JPH089627Y2 - Gas sampling device - Google Patents
Gas sampling deviceInfo
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- JPH089627Y2 JPH089627Y2 JP1990121146U JP12114690U JPH089627Y2 JP H089627 Y2 JPH089627 Y2 JP H089627Y2 JP 1990121146 U JP1990121146 U JP 1990121146U JP 12114690 U JP12114690 U JP 12114690U JP H089627 Y2 JPH089627 Y2 JP H089627Y2
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- gas
- pipe
- temperature
- spray nozzle
- sampling device
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Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、例えば自動車の排ガス中に含まれる排出物
質、すなわち、エミッション（例えばCO,CO2,HC,NOx，
パーティキュレート，SOxなど）の総量を測定するのに
用いられるガスサンプリング装置に関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial field of application] The present invention is directed to, for example, emission substances contained in exhaust gas of automobiles, that is, emissions (for example, CO, CO 2 , HC, NO x ,
The present invention relates to a gas sampling device used for measuring the total amount of particulates, SO x, etc.
上記総量測定を行う場合、一般には排ガス全量を所謂
CVS法によってサンプリングすることが行われ、ベンチ
ュリの下流側に配管を介して吸引装置を設けたガスサン
プリング装置が用いられる。When performing the above total amount measurement, generally the total amount of exhaust gas is
Sampling is performed by the CVS method, and a gas sampling device in which a suction device is provided on the downstream side of the venturi via a pipe is used.
第２図は従来のこの種のガスサンプリング装置を概略
的に示し、この図において、１は自動車、２は自動車１
から排出されるガス（排ガス）を導出する排ガス流路で
ある。３は排ガス流路２の下流側に接続される混合管
で、適宜フィルタ４を備えたエヤー導入管５が接続され
ている。自動車１からの排ガスは混合管３内において適
宜希釈された希釈ガスとなり、その一部はCFV上流に形
成された採取口（図外）からサンプルガスとして採取さ
れる。そして、混合管３の下流側には、CFV（Critical
FLOW Venturi）と呼ばれるベンチュリ６が接続してあ
り、さらに、ベンチュリ６には配管７を介してターボブ
ロアなどの吸引装置８が設けられており、前記希釈ガス
は吸引装置８を介して排出されるように構成されてい
る。FIG. 2 schematically shows a conventional gas sampling device of this type, in which 1 is an automobile and 2 is an automobile 1.
It is an exhaust gas flow path for leading out gas (exhaust gas) discharged from the exhaust gas. Reference numeral 3 denotes a mixing pipe connected to the downstream side of the exhaust gas flow passage 2, to which an air introduction pipe 5 equipped with a filter 4 is appropriately connected. The exhaust gas from the automobile 1 becomes a diluted gas that is appropriately diluted in the mixing pipe 3, and a part of the diluted gas is sampled as a sample gas from a sampling port (not shown) formed upstream of the CFV. On the downstream side of the mixing pipe 3, CFV (Critical
A Venturi 6 called a FLOW Venturi) is connected to the venturi 6, and a suction device 8 such as a turbo blower is provided in the venturi 6 via a pipe 7 so that the diluted gas is discharged through the suction device 8. Is configured.
ところで、この種のガスサンプリング装置において
は、ベンチュリ６を通過する希釈ガスの瞬時流量を、温
度換算や圧力換算して積算して全流量を求めるところか
ら、一般的には、熱交換器は取り付けられることはない
ため、前記希釈ガスがそのままの温度を維持して吸引装
置８に吸引され、その結果、吸引装置８の各部が損傷さ
れることがある。すなわち、吸引装置８のモータの絶縁
部分やベアリング部分などには耐熱性の部材が使用され
ているが、その耐熱性に限度があるため、希釈ガスの温
度が例えば60℃を超えると前記部材が損傷され、絶縁不
良や性能劣化が生じることになる。By the way, in this type of gas sampling apparatus, since the instantaneous flow rate of the diluent gas passing through the venturi 6 is converted into temperature and pressure and integrated to obtain the total flow rate, a heat exchanger is generally installed. Therefore, the diluent gas is sucked by the suction device 8 while maintaining the temperature as it is, and as a result, each part of the suction device 8 may be damaged. That is, although a heat resistant member is used for the insulating portion and the bearing portion of the motor of the suction device 8, since the heat resistance is limited, if the temperature of the dilution gas exceeds 60 ° C., the member will be It will be damaged, resulting in poor insulation and poor performance.
これに対して、前記各部分の部材として耐熱性のより
優れたものを使用することが考えられるが、その場合は
それだけコストアップとなる。On the other hand, it is conceivable to use a member having more excellent heat resistance as the member of each portion, but in that case, the cost is increased accordingly.
本考案は、上述の事柄に留意してなされたもので、そ
の目的とするところは、吸引装置の熱的損傷を安価な構
成によって巧みに回避したガスサンプリング装置を提供
することにある。The present invention has been made in view of the above matters, and an object thereof is to provide a gas sampling device that skillfully avoids thermal damage to the suction device by an inexpensive structure.
