JPH0883748A - Positioning device - Google Patents
Positioning deviceInfo
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- JPH0883748A JPH0883748A JP6216877A JP21687794A JPH0883748A JP H0883748 A JPH0883748 A JP H0883748A JP 6216877 A JP6216877 A JP 6216877A JP 21687794 A JP21687794 A JP 21687794A JP H0883748 A JPH0883748 A JP H0883748A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置等に具
備される、レチクル（マスク）等の位置のずれを調節す
る位置決め装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a positioning device provided in a semiconductor manufacturing apparatus or the like for adjusting the positional deviation of a reticle (mask) or the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体技術の進展は近年益々速度を増し
ており、それに伴って微細加工技術も著しく進展してい
る。特に、微細加工技術の中心技術である光加工技術に
おいては、１ＭＤＲＡＭを境にサブミクロンの領域にま
で踏み込んでいる。2. Description of the Related Art The progress of semiconductor technology has been increasing more and more in recent years, and accordingly, fine processing technology has been significantly advanced. In particular, in the optical processing technology, which is the central technology of the fine processing technology, the submicron area has been stepped on from 1MDRAM.
【０００３】ところで、露光装置等の光学系の解像力を
向上させる手段としては、一般的に波長を固定して光学
系のＮＡ（開口数）を大きくする手法が知られている。
しかし、最近では露光光の波長においても、ｇ線からｉ
線、さらには２４８ｎｍ、１９３ｎｍのエキシマレーザ
ーへと短波長化が図られ、光露光法の解像力の限界を広
げようという試みが行なわれるようになってきた。By the way, as a means for improving the resolving power of an optical system such as an exposure apparatus, a method of fixing the wavelength and increasing the NA (numerical aperture) of the optical system is generally known.
However, recently, even at the wavelength of the exposure light, from the g-line to i
Lines and even excimer lasers of 248 nm and 193 nm have been shortened in wavelength, and attempts have been made to widen the limit of resolution of the optical exposure method.
【０００４】上記のように、露光光源の短波長化が図ら
れた露光装置では、解像力の向上に伴って露光装置にお
けるウェハと回路パターンの原版であるレチクルとの位
置合わせを高精度に行なう技術が重要な位置を占める。As described above, in the exposure apparatus in which the wavelength of the exposure light source is shortened, the technique of aligning the wafer and the reticle, which is the original plate of the circuit pattern, in the exposure apparatus with high accuracy as the resolution is improved. Occupy an important position.
【０００５】そのウェハとレチクルとの位置合わせを行
なう方式としては、ウェハ上に塗布されたレジストを感
光することのない光（以下、非露光光という）、例えば
Ｈｅ−Ｎｅレーザーの６３３ｎｍの波長の光を、投影レ
ンズを介して（ＴＴＬ）ウェハ上に照射し、そのウェハ
上に設けられているアライメントターゲットを検出して
位置合わせを行なう方式が多く採用されている。しか
し、この位置合わせ方式では投影レンズに色収差がある
ため、ウェハとレチクルとを同時に観察することができ
ず、この方式を用いる場合、一般にＴＴＬオフアクシス
の形態が取られている。As a method for aligning the wafer and the reticle, light (hereinafter referred to as non-exposure light) that does not expose the resist coated on the wafer, for example, a He-Ne laser having a wavelength of 633 nm is used. A method of irradiating light onto a (TTL) wafer through a projection lens and detecting an alignment target provided on the wafer to perform alignment is often adopted. However, in this alignment method, since the projection lens has chromatic aberration, the wafer and reticle cannot be observed at the same time, and when this method is used, a TTL off-axis form is generally adopted.
【０００６】上記のように、ＴＴＬオフアクシスの形態
が取られる位置合わせ方式では、ベースライン（アライ
メント位置でのショット中心と露光位置でのショット中
心との距離）の変動が位置合わせの精度に大きく影響す
る。そこで、ＴＴＬオフアクシス顕微鏡の他に、露光波
長が用いられるＴＴＬオンアクシス顕微鏡を備え、レチ
クルが露光装置本体にセットされる際に、そのＴＴＬオ
ンアクシス顕微鏡を用いることにより、 （１）露光装置本体とレチクルとの位置関係 （２）レチクルとフィデューシャルマークとの位置関係 （３）フィデューシャルマークとＴＴＬオフアクシス顕
微鏡との位置関係 の３つの位置関係を測定し、ベースライン変動の管理を
簡便に行なうことができるようにしたものが提案されて
いる。以下に、ＴＴＬオンアクシス顕微鏡を用いた位置
合わせ方法の１例として、特開昭６３−３２３０３号公
報に記載されているものを挙げる。As described above, in the alignment method that takes the form of TTL off-axis, the variation of the baseline (the distance between the shot center at the alignment position and the shot center at the exposure position) varies greatly in the alignment accuracy. Affect. Therefore, in addition to the TTL off-axis microscope, a TTL on-axis microscope that uses an exposure wavelength is provided, and by using the TTL on-axis microscope when the reticle is set in the exposure apparatus main body, (1) the exposure apparatus main body Position relationship between reticle and reticle (2) Position relationship between reticle and fiducial mark (3) Position relationship between fiducial mark and TTL off-axis microscope There has been proposed one that can be easily performed. Below, as an example of the alignment method using a TTL on-axis microscope, the method described in JP-A-63-32303 is given.
【０００７】上記公報に記載されているものは、波長の
異なる複数の光を、レチクル面の上方に配置された反射
鏡で反射させてアライメントを行なうアライメント装置
である。このアライメント装置では、各ウェハ面の各シ
ョット毎にアライメント光路中から反射鏡を離脱させ、
ショット後反射鏡を復帰させる際に、復帰時に生じる反
射鏡の復帰位置の誤差を検出して補正し、これによって
反射鏡を正確な位置に復帰させ、良好なアライメントを
可能としている。The one described in the above publication is an alignment device for performing alignment by reflecting a plurality of lights having different wavelengths by a reflecting mirror arranged above the reticle surface. In this alignment device, the reflecting mirror is removed from the alignment optical path for each shot on each wafer surface,
When the reflecting mirror is returned after the shot, an error in the returning position of the reflecting mirror that occurs at the time of returning is detected and corrected, thereby returning the reflecting mirror to an accurate position and enabling good alignment.
【０００８】他方、上述のアライメント装置における位
置合わせとは異なる方式が用いられたものとしては、特
開平４−２１７２６０号公報に記載されている位置決め
装置がある。On the other hand, there is a positioning device described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-217260, which uses a method different from the alignment in the above-mentioned alignment device.
【０００９】上記公報に記載されている位置決め装置
は、露光光を計測光として用い、該計測光を投影露光装
置にプリアライメントされた状態のレチクル上のレチク
ルマークに照射し、その反射光を一次元イメージセンサ
で検出し、マーク位置をイメージセンサの画素位置で求
めた後、予めイメージセンサ上に設定された基準画素か
らのずれを求めることによってレチクルの位置合わせを
行なうものである。この位置決め装置では、レチクル下
部にシヤッター等の可動遮光部材が設けられており、こ
れによって、レチクルアライメント時に計測光によって
ウェハが感光されるのを防止している。よって、レチク
ルの位置合わせをウェハを退避させることなく行なうこ
とができる。The positioning device described in the above publication uses the exposure light as the measurement light, irradiates the reticle mark on the reticle prealigned with the projection exposure device with the measurement light, and the reflected light is used as the primary light. The position of the reticle is aligned by detecting the mark position at the pixel position of the image sensor after detection by the original image sensor and then determining the deviation from the reference pixel set in advance on the image sensor. In this positioning device, a movable light-shielding member such as a shutter is provided below the reticle to prevent the measurement light from exposing the wafer to light during reticle alignment. Therefore, the reticle can be aligned without retracting the wafer.
【００１０】さらに、上記位置決め装置のシヤッターに
は、その光照射面側の反射率が高いものと低いものの２
種類のシャッタが設けられており、レチクルマークの反
射率の変化に応じてシヤッターの反射率を切り替え、マ
ークを照明する照明光を該シャッタ面で反射させ、その
反射光でマークを照明することによって最良のコントラ
ストが得られるようになっている。Further, there are two types of shutters for the positioning device, one having high reflectance and the other having low reflectance on the light irradiation surface side.
By providing different types of shutters, the reflectance of the shutter is switched according to changes in the reflectance of the reticle mark, the illumination light illuminating the mark is reflected by the shutter surface, and the reflected light illuminates the mark. It provides the best contrast.
【００１１】上述にように構成された位置決め装置で
は、イメージセンサによって検出されたレチクルマーク
の波形の解析は、通常、ピーク状の波形部分を所定のス
ライスレベルで２値化し、そのピーク波形部分の立ち上
がりと立ち下がりとから画素位置の中心を求める方法に
よって行なわれる。なお、ピーク波形部分の走査方向に
対する波形対称性が良い場合には、積分法によって重心
点を算出する方法によって行なうこともできる。In the positioning device constructed as described above, the waveform of the reticle mark detected by the image sensor is usually analyzed by binarizing a peak-shaped waveform portion at a predetermined slice level, and analyzing the peak waveform portion. This is performed by the method of obtaining the center of the pixel position from the rising edge and the falling edge. When the waveform symmetry of the peak waveform portion with respect to the scanning direction is good, it is also possible to use a method of calculating the center of gravity by an integration method.
【００１２】[0012]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の位置決め装置のそれぞれには以下のような問題
点がある。However, each of the conventional positioning devices described above has the following problems.
