JPH09106063A - Exposure mask - Google Patents
Exposure maskInfo
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- JPH09106063A JPH09106063A JP26586395A JP26586395A JPH09106063A JP H09106063 A JPH09106063 A JP H09106063A JP 26586395 A JP26586395 A JP 26586395A JP 26586395 A JP26586395 A JP 26586395A JP H09106063 A JPH09106063 A JP H09106063A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- light
- phase
- patterns
- island
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、位相シフト効果を
利用した露光用マスクに係わり、特に位相シフタの配置
法を改良した露光用マスクに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure mask that utilizes a phase shift effect, and more particularly to an exposure mask that has an improved phase shifter arrangement method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、半導体回路素子の微細化が急速に
進んでおり、素子の最小寸法はついに光の波長以下の領
域に達しようとしている。例えば、Ｇビット級のＤＲＡ
Ｍデバイスを実現するには、０．１５μｍ以下の解像度
を有するリソグラフィ技術が必要と考えられているが、
このような解像度を十分な焦点深度を持って実現する方
法として、フォトマスクを透過する光に位相差を与え、
光強度プロファイルを改善するいわゆる位相シフト技術
が注目されている。2. Description of the Related Art In recent years, the miniaturization of semiconductor circuit elements has been rapidly progressing, and the minimum dimension of the element is finally reaching the region below the wavelength of light. For example, G-bit DRA
It is considered that a lithography technique having a resolution of 0.15 μm or less is required to realize the M device,
As a method of achieving such resolution with a sufficient depth of focus, a phase difference is given to the light passing through the photomask,
The so-called phase shift technique for improving the light intensity profile has received attention.
【０００３】位相シフト法には種々の方式が提案されて
いるが、最も効果的な方法として、レベンソンらによっ
て提案された空間周波数変調方式がある（M.C.Levenson
他，“Improving Resolution Photolithography with a
Phase-shifting Mask”．IEEE Transactions on Elect
ron Devices.,Vol.ED-29,No.12,Dec.,1982,P1828-1836
など）。Although various methods have been proposed for the phase shift method, the most effective method is the spatial frequency modulation method proposed by Levenson et al. (MCLevenson).
Others, “Improving Resolution Photolithography with a
Phase-shifting Mask ”.IEEE Transactions on Elect
ron Devices., Vol.ED-29, No.12, Dec., 1982, P1828-1836
Such).
【０００４】このレベンソン方式の原理を、図９に従来
法と比較して示す。（ａ）が従来方式、（ｂ）がレベン
ソン方式である。レベンソン方式では、フォトマスク上
の隣り合う開口部の一方に位相シフタを配置することに
より、隣り合う開口部を通過する光の位相を１８０度ず
らし、光の干渉を利用することで透過光の光強度プロフ
ァイルをシャープにする。このように隣の開口部を通過
する光を利用するために、単純なラインアンドスペース
パターンや市松模様のパターンに対しては絶大なる効果
を発揮する。しかしながら、現実のデバイスの各層を形
成するためのパターン形状はより複雑であるため、位相
シフタの配置法に工夫が必要になる。The principle of the Levenson method is shown in FIG. 9 in comparison with the conventional method. (A) is a conventional method and (b) is a Levenson method. In the Levenson method, by arranging a phase shifter in one of the openings adjacent to each other on the photomask, the phase of light passing through the openings adjacent to each other is shifted by 180 degrees, and the interference of the light is used to transmit the light of the transmitted light. Sharpens the intensity profile. Since the light passing through the adjacent opening is used in this manner, it is extremely effective for a simple line-and-space pattern or a checkered pattern. However, since the pattern shape for forming each layer of the actual device is more complicated, it is necessary to devise the arrangement method of the phase shifter.
【０００５】図８（ａ）にＤＲＡＭの素子領域パターン
に位相シフタを用いた例を示す（T.Kaga他，“A 0.29μ
m2 MTM-CROWN Cell and Process Tecnologies for 1-Gi
gabit DRAMs ”,Technical Digest of InternationalEl
ectron Devices Meeting, 1994,P.927-929）。FIG. 8A shows an example in which a phase shifter is used for a device area pattern of DRAM (T. Kaga et al., “A 0.29 μm”).
m2 MTM-CROWN Cell and Process Tecnologies for 1-Gi
gabit DRAMs ”, Technical Digest of InternationalEl
ectron Devices Meeting, 1994, P.927-929).
