal lines (drain signal lines or vertical signal lines) DL (in a region surrounded by four signal lines). Each pixel includes a thin film transistor TFT, a transparent pixel electrode ITO1 and a storage capacitor element Cadd. The scanning signal lines GL extend in the left-right direction in the figure, and a plurality of scanning signal lines GL are arranged in the up-down direction. Video signal line DL
Extend in the up-down direction and are arranged in the left-right direction.
【００３１】図３に示すように、液晶層ＬＣを基準にし
て下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側には薄膜トランジスタ
ＴＦＴおよび透明画素電極ＩＴＯ１が形成され、上部透
明ガラス基板ＳＵＢ２側にはカラーフィルタＦＩＬ、遮
光用ブラックマトリクスパターンＢＭが形成されてい
る。透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の両面にはディ
ップ処理等によって形成された酸化シリコン膜ＳＩＯが
設けられている。As shown in FIG. 3, a thin film transistor TFT and a transparent pixel electrode ITO1 are formed on the lower transparent glass substrate SUB1 side with respect to the liquid crystal layer LC, and a color filter FIL and a light-shielding film are provided on the upper transparent glass substrate SUB2 side. A black matrix pattern BM is formed. Silicon oxide films SIO formed by dipping or the like are provided on both surfaces of the transparent glass substrates SUB1 and SUB2.
【００３２】上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の内側（液晶
ＬＣ側）の表面には、ブラックマトリクスＢＭ、カラー
フィルタＦＩＬ、保護膜ＰＳＶ２、共通透明画素電極Ｉ
ＴＯ２（ＣＯＭ）および上部配向膜ＯＲＩ２が順次積層
して設けられている。A black matrix BM, a color filter FIL, a protective film PSV2, and a common transparent pixel electrode I are formed on the inner surface (liquid crystal LC side) of the upper transparent glass substrate SUB2.
TO2 (COM) and an upper alignment film ORI2 are sequentially laminated.
【００３３】《マトリクス周辺の概要》図４は上下のガ
ラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２を含む表示パネルＰＮＬの
マトリクス（ＡＲ）周辺部を誇張した要部平面を、図５
は図４のパネル左上角部に対応するシール部ＳＬ付近の
拡大平面を示す図である。また、図３は図２の３−３切
断線における断面を中央にして、左側に図５の５ａ−５
ａ切断線における断面を、右側に映像信号駆動回路が接
続されるべき外部接続端子ＤＴＭ付近の断面を示す図で
ある。<< Outline of Matrix Periphery >> FIG. 4 is a plan view of an essential part exaggerating the matrix (AR) peripheral part of the display panel PNL including the upper and lower glass substrates SUB1 and SUB2.
FIG. 5 is a diagram showing an enlarged plane near a seal portion SL corresponding to the upper left corner of the panel of FIG. 4. Further, in FIG. 3, the cross section taken along the line 3-3 in FIG.
It is a figure which shows the cross section in the vicinity of the external connection terminal DTM to which the video signal drive circuit should be connected on the right side.
【００３４】このパネルの製造では、小さいサイズであ
ればスループット向上のため、１枚のガラス基板で複数
個分のデバイスを同時に加工してから分割し、大きいサ
イズであれば製造設備の共用のためどの品種でも標準化
された大きさのガラス基板を加工してから各品種に合っ
たサイズに小さくし、いずれの場合も一通りの工程を経
てからガラスを切断する。図４、図５は後者の例を示す
もので、図４は上下基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の切断後
を、図５は切断前を表しており、ＬＮは両基板の切断前
の縁を、ＣＴ１とＣＴ２はそれぞれ基板ＳＵＢ１、ＳＵ
Ｂ２の切断すべき位置を示す。いずれの場合も、完成状
態では外部接続端子群Ｔｇ、Ｔｄ（添字略）が存在する
（図で上下辺と左辺の）部分はそれらを露出するように
上側基板ＳＵＢ２の大きさが下側基板ＳＵＢ１よりも内
側に制限されている。端子群Ｔｇ、Ｔｄはそれぞれ後述
する走査回路接続用端子ＧＴＭ、映像信号回路接続用端
子ＤＴＭとそれらの引出配線部を集積回路チップＣＨＩ
が搭載されたテープキャリアパッケージＴＣＰの単位に
複数本まとめて名付けたものである。各群のマトリクス
部から外部接続端子部に至るまでの引出配線は、両端に
近づくにつれ傾斜している。これは、パッケージＴＣＰ
の配列ピッチ及び各パッケージＴＣＰにおける接続端子
ピッチに表示パネルＰＮＬの端子ＤＴＭ、ＧＴＭを合せ
るためである。In the manufacture of this panel, in order to improve the throughput if the size is small, a plurality of devices are simultaneously processed on one glass substrate and then divided, and if the size is large, the manufacturing equipment is shared. In each product, a standardized glass substrate is processed and then reduced to a size suitable for each product, and in each case, the glass is cut after one step. 4 and 5 show the latter example. FIG. 4 shows the upper and lower substrates SUB1 and SUB2 after cutting, and FIG. 5 shows before cutting, and LN indicates the edges before cutting of both substrates as CT1 and CT1. CT2 is the substrate SUB1 and SU, respectively.
Indicates the position of B2 to be cut. In either case, the size of the upper substrate SUB2 is lower than the lower substrate SUB1 so that the external connection terminal groups Tg and Td (subscripts omitted) (upper side and left side in the figure) are exposed in the completed state. Is more restricted to the inside. The terminal groups Tg and Td respectively include a scanning circuit connection terminal GTM and a video signal circuit connection terminal DTM, which will be described later, and their leading wiring portions are integrated circuit chips CHI.
Are collectively named for the unit of the tape carrier package TCP on which is mounted. The lead wiring from the matrix portion of each group to the external connection terminal portion is inclined toward both ends. This is the package TCP
This is because the terminals DTM and GTM of the display panel PNL are matched with the arrangement pitch of P and the connection terminal pitch of each package TCP.
