JPH0891925A - チタン酸バリウム系半導体磁器 - Google Patents
チタン酸バリウム系半導体磁器Info
- Publication number
- JPH0891925A JPH0891925A JP6230867A JP23086794A JPH0891925A JP H0891925 A JPH0891925 A JP H0891925A JP 6230867 A JP6230867 A JP 6230867A JP 23086794 A JP23086794 A JP 23086794A JP H0891925 A JPH0891925 A JP H0891925A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- ceramic
- barium titanate
- composition
- based semiconductor
- Prior art date
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 鉛を吸着しないサヤで焼成しても鉛の揮散が
なく一定の電気特性をもつチタン酸バリウム系半導体磁
器を提供する。 【構成】 本発明では、チタン酸バリウム系半導体磁器
組成物のバリウムを鉛で置換する場合に、鉛の置換量を
10mol%以下としたことを特徴とするチタン酸バリ
ウム系半導体磁器。
なく一定の電気特性をもつチタン酸バリウム系半導体磁
器を提供する。 【構成】 本発明では、チタン酸バリウム系半導体磁器
組成物のバリウムを鉛で置換する場合に、鉛の置換量を
10mol%以下としたことを特徴とするチタン酸バリ
ウム系半導体磁器。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、チタン酸バリウム系半
導体磁器の組成に関する。
導体磁器の組成に関する。
【0002】
【従来の技術】チタン酸バリウム系半導体磁器は、温度
変化に対して正の抵抗変化を示す性質をもっており、常
温付近にくらべて、高温時の抵抗値が著しく増加するた
め、温度制御、電流制限などの用途に利用されている。
そして、その高温の特定温度、所謂キュリー点を上昇さ
せるため、含有するバリウムの一部を10〜60mol
%の鉛で置換することがおこなわれている。また、半導
体磁器成分の粒成長を抑えるためにキュリー点を下げる
ストロンチウムの添加もおこなわれている。
変化に対して正の抵抗変化を示す性質をもっており、常
温付近にくらべて、高温時の抵抗値が著しく増加するた
め、温度制御、電流制限などの用途に利用されている。
そして、その高温の特定温度、所謂キュリー点を上昇さ
せるため、含有するバリウムの一部を10〜60mol
%の鉛で置換することがおこなわれている。また、半導
体磁器成分の粒成長を抑えるためにキュリー点を下げる
ストロンチウムの添加もおこなわれている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】チタン酸バリウム系半
導体磁器を焼成する場合において、半導体磁器に含まれ
ている鉛が多い場合には、蒸気圧の高い鉛が焼成時に揮
散してしまう。そのため焼成用のサヤに鉛を吸着させ鉛
の揮散を抑えていた。しかし、サヤに吸着させる鉛は定
量的に制御することができず、そのため焼成した磁器自
体の電気特性にバラツキがでるという問題点があった。
また、サヤに鉛を吸着させると、鉛によってサヤが腐食
され耐用年数が短くなるという欠点があった。本発明は
前記事情に鑑みえなされたもので、前記問題点を解消し
たチタン酸バリウム系半導体磁器を提供することを目的
とする。
導体磁器を焼成する場合において、半導体磁器に含まれ
ている鉛が多い場合には、蒸気圧の高い鉛が焼成時に揮
散してしまう。そのため焼成用のサヤに鉛を吸着させ鉛
の揮散を抑えていた。しかし、サヤに吸着させる鉛は定
量的に制御することができず、そのため焼成した磁器自
体の電気特性にバラツキがでるという問題点があった。
また、サヤに鉛を吸着させると、鉛によってサヤが腐食
され耐用年数が短くなるという欠点があった。本発明は
前記事情に鑑みえなされたもので、前記問題点を解消し
たチタン酸バリウム系半導体磁器を提供することを目的
とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】前記目的に添い、本発明
は、チタン酸バリウム系半導体磁器組成物のバリウムを
鉛で置換する場合に、鉛の置換量を10mol%以下と
したことを特徴とするチタン酸バリウム系半導体磁器で
ある。また、本発明は、前記鉛の置換量を10mol%
以下としたものに、半導体化剤添加量を0.1〜0.5
mol%、マンガン添加量を0.005〜0.03mo
