JPH09110521A

JPH09110521A - 半導体セラミック組成物及びｐｔｃサーミスター

Info

Publication number: JPH09110521A
Application number: JP7265189A
Authority: JP
Inventors: Hiroharu Nishimura; 弘治西村; Tomohiro Tsuruta; 智広鶴田; Koichi Watanabe; 浩一渡辺
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1995-10-13
Filing date: 1995-10-13
Publication date: 1997-04-28

Abstract

(57)【要約】【課題】電子機器等の回路部品や無接点式電流制御用
として使用され、比抵抗が小さく、破壊電圧が高く、小
型で回路設計の容易な半導体セラミック組成物及びＰＴ
Ｃサーミスターを得ることを目的とする。【解決手段】ＢａＴｉＯ₃の一般式で表されるチタン
酸バリウム１モルに、副成分としてＹをＹ₂Ｏ₃に換算し
て０．００１８〜０．００２７モル、ＭｎがＭｎＣＯ₃
に換算して０．０００５〜０．０００９モル、ＳｉがＳ
ｉＯ₂に換算して０．００５〜０．０３モル含有された
半導体セラミック組成物からなる基板１の対向した面に
それぞれニッケル電極２、３を設けることにより、小型
で回路設計が容易にできる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器等の回路
部品や無接点式電流制御用として使用される半導体セラ
ミック組成物及びＰＴＣサーミスターに関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、音響機器、映像機器、情報通信機
器等の高集積化に伴い、回路保護用の***品として低
抵抗で破壊電圧が高いＰＴＣサーミスターが要求されて
いる。

【０００３】このＰＴＣ（ＰｏｓｉｔｉｖｅＴｅｍｐ
ｅｒａｔｕｒｅＣｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）サーミスタ
ーは正特性サーミスターあるいは単にサーミスターとも
略称されるが、温度の上昇と共に抵抗値が増大するもの
で、消費電力が増えて自身の温度上昇が高まると、抵抗
が高くなり電力消費を抑制させる作用をする。特に高温
（数百度以上）で動作する高温型ＰＴＣサーミスターに
使用される材料にはＢａＴｉＯ₃系とＳｉ系等がある
が、製造が容易であることからＢａＴｉＯ₃系の方が用
いられることが多い。ＢａＴｉＯ₃の一般式で表される
チタン酸バリウムは、ＢａＣＯ₃等のＢａ化合物やＴｉ
Ｏ₂等のＴｉ化合物をほぼ１：１で混合して焼結したペ
ロブスカイト型の結晶構造を有する強誘電体磁器であ
る。ＢａＴｉＯ₃系はこのＢａＴｉＯ₃にその原子価を制
御する異種原子をドープして伝導性を持たせて半導体化
した半導体セラミック組成物であって、これを用いたＰ
ＴＣサーミスターはＢａＴｉＯ₃に特有の、キューリ温
度における相転移によりその抵抗値が急激に増大し電気
伝導性が大幅に低下する現象を利用したものである。そ
こで従来からより使用しやすいＰＴＣサーミスターを得
るために、半導体セラミック組成物であるＢａＴｉＯ₃
の抵抗値、キューリ温度や抵抗値の変化率及び破壊電圧
等が改善されてきている。

【０００４】そこで、このＢａＴｉＯ₃を改善したもの
として、従来次のような技術（特開平３−６５５５９号
公報）が提案されている。この技術はＢａＴｉＯ₃系を
主成分とし、添加剤としてＮｂ₂Ｏ₅を０．０４〜０．０
６モル％使用し、正の温度係数を有し、また室温におけ
る抵抗率が小さく、キュリー点以上の温度における抵抗
率の立ち上がり幅の大きいＢａＴｉＯ₃半導体を得よう
とするものである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
３−６５５５９号公報に記載されたＢａＴｉＯ₃半導体
は、抵抗率の立ち上がり幅が改善され、室温抵抗率は
６．７７Ωｃｍ以上と小さいものの、直流破壊電圧が１
９．８Ｖ／ｍｍ以下程度で、高温型ＰＴＣサーミスター
をさらに小型化し、電子回路保護用の***品として使
用するには十分でないという問題点を有していた。