上述の目的を達成するため、本考案に係るガスサンプ
リング装置は、ベンチュリ管の下流側に配管を接続し、
その配管の下流端に吸引装置を設けてなるガスサンプリ
ング装置にあって、前記配管内に、水を噴霧するスプレ
ーノズルを下流側に向けて配置するとともに、その配管
内を流れるガスの温度を検出する温度センサを、前記ス
プレーノズルの下流側に適宜な間隔をおいて配置し、か
つその温度センサによって検出されたガスの温度が設定
値以上になると、前記スプレーノズルからガスに対して
水を噴霧させるコントローラを設けてなることを特徴と
している。In order to achieve the above-mentioned object, the gas sampling device according to the present invention has a pipe connected to a downstream side of a venturi pipe,
A gas sampling device having a suction device at the downstream end of the pipe, wherein a spray nozzle for spraying water is arranged in the pipe toward the downstream side, and the temperature of the gas flowing in the pipe is detected. A temperature sensor is arranged downstream of the spray nozzle at an appropriate interval, and when the temperature of the gas detected by the temperature sensor reaches or exceeds a set value, water is sprayed from the spray nozzle onto the gas. It is characterized by being provided with a controller.
上記構成よりなるガスサンプリング装置においては、
配管内を流れるガスの温度が設定値以上になると、開閉
弁が開いてスプレーノズルからガスに対して水が霧状に
噴射され、この噴射された霧状の水はガス中において蒸
発し、そのときの蒸発潜熱によってガスの温度が下げら
れる。そして、ガスの温度が設定値より低くなると、開
閉弁が閉じて水の噴射が停止する。In the gas sampling device having the above configuration,
When the temperature of the gas flowing in the pipe exceeds the set value, the on-off valve opens and the spray nozzle sprays water in a mist state against the gas. The sprayed mist-like water evaporates in the gas, The temperature of the gas is lowered by the latent heat of vaporization at that time. Then, when the temperature of the gas becomes lower than the set value, the on-off valve is closed and the water injection is stopped.
以下、本考案の実施例を図面に基づいて説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図は本考案に係るガスサンプリング装置の一例を
示し、この図において、第２図に示す符号と同一符号は
同一物を示しており、従来と異なる部分について説明す
ると、９は配管７内を流れる希釈ガスＧに対して水を霧
状に噴射するスプレーノズルで、配管７内に挿設された
給水管10の先端に、その噴射口が例えば吸引装置８方向
に向くように取り付けられている。11はレギュータ、12
は開閉弁としての電磁弁で、これらレギュレータ11およ
び電磁弁12によって給水管10内の水が制御される。FIG. 1 shows an example of a gas sampling apparatus according to the present invention. In this figure, the same reference numerals as those shown in FIG. 2 indicate the same items. Is a spray nozzle for spraying water in a mist state against the diluted gas G flowing through the pipe, and is installed at the tip of the water supply pipe 10 inserted in the pipe 7 so that its injection port faces the suction device 8, for example. There is. 11 is a regulator, 12
Is an electromagnetic valve as an opening / closing valve, and water in the water supply pipe 10 is controlled by the regulator 11 and the electromagnetic valve 12.
また、13は配管７内を流れる希釈ガスＧの温度を検出
する温度センサで、スプレーノズル９の下流側にこれと
は適宜の間隔をおいて配設されている。そして、14はコ
ントローラで、温度センサ13から送られてくる検出信号
（温度信号）が設定値以上になると、前記電磁弁12に対
して開信号を出力し、前記検出信号が設定値より低くな
ると電磁弁12に対して閉信号を出力する。Further, 13 is a temperature sensor for detecting the temperature of the diluent gas G flowing in the pipe 7, which is arranged on the downstream side of the spray nozzle 9 at an appropriate interval from the temperature sensor. Reference numeral 14 denotes a controller, which outputs an open signal to the solenoid valve 12 when the detection signal (temperature signal) sent from the temperature sensor 13 exceeds a set value, and when the detection signal becomes lower than the set value. A closing signal is output to the solenoid valve 12.
而して、上記構成のガスサンプリング装置において
は、配管７内を流れる希釈ガスＧの温度が設定値（例え
ば60℃）以上になると、これが温度センサ13によって検
出されて、コントローラ14から開信号が電磁弁12に出力
される。これによって電磁弁12が開いて、スプレーノズ
ル９から希釈ガスＧに対して水が霧状に噴射され、この
噴射された霧状の水が希釈ガスＧ中において蒸発し、そ
のときの蒸発潜熱によって希釈ガスＧの温度が下げられ
る。そして、希釈ガスＧの温度が設定値より低くなる
と、電磁弁12が閉じて水の噴射が停止する。Thus, in the gas sampling device having the above configuration, when the temperature of the dilution gas G flowing in the pipe 7 becomes equal to or higher than the set value (for example, 60 ° C.), this is detected by the temperature sensor 13 and an open signal is output from the controller 14. Output to the solenoid valve 12. As a result, the solenoid valve 12 is opened, and water is sprayed from the spray nozzle 9 to the dilution gas G, and the sprayed sprayed water is vaporized in the dilution gas G, and the latent heat of vaporization at that time causes the vaporized water to evaporate. The temperature of the dilution gas G is lowered. Then, when the temperature of the dilution gas G becomes lower than the set value, the solenoid valve 12 is closed and the water injection is stopped.