【０００６】この例では、１／４ピッチアレイ方式の素
子パターンに位相シフタを配置している。このようなシ
フタ配置では、島状パターンＡ，Ｂの端部が同位相で対
向するため、図８（ｂ）に示すように対向部の光強度プ
ロファイルが鈍り、ＡＢ間のパターン分離が難しくな
る。ＡＢ間の分離を確実に行うために露光量を下げる
と、結果として、図８（ｃ）に示すようにパターン端部
でショートニングを起こしてしまうことになる。In this example, the phase shifters are arranged in the element pattern of the 1/4 pitch array system. In such a shifter arrangement, since the end portions of the island patterns A and B face each other in the same phase, the light intensity profile of the facing portion becomes dull as shown in FIG. 8B, and pattern separation between AB becomes difficult. . If the exposure amount is reduced to ensure the separation between AB, as a result, shorting will occur at the end of the pattern as shown in FIG. 8C.
【０００７】ここで、パターン端部には後の工程で蓄積
電極を接続するコンタクト穴を形成するため、ショート
ニングの発生は接続のためのマージンが減少させること
になり、メモリセルの歩留まりに重大な影響を与えてし
まうという問題があった。Here, since a contact hole for connecting the storage electrode is formed at the end of the pattern in a later step, the occurrence of shortening reduces the margin for connection, which is important for the yield of memory cells. There was a problem that it had an influence.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】このように従来、島状
パターンに対して位相シフト法を効果的に適用すること
は難しく、特にコンタクト穴のように厳密な大きさが要
求されるパターンにおいて、パターン分離が難しくなっ
たりショートニングが発生する恐れがあるという問題が
あった。As described above, conventionally, it is difficult to effectively apply the phase shift method to the island-shaped pattern, and particularly in a pattern requiring a strict size such as a contact hole, There are problems that pattern separation becomes difficult and shortening may occur.
【０００９】本発明は上記の問題を解決すべく成された
もので、その目的とするところは、最適な位相シフタ配
置によって、島状パターンに対してもより精密なデバイ
スパターンの形成を可能にする露光用マスクを提供する
ことにある。The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to make it possible to form a more precise device pattern even for an island pattern by an optimum phase shifter arrangement. To provide a mask for exposure.
【００１０】[0010]
（構成）上記課題を解決するために本発明は、次のよう
な構成を採用している。即ち、本発明（請求項１）は、
周期的に配置された島状の光透過部とそれを取り巻く遮
光部を有する露光用マスクにおいて、前記光透過部のパ
ターンが隣接するパターン群のうち、パターンの延在方
向端部が最小間隔で対向する一対の光透過部のいずれか
一方に位相シフタ層が形成されていることを特徴とす
る。(Structure) In order to solve the above problem, the present invention employs the following structure. That is, the present invention (claim 1)
In an exposure mask having an island-shaped light-transmitting portion arranged periodically and a light-shielding portion surrounding the light-transmitting portion, in a pattern group in which the patterns of the light-transmitting portion are adjacent to each other, the end portions in the extending direction of the pattern are arranged at minimum intervals. A phase shifter layer is formed on either one of the pair of light transmitting portions facing each other.
