JPH088197A - レーザｃｖｄ装置および薄膜形成方法 - Google Patents
レーザｃｖｄ装置および薄膜形成方法Info
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- JPH088197A JPH088197A JP16314094A JP16314094A JPH088197A JP H088197 A JPH088197 A JP H088197A JP 16314094 A JP16314094 A JP 16314094A JP 16314094 A JP16314094 A JP 16314094A JP H088197 A JPH088197 A JP H088197A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】レーザＣＶＤ装置において、開口を通し試料表
面にレーザ光を転写し、これを試料に対して相対的に移
動させながらパターニングを行う場合に終端部の膜厚プ
ロファイルを平坦化する。 【構成】スリット７を通過したレーザ光を、試料３表面
に縮小転写する光学系を有するレーザＣＶＤ装置におい
て、スリット７とレーザ１０との間のレーザ光路上に、
可動ミラー１７および固定ミラー２１を設けた。可動ミ
ラー１７は回動自在で回転機構２３によって回転され
る。パターニングの終端部で、レーザスポットを固定さ
せてレーザ照射し、ＣＶＤ膜先端の膜厚を得る場合にお
いて、可動ミラー１７を回転させてレーザ光軸をシフト
させ、先端側のレーザ強度が高くなるようにレベル差を
つける。これによって、先端部の成膜を促進して、膜厚
プロファイルを平坦化させる。
面にレーザ光を転写し、これを試料に対して相対的に移
動させながらパターニングを行う場合に終端部の膜厚プ
ロファイルを平坦化する。 【構成】スリット７を通過したレーザ光を、試料３表面
に縮小転写する光学系を有するレーザＣＶＤ装置におい
て、スリット７とレーザ１０との間のレーザ光路上に、
可動ミラー１７および固定ミラー２１を設けた。可動ミ
ラー１７は回動自在で回転機構２３によって回転され
る。パターニングの終端部で、レーザスポットを固定さ
せてレーザ照射し、ＣＶＤ膜先端の膜厚を得る場合にお
いて、可動ミラー１７を回転させてレーザ光軸をシフト
させ、先端側のレーザ強度が高くなるようにレベル差を
つける。これによって、先端部の成膜を促進して、膜厚
プロファイルを平坦化させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレーザＣＶＤ装置に関
し、特にレーザ光の照射分布を可変にして成膜状態を最
適化できるレーザＣＶＤ装置に関する。
し、特にレーザ光の照射分布を可変にして成膜状態を最
適化できるレーザＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザを光源とするいわゆるレーザＣＶ
Ｄ技術および装置に関しては、従来より、（１）エキシ
マレーザ等、化合物気体を直接光解離することができる
波長帯（主に紫外域）のレーザを使用し、このレーザを
試料表面に対して平行に入射して、試料表面全域に均一
な薄膜を形成することを目的とする技術、および（２）
レーザ光を試料表面に垂直に入射し、レーザ光照射部分
にのみ局所的に薄膜を形成し、試料表面に薄膜をパター
ニングする技術の２面から研究・開発がなされている。
Ｄ技術および装置に関しては、従来より、（１）エキシ
マレーザ等、化合物気体を直接光解離することができる
波長帯（主に紫外域）のレーザを使用し、このレーザを
試料表面に対して平行に入射して、試料表面全域に均一
な薄膜を形成することを目的とする技術、および（２）
レーザ光を試料表面に垂直に入射し、レーザ光照射部分
にのみ局所的に薄膜を形成し、試料表面に薄膜をパター
ニングする技術の２面から研究・開発がなされている。
【０００３】上記（２）のレーザＣＶＤによる薄膜パタ
ーニング技術においては、さらに、 （２−１）直接光解離可能なエキシマレーザ等の紫外域
レーザを用いてマスクパターンを縮小投影し、ある程度
の面積にわたって一括でパターニングを行う手法がある
（G.S.Higashi et al. 1986 DRY PROCESS SYMPOSIUM
予稿集pp.120-125参照）が、紫外光に対してフィールド
サイズが十分とれ且つ分解能の高い対物レンズの開発が
困難であるために、そのパターニング精度は不十分であ
り、半導体素子やフォトマスクへの応用を考えた場合、
