JPH0881221A - 酸化物超電導体およびその製造方法 - Google Patents
酸化物超電導体およびその製造方法Info
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- JPH0881221A JPH0881221A JP6219250A JP21925094A JPH0881221A JP H0881221 A JPH0881221 A JP H0881221A JP 6219250 A JP6219250 A JP 6219250A JP 21925094 A JP21925094 A JP 21925094A JP H0881221 A JPH0881221 A JP H0881221A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、100K以上のTcを有すると共
に、取扱いの極めて困難なTlやHg、あるいは資源的
に資源的に偏在し精製コストが高い希土類元素を含まな
い酸化物超電導体およびその製造方法を提供することを
目的とする。 【構成】(Pb1-x-y Mx (A1)y )(A2)2 (A
3)n-1 Cun O2n+3+z(ただし、0≦x≦0.6 、0≦
y≦0.6 、x+y≦0.6 、nは1以上の整数、-0.6≦z
≦0.5 、MはCuもしくはCd、A1,A2,およびA
3は各々Ba,Sr,Caのうち少なくとも一つの元
素)の組成式で表され、Pb、MおよびA1原子の原子
数の合計を1としたときに酸素の原子数が 0.5〜1.5 で
ある原子層およびA2原子1に対して酸素原子1以下で
ある原子層の積層構造を有する岩塩構造を基本とした部
分と、Cu原子1に対して酸素原子2である原子層およ
びA3原子のみの原子層の積層構造を有する無限層構造
部分とを積層した結晶構造を有することを特徴とする。
に、取扱いの極めて困難なTlやHg、あるいは資源的
に資源的に偏在し精製コストが高い希土類元素を含まな
い酸化物超電導体およびその製造方法を提供することを
目的とする。 【構成】(Pb1-x-y Mx (A1)y )(A2)2 (A
3)n-1 Cun O2n+3+z(ただし、0≦x≦0.6 、0≦
y≦0.6 、x+y≦0.6 、nは1以上の整数、-0.6≦z
≦0.5 、MはCuもしくはCd、A1,A2,およびA
3は各々Ba,Sr,Caのうち少なくとも一つの元
素)の組成式で表され、Pb、MおよびA1原子の原子
数の合計を1としたときに酸素の原子数が 0.5〜1.5 で
ある原子層およびA2原子1に対して酸素原子1以下で
ある原子層の積層構造を有する岩塩構造を基本とした部
分と、Cu原子1に対して酸素原子2である原子層およ
びA3原子のみの原子層の積層構造を有する無限層構造
部分とを積層した結晶構造を有することを特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液体窒素温度以上の温
度(77K以上)で超電導特性を発揮する酸化物超電導
体およびその製造方法に関する。
度(77K以上)で超電導特性を発揮する酸化物超電導
体およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】酸化物超電導体は、臨界温度(以下、T
cと省略する)以下で電気抵抗がゼロとなり、完全反磁
性を示し、ジョセフソン効果を発揮するという他の物質
にない特性を有しており、電力輸送用ケーブル、発電機
用電線、核融合プラズマ閉じ込め材、磁気浮上列車用材
料、磁気シールド材、高速コンピュータの分野等に幅広
い応用が期待されている。
cと省略する)以下で電気抵抗がゼロとなり、完全反磁
性を示し、ジョセフソン効果を発揮するという他の物質
にない特性を有しており、電力輸送用ケーブル、発電機
用電線、核融合プラズマ閉じ込め材、磁気浮上列車用材
料、磁気シールド材、高速コンピュータの分野等に幅広
い応用が期待されている。
【0003】ベドノルツ(Bednorz) とミュラー(Muller)
が1986年にTc約30KであるLa−Ba−Cu−
O系酸化物超電導体を発見した後、Y−Ba−Cu−O
系酸化物超電導体(Tc≧90K)、Bi−Sr−Ca
−Cu−O系酸化物超電導体(Tc≧110K)、Tl