【００１３】一般に、レチクルマークには、（酸化クロ
ム層−クロム層）構成の２層タイプのものと（酸化クロ
ム層−クロム層−酸化クロム層）構成の３層タイプのも
のがあり、それぞれ反射率が異なっている。これら２層
タイプおよび３層タイプのレチクルマークは、ユーザが
必要に応じて自由に選択し、使用する。このように反射
率が異なるレチクルマークが使用される場合、従来の位
置決め装置では、例えば装置が、反射率の高いレチクル
マークを観察するように設定されているときに、反射率
が低いレチクルマークが使用されるとその観察像は最良
のコントラストのものとはならない。Generally, the reticle mark includes a two-layer type having a (chromium oxide layer-chromium layer) structure and a three-layer type having a (chrome oxide layer-chromium layer-chromium oxide layer) structure. The rates are different. The two-layer type and the three-layer type reticle marks are freely selected and used by the user. When reticle marks having different reflectances are used as described above, in the conventional positioning apparatus, for example, when the apparatus is set to observe a reticle mark having a high reflectance, a reticle mark having a low reflectance is detected. When used, the observed image does not have the best contrast.
【００１４】したがって、ピーク状の波形部分を所定の
スライスレベルで２値化した波形部分の立ち上がりと立
ち下がりとから画素位置の中心を求める方法、あるいは
積分法によって重心点を算出する方法によって、レチク
ルマークの位置が検出される特開平４−２１７２６０号
公報に記載されているものにおいては、反射率の低いレ
チクマークが形成されたレチクルが使用された場合、反
射率が低くなったことによるコントラストの低下によっ
て位置検出精度が低下してしまうため、マーク位置の検
出が困難となり、正確な位置合わせを行なうことができ
ないという問題点がある。Therefore, the reticle is obtained by a method of obtaining the center of the pixel position from the rising and falling edges of the waveform portion obtained by binarizing the peak waveform portion at a predetermined slice level, or by calculating the center of gravity by the integration method. In the one disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-217260 in which the position of a mark is detected, when a reticle having a reticle mark having a low reflectance is used, the contrast is lowered due to the low reflectance. As a result, the position detection accuracy is lowered, so that it becomes difficult to detect the mark position, and there is a problem in that accurate alignment cannot be performed.
【００１５】同様に、特開昭６３−３２３０３号公報に
記載されているものにおいても、レチクルマークの反射
率の変化によるコントラストの低下によって、位置検出
精度が低下してしまい、正確な位置合わせを行なうこと
ができないという問題点がある。Similarly, in the one disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 63-32303, the position detection accuracy is deteriorated due to the decrease in contrast due to the change in the reflectance of the reticle mark, and the accurate alignment is required. There is a problem that it cannot be done.
【００１６】また、上記特開平４−２１７２６０号公報
に記載されているもののうち、レチクルの下方に反射率
の異なるシャッタが設けられ、反射率の異なるレチクル
マークが用いられた場合にその反射率に応じてシヤッタ
ーの反射率を切り替えるものにおいては、反射率の異な
るレチクルマークが用いられてもコントラストの低下は
生じないものの、以下のような問題点がある。Further, among those disclosed in the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-217260, a shutter having different reflectance is provided below the reticle, and when the reticle marks having different reflectance are used, the reflectance is changed. In the case where the reflectance of the shutter is switched accordingly, the contrast does not decrease even if reticle marks having different reflectances are used, but there are the following problems.
【００１７】レチクルの下方にシヤッターが設けられた
ものでは、レチクルマークに照明された計測光は、シャ
ッター部で反射されて再びレチクルマーク部を透過す
る。このとき、シャッタ部からの反射光によって生成さ
れたレチクルマーク像は、デフォーカスした状態でレチ
クルマーク部に投影されている。そのため、このような
系では、シヤッター部からの反射光によってレチクルマ
ーク部を照明する照明光に照度ムラが発生する。この照
度ムラは、シヤッター位置をできるだけレチクルに近付
けることにより小さくすることができるが、通常、レチ
クル部には保持および位置調節のための駆動機構が設け
られているため、シヤッターをレチクルに近接して配設
することはできない。このように、シヤッター部からの
反射光によって生成されるレチクルマーク像によって、
レチクルマークを照明する照明光に照度ムラが生じる位
置決め装置においては、照度ムラによって検出されるピ
ーク波形の立ち上がりおよび立ち下がりの部分の検出が
困難となり、結局検出精度が低下し、正確な位置合わせ
を行なうことができないという問題点がある。In the case where the shutter is provided below the reticle, the measurement light illuminated on the reticle mark is reflected by the shutter portion and transmitted again through the reticle mark portion. At this time, the reticle mark image generated by the reflected light from the shutter portion is projected on the reticle mark portion in a defocused state. Therefore, in such a system, illuminance unevenness occurs in the illumination light that illuminates the reticle mark portion due to the reflected light from the shutter portion. This illuminance unevenness can be reduced by bringing the shutter position as close as possible to the reticle, but since the reticle unit is usually equipped with a drive mechanism for holding and adjusting the position, keep the shutter close to the reticle. It cannot be installed. In this way, by the reticle mark image generated by the reflected light from the shutter section,
In a positioning device where uneven illumination occurs in the illumination light that illuminates the reticle mark, it becomes difficult to detect the rising and falling portions of the peak waveform detected by uneven illumination, which eventually reduces detection accuracy and results in accurate alignment. There is a problem that it cannot be done.
【００１８】本発明の目的は、レチクルをイメージセン
サ基準、あるいはステージ基準でマークを用いてアライ
メントする場合に、反射率の異なるレチクルマークが形
成されたレチクが用いられても、検出精度が低下するこ
とがなく、正確なレチクルの位置を検出できる位置決め
装置を提供することにある。An object of the present invention is to reduce the detection accuracy even when a reticle formed with reticle marks having different reflectances is used when the reticle is aligned by using the mark with the image sensor reference or the stage reference. It is an object of the present invention to provide a positioning device capable of accurately detecting the position of a reticle.
【００１９】[0019]
【課題を解決するための手段】本発明は、レチクルが設
置される第１のステージと、ウェハが設置される第２の
ステージと、上記第１のステージと上記第２のステージ
との間に設けられた投影光学系と、上記第１および第２
のステージを移動する移動手段とを有し、上記第１のス
テージに設置されたレチクルが上記投影光学系を介して
上記第２のステージ上に設置されたウェハ上の所定位置
に投影露光されるように該レチクルの位置を調節する位
置決め装置において、上記第１のステージ上に設置され
る各々のレチクルは、それぞれ反射率の異なる位置合わ
せマークが形成されたものであり、上記第１のステージ
上に設置されるレチクルの位置合わせマークを照明する
照明手段と、上記第２のステージ上の所定の位置に設け
られた、反射率の異なる複数の反射面からなる基準用反
射面と、上記基準用反射面および位置合わせマークのそ
れぞれで反射される反射光によって生成された上記位置
合わせマークの像を結像する結像光学系と、上記結像光
学系の結像面に設けられた一次元イメージセンサと、上
記一次元イメージセンサによって検出された位置合わせ
マークの座標を基に上記第１のステージ上に設置された
レチクルの位置ずれ量を求め、該求めた位置ずれ量に基
づいて該レチクルの位置が適正位置となるように上記移
動手段を制御する制御手段とを有し、上記制御手段は、
反射率の高い位置合わせマークが形成されたレチクルが
用いられた場合には、上記基準用反射面の反射率の低い
反射面が上記投影光学系を介して該位置合わせマークと
共役関係となるように上記移動手段を制御し、反射率の
低い位置合わせマークが形成されたレチクルが用いられ
た場合には、上記基準用反射面の反射率の高い反射面が
上記投影光学系を介して該位置合わせマークと共役関係
となるように上記移動手段を制御することを特徴とす
る。According to the present invention, there is provided a first stage on which a reticle is installed, a second stage on which a wafer is installed, and between the first stage and the second stage. The projection optical system provided, and the first and second
And a moving means for moving the stage, and the reticle installed on the first stage is projected and exposed to a predetermined position on a wafer installed on the second stage via the projection optical system. In the positioning device for adjusting the position of the reticle as described above, each reticle installed on the first stage has alignment marks with different reflectances formed on it. Illuminating means for illuminating the alignment mark of the reticle installed on the second stage, a reference reflecting surface including a plurality of reflecting surfaces having different reflectances, which is provided at a predetermined position on the second stage, An image forming optical system for forming an image of the alignment mark generated by the reflected light reflected by the reflecting surface and the alignment mark, and an image forming surface of the image forming optical system. Based on the coordinates of the one-dimensional image sensor and the alignment mark detected by the one-dimensional image sensor, the amount of positional deviation of the reticle installed on the first stage is calculated, and the calculated amount of positional deviation is calculated. And a control means for controlling the moving means so that the position of the reticle becomes an appropriate position based on the above.
When a reticle on which an alignment mark having a high reflectance is formed is used, the reflection surface having a low reflectance of the reference reflection surface has a conjugate relationship with the alignment mark via the projection optical system. When the reticle on which the alignment mark having a low reflectance is formed is used to control the moving means, the reflection surface having a high reflectance of the reference reflection surface is moved to the position via the projection optical system. The moving means is controlled so as to have a conjugate relationship with the alignment mark.
【００２０】この場合、基準用反射面の各反射面の所定
の部分にそれぞれ同一形状の基準マークを設け、制御手
段は、レチクルの位置ずれ量を、一次元イメージセンサ
によってそれぞれ検出された位置合わせマークの座標と
前記基準用反射面の基準マークの座標とから求めるよう
にしてもよい。In this case, the reference mark having the same shape is provided at a predetermined portion of each reflection surface of the reference reflection surface, and the control means performs the position alignment detected by the one-dimensional image sensor with respect to the positional deviation amount of the reticle. It may be obtained from the coordinates of the mark and the coordinates of the reference mark on the reference reflection surface.