【００１１】ここで、本発明の望ましい実施態様として
は次のものがあげられる。 (1) 位相シフタ層は、透過光の位相を１８０度ずらし、
隣接するパターンとの位相を逆にするものであること。 (2) 光透過部のパターンは１／４ピッチアレイ方式で配
置され、かつ各々のパターンの両端部が相互に逆方向に
折曲していること。 (3) 光透過部のパターンは１／４ピッチアレイ方式で配
置され、かつ各々のパターンが一方向に傾斜しているこ
と。また、パターンの延在方向と直交する方向に隣接す
るパターン同士との間隔は、パターンの延在方向端部が
対向する最小間隔よりも長いこと。 (4) 光透過部のパターンはＤＲＡＭのセルアレイである
こと。 (5) 光透過部のパターンにおいて、中央部にビット線コ
ンタクトホールが形成され、両端部に蓄積電極コンタク
トホールが形成されること。Here, preferred embodiments of the present invention include the following. (1) The phase shifter layer shifts the phase of transmitted light by 180 degrees,
The phase of the adjacent pattern should be reversed. (2) The pattern of the light transmission part is arranged in a 1/4 pitch array system, and both ends of each pattern are bent in opposite directions. (3) The pattern of the light transmitting portion is arranged in a 1/4 pitch array system, and each pattern is inclined in one direction. In addition, the interval between adjacent patterns in the direction orthogonal to the extending direction of the pattern is longer than the minimum interval at which the ends in the extending direction of the pattern face each other. (4) The pattern of the light transmitting portion should be a DRAM cell array. (5) In the pattern of the light transmitting portion, a bit line contact hole is formed in the center and storage electrode contact holes are formed in both ends.
【００１２】また、本発明（請求項４）は、１／３ピッ
チアレイ方式で配置された島状の光透過部とそれを取り
巻く遮光部を有する露光用マスクにおいて、前記光透過
部のパターンが隣接するパターン群のうち、パターンの
延在方向端部が最小間隔で対向する一対の光透過部のい
ずれか一方に位相シフタ層が形成され、かつパターンの
延在方向における対向する長さが最大となる一対の光透
過部のいずれか一方に位相シフタ層が形成されているこ
とを特徴とする。Further, according to the present invention (claim 4), in an exposure mask having an island-shaped light transmitting portion arranged by a 1/3 pitch array system and a light shielding portion surrounding the island light transmitting portion, the pattern of the light transmitting portion is Of the adjacent pattern groups, the phase shifter layer is formed on either one of the pair of light transmitting portions whose end portions in the extending direction of the pattern face each other with a minimum interval, and the length of the facing portion in the extending direction of the pattern is maximum. The phase shifter layer is formed on either one of the pair of light transmission parts.
【００１３】ここで、本発明の望ましい実施態様として
は次のものがあげられる。 (1) 位相シフタ層は、透過光の位相を１８０度ずらし、
隣接するパターンとの位相を逆にするものあること。 (2) 光透過部のパターンはＤＲＡＭのセルアレイである
こと。 (3) 光透過部のパターンはＸ方向に長い矩形状のパター
ンであり、任意の光透過部のパターンに対し、Ｘ方向に
隣接するパターンは透過光が逆位相であり、Ｘ方向と直
交するＹ方向に隣接するパターンのうち、Ｘ方向の対向
長が長い方のパターンは透過光が逆位相であること。 （作用）本発明（請求項１〜３）によれば、光透過部の
パターンが隣接するパターン群のうち、パターンの延在
方向端部が最小間隔で対向する一対の光透過部のいずれ
か一方に位相シフタ層を形成することにより、パターン
端部での光強度プロファイルをシャープにすることがで
きる。例えば、この配置法をＤＲＡＭの素子領域パター
ンに適用すれば、パターン端部の寸法を精密に制御する
ことができる。ＤＲＡＭの素子領域パターンにおいて、
パターン端部にはコンタクト穴を形成するために厳密な
大きさが要求されることが多く、従って本発明のように
パターン端部の寸法を精密に制御することは、パターン
分離を確実に行うと共にショートニング発生を防止でき
るという効果につながる。The preferred embodiments of the present invention are as follows. (1) The phase shifter layer shifts the phase of transmitted light by 180 degrees,
Something reverses the phase of adjacent patterns. (2) The pattern of the light transmitting portion should be a DRAM cell array. (3) The pattern of the light transmitting portion is a rectangular pattern which is long in the X direction, and the transmitted light of the pattern adjacent to the X direction is opposite in phase to the pattern of the arbitrary light transmitting portion and is orthogonal to the X direction. Of the patterns adjacent to each other in the Y direction, the one having the longer opposing length in the X direction has the transmitted light in the opposite phase. (Operation) According to the present invention (claims 1 to 3), any one of a pair of light transmitting portions whose ends in the extending direction of the pattern face each other at a minimum interval among the pattern groups in which the patterns of the light transmitting portions are adjacent to each other. By forming the phase shifter layer on one side, the light intensity profile at the end of the pattern can be sharpened. For example, if this arranging method is applied to the element region pattern of the DRAM, the dimension of the pattern end can be precisely controlled. In the element area pattern of DRAM,
A strict size is often required for forming a contact hole at the pattern end, and thus precise control of the dimension of the pattern end as in the present invention ensures reliable pattern separation. This leads to the effect of preventing shortening.