実用的な技術とは言えない。
ーニング技術においては、さらに、 （２−１）直接光解離可能なエキシマレーザ等の紫外域
レーザを用いてマスクパターンを縮小投影し、ある程度
の面積にわたって一括でパターニングを行う手法がある
（G.S.Higashi et al. 1986 DRY PROCESS SYMPOSIUM
予稿集pp.120-125参照）が、紫外光に対してフィールド
サイズが十分とれ且つ分解能の高い対物レンズの開発が
困難であるために、そのパターニング精度は不十分であ
り、半導体素子やフォトマスクへの応用を考えた場合、
実用的な技術とは言えない。
【０００４】（２−２）これに対して、フィールドサイ
ズは小さいながら分解能に優れたレンズ等を使用し、微
小サイズに成膜した薄膜をレーザ光に対して試料を移動
することにより、帯状につなげてパターニングする技術
が存在する（一例として、G.Q.Zhang et al. J.Appl.Ph
ys. 62(1987) pp.673-675）。
ズは小さいながら分解能に優れたレンズ等を使用し、微
小サイズに成膜した薄膜をレーザ光に対して試料を移動
することにより、帯状につなげてパターニングする技術
が存在する（一例として、G.Q.Zhang et al. J.Appl.Ph
ys. 62(1987) pp.673-675）。
【０００５】この技術においては、従来、可視域の連続
発振レーザであるＡｒレーザやＫｒレーザを使用し、そ
のレーザ光をスリットやアパーチャを通してイメージを
転写するのではなく、単に集光、照射するのであったた
め、上記（２−１）の技術に比べて加熱効果が十分であ
り膜質が優れているといるという利点はあるものの、表
面の平坦さ、サイドエッジの直線性のだれ、パターニン
グした薄膜の線幅の保証と線幅の可変性に関して十分で
はない点があった。
発振レーザであるＡｒレーザやＫｒレーザを使用し、そ
のレーザ光をスリットやアパーチャを通してイメージを
転写するのではなく、単に集光、照射するのであったた
め、上記（２−１）の技術に比べて加熱効果が十分であ
り膜質が優れているといるという利点はあるものの、表
面の平坦さ、サイドエッジの直線性のだれ、パターニン
グした薄膜の線幅の保証と線幅の可変性に関して十分で
はない点があった。
【０００６】上記（２−２）の従来技術に対して、特開
平４−２９５８５１号に見られる、レーザ光をスリット
を通して縮小転写して微小薄膜を形成し、これを帯状に
連ねてパターニングをする技術が提案され、ビームエキ
スパンダーで拡大したレーザ光の中央部分をスリットで
取り出して使用するために、レーザ光の照射強度が比較
的均一になるので、単に集光している場合に比べて、パ
ターニングされた薄膜の表面が平坦化されること、ま
た、スリットの形状をイメージ転写し、かつ、このスリ
ットの大きさが可変であるため、帯状薄膜のサイドエッ
ジの精度を確保しつつ線幅を可変できるなどの大幅な改
善が見られた。
平４−２９５８５１号に見られる、レーザ光をスリット
を通して縮小転写して微小薄膜を形成し、これを帯状に
連ねてパターニングをする技術が提案され、ビームエキ
スパンダーで拡大したレーザ光の中央部分をスリットで
取り出して使用するために、レーザ光の照射強度が比較
的均一になるので、単に集光している場合に比べて、パ
ターニングされた薄膜の表面が平坦化されること、ま
た、スリットの形状をイメージ転写し、かつ、このスリ
ットの大きさが可変であるため、帯状薄膜のサイドエッ
ジの精度を確保しつつ線幅を可変できるなどの大幅な改
善が見られた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この改
善された技術においてもＣＶＤ膜最端部のプロファイル
に関して、以下に述べる様な問題を有していた。すなわ
ち、特開平４−２９５８５１号におけるレーザＣＶＤ技
術では、ＣＶＤ膜の先端部では、膜厚が先端に向って徐
々に薄くなり、最先端部にはほとんどＣＶＤ膜が形成さ
れていない状態となる。これを、図で示すと、図４の最
下段図のＣＶＤ膜（実線）に示すような断面形状とな
る。
善された技術においてもＣＶＤ膜最端部のプロファイル
に関して、以下に述べる様な問題を有していた。すなわ
ち、特開平４−２９５８５１号におけるレーザＣＶＤ技
術では、ＣＶＤ膜の先端部では、膜厚が先端に向って徐
々に薄くなり、最先端部にはほとんどＣＶＤ膜が形成さ
れていない状態となる。これを、図で示すと、図４の最
下段図のＣＶＤ膜（実線）に示すような断面形状とな
る。
【０００８】これは、スリットを通過したレーザ光の照