【００２１】さらに、上記の場合、基準用反射面を、透
過部内に所定の形状の反射部が設けられた第１の反射面
と、該第１の反射面の透過部および反射部を反転させた
第２の反射面とで構成し、制御手段が、反射率の高い位
置合わせマークが形成されたレチクルが用いられた場合
には、上記第１の反射面が投影光学系を介して該位置合
わせマークと共役関係となるように上記移動手段を制御
し、反射率の低い位置合わせマークが形成されたレチク
ルが用いられた場合には、上記第２の反射面が上記投影
光学系を介して該位置合わせマークと共役関係となるよ
うに上記移動手段を制御し、レチクルの位置ずれ量を、
一次元イメージセンサによってそれぞれ検出された第１
の反射面の反射部の座標あるいは第２の反射面の透過部
の座標を基準に求めるようにしてもよい。Further, in the above case, the reference reflecting surface is formed by inverting the first reflecting surface in which the reflecting portion having a predetermined shape is provided in the transmitting portion and the transmitting portion and the reflecting portion of the first reflecting surface. And a second reflecting surface, and the control means uses a reticle on which an alignment mark having a high reflectance is formed, the first reflecting surface is positioned via the projection optical system. When the reticle on which the alignment mark having a low reflectance is formed is used by controlling the moving means so as to have a conjugate relationship with the alignment mark, the second reflecting surface passes through the projection optical system. By controlling the moving means so as to have a conjugate relationship with the alignment mark, the positional deviation amount of the reticle is
First detected by each one-dimensional image sensor
Alternatively, the coordinates may be obtained based on the coordinates of the reflection part of the reflection surface or the coordinates of the transmission part of the second reflection surface.
【００２２】[0022]
【作用】本発明の位置合わせ装置では、レチクルの下方
にシャッタを設けずに、第２のステージ上の所定の位置
に反射率の異なる複数の反射面で構成された基準用反射
面が設けられる。この基準用反射面の各反射面は、それ
ぞれの位置で投影光学系を介してレチクルに形成された
位置合わせマークと共役関係となっているので、本発明
では、従来のように基準用反射面からの反射光によって
照度ムラが発生することはない。In the alignment apparatus of the present invention, the shutter is not provided below the reticle, and the reference reflecting surface composed of a plurality of reflecting surfaces having different reflectances is provided at a predetermined position on the second stage. . Since each reflecting surface of the reference reflecting surface has a conjugate relationship with the alignment mark formed on the reticle through the projection optical system at each position, the present invention uses the reference reflecting surface as in the conventional case. Illuminance unevenness does not occur due to the reflected light from.
【００２３】さらに、本発明では、使用されるレチクル
の位置合わせマークの反射率に応じて基準用反射面の反
射率が切り替えられる。すなわち、位置合わせマークの
反射率が高い場合には反射率の低い基準用反射面が用い
られ、位置合わせマークの反射率が低い場合には反射率
の高い基準用反射面が用いられる。したがって、本発明
では、位置合わせマークの反射率が変化しても、一次元
イメージセンサによって検出される位置合わせマークの
像に関する波形からピーク波形の立ち上がりおよび立ち
下がりの部分を正確に検出することができ、従来のよう
に検出精度が低下することはない。Further, in the present invention, the reflectance of the reference reflecting surface is switched according to the reflectance of the alignment mark of the reticle used. That is, when the reflectance of the alignment mark is high, the reference reflective surface having a low reflectance is used, and when the reflectance of the alignment mark is low, the reference reflective surface having a high reflectance is used. Therefore, according to the present invention, even if the reflectance of the alignment mark changes, the rising and falling portions of the peak waveform can be accurately detected from the waveform relating to the image of the alignment mark detected by the one-dimensional image sensor. This is possible, and the detection accuracy does not decrease as in the conventional case.
【００２４】また、本発明の他の形態のものにおいて
は、基準用反射面に基準となるマーク等が設けられ、レ
チクルの位置ずれ量が、一次元イメージセンサによって
それぞれ検出された上記基準となるマーク等の座標を基
準に求められるので、初期設定時に測定された基準とな
る座標を記憶しておく位置合わせ装置に発生する、各構
成部の経時変化等による微妙なずれの影響を防止するこ
とができ、常に安定したレチクルの位置ずれ量を求める
ことが可能となる。Further, in another embodiment of the present invention, a reference mark or the like is provided on the reference reflection surface, and the positional deviation amount of the reticle serves as the reference detected by the one-dimensional image sensor. Since it is determined based on the coordinates of marks, etc., it is necessary to prevent the influence of subtle shifts due to changes over time of each component that occur in the alignment device that stores the reference coordinates measured at the time of initial setting. Therefore, it is possible to always obtain a stable reticle displacement amount.
【００２５】[0025]
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings.
【００２６】図１は、本発明の一実施例の位置決め装置
が搭載された縮小投影露光装置の概略構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a reduction projection exposure apparatus equipped with a positioning device according to an embodiment of the present invention.
【００２７】図１において、レチクル１は所定の位置に
レチクルマーク９が設けられており、レチクルステージ
２上に設置されている。レチクルステージ２には、レチ
クル１をステージ上でＸ−Ｙ方向に移動する駆動モータ
１４が設けられている。また、レチクルステージ２の所
定の位置にはミラー６が固定されており、このミラー６
の移動量をレーザ干渉計１５によって計測することによ
りレチクル１の移動量が所定の基準点からの距離として
算出される。なお、駆動モータ１４は、Ｘ方向、Ｙ方向
および回転θ方向の各方向でレチクル１をそれぞれ独立
して移動することができるように３組設置されている
が、ここでは説明を簡単にするため図示を一部省略して
ある。また、ミラー６およびレーザ干渉計１５について
も、駆動モータ１４と同様に各方向の位置でレチクル１
の移動量をそれぞれ独立して検出するように３組設置さ
れているが、ここでは説明を簡単にするため図示を一部
省略してある。In FIG. 1, a reticle 1 is provided with a reticle mark 9 at a predetermined position and is set on a reticle stage 2. The reticle stage 2 is provided with a drive motor 14 that moves the reticle 1 on the stage in the XY directions. A mirror 6 is fixed at a predetermined position on the reticle stage 2.
The amount of movement of the reticle 1 is calculated as a distance from a predetermined reference point by measuring the amount of movement of the reticle 1 by the laser interferometer 15. It should be noted that three sets of drive motors 14 are installed so that the reticle 1 can be independently moved in each of the X direction, the Y direction, and the rotation θ direction, but here, in order to simplify the description. Illustration is partially omitted. Further, the mirror 6 and the laser interferometer 15 are also arranged at positions in each direction in the same manner as the drive motor 14.
Although three sets are installed so as to detect the movement amount of each independently, the illustration is partially omitted here for the sake of simplicity of description.
【００２８】ウェハ４は、両側テレセントリックな、あ
るいは片側テレセントリックな投影レンズ３を介して上
記レチクル１に対向してウェハステージ５上に設置され
ている。ウェハステージ５には、投影レンズ３の結像面
に沿ってウェハ４を２次元的移動する駆動モータ１７が
設けられている。また、ウェハステージ５の所定の位置
にはミラー７が固定されており、このミラー７の移動量
をレーザ干渉計１６によって計測することにより上記ウ
ェハ４の移動量が所定の基準点からの距離として算出さ
れる。なお、駆動モータ１７は、Ｘ方向、Ｙ方向の２方
向でそれぞれ独立してウェハ４を移動することができる
ように２組設置されているが、ここでは説明を簡単にす
るため図示を一部省略してある。また、ミラー７および
レーザ干渉計１６についても、駆動モータ１７と同様に
各方向の位置でレチクル１の移動量をそれぞれ独立して
検出するように２組設置されているが、ここでは説明を
簡単にするため図示を一部省略してある。The wafer 4 is placed on the wafer stage 5 so as to face the reticle 1 via a projection lens 3 which is telecentric on both sides or telecentric on one side. The wafer stage 5 is provided with a drive motor 17 for moving the wafer 4 two-dimensionally along the image plane of the projection lens 3. Further, a mirror 7 is fixed at a predetermined position on the wafer stage 5, and the amount of movement of the mirror 7 is measured by a laser interferometer 16 to determine the movement amount of the wafer 4 as a distance from a predetermined reference point. It is calculated. Two sets of the drive motors 17 are installed so that the wafer 4 can be independently moved in two directions, that is, the X direction and the Y direction. Omitted. Also, as for the mirror 7 and the laser interferometer 16, two sets are installed so as to detect the movement amount of the reticle 1 at each position in each direction independently like the drive motor 17, but the explanation is simple here. The illustration is partially omitted for the sake of simplicity.
【００２９】上述のように設置されたレチクル１を、投
影レンズ３を介してウェハ４へ露光する露光用照明光学
系は、光源３０、入力レンズ群３１、オプチカルインテ
グレータ３２、ミラー３３，３５、リレーレンズ３４、
メインコンデンサレンズ３６およびレチクルブランド３
７により構成されている。これらの各構成部は、以下の
ような配置となっている。The exposure illumination optical system for exposing the reticle 1 installed as described above to the wafer 4 via the projection lens 3 includes a light source 30, an input lens group 31, an optical integrator 32, mirrors 33 and 35, and a relay. Lens 34,
Main condenser lens 36 and reticle brand 3
It is composed of 7. Each of these components is arranged as follows.
【００３０】光源３０から出射した光束の進行方向にミ
ラー１１、入力レンズ群３１、オプチカルインテグレー
タ３２およびミラー３３が順次配設され、該ミラー３３
で反射された光束の進行方向にリレーレンズ３４、レチ
クルブランド３７およびミラー３５が順次配設され、該
ミラー３５で反射された光束の進行方向にメインコンデ
ンサレンズ３６およびビームスプリッタ２１が順次配設
されている。なお、ビームスプリッタ２１は、光源３０
から出射された光束の波長に対して、９０％の透過率と
１０％の反射率を有するものである。A mirror 11, an input lens group 31, an optical integrator 32, and a mirror 33 are sequentially arranged in the traveling direction of the light beam emitted from the light source 30, and the mirror 33 is provided.