【００３５】透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間に
はその縁に沿って、液晶封入口ＩＮＪを除き、液晶ＬＣ
を封止するようにシールパターンＳＬが形成される。シ
ール材は遮光性の例えば着色された三核体以上のフェノ
ール樹脂を硬化剤とした熱硬化型エポキシ樹脂から成
る。上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側の共通透明画素電極
ＩＴＯ２は、少なくとも一箇所において、本実施例では
パネルの４角で銀ペースト材ＡＧＰによって下部透明ガ
ラス基板ＳＵＢ１側に形成されたその引出配線ＩＮＴに
接続されている。この引出配線ＩＮＴは後述するゲート
端子ＧＴＭ、ドレイン端子ＤＴＭと同一製造工程で形成
される。Between the transparent glass substrates SUB1 and SUB2, along the edge thereof, except for the liquid crystal filling port INJ, the liquid crystal LC
Is formed to seal the sealing pattern SL. The sealing material is made of a thermosetting epoxy resin using a light-shielding phenol resin having three or more nuclei as a curing agent. The common transparent pixel electrode ITO2 on the upper transparent glass substrate SUB2 side is connected to at least one of the lead wirings INT formed on the lower transparent glass substrate SUB1 side by the silver paste material AGP at four corners of the panel in this embodiment. ing. The lead wiring INT is formed in the same manufacturing process as the later-described gate terminal GTM and drain terminal DTM.
【００３６】配向膜ＯＲＩ１、ＯＲＩ２、透明画素電極
ＩＴＯ１、共通透明画素電極ＩＴＯ２、それぞれの層
は、シールパターンＳＬの内側に形成される。偏光板Ｐ
ＯＬ１、ＰＯＬ２はそれぞれ下部透明ガラス基板ＳＵＢ
１、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の外側の表面に形成さ
れている。液晶ＬＣは液晶分子の向きを設定する下部配
向膜ＯＲＩ１と上部配向膜ＯＲＩ２との間でシールパタ
ーンＳＬで仕切られた領域に封入されている。下部配向
膜ＯＲＩ１は下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側の保護膜Ｐ
ＳＶ１の上部に形成される。The layers of the alignment films ORI1 and ORI2, the transparent pixel electrode ITO1, and the common transparent pixel electrode ITO2 are formed inside the seal pattern SL. Polarizing plate P
OL1 and POL2 are lower transparent glass substrates SUB, respectively.
1. Formed on the outer surface of the upper transparent glass substrate SUB2. The liquid crystal LC is enclosed in a region partitioned by a seal pattern SL between a lower alignment film ORI1 and an upper alignment film ORI2 that set the orientation of liquid crystal molecules. The lower alignment film ORI1 is a protective film P on the lower transparent glass substrate SUB1 side.
It is formed on top of SV1.
【００３７】この液晶表示装置は、下部透明ガラス基板
ＳＵＢ１側、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側で別個に種
々の層を積み重ね、シールパターンＳＬを基板ＳＵＢ２
側に形成し、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１と上部透明ガ
ラス基板ＳＵＢ２とを重ね合せ、シール材ＳＬの開口部
ＩＮＪから液晶ＬＣを注入し、注入口ＩＮＪをエポキシ
樹脂などで封止し、上下基板を切断することによって組
み立てられる。In this liquid crystal display device, various layers are separately stacked on the lower transparent glass substrate SUB1 side and the upper transparent glass substrate SUB2 side, and a seal pattern SL is formed on the substrate SUB2.
The lower transparent glass substrate SUB1 and the upper transparent glass substrate SUB2 are overlapped, liquid crystal LC is injected from the opening INJ of the sealing material SL, the injection port INJ is sealed with epoxy resin or the like, and the upper and lower substrates are Assembled by cutting.
【００３８】《薄膜トランジスタＴＦＴ》つぎに、図
２、図３に戻り、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１側の構成を詳しく
説明する。<< Thin Film Transistor TFT >> Next, returning to FIGS. 2 and 3, the structure on the TFT substrate SUB1 side will be described in detail.
【００３９】薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲート電極Ｇ
Ｔに正のバイアスを印加すると、ソース−ドレイン間の
チャネル抵抗が小さくなり、バイアスを零にすると、チ
ャネル抵抗は大きくなるように動作する。The thin film transistor TFT has a gate electrode G
When a positive bias is applied to T, the channel resistance between the source and the drain decreases, and when the bias is zero, the channel resistance increases.
【００４０】各画素には複数（２つ）の薄膜トランジス
タＴＦＴ１、ＴＦＴ２が冗長して設けられる。薄膜トラ
ンジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のそれぞれは、実質的に同
一サイズ（チャネル長、チャネル幅が同じ）で構成さ
れ、ゲート電極ＧＴ、ゲート絶縁膜ＧＩ、ｉ型（真性、
intrinsic、導電型決定不純物がドープされていない）
非晶質シリコン（Ｓｉ）から成るｉ型半導体層ＡＳ、一
対のソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２を有す。な
お、ソース、ドレインは本来その間のバイアス極性によ
って決まるもので、この液晶表示装置の回路ではその極
性は動作中反転するので、ソース、ドレインは動作中入
れ替わると理解されたい。しかし、以下の説明では、便
宜上一方をソース、他方をドレインと固定して表現す
る。A plurality of (two) thin film transistors TFT1 and TFT2 are redundantly provided in each pixel. Each of the thin film transistors TFT1 and TFT2 has substantially the same size (channel length and channel width are the same), and has a gate electrode GT, a gate insulating film GI, and an i-type (intrinsic,
intrinsic, not doped with conductivity determining impurities)
It has an i-type semiconductor layer AS made of amorphous silicon (Si), a pair of source electrodes SD1, and a drain electrode SD2. It should be understood that the source and drain are originally determined by the bias polarity between them, and the polarity is inverted during operation in the circuit of this liquid crystal display device, so it should be understood that the source and drain are switched during operation. However, in the following description, one is fixed and the other is fixed as a drain for convenience.