−Ba−Ca−Cu−O系酸化物超電導体(Tc≧12
5K)、Hg−Ba−Ca−Cu−O系酸化物超電導体
(Tc≧135K)等の比較的高温の酸化物超電導体が
報告されている。現在、これらの物質の製造方法、物
性、応用等に関して多くの研究がなされている。
が1986年にTc約30KであるLa−Ba−Cu−
O系酸化物超電導体を発見した後、Y−Ba−Cu−O
系酸化物超電導体(Tc≧90K)、Bi−Sr−Ca
−Cu−O系酸化物超電導体(Tc≧110K)、Tl
−Ba−Ca−Cu−O系酸化物超電導体(Tc≧12
5K)、Hg−Ba−Ca−Cu−O系酸化物超電導体
(Tc≧135K)等の比較的高温の酸化物超電導体が
報告されている。現在、これらの物質の製造方法、物
性、応用等に関して多くの研究がなされている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】Tcが高いことは、超
電導特性を発揮させるために必要な冷却が容易であるこ
とを意味する。したがって、Tcが高い酸化物超電導体
は実用上極めて大きな利点があり、このような新しい酸
化物超電導体の発見が待望されている。しかしながら、
現在発見されている、比較的高いTcを有するTl−B
a−Ca−Cu−O系酸化物超電導体やHg−Ba−C
a−Cu−O系酸化物超電導体は、極めて毒性の強いT
lやHgを含むために取扱いが非常に困難である。ま
た、Y等の希土類元素は、資源的に偏在し精製コストが
高い。これらは、高いTcを有する酸化物超電導体の実
用化に大きな障害となる。
電導特性を発揮させるために必要な冷却が容易であるこ
とを意味する。したがって、Tcが高い酸化物超電導体
は実用上極めて大きな利点があり、このような新しい酸
化物超電導体の発見が待望されている。しかしながら、
現在発見されている、比較的高いTcを有するTl−B
a−Ca−Cu−O系酸化物超電導体やHg−Ba−C
a−Cu−O系酸化物超電導体は、極めて毒性の強いT
lやHgを含むために取扱いが非常に困難である。ま
た、Y等の希土類元素は、資源的に偏在し精製コストが
高い。これらは、高いTcを有する酸化物超電導体の実
用化に大きな障害となる。
【0005】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、100K以上のTcを有すると共に、取扱いの極
めて困難なTlやHg、あるいは資源的に資源的に偏在
し精製コストが高い希土類元素を含まない新規な酸化物
超電導体およびその製造方法を提供することを目的とす
る。
あり、100K以上のTcを有すると共に、取扱いの極
めて困難なTlやHg、あるいは資源的に資源的に偏在
し精製コストが高い希土類元素を含まない新規な酸化物
超電導体およびその製造方法を提供することを目的とす
る。
【0006】
【課題を解決するための手段および作用】本発明は、
(Pb1-x-y Mx (A1)y )(A2)2 (A3)n-1
Cun O2n +3+z(ただし、0≦x≦0.6、0≦y≦
0.6、x+y≦0.6、nは1以上の整数、−0.6
≦z≦0.5、MはCuもしくはCd、A1,A2,お
よびA3は各々Ba,Sr,Caのうち少なくとも一つ
の元素)の組成式で表され、岩塩構造を基本とした部分
と無限層構造部分とが積み重なった結晶構造を有し、前
記岩塩構造を基本とした部分は、Pb、MおよびA1原
子の原子数の合計を1としたときに酸素の原子数が0.
5〜1.5である原子層と、A2原子1に対して酸素原
子1以下である原子層とが積み重なった構造を有し、前
記無限層構造部分は、Cu原子1に対して酸素原子2で
ある原子層と、A3原子のみの原子層とが積み重なった
構造を有することを特徴とする酸化物超電導体を提供す
る。
(Pb1-x-y Mx (A1)y )(A2)2 (A3)n-1
Cun O2n +3+z(ただし、0≦x≦0.6、0≦y≦
0.6、x+y≦0.6、nは1以上の整数、−0.6
≦z≦0.5、MはCuもしくはCd、A1,A2,お
よびA3は各々Ba,Sr,Caのうち少なくとも一つ
の元素)の組成式で表され、岩塩構造を基本とした部分
と無限層構造部分とが積み重なった結晶構造を有し、前
記岩塩構造を基本とした部分は、Pb、MおよびA1原
子の原子数の合計を1としたときに酸素の原子数が0.