The relay lens 34, the reticle brand 37 and the mirror 35 are sequentially arranged in the traveling direction of the light beam reflected by the main condenser lens 36 and the beam splitter 21 are sequentially arranged in the traveling direction of the light beam reflected by the mirror 35. ing. In addition, the beam splitter 21 uses the light source 30.
It has a transmittance of 90% and a reflectance of 10% with respect to the wavelength of the light flux emitted from.
【００３１】また、上述のように構成される露光用照明
光学系の光源３０から出射された光束のうちミラー１１
で反射される光束は、以下に述べる位置検出用光学系に
導かれるようになっている。Further, of the light flux emitted from the light source 30 of the illumination optical system for exposure configured as described above, the mirror 11
The light beam reflected by is guided to the position detecting optical system described below.
【００３２】位置検出用光学系は、上記露光用照明光学
系の光源３０を共有しており、該位置検出用光学系で
は、光源３０から出射された光束のうちミラー１１で反
射される光束を利用してレチクル１上に設けられたレチ
クルマーク９の検出が行なわれる。その構成は、シヤッ
ター１２、対物レンズ２２、ビームスプリッタ２３結像
光学系２４および一次元イメージセンサ２５からなり、
各構成部は以下のような配置となっている。The position detecting optical system shares the light source 30 of the above-mentioned exposure illumination optical system, and in the position detecting optical system, among the light beams emitted from the light source 30, the light beams reflected by the mirror 11 are reflected. The reticle mark 9 provided on the reticle 1 is detected by utilizing this. The configuration includes a shutter 12, an objective lens 22, a beam splitter 23, an image forming optical system 24, and a one-dimensional image sensor 25.
The components are arranged as follows.
【００３３】ミラー１１で反射された光束の進行方向に
シヤッター１２、ビームスプリッタ２３および対物レン
ズ２２が順次配設されており、各構成部を順次通過した
光束は上記露光用照明光学系のビームスプリッタ２１に
入射し、該ビームスプリッタ２１によって反射されてレ
チクル１上のレチクルマーク９を照明するようになって
いる。なお、ビームスプリッタ２３は、ビームスプリッ
タ２１同様、光源３０から出射された光束の波長に対し
て、９０％の透過率と１０％の反射率を有するものであ
る。A shutter 12, a beam splitter 23, and an objective lens 22 are sequentially arranged in the traveling direction of the light beam reflected by the mirror 11, and the light beam that has sequentially passed through the respective components is the beam splitter of the above-mentioned exposure illumination optical system. The light enters the reticle 21, is reflected by the beam splitter 21, and illuminates the reticle mark 9 on the reticle 1. Like the beam splitter 21, the beam splitter 23 has a transmittance of 90% and a reflectance of 10% with respect to the wavelength of the light beam emitted from the light source 30.
【００３４】上記構成では、レチクルマーク９に照明さ
れた光束が次の第１および第２の光路をそれぞれ通過す
るものとなっている。すなわち、第１の光路は、投影レ
ンズ３を介して基準面１０に投影され、該基準面１０で
反射されて再び投影レンズ３を介してレチクル１を透過
し、ビームスプリッタ２１によって反射され、再び対物
レンズ２２を介してビームスプリッタ２１に入射するも
のとなっており、第２の光路は、レチクルマーク９で反
射され、さらにビームスプリッタ２１によって反射さ
れ、再び対物レンズ２２を介してビームスプリッタ２１
に入射するものとなっている。そして、該ビームスプリ
ッタ２１によって反射された光束の進行方向に、結像光
学系２４および一次元イメージセンサ２５が順次配設さ
れている。In the above structure, the light flux illuminated on the reticle mark 9 passes through the following first and second optical paths, respectively. That is, the first optical path is projected on the reference surface 10 via the projection lens 3, reflected by the reference surface 10, again transmitted through the reticle 1 via the projection lens 3, reflected by the beam splitter 21, and again. The beam is incident on the beam splitter 21 via the objective lens 22, and the second optical path is reflected by the reticle mark 9 and further by the beam splitter 21, and again via the objective lens 22.
Is to be incident on. An image forming optical system 24 and a one-dimensional image sensor 25 are sequentially arranged in the traveling direction of the light beam reflected by the beam splitter 21.
【００３５】上述のように構成される位置検出用光学系
は、レチクルマーク９および基準面１０からのそれぞれ
の反射光が結像光学系２４によって一次元イメージセン
サ２５上に結像され、その結像面にレチクルマーク９の
拡大像が結像される系となっている。In the position detecting optical system configured as described above, the respective reflected lights from the reticle mark 9 and the reference surface 10 are imaged by the imaging optical system 24 on the one-dimensional image sensor 25, and the result is formed. The system is such that an enlarged image of the reticle mark 9 is formed on the image plane.
【００３６】なお、本実施例では、上記レチクルマーク
９および基準面１０は以下のような構成のものとなって
いる。In the present embodiment, the reticle mark 9 and the reference surface 10 are constructed as follows.
【００３７】図２（ａ）はレチクルマーク９の概略構成
図、図２（ｂ）は基準面１０の概略構成図である。FIG. 2A is a schematic configuration diagram of the reticle mark 9, and FIG. 2B is a schematic configuration diagram of the reference surface 10.
【００３８】レチクマーク９は、透過部と反射部で構成
され、反射部は２つの四辺形の反射部材が所定の間隔で
設けられた状態のものとなっている。一方、基準面１０
は、反射率が高い部分１０ａと反射率が低い部分１０ｂ
の反射率の異なる２つの部分で構成されており、各反射
面はそれぞれの位置で投影レンズ３を介してレチクル１
と共役関係にある。本実施例では、基準面１０の反射面
がレチクマーク９の反射率に応じて各部分１０ａ，１０
ｂのいずれかに設定される。なお、この各部分１０ａ，
１０ｂの設定は、不図示の制御手段が、この各部分１０
ａ，１０ｂのそれぞれが投影レンズを介してレチクルマ
ーク９と共役関係となる位置にウェハステージ５を移動
するように制御系１８を制御することによって行なわれ
る。The reticle mark 9 is composed of a transmitting portion and a reflecting portion, and the reflecting portion is in a state in which two quadrilateral reflecting members are provided at a predetermined interval. On the other hand, the reference surface 10
Indicates a high reflectance portion 10a and a low reflectance portion 10b.
Of the reticle 1 via the projection lens 3 at their respective positions.
It has a conjugate relationship with. In the present embodiment, the reflecting surface of the reference surface 10 corresponds to the reflectance of the reticle mark 9 and the respective portions 10a, 10a.
It is set to either b. Each of the parts 10a,
The setting of 10b is performed by the control means (not shown).
Each of a and 10b is controlled by controlling the control system 18 so as to move the wafer stage 5 to a position having a conjugate relationship with the reticle mark 9 via the projection lens.
【００３９】次に、上述のように構成される位置検出用
光学系が用いられた本発明の位置決め装置の動作につい
て説明する。Next, the operation of the positioning apparatus of the present invention using the position detecting optical system having the above-described structure will be described.
【００４０】光源３０を出射された光束は、ミラー１１
で反射され開放状態のシャッタ１２を通過する。シャッ
タ１２を通過した光束は、ビームスプリッタ２３および
対物レンズ２２を順次通過し、ビームスプリッタ２１に
よって反射されてレチクル１上のレチクルマーク９に照
明される。The luminous flux emitted from the light source 30 is reflected by the mirror 11.
The light is reflected by and passes through the shutter 12 in the open state. The light flux that has passed through the shutter 12 sequentially passes through the beam splitter 23 and the objective lens 22, is reflected by the beam splitter 21, and is illuminated on the reticle mark 9 on the reticle 1.
【００４１】レチクルマーク９に照明された光束のうち
該レチクルマーク９によって反射された光束は、再びビ
ームスプリッタ２１に入射し、該ビームスプリッタ２１
によって反射されて対物レンズ２２を通過してビームス
プリッタ２３に入射する。ビームスプリッタ２３に入射
した光束は、該ビームスプリッタ２３によって反射さ
れ、結像光学系２４によって１次元イメージセンサ２５
上に結像される。The light beam reflected by the reticle mark 9 among the light beams illuminated on the reticle mark 9 enters the beam splitter 21 again, and the beam splitter 21
Is reflected by the beam, passes through the objective lens 22, and enters the beam splitter 23. The light beam that has entered the beam splitter 23 is reflected by the beam splitter 23, and the one-dimensional image sensor 25 is reflected by the imaging optical system 24.
Imaged above.
【００４２】一方、上記レチクルマーク９に照明された
光束のうち該レチクルマーク９によって反射された部分
以外の部分の光束は、レチクル１を透過し、投影レンズ
３によってウェハステージ５上に設けられた基準面１０
上に投影される。On the other hand, of the light flux illuminated on the reticle mark 9, the light flux of the portion other than the portion reflected by the reticle mark 9 passes through the reticle 1 and is provided on the wafer stage 5 by the projection lens 3. Reference plane 10
Projected on.
【００４３】基準面１０上に投影された光束は該基準面
１０で反射されて、再び投影レンズ３、レチクル１、ビ
ームスプリッタ２１および対物レンズ２２をそれぞれ介
してビームスプリッタ２３に入射する。ビームスプリッ
タ２３に入射した光束は、該ビームスプリッタ２３によ
って反射され、結像光学系２４によって１次元イメージ
センサ２５上に結像される。The light beam projected on the reference surface 10 is reflected by the reference surface 10 and again enters the beam splitter 23 via the projection lens 3, reticle 1, beam splitter 21 and objective lens 22. The light beam incident on the beam splitter 23 is reflected by the beam splitter 23 and is imaged on the one-dimensional image sensor 25 by the imaging optical system 24.