【０００６】そこで本発明は前記従来の問題点を解決す
るもので、比抵抗が小さく、破壊電圧が高く、小型で回
路設計の容易な半導体セラミック組成物及びＰＴＣサー
ミスターを得ることを目的とするものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の半導体セラミック組成物は、ＢａＴｉＯ₃の
一般式で表されるチタン酸バリウム１モルに、副成分と
してＹをＹ₂Ｏ₃に換算して０．００１８〜０．００２７
モル、ＭｎがＭｎＣＯ₃に換算して０．０００５〜０．
０００９モル、ＳｉがＳｉＯ₂に換算して０．００５〜
０．０３モル含有されていることを特徴とする。

【０００８】これにより、比抵抗が小さく、破壊電圧が
高い半導体セラミック組成物が得られる。

【０００９】また、本発明のＰＴＣサーミスターは半導
体セラミック組成物からなる基板の対向した面にそれぞ
れ設けられた電極を備えていることが望ましい。

【００１０】これにより、比抵抗が小さく、小型で回路
設計の容易なＰＴＣサーミスターが得られる。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、ＢａＴｉＯ₃の一般式で表されるチタン酸バリウム
１モルに、副成分としてＹをＹ₂Ｏ₃に換算して０．００
１８〜０．００２７モル、ＭｎがＭｎＣＯ₃に換算して
０．０００５〜０．０００９モル、ＳｉがＳｉＯ₂に換
算して０．００５〜０．０３モル含有した半導体セラミ
ック組成物であり、焼結性がよく、比抵抗が小さく、抵
抗変化率が大きく、さらに破壊電圧が高くなるなるとい
う作用特性を有する。

【００１２】また、請求項２に記載の発明は、半導体セ
ラミック組成物からなる基板の対向した面にそれぞれ設
けられた電極を備えたＰＴＣサーミスターであり、半導
体セラミック組成物と電極はオーム性接触を形成し、温
度上昇とともに急激に比抵抗が大きくなるという作用を
有する。

【００１３】また、請求項３に記載の発明は、基板の厚
みが０．０４〜２．５ｍｍとしたＰＴＣサーミスターで
あり、基板強度が大きく、比抵抗が小さいという作用を
有する。

【００１４】以下、本発明の実施の形態について、（表
１）、（表２）及び図１、図２、図３を用いて説明す
る。

【００１５】（実施の形態１）まず、本発明の半導体セ
ラミック組成物の主成分であるＢａＴｉＯ₃の製造法に
ついて述べる。重量比で純度９９％以上のシュウ酸バリ
ウムチタニル（ＢａＴｉＯ（Ｃ₂Ｏ₄）₂・４Ｈ₂Ｏ）を６
００℃の温度で空気中にて約１０時間加熱する。このよ
うに加熱分解して、粉末状で重量比で純度が９９％以上
のＢａＴｉＯ₃が得られる。この得られた主成分のＢａ
ＴｉＯ₃の１モルに重量比で純度９９．８％以上のＹ₂Ｏ
₃、ＭｎＣＯ₃及びＳｉＯ₂をそれぞれ副成分として添加
し、（表１）に示した組成比になるように２６種類の一
次混合物を作成した。（表１）は主成分のＢａＴｉＯ₃
を１モルとして副成分の含有量を変えたものである。

【００１６】

【表１】

【００１７】（表１）において１〜２６の試料はＹ₂Ｏ₃
を０．００１５〜０．００３１モルの間で変化させ、Ｍ
ｎＣＯ₃を０．０００３〜０．００１１モルの間で変化
させ、ＳｉＯ₂を０．００３〜０．０３５モルの間で変
化させたものである。ただし表中に・印を付与したもの
は本発明の範囲外の比較例である。また（表２）は（表
１）に示した一次混合物の試験番号１〜２６の比抵抗
（Ωｃｍ）と破壊電圧（Ｖ／ｍｍ）に関する特性を示す
ものである。