l%としたことを特徴とするチタン酸バリウム系半導体
磁器である。本発明によって鉛を吸着しないサヤで焼成
しても、鉛の揮散がなく一定の電気特性がえられる。
は、チタン酸バリウム系半導体磁器組成物のバリウムを
鉛で置換する場合に、鉛の置換量を10mol%以下と
したことを特徴とするチタン酸バリウム系半導体磁器で
ある。また、本発明は、前記鉛の置換量を10mol%
以下としたものに、半導体化剤添加量を0.1〜0.5
mol%、マンガン添加量を0.005〜0.03mo
l%としたことを特徴とするチタン酸バリウム系半導体
磁器である。本発明によって鉛を吸着しないサヤで焼成
しても、鉛の揮散がなく一定の電気特性がえられる。
【0005】以下、本発明について図面を参照しながら
詳細に説明する。本発明は、チタン酸バリウム系半導体
磁器組成物において、鉛の置換量を10mol%以下に
特定することにより、鉛を吸着しないサヤで焼成をおこ
なっても含まれている鉛の揮散が殆どなく、常に一定の
電気特性を示すチタン酸バリウム系半導体磁器の組成を
提供するものである。なおこの半導体磁器は慣用の方法
に従って原料を混合、仮焼、粉砕、成形、焼成して製作
したものである。
詳細に説明する。本発明は、チタン酸バリウム系半導体
磁器組成物において、鉛の置換量を10mol%以下に
特定することにより、鉛を吸着しないサヤで焼成をおこ
なっても含まれている鉛の揮散が殆どなく、常に一定の
電気特性を示すチタン酸バリウム系半導体磁器の組成を
提供するものである。なおこの半導体磁器は慣用の方法
に従って原料を混合、仮焼、粉砕、成形、焼成して製作
したものである。
【0006】
【実施例】原料として主成分であるBaCO3 、SrC
O3 、PbO、TiO2 、半導体化剤であるY2 O3 、
添加物であるMnCO3 、SiO3 を用い、第1表に示
す比率の半導体磁器組成物が得られるように配合し、こ
れをポリエチレン製ポットミルにて約20時間湿式混合
し、脱水乾燥後、1100℃にて2時間仮焼成を行っ
た。次に仮焼成を行った混合物を、前記ポットミルにて
約20時間湿式粉砕後、PVA(ポリビニルアルコー
ル)を約1wt%加えて造粒した。これらを圧力2to
n/cm2 で油圧成形して直径20mm、厚さ5mmの
円板とし、MgO(マグネシア)製多孔質サヤを用い1
300℃で2時間焼成した。このようにして得られた試
料の両面にNi無電解メッキにより電極を施して、25
℃における室温比抵抗ρ25、抵抗温度係数α、キュリー
温度Tcを測定した。なお、サヤを用いた焼成方法は、
Pb吸着の場合はMgO多孔質サヤにPbO粉末約10
gを入れて、1300℃で2時間処理した物を用い、P
b吸着ナシの場合はMgO多孔質サヤをそのまま用い
た。チタン酸バリウム系半導体磁器組成物〔(Bax Pby S
rz)TiO3 〕において、サヤの鉛吸着の有無と、鉛の置換
量と電気特性との関係について検討した結果を表1に示
す。表1の上半部に鉛の置換量5.0〜20.0mol
%の場合の各試料についての組成を示し、その下半部に
鉛吸着なしのサヤと鉛吸着ありのサヤの場合の各電気特
性を示す。
O3 、PbO、TiO2 、半導体化剤であるY2 O3 、
添加物であるMnCO3 、SiO3 を用い、第1表に示
す比率の半導体磁器組成物が得られるように配合し、こ
れをポリエチレン製ポットミルにて約20時間湿式混合
し、脱水乾燥後、1100℃にて2時間仮焼成を行っ
た。次に仮焼成を行った混合物を、前記ポットミルにて
約20時間湿式粉砕後、PVA(ポリビニルアルコー
ル)を約1wt%加えて造粒した。これらを圧力2to
n/cm2 で油圧成形して直径20mm、厚さ5mmの
円板とし、MgO(マグネシア)製多孔質サヤを用い1
300℃で2時間焼成した。このようにして得られた試
料の両面にNi無電解メッキにより電極を施して、25
℃における室温比抵抗ρ25、抵抗温度係数α、キュリー
温度Tcを測定した。なお、サヤを用いた焼成方法は、
Pb吸着の場合はMgO多孔質サヤにPbO粉末約10
gを入れて、1300℃で2時間処理した物を用い、P
b吸着ナシの場合はMgO多孔質サヤをそのまま用い
た。チタン酸バリウム系半導体磁器組成物〔(Bax Pby S
rz)TiO3 〕において、サヤの鉛吸着の有無と、鉛の置換
量と電気特性との関係について検討した結果を表1に示
す。表1の上半部に鉛の置換量5.0〜20.0mol
%の場合の各試料についての組成を示し、その下半部に
鉛吸着なしのサヤと鉛吸着ありのサヤの場合の各電気特
性を示す。
【0007】
【表1】 表1によれば、鉛置換量(Ymol%)が10mol%
以下では、電気特性はサヤの鉛吸着の有無に関係なく殆
ど変わらない。しかし、鉛置換量が10mol%を越え
ると、鉛を吸着しないサヤの場合、室温比抵抗ρ25が高
