JPH0886848A - 磁気検出器 - Google Patents
磁気検出器Info
- Publication number
- JPH0886848A JPH0886848A JP6221309A JP22130994A JPH0886848A JP H0886848 A JPH0886848 A JP H0886848A JP 6221309 A JP6221309 A JP 6221309A JP 22130994 A JP22130994 A JP 22130994A JP H0886848 A JPH0886848 A JP H0886848A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetoresistive element
- element chip
- film
- lead
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗素子を利用した磁気検出器におい
て、磁気抵抗素子と保護ケースとのエアーギャップを小
さく精度良くする。 【構成】 磁気抵抗素子チップ１のリード取り出しのた
めに、取り出しリード１３を形成した絶縁フィルム２を
用い、リード１３面を磁気抵抗素子チップ１側に絶縁層
８面を保護ケース側になるようにし、しかも、磁気抵抗
素子チップ面上の絶縁層８を除去したデバイスホール１
８を有する構成で接続する。
て、磁気抵抗素子と保護ケースとのエアーギャップを小
さく精度良くする。 【構成】 磁気抵抗素子チップ１のリード取り出しのた
めに、取り出しリード１３を形成した絶縁フィルム２を
用い、リード１３面を磁気抵抗素子チップ１側に絶縁層
８面を保護ケース側になるようにし、しかも、磁気抵抗
素子チップ面上の絶縁層８を除去したデバイスホール１
８を有する構成で接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気を感じて電気抵抗
値を変化させる磁気抵抗素子を利用した磁気検出器に関
するものである。
値を変化させる磁気抵抗素子を利用した磁気検出器に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩｎＳｂ，ＩｎＳｂ−ＮｉＳｂ，ＩｎＡ
ｓ等のキャリヤ移動度が高い半導体、またはＮｉ−Ｃ
ｏ，Ｎｉ−Ｆｅ，Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ等の強磁性体は、磁
界を作用させたとき抵抗値が変化するという性質を有し
ており、上記のような磁気抵抗素子の性質を利用したも
のが、磁気検出器である。
ｓ等のキャリヤ移動度が高い半導体、またはＮｉ−Ｃ
ｏ，Ｎｉ−Ｆｅ，Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏ等の強磁性体は、磁
界を作用させたとき抵抗値が変化するという性質を有し
ており、上記のような磁気抵抗素子の性質を利用したも
のが、磁気検出器である。
【０００３】一般的な磁気検出器の構造は、図５の概略
断面図に示すように構成されている。図中３１は、磁気
抵抗素子チップでその表面（図面上の３５の矢印の直
下）に磁気感知部がある。３２は、磁気抵抗素子チップ
３１の電気信号の取り出し部（リード取り出し）であ
る。３３は、永久磁石のバイアス磁石、３４は、電磁シ
ールドを兼ねた金属製の保護ケースである。
断面図に示すように構成されている。図中３１は、磁気
抵抗素子チップでその表面（図面上の３５の矢印の直
下）に磁気感知部がある。３２は、磁気抵抗素子チップ
３１の電気信号の取り出し部（リード取り出し）であ
る。３３は、永久磁石のバイアス磁石、３４は、電磁シ
ールドを兼ねた金属製の保護ケースである。
【０００４】磁気抵抗素子チップ３１上の保護ケース３
４の表面を、被検出の磁気材（例えば紙幣など）が圧接
移動する。圧接により保護ケース３４がたわむこともあ
るので、磁気抵抗素子チップ３１と、保護ケース３４間
には、エアーギャップ（空隙）３５が設けられ、磁気抵
抗素子チップ３１の応力歪みによる雑音の発生（今後、
ピエゾノイズと呼ぶ）を防いでいる。またこのエアーギ
ャップは保護ケース３４と磁気抵抗素子チップ３１の電
気信号の取り出し部３２との絶縁をも兼ねている。
４の表面を、被検出の磁気材（例えば紙幣など）が圧接
移動する。圧接により保護ケース３４がたわむこともあ