【００４４】上述のようにして、レチクルマーク９およ
び基準面１０からの反射光がそれぞれ結像光学系２４に
よって１次元イメージセンサ２５上に結像されると、該
１次元イメージセンサ２５では、結像されたレチクルマ
ーク９の像に関する波形が以下のようにして検出され
る。As described above, when the reflected light from the reticle mark 9 and the reference surface 10 is imaged on the one-dimensional image sensor 25 by the imaging optical system 24, the one-dimensional image sensor 25 produces a result. The waveform relating to the image of the imaged reticle mark 9 is detected as follows.
【００４５】図３は、１次元イメージセンサ２５に結像
されたレチクルマーク９の像から得られる波形図で、
（ａ）はレチクルマーク９の反射率が高く、基準面１０
の反射面に反射率が低い部分１０ｂが用いられたもの、
（ｂ）はレチクルマーク９の反射率が低く、基準面１０
の反射面に反射率が低い部分１０ｂが用いられたもの、
（ｃ）はレチクルマーク９の反射率が低く、基準面１０
の反射面に反射率が高い部分１０ａが用いられたもので
ある。FIG. 3 is a waveform diagram obtained from the image of the reticle mark 9 formed on the one-dimensional image sensor 25.
(A) shows a high reflectance of the reticle mark 9 and the reference surface 10
, Which has a low reflectance portion 10b on its reflecting surface,
In (b), the reflectance of the reticle mark 9 is low, and the reference surface 10
, Which has a low reflectance portion 10b on its reflecting surface,
In (c), the reflectance of the reticle mark 9 is low and the reference surface 10
The portion 10a having a high reflectance is used for the reflecting surface.
【００４６】１次元イメージセンサ２５では、レチクル
マーク９の反射率が高いレチクルの場合、基準面１０の
反射面として反射率が低い部分１０ｂが用いられれば、
図３（ａ）に示すような明確なピーク値を持つ波形が検
出される。In the one-dimensional image sensor 25, in the case of a reticle having a high reflectance of the reticle mark 9, if the low reflectance portion 10b is used as the reflecting surface of the reference surface 10,
A waveform having a clear peak value as shown in FIG. 3A is detected.
【００４７】ここで、レチクルマーク９の反射部の反射
率が低いレチクルが使用されると、検出される波形は図
３（ｂ）に示すように波形のピーク値が低くなったもの
となる。この場合には、波形のピーク値が低くなってピ
ーク波形が不明確なものとなるため、ピーク波形の立ち
上がりおよび立ち下がりの検出が困難となる。If a reticle having a low reflectance at the reflection portion of the reticle mark 9 is used, the detected waveform has a low peak value as shown in FIG. 3B. In this case, since the peak value of the waveform becomes low and the peak waveform becomes unclear, it is difficult to detect the rising and falling of the peak waveform.
【００４８】上記のように、レチクルマーク９の反射部
の反射率が低くなった場合には、基準面１０の反射面が
上記反射率が低い部分１０ｂから反射率が高い部分１０
ａに、ウェハステージ５を移動することにより変更され
る。反射面として反射率が高い部分１０ａが用いられる
と、１次元イメージセンサ２５で検出される波形は、図
３（ｃ）に示すように、図３（ａ）の波形が反転したよ
うな波形が得られることとなる。その結果、その出力波
形からピーク波形の立ち上がりおよび立ち下がりを正確
に検出することができるようになる。As described above, when the reflectance of the reflective portion of the reticle mark 9 becomes low, the reflective surface of the reference surface 10 has a high reflectance from the low reflectance portion 10b.
It is changed to a by moving the wafer stage 5. When the portion 10a having a high reflectance is used as the reflecting surface, the waveform detected by the one-dimensional image sensor 25 is a waveform obtained by inverting the waveform of FIG. 3A as shown in FIG. Will be obtained. As a result, it is possible to accurately detect the rising and falling edges of the peak waveform from the output waveform.
【００４９】上述のように１次元イメージセンサ２５に
よってレチクマーク９の像に関する波形が検出される
と、不図示の制御手段によって、その検出された波形か
ら１次元イメージセンサ２５上の各画素におけるレチク
マーク９の座標が算出され、該算出された座標と予め記
憶された基準座標とからレチクル１の位置ずれが以下の
ようにして調節される。When the one-dimensional image sensor 25 detects a waveform relating to the image of the reticle mark 9 as described above, the reticle mark 9 in each pixel on the one-dimensional image sensor 25 is detected from the detected waveform by the control means (not shown). Is calculated, and the positional deviation of the reticle 1 is adjusted as follows from the calculated coordinates and the reference coordinates stored in advance.
【００５０】上記不図示の制御手段は、予め記憶された
基準座標と１次元イメージセンサ２５上に結像されたレ
チクマーク９の座標とから算出されたレチクル１の位置
ずれ量に基づいて、レチクルステージ２をＸ方向、Ｙ方
向および回転θ方向にそれぞれ移動させてレチクル１の
位置を調節すように制御系１８へ制御信号を出力する。The control means (not shown) controls the reticle stage based on the positional shift amount of the reticle 1 calculated from the reference coordinates stored in advance and the coordinates of the reticle mark 9 imaged on the one-dimensional image sensor 25. A control signal is output to the control system 18 to adjust the position of the reticle 1 by moving the reticle 1 in the X direction, the Y direction, and the rotation θ direction.
【００５１】制御系１８に制御信号が入力されると、該
制御系１８によって駆動モータ１４が駆動され、レチク
ルステージ２がＸ方向、Ｙ方向および回転θ方向の各方
向に移動され、レチクル１が適正な位置にセットされ
る。When a control signal is input to the control system 18, the drive motor 14 is driven by the control system 18, the reticle stage 2 is moved in each of the X direction, the Y direction and the rotation θ direction, and the reticle 1 is moved. It will be set in the proper position.
【００５２】上述の位置合わせ装置が搭載された縮小投
影露光装置では、上述のようにして位置合わせ装置によ
ってレチクル１が適正な位置にセットされた後、前述し
た露光光学系でウェハ４への投影露光が行なわれる。In the reduction projection exposure apparatus equipped with the above-mentioned alignment device, the reticle 1 is set to an appropriate position by the alignment device as described above, and then projected onto the wafer 4 by the above-mentioned exposure optical system. Exposure is performed.
【００５３】なお、実施例の位置合わせ装置における基
準面１０の反射面は、反射率の異なる２つの反射面で構
成されているが、３つ以上の反射率の異なる反射面で構
成されれてもいてもよい。Although the reflecting surface of the reference surface 10 in the alignment apparatus of the embodiment is composed of two reflecting surfaces having different reflectances, it is composed of three or more reflecting surfaces having different reflectances. You can have it.
【００５４】また、以上説明した位置合わせ装置におけ
るレチクルの位置合わせでは、イメージセンサ上に結像
されたレチクルマーク像の座標と予め記憶された基準座
標とからレチクルの位置ズレが算出されて、レチクルの
位置の調節が行なわれているが、基準面１０にフィデュ
ーシャルマークを設け、イメージセンサ上にレチクルマ
ーク像とフィデューシャルマーク像とを結像させて、フ
ィデューシャルマーク像から得られる座標を基準座標と
して、該基準座標とレチクルマーク像の座標とからレチ
クルの位置ズレを算出して調節することもできる。In the alignment of the reticle in the alignment device described above, the reticle position deviation is calculated from the coordinates of the reticle mark image formed on the image sensor and the reference coordinates stored in advance, and the reticle position is calculated. Is adjusted, but a fiducial mark is provided on the reference surface 10, and a reticle mark image and a fiducial mark image are formed on the image sensor to obtain the fiducial mark image. It is also possible to use the coordinates as reference coordinates and calculate and adjust the positional deviation of the reticle from the reference coordinates and the coordinates of the reticle mark image.
【００５５】以下、上記実施例の位置合わせ装置の基準
面１０にフィデューシャルマークを設けた場合について
説明する。The case where the fiducial mark is provided on the reference surface 10 of the alignment apparatus of the above embodiment will be described below.
【００５６】ａ．フィデューシャルマークの例１ 図４は、図１に示した位置合わせ装置の基準面１０に設
けられたフィデューシャルマーク５０の概略を示す図で
ある。 A. Example 1 of Fiducial Mark FIG. 4 is a diagram schematically showing a fiducial mark 50 provided on the reference surface 10 of the alignment apparatus shown in FIG.
【００５７】フィデューシャルマーク５０は、反射部１
０ａ1内に長方形のマーク部１０ａ2，５０ａ3がその長
手方向が互いに直交するように所定の間隔で設けられた
フィデューシャルマーク５０ａと、同様に反射部５０ｂ
1内に長方形のマーク部５０ｂ2，５０ｂ3がその長手方
向が互いに直交するように所定の間隔で設けられたフィ
デューシャルマーク５０ｂとで構成されている。これら
フィデューシャルマーク５０ａとフィデューシャルマー
ク５０ｂとは、同一形状のものとなっている。The fiducial mark 50 has the reflecting portion 1
0a1 is a fiducial mark 50a in which rectangular mark portions 10a2 and 50a3 are provided at predetermined intervals so that their longitudinal directions are orthogonal to each other, and similarly, a reflective portion 50b.
The rectangular mark portions 50b2 and 50b3 are formed in one portion with fiducial marks 50b provided at predetermined intervals so that their longitudinal directions are orthogonal to each other. The fiducial mark 50a and the fiducial mark 50b have the same shape.