【００１８】

【表２】

【００１９】ここでは、副成分のＹ、Ｍｎ、およびＳｉ
成分をそれぞれＹ₂Ｏ₃、ＭｎＣＯ₃及びＳｉＯ₂等の化合
物で添加しているが、これ以外の化合物で添加すること
もできる。その場合にも添加する化合物量のモル量を添
加すればよい。

【００２０】この一次混合物をポットミルに入れジルコ
ニヤボールとともに約２４時間湿式混合し、Ｙ₂Ｏ₃、Ｍ
ｎＣＯ₃及びＳｉＯ₂が均一に分散して含有する二次混合
物を得た。次にこの二次混合物を約１０００℃４時間空
気中で焼成し、仮焼物を得た。この仮焼物を約１ミクロ
ン以下の粒子にまで解砕し、有機結合材として約５％濃
度のＰＶＡ（ポリビニルアルコール）溶液を１０重量％
加え、成形しやすいように４０〜５０ミクロンの顆粒状
に造粒した。この造粒した粉末を約１０００Ｋｇ／ｃｍ
²の圧力で加圧し、直径が約１３ｍｍで厚みが約１．２
ｍｍの円板状に成形した。この成形体を約２５０℃／時
間の速度昇温し、空気中約１３００℃で１時間焼結さ
せ、１００℃／時間の速度で降温しＹ₂Ｏ₃、ＭｎＯおよ
びＳｉＯ₂を含有したＢａＴｉＯ₃からなるペロブスカイ
ト型の焼結体を得た。このようにして（表１）に示した
試料番号１〜２６の試料を各１０個づつ作成した。

【００２１】次に、比抵抗と破壊電圧を測定するために
上記試料にオーム性電極を形成した。そこでオーム性電
極の形成方法について述べる。ここでオーム性電極とは
接触部の電圧−電流特性がオームの法則に従うもので、
半導体部とリード線との接触部は電圧と電流が比例する
ことが必要である。円板状のＢａＴｉＯ₃焼結体の対向
する両面を溶剤で洗浄して脱脂する。その後水洗し、２
〜３％濃度のフッ酸溶液で１０分程度エッチングする。
このエッチングはメッキ層の剥離強度を強くするためで
ある。このエッチングしたＢａＴｉＯ₃焼結体を塩化第
１錫の塩酸溶液に数分間浸漬し、その表面に錫イオンを
吸着させる。この錫イオンはＢａＴｉＯ ₃焼結体の電極
面の活性化を促進する。つぎにこの錫イオンを吸着した
面を０．０３重量％のパラジウム溶液に浸漬し、パラジ
ウムを吸着させる。この吸着したパラジウムは次の無電
解メッキの触媒作用を引き起こす。無電解メッキは硫酸
ニッケル溶液をＰＨ＝８〜９．５に調整し、４０〜５０
℃の温度に加温し約２０分間浸漬して行う。こうして２
〜５ミクロンの厚さのニッケル層がメッキされる。この
無電解メッキされたＢａＴｉＯ₃焼結体を約５００℃の
温度で２０分程度熱処理することで、ＢａＴｉＯ₃焼結
体とニッケル電極はオーム性接触しオーム性電極が形成
される。

【００２２】このようにして得られた本発明の半導体セ
ラミック組成物の特性が（表２）の比抵抗（Ωｃｍ）と
破壊電圧であるに示す。比抵抗と破壊電圧は、直径が約
１３ｍｍφで厚みが約１．２ｍｍの円板状のＢａＴｉＯ
₃半導体磁器組成物にオーム性のニッケル電極を形成し
たもので測定した。比抵抗は２０℃の温度でＢａＴｉＯ
₃半導体磁器組成物の厚み１ｍｍ当たり２５Ｖの直流電
圧を３０秒間印加しその３０秒後に測定し、次式より求
めた。