【００４１】《ゲート電極ＧＴ》ゲート電極ＧＴは走査
信号線ＧＬから垂直方向に突出する形状で構成されてい
る（Ｔ字形状に分岐されている）。ゲート電極ＧＴは薄
膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のそれぞれの能動領
域を越えるよう突出している。薄膜トランジスタＴＦＴ
１、ＴＦＴ２のそれぞれのゲート電極ＧＴは、一体に
（共通のゲート電極として）構成されており、走査信号
線ＧＬに連続して形成されている。本例では、ゲート電
極ＧＴは、単層の第２導電膜ｇ２で形成されている。第
２導電膜ｇ２としては例えばスパッタで形成されたアル
ミニウム（Ａｌ）膜が用いられ、その上にはＡｌの陽極
酸化膜ＡＯＦが設けられている。<< Gate Electrode GT >> The gate electrode GT has a shape protruding vertically from the scanning signal line GL (branched into a T shape). The gate electrode GT projects so as to extend beyond the respective active regions of the thin film transistors TFT1 and TFT2. Thin film transistor TFT
The gate electrodes GT of the TFT 1 and the TFT 2 are integrally formed (as a common gate electrode) and are formed continuously with the scanning signal line GL. In this example, the gate electrode GT is formed of the single-layer second conductive film g2. An aluminum (Al) film formed by sputtering, for example, is used as the second conductive film g2, and an Al anodic oxide film AOF is provided thereon.
【００４２】このゲート電極ＧＴはｉ型半導体層ＡＳを
完全に覆うよう（下方からみて）それより大き目に形成
され、ｉ型半導体層ＡＳに外光やバックライト光が当た
らないよう工夫されている。This gate electrode GT is formed larger than it so as to completely cover the i-type semiconductor layer AS (when viewed from below), and is devised so that the i-type semiconductor layer AS is not exposed to outside light or backlight light. .
【００４３】《走査信号線ＧＬ》走査信号線ＧＬは第２
導電膜ｇ２で構成されている。この走査信号線ＧＬの第
２導電膜ｇ２はゲート電極ＧＴの第２導電膜ｇ２と同一
製造工程で形成され、かつ一体に構成されている。ま
た、走査信号線ＧＬ上にもＡｌの陽極酸化膜ＡＯＦが設
けられている。<< Scanning Signal Line GL >> The scanning signal line GL is the second
It is composed of a conductive film g2. The second conductive film g2 of the scanning signal line GL is formed in the same manufacturing process as the second conductive film g2 of the gate electrode GT, and is integrally formed. An anodic oxide film AOF of Al is also provided on the scanning signal line GL.
【００４４】《絶縁膜ＧＩ》絶縁膜ＧＩは、薄膜トラン
ジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２において、ゲート電極ＧＴと
共に半導体層ＡＳに電界を与えるためのゲート絶縁膜と
して使用される。絶縁膜ＧＩはゲート電極ＧＴおよび走
査信号線ＧＬの上層に形成されている。絶縁膜ＧＩとし
ては例えばプラズマＣＶＤで形成された窒化シリコン膜
が選ばれ、１２００〜２７００Åの厚さに（本実施例で
は、２０００Å程度）形成される。ゲート絶縁膜ＧＩは
図５に示すように、マトリクス部ＡＲの全体を囲むよう
に形成され、周辺部は外部接続端子ＤＴＭ、ＧＴＭを露
出するよう除去されている。絶縁膜ＧＩは走査信号線Ｇ
Ｌと映像信号線ＤＬの電気的絶縁にも寄与している。<< Insulating Film GI >> The insulating film GI is used as a gate insulating film for applying an electric field to the semiconductor layer AS in the thin film transistors TFT1 and TFT2 together with the gate electrode GT. The insulating film GI is formed above the gate electrode GT and the scanning signal line GL. As the insulating film GI, for example, a silicon nitride film formed by plasma CVD is selected and is formed to a thickness of 1200 to 2700Å (in this embodiment, about 2000Å). As shown in FIG. 5, the gate insulating film GI is formed so as to surround the entire matrix portion AR, and the peripheral portion is removed so as to expose the external connection terminals DTM and GTM. The insulating film GI has the scanning signal line G
It also contributes to the electrical insulation between L and the video signal line DL.
【００４５】《ｉ型半導体層ＡＳ》ｉ型半導体層ＡＳ
は、本例では薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のそ
れぞれに独立した島となるよう形成され、非晶質シリコ
ンで、２００〜２２００Åの厚さに（本実施例では、２
０００Å程度の膜厚）で形成される。層ｄ０はオーミッ
クコンタクト用のリン（Ｐ）をドープしたＮ+型非晶質
シリコン半導体層であり、下側にｉ型半導体層ＡＳが存
在し、上側に導電層ｄ２（ｄ３）が存在するところのみ
に残されている。<< i-type semiconductor layer AS >> i-type semiconductor layer AS
Is formed to be an independent island for each of the thin film transistors TFT1 and TFT2 in this example, and is made of amorphous silicon to a thickness of 200 to 2200 ° (in this example, 2 mm).
The film thickness is about 000Å). The layer d0 is a phosphorus (P) -doped N + -type amorphous silicon semiconductor layer for ohmic contact, where the i-type semiconductor layer AS is present on the lower side and the conductive layer d2 (d3) is present on the upper side. Only left.
【００４６】ｉ型半導体層ＡＳは走査信号線ＧＬと映像
信号線ＤＬとの交差部（クロスオーバ部）の両者間にも
設けられている。この交差部のｉ型半導体層ＡＳは交差
部における走査信号線ＧＬと映像信号線ＤＬとの短絡を
低減する。The i-type semiconductor layer AS is also provided between both the intersections (crossover portions) of the scanning signal lines GL and the video signal lines DL. The i-type semiconductor layer AS at the intersection reduces a short circuit between the scanning signal line GL and the video signal line DL at the intersection.
【００４７】《透明画素電極ＩＴＯ１》透明画素電極Ｉ
ＴＯ１は液晶表示部の画素電極の一方を構成する。<< Transparent Pixel Electrode ITO1 >> Transparent Pixel Electrode I
TO1 constitutes one of the pixel electrodes of the liquid crystal display section.
【００４８】透明画素電極ＩＴＯ１は薄膜トランジスタ
ＴＦＴ１のソース電極ＳＤ１および薄膜トランジスタＴ
ＦＴ２のソース電極ＳＤ１の両方に接続されている。こ
のため、薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２のうちの
１つに欠陥が発生しても、その欠陥が副作用をもたらす
場合はレーザ光等によって適切な箇所を切断し、そうで
ない場合は他方の薄膜トランジスタが正常に動作してい
るので放置すれば良い。透明画素電極ＩＴＯ１は第１導
電膜ｄ１によって構成されており、この第１導電膜ｄ１
はスパッタリングで形成された透明導電膜（Indium-Tin
-Oxide ＩＴＯ：ネサ膜）からなり、１０００〜２００
０Åの厚さに（本実施例では、１４００Å程度の膜厚）
形成される。The transparent pixel electrode ITO1 is the source electrode SD1 of the thin film transistor TFT1 and the thin film transistor T.