5〜1.5である原子層と、A2原子1に対して酸素原
子1以下である原子層とが積み重なった構造を有し、前
記無限層構造部分は、Cu原子1に対して酸素原子2で
ある原子層と、A3原子のみの原子層とが積み重なった
構造を有することを特徴とする酸化物超電導体を提供す
る。
【0007】本発明の酸化物超電導体は、(Pb1-x-y
Mx (A1)y )(A2)2 (A3)n-1 Cun O
2n+3+zの組成式において、MをCuまたはCdに規定し
ている。これは、MとしてCuを用いることにより取扱
いが容易となり、人体に対する影響が少なくなるからで
あり、MとしてCdを用いることにより、Tcや体積分
率(作製された試料中に占める超電導相の割合)が高い
良質の酸化物超電導体を得ることができるからである。
また、上記組成式において、A1,A2,A3として、
各々Ba,Sr,Caのうち少なくとも一つの元素を選
択することとしている。これは、これらの元素でなけれ
ば超電導体とならないからである。また、一つのサイト
を2種以上の元素が占めても超電導特性にさほど影響し
ないので、複数の元素を用いてもよい。
Mx (A1)y )(A2)2 (A3)n-1 Cun O
2n+3+zの組成式において、MをCuまたはCdに規定し
ている。これは、MとしてCuを用いることにより取扱
いが容易となり、人体に対する影響が少なくなるからで
あり、MとしてCdを用いることにより、Tcや体積分
率(作製された試料中に占める超電導相の割合)が高い
良質の酸化物超電導体を得ることができるからである。
また、上記組成式において、A1,A2,A3として、
各々Ba,Sr,Caのうち少なくとも一つの元素を選
択することとしている。これは、これらの元素でなけれ
ば超電導体とならないからである。また、一つのサイト
を2種以上の元素が占めても超電導特性にさほど影響し
ないので、複数の元素を用いてもよい。
【0008】上記組成式において、xおよびyは0≦x
≦0.6に設定する。これは、xまたはyが0.6を超
えると岩塩構造を基本とする部分が不安定となり、超電
導特性が低下するからである。また、xおよびyはx+
y≦0.6となるように設定する。これは、x+yが
0.6を超えると酸化物超電導体の超電導特性が低下す
るからである。
≦0.6に設定する。これは、xまたはyが0.6を超
えると岩塩構造を基本とする部分が不安定となり、超電
導特性が低下するからである。また、xおよびyはx+
y≦0.6となるように設定する。これは、x+yが
0.6を超えると酸化物超電導体の超電導特性が低下す
るからである。
【0009】また、上記組成式において、nは1以上の
整数となるように設定する。特に、無限層構造を有する
酸化物超電導体の場合では、高いTcを示すようにnは
2〜4の整数であることが好ましい。さらに、zは−
0.6≦z≦0.5に設定する。これは、Cuの酸化物
において高いTcを示す状態、すなわちCuイオンの平
均価数が+2.05〜+2.25である状態にするため
である。
整数となるように設定する。特に、無限層構造を有する
酸化物超電導体の場合では、高いTcを示すようにnは
2〜4の整数であることが好ましい。さらに、zは−
0.6≦z≦0.5に設定する。これは、Cuの酸化物
において高いTcを示す状態、すなわちCuイオンの平
均価数が+2.05〜+2.25である状態にするため
である。
【0010】本発明の酸化物超電導体において、岩塩構
造を基本とした部分はPb、MおよびA1原子の原子数
の合計を1としたときに酸素の原子数が0.5〜1.5
である原子層と、A2原子1に対して酸素原子1以下で
ある原子層とが積み重なった構造である。すなわち、図
1において、(Pb,M,A1)−O層およびA2−O
層が積み重なった構造である。
造を基本とした部分はPb、MおよびA1原子の原子数
の合計を1としたときに酸素の原子数が0.5〜1.5
である原子層と、A2原子1に対して酸素原子1以下で
ある原子層とが積み重なった構造である。すなわち、図
1において、(Pb,M,A1)−O層およびA2−O
層が積み重なった構造である。
【0011】この構造において、アルカリ土類元素A1
の位置は、Ba,Sr,Caのいずれかの元素または他
の複数の元素が占めても超電導特性には大きな変化は生
じない。また、A2の位置にはSrまたはBaが占め易
いが、Caが一部固溶する場合もある。いずれの場合
も、Tcや体積分率には大きな影響はない。(Pb,
M,A1)−O層において、Pb、MおよびA1原子の
原子数の合計を1としたときに酸素の原子数が0.5〜
1.5と規定しているのは、また、A2−O層におい
て、A2原子1に対して酸素原子1以下と規定している