【００２３】ρ＝Ｒ・Ｓ／Ｔただし、 ρ：比抵抗（Ωｃｍ）Ｒ：抵抗の実測値（Ω）Ｓ：電極の面積（ｃｍ²）Ｔ：ＢａＴｉＯ₃半導体磁器組成物の厚み一方、直流破壊電圧はＢａＴｉＯ₃半導体磁器組成物の
上記電極に直流電圧を印加し、次第に上昇させてＢａＴ
ｉＯ₃半導体磁器組成物が破壊した時点の電圧を求め
た。これらの特性値は１０個の試料の単純平均値であ
る。

【００２４】試料番号１６〜２６は本発明の範囲外のも
のであって、主成分のＢａＴｉＯ₃１モルに副成分とし
てＹ₂Ｏ₃を０．００１７〜０．００３１モル、ＭｎＣＯ
₃を０．０００３〜０．００１１モルおよびＳｉＯ₂を
０．０００３〜０．０３５モル添加したものであるが、
破壊電圧は３０〜４５Ｖ／ｍｍと高く、比抵抗は３０．
５〜９０．８Ωｃｍと著しく高くなっている。比抵抗が
３０Ωｃｍ程度以上に高くなると、ＰＴＣサーミスター
として電子回路の保護回路に接続したとき回路抵抗が高
くなって、回路電圧を高くしなければならない等回路設
計が容易でなくなる。また主成分のＢａＴｉＯ₃１モル
に副成分のＹ₂Ｏ₃が０．００１８モル未満では、ＢａＴ
ｉＯ₃半導体磁器組成物の焼結性がよくなく比抵抗が高
くなり、０．００２７モルを超えると比抵抗は再び高く
なり実用的でなくなる。また、副成分のＭｎＣＯ₃が
０．０００５モル未満では、比抵抗が高くＰＴＣサーミ
スターの立ち上がり特性が悪くなり、０．０００９モル
を超えると比抵抗は再び高くなって、回路設計が容易で
なくなる。さらに、副成分のＳｉＯ₂が０．００５モル
未満では、ＢａＴｉＯ₃半導体磁器組成物の焼結性がよ
くなく比抵抗が顕著に高くなり、０．０３モルを超える
と比抵抗は再び高くなり実用的でなくなる。

【００２５】したがって本発明のように、副成分Ｙ₂Ｏ₃
を０．００１８〜０．００２７モル、ＭｎＣＯ₃を０．
０００５〜０．０００９モル、ＳｉＯ₂を０．００５〜
０．０３モルの範囲で添加すると、比抵抗が１５．９Ω
ｃｍ以下と低くて破壊電圧は２７Ｖ／ｍｍ以上と高いＰ
ＴＣサーミスター用に適したＢａＴｉＯ₃半導体磁器が
得られることが分かる。

【００２６】その理由を説明すると、本発明による副成
分のＹ₂Ｏ₃は、ＢａＴｉＯ₃半導体磁器組成物に固溶
し、ＢａＴｉＯ₃結晶のＢａの位置にＹ³⁺が入って伝導
電子を供給するドナーとなるため比抵抗が低くなって半
導体化するからである。また、副成分のＭｎＣＯ₃はＢ
ａＴｉＯ₃半導体磁器組成物の結晶粒界近傍に局在し、
高抵抗で正の抵抗温度係数を大きくする。さらに、副成
分のＳｉＯ₂はＢａＴｉＯ₃半導体磁器組成物の結晶の粒
界に析出し、液相焼結を起こして異常結晶粒成長を抑制
し、結晶粒径を均一にするので、破壊電圧を高くするこ
とができるからである。

【００２７】（実施の形態２）つぎに、ＰＴＣサーミス
ターの構造について図１について説明する。

【００２８】図１は本発明の一実施の形態による表面実
装型のＰＴＣサーミスターの断面図で、１は大きさが２
ｍｍ角で厚みが約０．５ｍｍの角板状のＢａＴｉＯ₃半
導体磁器組成物からなる基板、２、３は基板１の対向し
た面にそれぞれ設けたオーム性のニッケル電極で厚みが
約５ミクロンである。この形状のＰＴＣサーミスターは
電子回路基板上の電子回路に半田付け等によって直接接
続され電子回路を保護する保護回路を形成する。この保
護回路は電子回路の消費電力が増えてＰＴＣサーミスタ
ーの温度上昇が高まると、抵抗が高くなり電力消費を抑
制させ電子回路を保護する作用をする。必要に応じて電
極２、３にリード線を接続し、そのリード線を電子回路
基板上の電子回路に接続することもできる。このＰＴＣ
サーミスターは放熱性がよく、電流制御の応答性に優れ
ている。