【００１４】また、本発明（請求項４）によれば、（請
求項１〜３）と同様の作用効果が得られるのは勿論のこ
と、パターンの延在方向に対向する長さが最大となる一
対の光透過部のいずれか一方に位相シフタ層が形成する
ことにより、パターンの延在方向と直交する方向に隣接
するパターン同士の分離を確実に行うことが可能とな
る。Further, according to the present invention (Claim 4), it is of course possible to obtain the same effects as those of (Claims 1 to 3), and the length of the pattern facing in the extending direction is the maximum. By forming the phase shifter layer on either one of the pair of light transmitting portions, it becomes possible to reliably separate the patterns adjacent to each other in the direction orthogonal to the extending direction of the patterns.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を図示の実施
形態によって説明する。 （第１の実施形態）図１（ａ）に、１／４ピッチアレイ
方式のＤＲＡＭセルの素子領域パターンに位相シフタを
配置した様子を示す。図中の１０は光透過部のパターン
であり、ハッチングした部分１１はシフタ配置部であ
る。全体的なパターン配置は前記図８に示した従来例と
同じであるが、位相シフタの配置の仕方が異なってい
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The details of the present invention will be described below with reference to the illustrated embodiments. (First Embodiment) FIG. 1A shows a state in which phase shifters are arranged in an element region pattern of a 1/4 pitch array type DRAM cell. In the figure, 10 is a pattern of the light transmitting portion, and hatched portion 11 is a shifter arranging portion. The overall pattern arrangement is the same as that of the conventional example shown in FIG. 8, but the phase shifter arrangement is different.
【００１６】即ち、光透過部のパターンが隣接するパタ
ーン群のうち、任意のパターンに対し、パターンの延在
方向端部が最小間隔で対向するパターンが逆位相で、そ
れ以外は同位相となっている。That is, of the pattern groups in which the patterns of the light transmitting portions are adjacent to each other, the pattern in which the end portions in the extending direction of the pattern face each other at the minimum interval has the opposite phase, and the other patterns have the same phase. ing.
【００１７】具体的には、例えばパターンＤの端部は、
パターンＥ，Ｆ，Ｃの端部と最短距離ｘで対向してお
り、パターンＥ，Ｆ，Ｃを通過する光に対して、パター
ンＤを通過する光が逆位相となるように、パターンＤに
位相シフタを配置している。Specifically, for example, the end of the pattern D is
The pattern D, which faces the ends of the patterns E, F, and C at the shortest distance x, has a pattern D so that the light passing through the patterns E, F, and C has an opposite phase. The phase shifter is arranged.
【００１８】なお、光透過部のパターンは、紙面左右方
向に長い矩形状のパターンの両端部を紙面上下方向に折
曲して、カギ型のパターンとなっている。そして、この
パターンの中央部にはビット線コンタクトホールが形成
され、両端部には蓄積電極コンタクトホールが形成され
るものとなっている。但し、図ではこれらのコンタクト
パターンは省略している。また、位相シフタ層は、透過
光の位相を１８０度ずらし、隣接するパターンとの位相
を逆にするものである。The pattern of the light transmitting portion is a key-shaped pattern in which both ends of a rectangular pattern long in the left-right direction of the paper are bent in the vertical direction of the paper. A bit line contact hole is formed at the center of this pattern, and storage electrode contact holes are formed at both ends. However, these contact patterns are omitted in the figure. The phase shifter layer shifts the phase of transmitted light by 180 degrees and reverses the phase of an adjacent pattern.