のは、無限層部分のCuの価数を超電導特性が発現する
+2.05〜+2.25にするためである。なお、酸素
量の変化(z)は、(Pb,M,A1)−O層とA2−
O層の酸素量が増減することにより生じる。
の位置は、Ba,Sr,Caのいずれかの元素または他
の複数の元素が占めても超電導特性には大きな変化は生
じない。また、A2の位置にはSrまたはBaが占め易
いが、Caが一部固溶する場合もある。いずれの場合
も、Tcや体積分率には大きな影響はない。(Pb,
M,A1)−O層において、Pb、MおよびA1原子の
原子数の合計を1としたときに酸素の原子数が0.5〜
1.5と規定しているのは、また、A2−O層におい
て、A2原子1に対して酸素原子1以下と規定している
のは、無限層部分のCuの価数を超電導特性が発現する
+2.05〜+2.25にするためである。なお、酸素
量の変化(z)は、(Pb,M,A1)−O層とA2−
O層の酸素量が増減することにより生じる。
【0012】本発明の酸化物超電導体において、無限層
構造部分はCu原子1に対して酸素原子2である原子層
と、A3原子のみの原子層とが積み重なった構造であ
る。すなわち、図1において、Cu−O2 層およびA3
層が積み重なった構造である。本発明の酸化物超電導体
の製造方法は、酸化物超電導体の原料に圧力2〜8GP
aの超高圧下で温度800〜1200℃の熱処理を施す
ことを特徴としている。ここで、熱処理の圧力は2〜8
GPaに設定する。これは、熱処理の圧力が2GPa未
満であると圧力が低すぎて本発明の酸化物超電導体が得
られず、圧力が8GPaを超えると高圧力を発生させる
ために特殊な圧力発生技術が必要となり、装置およびコ
ストの面から考えて工業的に現実的でないからである。
また、熱処理の温度は800〜1200℃に設定する。
これは、熱処理の温度が800℃未満であると温度が低
すぎて本発明の酸化物超電導体が得られず、温度が12
00℃を超えると温度が高すぎて原料が融解してしまう
からである。
構造部分はCu原子1に対して酸素原子2である原子層
と、A3原子のみの原子層とが積み重なった構造であ
る。すなわち、図1において、Cu−O2 層およびA3
層が積み重なった構造である。本発明の酸化物超電導体
の製造方法は、酸化物超電導体の原料に圧力2〜8GP
aの超高圧下で温度800〜1200℃の熱処理を施す
ことを特徴としている。ここで、熱処理の圧力は2〜8
GPaに設定する。これは、熱処理の圧力が2GPa未
満であると圧力が低すぎて本発明の酸化物超電導体が得
られず、圧力が8GPaを超えると高圧力を発生させる
ために特殊な圧力発生技術が必要となり、装置およびコ
ストの面から考えて工業的に現実的でないからである。
また、熱処理の温度は800〜1200℃に設定する。
これは、熱処理の温度が800℃未満であると温度が低
すぎて本発明の酸化物超電導体が得られず、温度が12
00℃を超えると温度が高すぎて原料が融解してしまう
からである。
【0013】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して具体
的に説明する。
的に説明する。
【0014】(実施例1)純度99.9%以上のSrC
O3 およびCuOの各原料粉末を1:1のモル比で秤量
し、混合した。この粉末を空気中において970℃、1
0時間で仮焼して仮焼体とし、これを粉砕した。この仮
焼および粉砕を数回繰り返して行い、前駆体としてSr
CuO2 を作製した。
O3 およびCuOの各原料粉末を1:1のモル比で秤量
し、混合した。この粉末を空気中において970℃、1
0時間で仮焼して仮焼体とし、これを粉砕した。この仮
焼および粉砕を数回繰り返して行い、前駆体としてSr
CuO2 を作製した。
【0015】一方、純度99.9%以上のCaCO3 お
よびCuOの各原料粉末を2:1のモル比で秤量し、混
合した。この粉末を上記と同様にして、空気中において
970℃、10時間で仮焼して仮焼体とし、これを粉砕
した。この仮焼および粉砕を数回繰り返して行い、前駆
体としてCa2 CuO3 を作製した。
よびCuOの各原料粉末を2:1のモル比で秤量し、混
合した。この粉末を上記と同様にして、空気中において
970℃、10時間で仮焼して仮焼体とし、これを粉砕
した。この仮焼および粉砕を数回繰り返して行い、前駆
体としてCa2 CuO3 を作製した。
【0016】次いで、得られた前駆体SrCuO2 およ
びCa2 CuO3 、並びに純度99.9%以上のPbO
およびCuOの原料粉末をPb:Sr:Ca:Cu=
0.5:2:2:3.5のモル比になるように混合して
混合粉末を得た。この混合粉末を金カプセル中に充填
し、さらに酸化物超電導体の酸素量が調節されるように