るので、磁気抵抗素子チップ３１と、保護ケース３４間
には、エアーギャップ（空隙）３５が設けられ、磁気抵
抗素子チップ３１の応力歪みによる雑音の発生（今後、
ピエゾノイズと呼ぶ）を防いでいる。またこのエアーギ
ャップは保護ケース３４と磁気抵抗素子チップ３１の電
気信号の取り出し部３２との絶縁をも兼ねている。
【０００５】従来のエアーギャップ３５及び磁気抵抗素
子チップ３１の電気信号の取り出し部を、さらに拡大し
た詳細断面図を二例、図６，７に示す。
子チップ３１の電気信号の取り出し部を、さらに拡大し
た詳細断面図を二例、図６，７に示す。
【０００６】図６は、磁気抵抗素子チップ３１からの電
気信号の取り出し部にリードフレーム３６を用いた構成
である。磁気抵抗素子チップ３１を樹脂製のホルダー３
７に接着固定し、金属板性リードフレーム３６にはんだ
接合し、金属製の外部端子３９への接続をはんだ接合で
行って、磁気抵抗素子チップ３１からの電気信号の取り
出しをしている。エアーギャップ３５の確保は、ホルダ
ーに突起３８を設け保護ケース３４に突起３８を当てる
ことで行っている。突起３８は、磁気抵抗素子チップ３
１の固定領域及びリードフレーム３６の占有領域以上の
高さに設定している。
気信号の取り出し部にリードフレーム３６を用いた構成
である。磁気抵抗素子チップ３１を樹脂製のホルダー３
７に接着固定し、金属板性リードフレーム３６にはんだ
接合し、金属製の外部端子３９への接続をはんだ接合で
行って、磁気抵抗素子チップ３１からの電気信号の取り
出しをしている。エアーギャップ３５の確保は、ホルダ
ーに突起３８を設け保護ケース３４に突起３８を当てる
ことで行っている。突起３８は、磁気抵抗素子チップ３
１の固定領域及びリードフレーム３６の占有領域以上の
高さに設定している。
【０００７】図７は、磁気抵抗素子チップ３１からの電
気信号の取り出し部にワイヤーボンディングのワイヤー
４１を用いた構成である。磁気抵抗素子チップ３１を固
定配線基板４２に接着固定してワイヤー４１により、磁
気抵抗素子チップ３１からの電気信号の取り出しを固定
配線基板４２にボンディング接続し、固定配線基板４２
よりスルーホールを通じて金属外部端子３９への接続を
半田付け等で行っている。エアーギャップ３５の確保
は、固定配線基板４２の周辺に絶縁性のスペイサー４３
をワイヤー４１領域以上に高く設け接着固定し、保護ケ
ース３４にスペイサー４３を当てることにより行ってい
る。
気信号の取り出し部にワイヤーボンディングのワイヤー
４１を用いた構成である。磁気抵抗素子チップ３１を固
定配線基板４２に接着固定してワイヤー４１により、磁
気抵抗素子チップ３１からの電気信号の取り出しを固定
配線基板４２にボンディング接続し、固定配線基板４２
よりスルーホールを通じて金属外部端子３９への接続を
半田付け等で行っている。エアーギャップ３５の確保
は、固定配線基板４２の周辺に絶縁性のスペイサー４３
をワイヤー４１領域以上に高く設け接着固定し、保護ケ
ース３４にスペイサー４３を当てることにより行ってい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、エアー
ギャップ３５は、磁気抵抗素子チップ３１への応力によ
るピエゾノイズを防ぐと共に保護ケース３４と磁気抵抗
素子チップ３１の電気信号の取り出し部との絶縁対策の
ために必要である。一方、最近の、検出する磁気材の微
量変位や検出感度向上の要求に対処するためには、被検
出体と磁気検知部とを極力近づけて、ギャップ量を小さ
く安定に形成する必要がある。
ギャップ３５は、磁気抵抗素子チップ３１への応力によ
るピエゾノイズを防ぐと共に保護ケース３４と磁気抵抗
素子チップ３１の電気信号の取り出し部との絶縁対策の
ために必要である。一方、最近の、検出する磁気材の微
量変位や検出感度向上の要求に対処するためには、被検
出体と磁気検知部とを極力近づけて、ギャップ量を小さ
く安定に形成する必要がある。
【０００９】図６のホルダー突起によるエアーギャップ
設定の場合は、エアーギャップの寸法は、磁気抵抗素子
チップ３１のホルダー接着固定層の厚み、磁気抵抗素子
チップ３１自身の厚み、リードフレーム３６の厚み、磁
気抵抗素子チップ３１とリードフレーム３６の接着はん
だ層の厚みをホルダー突起寸法から差し引いた量とな
る。各構成材料の厚みにはバラツキがあり、接着、はん
だ付けの工法上も厚みバラツキが発生し、これらの累積