It is connected to both source electrodes SD1 of FT2. Therefore, even if a defect occurs in one of the thin film transistors TFT1 and TFT2, if the defect causes a side effect, an appropriate portion is cut by laser light or the like, and if not, the other thin film transistor operates normally. You can leave it alone because it does. The transparent pixel electrode ITO1 is composed of the first conductive film d1.
Is a transparent conductive film (Indium-Tin) formed by sputtering.
-Oxide ITO: Nesa film), 1000-200
With a thickness of 0Å (in this embodiment, a film thickness of about 1400Å)
It is formed.
【００４９】《ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ
２》ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２のそれぞれ
は、Ｎ+型半導体層ｄ０に接触する第２導電膜ｄ２とそ
の上に形成された第３導電膜ｄ３とから構成されてい
る。<< Source Electrode SD1, Drain Electrode SD
2 >> Each of the source electrode SD1 and the drain electrode SD2 is composed of a second conductive film d2 in contact with the N + type semiconductor layer d0 and a third conductive film d3 formed thereon.
【００５０】第２導電膜ｄ２はスパッタで形成したクロ
ム（Ｃｒ）膜を用い、５００〜１０００Åの厚さに（本
実施例では、６００Å程度）で形成される。Ｃｒ膜は膜
厚を厚く形成するとストレスが大きくなるので、２００
０Å程度の膜厚を越えない範囲で形成する。Ｃｒ膜はＮ
+型半導体層ｄ０との接着性を良好にし、第３導電膜ｄ
３のＡｌがＮ+型半導体層ｄ０に拡散することを防止す
る（いわゆるバリア層の）目的で使用される。第２導電
膜ｄ２として、Ｃｒ膜の他に高融点金属（Ｍｏ、Ｔｉ、
Ｔａ、Ｗ）膜、高融点金属シリサイド（ＭｏＳｉ2、Ｔ
ｉＳｉ2、ＴａＳｉ2、ＷＳｉ2）膜を用いてもよい。The second conductive film d2 is a chromium (Cr) film formed by sputtering and is formed to a thickness of 500 to 1000 Å (in this embodiment, about 600 Å). If the Cr film is formed thicker, the stress increases.
It is formed within a range not exceeding the film thickness of 0Å. Cr film is N
Adhesion to the + type semiconductor layer d0 is improved, and the third conductive film d
3 Al is used for the purpose of preventing diffusion of Al into the N + type semiconductor layer d0 (so-called barrier layer). As the second conductive film d2, in addition to the Cr film, refractory metals (Mo, Ti,
Ta, W) film, refractory metal silicide (MoSi 2 , T)
iSi 2, TaSi 2, WSi 2 ) film may be used.
【００５１】第３導電膜ｄ３はＡｌのスパッタリングで
３０００〜５０００Åの厚さに（本実施例では、４００
０Å程度）形成される。Ａｌ膜はＣｒ膜に比べてストレ
スが小さく、厚い膜厚に形成することが可能で、ソース
電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２および映像信号線ＤＬ
の抵抗値を低減したり、ゲート電極ＧＴやｉ型半導体層
ＡＳに起因する段差乗り越えを確実にする（ステップカ
バーレッジを良くする）働きがある。The third conductive film d3 is formed by sputtering Al to a thickness of 3000 to 5000Å (400 in this embodiment).
0 Å) formed. The Al film has less stress than the Cr film and can be formed to have a large film thickness, and the source electrode SD1, the drain electrode SD2 and the video signal line DL can be formed.
Of the gate electrode GT and the i-type semiconductor layer AS are ensured (step coverage is improved).
【００５２】第２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３を同じマ
スクパターンでパターニングした後、同じマスクを用い
て、あるいは第２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３をマスク
として、Ｎ+型半導体層ｄ０が除去される。つまり、ｉ
型半導体層ＡＳ上に残っていたＮ+型半導体層ｄ０は第
２導電膜ｄ２、第３導電膜ｄ３以外の部分がセルフアラ
インで除去される。このとき、Ｎ+型半導体層ｄ０はそ
の厚さ分は全て除去されるようエッチングされるので、
ｉ型半導体層ＡＳも若干その表面部分がエッチングされ
るが、その程度はエッチング時間で制御すればよい。After patterning the second conductive film d2 and the third conductive film d3 with the same mask pattern, using the same mask or the second conductive film d2 and the third conductive film d3 as a mask, the N + type semiconductor layer is formed. d0 is removed. That is, i
In the N + type semiconductor layer d0 remaining on the type semiconductor layer AS, portions other than the second conductive film d2 and the third conductive film d3 are removed by self-alignment. At this time, the N + type semiconductor layer d0 is etched so that the entire thickness thereof is removed,
The surface of the i-type semiconductor layer AS is slightly etched, but the degree thereof may be controlled by the etching time.
【００５３】《映像信号線ＤＬ》映像信号線ＤＬはソー
ス電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２と同層の第２導電膜
ｄ２、第３導電膜ｄ３で構成されている。<Video Signal Line DL> The video signal line DL is composed of a second conductive film d2 and a third conductive film d3 in the same layer as the source electrode SD1 and the drain electrode SD2.
【００５４】《保護膜ＰＳＶ１》薄膜トランジスタＴＦ
Ｔおよび透明画素電極ＩＴＯ１上には保護膜ＰＳＶ１が
設けられている。保護膜ＰＳＶ１は主に薄膜トランジス
タＴＦＴを湿気等から保護するために形成されており、
透明性が高くしかも耐湿性の良いものを使用する。保護
膜ＰＳＶ１はたとえばプラズマＣＶＤ装置で形成した酸
化シリコン膜や窒化シリコン膜で形成されており、１μ
ｍ程度の膜厚で形成する。<< Protective Film PSV1 >> Thin Film Transistor TF
A protective film PSV1 is provided on the T and the transparent pixel electrode ITO1. The protective film PSV1 is formed mainly for protecting the thin film transistor TFT from moisture and the like,
Use one with high transparency and good moisture resistance. The protective film PSV1 is formed of, for example, a silicon oxide film or a silicon nitride film formed by a plasma CVD apparatus, and has a thickness of 1 μm.
It is formed with a film thickness of about m.