酸化剤としてKClO4 を加え、金カプセルを封印し
た。この金カプセルを六方キュービックアンビル型超高
圧発生装置内に設置し、金カプセルに圧力5GPa、温
度900℃で30分の熱処理を施した。なお、熱処理
は、金カプセルの外側に薄いNaCl層を設け、これを
ヒータであるグラファイトスリーブの中に入れ、圧力を
印加しながら、グラファイトに電流を流すことにより行
った。
びCa2 CuO3 、並びに純度99.9%以上のPbO
およびCuOの原料粉末をPb:Sr:Ca:Cu=
0.5:2:2:3.5のモル比になるように混合して
混合粉末を得た。この混合粉末を金カプセル中に充填
し、さらに酸化物超電導体の酸素量が調節されるように
酸化剤としてKClO4 を加え、金カプセルを封印し
た。この金カプセルを六方キュービックアンビル型超高
圧発生装置内に設置し、金カプセルに圧力5GPa、温
度900℃で30分の熱処理を施した。なお、熱処理
は、金カプセルの外側に薄いNaCl層を設け、これを
ヒータであるグラファイトスリーブの中に入れ、圧力を
印加しながら、グラファイトに電流を流すことにより行
った。
【0017】熱処理を施した後に金カプセルを装置から
取り出し、さらに金カプセルから酸化物超電導体を取り
出した。
取り出し、さらに金カプセルから酸化物超電導体を取り
出した。
【0018】得られた酸化物超電導体の磁化率について
の温度依存性を調べた。その結果を図2に示す。磁化率
の測定は、酸化物超電導体をゼロ磁場中で4.2Kまで
冷却した後、10Oeの磁場を印加して徐々に温度を上
げながら行うゼロ磁場冷却(ZFC)、および10Oe
磁場中で酸化物超電導体を冷却して行う磁場中冷却(F
C)の2つのモードで行った。図2から分かるように、
反磁性を示す温度(Tc)は115Kであった。また、
FCのデータから5Kにおける体積分率を見積もると2
6%となり比較的高かった。
の温度依存性を調べた。その結果を図2に示す。磁化率
の測定は、酸化物超電導体をゼロ磁場中で4.2Kまで
冷却した後、10Oeの磁場を印加して徐々に温度を上
げながら行うゼロ磁場冷却(ZFC)、および10Oe
磁場中で酸化物超電導体を冷却して行う磁場中冷却(F
C)の2つのモードで行った。図2から分かるように、
反磁性を示す温度(Tc)は115Kであった。また、
FCのデータから5Kにおける体積分率を見積もると2
6%となり比較的高かった。
【0019】次に、得られた酸化物超電導体の電気抵抗
率についての温度依存性を調べた。その結果を図3に示
す。電気抵抗率の測定は、通常の4端子法により行っ
た。図3から分かるように、温度が下がるにしたがって
電気抵抗率は金属と同様に減少し、115K付近で急激
に減少し、104Kにおいて抵抗はゼロとなった。
率についての温度依存性を調べた。その結果を図3に示
す。電気抵抗率の測定は、通常の4端子法により行っ
た。図3から分かるように、温度が下がるにしたがって
電気抵抗率は金属と同様に減少し、115K付近で急激
に減少し、104Kにおいて抵抗はゼロとなった。
【0020】また、得られた酸化物超電導体を粉末X線
回折および高分解能透過電子顕微鏡により調べたとこ
ろ、酸化物超電導体の主相は(Pb0.5 Cu0.5 )Sr
2 Ca2 Cu3 O9+z の組成で表されることが確認され
た。図4にこの酸化物超電導体の粉末X線回折パターン
を示す。また、図5(A)および(B)にこの酸化物超
電導体の電子線回折パターンを示す。図5(A)は[0
01]方向から電子線を照射したときの回折パターンで
あり、図5(B)は[110]方向から電子線を照射し
たときの回折パターンである。これらの回折パターンか
ら、結晶構造の単位胞がa軸長=3.82オングストロ
ーム、c軸長=15.5オングストロームの正方晶系で
あることが分かる。
回折および高分解能透過電子顕微鏡により調べたとこ
ろ、酸化物超電導体の主相は(Pb0.5 Cu0.5 )Sr
2 Ca2 Cu3 O9+z の組成で表されることが確認され
た。図4にこの酸化物超電導体の粉末X線回折パターン
を示す。また、図5(A)および(B)にこの酸化物超
電導体の電子線回折パターンを示す。図5(A)は[0
01]方向から電子線を照射したときの回折パターンで
あり、図5(B)は[110]方向から電子線を照射し
たときの回折パターンである。これらの回折パターンか
ら、結晶構造の単位胞がa軸長=3.82オングストロ
ーム、c軸長=15.5オングストロームの正方晶系で
あることが分かる。
【0021】図6に実施例1の酸化物超電導体の結晶構
造を示す。この結晶構造においては、無限層構造部分が
n=3で表されるものと対応しており、図6には示され
