JPH0878790A - 半導体光変調装置，光変調方法，及び半導体光変調装置の製造方法 - Google Patents
半導体光変調装置，光変調方法，及び半導体光変調装置の製造方法Info
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- JPH0878790A JPH0878790A JP21365094A JP21365094A JPH0878790A JP H0878790 A JPH0878790 A JP H0878790A JP 21365094 A JP21365094 A JP 21365094A JP 21365094 A JP21365094 A JP 21365094A JP H0878790 A JPH0878790 A JP H0878790A
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- optical modulator
- semiconductor
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0265—Intensity modulators
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方式を容易に
実現することのできる半導体光変調装置を提供する。 【構成】 半導体レーザ２０と，これと直列に配置さ
れ，溝により２段に分割された光変調器２１，２２とを
集積化してなり、初段の変調器２１でエンコードデータ
ＥＤを入力し、２段目の変調器２２で伝送信号Ｓを入力
するようにして，スペクトル拡散方式に基づいた変調を
行う。 【効果】 光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方式を、従来
のように複雑な構成を用いることなく、容易に実現する
ことができる。
実現することのできる半導体光変調装置を提供する。 【構成】 半導体レーザ２０と，これと直列に配置さ
れ，溝により２段に分割された光変調器２１，２２とを
集積化してなり、初段の変調器２１でエンコードデータ
ＥＤを入力し、２段目の変調器２２で伝送信号Ｓを入力
するようにして，スペクトル拡散方式に基づいた変調を
行う。 【効果】 光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方式を、従来
のように複雑な構成を用いることなく、容易に実現する
ことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体光変調装置，及
びその変調方法に関し、特にスペクトル拡散伝送方式に
基づく光通信に使用する半導体光変調装置と、その変調
方法に関するものである。
びその変調方法に関し、特にスペクトル拡散伝送方式に
基づく光通信に使用する半導体光変調装置と、その変調
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来よりスペクトル拡散伝送方式は、多
チャンネル伝送の容易性，優れた秘話性等から、特にマ
イクロ波伝送において盛んに用いられてきたが、近年、
光通信におけるスペクトル拡散伝送方式の適用が検討さ
れつつある。例えば、Journalof Lightwave Technolog
y, vol.11, No.1,pp20-26(1993) に記載された例は、ス
ペクトル拡散伝送方式のうち、ＣＤＭＡ（code-divisio
n multiple access ）に関するものである。
チャンネル伝送の容易性，優れた秘話性等から、特にマ
イクロ波伝送において盛んに用いられてきたが、近年、
光通信におけるスペクトル拡散伝送方式の適用が検討さ
れつつある。例えば、Journalof Lightwave Technolog
y, vol.11, No.1,pp20-26(1993) に記載された例は、ス
ペクトル拡散伝送方式のうち、ＣＤＭＡ（code-divisio
n multiple access ）に関するものである。
【０００３】図９はこのＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方
式のエンコード部の構成を示す。ＬＤ（レーザダイオー
ド）から発せられた光パルス信号１００は、分波器１０
１でｋ個の光パルスに分けられた後、各々遅延量の異な
る光ファイバ１０２を通過させ、さらに合波器１０３で
一連のパルス列１０４に変換する。この時、該パルス列
１０４は、光ファイバ１０２の遅延量に応じたビットシ
ーケンスとして構成される。
式のエンコード部の構成を示す。ＬＤ（レーザダイオー
ド）から発せられた光パルス信号１００は、分波器１０
１でｋ個の光パルスに分けられた後、各々遅延量の異な
る光ファイバ１０２を通過させ、さらに合波器１０３で
一連のパルス列１０４に変換する。この時、該パルス列
１０４は、光ファイバ１０２の遅延量に応じたビットシ
ーケンスとして構成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のＣＤＭＡスペク
トル拡散伝送方式では、このように複雑な系を構成しな
ければ、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方式を実現する
ことができなかった。即ち、光ＣＤＭＡスペクトル拡散
伝送方式を容易な構成で実現することはできなかった。
トル拡散伝送方式では、このように複雑な系を構成しな
ければ、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方式を実現する
ことができなかった。即ち、光ＣＤＭＡスペクトル拡散
伝送方式を容易な構成で実現することはできなかった。
【０００５】この発明は上記のような従来の問題点に鑑
みてなされたもので、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方
式を、容易な構成で実現することのできる半導体光変調
装置を提供することを目的としている。
みてなされたもので、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方
式を、容易な構成で実現することのできる半導体光変調
装置を提供することを目的としている。
【０００６】またこの発明は、半導体光変調装置によ
る，光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方式を利用した光変
調方法を提供することを目的としている。
る，光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方式を利用した光変
調方法を提供することを目的としている。
【０００７】またこの発明は、上記の半導体光変調装置
を製造する，半導体光変調装置の製造方法を提供するこ
とを目的としている。
を製造する，半導体光変調装置の製造方法を提供するこ
とを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明（請求項１）に
かかる半導体光変調装置は、半導体レーザと、これと直
列に配置される２段の光変調器とを集積化してなる半導
体光変調装置であって、上記２段のうちの第１段の光変
調器は、エンコードデータを入力とし、上記半導体レー
ザの出力光を、上記エンコードデータに応じて変調する
ものであり、上記２段のうちの第２段の光変調器は、伝
送信号を入力とし、上記第１の光変調器の出力光を、上
記伝送信号に応じて変調するものであり、スペクトル拡
散方式に基づいた変調を行うものである。
かかる半導体光変調装置は、半導体レーザと、これと直
列に配置される２段の光変調器とを集積化してなる半導
体光変調装置であって、上記２段のうちの第１段の光変
調器は、エンコードデータを入力とし、上記半導体レー
ザの出力光を、上記エンコードデータに応じて変調する
ものであり、上記２段のうちの第２段の光変調器は、伝
送信号を入力とし、上記第１の光変調器の出力光を、上
記伝送信号に応じて変調するものであり、スペクトル拡
散方式に基づいた変調を行うものである。
【０００９】またこの発明（請求項２）は、上記請求項
１の半導体光変調装置において、上記第１段の光変調器
は、エンコードデータを入力とし、上記半導体レーザの
出力光を、上記エンコードデータに応じて強度変調する
第１の強度変調器であり、上記第２段の光変調器は、伝
送信号を入力とし、上記第１の光変調器の出力光を、上
記伝送信号に応じて強度変調する第２の強度変調器であ
るものとしたものである。
１の半導体光変調装置において、上記第１段の光変調器
は、エンコードデータを入力とし、上記半導体レーザの
出力光を、上記エンコードデータに応じて強度変調する
第１の強度変調器であり、上記第２段の光変調器は、伝
送信号を入力とし、上記第１の光変調器の出力光を、上
記伝送信号に応じて強度変調する第２の強度変調器であ
るものとしたものである。
【００１０】またこの発明（請求項３）は、請求項１の
半導体光変調装置において、上記第１段の光変調器は、
エンコードデータを入力とし、上記半導体レーザの出力
光を、上記エンコードデータに応じて位相変調する位相
変調器であり、上記第２段の光変調器は、伝送信号を入
力とし、上記第１の光変調器の出力光を、上記伝送信号
に応じて強度変調する強度変調器であるものとしたもの
である。
半導体光変調装置において、上記第１段の光変調器は、
エンコードデータを入力とし、上記半導体レーザの出力
光を、上記エンコードデータに応じて位相変調する位相
変調器であり、上記第２段の光変調器は、伝送信号を入
力とし、上記第１の光変調器の出力光を、上記伝送信号
に応じて強度変調する強度変調器であるものとしたもの
である。
【００１１】またこの発明（請求項４）にかかる半導体
光変調装置は、多電極型の波長可変レーザと、光変調器
とを集積化してなる半導体光変調装置であって、上記多
電極型の波長可変レーザは、そのいずれか１つの電極に
エンコードデータを入力として受けて、該レーザよりの
出力に周波数ホッピングを生じさせるものであり、上記
光変調器は、伝送信号を入力として受け、上記多電極型
の波長可変レーザの出力光に対して強度変調を行うもの
であり、スペクトル拡散方式に基づいた変調を行うもの
である。
光変調装置は、多電極型の波長可変レーザと、光変調器
とを集積化してなる半導体光変調装置であって、上記多
電極型の波長可変レーザは、そのいずれか１つの電極に
エンコードデータを入力として受けて、該レーザよりの
出力に周波数ホッピングを生じさせるものであり、上記
光変調器は、伝送信号を入力として受け、上記多電極型
の波長可変レーザの出力光に対して強度変調を行うもの
であり、スペクトル拡散方式に基づいた変調を行うもの
である。
【００１２】またこの発明（請求項５）は、請求項４の
半導体光変調装置において、上記多電極型の波長可変レ
ーザは、共振器方向に電極を分割した多電極型の波長可
変レーザであり、上記光変調器は、電界吸収型の光強度
変調器であるものとしたものである。
半導体光変調装置において、上記多電極型の波長可変レ
ーザは、共振器方向に電極を分割した多電極型の波長可
変レーザであり、上記光変調器は、電界吸収型の光強度
変調器であるものとしたものである。
【００１３】この発明（請求項６）にかかる半導体光変
調装置による光変調方法は、半導体レーザと、これと直
列に配置された第１，第２の２段の光変調器とを集積化
してなる半導体光変調装置による光変調方法であって、
上記２段のうちの第１段の光変調器にエンコードデータ
を入力して、上記半導体レーザからの光を、上記エンコ
ードデータに応じて変調し、上記２段のうちの第２段の
光変調器に伝送信号を入力して、上記第１の光変調器の
出力光を、上記伝送信号に応じて変調することにより、
スペクトル拡散方式に基づいた変調を行うものである。
調装置による光変調方法は、半導体レーザと、これと直
列に配置された第１，第２の２段の光変調器とを集積化
してなる半導体光変調装置による光変調方法であって、
上記２段のうちの第１段の光変調器にエンコードデータ
を入力して、上記半導体レーザからの光を、上記エンコ
ードデータに応じて変調し、上記２段のうちの第２段の
光変調器に伝送信号を入力して、上記第１の光変調器の
出力光を、上記伝送信号に応じて変調することにより、
スペクトル拡散方式に基づいた変調を行うものである。
【００１４】またこの発明（請求項７）は、請求項６の
半導体光変調装置による光変調方法において、上記エン
コードデータに応じて上記半導体レーザからの光の変調
は、強度変調であり、上記伝送信号に応じた上記第１の
光変調器の出力光の変調は、強度変調であるものとした
ものである。
半導体光変調装置による光変調方法において、上記エン
コードデータに応じて上記半導体レーザからの光の変調
は、強度変調であり、上記伝送信号に応じた上記第１の
光変調器の出力光の変調は、強度変調であるものとした
ものである。
【００１５】またこの発明（請求項８）は、請求項６に
記載の半導体光変調装置による光変調方法において、上
記エンコードデータに応じて上記半導体レーザからの光
の変調は、位相変調であり、上記伝送信号に応じた上記
第１の光変調器の出力光の変調は、強度変調であるもの
としたものである。
記載の半導体光変調装置による光変調方法において、上
記エンコードデータに応じて上記半導体レーザからの光
の変調は、位相変調であり、上記伝送信号に応じた上記
第１の光変調器の出力光の変調は、強度変調であるもの
としたものである。
【００１６】またこの発明（請求項９）は、多電極型の
波長可変レーザと、光変調器とを集積化してなる半導体
光変調装置による変調方法において、上記多電極型の波
長可変レーザのいずれか１つの電極にエンコードデータ
を入力して、該波長可変レーザからの光に周波数ホッピ
ングを生じさせ、上記光変調器に伝送信号を入力して、
該光強度変調器により上記多電極型の波長可変レーザの
出力光に対して強度変調を行うことにより、スペクトル
拡散方式に基づいた変調を行うものである。
波長可変レーザと、光変調器とを集積化してなる半導体
光変調装置による変調方法において、上記多電極型の波
長可変レーザのいずれか１つの電極にエンコードデータ
を入力して、該波長可変レーザからの光に周波数ホッピ
ングを生じさせ、上記光変調器に伝送信号を入力して、
該光強度変調器により上記多電極型の波長可変レーザの
出力光に対して強度変調を行うことにより、スペクトル
拡散方式に基づいた変調を行うものである。
【００１７】またこの発明（請求項１０）は、請求項９
の光変調方法において、上記多電極型の波長可変レーザ
は、共振器方向に電極を分割した多電極型の波長可変レ
ーザであって、その後方の電極にエンコードデータを入
力して、該波長可変レーザの出力として、周波数ホッピ
ングを生じさせた光を出力するものであり、（上記光変
調器は、電界吸収型の光強度変調器であって光強度変調
を行うものである）ものとしたものである。
の光変調方法において、上記多電極型の波長可変レーザ
は、共振器方向に電極を分割した多電極型の波長可変レ
ーザであって、その後方の電極にエンコードデータを入
力して、該波長可変レーザの出力として、周波数ホッピ
ングを生じさせた光を出力するものであり、（上記光変
調器は、電界吸収型の光強度変調器であって光強度変調
を行うものである）ものとしたものである。
【００１８】またこの発明（請求項１１）にかかる半導
体光変調装置の製造方法は、半導体レーザと、これと直
列に配置された第１，第２の２段の光変調器とを集積化
してなる半導体光変調装置を製造する方法において、基
板上に絶縁膜を、上記半導体レーザの導波路形成領域，
上記第１の光変調器の形成領域，上記第２の光変調器の
形成領域を、それぞれｄ1,ｄ2,ｄ3 （ｄ1 ＜ｄ2 ＝ｄ3
) の所要の幅ではさみ込むようにパターニングする工
程と、ＭＯＣＶＤ法により上記基板上に、第１導電型下
クラッド層，活性層，光ガイド層，及び回折格子形成層
を順次結晶成長させ、このとき、上記絶縁膜のパターン
間に、上記活性層を、その層厚が上記半導体レーザ形成
領域，上記第１光変調器形成領域，上記第２光変調器形
成領域の順に、ｔ1,ｔ2,ｔ3 （ｔ1 ＞ｔ2 ＝ｔ3 ) とな
り、そのバンドギャップが、順にＥ1,Ｅ2,Ｅ3 （Ｅ1 ＞
Ｅ2 ＝Ｅ3 ) となるよう成長させる工程と、上記絶縁膜