【００２９】ここで基板１の厚みは０．０４ｍｍ〜２．
５ｍｍの範囲にあるのがよい。０．０４ｍｍ未満では基
板強度が低く取り扱いが困難であるし、２．５ｍｍ以上
ではＰＴＣサーミスターとして抵抗値が大きくなって実
用的でない。

【００３０】（実施の形態３）図２は本発明のもう一つ
の実施の形態による樹脂による部分被覆型のＰＴＣサー
ミスターの断面図である。図１と同じ符号については基
本的に同じ働きをするのでここでは説明を省略する。１
０は被覆材で、熱硬化性のプラスチックでシリコン系や
エポキシ系等からなる。この形状のＰＴＣサーミスター
は電子回路との接続部を除いて被覆材１０で被覆されて
おり、被覆厚みは０．５ｍｍ程度以下が適当である。こ
の接続部は被覆材１０で被覆されないで露出しており、
基板の放熱をよくしている。この形状のＰＴＣサーミス
ターは電子回路基板上の電子回路に半田付け等によって
直接接続され電子回路を保護する保護回路を形成する。
また、必要に応じてニッケル電極２、３にリード線を接
続し、そのリード線を電子回路基板上の電子回路に接続
することもできる。このＰＴＣサーミスターは絶縁性
や、耐湿性等の耐候性にも優れ、放熱性もよい。

【００３１】（実施の形態４）図３は本発明のさらに他
の実施の形態による樹脂による全面被覆型のＰＴＣサー
ミスターの断面図である。図１、図２と同じ符号につい
ては基本的に同じ働きをするのでここでは説明を省略す
る。

【００３２】ここでは基板１は直径が約８ｍｍφで厚み
が約０．３ｍｍの円板状である。４、５は銀電極でオー
ム性のニッケル電極２、３に接合されている。８、９は
リード線６、７を銀電極４、５に接合する半田である。
この銀電極４、５はオーム性のニッケル電極２、３の表
面に直径約６．０ｍｍφのＡｇペーストを塗布し、８０
０〜８５０゜Ｃの温度範囲内で熱処理して形成したもの
である。銀電極４、５はリード線６、７のニッケル電極
２、３への接合強度を高くするもので、使用時にリード
線６、７が外れ、電流制御ができなくなるのを防いで、
信頼性の高いＰＴＣサーミスターを提供することができ
る。リード線６、７は電子回路基板上の電子回路に接続
され電子回路を保護する保護回路を形成する。このＰＴ
Ｃサーミスターは絶縁性や、耐湿性等の耐候性にさらに
優れ、信頼性も高い。

【００３３】

【実施例】次に、本発明の具体例を説明する。

【００３４】（実施例１）試料番号１の半導体セラミッ
ク組成物は、主成分のＢａＴｉＯ₃１モルに副成分とし
てＹ₂Ｏ₃を０．００２２モル、ＭｎＣＯ₃を０．０００
７モルおよびＳｉＯ₂を０．０２モル添加したもので、
比抵抗は１５．４Ωｃｍと低いが、破壊電圧は３１Ｖ／
ｍｍと高い。

【００３５】（実施例２）試料番号２の半導体セラミッ
ク組成物は、試料番号１と主成分の量と副成分のＭｎＣ
Ｏ₃およびＳｉＯ₂の添加量を同じにして、Ｙ₂Ｏ₃のみを
０．００２０モルと少なくしたもので、比抵抗は８．７
Ωｃｍとさらに低くなっているが破壊電圧は２８Ｖ／ｍ
ｍと高い。