ていないが、超電導特性が発現する状態であるCuの平
均価数が+2.05〜+2.25である状態となるよう
に、岩塩構造部分の酸素が一部欠損している。
造を示す。この結晶構造においては、無限層構造部分が
n=3で表されるものと対応しており、図6には示され
ていないが、超電導特性が発現する状態であるCuの平
均価数が+2.05〜+2.25である状態となるよう
に、岩塩構造部分の酸素が一部欠損している。
【0022】(実施例2)実施例1で得られた前駆体S
rCuO2 およびCa2 CuO3 、並びに純度99.9
%以上のPbOおよびCdOの原料粉末をPb:Cd:
Sr:Ca:Cu=0.5:0.5:2:2:3のモル
比になるように混合して混合粉末を得た。この混合粉末
に実施例1と同様にして超高圧で熱処理を施して酸化物
超電導体を得た。
rCuO2 およびCa2 CuO3 、並びに純度99.9
%以上のPbOおよびCdOの原料粉末をPb:Cd:
Sr:Ca:Cu=0.5:0.5:2:2:3のモル
比になるように混合して混合粉末を得た。この混合粉末
に実施例1と同様にして超高圧で熱処理を施して酸化物
超電導体を得た。
【0023】得られた酸化物超電導体の磁化率について
の温度依存性を実施例1と同様にして調べた。その結果
を図7に示す。図7から分かるように、反磁性を示す温
度(Tc)は121Kであった。また、FCのデータか
ら5Kにおける体積分率を見積もると32%となり比較
的高かった。さらに、得られた酸化物超電導体の電気抵
抗率についての温度依存性を実施例1と同様にして調べ
た。その結果を図8に示す。図8から分かるように、温
度が下がるにしたがって電気抵抗率は金属と同様に減少
し、121K付近で急激に減少し、109Kにおいて抵
抗はゼロとなった。また、粉末X線回折パターン、高分
解能透過電子顕微鏡写真より、作製された主相は(Pb
0.5 Cd0.5 )Sr2 Ca2 Cu3 O9+z の組成で表さ
れることが確認された。また、実施例1と同様に、無限
層構造部分はn=3に対応している。
の温度依存性を実施例1と同様にして調べた。その結果
を図7に示す。図7から分かるように、反磁性を示す温
度(Tc)は121Kであった。また、FCのデータか
ら5Kにおける体積分率を見積もると32%となり比較
的高かった。さらに、得られた酸化物超電導体の電気抵
抗率についての温度依存性を実施例1と同様にして調べ
た。その結果を図8に示す。図8から分かるように、温
度が下がるにしたがって電気抵抗率は金属と同様に減少
し、121K付近で急激に減少し、109Kにおいて抵
抗はゼロとなった。また、粉末X線回折パターン、高分
解能透過電子顕微鏡写真より、作製された主相は(Pb
0.5 Cd0.5 )Sr2 Ca2 Cu3 O9+z の組成で表さ
れることが確認された。また、実施例1と同様に、無限
層構造部分はn=3に対応している。
【0024】(実施例3)製造条件(圧力、温度)を種
々変更して、(Pb1-x-y Mx (A1)y )(A2)2
(A3)n-1 Cun O2n+3+zの組成、すなわちA1,A
2,A3の元素、無限層の枚数、x,yの値を種々変更
した酸化物超電導体を作製した。それぞれの酸化物超電
導体について臨界温度Tcおよび体積分率を調べた。そ
の結果を製造条件および組成と共に下記表1〜4に示
す。なお、表1,2は元素MがCuの場合を示し、表
3,4は元素MがCdの場合を示す。
々変更して、(Pb1-x-y Mx (A1)y )(A2)2
(A3)n-1 Cun O2n+3+zの組成、すなわちA1,A
2,A3の元素、無限層の枚数、x,yの値を種々変更
した酸化物超電導体を作製した。それぞれの酸化物超電
導体について臨界温度Tcおよび体積分率を調べた。そ
の結果を製造条件および組成と共に下記表1〜4に示
す。なお、表1,2は元素MがCuの場合を示し、表
3,4は元素MがCdの場合を示す。
【0025】表1〜4から分かるように、本発明におい
て規定している圧力および温度で作製された酸化物超電
導体はすべて100K以上の高いTcを有するものであ
った。これに対して、本発明において規定している圧力
または温度の範囲外の条件で作製されたもの(試料Nos.
4,8,9,25,29,47,51,52,63,67)はいずれも非超電導相で
あった。なお、元素MとしてCdを用いた場合は、Cu
を用いた場合に比べて、より高いTcおよび体積分率を
有する酸化物超電導体が得られる傾向がある。
て規定している圧力および温度で作製された酸化物超電
導体はすべて100K以上の高いTcを有するものであ
った。これに対して、本発明において規定している圧力
または温度の範囲外の条件で作製されたもの(試料Nos.