【００５５】保護膜ＰＳＶ１は図５に示すように、マト
リクス部ＡＲの全体を囲むように形成され、周辺部は外
部接続端子ＤＴＭ、ＧＴＭを露出するよう除去され、ま
た上基板側ＳＵＢ２の共通電極ＣＯＭを下側基板ＳＵＢ
１の外部接続端子接続用引出配線ＩＮＴに銀ペーストＡ
ＧＰで接続する部分も除去されている。保護膜ＰＳＶ１
とゲート絶縁膜ＧＩの厚さ関係に関しては、前者は保護
効果を考え厚くされ、後者はトランジスタの相互コンダ
クタンスｇｍを薄くされる。したがって、図５に示すよ
うに、保護効果の高い保護膜ＰＳＶ１は周辺部もできる
だけ広い範囲に亘って保護するようゲート絶縁膜ＧＩよ
りも大きく形成されている。As shown in FIG. 5, the protective film PSV1 is formed so as to surround the entire matrix portion AR, the peripheral portion is removed so as to expose the external connection terminals DTM and GTM, and the common electrode of the upper substrate side SUB2. COM to the lower substrate SUB
Silver paste A on the lead-out wiring INT for connecting the external connection terminal 1
Portions connected by GP are also removed. Protective film PSV1
Regarding the thickness relationship between the gate insulating film GI and the gate insulating film GI, the former is made thicker in consideration of the protection effect, and the latter is made thin in the transconductance gm of the transistor. Therefore, as shown in FIG. 5, the protective film PSV1 having a high protective effect is formed larger than the gate insulating film GI so as to protect the peripheral portion over as wide a range as possible.
【００５６】《ブラックマトリクスＢＭ》上部透明ガラ
ス基板ＳＵＢ２側には、外部光またはバックライト光が
ｉ型半導体層ＡＳに入射しないよう遮光膜としてブラッ
クマトリクスＢＭが設けられている。図２に示すブラッ
クマトリクスＢＭの閉じた多角形の輪郭線は、その内側
がブラックマトリクスＢＭが形成されない開口を示して
いる。ブラックマトリクスＢＭはカーボンブラック、黒
色の有機顔料等を添加した例えばアクリル、エポキシ、
ポリイミド樹脂等の有機系樹脂から成り、０．５〜２．
５μｍ（本実施例では１．６μｍ程度）の厚さに形成さ
れる。<< Black Matrix BM >> A black matrix BM is provided as a light-shielding film on the upper transparent glass substrate SUB2 side so as to prevent external light or backlight light from entering the i-type semiconductor layer AS. The closed polygonal contour line of the black matrix BM shown in FIG. 2 indicates an opening in which the black matrix BM is not formed. The black matrix BM is made of, for example, acryl, epoxy,
It is made of an organic resin such as a polyimide resin and has a thickness of 0.5 to 2.
It is formed to a thickness of 5 μm (about 1.6 μm in this embodiment).
【００５７】したがって、薄膜トランジスタＴＦＴ１、
ＴＦＴ２のｉ型半導体層ＡＳは上下にあるブラックマト
リクスＢＭおよび大き目のゲート電極ＧＴによってサン
ドイッチにされ、外部の自然光やバックライト光が当た
らなくなる。ブラックマトリクスＢＭは各画素の周囲に
格子状に形成され、この格子で１画素の有効表示領域が
仕切られている。したがって、各画素の輪郭がブラック
マトリクスＢＭによってはっきりとし、コントラストが
向上する。つまり、ブラックマトリクスＢＭはｉ型半導
体層ＡＳに対する遮光とブラックマトリクスとの２つの
機能をもつ。Therefore, the thin film transistors TFT1 and
The i-type semiconductor layer AS of the TFT 2 is sandwiched between the upper and lower black matrices BM and the large gate electrode GT, so that external natural light or backlight does not shine. The black matrix BM is formed in a grid around each pixel, and an effective display area of one pixel is partitioned by the grid. Therefore, the outline of each pixel is made clear by the black matrix BM, and the contrast is improved. That is, the black matrix BM has two functions of light shielding for the i-type semiconductor layer AS and black matrix.
【００５８】透明画素電極ＩＴＯ１のラビング方向の根
本側のエッジ部分（図２右下部分）もブラックマトリク
スＢＭによって遮光されているので、上記部分にドメイ
ンが発生したとしても、ドメインが見えないので、表示
特性が劣化することはない。Since the edge portion of the transparent pixel electrode ITO1 on the root side in the rubbing direction (the lower right portion in FIG. 2) is also shielded by the black matrix BM, even if a domain occurs in the above portion, the domain cannot be seen. The display characteristics do not deteriorate.
【００５９】ブラックマトリクスＢＭは図４に示すよう
に周辺部にも額縁状に形成され、そのパターンはドット
状に複数の開口を設けた図２に示すマトリクス部のパタ
ーンと連続して形成されている。周辺部のシール部で
は、シール材ＳＬは遮光性なので、パソコン等の実装機
に起因する反射光等の漏れ光がマトリクス部に入り込む
のを防いでいる。As shown in FIG. 4, the black matrix BM is also formed in a frame shape in the peripheral portion, and its pattern is formed continuously with the pattern of the matrix portion shown in FIG. 2 in which a plurality of dots-like openings are provided. There is. In the peripheral seal portion, the seal material SL is light-shielding, so that leakage light such as reflected light due to a mounting machine such as a personal computer is prevented from entering the matrix portion.
【００６０】《カラーフィルタＦＩＬ》カラーフィルタ
ＦＩＬは画素に対向する位置に赤、緑、青の繰り返しで
ストライプ状に形成される。カラーフィルタＦＩＬは透
明画素電極ＩＴＯ１の全てを覆うように大き目に形成さ
れ、ブラックマトリクスＢＭはカラーフィルタＦＩＬお
よび透明画素電極ＩＴＯ１のエッジ部分と重なるよう透
明画素電極ＩＴＯ１の周縁部より内側に形成されてい
る。<< Color Filter FIL >> The color filter FIL is formed in a stripe shape by repeating red, green, and blue at a position facing the pixel. The color filter FIL is formed to be large so as to cover all of the transparent pixel electrode ITO1, and the black matrix BM is formed inside the periphery of the transparent pixel electrode ITO1 so as to overlap with the color filter FIL and the edge of the transparent pixel electrode ITO1. I have.