したバラツキがエアーギャップ寸法の寸法精度となるの
で、寸法精度を良くすることが難しい。
設定の場合は、エアーギャップの寸法は、磁気抵抗素子
チップ３１のホルダー接着固定層の厚み、磁気抵抗素子
チップ３１自身の厚み、リードフレーム３６の厚み、磁
気抵抗素子チップ３１とリードフレーム３６の接着はん
だ層の厚みをホルダー突起寸法から差し引いた量とな
る。各構成材料の厚みにはバラツキがあり、接着、はん
だ付けの工法上も厚みバラツキが発生し、これらの累積
したバラツキがエアーギャップ寸法の寸法精度となるの
で、寸法精度を良くすることが難しい。
【００１０】一般に磁気抵抗素子チップ３１の厚みは約
０．６mmぐらいで精度の良いものでも±０．０５mmの寸
法許容差があり、リードフレームの厚みは０．１５mmで
精度の良いものでも±０．０３mmの寸法許容差がある。
またホルダーの樹脂は±０．０５mmの許容差が必要であ
るし、接着、はんだ付けについても厳しい管理としても
各±０．０５mmの許容差が必要であろう。これらを累積
して、±０．２３mmのエアーギャップ寸法バラツキが生
じる。またエアーギャップ寸法自体の値としては前記バ
ラツキに加えてリードフレームの厚み分０．１５mmが必
要となり、０．３８mm以上必要となってしまう。
０．６mmぐらいで精度の良いものでも±０．０５mmの寸
法許容差があり、リードフレームの厚みは０．１５mmで
精度の良いものでも±０．０３mmの寸法許容差がある。
またホルダーの樹脂は±０．０５mmの許容差が必要であ
るし、接着、はんだ付けについても厳しい管理としても
各±０．０５mmの許容差が必要であろう。これらを累積
して、±０．２３mmのエアーギャップ寸法バラツキが生
じる。またエアーギャップ寸法自体の値としては前記バ
ラツキに加えてリードフレームの厚み分０．１５mmが必
要となり、０．３８mm以上必要となってしまう。
【００１１】図７のスペイサーによるエアーギャップ設
定の場合も同じように、エアーギャップの寸法は、磁気
抵抗素子チップ３１と固定配線基板との接着厚み、磁気
抵抗素子チップ３１自身の厚みを、スペイサー厚みから
差し引いた量となり、各構成材料、工法での厚みバラツ
キの累積を小さくすることは難しい。即ち図６で計算し
た先の従来例とあまり変わらない値となってしまう。
定の場合も同じように、エアーギャップの寸法は、磁気
抵抗素子チップ３１と固定配線基板との接着厚み、磁気
抵抗素子チップ３１自身の厚みを、スペイサー厚みから
差し引いた量となり、各構成材料、工法での厚みバラツ
キの累積を小さくすることは難しい。即ち図６で計算し
た先の従来例とあまり変わらない値となってしまう。
【００１２】本発明は上記課題を解消し、エアーギャッ
プの寸法精度を高精度とし、しかも、エアーギャップ寸
法自体を小さくすることにより、安定した高感度の磁気
検出器を提供することを目的とする。
プの寸法精度を高精度とし、しかも、エアーギャップ寸
法自体を小さくすることにより、安定した高感度の磁気
検出器を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の磁気検出器は、表面に取り出しリードを形
成した絶縁フィルムを、リード形成面を前記磁気抵抗素
子チップ側に、絶縁面を前記保護ケース側にし、前記磁
気抵抗素子チップ表面上の前記絶縁フィルムを除去した
構成で、前記絶縁フィルムの取り出しリードを前記磁気
抵抗素子チップの表面に接続したものである。
め、本発明の磁気検出器は、表面に取り出しリードを形
成した絶縁フィルムを、リード形成面を前記磁気抵抗素
子チップ側に、絶縁面を前記保護ケース側にし、前記磁
気抵抗素子チップ表面上の前記絶縁フィルムを除去した
構成で、前記絶縁フィルムの取り出しリードを前記磁気
抵抗素子チップの表面に接続したものである。
【００１４】
【作用】上記構成によると、エアーギャップ寸法は絶縁
フィルム厚みと取り出しリード厚となる。両者とも従来
より非常に薄いものである。
フィルム厚みと取り出しリード厚となる。両者とも従来
より非常に薄いものである。
【００１５】そこで、従来のような磁気抵抗素子チップ
自身の厚み、接着厚み、ホルダー又はスペイサーの厚み
等の部品厚みバラツキ、加工厚みバラツキの発生が非常
に小さくなり、また、工法も簡単になり、エアーギャッ
プを安定にしかも薄く規制できるので、安定した高感度
の磁気検出器を提供することが出来る。
自身の厚み、接着厚み、ホルダー又はスペイサーの厚み