を取り除いた後、第２導電型上クラッド層を結晶成長さ
せる工程と、上記半導体レーザ形成領域の導波路をスト
ライプ状にパターニングした後、上記回折格子層，光ガ
イド層，活性層，下クラッド層，及び基板を、ウェット
エッチング法によりエッチングを行い、各層をメサ状に
残す工程と、上記メサ状に加工した基板上に、第１導電
型埋め込み層，第２導電型埋め込み層，第１導電型埋め
込み層，及び第２導電型クラッド層を、ＭＯＣＶＤ法に
より順次結晶成長させる工程と、上記半導体レーザ形成
領域と第１光変調器形成領域間の分離溝，及び上記第１
光変調器形成領域と上記第２光変調器形成領域間の分離
溝を形成する工程と、上記半導体レーザ領域，第１の光
変調器領域，及び第２の光変調器領域の各々の上面に、
各々第２導電型側オーミック電極を，その下面に共通の
第１導電型側オーミック電極を形成する工程とを備えた
ものである。
体光変調装置の製造方法は、半導体レーザと、これと直
列に配置された第１，第２の２段の光変調器とを集積化
してなる半導体光変調装置を製造する方法において、基
板上に絶縁膜を、上記半導体レーザの導波路形成領域，
上記第１の光変調器の形成領域，上記第２の光変調器の
形成領域を、それぞれｄ1,ｄ2,ｄ3 （ｄ1 ＜ｄ2 ＝ｄ3
) の所要の幅ではさみ込むようにパターニングする工
程と、ＭＯＣＶＤ法により上記基板上に、第１導電型下
クラッド層，活性層，光ガイド層，及び回折格子形成層
を順次結晶成長させ、このとき、上記絶縁膜のパターン
間に、上記活性層を、その層厚が上記半導体レーザ形成
領域，上記第１光変調器形成領域，上記第２光変調器形
成領域の順に、ｔ1,ｔ2,ｔ3 （ｔ1 ＞ｔ2 ＝ｔ3 ) とな
り、そのバンドギャップが、順にＥ1,Ｅ2,Ｅ3 （Ｅ1 ＞
Ｅ2 ＝Ｅ3 ) となるよう成長させる工程と、上記絶縁膜
を取り除いた後、第２導電型上クラッド層を結晶成長さ
せる工程と、上記半導体レーザ形成領域の導波路をスト
ライプ状にパターニングした後、上記回折格子層，光ガ
イド層，活性層，下クラッド層，及び基板を、ウェット
エッチング法によりエッチングを行い、各層をメサ状に
残す工程と、上記メサ状に加工した基板上に、第１導電
型埋め込み層，第２導電型埋め込み層，第１導電型埋め
込み層，及び第２導電型クラッド層を、ＭＯＣＶＤ法に
より順次結晶成長させる工程と、上記半導体レーザ形成
領域と第１光変調器形成領域間の分離溝，及び上記第１
光変調器形成領域と上記第２光変調器形成領域間の分離
溝を形成する工程と、上記半導体レーザ領域，第１の光
変調器領域，及び第２の光変調器領域の各々の上面に、
各々第２導電型側オーミック電極を，その下面に共通の
第１導電型側オーミック電極を形成する工程とを備えた
ものである。
【００１９】またこの発明（請求項１２）は、半導体レ
ーザと、これと直列に配置された第１，第２の２段の光
変調器とを集積化してなる半導体光変調装置を製造する
方法において、基板上に絶縁膜を、上記半導体レーザの
導波路形成領域，上記位相変調器の形成領域，上記強度
変調器の形成領域を、それぞれｄ1,ｄ2,ｄ3 （ｄ1 ＜ｄ
3 ＜ｄ2 ) の所要の幅ではさみ込むようにパターニング
する工程と、ＭＯＣＶＤ法により上記基板上に、第１導
電型クラッド層，活性層，光ガイド層，及び回折格子形
成層を順次結晶成長させ、このとき、上記絶縁膜パター
ンの間に、活性層を、その層厚が上記半導体レーザ形成
領域，上記位相変調器形成領域，上記強度変調器形成領
域の順に、ｔ1,ｔ2,ｔ3 （ｔ1 ＞ｔ3 ＞ｔ2 ) となり、
そのバンドギャップが、順にＥ1,Ｅ2,Ｅ3 （Ｅ1 ＞Ｅ3
＞Ｅ2 ) となるように成長させる工程と、上記絶縁膜を
取り除いた後、第２導電型クラッド層を結晶成長させる
工程と、上記半導体レーザ形成領域の導波路をストライ
プ状にパターニングした後、上記回折格子層，光ガイド
層，活性層，第１導電型クラッド層，及び基板を、ウェ
ットエッチング法によりエッチングを行い、各層をメサ
状に残す工程と、上記メサ状に加工した基板上に、第１
導電型埋め込み層，第２導電型埋め込み層，第１導電型
埋め込み層，及び第２導電型クラッド層を、ＭＯＣＶＤ
法により順次結晶成長させる工程と、上記半導体レーザ
形成領域と位相変調器形成領域間の分離溝，及び上記位
相変調器形成領域と上記強度変調器形成領域間の分離溝
を形成する工程と、上記半導体レーザ領域，位相変調器
領域，及び強度変調器領域の各々の上面に、各々第１導
電型側オーミック電極を，その下面に共通の第１導電型
側オーミック電極を形成する工程とを備えたものであ
る。
ーザと、これと直列に配置された第１，第２の２段の光
変調器とを集積化してなる半導体光変調装置を製造する
方法において、基板上に絶縁膜を、上記半導体レーザの
導波路形成領域，上記位相変調器の形成領域，上記強度
変調器の形成領域を、それぞれｄ1,ｄ2,ｄ3 （ｄ1 ＜ｄ
3 ＜ｄ2 ) の所要の幅ではさみ込むようにパターニング
する工程と、ＭＯＣＶＤ法により上記基板上に、第１導
電型クラッド層，活性層，光ガイド層，及び回折格子形
成層を順次結晶成長させ、このとき、上記絶縁膜パター
ンの間に、活性層を、その層厚が上記半導体レーザ形成
領域，上記位相変調器形成領域，上記強度変調器形成領
域の順に、ｔ1,ｔ2,ｔ3 （ｔ1 ＞ｔ3 ＞ｔ2 ) となり、
そのバンドギャップが、順にＥ1,Ｅ2,Ｅ3 （Ｅ1 ＞Ｅ3
＞Ｅ2 ) となるように成長させる工程と、上記絶縁膜を
取り除いた後、第２導電型クラッド層を結晶成長させる
工程と、上記半導体レーザ形成領域の導波路をストライ
プ状にパターニングした後、上記回折格子層，光ガイド
層，活性層，第１導電型クラッド層，及び基板を、ウェ
ットエッチング法によりエッチングを行い、各層をメサ
状に残す工程と、上記メサ状に加工した基板上に、第１
導電型埋め込み層，第２導電型埋め込み層，第１導電型
埋め込み層，及び第２導電型クラッド層を、ＭＯＣＶＤ
法により順次結晶成長させる工程と、上記半導体レーザ
形成領域と位相変調器形成領域間の分離溝，及び上記位
相変調器形成領域と上記強度変調器形成領域間の分離溝
を形成する工程と、上記半導体レーザ領域，位相変調器
領域，及び強度変調器領域の各々の上面に、各々第１導
電型側オーミック電極を，その下面に共通の第１導電型
側オーミック電極を形成する工程とを備えたものであ
る。
【００２０】またこの発明（請求項１３）は、多電極型
の波長可変レーザと、これと直列に配置された光変調器
とを集積化してなる半導体光変調装置を製造する方法に
おいて、基板上に絶縁膜を、上記半導体レーザの形成領
域，上記光変調器を作製する部分を、それぞれ、ｄ1,ｄ
2 （ｄ1 ＜ｄ2 ) の所要の幅ではさみ込むようにパター
ニングする工程と、ＭＯＣＶＤ法により上記第１導電型
基板上に、第１導電型クラッド層，活性層，光ガイド
層，及び回折格子形成層を順次結晶成長させ、このと
き、上記絶縁膜のパターン間に、活性層を、その層厚が
上記半導体レーザ形成領域，上記光変調器形成領域の順
に、ｔ1,ｔ2 （ｔ1 ＞ｔ2 ) となり、そのバンドギャッ
プが、順にＥ1,Ｅ2 （Ｅ1 ＞Ｅ2 ) となるよう成長させ
る工程と、上記レーザ形成領域のみに、干渉露光法によ
り上記回折格子形成層より回折格子を形成する工程と、
上記絶縁膜を取り除いた後、第２導電型クラッド層を結
晶成長させる工程と、導波路をストライプ状にパターニ
ングした後、上記回折格子層，光ガイド層，活性層，第
１導電型クラッド層，及び基板を、ウェットエッチング
法によりエッチングを行い、各層をメサ状に残す工程
と、上記メサ状に加工した基板上に、第１導電型埋め込
み層，第２導電型埋め込み層，第１導電型埋め込み層，
及び第２導電型クラッド層を、ＭＯＣＶＤ法により順次
結晶成長させる工程と、上記レーザの前後電極間の分離
溝，及びレーザ領域と光変調器領域間の分離溝を形成す
る工程と、上記レーザの前，後電極，及び光変調器の各
々の上面に、各々第２導電型側オーミック電極を、その
下面に共通の第１導電型側オーミック電極を形成する工
程とを備えたものである。
の波長可変レーザと、これと直列に配置された光変調器
とを集積化してなる半導体光変調装置を製造する方法に
おいて、基板上に絶縁膜を、上記半導体レーザの形成領
域，上記光変調器を作製する部分を、それぞれ、ｄ1,ｄ
2 （ｄ1 ＜ｄ2 ) の所要の幅ではさみ込むようにパター
ニングする工程と、ＭＯＣＶＤ法により上記第１導電型
基板上に、第１導電型クラッド層，活性層，光ガイド
層，及び回折格子形成層を順次結晶成長させ、このと
き、上記絶縁膜のパターン間に、活性層を、その層厚が
上記半導体レーザ形成領域，上記光変調器形成領域の順
に、ｔ1,ｔ2 （ｔ1 ＞ｔ2 ) となり、そのバンドギャッ
プが、順にＥ1,Ｅ2 （Ｅ1 ＞Ｅ2 ) となるよう成長させ
る工程と、上記レーザ形成領域のみに、干渉露光法によ
り上記回折格子形成層より回折格子を形成する工程と、
上記絶縁膜を取り除いた後、第２導電型クラッド層を結
晶成長させる工程と、導波路をストライプ状にパターニ
ングした後、上記回折格子層，光ガイド層，活性層，第
１導電型クラッド層，及び基板を、ウェットエッチング
法によりエッチングを行い、各層をメサ状に残す工程
と、上記メサ状に加工した基板上に、第１導電型埋め込
み層，第２導電型埋め込み層，第１導電型埋め込み層，
及び第２導電型クラッド層を、ＭＯＣＶＤ法により順次
結晶成長させる工程と、上記レーザの前後電極間の分離
溝，及びレーザ領域と光変調器領域間の分離溝を形成す
る工程と、上記レーザの前，後電極，及び光変調器の各
々の上面に、各々第２導電型側オーミック電極を、その
下面に共通の第１導電型側オーミック電極を形成する工
程とを備えたものである。
【００２１】
【作用】この発明（請求項１）にかかる半導体光変調装
置においては、半導体レーザと、これと直列に配置され
る２段の光変調器とを集積化してなる半導体光変調装置
であって、上記２段のうちの第１段の光変調器は、エン
コードデータを入力とし、上記半導体レーザの出力光
を、上記エンコードデータに応じて変調するものであ
り、上記２段のうちの第２段の光変調器は、伝送信号を
入力とし、上記第１の光変調器の出力光を、上記伝送信
号に応じて変調するものであり、スペクトル拡散方式に
基づいた変調を行うものとしたので、光ＣＤＭＡスペク
トル拡散伝送方式を容易な構成で実現することができ
る。
置においては、半導体レーザと、これと直列に配置され
る２段の光変調器とを集積化してなる半導体光変調装置
であって、上記２段のうちの第１段の光変調器は、エン
コードデータを入力とし、上記半導体レーザの出力光
を、上記エンコードデータに応じて変調するものであ
り、上記２段のうちの第２段の光変調器は、伝送信号を
入力とし、上記第１の光変調器の出力光を、上記伝送信
号に応じて変調するものであり、スペクトル拡散方式に
基づいた変調を行うものとしたので、光ＣＤＭＡスペク
トル拡散伝送方式を容易な構成で実現することができ
る。
【００２２】またこの発明（請求項２）においては、上
記請求項１の半導体光変調装置において、上記第１段の
光変調器は、エンコードデータを入力とし、上記半導体
レーザの出力光を、上記エンコードデータに応じて強度
変調する第１の強度変調器であり、上記第２段の光変調
器は、伝送信号を入力とし、上記第１の光変調器の出力
光を、上記伝送信号に応じて強度変調する第２の強度変
調器であるものとしたから、光ＣＤＭＡスペクトル拡散
伝送方式を容易な構成で実現することができる。
記請求項１の半導体光変調装置において、上記第１段の
光変調器は、エンコードデータを入力とし、上記半導体
レーザの出力光を、上記エンコードデータに応じて強度
変調する第１の強度変調器であり、上記第２段の光変調
器は、伝送信号を入力とし、上記第１の光変調器の出力
光を、上記伝送信号に応じて強度変調する第２の強度変
調器であるものとしたから、光ＣＤＭＡスペクトル拡散
伝送方式を容易な構成で実現することができる。
【００２３】またこの発明（請求項３）においては、請
求項１の半導体光変調装置において、上記第１段の光変
調器は、エンコードデータを入力とし、上記半導体レー
ザの出力光を、上記エンコードデータに応じて位相変調
する位相変調器であり、上記第２段の光変調器は、伝送
信号を入力とし、上記第１の光変調器の出力光を、上記
伝送信号に応じて強度変調する強度変調器であるものと
したから、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方式を容易な
構成で実現することができる。
求項１の半導体光変調装置において、上記第１段の光変
調器は、エンコードデータを入力とし、上記半導体レー
ザの出力光を、上記エンコードデータに応じて位相変調
する位相変調器であり、上記第２段の光変調器は、伝送
信号を入力とし、上記第１の光変調器の出力光を、上記
伝送信号に応じて強度変調する強度変調器であるものと
したから、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方式を容易な
構成で実現することができる。
【００２４】またこの発明（請求項４）にかかる半導体
光変調装置においては、多電極型の波長可変レーザと、
光変調器とを集積化してなる半導体光変調装置であっ
て、上記多電極型の波長可変レーザは、そのいずれか１
つの電極にエンコードデータを入力として受けて、該レ
ーザよりの出力に周波数ホッピングを生じさせるもので
あり、上記光変調器は、伝送信号を入力として受け、上
記多電極型の波長可変レーザの出力光に対して強度変調
を行うものであり、スペクトル拡散方式に基づいた変調
を行うものとしたので、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送
方式を容易な構成で実現することができる。
光変調装置においては、多電極型の波長可変レーザと、
光変調器とを集積化してなる半導体光変調装置であっ
て、上記多電極型の波長可変レーザは、そのいずれか１
つの電極にエンコードデータを入力として受けて、該レ
ーザよりの出力に周波数ホッピングを生じさせるもので
あり、上記光変調器は、伝送信号を入力として受け、上
記多電極型の波長可変レーザの出力光に対して強度変調
を行うものであり、スペクトル拡散方式に基づいた変調
を行うものとしたので、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送
方式を容易な構成で実現することができる。
【００２５】またこの発明（請求項５）は、請求項４の
半導体光変調装置において、上記多電極型の波長可変レ
ーザは、共振器方向に電極を分割した多電極型の波長可
変レーザであり、（上記光変調器は、電界吸収型の光強
度変調器である）ものとしたので、光ＣＤＭＡスペクト
ル拡散伝送方式を容易な構成で実現することができる。
半導体光変調装置において、上記多電極型の波長可変レ
ーザは、共振器方向に電極を分割した多電極型の波長可
変レーザであり、（上記光変調器は、電界吸収型の光強
度変調器である）ものとしたので、光ＣＤＭＡスペクト
ル拡散伝送方式を容易な構成で実現することができる。
【００２６】この発明（請求項６）にかかる半導体光変
調装置による光変調方法においては、半導体レーザと、
これと直列に配置された第１，第２の２段の光変調器と
を集積化してなる半導体光変調装置による光変調方法で
あって、上記２段のうちの第１段の光変調器にエンコー
ドデータを入力して、上記半導体レーザからの光を、上
記エンコードデータに応じて変調し、上記２段のうちの
第２段の光変調器に伝送信号を入力して、上記第１の光
変調器の出力光を、上記伝送信号に応じて変調すること
により、スペクトル拡散方式に基づいた変調を行うもの
としたので、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方式を容易
な構成で実現することができる。
調装置による光変調方法においては、半導体レーザと、
これと直列に配置された第１，第２の２段の光変調器と
を集積化してなる半導体光変調装置による光変調方法で
あって、上記２段のうちの第１段の光変調器にエンコー
ドデータを入力して、上記半導体レーザからの光を、上
記エンコードデータに応じて変調し、上記２段のうちの
第２段の光変調器に伝送信号を入力して、上記第１の光
変調器の出力光を、上記伝送信号に応じて変調すること
により、スペクトル拡散方式に基づいた変調を行うもの