【００６１】カラーフィルタＦＩＬはつぎのように形成
することができる。まず、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２
の表面にアクリル系樹脂等の染色基材を形成し、フォト
リソグラフィ技術で赤色フィルタ形成領域以外の染色基
材を除去する。この後、染色基材を赤色染料で染め、固
着処理を施し、赤色フィルタＲを形成する。つぎに、同
様な工程を施すことによって、緑色フィルタＧ、青色フ
ィルタＢを順次形成する。The color filter FIL can be formed as follows. First, the upper transparent glass substrate SUB2
A dye base material such as an acrylic resin is formed on the surface of the substrate, and the dye base material other than the red filter formation region is removed by photolithography. Thereafter, the dyed substrate is dyed with a red dye and subjected to a fixing treatment to form a red filter R. Next, a green filter G and a blue filter B are sequentially formed by performing a similar process.
【００６２】《保護膜ＰＳＶ２》保護膜ＰＳＶ２はカラ
ーフィルタＦＩＬの着色材が液晶ＬＣに漏れることを防
止するために設けられている。保護膜ＰＳＶ２はたとえ
ばアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂材料で形成
されている。<< Protective Film PSV2 >> The protective film PSV2 is provided to prevent the coloring material of the color filter FIL from leaking to the liquid crystal LC. The protective film PSV2 is formed of, for example, a transparent resin material such as an acrylic resin or an epoxy resin.
【００６３】《共通透明画素電極ＩＴＯ２》共通透明画
素電極ＩＴＯ２は、下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側に画
素ごとに設けられた透明画素電極ＩＴＯ１に対向し、液
晶ＬＣの光学的な状態は各画素電極ＩＴＯ１と共通透明
画素電極ＩＴＯ２との間の電位差（電界）に応答して変
化する。この共通透明画素電極ＩＴＯ２にはコモン電圧
Ｖcomが印加されるように構成されている。本実施例で
は、コモン電圧Ｖcomは映像信号線ＤＬに印加される最
小レベルの駆動電圧Ｖｄminと最大レベルの駆動電圧Ｖ
ｄmaxとの中間直流電位に設定されるが、映像信号駆動
回路で使用される集積回路の電源電圧を約半分に低減し
たい場合は、交流電圧を印加すれば良い。なお、共通透
明画素電極ＩＴＯ２の平面形状は図４、図５を参照され
たい。<< Common Transparent Pixel Electrode ITO2 >> The common transparent pixel electrode ITO2 faces the transparent pixel electrode ITO1 provided for each pixel on the lower transparent glass substrate SUB1 side, and the optical state of the liquid crystal LC is the pixel electrode ITO1. And the common transparent pixel electrode ITO2 change in response to a potential difference (electric field). The common transparent pixel electrode ITO2 is configured to apply a common voltage Vcom. In this embodiment, the common voltage Vcom is the minimum level drive voltage Vdmin and the maximum level drive voltage V applied to the video signal line DL.
Although it is set to an intermediate DC potential with respect to dmax, an AC voltage may be applied if it is desired to reduce the power supply voltage of the integrated circuit used in the video signal drive circuit to about half. For the planar shape of the common transparent pixel electrode ITO2, see FIGS. 4 and 5.
【００６４】《液晶表示モジュールの全体構成》図６
は、液晶表示モジュールＭＤＬの分解斜視図である。<< Overall Configuration of Liquid Crystal Display Module >> FIG.
3 is an exploded perspective view of the liquid crystal display module MDL.
【００６５】ＳＨＤは金属板から成るシールドケース
（メタルフレームとも称す）、ＷＤは表示窓、ＩＮＳ１
〜３は絶縁シート、ＰＣＢ１〜３は回路基板（ＰＣＢ１
はドレイン側回路基板、ＰＣＢ２はゲート側回路基板、
ＰＣＢ３はインターフェイス回路基板）、ＪＮは回路基
板ＰＣＢ１〜３どうしを電気的に接続するジョイナ、Ｔ
ＣＰ１、ＴＣＰ２はテープキャリアパッケージ、ＰＮＬ
は液晶表示パネル、ＧＣはゴムクッション、ＩＬＳは遮
光スペーサ、ＰＲＳはプリズムシート、ＳＰＳは拡散シ
ート、ＧＬＢは導光板、ＲＦＳは反射シート、ＭＣＡは
一体成型により形成された下側ケース（モールドケー
ス）、ＬＰは蛍光管、ＬＰＣはランプケーブル、ＧＢは
蛍光管ＬＰを支持するゴムブッシュであり、図に示すよ
うな上下の配置関係で各部材が積み重ねられて液晶表示
モジュールＭＤＬが組み立てられる。SHD is a shield case made of a metal plate (also called a metal frame), WD is a display window, and INS1.
To 3 are insulating sheets, PCB1 to 3 are circuit boards (PCB1
Is a drain side circuit board, PCB2 is a gate side circuit board,
PCB3 is an interface circuit board), JN is a joiner for electrically connecting the circuit boards PCB1 to PCB3, T
CP1 and TCP2 are tape carrier packages, PNL
Is a liquid crystal display panel, GC is a rubber cushion, ILS is a light shielding spacer, PRS is a prism sheet, SPS is a diffusion sheet, GLB is a light guide plate, RFS is a reflection sheet, and MCA is a lower case (mold case) formed by integral molding. , LP is a fluorescent tube, LPC is a lamp cable, and GB is a rubber bush that supports the fluorescent tube LP. The respective members are stacked in an up-down arrangement as shown in the figure to assemble the liquid crystal display module MDL.
【００６６】モジュールＭＤＬは、下側ケースＭＣＡ、
シールドケースＳＨＤの２種の収納・保持部材を有す
る。絶縁シートＩＮＳ１〜３、回路基板ＰＣＢ１〜３、
液晶表示パネルＰＮＬを収納、固定した金属製シールド
ケースＳＨＤと、蛍光管ＬＰ、導光板ＧＬＢ、プリズム
シートＰＲＳ等から成るバックライトＢＬを収納した下
側ケースＭＣＡとを合体させることにより、モジュール
ＭＤＬが組み立てられる。The module MDL includes a lower case MCA,
The shield case SHD has two types of storage / holding members. Insulating sheets INS1-3, circuit boards PCB1-3,
The module MDL is formed by combining a metal shield case SHD containing and fixing the liquid crystal display panel PNL and a lower case MCA containing a backlight BL including a fluorescent tube LP, a light guide plate GLB, a prism sheet PRS, and the like. Assembled.