上記構成によれば、配管７内を吸引装置８に向かって
流れる希釈ガスＧの温度が設定値以上になると、スプレ
ーノズル９から希釈ガスＧに対して水が霧状に噴射され
ることにより、希釈ガスＧの温度が設定値以下に下げら
れるので、吸引装置８の熱的損傷を巧みに回避すること
ができる。According to the above configuration, when the temperature of the dilution gas G flowing in the pipe 7 toward the suction device 8 becomes equal to or higher than the set value, water is sprayed from the spray nozzle 9 to the dilution gas G, Since the temperature of the diluting gas G is lowered below the set value, it is possible to skillfully avoid thermal damage to the suction device 8.
この場合、温度センサ13を吸引装置８に余り近づけ過
ぎると、希釈ガスＧの温度検出が遅れてスプレーノズル
９から必要以上に水が噴出することになり、また、スプ
レーノズル９と温度センサ13が近すぎると、スプレーノ
ズル９からの水が温度センサ13に付着して、真のガス温
度を検出することができなくなるので、これらを考慮し
てスプレーノズル９と温度センサ13を設置する必要があ
る。In this case, if the temperature sensor 13 is brought too close to the suction device 8, the temperature detection of the dilution gas G will be delayed and water will be jetted more than necessary from the spray nozzle 9, and the spray nozzle 9 and the temperature sensor 13 If it is too close, water from the spray nozzle 9 adheres to the temperature sensor 13 and the true gas temperature cannot be detected. Therefore, it is necessary to install the spray nozzle 9 and the temperature sensor 13 in consideration of them. .
本考案に以上のように構成されるので、吸引装置の構
成部材として高価なものを用いることなく、吸引装置の
熱的損傷を回避することができ、この種のガスサンプリ
ング装置を安価に構成することができる。Since the present invention is configured as described above, it is possible to avoid thermal damage to the suction device without using an expensive component of the suction device, and to construct this type of gas sampling device at low cost. be able to.
第１図は本考案に係るガスサンプリング装置の一例を示
す構成図である。 第２図は従来技術を説明するための図である。 ６……ベンチュリ、７……配管、８……吸引装置、９…
…スプレーノズル、13……温度センサ、Ｇ……ガス。FIG. 1 is a block diagram showing an example of a gas sampling device according to the present invention. FIG. 2 is a diagram for explaining a conventional technique. 6 ... Venturi, 7 ... Piping, 8 ... Suction device, 9 ...
... Spray nozzle, 13 ... Temperature sensor, G ... Gas.
Claims (1)
の配管の下流端に吸引装置を設けてなるガスサンプリン
グ装置において、前記配管内に、水を噴霧するスプレー
ノズルを下流側に向けて配置するとともに、その配管内
を流れるガスの温度を検出する温度センサを、前記スプ
レーノズルの下流側に適宜な間隔をおいて配置し、かつ
その温度センサによって検出されたガスの温度が設定値
以上になると、前記スプレーノズルからガスに対して水
を噴霧させるコントローラを設けてなることを特徴とす
るガスサンプリング装置。1. A gas sampling device comprising a pipe connected to the downstream side of a Venturi pipe and a suction device provided at the downstream end of the pipe, wherein a spray nozzle for spraying water is directed to the downstream side in the pipe. A temperature sensor for detecting the temperature of the gas flowing through the pipe is arranged at an appropriate interval on the downstream side of the spray nozzle, and the temperature of the gas detected by the temperature sensor is equal to or higher than a set value. In this case, a controller for causing water to be sprayed from the spray nozzle onto the gas is provided.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990121146U JPH089627Y2 (en) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | Gas sampling device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990121146U JPH089627Y2 (en) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | Gas sampling device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0478539U JPH0478539U (en) | 1992-07-08 |
| JPH089627Y2 true JPH089627Y2 (en) | 1996-03-21 |
Family
ID=31869019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990121146U Expired - Lifetime JPH089627Y2 (en) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | Gas sampling device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH089627Y2 (en) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4586367A (en) * | 1984-03-19 | 1986-05-06 | Horiba Instruments Incorporated | Proportional exhaust sampler and control means |
| JPS6227549U (en) * | 1985-08-03 | 1987-02-19 | ||
| JP2675561B2 (en) * | 1987-12-18 | 1997-11-12 | 株式会社日立製作所 | Plasma trace element analyzer |
| JPH01227048A (en) * | 1988-03-08 | 1989-09-11 | Fujitsu Ltd | Analyzing apparatus of composition of particle |
-
1990
- 1990-11-19 JP JP1990121146U patent/JPH089627Y2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0478539U (en) | 1992-07-08 |
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