としたので、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方式を容易
な構成で実現することができる。
【００２７】またこの発明（請求項７）においては、請
求項６の半導体光変調装置による光変調方法において、
上記エンコードデータに応じて上記半導体レーザからの
光の変調は、強度変調であり、上記伝送信号に応じた上
記第１の光変調器の出力光の変調は、強度変調であるも
のとしたので、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方式を容
易な構成で実現することができる。
求項６の半導体光変調装置による光変調方法において、
上記エンコードデータに応じて上記半導体レーザからの
光の変調は、強度変調であり、上記伝送信号に応じた上
記第１の光変調器の出力光の変調は、強度変調であるも
のとしたので、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方式を容
易な構成で実現することができる。
【００２８】またこの発明（請求項８）においては、請
求項６に記載の半導体光変調装置による光変調方法にお
いて、上記エンコードデータに応じて上記半導体レーザ
からの光の変調は、位相変調であり、上記伝送信号に応
じた上記第１の光変調器の出力光の変調は、強度変調で
あるものとしたので、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方
式を容易な構成で実現することができる。
求項６に記載の半導体光変調装置による光変調方法にお
いて、上記エンコードデータに応じて上記半導体レーザ
からの光の変調は、位相変調であり、上記伝送信号に応
じた上記第１の光変調器の出力光の変調は、強度変調で
あるものとしたので、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方
式を容易な構成で実現することができる。
【００２９】またこの発明（請求項９）においては、多
電極型の波長可変レーザと、光変調器とを集積化してな
る半導体光変調装置による変調方法において、上記多電
極型の波長可変レーザのいずれか１つの電極にエンコー
ドデータを入力して、該波長可変レーザからの光に周波
数ホッピングを生じさせ、上記光変調器に伝送信号を入
力して、該光強度変調器により上記多電極型の波長可変
レーザの出力光に対して強度変調を行うことにより、ス
ペクトル拡散方式に基づいた変調を行うものとしたの
で、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方式を容易な構成で
実現することができる。
電極型の波長可変レーザと、光変調器とを集積化してな
る半導体光変調装置による変調方法において、上記多電
極型の波長可変レーザのいずれか１つの電極にエンコー
ドデータを入力して、該波長可変レーザからの光に周波
数ホッピングを生じさせ、上記光変調器に伝送信号を入
力して、該光強度変調器により上記多電極型の波長可変
レーザの出力光に対して強度変調を行うことにより、ス
ペクトル拡散方式に基づいた変調を行うものとしたの
で、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方式を容易な構成で
実現することができる。
【００３０】またこの発明（請求項１０）においては、
請求項９の光変調方法において、上記多電極型の波長可
変レーザは、共振器方向に電極を分割した多電極型の波
長可変レーザであって、その後方の電極にエンコードデ
ータを入力して、該波長可変レーザの出力として、周波
数ホッピングを生じさせた光を出力するものであり、上
記光変調器は、電界吸収型の光強度変調器であって光強
度変調を行うものであるものとしたので、光ＣＤＭＡス
ペクトル拡散伝送方式を容易な構成で実現することがで
きる。
請求項９の光変調方法において、上記多電極型の波長可
変レーザは、共振器方向に電極を分割した多電極型の波
長可変レーザであって、その後方の電極にエンコードデ
ータを入力して、該波長可変レーザの出力として、周波
数ホッピングを生じさせた光を出力するものであり、上
記光変調器は、電界吸収型の光強度変調器であって光強
度変調を行うものであるものとしたので、光ＣＤＭＡス
ペクトル拡散伝送方式を容易な構成で実現することがで
きる。
【００３１】またこの発明（請求項１１）にかかる半導
体光変調装置の製造方法においては、半導体レーザと、
これと直列に配置された第１，第２の２段の光変調器と
を集積化してなる半導体光変調装置を製造する方法にお
いて、基板上に絶縁膜を、上記半導体レーザの導波路形
成領域，上記第１の光変調器の形成領域，上記第２の光
変調器の形成領域を、それぞれｄ1,ｄ2,ｄ3 （ｄ1 ＜ｄ
2 ＝ｄ3 ) の所要の幅ではさみ込むようにパターニング
する工程と、ＭＯＣＶＤ法により上記基板上に、第１導
電型下クラッド層，活性層，光ガイド層，及び回折格子
形成層を順次結晶成長させ、このとき、上記絶縁膜のパ
ターン間に、上記活性層を、その層厚が上記半導体レー
ザ形成領域，上記第１光変調器形成領域，上記第２光変
調器形成領域の順に、ｔ1,ｔ2,ｔ3 （ｔ1 ＞ｔ2 ＝ｔ3
) となり、そのバンドギャップが、順にＥ1,Ｅ2,Ｅ3
（Ｅ1 ＞Ｅ2 ＝Ｅ3 ) となるよう成長させる工程と、上
記絶縁膜を取り除いた後、第２導電型上クラッド層を結
晶成長させる工程と、上記半導体レーザ形成領域の導波
路をストライプ状にパターニングした後、上記回折格子
層，光ガイド層，活性層，下クラッド層，及び基板を、
ウェットエッチング法によりエッチングを行い、各層を
メサ状に残す工程と、上記メサ状に加工した基板上に、
第１導電型埋め込み層，第２導電型埋め込み層，第１導
電型埋め込み層，及び第２導電型クラッド層を、ＭＯＣ
ＶＤ法により順次結晶成長させる工程と、上記半導体レ
ーザ形成領域と第１光変調器形成領域間の分離溝，及び
上記第１光変調器形成領域と上記第２光変調器形成領域
間の分離溝を形成する工程と、上記半導体レーザ領域，
第１の光変調器領域，及び第２の光変調器領域の各々の
上面に、各々第２導電型側オーミック電極を，その下面
に共通の第１導電型側オーミック電極を形成する工程と
を備えたものとしたので、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝
送方式を容易な構成で実現できる半導体光変調装置を製
造することができる。
体光変調装置の製造方法においては、半導体レーザと、
これと直列に配置された第１，第２の２段の光変調器と
を集積化してなる半導体光変調装置を製造する方法にお
いて、基板上に絶縁膜を、上記半導体レーザの導波路形
成領域，上記第１の光変調器の形成領域，上記第２の光
変調器の形成領域を、それぞれｄ1,ｄ2,ｄ3 （ｄ1 ＜ｄ
2 ＝ｄ3 ) の所要の幅ではさみ込むようにパターニング
する工程と、ＭＯＣＶＤ法により上記基板上に、第１導
電型下クラッド層，活性層，光ガイド層，及び回折格子
形成層を順次結晶成長させ、このとき、上記絶縁膜のパ
ターン間に、上記活性層を、その層厚が上記半導体レー
ザ形成領域，上記第１光変調器形成領域，上記第２光変
調器形成領域の順に、ｔ1,ｔ2,ｔ3 （ｔ1 ＞ｔ2 ＝ｔ3
) となり、そのバンドギャップが、順にＥ1,Ｅ2,Ｅ3
（Ｅ1 ＞Ｅ2 ＝Ｅ3 ) となるよう成長させる工程と、上
記絶縁膜を取り除いた後、第２導電型上クラッド層を結
晶成長させる工程と、上記半導体レーザ形成領域の導波
路をストライプ状にパターニングした後、上記回折格子
層，光ガイド層，活性層，下クラッド層，及び基板を、
ウェットエッチング法によりエッチングを行い、各層を
メサ状に残す工程と、上記メサ状に加工した基板上に、
第１導電型埋め込み層，第２導電型埋め込み層，第１導
電型埋め込み層，及び第２導電型クラッド層を、ＭＯＣ
ＶＤ法により順次結晶成長させる工程と、上記半導体レ
ーザ形成領域と第１光変調器形成領域間の分離溝，及び
上記第１光変調器形成領域と上記第２光変調器形成領域
間の分離溝を形成する工程と、上記半導体レーザ領域，
第１の光変調器領域，及び第２の光変調器領域の各々の
上面に、各々第２導電型側オーミック電極を，その下面
に共通の第１導電型側オーミック電極を形成する工程と
を備えたものとしたので、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝
送方式を容易な構成で実現できる半導体光変調装置を製
造することができる。
【００３２】またこの発明（請求項１２）においては、
半導体レーザと、これと直列に配置された第１，第２の
２段の光変調器とを集積化してなる半導体光変調装置を
製造する方法において、基板上に絶縁膜を、上記半導体
レーザの導波路形成領域，上記位相変調器の形成領域，
上記強度変調器の形成領域を、それぞれｄ1,ｄ2,ｄ3
（ｄ1 ＜ｄ3 ＜ｄ2 ) の所要の幅ではさみ込むようにパ
ターニングする工程と、ＭＯＣＶＤ法により上記基板上
に、第１導電型クラッド層，活性層，光ガイド層，及び
回折格子形成層を順次結晶成長させ、このとき、上記絶
縁膜パターンの間に、活性層を、その層厚が上記半導体
レーザ形成領域，上記位相変調器形成領域，上記強度変
調器形成領域の順に、ｔ1,ｔ2,ｔ3 （ｔ1 ＞ｔ3 ＞ｔ2
) となり、そのバンドギャップが、順にＥ1,Ｅ2,Ｅ3
（Ｅ1 ＞Ｅ3 ＞Ｅ2 ) となるように成長させる工程と、
上記絶縁膜を取り除いた後、第２導電型クラッド層を結
晶成長させる工程と、上記半導体レーザ形成領域の導波
路をストライプ状にパターニングした後、上記回折格子
層，光ガイド層，活性層，第１導電型クラッド層，及び
基板を、ウェットエッチング法によりエッチングを行
い、各層をメサ状に残す工程と、上記メサ状に加工した
基板上に、第１導電型埋め込み層，第２導電型埋め込み
層，第１導電型埋め込み層，及び第２導電型クラッド層
を、ＭＯＣＶＤ法により順次結晶成長させる工程と、上
記半導体レーザ形成領域と位相変調器形成領域間の分離
溝，及び上記位相変調器形成領域と上記強度変調器形成
領域間の分離溝を形成する工程と、上記半導体レーザ領
域，位相変調器領域，及び強度変調器領域の各々の上面
に、各々第１導電型側オーミック電極を，その下面に共
通の第１導電型側オーミック電極を形成する工程とを備
えたものとしたので、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方
式を容易な構成で実現できる半導体光変調装置を製造す
ることができる。
半導体レーザと、これと直列に配置された第１，第２の
２段の光変調器とを集積化してなる半導体光変調装置を
製造する方法において、基板上に絶縁膜を、上記半導体
レーザの導波路形成領域，上記位相変調器の形成領域，
上記強度変調器の形成領域を、それぞれｄ1,ｄ2,ｄ3
（ｄ1 ＜ｄ3 ＜ｄ2 ) の所要の幅ではさみ込むようにパ
ターニングする工程と、ＭＯＣＶＤ法により上記基板上
に、第１導電型クラッド層，活性層，光ガイド層，及び
回折格子形成層を順次結晶成長させ、このとき、上記絶
縁膜パターンの間に、活性層を、その層厚が上記半導体
レーザ形成領域，上記位相変調器形成領域，上記強度変
調器形成領域の順に、ｔ1,ｔ2,ｔ3 （ｔ1 ＞ｔ3 ＞ｔ2
) となり、そのバンドギャップが、順にＥ1,Ｅ2,Ｅ3
（Ｅ1 ＞Ｅ3 ＞Ｅ2 ) となるように成長させる工程と、
上記絶縁膜を取り除いた後、第２導電型クラッド層を結
晶成長させる工程と、上記半導体レーザ形成領域の導波
路をストライプ状にパターニングした後、上記回折格子
層，光ガイド層，活性層，第１導電型クラッド層，及び
基板を、ウェットエッチング法によりエッチングを行
い、各層をメサ状に残す工程と、上記メサ状に加工した
基板上に、第１導電型埋め込み層，第２導電型埋め込み
層，第１導電型埋め込み層，及び第２導電型クラッド層
を、ＭＯＣＶＤ法により順次結晶成長させる工程と、上
記半導体レーザ形成領域と位相変調器形成領域間の分離
溝，及び上記位相変調器形成領域と上記強度変調器形成
領域間の分離溝を形成する工程と、上記半導体レーザ領
域，位相変調器領域，及び強度変調器領域の各々の上面
に、各々第１導電型側オーミック電極を，その下面に共
通の第１導電型側オーミック電極を形成する工程とを備
えたものとしたので、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方
式を容易な構成で実現できる半導体光変調装置を製造す
ることができる。
【００３３】またこの発明（請求項１３）は、多電極型
の波長可変レーザと、これと直列に配置された光変調器
とを集積化してなる半導体光変調装置を製造する方法に
おいて、基板上に絶縁膜を、上記半導体レーザの形成領
域，上記光変調器を作製する部分を、それぞれ、ｄ1,ｄ
2 （ｄ1 ＜ｄ2 ) の所要の幅ではさみ込むようにパター
ニングする工程と、ＭＯＣＶＤ法により上記第１導電型
基板上に、第１導電型クラッド層，活性層，光ガイド
層，及び回折格子形成層を順次結晶成長させ、このと
き、上記絶縁膜のパターン間に、活性層を、その層厚が
上記半導体レーザ形成領域，上記光変調器形成領域の順
に、ｔ1,ｔ2 （ｔ1 ＞ｔ2 ) となり、そのバンドギャッ
プが、順にＥ1,Ｅ2 （Ｅ1 ＞Ｅ2 ) となるよう成長させ
る工程と、上記レーザ形成領域のみに、干渉露光法によ
り上記回折格子形成層より回折格子を形成する工程と、
上記絶縁膜を取り除いた後、第２導電型クラッド層を結
晶成長させる工程と、導波路をストライプ状にパターニ
ングした後、上記回折格子層，光ガイド層，活性層，第
１導電型クラッド層，及び基板を、ウェットエッチング
法によりエッチングを行い、各層をメサ状に残す工程
と、上記メサ状に加工した基板上に、第１導電型埋め込
み層，第２導電型埋め込み層，第１導電型埋め込み層，
及び第２導電型クラッド層を、ＭＯＣＶＤ法により順次
結晶成長させる工程と、上記レーザの前後電極間の分離
溝，及びレーザ領域と光変調器領域間の分離溝を形成す
る工程と、上記レーザの前，後電極，及び光変調器の各
々の上面に、各々第２導電型側オーミック電極を、その
下面に共通の第１導電型側オーミック電極を形成する工
程とを備えたものとしたので、光ＣＤＭＡスペクトル拡
散伝送方式を容易な構成で実現できる半導体光変調装置
を製造することができる。
の波長可変レーザと、これと直列に配置された光変調器
とを集積化してなる半導体光変調装置を製造する方法に
おいて、基板上に絶縁膜を、上記半導体レーザの形成領
域，上記光変調器を作製する部分を、それぞれ、ｄ1,ｄ
2 （ｄ1 ＜ｄ2 ) の所要の幅ではさみ込むようにパター
ニングする工程と、ＭＯＣＶＤ法により上記第１導電型
基板上に、第１導電型クラッド層，活性層，光ガイド
層，及び回折格子形成層を順次結晶成長させ、このと
き、上記絶縁膜のパターン間に、活性層を、その層厚が
上記半導体レーザ形成領域，上記光変調器形成領域の順
に、ｔ1,ｔ2 （ｔ1 ＞ｔ2 ) となり、そのバンドギャッ
プが、順にＥ1,Ｅ2 （Ｅ1 ＞Ｅ2 ) となるよう成長させ
る工程と、上記レーザ形成領域のみに、干渉露光法によ
り上記回折格子形成層より回折格子を形成する工程と、
上記絶縁膜を取り除いた後、第２導電型クラッド層を結
晶成長させる工程と、導波路をストライプ状にパターニ
ングした後、上記回折格子層，光ガイド層，活性層，第
１導電型クラッド層，及び基板を、ウェットエッチング
法によりエッチングを行い、各層をメサ状に残す工程
と、上記メサ状に加工した基板上に、第１導電型埋め込
み層，第２導電型埋め込み層，第１導電型埋め込み層，
及び第２導電型クラッド層を、ＭＯＣＶＤ法により順次
結晶成長させる工程と、上記レーザの前後電極間の分離
溝，及びレーザ領域と光変調器領域間の分離溝を形成す
る工程と、上記レーザの前，後電極，及び光変調器の各
々の上面に、各々第２導電型側オーミック電極を、その
下面に共通の第１導電型側オーミック電極を形成する工
程とを備えたものとしたので、光ＣＤＭＡスペクトル拡
散伝送方式を容易な構成で実現できる半導体光変調装置
を製造することができる。
【００３４】
【実施例】 実施例１．図１はこの発明の第１の実施例による半導体
光変調装置を示し、図において、１はｎ−ＩｎＰ基板
（厚み約１００μｍ，不純物濃度５×１０18cm-3）、２
はｎ−ＩｎＰクラッド層（膜厚１４０ｎｍ，不純物濃度