等の部品厚みバラツキ、加工厚みバラツキの発生が非常
に小さくなり、また、工法も簡単になり、エアーギャッ
プを安定にしかも薄く規制できるので、安定した高感度
の磁気検出器を提供することが出来る。
【００１６】
（実施例１）以下、本発明の一実施例について図１に基
づき説明する。図１は本発明の一実施例の磁気検出器の
断面図である。図中の１は、その表面に、ＩｎＳｂ，Ｉ
ｎＳｂ−ＮｉＳｂ，ＩｎＡｓ等のキャリヤ移動度が高い
半導体またはＮｉ−Ｃｏ，Ｎｉ−Ｆｅ，Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ等の強磁性体磁気抵抗部１１と厚み約１〜２μｍの金
で出来たリード取り出し電極部を形成した０．６mm厚み
のガラスチップである。この構成は、従来例の説明での
磁気抵抗素子チップ３１と同様である。
づき説明する。図１は本発明の一実施例の磁気検出器の
断面図である。図中の１は、その表面に、ＩｎＳｂ，Ｉ
ｎＳｂ−ＮｉＳｂ，ＩｎＡｓ等のキャリヤ移動度が高い
半導体またはＮｉ−Ｃｏ，Ｎｉ−Ｆｅ，Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ等の強磁性体磁気抵抗部１１と厚み約１〜２μｍの金
で出来たリード取り出し電極部を形成した０．６mm厚み
のガラスチップである。この構成は、従来例の説明での
磁気抵抗素子チップ３１と同様である。
【００１７】２は、取り出しリード１３をポリイミド等
の絶縁層８の表面に形成したフィルムである。磁気抵抗
素子チップ１上のポリイミド等の絶縁層は除去されてい
る。１８は、上記の除去された絶縁層領域でありデバイ
スホールと呼び、このデバイスホールがエアーギャップ
空間となる。磁気抵抗素子チップ１の電極と電極取り出
しリードとの接続は、このデバイスホール内にてチップ
の電極とリードを重ね合わせ、高温に保ったヒーター棒
の先端を当てて加熱する工程にて形成される。１０は、
電極取り出しリードのアウト端子部であり、金属棒状の
外部端子４にはんだ付けされている。
の絶縁層８の表面に形成したフィルムである。磁気抵抗
素子チップ１上のポリイミド等の絶縁層は除去されてい
る。１８は、上記の除去された絶縁層領域でありデバイ
スホールと呼び、このデバイスホールがエアーギャップ
空間となる。磁気抵抗素子チップ１の電極と電極取り出
しリードとの接続は、このデバイスホール内にてチップ
の電極とリードを重ね合わせ、高温に保ったヒーター棒
の先端を当てて加熱する工程にて形成される。１０は、
電極取り出しリードのアウト端子部であり、金属棒状の
外部端子４にはんだ付けされている。
【００１８】３は、磁気抵抗素子チップ１、フィルム
２、外部端子４等を固定するホルダーであり、チップ全
体が挿入される穴部を持っている。１３はフィルム２と
の接着固定部であり、接着剤で固定されている。１６は
磁気抵抗素子チップ１との接着固定部であり接着樹脂で
固定されている。５は、磁気抵抗素子にバイアス磁界を
かけるためのフェライト焼結体のバイアス磁石であり、
磁気抵抗素子チップ１の固定と反対面のホルダーに接着
固定されている。６は、ステンレス製の保護ケースであ
り、フィルム２のフィルム面とぴったり接触している。
７は、保護ケース内の密閉封止材であり、外部端子４や
ホルダー３等の固定もかねている。
２、外部端子４等を固定するホルダーであり、チップ全
体が挿入される穴部を持っている。１３はフィルム２と
の接着固定部であり、接着剤で固定されている。１６は
磁気抵抗素子チップ１との接着固定部であり接着樹脂で
固定されている。５は、磁気抵抗素子にバイアス磁界を
かけるためのフェライト焼結体のバイアス磁石であり、
磁気抵抗素子チップ１の固定と反対面のホルダーに接着
固定されている。６は、ステンレス製の保護ケースであ
り、フィルム２のフィルム面とぴったり接触している。
７は、保護ケース内の密閉封止材であり、外部端子４や
ホルダー３等の固定もかねている。
【００１９】本実施例の磁気抵抗素子チップとフィルム
２の拡大断面図を図２（ａ）に、平面図を図２（ｂ）に
示す。図中の一点鎖線で示すところが磁気抵抗素子チッ
プ１であり、その磁気検知部は１１の部分である。磁気
検知部１１の上のデバイスホール１８の一部には、磁気
抵抗素子チップ１と接続するため取り出しリードの一部