【００１９】図１のシフタ配置では、隣接するパターン
との端部同士が常に逆相の配置となるため、図１（ｂ）
（ｃ）に示すように、パターン端部での光強度プロファ
イルをシャープに立てることができ、端部同士をぎりぎ
りまで近付けることが可能となる。この結果、後の工程
で蓄積電極コンタクトを接続する余裕を十分に見込める
ようになる。In the shifter arrangement shown in FIG. 1, the ends of adjacent patterns are always in the opposite phase. Therefore, the shifter arrangement shown in FIG.
As shown in (c), the light intensity profile at the end portions of the pattern can be sharpened, and the end portions can be brought close to each other. As a result, a sufficient margin can be expected for connecting the storage electrode contact in a later step.
【００２０】このように本実施形態によれば、従来は位
相シフトマスクの適用が困難であった島状のデバイスパ
ターンに対しても、十分な解像度と焦点深度を実現でき
る。従って、より高密度かつ高性能な半導体デバイスを
実現することが可能になる。また、位相シフトマスクに
適用することで、露光装置の性能を極限まで引き出すこ
とが可能になるため、より安価な装置を用いた製造が可
能になり、高密度かつ高性能な半導体デバイスを安価に
実現することが可能になる。 （第２の実施形態）図２は、第１の実施形態の変形例で
あり、カギ型の素子領域パターンを直線状にしたもので
ある。即ち、光透過部のパターンは１／４ピッチアレイ
方式で配置され、かつ各々のパターンが一方向に傾斜し
ている。As described above, according to this embodiment, it is possible to realize a sufficient resolution and a sufficient depth of focus even for an island-shaped device pattern for which it has been difficult to apply a phase shift mask. Therefore, it becomes possible to realize a higher density and higher performance semiconductor device. Moreover, by applying it to a phase shift mask, the performance of the exposure apparatus can be brought out to the limit, so that it becomes possible to manufacture using a cheaper apparatus, and a high-density and high-performance semiconductor device can be made cheaper. Can be realized. (Second Embodiment) FIG. 2 shows a modification of the first embodiment, in which a hook-shaped element region pattern is linear. That is, the patterns of the light transmitting portion are arranged in the 1/4 pitch array system, and each pattern is inclined in one direction.
【００２１】このようなレイアウトでは、パターンＩ‐
Ｈ間の距離ｙをパターンＧ‐Ｉ，Ｇ‐Ｈ間の距離ｘより
も広げることができる。従って、先の第１の実施形態と
同様の効果が得られるのは勿論のこと、同位相となるパ
ターンＩ，Ｈの分離をより確実に行うことができる。 （第３の実施形態）図３は、紙面上下方向に隣接するパ
ターン間の分離を優先したものである。この場合、任意
のパターンＪに対し、パターン端部が上下方向に隣接す
るパターンＬは逆位相、パターン端部が左右方向に隣接
するパターンＫは同位相となるように、パターンＪ，Ｋ
に位相シフタを配置している。In such a layout, the pattern I-
The distance y between H can be made wider than the distance x between the patterns GI and GH. Therefore, the same effect as that of the first embodiment can be obtained, and the patterns I and H having the same phase can be separated more reliably. (Third Embodiment) FIG. 3 gives priority to the separation between patterns adjacent to each other in the vertical direction of the paper surface. In this case, with respect to the arbitrary pattern J, the patterns L whose pattern end portions are vertically adjacent to each other have the opposite phase, and the pattern K whose pattern end portions are adjacent to each other in the horizontal direction have the same phase so that the patterns J and K are arranged in the same phase.
The phase shifter is located at.
【００２２】このように、パターンＪ‐Ｌ間の分離を優
先した場合、パターンＪ‐Ｋ間は同位相になるため、 ｐ＜ｑ になるように設計する方が望ましい。 （第４の実施形態）図４は、第３の実施形態の変形例で
あり、カギ型の素子領域パターンを直線状にしたもので
ある。即ち、光透過部のパターンは１／４ピッチアレイ
方式で配置され、かつ各々のパターンが一方向に傾斜し
ている。As described above, when priority is given to the separation between the patterns J and L, the patterns J and K have the same phase, so it is desirable to design so that p <q. (Fourth Embodiment) FIG. 4 shows a modification of the third embodiment, in which a hook-shaped element region pattern is linear. That is, the patterns of the light transmitting portion are arranged in the 1/4 pitch array system, and each pattern is inclined in one direction.