4,8,9,25,29,47,51,52,63,67)はいずれも非超電導相で
あった。なお、元素MとしてCdを用いた場合は、Cu
を用いた場合に比べて、より高いTcおよび体積分率を
有する酸化物超電導体が得られる傾向がある。
【0026】
【表1】
【表2】
【表3】
【表4】 本発明の酸化物超電導体のc軸長は無限層の枚数nによ
り変化する。このc軸長はc=5.3+3.4×nオン
グストロームで表され、15.5オングストロームはn
=3に相当する。無限層構造の一単位胞分のc軸長は約
3.4オングストロームであるので、無限層の枚数がn
=4である場合には、c軸長はc=15.5+3.4オ
ングストロームとなる。この場合にも酸化物超電導体
は、100K以上のTcを有することが確認された。こ
のように、無限層の枚数が増加するにしたがってc軸長
も長くなる。なお、a軸長は3.82±0.1オングス
トロームでほぼ一定である。
り変化する。このc軸長はc=5.3+3.4×nオン
グストロームで表され、15.5オングストロームはn
=3に相当する。無限層構造の一単位胞分のc軸長は約
3.4オングストロームであるので、無限層の枚数がn
=4である場合には、c軸長はc=15.5+3.4オ
ングストロームとなる。この場合にも酸化物超電導体
は、100K以上のTcを有することが確認された。こ
のように、無限層の枚数が増加するにしたがってc軸長
も長くなる。なお、a軸長は3.82±0.1オングス
トロームでほぼ一定である。
【0027】
【発明の効果】以上説明した如く本発明の酸化物超電導
体は、(Pb1-x-y Mx (A1)y )(A2)2 (A
3)n-1 Cun O2n+3+zの組成式で表され、Pb、Mお
よびA1原子の原子数の合計を1としたときに酸素の原
子数が0.5〜1.5である原子層およびA2原子1に
対して酸素原子1以下である原子層の積層構造を有する
岩塩構造を基本とした部分と、Cu原子1に対して酸素
原子2である原子層およびA3原子のみの原子層の積層
構造を有する無限層構造部分とを積層した結晶構造を有
し、100K以上のTcを示すものである。このため、
冷媒として液体窒素を使用することができる。また、本
発明の酸化物超電導体は、上記組成式から分かるよう
に、取扱いの極めて困難なTlやHg、あるいは資源的
に資源的に偏在し精製コストが高い希土類元素を含まな
い利点がある。
体は、(Pb1-x-y Mx (A1)y )(A2)2 (A
3)n-1 Cun O2n+3+zの組成式で表され、Pb、Mお
よびA1原子の原子数の合計を1としたときに酸素の原
子数が0.5〜1.5である原子層およびA2原子1に
対して酸素原子1以下である原子層の積層構造を有する
岩塩構造を基本とした部分と、Cu原子1に対して酸素
原子2である原子層およびA3原子のみの原子層の積層
構造を有する無限層構造部分とを積層した結晶構造を有
し、100K以上のTcを示すものである。このため、
冷媒として液体窒素を使用することができる。また、本
発明の酸化物超電導体は、上記組成式から分かるよう
に、取扱いの極めて困難なTlやHg、あるいは資源的
に資源的に偏在し精製コストが高い希土類元素を含まな
い利点がある。
【図1】本発明の酸化物超電導体の結晶構造の一例を示
す図。
す図。
【図2】実施例1の酸化物超電導体についての磁化率の
温度依存性を示すグラフ。
温度依存性を示すグラフ。
【図3】実施例1の酸化物超電導体についての抵抗率の
温度依存性を示すグラフ。
温度依存性を示すグラフ。
【図4】実施例1の酸化物超電導体の粉末X線回折パタ
ーンを示す図。
ーンを示す図。
【図5】(A)および(B)は実施例1の酸化物超電導
体の電子線回折パターンを示す図。
体の電子線回折パターンを示す図。
【図6】本発明の実施例1の酸化物超電導体の結晶構造
を示す図。
を示す図。
【図7】実施例2の酸化物超電導体についての磁化率の
温度依存性を示すグラフ。
温度依存性を示すグラフ。
【図8】実施例2の酸化物超電導体についての抵抗率の
温度依存性を示すグラフ。
温度依存性を示すグラフ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田村 俊之 東京都江東区東雲一丁目14番3 財団法人 国際超電導産業技術研究センター超電導工 学研究所内 (72)発明者 安達 成司 東京都江東区東雲一丁目14番3 財団法人 国際超電導産業技術研究センター超電導工 学研究所内 (72)発明者 呉 暁京 東京都江東区東雲一丁目14番3 財団法人 国際超電導産業技術研究センター超電導工 学研究所内 (72)発明者 山内 尚雄 東京都江東区東雲一丁目14番3 財団法人 国際超電導産業技術研究センター超電導工 学研究所内
Claims (4)
- 【請求項1】 (Pb1-x-y Mx (A1)y )(A2)
2 (A3)n-1 Cun O2n+3+z(ただし、0≦x≦0.