が１２のように突出している。またフィルムの構成は、 絶縁層８：２５μｍ（または５０μｍ）のポリイミド、 接着層９：１０μｍの接着剤、 取り出しリード１０：３０μｍの銅箔、 であり総厚み６５μｍ±１０μｍ（または９０μｍ±１
０μｍ）である。
２の拡大断面図を図２（ａ）に、平面図を図２（ｂ）に
示す。図中の一点鎖線で示すところが磁気抵抗素子チッ
プ１であり、その磁気検知部は１１の部分である。磁気
検知部１１の上のデバイスホール１８の一部には、磁気
抵抗素子チップ１と接続するため取り出しリードの一部
が１２のように突出している。またフィルムの構成は、 絶縁層８：２５μｍ（または５０μｍ）のポリイミド、 接着層９：１０μｍの接着剤、 取り出しリード１０：３０μｍの銅箔、 であり総厚み６５μｍ±１０μｍ（または９０μｍ±１
０μｍ）である。
【００２０】この構造にすると、エアーギャップはこの
フィルム２の総厚みと等しいことになる。即ちエアーギ
ャップも６５μｍ（０．０６５mm）となり従来より非常
に小さく、またそのバラツキも±１０μｍ（０．０１m
m）と、非常に精度の良いものになる。
フィルム２の総厚みと等しいことになる。即ちエアーギ
ャップも６５μｍ（０．０６５mm）となり従来より非常
に小さく、またそのバラツキも±１０μｍ（０．０１m
m）と、非常に精度の良いものになる。
【００２１】実際にこの構造で磁気検出器の作成を行っ
たところ、試料数Ｎ＝１００での実装厚は、絶縁層が２
５μｍのもので、エアーギャップは５８〜８４μｍの範
囲、絶縁層が５０μｍのもので、エアーギャップは８２
〜１０８μｍの範囲であった。以上より、実際にエアー
ギャップ量を安定に且つ小さく形成することが出来たと
いえる。又、保護ケースとのショート発生も無く、検出
物の圧接移動検出特性試験でのピエゾノイズ発生もみら
れなかった。
たところ、試料数Ｎ＝１００での実装厚は、絶縁層が２
５μｍのもので、エアーギャップは５８〜８４μｍの範
囲、絶縁層が５０μｍのもので、エアーギャップは８２
〜１０８μｍの範囲であった。以上より、実際にエアー
ギャップ量を安定に且つ小さく形成することが出来たと
いえる。又、保護ケースとのショート発生も無く、検出
物の圧接移動検出特性試験でのピエゾノイズ発生もみら
れなかった。
【００２２】エアーギャップの値がフィルム総厚みより
やや大きい値となっているのは、磁気抵抗素子チップ１
と接続するため取り出しリードの一部１２との接続箇所
での全電極の厚みや、その表面の一部に形成されたパッ
シベーション膜等の影響が出ていると思われる。
やや大きい値となっているのは、磁気抵抗素子チップ１
と接続するため取り出しリードの一部１２との接続箇所
での全電極の厚みや、その表面の一部に形成されたパッ
シベーション膜等の影響が出ていると思われる。
【００２３】尚、本実施例では、小片のフレキ基板をフ
ィルムとして用いたが、多数取りの出来るＴＡＢフィル
ムを用いても、同等の効果が得られると共に生産性が向
上する。
ィルムとして用いたが、多数取りの出来るＴＡＢフィル
ムを用いても、同等の効果が得られると共に生産性が向
上する。
【００２４】しかも、取り出しリードの接合部付近にフ
ィルム２の絶縁層８が無く、接合部が完全に露出してい
るので、接合部の洗浄、検査、修理等が簡単に信頼性良
くできる長所がある。
ィルム２の絶縁層８が無く、接合部が完全に露出してい
るので、接合部の洗浄、検査、修理等が簡単に信頼性良
くできる長所がある。
【００２５】また、接着層９なしのフィルム基板２を使
用しても同様の効果が得られることは言うまでもない。
用しても同様の効果が得られることは言うまでもない。
【００２６】（実施例２）本発明の第２の実施例の磁気
抵抗素子チップとフィルム２の拡大断面図を図３（ａ）
に、平面図を図３（ｂ）に示す。本実施例は、第１の実
施例とほぼ同じ構成であるが、図３（ｂ）の一点鎖線で
示されるごとく、フィルム２のデバイスホールサイズよ
りも磁気抵抗素子チップ１のサイズが大きい構成のもの
である。
抵抗素子チップとフィルム２の拡大断面図を図３（ａ）
に、平面図を図３（ｂ）に示す。本実施例は、第１の実
施例とほぼ同じ構成であるが、図３（ｂ）の一点鎖線で
示されるごとく、フィルム２のデバイスホールサイズよ
りも磁気抵抗素子チップ１のサイズが大きい構成のもの
である。
【００２７】このように構成し、磁気抵抗素子チップ１
を裏側から押して金属のケース６にフィルムが圧接する
ように組み込むと、エアーギャップは図３（ｂ）中の８
ａの箇所のフィルムの厚みと全く同じ値となる。磁気抵