【００２３】このようなレイアウトでは、上下方向に隣
接するパターン間の距離を広げることができると共に、
上下方向に隣接するパターンの位相を逆にするために、
上下方向に隣接するパターンの分離をより確実に行うこ
とができる。 （第５の実施形態）第１〜第４の実施形態では、位相シ
フタを個々の島状パターンにそれぞれ形成したが、図５
に示すように、同相となる領域全体に連続して位相シフ
タを配置してもよい。なお、図中の１２は素子領域、１
３はビット線コンタクトパターンを示している。In such a layout, the distance between vertically adjacent patterns can be increased, and at the same time,
In order to reverse the phase of the vertically adjacent patterns,
It is possible to more reliably separate the patterns that are vertically adjacent to each other. (Fifth Embodiment) In the first to fourth embodiments, the phase shifter is formed in each island pattern.
As shown in, the phase shifters may be arranged continuously over the entire region having the same phase. In the figure, 12 is an element region, 1
Reference numeral 3 indicates a bit line contact pattern.
【００２４】この場合、１つのシフタのパターンが大き
くなり、かつその数が少なくなるため、シフタ配置のた
めのリソグラフィが容易となる。 （第６の実施形態）図６に、１／３ピッチアレイ方式の
ＤＲＡＭセルの素子領域パターンに位相シフタを配置し
た様子を示す。光透過部のパターンは紙面左右方向に長
い矩形状のパターンであり、任意の光透過部のパターン
に対し、長手方向に隣接するパターンは透過光が逆位相
となり、長手方向と直交する方向に隣接するパターンの
うち、長手方向の対向長が長い方のパターンは透過光が
逆位相となるように位相シフタを配置している。In this case, since the pattern of one shifter is large and the number thereof is small, lithography for arranging the shifter is facilitated. (Sixth Embodiment) FIG. 6 shows a state in which phase shifters are arranged in the element region pattern of a 1/3 pitch array type DRAM cell. The pattern of the light transmission part is a rectangular pattern that is long in the left-right direction of the paper, and the pattern adjacent to the light transmission part in the longitudinal direction has the transmitted light in the opposite phase and is adjacent in the direction orthogonal to the longitudinal direction. Among the patterns, the one having the longer opposing length in the longitudinal direction is provided with the phase shifter so that the transmitted light has the opposite phase.
【００２５】具体的には、例えばパターンＭに対して、
左右に隣接するパターンが逆位相になるようにシフタを
配置している。さらに、パターンＭに対して、パターン
Ｎ，Ｏは長い辺方向に平行に位置しているが、パターン
Ｍ‐Ｎ，Ｍ‐Ｏの対向する辺の長さｚ，ｗは ｚ＞ｗ の関係にある。従って、対向する辺の長さが長いパター
ンＭ‐Ｎ間が逆位相になるようにシフタを配置してい
る。Specifically, for pattern M, for example,
The shifters are arranged so that the patterns adjacent to each other on the left and right have opposite phases. Further, the patterns N and O are positioned parallel to the long side direction with respect to the pattern M, but the lengths z and w of the opposite sides of the patterns M-N and M-O have a relationship of z> w. is there. Therefore, the shifters are arranged so that the patterns M and N having the opposite sides with long lengths have the opposite phases.
【００２６】このようなシフタ配置によれば、第１の実
施形態と同様の効果が得られるのは勿論のこと、島状パ
ターン間の分離を容易に行うことができる。なお、パタ
ーンＭ‐Ｏ間は同位相となるが、対向する辺の長さが短
いためにパターンＭ‐Ｏがショートする危険は小さい。 （第７の実施形態）図７は、１／３ピッチアレイ方式の
ＤＲＡＭセルの蓄積電極パターンに位相シフタを配置し
た例である。シフタ配置の考え方は第６の実施形態と全
く同様であり、従って第６の実施形態と同様の効果が得
られる。With such a shifter arrangement, the same effects as those of the first embodiment can be obtained, and the island patterns can be easily separated. Although the patterns MO have the same phase, the risk of short-circuiting the patterns MO is small because the lengths of the opposite sides are short. (Seventh Embodiment) FIG. 7 shows an example in which a phase shifter is arranged in the storage electrode pattern of a 1/3 pitch array type DRAM cell. The concept of the shifter arrangement is exactly the same as that of the sixth embodiment, and therefore the same effect as that of the sixth embodiment can be obtained.