１×１０18cm-3）、３はＩｎＧａＡｓＰ活性層であり、
これは、ＩｎＧａＡｓＰ光閉込層（λg=１．１８μｍ，
膜厚１４０ｎｍ，アンドープ）と、ＩｎＧａＡｓウェル
層（λg=１．６７μｍ，膜厚７ｎｍ，アンドープ）及び
ＩｎＧａＡｓＰバリア層（λg=１．１８μｍ，膜厚２１
ｎｍ，アンドープ）を８周期繰り返したものと、ＩｎＧ
ａＡｓＰ光閉込層（λg=１．１８μｍ，膜厚１４０ｎ
ｍ，アンドープ）とからなる。また、４はＩｎＰ光ガイ
ド層（λg=１．１８μｍ，膜厚１６８ｎｍ，５×１０17
cm-3）、５はＩｎＧａＡｓＰ回折格子（λg=１．１８μ
ｍ，膜厚２８ｎｍ，５×１０17cm-3，周期は２４１５オ
ングストローム）、６はｐ−ＩｎＰクラッド層（膜厚５
ｎｍ，５×１０17cm-3）、７はｐ側オーミック電極（Ｃ
ｒ／Ａｕ，５００オングストローム／１０００オングス
トローム）、８はｎ側オーミック電極（ＡｕＧｅ／Ｎｉ
／Ａｕ，５００オングストローム／５００オングストロ
ーム／１０００オングストローム）である。また、９は
ＩｎＧａＡｓＰ光導波層であり、これは上記ＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層３，ＩｎＰ光ガイド層４の層厚をすべて１／
１．４倍したもので、構成は全く同じである。このた
め、ＩｎＧａＡｓＰ光導波層９は、ＩｎＧａＡｓＰ活性
層３より厚みが薄く（１／１．４倍）、エネルギーギャ
ップがわずかに（約２９ｍｅＶ）大きいものである。１
０ａ，１０ｂは分離溝であり、その幅は５０μｍであ
る。
光変調装置を示し、図において、１はｎ−ＩｎＰ基板
（厚み約１００μｍ，不純物濃度５×１０18cm-3）、２
はｎ−ＩｎＰクラッド層（膜厚１４０ｎｍ，不純物濃度
１×１０18cm-3）、３はＩｎＧａＡｓＰ活性層であり、
これは、ＩｎＧａＡｓＰ光閉込層（λg=１．１８μｍ，
膜厚１４０ｎｍ，アンドープ）と、ＩｎＧａＡｓウェル
層（λg=１．６７μｍ，膜厚７ｎｍ，アンドープ）及び
ＩｎＧａＡｓＰバリア層（λg=１．１８μｍ，膜厚２１
ｎｍ，アンドープ）を８周期繰り返したものと、ＩｎＧ
ａＡｓＰ光閉込層（λg=１．１８μｍ，膜厚１４０ｎ
ｍ，アンドープ）とからなる。また、４はＩｎＰ光ガイ
ド層（λg=１．１８μｍ，膜厚１６８ｎｍ，５×１０17
cm-3）、５はＩｎＧａＡｓＰ回折格子（λg=１．１８μ
ｍ，膜厚２８ｎｍ，５×１０17cm-3，周期は２４１５オ
ングストローム）、６はｐ−ＩｎＰクラッド層（膜厚５
ｎｍ，５×１０17cm-3）、７はｐ側オーミック電極（Ｃ
ｒ／Ａｕ，５００オングストローム／１０００オングス
トローム）、８はｎ側オーミック電極（ＡｕＧｅ／Ｎｉ
／Ａｕ，５００オングストローム／５００オングストロ
ーム／１０００オングストローム）である。また、９は
ＩｎＧａＡｓＰ光導波層であり、これは上記ＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層３，ＩｎＰ光ガイド層４の層厚をすべて１／
１．４倍したもので、構成は全く同じである。このた
め、ＩｎＧａＡｓＰ光導波層９は、ＩｎＧａＡｓＰ活性
層３より厚みが薄く（１／１．４倍）、エネルギーギャ
ップがわずかに（約２９ｍｅＶ）大きいものである。１
０ａ，１０ｂは分離溝であり、その幅は５０μｍであ
る。
【００３５】本実施例１の半導体光変調装置２００は、
分離溝１０ａ，１０ｂをそれぞれ介して配置された、上
記ｎ−ＩｎＰ基板１，ｎ−ＩｎＰクラッド層２，ＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層３，ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層４，回折
格子５，ｐ−ＩｎＰクラッド層６，及びｐ側，ｎ側オー
ミック電極７，８により構成されるＬＤ（レーザダイオ
ード）２０，及びこれと直列に配置される，上記ｎ−Ｉ
ｎＰ基板１，ｎ−ＩｎＰクラッド層２，ＩｎＧａＡｓＰ
層及びＩｎＰ層を含む光導波層９，ｐ−ＩｎＰクラッド
層６（ここでは層厚は２μｍである），及びｐ側，ｎ側
オーミック電極７１及び７２，８により構成される，第
１，及び第２の強度変調器２１，２２から構成される。
ここで、ＬＤ部２０のＩｎＧａＡｓＰ，ＭＱＷ活性層３
と、第１，及び第２の強度変調器２１，２２のＩｎＧａ
ＡｓＰ光導波層９とは、ＬＤ部２０が１５５０ｎｍ，強
度変調器部２１，２２が１５００ｎｍであり、上述した
ように、後者の光導波層９の方がそのエネルキーギャッ
プがわずかに（約２９ｍｅＶ）大きいものである。ま
た、ＤＣはＬＤ部２０のｐ側オーミック電極７に直流電
圧を印加する直流電源であり、ＥＤは第１の強度変調器
２１のｐ側オーミック電極７１に印加されるエンコード
データであり、Ｓは第２の強度変調器２２のｐ側オーミ
ック電極７２に印加される信号である。なお、これら
は、すべてｎ側オーミック電極８を共通接地端子として
印加される。
分離溝１０ａ，１０ｂをそれぞれ介して配置された、上
記ｎ−ＩｎＰ基板１，ｎ−ＩｎＰクラッド層２，ＩｎＧ
ａＡｓＰ活性層３，ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層４，回折
格子５，ｐ−ＩｎＰクラッド層６，及びｐ側，ｎ側オー
ミック電極７，８により構成されるＬＤ（レーザダイオ
ード）２０，及びこれと直列に配置される，上記ｎ−Ｉ
ｎＰ基板１，ｎ−ＩｎＰクラッド層２，ＩｎＧａＡｓＰ
層及びＩｎＰ層を含む光導波層９，ｐ−ＩｎＰクラッド
層６（ここでは層厚は２μｍである），及びｐ側，ｎ側
オーミック電極７１及び７２，８により構成される，第
１，及び第２の強度変調器２１，２２から構成される。
ここで、ＬＤ部２０のＩｎＧａＡｓＰ，ＭＱＷ活性層３
と、第１，及び第２の強度変調器２１，２２のＩｎＧａ
ＡｓＰ光導波層９とは、ＬＤ部２０が１５５０ｎｍ，強
度変調器部２１，２２が１５００ｎｍであり、上述した
ように、後者の光導波層９の方がそのエネルキーギャッ
プがわずかに（約２９ｍｅＶ）大きいものである。ま
た、ＤＣはＬＤ部２０のｐ側オーミック電極７に直流電
圧を印加する直流電源であり、ＥＤは第１の強度変調器
２１のｐ側オーミック電極７１に印加されるエンコード
データであり、Ｓは第２の強度変調器２２のｐ側オーミ
ック電極７２に印加される信号である。なお、これら
は、すべてｎ側オーミック電極８を共通接地端子として
印加される。
【００３６】次に動作について説明する。ＬＤ（レーザ
ダイオード）２０はｐ側，ｎ側オーミック電極７，８間
に直流電圧を印加して、これをＤＣ駆動することによ
り、該ＬＤを単一波長光源として動作させる。該ＬＤ２
０から発せられた光は、第１強度変調器２１において、
図７(a) に示すように、エンコードデータＥＤに基づい
たパルス列に変調される。このパルス列に変調されたも
のは、次に第２強度変調器２２において、図７(b) に示
すように、伝送信号Ｓに基づいて変調される。
ダイオード）２０はｐ側，ｎ側オーミック電極７，８間
に直流電圧を印加して、これをＤＣ駆動することによ
り、該ＬＤを単一波長光源として動作させる。該ＬＤ２
０から発せられた光は、第１強度変調器２１において、
図７(a) に示すように、エンコードデータＥＤに基づい
たパルス列に変調される。このパルス列に変調されたも
のは、次に第２強度変調器２２において、図７(b) に示
すように、伝送信号Ｓに基づいて変調される。
【００３７】このような本実施例１による半導体光変調
装置，及びこれによる変調方法では、レーザダイオード
２０と、これと直列に配置された２段に分割された光強
度変調器２１，２２とを集積化してなり、ＬＤ２０をＤ
Ｃ駆動して単一波長光源として動作させ、その光出力を
初段の変調器２１でエンコードデータＥＤにより強度変
調し、２段目の変調器２２で伝送信号Ｓに基づいて強度
変調することにより、光ＣＤＭＡ（code-division mult
iple access ）スペクトル拡散伝送方式に基づいた変調
を行うことができる。従って、光ＣＤＭＡスペクトル拡
散伝送方式を、従来のように複雑な構成を用いることな
く容易に実現することができる効果がある。
装置，及びこれによる変調方法では、レーザダイオード
２０と、これと直列に配置された２段に分割された光強
度変調器２１，２２とを集積化してなり、ＬＤ２０をＤ
Ｃ駆動して単一波長光源として動作させ、その光出力を
初段の変調器２１でエンコードデータＥＤにより強度変
調し、２段目の変調器２２で伝送信号Ｓに基づいて強度
変調することにより、光ＣＤＭＡ（code-division mult
iple access ）スペクトル拡散伝送方式に基づいた変調
を行うことができる。従って、光ＣＤＭＡスペクトル拡
散伝送方式を、従来のように複雑な構成を用いることな
く容易に実現することができる効果がある。
【００３８】実施例２．図２は本発明の第２の実施例に
よる半導体光変調装置の製造方法を示し、これは上記実
施例１の半導体光変調装置を製造する方法についてのも
のである。
よる半導体光変調装置の製造方法を示し、これは上記実
施例１の半導体光変調装置を製造する方法についてのも
のである。
【００３９】以下、本実施例２の半導体光変調装置の製
造方法を図２について説明する。まず、ｎ−ＩｎＰ基板
１上に、ＳｉＯ2 膜１２を、上記半導体レーザの導波路
２０の形成領域ＬＤ、上記第１光変調器２１，第２変調
器２２の形成領域Ｍを、それぞれｄ1,ｄ2 （ｄ1 ＜ｄ2
) の所要の幅ではさみ込むようにパターニングする
（図２(a) ）。
造方法を図２について説明する。まず、ｎ−ＩｎＰ基板
１上に、ＳｉＯ2 膜１２を、上記半導体レーザの導波路
２０の形成領域ＬＤ、上記第１光変調器２１，第２変調
器２２の形成領域Ｍを、それぞれｄ1,ｄ2 （ｄ1 ＜ｄ2
) の所要の幅ではさみ込むようにパターニングする
（図２(a) ）。
【００４０】次に、ＭＯＣＶＤ法により上記ｎ−ＩｎＰ
基板１上に、ｎ−ＩｎＰクラッド層２，ＩｎＧａＡｓ
Ｐ，ＭＱＷ活性層３，ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層４，及
び回折格子形成層５を順次結晶成長させる。このとき、
ＳｉＯ2 絶縁膜１２の間に、ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ活性
層３を、その層厚が上記半導体レーザ形成領域ＬＤ，第
１, 第２光変調器形成領域Ｍの順に、ｔ1,ｔ2 （ｔ1 ＞
ｔ2)となるように成長させ、これにより、そのバンドギ
ャップがＥ1 となるＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ活性層３とさ
らにはＩｎＰ光ガイド層４，及びそのバンドギャップが
Ｅ2 （Ｅ1 ＞Ｅ2) となるＩｎＧａＡｓＰ層を含む光導
波層９を、それぞれ形成する（図２(b) ）。ここで、回
折格子の形成については、ＬＤ部，及び変調器部の全面
に、干渉露光法により回析格子５を形成し、その後、Ｌ
Ｄ部ＬＤの回析格子のみにレジストによるパターニング
を行い、化学エッチングにより変調器部Ｍの回析格子５
を取り除く。
基板１上に、ｎ−ＩｎＰクラッド層２，ＩｎＧａＡｓ
Ｐ，ＭＱＷ活性層３，ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層４，及
び回折格子形成層５を順次結晶成長させる。このとき、
ＳｉＯ2 絶縁膜１２の間に、ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ活性
層３を、その層厚が上記半導体レーザ形成領域ＬＤ，第
１, 第２光変調器形成領域Ｍの順に、ｔ1,ｔ2 （ｔ1 ＞
ｔ2)となるように成長させ、これにより、そのバンドギ
ャップがＥ1 となるＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ活性層３とさ
らにはＩｎＰ光ガイド層４，及びそのバンドギャップが
Ｅ2 （Ｅ1 ＞Ｅ2) となるＩｎＧａＡｓＰ層を含む光導
波層９を、それぞれ形成する（図２(b) ）。ここで、回
折格子の形成については、ＬＤ部，及び変調器部の全面
に、干渉露光法により回析格子５を形成し、その後、Ｌ
Ｄ部ＬＤの回析格子のみにレジストによるパターニング
を行い、化学エッチングにより変調器部Ｍの回析格子５
を取り除く。
【００４１】次に、上記レーザ形成領域ＬＤのみに、干
渉露光法により上記回折格子形成層５より回折格子５ａ
を形成する（図２(c) ）。次に、上記ＳｉＯ2 絶縁膜１
２を取り除いた後、その上に、ｐ−ＩｎＰクラッド層６
を結晶成長させる（図２(d) ）。
渉露光法により上記回折格子形成層５より回折格子５ａ
を形成する（図２(c) ）。次に、上記ＳｉＯ2 絶縁膜１
２を取り除いた後、その上に、ｐ−ＩｎＰクラッド層６
を結晶成長させる（図２(d) ）。
【００４２】次に、上記ＬＤ形成領域ＬＤの導波路をデ
バイスの全面にわたってストライプ状にパターニングし
た後、上記ｐ−ＩｎＰクラッド層６，回折格子層５，Ｉ
ｎＧａＡｓＰ光ガイド層４，ＩｎＧａＡｓＰ，ＭＱＷ活
性層３，ｎ−ＩｎＰクラッド層２，及びｎ−ＩｎＰ基板
１を、ウェットエッチング法によりエッチングを行い、
各層をメサ状に残すようにする（図２(e) ）。
バイスの全面にわたってストライプ状にパターニングし
た後、上記ｐ−ＩｎＰクラッド層６，回折格子層５，Ｉ
ｎＧａＡｓＰ光ガイド層４，ＩｎＧａＡｓＰ，ＭＱＷ活
性層３，ｎ−ＩｎＰクラッド層２，及びｎ−ＩｎＰ基板
１を、ウェットエッチング法によりエッチングを行い、
各層をメサ状に残すようにする（図２(e) ）。
【００４３】次に、上記メサ部分の両側に、ｎ型埋め込
み層１３，ｐ型埋め込み層１４，ｎ型埋め込み層１５
を、さらに上記リッジ，及び該埋め込み層の全面上に、
ｐ−ＩｎＰクラッド層６を、ＭＯＣＶＤ法により順次結
晶成長させる（図２(f) ）。
み層１３，ｐ型埋め込み層１４，ｎ型埋め込み層１５
を、さらに上記リッジ，及び該埋め込み層の全面上に、
ｐ−ＩｎＰクラッド層６を、ＭＯＣＶＤ法により順次結
晶成長させる（図２(f) ）。
【００４４】次に、ＬＤ形成領域２３と、第１光変調器
形成領域２４間の分離溝１０ｃ，第１光変調器形成領域
２４と、第２光変調器形成領域２５間の分離溝１０ｂを
形成する（図２(g) ）。
形成領域２４間の分離溝１０ｃ，第１光変調器形成領域
２４と、第２光変調器形成領域２５間の分離溝１０ｂを
形成する（図２(g) ）。
【００４５】次に、上記ＬＤ形成領域２３，第１の光変
調器領域２４，及び第２の光変調器領域２５の各々の上
面に、各々ｐ側オーミック電極７１及び７２を，その下
面に共通のｎ側オーミック電極８を形成する（図２(h)
）。
調器領域２４，及び第２の光変調器領域２５の各々の上
面に、各々ｐ側オーミック電極７１及び７２を，その下
面に共通のｎ側オーミック電極８を形成する（図２(h)
）。
【００４６】このような本実施例２による半導体光変調
装置の製造方法では、レーザダイオードと、これと直列
に配置された２段の光強度変調器とを集積化してなり、
ＬＤを単一波長光源として動作させ、その光出力を初段
の変調器でエンコードデータにより強度変調し、２段目
の変調器で伝送信号に基づいて強度変調することによ
り、スペクトル拡散方式に基づいた変調を行い、光ＣＤ
ＭＡスペクトル拡散伝送方式を、従来のように複雑な構
成を用いることなく容易に実現できる半導体光変調装置
を、容易に製造できる効果がある。
装置の製造方法では、レーザダイオードと、これと直列
に配置された２段の光強度変調器とを集積化してなり、
ＬＤを単一波長光源として動作させ、その光出力を初段
の変調器でエンコードデータにより強度変調し、２段目
の変調器で伝送信号に基づいて強度変調することによ
り、スペクトル拡散方式に基づいた変調を行い、光ＣＤ
ＭＡスペクトル拡散伝送方式を、従来のように複雑な構
成を用いることなく容易に実現できる半導体光変調装置
を、容易に製造できる効果がある。
【００４７】実施例３．次に、この発明の第３の実施例
による半導体光変調装置について説明する。図３はこの
発明の第３の実施例による半導体光変調装置を示し、本
実施例３は上記実施例１において、第一段の強度変調器
を位相変調器としたものである。
による半導体光変調装置について説明する。図３はこの
発明の第３の実施例による半導体光変調装置を示し、本
実施例３は上記実施例１において、第一段の強度変調器
を位相変調器としたものである。