くなり、さらに鉛置換量が多くなるにつれて、それがさ
らに高くなっていく。
以下では、電気特性はサヤの鉛吸着の有無に関係なく殆
ど変わらない。しかし、鉛置換量が10mol%を越え
ると、鉛を吸着しないサヤの場合、室温比抵抗ρ25が高
くなり、さらに鉛置換量が多くなるにつれて、それがさ
らに高くなっていく。
【0008】図1に鉛置換量が7.5mol%の場合の
抵抗−温度特性を、図2に同じく15mol%の場合の
抵抗−温度特性を示す。図1によれば、鉛吸着のサヤも
鉛吸着なしのサヤも、抵抗−温度特性は殆ど変らない。
また、図2によれば、鉛吸着などのサヤを用いた場合、
鉛吸着有のサヤを用いた場合に比較して全体的に高比抵
抗値側にシフトしていることが判る。以上の結果から、
鉛置換量が10mol%以下の場合には、鉛を吸着しな
いサヤで焼成しても、鉛を吸着したサヤで焼成した場合
と同等の電気特性を示していることが判る。よって鉛置
換量は10mol%以下の組成とすることが好ましい。
なお、前記各データは下記による。 R1 :温度T1 (℃)における抵抗値(Ω) R2 :温度T2 (℃)における抵抗値(Ω) ・キュリー温度Tc =抵抗値が室温抵抗値の2倍になる
温度(℃)
抵抗−温度特性を、図2に同じく15mol%の場合の
抵抗−温度特性を示す。図1によれば、鉛吸着のサヤも
鉛吸着なしのサヤも、抵抗−温度特性は殆ど変らない。
また、図2によれば、鉛吸着などのサヤを用いた場合、
鉛吸着有のサヤを用いた場合に比較して全体的に高比抵
抗値側にシフトしていることが判る。以上の結果から、
鉛置換量が10mol%以下の場合には、鉛を吸着しな
いサヤで焼成しても、鉛を吸着したサヤで焼成した場合
と同等の電気特性を示していることが判る。よって鉛置
換量は10mol%以下の組成とすることが好ましい。
なお、前記各データは下記による。 R1 :温度T1 (℃)における抵抗値(Ω) R2 :温度T2 (℃)における抵抗値(Ω) ・キュリー温度Tc =抵抗値が室温抵抗値の2倍になる
温度(℃)
【0009】次に、前記に関連して、表2に、該表に示
す比率で配合した後、前記実施例と同様に混合、成形、
焼成、電極付与を行なったものについて、半導体化剤添
加量と電気特性の関係について検討した結果を示す。
す比率で配合した後、前記実施例と同様に混合、成形、
焼成、電極付与を行なったものについて、半導体化剤添
加量と電気特性の関係について検討した結果を示す。
【0010】
【表2】 表2によれば、半導体化剤の添加量は、0.6mol%
から室温比抵抗ρ25が急激に上昇し、0.1〜0.5m
ol%の範囲で良好な室温比抵抗ρ25と抵抗−温度係数
αの値がえられた。よって、半導体化剤添加量は0.1
〜0.5mol%が好ましい。次に、前記結果にもとづ
き、前記実施例と同じ要領で作成したものについて、表
3にマンガン添加量と電気特性との関係について検討し
た結果を示す。
から室温比抵抗ρ25が急激に上昇し、0.1〜0.5m
ol%の範囲で良好な室温比抵抗ρ25と抵抗−温度係数
αの値がえられた。よって、半導体化剤添加量は0.1
〜0.5mol%が好ましい。次に、前記結果にもとづ
き、前記実施例と同じ要領で作成したものについて、表
3にマンガン添加量と電気特性との関係について検討し
た結果を示す。
【0011】
【表3】 表3によればマンガン添加量は0.005〜0.03m
ol%の範囲で良好な室温比抵抗ρ25と良好な抵抗−温
度係数αを示した。よってマンガン添加量は0.005
〜0.03mol%に限定することが好ましい。
ol%の範囲で良好な室温比抵抗ρ25と良好な抵抗−温
度係数αを示した。よってマンガン添加量は0.005
〜0.03mol%に限定することが好ましい。
【0012】
【発明の効果】本発明に係るチタン酸バリウム系半導体
磁器によれば、焼成時に鉛を吸着しないサヤで焼成して
も鉛の揮散が殆どないため、常に一定の電気特性のもの
がえられる。したがってサヤに鉛を吸着させる工程を省
略することができる。また、サヤに鉛を吸着させないた
め、サヤの腐食がなくなり、耐用年数が長くなるという
効果がえられる。
磁器によれば、焼成時に鉛を吸着しないサヤで焼成して
も鉛の揮散が殆どないため、常に一定の電気特性のもの
がえられる。したがってサヤに鉛を吸着させる工程を省
略することができる。また、サヤに鉛を吸着させないた
め、サヤの腐食がなくなり、耐用年数が長くなるという
効果がえられる。
【図1】チタン酸バリウム系半導体磁器において、鉛置
換量が7.5mol%の場合における抵抗−温度特性の
関係を示すグラフである。
換量が7.5mol%の場合における抵抗−温度特性の
関係を示すグラフである。
【図2】同じく、鉛置換量が15mol%の場合におけ