【００６７】図７は液晶表示モジュールＭＤＬを実装し
たノートブック型のパソコン、あるいはワープロの斜視
図である。FIG. 7 is a perspective view of a notebook type personal computer or a word processor in which the liquid crystal display module MDL is mounted.
【００６８】以上本発明を実施例に基づいて具体的に説
明したが、本発明は、実施例はあくまで１つの例であ
り、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論
である。例えば、前記実施例では、アクティブ・マトリ
クス方式の液晶表示装置に適用した例を示したが、本発
明は単純マトリクス方式の液晶表示装置にも適用可能で
あることはいうまでもない。Although the present invention has been specifically described based on the embodiments, the embodiments are merely examples, and the present invention is not limited to the above embodiments and does not deviate from the gist thereof. Needless to say, various changes can be made in. For example, in the above-described embodiment, an example in which the present invention is applied to an active matrix type liquid crystal display device is shown, but it goes without saying that the present invention is also applicable to a simple matrix type liquid crystal display device.
【００６９】[0069]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ブラックマトリクスが低反射の着色有機系樹脂から成
り、かつ、シール材に遮光性を持たせたので、シール部
に光漏れが生じるのを防止でき、表示品質が向上する。
また、液晶表示素子の外周部を被覆する金属製フレーム
によるシール部のマスキングが不要となるので、表示領
域の広い、小型、大画面の液晶表示素子を得ることがで
きる。また、シール部にブラックマトリクスを全く、あ
るいは一部しか配置しないことにより、ブラックマトリ
クスの密着力不足による剥がれが防止できるので、信頼
性が向上できる。このように、本発明によれば、表示品
質、信頼性に優れ、大画面の液晶表示装置を提供するこ
とができる。As described above, according to the present invention,
Since the black matrix is made of a colored organic resin with low reflection and the sealing material has a light-shielding property, it is possible to prevent light leakage from occurring in the sealing portion and improve the display quality.
In addition, since it is not necessary to mask the seal portion with the metal frame that covers the outer peripheral portion of the liquid crystal display element, a small-sized and large-screen liquid crystal display element having a wide display area can be obtained. Further, by disposing the black matrix at all or only a part of the seal portion, it is possible to prevent the black matrix from being peeled off due to insufficient adhesion, thereby improving the reliability. As described above, according to the present invention, a large-screen liquid crystal display device having excellent display quality and reliability can be provided.
【図１】本発明の薄膜トランジスタを使用したアクティ
ブ・マトリクス方式カラー液晶表示素子のシール部近傍
の端部の概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an end portion near a seal portion of an active matrix type color liquid crystal display device using a thin film transistor of the present invention.
【図２】本発明が適用可能なアクティブ・マトリックス
方式のカラー液晶表示装置の液晶表示部の一画素とその
周辺を示す要部平面図である。FIG. 2 is a main-portion plan view showing one pixel and its periphery of a liquid crystal display portion of an active matrix type color liquid crystal display device to which the present invention can be applied.
【図３】マトリクスの画素部を中央に、両側にパネル角
付近と映像信号端子部付近を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing the vicinity of a panel angle and the vicinity of a video signal terminal portion on both sides, with the pixel portion of the matrix at the center.
【図４】表示パネルのマトリクス周辺部の構成を説明す
るための周辺部をやや誇張し更に具体的に説明するため
のパネル平面図である。FIG. 4 is a panel plan view for explaining the configuration of the matrix peripheral portion of the display panel with a slight exaggeration of the peripheral portion and a more specific description.
【図５】上下基板の電気的接続部を含む表示パネルの角
部の拡大平面図である。FIG. 5 is an enlarged plan view of a corner portion of a display panel including electrical connection portions of upper and lower substrates.
【図６】液晶表示モジュールの分解斜視図である。FIG. 6 is an exploded perspective view of a liquid crystal display module.
【図７】液晶表示モジュールＭＤＬを実装したノートブ
ック型のパソコン、あるいはワープロの斜視図である。FIG. 7 is a perspective view of a notebook personal computer or a word processor on which a liquid crystal display module MDL is mounted.
【図８】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ従来のアクティブ・
マトリクス方式カラー液晶表示素子のシール部近傍の端
部の概略断面図である。8 (A) and 8 (B) are conventional active and
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of an end portion near a seal portion of a matrix type color liquid crystal display element.
ＳＵＢ１…下部透明ガラス基板、ＳＵＢ２…上部透明ガ
ラス基板、ＢＭ…ブラックマトリクス、ＦＩＬ（Ｒ）、
（Ｇ）、（Ｂ）…カラーフィルタ、ＰＳＶ１…保護膜、
ＩＴＯ１、ＩＴＯ２…透明画素電極、ＯＲＩ１、ＯＲＩ
２…配向膜、ＳＬ…シール材、ＳＰ…スペーサ、ＬＣ…
液晶層、ＴＦＴ…薄膜トランジスタ、ＰＯＬ１、ＰＯＬ
２…偏光板。SUB1 ... Lower transparent glass substrate, SUB2 ... Upper transparent glass substrate, BM ... Black matrix, FIL (R),
(G), (B) ... Color filter, PSV1 ... Protective film,
ITO1, ITO2 ... Transparent pixel electrode, ORI1, ORI
2 ... Alignment film, SL ... Sealing material, SP ... Spacer, LC ...
Liquid crystal layer, TFT ... Thin film transistor, POL1, POL
2 ... Polarizing plate.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大和田 淳一 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 松山 茂 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Junichi Owada 3300, Hayano, Mobara-shi, Chiba Electronic Device Division, Hitachi, Ltd. (72) Inventor Shigeru Matsuyama 3300, Hayano, Mobara-shi, Chiba Hitachi, Ltd. Electronic Device Business Department
Claims (7)
を設けた面が互いに対向するように所定の間隙を隔てて
重ね合せ、前記両基板間の縁周囲に枠状に設けたシール
材により前記両基板を接着すると共に、前記シール材の
内側の前記両基板間に液晶を封止し、かつ、いずれか一
方の前記基板にブラックマトリクスを設けた液晶表示素
子を有する液晶表示装置において、前記ブラックマトリ
クスが着色された有機系樹脂から成り、かつ、前記シー
ル材に遮光性を持たせたことを特徴とする液晶表示装
置。1. A sealing material, which is formed by stacking two insulating substrates with a predetermined gap therebetween so that the surfaces having transparent electrodes for display face each other, and is provided in a frame shape around the edge between the two substrates. By adhering the two substrates by, by sealing the liquid crystal between the two substrates inside the sealing material, and in a liquid crystal display device having a liquid crystal display element having a black matrix on any one of the substrates, A liquid crystal display device, wherein the black matrix is made of a colored organic resin, and the sealing material has a light-shielding property.