射位置に対して、試料表面を相対的に移動させながらＣ
ＶＤ膜を形成していく場合、レーザスポットの先端部で
は、新規にＣＶＤ膜の形成するための種物質の形成（Nu
cleation）のみが行われ、ＣＶＤ膜の厚みを増す反応
は、スポットの後方、既成膜済のＣＶＤ膜とオーバーラ
ップする部分で進行するためであり、種々の手段でスリ
ット内のレーザ光の照射強度を均一化（たとえば特開平
４−２６１１４号公報参照）したところで、解消される
問題ではない。
射位置に対して、試料表面を相対的に移動させながらＣ
ＶＤ膜を形成していく場合、レーザスポットの先端部で
は、新規にＣＶＤ膜の形成するための種物質の形成（Nu
cleation）のみが行われ、ＣＶＤ膜の厚みを増す反応
は、スポットの後方、既成膜済のＣＶＤ膜とオーバーラ
ップする部分で進行するためであり、種々の手段でスリ
ット内のレーザ光の照射強度を均一化（たとえば特開平
４−２６１１４号公報参照）したところで、解消される
問題ではない。
【０００９】この技術を半導体あるいはＬＣＤ（液晶デ
ィスプレイ）の製造に使用するフォトマスクのパターニ
ング欠落を修復するために用いることを考えると、上記
の様な状態では、先端のエッジ精度を確保できず、正常
にパターン修正が完了したとは言えない。そこで、これ
までは、パターン形成の終端点でレーザスポットを停止
したままレーザ光の照射を続け、先端部の膜厚を確保す
る手段がとられてきた。この場合、最先端部以外の部分
にもレーザ光が余分に照射され続けるため、図４の最下
段図の破線で示すように不必要に膜厚の厚い部分がで
き、応力による亀裂発生等の問題があった。
ィスプレイ）の製造に使用するフォトマスクのパターニ
ング欠落を修復するために用いることを考えると、上記
の様な状態では、先端のエッジ精度を確保できず、正常
にパターン修正が完了したとは言えない。そこで、これ
までは、パターン形成の終端点でレーザスポットを停止
したままレーザ光の照射を続け、先端部の膜厚を確保す
る手段がとられてきた。この場合、最先端部以外の部分
にもレーザ光が余分に照射され続けるため、図４の最下
段図の破線で示すように不必要に膜厚の厚い部分がで
き、応力による亀裂発生等の問題があった。
【００１０】本発明は以上の点にかんがみて成されたも
ので、パターニング終端部において膜厚プロファイルを
平坦化できるようにすることを目的とする。
ので、パターニング終端部において膜厚プロファイルを
平坦化できるようにすることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のレーザＣＶＤ装
置においては、レーザＣＶＤによるパターン形成の終端
点で、最先端部の膜厚を確保するためのレーザ照射を行
う場合に、開口中心に対してレーザ光の光軸中心をＣＶ
Ｄ膜の先端部側へシフトさせる機構を設け、レーザ光強
度が先端側へ向って高くなるようにレベル差をつけるよ
うにした。
置においては、レーザＣＶＤによるパターン形成の終端
点で、最先端部の膜厚を確保するためのレーザ照射を行
う場合に、開口中心に対してレーザ光の光軸中心をＣＶ
Ｄ膜の先端部側へシフトさせる機構を設け、レーザ光強
度が先端側へ向って高くなるようにレベル差をつけるよ
うにした。
【００１２】
【作用】レーザ光の光軸中心をＣＶＤ膜の先端部側へシ
フトさせると、先端部のレーザー光強度が高まって先端
部の成膜が促進され、一方、先端部以外はレーザ強度が
低くなるようにして成膜は抑えられるので、膜厚プロフ
ァイルが平坦化する。
フトさせると、先端部のレーザー光強度が高まって先端
部の成膜が促進され、一方、先端部以外はレーザ強度が
低くなるようにして成膜は抑えられるので、膜厚プロフ
ァイルが平坦化する。
【００１３】
【実施例】以下本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の装置の全体構成を示す図
であり、この実施例は、開口に対してレーザ光軸をシフ
トするための手段として可動ミラー１７を使用する場合
を示している。また、以下の実施例では、ＣＶＤ原料と
してクロムカルボニル（Ｃｒ（Ｃｏ）6）とモリブデン
カルボニル（Ｍｏ（Ｃｏ）6）の混合ガス、レーザとし
て連続励起ＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザの第２高調波
（ＳＨＧ、波長０．５３μｍ）を使用する。
る。図１は本発明の一実施例の装置の全体構成を示す図
であり、この実施例は、開口に対してレーザ光軸をシフ