【００４８】即ち、図３において、図１と同一符号は同
一のものを示し、２４は実施例１の第１の強度変調器２
１に代えて設けた位相変調器であり、１１は該位相変調
器用の光導波路である。
一のものを示し、２４は実施例１の第１の強度変調器２
１に代えて設けた位相変調器であり、１１は該位相変調
器用の光導波路である。
【００４９】従って、本実施例３による半導体光変調装
置３００は、ＬＤ部２３，位相変調器２４，及び強度変
調器２５からなる。ＬＤ部２３及び強度変調器２５の、
構造及び材料の組成は、上記実施例１のＬＤ部２０及び
強度変調器２２の構造及び材料の組成と同一である。位
相変調器２４は、その構造は強度変調器２５（実施例１
の２２）の構造と同一であるが、その位相変調器用光導
波路層１１のバンドギャップを、ＬＤ部２３及び強度変
調器２５のそれよりも大きくする必要があり、ＬＤ部２
３，位相変調器部２４，強度変調器部２５の波長は、Ｌ
Ｄ部２３が１５５０ｎｍ，位相変調器部２４が１４５０
ｎｍ，強度変調器部２５が１５００ｎｍである。該位相
変調器用光導波路層１１のこのバンドギャップ１４５０
ｎｍは、ＬＤ部２３の発振波長１５５０ｎｍに対し、該
位相変調器への印加電界による吸収係数の変化が十分小
さく、かつこれによる屈折率変化が大きくなる領域の，
最適なバンドギャップとなっている。
置３００は、ＬＤ部２３，位相変調器２４，及び強度変
調器２５からなる。ＬＤ部２３及び強度変調器２５の、
構造及び材料の組成は、上記実施例１のＬＤ部２０及び
強度変調器２２の構造及び材料の組成と同一である。位
相変調器２４は、その構造は強度変調器２５（実施例１
の２２）の構造と同一であるが、その位相変調器用光導
波路層１１のバンドギャップを、ＬＤ部２３及び強度変
調器２５のそれよりも大きくする必要があり、ＬＤ部２
３，位相変調器部２４，強度変調器部２５の波長は、Ｌ
Ｄ部２３が１５５０ｎｍ，位相変調器部２４が１４５０
ｎｍ，強度変調器部２５が１５００ｎｍである。該位相
変調器用光導波路層１１のこのバンドギャップ１４５０
ｎｍは、ＬＤ部２３の発振波長１５５０ｎｍに対し、該
位相変調器への印加電界による吸収係数の変化が十分小
さく、かつこれによる屈折率変化が大きくなる領域の，
最適なバンドギャップとなっている。
【００５０】次に動作について説明する。ＤＣ駆動され
たＬＤ部２３から発せられた光は、第１段目の位相変調
器２４においてエンコードデータＥＤに基づいて位相変
調される。次に、２段目の強度変調器２５において、伝
送信号Ｓにより変調される。
たＬＤ部２３から発せられた光は、第１段目の位相変調
器２４においてエンコードデータＥＤに基づいて位相変
調される。次に、２段目の強度変調器２５において、伝
送信号Ｓにより変調される。
【００５１】このような本実施例３による光変調装置，
あるいはこれによる変調方法では、半導体レーザ２０
と，これと直列に配置される位相変調器２４，強度変調
器２５を集積化してなり、ＬＤ２０をＤＣ駆動して単一
波長光源として動作させ、その光出力を初段の位相変調
器２４でエンコードデータＥＤにより位相変調し、２段
目の強度変調器２５で伝送信号Ｓに基づいて強度変調す
ることにより、スペクトル拡散方式に基づいた変調を行
うことができる。従って、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝
送方式を、従来のように複雑な構成を用いることなく容
易な構成でもって実現することができる効果がある。
あるいはこれによる変調方法では、半導体レーザ２０
と，これと直列に配置される位相変調器２４，強度変調
器２５を集積化してなり、ＬＤ２０をＤＣ駆動して単一
波長光源として動作させ、その光出力を初段の位相変調
器２４でエンコードデータＥＤにより位相変調し、２段
目の強度変調器２５で伝送信号Ｓに基づいて強度変調す
ることにより、スペクトル拡散方式に基づいた変調を行
うことができる。従って、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝
送方式を、従来のように複雑な構成を用いることなく容
易な構成でもって実現することができる効果がある。
【００５２】実施例４．図４は、本発明の第４の実施例
による半導体光変調装置の製造方法を示し、これは上記
実施例３の半導体光変調装置を製造する方法についての
ものである。
による半導体光変調装置の製造方法を示し、これは上記
実施例３の半導体光変調装置を製造する方法についての
ものである。
【００５３】図４において、１２はＳｉＯ2 絶縁膜であ
る。
る。
【００５４】以下、本実施例４の半導体光変調装置の製
造方法を図４について説明する。まず、図４(a) に示す
ように、ｎ−ＩｎＰ基板１上にＳｉＯ2 膜１２を、上記
半導体レーザＬＤの導波路形成領域，上記位相変調器２
４の形成領域，上記強度変調器２５の形成領域を、それ
ぞれｄ1,ｄ2,ｄ3 （ｄ1 ＜ｄ3 ＜ｄ2 ) の所要の幅では
さみ込むようにパターニングする。これにより、強度変
調器２５形成領域に形成されるＩｎＧａＡｓＰ光導波層
９の厚みを、位相変調器２４形成領域に形成される位相
変調器用光導波路層１１の厚みより厚くなるようにする
ことができる。
造方法を図４について説明する。まず、図４(a) に示す
ように、ｎ−ＩｎＰ基板１上にＳｉＯ2 膜１２を、上記
半導体レーザＬＤの導波路形成領域，上記位相変調器２
４の形成領域，上記強度変調器２５の形成領域を、それ
ぞれｄ1,ｄ2,ｄ3 （ｄ1 ＜ｄ3 ＜ｄ2 ) の所要の幅では
さみ込むようにパターニングする。これにより、強度変
調器２５形成領域に形成されるＩｎＧａＡｓＰ光導波層
９の厚みを、位相変調器２４形成領域に形成される位相
変調器用光導波路層１１の厚みより厚くなるようにする
ことができる。
【００５５】次に、ＭＯＣＶＤ法により上記ｎ−ＩｎＰ
基板１上に、ｎ−ＩｎＰクラッド層２，ＩｎＧａＡｓＰ
ＭＱＷ活性層３，ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層４，及び回
折格子形成層５を順次結晶成長させる。すると、上記Ｓ
ｉＯ2 絶縁膜１２のパターニングの幅ｄ1,ｄ2,ｄ3 に依
存して、このとき、ＳｉＯ2 絶縁膜１２の間に、ＩｎＧ
ａＡｓＰＭＱＷ活性層３を、その層厚が上記ＬＤ形成領
域ＬＤ，上記位相変調器形成領域Ｍ1 ，上記強度変調器
形成領域Ｍ2 の順に、ｔ1,ｔ2,ｔ3 （ｔ1 ＞ｔ3 ＞ｔ2
) となり、そのバンドギャップが、順にＥ1,Ｅ2,Ｅ3
（Ｅ1 ＞Ｅ3 ＞Ｅ2 ) となるようにＩｎＧａＡｓＰＭＱ
Ｗ活性層３を成長させる（図４(b) ）。
基板１上に、ｎ−ＩｎＰクラッド層２，ＩｎＧａＡｓＰ
ＭＱＷ活性層３，ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層４，及び回
折格子形成層５を順次結晶成長させる。すると、上記Ｓ
ｉＯ2 絶縁膜１２のパターニングの幅ｄ1,ｄ2,ｄ3 に依
存して、このとき、ＳｉＯ2 絶縁膜１２の間に、ＩｎＧ
ａＡｓＰＭＱＷ活性層３を、その層厚が上記ＬＤ形成領
域ＬＤ，上記位相変調器形成領域Ｍ1 ，上記強度変調器
形成領域Ｍ2 の順に、ｔ1,ｔ2,ｔ3 （ｔ1 ＞ｔ3 ＞ｔ2
) となり、そのバンドギャップが、順にＥ1,Ｅ2,Ｅ3
（Ｅ1 ＞Ｅ3 ＞Ｅ2 ) となるようにＩｎＧａＡｓＰＭＱ
Ｗ活性層３を成長させる（図４(b) ）。
【００５６】以下の図６(c),(d),(e),(f) の工程は、上
記実施例１を製造する上記実施例２における工程と同様
である。次に、上記形成した各層に対し、ウェットエッ
チングを行うことにより、上記ＬＤ形成領域ＬＤと、位
相変調器形成領域Ｍ1 間の分離溝１０ａ，及び上記位相
変調器形成領域Ｍ1 と、上記強度変調器形成領域Ｍ2 間
の分離溝１０ｂを形成する（図４(g) ）。
記実施例１を製造する上記実施例２における工程と同様
である。次に、上記形成した各層に対し、ウェットエッ
チングを行うことにより、上記ＬＤ形成領域ＬＤと、位
相変調器形成領域Ｍ1 間の分離溝１０ａ，及び上記位相
変調器形成領域Ｍ1 と、上記強度変調器形成領域Ｍ2 間
の分離溝１０ｂを形成する（図４(g) ）。
【００５７】上記レーザ領域ＬＤ，位相変調器領域Ｍ1
，及び強度変調器領域Ｍ2 の各々の上面に、各々ｐ側
オーミック電極７１，７２を，その下面に共通のｎ側オ
ーミック電極８を形成する（図４(h) ）。
，及び強度変調器領域Ｍ2 の各々の上面に、各々ｐ側
オーミック電極７１，７２を，その下面に共通のｎ側オ
ーミック電極８を形成する（図４(h) ）。
【００５８】このような本実施例４による半導体光変調
装置の製造方法では、半導体レーザと，これと直列に配
置される位相変調器，強度変調器を集積化してなり、Ｌ
Ｄを単一波長光源として動作させ、その光出力を初段の
位相変調器でエンコードデータにより位相変調し、さら
に２段目の強度変調器で伝送信号に基づいて強度変調す
ることにより、スペクトル拡散方式に基づいた変調を行
い、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方式を、従来のよう
に複雑な構成を用いることなく容易に実現できる半導体
光変調装置を、容易に製造できる効果がある。
装置の製造方法では、半導体レーザと，これと直列に配
置される位相変調器，強度変調器を集積化してなり、Ｌ
Ｄを単一波長光源として動作させ、その光出力を初段の
位相変調器でエンコードデータにより位相変調し、さら
に２段目の強度変調器で伝送信号に基づいて強度変調す
ることにより、スペクトル拡散方式に基づいた変調を行
い、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方式を、従来のよう
に複雑な構成を用いることなく容易に実現できる半導体
光変調装置を、容易に製造できる効果がある。
【００５９】実施例５．次に、この発明の第５の実施例
による半導体光変調装置について説明する。図５におい
て、図１，図３と同一符号は同一または相当部分を示
し、１０ｃはＬＤ部２６を、前方部分２６ａと、後方部
分２６ｂとに分割する分離溝である。７ａ，７ｂは該前
方部分２６ａ，後方部分２６ｂにそれぞれ設けられたｐ
側オーミック電極である。
による半導体光変調装置について説明する。図５におい
て、図１，図３と同一符号は同一または相当部分を示
し、１０ｃはＬＤ部２６を、前方部分２６ａと、後方部
分２６ｂとに分割する分離溝である。７ａ，７ｂは該前
方部分２６ａ，後方部分２６ｂにそれぞれ設けられたｐ
側オーミック電極である。
【００６０】この実施例５の半導体光変調装置４００
は、２電極型波長可変レーザ２６と、変調器２７とから
構成される。ＬＤ２６および強度変調器２７の構造，及
び各層の組成は、上記実施例１の構造，及び各層の組成
と同一であるが、ただし、ＬＤ部２６は分離溝１０ｃに
より前後に電気的に分離され、２電極型波長可変ＬＤと
している。
は、２電極型波長可変レーザ２６と、変調器２７とから
構成される。ＬＤ２６および強度変調器２７の構造，及
び各層の組成は、上記実施例１の構造，及び各層の組成
と同一であるが、ただし、ＬＤ部２６は分離溝１０ｃに
より前後に電気的に分離され、２電極型波長可変ＬＤと
している。
【００６１】次に動作について説明する。波長可変ＬＤ
２６には、前，後の電極７ａ，７ｂの各々と共通電極８
間に独立にＤＣ電流を印加し、さらに該両電極のうちの
後者側，即ち装置の中央側となる電極７ｂにはさらにエ
ンコードデータＥＤを印加する。該エンコードデータＥ
Ｄは、通常のパルス列ではなく、波高値がビットパター
ンに対応するものとする。波長可変ＬＤ２６は、図８
(a) に示すように、中央の電極に印加するエンコードデ
ータに応じて注入電流が変化し、かつその注入電流に応
じて発振波長が変化するため、結果として、エンコード
データＥＤ（図５に示される）に対応して、その発振波
長が図８(b) に示すようにシフトすることとなる。この
方法は、スペクトル拡散伝送方式における周波数ホッピ
ング法に相当するものである。周波数ホッピングを生じ
た光は、強度変調器２７において伝送信号Ｓにより変調
される。
２６には、前，後の電極７ａ，７ｂの各々と共通電極８
間に独立にＤＣ電流を印加し、さらに該両電極のうちの
後者側，即ち装置の中央側となる電極７ｂにはさらにエ
ンコードデータＥＤを印加する。該エンコードデータＥ
Ｄは、通常のパルス列ではなく、波高値がビットパター
ンに対応するものとする。波長可変ＬＤ２６は、図８
(a) に示すように、中央の電極に印加するエンコードデ
ータに応じて注入電流が変化し、かつその注入電流に応
じて発振波長が変化するため、結果として、エンコード
データＥＤ（図５に示される）に対応して、その発振波
長が図８(b) に示すようにシフトすることとなる。この
方法は、スペクトル拡散伝送方式における周波数ホッピ
ング法に相当するものである。周波数ホッピングを生じ
た光は、強度変調器２７において伝送信号Ｓにより変調
される。
【００６２】ここで、“スペクトル拡散通信”について
説明すると、該“スペクトル拡散通信”は、情報伝送レ
ートに対し、帯域幅を広げるために特殊な拡散符号（一
般に情報伝送レートより速いクロックレートを用い
る，）で生成される疑似雑音系列を付加して伝送を行う
ものである。この方式の利点は主に以下の４点である。
説明すると、該“スペクトル拡散通信”は、情報伝送レ
ートに対し、帯域幅を広げるために特殊な拡散符号（一
般に情報伝送レートより速いクロックレートを用い
る，）で生成される疑似雑音系列を付加して伝送を行う
ものである。この方式の利点は主に以下の４点である。
【００６３】 耐干渉能力を得られること、 拡散符号が鍵になることから、符号分割多元接続
（Code Division Multiple Accsess:CDMA) によるラン
ダムアクセスが可能となること、 電力スペクトル密度が低いことにより通信の秘匿性
が得られること、 拡散符号を知らなければ復調できないことによる秘
話性が得られること、 ＣＤＭＡ方式は上記に示した様に、信号毎に異なる拡
散符号を付加して多重伝送を行うものであり、受信側で
は、所望の信号に合わせて、鍵となる拡散符号で復調を
行うものである。
（Code Division Multiple Accsess:CDMA) によるラン
ダムアクセスが可能となること、 電力スペクトル密度が低いことにより通信の秘匿性
が得られること、 拡散符号を知らなければ復調できないことによる秘
話性が得られること、 ＣＤＭＡ方式は上記に示した様に、信号毎に異なる拡
散符号を付加して多重伝送を行うものであり、受信側で
は、所望の信号に合わせて、鍵となる拡散符号で復調を
行うものである。
【００６４】スペクトル拡散変調方式には、主に以下の
２種類が用いられている。 (1) 直接拡散変調 (2) 周波数ホッピング変調 上記 (1)は、情報データ系列と拡散符号（エンコードデ
ータ）を直接乗算することにより得られる。拡散符号は
復調の容易さ等を考慮し、Ｍ系列もしくは、Gold PN 系
列などが用いられる。(2) は瞬時，瞬時では、情報デー
タ系列が送信されているのであるが、キャリア周波数が
時間とともに拡散符号に従って変化しており、ある時間
長観測すると、使用帯域が広帯域に広がっているもので
ある。拡散符号としては、多値Ｍ系列、リードソロモン
系列等が用いられる。
２種類が用いられている。 (1) 直接拡散変調 (2) 周波数ホッピング変調 上記 (1)は、情報データ系列と拡散符号（エンコードデ
ータ）を直接乗算することにより得られる。拡散符号は
復調の容易さ等を考慮し、Ｍ系列もしくは、Gold PN 系
列などが用いられる。(2) は瞬時，瞬時では、情報デー
タ系列が送信されているのであるが、キャリア周波数が
時間とともに拡散符号に従って変化しており、ある時間
長観測すると、使用帯域が広帯域に広がっているもので
ある。拡散符号としては、多値Ｍ系列、リードソロモン
系列等が用いられる。
【００６５】このような本実施例５による半導体光変調
装置，及びこれによる変調方法では、多電極型の波長可
変ＬＤ２６と，光変調器２７とを集積化してなり、波長
可変ＬＤ２６の前後の電極に独立にＤＣ電流を印加する
とともに、該前後の電極のうち中央側となる電極にエン
コードデータＥＤを印加し、このエンコードデータＥＤ
に対応して発振波長をシフトさせてスペクトル拡散伝送
方式における周波数ホッピング法に相当する周波数ホッ
ピングを起こさせ、該周波数ホッピングを生じた光を、