【００５８】上記フィデューシャルマーク５０ａでは、
反射部５０ａ1の反射率は、レチクルマーク９の反射率
が高い状態にあるときに、該レチクルマーク９からの反
射光の出力がある程度のピーク値を持つような値となっ
ている。また、マーク部５０ａ2，５０ａ3の反射率は、
該マーク部５０ａ2，５０ａ3からの反射光が上記レチク
ルマーク９からの反射光の出力とほぼ同程度の出力とな
るような値となっている。In the fiducial mark 50a,
The reflectance of the reflector 50a1 is such that the output of the reflected light from the reticle mark 9 has a certain peak value when the reflectance of the reticle mark 9 is high. The reflectance of the mark parts 50a2 and 50a3 is
The values are such that the reflected light from the mark portions 50a2, 50a3 is almost the same as the output of the reflected light from the reticle mark 9.
【００５９】一方、フィデューシャルマーク５０ｂで
は、反射部５０ｂ1の反射率は、レチクルマーク９の反
射率が低い状態にあるときに、該レチクルマーク９から
の反射光の出力がある程度のピーク値を持つように反射
部５０ａ1の反射率より低い値となっている。また、マ
ーク部５０ｂ2，５０ｂ3の反射率は、該マーク部５０ｂ
2，５０ｂ3からの反射光が上記レチクルマーク９からの
反射光の出力とほぼ同程度の出力となるように上記マー
ク部５０ａ2，５０ａ3の反射率より低い値となってい
る。On the other hand, in the fiducial mark 50b, when the reflectance of the reticle mark 9 is low, the output of the reflected light from the reticle mark 9 has a certain peak value when the reflectance of the reticle mark 9 is low. As it has, it has a lower value than the reflectance of the reflecting portion 50a1. Further, the reflectance of the mark parts 50b2 and 50b3 is
It is lower than the reflectance of the mark portions 50a2 and 50a3 so that the reflected light from the 2, 50b3 becomes an output approximately the same as the reflected light from the reticle mark 9.
【００６０】上述のように構成されたフィデューシャル
マーク５０が基準面１０上に設けられた本実施形態の位
置合わせ装置では、一次元イメージセンサ２５上に、基
準面１０からの反射光によって生成されたフィデューシ
ャルマーク５０の像とレチクマーク９で反射されたレチ
クマーク９の像とがそれぞれ結像され、その結像された
レチクルマーク９の像およびフィデューシャルマーク５
０の像に関する波形が以下のようにして検出される。In the alignment apparatus of this embodiment in which the fiducial mark 50 configured as described above is provided on the reference surface 10, it is generated on the one-dimensional image sensor 25 by the reflected light from the reference surface 10. The image of the formed fiducial mark 50 and the image of the reticle mark 9 reflected by the reticle mark 9 are respectively formed, and the formed image of the reticle mark 9 and the fiducial mark 5 are formed.
The waveform for the 0 image is detected as follows.
【００６１】図５は、１次元イメージセンサ２５に結像
されたレチクルマーク９の像およびフィデューシャルマ
ーク５０の像から得られる波形図で、（ａ）はレチクル
マーク９の反射率が高く、基準面１０の反射面にフィデ
ューシャルマーク５０ａが用いられたもの、（ｂ）はレ
チクルマーク９の反射率が低く、基準面１０の反射面に
フィデューシャルマーク５０ａが用いられたもの、
（ｃ）はレチクルマーク９の反射率が低く、基準面１０
の反射面にフィデューシャルマーク５０ｂが用いられた
ものである。FIG. 5 is a waveform diagram obtained from the image of the reticle mark 9 and the image of the fiducial mark 50 formed on the one-dimensional image sensor 25. FIG. 5A shows a high reflectance of the reticle mark 9. The fiducial mark 50a is used for the reflection surface of the reference surface 10, (b) the reflectance of the reticle mark 9 is low, and the fiducial mark 50a is used for the reflection surface of the reference surface 10.
In (c), the reflectance of the reticle mark 9 is low and the reference surface 10
The fiducial mark 50b is used for the reflection surface of the.
【００６２】１次元イメージセンサ２５では、レチクル
マーク９の反射率が高ければ、基準面１０の反射面とし
てフィデューシャルマーク５０ａが用いれた場合、図５
（ａ）に示すような明確なピーク値を持つ波形が検出さ
れる。In the one-dimensional image sensor 25, if the reflectance of the reticle mark 9 is high, and if the fiducial mark 50a is used as the reflecting surface of the reference surface 10, FIG.
A waveform having a clear peak value as shown in (a) is detected.
【００６３】ここで、レチクルマーク９の反射部の反射
率が低いレチクルが使用されると、検出される波形は図
５（ｂ）に示すように波形のピーク値が低くなったもの
となる。この場合には、波形のピーク値が低くなってピ
ーク波形が不明確なものとなるため、ピーク波形の立ち
上がりおよび立ち下がりの検出が困難となる。Here, when a reticle having a low reflectance in the reflection part of the reticle mark 9 is used, the detected waveform has a low peak value as shown in FIG. 5B. In this case, since the peak value of the waveform becomes low and the peak waveform becomes unclear, it is difficult to detect the rising and falling of the peak waveform.
【００６４】上記のように、レチクルマーク９の反射部
の反射率が低くなった場合には、基準面１０の反射面が
フィデューシャルマーク５０ａからフィデューシャルマ
ーク５０ｂに、ウェハステージ５を移動することにより
変更される。反射面としてフィデューシャルマーク５０
ｂが用いられると、１次元イメージセンサ２５で検出さ
れる波形は、図５（ｃ）に示すように、図５（ｂ）の波
形におけるレベル値ｘが下がり、ピーク波形が得られる
こととなる。このとき、マーク部の反射率の低下に伴っ
て図５（ｂ）の波形におけるマーク部のピーク波形の値
も下がり、各ピーク波形の値がほぼ同程度のものとなっ
ている。以上の結果、出力波形からピーク波形の立ち上
がりおよび立ち下がりが正確に検出される。As described above, when the reflectance of the reflecting portion of the reticle mark 9 becomes low, the reflecting surface of the reference surface 10 moves the wafer stage 5 from the fiducial mark 50a to the fiducial mark 50b. It is changed by doing. Fiducial mark 50 as a reflective surface
When b is used, the waveform detected by the one-dimensional image sensor 25 has a level value x in the waveform of FIG. 5 (b) that is reduced and a peak waveform is obtained, as shown in FIG. 5 (c). . At this time, as the reflectance of the mark portion decreases, the peak waveform value of the mark portion in the waveform of FIG. 5B also decreases, and the peak waveform values are almost the same. As a result, the rising and falling edges of the peak waveform are accurately detected from the output waveform.
【００６５】上述のようにして、１次元イメージセンサ
２５によってレチクマーク９の像に関する波形が検出さ
れると、不図示の制御手段によって、その検出された波
形から１次元イメージセンサ２５上の各画素におけるレ
チクマーク９の像の座標およびフィデューシャルマーク
５０の像の座標がそれぞれ求められる。求められたフィ
デューシャルマーク５０の像の座標を基準座標とし、該
基準座標とレチクマーク９の像の座標とからレチクル１
の位置ずれ量が求められ、該求められた位置ずれ量に基
づいてレチクル１の位置ずれが前述した実施例の位置合
わせ装置における調節と同様に行なわれる。When the one-dimensional image sensor 25 detects the waveform relating to the image of the reticle mark 9 as described above, the control means (not shown) detects the waveform of each pixel on the one-dimensional image sensor 25 from the detected waveform. The coordinates of the image of the reticle mark 9 and the coordinates of the image of the fiducial mark 50 are obtained. The coordinates of the image of the fiducial mark 50 thus obtained are used as reference coordinates, and the reticle 1 is calculated from the reference coordinates and the coordinates of the image of the reticle mark 9.
Is calculated, and the positional deviation of the reticle 1 is performed based on the calculated positional deviation in the same manner as the adjustment in the alignment apparatus of the above-described embodiment.
【００６６】なお、上述のようなフィデューシャルマー
ク５０が用いられる場合、レチクルマークの反射率が低
下すると、その反射率の低下に伴ってフィデューシャル
マーク５０の反射率も低いものへと切り替えられるの
で、結果的に検出される波形のピーク値も上記レチクル
マークの反射率の低下に伴って全体的に下がることにな
る。このような場合には、検出光の光量を調節するため
の調光機能を設けることによって、検出される波形のピ
ーク値を全体的に上げることが可能となる。In the case where the fiducial mark 50 as described above is used, if the reflectance of the reticle mark decreases, the reflectance of the fiducial mark 50 is switched to a low reflectance as the reflectance decreases. As a result, the peak value of the waveform detected as a result also decreases overall as the reflectance of the reticle mark decreases. In such a case, it is possible to increase the peak value of the detected waveform as a whole by providing a dimming function for adjusting the light amount of the detection light.
【００６７】ｂ．フィデューシャルマークの例２ 図６は、図４に示したフィデューシャルマーク５０の反
射部およびマーク部の反射率を変えたフィデューシャル
マーク６０の図である。 B. Example 2 of fiducial mark FIG. 6 is a diagram of the fiducial mark 60 shown in FIG. 4 in which the reflectance of the reflection portion and the reflectance of the mark portion are changed.
【００６８】本実施例のフィデューシャルマーク６０
は、透過部６０ａ1内に長方形の反射部（マーク部）６
０ａ2，６０ａ3がその長手方向が互いに直交するように
所定の間隔で設けられたフィデューシャルマーク６０ａ
と、同様に反射部６０ｂ1内に長方形の透過部（マーク
部）６０ｂ2，６０ｂ3がその長手方向が互いに直交する
ように所定の間隔で設けられたフィデューシャルマーク
６０ｂとで構成されている。これらのフィデューシャル
マーク６０ａとフィデューシャルマーク６０ｂとは、反
射部および透過部が反転した同一形状のものとなってい
る。Fiducial mark 60 of this embodiment
Is a rectangular reflection part (mark part) 6 in the transmission part 60a1.