トするための手段として可動ミラー１７を使用する場合
を示している。また、以下の実施例では、ＣＶＤ原料と
してクロムカルボニル（Ｃｒ（Ｃｏ）6）とモリブデン
カルボニル（Ｍｏ（Ｃｏ）6）の混合ガス、レーザとし
て連続励起ＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザの第２高調波
（ＳＨＧ、波長０．５３μｍ）を使用する。
【００１４】Ｃｒ（Ｃｏ）6、Ｍｏ（Ｃｏ）6は室温で固
体であるため、加熱し、昇華したガスを原料ガス（化合
物気体）として使用する。本実施例では、Ｃｒ（Ｃｏ）
6、Ｍｏ（Ｃｏ）6それぞれ独立に用意したリサーバ１内
で、各々４６℃にて気化させて使用した。なお、図１で
はリザーバ１は１系統しか示していないが、混合ガスを
使用する場合は同形状のものを複数使用する。キャリア
ガスにはＡｒガスを使用した。各リザーバ１を流れるキ
ャリアガスが等量である場合、混合ガス中の分圧はＣｒ
（Ｃｏ）6が約０．５８Ｔｏｒｒ、Ｍｏ（Ｃｏ）6が約
０．５１Ｔｏｒｒとなる。分圧はキャリアガスの流量比
を変えることで変更可能である。
体であるため、加熱し、昇華したガスを原料ガス（化合
物気体）として使用する。本実施例では、Ｃｒ（Ｃｏ）
6、Ｍｏ（Ｃｏ）6それぞれ独立に用意したリサーバ１内
で、各々４６℃にて気化させて使用した。なお、図１で
はリザーバ１は１系統しか示していないが、混合ガスを
使用する場合は同形状のものを複数使用する。キャリア
ガスにはＡｒガスを使用した。各リザーバ１を流れるキ
ャリアガスが等量である場合、混合ガス中の分圧はＣｒ
（Ｃｏ）6が約０．５８Ｔｏｒｒ、Ｍｏ（Ｃｏ）6が約
０．５１Ｔｏｒｒとなる。分圧はキャリアガスの流量比
を変えることで変更可能である。
【００１５】原料ガスはキャリアガスにのって、気密の
保たれたチェンバ２内へ導かれ試料３の表面を流れる。
ここで、チェンバ２の上面に設けられたガラス窓４を通
してスリット７を通過したレーザ光を対物レンズ８によ
り試料３上に縮小転写することで、このレーザ光照射部
に金属薄膜が堆積する。たとえば前記ガス濃度の場合試
料３としてフォトマスクを考えるならば、その表面で平
均出力０．１ｍＷ／μｍ2程度のレーザ光の照射により
金属薄膜が堆積する。チェンバ２内の試料３は原料ガス
との濃度バランスをとることと、表面への金属カルボニ
ル分子の吸着量を制限し堆積速度をコントロールするた
めに、ヒータ５により４０℃程度に加熱されている。レ
ーザ光に対して試料３を相対的に移動させるためには、
ＸＹステージ６を使用する。
保たれたチェンバ２内へ導かれ試料３の表面を流れる。
ここで、チェンバ２の上面に設けられたガラス窓４を通
してスリット７を通過したレーザ光を対物レンズ８によ
り試料３上に縮小転写することで、このレーザ光照射部
に金属薄膜が堆積する。たとえば前記ガス濃度の場合試
料３としてフォトマスクを考えるならば、その表面で平
均出力０．１ｍＷ／μｍ2程度のレーザ光の照射により
金属薄膜が堆積する。チェンバ２内の試料３は原料ガス
との濃度バランスをとることと、表面への金属カルボニ
ル分子の吸着量を制限し堆積速度をコントロールするた
めに、ヒータ５により４０℃程度に加熱されている。レ
ーザ光に対して試料３を相対的に移動させるためには、
ＸＹステージ６を使用する。
【００１６】図１において、１０はレーザ光源、９はレ
ーザ光のビーム径を拡大するビームエキスパンダ、１７
は可動ミラー、２１は可動ミラー１７に対向する固定ミ
ラー、７は前述したとおりスリット（またはアパーチ
ャ）である。スリット７は複数の移動可能なナイフエッ
ジを有し、このナイフエッジによって形成される開口に
よってレーザ光を整形する。さらに、１１はダイクロイ
ックミラー、８は対物レンズであり、レーザ光は上記部
材を順に通り、スリット７の開口部が試料３上にイメー
ジ転写される。
ーザ光のビーム径を拡大するビームエキスパンダ、１７
は可動ミラー、２１は可動ミラー１７に対向する固定ミ
ラー、７は前述したとおりスリット（またはアパーチ
ャ）である。スリット７は複数の移動可能なナイフエッ
ジを有し、このナイフエッジによって形成される開口に
よってレーザ光を整形する。さらに、１１はダイクロイ
ックミラー、８は対物レンズであり、レーザ光は上記部
材を順に通り、スリット７の開口部が試料３上にイメー
ジ転写される。
【００１７】可動ミラー１７は、回転機構２３によって
図の矢印で示すように回転され、レーザー光の光軸をシ
フトさせる。スリット７と可動ミラー１７の間隔が十分
離れていれば、実際上、スリット７に対してレーザ光軸