変調器２７において伝送信号Ｓにより変調するようにし
ている。従って、これによりスペクトル拡散方式に基づ
いた変調を行うことができ、光ＣＤＭＡスペクトル拡散
伝送方式を、従来のように複雑な構成を用いることなく
容易に実現することができる効果がある。
装置，及びこれによる変調方法では、多電極型の波長可
変ＬＤ２６と，光変調器２７とを集積化してなり、波長
可変ＬＤ２６の前後の電極に独立にＤＣ電流を印加する
とともに、該前後の電極のうち中央側となる電極にエン
コードデータＥＤを印加し、このエンコードデータＥＤ
に対応して発振波長をシフトさせてスペクトル拡散伝送
方式における周波数ホッピング法に相当する周波数ホッ
ピングを起こさせ、該周波数ホッピングを生じた光を、
変調器２７において伝送信号Ｓにより変調するようにし
ている。従って、これによりスペクトル拡散方式に基づ
いた変調を行うことができ、光ＣＤＭＡスペクトル拡散
伝送方式を、従来のように複雑な構成を用いることなく
容易に実現することができる効果がある。
【００６６】なお、本実施例５では、波長可変ＬＤ２６
として２電極型の波長可変ＬＤを用いたが、これは３電
極型の波長可変ＬＤを用いてもよく、上記と同様の効果
が得ることができる。
として２電極型の波長可変ＬＤを用いたが、これは３電
極型の波長可変ＬＤを用いてもよく、上記と同様の効果
が得ることができる。
【００６７】実施例６．図６は本発明の第６の実施例に
よる半導体光変調装置の製造方法を示し、これは上記実
施例５の半導体光変調装置を製造する方法についてのも
のである。図６(a) において、１２はＳｉＯ2 絶縁膜で
ある。また、図６(f) において、１３はｎ型埋め込み
層，１４はｐ型埋め込み層，１５はｎ型埋め込み層，６
はｐ−クラッド層である。
よる半導体光変調装置の製造方法を示し、これは上記実
施例５の半導体光変調装置を製造する方法についてのも
のである。図６(a) において、１２はＳｉＯ2 絶縁膜で
ある。また、図６(f) において、１３はｎ型埋め込み
層，１４はｐ型埋め込み層，１５はｎ型埋め込み層，６
はｐ−クラッド層である。
【００６８】以下、本実施例６の半導体光変調装置の製
造方法を図６について説明する。まず、ｎ−ＩｎＰ基板
１上にＳｉＯ2 絶縁膜１２を、上記半導体レーザの導波
路形成領域ＬＤ，上記光変調器を作製する部分Ｍを、そ
れぞれ、ｄ1,ｄ2 （ｄ1＜ｄ2 ) の所要の幅ではさみ込
むようにパターニング形成する（図６(a) ）。
造方法を図６について説明する。まず、ｎ−ＩｎＰ基板
１上にＳｉＯ2 絶縁膜１２を、上記半導体レーザの導波
路形成領域ＬＤ，上記光変調器を作製する部分Ｍを、そ
れぞれ、ｄ1,ｄ2 （ｄ1＜ｄ2 ) の所要の幅ではさみ込
むようにパターニング形成する（図６(a) ）。
【００６９】次に、ＭＯＣＶＤ法により、上記ｎ−Ｉｎ
Ｐ基板１上に、ｎ−ＩｎＰクラッド層２，ＩｎＧａＡｓ
Ｐ，ＭＱＷ活性層３，ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層４，及
び回折格子形成層５を順次結晶成長させ、このとき、Ｓ
ｉＯ2 絶縁膜１２の間に、ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ活性層
３を、その層厚が上記ＬＤ形成領域ＬＤ，上記光変調器
形成領域Ｍの順に、ｔ1,ｔ2 （ｔ1 ＞ｔ2 ) となり、こ
れにより、そのバンドギャップがＥ1,Ｅ2 （Ｅ1 ＞Ｅ2
) となるＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ活性層３を形成する
（図６(b) ）。
Ｐ基板１上に、ｎ−ＩｎＰクラッド層２，ＩｎＧａＡｓ
Ｐ，ＭＱＷ活性層３，ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層４，及
び回折格子形成層５を順次結晶成長させ、このとき、Ｓ
ｉＯ2 絶縁膜１２の間に、ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ活性層
３を、その層厚が上記ＬＤ形成領域ＬＤ，上記光変調器
形成領域Ｍの順に、ｔ1,ｔ2 （ｔ1 ＞ｔ2 ) となり、こ
れにより、そのバンドギャップがＥ1,Ｅ2 （Ｅ1 ＞Ｅ2
) となるＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ活性層３を形成する
（図６(b) ）。
【００７０】次に、上記レーザ形成領域ＬＤのみに、干
渉露光法により上記回折格子形成層５より回折格子５ａ
を形成する（図６(c) ）。次に、上記ＳｉＯ2 絶縁膜１
２を取り除いた後、ｐ−ＩｎＰクラッド層６を結晶成長
させる（図６(d) ）。
渉露光法により上記回折格子形成層５より回折格子５ａ
を形成する（図６(c) ）。次に、上記ＳｉＯ2 絶縁膜１
２を取り除いた後、ｐ−ＩｎＰクラッド層６を結晶成長
させる（図６(d) ）。
【００７１】次に、導波路をストライプ状にパターニン
グした後、上記回折格子層５，ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド
層４，ＩｎＧａＡｓＰ，ＭＱＷ活性層３，ｎ−ＩｎＰク
ラッド層２，及びｎ−ＩｎＰ基板１を、Ｂｒ−メタノー
ルを用いたウェットエッチング法によりエッチングを行
い、各層をメサ状に残す（図６(e) ）。
グした後、上記回折格子層５，ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド
層４，ＩｎＧａＡｓＰ，ＭＱＷ活性層３，ｎ−ＩｎＰク
ラッド層２，及びｎ−ＩｎＰ基板１を、Ｂｒ−メタノー
ルを用いたウェットエッチング法によりエッチングを行
い、各層をメサ状に残す（図６(e) ）。
【００７２】次に、上記メサ状に加工した基板上に、ｎ
型埋め込み層１３，ｐ型埋め込み層１４，ｎ型埋め込み
層１５，及びｐ−クラッド層６を、ＭＯＣＶＤ法により
順次結晶成長させて（図６(f) ）、電流ブロック層を形
成する。
型埋め込み層１３，ｐ型埋め込み層１４，ｎ型埋め込み
層１５，及びｐ−クラッド層６を、ＭＯＣＶＤ法により
順次結晶成長させて（図６(f) ）、電流ブロック層を形
成する。
【００７３】次に、上記レーザの前，後電極間の分離溝
１０ｃ，及びレーザ領域ＬＤと光変調器領域Ｍ間の分離
溝１０ｂを、ウェットエッチングにより形成する（図６
(g)）。
１０ｃ，及びレーザ領域ＬＤと光変調器領域Ｍ間の分離
溝１０ｂを、ウェットエッチングにより形成する（図６
(g)）。
【００７４】次に、上記レーザの前，後電極，及び光変
調器の各々の上面に、各々ｐ側オーミック電極７ａ，７
ｂ，及び７２を，その下面に共通のｎ側オーミック電極
６を形成する工程（図６(h) ）。
調器の各々の上面に、各々ｐ側オーミック電極７ａ，７
ｂ，及び７２を，その下面に共通のｎ側オーミック電極
６を形成する工程（図６(h) ）。
【００７５】このような本実施例６による半導体光変調
装置の製造方法では、多電極型の波長可変ＬＤと，光変
調器とを集積化してなり、波長可変ＬＤの前後の電極に
独立にＤＣ電流を印加するとともに、該前後の電極のう
ち中央側となる電極にエンコードデータを印加し、この
エンコードデータに対応して発振波長をシフトさせてス
ペクトル拡散伝送方式における周波数ホッピング法に相
当する周波数ホッピングを起こさせ、該周波数ホッピン
グを生じた光を、変調器において伝送信号により変調す
るようにして、スペクトル拡散方式に基づいた変調を行
う半導体光変調装置を容易に製造することができる効果
がある。
装置の製造方法では、多電極型の波長可変ＬＤと，光変
調器とを集積化してなり、波長可変ＬＤの前後の電極に
独立にＤＣ電流を印加するとともに、該前後の電極のう
ち中央側となる電極にエンコードデータを印加し、この
エンコードデータに対応して発振波長をシフトさせてス
ペクトル拡散伝送方式における周波数ホッピング法に相
当する周波数ホッピングを起こさせ、該周波数ホッピン
グを生じた光を、変調器において伝送信号により変調す
るようにして、スペクトル拡散方式に基づいた変調を行
う半導体光変調装置を容易に製造することができる効果
がある。
【００７６】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、半導
体レーザと，これと直列に配置される２段の光変調器と
を集積化してなり、上記２段のうちの初段の変調器でエ
ンコードデータを入力し、上記２段のうちの２段目の変
調器で伝送信号を入力する，スペクトル拡散方式に基づ
いた変調を行うものとしたから、安価でコンパクトな、
かつ製造の容易な，光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方式
を容易に実現できる半導体光変調装置を得られる効果が
ある。
体レーザと，これと直列に配置される２段の光変調器と
を集積化してなり、上記２段のうちの初段の変調器でエ
ンコードデータを入力し、上記２段のうちの２段目の変
調器で伝送信号を入力する，スペクトル拡散方式に基づ
いた変調を行うものとしたから、安価でコンパクトな、
かつ製造の容易な，光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方式
を容易に実現できる半導体光変調装置を得られる効果が
ある。
【００７７】即ち、この発明（請求項１）にかかる半導
体光変調装置によれば、半導体レーザと、これと直列に
配置される２段の光変調器とを集積化してなる半導体光
変調装置であって、上記２段のうちの第１段の光変調器
は、エンコードデータを入力とし、上記半導体レーザの
出力光を、上記エンコードデータに応じて変調するもの
であり、上記２段のうちの第２段の光変調器は、伝送信
号を入力とし、上記第１の光変調器の出力光を、上記伝
送信号に応じて変調するものであり、スペクトル拡散方
式に基づいた変調を行うものとしたので、光ＣＤＭＡス
ペクトル拡散伝送方式を容易な構成で実現することがで
きる効果がある。
体光変調装置によれば、半導体レーザと、これと直列に
配置される２段の光変調器とを集積化してなる半導体光
変調装置であって、上記２段のうちの第１段の光変調器
は、エンコードデータを入力とし、上記半導体レーザの
出力光を、上記エンコードデータに応じて変調するもの
であり、上記２段のうちの第２段の光変調器は、伝送信
号を入力とし、上記第１の光変調器の出力光を、上記伝
送信号に応じて変調するものであり、スペクトル拡散方
式に基づいた変調を行うものとしたので、光ＣＤＭＡス
ペクトル拡散伝送方式を容易な構成で実現することがで
きる効果がある。
【００７８】またこの発明（請求項２）によれば、上記
請求項１の半導体光変調装置において、上記第１段の光
変調器は、エンコードデータを入力とし、上記半導体レ
ーザの出力光を、上記エンコードデータに応じて強度変
調する第１の強度変調器であり、上記第２段の光変調器
は、伝送信号を入力とし、上記第１の光変調器の出力光
を、上記伝送信号に応じて強度変調する第２の強度変調
器であるものとしたから、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝
送方式を容易な構成で実現することができる効果があ
る。
請求項１の半導体光変調装置において、上記第１段の光
変調器は、エンコードデータを入力とし、上記半導体レ
ーザの出力光を、上記エンコードデータに応じて強度変
調する第１の強度変調器であり、上記第２段の光変調器
は、伝送信号を入力とし、上記第１の光変調器の出力光
を、上記伝送信号に応じて強度変調する第２の強度変調
器であるものとしたから、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝
送方式を容易な構成で実現することができる効果があ
る。
【００７９】またこの発明（請求項３）によれば、請求
項１の半導体光変調装置において、上記第１段の光変調
器は、エンコードデータを入力とし、上記半導体レーザ
の出力光を、上記エンコードデータに応じて位相変調す
る位相変調器であり、上記第２段の光変調器は、伝送信
号を入力とし、上記第１の光変調器の出力光を、上記伝
送信号に応じて強度変調する強度変調器であるものとし
たから、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方式を容易な構
成で実現することができる効果がある。
項１の半導体光変調装置において、上記第１段の光変調
器は、エンコードデータを入力とし、上記半導体レーザ
の出力光を、上記エンコードデータに応じて位相変調す
る位相変調器であり、上記第２段の光変調器は、伝送信
号を入力とし、上記第１の光変調器の出力光を、上記伝
送信号に応じて強度変調する強度変調器であるものとし
たから、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方式を容易な構
成で実現することができる効果がある。
【００８０】またこの発明（請求項４）にかかる半導体
光変調装置によれば、多電極型の波長可変レーザと、光
変調器とを集積化してなる半導体光変調装置であって、
上記多電極型の波長可変レーザは、そのいずれか１つの
電極にエンコードデータを入力として受けて、該レーザ
よりの出力に周波数ホッピングを生じさせるものであ
り、上記光変調器は、伝送信号を入力として受け、上記
多電極型の波長可変レーザの出力光に対して強度変調を
行うものであり、スペクトル拡散方式に基づいた変調を
行うものとしたので、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方
式を容易な構成で実現することができる効果がある。
光変調装置によれば、多電極型の波長可変レーザと、光
変調器とを集積化してなる半導体光変調装置であって、
上記多電極型の波長可変レーザは、そのいずれか１つの
電極にエンコードデータを入力として受けて、該レーザ
よりの出力に周波数ホッピングを生じさせるものであ
り、上記光変調器は、伝送信号を入力として受け、上記
多電極型の波長可変レーザの出力光に対して強度変調を
行うものであり、スペクトル拡散方式に基づいた変調を
行うものとしたので、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方
式を容易な構成で実現することができる効果がある。
【００８１】またこの発明（請求項５）によれば、請求
項４の半導体光変調装置において、上記多電極型の波長
可変レーザは、共振器方向に電極を分割した多電極型の
波長可変レーザであり、上記光変調器は、電界吸収型の
光強度変調器である，ものとしたので、光ＣＤＭＡスペ
クトル拡散伝送方式を容易な構成で実現することができ
る効果がある。
項４の半導体光変調装置において、上記多電極型の波長
可変レーザは、共振器方向に電極を分割した多電極型の
波長可変レーザであり、上記光変調器は、電界吸収型の
光強度変調器である，ものとしたので、光ＣＤＭＡスペ
クトル拡散伝送方式を容易な構成で実現することができ
る効果がある。
【００８２】この発明（請求項６）にかかる半導体光変
調装置による光変調方法によれば、半導体レーザと、こ
れと直列に配置された第１，第２の２段の光変調器とを
集積化してなる半導体光変調装置による光変調方法であ
って、上記２段のうちの第１段の光変調器にエンコード
データを入力して、上記半導体レーザからの光を、上記
エンコードデータに応じて変調し、上記２段のうちの第
２段の光変調器に伝送信号を入力して、上記第１の光変
調器の出力光を、上記伝送信号に応じて変調することに
より、スペクトル拡散方式に基づいた変調を行うものと
したので、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方式を容易な
構成で実現することができる効果がある。
調装置による光変調方法によれば、半導体レーザと、こ
れと直列に配置された第１，第２の２段の光変調器とを
集積化してなる半導体光変調装置による光変調方法であ
って、上記２段のうちの第１段の光変調器にエンコード
データを入力して、上記半導体レーザからの光を、上記
エンコードデータに応じて変調し、上記２段のうちの第
２段の光変調器に伝送信号を入力して、上記第１の光変
調器の出力光を、上記伝送信号に応じて変調することに
より、スペクトル拡散方式に基づいた変調を行うものと