0a2 and 60a3 are fiducial marks 60a provided at predetermined intervals so that their longitudinal directions are orthogonal to each other.
Similarly, in the reflective portion 60b1, rectangular transmissive portions (mark portions) 60b2 and 60b3 are formed with fiducial marks 60b provided at predetermined intervals so that their longitudinal directions are orthogonal to each other. The fiducial mark 60a and the fiducial mark 60b have the same shape with the reflection portion and the transmission portion being inverted.
【００６９】上述のように構成されたフィデューシャル
マーク６０が基準面１０上に設けられた本実施の位置合
わせ装置では、一次元イメージセンサ２５上に、基準面
１０からの反射光によって生成されたフィデューシャル
マーク６０の像とレチクマーク９で反射されたレチクマ
ーク９の像とがそれぞれ結像され、その結像されたレチ
クルマーク９の像およびフィデューシャルマーク５０の
像に関する波形が以下のようにして検出される。In the alignment apparatus of this embodiment in which the fiducial mark 60 configured as described above is provided on the reference surface 10, it is generated on the one-dimensional image sensor 25 by the reflected light from the reference surface 10. The image of the fiducial mark 60 and the image of the reticle mark 9 reflected by the reticle mark 9 are formed, and the waveforms of the formed image of the reticle mark 9 and the image of the fiducial mark 50 are as follows. To be detected.
【００７０】図７は、１次元イメージセンサ２５に結像
されたレチクルマーク９の像およびフィデューシャルマ
ーク６０の像から得られる波形図で、（ａ）はレチクル
マーク９の反射率が高く、基準面１０の反射面にフィデ
ューシャルマーク６０ａが用いられたもの、（ｂ）はレ
チクルマーク９の反射率が低く、基準面１０の反射面に
フィデューシャルマーク６０ａが用いられたもの、
（ｃ）はレチクルマーク９の反射率が高く、基準面１０
の反射面にフィデューシャルマーク６０ｂが用いられた
ものである。FIG. 7 is a waveform diagram obtained from the image of the reticle mark 9 and the image of the fiducial mark 60 formed on the one-dimensional image sensor 25. FIG. 7A shows a high reflectance of the reticle mark 9. A fiducial mark 60a is used for the reflection surface of the reference surface 10, and (b) shows that the reflectance of the reticle mark 9 is low and the fiducial mark 60a is used for the reflection surface of the reference surface 10.
(C) shows that the reticle mark 9 has a high reflectance and the reference surface 10
The fiducial mark 60b is used for the reflection surface of the.
【００７１】１次元イメージセンサ２５では、レチクル
マーク９の反射率が高ければ、基準面１０の反射面とし
てフィデューシャルマーク６０ａが用いれた場合、図７
（ａ）に示すように明確なピーク値を持つ波形が検出さ
れる。In the one-dimensional image sensor 25, if the reflectance of the reticle mark 9 is high, and if the fiducial mark 60a is used as the reflection surface of the reference surface 10, FIG.
A waveform having a clear peak value is detected as shown in (a).
【００７２】ここで、レチクルマーク９の反射部の反射
率が低いレチクルが使用されると、検出される波形は図
７（ｂ）に示すように波形のピーク値が低くなったもの
となる。この場合には、波形のピーク値が低くなってピ
ーク波形が不明確なものとなるため、ピーク波形の立ち
上がりおよび立ち下がりの検出が困難となる。Here, when a reticle having a low reflectance at the reflection portion of the reticle mark 9 is used, the detected waveform has a low peak value as shown in FIG. 7B. In this case, since the peak value of the waveform becomes low and the peak waveform becomes unclear, it is difficult to detect the rising and falling of the peak waveform.
【００７３】上記のように、レチクルマーク９の反射部
の反射率が低くなった場合には、基準面１０の反射面が
フィデューシャルマーク６０ａからフィデューシャルマ
ーク６０ｂに、ウェハステージ５を移動することにより
変更される。反射面としてフィデューシャルマーク６０
ｂが用いられると、１次元イメージセンサ２５で検出さ
れる波形は、図７（ｃ）に示すように、図７（ａ）の波
形が反転したような波形が得られることとなる。その結
果、その出力波形からピーク波形の立ち上がりおよび立
ち下がりを正確に検出することができるようになる。As described above, when the reflectance of the reflective portion of the reticle mark 9 becomes low, the reflective surface of the reference surface 10 moves the wafer stage 5 from the fiducial mark 60a to the fiducial mark 60b. It is changed by doing. Fiducial mark 60 as a reflective surface
When b is used, the waveform detected by the one-dimensional image sensor 25 is a waveform obtained by inverting the waveform of FIG. 7A, as shown in FIG. 7C. As a result, it is possible to accurately detect the rising and falling edges of the peak waveform from the output waveform.
【００７４】上述のようにして、１次元イメージセンサ
２５によってレチクマーク９の像に関する波形が検出さ
れると、不図示の制御手段によって、その検出された波
形から１次元イメージセンサ２５上の各画素におけるレ
チクマーク９の像の座標およびフィデューシャルマーク
５０の像の座標がそれぞれ求められる。求められたフィ
デューシャルマーク５０の像の座標を基準座標とし、該
基準座標とレチクマーク９の像の座標とからレチクル１
の位置ずれ量が求められ、該求められた位置ずれ量に基
づいてレチクル１の位置ずれが前述した実施例の位置合
わせ装置における調節と同様に行なわれる。When the one-dimensional image sensor 25 detects the waveform relating to the image of the reticle mark 9 as described above, the control means (not shown) detects the waveform of each pixel on the one-dimensional image sensor 25 from the detected waveform. The coordinates of the image of the reticle mark 9 and the coordinates of the image of the fiducial mark 50 are obtained. The coordinates of the image of the fiducial mark 50 thus obtained are used as reference coordinates, and the reticle 1 is calculated from the reference coordinates and the coordinates of the image of the reticle mark 9.
Is calculated, and the positional deviation of the reticle 1 is performed based on the calculated positional deviation in the same manner as the adjustment in the alignment apparatus of the above-described embodiment.
【００７５】[0075]
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、以下に記載するような効果を奏する。Since the present invention is configured as described above, it has the following effects.
【００７６】請求項１に記載のものにおいては、基準面
からの反射光によって照明むらが発生することがないの
で、一元イメージセンサ上にコントラストの良好な像を
結像でき、レチクルの位置検出精度が向上するという効
果がある。According to the first aspect of the present invention, since the illumination unevenness does not occur due to the reflected light from the reference surface, an image with good contrast can be formed on the unitary image sensor, and the reticle position detection accuracy can be improved. Has the effect of improving.
【００７７】さらに、上記効果に加えて、基準面の反射
面は、位置合わせマークの反射率が高い場合には反射率
の低いものに、位置合わせマークの反射率が低い場合に
は反射率の高いものにそれぞれ設定されるので、反射率
の異なる位置合わせマークが形成されたレチクルが用い
られても、位置合わせマークを正確に検出できるという
効果がある。Further, in addition to the above effects, the reflection surface of the reference surface has a low reflectance when the reflectance of the alignment mark is high, and a reflectance of the reflectance surface when the reflectance of the alignment mark is low. Since the high marks are set respectively, there is an effect that the alignment marks can be accurately detected even if the reticle on which the alignment marks having different reflectances are formed is used.
【００７８】請求項２および請求項３に記載のものにお
いては、レチクルの位置ずれ量は、一次元イメージセン
サによってそれぞれ検出された基準用反射面の基準とな
るマーク等の座標を基準に求めるられるので、初期設定
時に基準座標を設けるものに比べて、常に安定したレチ
クルの位置ずれ量を求めることができるという効果があ
る。In the second and third aspects, the positional deviation amount of the reticle is obtained with reference to the coordinates of the mark or the like serving as the reference of the reference reflection surface detected by the one-dimensional image sensor. Therefore, as compared with the case where the reference coordinates are provided at the time of initial setting, there is an effect that a stable reticle position deviation amount can always be obtained.
【図１】本発明の一実施例の位置決め装置が搭載された
縮小投影露光装置の概略構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a reduction projection exposure apparatus equipped with a positioning device according to an embodiment of the present invention.
【図２】（ａ）はレチクルマーク９の概略構成図、
（ｂ）は基準面１０の概略構成図である。FIG. 2A is a schematic configuration diagram of a reticle mark 9,
FIG. 2B is a schematic configuration diagram of the reference plane 10.
【図３】１次元イメージセンサ２５に結像されたレチク
ルマーク９の像から得られる波形図で、（ａ）はレチク
ルマーク９の反射率が高く、基準面１０の反射面に反射
率が低い部分１０ｂが用いられたもの、（ｂ）はレチク
ルマーク９の反射率が低く、基準面１０の反射面に反射
率が低い部分１０ｂが用いられたもの、（ｃ）はレチク
ルマーク９の反射率が低く、基準面１０の反射面に反射
率が高い部分１０ａが用いられたものである。FIG. 3 is a waveform diagram obtained from the image of the reticle mark 9 formed on the one-dimensional image sensor 25, in which (a) shows a high reflectance of the reticle mark 9 and a low reflectance of the reflection surface of the reference surface 10. The portion 10b is used, (b) the reflectance of the reticle mark 9 is low, and the portion 10b with low reflectance is used for the reflection surface of the reference surface 10, (c) the reflectance of the reticle mark 9. Is low, and the portion 10a having a high reflectance is used for the reflecting surface of the reference surface 10.
【図４】図１に示した位置合わせ装置の基準面１０に設
けられたフィデューシャルマーク５０の概略を示す図で
ある。4 is a diagram schematically showing a fiducial mark 50 provided on a reference plane 10 of the alignment device shown in FIG.