を平行にずらしたものとみなしてよい。可動ミラー１７
の回転機構２３としては、例えば、ガルバノメータ（光
学ミラーを高速で動かす装置）が考えられ、応答速度と
しては問題ない。もちろん他の駆動装置たとえばモータ
などを使用することもできる。
図の矢印で示すように回転され、レーザー光の光軸をシ
フトさせる。スリット７と可動ミラー１７の間隔が十分
離れていれば、実際上、スリット７に対してレーザ光軸
を平行にずらしたものとみなしてよい。可動ミラー１７
の回転機構２３としては、例えば、ガルバノメータ（光
学ミラーを高速で動かす装置）が考えられ、応答速度と
しては問題ない。もちろん他の駆動装置たとえばモータ
などを使用することもできる。
【００１８】なお、ダイクロイックミラー１１の上方に
は、ハーフミラー２５を介して観察用の接眼装置とＣＣ
Ｄカメラ１２とが配置され、ＣＣＤカメラ１２の読取画
像はモニタ１３によって観察できる。
は、ハーフミラー２５を介して観察用の接眼装置とＣＣ
Ｄカメラ１２とが配置され、ＣＣＤカメラ１２の読取画
像はモニタ１３によって観察できる。
【００１９】図２は以上説明した構成の装置によって帯
状に金属薄膜を形成した場合、パターニングの終端点で
の成膜の様子を図示したものである。先端部においては
膜厚を得るためレーザ光のスポットを固定したままレー
ザ照射（「終端点照射」という）する。その後は、従来
の方法（スリット７内のレーザ強度分布を変更せずに行
う方法）とは異なり、図２に示すように、ＣＶＤ膜の先
端に向ってレーザ光強度が増すようにレーザ光の光軸を
シフトさせる。この光軸のシフトは、回転機構２３が可
動ミラー１７を回動させることにより行われる。
状に金属薄膜を形成した場合、パターニングの終端点で
の成膜の様子を図示したものである。先端部においては
膜厚を得るためレーザ光のスポットを固定したままレー
ザ照射（「終端点照射」という）する。その後は、従来
の方法（スリット７内のレーザ強度分布を変更せずに行
う方法）とは異なり、図２に示すように、ＣＶＤ膜の先
端に向ってレーザ光強度が増すようにレーザ光の光軸を
シフトさせる。この光軸のシフトは、回転機構２３が可
動ミラー１７を回動させることにより行われる。
【００２０】たとえばスリット像の縮小倍率を１／１０
０、試料３表面での成膜進行方向へのスリット７の奥行
を３μｍ、レーザ光源１０からのレーザ光をビームエキ
スパンダ９で拡大後のレーザ光の径をφ５ｍｍとすれ
ば、レーザ光の光軸をスリット７の片方のナイフエッジ
位置まで移動させた場合、スリット７の中心と先端エッ
ジでの平均強度の差は約２０％となる（但し、回折によ
る影響は考慮していない）。
０、試料３表面での成膜進行方向へのスリット７の奥行
を３μｍ、レーザ光源１０からのレーザ光をビームエキ
スパンダ９で拡大後のレーザ光の径をφ５ｍｍとすれ
ば、レーザ光の光軸をスリット７の片方のナイフエッジ
位置まで移動させた場合、スリット７の中心と先端エッ
ジでの平均強度の差は約２０％となる（但し、回折によ
る影響は考慮していない）。
【００２１】大まかに言って、レーザの照射強度に比例
して試料表面の温度上昇も決るので、原料ガス分子の供
給が十分あれば、この分、先端部の成膜が促進されるこ
ととなり、先端部以外の成膜は抑制される。
して試料表面の温度上昇も決るので、原料ガス分子の供
給が十分あれば、この分、先端部の成膜が促進されるこ
ととなり、先端部以外の成膜は抑制される。
【００２２】レーザ光の強度分布は、一般に、中心部が
強く、周辺部にいくにつれて弱くなっているが、強度分
布の勾配をより緩やかにしたい場合は、ビームエキスパ
ンダ９での拡大率を上げるか、レーザ光のシフト量を小
さくすればよく、この拡大率やシフト量は、ガス濃度や
原料ガスの種類等に応じて調整すればよい。
強く、周辺部にいくにつれて弱くなっているが、強度分
布の勾配をより緩やかにしたい場合は、ビームエキスパ
ンダ９での拡大率を上げるか、レーザ光のシフト量を小
さくすればよく、この拡大率やシフト量は、ガス濃度や
原料ガスの種類等に応じて調整すればよい。
【００２３】図３はレーザ光のシフト機構に関する第２
実施例を示すブロック図である。同図において図１と同
じ構成部分については同じ番号を付してある。この実施
例では、レーザ光を可動ガラス板１８を通過させて使用
し、この可動ガラス板１８が傾斜している場合に、屈折
により光軸が平行にシフトする現象を利用している。可
動ガラス１８は駆動装置２７によって傾動される。駆動
装置２７としては、第１実施例と同様にカルバノメータ
やモータが利用できる。