【００２７】なお、本発明は上述した各実施形態に限定
されるものではない。実施形態に示した位相シフタの配
置法は、デバイスパターンとの相対的な位置関係に意味
があり、実施形態に示したレイヤーに限定されるもので
はない。また、島状のパターンを有したマスクとネガ型
レジストを組み合わせることで残しパターンを形成で
き、ポジ型レジストを組み合わせることでホールパター
ンを形成することができ、レジストとの組み合わせは問
わない。また、位相シフタとしては、スタックタイプ，
トレンチタイプのいずれも使用することができる。その
他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実
施することができる。The present invention is not limited to the above embodiments. The method of arranging the phase shifter shown in the embodiment has meaning in the relative positional relationship with the device pattern, and is not limited to the layer shown in the embodiment. Further, the remaining pattern can be formed by combining the negative resist with the mask having the island-shaped pattern, and the hole pattern can be formed by combining the positive resist, and the combination with the resist is not limited. Also, as the phase shifter, a stack type,
Any of the trench types can be used. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.
【００２８】[0028]
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、光
透過部のパターンが隣接するパターン群のうち、パター
ンの延在方向端部が最小間隔で対向する一対の光透過部
のいずれか一方に位相シフタ層を形成することにより、
最適な位相シフタ配置を実現することができ、島状パタ
ーンに対してもより精密なデバイスパターンの形成が可
能となる。As described in detail above, according to the present invention, any one of a pair of light transmitting portions whose ends in the extending direction of the pattern oppose each other at the minimum interval among the pattern groups in which the patterns of the light transmitting portions are adjacent to each other. By forming a phase shifter layer on one side,
The optimum phase shifter arrangement can be realized, and more precise device patterns can be formed even for island patterns.
【図１】第１の実施形態を説明するためのもので、１／
４ピッチアレイ方式のＤＲＡＭセルの素子領域パターン
に位相シフタを配置した様子を示す図。FIG. 1 is for explaining the first embodiment,
FIG. 3 is a diagram showing a manner in which phase shifters are arranged in an element region pattern of a 4-pitch array type DRAM cell.
【図２】第２の実施形態における位相シフタ配置の様子
を示す図。FIG. 2 is a diagram showing a phase shifter arrangement in a second embodiment.
【図３】第３の実施形態における位相シフタ配置の様子
を示す図。FIG. 3 is a diagram showing how a phase shifter is arranged in the third embodiment.
【図４】第４の実施形態における位相シフタ配置の様子
を示す図。FIG. 4 is a diagram showing how a phase shifter is arranged in a fourth embodiment.
【図５】第５の実施形態における位相シフタ配置の様子
を示す図。FIG. 5 is a diagram showing how a phase shifter is arranged in a fifth embodiment.
【図６】第６の実施形態を説明するためのもので、１／
３ピッチアレイ方式のＤＲＡＭセルの素子領域パターン
に位相シフタを配置した様子を示す図。FIG. 6 is for explaining a sixth embodiment,
FIG. 3 is a diagram showing a state in which phase shifters are arranged in an element region pattern of a 3-pitch array type DRAM cell.
【図７】第７の実施形態を説明するためのもので、１／
３ピッチアレイ方式のＤＲＡＭセルの蓄積電極パターン
に位相シフタを配置した様子を示す図。FIG. 7 is a view for explaining a seventh embodiment, which is 1 /
FIG. 3 is a diagram showing a state in which a phase shifter is arranged in a storage electrode pattern of a 3-pitch array type DRAM cell.
【図８】ＤＲＡＭの素子領域パターンに位相シフタを用
いた従来例を示す図。FIG. 8 is a diagram showing a conventional example in which a phase shifter is used for a device region pattern of DRAM.