【００３６】（実施例３）試料番号３の半導体セラミッ
ク組成物は、試料番号１と主成分の量と副成分のＭｎＣ
Ｏ₃およびＳｉＯ₂の添加量を同じにして、Ｙ₂Ｏ₃のみを
０．００１８モルとさらに少なくしたもので、比抵抗は
１１．２Ωｃｍとやや高くなって、破壊電圧は３０Ｖ／
ｍｍとさらに高くなる。

【００３７】（実施例４）試料番号４の半導体セラミッ
ク組成物は、試料番号１と主成分の量と副成分のＭｎＣ
Ｏ₃およびＳｉＯ₂の添加量を同じにして、Ｙ₂Ｏ₃のみを
０．００２４モルと多くしたもので、比抵抗は１５．９
Ωｃｍとさらに高くなって、破壊電圧も３５Ｖ／ｍｍと
いっそう高くなる。

【００３８】（実施例５）試料番号５の半導体セラミッ
ク組成物は、試料番号１と主成分の量と副成分のＭｎＣ
Ｏ₃およびＳｉＯ₂の添加量を同じにして、Ｙ₂Ｏ₃のみを
０．００２７モルとさらに多くしたもので、比抵抗は
９．６Ωｃｍと低くなって、破壊電圧は２７Ｖ／ｍｍと
やや低くなるが、充分実用化の範囲である。

【００３９】（実施例６）試料番号６の半導体セラミッ
ク組成物は、主成分のＢａＴｉＯ₃１モルに副成分とし
てＹ₂Ｏ₃を０．２２モル、ＭｎＣＯ₃を０．０００５モ
ルおよびＳｉＯ₂を０．０１モル添加したもので、比抵
抗は１２．６Ωｃｍであるが、破壊電圧は３５Ｖ／ｍｍ
と充分高い。

【００４０】（実施例７）試料番号７の半導体セラミッ
ク組成物は、試料番号６と主成分の量と副成分のＹ₂Ｏ₃
およびＳｉＯ₂の添加量を同じにして、ＭｎＣＯ₃のみを
０．０００６モルとしたもので、比抵抗は１０．４Ωｃ
ｍと低くなるが、破壊電圧は３１Ｖ／ｍｍと高くなる。

【００４１】（実施例８）試料番号８の半導体セラミッ
ク組成物は、試料番号６と主成分の量と副成分のＹ₂Ｏ₃
およびＳｉＯ₂の添加量を同じにして、ＭｎＣＯ₃のみを
０．０００８モルとしたもので、比抵抗は７．９Ωｃｍ
とかなり低くなるが、破壊電圧は２９Ｖ／ｍｍと充分高
い。

【００４２】（実施例９）試料番号９の半導体セラミッ
ク組成物は、試料番号６と主成分の量と副成分のＹ₂Ｏ₃
およびＳｉＯ₂の添加量を同じにして、ＭｎＣＯ₃のみを
０．０００９モルとしたもので、比抵抗は６．３Ωｃｍ
とさらに低くなるが、破壊電圧は３３Ｖ／ｍｍと充分高
い。

【００４３】（実施例１０）試料番号１０の半導体セラ
ミック組成物は、主成分のＢａＴｉＯ₃１モルに副成分
としてＹ₂Ｏ₃を０．００２２モル、ＭｎＣＯ₃を０．０
００７モルおよびＳｉＯ₂を０．００５モル添加したも
ので、比抵抗は５．５Ωｃｍと低いが、破壊電圧は３０
Ｖ／ｍｍと充分高い。

【００４４】（実施例１１）試料番号１１の半導体セラ
ミック組成物は、試料番号１０と主成分の量と副成分の
Ｙ₂Ｏ₃およびＭｎＣＯ₃の添加量を同じにして、ＳｉＯ₂
のみを０．０１モルとしたもので、比抵抗は６．６Ωｃ
ｍと低くなるが、破壊電圧は３２Ｖ／ｍｍかなり高い。