抗素子チップはガラス製でほぼ剛体であり、実施例１で
言及したリードの一部１２との接合箇所での膨らみは、
押されたことでわずかに変形し、磁気抵抗素子チップが
８ａ部分に当たった状態で寸法が安定するためである。
即ち、接合箇所での歪み等によるバラツキを排除できる
メリットがある。
を裏側から押して金属のケース６にフィルムが圧接する
ように組み込むと、エアーギャップは図３（ｂ）中の８
ａの箇所のフィルムの厚みと全く同じ値となる。磁気抵
抗素子チップはガラス製でほぼ剛体であり、実施例１で
言及したリードの一部１２との接合箇所での膨らみは、
押されたことでわずかに変形し、磁気抵抗素子チップが
８ａ部分に当たった状態で寸法が安定するためである。
即ち、接合箇所での歪み等によるバラツキを排除できる
メリットがある。
【００２８】実際にこの構造で磁気検出器の作成を行っ
たところ、試料数Ｎ＝１００での実装厚は、絶縁層が２
５μｍのもので、エアーギャップは６３〜７８μｍの範
囲、絶縁層が５０μｍのもので、エアーギャップは８７
〜１０２μｍの範囲であり、第１の実施例よりさらにエ
アーギャップ量を安定に尚小さく形成することが出来
た。これは、磁気抵抗素子チップ１がフィルム２に直接
接触するためである。又、保護ケースとのショート発生
も無かった。検出物の圧接移動検出特性については若干
のピエゾノイズ発生が見られたが検出性への影響にはい
たっていない。
たところ、試料数Ｎ＝１００での実装厚は、絶縁層が２
５μｍのもので、エアーギャップは６３〜７８μｍの範
囲、絶縁層が５０μｍのもので、エアーギャップは８７
〜１０２μｍの範囲であり、第１の実施例よりさらにエ
アーギャップ量を安定に尚小さく形成することが出来
た。これは、磁気抵抗素子チップ１がフィルム２に直接
接触するためである。又、保護ケースとのショート発生
も無かった。検出物の圧接移動検出特性については若干
のピエゾノイズ発生が見られたが検出性への影響にはい
たっていない。
【００２９】（実施例３）本発明の第３の実施例の磁気
抵抗素子チップとフィルム２の拡大断面図を図４（ａ）
に、平面図を図４（ｂ）に示す。本実施例は、第１の実
施例とほぼ同じ構成であるが、図４（ｂ）の一点鎖線で
示されるごとく、磁気抵抗素子チップ１の一部がフィル
ムの絶縁層に８ｂの位置で接している構成のものであ
る。
抵抗素子チップとフィルム２の拡大断面図を図４（ａ）
に、平面図を図４（ｂ）に示す。本実施例は、第１の実
施例とほぼ同じ構成であるが、図４（ｂ）の一点鎖線で
示されるごとく、磁気抵抗素子チップ１の一部がフィル
ムの絶縁層に８ｂの位置で接している構成のものであ
る。
【００３０】このように構成し、磁気抵抗素子チップ１
を裏側から押して金属のケース６にフィルムが圧接する
ように組み込むと、エアーギャップは図４（ｂ）中の８
ｂの箇所のフィルムの厚みと全く同じ値となる。これは
実施例２での寸法の決まるメカニズムとほぼ同様であ
る。実施例２では、寸法が絶縁層８と接着層９と取り出
しリード１３との総厚みのバラツキに依存するが、本実
施例では絶縁層８のみの厚みバラツキに依存するため、
さらに精度が上がる。また、勿論エアーギャップ自身も
小さくなる。
を裏側から押して金属のケース６にフィルムが圧接する
ように組み込むと、エアーギャップは図４（ｂ）中の８
ｂの箇所のフィルムの厚みと全く同じ値となる。これは
実施例２での寸法の決まるメカニズムとほぼ同様であ
る。実施例２では、寸法が絶縁層８と接着層９と取り出
しリード１３との総厚みのバラツキに依存するが、本実
施例では絶縁層８のみの厚みバラツキに依存するため、
さらに精度が上がる。また、勿論エアーギャップ自身も
小さくなる。
【００３１】
【発明の効果】以上のように本発明の構成によれば、表
面に取り出しリードを形成した絶縁層のフィルムの、リ
ード形成面を磁気抵抗素子チップ側に、絶縁層を保護ケ
ース側にし、磁気抵抗素子チップ表面の磁気検知部上の
フィルムの絶縁層を除去した構成で、フィルムの取り出
しリードを磁気抵抗素子チップの表面に接続することに
より、エアーギャップを小さく精度良くしかも簡単な工
法で形成することが出来、これにより、磁気信号の微量
変位を感度良く検出できる磁気検出器を提供することが
できるものである。
面に取り出しリードを形成した絶縁層のフィルムの、リ
ード形成面を磁気抵抗素子チップ側に、絶縁層を保護ケ
ース側にし、磁気抵抗素子チップ表面の磁気検知部上の