6、0≦y≦0.6、x+y≦0.6、nは1以上の整
数、−0.6≦z≦0.5、MはCuもしくはCd、A
1,A2,およびA3は各々Ba,Sr,Caのうち少
なくとも一つの元素)の組成式で表され、岩塩構造を基
本とした部分と無限層構造部分とが積み重なった結晶構
造を有し、前記岩塩構造を基本とした部分は、Pb、M
およびA1原子の原子数の合計を1としたときに酸素の
原子数が0.5〜1.5である原子層と、A2原子1に
対して酸素原子1以下である原子層とが積み重なった構
造を有し、前記無限層構造部分は、Cu原子1に対して
酸素原子2である原子層と、A3原子のみの原子層とが
積み重なった構造を有することを特徴とする酸化物超電
導体。 - 【請求項2】 前記MがCuであり、前記A2がSrま
たはBaであり、前記A3がCaであり、nが2〜4の
整数である請求項1記載の酸化物超電導体。 - 【請求項3】 前記MがCdであり、前記A2がSrま
たはBaであり、前記A3がCaであり、nが2〜4の
整数である請求項1記載の酸化物超電導体。 - 【請求項4】 酸化物超電導体の原料に、圧力2〜8G
Paの超高圧下で温度800〜1200℃の熱処理を施
して、請求項1〜3のいずれか一つに記載された酸化物
超電導体を得ることを特徴とする酸化物超電導体の製造
方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6219250A JPH0881221A (ja) | 1994-09-13 | 1994-09-13 | 酸化物超電導体およびその製造方法 |
US08/525,912 US5705457A (en) | 1994-09-13 | 1995-09-08 | Oxide superconductor and method for manufacturing the same |
DE69509844T DE69509844T2 (de) | 1994-09-13 | 1995-09-13 | Oxidischer Supraleiter und Verfahren zu seiner Herstellung |
EP95114381A EP0701980B1 (en) | 1994-09-13 | 1995-09-13 | Oxide superconductor and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6219250A JPH0881221A (ja) | 1994-09-13 | 1994-09-13 | 酸化物超電導体およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0881221A true JPH0881221A (ja) | 1996-03-26 |
Family
ID=16732584
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6219250A Pending JPH0881221A (ja) | 1994-09-13 | 1994-09-13 | 酸化物超電導体およびその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5705457A (ja) |
EP (1) | EP0701980B1 (ja) |
JP (1) | JPH0881221A (ja) |
DE (1) | DE69509844T2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020093964A (ja) * | 2018-12-14 | 2020-06-18 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 銅酸化物系化合物およびその製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6153561A (en) * | 1996-09-13 | 2000-11-28 | The Ohio State University | Method for oxygenating oxide superconductive materials |
US6083885A (en) * | 1997-01-14 | 2000-07-04 | Weinstein; Roy | Method of forming textured high-temperature superconductors |
JP3787572B2 (ja) * | 1999-03-26 | 2006-06-21 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 選択還元型高温超伝導体及びその製造方法 |
DE10111938A1 (de) * | 2001-03-13 | 2002-09-26 | Merck Patent Gmbh | Herstellung von Hochtemperatur-Supraleiter-Pulvern in einem Pulsationsreaktor |
US6925316B2 (en) * | 2002-04-08 | 2005-08-02 | Christopher M. Rey | Method of forming superconducting magnets using stacked LTS/HTS coated conductor |
US6993823B2 (en) * | 2002-05-24 | 2006-02-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing oxide superconducting wire |
JP5421064B2 (ja) * | 2009-10-26 | 2014-02-19 | 後藤電子 株式会社 | 高周波高圧高電流電線 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5389603A (en) * | 1988-10-25 | 1995-02-14 | At&T Corp. | Oxide superconductors, and devices and systems comprising such a superconductor |
US5190914A (en) * | 1990-03-02 | 1993-03-02 | International Superconductivity Technology Center | Superconducting material of metal oxides |
JP3205997B2 (ja) * | 1990-09-21 | 2001-09-04 | 東レ株式会社 | 超電導体 |
ATE152089T1 (de) * | 1991-10-25 | 1997-05-15 | Marconi Gec Ltd | Supraleitende keramische zusammensetzung |
JPH0680420A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-03-22 | Mitsubishi Materials Corp | 銅酸化物材料 |
JPH06219736A (ja) * | 1993-01-27 | 1994-08-09 | Hitachi Ltd | 超電導体 |
US5472527A (en) * | 1993-06-24 | 1995-12-05 | American Superconductor Corporation | High pressure oxidation of precursor alloys |
JPH0753212A (ja) * | 1993-08-13 | 1995-02-28 | Agency Of Ind Science & Technol | 高温超伝導体およびその作製法 |
JP2899510B2 (ja) * | 1993-09-17 | 1999-06-02 | 東北電力株式会社 | 酸化物超電導体およびその製造方法 |
-
1994
- 1994-09-13 JP JP6219250A patent/JPH0881221A/ja active Pending
-
1995
- 1995-09-08 US US08/525,912 patent/US5705457A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-09-13 DE DE69509844T patent/DE69509844T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-09-13 EP EP95114381A patent/EP0701980B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020093964A (ja) * | 2018-12-14 | 2020-06-18 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 銅酸化物系化合物およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0701980A1 (en) | 1996-03-20 |
US5705457A (en) | 1998-01-06 |
DE69509844D1 (de) | 1999-07-01 |
EP0701980B1 (en) | 1999-05-26 |
DE69509844T2 (de) | 1999-10-21 |
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