したので、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方式を容易な
構成で実現することができる効果がある。
【００８３】またこの発明（請求項７）によれば、請求
項６の半導体光変調装置による光変調方法によれば、上
記エンコードデータに応じて上記半導体レーザからの光
の変調は、強度変調であり、上記伝送信号に応じた上記
第１の光変調器の出力光の変調は、強度変調であるもの
としたので、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方式を容易
な構成で実現することができる効果がある。
項６の半導体光変調装置による光変調方法によれば、上
記エンコードデータに応じて上記半導体レーザからの光
の変調は、強度変調であり、上記伝送信号に応じた上記
第１の光変調器の出力光の変調は、強度変調であるもの
としたので、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方式を容易
な構成で実現することができる効果がある。
【００８４】またこの発明（請求項８）によれば、請求
項６に記載の半導体光変調装置による光変調方法におい
て、上記エンコードデータに応じて上記半導体レーザか
らの光の変調は、位相変調であり、上記伝送信号に応じ
た上記第１の光変調器の出力光の変調は、強度変調であ
るものとしたので、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方式
を容易な構成で実現することができる効果がある。
項６に記載の半導体光変調装置による光変調方法におい
て、上記エンコードデータに応じて上記半導体レーザか
らの光の変調は、位相変調であり、上記伝送信号に応じ
た上記第１の光変調器の出力光の変調は、強度変調であ
るものとしたので、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方式
を容易な構成で実現することができる効果がある。
【００８５】またこの発明（請求項９）によれば、多電
極型の波長可変レーザと、光変調器とを集積化してなる
半導体光変調装置による変調方法において、上記多電極
型の波長可変レーザのいずれか１つの電極にエンコード
データを入力して、該波長可変レーザからの光に周波数
ホッピングを生じさせ、上記光変調器に伝送信号を入力
して、該光強度変調器により上記多電極型の波長可変レ
ーザの出力光に対して強度変調を行うことにより、スペ
クトル拡散方式に基づいた変調を行うものとしたので、
光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方式を容易な構成で実現
することができる効果がある。
極型の波長可変レーザと、光変調器とを集積化してなる
半導体光変調装置による変調方法において、上記多電極
型の波長可変レーザのいずれか１つの電極にエンコード
データを入力して、該波長可変レーザからの光に周波数
ホッピングを生じさせ、上記光変調器に伝送信号を入力
して、該光強度変調器により上記多電極型の波長可変レ
ーザの出力光に対して強度変調を行うことにより、スペ
クトル拡散方式に基づいた変調を行うものとしたので、
光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方式を容易な構成で実現
することができる効果がある。
【００８６】またこの発明（請求項１０）によれば、請
求項９の光変調方法において、上記多電極型の波長可変
レーザは、共振器方向に電極を分割した多電極型の波長
可変レーザであって、その後方の電極にエンコードデー
タを入力して、該波長可変レーザの出力として、周波数
ホッピングを生じさせた光を出力するものであり、上記
光変調器は、電界吸収型の光強度変調器であって光強度
変調を行うものであるものとしたので、光ＣＤＭＡスペ
クトル拡散伝送方式を容易な構成で実現することができ
る効果がある。
求項９の光変調方法において、上記多電極型の波長可変
レーザは、共振器方向に電極を分割した多電極型の波長
可変レーザであって、その後方の電極にエンコードデー
タを入力して、該波長可変レーザの出力として、周波数
ホッピングを生じさせた光を出力するものであり、上記
光変調器は、電界吸収型の光強度変調器であって光強度
変調を行うものであるものとしたので、光ＣＤＭＡスペ
クトル拡散伝送方式を容易な構成で実現することができ
る効果がある。
【００８７】またこの発明（請求項１１）にかかる半導
体光変調装置の製造方法によれば、半導体レーザと、こ
れと直列に配置された第１，第２の２段の光変調器とを
集積化してなる半導体光変調装置を製造する方法におい
て、基板上に絶縁膜を、上記半導体レーザの導波路形成
領域，上記第１の光変調器の形成領域，上記第２の光変
調器の形成領域を、それぞれｄ1,ｄ2,ｄ3 （ｄ1 ＜ｄ2
＝ｄ3 ) の所要の幅ではさみ込むようにパターニングす
る工程と、ＭＯＣＶＤ法により上記基板上に、第１導電
型下クラッド層，活性層，光ガイド層，及び回折格子形
成層を順次結晶成長させ、このとき、上記絶縁膜のパタ
ーン間に、上記活性層を、その層厚が上記半導体レーザ
形成領域，上記第１光変調器形成領域，上記第２光変調
器形成領域の順に、ｔ1,ｔ2,ｔ3 （ｔ1 ＞ｔ2 ＝ｔ3 )
となり、そのバンドギャップが、順にＥ1,Ｅ2,Ｅ3 （Ｅ
1 ＞Ｅ2 ＝Ｅ3 ) となるよう成長させる工程と、上記絶
縁膜を取り除いた後、第２導電型上クラッド層を結晶成
長させる工程と、上記半導体レーザ形成領域の導波路を
ストライプ状にパターニングした後、上記回折格子層，
光ガイド層，活性層，下クラッド層，及び基板を、ウェ
ットエッチング法によりエッチングを行い、各層をメサ
状に残す工程と、上記メサ状に加工した基板上に、第１
導電型埋め込み層，第２導電型埋め込み層，第１導電型
埋め込み層，及び第２導電型クラッド層を、ＭＯＣＶＤ
法により順次結晶成長させる工程と、上記半導体レーザ
形成領域と第１光変調器形成領域間の分離溝，及び上記
第１光変調器形成領域と上記第２光変調器形成領域間の
分離溝を形成する工程と、上記半導体レーザ領域，第１
の光変調器領域，及び第２の光変調器領域の各々の上面
に、各々第２導電型側オーミック電極を，その下面に共
通の第１導電型側オーミック電極を形成する工程とを備
えたものとしたので、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方
式を容易な構成で実現できる半導体光変調装置を製造す
ることができる効果がある。
体光変調装置の製造方法によれば、半導体レーザと、こ
れと直列に配置された第１，第２の２段の光変調器とを
集積化してなる半導体光変調装置を製造する方法におい
て、基板上に絶縁膜を、上記半導体レーザの導波路形成
領域，上記第１の光変調器の形成領域，上記第２の光変
調器の形成領域を、それぞれｄ1,ｄ2,ｄ3 （ｄ1 ＜ｄ2
＝ｄ3 ) の所要の幅ではさみ込むようにパターニングす
る工程と、ＭＯＣＶＤ法により上記基板上に、第１導電
型下クラッド層，活性層，光ガイド層，及び回折格子形
成層を順次結晶成長させ、このとき、上記絶縁膜のパタ
ーン間に、上記活性層を、その層厚が上記半導体レーザ
形成領域，上記第１光変調器形成領域，上記第２光変調
器形成領域の順に、ｔ1,ｔ2,ｔ3 （ｔ1 ＞ｔ2 ＝ｔ3 )
となり、そのバンドギャップが、順にＥ1,Ｅ2,Ｅ3 （Ｅ
1 ＞Ｅ2 ＝Ｅ3 ) となるよう成長させる工程と、上記絶
縁膜を取り除いた後、第２導電型上クラッド層を結晶成
長させる工程と、上記半導体レーザ形成領域の導波路を
ストライプ状にパターニングした後、上記回折格子層，
光ガイド層，活性層，下クラッド層，及び基板を、ウェ
ットエッチング法によりエッチングを行い、各層をメサ
状に残す工程と、上記メサ状に加工した基板上に、第１
導電型埋め込み層，第２導電型埋め込み層，第１導電型
埋め込み層，及び第２導電型クラッド層を、ＭＯＣＶＤ
法により順次結晶成長させる工程と、上記半導体レーザ
形成領域と第１光変調器形成領域間の分離溝，及び上記
第１光変調器形成領域と上記第２光変調器形成領域間の
分離溝を形成する工程と、上記半導体レーザ領域，第１
の光変調器領域，及び第２の光変調器領域の各々の上面
に、各々第２導電型側オーミック電極を，その下面に共
通の第１導電型側オーミック電極を形成する工程とを備
えたものとしたので、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方
式を容易な構成で実現できる半導体光変調装置を製造す
ることができる効果がある。
【００８８】またこの発明（請求項１２）によれば、半
導体レーザと、これと直列に配置された第１，第２の２
段の光変調器とを集積化してなる半導体光変調装置を製
造する方法において、基板上に絶縁膜を、上記半導体レ
ーザの導波路形成領域，上記位相変調器の形成領域，上
記強度変調器の形成領域を、それぞれｄ1,ｄ2,ｄ3 （ｄ
1 ＜ｄ3 ＜ｄ2 ) の所要の幅ではさみ込むようにパター
ニングする工程と、ＭＯＣＶＤ法により上記基板上に、
第１導電型クラッド層，活性層，光ガイド層，及び回折
格子形成層を順次結晶成長させ、このとき、上記絶縁膜
パターンの間に、活性層を、その層厚が上記半導体レー
ザ形成領域，上記位相変調器形成領域，上記強度変調器
形成領域の順に、ｔ1,ｔ2,ｔ3 （ｔ1 ＞ｔ3 ＞ｔ2 ) と
なり、そのバンドギャップが、順にＥ1,Ｅ2,Ｅ3 （Ｅ1
＞Ｅ3 ＞Ｅ2 ) となるように成長させる工程と、上記絶
縁膜を取り除いた後、第２導電型クラッド層を結晶成長
させる工程と、上記半導体レーザ形成領域の導波路をス
トライプ状にパターニングした後、上記回折格子層，光
ガイド層，活性層，第１導電型クラッド層，及び基板
を、ウェットエッチング法によりエッチングを行い、各
層をメサ状に残す工程と、上記メサ状に加工した基板上
に、第１導電型埋め込み層，第２導電型埋め込み層，第
１導電型埋め込み層，及び第２導電型クラッド層を、Ｍ
ＯＣＶＤ法により順次結晶成長させる工程と、上記半導
体レーザ形成領域と位相変調器形成領域間の分離溝，及
び上記位相変調器形成領域と上記強度変調器形成領域間
の分離溝を形成する工程と、上記半導体レーザ領域，位
相変調器領域，及び強度変調器領域の各々の上面に、各
々第１導電型側オーミック電極を，その下面に共通の第
１導電型側オーミック電極を形成する工程とを備えたも
のとしたので、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方式を容
易な構成で実現できる半導体光変調装置を製造すること
ができる効果がある。
導体レーザと、これと直列に配置された第１，第２の２
段の光変調器とを集積化してなる半導体光変調装置を製
造する方法において、基板上に絶縁膜を、上記半導体レ
ーザの導波路形成領域，上記位相変調器の形成領域，上
記強度変調器の形成領域を、それぞれｄ1,ｄ2,ｄ3 （ｄ
1 ＜ｄ3 ＜ｄ2 ) の所要の幅ではさみ込むようにパター
ニングする工程と、ＭＯＣＶＤ法により上記基板上に、
第１導電型クラッド層，活性層，光ガイド層，及び回折
格子形成層を順次結晶成長させ、このとき、上記絶縁膜
パターンの間に、活性層を、その層厚が上記半導体レー
ザ形成領域，上記位相変調器形成領域，上記強度変調器
形成領域の順に、ｔ1,ｔ2,ｔ3 （ｔ1 ＞ｔ3 ＞ｔ2 ) と
なり、そのバンドギャップが、順にＥ1,Ｅ2,Ｅ3 （Ｅ1
＞Ｅ3 ＞Ｅ2 ) となるように成長させる工程と、上記絶
縁膜を取り除いた後、第２導電型クラッド層を結晶成長
させる工程と、上記半導体レーザ形成領域の導波路をス
トライプ状にパターニングした後、上記回折格子層，光
ガイド層，活性層，第１導電型クラッド層，及び基板
を、ウェットエッチング法によりエッチングを行い、各
層をメサ状に残す工程と、上記メサ状に加工した基板上
に、第１導電型埋め込み層，第２導電型埋め込み層，第
１導電型埋め込み層，及び第２導電型クラッド層を、Ｍ
ＯＣＶＤ法により順次結晶成長させる工程と、上記半導
体レーザ形成領域と位相変調器形成領域間の分離溝，及
び上記位相変調器形成領域と上記強度変調器形成領域間
の分離溝を形成する工程と、上記半導体レーザ領域，位
相変調器領域，及び強度変調器領域の各々の上面に、各
々第１導電型側オーミック電極を，その下面に共通の第
１導電型側オーミック電極を形成する工程とを備えたも
のとしたので、光ＣＤＭＡスペクトル拡散伝送方式を容
易な構成で実現できる半導体光変調装置を製造すること
ができる効果がある。
【００８９】またこの発明（請求項１３）によれば、多
電極型の波長可変レーザと、これと直列に配置された光
変調器とを集積化してなる半導体光変調装置を製造する
方法において、基板上に絶縁膜を、上記半導体レーザの
形成領域，上記光変調器を作製する部分を、それぞれ、
ｄ1,ｄ2 （ｄ1 ＜ｄ2 ) の所要の幅ではさみ込むように
パターニングする工程と、ＭＯＣＶＤ法により上記第１
導電型基板上に、第１導電型クラッド層，活性層，光ガ
イド層，及び回折格子形成層を順次結晶成長させ、この
とき、上記絶縁膜のパターン間に、活性層を、その層厚
が上記半導体レーザ形成領域，上記光変調器形成領域の
順に、ｔ1,ｔ2 （ｔ1 ＞ｔ2 ) となり、そのバンドギャ
ップが、順にＥ1,Ｅ2 （Ｅ1 ＞Ｅ2 ) となるよう成長さ
せる工程と、上記レーザ形成領域のみに、干渉露光法に
より上記回折格子形成層より回折格子を形成する工程
と、上記絶縁膜を取り除いた後、第２導電型クラッド層
を結晶成長させる工程と、導波路をストライプ状にパタ
ーニングした後、上記回折格子層，光ガイド層，活性
層，第１導電型クラッド層，及び基板を、ウェットエッ
チング法によりエッチングを行い、各層をメサ状に残す
工程と、上記メサ状に加工した基板上に、第１導電型埋
め込み層，第２導電型埋め込み層，第１導電型埋め込み
層，及び第２導電型クラッド層を、ＭＯＣＶＤ法により
順次結晶成長させる工程と、上記レーザの前後電極間の
分離溝，及びレーザ領域と光変調器領域間の分離溝を形
成する工程と、上記レーザの前，後電極，及び光変調器
の各々の上面に、各々第２導電型側オーミック電極を、
その下面に共通の第１導電型側オーミック電極を形成す
る工程とを備えたものとしたので、光ＣＤＭＡスペクト
ル拡散伝送方式を容易な構成で実現できる半導体光変調
装置を製造することができる効果がある。
電極型の波長可変レーザと、これと直列に配置された光
変調器とを集積化してなる半導体光変調装置を製造する
方法において、基板上に絶縁膜を、上記半導体レーザの
形成領域，上記光変調器を作製する部分を、それぞれ、
ｄ1,ｄ2 （ｄ1 ＜ｄ2 ) の所要の幅ではさみ込むように
パターニングする工程と、ＭＯＣＶＤ法により上記第１
導電型基板上に、第１導電型クラッド層，活性層，光ガ
イド層，及び回折格子形成層を順次結晶成長させ、この
とき、上記絶縁膜のパターン間に、活性層を、その層厚
が上記半導体レーザ形成領域，上記光変調器形成領域の
順に、ｔ1,ｔ2 （ｔ1 ＞ｔ2 ) となり、そのバンドギャ
ップが、順にＥ1,Ｅ2 （Ｅ1 ＞Ｅ2 ) となるよう成長さ
せる工程と、上記レーザ形成領域のみに、干渉露光法に
より上記回折格子形成層より回折格子を形成する工程
と、上記絶縁膜を取り除いた後、第２導電型クラッド層
を結晶成長させる工程と、導波路をストライプ状にパタ
ーニングした後、上記回折格子層，光ガイド層，活性
層，第１導電型クラッド層，及び基板を、ウェットエッ
チング法によりエッチングを行い、各層をメサ状に残す
工程と、上記メサ状に加工した基板上に、第１導電型埋
め込み層，第２導電型埋め込み層，第１導電型埋め込み
層，及び第２導電型クラッド層を、ＭＯＣＶＤ法により
順次結晶成長させる工程と、上記レーザの前後電極間の
分離溝，及びレーザ領域と光変調器領域間の分離溝を形
成する工程と、上記レーザの前，後電極，及び光変調器
の各々の上面に、各々第２導電型側オーミック電極を、
その下面に共通の第１導電型側オーミック電極を形成す
る工程とを備えたものとしたので、光ＣＤＭＡスペクト
ル拡散伝送方式を容易な構成で実現できる半導体光変調
装置を製造することができる効果がある。
【図１】 この発明の第１の実施例による半導体光変調
装置を示す断面側面図である。
装置を示す断面側面図である。
【図２】 この発明の第２の実施例による，上記実施例
１の半導体光変調装置を製造する方法を示す工程断面図