【図５】１次元イメージセンサ２５に結像されたレチク
ルマーク９の像およびフィデューシャルマーク５０の像
から得られる波形図で、（ａ）は基準面１０の反射面に
フィデューシャルマーク５０ａが用いられ、レチクルマ
ーク９の反射率が高い状態のもの、（ｂ）は基準面１０
の反射面にフィデューシャルマーク５０ａが用いられ、
レチクルマーク９の反射率が低い状態のもの、（ｃ）は
基準面１０の反射面にフィデューシャルマーク５０ｂが
用いられ、レチクルマーク９の反射率が低い状態のもの
である。5 is a waveform diagram obtained from the image of the reticle mark 9 and the image of the fiducial mark 50 formed on the one-dimensional image sensor 25. FIG. 5A is a fiducial mark 50a on the reflection surface of the reference surface 10. FIG. Is used and the reflectance of the reticle mark 9 is high, (b) is the reference surface 10
The fiducial mark 50a is used on the reflective surface of
The reticle mark 9 has a low reflectance, and (c) shows the reticle mark 9 having a low reflectance because the fiducial mark 50b is used on the reflection surface of the reference surface 10.
【図６】図４に示したフィデューシャルマーク５０の反
射部およびマーク部の反射率を変えたフィデューシャル
マーク６０の図である。6 is a diagram of a reflection portion of the fiducial mark 50 shown in FIG. 4 and a fiducial mark 60 in which the reflectance of the mark portion is changed.
【図７】１次元イメージセンサ２５に結像されたレチク
ルマーク９の像およびフィデューシャルマーク６０の像
から得られる波形図で、（ａ）は基準面１０の反射面に
フィデューシャルマーク６０ａが用いられ、レチクルマ
ーク９の反射率が高い状態のもの、（ｂ）は基準面１０
の反射面にフィデューシャルマーク６０ａが用いられ、
レチクルマーク９の反射率が低い状態のもの、（ｃ）は
基準面１０の反射面にフィデューシャルマーク６０ｂが
用いられ、レチクルマーク９の反射率が低い状態のもの
である。7 is a waveform diagram obtained from the image of the reticle mark 9 and the image of the fiducial mark 60 formed on the one-dimensional image sensor 25. FIG. 7A is a fiducial mark 60a on the reflection surface of the reference surface 10. FIG. Is used and the reflectance of the reticle mark 9 is high, (b) is the reference surface 10
The fiducial mark 60a is used on the reflective surface of
In the state where the reflectance of the reticle mark 9 is low, (c) is the state where the reflectance of the reticle mark 9 is low because the fiducial mark 60b is used for the reflecting surface of the reference surface 10.
１ レチクル ２ レチクルステージ ３ 投影レンズ ４ ウェハ ５ ウェハステージ ６，７，３３，３５ ミラー ９ レチクルマーク １０ 基準面 １４，１７ 駆動モータ １５，１６ レーザ干渉計 １８ 制御系 ２１ ，２３ ビームスプリッタ ２２ 対物レンズ ２４ 結像光学系 ２５ 一次元イメージセンサ ３０ 光源 ３１ 入力レンズ群 ３２ オプチカルインテグレータ ３４ リレーレンズ ３６ メインコンデンサレンズ ３７ レチクルブランド 1 reticle 2 reticle stage 3 projection lens 4 wafer 5 wafer stage 6,7,33,35 mirror 9 reticle mark 10 reference plane 14,17 drive motor 15,16 laser interferometer 18 control system 21,23 beam splitter 22 objective lens 24 Imaging optical system 25 One-dimensional image sensor 30 Light source 31 Input lens group 32 Optical integrator 34 Relay lens 36 Main condenser lens 37 Reticle brand
Claims (3)
と、ウェハが設置される第２のステージと、前記第１の
ステージと前記第２のステージとの間に設けられた投影
光学系と、前記第１および第２のステージを移動する移
動手段とを有し、前記第１のステージに設置されたレチ
クルが前記投影光学系を介して前記第２のステージ上に
設置されたウェハ上の所定位置に投影露光されるように
該レチクルの位置を調節する位置決め装置において、 前記第１のステージ上に設置される各々のレチクルは、
それぞれ反射率の異なる位置合わせマークが形成された
ものであり、 前記第１のステージ上に設置されるレチクルの位置合わ
せマークを照明する照明手段と、 前記第２のステージ上の所定の位置に設けられた、反射
率の異なる複数の反射面からなる基準用反射面と、 前記基準用反射面および位置合わせマークのそれぞれで
反射される反射光によって生成された前記位置合わせマ
ークの像を結像する結像光学系と、 前記結像光学系の結像面に設けられた一次元イメージセ
ンサと、 前記一次元イメージセンサによって検出された位置合わ
せマークの座標を基に前記第１のステージ上に設置され
たレチクルの位置ずれ量を求め、該求めた位置ずれ量に
基づいて該レチクルの位置が適正位置となるように前記
移動手段を制御する制御手段とを有し、 前記制御手段は、反射率の高い位置合わせマークが形成
されたレチクルが用いられた場合には、前記基準用反射
面の反射率の低い反射面が前記投影光学系を介して該位
置合わせマークと共役関係となるように前記移動手段を
制御し、反射率の低い位置合わせマークが形成されたレ
チクルが用いられた場合には、前記基準用反射面の反射
率の高い反射面が前記投影光学系を介して該位置合わせ
マークと共役関係となるように前記移動手段を制御する
ことを特徴とする位置合わせ装置。1. A first stage on which a reticle is placed, a second stage on which a wafer is placed, and a projection optical system provided between the first stage and the second stage. A reticle installed on the first stage via a projection optical system, and a reticle installed on the second stage. In a positioning device that adjusts the position of the reticle so that the reticle is projected and exposed at a position, each reticle installed on the first stage comprises:
Positioning marks having different reflectances are formed respectively, and an illuminating means for illuminating the position adjusting marks of the reticle installed on the first stage, and provided at a predetermined position on the second stage. A reference reflective surface composed of a plurality of reflective surfaces having different reflectances, and an image of the alignment mark generated by reflected light reflected by each of the reference reflective surface and the alignment mark. An image forming optical system, a one-dimensional image sensor provided on an image forming surface of the image forming optical system, and a mounting on the first stage based on the coordinates of the alignment mark detected by the one-dimensional image sensor. And a control means for controlling the moving means so that the position of the reticle becomes an appropriate position on the basis of the calculated positional deviation amount. When the reticle on which the alignment mark having a high reflectance is formed is used, the control unit causes the reflection surface having a low reflectance of the reference reflection surface to be aligned with the alignment mark via the projection optical system. When the reticle on which the moving means is controlled so as to have a conjugate relationship and the alignment mark having a low reflectance is formed is used, the reflecting surface having a high reflectance of the reference reflecting surface is the projection optical system. The alignment device is characterized in that the moving means is controlled so as to be in a conjugate relationship with the alignment mark via.
て、 基準用反射面は、各反射面の所定の部分にそれぞれ同一
形状の基準マークが設けられたものであり、 制御手段は、一次元イメージセンサによってそれぞれ検
出された位置合わせマークの座標と前記基準用反射面の
基準マークの座標とからレチクルの位置ずれ量を求める
ことを特徴とする位置合わせ装置。2. The positioning device according to claim 1, wherein the reference reflecting surface is provided with a reference mark having the same shape on a predetermined portion of each reflecting surface, and the control means is a one-dimensional image. An alignment device, wherein the amount of positional deviation of a reticle is obtained from the coordinates of the alignment mark detected by the sensor and the coordinates of the reference mark on the reference reflection surface.
て、 基準用反射面は、透過部内に所定の形状の反射部が設け
られた第１の反射面と、該第１の反射面の透過部および
反射部を反転させた第２の反射面とからなり、 制御手段は、反射率の高い位置合わせマークが形成され
たレチクルが用いられた場合には、前記第１の反射面が
投影光学系を介して該位置合わせマークと共役関係とな
るように前記移動手段を制御し、反射率の低い位置合わ
せマークが形成されたレチクルが用いられた場合には、
前記第２の反射面が前記投影光学系を介して該位置合わ
せマークと共役関係となるように前記移動手段を制御
し、レチクルの位置ずれ量を、一次元イメージセンサに
よってそれぞれ検出された第１の反射面の反射部の座標
あるいは第２の反射面の透過部の座標を基準に求めるこ
とを特徴とする位置合わせ装置。3. The positioning device according to claim 1, wherein the reference reflecting surface has a first reflecting surface in which a reflecting portion having a predetermined shape is provided in the transmitting portion, and the transmitting portion of the first reflecting surface. And a second reflecting surface in which the reflecting portion is reversed, the control means is such that when the reticle on which the alignment mark having a high reflectance is formed is used, the first reflecting surface is the projection optical system. When the reticle on which the alignment mark having a low reflectance is formed is used by controlling the moving means so as to be in a conjugate relationship with the alignment mark via
The moving unit is controlled so that the second reflecting surface has a conjugate relationship with the alignment mark via the projection optical system, and the positional deviation amount of the reticle is detected by the one-dimensional image sensor. The positioning device is characterized in that the coordinates of the reflecting portion of the reflecting surface or the coordinates of the transmitting portion of the second reflecting surface are obtained as a reference.
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|---|---|---|---|
| JP21687794A JP3295244B2 (en) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | Positioning device |
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Publications (2)
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|---|---|
| JPH0883748A true JPH0883748A (en) | 1996-03-26 |
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ID=16695319
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|---|---|
| JP (1) | JP3295244B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002049083A1 (en) * | 2000-12-11 | 2002-06-20 | Nikon Corporation | Position measuring method, exposure method and system thereof, device production method |
| JP2010205959A (en) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Nec Access Technica Ltd | Product, method of positioning product, recognition mark discrimination method, and program for positioning product |
-
1994
- 1994-09-12 JP JP21687794A patent/JP3295244B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP3295244B2 (en) | 2002-06-24 |
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