基板と、前記シール材との間に、前記ブラックマトリク
スが全く存在しないか、または一部を除いてほとんど存
在しないことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装
置。2. The black matrix is not present at all or is almost absent except a part between the substrate on the side provided with the black matrix and the sealing material. 1. The liquid crystal display device according to 1.
記液晶側の前記シール材と、前記ブラックマトリクスと
が一部重なり合っていることを特徴とする請求項１記載
の液晶表示装置。3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the sealing material on the liquid crystal side partially overlaps with the black matrix when viewed from a direction perpendicular to the substrate surface.
ェノール樹脂を硬化剤とした熱硬化型エポキシ樹脂に、
黒色の着色剤を加えて成ることを特徴とする請求項１記
載の液晶表示装置。4. The light-shielding sealing material is a thermosetting epoxy resin containing a trinuclear or higher phenolic resin as a curing agent,
The liquid crystal display device according to claim 1, further comprising a black colorant.
リクスとの光学特性をほぼ同等としたことを特徴とする
請求項１記載の液晶表示装置。5. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the light-shielding sealing material and the black matrix have substantially the same optical characteristics.
リクスとの可視光域における吸光度が１．５〜３．５の
範囲であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装
置。6. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the light-shielding sealing material and the black matrix have an absorbance in the visible light range of 1.5 to 3.5.
リクスとのＣ光源で換算した色調はｘ、ｙが共に０．２
〜０．５の範囲であることを特徴とする請求項１記載の
液晶表示装置。7. The color tone converted by the C light source of the light-shielding sealant and the black matrix is 0.2 in both x and y.
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal display device has a range of from 0.5 to 0.5.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26712995A JPH09113886A (en) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | Liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26712995A JPH09113886A (en) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | Liquid crystal display device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09113886A true JPH09113886A (en) | 1997-05-02 |
Family
ID=17440483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26712995A Pending JPH09113886A (en) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | Liquid crystal display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09113886A (en) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11271748A (en) * | 1998-01-21 | 1999-10-08 | Toray Ind Inc | Substrate for liquid crystal display device, and liquid crystal display device |
| KR20020054217A (en) * | 2000-12-27 | 2002-07-06 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | Apparatus for liquid crystal display having light cut-off seal |
| KR100433304B1 (en) * | 1998-03-06 | 2004-05-27 | 가부시키가이샤 아드반스트 디스프레이 | Liquid crystal display |
| KR100440543B1 (en) * | 1997-08-01 | 2004-12-17 | 삼성전자주식회사 | Liquid crystal display element having a structure of covering the inside and the outside of seal lines with organic black matrices, specially related to removing short occurrence of upper/lower plates between a c/f substrate and a tft substrate while securing seal line reliability |
| CN100368899C (en) * | 2004-12-31 | 2008-02-13 | 友达光电股份有限公司 | Display panel |
| KR100906410B1 (en) * | 2002-12-07 | 2009-07-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | Liquid crystal display devices having a black seal pattern and an resin external pattern around the black seal pattern |
| US7876394B2 (en) | 2004-07-13 | 2011-01-25 | Chimei Innolux Corporation | Positioning apparatus for preventing deformation of diffuser plate of the backlight assembly |
| US8810746B2 (en) | 2011-04-11 | 2014-08-19 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
| CN105974658A (en) * | 2016-07-28 | 2016-09-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display panel and manufacturing method thereof and display device |
| US20230017351A1 (en) * | 2021-07-19 | 2023-01-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for fabricating polarizing layer including a protective layer |
-
1995
- 1995-10-16 JP JP26712995A patent/JPH09113886A/en active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100440543B1 (en) * | 1997-08-01 | 2004-12-17 | 삼성전자주식회사 | Liquid crystal display element having a structure of covering the inside and the outside of seal lines with organic black matrices, specially related to removing short occurrence of upper/lower plates between a c/f substrate and a tft substrate while securing seal line reliability |
| JPH11271748A (en) * | 1998-01-21 | 1999-10-08 | Toray Ind Inc | Substrate for liquid crystal display device, and liquid crystal display device |
| KR100433304B1 (en) * | 1998-03-06 | 2004-05-27 | 가부시키가이샤 아드반스트 디스프레이 | Liquid crystal display |
| KR20020054217A (en) * | 2000-12-27 | 2002-07-06 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | Apparatus for liquid crystal display having light cut-off seal |
| KR100906410B1 (en) * | 2002-12-07 | 2009-07-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | Liquid crystal display devices having a black seal pattern and an resin external pattern around the black seal pattern |
| US7876394B2 (en) | 2004-07-13 | 2011-01-25 | Chimei Innolux Corporation | Positioning apparatus for preventing deformation of diffuser plate of the backlight assembly |
| CN100368899C (en) * | 2004-12-31 | 2008-02-13 | 友达光电股份有限公司 | Display panel |
| US9140945B2 (en) | 2011-04-11 | 2015-09-22 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
| US8810746B2 (en) | 2011-04-11 | 2014-08-19 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
| US9411205B2 (en) | 2011-04-11 | 2016-08-09 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
| US9759967B2 (en) | 2011-04-11 | 2017-09-12 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
| US10108060B2 (en) | 2011-04-11 | 2018-10-23 | Japan Display Inc. | Display device |
| US10466550B2 (en) | 2011-04-11 | 2019-11-05 | Japan Display Inc. | Display device |
| US20200019007A1 (en) * | 2011-04-11 | 2020-01-16 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
| US10690974B2 (en) | 2011-04-11 | 2020-06-23 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
| CN105974658A (en) * | 2016-07-28 | 2016-09-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display panel and manufacturing method thereof and display device |
| US20230017351A1 (en) * | 2021-07-19 | 2023-01-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for fabricating polarizing layer including a protective layer |
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