である。
１の半導体光変調装置を製造する方法を示す工程断面図
である。
【図３】 この発明の第３の実施例による半導体光変調
装置を示す断面側面図である。
装置を示す断面側面図である。
【図４】 この発明の第４の実施例による，上記実施例
２の半導体光変調装置を製造する方法を示す工程断面図
である。
２の半導体光変調装置を製造する方法を示す工程断面図
である。
【図５】 この発明の第５の実施例による半導体光変調
装置を示す断面側面図である。
装置を示す断面側面図である。
【図６】 この発明の第６の実施例による，上記実施例
５の半導体光変調装置を製造する方法を示す工程断面図
である。
５の半導体光変調装置を製造する方法を示す工程断面図
である。
【図７】 上記実施例１の、(a) は第１強度変調器２１
におけるパルス列（例えば表示したパルス列の繰り返
し）を示す図、(b) は第２強度変調器２２におけるパル
ス列（(a) の繰り返し周期に一致したデータパルス列）
を示す図である。
におけるパルス列（例えば表示したパルス列の繰り返
し）を示す図、(b) は第２強度変調器２２におけるパル
ス列（(a) の繰り返し周期に一致したデータパルス列）
を示す図である。
【図８】 上記実施例５において、中央の電極に印加す
るエンコードデータに応じて、注入電流が変化する様子
を示す図（図８(a) ），及び周波数ホッピング法におけ
る光波長の時間的変動を示す図（図８(b) ）である。
るエンコードデータに応じて、注入電流が変化する様子
を示す図（図８(a) ），及び周波数ホッピング法におけ
る光波長の時間的変動を示す図（図８(b) ）である。
【図９】 従来のＣＤＭＡ法におけるエンコーディング
の原理を示す図である。
の原理を示す図である。
１ ｎ−ＩｎＰ基板、２ ｎ−ＩｎＰクラッド層、３
ＩｎＧａＡｓＰ活性層、４ ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド
層、５ 回折格子、６ ｐ−ＩｎＰクラッド層、７ ｐ
側オーミック電極、８はｎ側オーミック電極、９ Ｉｎ
ＧａＡｓＰ光導波層、１０ａ，１０ｂ 分離溝、３１
パルス列、２００ 半導体光変調装置、３００ 半導体
光変調装置、４００ 半導体光変調装置、２３ ＬＤ
部、２４位相変調器、２５ 強度変調器、２６ ＬＤ
部、２６ａ 前方部分、２６ｂ 後方部分、１１ｃ 分
離溝、１２ ＳｉＯ2 絶縁膜、１３ ｎ型埋め込み層、
１４ｐ型埋め込み層、１５ ｎ型埋め込み層、１００
光パルス信号、１０２ 分波器、１０２ 光ファイバ、
１０３ 合波器、１０４ パルス列。
ＩｎＧａＡｓＰ活性層、４ ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド
層、５ 回折格子、６ ｐ−ＩｎＰクラッド層、７ ｐ
側オーミック電極、８はｎ側オーミック電極、９ Ｉｎ
ＧａＡｓＰ光導波層、１０ａ，１０ｂ 分離溝、３１
パルス列、２００ 半導体光変調装置、３００ 半導体
光変調装置、４００ 半導体光変調装置、２３ ＬＤ
部、２４位相変調器、２５ 強度変調器、２６ ＬＤ
部、２６ａ 前方部分、２６ｂ 後方部分、１１ｃ 分
離溝、１２ ＳｉＯ2 絶縁膜、１３ ｎ型埋め込み層、
１４ｐ型埋め込み層、１５ ｎ型埋め込み層、１００
光パルス信号、１０２ 分波器、１０２ 光ファイバ、
１０３ 合波器、１０４ パルス列。
Claims (13)
- 【請求項１】 半導体レーザと、これと直列に配置され
る２段の光変調器とを集積化してなる半導体光変調装置
であって、 上記２段のうちの第１段の光変調器は、エンコードデー
タを入力とし、上記半導体レーザの出力光を、上記エン
コードデータに応じて変調するものであり、 上記２段のうちの第２段の光変調器は、伝送信号を入力
とし、上記第１の光変調器の出力光を、上記伝送信号に
応じて変調するものであり、 スペクトル拡散方式に基づいた変調を行うことを特徴と
する半導体光変調装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体光変調装置にお
いて、 上記第１段の光変調器は、エンコードデータを入力と
し、上記半導体レーザの出力光を、上記エンコードデー
タに応じて強度変調する第１の強度変調器であり、 上記第２段の光変調器は、伝送信号を入力とし、上記第
１の光変調器の出力光を、上記伝送信号に応じて強度変
調する第２の強度変調器であることを特徴とする半導体
光変調装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の半導体光変調装置にお
いて、 上記第１段の光変調器は、エンコードデータを入力と
し、上記半導体レーザの出力光を、上記エンコードデー
タに応じて位相変調する位相変調器であり、 上記第２段の光変調器は、伝送信号を入力とし、上記第
１の光変調器の出力光を、上記伝送信号に応じて強度変
調する強度変調器であることを特徴とする半導体光変調
装置。 - 【請求項４】 多電極型の波長可変レーザと、光変調器
とを集積化してなる半導体光変調装置であって、 上記多電極型の波長可変レーザは、そのいずれか１つの
電極にエンコードデータを入力として受けて、該レーザ
よりの出力に周波数ホッピングを生じさせるものであ
り、 上記光変調器は、伝送信号を入力として受け、上記多電
極型の波長可変レーザの出力光に対して強度変調を行う
ものであり、 スペクトル拡散方式に基づいた変調を行うことを特徴と
する半導体光変調装置。 - 【請求項５】 請求項４に記載の半導体光変調装置にお
いて、 上記多電極型の波長可変レーザは、共振器方向に電極を
分割した多電極型の波長可変レーザであり、 上記光変調器は、電界吸収型の光強度変調器であること
を特徴とする半導体光変調装置。 - 【請求項６】 半導体レーザと、これと直列に配置され
た第１，第２の２段の光変調器とを集積化してなる半導
体光変調装置による光変調方法であって、 上記２段のうちの第１段の光変調器にエンコードデータ
を入力して、上記半導体レーザからの光を、上記エンコ
ードデータに応じて変調し、 上記２段のうちの第２段の光変調器に伝送信号を入力し
て、上記第１の光変調器の出力光を、上記伝送信号に応
じて変調することにより、 スペクトル拡散方式に基づいた変調を行うことを特徴と
する半導体光変調装置による光変調方法。 - 【請求項７】 請求項６に記載の半導体光変調装置によ
る光変調方法において、 上記エンコードデータに応じて上記半導体レーザからの
光の変調は、強度変調であり、 上記伝送信号に応じた上記第１の光変調器の出力光の変
調は、強度変調であることを特徴とする半導体光変調装
置による光変調方法。 - 【請求項８】 請求項６に記載の半導体光変調装置によ
る光変調方法において、 上記エンコードデータに応じて上記半導体レーザからの
光の変調は、位相変調であり、 上記伝送信号に応じた上記第１の光変調器の出力光の変
調は、強度変調であることを特徴とする半導体光変調装
置による光変調方法。 - 【請求項９】 多電極型の波長可変レーザと、光変調器
とを集積化してなる半導体光変調装置による光変調方法
において、 上記多電極型の波長可変レーザのいずれか１つの電極に
エンコードデータを入力して、該波長可変レーザからの
光に周波数ホッピングを生じさせ、 上記光変調器に伝送信号を入力して、該光強度変調器に
より上記多電極型の波長可変レーザの出力光に対して強
度変調を行うことにより、 スペクトル拡散方式に基づいた変調を行うことを特徴と
する半導体光変調装置の光変調方法。 - 【請求項１０】 請求項９に記載の光変調方法におい
て、 上記多電極型の波長可変レーザは、共振器方向に電極を
分割した多電極型の波長可変レーザであって、その後方
の電極にエンコードデータを入力して、該波長可変レー
ザの出力として、周波数ホッピングを生じさせた光を出
力するものであり、 上記光変調器は、電界吸収型の光強度変調器であって光
強度変調を行うものであることを特徴とする半導体光変
調装置による光変調方法。 - 【請求項１１】 半導体レーザと、これと直列に配置さ
れた第１，第２の２段の光変調器とを集積化してなる半
導体光変調装置を製造する方法において、 基板上に絶縁膜を、上記半導体レーザの導波路形成領
域，上記第１の光変調器の形成領域，上記第２の光変調
器の形成領域を、それぞれｄ1,ｄ2,ｄ3 （ｄ1 ＜ｄ2 ＝
ｄ3 ) の所要の幅ではさみ込むようにパターニングする
工程と、 ＭＯＣＶＤ法により上記基板上に、第１導電型下クラッ
ド層，活性層，光ガイド層，及び回折格子形成層を順次
結晶成長させ、このとき、上記絶縁膜のパターン間に、
上記活性層を、その層厚が上記半導体レーザ形成領域，
上記第１光変調器形成領域，上記第２光変調器形成領域
の順に、ｔ1,ｔ2,ｔ3 （ｔ1 ＞ｔ2 ＝ｔ3 ) となり、そ
のバンドギャップが、順にＥ1,Ｅ2,Ｅ3 （Ｅ1 ＞Ｅ2 ＝
Ｅ3 ) となるよう成長させる工程と、 上記絶縁膜を取り除いた後、第２導電型上クラッド層を
結晶成長させる工程と、上記半導体レーザ形成領域の導
波路をストライプ状にパターニングした後、上記回折格
子層，光ガイド層，活性層，下クラッド層，及び基板
を、ウェットエッチング法によりエッチングを行い、各
層をメサ状に残す工程と、 上記メサ状に加工した基板上に、第１導電型埋め込み
層，第２導電型埋め込み層，第１導電型埋め込み層，及
び第２導電型クラッド層を、ＭＯＣＶＤ法により順次結
晶成長させる工程と、 上記半導体レーザ形成領域と第１光変調器形成領域間の
分離溝，及び上記第１光変調器形成領域と上記第２光変
調器形成領域間の分離溝を形成する工程と、上記半導体
レーザ領域，第１の光変調器領域，及び第２の光変調器
領域の各々の上面に、各々第２導電型側オーミック電極
を，その下面に共通の第１導電型側オーミック電極を形
成する工程とを備えたことを特徴とする半導体光変調装
置の製造方法。 - 【請求項１２】 半導体レーザと、これと直列に配置さ
れた第１，第２の２段の光変調器とを集積化してなる半
導体光変調装置を製造する方法において、 基板上に絶縁膜を、上記半導体レーザの導波路形成領
域，上記位相変調器の形成領域，上記強度変調器の形成
領域を、それぞれｄ1,ｄ2,ｄ3 （ｄ1 ＜ｄ3 ＜ｄ2 ) の
所要の幅ではさみ込むようにパターニングする工程と、 ＭＯＣＶＤ法により上記基板上に、第１導電型クラッド
層，活性層，光ガイド層，及び回折格子形成層を順次結
晶成長させ、このとき、上記絶縁膜パターンの間に、活
性層を、その層厚が上記半導体レーザ形成領域，上記位
相変調器形成領域，上記強度変調器形成領域の順に、ｔ
1,ｔ2,ｔ3 （ｔ1 ＞ｔ3 ＞ｔ2 ) となり、そのバンドギ
ャップが、順にＥ1,Ｅ2,Ｅ3 （Ｅ1 ＞Ｅ3 ＞Ｅ2 ) とな
るように成長させる工程と、 上記絶縁膜を取り除いた後、第２導電型クラッド層を結
晶成長させる工程と、 上記半導体レーザ形成領域の導波路をストライプ状にパ
ターニングした後、上記回折格子層，光ガイド層，活性
層，第１導電型クラッド層，及び基板を、ウェットエッ
チング法によりエッチングを行い、各層をメサ状に残す
工程と、 上記メサ状に加工した基板上に、第１導電型埋め込み
層，第２導電型埋め込み層，第１導電型埋め込み層，及
び第２導電型クラッド層を、ＭＯＣＶＤ法により順次結
晶成長させる工程と、 上記半導体レーザ形成領域と位相変調器形成領域間の分
離溝，及び上記位相変調器形成領域と上記強度変調器形
成領域間の分離溝を形成する工程と、 上記半導体レーザ領域，位相変調器領域，及び強度変調
器領域の各々の上面に、各々第１導電型側オーミック電
極を，その下面に共通の第１導電型側オーミック電極を
形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体光変調
装置の製造方法。 - 【請求項１３】 多電極型の波長可変レーザと、これと
直列に配置された光変調器とを集積化してなる半導体光
変調装置を製造する方法において、 基板上に絶縁膜を、上記半導体レーザの形成領域，上記
光変調器を作製する部分を、それぞれ、ｄ1,ｄ2 （ｄ1
＜ｄ2 ) の所要の幅ではさみ込むようにパターニングす
る工程と、 ＭＯＣＶＤ法により上記第１導電型基板上に、第１導電
型クラッド層，活性層，光ガイド層，及び回折格子形成
層を順次結晶成長させ、このとき、上記絶縁膜のパター
ン間に、活性層を、その層厚が上記半導体レーザ形成領
域，上記光変調器形成領域の順に、ｔ1,ｔ2 （ｔ1 ＞ｔ
2 ) となり、そのバンドギャップが、順にＥ1,Ｅ2 （Ｅ
1 ＞Ｅ2 ) となるよう成長させる工程と、上記レーザ形
成領域のみに、干渉露光法により上記回折格子形成層よ
り回折格子を形成する工程と、 上記絶縁膜を取り除いた後、第２導電型クラッド層を結
晶成長させる工程と、 導波路をストライプ状にパターニングした後、上記回折
格子層，光ガイド層，活性層，第１導電型クラッド層，
及び基板を、ウェットエッチング法によりエッチングを
行い、各層をメサ状に残す工程と、 上記メサ状に加工した基板上に、第１導電型埋め込み
層，第２導電型埋め込み層，第１導電型埋め込み層，及
び第２導電型クラッド層を、ＭＯＣＶＤ法により順次結
晶成長させる工程と、上記レーザの前後電極間の分離
溝，及びレーザ領域と光変調器領域間の分離溝を形成す
る工程と、 上記レーザの前，後電極，及び光変調器の各々の上面
に、各々第２導電型側オーミック電極を、その下面に共
通の第１導電型側オーミック電極を形成する工程とを備
えたことを特徴とする半導体光変調装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21365094A JPH0878790A (ja) | 1994-09-07 | 1994-09-07 | 半導体光変調装置，光変調方法，及び半導体光変調装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21365094A JPH0878790A (ja) | 1994-09-07 | 1994-09-07 | 半導体光変調装置，光変調方法，及び半導体光変調装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878790A true JPH0878790A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16642682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21365094A Pending JPH0878790A (ja) | 1994-09-07 | 1994-09-07 | 半導体光変調装置，光変調方法，及び半導体光変調装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0878790A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6671468B1 (en) | 1998-05-20 | 2003-12-30 | Alcatel | Light source and method for the transmission of spectrally coded data |
| JP2013197815A (ja) * | 2012-03-19 | 2013-09-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 変調光源および変調信号の生成方法 |
-
1994
- 1994-09-07 JP JP21365094A patent/JPH0878790A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6671468B1 (en) | 1998-05-20 | 2003-12-30 | Alcatel | Light source and method for the transmission of spectrally coded data |
| JP2013197815A (ja) * | 2012-03-19 | 2013-09-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 変調光源および変調信号の生成方法 |
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