フィルムの絶縁層を除去した構成で、フィルムの取り出
しリードを磁気抵抗素子チップの表面に接続することに
より、エアーギャップを小さく精度良くしかも簡単な工
法で形成することが出来、これにより、磁気信号の微量
変位を感度良く検出できる磁気検出器を提供することが
できるものである。
【図１】本発明の第１の実施例の磁気検出器の概略断面
図
図
【図２】本発明の第１の実施例の磁気抵抗素子チップと
フィルムの拡大断面図
フィルムの拡大断面図
【図３】本発明の第２の実施例の磁気抵抗素子チップと
フィルムの拡大断面図
フィルムの拡大断面図
【図４】本発明の第３の実施例の磁気抵抗素子チップと
フィルムの拡大断面図
フィルムの拡大断面図
【図５】従来の磁気検出器を示す概略断面図
【図６】従来の第１のエアーギャップ形成部分の拡大断
面図
面図
【図７】従来の第２のエアーギャップ形成部分の拡大断
面図
面図
１ 磁気抵抗素子チップ ２ フィルム ６ 保護ケース ８ 絶縁層 １３ 取り出しリード １８ デバイスホール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 倉増 敬三郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 表面上に磁気検知膜を有する磁気抵抗素
子チップと、保護ケースと、表面に取り出しリードを形
成した絶縁層のフィルムとを備え、リード形成面を前記
磁気抵抗素子チップ側に、絶縁層を前記保護ケース側に
し、前記磁気抵抗素子チップ表面の磁気検知部上の前記
フィルムの絶縁層を除去した構成で、前記フィルムの取
り出しリードを前記磁気抵抗素子チップの表面に接続し
た磁気検出器。 - 【請求項２】 磁気抵抗素子チップ面上のフィルムの取
り出しリードの接続部の上に絶縁層が存在しない請求項
１記載の磁気検出器。 - 【請求項３】 磁気抵抗素子チップ面上にフィルムの取
り出しリードが接し、この接した部分の上に絶縁層が存
在する請求項１記載の磁気検出器。 - 【請求項４】 磁気抵抗素子面上にフィルムの絶縁層が
接する請求項１記載の磁気検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22130994A JP3314548B2 (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | 磁気検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22130994A JP3314548B2 (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | 磁気検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0886848A true JPH0886848A (ja) | 1996-04-02 |
| JP3314548B2 JP3314548B2 (ja) | 2002-08-12 |
Family
ID=16764785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22130994A Expired - Fee Related JP3314548B2 (ja) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | 磁気検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3314548B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010175490A (ja) * | 2009-02-02 | 2010-08-12 | Murata Mfg Co Ltd | 磁気センサの製造方法および磁気センサ |
| US9234947B2 (en) | 2010-07-30 | 2016-01-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Magnetic sensor device |
| US9244135B2 (en) | 2011-05-16 | 2016-01-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Magnetic sensor device |