【００４５】（実施例１２）試料番号１２の半導体セラ
ミック組成物は、試料番号１０と主成分の量と副成分の
Ｙ₂Ｏ₃およびＭｎＣＯ₃の添加量を同じにして、ＳｉＯ₂
のみを０．０１５モルとしたもので、比抵抗は８．２Ω
ｃｍと低く、破壊電圧は３８Ｖ／ｍｍとさらに高くな
る。

【００４６】（実施例１３）試料番号１３の半導体セラ
ミック組成物は、試料番号１０と主成分の量と副成分の
Ｙ₂Ｏ₃およびＭｎＣＯ₃の添加量を同じにして、ＳｉＯ₂
のみを０．０２モルとしたもので、比抵抗は７．５Ωｃ
ｍと低く、破壊電圧は３７Ｖ／ｍｍと充分に高くなる。

【００４７】（実施例１４）試料番号１４の半導体セラ
ミック組成物は、試料番号１０と主成分の量と副成分の
Ｙ₂Ｏ₃およびＭｎＣＯ₃の添加量を同じにして、ＳｉＯ₂
のみを０．０２５モルとしたもので、比抵抗は１２．７
Ωｃｍとやや高くなり、破壊電圧は３６Ｖ／ｍｍと充分
に高くなる。

【００４８】（実施例１５）試料番号１５の半導体セラ
ミック組成物は、試料番号１０と主成分の量と副成分の
Ｙ₂Ｏ₃およびＭｎＣＯ₃の添加量を同じにして、ＳｉＯ₂
のみを０．０３モルとしたもので、比抵抗は１５．８Ω
ｃｍと高くなるが、破壊電圧も３５Ｖ／ｍｍと充分に高
い。

【００４９】

【発明の効果】以上から明らかなように本発明によれ
ば、ＢａＴｉＯ₃の一般式で表されるチタン酸バリウム
１モルに、副成分としてＹをＹ₂Ｏ₃に換算して０．００
１８〜０．００２７モル、ＭｎがＭｎＣＯ₃に換算して
０．０００５〜０．０００９モル、ＳｉがＳｉＯ₂に換
算して０．００５〜０．０３モル含有されているから、
比抵抗が小さく、破壊電圧が高く、ＰＴＣサーミスター
に最適の半導体セラミック組成物を通常のセラミックの
製法によって容易に得ることができるという効果を有す
る。

【００５０】また、半導体セラミック組成物からなる基
板の対向した面にそれぞれ設けられた電極を備えたＰＴ
Ｃサーミスターであるから、小型で面実装に適し、放熱
性がよく、電流制御の応答性に優れ、回路設計が容易に
なるという効果を有する。

【００５１】さらに、基板の厚みが０．０４〜２．５ｍ
ｍからなるＰＴＣサーミスターであるから、比抵抗が小
さく、基板強度の強く、絶縁性や耐湿性等の耐候性に優
れ、信頼性も高いという効果を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態による表面実装型のＰＴ
Ｃサーミスターの断面図

【図２】本発明のもう一つの実施の形態による樹脂によ
る部分被覆型のＰＴＣサーミスターの断面図

【図３】本発明のさらに他の実施の形態による樹脂によ
る全面被覆型のＰＴＣサーミスターの断面図

【符号の説明】

１基板２、３ニッケル電極４、５銀電極６、７リード線８、９半田１０被覆材

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ＢａＴｉＯ₃の一般式で表されるチタン酸
バリウム１モルに、副成分としてＹをＹ₂Ｏ₃に換算して
０．００１８〜０．００２７モル、ＭｎがＭｎＣＯ₃に
換算して０．０００５〜０．０００９モル、ＳｉがＳｉ
Ｏ₂に換算して０．００５〜０．０３モル含有されてい
ることを特徴とする半導体セラミック組成物。
【請求項２】前記半導体セラミック組成物からなる基板
の対向した面にそれぞれ設けられた電極を備えているこ
とを特徴とするＰＴＣサーミスター。
【請求項３】前記基板の厚みが０．０４〜２．５ｍｍで
あることを特徴とする請求項２記載のＰＴＣサーミスタ
ー。