実施例を示すブロック図である。同図において図１と同
じ構成部分については同じ番号を付してある。この実施
例では、レーザ光を可動ガラス板１８を通過させて使用
し、この可動ガラス板１８が傾斜している場合に、屈折
により光軸が平行にシフトする現象を利用している。可
動ガラス１８は駆動装置２７によって傾動される。駆動
装置２７としては、第１実施例と同様にカルバノメータ
やモータが利用できる。
【００２４】上記各実施例では、レーザ光を試料に対し
て相対的に走査し、化合物気体の熱分解により試料表面
上に帯状に薄膜を堆積させるタイプのＣＶＤ装置を例に
とったが、本発明はそれに限られず、他のタイプのＣＶ
Ｄ装置にも適用可能である。
て相対的に走査し、化合物気体の熱分解により試料表面
上に帯状に薄膜を堆積させるタイプのＣＶＤ装置を例に
とったが、本発明はそれに限られず、他のタイプのＣＶ
Ｄ装置にも適用可能である。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、レーザ
ＣＶＤによるパターン形成での終端点照射を行う場合
に、開口中心に対してレーザ光の光軸中心をシフトさせ
る機構を設けることによって、レーザ光強度が先端側へ
向って高くなるようにレベル差をつけることが可能であ
り、結果として、先端部の成膜を促進し、それ以外の部
分の成膜を抑制し、パターニング最終部での膜厚プロフ
ァイルを著しく改善する効果を有し、レーザＣＶＤ装置
による薄膜パターニングの信頼性を大幅に向上させるも
のである。
ＣＶＤによるパターン形成での終端点照射を行う場合
に、開口中心に対してレーザ光の光軸中心をシフトさせ
る機構を設けることによって、レーザ光強度が先端側へ
向って高くなるようにレベル差をつけることが可能であ
り、結果として、先端部の成膜を促進し、それ以外の部
分の成膜を抑制し、パターニング最終部での膜厚プロフ
ァイルを著しく改善する効果を有し、レーザＣＶＤ装置
による薄膜パターニングの信頼性を大幅に向上させるも
のである。
【図１】本発明の一実施例のブロック図である。
【図２】図１の装置によって成膜した場合の膜厚プロフ
ァイルを示す図である。
ァイルを示す図である。
【図３】本発明の第２実施例を示すブロック図である。
【図４】従来のＣＶＤ装置によって成膜したときの膜厚
プロファイルを示す図である。
プロファイルを示す図である。
【図５】
２ チェンバ ３ 試料 ４ ガラス窓 ６ ＸＹステージ ８ 対物レンズ １０ レーザ １７ 可動ミラー １８ 可動ガラス板
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年１０月１８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図５
【補正方法】削除
Claims (4)
- 【請求項１】 レーザ発振器から射出されるレーザ光
を、開口により整形し、反応ガス雰囲気中に置かれた試
料表面に対物レンズにより集光して、反応ガスを反応さ
せて金属または誘電体薄膜を形成するレーザＣＶＤ装置
において、前記開口の中心に対して前記レーザ光の光軸
中心をシフトさせるシフト機構を設けたことを特徴とす
るレーザＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 前記シフト機構が、前記レーザ発振器と
前記開口との間に設けられレーザ光軸をシフトさせる可
動ミラーを有する請求項１に記載のレーザＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 前記シフト機構が、前記レーザ発振器と
前記開口との間に設けられ前記レーザ光を透過させるガ
ラス板と、前記ガラス板をレーザ光の光路と直交する軸
の周りに回転させる駆動手段とを有する請求項１記載の
レーザＣＶＤ装置。 - 【請求項４】 レーザ発振器から射出されるレーザ光
を、開口により整形し、反応ガス雰囲気中に置かれた試
料表面に対物レンズにより集光し、開口を通して試料表
面にレーザ光を転写し、試料をレーザ光に対して相対的
に移動させながらレーザ照射し、パターニングの終端部
でレーザスポットを静止させ、前記開口に対してレーザ
光軸をシフトさせて、前記開口のＣＶＤ膜先端側のレー
ザ強度を高くしてＣＶＤ膜を形成することを特徴とする
薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6163140A JP2565138B2 (ja) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | レーザｃｖｄ装置および薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6163140A JP2565138B2 (ja) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | レーザｃｖｄ装置および薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH088197A true JPH088197A (ja) | 1996-01-12 |
| JP2565138B2 JP2565138B2 (ja) | 1996-12-18 |
Family
ID=15767978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6163140A Expired - Fee Related JP2565138B2 (ja) | 1994-06-22 | 1994-06-22 | レーザｃｖｄ装置および薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2565138B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007288219A (ja) * | 2007-07-06 | 2007-11-01 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ照射装置 |
| JP2008112981A (ja) * | 2006-10-03 | 2008-05-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ照射装置およびレーザ照射方法 |
| US7473621B2 (en) | 2002-11-27 | 2009-01-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Producing method for crystalline thin film |
| JP2010210919A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Omron Corp | Ｃｖｄ薄膜の形成方法及び装置 |
| JP2010215947A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Omron Corp | レーザｃｖｄによる薄膜形成方法、及び同方法に好適なガスウィンドウ |
-
1994
- 1994-06-22 JP JP6163140A patent/JP2565138B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7473621B2 (en) | 2002-11-27 | 2009-01-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Producing method for crystalline thin film |
| JP2008112981A (ja) * | 2006-10-03 | 2008-05-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レーザ照射装置およびレーザ照射方法 |
| JP2007288219A (ja) * | 2007-07-06 | 2007-11-01 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ照射装置 |
| JP2010210919A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Omron Corp | Ｃｖｄ薄膜の形成方法及び装置 |
| JP2010215947A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Omron Corp | レーザｃｖｄによる薄膜形成方法、及び同方法に好適なガスウィンドウ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2565138B2 (ja) | 1996-12-18 |
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