る抵抗−温度特性の関係を示すグラフである。
る抵抗−温度特性の関係を示すグラフである。
Claims (2)
- 【請求項1】 チタン酸バリウム系半導体磁器組成物の
バリウムを鉛で置換する場合に、鉛の置換量を10mo
l%以下としたことを特徴とするチタン酸バリウム系半
導体磁器。 - 【請求項2】 チタン酸バリウム系半導体磁器組成物に
おいて、半導体化剤添加量を0.1〜0.5mol%、
マンガン添加量を0.005〜0.03mol%とした
ことを特徴とする請求項1に記載のチタン酸バリウム系
半導体磁器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6230867A JPH0891925A (ja) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | チタン酸バリウム系半導体磁器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6230867A JPH0891925A (ja) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | チタン酸バリウム系半導体磁器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0891925A true JPH0891925A (ja) | 1996-04-09 |
Family
ID=16914555
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6230867A Pending JPH0891925A (ja) | 1994-09-27 | 1994-09-27 | チタン酸バリウム系半導体磁器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0891925A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2277363A (en) * | 1993-03-26 | 1994-10-26 | Fichtel & Sachs Ag | Means for attaching a clutch assembly to a crankshaft |
GB2296958A (en) * | 1993-03-26 | 1996-07-17 | Fichtel & Sachs Ag | Clutch assembly and crankshaft attachment means including an adhesive |
-
1994
- 1994-09-27 JP JP6230867A patent/JPH0891925A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2277363A (en) * | 1993-03-26 | 1994-10-26 | Fichtel & Sachs Ag | Means for attaching a clutch assembly to a crankshaft |
GB2296958A (en) * | 1993-03-26 | 1996-07-17 | Fichtel & Sachs Ag | Clutch assembly and crankshaft attachment means including an adhesive |
GB2296959A (en) * | 1993-03-26 | 1996-07-17 | Fichtel & Sachs Ag | Clutch assembly and crankshaft attachment means having torque transmitting dowels |
GB2277363B (en) * | 1993-03-26 | 1997-10-08 | Fichtel & Sachs Ag | Means for attaching a clutch assembly to a crankshaft |
GB2296959B (en) * | 1993-03-26 | 1997-10-08 | Fichtel & Sachs Ag | Means for attaching a clutch assembly to a crankshaft |
GB2296958B (en) * | 1993-03-26 | 1997-10-08 | Fichtel & Sachs Ag | Means for attaching a clutch assembly to a crankshaft |
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