【図９】位相シフトマスクの原理説明図。FIG. 9 is an explanatory view of the principle of a phase shift mask.
１０…パターン １１…シフタ配置部 １２…素子領域 １３…ビット線コンタクトパターン DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Pattern 11 ... Shifter arrangement | positioning part 12 ... Element area | region 13 ... Bit line contact pattern
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新木 晶子 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Akiko Shinki 1 Komukai Toshiba-cho, Sachi-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Incorporated Toshiba Research and Development Center
Claims (4)
を取り巻く遮光部を有する露光用マスクにおいて、 前記光透過部のパターンが隣接するパターン群のうち、
パターンの延在方向端部が最小間隔で対向する一対の光
透過部のいずれか一方に位相シフタ層が形成されている
ことを特徴とする露光用マスク。1. An exposure mask having an island-shaped light-transmitting portion arranged periodically and a light-shielding portion surrounding the island-shaped light-transmitting portion, wherein a pattern group in which the patterns of the light-transmitting portion are adjacent to each other,
An exposure mask, wherein a phase shifter layer is formed on either one of a pair of light transmitting portions whose ends in the extending direction of the pattern face each other with a minimum distance.
レイ方式で配置され、かつ各々のパターンの両端部が相
互に逆方向に折曲していることを特徴とする請求項１記
載の露光用マスク。2. The pattern of the light transmitting portion is arranged in a 1/4 pitch array system, and both ends of each pattern are bent in directions opposite to each other. Exposure mask.
レイ方式で配置され、かつ各々のパターンが一方向に傾
斜していることを特徴とする請求項１記載の露光用マス
ク。3. The exposure mask according to claim 1, wherein the patterns of the light transmitting portions are arranged in a 1/4 pitch array system, and each pattern is inclined in one direction.
の光透過部とそれを取り巻く遮光部を有する露光用マス
クにおいて、 前記光透過部のパターンが隣接するパターン群のうち、
パターンの延在方向端部が最小間隔で対向する一対の光
透過部のいずれか一方に位相シフタ層が形成され、かつ
パターンの延在方向における対向する長さが最大となる
一対の光透過部のいずれか一方に位相シフタ層が形成さ
れていることを特徴とする露光用マスク。4. An exposure mask having an island-shaped light-transmitting portion arranged in a 1/3 pitch array system and a light-shielding portion surrounding the island-shaped light-transmitting portion, wherein the pattern of the light-transmitting portion is adjacent to each other.
A pair of light transmitting portions in which a phase shifter layer is formed on one of a pair of light transmitting portions whose end portions in the extending direction of the pattern face each other with a minimum distance, and in which the facing length in the extending direction of the pattern is maximum. An exposure mask, wherein a phase shifter layer is formed on either one of the above.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26586395A JPH09106063A (en) | 1995-10-13 | 1995-10-13 | Exposure mask |
| US08/729,281 US5783336A (en) | 1995-10-13 | 1996-10-10 | Mask for exposure |
| DE19642050A DE19642050A1 (en) | 1995-10-13 | 1996-10-11 | Exposition mask device for photolithographic manufacture of DRAM |
| KR1019960045500A KR100226595B1 (en) | 1995-10-13 | 1996-10-12 | Mask for exposure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26586395A JPH09106063A (en) | 1995-10-13 | 1995-10-13 | Exposure mask |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09106063A true JPH09106063A (en) | 1997-04-22 |
Family
ID=17423141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26586395A Pending JPH09106063A (en) | 1995-10-13 | 1995-10-13 | Exposure mask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09106063A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6114095A (en) * | 1997-07-01 | 2000-09-05 | Matsushita Electronics Corporation | Method of manufacturing electronic device using phase-shifting mask with multiple phase-shift regions |
-
1995
- 1995-10-13 JP JP26586395A patent/JPH09106063A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6114095A (en) * | 1997-07-01 | 2000-09-05 | Matsushita Electronics Corporation | Method of manufacturing electronic device using phase-shifting mask with multiple phase-shift regions |
| US6280888B1 (en) | 1997-07-01 | 2001-08-28 | Matsushita Electronics Corporation | Phase-shifting mask with multiple phase-shift regions |
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