| US9279866B2 (en) | 2012-04-09 | 2016-03-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Magnetic sensor |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5240276B2 (ja) * | 2010-10-29 | 2013-07-17 | 株式会社村田製作所 | 磁気センサ |
-
1994
- 1994-09-16 JP JP22130994A patent/JP3314548B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010175490A (ja) * | 2009-02-02 | 2010-08-12 | Murata Mfg Co Ltd | 磁気センサの製造方法および磁気センサ |
| US9234947B2 (en) | 2010-07-30 | 2016-01-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Magnetic sensor device |
| US9244135B2 (en) | 2011-05-16 | 2016-01-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Magnetic sensor device |
| US9279866B2 (en) | 2012-04-09 | 2016-03-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Magnetic sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3314548B2 (ja) | 2002-08-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6462531B1 (en) | Current detector having a hall-effect device | |
| JP3007553B2 (ja) | 電流センサ | |
| KR20010096553A (ko) | 자장검출장치 | |
| JP2009128116A (ja) | 電流センサ | |
| KR0176983B1 (ko) | 내연기관의 연소실 내의 압력 탐지용 압력 센서 | |
| JP2013515247A (ja) | センサ | |
| JPH1090299A (ja) | 静電容量式加速度センサ | |
| JP2002195902A (ja) | 圧力センサ | |
| JP4452526B2 (ja) | 歪検出素子及び圧力センサ | |
| JP3314548B2 (ja) | 磁気検出器 | |
| JP3009104B2 (ja) | 半導体センサおよび半導体センサ用パッケージ | |
| KR0165714B1 (ko) | 가속도 센서 및 그 제조 방법 | |
| JPH08261857A (ja) | 圧力センサ | |
| JPH05291482A (ja) | 混成集積回路装置及びその製造方法 | |
| JP3221596B2 (ja) | 加速度センサ及びその製造方法 | |
| JP2004093226A (ja) | 静電容量式センサ | |
| JPH11201848A (ja) | 静電容量型センサ及び検出方法 | |
| JP2005265732A (ja) | 圧力センサ | |
| TW201800730A (zh) | 應變檢測器及其製造方法 | |
| JP2020178045A (ja) | 磁気抵抗素子およびその製造方法 | |
| JPH05340962A (ja) | 静電容量型加速度センサ | |
| JP5779487B2 (ja) | 圧力センサモジュール | |
| JP2005121471A (ja) | 電流センサ | |
| JP2018112537A (ja) | Ｉｃ化磁気センサおよびそれに使用するリードフレーム | |
| JP6923316B2 (ja) | センサモジュール |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |